KR101489552B1 - 성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스 - Google Patents

성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스 Download PDF

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Abstract

폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입함으로써 획득된 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 성형체, 이 성형체의 제조 공법, 이 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 구비한 전자 디바이스가 개시되어 있다. 이 성형체는 우수한 가스 배리어성, 투명성, 굴곡 내성, 밀착성, 및 표면 평활성을 가진다.

Description

성형체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스{MOLDED OBJECT, PROCESS FOR PRODUCING SAME, MEMBER FOR ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은, 성형체, 그 제조 방법, 이 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.
플라스틱 필름과 같은 고분자 성형체는 저가이며 우수한 가공성을 발현한다. 그리하여, 이러한 고분자 성형체는 원하는 기능이 제공되어, 다양한 분야에서 이용되고 있다.
최근, 디스플레이들 (예컨대, 액정 디스플레이 및 전계발광 (EL) 디스플레이) 에 대해, 박형화, 경량화, 유연성 증가 등을 실현하기 위해서, 전극을 갖는 기판으로서 유리판 대신에 투명 플라스틱 필름을 사용하는 것이 제안되고 있다.
그러나, 이러한 플라스틱 필름은 유리판에 비해 수증기, 산소 등이 투과하기 쉽기 때문에, 디스플레이 내부에 제공된 엘리먼트들이 열화될 수도 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 특허문헌 1에는, 폴리에스테르 수지 필름 상에 가스 배리어 무기 화합물 박막이 적층된 가스 배리어 필름이 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1에 개시된 적층 필름의 가스 배리어성은 만족스럽지 않았다. 또한, 특허문헌 1에 개시된 적층 필름은 불충분한 표면 평활성으로 인해 가스 배리어 층 (무기 화합물 박막) 상에 형성된 층에 핀홀이 형성되기 쉬워, 핀홀이 형성된 영역에 가스 배리어성이 상당히 감소되는 문제를 가진다. 게다가, 이 필름은, 증착법, 전자빔법, 스퍼터링법 등에 의해, 폴리에스테르 수지로 형성된 기재 (base) 필름 상에 무기 화합물로 형성된 가스 배리어 층을 적층함으로써 형성되기 때문에, 적층 필름을 말거나 또는 폴딩할 경우에 가스 배리어 층에서의 크랙의 발생으로 인해 가스 배리어성이 열화될 수도 있다.
굽힘성 (bendability) 을 향상시키기 위해 무기 필름들 및 유기 필름들을 교대로 적층하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 이 방법은 복잡한 공정, 밀착성의 저하, 재료 비용의 상승 등을 초래한다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 평10-305542호
본 발명은 상기 상황을 감안하여 이루어졌다. 본 발명의 목적은, 우수한 가스 배리어성, 우수한 투명성, 우수한 굽힘성, 우수한 밀착성, 및 우수한 표면 평활성을 발현하는 성형체, 그 제조 방법, 이 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재, 및 이 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자들은, 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 포함하는 성형물 (formed body) 의 상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 이온들을 주입함으로써 획득된 성형체가, 우수한 가스 배리어성, 우수한 투명성, 우수한 굽힘성, 우수한 밀착성, 및 우수한 표면 평활성을 발현하는 것을 발견하였다. 이러한 발견이 본 발명의 완성에 이르렀다.
본 발명의 제 1 양태는 하기 성형체 ((i) 내지 (iv) 참조) 를 제공한다.
(i) 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입함으로써 획득된 층을 포함하는 성형체.
(ii) 상기 (i) 에 따른 성형체에 있어서, 폴리카르보실란 화합물은 식 (1) 에 의해 나타낸 반복 단위를 구비하고,
[화학식 1]
Figure 112011092117545-pct00001
여기서 R1 및 R2 는 개별적으로 수소 원자, 하이드록실기, 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 또는 1가의 헤테로시클릭기를 나타내고, 단, R1 및 R2 는 각각 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, R3 은 알킬렌기, 아릴렌기, 또는 2가의 헤테로시클릭기를 나타낸다.
(iii) 상기 (i) 또는 (ii) 에 따른 성형체에 있어서, 층은, 플라즈마 이온 주입법에 의해 상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입함으로써 획득된다.
(iv) 상기 (i) 내지 (iii) 중 어느 하나에 따른 성형체에 있어서, 성형체는, 온도 40℃ 및 상대 습도 90% 에서의 수증기 투과율이 0.3 g/m2/day 미만이다.
본 발명의 제 2 양태는 하기 성형체의 제조 방법 ((v) 및 (vi) 참조) 을 제공한다.
(v) 상기 (i) 에 따른 성형체의 제조 방법으로서, 상기 방법은, 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 성형물의 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 이온들을 주입하는 단계를 포함한다.
(vi) 상기 (v) 에 따른 성형체의 제조 방법에 있어서, 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 장척의 (long) 성형물을 소정 방향으로 반송하면서, 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제 3 양태는 하기 전자 디바이스용 부재 ((vii) 참조) 를 제공한다.
(vii) 상기 (i) 내지 (iv) 중 어느 하나에 기재된 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재.
본 발명의 제 4 양태는 하기 전자 디바이스 ((viii) 참조) 를 제공한다.
(viii) 상기 (vii) 에 따른 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스.
본 발명의 제 1 양태에 따른 성형체는, 우수한 가스 배리어성, 우수한 굽힘성, 우수한 표면 평활성, 양호한 투명성, 및 높은 밀착성을 발현한다. 따라서, 이 성형체는, 플렉시블 디스플레이들을 위한 전자 디바이스용 부재 (예컨대, 태양 전지 백시트), 태양 전지들 등으로서 적절하게 사용될 수도 있다.
본 발명의 제 2 양태에 따른 성형체의 제조 방법은, 우수한 가스 배리어성, 우수한 투명성 등을 발현하는 본 발명의 제 1 양태에 따른 성형체를 안전하고 용이하게 제조할 수 있다. 게다가, 무기 필름을 성막하는 경우에 비해 대면적화가 저 비용으로 용이하게 달성될 수 있다.
본 발명의 제 3 양태에 따른 전자 디바이스용 부재가 우수한 가스 배리어성, 우수한 투명성 등을 발현하기 때문에, 전자 디바이스용 부재는 디스플레이들 및 태양 전지들과 같은 전자 디바이스들에 대해 적절히 사용될 수도 있다.
도 1 은 본 발명에 사용된 플라즈마 이온 주입 장치의 개략 구성을 나타낸 도면이다.
도 2 는 본 발명에 사용된 플라즈마 이온 주입 장치의 개략 구성을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태들에 따른 성형체, 성형체의 제조 방법, 전자 디바이스용 부재, 및 전자 디바이스를 상세하게 기재한다.
1) 성형체
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입함으로써 획득된 층 (이후, "이온 주입층" 이라고 함) 을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어 "폴리카르보실란 화합물" 은 분자의 주사슬에 -Si-C- 결합을 포함하는 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물을 지칭한다. 하기 식 (1) 에 의해 나타낸 반복 단위를 포함하는 화합물이 폴리카르보실란 화합물로서 바람직하다.
[화학식 2]
Figure 112011092117545-pct00002
여기서 R1 및 R2 는 개별적으로 수소 원자, 하이드록실기, 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 또는 1가의 헤테로시클릭기를 나타내고, 단, R1 및 R2 는 각각 동일하거나 또는 상이할 수도 있다.
R1 및 R2 에 의해 나타낸 알킬기의 예들은, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, 및 n-데실기와 같은 1~10개의 탄소 원자를 갖는 사슬형 알킬기들, 및 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 및 시클로옥틸기와 같은 3~10개의 탄소 원자를 갖는 고리형 알킬기들을 포함한다.
아릴기의 예들은, 페닐기,
Figure 112011092117545-pct00003
-나프틸기, 및 β-나프틸기와 같은 6~20개의 탄소 원자를 갖는 아릴기들을 포함한다.
아르알킬기의 예들은, 벤질기, 페네틸기, 3-페닐프로필기, 4-페닐부틸기, 5-페닐펜틸기, 6-페닐헥실기,
Figure 112011092117545-pct00004
-나프틸메틸기, 및 β-나프틸메틸기와 같은 7~20개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬기들을 포함한다.
알케닐기의 예들은, 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 1-헥세닐기, 2-헥세닐기, 3-헥세닐기, 4-헥세닐기, 및 5-헥세닐기와 같은 2~10개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기들을 포함한다.
1가의 헤테로시클릭기의 헤테로시클릭 고리는, 헤테로시클릭 고리가 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로 원자 (예컨대, 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자) 를 포함하는 3~10멤버의 시클릭 화합물로부터 유도된다면, 특별히 제한되지 않는다.
1가의 헤테로시클릭기의 구체예들은, 2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-피리딜기, 2-티에닐기, 3-티에닐기, 2-푸릴기, 3-푸릴기, 3-피라졸릴기, 4-피라졸릴기, 2-이미다졸릴기, 4-이미다졸릴기, 1,2,4-트리아진-3-일기, 1,2,4-트리아진-5-일기, 2-피리미딜기, 4-피리미딜기, 5-피리미딜기, 3-피리다질기, 4-피리다질기, 2-피라질기, 2-(1,3,5-트리아질) 기, 3-(1,2,4-트리아질) 기, 6-(1,2,4-트리아질) 기, 2-티아졸릴기, 5-티아졸릴기, 3-이소티아졸릴기, 5-이소티아졸릴기, 2-(1,3,4-티아디아졸릴) 기, 3-(1,2,4-티아디아졸릴) 기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 3-이소옥사졸릴기, 5-이소옥사졸릴기, 2-(1,3,4-옥사디아졸릴) 기, 3-(1,2,4-옥사디아졸릴) 기, 5-(1,2,3-옥사디아졸릴) 기 등을 포함한다.
R1 및 R2 가 아릴기, 아르알킬기, 알케닐기, 또는 1가의 헤테로시클릭기를 나타낼 경우에, 이들 기들은 임의의 위치에, 알킬기 (예컨대, 메틸기 또는 에틸기), 페닐기, 4-메틸페닐기, 아릴기, 알콕시기 (예컨대, 메톡시기 또는 에톡시기), 아릴옥시기 (예컨대, 페녹시기), 할로겐 원자 (예컨대, 불소 원자 또는 염소 원자), 니트로기, 또는 시아노기와 같은 치환기를 포함할 수도 있다.
R3 은 알킬렌기, 아릴렌기, 또는 2가의 헤테로시클릭기를 나타낸다.
R3 에 의해 나타낸 알킬렌기의 예들은, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 및 옥타메틸렌기와 같은 1~10개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기들을 포함한다.
아릴렌기의 예들은, 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-나프틸렌기 및 2,5-나프틸렌기와 같은 6~20개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌기들을 포함한다.
2가의 헤테로시클릭기는, 2가의 헤테로시클릭기가 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로 원자 (예컨대, 산소 원자, 질소 원자, 또는 황 원자) 를 포함하는 3~10멤버의 시클릭 화합물로부터 유도된 2가의 기라면, 특별히 제한되지 않는다.
2가의 헤테로시클릭기의 구체예들은, 2,5-티오펜디일기와 같은 티오펜디일기; 2,5-푸란디일기와 같은 푸란디일기; 2,5-셀레노펜디일기와 같은 셀레노펜디일기; 2,5-피롤레디일기와 같은 피롤레디일기; 2,5-피리딘디일기 및 2,6-피리딘디일기와 같은 피리딘디일기; 2,5-티에노[3,2-b]티오펜디일기 및 2,5-티에노[2,3-b]티오펜디일기와 같은 티오펜디일기; 2,6-퀴놀린디일기와 같은 퀴놀린디일기; 1,4-이소퀴놀린디일기 및 1,5-이소퀴놀린디일기와 같은 이소퀴놀린디일기; 5,8-퀴녹살린디일기와 같은 퀴녹살린디일기; 4,7-벤조[1,2,5]티아디아졸디일기와 같은 벤조[1,2,5]티아디아졸디일기; 4,7-벤조티아졸디일기와 같은 벤조티아졸디일기; 2,7-카르바졸디일기 및 3,6-카르바졸디일기와 같은 카르바졸디일기; 3,7-페녹사진디일기와 같은 페녹사진디일기; 3,7-페노티아진디일기와 같은 페노티아진디일기; 2,7-디벤조실롤디일기와 같은 디벤조실롤디일기; 2,6-벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜디일기, 2,6-벤조[1,2-b:5,4-b']디티오펜디일기, 2,6-벤조[2,1-b:3,4-b']디티오펜디일기, 2,6-벤조[1,2-b:3,4-b']디티오펜디일기와 같은 벤조디티오펜디일기 등을 포함한다.
R3 에 의해 나타낸 알킬렌기, 아릴렌기, 또는 2가의 헤테로시클릭기는, 임의의 위치에 치환기 (예컨대, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 할로겐 원자, 니트로기, 또는 시아노기) 를 포함할 수도 있다. 치환기의 구체예들은 R1 및 R2 에 의해 나타낸 아릴기 등과 관련하여 상기 서술된 치환기들을 포함한다.
폴리카르보실란 화합물은, 식 (1) 에 있어서의 R1 및 R2 가 개별적으로 수소 원자, 알킬기, 또는 아릴기를 나타내고 R3 이 알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타내는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 폴리카르보실란 화합물은, 식 (1) 에 있어서의 R1 및 R2 가 개별적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고 R3 이 알킬렌기를 나타내는 반복 단위를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 폴리카르보실란 화합물은, 식 (1) 에 있어서의 R1 및 R2 가 개별적으로 수소 원자 또는 1~4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타내고 R3 이 1~6개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기를 나타내는 반복 단위를 포함하는 것이 특히 바람직하다.
식 (1) 에 의해 나타낸 반복 단위를 포함하는 폴리카르보실란 화합물의 중량 평균 분자량은 통상 400~12,000 이다.
폴리카르보실란 화합물은 임의의 방법에 의해 제조될 수도 있다. 예를 들면, 폴리카르보실란 화합물은, 폴리실란의 열 분해 및 중합에 의해 폴리카르보실란 화합물을 제조하는 방법 (일본 공개특허공보 소51-126300), 폴리(디메틸실란)의 열적 재배열 (thermal rearrangement) 에 의해 폴리카르보실란 화합물을 제조하는 방법 (Journal of Materials Science, 2569-2576, Vol. 13, 1978), 클로로메틸트리클로로실란의 그리냐르 반응 (Grignard reaction) 에 의해 폴리카르보실란 화합물을 제조하는 방법 (Organometallics, 1336-1344, Vol. 10, 1991), 디실라시클로부탄의 개환 중합에 의해 폴리카르보실란 화합물을 제조하는 방법 (Journal of Organometallic Chemistry, 1-10, Vol. 521, 1996), 염기성 촉매의 존재하에서, 디메틸카르보실란 구조 단위 및 SiH 기 함유 실란 구조 단위를 포함하는 원료 고분자와 물 및/또는 알콜을 반응시킴으로써 폴리카르보실란 화합물을 제조하는 방법 (일본 공개특허공보 2006-117917), 개시제로서 유기 주족 금속 화합물 (예컨대, n-부틸리튬) 을 사용하여, 말단에 유기금속 기 (예컨대, 트리메틸주석) 를 포함하는 카르보실란을 중합함으로써 폴리카르보실란 화합물을 제조하는 방법 (일본 공개특허공보 2001-328991) 등으로 제조될 수도 있다.
폴리카르보실란 화합물 함유 층은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는다면, 폴리카르보실란 화합물 이외에 추가적인 성분을 포함할 수도 있다. 추가적인 성분의 예들은, 경화제, 다른 고분자, 노화 방지제, 광 안정제, 난연제 등을 포함한다.
폴리카르보실란 화합물 함유 층에서의 폴리카르보실란 화합물의 함유량은, 우수한 가스 배리어성을 발현하는 이온 주입층을 획득하는 관점에서, 50 wt% 이상이 바람직하고, 70 wt% 이상이 보다 바람직하다.
폴리카르보실란 화합물 함유 층은 임의의 방법에 의해 형성될 수도 있다. 예를 들면, 폴리카르보실란 화합물 함유 층은, 적어도 하나의 폴리카르보실란 화합물, 선택적 성분, 및 용매를 포함하는 용액을 적절한 기재에 도포하고, 얻어진 필름을 적당히 건조시킴으로써 형성될 수도 있다.
스핀 코터, 나이프 코터, 그라비어 코터 등이 코터로서 사용될 수도 있다.
얻어진 성형체의 가스 배리어성을 향상시키기 위해 필름을 건조시킬 때에 필름을 가열하는 것이 바람직하다. 이 경우, 필름을 80~150℃에서 수십 초~수십 분 동안 가열한다.
폴리카르보실란 화합물 함유 층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 통상 20~1000 nm 이고, 30~500 nm 가 바람직하고, 및 40 ~ 200 nm 가 보다 바람직하다.
본 발명에 따르면, 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 두께가 나노미터 정도이더라도 충분한 가스 배리어성을 발현하는 성형체가 획득될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체에 포함된 이온 주입층은, 이온 주입층이 적어도 하나의 폴리카르보실란 화합물을 포함하며 이온이 주입된 층이라면 특별히 제한되지 않는다.
이온 주입층은 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입함으로써 획득된다.
주입량 (dose) 은, 얻어진 성형체의 용도 (사용목적) (예컨대, 용도에 따라 요구되는 가스 배리어성 및 투명성) 등에 따라 적절히 결정될 수도 있다.
폴리카르보실란 화합물 함유 층에 주입된 이온들의 예들은, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 또는 크세논과 같은 희가스의 이온들; 플루오로카본, 수소, 질소, 산소, 이산화탄소, 염소, 불소, 황 등의 이온들; 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 펜탄, 또는 헥산과 같은 알칸 가스의 이온들; 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 또는 펜텐과 같은 알켄 가스의 이온들; 펜타디엔 또는 부타디엔과 같은 알카디엔 가스의 이온들; 아세틸렌 또는 메틸아세틸렌과 같은 알킨 가스의 이온들; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 인덴, 나프탈렌, 또는 페난트렌과 같은 방향족 탄화수소 가스의 이온들; 시클로프로판 또는 시클로헥산과 같은 시클로알칸 가스의 이온들; 시클로펜텐 또는 시클로헥센과 같은 시클로알켄 가스의 이온들; 금, 은, 구리, 백금, 니켈, 팔라듐, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 니오브, 탄탈, 텅스텐, 또는 알루미늄과 같은 도전성 금속의 이온들; 실란 (SiH4) 또는 유기규소 화합물의 이온들 등을 포함한다.
유기규소 화합물의 예들은, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 및 테트라-t-부톡시실란과 같은 테트라알콕시실란들; 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 및 (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시실란과 같은 치환 또는 무치환의 알킬알콕시실란들; 디페닐디메톡시실란 및 페닐트리에톡시실란과 같은 아릴알콕시실란들; 헥사메틸디실록산 (HMDSO) 과 같은 디실록산들; 비스(디메틸아미노)디메틸실란, 비스(디메틸아미노)메틸비닐실란, 비스(에틸아미노)디메틸실란, 디에틸아미노트리메틸실란, 디메틸아미노디메틸실란, 테트라키스디메틸아미노실란, 및 트리스(디메틸아미노)실란과 같은 아미노실란들; 헥사메틸디실라잔, 헥사메틸시클로트리실라잔, 헵타메틸디실라잔, 노나메틸트리실라잔, 옥타메틸시클로테트라실라잔, 및 테트라메틸디실라잔과 같은 실라잔들; 테트라이소시아네이토실란과 같은 이소시아네이토실란들; 트리에톡시플루오로실란과 같은 할로겐실란들; 디알릴디메틸실란 및 알릴트리메틸실란과 같은 알케닐실란들; 디-t-부틸실란, 1,3-디실라부탄, 비스(트리메틸실릴)메탄, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, 트리스(트리메틸실릴)메탄, 트리스(트리메틸실릴)실란, 및 벤질트리메틸실란과 같은 치환 또는 무치환의 알킬실란들; 비스(트리메틸실릴)아세틸렌, 트리메틸실릴아세틸렌, 및 1-(트리메틸실릴)-1-프로핀과 같은 실릴알킨들; 1,4-비스트리메틸실릴-1,3-부타디인 및 시클로펜타디에닐트리메틸실란과 같은 실릴알켄들; 페닐디메틸실란 및 페닐트리메틸실란과 같은 아릴알킬실란들; 프로파르길트리메틸실란과 같은 알키닐알킬실란들; 비닐트리메틸실란과 같은 알케닐알킬실란들; 헥사메틸디실란과 같은 디실란들; 옥타메틸시클로테트라실록산, 테트라메틸시클로테트라실록산, 및 헥사메틸시클로테트라실록산과 같은 실록산들; N,O-비스(트리메틸실릴)아세트아미드; 비스(트리메틸실릴)카르보디이미드 등을 포함한다.
이들 이온들은 개별적으로 또는 조합하여 사용될 수도 있다.
이들 중에서도, 주입의 용이성 그리고 우수한 가스 배리어성 및 우수한 투명성을 발현하는 이온 주입층을 형성하는 능력으로 인해, 수소, 질소, 산소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논, 및 크립톤의 이온들로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 이온이 바람직하다.
이온 주입법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 형성한 후에, 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입하는 것을 포함하는 방법이 사용될 수도 있다.
이온들은, 전계에 의해 가속된 이온들 (이온빔들) 을 공급하는 것, 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 주입하는 것 (플라즈마 이온 주입법) 등에 의해 주입될 수도 있다. 가스 배리어성을 발현하는 성형체가 용이하게 획득될 수 있기 때문에 플라즈마 이온 주입법을 사용하는 것이 바람직하다.
플라즈마 이온 주입은, 플라즈마 발생 가스 (예컨대, 희가스) 를 함유하는 분위기에서 플라즈마를 발생시키고, 그리고 예컨대, 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 음의 고전압 펄스를 인가함으로써 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에, 플라즈마 중의 이온들 (양이온들) 을 주입하여 구현될 수도 있다.
이온 주입층의 두께는 주입 조건들 (예컨대, 이온의 종류, 인가 전압, 및 주입 시간) 에 따라 제어될 수도 있고, 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 두께, 성형체의 용도 (목적) 등에 따라 결정될 수도 있다. 이온 주입층의 두께는 통상 10~1000 nm 이다.
이온 주입층이 형성되었는지 여부는, X선 광전자 분광법 (XPS) 에 의해 표면으로부터 약 10 nm 의 깊이를 갖는 영역에서 원소 분석을 수행함으로써 결정될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체의 형상은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 성형체는 필름, 시트, 직육면체, 다각 기둥, 통모양 등의 형상일 수도 있다. (후술하는) 전자 디바이스용 부재로서 성형체를 사용할 경우에, 성형체는 필름 또는 시트의 형상이 바람직하다. 필름의 두께는, 전자 디바이스의 원하는 용도에 따라 적절히 결정될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는, 이온 주입층만을 포함할 수도 있고, 또는 이온 주입층 이외에 추가적인 층을 또한 포함할 수도 있다. 추가적인 층은 단일층일 수도 있고, 또는 복수의 동일 또는 상이한 층들을 포함할 수도 있다. 추가적인 층의 예들은, 폴리카르보실란 화합물 이외의 재료로 형성되어 있는 기재, 무기 박막층, 도전체층, 충격 흡수층, 프라이머층 등을 포함한다.
기재의 재료는 성형체의 용도에 방해되지 않는다면 특별히 제한되지 않는다. 기재의 재료의 예들은, 폴리이미드들, 폴리아미드들, 폴리아미드이미드들, 폴리페닐렌 에테르들, 폴리에테르 케톤들, 폴리에테르 에테르 케톤들, 폴리올레핀들, 폴리에스테르들, 폴리카르보네이트들, 폴리술폰들, 폴리에테르 술폰들, 폴리페닐렌 황화물들, 폴리알릴레이트들, 아크릴 수지들, 시클로올레핀 고분자들, 방향족 고분자들 등을 포함한다.
이들 중에서도, 범용성의 관점에서 폴리에스테르들, 폴리아미드들, 또는 시클로올레핀 고분자들이 바람직하다. 폴리에스테르들을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
폴리에스테르들의 예들은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리알릴레이트 등을 포함한다.
폴리아미드들의 예들은 전방향족 폴리아미드들, 나일론 6, 나일론 66, 나일론 코폴리머들 등을 포함한다.
시클로올레핀 고분자들의 예들은, 노르보르넨 고분자들, 모노시클릭 올레핀 고분자들, 시클릭 공액 디엔 고분자들, 비닐 지환식 탄화수소 고분자들, 및 그 수소화물들을 포함한다. 시클로올레핀 고분자들의 구체예들은, APEL (Mitsui Chemicals Inc. 제조의 에틸렌-시클로올레핀 코폴리머), ARTON (JSR Corporation 제조의 노르보르넨 고분자), ZEONOR (Zeon Corporation 제조의 노르보르넨 고분자) 등을 포함한다.
기재의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 통상 5~1000 ㎛ 이고, 10~300 ㎛ 가 바람직하다.
무기 박막층은 하나 이상의 무기 화합물들을 포함한다. 무기 화합물들의 예들은, 진공 하에서 성막될 수 있고 가스 배리어성을 발현하는 무기 화합물들, 예컨대, 무기 산화물들, 무기 질화물들, 무기 탄화물들, 무기 황화물들, 및 그 복합체들 (예컨대, 무기 산화질화물, 무기 산화탄화물, 무기 탄화질화물, 및 무기 산화탄화질화물) 을 포함한다.
무기 박막층의 두께는 통상 10~1000 nm 이고, 20~500 nm 가 바람직하고, 20~100 nm 가 보다 바람직하다.
도전체 층에 사용된 재료의 예들은, 금속, 합금, 금속 산화물, 전기 도전성 화합물, 그 혼합물 등을 포함한다. 도전체 층에 사용된 재료의 구체예들은, 안티몬-도핑된 주석 산화물 (ATO), 불소-도핑된 주석 산화물 (FTO), 주석 산화물, 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물 (ITO), 및 인듐 아연 산화물 (IZO) 과 같은 반도전성 금속 산화물들; 금, 은, 크롬, 및 니켈과 같은 금속들; 금속과 도전성 금속 산화물의 혼합물; 구리 요오드화물 및 구리 황화물과 같은 무기 도전성 물질들; 폴리아닐린, 폴리티오펜, 및 폴리피롤과 같은 유기 도전성 재료들 등을 포함한다.
도전체 층은 임의의 방법에 의해 형성될 수도 있다. 예를 들면, 도전체 층은 증착, 스퍼터링, 이온 도금, 열적 CVD, 플라즈마 CVD 등에 의해 형성될 수도 있다.
도전체 층의 두께는 용도 등에 따라 적절히 선택될 수도 있다. 도전체 층의 두께는 통상 10 nm ~ 50 ㎛ 이고, 20 nm ~ 20 ㎛ 가 바람직하다.
충격 흡수층에 사용된 재료는 특별히 제한되지 않는다. 충격 흡수층에 사용된 재료의 예들은 아크릴 수지들, 우레탄 수지들, 실리콘 수지들, 올레핀 수지들, 고무 재료들 등을 포함한다.
점착제, 코팅제, 봉지제 등으로서 시판되는 제품이 또한 충격 흡수층의 재료로서 사용될 수도 있다. 점착제 (예컨대, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 또는 고무계 점착제) 를 사용하는 것이 바람직하다.
충격 흡수층은 임의의 방법에 의해 형성될 수도 있다. 예를 들면, 충격 흡수층은, 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 형성하는 경우와 동일한 방식으로, 충격 흡수층의 재료 (예컨대, 점착제) 및 선택적 성분 (예컨대, 용매) 을 포함하는 용액을, 충격 흡수층이 형성되어야 할 층에 도포하고, 얻어진 필름을 건조시키고, 그리고 건조된 필름을 선택적으로 가열함으로써 형성될 수도 있다.
대안적으로, 충격 흡수층이 박리 기재 상에 형성되고, 충격 흡수층이 형성되어야 할 층에 전사될 수도 있다.
충격 흡수층의 두께는 통상 1~100㎛ 이고, 5~50㎛ 가 바람직하다.
프라이머층은 기재와 폴리카르보실란 화합물 함유 층 사이의 층간 밀착성을 증진시킨다. 프라이머층을 제공함으로써 우수한 층간 밀착성 및 표면 평활성을 발현하는 성형체가 획득될 수 있다.
지금까지 공지된 프라이머층을 형성하기 위한 임의의 방법이 이용될 수도 있다. 프라이머층을 형성하기 위해 사용될 수도 있는 재료의 예들은, 규소 함유 화합물들; 광중합성 모노머 및/또는 광중합성 프리폴리머로 형성된 광중합성 화합물, 및 적어도 가시광으로 인해 라디칼들을 발생시키는 개시제를 포함하는 광중합성 조성물; 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지 (특히 이소시아네이트 화합물과, 폴리아크릴 폴리올, 폴리에스테르 폴리올, 폴리에테르 폴리올 등을 포함하는 2성분 경화형 수지), 아크릴 수지, 폴리카르보네이트 수지, 비닐 염화물/비닐 아세테이트 코폴리머, 폴리비닐 부티랄 수지, 및 니트로셀룰로오스 수지와 같은 수지들; 알킬 티타네이트들; 에틸렌이민 등을 포함한다. 이들 재료들은 개별적으로 또는 조합하여 사용될 수도 있다.
프라이머층은, 프라이머층을 형성하기 위해 사용되는 재료를 적절한 용매에 용해 또는 분산시켜 프라이머층 형성 용액을 조제하고, 프라이머층 형성 용액을 기재의 일면 또는 양면에 도포하고, 얻어진 필름을 건조시키고, 건조된 필름을 선택적으로 가열함으로써 형성될 수도 있다.
프라이머층 형성 용액은 습식 코팅법에 의해 기재에 도포될 수도 있다. 습식 코팅법의 예들은, 딥핑, 롤 코팅, 그라비어 코팅, 나이프 코팅, 에어 나이프 코팅, 롤 나이프 코팅, 다이 코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 그라비어 오프셋법 등을 포함한다.
프라이머층 형성 용액을 사용하여 형성된 필름은 열풍 건조, 열 롤 건조, 적외선 조사 등에 의해 건조될 수도 있다. 프라이머층의 두께는 통상 10~1000 nm 이다.
이온 주입층을 형성하는 경우와 동일한 방식으로 프라이머층에 이온들이 주입될 수도 있다 (이후에 서술됨). 프라이머층에 이온들을 주입함으로써 보다 우수한 가스 배리어성을 발현하는 성형체가 획득될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체가, 추가적인 층을 포함하는 적층체인 경우에, 이온 주입층은 임의의 위치에 위치될 수도 있다. 이온 주입층들의 수는 하나 이상일 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는 우수한 가스 배리어성을 발현하고, 성형체가 필름 형상 또는 시트 형상 (이후 "필름 형상"이라 함) 인 경우에 폴딩할 때 (굽힐 때) 가스 배리어성을 유지하고 우수한 굽힘성을 발현하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는, 성형물에 이온들이 주입되지 않은 경우에 비해 성형체가 충분히 낮은 가스 (예컨대, 수증기) 투과율을 가지기 때문에 우수한 가스 배리어성을 발현함을 확인할 수 있다. 예를 들어, 온도 40℃ 및 상대습도 90%에서 성형체의 수증기 투과율은, 0.30 g/㎡/day 이하가 바람직하고, 0.25 g/㎡/day 이하가 보다 바람직하다.
성형체의 가스 (예컨대, 수증기) 투과율은, 공지된 가스 투과율 측정 장치를 사용하여 측정될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는, 성형체가 높은 가시광 투과율을 가지기 때문에 우수한 투명성을 발현함을 확인할 수 있다. 성형체의 파장 550 nm 에서의 가시광 투과율은 78 % 이상이 바람직하다. 성형체의 가시광 투과율은 공지된 가시광 투과율 측정 장치를 사용하여 측정될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체가 우수한 굽힘성을 발현하고 그리고 성형체를 폴딩할 경우에도 가스 배리어성을 유지하는지 여부는, 필름 형상의 성형체를 폴딩하고, 필름 형상의 성형체에 압력을 가하고, 성형체를 펼친 후에 수증기 투과율이 크게 저하되지 않았는지 여부를 결정함으로써, 결정될 수도 있다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 필름 형상의 성형체는, 동일한 두께를 갖는 무기 필름에 비해 성형체를 폴딩할 경우에도 가스 배리어성을 유리하게 유지한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체는 또한 우수한 표면 평활성을 발현한다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체가 우수한 표면 평활성을 발현하는지 여부는, 원자간력 현미경 (AFM) 을 사용하여 성형체의 표면 거침도 Ra(nm) (측정 영역: 1×1 ㎛) 을 측정함으로써 결정될 수도 있다. 성형체의 표면 거침도 Ra (측정 영역: 1×1 ㎛) 는 0.25 nm 이하인 것이 바람직하다.
2) 성형체의 제조 방법
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체의 제조 방법은, 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 성형물의 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체의 제조 방법은, 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 장척의 성형물을 소정 방향으로 반송하면서, 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
이러한 방법에 따르면, 예를 들면, 공급 롤 (feed-out roll) 로부터 공급되는 장척의 성형물을 소정 방향으로 반송하면서 장척의 성형물에 이온들을 주입하고, 그후 권취 롤 (wind-up roll) 에 감을 수 있다. 따라서, 이온 주입된 성형체를 연속적으로 제조할 수 있다.
장척의 성형물은, 폴리카르보실란 화합물 함유 층만을 포함하거나, 또는 폴리카르보실란 화합물 함유 층 이외에 추가적인 층을 포함하는 필름 형상으로 존재할 수도 있다. 추가적인 층의 예들은 폴리카르보실란 화합물 이외의 다른 재료로 형성된 기재를 포함한다. 상기 서술된 기재가 사용될 수도 있다.
성형물의 두께는 권취/권출 및 공급의 조작성의 관점에서 1~500 ㎛인 것이 바람직하고, 5~300 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
임의의 방법에 의해 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입할 수도 있다. 플라즈마 이온 주입법에 의해 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 이온 주입층을 형성하는 것이 바람직하다.
플라즈마 이온 주입법은, 플라즈마에 노출되고 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 성형물에 음의 고전압 펄스를 인가함으로써, 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 주입하는 단계를 포함한다.
플라즈마 이온 주입법으로서는, (A) 외부 전계를 이용하여 발생된 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 주입하는 방법, 또는 (B) 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 음의 고전압 펄스를 인가함으로써 생성된 전계로 인해 발생된 플라즈마 중에 존재하는 이온들을, 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 주입하는 방법을 이용하는 것이 바람직하다.
방법 (A) 를 이용할 경우에, 이온 주입 압력 (플라즈마 이온 주입 압력) 을 0.01~1 Pa로 설정하는 것이 바람직하다. 플라즈마 이온 주입 압력이 상기 범위 내에 있을 경우, 균일한 이온 주입층을 간편하고 효율적으로 형성할 수 있다. 이는, 굽힘성과 가스 배리어성을 발현하는 이온 주입층을 효율적으로 형성하는 것을 가능하게 한다.
방법 (B) 는, 감압도를 높게 할 필요가 없고, 용이한 조작을 가능하게 하고, 처리 시간을 상당히 단축시킨다. 또한, 전체 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 균일하게 처리할 수 있고, 음의 고전압 펄스를 인가할 때에 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 고에너지로 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 연속적으로 주입할 수 있다. 또한, 방법 (B) 는, 고주파 전력원 (예컨대, RF (radio frequency) 전력원 또는 마이크로파 전력원) 과 같은 특별한 수단을 필요로 하지 않고서 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 음의 고전압 펄스를 단순히 인가함으로써 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 우수한 이온 주입층을 균일하게 형성할 수 있다는 이점을 가진다.
방법 (A) 또는 (B) 를 이용할 경우에, 음의 고전압 펄스를 인가할 때 (즉, 이온 주입 동안) 의 펄스 폭은 1~15 μs 인 것이 바람직하다. 펄스폭이 상기 범위 내에 있다면, 균일한 이온 주입층을 보다 간편하고 효율적으로 형성할 수 있다.
플라즈마를 발생시킬 때에 인가 전압은, 바람직하게는 -1 ~ -50 kV, 보다 바람직하게는 -1 ~ -30 kV, 특히 바람직하게는 -5 ~ -20 kV이다. 인가 전압이 -1 kV 보다 높은 경우, 주입량이 불충분해질 수도 있고, 그리하여 원하는 성능이 얻어지지 않을 수도 있다. 인가 전압이 -50 kV 보다 낮은 경우, 이온 주입 동안 성형체가 대전될 수도 있고, 또는 성형체가 착색될 수도 있다.
플라즈마 주입될 이온종들의 예들은 상기 서술된 주입 타겟 이온들을 포함한다.
폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 플라즈마 중에 존재하는 이온을 주입할 때에, 플라즈마 이온 주입 장치가 사용된다.
플라즈마 이온 주입 장치의 구체예들은, (α) 폴리카르보실란 화합물 함유 층 (이하, "이온 주입 타겟층"이라고 지칭될 수도 있음) 으로 하여금, 이온 주입 타겟층에 음의 고전압 펄스를 인가하는 피드쓰루 (feed-through) 에 고주파 전력을 중첩함으로써 플라즈마로 균일하게 둘러싸이게 하여, 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 유인, 주입, 충돌, 및 퇴적시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001-26887), (β) 챔버 안에 안테나를 포함하고, 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 이온 주입 타겟층 주위의 영역에 플라즈마가 도달한 후에 이온 주입 타겟층에 양 및 음의 펄스를 교대로 인가하여, 양의 펄스로 인해 플라즈마 중에 존재하는 전자를 유인 및 충돌시켜 이온 주입 타겟층을 가열하고 펄스 인자를 제어하여 온도를 제어하면서 음의 펄스를 인가함으로써 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 유인 및 주입하는 장치 (일본 공개특허공보 2001-156013), (γ) 마이크로파 전력원과 같은 고주파 전력원을 활용하는 외부 전계를 이용하여 플라즈마를 발생시키고 고전압 펄스를 인가함으로써 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 유인 및 주입하는 플라즈마 이온 주입 장치, (δ) 외부 전계를 이용하지 않고서 고전압 펄스를 인가함으로써 생성된 전계로 인해 발생된 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 주입하는 플라즈마 이온 주입 장치 등을 포함한다.
플라즈마 이온 주입 장치 (γ) 또는 (δ) 는 간편한 조작을 가능하게 하고, 처리 시간을 상당히 단축시키고, 연속적으로 사용될 수 있기 때문에, 플라즈마 이온 주입 장치 (γ) 또는 (δ) 를 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 플라즈마 이온 주입 장치 (γ) 또는 (δ) 를 사용하는 방법에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
도 1 은, 플라즈마 이온 주입 장치 (γ) 를 구비하는 연속적 플라즈마 이온 주입 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1(a)에 있어서, 참조부호 1a는 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 장척의 필름 형상의 성형물 (이하, "필름"이라고 함), 참조부호 11a는 챔버, 참조부호 20a는 오일 확산 펌프, 참조부호 3a는 이온 주입 전에 필름 (1a) 이 감겨져 있는 공급 롤, 참조부호 5a는 이온 주입된 필름 (성형체) (1b) 이 감겨져 있는 권취 롤, 참조부호 2a는 고전압 인가 회전 캔, 참조부호 6a는 구동 롤 (driving roll), 참조부호 10a는 가스 인렛, 참조부호 7a는 고전압 펄스 전력원, 참조부호 4는 플라즈마 방전 전극 (외부 전계) 을 나타낸다. 도 1(b)는, 고전압 인가 회전 캔 (2a) 을 나타낸 사시도이고, 여기서 참조부호 15는 고전압 인가 단자 (피드쓰루) 를 나타낸다.
폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 장척의 필름 (1a) 은, 기재 (추가적인 층) 상에 폴리카르보실란 화합물 함유 층이 형성된 필름이다.
도 1에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치에 있어서, 필름 (1a) 은, 챔버 (11a) 내부에서 공급 롤 (3a) 로부터 화살표 방향 X로 반송되고, 고전압 인가 회전 캔 (2a) 를 통과하고, 권취 롤 (5a) 에 감긴다. 필름 (1a) 은 임의의 방법으로 감길 수도 있고 반송될 수도 있다. 일 실시형태에 있어서, 필름 (1a) 은 일정 속도로 고전압 인가 회전 캔 (2a) 을 회전시킴으로써 반송된다. 고전압 인가 회전 캔 (2a) 은, 모터를 사용하여 고전압 인가 단자 (15) 의 중심 축 (13) 을 회전시킴으로써 회전된다.
고전압 인가 단자 (15), 필름 (1a) 과 접촉하는 구동 롤 (6a) 등은 절연체로 형성된다. 예를 들어, 고전압 인가 단자 (15), 구동 롤 (6a) 등은 알루미나의 표면을 수지 (예컨대, 폴리테트라플루오로에틸렌) 로 코팅함으로써 형성된다. 고전압 인가 회전 캔 (2a) 은 도체 (예컨대, 스테인리스스틸) 로 형성된다.
필름 (1a) 의 반송 속도는 적절히 설정될 수도 있다. 필름 (1a) 이 공급 롤 (3a) 로부터 반송되어 권취 롤 (5a) 에 감길 때에 원하는 주입층이 형성되도록 필름 (1a) 의 표면 (폴리카르보실란 화합물 함유 층) 에 이온들이 주입되는 한, 필름 (1a) 의 반송 속도는 특별히 제한되지 않는다. 필름 감음 속도 (반송 속도) 는 인가 전압, 장치의 크기 등에 따라 결정되지만, 통상 0.1~3 m/min, 바람직하게는 0.2~2.5 m/min이다.
챔버 (11a) 내부의 압력은, 회전 펌프에 접속된 오일 확산 펌프 (20a) 를 사용하여 챔버 (11a) 로부터 공기를 배출함으로써 감소된다. 감압도는 통상 1×10-2 Pa 이하, 바람직하게는 1×10-3 Pa 이하이다.
그후, 이온 주입 가스 (예컨대, 질소) 가 가스 인렛 (10a) 을 통해 챔버 (11a) 에 도입되어, 챔버 (11a) 는 감압하에서 이온 주입 가스의 분위기로 설정된다. 이온 주입 가스는 또한 플라즈마 발생 가스로서도 기능함에 유념한다.
이어서, 플라즈마 방전 전극 (4) (외부 전계) 을 이용하여 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마는, 고주파 전력원 (예컨대, RF 전력원 또는 마이크로파 전력원) 을 이용하여 공지된 방법에 의해 발생될 수도 있다.
고전압 인가 단자 (15) 를 통해 고전압 인가 회전 캔 (2a) 에 접속된 고전압 펄스 전력원 (7a) 으로부터 음의 고전압 펄스 (9a) 가 인가된다. 고전압 인가 회전 캔 (2a) 에 음의 고전압 펄스가 인가되면, 플라즈마 중에 존재하는 이온들이 유인되고, 고전압 인가 회전 캔 (2a) 주위의 필름의 표면에 주입되어 (도 1(a) 의 화살표 Y), 필름 형상의 성형체 (1b) 가 획득된다.
이온 주입 동안의 압력 (즉, 챔버 (11a) 내부의 플라즈마 가스의 압력) 은 0.01~1 Pa인 것이 바람직하다. 이온 주입 동안의 펄스폭은, 1~15μs인 것이 바람직하다. 고전압 인가 회전 캔 (2a) 에 음의 고전압을 인가할 때의 인가 전압은 -1 ~ -50 kV 인 것이 바람직하다.
이하, 도 2에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치를 사용하여 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 필름의 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 이온들을 주입하는 방법을 설명한다.
도 2에 나타낸 장치는, (δ)에 기재된 플라즈마 이온 주입 장치를 구비한다. 이 플라즈마 이온 주입 장치는, 외부 전계 (즉, 도 1에 나타낸 플라즈마 방전 전극 (4)) 를 이용하지 않고서 고전압 펄스로 인한 전계만을 인가함으로써 플라즈마를 발생시킨다.
도 2에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치에 있어서, 필름 (1c) (필름 형상의 성형물) 은, 고전압 인가 회전 캔 (2b) 을 회전시킴으로써 도 2 에 나타낸 화살표 방향 X 로 반송되고, 권취 롤 (5b) 에 감긴다.
도 2에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치는, 후술하는 바와 같이 필름의 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 이온들을 주입한다.
도 1에 나타낸 플라즈마 이온 주입 장치와 동일한 방식으로 챔버 (11b) 내에 필름 (1c) 이 배치된다. 챔버 (11b) 내부의 압력은 회전 펌프에 접속된 오일 확산 펌프 (20b) 를 이용하여 챔버 (11b) 로부터 공기를 배출함으로써 감소된다. 이온 주입 가스 (예컨대, 질소) 가 가스 인렛 (10b) 을 통해 챔버 (11b) 에 도입되어, 챔버 (11b) 는 감압하에서 이온 주입 가스로 채워진다.
이온 주입 동안의 압력 (즉, 챔버 (11b) 내부의 플라즈마 가스의 압력) 은 10 Pa 이하, 바람직하게는 0.01~5 Pa, 보다 바람직하게는 0.01~1 Pa이다.
도 2에 나타낸 방향 X로 필름 (1c) 을 반송하면서 고전압 인가 단자 (도시하지 않음) 를 통해 고전압 인가 회전 캔 (2b) 에 접속된 고전압 펄스 전력원 (7b) 으로부터 고전압 펄스 (9b) 가 인가된다.
고전압 인가 회전 캔 (2b) 에 음의 고전압 펄스가 인가되면, 고전압 인가 회전 캔 (2b) 주위에 배치된 필름 (1c) 을 따라 플라즈마가 발생되고, 플라즈마 중에 존재하는 이온들이 유인되어, 고전압 인가 회전 캔 (2b) 주위의 필름 (1c) 의 표면에 주입된다 (도 2의 화살표 Y). 필름 (1c) 의 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 이온들이 주입되면, 필름의 표면에 이온 주입층이 형성된다. 그리하여, 필름 형상의 성형체 (1d) 가 획득된다.
고전압 인가 회전 캔 (2b) 에 음의 고전압 펄스를 인가할 때에 채용된 인가 전압과 펄스폭, 및 이온 주입 동안 채용된 압력은, 도 1에 나타낸 연속적 플라즈마 이온 주입 장치를 사용할 때에 채용된 것과 동일하다.
도 2에 나타낸 플라즈마 이온 주입 장치에 있어서, 고전압 펄스 전력원이 또한 플라즈마 발생 수단으로서 기능하기 때문에, 고주파 전력원 (예컨대, RF 전력원 또는 마이크로파 전력원) 과 같은 특별한 수단이 필요하지 않다. 음의 고전압 펄스를 단순히 인가함으로써, 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에 플라즈마 중에 존재하는 이온들을 주입함으로써 이온 주입층이 연속적으로 형성될 수 있다. 따라서, 필름의 표면에 이온 주입층이 형성된 성형체를 양산할 수 있다.
3) 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스
본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스용 부재는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체를 포함한다. 따라서, 본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스용 부재는 우수한 가스 배리어성을 발현하므로, 가스 (예컨대, 수증기) 로 인한 엘리먼트 (부재) 의 열화가 방지될 수 있다. 전자 디바이스용 부재가 우수한 광 투과율을 발현하기 때문에, 이 전자 디바이스용 부재는 액정 디스플레이들, 전계발광 (EL) 디스플레이들 등을 위한 디스플레이 부재; 태양 전지 백시트 등으로서 적합하게 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스용 부재를 포함한다. 전자 디바이스의 구체예는, 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 무기 EL 디스플레이, 전자 페이퍼, 태양 전지 등을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스는, 본 발명의 일 실시형태에 따른 성형체를 포함하는 전자 디바이스용 부재를 포함하기 때문에, 전자 디바이스는 우수한 가스 배리어성 및 우수한 굽힘성을 발현한다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예들에 의해 더욱 설명한다. 본 발명은 하기 실시예들에 한정되지 않음에 유의한다.
실시예들에서 이용된 플라즈마 이온 주입 장치, 수증기 투과율 측정 장치, 수증기 투과율 측정 조건들, 가시광 투과율 측정 장치, 가시광 투과율 측정 조건들, 폴딩 (folding) 시험 방법, 표면 평활성 평가 방법 및 밀착성 평가 방법은 다음과 같다.
플라즈마 이온 주입 장치
RF 전력원: JEOL Ltd. 제조의 "RF56000"
고전압 펄스 전력원: Kurita Seisakusho Co., Ltd. 제조의 "PV-3-HSHV-0835"
수증기 투과율의 측정
폴딩 시험 전후에 성형체의 수증기 투과율을 측정하였다.
투과율 분석기: LYSSY 제조의 "L80-5000"
측정 조건들: 상대습도 90% 및 온도 40℃
가시광 투과율의 측정
자외 가시 근적외 분광 광도계: Shimadzu Corporation 제조의 "UV3600"
측정 조건들: 파장 550 nm
폴딩 시험
성형체를, 이온 주입면 (즉, 비교예 2 에서의 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면, 및 비교예 4 에서의 질화규소 필름의 표면) 이 외측에 위치되도록 하여 중앙에서 폴딩하였다. 성형체가 라미네이터의 2개의 롤들 사이의 공간을 라미네이팅 속도 5 m/min 및 온도 23℃ 에서 통과하여 폴딩이 달성되었다.
폴딩 시험은, 성형체의 내측에 보드지 (두께: 1 mm) 를 제공한 상태에서 수행되었다.
표면 평활성 평가 방법
원자간력 현미경(AFM) (SII Nano Technology Inc. 제조의 "SPA300HV") 을 이용하여 표면 거침도 Ra (nm) (측정 영역: 1×1 ㎛ (1 ㎛ 정사각형)) 를 측정하였다.
밀착성 평가 시험
기재와 폴리카르보실란 화합물 함유 층 사이의 밀착성을, 밀착성 셀로판 테이프를 사용하여 크로스컷 시험에 의해 평가하였다 (JIS K 5600-5-6). 밀착성은 0 (우수) 내지 5 (매우 나쁨) 의 스케일로 평가되었다.
실시예 1
(기재로서) 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 (Mitsubishi Plastics Inc. 제조의 "PET38 T-100", 두께: 38 ㎛, 이후 "PET 필름"이라고 함) 에, 톨루엔/에틸 메틸 케톤 혼합 용매 (톨루엔 : 에틸 메틸 케톤 = 7 : 3, 농도: 5 wt%) 에 식 (1) 에 있어서 R1=CH3, R2=H, 및 R3=CH2 인 반복 단위를 함유하는 폴리카르보실란 화합물 (Nippon Carbon Co., Ltd. 제조의 "NIPUSI Type S", Mw=4000) 을 용해시킴으로써 조제된 용액을 도포하고, 120℃에서 1분간 가열하여 PET 필름 상에 폴리카르보실란 화합물 함유 층 (두께: 100 nm) (이후, "폴리카르보실란 층"이라 함) 을 형성하였다. 그리하여, 성형물을 획득하였다. 그후, 도 2에 나타낸 플라즈마 이온 주입 장치를 사용하여 폴리카르보실란 층의 표면에 아르곤 (Ar) 이온들을 플라즈마 주입하여 성형체 1을 획득하였다.
하기 플라즈마 이온 조건들이 채용되었다.
가스 (아르곤) 유량: 100 sccm
듀티비: 0.5%
반복 주파수: 1000 Hz
인가 전압: -10 kV
RF 전력원: 주파수 13.56 MHz, 인가 전력 1000 W
챔버 내압: 0.2 Pa
펄스폭: 5μs
처리 시간 (이온 주입 시간): 5분
라인 (반송) 속도: 0.2 m/min
실시예 2
플라즈마 발생 가스로서 아르곤 대신에 헬륨 (He) 을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체 2 를 획득하였다.
실시예 3
플라즈마 발생 가스로서 아르곤 대신에 질소 (N2) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체 3 을 획득하였다.
실시예 4
플라즈마 발생 가스로서 아르곤 대신에 크립톤 (Kr) 을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체 4 를 획득하였다.
실시예 5
플라즈마 발생 가스로서 아르곤 대신에 산소 (O2) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체 5 를 획득하였다.
실시예 6
이온 주입 동안의 인가 전압을 -15 kV 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체 6 을 획득하였다.
실시예 7
이온 주입 동안의 인가 전압을 -20 kV 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체 7 을 획득하였다.
실시예 8
폴리카르보실란 화합물로서 실시예 1 에 사용된 폴리카르보실란 화합물의 저분자량 생성물 (Nippon Carbon Co., Ltd. 제조의 "NIPUSI Type L", Mw=800) 을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체 8 을 획득하였다.
실시예 9
폴리카르보실란 화합물로서 식 (1) 에 있어서 R1=CH3, R2=CH2CH2CH3, 및 R3=C6H4 인 반복 단위를 함유하는 폴리카르보실란 화합물 (Mw=3000) 을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체 9 를 획득하였다.
비교예 1
PET 필름을 그대로 성형체 10 으로서 사용하였다.
비교예 2
실시예 1 과 동일한 방식으로 PET 필름 상에 폴리카르보실란 층을 형성하여 성형체 11 을 획득하였다.
비교예 3
폴리카르보실란 층을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방식으로 성형체를 획득하였다. 구체적으로, PET 필름에 실시예 1 과 동일한 방식으로 이온 주입하여 성형체 12 를 획득하였다.
비교예 4
PET 필름 상에 스퍼터링에 의해 질화규소 (SiN) 필름 (두께: 50 nm) 을 형성하여 성형체 13 을 획득하였다.
비교예 5
우레탄 아크릴레이트 층 (두께: 1 ㎛) (Arakawa Chemical Industries, Ltd. 제조의 "URETHANE ACRYLATE 575BC") 을 실시예 1 과 동일한 방식으로 이온 주입하여 성형체 14 를 획득하였다.
실시예 1~9 그리고 비교예 3 및 5 에 있어서, 성형체의 표면 (깊이: 약 10 nm) 에 대해 XPS 시스템 (ULVAC-PHI, Incorporated 제조의 "Quantum 2000") 을 사용하여 원소 분석을 실시함으로써 이온들의 주입을 확인하였다.
실시예 1~9 그리고 비교예 1~5 에서 획득된 성형체 1~14 에 대해, 수증기 투과율의 측정, 가시광 투과율의 측정, 표면 거침도 (Ra) 의 측정, 및 밀착성 시험을 실시하였다. 측정 결과 및 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
성형체 1~14 에 대해 폴딩 시험을 실시하고, 폴딩 시험 후에 수증기 투과율을 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112011092117545-pct00005
표 1 에 나타낸 바와 같이, 실시예 1~9 에서 획득된 성형체 1~9 는, 비교예 1~5 에서 획득된 성형체 10~14 에 비해 낮은 수증기 투과율 (즉, 우수한 가스 배리어성) 을 가지고 있었다. 또한, 성형체 1~9 는 우수한 투명성, 표면 평활성, 및 밀착성을 발현하였다. 성형체 1~9 는 폴딩 시험 후에 수증기 투과율의 작은 증가를 나타내었다 (즉, 우수한 굽힘성을 발현하였다).
1a, 1c: 필름 형상의 성형물
1b, 1d: 필름 형상의 성형체
2a, 2b: 회전 캔
3a, 3b: 공급 롤
4: 플라즈마 방전 전극
5a, 5b: 권취 롤
6a, 6b: 구동 롤
7a, 7b: 펄스 전력원
9a, 9b: 고전압 펄스
10a, 10b: 가스 인렛
11a, 11b: 챔버
13: 중심 축
15: 고전압 인가 단자
20a, 20b: 오일 확산 펌프

Claims (8)

  1. 폴리카르보실란 화합물 함유 층에 플라즈마 이온 주입법에 의해, 질소, 산소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논 및 크립톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 이온들이 주입되어 획득되는 층과 기재를 갖는 성형체로서, 상기 폴리카르보실란 화합물이 하기식 (1)로 나타내는 반복 단위를 포함하는 화합물이고, 상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 두께가 30 ~ 500 nm이며, 상기 기재의 두께가 10 ~ 300 ㎛이고, 상기 성형체의 온도 40℃ 및 상대 습도 90% 에서의 수증기 투과율이 0.3 g/m2/day 미만인 것을 특징으로하는 성형체.
    Figure 112014080698112-pct00009

    (여기서 R1 및 R2 는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 단, R1 및 R2 는 각각 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, R3 은 알킬렌기 또는 아릴렌기를 나타낸다)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층 중의 상기 폴리카르보실란 화합물의 함유량이 70중량 % 이상인 성형체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 재료가 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌 에테르, 폴리에테르 케톤, 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리페닐렌 황화물, 폴리알릴레이트, 아크릴 수지, 시클로올레핀 고분자 및 방향족 고분자에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로하는 성형체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층이, 상기 폴리카르보실란 화합물의 1종 이상을 함유하는 층형성용 용액을 기재상에 도포하고, 얻어진 필름을 건조시켜 형성된 것인 성형체.
  5. 제 1 항에 기재된 성형체의 제조 방법으로서,
    폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 성형물 (formed body) 의 상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층의 표면에, 플라즈마 이온 주입법에 의해, 질소, 산소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논 및 크립톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 이온들을 주입하는 단계를 포함하는, 성형체의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 이온들을 주입하는 단계가, 상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층을 표면에 구비하는 장척의 (long) 성형물을 소정 방향으로 반송하면서, 상기 폴리카르보실란 화합물 함유 층에, 플라즈마 이온 주입법에 의해, 질소, 산소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논 및 크립톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 이온들을 주입하는 단계인 것을 특징으로하는 성형체의 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 성형체를 포함하는, 전자 디바이스용 부재.
  8. 제 7 항에 기재된 전자 디바이스용 부재를 포함하는, 전자 디바이스.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102159395B (zh) * 2008-08-19 2014-09-10 琳得科株式会社 成型制品、其制备方法、电子设备构件以及电子设备
JP5379530B2 (ja) 2009-03-26 2013-12-25 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
JP5704610B2 (ja) 2009-05-22 2015-04-22 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
WO2011102198A1 (ja) * 2010-02-19 2011-08-25 リンテック株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス
JP5697230B2 (ja) 2010-03-31 2015-04-08 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5750441B2 (ja) 2010-08-20 2015-07-22 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
TWI535561B (zh) 2010-09-21 2016-06-01 琳得科股份有限公司 A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device
TWI457235B (zh) 2010-09-21 2014-10-21 Lintec Corp A gas barrier film, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device
WO2012133102A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 積水化学工業株式会社 重合性モノマーの凝縮装置
JP5781350B2 (ja) 2011-03-30 2015-09-24 リンテック株式会社 ガスバリア積層体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0664105A (ja) * 1992-08-12 1994-03-08 Mitsui Toatsu Chem Inc ガスバリヤー性透明導電性積層体
KR100191797B1 (ko) 1996-02-16 1999-06-15 사또 아끼오 적층체 및 그 제조방법
JP2000260870A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Toshiba Corp ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51126300A (en) 1975-04-26 1976-11-04 Res Inst Iron Steel Tohoku Univ Method for manufacturing an organoo silicon polymer having silicon and carbon atoms as main skeleton component
JPS5584370A (en) * 1978-12-22 1980-06-25 Tokushu Muki Zairyo Kenkyusho Coating composition
JPH01108271A (ja) * 1987-10-20 1989-04-25 Ube Ind Ltd 水蒸気拡散防止防食膜
JP3418458B2 (ja) * 1993-08-31 2003-06-23 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3515255B2 (ja) * 1994-12-20 2004-04-05 株式会社東芝 透明導電性基板、透明導電性基板の製造方法および表示装置
JP3484550B2 (ja) * 1994-12-22 2004-01-06 大日本印刷株式会社 レトルト包装用フィルム
JP4019334B2 (ja) 1997-03-07 2007-12-12 東レ株式会社 ガスバリア用ポリエステルフイルム
JP3555928B2 (ja) 1999-07-12 2004-08-18 独立行政法人産業技術総合研究所 表面改質方法及び表面改質装置
JP3517749B2 (ja) 1999-11-26 2004-04-12 独立行政法人産業技術総合研究所 表面改質装置
JP4635356B2 (ja) 2000-03-14 2011-02-23 チッソ株式会社 カルボシラン及びポリカルボシラン
US6489030B1 (en) * 2000-04-14 2002-12-03 Honeywell International, Inc. Low dielectric constant films used as copper diffusion barrier
JP2002018246A (ja) * 2000-07-07 2002-01-22 Sony Corp バリア膜
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
JP2006070238A (ja) * 2004-08-05 2006-03-16 Lintec Corp 高分子フィルムの連続的表面改質方法、連続的表面改質装置および表面部にイオン注入層が形成された高分子フィルム
JP4900557B2 (ja) 2004-09-22 2012-03-21 Ｊｓｒ株式会社 ポリカルボシラン
JP4725735B2 (ja) * 2006-08-25 2011-07-13 Ｊｓｒ株式会社 ガスバリア用シリカ膜積層フィルムの製造方法
CN102159395B (zh) * 2008-08-19 2014-09-10 琳得科株式会社 成型制品、其制备方法、电子设备构件以及电子设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0664105A (ja) * 1992-08-12 1994-03-08 Mitsui Toatsu Chem Inc ガスバリヤー性透明導電性積層体
KR100191797B1 (ko) 1996-02-16 1999-06-15 사또 아끼오 적층체 및 그 제조방법
JP2000260870A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Toshiba Corp ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法

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