KR20120000067A - 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 - Google Patents

성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스 Download PDF

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KR20120000067A
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다케시 곤도
가즈에 우에무라
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

고분자층에 규소 화합물의 이온들을 주입함으로써 획득되는 이온 주입층을 갖는 것을 특징으로 하는 성형체가 개시된다. 또한, 고분자층을 표면에 구비하는 성형물의 고분자층의 표면부에 규소 화합물의 이온들을 주입하는 단계를 포함하는 성형체의 제조 방법; 성형체로 구성된 전자 디바이스용 부재; 및 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스가 개시된다. 따라서, 본 발명은, 우수한 가스 배리어성, 굽힘 내성 및 표면 평활성을 갖는 성형체; 성형체의 제조 방법; 성형체로 구성된 전자 디바이스용 부재; 및 전자 디바이스용 부재를 구비하는 전자 디바이스를 제공한다.

Description

성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스{MOLDED BODY, METHOD FOR PRODUCING SAME, ELECTRONIC DEVICE MEMBER, AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은, 우수한 가스 배리어성, 굽힘성(bendability) 및 표면 평활성을 발현하는 성형체, 그 제조 방법, 이 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.
종래, 플라스틱 필름과 같은 고분자 성형체는 저가이며 우수한 가공성을 발현한다. 그리하여, 이러한 고분자 성형체는 원하는 기능을 부여받아, 다양한 분야에 이용되고 있다.
예를 들어, 식품/의약품의 포장용 필름으로서, 단백질, 오일 및 지방 등의 산화 및 변질을 억제하여 맛과 신선도를 유지하기 위해 수증기와 산소의 투과를 방지하는 가스 배리어 플라스틱 필름이 이용되고 있다.
최근, 디스플레이 (예컨대, 액정 디스플레이 및 전계발광(EL) 디스플레이) 에 대해 박형화, 경량화, 유연성 증가 등을 실현하기 위해, 기판으로서 유리판 대신에 투명 플라스틱 필름을 사용하는 것이 제안되고 있다. 그러나, 플라스틱 필름은 유리판에 비해 수증기, 산소 등이 투과하기 쉽기 때문에, 디스플레이 내부의 엘리먼트가 열화될 수도 있다.
이 문제를 해결하기 위하여, 특허문헌 1에는, 투명 플라스틱 필름 상에 금속 산화물로 형성된 투명 가스 배리어층을 적층한 플렉시블 디스플레이 기판이 개시되어 있다.
그러나, 투명 플라스틱 필름의 표면 상에, 증착, 이온 도금, 스퍼터링 등에 의해 금속 산화물로 형성된 투명 가스 배리어층을 적층하기 때문에, 기판을 말거나 접어 구부리면, 가스 배리어층에 크랙이 발생하여, 가스 배리어성이 저하될 수도 있다. 또한, 특허문헌 1에 개시된 가스 배리어층은 불충분한 표면 평활성으로 인해 가스 배리어층 상에 형성된 추가적인 층에 핀홀이 형성되기 쉽다는 문제를 갖는다. 그리하여, 가스 배리어 필름은 전자 디바이스용 부재에 신뢰성있게 사용될 수 없다.
특허문헌 2에는, 플라스틱 필름, 및 이 플라스틱 필름의 적어도 일면 상에 적층되고 폴리오르가노실세스퀴옥산을 주성분으로서 함유하는 수지층을 포함하는 가스 배리어 적층체가 개시되어 있다.
그러나, 가스 (예컨대, 산소 및 수증기) 배리어성을 얻기 위해서 무기 화합물층을 더 적층할 필요가 있기 때문에, 공정이 복잡해지고 제조 비용이 증대된다. 게다가, 독성 가스가 사용될 수도 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2000-338901 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2006-123307
본 발명은 상기 상황을 감안하여 이루어졌다. 본 발명의 목적은, 우수한 가스 배리어성, 우수한 굽힘성, 및 우수한 표면 평활성을 발현하는 성형체, 그 제조 방법, 이 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자들은, 폴리오르가노실록산 화합물 함유층을 표면에 구비하는 성형물 (formed body) 의 폴리오르가노실록산 화합물 함유층의 표면에 규소 화합물의 이온을 주입함으로써, 타겟 성형체를 간편하고 효율적으로 제조할 수 있음을 찾아내었다. 이러한 지견이 본 발명의 완성에 이르렀다.
본 발명의 제 1 양태는 하기 성형체 ((1) 내지 (4) 참조) 를 제공한다.
(1) 고분자층에 규소 화합물의 이온들을 주입함으로써 획득된 이온 주입층을 포함하는 성형체.
(2) 상기 (1) 에 따른 성형체에 있어서, 이온 주입층은, 플라즈마 이온 주입법에 의해 고분자층에 규소 화합물의 이온들을 주입함으로써 획득된다.
(3) 상기 (1) 또는 (2) 에 따른 성형체에 있어서, 고분자층은 폴리오르가노실록산 화합물 함유층이다.
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 따른 성형체에 있어서, 성형체는 온도 40 ℃ 및 상대습도 90% 에서 1 g/㎡/day 미만의 수증기 투과율을 갖는다.
본 발명의 제 2 양태는 하기 성형체의 제조 방법 ((5) 내지 (8) 참조) 을 제공한다.
(5) 상기 (1) 에 따른 성형체의 제조 방법으로서, 상기 방법은, 고분자층을 표면에 구비하는 성형물의 고분자층의 표면에 규소 화합물의 이온들을 주입하는 단계를 포함한다.
(6) 상기 (2) 에 따른 성형체의 제조 방법으로서, 상기 방법은, 고분자층을 표면에 구비하는 성형물의 고분자층의 표면에 플라즈마 이온 주입에 의해 규소 화합물의 이온들을 주입하는 단계를 포함한다.
(7) 상기 (5) 또는 (6) 에 따른 성형체의 제조 방법에 있어서, 상기 방법은, 고분자층을 표면에 구비하는 장척의 (long) 성형물을 소정 방향으로 반송하면서, 장척의 성형물의 고분자층에 규소 화합물의 이온들을 주입하는 단계를 포함한다.
(8) 상기 (5) 내지 (7) 중 어느 하나에 따른 성형체의 제조 방법에 있어서, 고분자층은 폴리오르가노실록산 화합물 함유층이다.
본 발명의 제 3 양태는 하기 전자 디바이스용 부재 ((9) 참조) 를 제공한다.
(9) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 따른 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재.
본 발명의 제 4 양태는 하기 전자 디바이스 ((10) 참조) 를 제공한다.
(10) 상기 (8) 에 따른 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스.
상기 성형체는 우수한 가스 배리어성, 우수한 굽힘성, 및 우수한 표면 평활성을 발현한다. 따라서, 성형체는 디스플레이, 태양 전지 등을 위한 전자 디바이스용 부재로서 바람직하게 사용될 수도 있다.
상기 성형체의 제조 방법은 우수한 가스 배리어성, 우수한 굽힘성 및 우수한 표면 평활성을 발현하는 상기 성형체를 안전하고 간편하게 제조할 수 있다. 게다가, 무기 필름을 성막하는 방법에 비해 저비용으로 대면적화가 용이하게 달성될 수 있다.
상기 전자 디바이스용 부재는 우수한 가스 배리어성, 우수한 굽힘성 및 우수한 평활성을 발현하기 때문에, 전자 디바이스용 부재는 디스플레이 및 태양 전지와 같은 전자 디바이스에 바람직하게 사용될 수도 있다.
도 1 은 플라즈마 이온 주입 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는 플라즈마 이온 주입 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 성형체, 성형체의 제조 방법, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스를 상세하게 설명한다.
1) 성형체
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는 고분자층에 규소 화합물의 이온을 주입함으로써 획득된 층(이하, "이온 주입층"이라고 함)을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체에 포함된 이온 주입층은, 고분자층에 규소 화합물의 이온을 주입함으로써 이온 주입층이 획득되는 것이라면 특별히 제한되지 않는다.
고분자층을 형성하는 고분자의 예는 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌 에테르, 폴리에테르 케톤, 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리페닐렌 술파이드, 폴리알릴레이트, 아크릴 수지, 시클로올레핀 고분자, 방향족 고분자, 폴리오르가노실록산 화합물 등을 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다.
이들 고분자는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수도 있다.
이들 중에서도, 폴리오르가노실록산 화합물, 그리고 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 및 폴리에틸렌 나프탈레이트와 같은 폴리에스테르가 바람직하다. 고분자층은, 우수한 가스 배리어성을 발현하는 성형체를 획득하기 위해 폴리오르가노실록산 화합물 함유층인 것이 특히 바람직하다.
폴리오르가노실록산 화합물은 특별히 제한되지 않는다. 폴리오르가노실록산 화합물은 선형, 래더형, 또는 다면체의 구조를 가질 수도 있다.
폴리오르가노실록산 화합물의 선형 주사슬 구조의 예는 하기 식(a)로 나타낸 구조를 포함한다. 폴리오르가노실록산 화합물의 래더형 주사슬 구조의 예는 하기 식(b)로 나타낸 구조를 포함한다. 폴리오르가노실록산 화합물의 다면체 주사슬 구조는 하기 식(c)로 나타낸 구조를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pct00001
[화학식 2]
Figure pct00002
[화학식 3]
Figure pct00003
여기서, Rx, Ry, 및 Rz는 독립적으로, 수소 원자, 치환 또는 무치환의 알킬기, 치환 또는 무치환의 알케닐기, 또는 치환 또는 무치환의 아릴기와 같은 비가수분해성기를 나타내고, 단, 식(a)의 Rx 둘다 또는 식(b)의 Ry 둘다가 수소 원자인 경우는 배제된다.
치환 또는 무치환의 알킬기의 예는, 1~10개의 탄소 원자를 갖는 알킬기 (예컨대, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, 및 n-옥틸기) 를 포함한다.
알케닐기의 예는, 2~10개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기 (예컨대, 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기 및 3-부테닐기) 를 포함한다.
상기 알킬기 및 알케닐기에 대한 치환기의 예는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자와 같은 할로겐 원자; 히드록실기; 티올기; 에폭시기; 글리시독시기; (메타)아크릴로일옥시기; 페닐기, 4-메틸페닐기, 및 4-클로로페닐기와 같은 치환 또는 무치환의 페닐기; 등을 포함한다.
아릴기의 예는, 6~10개의 탄소 원자를 갖는 아릴기 (예컨대, 페닐기, 1-나프틸기, 및 2-나프틸기) 를 포함한다.
상기 아릴기에 대한 치환기의 예는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자와 같은 할로겐 원자; 메틸기 및 에틸기와 같은 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알킬기; 메톡시기 및 에톡시기와 같은 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기; 니트로기; 시아노기; 히드록실기; 티올기; 에폭시기; 글리시독시기; (메타)아크릴로일옥시기; 페닐기, 4-메틸페닐기, 및 4-클로로페닐기와 같은 치환 또는 무치환의 아릴기; 등을 포함한다.
이들 중에서도, 수소 원자, 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 또는 페닐기가 Rx, Ry, 및 Rz로서 바람직하다. 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 Rx, Ry, 및 Rz로서 특히 바람직하다.
식(a)의 복수의 Rx, 식(b)의 복수의 Ry, 및 식(c)의 복수의 Rz는 각각 동일 또는 상이할 수도 있음에 유의한다.
폴리오르가노실록산 화합물은 식(a)로 나타낸 선형 화합물, 또는 식(b)로 나타낸 래더형 화합물이 바람직하고, 입수 용이성 및 우수한 가스 배리어성을 발현하는 이온 주입층을 형성하는 능력의 관점에서, 식(a) 에 있어서 Rx 둘다가 메틸기인 폴리디메틸실록산이 특히 바람직하다.
폴리오르가노실록산 화합물은, 가수분해성 관능기를 포함하는 실란 화합물을 중축합하는 공지된 방법에 의해 제조될 수도 있다.
실란 화합물은 타겟 폴리오르가노실록산 화합물의 구조에 따라 적절히 선택될 수도 있다. 바람직한 실란 화합물의 구체예는, 디메틸디메톡시실란, 디메틸 디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 및 디에틸디에톡시실란과 같은 2 관능 실란 화합물; 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 및 페닐디에톡시메톡시실란과 같은 3 관능 실란 화합물; 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-t-부톡시실란, 테트라-s-부톡시실란, 메톡시트리에톡시실란, 디메톡시디에톡시실란, 및 트리메톡시에톡시실란과 같은 4 관능 실란 화합물; 등을 포함한다.
박리제, 접착제, 실런트, 도료 등으로서 시판되고 있는 제품이 그대로 폴리오르가노실록산 화합물로서 사용될 수도 있다.
폴리오르가노실록산 화합물 함유층 중의 폴리오르가노실록산 화합물의 함유량은, 우수한 가스 배리어성을 발현하는 이온 주입층을 획득하기 위해, 50 중량%이상인 것이 바람직하고, 70 중량%이상인 것이 보다 바람직하다.
고분자층은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 고분자 화합물 (주성분) 이외의 성분을 포함할 수도 있다. 고분자 화합물 이외의 성분의 예는, 경화제, 노화 방지제, 광 안정화제, 난연제 등을 포함한다.
고분자층은 임의의 방법에 의해 형성될 수도 있다.
예를 들면, 폴리오르가노실록산 화합물 함유층은, 적어도 하나의 폴리오르가노실록산 화합물, 선택적 성분, 및 용제를 포함하는 용액을 적당한 기재에 도포하고, 얻어진 필름을 건조하고, 건조된 필름을 선택적으로 가열함으로써 형성될 수도 있다. 기재는 후술되는 추가적인 층을 형성하는 재료로 형성된 필름일 수도 있다.
얻어진 폴리오르가노실록산 화합물 함유층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 통상 30 nm~100 ㎛이다.
상기 고분자로 형성된 시판되는 고분자 필름이 고분자층으로서 사용될 수도 있다.
상기 이온 주입층은, 고분자층에 규소 화합물의 이온(이하, "이온"이라 지칭될 수도 있음)을 주입함으로써 획득된다.
규소 화합물의 예는 실란(SiH4) 및 유기규소 화합물을 포함한다.
유기규소 화합물의 예는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란 및 테트라-t-부톡시 실란과 같은 테트라알콕시실란; 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란 및 (3,3,3-트리플루오로 프로필)트리메톡시실란과 같은 치환 또는 무치환의 알킬알콕시실란; 디페닐디메톡시실란 및 페닐트리에톡시실란과 같은 아릴알콕시실란; 헥사메틸디실록산(HMDSO) 과 같은 디실록산; 비스(디메틸아미노)디메틸실란, 비스(디메틸아미노)메틸비닐실란, 비스(에틸아미노)디메틸실란, 디에틸아미노트리메틸실란, 디메틸아미노디메틸실란, 테트라키스디메틸아미노실란, 및 트리스(디메틸아미노)실란과 같은 아미노실란; 헥사메틸디실라잔, 헥사메틸시클로트리실라잔, 헵타메틸디실라잔, 노나메틸트리실라잔, 옥타 메틸 시클로 테트라 실라잔, 및 테트라메틸디실라잔과 같은 실라잔; 테트라이소시아네이토실란과 같은 시아네이토실란; 트리에톡시플루오로실란과 같은 할로게노실란; 디알릴디메틸실란 및 알릴트리메틸실란과 같은 알케닐실란; 디-t-부틸실란, 1,3-디실라부탄, 비스(트리메틸실릴)메탄, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, 트리스(트리메틸실릴)메탄, 트리스(트리메틸실릴)실란, 및 벤질트리메틸실란과 같은 치환 또는 무치환의 알킬실란; 비스(트리메틸실릴)아세틸렌, 트리메틸실릴 아세틸렌, 및 1-(트리메틸실릴)-1-프로핀과 같은 실릴알킨; 1,4-비스트리메틸실릴-1,3-부타디인 및 시크로펜타디에닐트리메틸실란과 같은 실릴알켄; 페닐디메틸실란 및 페닐트리메틸실란과 같은 아릴알킬실란; 프로파르길트리메틸실란과 같은 알키닐알킬실란; 비닐트리메틸실란과 같은 알케닐알킬실란; 헥사메틸디실란과 같은 디실란; 옥타메틸시클로테트라실록산, 테트라메틸시클로테트라실록산, 및 헥사메틸시클로테트라실록산과 같은 실록산; N,O-비스(트리메틸실릴)아세트아미드; 비스(트리메틸실릴)카르보디이미드; 등을 포함한다. 이들 가스는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수도 있다.
이들 중에서도, 타겟 성형체가 보다 용이하게 얻어질 수 있는 점에서, 디실록산, 알킬실란, 테트라알콕시실란, 및 실라잔이 바람직하다.
주입량 (dose) 은, 성형체의 사용목적 (예컨대, 가스 배리어성 및 투명성) 등에 따라 적절히 결정될 수도 있다.
이온은 임의의 방법에 의해 고분자층에 주입될 수도 있다. 예컨대, 기재 상에 폴리오르가노실록산 화합물 함유층을 형성한 후, 폴리오르가노실록산 화합물 함유층에 규소 화합물의 이온을 주입할 수도 있다.
이온은, 전계에 의해 가속된 이온 (이온빔) 을 적용하는 것, 플라즈마 중에 존재하는 이온을 주입하는 것 등에 의해 주입될 수도 있다. 가스 배리어 성형체가 용이하게 획득될 수 있는 점에서, 플라즈마 중에 존재하는 이온을 주입하는 것 (이후, "플라즈마 이온 주입법"이라 함) 이 바람직하다.
플라즈마 이온 주입은, 규소 화합물 가스를 함유하는 분위기에서 플라즈마를 발생시키고, 고분자층에 음의 고전압 펄스를 인가함으로써 고분자층의 표면에 플라즈마 중에 존재하는 이온을 주입함으로써 구현될 수도 있다.
이온 주입 영역의 두께는, 주입 조건을 조절함으로써 제어될 수 있고, 얻어진 성형체의 용도에 따라 적절히 결정될 수도 있다. 이온 주입 영역의 두께는 통상 0.1~1000 nm이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체의 형상은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 성형체는 필름, 시트, 직육면체, 다각 기둥, 통모양 등의 형상일 수도 있다. (후술하는) 전자 디바이스용 부재로서 성형체를 사용할 경우에, 성형체는 필름 또는 시트의 형상이 바람직하다. 필름의 두께는, 전자 디바이스의 원하는 용도에 의해 적절히 결정될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는, 이온 주입층을 포함하는 고분자층만을 포함할 수도 있고, 또는 고분자층 이외에 추가적인 층을 또한 포함할 수도 있다. 추가적인 층은 단일층일 수도 있고, 또는 복수의 동일 또는 상이한 층을 포함할 수도 있다.
추가적인 층을 형성하는 재료의 예는 이온이 주입되는 고분자층에 사용되는 재료로서 상기 서술된 고분자를 포함한다. 그 중에서도, 우수한 투명성 및 범용성을 가진 점에서 폴리에스테르, 폴리아미드 또는 시클로올레핀 고분자가 바람직하다. 폴리에스테르 또는 시클로올레핀 고분자를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
폴리에스테르의 예는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리알릴레이트 등을 포함한다.
폴리아미드의 예는, 전방향족 폴리아미드, 나일론 6, 나일론 66, 나일론 공중합체 등을 포함한다.
시클로올레핀 고분자의 예는, 노르보르넨 고분자, 단환식 올레핀 고분자, 환식 공액 디엔 고분자, 비닐 지환식 탄화수소 고분자, 및 이들의 수소화물을 포함한다. 시클로올레핀 고분자의 구체예는, Apel (Mitsui Chemicals Inc. 제조의 에틸렌-시클로올레핀 공중합체), Arton (JSR Corporation 제조의 노르보르넨 고분자), Zeonor (Zeon Corporation 제조의 노르보르넨 고분자) 등을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체가 추가적인 층을 포함하는 적층체인 경우에, 이온 주입층은 임의의 위치에 배치될 수도 있지만, 제조 효율성 등의 관점에서 이온 주입층이 성형체의 표면층을 형성하는 것이 바람직하다. 이온 주입층이 성형체의 표면층을 형성하는 경우에, 이온 주입층은 추가적인 층의 일면에 형성될 수도 있고, 또는 추가적인 층의 양면에 형성될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는, 우수한 가스 배리어성, 우수한 굽힘성, 및 우수한 표면 평활성을 발현하고, 필름 또는 시트 형상 (이하, "필름 형상"라고 함) 을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는, 성형물에 이온이 주입되지 않은 경우에 비해 성형체가 충분히 낮은 가스 (예컨대, 수증기) 투과율을 가지기 때문에 우수한 가스 배리어성을 발현한다. 예를 들어, 온도 40℃ 및 상대습도 90%에서 성형체의 수증기 투과율 (즉, 온도 40℃ 및 상대습도 90%의 조습실에서 성형체를 투과하는 수증기의 양), 1 g/㎡/day 이하가 바람직하고, 0.5 g/㎡/day 이하가 보다 바람직하다. 성형체의 가스 (예컨대, 수증기) 투과율은, 공지된 가스 투과율 측정 장치를 이용하여 측정될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는, 성형체를 스테인리스스틸 봉에, 예를 들어, 이온 주입면이 외측면에 위치된 상태로 감아서 원주 방향으로 10회 회전시킬 때에 성형체가 열화되지 않기 때문에 우수한 굽힘성을 발현한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체의 표면 평활성 Ra(nm) (측정 영역: 1×1 ㎛ 및 25×25 ㎛) 은 원자간력 현미경 (AFM) 을 이용하여 측정될 수도 있다. 측정 영역이 1×1 ㎛일 경우의 성형체의 표면 평활성 Ra 는 0.35 nm 이하인 것이 바람직하고, 0.3 nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 측정 영역이 25×25 ㎛ 일 경우의 성형체의 표면 평활성 Ra 는 6 nm 이하인 것이 바람직하다.
2) 성형체의 제조 방법
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체의 제조 방법은, 고분자층을 표면에 구비하는 성형물의 고분자층의 표면에 규소 화합물의 이온을 주입하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체의 제조 방법에 있어서, 고분자층을 표면에 구비하는 장척의 성형물을 소정 방향으로 반송하면서, 장척의 성형물의 고분자층에 규소 화합물의 이온을 주입하는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 의하면, 예를 들면, 공급롤 (feed-out roll) 에 감겨진 장척의 성형물을 소정 방향으로 반송하면서 장척의 성형물에 이온을 주입하고, 그후 권취롤 (wind-up roll) 에 감을 수 있다. 따라서, 이온 주입된 성형체를 연속적으로 제조할 수 있다.
장척의 성형물은 필름 형상이다. 성형물은 고분자층만을 포함할 수도 있고, 또는 고분자층 이외에 추가적인 층을 포함할 수도 있다. 추가적인 층의 예는 상기 서술된 추가적인 층을 포함한다.
성형물의 두께는 권취, 권출 및 공급의 조작성의 관점에서 1~500 ㎛인 것이 바람직하고, 5~300 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체의 제조 방법에 있어서, 임의의 방법에 의해 고분자층에 이온을 주입할 수도 있다. 플라즈마 이온 주입에 의해 고분자층의 표면에 이온 주입층을 형성하는 것이 바람직하다.
플라즈마 이온 주입법은, 플라즈마에 노출되고 고분자층을 표면에 구비하는 성형물에 음의 고전압 펄스를 인가함으로써, 플라즈마 중에 존재하는 이온을 상기 고분자층의 표면에 주입하는 단계를 포함한다.
플라즈마 이온 주입법으로서는, (A) 외부 전계를 이용하여 발생된 플라즈마 중에 존재하는 이온을 고분자층의 표면에 주입하는 방법, 또는 (B) 고분자층에 음의 고전압 펄스를 인가함으로써 생성된 전계로 인해 발생된 플라즈마 중에 존재하는 이온을, 고분자층의 표면에 주입하는 방법을 이용하는 것이 바람직하다.
방법 (A) 를 이용할 경우에, 이온 주입 압력 (플라즈마 이온 주입 압력) 을 0.01~1 Pa로 설정하는 것이 바람직하다. 플라즈마 이온 주입 압력이 상기 범위 내에 있을 경우, 균일한 이온 주입층을 간편하고 효율적으로 형성할 수 있다. 이는, 투명성과 가스 배리어성을 발현하는 이온 주입층을 효율적으로 형성하는 것을 가능하게 한다.
방법 (B) 는, 감압도를 높게 할 필요가 없고, 용이한 조작을 가능하게 하고, 처리 시간을 상당히 단축시킨다. 또한, 전체 고분자층을 균일하게 처리할 수 있고, 음의 고전압 펄스를 인가할 때에 플라즈마 중에 존재하는 이온을 고에너지로 고분자층의 표면에 연속적으로 주입할 수 있다. 또한, 방법 (B) 는, 고주파 전력원 (예컨대, RF (radio frequency) 전력원 또는 마이크로파 전력원) 과 같은 특별한 수단을 필요로 하지 않고서 고분자층에 음의 고전압 펄스를 단순히 인가함으로써 고분자층의 표면에 우수한 이온 주입층을 균일하게 형성할 수 있다.
방법 (A) 또는 (B) 를 이용할 경우에, 음의 고전압 펄스를 인가할 때 (즉, 이온 주입 동안) 의 펄스는 1~15 μs 인 것이 바람직하다. 펄스폭이 상기 범위 내에 있다면, 투명하고 균일한 이온 주입층을 보다 간편하고 효율적으로 형성할 수 있다.
플라즈마를 발생시킬 때에 인가 전압은, 바람직하게는 -1 ~ -50 kV, 보다 바람직하게는 -1 ~ -30 kV, 특히 바람직하게는 -5 ~ -20 kV이다. 인가 전압이 -1 kV 보다 높은 경우, 주입량이 불충분해질 수도 있고, 그리하여 원하는 성능이 얻어지지 않을 수도 있다. 인가 전압이 -50 kV 보다 낮은 경우, 이온 주입 동안 성형체가 대전될 수도 있고, 또는 성형체가 착색될 수도 있다.
고분자층의 표면에 플라즈마 중에 존재하는 이온을 주입할 때에, 플라즈마 이온 주입 장치가 이용된다.
플라즈마 이온 주입 장치의 구체예는, (α) 고분자층 (이하, "이온 주입 타겟층"이라고 지칭될 수도 있음) 으로 하여금, 이온 주입 타겟층에 음의 고전압 펄스를 인가하는 피드쓰루 (feed-through) 에 고주파 전력을 중첩함으로써 플라즈마로 균일하게 둘러싸이게 하여, 플라즈마 중에 존재하는 이온을 유인, 주입, 충돌, 및 퇴적시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001-26887), (β) 챔버 안에 안테나를 포함하고, 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 이온 주입 타겟층 주위의 영역에 플라즈마가 도달한 후에 이온 주입 타겟층에 양 및 음의 펄스를 교대로 인가하여, 양의 펄스로 인해 플라즈마 중에 존재하는 전자를 유인 및 충돌시켜 이온 주입 타겟층을 가열하고 펄스 인자를 제어하여 온도를 제어하면서 음의 펄스를 인가함으로써 플라즈마 중에 존재하는 이온을 유인 및 주입시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001-156013), (γ) 외부 전계 (예컨대, 마이크로파 고주파 전력원) 를 이용하여 플라즈마를 발생시키고 고전압 펄스를 인가함으로써 플라즈마 중에 존재하는 이온을 유인 및 주입시키는 플라즈마 이온 주입 장치, (δ) 외부 전계를 이용하지 않고서 고전압 펄스를 인가함으로써 생성된 전계로 인해 발생된 플라즈마 중에 존재하는 이온을 주입하는 플라즈마 이온 주입 장치 등을 포함한다.
플라즈마 이온 주입 장치 (γ) 또는 (δ) 는 간편한 조작을 가능하게 하고, 처리 시간을 상당히 단축시키고, 연속적으로 이용될 수 있기 때문에, 플라즈마 이온 주입 장치 (γ) 또는 (δ) 를 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 플라즈마 이온 주입 장치 (γ) 또는 (δ) 를 이용하는 방법에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
도 1 은, 플라즈마 이온 주입 장치 (γ) 를 구비하는 연속적 플라즈마 이온 주입 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1a에 있어서, 참조부호 1a는 이온 주입 타겟 고분자층을 표면에 구비하는 장척의 필름 형상의 성형물 (이하, "필름"이라고 함), 참조부호 11a는 챔버, 참조부호 20a는 터보 분자 펌프, 참조부호 3a는 이온 주입 전에 필름 (1a) 이 감겨져 있는 공급롤, 참조부호 5a는 이온 주입된 필름 (성형체) (1b) 이 감겨져 있는 권취롤, 참조부호 2a는 고전압 회전 캔, 참조부호 6a는 구동 롤 (driving roll), 참조부호 10a는 가스 인렛, 참조부호 7a는 고전압 펄스 전력원, 참조부호 4는 플라즈마 방전 전극 (외부 전계) 을 나타낸다. 도 1b는, 고전압 회전 캔 (2a) 을 나타낸 사시도이고, 여기서 참조부호 15는 고전압 인가 단자 (피드쓰루) 를 나타낸다.
고분자층을 표면에 구비하는 장척의 필름 (1a) 은, 기재 (추가적인 층) 상에 고분자층이 형성된 필름이다.
도 1에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치에 있어서, 필름 (1a) 은, 챔버 (11a) 내부에서 공급롤 (3a) 로부터 화살표 방향 X로 반송되고, 고전압 회전 캔 (2a) 를 통과하고, 권취롤 (5a) 에 감긴다. 필름 (1a) 은 임의의 방법으로 감길 수도 있고 반송될 수도 있다. 일 실시형태에 있어서, 필름 (1a) 은 일정 속도로 고전압 회전 캔 (2a) 을 회전시킴으로써 반송된다. 고전압 회전 캔 (2a) 은, 모터를 사용하여 고전압 인가 단자 (15) 의 중심축 (13) 을 회전시킴으로써 회전된다.
고전압 인가 단자 (15), 필름 (1a) 과 접촉하는 구동 롤 (6a) 등은 절연체로 형성된다. 예를 들어, 고전압 인가 단자 (15), 구동 롤 (6a) 등은 알루미나의 표면을 수지 (예컨대, 폴리테트라플루오로에틸렌) 로 코팅함으로써 형성된다. 고전압 회전 캔 (2a) 은 도체 (예컨대, 스테인리스스틸) 로 형성된다.
필름 (1a) 의 반송 속도는 적절히 설정될 수도 있다. 필름 (1a) 이 공급롤 (3a) 로부터 반송되어 권취롤 (5a) 에 감길 때에 원하는 주입층이 형성되도록 필름 (1a) 에 이온이 주입되는 한, 필름 (1a) 의 반송 속도는 특별히 제한되지 않는다. 필름 감음 속도 (라인 속도) 는 인가 전압, 장치의 크기 등에 따라 결정되지만, 통상 0.1~3 m/min, 바람직하게는 0.2~2.5 m/min이다.
챔버 (11a) 내부의 압력은, 회전 펌프에 접속된 터보 분자 펌프 (20a) 를 이용하여 챔버 (11a) 로부터 공기를 배출함으로써 감소된다. 감압도는 통상 1×10-4 ~ 1 Pa, 바람직하게는 1×10-3 ~ 1×10-2 Pa이다.
그후, 이온 주입 가스 (예컨대, 트리메틸실란 가스) 가 가스 인렛 (10a) 을 통해 챔버 (11a) 에 도입되어, 챔버 (11a) 는 감압하에서 이온 주입 가스로 채워진다.
이어서, 플라즈마 방전 전극 (4) (외부 전계) 을 이용하여 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마는, 고주파 전력원 (예컨대, RF 전력원 또는 마이크로파 전력원) 을 이용하여 공지된 방법에 의해 발생될 수도 있다.
고전압 인가 단자 (15) 를 통해 고전압 회전 캔 (2a) 에 접속된 고전압 펄스 전력원 (7a) 으로부터 음의 고전압 펄스 (9a) 가 인가된다. 고전압 회전 캔 (2a) 에 음의 고전압 펄스가 인가되면, 플라즈마 중에 존재하는 이온이 유인되고, 고전압 회전 캔 (2a) 주위의 필름의 표면에 주입된다 (도 1a 의 화살표 Y).
이온 주입 동안의 압력 (즉, 챔버 (11a) 내부의 플라즈마 가스의 압력) 은 0.01~1 Pa인 것이 바람직하다. 이온 주입 동안의 펄스폭은, 1~15μs인 것이 바람직하다. 고전압 회전 캔 (2a) 에 음의 고전압을 인가할 때의 인가 전압은 -1 ~ -50 kV 인 것이 바람직하다.
이하, 도 2에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치를 이용하여 고분자층을 표면에 구비하는 필름의 고분자층에 이온을 주입하는 방법을 설명한다.
도 2에 나타낸 장치는, (δ)에 기재된 플라즈마 이온 주입 장치를 구비한다. 이 플라즈마 이온 주입 장치는, 외부 전계 (즉, 도 1에 나타낸 플라즈마 방전 전극 (4)) 를 이용하지 않고서 고전압 펄스로 인한 전계를 인가함으로써 플라즈마를 발생시킨다.
도 2에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치에 있어서, 필름 (1c) (필름 형상의 성형물) 은, 고전압 회전 캔 (2b) 을 회전시킴으로써 도 2 에 나타낸 화살표 방향 X 로 반송되고, 권취롤 (5b) 에 감긴다. 참조부호 6b 는 구동 롤을 나타냄에 유의한다.
도 2에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치는, 후술하는 바와 같이 고분자층의 표면에 이온을 주입한다.
도 1에 나타낸 플라즈마 이온 주입 장치와 동일한 방식으로 챔버 (11b) 내에 필름 (1c) 이 배치된다. 챔버 (11b) 내부의 압력은 회전 펌프에 접속된 터보 분자 펌프 (20b) 를 이용하여 챔버 (11b) 로부터 공기를 배출함으로써 감소된다. 이온 주입 가스가 가스 인렛 (10b) 을 통해 챔버 (11b) 에 도입되어, 챔버 (11b) 는 감압하에서 이온 주입 가스로 채워진다.
이온 주입 동안의 압력 (즉, 챔버 (11b) 내부의 플라즈마 가스의 압력) 은 10 Pa 이하, 바람직하게는 0.01~5 Pa, 보다 바람직하게는 0.01~1 Pa이다.
도 2에 나타낸 방향 X로 필름 (1c) 을 반송하면서 고전압 인가 단자를 통해 고전압 회전 캔 (2b) 에 접속된 고전압 펄스 전력원 (7b) 으로부터 고전압 펄스 (9b) 가 인가된다.
고전압 회전 캔 (2b) 에 음의 고전압 펄스가 인가되면, 고전압 회전 캔 (2b) 주위에 배치된 필름 (1c) 을 따라 플라즈마가 발생되고, 그 플라즈마 중에 존재하는 이온 주입 가스의 이온이 유인되어, 고전압 회전 캔 (2b) 주위의 필름 (1c) 의 표면에 주입된다 (도 2의 화살표 Y). 필름 (1c) 의 고분자층의 표면으로의 이온 주입으로 인해 필름 (1c) 의 표면에 이온 주입층이 형성된다.
고전압 회전 캔 (2b) 에 음의 고전압 펄스를 인가할 때에 채용된 인가 전압과 펄스폭, 및 이온 주입 동안 채용된 압력은, 도 1에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치를 이용하는 경우와 동일하다.
도 2에 나타낸 플라즈마 이온 주입 장치에 있어서, 고전압 펄스 전력원이 또한 플라즈마 발생 수단으로서 기능하기 때문에, 고주파 전력원 (예컨대, RF 전력원 또는 마이크로파 전력원) 과 같은 특별한 수단이 필요하지 않다. 음의 고전압 펄스를 단순히 인가함으로써, 고분자층의 표면에 플라즈마 중에 존재하는 이온을 주입함으로써 이온 주입층이 연속적으로 형성될 수 있다. 따라서, 필름의 표면에 이온 주입층이 형성된 성형체를 양산할 수 있다.
3) 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스
본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스용 부재는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체를 포함한다. 따라서, 본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스용 부재는 우수한 가스 배리어성을 발현하기 때문에, 가스 (예컨대, 수증기) 로 인한 엘리먼트 (부재) 의 열화가 방지될 수 있다. 전자 디바이스용 부재는 액정 디스플레이, EL 디스플레이 등을 위한 디스플레이 부재; 태양전지 보호 시트 (백시트) 와 같은 태양전지 부재; 등으로서 바람직하게 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스용 부재를 포함한다. 전자 디바이스의 구체예는, 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 무기 EL 디스플레이, 전자 페이퍼, 태양 전지 등을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재를 포함하기 때문에, 전자 디바이스는 우수한 가스 배리어성 및 우수한 굽힘성을 발현한다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 설명한다. 본 발명은 하기 실시예에 한정되지 않음에 유의한다.
하기 플라즈마 이온 주입 장치, 수증기 투과율 측정 디바이스, 수증기 투과율 측정 조건, 표면 평활성 평가 방법 및 굽힘성 시험 방법이 실시예에서 이용되었다. 외부 전계를 이용하여 이온을 주입하는 장치가 플라즈마 이온 주입 장치로서 사용되었다.
플라즈마 이온 주입 장치
RF 전력원: JEOL Ltd. 제조의 "RF56000"
고전압 펄스 전력원: Kurita Seisakusho Co., Ltd. 제조의 "PV-3-HSHV-0835"
수증기 투과율 측정 디바이스
투과율 시험기: LYSSY 제조의 "L89-500"
수증기 투과율 측정 조건: 상대습도 90% 및 온도 40℃
표면 평활성 평가 방법
원자간력 현미경(AFM) (SII Nano Technology Inc. 제조의 "SPA300HV") 을 이용하여 표면 거침도 Ra (nm) (측정 영역: 1×1 ㎛ (1 ㎛ 정사각형) 및 25×25 ㎛ (25 ㎛ 정사각형)) 를 측정하였다.
굽힘성 시험
성형체를 3 mm 직경의 스테인리스스틸 봉에, 이온 주입층의 면 (비교예 1에서는 폴리디메틸실록산층, 및 비교예 2에서는 질화규소필름) 이 봉의 외측이 되도록 감고, 원주 방향으로 10회 회전시켰다. 그후, 광학 현미경 (Keyence Corporation 제조) (배율: 2000) 을 이용하여 크랙의 유무를 관찰하였다. 크랙이 관찰되지 않는 경우를 "없음"으로 나타내고, 크랙이 관찰되는 경우를 "있음"으로 나타낸다.
실시예 1
기재로서의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 (PET 필름) (Mitsubishi Plastics, Inc. 제조의 "PET38T-300", 두께: 38 ㎛) 에, 폴리디메틸실록산을 주성분으로서 함유하는 실리콘 박리제 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제조의 "BY-24-561") 를 도포하였다. 실리콘 박리제를 120 ℃에서 2분간 가열하여 PET 필름 상에 고분자층 (폴리디메틸실록산 함유층) (두께: 100 nm) 을 형성하였다. 그리하여 성형물을 획득하였다. 도 1에 나타낸 플라즈마 이온 주입 장치를 이용하여 폴리디메틸실록산 함유층의 표면에, 헥사메틸디실록산 (HMDSO) 가스 (이온 주입 가스 (플라즈마 생성 가스)) 를 주입하여 성형체 1을 획득하였다.
하기 플라즈마 이온 주입 조건을 이용하였다.
듀티비: 0.5%
반복 주파수: 1000 Hz
인가 전압: -10 kV
RF 전력원: 주파수 13.56 MHz, 인가 전력 1000 W
챔버 내압: 0.2 Pa
펄스폭: 5μs
처리 시간 (이온 주입 시간): 5분
가스 유량: 40 ccm
실시예 2
플라즈마 생성 가스로서 HMDSO 대신에 트리메틸실란을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방식으로 하여 성형체 2를 획득하였다.
실시예 3
플라즈마 생성 가스로서 HMDSO 대신에 테트라에톡시실란을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방식으로 하여 성형체 3을 획득하였다.
실시예 4
PET 필름에 실리콘 박리제를 도포하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방식으로 하여 성형체 4를 획득하였다. 구체적으로, PET 필름의 표면에 직접 HMDSO를 주입하여 성형체 4를 획득하였다.
비교예 1
이온 주입을 수행하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방식으로 하여 성형체 5를 획득하였다. 구체적으로, PET 필름 상에 폴리디메틸실록산 함유층을 형성하여 성형체 5를 획득하였다.
비교예 2
PET 필름 상에 스퍼터링에 의해 질화규소(Si3N4) 필름 (두께: 50 nm) 을 형성하여 성형체 6을 획득하였다.
실시예 1~4 및 비교예 1과 2 에서 획득된 성형체 1~6 에 대해, 수증기 투과율 측정, 굽힘성 시험, 및 표면 평활성 평가를 실시하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00004
표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1~4에서 획득된 성형체 1~4는, 비교예 1과 2에서 획득된 성형체 5와 6에 비해 낮은 수증기 투과율을 가지고 있었다. 실시예 1~4에서 획득된 성형체 1~4는 굽힘성 시험을 실시할 때에 크랙을 생성하지 않았다. 비교예 2에서 획득된 성형체 6에 대해 굽힘성 시험을 실시할 경우, 질화규소 필름에 크랙이 발생하였다.
실시예 1~4에서 획득된 성형체 1~4는, 비교예 1과 2에서 획득된 성형체에 비해 우수한 표면 평활성을 발현하였다.
이상으로부터, 적절한 조건하에서 고분자층에 규소 화합물의 이온을 주입함으로써 우수한 가스 배리어성, 우수한 굽힘성 및 우수한 표면 평활성을 발현하는 성형체가 획득될 수 있다.
1a, 1c : 필름 형상의 성형물 1b, 1d : 필름 형상의 성형체
2a, 2b : 회전 캔 3a, 3b : 공급롤
4 : 플라즈마 방전 전극 5a, 5b : 권취롤
6a, 6b : 구동 롤 7a, 7b : 펄스 전력원
9a, 9b : 고전압 펄스 10a, 10b : 가스 인렛
11a, 11b : 챔버

Claims (10)

  1. 고분자층에 규소 화합물의 이온들을 주입함으로써 획득된 이온 주입층을 포함하는, 성형체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온 주입층은, 플라즈마 이온 주입법에 의해 상기 고분자층에 상기 규소 화합물의 이온들을 주입함으로써 획득되는, 성형체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고분자층은 폴리오르가노실록산 화합물 함유층인, 성형체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성형체는 온도 40 ℃ 및 상대습도 90% 에서 1 g/㎡/day 미만의 수증기 투과율을 갖는, 성형체.
  5. 제 1 항에 기재된 성형체의 제조 방법으로서,
    고분자층을 표면에 구비하는 성형물 (formed body) 의 상기 고분자층의 표면에 규소 화합물의 이온들을 주입하는 단계를 포함하는, 성형체의 제조 방법.
  6. 제 2 항에 기재된 성형체의 제조 방법으로서,
    고분자층을 표면에 구비하는 성형물의 상기 고분자층의 표면에 플라즈마 이온 주입에 의해 규소 화합물의 이온들을 주입하는 단계를 포함하는, 성형체의 제조 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    고분자층을 표면에 구비하는 장척의 (long) 성형물을 소정 방향으로 반송하면서, 상기 장척의 성형물의 상기 고분자층에 규소 화합물의 이온들을 주입하는 단계를 포함하는, 성형체의 제조 방법.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고분자층은 폴리오르가노실록산 화합물 함유층인, 성형체의 제조 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 성형체를 포함하는, 전자 디바이스용 부재.
  10. 제 8 항에 기재된 전자 디바이스용 부재를 포함하는, 전자 디바이스.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5781350B2 (ja) * 2011-03-30 2015-09-24 リンテック株式会社 ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
CN103857760B (zh) 2011-08-03 2016-09-21 琳得科株式会社 阻气性粘合片材、其制造方法、以及电子构件及光学构件
CN107953623A (zh) 2011-11-04 2018-04-24 琳得科株式会社 阻气膜及其制造方法、阻气膜层叠体、电子装置用构件、以及电子装置
EP2786808A4 (en) 2011-11-30 2016-05-25 Lintec Corp MANUFACTURING METHOD FOR A GAS BRAKE PACK AND ELECTRONIC COMPONENT OR OPTICAL COMPONENT WITH THE GAS BORE FILM
TWI660841B (zh) 2012-03-29 2019-06-01 琳得科股份有限公司 阻氣性層積體、其製造方法、電子裝置用元件以及電子裝置
JP6045265B2 (ja) * 2012-09-18 2016-12-14 リンテック株式会社 イオン注入装置
WO2020138206A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 リンテック株式会社 ガスバリア性積層体

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4557946A (en) * 1983-06-03 1985-12-10 Edward Sacher Moisture impermeability or organosilicone films
US4842941A (en) 1987-04-06 1989-06-27 General Electric Company Method for forming abrasion-resistant polycarbonate articles, and articles of manufacture produced thereby
US5143747A (en) 1991-02-12 1992-09-01 Hughes Aircraft Company Die improved tooling for metal working
JPH05185568A (ja) 1992-01-14 1993-07-27 Diafoil Co Ltd 液晶表示パネル用フィルム
DE69305794T2 (de) 1992-07-10 1997-06-12 Asahi Glass Co Ltd Transparenter, leitfähiger Film und Target und Material zur Gasphasenabscheidung für seine Herstellung
JPH0664105A (ja) 1992-08-12 1994-03-08 Mitsui Toatsu Chem Inc ガスバリヤー性透明導電性積層体
JP3453805B2 (ja) 1992-09-11 2003-10-06 旭硝子株式会社 透明導電膜
JPH0845452A (ja) 1994-08-01 1996-02-16 Takamisawa Denki Seisakusho:Kk イオンバランス測定装置およびその測定方法
JP3515255B2 (ja) 1994-12-20 2004-04-05 株式会社東芝 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法および表示装置
US5907382A (en) 1994-12-20 1999-05-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent conductive substrate and display apparatus
JP3484550B2 (ja) 1994-12-22 2004-01-06 大日本印刷株式会社 レトルト包装用フィルム
JPH0910687A (ja) 1995-03-31 1997-01-14 Tonen Corp ＳｉＯ２系セラミックス被覆フィルムの製造方法
JP3489269B2 (ja) 1995-04-28 2004-01-19 東洋製罐株式会社 ガス遮断性透明包装材およびその製造方法
JP3562065B2 (ja) 1995-10-30 2004-09-08 日新電機株式会社 高ガスバリア性高分子物品及びその製造方法
JP4144042B2 (ja) 1997-03-06 2008-09-03 東洋製罐株式会社 ガス遮断性プラスチック包材とその製造方法
JP4019334B2 (ja) 1997-03-07 2007-12-12 東レ株式会社 ガスバリア用ポリエステルフイルム
JP3951348B2 (ja) 1997-03-14 2007-08-01 東洋製罐株式会社 ガス遮断性及びフレキシビリティーに優れた積層体
JP3484094B2 (ja) 1999-02-26 2004-01-06 グンゼ株式会社 シリカ被覆プラスティックフィルム及びその製造方法
JP4205241B2 (ja) 1999-03-04 2009-01-07 住友化学株式会社 積層体
JP4270632B2 (ja) 1999-03-12 2009-06-03 株式会社東芝 ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法
US20060017162A1 (en) 1999-03-12 2006-01-26 Shoji Seta Semiconductor device and manufacturing method of the same
US6849923B2 (en) 1999-03-12 2005-02-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2000338901A (ja) 1999-06-01 2000-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd フレキシブルディスプレイ基板の製造方法
JP2001119051A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池モジュ−ル用裏面保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル
JP2001207259A (ja) 2000-01-25 2001-07-31 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 表面改質方法及び表面改質装置
US6416817B1 (en) 2000-03-03 2002-07-09 Dow Corning Sa Barrier coatings having bis-silanes
JP2002018246A (ja) 2000-07-07 2002-01-22 Sony Corp バリア膜
JP5291275B2 (ja) 2000-07-27 2013-09-18 有限会社コンタミネーション・コントロール・サービス コーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法
US6665033B2 (en) 2000-11-30 2003-12-16 International Business Machines Corporation Method for forming alignment layer by ion beam surface modification
GB0113751D0 (en) 2001-06-06 2001-07-25 Dow Corning Surface treatment
JP4669631B2 (ja) 2001-06-18 2011-04-13 矢崎総業株式会社 印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法
JP2003154596A (ja) 2001-11-22 2003-05-27 Nitto Denko Corp 透明ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた透明導電性電極基材、表示素子、太陽電池又は面状発光体
US20030228475A1 (en) 2002-04-18 2003-12-11 Minoru Komada Barrier film and laminated material, container for wrapping and image display medium using the same, and manufacturing method for barrier film
JP2003347570A (ja) 2002-05-27 2003-12-05 Mitsubishi Plastics Ind Ltd 太陽電池用裏面保護シート
US7015640B2 (en) 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US7449246B2 (en) 2004-06-30 2008-11-11 General Electric Company Barrier coatings
JP4185341B2 (ja) 2002-09-25 2008-11-26 パイオニア株式会社 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2004322489A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Pioneer Electronic Corp ガスバリア基材およびその製造方法
JP2004352966A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Dengiken:Kk 電気・電子絶縁シート
JP2005088431A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Printing Co Ltd バリア性フィルム
US7635525B2 (en) 2003-09-30 2009-12-22 Fujifilm Corporation Gas barrier laminate film and method for producing the same
JP2005104025A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリア性積層フィルム、及びそれを用いた画像表示素子
JP2005119160A (ja) 2003-10-17 2005-05-12 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルム及びその製造方法
JP2005119155A (ja) 2003-10-17 2005-05-12 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリアフィルム及びその製造方法
CA2543666A1 (en) 2003-10-31 2005-05-12 Ventracor Limited Plasma immersion ion implantation using conductive mesh
JP4531380B2 (ja) 2003-12-15 2010-08-25 大日本印刷株式会社 ガスバリア性シート
JP4852822B2 (ja) 2004-02-17 2012-01-11 大日本印刷株式会社 バリア性フィルムおよびそれを使用した積層材
JP4494824B2 (ja) 2004-02-24 2010-06-30 株式会社クラレ 表示装置用フィルムの製造方法
JP2006052376A (ja) * 2004-02-27 2006-02-23 Lintec Corp 高分子成形体の製造方法、高分子成形体およびその製造装置
CN104746050B (zh) 2004-03-09 2017-05-03 埃克阿泰克有限责任公司 用于非平面基材的等离子体涂覆体系
KR101173713B1 (ko) 2004-04-28 2012-08-13 니폰 제온 가부시키가이샤 적층체, 발광 소자 및 그의 사용
US20050287307A1 (en) 2004-06-23 2005-12-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Etch and deposition control for plasma implantation
US20090110892A1 (en) 2004-06-30 2009-04-30 General Electric Company System and method for making a graded barrier coating
JP2006035737A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Teijin Ltd ディスプレイ用に適したガスバリア性高分子積層フィルム
JP2006070238A (ja) 2004-08-05 2006-03-16 Lintec Corp 高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム
JP2006123306A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
JP2006123307A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層体
EP1833925A4 (en) 2004-12-13 2009-05-27 Univ South Australia CRACK-RESISTANT PLASTIC ARTICLE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
AU2006216352A1 (en) 2005-02-22 2006-08-31 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. Vapor deposited film by plasma CVD method
JP4624152B2 (ja) 2005-03-24 2011-02-02 富士フイルム株式会社 プラスチックフィルム、ガスバリアフィルム、およびそれを用いた画像表示素子
JP2007022075A (ja) 2005-06-14 2007-02-01 Asahi Kasei Corp 層構造体及びその製造方法
JP2007042616A (ja) 2005-06-29 2007-02-15 Asahi Kasei Corp 発光素子及び表示デバイス並びにそれらの製造方法
JP2007065644A (ja) 2005-08-03 2007-03-15 Asahi Kasei Corp ディスプレイ用基板及びディスプレイ並びにそれらの製造方法
JP4099724B2 (ja) 2005-08-09 2008-06-11 博夫 井上 ブレスレット
KR20080053469A (ko) 2005-09-30 2008-06-13 도레이 가부시끼가이샤 태양 전지 모듈용 밀봉 필름 및 태양 전지 모듈
CN101313392B (zh) 2005-10-05 2011-03-16 陶氏康宁公司 涂布的基底及其制备方法
JP2007237588A (ja) 2006-03-09 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム及びその製造方法
JP2007283726A (ja) 2006-04-20 2007-11-01 Bridgestone Corp 成形体及びその製造方法
JP2008015500A (ja) 2006-06-09 2008-01-24 Fujifilm Corp 偏光板用保護フィルム
JP4725735B2 (ja) 2006-08-25 2011-07-13 Ｊｓｒ株式会社 ガスバリア用シリカ膜積層フィルムの製造方法
JP4830733B2 (ja) 2006-09-07 2011-12-07 凸版印刷株式会社 ガスバリアフィルムおよびその製造方法
JP2008096617A (ja) 2006-10-11 2008-04-24 Canon Inc 画像形成装置
JP2008174792A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Plasma Ion Assist Co Ltd フッ素系合成樹脂の親水化改質方法及びその物品
US20100003483A1 (en) 2007-02-05 2010-01-07 Kazuhiro Fukuda Transparent gas barrier film
WO2008096617A1 (ja) 2007-02-06 2008-08-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 透明ガスバリア性フィルム及び透明ガスバリア性フィルムの製造方法
JP2008204683A (ja) 2007-02-19 2008-09-04 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性フィルム
JP2008235165A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Konica Minolta Holdings Inc 透明導電膜を有するロール状樹脂フィルムの製造方法
JP4917942B2 (ja) * 2007-03-30 2012-04-18 リンテック株式会社 高平滑ガスバリアフィルムおよびその製造方法
JP4978297B2 (ja) 2007-04-25 2012-07-18 凸版印刷株式会社 透明導電性ガスバリアフィルム
JP2009110897A (ja) 2007-11-01 2009-05-21 Toray Ind Inc 透明導電性フィルム
JP4969479B2 (ja) 2008-02-20 2012-07-04 尾池工業株式会社 透明導電膜付基板の製造方法
US8956731B2 (en) 2008-02-27 2015-02-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier sheet
JP2009252574A (ja) 2008-04-08 2009-10-29 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置
JP5551885B2 (ja) 2008-05-01 2014-07-16 日揮触媒化成株式会社 低誘電率シリカ系被膜の形成方法及び該方法から得られる低誘電率シリカ系被膜
WO2010002182A2 (en) 2008-06-30 2010-01-07 Kolon Industries, Inc. Plastic substrate and device including the same
JP4944993B2 (ja) 2008-08-19 2012-06-06 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス部材および電子デバイス
WO2010024378A1 (ja) 2008-08-29 2010-03-04 独立行政法人産業技術総合研究所 酸化ケイ素薄膜または酸窒化ケイ素化合物薄膜の製造方法およびこの方法で得られる薄膜
US20110274933A1 (en) 2008-12-12 2011-11-10 Lintec Corporation Laminate, method for producing same, electronic device member, and electronic device
EP2410005B1 (en) 2009-03-17 2017-02-08 LINTEC Corporation Molded article, process for producing the molded article, member for electronic device, and electronic device
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