KR930010994A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR930010994A
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다카유키 가와하라
요시키 가와지리
다케사다 아키바
마사시 호리구치
고로 기쓰카와
마사카즈 아오키
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가나이 쓰토무
가부시키가이샤 히타치 세이샤쿠쇼
우치바시 마사오
히타치 데바이스 엔지니아링 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 기억장치는 다른 회로의 기생용량에 저장된 전하에 의해 그 소비전류가 공급되는 회로내에서 사용함으로써 그 소비전류가 적게되게 설치된다. 이를 위해서, 단락회로 스위치 SP와 SN는 반도체 장치의 제1공통소오스선 PP1과 PN1과 제2공통소오스선 PP2와 PN2 사이에 각각 설치된다. 제1공통소오스선에서 전하는 적절한 크기로 증폭되어 제2공통소오스의 전압레벨로 변한다. 제2공통소오스선에 접속된 데이타선은 적절한 크기의 절반으로 증폭된다. 이후, 데이타선에서 신호는 센스앰프에 의해 증폭된다. 그 결과, 데이타선에서 충전 및 방전전류는 종래의 장치와 비교하여 실제 절반으로 된다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 나타내는 도면.
제2도는 제1실시예의 동작을 설명하는 도면.
제3도는 본 발명의 제2실시예를 나타내는 도면.

Claims (6)

  1. 제1메모리셀과, 상기 메모리셀에 접속된 제1데이타선 쌍과, 상기 제1데이타선 쌍 상에서 판독된 미소 신호를 증폭하는 제1센스앰프와, 제2메모리셀과, 상기 메모리셀에 접속된 제2데이타선 쌍과, 상기 제2데이타선 쌍상에서 판독된 미소 신호를 증폭하는 제2센스앰프와, 상기 제1센스앰프를 구동하기 위한 제1구동신호선과, 상기 제1구동신호선과 전원선을 접속시키기 위한 제1스위치 수단과, 상기 제2센스앰프를 구동하기 위한 제2구동신호선과, 상기 제2구동신호선과 전원선을 접속시키기 위한 제2스위치 수단과, 상기 제1구동신호선과 제2구동신호선 사이에 설치된 접속수단과를 구비한 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1메모리셀을 선택하기 위한 워드선과 상기 제2메모리셀을 선택하기 위한 워드선이 다르게 한 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1스위치 수단이 오프되는 간격과 상기 제2스위치 수단이 오프되는 간격이 중복되는 중복간격이 있고, 중복간격 중에 제1구동신호선과 제2구동신호선이 상기 접속수단에 의해 접속되게한 반도체기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1센스앰프가 상기 제1데이타선 쌍에서 판독된 미소 신호를 증폭한 후에 상기 제1스위치 수단을 오프하고, 상기 접속 수단은 상기 제1 및 제2구동선을 일시적으로 연결한 후에 서로 이들 신호선을 끊으며 그후 상기 제2스위치 수단은 턴온되어 상기 제2센스엠프가 상기 제2데이터선 쌍에서 판독되는 미소신호를 증폭하도록 한 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2데이타선에서 판독된 미소 신호가 증폭된 후, 상기 제2스위치 수단이 오프되고, 상기 제1구동신호선과 제2구동신호선을 일시적으로 접속한 후 서로 이들 신호를 끊으며, 그 후 상기 제1스위치수단이 턴온되어, 상기 제1데이타선 쌍에서 판독된 미소 신호를 상기 제1센스앰프가 증폭하게 하도록 한 반도체기억장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1메모리셀과 제2메모리셀이 각각 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920020962A 1991-11-12 1992-11-09 반도체 기억장치 KR100266714B1 (ko)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3919834B2 (ja) * 1994-09-14 2007-05-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US5694445A (en) * 1994-09-22 1997-12-02 Matshushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device with means for charge recycling
US5781487A (en) * 1995-04-27 1998-07-14 Lg Semicon Co., Ltd. Bit line selection circuit
US5615168A (en) * 1995-10-02 1997-03-25 International Business Machines Corporation Method and apparatus for synchronized pipeline data access of a memory system
US6330178B1 (en) 1996-02-28 2001-12-11 Hitachi, Ltd. Ferroelectric memory device
US6097623A (en) * 1996-02-28 2000-08-01 Hitachi, Ltd. Ferroelectric memory device having two columns of memory cells precharged to separate voltages
JPH10106264A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Nec Corp 半導体記憶装置
US5793668A (en) * 1997-06-06 1998-08-11 Timeplex, Inc. Method and apparatus for using parasitic capacitances of a printed circuit board as a temporary data storage medium working with a remote device
US6545902B2 (en) 1998-08-28 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Ferroelectric memory device
CA2335692A1 (en) 2001-02-13 2002-08-13 Kabushiki Kaisha Piste Snow Industries System and method for maintaining a ski slope using snowmaking apparatuses
US6488590B2 (en) 2001-03-09 2002-12-03 Kabushiki Kaisha Piste Snow Industries Indoor skiing ground facilities having lighting fixtures
WO2006013632A1 (ja) * 2004-08-05 2006-02-09 Fujitsu Limited 半導体メモリ
WO2006129488A1 (ja) * 2005-06-01 2006-12-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 半導体記憶装置、及びそれを搭載した半導体集積回路
JP2011258276A (ja) 2010-06-09 2011-12-22 Elpida Memory Inc 半導体装置
WO2012027250A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Rambus Inc. Memory methods and systems with adiabatic switching

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07111835B2 (ja) * 1983-08-24 1995-11-29 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH0664907B2 (ja) * 1985-06-26 1994-08-22 株式会社日立製作所 ダイナミツク型ｒａｍ

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JP3255947B2 (ja) 2002-02-12

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