KR20110074899A - 화학 기상 증착을 위한 장치 및 방법 - Google Patents

화학 기상 증착을 위한 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110074899A
KR20110074899A KR1020117010163A KR20117010163A KR20110074899A KR 20110074899 A KR20110074899 A KR 20110074899A KR 1020117010163 A KR1020117010163 A KR 1020117010163A KR 20117010163 A KR20117010163 A KR 20117010163A KR 20110074899 A KR20110074899 A KR 20110074899A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
energy
substrate
axis
rotation
gaseous reactants
Prior art date
Application number
KR1020117010163A
Other languages
English (en)
Inventor
에릭 에이. 아모르
윌리암 이. 퀸
조슈아 맨검
Original Assignee
비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드
Publication of KR20110074899A publication Critical patent/KR20110074899A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

화합물 반도체를 기판(20)상에 증착하는 방법을 제공한다. 본 방법은 기체 반응물(30, 34)을 기판(20)을 포함하는 반응 챔버(10)에 제공하는 단계와, 기체 반응물(30, 34) 중의 하나의 반응물에 에너지(31a, 31b)를 선택적으로 공급하는데, 해당 반응물에 대해서 이 반응물을 활성화하기에 충분한 에너지를 부여하고 해당 반응물을 분해하기에 충분하지 않는 에너지를 공급하는 단계와, 다른 반응물과의 반응을 위해, 기판(20)의 표면에서 반응물을 분해하는 단계를 포함한다. 바람직한 에너지 공급원(31a, 31b)은 마이크로파 방사 또는 적외선 방사이며, 이러한 방법을 실행하기 위한 반응기(10)를 제공한다.

Description

화학 기상 증착을 위한 장치 및 방법{METHOD AND APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}
본 발명은 화학 기상 증착 방법 및 장치에 관한 것이다.
관련 출원
본 출원은 2008년 10월 3일에 출원된 미국 가 특허출원 제61/195,093호의 우선일의 이익을 주장하며, 그 개시 내용을 인용하는 것에 의해 본 명세서의 일부로 한다.
화학 기상 증착은 하나 이상의 기체를 함유하는 화학종(chemical species)을 기판의 표면에 제공하여, 반응종(reactive species)이 반응하고 표면상에 증착물(deposit)을 형성되는 과정을 포함한다. 예를 들어, 화합물 반도체는 반도체 재료를 기판(substrate)상에서 에피택셜 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 기판은 전형적으로는, 통상 "웨이퍼"라고 부르는 원반(disc) 형태의 결정질 재료(crystalline material)이다. III-V족 반도체와 같은 화합물 반도체는 일반적으로 금속 유기 화학 기상 증착 기술("MOCVD": metal organic chemical vapor deposition)을 사용하여 웨이퍼 상에 화합물 반도체의 층을 성장시킴으로써 형성된다. 이러한 공정에서, 화학종은 III족 금속인 갈륨, 인듐 및 알루미늄의 알킬과 같은 하나 이상의 금속 유기 화합물과, 그리고 NH3, AsH3, PH3 및 안티몬 수화물과 같이, 하나 이상의 V족 원소의 하나 이상의 수소화물(hydride)과 같은 소스를 포함한 기체의 조합에 의해 제공된다. 이들 기체는 사파이어 웨이퍼(sapphire wafer)와 같은 웨이퍼의 표면에서 서로 반응하여, 일반식 InXGaYAlZNAAsBPCSbD의 III-V족 화합물을 형성하는데, X+Y+Z는 대략 1이며, A+B+C+D는 대략 1이고, X, Y, Z, A, B, C 및 D는 각각 0과 1 사이가 될 수 있다. 일부 경우에, 다른 III족 금속 중의 일부 또는 모두를 대신해서, 비스무트(bismuth)를 사용해도 된다.
이 공정에서, 웨이퍼는 반응 챔버 내의 상승 온도에서 유지된다. 반응성 기체는, 전형적으로 불활성 캐리어 기체(inert carrier gas)와의 혼합물에서, 반응 챔버 안으로 향한다. 전형적으로, 기체는, 반응 챔버에 도입되면, 비교적 낮은 온도, 예를 들어 대략 50℃ 이하가 된다. 기체가 뜨거운 웨이퍼에 도달함에 따라, 기체의 온도 및 이에 따른 기체의 반응에 사용하기 위한 에너지가 증가한다.
본 설명에서 사용되는, "가용 에너지"라는 표현은, 화학적 반응에서 사용되는 반응종의 화학적 포텐셜(chemical potential)을 의미한다. 화학적 포텐셜이란, 계(입자, 분자, 진동 또는 전자 상태, 반응 평형 등)의 에너지를 설명하기 위해 열역학, 물리학, 및 화학 분야에서 일반적으로 사용되는 용어이다. 그러나, 화학적 포텐셜이라는 용어를 대신할 수 있는 더 구체적인 대안은 지브 없는(jibb free) 에너지(열역학) 및 페르미 준위(고체 상태 물리학) 등을 포함한 학술적 규칙에 사용될 수 있다. 달리 특정한 바가 없으면, 가용 에너지의 의미는 특정 재료의 화학적 포텐셜을 의미하는 것으로 이해하여야 한다.
미국 특허 공개번호 제2007/0256635호에 의하면, CVD 반응기(reactor) 내에서 암모니아 소스가 자외선(UV) 광에 의해 활성화되는 CVD 반응기를 개시하고 있다. 상기 문헌에 개시된 하류 반응기(downflow reactor)에서, UV 소스는 반응기에 주입됨에 따라 암모니아를 활성화한다. 이에 의하면, 진공 반응기 내의 낮은 온도 반응이 달성될 수 있다는 것을 나타낸다.
미국 특허 공개번호 제2006/0156983호 및 이러한 다른 설명에 나타낸 바와 같이, 다양한 타입의 플라즈마 반응기에서는, 반응성 기체의 적어도 일부를 이온화하여 하나 이상의 반응종을 생성하기 위해 높은 주파수 파워가 내부의 전극에 인가될 수 있는 것이 알려져 있다.
또한, 화학 기상 증착 프로세스를 지원하기 위해 레이저(laser)를 사용할 수 있다는 것이 알려져 있다. 예를 들어, Lee 등에 의한 J.Mater. Chem, 1993년, 3(4), 347쪽-351쪽의 "Single-phase Deposition of a α-Gallium Nitride by a Laser-induced Transport Process"에서는, 레이저 방사가 기판 표면에 대해 평행하게 이루어짐으로써, 다양한 기체 분자가 여기될 수 있다. 이들 기체로는 암모니아 등의 화합물이 포함될 수 있다. Tansley 등에 의한, Thin Solid Films의 163(1988년), 255쪽-259쪽의 "Argon Fluoride Laser Activated Deposition of Nitride Films"에서는, 기판 표면에 근접해 있는 적당한 증기 발생원(vapor source)으로부터 이온을 분리시키기 위해 높은 에너지의 광자(photon)를 사용하고 있다. 마찬가지로, Bhutyan 등에 의한, phys. stat.sol. (a)194, No.2, 501쪽-505쪽(2002년)의, "Laser-Assisted Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy(LMOVPE) of Indium Nitride(InN)"에서는, MOVPE-성장 InN 막의 전기적 특성을 향상시키기 위하여 최적의 성장 온도에서 암모니아 분해가 개선된다고 하고 있다. 이를 위하여, 트리메틸인듐 등과 같은 유기 전구체(organic precursor)뿐만 아니라 암모니아의 광해리(photodissociation)를 위해, ArF 레이저를 사용하고 있다.
따라서, 암모니아와 같은 반응물이 더 큰 비율로 더 효과적으로 사용될 수 있는 CVD 반응 프로세스를 향상시키고, 현재 사용되고 있는 것과 동일한 반응기 조건에서 개선된 막을 생성하기 위한 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 이러한 목적과 다른 목적은 이하의 단계를 포함하여, 기판(substrate)상에 화합물 반도체(compound semiconductor)를 증착하는 방법에 의해 구현된다. 본 방법은 (a) 기판을 반응 챔버(reaction chamber) 내에 유지하는 단계; (b) 기판의 표면을 향해 다운스트림(downstream) 방향으로 기체 주입구(gas inlet)로부터 반응 챔버의 내부로 다수의 기체 반응물(gaseous reactant)을 제공하는 단계로서, 다수의 기체 반응물은 기판의 표면에서 서로 반응해서 기판상에 증착물(deposit)을 형성하도록 된, 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계; (c) 기체 주입구의 다운스트림과 기판의 업스트림에서 다수의 기체 반응물 중의 하나의 반응물에 에너지를 선택적으로 공급하여, 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물을 활성화하기에는 충분하지만 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물을 분해하기에는 충분하지 않은 에너지를 부여하는 단계; 및 (d) 다수의 기체 반응물을 기판의 표면에서 분해하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 선택적으로 공급되는 에너지는 마이크로파 에너지와 적외선 에너지로 이루어진 그룹에서 선택된다.
본 발명의 방법의 일실시예에 의한 방법에 의하면, 선택적으로 공급되는 에너지는 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물의 공진 주파수(resonant frequency)에서 공급된다.
본 발명의 방법의 다른 실시예에 의하면, 본 방법은 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물을 기판의 미리 정해진 영역에 제공하고, 이와 동시에 기판의 미리 정해진 영역에만 에너지를 선택적으로 공급하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 방법의 다른 실시예에 의하면, 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계는, 다수의 기체 반응물이 기판의 표면과 주입구 사이의 흐름 영역(flow region)의 적어도 일부분에서 서로 실질적으로 분리되어 있도록, 반응물을 기판을 향해 제공하는 단계를 포함하며, 기판을 반응 챔버 내에 유지하는 단계는 기판을 움직임이 가능한 상태로 유지하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 기판을 움직임이 가능한 상태로 유지하는 단계는, 다수의 기체 반응물이 반응 챔버 내의 회전 축에 평행한 기판의 표면에 작용하도록, 기판을 회전 축을 중심으로 회전시키는 단계를 포함한다. 바람직한 실시예에서, 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계는 반응물을 반응 챔버의 별개의 구역(zone)에 제공하는 단계를 포함하며, 에너지를 선택적으로 공급하는 단계는 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물이 공급되는 구역에만 에너지가 공급되도록 하고, 다수의 기체 반응물 중의 다른 반응물이 공급되는 구역에는 에너지가 공급되지 않도록, 에너지를 선택적으로 공급하는 단계를 포함한다.
본 발명의 방법의 일실시예에 의하면, 선택적으로 공급되는 에너지는, 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물에, 회전 축에 대하여 0°부터 90°사이의 각도로 인가된다. 예를 들어, 상기 각도는 회전 축에 대하여 대략 0°이다. 다른 예에서, 상기 각도는 회전 축에 대하여 대략 90°이다. 다른 예에서, 상기 각도는 회전 축에 대하여 0°부터 90°사이의 범위가 될 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판(substrate)상에 화합물 반도체(compound semiconductor)를 증착하는 방법에 있어서, (a) 기판을 반응 챔버(reaction chamber) 내에 유지하는 단계; (b) 기판의 표면을 향해 다운스트림(downstream) 방향으로 기체 주입구(gas inlet)로부터 반응 챔버의 내부로 V족 수소화물 및 III족 금속의 유기 화합물을 포함하는 다수의 기체 반응물(gaseous reactant)을 제공하는 단계; (c) 주입구의 다운스트림과 기판의 업스트림에서 V족 수소화물에 에너지를 선택적으로 공급하여, V족 수소화물을 활성화하기에는 충분하지만 V족 수소화물을 분해하기에는 충분하지 않은 에너지를 부여하는 단계; 및 (d) 다수의 기체 반응물을 기판의 표면에서 분해하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다. 바람직한 실시예에서, 선택적으로 공급되는 에너지는 마이크로파 에너지와 적외선 에너지로 이루어진 그룹에서 선택된다.
본 발명의 방법의 일실시예에 의하면, 선택적으로 공급되는 에너지는 V족 수소화물의 공진 주파수(resonant frequency)에서 공급된다. 바람직하게는, V족 수소화물은 암모니아를 포함한다. 바람직한 실시예에서, 본 방법은 V족 수소화물을 기판의 미리 정해진 영역에 제공하고, 이와 동시에 기판의 미리 정해진 영역에만 에너지를 선택적으로 공급하는 단계를 포함한다. 바람직한 실시예에서, III족 금속은 갈륨, 인듐, 또는 알루미늄이다. 바람직하게는, 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계는, 다수의 기체 반응물이 기판의 표면과 주입구 사이의 흐름 영역(flow region)의 적어도 일부분에서 서로 실질적으로 분리되어 있도록, 반응물을 기판을 향해 제공하는 단계를 포함하며, 기판을 반응 챔버 내에 유지하는 단계는 기판을 움직임이 가능한 상태로 유지하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 기판을 움직임이 가능한 상태로 유지하는 단계는, 다수의 기체 반응물이 반응 챔버 내의 회전 축을 가로지르는 기판의 표면에 작용하도록, 기판을 회전 축을 중심으로 회전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 방법의 일실시예에 의하면 선택적으로 인가되는 에너지는, V족 수소화물에, 회전 축에 대하여 0°부터 90°사이의 각도로 인가된다. 일실시예에서, 상기 각도는 회전 축에 대하여 대략 0°이다. 다른 실시예에서, 상기 각도는 회전 축에 대하여 대략 90°이다. 다른 실시예에서, 상기 각도는 회전 축에 대하여 0°내지 90°사이의 각도가 될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계는 반응물을 반응 챔버의 별개의 구역(zone)에 제공하는 단계를 포함하며, 에너지를 선택적으로 공급하는 단계는 V족 수소화물이 공급되는 구역에만 에너지가 공급되도록 하고, III족 금속 유기 화합물이 공급되는 구역에는 에너지가 공급되지 않도록, 에너지를 선택적으로 공급하는 단계를 포함한다. 바람직한 실시예에서, III족 금속 유기 화합물은 인듐(indium)을 포함한다.
본 발명에 의하면, (a) 반응 챔버; (b) 반응 챔버 내에 설치되어, 업스트림 방향 및 다운스트림 방향으로 연장하는 회전 축을 중심으로 회전하는 기판 캐리어로서, 하나 이상의 기판을 유지하여 기판의 표면이 실질적으로 업스트림 방향을 향하도록 하는 기판 캐리어; (c) 기판 캐리어의 업스트림에 배치되고, 회전 축을 가로지르는 방향으로 여러 위치에 배치된 다수의 방출 구역(discharge zone)을 가지며, 다수의 방출 구역 중의 상이한 구역을 통해 상이한 기체를 방출하도록 하여 방출된 기체가 회전 축에 대하여 상대적인 여러 위치에서 실질적으로 개별의 스트림으로 캐리어 기판을 향해 실질적으로 다운스트림으로 제공되도록 하는 흐름 주입 요소(flow inlet element); 및 (d) 흐름 주입 요소와 기판 캐리어 사이에서 실질적으로 개별의 스트림 중의 선택된 스트림과 정렬된 위치에 선택적으로 에너지를 공급하여, 실질적으로 개별의 스트림 중의 선택된 스트림과 연관된 기체에 에너지를 선택적으로 공급하도록 되어 있는 선택적 에너지 입력 장치를 포함하는 화학 기상 증착 반응기(chemical vapor deposition reactor)를 제공한다. 바람직한 실시예에서, 선택적 에너지 입력 장치는 마이크로파 에너지 발생기 또는 적외선 에너지 발생기이다. 바람직하게, 선택적 에너지 입력 장치는, 에너지를, 실질적으로 개별의 스트림 중의 선택된 스트림과 연관된 기체에 의해 실질적으로 흡수되는 파장에서 공급하도록 되어 있다. 바람직하게, 에너지는 실질적으로 개별의 스트림 중의 다른 스트림에 의해서는 실질적으로 흡수되지 않도록 되어 있다.
본 발명의 반응기의 일실시예에 의하면, 선택적 에너지 입력 장치는 회전 축을 횡단하는 방향에서의 성분을 갖는 하나 이상의 빔 경로(beam path)를 따라 에너지의 빔을 제공하도록 구성된다. 바람직한 실시예에서, 하나 이상의 빔 경로는 기판 캐리어의 표면에 인접한 개별의 스트림 중의 선택된 스트림을 차단하도록 되어 있다.
본 발명의 반응기의 일실시예에 의하면, 선택적 에너지 입력 장치는 회전 축에 평행한 방향에서의 성분을 갖는 하나 이상의 빔 경로를 따라 에너지의 빔을 제공하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 선택적 에너지 입력 장치는 회전 축에 대하여 대략 0°부터 90°사이의 각도에서의 방향 성분을 갖는 하나 이상의 빔 경로를 따라 에너지의 빔을 제공하도록 구성된다. 본 발명의 장치의 또 다른 실시예에서, 선택적 에너지 입력 장치는 회전 축에 대하여 대략 90°의 각도에서의 방향 성분을 갖는 하나 이상의 빔 경로를 따라 에너지의 빔을 제공하도록 구성된다.
본 발명은 이하의 구체적인 설명과 도면을 참조하면 더 잘 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 반응기의 일부 측면 단면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 나타낸 반응기의 일부를 나타내는 저면 입면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 반응기 내의 기체 주입구의 일부를 나타내는 부분 확대 입면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 내부 반응기의 일부를 나타내는 일부 측면 사사도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 내부 반응기의 일부를 나타내는 상면 대표도이다.
본 발명은 특히 화합물 반도체(compound semiconductor)를 형성하기 위해 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 장치에 사용되는 하나 이상의 기체 반응물(gaseous reactants)에 에너지를 선택적으로 인가하는 것에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 이를 위하여 마이크로파(microwave) 방사 또는 적외선(IR) 방사를 사용한다. 마이크로파 에너지는 일반적으로 1미터의 긴 것부터 1밀리미터까지의 짧은 파장 범위 또는 이와 등가로 300메가헤르츠부터 300기가헤르츠 사이의 주파수를 갖는 전자기파를 의미하는 것으로 알려져 있다. 한편, 적외선 방사(infrared radiation)는 일반적으로 가시광선(400nm~700nm)보다 길고, 테라헤르츠 방사선(100㎛~1mm) 및 마이크로파보다 짧은 파장을 가진 전자기 방사선이라고 알려져 있다. 본 발명의 실시예에 의하면, 마이크로파 방사(microwave radiation)라는 용어는 구체적으로 테라헤르츠(terahertz) 방사선을 포함하는 것으로, 즉 마이크로파 대역의 고주파수 에지라고 하는 대략 1mm에서 100마이크로미터(㎛)(원적외광 대역의 긴 파장 에지에 해당함) 사이의 밀리미터 이하의 파장(sub-millimeter wavelength)에 대응하는 대략 300기가헤르츠 및 3테라헤르츠 사이의 영역을 포함하는 것으로 사용된다.
화합물 반도체를 형성하기 위해 일반적으로 사용되는 MOCVD 장치의 한가지 형태를, 도 1에 개략적으로 나타내고 있다. 이 MOCVD 장치는 내부에 회전가능하게 장착된 스핀들(spindle)(12)을 갖는 반응 챔버(reaction chamber)(10)를 포함한다. 스핀들(12)은 회전 구동 기구(16)에 의해 축(14)을 중심으로 회전가능하게 되어 있다. 축(14)은 업스트림 방향(upstream direction)(U)과 다운스트림 방향(D)으로 연장되어 있다. 전형적으로 원반형의 웨이퍼 캐리어(18)의 형태를 갖는 기판 캐리어(substrate carrier)는 스핀들과 함께 회전하도록 스핀들 상에 설치된다. 전형적으로, 기판 캐리어와 스핀들은 대략 100-2000의 분당 회전수로 회전한다. 기판 캐리어는 많은 원반형 웨이퍼(20)를 유지하여, 웨이퍼의 표면(22)이 축(14)에 대하여 직교하는 평면에 있도록 하며, 업스트림 방향을 향하도록 되어 있다. 히터(26), 예를 들어 저항성 가열 요소는 웨이퍼 캐리어를 가열하기 위해 반응 챔버 내에 배치된다. 흐름 주입 요소(flow inlet element)(28)는 기판 캐리어와 스핀들의 업스트림에 설치된다. 흐름 주입 요소는 본 공정에서 사용되는 기체의 공급원(30, 32, 34)에 연결되어 있다. 흐름 주입 요소는 다양한 기체의 흐름이 반응 챔버로 향하도록 한다. 본 명세서에서 "흐름 영역"(flow region)(37)이라고 하는 반응 챔버의 흐름 주입 요소(28) 부근의 영역에서는, 기체의 스트림이 기판 캐리어(18)와 웨이퍼(20)를 향해 대략 아래쪽으로 이동한다. 이러한 하방 흐름(downward flow)에 의해서는 아래쪽으로 흐르는 기체의 각각의 스트림이 실질적으로 혼합되지 않는 것이 바람직하다. 흐름 영역(37)에서의 흐름은 층류(laminar)인 것이 바람직하다. 기판 캐리어(18)가 신속하게 회전함에 따라, 기판 캐리어의 표면과 웨이퍼의 표면이 마찬가지로 신속하게 이동한다. 기판 캐리어와 웨이퍼의 고속 이동에 의해, 기체가 축(14) 주위로 회전 이동하게 되고, 축(14)으로부터 멀어지는 방향으로의 반경 흐름이 가능하게 되며, 다양한 스트림에서의 기체가 도 1에 개략적으로 나타낸 경계층(boundary layer)(36) 내에서 서로 혼합될 수 있다. 물론, 실제의 사용에서는, 흐름 영역(37)에서 화살표(38)로 나타낸 다운스트림 흐름 형태(downstream flow regime)와 고속 회전 흐름 사이의 점진적인 전이(gradual transition)가 생기며, 경계층(36)에서는 혼합이 이루어진다. 그러나, 경계층은 기체가 웨이퍼의 표면과 실질적으로 평행하게 흐르는 영역으로서 간주될 수 있다. 전형적인 동작 조건하에서, 경계층의 두께(t)는 대략 1cm 정도이다. 이에 대하여, 흐름 주입 요소(28)의 다운스트림 면(downstream face)으로부터 웨이퍼의 표면(22)까지의 거리(d)는 대략 5cm-8cm이다.
따라서, 경계층의 두께는 흐름 주입 요소(28)와 기판 캐리어(18) 사이의 거리(d)보다 훨씬 작기 때문에, 흐름 영역(37)은 흐름 주입 요소(28)와 기판 캐리어 사이의 공간의 대부분을 차지한다. 기판 캐리어의 회전 이동은 기체를 웨이퍼 캐리어의 주변 에지(peripheral edges) 주위의 바깥 방향으로 펌핑하게 되고, 이에 따라 기체는 다운스트림 방향으로 배기 시스템(exhaust system)(40)까지 이동한다. 전형적으로, 반응 챔버는 대략 25토르(Torr) 내지 1000토르, 대부분은 대략 100토르 내지 760토르의 절대 압력으로 유지된다. 또한, InGaN과 GaN LED의 생성에서와 같이, V족 금속의 알킬과 III족 수소화물의 분리와 관련해서, 반응 챔버는 500℃ 내지 1100℃ 사이의 온도로 유지된다.
흐름 주입 요소(28)는, 상대적으로 낮은 온도, 전형적으로는 대략 60℃ 이하로 유지되는데, 더 높은 온도를 채택해도 되지만, 흐름 주입 요소와 흐름 영역에서, 반응물의 분해 또는 다른 바람직하지 않은 반응을 방지하기 위해 낮은 온도를 유지한다. 또한, 반응 챔버(10)의 벽부(wall)는 대략 25℃까지 차갑게 한다. 흐름 영역(38) 중에서, 기판 캐리어(18)로부터 멀리 있는 쪽의 기체에 관해서는 이러한 기체의 임의의 반응의 레이트를 최소로 하는 것이 바람직하다. 경계층(36)에서의 기체의 체류 시간(residence time)이 짧기 때문에, 경계층(36)에서의 기체와 특히 웨이퍼의 표면 사이의 고속 반응을 촉진하는 것이 바람직하다. 종래의 시스템에서, 반응을 위한 에너지, 예를 들어 NH3과 같은 V족 수소화물의 분해를 위한 에너지는, 실질적으로 기판 캐리어 및 웨이퍼로부터의 열 전달에 의해서만 제공된다. 따라서, 기판 캐리어와 웨이퍼의 온도가 높을수록 반응기의 속도가 증가하는 경향이 있다.
그러나, 웨이퍼 캐리어와 웨이퍼의 온도를 증가시키면 증착된 화합물 반도체의 분해가 증가하는 경향이 있으며, 예를 들어 반도체로부터 질소(nitrogen)가 손실된다. 이러한 현상은 InGaN 및 InN과 같이 인듐이 많이 함유된 화합물의 경우에 특히 심각하다. 따라서, 이러한 화합물은 높은 온도에서의 성장을 더 어렵게 하는 평형상태의 높은 N2 증기 압력을 갖는다. 따라서, 질소는 N2(질소 분자)의 형태로 기체 상태로 있는 것이 바람직하고, 이 문제는 온도가 증가함에 따라 커지게 되어, 질소 공동(N-vacnacy)이 생겨, 장치의 수명이 단축되고 장치의 성능이 열화된다.
또한, 이들 장치와 관련해서, 기판 표면에서의 다양한 부품에 대한 체류 시간이 극단적으로 짧다. 체류 시간이 짧을수록, 프로세스의 효율이 악화된다. 따라서, 기판상에 N(질소)을 충분히 증착하여야 하는, 암모니아와 같은 V족 수소화물의 양이 많아지게 되고, 이에 따라 반응하지 않는 NH3의 양이 많아진다. 한편, 체류 시간이 길어지는 것도 효율적이지 않다. 따라서, 체류 시간이 길어짐에 따라, 예를 들어 V족 수소화물과 III족 금속 화합물의 알킬과 같은 반응물 간의 기체 상태에서 반응할 가능성이 생기고, 나중에 미립자를 형성하고 반응물로부터 이들 재료를 제거할 수 있는 부가물(adducts)이 형성된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 예를 들어 NH3과 같은 V족 수소화물의 선택적 활성화 및 반응물의 가용 에너지(available energy)의 증가는, 짧은 체류 시간에서의 분해 효율을 향상시켜, 예를 들어 화학량적인 GaN을 형성하고 최종 산물에서의 N 공동을 감소시키기 위한 더 많은 라디칼 N-함유 종을 제공하도록 기판의 표면에서의 분해를 향상시키기 위한 것이다. 체류 시간의 증가가 바람직하지 않은 이유는 수소화물이 예상보다 빨리 분해되어, N2와 H2가 형성됨으로써, 질소를 더 이상 기판에 사용할 수 없게 되기 때문이다. 따라서, N2 기체 및 H2 기체는 너무 안정적이어서, III족 금속 유기 화합물과 반응할 수 없다. 본 발명의 원리는, V족 수소화물 화합물이 기판을 향해 흐름에 따라 이러한 화합물이 조기에 분해되는 것을 방지하면서, 동시에 기판의 표면에서의 기체 스트림의 짧은 체류 시간 동안에 가능하면 기판의 표면에 가깝게 이러한 분해를 최대로 하는 것이다. 이것은 본 발명에 의해 달성되는데, 이들 화합물에 특유의 마이크로파 방사 또는 적외선 방사에 의해 선택적으로 활성화함으로써, 이들 화합물이 기판의 표면에 접근함에 따라, 이들의 가용 에너지가 증가하고, 이들의 분해를 위해 필요한 에너지가 감소하게 되는 것에 의해 달성된다. 따라서, 분해는 해당 위치에서의 증가된 온도에 의해 이들 표면에서 용이하게 촉발된다. 다시 말해서, 적외선 방사 또는 마이크로파 방사를 V족 수소화물 화합물과 같은 선택된 반응물에 선택적으로 적용함으로써, 이들 공급원에 의해서 상기 화합물을 분해하기 위한 에너지는 불충분하게 인가되고, 이들 화합물을 활성화하기 위한 에너지는 충분하게 인가될 수 있다. 이것은 열을 발생시키는 이들 분자의 진동에 의해 생기는 것으로 생각된다.
이러한 에너지를 적외선 또는 마이크로파 방사의 형태로 인가하는 것은, 에너지가 기판의 표면 또는 그 부근에서 활성화되어야 하는 원하는 기체 종을 선택적으로 영향을 줄 수 있는 방식으로 수행된다. 이러한 에너지의 인가 방향은 중요한 제한 사항은 아니다. 즉, 에너지는 기판의 표면에 대하여, 또는 웨이퍼 캐리어의 회전 축에 대하여 0°내지 90°의 각도로 인가될 수 있다. 따라서, 에너지는 기판이나 그 부근에서 또는 경계층의 상부에서 표면에 대하여 평행하게 인가되어도 되고, 기판의 표면에 대하여 직각의 방향으로 인가되어도 된다. 본 발명과 관련해서 적외선 또는 마이크로파 에너지를 포함하는 특정의 에너지 빔은 표면 열화가 일반적으로 문제가 되지 않을 정도로 충분히 낮은 에너지를 갖기 때문에, 에너지는 예를 들어 심각한 문제 없이 기판의 표면에 직각의 방향으로 인가될 수 있다. UV 광과 같은 다양한 다른 유형의 에너지와 관련해서, 예를 들어 기판의 표면에 직각인 방향으로 향하는 빔은 높은 에너지를 갖기 때문에 반응 프로세스에 대해 악영향을 미칠 수 있다. 본 발명과 관련해서, 기판의 표면에 평행한 방향의 빔 또는 횡단하는 빔을 사용하는 것도 가능하다.
도 1을 다시 참조하면, 마이크로파 또는 적외선 방사의 형태로 된 에너지가, 도 1에 나타낸 에너지 액티베이터(energy activator)(31a, 31b) 등의 에너지 액티베이터로부터 V족 수소화물에 인가될 수 있다. 에너지는 에너지 액티베이터(31a)로부터 웨이퍼 캐리어(18) 바로 위에서 웨이퍼 캐리어의 회전 축(U)에 평행한 방향, 즉 웨이퍼(20)의 표면에 직각인 방향으로 인가될 수 있다. 이와 달리, 이러한 에너지는 에너지 액티베이터(31b)로부터 웨이퍼 캐리어(18)의 표면에 평행한 방향으로, 그리고 웨이퍼(20)의 표면을 가로지르는 회전 축(U)에 직각인 방향으로 인가될 수 있다. 도 5를 참조하여 이하에 설명하는 다른 실시예에서, 에너지는 웨이퍼 캐리어(18)의 표면, 즉 웨이퍼(20) 장치의 표면에 대한 회전 축에 대하여 대략 0°내지 90°의 각도에서 회전 축(U)에 대하여 횡 방향으로 또는 각도를 이루며 인가되도록, 에너지 액티베이터(31a)와 에너지 액티베이터(31b) 사이의 교번 위치에 배치된 에너지 액티베이터로부터 인가될 수 있다.
모든 기체에 에너지를 인가하는 것이 아니라 하나 이상의 기체에 에너지를 선택적으로 인가하는 것은, 반응기의 여러 영역에서 기체를 개별적으로 도입함으로써 용이하게 된다. 예를 들어, 흐름 주입 요소(28)는 도 2에 나타낸 것과 같이 배치될 수 있다. 도 2는 도 1의 라인 2-2로 나타낸 방향에서, 흐름 주입 요소를 향해 위쪽에서 본 도면이다. 이러한 배치에서, 흐름 주입 요소(28)는 축(14)에 대하여 대략 반경 방향으로 연장하는 길게 형성된 방출 구역(discharge zone)(50)을 갖는다. 이들 방출 구역은 전형적으로 질소와 같은 캐리어 기체와 혼합물로서의 유기금속성 반응물을 방출하는 데에 사용된다. 예를 들어, 흐름 주입 요소는 길게 연장된 방출 구역(50) 내에서 연장하는 길게 연장된 슬롯형의 방출 개구 또는 소형의 원형 방출 개구의 열을 가질 수 있다. 흐름 주입 요소(28)는 축(14) 주위에 원형 패턴 중의 사분면의 형태로 배치된 방출 구역(52)을 가지며, 이들 구역은 도 2에 크로스 해치(cross-hatched) 영역으로 표시되어 있다. 예를 들어, 흐름 주입 요소에는 이들 각각의 구역 내에 많은 방출용 포트(discharge port)가 배치될 수 있다. 동작 중에, 하방으로 흐르는 유기금속성 기체의 스트림이 흐름 영역(37: 도 1 참조) 중의 방출 구역(50)과 정렬된 부분에 존재하고, 암모니아 등의 하방으로 흐르는 수소화물의 스트림은 흐름 영역(37) 중에서 수소화물 방출 구역(52)과 정렬된 영역에 존재한다. 에너지는 흐름 영역 중에서 방출 구역(52)과 정렬된 부분에만 에너지가 향하도록 함으로써, 수소화물에 선택적으로 인가될 수 있다. 예를 들어, 마이크로파 또는 적외선 공급원(미도시)은 도 2에 나타낸 것과 같이 방사 영역 또는 에너지 인가 구역(54) 내에서만 또는 도 2에 나타낸 것과 같은 소형의 에너지 인가 영역(56) 내에서만 마이크로파 에너지 또는 적외선 에너지가 인가되도록 배치될 수 있다. 도 2에는 2개의 방사 영역만 도시되어 있는데, 전형적인 반응기는 방출 구역(52)의 각각에 배치된 방사 영역을 포함할 것이다.
도 3에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 흐름 주입 요소(128)는 축(14)에 대하여 횡단하는 방향으로 흐름 주입 요소(128: 도 3 참조)를 따라 연장하는 길게 연장된 스트립 또는 스트라이프 형태로 된 많은 수의 방출 구역을 가질 수 있다. 흐름 주입 요소는 길게 연장된 구역(150)을 가지며, 이 길게 연장된 구역은 본 실시예에서 유기 금속을 함유하는 기체를 공급하는 데에 사용되고 있다. 흐름 주입 요소는 또한, 본 명세서에서 V족 수소화물을 공급하는 데에 사용되는 길게 연장된 방출 구역(152)을 갖는다. 이 길게 연장된 방출 구역은 서로 섞여 배치되어 있으며, 서로 평행하게 연장되어 있다. 이러한 길게 연장된 방출 구역은 적절한 기체를 방출하기 위한 길게 연장된 슬롯(slot) 또는 일련의 홀이나 다른 이산적인 구멍이 이러한 구역의 길게 연장된 쪽의 방향을 따라 배치될 수 있다. 도 3에는 몇 개의 구역만 도시하고 있지만, 흐름 주입 구역의 패턴은 흐름 주입 요소의 영역 중의 모두 또는 대부분을 포함할 수 있다.
흐름 주입 요소는 불활성 기체의 공급원에 연결된 추가의 길게 연장된 방출 구역(154)을 포함할 수 있다. 본 명세서의 설명에서 사용되는 "불활성 기체"(inert gas)라는 용어는 반응에 실질적으로 참여하지 않는 기체를 의미한다. III-V족 반도체의 증착에서, 예를 들어 N2, H2, He 또는 이들 기체의 혼합물 등과 같은 기체는 불활성 기체로서 작용할 것이다. 불활성 기체는 또한 본 명세서의 설명에서 "캐리어 기체"(carrier gas)라고도 한다. 불활성 기체 또는 캐리어 기체를 방출하는 데에 사용되는 방출 구역(514)은, 다른 기체를 방출하는 데에 사용되는 방출 구역(150, 152) 사이에 섞여 배치됨으로써, 캐리어 기체를 방출하는 데에 사용되는 방출 구역(154)이 유기 금속 기체를 방출하는 데에 사용되는 방출 구역(150)과 이에 이웃하는 방출 구역(152) 사이에 위치하게 된다. 이들 다양한 방출 구역으로부터 방출되는 기체는, 서로 혼합되지 않으면서, 대략 평행한 평면에서 흐르는 기체의 평판형의 스트림으로서, 반응기의 흐름 영역(37)을 통해 하방으로 이동한다. 이러한 흐름의 이상적인 형태를 도 4에 나타내고 있으며, 도 4는 흐름 영역(37) 내에서 수소화물(252)의 흐름 및 수소화물과 유기 금속 기체 사이에 위치하는 캐리어 기체(254)의 흐름과 평행하게 하류로 이동하는 유기 금속 기체(250)의 흐름을 나타낸다. 도 4에서, "퍼지/커튼"으로 나타낸 요소는 선택적인 캐리어 기체 방출 구역과 이들로부터 연장되는 흐름을 나타낼 수 있다. 다른 예에서, 고형의 장벽이 "콜드 플레이트"(상단 플랜지)라고 표시된 흐름 주입 요소로부터 약간 아래쪽으로 연장될 수 있다.
마이크로파 또는 적외선(IR) 에너지가 기체 흐름 중의 하나로 향하는 경우, 해당 에너지는 방사 에너지가 회전 축(14)으로부터 다양한 방사상의 거리에 배치된 이동하는 기체의 영역에 도달하는 방식으로 인가되는 것이 바람직하다. 그러나, 이처럼 인가되는 방사 에너지는 활성화시킬 종과 실질적으로 상호작용하도록 선택되는 파장을 갖는다. 따라서, 방사 에너지는 해당 종을 함유하는 유동 기체에 의해 강하게 흡수될 것이다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 흐름 주입 요소는 일반적으로 사분면의 형태로 된 제1 기체(352)의 2개의 스트림을 제공하도록 배치된다. 이러한 기체 스트림(352)은, 예를 들어 암모니아 또는 다른 수소화물이 될 수 있다. 흐름 주입 요소는 금속 유기물 등의 다른 제2 기체의 스트림(350A, 350B)을 제공하도록 되어 있다. 이들 스트림은 스트림(352)의 경계를 따라 연장될 수 있다. 흐름 주입 요소는 또한 회전 축(14)에 대하여 사분면을 차지하도록 된, 또 다른 캐리어 기체의 다른 스트림(354)을 제공하도록 배치될 수 있다. 도시된 바와 같이, 마이크로파 또는 IR 방사 공급원과 같은 방사 에너지 공급원은 스트림(352)의 기체에 의해서는 강하게 흡수되지만 스트림(350, 354)의 기체에 의해서는 강하게 흡수되지 않는 파장을 갖는 방사 에너지를 인가하도록 배치될 수 있다. 이러한 방사 에너지는 스트림(352)의 경계(360)에 영향을 미치도록, 스트림(354, 350)을 통해 인가될 수 있는데, 이러한 경계는 중심 축(14), 즉 회전 축을 향해 그리고 회전 축으로부터 멀어지는 실질적인 방사상의 범위를 갖는다. 방사 에너지는 스트림(350, 354)을 통해 이동하지만, 이들 스트림의 기체에 의해 실질적으로 흡수되지 않는다. 방사 에너지는 이들의 방사상의 범위를 따라 경계(360)에 영향을 미치기 때문에, 방사 에너지는 중심 축(14)으로부터 모든 방사상의 거리에 있는 기체에 의해 흡수된다. 이하 더 설명하는 바와 같이, 방사 에너지는 흐름 영역의 하단 부근, 그리고 경계층(36)의 상부 경계 부근에 있는 기체 스트림과의 상호작용에 의해 흡수되도록 하는 것이 바람직할 것이다. 도 5의 실시예에서, 방사 에너지 공급원(356)은 회전 축(14)에 직각인 평면, 즉 웨이퍼(도 1 참조)의 표면(22)과 기판 캐리어(18)의 상부 면에 실질적으로 평행한 평면에서의 방향으로 방사 에너지 빔을 향하게 한다. 방사 에너지 빔을 이러한 평면에 정확하게 향하게 하는 것은 필수적인 것은 아니지만, 도 5의 실시예에서는, 방사 에너지의 방향이 이러한 평면 내의 실질적인 성분을 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 방사 에너지 빔을 중심 축(14)에 대하여 횡단하는 평면을 향하도록 하여, 이러한 방사 에너지 빔이 경계층(36) 부근의 경계(360)를 교차하도록 한다. 방사 에너지를 웨이퍼의 표면에 대략 평행한 평면으로 향하게 한다면, 방사 에너지가 웨이퍼의 표면으로 향하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼의 표면에서의 방사 에너지의 바람직하지 않은 영향을 제한하거나 회피할 수 있다. 그러나, 앞서 설명한 바와 같이, 여기서 설명한 상대적으로 낮은 에너지 공급원에 의하면, 웨이퍼 표면에 최소의 악영향이 있을 수 있다. 이것은 기판 캐리어의 회전 축에 대하여 0°부터 90°까지의 각도의 범위로 에너지를 인가할 수 있도록 한다.
본 구성의 변형예로서, 스트림(350B)을 생략하고, 스트림(350A)을 도시한 바와 같이 배치할 수 있다. 따라서, 제1 반응 기체의 스트림(352)은 방사상으로 넓은 경계(360B)에서 불활성 또는 캐리어 기체의 스트림(354)과 경계를 이룬다. 방사 에너지는 불활성 또는 캐리어 기체의 스트림(354)을 통해 방향이 설정되고, 경계(360B)를 통해 제1 기체의 스트림을 도입한다. 본 변형예에서, 방사 에너지는 제2 반응 기체의 스트림(350)을 통하지 않고, 제1 기체(352)로 이동한다. 이러한 구성은, 예를 들어 제2 반응 기체가 방사 에너지를 실질적으로 흡수하는 경우에 사용될 수 있다. 예를 들어, NH3를 특정적으로 여기하는 파장의 IR 광이 사용될 수 있다. 따라서, IR 광은 암모니아의 체류 주파수에 직접 결합될 수 있으며, 금속 유기물에 대한 동일한 체류 주파수에 대해서도 직접 결합될 수 있고, 직접 결합되지 않아도 된다. 이것은, 물론 사용되는 특정의 금속 유기물에 따라 달라질 것이다. 이들 재료는 사용되는 특정 파장에서 IR 광을 흡수할 수 없는 것을 선택해도 된다. 한편, 마이크로파 에너지의 경우에는, 금속 유기물 및 암모니아는 모두 무극성(nonpolar)이기 때문에, 이들 재료는 모두 마이크로파 에너지의 주파수를 흡수할 것이며, 질소와 수소와 같은 극성 분자는 마이크로파 에너지를 흡수하지 않을 것이다. 다시 말하지만, 이러한 요인들은 임의의 특정 경우에 사용되는 최적의 IR 또는 마이크로파 에너지를 선택하는 데에 사용될 수 있다.
도 4에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 방사 에너지(R)는 방사 에너지와 실질적으로 상호작용하지 않는 기체(250, 254)의 평면적 스트림 중의 하나를 통해 반응 챔버 안으로 향하게 할 수 있으며, 방사 에너지를 흡수하도록 하기 위한 기체 스트림(252)의 이론적 평면에 대해 경사진 각도로 향하도록 해도 된다. 방사 에너지(R)는 경계층(36) 부근, 결국 흐름 영역(37)의 하단부 부근의 스트림(252)에 제공되며, 방사 에너지가 경계층 부근에서 흡수된다.
전형적으로, 반응물은 비교적 낮은 온도, 즉 낮은 가용 에너지에서 반응 챔버 안으로 도입되는데, 이 낮은 가용 에너지는 반응물의 신속한 반응을 유도하는 데에 필요한 것보다 낮은 것이다. 종래의 공정에서는, 반응물이 주입구로부터 경계층을 향해 하향으로 이동하기 때문에 방사 열 전달에 의해 반응물이 어느 정도 가열될 수 있다. 그러나, 대부분의 가열에서, 그리고 대부분의 반응물의 가용 에너지의 증가는 경계층 내에서 일어난다. 또한, 모든 가열은 기판 캐리어와 웨이퍼의 온도에 의존한다. 이에 대하여, 앞서 설명한 실시예에서, 반응물이 흐름 영역에 있는 동안에 반응물 중의 적어도 하나에 실질적인 에너지가 인가되며, 이러한 에너지는 기판 캐리어, 기판 및 반응기 벽으로부터 열 전달 외의 다른 수단에 의해 공급된다. 또한, 에너지가 인가되는 위치는 조절이 가능하다. 흐름 영역 및 경계층 사이의 전이 영역 부근의 반응물 또는 둘 이상의 반응물에 에너지를 인가함으로써, 반응물의 일정 부분이 높은 가용 에너지에 도달하는 시점과 그 해당 부분이 웨이퍼 표면에 닿게 될 때의 시점 사이의 시간을 최소로 할 수 있다. 이에 의해, 바람직하지 않은 반응이 생기는 것을 최소로 하는 데에 도움이 될 수 있다. 예를 들어, 높은 가용 에너지를 갖는 암모니아는 NH2 및 NH와 같은 종으로 자발적으로 분해하고, 이들 종은 N2를 매우 신속하게 형성하는, 단원자 질소로 분해될 수 있다. N2는 금속 유기물과의 반응에 실질적으로 이용할 수 없다. 암모니아가 경계층으로 도입되는 시점 또는 직전에 암모니아에 에너지를 인가함으로써, 웨이퍼 표면에서 금속 유기물과의 여기된 NH3의 반응과 같은 표면에 반도체를 증착하는 바람직한 반응이 개선될 수 있으며, 바람직하지 않은 반응이 억제될 수 있다.
또한, 반도체 캐리어와 웨이퍼로부터 열 전달과 같은 에너지 전달 이외의 다른 수단에 의해 하나 이상의 반응물에 에너지가 인가되기 때문에, 반응물의 가용 에너지를, 기판의 온도와 관계없이 어느 정도까지 조절할 수 있다. 따라서, 경계층에서의 반응물의 가용 에너지는 웨이퍼와 기판 캐리어의 온도를 증가시키지 않고도 증가될 수 있으며, 이와 달리 웨이퍼와 기판 캐리어가 가용 에너지의 허용가능한 수준을 유지하면서 낮은 온도에서 유지될 수 있다. 물론, 기판 캐리어와 웨이퍼로부터 반응물로의 일부 에너지 입력이 있을 수 있다.
본 발명에 의해 마이크로파 에너지를 인가하면, 해당 에너지는 빔을 간섭이 가능하도록 하거나 확산시키는 것으로 인가될 수 있다. 이 빔은 기판 부근 또는 경계층의 위의 위치에서 기판의 표면에 평행하게 인가되거나, 기판에 직각으로, 또는 기판에 대하여 직각인 위치와 평행한 위치 사이의 임의의 각도로 인가될 수 있다. 마이크로파 에너지는 기판 표면으로부터 다양한 높이에 인가될 수 있다. 또한, 마이크로파는 하나의 공급원 또는 다수의 공급원으로부터 제공될 수 있으며, 반응물 중의 하나 이상과 상호작용하도록 조절이 가능하다. 따라서, 예를 들어, V족 수소화물 및 III족 금속의 알킬의 경우에, 마이크로파 공급원은 하나 이상의 이들 공급원과 상호작용하도록 조절이 가능하다.
마찬가지로, 적외선 에너지의 경우, 기판에 평행하게, 기판에 직각으로, 또는 기판에 대하여 직각인 위치와 평행한 위치 사이의 임의의 각도로, 빔을 간섭이 가능하도록 하거나 확산시키는 것으로 인가될 수 있다. 적외선 에너지는 빔의 배향과는 독립해서 기판의 표면으로부터 다양한 높이에 인가될 수 있으며, 하나 이상의 공급원으로부터 제공될 수 있으며, 하나 이상의 반응물과 상호작용하도록 조절이 가능하다.
[산업상 이용 가능성]
본 발명의 방법 및 장치는 특히 레이저, 태양전지, LED 등에 사용하기 위한 화합물 반도체의 제조에 적용할 수 있다.
본 발명에 대하여 특정의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 이들 실시예는 본 발명의 원리와 응용을 예시하는 것에 불과하다는 것을 알 수 있을 것이다. 따라서, 예시한 실시예에 대하여 다양한 변형예가 가능하다는 것을 알 수 있을 것이며, 청구범위에 의해 청구된 본 발명의 정신과 범위로부터 벗어남이 없이 다른 구성이 가능하다는 것을 알 수 있을 것이다.

Claims (32)

  1. 기판(substrate)상에 화합물 반도체(compound semiconductor)를 증착하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 기판을 반응 챔버(reaction chamber) 내에 유지하는 단계;
    (b) 상기 기판의 표면을 향해 다운스트림(downstream) 방향으로 기체 주입구(gas inlet)로부터 상기 반응 챔버의 내부로 다수의 기체 반응물(gaseous reactant)을 제공하는 단계로서, 상기 다수의 기체 반응물은 상기 기판의 표면에서 서로 반응해서 상기 기판상에 증착물(deposit)을 형성하도록 된, 상기 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계;
    (c) 상기 기체 주입구의 다운스트림과 상기 기판의 업스트림으로 상기 다수의 기체 반응물 중의 하나의 반응물에 에너지를 선택적으로 공급하여, 상기 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물을 활성화하기에는 충분하지만 상기 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물을 분해하기에는 충분하지 않은 에너지를 부여하는 단계; 및
    (d) 상기 다수의 기체 반응물을 상기 기판의 표면에서 분해하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 선택적으로 공급되는 에너지는 마이크로파 에너지와 적외선 에너지로 이루어진 그룹에서 선택되는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 선택적으로 공급되는 에너지는 상기 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물의 공진 주파수(resonant frequency)에서 공급되는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물을 상기 기판의 미리 정해진 영역에 제공하고, 이와 동시에 상기 기판의 상기 미리 정해진 영역에만 상기 에너지를 선택적으로 공급하는 단계를 더 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계는, 상기 다수의 기체 반응물이 상기 기판의 표면과 상기 주입구 사이의 흐름 영역(flow region)의 적어도 일부분에서 서로 실질적으로 분리되어 있도록, 상기 반응물을 상기 기판을 향해 제공하는 단계를 포함하며,
    상기 기판을 상기 반응 챔버 내에 유지하는 단계는 상기 기판을 움직임이 가능한 상태로 유지하는 단계를 포함하는, 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판을 움직임이 가능한 상태로 유지하는 단계는, 상기 다수의 기체 반응물이 상기 반응 챔버 내의 회전 축에 평행한 상기 기판의 표면에 작용하도록, 상기 기판을 상기 회전 축을 중심으로 회전시키는 단계를 포함하는, 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계는 상기 기체 반응물을 상기 반응 챔버의 별개의 구역(zone)에 제공하는 단계를 포함하며,
    상기 에너지를 선택적으로 공급하는 단계는, 상기 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물이 공급되는 구역에만 에너지가 공급되도록 하고, 상기 다수의 기체 반응물 중의 다른 반응물이 공급되는 구역에는 에너지가 공급되지 않도록, 에너지를 공급하는 단계를 포함하는, 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 선택적으로 공급되는 에너지는, 상기 다수의 기체 반응물 중의 상기 하나의 반응물에, 상기 회전 축에 대하여 0°부터 90°사이의 각도로 인가되는, 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 각도는 상기 회전 축에 대하여 대략 0°로 된 것인, 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 각도는 상기 회전 축에 대하여 대략 90°로 된 것인, 방법.
  11. 기판(substrate)상에 화합물 반도체(compound semiconductor)를 증착하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 기판을 반응 챔버(reaction chamber) 내에 유지하는 단계;
    (b) 상기 기판의 표면을 향해 다운스트림(downstream) 방향으로 기체 주입구(gas inlet)로부터 상기 반응 챔버의 내부에, V족 수소화물 및 III족 금속의 유기 화합물을 포함하는 다수의 기체 반응물(gaseous reactant)을 제공하는 단계;
    (c) 상기 주입구의 다운스트림과 상기 기판의 업스트림으로 상기 V족 수소화물에 에너지를 선택적으로 공급하여, 상기 V족 수소화물을 활성화하기에는 충분하지만 상기 V족 수소화물을 분해하기에는 충분하지 않은 에너지를 부여하는 단계; 및
    (d) 상기 다수의 기체 반응물을 상기 기판의 표면에서 분해하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 선택적으로 공급되는 에너지는 마이크로파 에너지와 적외선 에너지로 이루어진 그룹에서 선택되는, 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 선택적으로 공급되는 에너지는 상기 V족 수소화물의 공진 주파수(resonant frequency)에서 공급되는, 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 V족 수소화물은 NH3를 포함하는, 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 V족 수소화물을 상기 기판의 미리 정해진 영역에 제공하고, 이와 동시에 상기 기판의 상기 미리 정해진 영역에만 상기 에너지를 선택적으로 공급하는 단계를 더 포함하는 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 III족 금속은 갈륨, 인듐, 및 알루미늄으로 이루어진 그룹에서 선택되는, 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계는, 상기 다수의 기체 반응물이 상기 기판의 표면과 상기 주입구 사이의 흐름 영역(flow region)의 적어도 일부분에서 서로 실질적으로 분리되어 있도록, 상기 반응물을 상기 기판을 향해 제공하는 단계를 포함하며,
    상기 기판을 상기 반응 챔버 내에 유지하는 단계는 상기 기판을 움직임이 가능한 상태로 유지하는 단계를 포함하는, 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기판을 움직임이 가능한 상태로 유지하는 단계는, 상기 다수의 기체 반응물이 상기 반응 챔버 내의 회전 축을 횡단하는 상기 기판의 표면에 작용하도록, 상기 기판을 상기 회전 축을 중심으로 회전시키는 단계를 포함하는, 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 선택적으로 인가되는 에너지는 상기 회전 축에 대하여 0°부터 90°사이의 각도로 상기 V족 수소화물에 인가되는, 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 각도는 상기 회전 축에 대하여 대략 0°로 된 것인, 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 각도는 상기 회전 축에 대하여 대략 90°로 된 것인, 방법.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 다수의 기체 반응물을 제공하는 단계는 상기 기체 반응물을 상기 반응 챔버의 별개의 구역(zone)에 제공하는 단계를 포함하며,
    상기 에너지를 선택적으로 공급하는 단계는 상기 V족 수소화물이 공급되는 구역에만 에너지가 공급되도록 하고, 상기 III족 금속 유기 화합물이 공급되는 구역에는 에너지가 공급되지 않도록, 에너지를 공급하는 단계를 포함하는, 방법.
  23. 제11항에 있어서,
    상기 III족 금속 유기 화합물은 인듐(indium)을 포함하는, 방법.
  24. 화학 기상 증착 반응기(chemical vapor deposition reactor)에 있어서,
    (a) 반응 챔버(reaction chamber);
    (b) 상기 반응 챔버 내에 설치되어, 업스트림 방향 및 다운스트림 방향으로 연장하는 회전 축을 중심으로 회전하도록 되어 있으며, 하나 이상의 기판을 유지하여 상기 기판의 표면이 실질적으로 상기 업스트림 방향을 향하도록 하는 기판 캐리어(substrate carrier);
    (c) 상기 기판 캐리어의 업스트림에 배치되고, 상기 회전 축을 횡단하는 방향으로 여러 위치에 배치된 다수의 방출 구역(discharge zone)을 가지며, 상기 다수의 방출 구역 중의 상이한 구역을 통해 상이한 기체를 방출하도록 하여 상기 방출된 기체가 상기 회전 축에 대하여 상대적인 여러 위치에서 실질적으로 개별의 스트림으로 상기 캐리어 기판을 향해 실질적으로 다운스트림으로 제공되도록 하는 흐름 주입 요소(flow inlet element); 및
    (d) 상기 흐름 주입 요소와 상기 기판 캐리어 사이에서 상기 실질적으로 개별의 스트림 중의 선택된 스트림과 정렬된 위치에 선택적으로 에너지를 공급하여, 상기 실질적으로 개별의 스트림 중의 선택된 스트림과 연관된 상기 기체에 에너지를 선택적으로 공급하도록 되어 있는 선택적 에너지 입력 장치(selective energy input apparatus)
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 선택적 에너지 입력 장치는 마이크로파 에너지 발생기와 적외선 에너지 발생기로 이루어진 그룹에서 선택되는, 반응기.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 선택적 에너지 입력 장치는, 상기 에너지를, 상기 실질적으로 개별의 스트림 중의 상기 선택된 스트림과 연관된 상기 기체에 의해 실질적으로 흡수되는 파장에서 공급하도록 되어 있는, 반응기.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 에너지는 상기 실질적으로 개별의 스트림 중의 다른 스트림에 의해서는 실질적으로 흡수되지 않는 것인, 반응기.
  28. 제24항에 있어서,
    상기 선택적 에너지 입력 장치는 상기 회전 축을 횡단하는 방향에서의 성분을 갖는 하나 이상의 빔 경로(beam path)를 따라 상기 에너지의 빔을 제공하도록 구성된, 반응기.
  29. 제27항에 있어서,
    상기 하나 이상의 빔 경로는 상기 기판 캐리어의 표면에 인접한 상기 개별의 스트림 중의 상기 선택된 스트림을 차단(intercept)하도록 되어 있는, 반응기.
  30. 제24항에 있어서,
    상기 선택적 에너지 입력 장치는 상기 회전 축에 평행한 방향에서의 성분을 갖는 하나 이상의 빔 경로를 따라 상기 에너지의 빔을 제공하도록 구성된, 반응기.
  31. 제24항에 있어서,
    상기 선택적 에너지 입력 장치는 상기 회전 축에 대하여 대략 0°부터 90°사이의 각도에서의 방향 성분을 갖는 하나 이상의 빔 경로를 따라 상기 에너지의 빔을 제공하도록 구성된, 반응기.
  32. 제24항에 있어서,
    상기 선택적 에너지 입력 장치는 상기 회전 축에 대하여 대략 90°의 각도에서의 방향 성분을 갖는 하나 이상의 빔 경로를 따라 상기 에너지의 빔을 제공하도록 구성된, 반응기.
KR1020117010163A 2008-10-03 2009-10-02 화학 기상 증착을 위한 장치 및 방법 KR20110074899A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US19509308P 2008-10-03 2008-10-03
US61/195,093 2008-10-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110074899A true KR20110074899A (ko) 2011-07-04

Family

ID=41429649

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117010037A KR20110079831A (ko) 2008-10-03 2009-10-01 기상 에피택시 시스템
KR1020117010163A KR20110074899A (ko) 2008-10-03 2009-10-02 화학 기상 증착을 위한 장치 및 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117010037A KR20110079831A (ko) 2008-10-03 2009-10-01 기상 에피택시 시스템

Country Status (8)

Country Link
US (4) US20100086703A1 (ko)
EP (2) EP2332167A4 (ko)
JP (2) JP2012504873A (ko)
KR (2) KR20110079831A (ko)
CN (2) CN102171795A (ko)
SG (1) SG194408A1 (ko)
TW (2) TWI429791B (ko)
WO (2) WO2010040011A2 (ko)

Families Citing this family (276)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011500961A (ja) 2007-10-11 2011-01-06 バレンス プロセス イクウィップメント，インコーポレイテッド 化学気相成長反応器
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20110073039A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 Ron Colvin Semiconductor deposition system and method
EP2543063B1 (en) * 2010-03-03 2019-05-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with sloped edge
TWI390074B (zh) * 2010-04-29 2013-03-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 有機金屬化學氣相沉積機台
US10138551B2 (en) 2010-07-29 2018-11-27 GES Associates LLC Substrate processing apparatuses and systems
TW201222636A (en) * 2010-07-30 2012-06-01 Lawrence Advanced Semiconductor Technologies Llc Systems, apparatuses, and methods for chemically processing substrates using the Coanda effect
DE102011002146B4 (de) 2011-04-18 2023-03-09 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit HCI-Zugabe zur Unterdrückung parasitären Wachstums
DE102011002145B4 (de) 2011-04-18 2023-02-09 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum großflächigen Abscheiden von Halbleiterschichten mit gasgetrennter HCI-Einspeisung
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN103361633B (zh) * 2012-04-01 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种进气装置、反应腔室以及等离子体加工设备
SG11201407907XA (en) * 2012-07-13 2015-01-29 Gallium Entpr Pty Ltd Apparatus and method for film formation
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TWI502096B (zh) * 2013-06-17 2015-10-01 Ind Tech Res Inst 用於化學氣相沉積的反應裝置及反應製程
US9435031B2 (en) 2014-01-07 2016-09-06 International Business Machines Corporation Microwave plasma and ultraviolet assisted deposition apparatus and method for material deposition using the same
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US20150361582A1 (en) * 2014-06-17 2015-12-17 Veeco Instruments, Inc. Gas Flow Flange For A Rotating Disk Reactor For Chemical Vapor Deposition
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN106282969B (zh) * 2015-06-02 2019-02-15 中微半导体设备(上海)有限公司 化学气相沉积装置及其沉积方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10865477B2 (en) * 2016-02-08 2020-12-15 Illinois Tool Works Inc. Method and system for the localized deposit of metal on a surface
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
JP6665726B2 (ja) * 2016-08-01 2020-03-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10357920B2 (en) * 2017-01-17 2019-07-23 Obsidian Advanced Manufacturing, Llc Gas phase integrated multimaterial printhead for additive manufacturing
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
CN111678885A (zh) * 2020-05-29 2020-09-18 清华大学 化学反应观测系统及方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102491498B1 (ko) * 2021-12-06 2023-01-27 한국세라믹기술원 ＨＶＰＥ 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조장치 및 제조방법

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61231715A (ja) 1985-04-08 1986-10-16 Hitachi Ltd 光プロセス装置
US4868014A (en) * 1986-01-14 1989-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming thin film multi-layer structure member
US4838014A (en) * 1986-03-31 1989-06-13 Ford New Holland, Inc. Disc cutter rotor assembly
JPH0744154B2 (ja) 1987-12-16 1995-05-15 株式会社豊田中央研究所 光照射型低温ｍｏｃｖｄ方法および装置
US5261959A (en) * 1988-05-26 1993-11-16 General Electric Company Diamond crystal growth apparatus
JPH0355827A (ja) 1989-07-25 1991-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光励起エピタキシャル成長装置
DE3935865C1 (ko) * 1989-10-27 1990-10-04 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg, De
JP2822536B2 (ja) 1990-02-14 1998-11-11 住友電気工業株式会社 立方晶窒化ホウ素薄膜の形成方法
US5079038A (en) * 1990-10-05 1992-01-07 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Hot filament CVD of boron nitride films
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
US5856695A (en) * 1991-10-30 1999-01-05 Harris Corporation BiCMOS devices
EP0592227A3 (en) * 1992-10-07 1995-01-11 Sharp Kk Manufacture of a thin film transistor and production of a liquid crystal display device.
JPH086181B2 (ja) * 1992-11-30 1996-01-24 日本電気株式会社 化学気相成長法および化学気相成長装置
US5433977A (en) * 1993-05-21 1995-07-18 Trustees Of Boston University Enhanced adherence of diamond coatings by combustion flame CVD
KR100321325B1 (ko) * 1993-09-17 2002-06-20 가나이 쓰도무 플라즈마생성방법및장치와그것을사용한플라즈마처리방법및장치
JP3468859B2 (ja) * 1994-08-16 2003-11-17 富士通株式会社 気相処理装置及び気相処理方法
CA2205817C (en) * 1996-05-24 2004-04-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. Treatment method in glow-discharge plasma and apparatus thereof
JP3737221B2 (ja) * 1996-09-06 2006-01-18 英樹 松村 薄膜作成方法及び薄膜作成装置
JPH10172473A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Toshiba Corp 偏向ヨーク装置
US5820922A (en) * 1996-12-17 1998-10-13 Sandia Corporation Method for localized deposition of noble metal catalysts with control of morphology
US6066204A (en) * 1997-01-08 2000-05-23 Bandwidth Semiconductor, Llc High pressure MOCVD reactor system
JPH10226599A (ja) 1997-02-12 1998-08-25 Sharp Corp 気相成長装置
ATE350510T1 (de) * 1997-06-13 2007-01-15 Oerlikon Trading Ag Verfahren und anlage zur herstellung beschichteter werkstücke
US6161499A (en) * 1997-07-07 2000-12-19 Cvd Diamond Corporation Apparatus and method for nucleation and deposition of diamond using hot-filament DC plasma
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US6194036B1 (en) * 1997-10-20 2001-02-27 The Regents Of The University Of California Deposition of coatings using an atmospheric pressure plasma jet
JP4556329B2 (ja) * 1999-04-20 2010-10-06 ソニー株式会社 薄膜形成装置
KR100712241B1 (ko) 1999-05-13 2007-04-27 이엠에프 아일랜드 리미티드 기판상에 재료를 에피택셜성장시키는 방법 및 장치
WO2000070117A1 (en) * 1999-05-14 2000-11-23 The Regents Of The University Of California Low-temperature compatible wide-pressure-range plasma flow device
US7091605B2 (en) * 2001-09-21 2006-08-15 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US6582780B1 (en) * 1999-08-30 2003-06-24 Si Diamond Technology, Inc. Substrate support for use in a hot filament chemical vapor deposition chamber
US6745717B2 (en) * 2000-06-22 2004-06-08 Arizona Board Of Regents Method and apparatus for preparing nitride semiconductor surfaces
KR100735932B1 (ko) * 2001-02-09 2007-07-06 동경 엘렉트론 주식회사 성막 장치
KR100402389B1 (ko) * 2001-03-23 2003-10-17 삼성전자주식회사 금속 게이트 형성 방법
KR100425449B1 (ko) * 2001-05-18 2004-03-30 삼성전자주식회사 포토 화학기상증착법을 이용한 다층막 형성방법과 그 장치
US6638839B2 (en) * 2001-07-26 2003-10-28 The University Of Toledo Hot-filament chemical vapor deposition chamber and process with multiple gas inlets
US6677250B2 (en) * 2001-08-17 2004-01-13 Micron Technology, Inc. CVD apparatuses and methods of forming a layer over a semiconductor substrate
AUPS240402A0 (en) * 2002-05-17 2002-06-13 Macquarie Research Limited Gallium nitride
JP3759071B2 (ja) * 2002-05-29 2006-03-22 京セラ株式会社 Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法
JP2004103745A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Japan Science & Technology Corp ホットワイヤｃｖｄ法による窒化物半導体膜のエピタキシャル成長方法
JP3809410B2 (ja) 2002-09-19 2006-08-16 独立行政法人科学技術振興機構 光化学気相堆積装置及び方法
JP2004165445A (ja) * 2002-11-13 2004-06-10 Furukawa Co Ltd 半導体製造装置
US7170027B2 (en) * 2003-04-16 2007-01-30 Toyo Seikan Kaisha Ltd. Microwave plasma processing method
JP2005089781A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 薄膜形成装置
US7311947B2 (en) * 2003-10-10 2007-12-25 Micron Technology, Inc. Laser assisted material deposition
KR100513920B1 (ko) * 2003-10-31 2005-09-08 주식회사 시스넥스 화학기상증착 반응기
JP4493379B2 (ja) 2003-11-26 2010-06-30 京セラ株式会社 発熱体ｃｖｄ装置
GB2415707A (en) * 2004-06-30 2006-01-04 Arima Optoelectronic Vertical hydride vapour phase epitaxy deposition using a homogenising diaphragm
EP1809788A4 (en) 2004-09-27 2008-05-21 Gallium Entpr Pty Ltd METHOD AND APPARATUS FOR GROWING GROUP (III) METAL NITRIDE FILM AND GROUP (III) METAL FILM
DE102004052044A1 (de) * 2004-10-26 2006-04-27 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Glühlampe mit einem Leuchtkörper, der eine hochtemperaturbeständige Metallverbindung enthält
JP2006173242A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Sharp Corp 触媒接触型ラジカル生成装置および半導体装置ならびに液晶表示装置
US20060156983A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-20 Surfx Technologies Llc Low temperature, atmospheric pressure plasma generation and applications
CA2597623C (en) 2005-02-28 2015-07-14 Epispeed S.A. System and process for high-density,low-energy plasma enhanced vapor phase epitaxy
JP2006251025A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Canon Inc 加熱装置
US7396415B2 (en) * 2005-06-02 2008-07-08 Asm America, Inc. Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface
EP1916704A4 (en) 2005-08-05 2011-06-08 Sekisui Chemical Co Ltd METHOD FOR FORMING GROUP III NITRIDE FILMS SUCH AS GALLIUM NITRIDE
US7842355B2 (en) 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
US20070256635A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation UV activation of NH3 for III-N deposition
WO2008016836A2 (en) * 2006-07-29 2008-02-07 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
WO2008023523A1 (fr) 2006-08-22 2008-02-28 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Procédé de formation de film mince par traitement par microplasma et appareil associé
JP2008124060A (ja) 2006-11-08 2008-05-29 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ
US20080185039A1 (en) 2007-02-02 2008-08-07 Hing Wah Chan Conductor fabrication for optical element
US20080241377A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Vapor deposition system and method of operating
US7976631B2 (en) * 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
GB0805837D0 (en) 2008-03-31 2008-06-04 Qinetiq Ltd Chemical Vapour Deposition Process
US20100006023A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Palo Alto Research Center Incorporated Method For Preparing Films And Devices Under High Nitrogen Chemical Potential
WO2011106624A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Alliance For Sustainable Energy, Llc Hot wire chemical vapor deposition (hwcvd) with carbide filaments

Also Published As

Publication number Publication date
CN102239277A (zh) 2011-11-09
TWI429791B (zh) 2014-03-11
CN102171795A (zh) 2011-08-31
WO2010039252A1 (en) 2010-04-08
JP5587325B2 (ja) 2014-09-10
WO2010040011A2 (en) 2010-04-08
TW201022488A (en) 2010-06-16
EP2347028A1 (en) 2011-07-27
EP2332167A4 (en) 2012-06-20
US8815709B2 (en) 2014-08-26
CN102239277B (zh) 2013-10-23
US20140318453A1 (en) 2014-10-30
JP2012504866A (ja) 2012-02-23
KR20110079831A (ko) 2011-07-08
WO2010040011A3 (en) 2010-07-01
EP2332167A2 (en) 2011-06-15
US20100087050A1 (en) 2010-04-08
SG194408A1 (en) 2013-11-29
TWI411700B (zh) 2013-10-11
TW201026887A (en) 2010-07-16
JP2012504873A (ja) 2012-02-23
US20100086703A1 (en) 2010-04-08
US20110174213A1 (en) 2011-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110074899A (ko) 화학 기상 증착을 위한 장치 및 방법
KR102152786B1 (ko) 필름 형성 장치 및 방법
JP6529973B2 (ja) バッチ処理用傾斜プレート及びその使用方法
KR101379410B1 (ko) 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비
KR101691558B1 (ko) 플라즈마 증착
TWI750441B (zh) 用於製造石墨烯電晶體及裝置之方法
US20130344688A1 (en) Atomic Layer Deposition with Rapid Thermal Treatment
WO2018028872A1 (en) System and method for gas phase deposition
JP2011168492A (ja) 基板上に材料をエピタキシャル成長させるための方法と装置
CN110373653B (zh) 具有多区域引射器块的化学气相沉积设备
TWI490367B (zh) 金屬有機化合物化學氣相沉積方法及其裝置
JP2009032785A (ja) 気相成長装置、及び半導体素子の製造方法
JP2007109685A (ja) 化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid