KR870005390A - 바이플러 트랜지스터를 포함한 앰프를 가진 반도체 메모리 - Google Patents

바이플러 트랜지스터를 포함한 앰프를 가진 반도체 메모리 Download PDF

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KR870005390A
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고로우 기즈가와
다가오 와다나베
쥬이지 호리
기요오 이도우
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미쓰다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

바이플러 트랜지스터를 포함한 앰프를 가진 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1의 실시예를 도시한 회로도.
제5도는 본 발명의 제2의 실시예를 도시한 회로도.
제6도는 본 발명의 제3의 실시예를 도시한 회로도.
제12도는 본 발명의 제8의 실시예를 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 여러개의 데이터선과, 그 데이터선과, 서로 직교해서 배치된 여러개의 워드선과, 그 워드선과 상기 데이터선의 교점에 배치된 MOS트랜지스터를 포험하는 다이나믹형 메모리 셀과, 상기 데이터선에 스위치 수단을 거쳐서 접속된 공통의 데이터선, 상기 공통의 데이터선에 접속된 호출 신호 검출용의 증폭회로와, 기억신호를 부여하기 위한 기억회로로 되는 반도체 메모리로서, 상기 증폭회로는 적어도 1개 이상의 바이플러 트랜지스터를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀은 게이트 전극이 그 워드선에 드레인 또는 소오그 전극이 그 데이터선에 접속된 MOS트랜지스터와, 전극의 한쪽 끝이 그 MOS트랜지스터의 소오스 또는 드레인 전극에 접속된 캐파시터로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 공통의 데이터선과 전원 단자와의 사이에 부하소자가 접속되어 있다.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 부하 소자는 상기 공통의 데이터선과 전원 단자 사이의 등가 임피던스가 가변수단을 가지며, 그 등가 임피던스를 호출 동작할 때에는 낮고, 기억 동작할 때에는 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 공통의 데이터선과 상기 증폭 회로의 입력과의 사이에 절연 게이트형 트랜지스터에 의한 스위치 수단을 마련하고, 기억할 때에는 그 스위치를 OFF하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  6. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 증폭회로는, 상기 데이터선 대에 나타난 신호가 전원 전압 또는 접지 전압으로까지 증폭되기 전에 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860009476A 1985-11-15 1986-11-11 바이폴러 트랜지스터를 포함한 앰프를 가진 반도체 메모리 KR940004401B1 (ko)

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KR940004401B1 KR940004401B1 (ko) 1994-05-25

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2554640B2 (ja) * 1986-11-21 1996-11-13 株式会社東芝 半導体記憶装置
JPH0810552B2 (ja) * 1986-12-10 1996-01-31 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2531671B2 (ja) * 1987-03-31 1996-09-04 株式会社東芝 半導体記憶装置
DE3850970T2 (de) * 1988-10-28 1995-03-16 Ibm Doppelstufiger bipolarer Abtastverstärker für BICMOS SRAMS mit einem "common base"-Verstärker in der Endstufe.
JP2601903B2 (ja) * 1989-04-25 1997-04-23 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2504571B2 (ja) * 1989-08-04 1996-06-05 富士通株式会社 半導体集積回路装置
US5229967A (en) * 1990-09-04 1993-07-20 Nogle Scott G BICMOS sense circuit for sensing data during a read cycle of a memory
JP2646850B2 (ja) * 1990-11-30 1997-08-27 日本電気株式会社 半導体メモリ回路
JP2947494B2 (ja) * 1992-05-13 1999-09-13 三菱電機株式会社 Ｅｃｌ回路
US5341333A (en) * 1992-08-11 1994-08-23 Integrated Device Technology, Inc. Circuits and methods for amplification of electrical signals
JPH06162782A (ja) * 1992-11-17 1994-06-10 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
KR100328368B1 (ko) * 1993-08-06 2002-08-24 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 다른배선길이를갖는차동신호전송회로를구비한집적회로장치
US5541545A (en) * 1995-06-07 1996-07-30 International Business Machines Corporation High speed bipolar D latch circuit with reduced latch clocking output corruption
JP2006260742A (ja) * 2005-02-15 2006-09-28 Sanyo Electric Co Ltd メモリ
US8659964B2 (en) * 2012-03-06 2014-02-25 Freescale Semiconductor, Inc. Bipolar primary sense amplifier

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0648595B2 (ja) * 1982-08-20 1994-06-22 株式会社東芝 半導体記憶装置のセンスアンプ
JPS5968889A (ja) * 1982-10-08 1984-04-18 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US4604533A (en) * 1982-12-28 1986-08-05 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Sense amplifier
JPS59210589A (ja) * 1983-05-13 1984-11-29 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS60136989A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 Hitachi Ltd 半導体記憶装置の書き込み回路
JPH0795395B2 (ja) * 1984-02-13 1995-10-11 株式会社日立製作所 半導体集積回路
JPS60224186A (ja) * 1984-04-20 1985-11-08 Hitachi Ltd 半導体記憶装置

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KR940004401B1 (ko) 1994-05-25
US4853899A (en) 1989-08-01

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