KR850003637A - 전압 변환 회로 - Google Patents

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KR850003637A
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야마모도 다꾸마
후지쓰가부시끼가이샤
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    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
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Abstract

내용 없음

Description

전압 변환 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 의한 전압변환회로의 개략도. 제4도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 전압 변환회로의 개략도. 제5도는 본 발명의 또다른 실시예에 의한 전압변환회로의 개략도.

Claims (7)

  1. 전원전압을 입수하여 전원전압을 예정된 분배비의 레벨을 갖는 정전압을 제공하기 위한 전압변환회로를 구성하되, 게이트 제어전압을 입수하는 게이트를 갖는 MIS트랜지스터로서 상기 정전압을 출력시키기 위한 출력 MIS트랜지스터와 상기 게이트 제어전압으로서 상기 MIS트랜지스터의 게이트를 제공하기 위한 게이트 제어수단을 포함하며, 상기 게이트 제어수단은 상기 예정된 분배비를 제공하기 위해 상기 전원 전압을 입수하도록 연결되는 임피던스 수단과 상기 게이트 드레스홀드전압의 변동에 무관하게 상기 예정된 분배비에 상응한 상기 정전압을 제공하도록 상기 출력 MIS트랜지스터의 게이트 드레스홀드 전압에 대해 게이트 제어전압을 보상하기 위해 상기 임피던스 수단에 연결되는 적어도 하나의 보상 MIS 트랜지스터로 된 보상수단을 갖고 있는 전압변환회로.
  2. 제1항에서, 상기 임피던스 수단이 다수의 저항소자들을 포함하는 전압변환회로.
  3. 제1항에서, 상기 임피던스 수단이 다수의 디플레이숀 MIS 트랜지스터들을 포함하는 전압변환회로.
  4. 제1항에서, 상기 보상수단이 다수의 보상 MIS 트랜지스터들로 구성되며, 그의 수는 상기 예정된 분할비의 비와 동일한 전압변환회로.
  5. 제1항에서, 상기 보상수단이 상기 임피던스 수단과 직렬로 연결된 다수의 제1 부상 MIS 트랜지스터들과 상기 임피던스 수단과 병렬로 연결된 적어도 하나의 제2 보상 MIS트랜지스터를 포함하되, 상기 제1의 보상 MIS 트랜지스터들의 수는 상기 예정된 분배비의 분모값과 동일하며, 제2보상 MIS 트랜지스터는 상기 게이트 제어전압과 같이 하나의 게이트 드레스홀드 전압에 상기 정전압을 더한 레벨을 갖는 전압을 출력 MIS 트랜지스터의 게이트에 제공하는 전압변환회로.
  6. 상기 전원전압간의 중간레벨을 갖는 전압을 제공하기 위해 전원전압을 공급하기 위한 제1 및 제2 전원선들간에 연결되는 전원변환회로를 구성하되, 제1 및 제2게이트 제어전압을 각각 입수하는 제1 및 제2게이트들을 갖고 있으며, 상기 전원전압의 제1 및 제2 분배비에 상응하는 제1 및 제2 출력전압을 출력시키기 위해 상기 제1 및 제2 전원선들에 각각 연결되는 제1 및 제2 출력 MIS트랜지스터들과, 상기 전원전압의 제1 및 제2 분배비를 각각 제공하기 위한 상기 제1 및 제2전원선들간에 각각 연결되는 제1 및 제2임피던스 수단을 포함하되, 상기 제1 및 제2 게이트 제어수단은 상기 제1 및 제2 게이트 제어전압을 각각 상상 제1 및 제2 게이트들에 제공하기 위한 제1 및 제2 게이트제어수단과, 상기 게이트 드레스홀드 전압의 변동에 각각 무관하게 상기 중간레벨을 나타내는 상기 제1 및 제2 출력전압을 제공하도록 상기 제1 및 제2 MIS 트랜지스터의 게이트 드레스홀드 전압에 대해 제1 및 제2 게이트 제어전압을 보상하기 위해 상기 제1 및 제2 임피던스 수단에 각각 연결되는 제1 및 제2 보상 MIS 트랜지스터를 갖는 제1 및 제2 보상수단을 포함하는 전압변환회로.
  7. 제6항에서, 각각의 상기 제1 출력 MIS트랜지스트와 상기 제1보상트랜지스터가 N채널 MIS트랜지스터를 포함하며, 각각의 상기 제1의 출력 MIS 트랜지스터와 상기 제1의 보상트랜지스터가 P채널 MIS트랜지스터를 포함하는 전압변환회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840006602A 1983-11-11 1984-10-24 전압 변환 회로 KR890003032B1 (ko)

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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61221812A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Mitsubishi Electric Corp 電圧発生回路
US4622476A (en) * 1985-03-29 1986-11-11 Advanced Micro Devices, Inc. Temperature compensated active resistor
US4663584B1 (en) * 1985-06-10 1996-05-21 Toshiba Kk Intermediate potential generation circuit
US4788455A (en) * 1985-08-09 1988-11-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha CMOS reference voltage generator employing separate reference circuits for each output transistor
JPS6370451A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US4868416A (en) * 1987-12-15 1989-09-19 Gazelle Microcircuits, Inc. FET constant reference voltage generator
US4888498A (en) * 1988-03-24 1989-12-19 Texas Instruments Incorporated Integrated-circuit power-up pulse generator circuit
JPH0673092B2 (ja) * 1988-04-12 1994-09-14 日本電気株式会社 定電圧発生回路
JPH0229989A (ja) * 1988-07-19 1990-01-31 Mitsubishi Electric Corp ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
US4918334A (en) * 1988-08-15 1990-04-17 International Business Machines Corporation Bias voltage generator for static CMOS circuits
JP2883625B2 (ja) * 1989-03-30 1999-04-19 株式会社東芝 Ｍｏｓ型充電回路
JP2652061B2 (ja) * 1989-06-06 1997-09-10 三菱電機株式会社 中間電位発生回路
US4994891A (en) * 1989-06-20 1991-02-19 Advanced Micro Devices Shielded transistor device
JPH043513A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Nec Corp パワーオンリセット回路
JPH06223568A (ja) * 1993-01-29 1994-08-12 Mitsubishi Electric Corp 中間電位発生装置
KR0132641B1 (ko) * 1993-05-25 1998-04-16 세끼모또 타다히로 기판 바이어스 회로
EP0661715B1 (en) * 1993-12-31 1999-06-09 STMicroelectronics S.r.l. Non-volatile electrically programmable semiconductor memory device comprising a voltage regulator
EP0661716B1 (en) * 1993-12-31 1999-07-21 STMicroelectronics S.r.l. Voltage regulator for non-volatile semiconductor memory devices
JP3626521B2 (ja) 1994-02-28 2005-03-09 三菱電機株式会社 基準電位発生回路、電位検出回路および半導体集積回路装置
US5614815A (en) * 1994-03-10 1997-03-25 Fujitsu Limited Constant voltage supplying circuit
JP3123337B2 (ja) * 1994-03-31 2001-01-09 富士電機株式会社 電圧駆動型半導体素子用のゲート駆動用回路装置
US5786720A (en) * 1994-09-22 1998-07-28 Lsi Logic Corporation 5 volt CMOS driver circuit for driving 3.3 volt line
JP3586502B2 (ja) * 1995-09-04 2004-11-10 株式会社ルネサステクノロジ 電圧発生回路
JPH09162713A (ja) * 1995-12-11 1997-06-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US6670845B1 (en) * 2002-07-16 2003-12-30 Silicon Storage Technology, Inc. High D.C. voltage to low D.C. voltage circuit converter
JP4927356B2 (ja) * 2005-07-11 2012-05-09 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3823332A (en) * 1970-01-30 1974-07-09 Rca Corp Mos fet reference voltage supply
SU571800A1 (ru) * 1976-04-19 1977-09-05 Предприятие П/Я Х-5737 Стабилизатор посто нного напр жени
US4197511A (en) * 1978-12-18 1980-04-08 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Linear load MOS transistor circuit
JPS5672530A (en) * 1979-11-19 1981-06-16 Nec Corp Semiconductor circuit
JPS5693037U (ko) * 1979-12-19 1981-07-24
DE3138558A1 (de) * 1981-09-28 1983-04-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur erzeugung eines von schwankungen einer versorgungsgleichspannung freien gleichspannungspegels
US4471242A (en) * 1981-12-21 1984-09-11 Motorola, Inc. TTL to CMOS Input buffer
US4453121A (en) * 1981-12-21 1984-06-05 Motorola, Inc. Reference voltage generator
JPS59218042A (ja) * 1983-05-26 1984-12-08 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPH0679262B2 (ja) * 1984-02-28 1994-10-05 シャープ株式会社 参照電圧回路

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EP0145254A3 (en) 1985-07-24
JPH0578211B2 (ko) 1993-10-28
DE3468794D1 (en) 1988-02-18
KR890003032B1 (ko) 1989-08-19
EP0145254B1 (en) 1988-01-13

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