JP3461181B2 - 有機アルミニウム化合物処理方法 - Google Patents
有機アルミニウム化合物処理方法Info
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- JP3461181B2 JP3461181B2 JP34639692A JP34639692A JP3461181B2 JP 3461181 B2 JP3461181 B2 JP 3461181B2 JP 34639692 A JP34639692 A JP 34639692A JP 34639692 A JP34639692 A JP 34639692A JP 3461181 B2 JP3461181 B2 JP 3461181B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、活性物質、特に反応性
の高い有機アルミニウム化合物の処理方法に関する。
の高い有機アルミニウム化合物の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴
い、半導体ウエハ上にサブミクロンレベルの微細構造を
制御性よく形成する技術が注目されている。特に、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の製造工程においては、水平方向の素子の
寸法の微細化に伴って、製造工程の後半になるにつれ
て、パターンを形成した半導体ウエハ表面上に形成され
る凹凸を有する素子構造は、微細化および密集化したも
のとなる。このため、各素子間の配線形成の工程におい
ては、微細化および密集化した凹凸を有する表面上に被
覆性がよく配線材料となる導電性膜を形成すると共に、
直径１μｍ以下の微細な配線接続口（以下、コンタクト
ホールと称する）内にＡｌ等の配線材料を埋め込む技術
が必要となる。
い、半導体ウエハ上にサブミクロンレベルの微細構造を
制御性よく形成する技術が注目されている。特に、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の製造工程においては、水平方向の素子の
寸法の微細化に伴って、製造工程の後半になるにつれ
て、パターンを形成した半導体ウエハ表面上に形成され
る凹凸を有する素子構造は、微細化および密集化したも
のとなる。このため、各素子間の配線形成の工程におい
ては、微細化および密集化した凹凸を有する表面上に被
覆性がよく配線材料となる導電性膜を形成すると共に、
直径１μｍ以下の微細な配線接続口（以下、コンタクト
ホールと称する）内にＡｌ等の配線材料を埋め込む技術
が必要となる。
【０００３】配線材料としては、半導体と良いオーミッ
ク・コンタクトをつくる、低い比抵抗値をもつ膜を工業
的な手段で形成できる、シリコンやシリコン酸化膜との
密着性が強い、微細加工できる、ボンディングに適した
冶金学的な性質をもつ、通常の動作条件で信頼性が高い
等の条件を満足することが要求される。
ク・コンタクトをつくる、低い比抵抗値をもつ膜を工業
的な手段で形成できる、シリコンやシリコン酸化膜との
密着性が強い、微細加工できる、ボンディングに適した
冶金学的な性質をもつ、通常の動作条件で信頼性が高い
等の条件を満足することが要求される。
【０００４】従来、このようなＩＣ，ＬＳＩにおける各
素子間の配線形成にはスパッタリング法によるＡｌまた
はＡｌ合金膜が広く用いられている。Ａｌ、Ａｌ合金膜
は、スパッタリング装置のチャンバー内を高真空（１０
−５〜１０−６Ｐａ）に排気後、高純度のＡｒガス等を
導入し（１〜１０−１Ｐａ）、電極間に直流電圧をかけ
てグロー放電を起こさせることにより成膜される。Ａｒ
＋等が陰極（ターゲット）に衝突して原子を叩き出し、
陽極に置かれたＳｉ基板上に原子が成膜される。しかし
ながら、スパッタリング法においては、ターゲット材料
をスパッタリングしてターゲット材料の原子をウエハ表
面にソース物質を堆積させるため、ウエハ表面の凹凸に
応じて、被覆形状が異なることが知られている。特に、
コンタクトホールの径が１μｍ以下となり、深さが１μ
ｍ以上となった場合には、スパッタリング法ではコンタ
クトホール内を完全に埋め込むことは困難となる。
素子間の配線形成にはスパッタリング法によるＡｌまた
はＡｌ合金膜が広く用いられている。Ａｌ、Ａｌ合金膜
は、スパッタリング装置のチャンバー内を高真空（１０
−５〜１０−６Ｐａ）に排気後、高純度のＡｒガス等を
導入し（１〜１０−１Ｐａ）、電極間に直流電圧をかけ
てグロー放電を起こさせることにより成膜される。Ａｒ
＋等が陰極（ターゲット）に衝突して原子を叩き出し、
陽極に置かれたＳｉ基板上に原子が成膜される。しかし
ながら、スパッタリング法においては、ターゲット材料
をスパッタリングしてターゲット材料の原子をウエハ表
面にソース物質を堆積させるため、ウエハ表面の凹凸に
応じて、被覆形状が異なることが知られている。特に、
コンタクトホールの径が１μｍ以下となり、深さが１μ
ｍ以上となった場合には、スパッタリング法ではコンタ
クトホール内を完全に埋め込むことは困難となる。
【０００５】一方、ＣＶＤ法を用いる薄膜形成技術にお
いては、ウエハ表面に接する気相中に含まれる原料ガス
を熱エネルギー等を用いて分解することによって、目的
とする薄膜をウエハ表面上に形成する。ＣＶＤ法では、
堆積膜の原料をウエハ表面に均一に分布させることがで
き、また、原料ガスがウエハ表面で分解反応を起こすこ
とにより薄膜堆積が起きるため、スパッタリング法と比
較して、段差被覆性に優れた膜を形成することができ
る。さらに、ウエハ表面に露出しているＳｉ、金属、絶
縁材料等種々の物質表面における原料ガスの分解反応機
構の相異を利用して、特定の物質上にのみ、選択的に薄
膜形成を行うことも可能である。従って、原料ガスの種
類、堆積条件を適宜に選択することにより、コンタクト
ホール内にのみ選択的に導体膜を形成することも可能で
ある。
いては、ウエハ表面に接する気相中に含まれる原料ガス
を熱エネルギー等を用いて分解することによって、目的
とする薄膜をウエハ表面上に形成する。ＣＶＤ法では、
堆積膜の原料をウエハ表面に均一に分布させることがで
き、また、原料ガスがウエハ表面で分解反応を起こすこ
とにより薄膜堆積が起きるため、スパッタリング法と比
較して、段差被覆性に優れた膜を形成することができ
る。さらに、ウエハ表面に露出しているＳｉ、金属、絶
縁材料等種々の物質表面における原料ガスの分解反応機
構の相異を利用して、特定の物質上にのみ、選択的に薄
膜形成を行うことも可能である。従って、原料ガスの種
類、堆積条件を適宜に選択することにより、コンタクト
ホール内にのみ選択的に導体膜を形成することも可能で
ある。
【０００６】このため、ＣＶＤ法による配線材料膜の形
成についても数多くの検討がなされ、既にＡｌ，Ｗ，Ｃ
ｕ等の金属についてＣＶＤ法を用いる成膜が可能である
ことが確認されている。
成についても数多くの検討がなされ、既にＡｌ，Ｗ，Ｃ
ｕ等の金属についてＣＶＤ法を用いる成膜が可能である
ことが確認されている。
【０００７】しかしながら、配線材料膜の原料ガスは常
温で液体である場合が多く、一般的に蒸気圧も小さい。
例えば、Ａｌ膜の原料ガスとして用いられるジメチルア
ルミニウムハイドライドの常温における飽和蒸気圧は約
２Ｔｏｒｒ、トリイソブチルアルミニウムは同じく約
０．５Ｔｏｒｒである。従って、このように常温におけ
る蒸気圧が小さい液体原料ガスをＣＶＤ装置の反応室に
導くためには、気化装置を設ける必要がある。
温で液体である場合が多く、一般的に蒸気圧も小さい。
例えば、Ａｌ膜の原料ガスとして用いられるジメチルア
ルミニウムハイドライドの常温における飽和蒸気圧は約
２Ｔｏｒｒ、トリイソブチルアルミニウムは同じく約
０．５Ｔｏｒｒである。従って、このように常温におけ
る蒸気圧が小さい液体原料ガスをＣＶＤ装置の反応室に
導くためには、気化装置を設ける必要がある。
【０００８】従来、液体原料ガスの気化装置としては、
バブリング装置が用いられてきた。バブリング装置は、
バブリング容器内に収納された液体原料中に、キャリア
ガス導入管よりキャリアガスを吹き込み、キャリアガス
の気泡内に液体原料の蒸気を取り込むことにより、ガス
排出管より液体原料の蒸気を含んだキャリアガスを供給
する。
バブリング装置が用いられてきた。バブリング装置は、
バブリング容器内に収納された液体原料中に、キャリア
ガス導入管よりキャリアガスを吹き込み、キャリアガス
の気泡内に液体原料の蒸気を取り込むことにより、ガス
排出管より液体原料の蒸気を含んだキャリアガスを供給
する。
【０００９】しかしながら、ＣＶＤ原料ガスとして用い
られる有機金属化合物は、化学的に極めて活性である場
合が多く、常温で水、酸素等と直ちに反応を起こす例も
数多く知られている。従って、有機金属化合物をバブリ
ング法によって気化させた場合、キャリアガスに不純物
として含まれる水、酸素等はその有機金属化合物と直ち
に反応し、液体中に捕捉されてしまう。しかも、こうし
て発生した反応性生物は一般に有機金属化合物よりも蒸
気圧が低いため、有機金属化合物中に蓄積されることに
なり、バブリングを続けることによって有機金属化合物
の純度は徐々に低下する。
られる有機金属化合物は、化学的に極めて活性である場
合が多く、常温で水、酸素等と直ちに反応を起こす例も
数多く知られている。従って、有機金属化合物をバブリ
ング法によって気化させた場合、キャリアガスに不純物
として含まれる水、酸素等はその有機金属化合物と直ち
に反応し、液体中に捕捉されてしまう。しかも、こうし
て発生した反応性生物は一般に有機金属化合物よりも蒸
気圧が低いため、有機金属化合物中に蓄積されることに
なり、バブリングを続けることによって有機金属化合物
の純度は徐々に低下する。
【００１０】このように不純物を含有した有機金属化合
物を用いてＣＶＤ法を用いた場合には、基板上に形成さ
れるＣＶＤ膜の性質と堆積速度が変動することが多いた
め、形成された成膜の安定性が崩れることになる。この
ため、従来はキャリアガスの純度を高めることにより有
機金属化合物の劣化を防止していた。しかしながら、キ
ャリアガスは通常供給設備から配管によって薄膜形成装
置まで運搬されるため、供給設備から供給されるキャリ
アガスの純度が高くても、薄膜形成装置に運搬されるま
での間に微少なガスの漏出または配管の内面からの外部
気体成分によって有機金属化合物の気体の純度は低下し
てしまう。
物を用いてＣＶＤ法を用いた場合には、基板上に形成さ
れるＣＶＤ膜の性質と堆積速度が変動することが多いた
め、形成された成膜の安定性が崩れることになる。この
ため、従来はキャリアガスの純度を高めることにより有
機金属化合物の劣化を防止していた。しかしながら、キ
ャリアガスは通常供給設備から配管によって薄膜形成装
置まで運搬されるため、供給設備から供給されるキャリ
アガスの純度が高くても、薄膜形成装置に運搬されるま
での間に微少なガスの漏出または配管の内面からの外部
気体成分によって有機金属化合物の気体の純度は低下し
てしまう。
【００１１】従って、極めて反応性の高い液体状の化合
物をバブリング法によって気化させる場合には、必然的
に経時的に有機金属化合物の純度が低下するため問題と
なっていた。
物をバブリング法によって気化させる場合には、必然的
に経時的に有機金属化合物の純度が低下するため問題と
なっていた。
【００１２】さらに、ＣＶＤ装置では、これらの原料ガ
スを成膜室に導入した後、真空ポンプで排気しているた
め、ポンプ内に発火性の化合物が吸引されることにな
る。しかも、これらの原料ガスは常温で蒸気圧が低く液
体であることが多いため、一旦ポンプ内に原料ガスが吸
引されると、ポンプ内部において液化して、ポンプ内部
に滞留する。この場合、バラスト弁より不活性ガスを導
入していてもポンプ内部の原料ガスを完全に除去するこ
とは困難であるため、ポンプの維持管理時等のように、
ポンプ内部が大気中に開放される際に発火の危険性を伴
うという問題点があった。
スを成膜室に導入した後、真空ポンプで排気しているた
め、ポンプ内に発火性の化合物が吸引されることにな
る。しかも、これらの原料ガスは常温で蒸気圧が低く液
体であることが多いため、一旦ポンプ内に原料ガスが吸
引されると、ポンプ内部において液化して、ポンプ内部
に滞留する。この場合、バラスト弁より不活性ガスを導
入していてもポンプ内部の原料ガスを完全に除去するこ
とは困難であるため、ポンプの維持管理時等のように、
ポンプ内部が大気中に開放される際に発火の危険性を伴
うという問題点があった。
【００１３】従来、このような発火性物質をポンプ内に
吸引した場合には、維持管理の前にポンプ内部を長時間
かけて不活性ガスを用いてパージを行い、さらにポンプ
内部等において発火性物質が付着している可能性のある
部分を不活性ガス雰囲気下に置いて処理する必要があっ
たため、安全対策の見地から、さらに、維持管理の作業
性においても大きな問題となっていた。
吸引した場合には、維持管理の前にポンプ内部を長時間
かけて不活性ガスを用いてパージを行い、さらにポンプ
内部等において発火性物質が付着している可能性のある
部分を不活性ガス雰囲気下に置いて処理する必要があっ
たため、安全対策の見地から、さらに、維持管理の作業
性においても大きな問題となっていた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、活性
物質、特に反応性の高い有機アルミニウム化合物を吸引
したポンプのメインテナンス時の危険性を減少させると
共に、メインテナンスの作業性を向上させることのでき
る有機アルミニウム化合物処理方法を提供することにあ
る。
物質、特に反応性の高い有機アルミニウム化合物を吸引
したポンプのメインテナンス時の危険性を減少させると
共に、メインテナンスの作業性を向上させることのでき
る有機アルミニウム化合物処理方法を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の有機アルミニウム化合物処理方法
は、活性物質である有機アルミニウム化合物が吸引され
たポンプ内に不活性化物質である活性水素化合物を導入
し、前記有機アルミニウム化合物を前記活性水素化合物
と反応させることにより、前記有機アルミニウム化合物
を処理することを特徴とする。
るために、本発明の有機アルミニウム化合物処理方法
は、活性物質である有機アルミニウム化合物が吸引され
たポンプ内に不活性化物質である活性水素化合物を導入
し、前記有機アルミニウム化合物を前記活性水素化合物
と反応させることにより、前記有機アルミニウム化合物
を処理することを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明によれば、有機アルミニウム化合物で代
表される有機金属化合物のような空気中で発火の危険性
のある活性物質を、ポンプを用いて排気した場合であっ
ても、不活性化物質をポンプ内に導入することにより、
ポンプ内部において活性物質を不活性化することができ
る。従って、メインテナンス時等にポンプ内部を大気に
開放した場合においても、活性物質が大気中に漏出する
ことがなく、発火等の危険性が大幅に減少する。
表される有機金属化合物のような空気中で発火の危険性
のある活性物質を、ポンプを用いて排気した場合であっ
ても、不活性化物質をポンプ内に導入することにより、
ポンプ内部において活性物質を不活性化することができ
る。従って、メインテナンス時等にポンプ内部を大気に
開放した場合においても、活性物質が大気中に漏出する
ことがなく、発火等の危険性が大幅に減少する。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１８】実施例１
図１は、本発明を適用した装置の模式的構成図である。
【００１９】図１において、１１１は不活性化物質をバ
ブリングするためのバブリング容器、１１６はバブリン
グ容器１１１内に収容されている不活性化物質、１１
２、１１３は不活性化物質１１６の逆流を防止するため
の逆流防止用容器、１１４はキャリアガスの流速を計測
するためのフローメータ、１１５はキャリアガスを導入
するための導入口を表す。また、１２１はロータリーポ
ンプ、１２２は吸気口、１２３は排気口、１２４はバラ
ストガス導入口、１２５はバラスト弁、１２６はドレイ
ン弁を表す。
ブリングするためのバブリング容器、１１６はバブリン
グ容器１１１内に収容されている不活性化物質、１１
２、１１３は不活性化物質１１６の逆流を防止するため
の逆流防止用容器、１１４はキャリアガスの流速を計測
するためのフローメータ、１１５はキャリアガスを導入
するための導入口を表す。また、１２１はロータリーポ
ンプ、１２２は吸気口、１２３は排気口、１２４はバラ
ストガス導入口、１２５はバラスト弁、１２６はドレイ
ン弁を表す。
【００２０】ロータリーポンプ１２１をアルミニウム膜
のＣＶＤ装置の排気装置として用いた場合の例について
説明する。アルミニウム膜を形成するために用いられる
ためのＣＶＤ法の原料ガスとして、ジメチルアルミニウ
ムハイドライド（ＤＭＡＨ）と水素ガスとの混合ガスを
用いて、ガスの流量は５００ＳＣＣＭ、ＤＭＡＨと水素
の流量比を１：１００に設定して成膜室（不図示）に導
入した。成膜室でのＣＶＤ法によって半導体ウエハ表面
へアルミニウム膜を成膜した後、反応生成物および未反
応ガスをロータリーポンプ１２１を用いて排気した。こ
の時、不活性化物質１１６としてエタノールをバブリン
グ容器１１１に収容し、さらにキャリアガスの導入口１
１５より、フローメータ１１４を通してキャリアガスと
して窒素ガスを導入した。次に、バラスト弁１２５を開
放することにより、バブリングによって気化したエタノ
ールと窒素との混合ガスをロータリーポンプ１２１内に
導入した。窒素の流量は２ｌｉｔｔｒｅ／ｍｉｎに設定
した。
のＣＶＤ装置の排気装置として用いた場合の例について
説明する。アルミニウム膜を形成するために用いられる
ためのＣＶＤ法の原料ガスとして、ジメチルアルミニウ
ムハイドライド（ＤＭＡＨ）と水素ガスとの混合ガスを
用いて、ガスの流量は５００ＳＣＣＭ、ＤＭＡＨと水素
の流量比を１：１００に設定して成膜室（不図示）に導
入した。成膜室でのＣＶＤ法によって半導体ウエハ表面
へアルミニウム膜を成膜した後、反応生成物および未反
応ガスをロータリーポンプ１２１を用いて排気した。こ
の時、不活性化物質１１６としてエタノールをバブリン
グ容器１１１に収容し、さらにキャリアガスの導入口１
１５より、フローメータ１１４を通してキャリアガスと
して窒素ガスを導入した。次に、バラスト弁１２５を開
放することにより、バブリングによって気化したエタノ
ールと窒素との混合ガスをロータリーポンプ１２１内に
導入した。窒素の流量は２ｌｉｔｔｒｅ／ｍｉｎに設定
した。
【００２１】このようにしてアルミニウム膜を形成した
ＣＶＤ装置を１週間使用した後、オイルを交換するため
に、ロータリーポンプ１２１の排気口１２３およびドレ
イン弁１２６を開放した。この時、排気口１２３および
ドレイン弁１２６から流出したオイルから発火または白
煙の発生等は全くみられずに安全にオイル交換を行うこ
とができた。成膜に要する時間および原料ガスの流量か
ら換算して、ロータリーポンプ１２１内には約６０ｇの
ＤＭＡＨが流入したと考えられる。このことから、ポン
プオイル内に数ｇ以上の量のＤＭＡＨが残留していた可
能性が強い。この量は、大気開放の際に発火するのに充
分な量であることから、ポンプ内へのエタノール蒸気の
導入により、ＤＭＡＨがアルコラート化し安定な化合物
へと変化したものと考えられる。
ＣＶＤ装置を１週間使用した後、オイルを交換するため
に、ロータリーポンプ１２１の排気口１２３およびドレ
イン弁１２６を開放した。この時、排気口１２３および
ドレイン弁１２６から流出したオイルから発火または白
煙の発生等は全くみられずに安全にオイル交換を行うこ
とができた。成膜に要する時間および原料ガスの流量か
ら換算して、ロータリーポンプ１２１内には約６０ｇの
ＤＭＡＨが流入したと考えられる。このことから、ポン
プオイル内に数ｇ以上の量のＤＭＡＨが残留していた可
能性が強い。この量は、大気開放の際に発火するのに充
分な量であることから、ポンプ内へのエタノール蒸気の
導入により、ＤＭＡＨがアルコラート化し安定な化合物
へと変化したものと考えられる。
【００２２】キャリアガスの流量およびキャリアガスと
不活性化物質とのガスの組成比はＣＶＤ装置への原料ガ
スの供給量やアルミニウムを成膜するウエハの枚数およ
び成膜条件によって適宜に選択する必要があるため、場
合によっては、バブリング容器１１１を経由しないキャ
リアガスのバイパスライン（不図示）を設けるか、また
は、バブリング容器１１１を保温または加熱する必要が
生ずる場合もある。しかしながら、不活性化物質のポン
プへの導入量は厳密に制御する必要はなく、ＣＶＤ装置
の成膜室に導入した原料ガスを不活性化するのに必要な
量以上の不活性化物質を導入しておけば特に問題は発生
しない。
不活性化物質とのガスの組成比はＣＶＤ装置への原料ガ
スの供給量やアルミニウムを成膜するウエハの枚数およ
び成膜条件によって適宜に選択する必要があるため、場
合によっては、バブリング容器１１１を経由しないキャ
リアガスのバイパスライン（不図示）を設けるか、また
は、バブリング容器１１１を保温または加熱する必要が
生ずる場合もある。しかしながら、不活性化物質のポン
プへの導入量は厳密に制御する必要はなく、ＣＶＤ装置
の成膜室に導入した原料ガスを不活性化するのに必要な
量以上の不活性化物質を導入しておけば特に問題は発生
しない。
【００２３】活性物質として、有機金属化合物を用いた
場合には、不活性化物質としては有機金属化合物と穏や
かに反応する活性水素化合物を用いるのが望ましい。
場合には、不活性化物質としては有機金属化合物と穏や
かに反応する活性水素化合物を用いるのが望ましい。
【００２４】不活性化物質をポンプ内に導入する方法と
しては、メインテナンス性とガスを導入する際の簡便さ
を考慮すると、不活性化物質として常温において飽和蒸
気圧の比較的高い活性水素化合物を用いてこの化合物を
不活性ガスを用いてバブリング法によって揮発させ、こ
れにより生じた不活性ガスと活性水素化合物の混合ガス
を真空ポンプのバラスト弁より導入することが望まし
い。
しては、メインテナンス性とガスを導入する際の簡便さ
を考慮すると、不活性化物質として常温において飽和蒸
気圧の比較的高い活性水素化合物を用いてこの化合物を
不活性ガスを用いてバブリング法によって揮発させ、こ
れにより生じた不活性ガスと活性水素化合物の混合ガス
を真空ポンプのバラスト弁より導入することが望まし
い。
【００２５】例えば、有機金属化合物として特に反応性
が高い有機アルミニウム化合物を用いる場合には、メタ
ノール、エタノール、プロパノール等のアルコールのよ
うに常温において蒸気圧が高い活性水素化合物を用いる
のが望ましい。
が高い有機アルミニウム化合物を用いる場合には、メタ
ノール、エタノール、プロパノール等のアルコールのよ
うに常温において蒸気圧が高い活性水素化合物を用いる
のが望ましい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機アル
ミニウム化合物処理方法によれば、空気中で発火の危険
性のある活性物質である有機アルミニウム化合物をポン
プを用いて排気した場合であっても、不活性化物質であ
る活性水素化合物をポンプ内に導入することにより、ポ
ンプ内部において有機アルミニウム化合物を不活性化す
ることができる。従って、メインテナンス時等にポンプ
内部を大気に開放した場合においても、活性物質が大気
中に漏出することがなく、発火等の危険性が大幅に減少
する。
ミニウム化合物処理方法によれば、空気中で発火の危険
性のある活性物質である有機アルミニウム化合物をポン
プを用いて排気した場合であっても、不活性化物質であ
る活性水素化合物をポンプ内に導入することにより、ポ
ンプ内部において有機アルミニウム化合物を不活性化す
ることができる。従って、メインテナンス時等にポンプ
内部を大気に開放した場合においても、活性物質が大気
中に漏出することがなく、発火等の危険性が大幅に減少
する。
【図１】本発明に係る有機アルミニウム化合物処理方法
を適用した装置の模式的断面図である。
を適用した装置の模式的断面図である。
【符号の説明】
１１１ バブリング容器
１１２，１１３ 逆流防止用容器
１１４ フローメーター
１１５ 導入口
１１６ 不活性物質
１２１ ロータリーポンプ
１２２ 吸気口
１２３ 排気口
１２４ バラストガス導入口
１２５ バラスト弁
１２６ ドレイン弁
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭58−164602（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−293549（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−90162（ＪＰ，Ａ)
実開 平１−110259（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/00 - 16/56
H01L 21/205
H01L 21/31
B01D 53/34
B01J 7/00
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 活性物質である有機アルミニウム化合物
が吸引されたポンプ内に不活性化物質である活性水素化
合物を導入し、前記有機アルミニウム化合物を前記活性
水素化合物と反応させることにより、前記有機アルミニ
ウム化合物を処理することを特徴とする有機アルミニウ
ム化合物処理方法。 - 【請求項２】 前記活性水素化合物がアルコールである
請求項１に記載の有機アルミニウム化合物処理方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34639692A JP3461181B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 有機アルミニウム化合物処理方法 |
| US08/092,782 US5534069A (en) | 1992-07-23 | 1993-07-19 | Method of treating active material |
| DE69315496T DE69315496T2 (de) | 1992-07-23 | 1993-07-22 | Verfahren zur Behandlung eines aktiven Materials |
| EP93111740A EP0580158B1 (en) | 1992-07-23 | 1993-07-22 | Method of treating active material |
| US08/637,410 US6156657A (en) | 1992-07-23 | 1996-04-25 | Method of treating active material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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