JPH043513A - パワーオンリセット回路 - Google Patents

パワーオンリセット回路

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JPH043513A
JPH043513A JP2104462A JP10446290A JPH043513A JP H043513 A JPH043513 A JP H043513A JP 2104462 A JP2104462 A JP 2104462A JP 10446290 A JP10446290 A JP 10446290A JP H043513 A JPH043513 A JP H043513A
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JP
Japan
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circuit
power supply
reference potential
power
voltage
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JP2104462A
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Takashi Morigami
森上 隆
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0018Special modifications or use of the back gate voltage of a FET
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S323/00Electricity: power supply or regulation systems
    • Y10S323/901Starting circuits

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、電源立上がり時又は電源降下時などにリセッ
ト信号を解除又はセットするためのパワーオンリセット
回路に関する。
[従来の技術] 従来、この種のパワーオンリセット回路として、第4図
に示すような回路が知られている。
このパワーオンリセット回路は、電源電圧対出力電圧の
カーブが互いに異なると共に、所定の電源電圧、つまり
リセット解除又はセット電圧において両カーブが交差す
る第1の基準電位回路21及び第2の基準電位回路22
と、これらの基準電位回路21.22の出力電圧Vb、
V、を比較するコンパレータ3とにより構成されている
第1の基準電位回路21は、vDD電源端子と接地端子
との間に直列に接続された抵抗R+++ Rt。
及びダイオードD 111 D 1゜、D13により構
成されている。また、第2の基準電位回路22は、vD
D電源端子と接地端子との間に直列に接続された抵抗R
13+ Rt4及びダイオードD141 [)+aによ
り構成されている。
次に、このパワーオンリセット回路の動作について説明
する。
第5図は、電源電圧VDDに対する基準電位回路21.
22の出力電圧Vb 、V−の関係を示したグラフ図で
ある。
電源の立ち上がり直後では、ダイオードDll〜D15
がいずれもオフ状態となっているので、第1及び第2の
基準電位回路21.22の出力電圧Vb、V、は電源電
圧vDDと一致して徐々に増加する。いま、ダイオード
D If〜D tsがオン状態となるしきい値電圧をV
pとすると、電源電圧VDDが、VDD>2・VFとな
った時点からダイオードDI41 DI5に電流が流れ
始めるので、以後、第2の基準電位回路22から出力さ
れる出力電圧V1は、下記(1)式のように変化する。
+211vF (i)      ・・・(1)ここで
、Vp(i)は、基準電位回路21,22に流れる電流
がiのときのダイオードの順方向ドロップ電圧である。
従って、この段階がらはV b > V−なる関係を維
持するので、コンパレータ3の出力は高レベルとなり、
リセット状態に入る。
更に、電源電圧VDDが増加してVDD>3・v2にな
ると、ダイオードDlll DI。、D13に電流が流
れ始めるので、以後、第1の基準電位回路21から出力
される出力電圧Vbは、下記(2)式のように変化する
+3・Vp(i)       ・・・ (2)従って
、抵抗R,−R4の抵抗値を、 R4/ (R3+R4)>Rt / (Rt +R2)
なる関係を満たすように設定することにより、電源電圧
VDDの上昇に伴い、出力電圧V、の増加の度合いの方
が、出力電圧Vbの増加の度合いよりも大きくなるので
、電源電圧vanが所定の電圧となった時点でV、>V
bとなる。この点での電源電圧vDDがリセット電位(
V□。t)であり、以後リセットが解除される。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述した従来のパワーオンリセット回路
では、電源電圧VDDが211vF以下のときには、■
、=Vbとなるため、コンパレータの出力が不定となる
という問題点がある。ダイオードがn段構成の場合には
、VDo>n@Vpまでコンパレータの出力は不定とな
る。このため、この種のパワーオンリセット回路は、特
に1乃至2V程度の低電圧での動作保証を必要とするシ
ステムへの使用が困難であるという問題点があった。
また、従来のパワーオンリセット回路では、第1及び第
2の基準電位回路を構成する抵抗及びダイオードに、同
一の特性を有する素子を使用した場合でも、これらの基
準電位回路に流れる電流値が異なっているために、VI
L特性カーブとVゎ特性カーブに相関があまりなく、そ
のため、リセット電圧VR□、が抵抗及びダイオードの
バラツキによって大きく変動するという問題点もあった
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
電源電圧が低い領域においても確実なリセット動作を行
なうことができ、しかも素子のバラツキに影響されるこ
とがないパワーオンリセット回路を提供することを目的
とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係るパワーオンリセット回路は、電源電圧対出
力電圧の曲線が所定の電源電圧で交差する第1及び第2
の基準電位回路と、これらの基準電位回路の出力電圧を
比較するコンパレータ回路とを有するパワーオンリセッ
ト回路において、前記第1の基準電位回路は、第1の電
源端子と第2の電源端子との間に直列に接続された第1
の抵抗、第2の抵抗及び第1の非線形抵抗素子回路から
構成され、前記第1及び第2の抵抗の接続点を出力端と
し、前記第2の基準電位回路は、前記第1の電源端子と
前記第2の電源端子との間に直列に接続された第3.第
4及び第5の抵抗と、前記第4の抵抗と並列に接続され
た第2の非線形抵抗素子回路とから構成され、前記第3
及び第4の抵抗の接続点を出功端とするものであること
を特徴とする。
[作用コ 本発明においては、電源電圧が立上がってから第1の非
線形抵抗素子回路のしきい値電圧に達するまでの期間は
、第1の基準電位回路の出力電圧は電源電圧値となり、
第2の基準電位回路の出力電圧は電源電圧を第3乃至第
5の抵抗で分圧した電圧値となる。このため、第1の基
準電位回路の出力レベルは第2の基準電位回路の出力レ
ベルよりも必す高いレベルになる。
電源電圧が、第2の非線形抵抗素子回路を導通状態にさ
せる程度に上昇すると、第4の抵抗の両端が短絡される
ことになるので、第2の基準電位回路の出力電圧は急激
に上昇し、同基準電位回路の出力レベルの大小関係が逆
転する。この点をリセット電圧とすることでパワーオン
リセット動作を行なわせることができる。
本発明によれば、電源電圧が低い場合でも、第1及び第
2の基準電位回路の出力電圧は異なる特性直線上で変化
するので、両者が同一電圧となることがなく、電源電圧
が低い領域においても、確実にリセット動作を行なわせ
ることができる。
また、本発明においては、第1及び第2の非線形抵抗素
子回路が共にオフ状態となったときに、第1及び第2の
基準電位回路に流れる電流値を等しくすることが容易で
あるため、リセット電圧を素子のバラツキに影響されず
に安定化することができる。
[実施例コ 以下、添付の図面を参照しながら本発明の実施例につい
て説明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係るパワーオンリセッ
ト回路の回路図である。
このパワーオンリセット回路は、第1の基準電位回路1
と、第2の基準電位回路2と、これら基準電位回路1,
2の出力電圧Vb、V、を比較するコンパレータ3とに
より構成されている。
第1の基準電位回路1はN’VDD電源端子と接地端子
との間に直列に接続された抵抗R,,R2及び第1の非
線形抵抗素子回路としてのダイオードD1.D2とから
構成されている。また、第2の基準電位回路2は、VI
)D電源端子と接地端子との間に直列に接続された3つ
の抵抗R3,R4゜R5と、抵抗R4と並列に接続され
た第2の非線形抵抗素子回路を構成するダイオ−F D
3−D4の直列回路とにより構成されている。
次に、このように構成された本実施例に係るパワーオン
リセット回路の動作について説明する。
第2図は、この回路における電源電圧VDI)に対する
基準電位回路1,2の出力電圧■ゎ+Vaの関係を示し
たグラフ図である。
電源の立上がり直後では、ダイオードD1〜D4はいず
れもオフ状態となっているので、第1の基準電位回路1
の出力電圧Vbは電源電圧VOOと同じ電圧値で変化す
るが、第2の基準電位回路2の出力電圧V1は、電源電
圧VDDを抵抗R31R4,R5で分圧した、下記(3
)式のような電圧値となる。
従って、電源の立上がり当初からV、<Vbの関係が維
持され、確実なリセット動作が行なわれる。
電源電圧VD[)が2−VFに達すると、ダイオードD
、、D2がオン状態となるので、第1の基準電位回路1
の出力電圧Vbは、下記(4)式のように変化する。
+2・VF(1)      ・・・ (4)更に、電
源電圧VOOが増加して、抵抗R4の両端電圧が、R4
1≧2・VFなる関係を満たすようになると、ダイオー
ドD3.D4がオン状態となるので、第1の基準電位回
路1の出力電圧V1は、下記(5)のように変化する。
R3+R5 +2・Vp(i)      ・・・ (5)従って、 R1/ (R3+R5)>R4/ (R+ +R2)と
設定すれば、R41=2・VFを満たした時点から、出
力電圧V、、Vbの関係が逆転しNVIL〉vbとなる
。そして、このときの電源電圧vDDがリセット電圧V
 Re5etとなる。
ここで、R3+R+s =Rs +R2となるように設
定し、抵抗R4の抵抗値を十分大きくすることにより、
vDDを更に大きくしたときの抵抗R4に流れる電流値
が、ダイオードD3.D4に流れる電流値よりも非常に
小さくなるように設定すると、基準電位回路1,2に流
れる電流値を略等しくすることができる。これによりN
V&特性カーブとvb特性カーブとに強い相関性を持た
せることができ、素子定数のバラツキ対するリセット電
圧V Regetの変動を防止することができる。
第3図は本発明の第2の実施例に係るパワーオンリセッ
ト回路の回路図である。
この実施例では、第1及び第2の非線形抵抗素子回路と
して、先の実施例におけるダイオードDI、D2及びD
3.D4に代えて、NチャネルトランジスタT R+ 
、T R2を使用して第1の基準電位回路11と第2の
基準電位回路12とを構成している。他の構成は第1図
に示した第1の実施例と同様である。
トランジスタTR,は、そのゲートとドレインとが接続
され、ドレインが抵抗R2と、また、ソースが接地端子
と夫々接続されたものとなっている。また、トランジス
タT R2は、そのゲートとドレインとが接続され、そ
のドレインが抵抗R31R4の接続点と、また、ソース
が抵抗R4,R5の接続点と接続されたものとなってい
る。
この実施例によれば、トランジスタTR,、TR2は、
そのソース・ドレイン間に、トランジスタのスレッショ
ルド電圧VT以上の電圧が加わるとオン状態となる。こ
のため、この回路は、前述した各式を、VFとVTとの
置き換えのみによって全て適用することができ、先の実
施例と同様の作用効果を奏することができる。
なお、この実施例は、電源電位(V ss、V no)
に直接つながらないダイオードの形成が困難であるよう
な拡散プロセスに適用した場合に、特に有効となる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、第2の基準電位
回路を第1及び第2の電源端子間に直列に接続された抵
抗と、これら抵抗のうち中間に位置する抵抗と並列に接
続された第2の非線形抵抗素子回路とにより構成したの
で、電源電圧が低い場合でも、第1及び第2の基準電位
回路の出力電圧は異なる特性直線上で変化し、両者が同
一電圧となることがない。このため、電源電圧が低い領
域においても、確実にパワーオンリセット動作を行なわ
せることができる。しかも、本発明によれば、第1及び
第2の基準電位回路の電流値を等しくすることができる
ので、リセット電圧が素子のバラツキに影響を受けない
という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例に係るパワーオンリセッ
ト回路の回路図、第2図は同回路における電源電圧に対
する第1及び第2の基準電位回路の出力電圧の関係を示
すグラフ図、第3図は本発明の第2の実施例に係るパワ
ーオンリセット回路の回路図、第4図は従来のパワーオ
ンリセット回路の回路図、第5図は同回路における電源
電圧に対する第1及び第2の基準電位回路の出力電圧の
関係を示すグラフ図である。 1.11,21;第1の基準電位回路、2,12.22
;第2の基準電位回路、3;コンパレー夕、R8〜R5
+ Rll”R14;抵抗、D1〜D4+Dot〜D、
5;ダイオード、TR,、TR2;Nチャネルトランジ
スタ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電源電圧対出力電圧の曲線が所定の電源電圧で交
    差する第1及び第2の基準電位回路と、これらの基準電
    位回路の出力電圧を比較するコンパレータ回路とを有す
    るパワーオンリセット回路において、前記第1の基準電
    位回路は、第1の電源端子と第2の電源端子との間に直
    列に接続された第1の抵抗、第2の抵抗及び第1の非線
    形抵抗素子回路から構成され、前記第1及び第2の抵抗
    の接続点を出力端とし、前記第2の基準電位回路は、前
    記第1の電源端子と前記第2の電源端子との間に直列に
    接続された第3、第4及び第5の抵抗と、前記第4の抵
    抗と並列に接続された第2の非線形抵抗素子回路とから
    構成され、前記第3及び第4の抵抗の接続点を出力端と
    するものであることを特徴とするパワーオンリセット回
    路。
  2. (2)前記第1及び第2の非線形抵抗素子回路は、前記
    第1及び第2の電源端子に対し順方向に直列接続された
    複数のダイオードから構成されたものであることを特徴
    とする請求項1に記載のパワーオンリセット回路。
  3. (3)前記第1及び第2の非線形抵抗素子回路は、ゲー
    トとドレインとが接続されたトランジスタから構成され
    たものであることを特徴とする請求項1に記載のパワー
    オンリセット回路。
JP2104462A 1990-04-20 1990-04-20 パワーオンリセット回路 Pending JPH043513A (ja)

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