JPH01198475A

JPH01198475A - 薄膜作製方法

Info

Publication number: JPH01198475A
Application number: JP2246388A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Sekiguchi; 敦関口; Tsukasa Kobayashi; 司小林; Shinji Takagi; 信二高城
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1988-02-02
Filing date: 1988-02-02
Publication date: 1989-08-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は半導体デバイス、電子部品、センサー、等を作
製する際に用いる優れた特性のアルミニウム合金薄膜の
作製方法に関するものである。

（従来の技術）従来、半導体デバイス、電子部品、センサー等には配線
用として、アルミニウムまたはアルミニウム合金薄膜が
用いられている、そしてこれらのアルミニウム合金薄膜
は殆んどがスパッタリング法により作製されてきた。

ところで半導体デバイスの集積度が増大しパターンが微
細化するにつれて、従来のスパッタリング法で作製され
る膜のパターン段差部での被覆性の悪さが表面化して、
配線部の信頼性が低下し、断線のおそれを生じるように
なってきた。

Ｍ、Ｌ、ＧＲＥＥＮらはトリイソブチルアルミニーラム
を原料として、減圧ＣＶＤによりアルミニウム膜を作製
していて、（Ｔｈｉｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ　Ｖｏ
ｌ、１１４　ｐ、３６７−３７７　（１９８４発行））
この方法では、段差被覆性の良好なＡＩＩ配線膜の作製
出来ることを示している。

しかし配線用として純アルミニウムを用いた場合には、
アルミニウム配線内を通る電流の密度が大きいと、エレ
クトロマイグレーションによってアルミニウム原子が移
動し、配線の断線や短絡が生じることがある。また基板
のシリコンとアルミニウムの界面においてアルミ−シリ
コン合金化しやすく、界面特性の安定化に問題がある。

エレクトロマイグレーションの防止や界面の安定性のた
めには、アルミニウムに小量のシリコンを導入したアル
ミ−シリコン合金を用いるのが良いことが知られていて
、従来のスパッタリング法では、ターゲツト材としてア
ルミ−シリコン材を用いて容易にアルミ−シリコン合金
膜を得ている。

しかしこの場合も段差被覆性の良いアルミ−シリコン膜
を得るのに困難があることには変わりがない。

減圧ＣＶＤ法を用いて作製したアルミニウム膜中ヘシリ
コンを含有させる方法は、Ｍ、Ｊ、Ｃ００ＫＥらが試み
ている。　（Ｓｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ１９８２年１２月号　英語版　Ｐ、６２−６５　
　日本語版Ｐ、４この中でＭ、Ｊ、Ｃ００ＫＥらはトリ
イソブチルアルミニウムを原料気体として減圧ＣＶＤで
アルミニウム膜を作製したのち、このアルミニウム膜付
きの基体を昇温してシランに接触させ、これによってア
ルミニウムーシリコン膜を得ている。

（発明が解決しようとする問題点）しかし上記Ｍ、Ｊ、Ｃ００ＫＥらの方法では、２段階の
手法でアルミ−シリコン膜を作製するため量産性が良く
ない欠点がある。

また、アルミニウム合金膜の表面平坦性は通常、光の反
射率で表されるが、Ｍ、Ｊ、Ｃ００ＫＥらによると、彼
らが作製したアルミニウム合金膜は通常の配線に用いる
膜厚の０．８〜１μｍにおいて反射率が１０〜２０％で
あって、表面に非常に多数の大きい凹凸があり、かなり
粗悪な膜である。

この反射率特性は、表面の粗さの目安であるのみならず
、デバイス作製プロセスにおける工程中のパターン合わ
せの位置出しでも重要な役割を果たすもので、ある程度
以上の反射率がない場合はパターン合わせの位置出しが
不可能ともなる。その目安としては反射率５０％が要求
されていて、Ｍ、Ｊ、Ｃ００ＫＥらの方法で得られた膜
では、デバイス作製プロセス中のパターン合わせて位置
出しが不可能となり、この方法を生産工程に導入するこ
とには非常な困難がある。

問題は上記以外に、成膜速度の点にもある。

例えば、Ｍ、Ｌ、ＧＲＥＥＮらの方法では成膜速度は３
０ｎｍ／分程度であり、またＭ、Ｊ、Ｃ００ＫＥらの方
法では成膜速度は最大２００ｎｍ／分、通常は１５±５
ｎｍ／分程度であって、ともに実用的な量産化レベルと
して要求されている５００ｎｍ／分を大きく下まわって
いる。

（発明の目的）本発明は、減圧ＣＶＤプロセスによって、高速に表面平
坦性の良いアルミニウム合金膜を作製できる方法を提供
することを目的とする。

（問題を解決するための手段）上記の目的を達成するために、本発明は、少なくとも二
種類の気体の混合気体を分解反応させ、所定の温度に設
定した基体の表面に該二種類の気体の含有元素を含む薄
膜を作製する薄膜作製方法において、該二種類の気体の
一方は、アルミニウムを含有する化合物の気体またはそ
の混合気体（以下、アルミニウム含有気体）であり、他
方は、アルミニウム以外の金属を含有する化合物の気体
またはその混合気体（以下、金属含有気体）であるよう
にして、これらを分解反応させ、所定の温度に設定した
基体の表面にアルミニウム合金膜を作製する。

（作用）段差被覆性の良い減圧ＣＶＤプロセスを用いることでア
ルミニウム合金膜の段差被覆性を改善するとともに、ア
ルミニウム含有気体と金属含有気体を併用することで、
純アルミニウムよりもマイグレーションの少ないアルミ
ニウム合金膜を高速に、且つ、なめらかな表面状態で作
製できる。

（実施例）第１図は本発明の薄膜作製方法を実施する装置の一例で
あり、１０は内側を真空に保つことのできる真空チャン
バーで、チャンバー蓋１１とチャンバー本体１２から成
り立っている。両部品はＯリング１６で真空シールされ
ている。１３は基体ホルダーで、本実施例ではチャンノ
セー蓋１１側に設置している。

基体ホルダー１３．は、その表面に所定の薄膜を作製せ
んとする基体１４を保持すると共に、内蔵されている温
度調整機構２０によって基体ホルダー１３を通して基体
１４の温度調整を行なフている。

この温度調整機構２０は、測温部の熱電対２２とヒータ
ー２１と、図示しないヒーター電源およびヒーター電源
制御装置から成り立っている。そのヒーター電源は通常
の１．００　Ｖまたは２００ｖの商業用交流電源であっ
ても良いし、゛直流電源を用いても良い。

本実施例では２００Ｖ、５０）（ｚをサイリスター制御
してヒーター電源とした。このサイリスターの制御には
ＰＩＤ制御を用いた。ＰＩＤ制御の代わりに制御特性は
多少悪くなるが安価なＰＩ制御、またはリレーの０Ｎ−
ＯＦＦ制御を用いてもよい。

１５はガス分配板であって、基体１４０表面の前面空間
に均一性よく気体を導入するためのものであり、これに
は導入気体を予備加熱する効果もある。これの効、果に
ついては更に後述する。

、アルミニウム含有気体として本実施例ではトリイソブ
チルアルミニウムを用いた。図示しない温度制御された
バブラーの中で、流量制御されたキャリアーガスのアル
ゴンで、トリイソブチルアルミ、ニウムをバブリングし
てアルミニウム含有気体を作製し、第１図の４２の方向
からバルブ４１を通して真空チャンバー１０内に導入す
る。

、本実施例では、シリコン含有気体として１００％ジシ
ランガスを用いた。

図示しないシリンダー内で液化保存されているジシラン
を、圧力調整器を用いて大気圧よりも１ｋｇ／ｃｍ２だ
け加圧した状態で気化および圧力調整しシリコン含有気
体とする。このシリコン含有気体は図示しない流量制御
装置を通し、矢印５２の方向から、バルブ５１を通して
真空チャンバー１０内に導入する。

真空チャンバーｌθ内の排気は、バルブ６１を通して矢
印６２の方向からターボ分子ポンプ６３および油拡散ポ
ンプ６４により行なわれる。

ターボ分子ポンプ６３の代わりに油拡散ポンプを用いて
も良いが、アルミニウム含有気体およびシリコン含有気
体を流しながらの使用は不可能である。ターボ分子ボン
１６３として、ＩＴｏｒｒ付近まで排気速度のある複合
型ターボ分子ポンプを用いると、アルミニウム含有気体
およびシリコン含有気体を流しながらターボ分子ポンプ
６３を使用することができる。

ガス分配板１５は、基板ホルダー１０と同様に、温度調
整機構３０（ヒーター３１、熱電対３２等）により所定
の温度に設定することができる。これの役割は本願出願
人が先に提出した、特願昭６２−１７２３７４号「成膜
装置および方法」に明記されている。

第１図の装置を用いる場合の操作手順を次ぎに示す。

チャンバー蓋１１を開き、真空チャンバー１０内を大気
に開放して、基体ホルダー１３に基体１４を固定する。

チャンバー蓋１１を閉じて真空荒引きした後バルブ６１
を開き、１０−’Ｔｏｒｒよりも高真空に排気する。こ
の状態で基板ホルダー１３を３７０℃、ガス分配板１５
を２３０℃、バブラー温度を７０℃に設定する。各温度
が安定した状態で、かつ真空チャンバー１０内が１０−
’Ｔｏｒｒ以下に排気出来た時点でバルブ６１を開き、
シリコン含有気体を１０１０５ｅの流量で真空チャンバ
ー１０内に導入する。真空チャンバー１０内の圧力は、
バルブ６１により排気のコンダクタンスを変化させて調
整する。本実施例では約２Ｔｏｒｒに設定する。

バブリング用のキャリアガスのアルゴンを４０ｓｃ、ｃ
ｍづつ流し、アルミニウム含有化合物を先に設定したバ
ブラー温度７０℃でバブリングしてアルミニウム含有気
体にし、バルブ４１を開けて真空チャンバー１０内に導
入する。

この時点を”成膜開始”とする。

その後さらにバルブ６１０間度を調整して真空チャンバ
ーｌθ内の圧力を２Ｔｏｒｒに設定する。ここには、バ
ルブ６１に直列にバリーアブルコンダクタンスバルブを
設置し、真空チャンバー１０内の圧力をモニターする自
動圧力調整機構を設置してもよい。

所定時間（約１．５分）後、バルブ４１を閉じて”成膜
終了”とする。

バルブ６１を全開としバルブ５１を閉じて真空チャンバ
ー１０内を再び高真空にした後、チャンバー蓋１１を間
き、基板を取り出す。

このようにすることで、Ａｌ１−０．３％Ｓｉ膜が７０
０ｎｍ／分の速度で得られた。反射率６０％（５００ｎ
ｍ光において）の良質な膜であった。

これは、先に示した量産プロセスに要求される成膜速度
５００　ｎｍ／分、反射率５０％を充分満足するもので
ある。アルミニウム含有気体にジシランを併用する本発
明の方法は、量産上極めて有益な発明ということができ
る。

さて、本発明の方法のようにジシランを併用すると、ア
ルミニウム合金膜の表面状態が改善され、同時に大きな
成膜速度が得られる等の有益な効果が得られるが、その
成膜のメカニズムの詳細は不明である。しかし次゛の５
つの作用によってこの有益な効果が得られるものと考え
られる。

（１）残留酸素のゲッタ作用。

アルミニウム含有化合物としてトリイソブチルアルミニ
ウムを用いたが、本化合物は無色透明で粘性のある油状
物質である。真空チャンバーｌＯ内に本化合物を導入す
るとチャンバー壁に吸着し、その後のチャンバー壁から
のガス放出量が非常に増大する。このためシール性の非
常によい真空チャンバーを用ｔ）ても、真空チャンバー
１０を１０−’　Ｔ　ｏｒｒ程度までしか真空引きでき
ない。

ところで、アルミニウム膜作製のための蒸着やスパッタ
リングでは、残留酸素を除くために到達圧力が１０″”
　Ｔ　ｏｒｒ程度の高真空チャンバーが必要であるが、
ＣｖＤチャンバーは先の理由でこの条件を満足させるこ
とができない。

従って、本発明の場合は、−旦真空チャンバー１０内圧
力を１０−％Ｔ　ｏｒｒまで下げたのち、基体交換の際
に侵入した残留酸素をシリコン含有気体（本実施例のジ
シラン）と反応消費させ、その後にアルミニウム含有気
体を導入している。この操作のため、アルミニウム合金
膜の成膜時の酸素による影響を最小限度に低減できて表
面状態の良好な反射率６０％以上の膜を成膜することが
可能となったと見なしてよい。

ところで、基体交換時に侵入する酸素を低減するために
は、装置の構成を変えて、基体交換室を設置し、基体交
換室と堆積室を分離するとともに、両室を真空内で連通
可能とし、これに基体の受渡し機構を設置する構成にす
ることによっても同様の効果を得ることができる。

（２）アルミニウム含有気体のシリコン含有気体による
還元作用。

シリコン含有気体には還元作用があることが知られてい
る。

例えば、六フッ化タングステン（ＷＦｅ）の減圧ＣＶＤ
において、シラン（ＳｉＨａ）を小量導入すると、タン
グステン膜の成膜速度が増大する。これはシランの還元
作用によるものである。

本発明の方法は化合物が異なっているためこの手法を直
ちに適用出来るとは思えないが、現実上成膜速度を増大
させることが可能であったことから、アルミニウム合金
膜の成膜時においても、これと同様の効果が補助的に存
在しているものと考えられる。

（３）アルミニウムのシリコン合金化。

半導体デバイスの配線用アルミニウム膜はエレクトロマ
イグレーション等により配線の断線または短絡を生じ易
い。アルミニウム中に小量のシリコンを導入するととの
エレクトロマイグレーションが防止出来ることは周知の
通りである。

本発明のようにシリコン含有気体を併用すると、アルミ
ニウム膜の成膜中にシリコン添加を行なうことが可能で
、従来Ｍ、Ｊ、Ｃ００ＫＥらが行なっていた２段階の手
法をとる必要がなくなる様子である。これはプロセスを
単純化出来るため産業上重要である。

（４）シリコン基体との界面特性の良好化。

アルミニウム合金配線はしばしば基体とのコンタクトを
取っている。基体としてシリコン基板を用いた場合、Ｍ
、Ｊ、Ｃ００ＫＥらの手法で成膜を行なうと、シリコン
がアルミニウム内に非常に拡散し易いため、シリコン基
板表面がアルミニウムでエツチングされ、アルミ−シリ
コン界面に凹凸を生じて、界面特性を悪化させる原因と
なる。

即ちＭ、Ｊ、Ｃ００ＫＥらの手法でシリコン基板上にア
ルミニウム膜を作製し、シリコン添加後アルミニウム合
金膜のみをウェットエツチングすると、シリコン基板上
に凹凸が生じてしまう。これはアルミニウム膜の成膜時
に基板のシリコンがアルミニウム膜内に拡散してしまっ
たことを示す。

本発明の手法によると、アルミニウムを膜化しながら同
時にシリコン添加をしているためアルミニウム合金膜を
作製してもシリコン基板の表面には凹凸が観察されない
。

本発明の方法でアルミニウムとシリコンの界面特性が改
善出来るのはこのためとみられる。

（６）酸化シリコン上への成長核発生。

酸化シリコン上にはアルミニウムの成長核が生じにくい
ため平坦性の良いアルミニウム膜を作製することができ
なかった。

しかし本発明の方法を用いると、ジシランが分解して酸
化シリコン上にアルミニウムの成長核が生じ、核の発生
密度を増加させる効果があるため、シリコン上のみなら
ず酸化シリコン上へも同時に平坦性の良い膜を得ること
ができる。

通常のシリコンデバイスにおいてその配線に用いるアル
ミニウム合金は、シリコン基板との接合とともにシリコ
ン基板上に形成された酸化シリコン膜上にパターン形成
して用いている。

本発明により、ＣＶＤの手法を用いてシリコンと酸化シ
リコン上へ同時に平坦性の良い膜を得ることができたこ
とは、ＣＶＤの良好な段差被覆性を生かすためにも非常
に有用である。

以上のように本発明の方法を用いると種々の産業上有益
な結果を得ることができた。

また第１図を用いた実施例では、アルミニウム含有化合
物としてトリイソブチルアルミニウムを用いたが、バブ
リング温度をより高温にし、バルブ４１の付近を加熱す
るようにすれば、ジイソブチルアルミニラムノ）イドラ
イドを用いることも可能であり、トリイソブチルアルミ
ニウムと同様の結果を得ることができる。

またトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム
等の、他のアルミニウム含有化合物を用いることも可能
である。しかしトリメチルアルミニウムやトリエチルア
ルミニウムでは、作製した膜中に多少炭素が残留する欠
点がある。

またシリコン化合物として、ジシランの他にモノシラン
やトリシランを用いてもよい。トリシランはジシラン以
上に有効であるが、現在、高純度のトリシランを多量に
入手することが困難であることが問題である。なお、ジ
クロルシラン等の化合物も同様に用いることが可能であ
る。

また、シリコン含有化合物の導入方法と同様の方法で銅
含有化合物を導入すると、アルミニウム膜中に銅を添加
することが可能となる。

銅の化合物としてはジアセチルアセトナト銅、シクロペ
ンタジェニル銅拳トリエチルリン、ビス（ジピバロイル
メタナト）銅、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト）銅等を用いることができる。

またアルミニウム含有化合物、シリコン含有化合物、銅
含有化合物を同時に用いると、アルミニウムのシリコン
および銅合金が作製できる。

なお、アルミニウム含有化合物、シリコン含有化合物、
銅含有化合物はともに、キャリアガスを併用してもよい
。

アルミニウム含有化合物では不活性ガス、水素、が使え
るほか、アルミニウム含有化合物としてトリイソブチル
アルミニウムを用いるときは、その分解生成物であるイ
ソブチレンをキャリアガスとして用いてもよい。

銅含有化合物も、単体では比較的蒸気圧の低い物質（例
えば、ジアセチルアセトナト銅）の場合には、不活性ガ
スで昇華して銅含有気体を作製して成膜に用いるのがよ
い。

以上のように、本発明は様々の変化をもたせて実施出来
るが、発明の重点は、アルミニウム含有気体に金属含有
気体を併用するＣＶＤ法により、アルミニウム合金膜を
高速に良好な表面状態で成膜出来る点にあり、先に記述
した、キャリアガスやバブリング等によるアルミニウム
含有気体、シリコン含有気体、銅含有気体の作製方法、
温度制御の手段、基体の加熱方法、真空チャンバーの構
造、真空ポンプ、真空排気システム等にこだわるもので
はない。

（発明の効果）本発明により、アルミニウム合金膜を高速で良好な表面
状態で作製出来、量産プロセスにも適用可能な成膜方法
が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を用いる装置の１例の正面断面図
。１０・・・真空チャンバー、１３・・・基体ホルダー、
１４・・・基体、１５・・・ガス分配板、２０．３０・
・・温度調整機構、２１・・・ヒー多−１４１，５１，
６１・・・バルブ、４２．５２．６２・・・流れの方向
の矢印、６３・・・ターボ分子ポンプ、６４・・・油回
転ポンプ。特許出願人　　　日電アネルバ株式会社代理人　　　　
　弁理士　　村上　健次手続補正書（自発）１．事件の表示昭和６３年特許願第２２４６３号２、発明の名称　薄膜作製方法３、補正をする者事件との関係　　特許出願人住所　〒１８３東京都府中市四谷５−８−１名称　　　
　日電アネルバ株式会社代表者　安１）進４゜代理人　　置　　０４２３　（６４）　２１１１住
所　〒１８３東京都府中市四谷５−８−１６、補正によ
り増加する請求項の数　　１８、補正の内容（１）特許請求の欄の記載を別紙の通り補正する。（２）明細書第６頁第５行目の「非常な困難がある。」
と第６行目のｒ問題は上記以外に」との間に次の文章を
挿入する。「また、シリコン基板と純アルミニウムは、非常に相互
拡散しやすく、シリコン基板上に純アルミニウムを堆積
させた。だけですら基板の表面のシリコンがアルミニウ
ム中に拡散し界面特性の劣化が生じる。このため、純アルミニウム膜作製
後、シリコン注入するのではなく堆積と同時にアルミニ
ウム膜中にシリコンが含有されるブ。ロセスが必要とされている。」。（３）同書第１０頁第７行目に「油拡散ポンプ６４」と
あるのを「油回転ポンプ６４」と補正する。（４）同書゛第１２頁第１８行目〜第１３頁第２行目に
「これは、先に示した量産プロセスに・・・発明という
ことができる。」とあるのを次のように補正する。［これは、先に示した量産プロセス２こ要求される成膜
速度５００ｎｒｎ／分、反射率５０％を充分ｊ肯定する
ものである。ジシランの流量を増大させると膜中のシリ
コンの含有量は、０．３％より増大する。また、その場
合、しばしばアルミニウムのブレーンの間にシリコンが
偏析するが、本発明の″合金゛の意味として、この偏析
した状態のものも含むものとする。このように、アルミ
ニウム含有気体にジシランを併用する本発明の方法は、
量産上極めて有益な発明ということができる。」（５）
同省第１４頁第１７行目の「の効果を得ることができる
。」と第１８行目の「（２）アルミニウム含有気体の」
との間に次の文章を挿入する。「そこで、当該装置の具体的な一例を第２図に示してい
る。なお、説明に際して第１図に示した構成要素と同一
の構成要素については同一符号をもって説明する。当該装置は、基体交換室７０と堆積室７７とを分離する
一方、両室は、真空内てゲートバルブ７１を介し・て連
通可能とし、これに図示していない基体の受渡し・機構
を設置する構成にしている。基体交換室７０の端部には
、・矢印７５方向に開閉する基体の搬出入ふた７２を取
り付け、当該搬出入ふた７２は、０リング７３により真
空シールされている。そして、真空処理されるべき基体の搬入搬出は、上記搬
出入ふた７２を開閉し、矢印７４方向に行われる。すな
わち、搬出入ふた７２を開いた状態で大気から基体１４
を基体交換室７０内に搬入する。次に、搬出入ふた７２
を閉めて、基体交換室７０内を図示していない排気系に
よって矢印７６方向に排気する。そして基体交換室７０
内が充分に排員されたところで、ゲートバルブ７１を開
き、基体１４を堆積室７７内に搬送し、基体ホルダー１
３上に設置した後ゲートバルブ７１を閉じる。基体の処理が終了すると、上記の逆の順序に従って基体
の搬出を行う。このように基体交換室７０を設置することによって堆積
室７７を不用意に大気に晒すことなく、基体の出し入れ
が可能で、堆積室内の残留気体（特に酸素）の堆積され
た薄膜への影響を最小限に抑えろことができる。」（６）同書第１５頁第３行目及び第１５行目に「小量」
とあるのを「少量」と補正する。（７）同省第１９頁第１５行目の「併用してもよい。」
と第１６行目の「アルミニウム含有化合物では不活性ガ
ス、」との間に「このアルミニウムーシリコン−銅合金
膜（前述のとうり合金と記述するが、正確にはブレーン
間にシリコン、銅が備析した状態となっている）を用い
るとエレクトロマイグレーションやストレスマイグレー
ションを−ｉ改善することができた。また、このような
３元合金系のみならず他の金属をち導入した多元系の膜
も同様に作製可能である。」の文章を挿入する。（８）図面第２図を別紙の通り補正する。（別紙）補正後の特許請求の範囲の欄（１）少なくとも二種類の気体の混合気体を分解反応さ
せ、所定の温度に設定した気体の表面に該二種類の気体
の含有元素を含む薄膜を作製する薄膜作製方法において
、該二種類の気体の一方は、アルミニウムを含有する化合
物の気体またはその混合気体（以下、アルミニウム含有
気体）であり、他方は、アルミニウム以外の金属を含有
する化合物の気体またはその混合気体（以下、金属含有
気体）であり、作製される薄膜がアルミニウムと該金属
の合金膜であることを特徴とする薄膜作製方法。（２）　ルミニ　ム゛　の金属がシリコンであり、作製
される薄膜がアルミ−シリコン合金膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜作製方法。（３）″ルミニウム゛りの金属が鋼であり、作製される
渾°膜がアルミ−銅合金膜であることを特徴とする特許
請求の一団第１項記載の薄膜作製方法。（４）−ルミニウム゛　の金属かシリコン及び銅であり
、作製される薄膜がアルミ−シリコン−銅合金膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜作製
方法。（旦）アルミニウム含有気体は、これを予備加熱した後
、気体の表面の全面空間に導入することを特徴とする特
許請求の範囲第１１至ｌまユ虚上ｊれかミこ記載の薄膜
作製装置。（旦）初め金属含有気体を基体表面の全面空間に導入し
、その後アルミニウム含有気体をこれに混合していくこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１−“パ５　のいづれ
゛）に記載の薄膜；乍製装凪。（ヱ）アルミニウムを含有する化合物が、トリイソブチ
ルアルミニウムまたはジイソブチルアルミニウムハイド
ライドであり、シリコンを含有する化合物がシラン、ジ
シラン、トリシランまたはジクロルシランであることを
特徴とする特許請求の範囲第２ましくはγ５またζ・１
６項に記載の薄膜作製装置。才２　図昭和６３年特許願第２２４６３号２０発明の名称　薄膜作製方法３、補正をする者事件との関係　　特許出願人住所　〒１８３東京都府中市四谷５−８−１名称　　　
日電アネルバ株式会社代表者　安１）進４、代理人　　置　　０４２３　（６４）　２１１１注
所　〒１８３東京都府中市四谷δ−８−１日電アネルバ
株式会社内１．。氏名　　（８８５９）弁理士　村上　健次□　゛パ閣５
、補正命令の日付　　　　自発　　　　１．ｊ、冨６、
補正により増加する請求項の数　　０７、補正の対象明細書の発明の詳細な説明の欄及び特許請求８、補正の
内容（１）特許請求の欄の記載を別紙の通り補正する。（２）明細書第１８頁第９行目の「結果を得ることがで
きる。」と第１０行目の「またトリメチルアルミニウム
」との間に「また、ジメチルアルミニウムハイドライド
も同様に有効である。」の文章を挿入する。（８１氏）補正後の特許請求の範囲の欄（１）少なくとも二種類の気体の混合気体を分解反応さ
せ、所定の温度に設定した気体の表面に該二種類の気体
の含有元素を含む薄膜を作製する薄膜作製方法において
、該二種類の気体の一方は、アルミニウムを含有□ する化合物の気体またはその混合気体（以下、アルミニ
ウム含有気体）であり、他方は、アルミニウム以外の金
属を含有する化合物の気体またはその混合気体（以下、
金属含有気体）であり、作製される薄膜がアルミニウム
と該金属の合金膜であることを特徴とする薄膜作製方法
。（２）アルミニウム以外の金属がシリコンであり、作製
される薄膜がアルミ−シリコン合金膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜作製方法。（３）アルミニウム以外の金属が銅であり、作製される
薄膜がアルミ−銅合金膜であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の薄膜作製方法。（４）アルミニウム以外の金属がシリコン及び錆であり
、作製される薄膜がアルミ−シリコン−銅合金膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜作製
方法。（６）アルミニウム含有気体は、これを予備加熱した後
、気体の表面の全面空間に導入することを特徴とする特
許請求の範囲第１乃至第４項のいられかに記載の薄膜作
製装置。（６）初め金属含有気体を基体表面の全面空間に導入し
、その後アルミニウム含有気体をこれに混合していくこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１乃至第４項のいづれ
かに記載の薄膜作製装置。（７）アルミニウムを含有する化合物が、トリイソブチ
ルアルミニウム　　　でジ　　ル　ルミニュム△エエユ
ｌ上またはジイソブチルアルミニウムハイドライドであ
り、シリコンを含有する化合物がシラン、ジシラン、ト
リシランまたはジクロルシランであることを特徴とする
特許請求の範囲第２もしくは第５または第６項に記載の
薄膜作製装置。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも二種類の気体の混合気体を分解反応さ
せ、所定の温度に設定した基体の表面に該二種類の気体
の含有元素を含む薄膜を作製する薄膜作製方法において
、該二種類の気体の一方は、アルミニウムを含有する化合
物の気体またはその混合気体（以下、アルミニウム含有
気体）であり、他方は、アルミニウム以外の金属を含有
する化合物の気体またはその混合気体（以下、金属含有
気体）であり、作製される薄膜がアルミニウムと該金属
の合金膜であることを特徴とする薄膜作製方法。
（２）該金属がシリコンであり、作製される薄膜がアル
ミ−シリコン合金膜であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の薄膜作製方法。
（３）該金属が銅であり、作製される薄膜がアルミ−銅
合金膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄膜作製方法。
（４）アルミニウム含有気体はこれを予備加熱した後、
該基体の表面の前面空間に導入することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜作製方法。
（５）初め金属含有気体を基体表面の前面空間に導入し
、その後アルミニウム含有気体をこれに混合していくこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１または４項記載の薄
膜作製方法。
（６）該アルミニウムを含有する化合物が、トリイソブ
チルアルミニウムまたはジイソブチルアルミニウムハイ
ドライドであり、該シリコンを含有する化合物がシラン
、ジシラン、トリシランまたはジクロルシランであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜作製方
法。