KR20110074459A - 재료 가스 농도 제어 시스템 - Google Patents
재료 가스 농도 제어 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110074459A KR20110074459A KR1020100132410A KR20100132410A KR20110074459A KR 20110074459 A KR20110074459 A KR 20110074459A KR 1020100132410 A KR1020100132410 A KR 1020100132410A KR 20100132410 A KR20100132410 A KR 20100132410A KR 20110074459 A KR20110074459 A KR 20110074459A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- concentration
- temperature
- opening degree
- gas
- valve
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D11/00—Control of flow ratio
- G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
- G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
- G05D11/135—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
- G05D11/138—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture by sensing the concentration of the mixture, e.g. measuring pH value
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
- Y10T137/0396—Involving pressure control
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/2496—Self-proportioning or correlating systems
- Y10T137/2499—Mixture condition maintaining or sensing
- Y10T137/2509—By optical or chemical property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/2496—Self-proportioning or correlating systems
- Y10T137/2708—Plural sensors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
- Y10T137/7736—Consistency responsive
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
재료 가스의 농도를 어느 설정 농도에서 일정하게 유지하고 있을 때에 있어서, 재료 가스의 분압이 매우 낮아지고, 밸브의 가동 범위 내에서는 재료 가스의 분압에 대응한 전압을 달성하지 못하여, 재료 가스의 농도를 설정 농도에서 일정하게 유지할 수 없게 되는 상황이 발생하는 것을 방지할 수 있도록, 재료 기화 시스템(100)에 이용되는 것으로서, 상기 도출관(12) 상에 마련되는 제1 밸브(23)와, 상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부(CS)와, 상기 농도 측정부(CS)에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정해진 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브(23)의 개도를 제어하는 농도 제어부(CC)와, 상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기(41)와, 상기 온도 조절기의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부(42)를 구비한다.
Description
본 발명은 탱크 내에 수용되어 있는 고체 또는 액체의 재료에 캐리어 가스를 도입하여, 재료를 기화(氣化)시키는 재료 기화 시스템에 있어서, 그 기화한 재료 가스의 농도를 제어하는 시스템에 관한 것이다.
이런 종류의 재료 기화 시스템에 이용되고, 재료 가스의 농도를 일정하게 유지하기 위한 농도 제어 시스템을 본 출원인은 현재 출원 중이다. 이 농도 제어 시스템은 캐리어 가스와 재료 가스의 혼합 가스가 탱크 내로부터 도출되는 도출관에, 제1 밸브와, 상기 재료 가스의 분압(分壓)을 측정하는 분압 측정 센서와, 상기 혼합 가스의 압력인 전압(全壓)을 측정하는 전압 측정 센서를 구비하고, 측정된 분압을 전압으로 나누는 것에 의해 혼합 가스에 있어서 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와, 상기 농도 측정부에 의해 측정된 측정 농도가 미리 정해진 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도(開度)를 제어하는 농도 제어부를 구비한 것이다.
이와 같이 구성된 농도 제어 시스템에 의하면, 탱크 내의 재료가 포화 증기압에서 기화하고 있지 않으며, 기화 상태가 변동하여 재료 가스의 분압이 변동하고 있다고 해도, 그 변동에 맞추어 혼합 가스의 전압이 상기 제1 밸브에 의해 제어된다. 따라서 탱크 내 재료 가스의 발생 상황에 관계없이, 재료 가스의 농도를 설정 농도에서 일정하게 유지할 수 있다.
[선행 기술 문헌]
[특허 문헌]
[특허 문헌 1] 일본 특원 2008-282622
그런데 농도 제어를 계속하고 있으면 탱크 내의 재료는 재료량이 감소함으로써 기화하는 재료 가스의 분압이 저하한다. 이것은 재료가 고체인 경우에는 그 표면적이 감소하여 캐리어 가스와 접촉하는 면적이 작아지는 것이지만, 액체인 경우에는 액면(液面)이 저하하는 것에 의해 캐리어 가스의 버블이 액체와 접촉할 수 있는 시간이 감소하는 것, 증발 시에 빼앗기는 기화열에 의해 탱크 내의 온도가 저하하는 것 등에 의해, 재료 가스의 발생량이 감소해 버리는 것에 기인한다.
이와 같이 재료 가스의 발생량이 감소하여 재료 가스의 분압이 작아지면, 상술한 농도 제어 시스템은 재료 가스의 농도를 일정하게 유지하기 위해, 전압을 작게 하도록 제1 밸브를 제어한다. 이 경우, 전압을 작게 하기 위해, 상기 제1 밸브의 개도를 보다 크게 하도록 제어된다.
그렇지만 상기 제1 밸브에는 가동 범위가 존재하므로, 제1 밸브가 전개(全開)로 되어 버리면 그 이상 혼합 가스의 전압을 작게 할 수 없게 되어 버린다. 따라서 재료 가스의 분압이 너무 작아지면, 그에 추종하여 전압을 작게 할 수 없기 때문에, 재료 가스의 농도를 설정 농도로 유지할 수 없게 되어 버린다.
또, 농도를 일정하게 유지하는 경우뿐만 아니라, 캐리어 가스의 유량을 제어함으로써 재료 가스의 유량을 일정하게 유지하고 싶은 경우에도 동일하게 재료 가스의 발생량의 저하에 기인하여, 캐리어 가스의 유량 제어용 밸브의 개도가 개방 한계 개도로 되어서, 재료 가스의 유량 제어가 불가능하게 되어 버리는 경우가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 예를 들어, 재료 가스의 농도를 어느 설정 농도에서 일정하게 유지하고 있을 때에 있어서, 재료 가스의 분압이 매우 낮아지고, 밸브의 가동 범위 내에서는 재료 가스의 분압에 대응한 전압을 달성하지 못하여, 재료 가스의 농도를 설정 농도에서 일정하게 유지할 수 없게 되는 상황이 발생하는 것을 방지할 수 있는 재료 가스 농도 제어 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 재료 가스의 발생량이 적게 되어 재료 가스의 유량을 일정하게 유지할 수 없게 되는 상황이 발생하는 것을 방지할 수 있는 재료 가스 유량 제어 시스템을 제공하는 것도 목적으로 한다.
즉, 본 발명의 재료 가스 농도 제어 시스템은, 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서, 상기 도출관 상에 마련되는 제1 밸브와; 상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와; 상기 농도 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정해진 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도를 제어하는 농도 제어부와; 상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와; 상기 온도 조절기의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비하고, 상기 제1 밸브의 개도가, 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의 재료 가스 농도 제어 시스템에 이용되는 프로그램은, 상기 도출관 상에 마련되는 제1 밸브와, 상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와, 상기 농도 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정해진 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도를 제어하는 농도 제어부와, 상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와, 상기 온도 조절기의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비한 재료 가스 농도 제어 시스템에 이용되는 프로그램으로서, 상기 제1 밸브의 개도가, 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 것이면, 재료 가스의 농도를 설정 농도로 되도록 농도 제어를 계속하고 있는 동안에, 재료 가스의 발생량이 감소하고, 그 분압이 저하한 경우에 있어서, 재료 가스의 농도를 설정 농도로 유지하기 위해 전압을 계속 저하시키고 있는 중에 제1 밸브의 개도가 개방 한계 개도에 가까워진 상태로 되었다고 해도, 그 시점에서 상기 온도 설정부가 설정 온도를 개방측 문턱값 개도로 된 시점의 온도보다 높게 설정하여, 재료 가스의 포화 증기압을 상승시키는 것에 의해 재료 가스의 발생량을 증가시켜서, 재료 가스의 분압을 상승시킬 수 있다. 따라서 재료 가스의 분압이 상승하면 농도를 일정하게 하는데, 전압도 상승시킬 필요가 있으므로, 밸브의 개도는 개방측 문턱값 개도를 넘은 시점의 개도보다 폐색측의 개도로 제어되게 된다. 즉, 재료 가스의 분압이 어느 한도의 값보다 저하한 경우에는, 온도 설정부가 설정 온도를 보다 높은 온도로 변경하여, 재료 가스의 분압을 상승시키므로, 제1 밸브의 개도를 개방 한계 개도의 근방에서 농도 제어를 행하게 하는 것이 아니라, 가동 범위의 중앙측에 있어서 충분히 여유를 가지고 농도 제어를 행하게 할 수 있다.
이와 같이 재료 가스의 분압 저하에 기인하여, 제1 밸브의 가동 범위를 넘은 영역에서의 농도 제어가 필요하게 되고, 제1 밸브가 개방 한계 개도에서 멈추어져 제어가 불가능하게 되어 버리는 것을 방지할 수 있다.
추가로 이와 같은 구성의 재료 가스 농도 제어 시스템에 의하면, 제1 밸브를 이용하여 전압을 제어하는 것에 의해, 재료 가스의 분압 변동을 허용할 수 있는 농도 제어를 실현할 수 있으므로, 온도 제어에 의해 엄밀하게 재료 가스의 발생량을 제어할 필요는 없다. 따라서 농도 제어를 행하는데에는, 제1 밸브의 가동 범위를 넘어 버리는 특수한 상황에만 대응할 수 있는 온도 조절기 및 온도 설정부이면 되기 때문에, 그다지 정밀한 온도 제어 장치를 이용하지 않아도 좋다. 따라서 고성능인 것을 이용할 필요는 없기 때문에 간단하고 쉬우며 염가인 온도 조절기 및 온도 설정부를 이용하는 것만으로도, 상술한 바와 같은 제1 밸브의 가동 범위를 넘는 것에 의해 농도 제어를 행할 수 없게 되는 문제를 방지할 수 있다.
제1 밸브의 개도가 개방측 문턱값 개도로 되거나 또는 그 개도에 가까워지고 있는 것을 검출하고 나서 온도 제어를 개시한 경우, 온도 제어의 지연에 의해서는 재료 가스의 분압이 저하하는 방향으로 관성이 작용하여, 제1 밸브가 개방 한계 개도에 도달해 버릴 우려가 있다. 그러한 문제를 방지하는데에는, 상기 문턱값이 상기 제1 밸브 개도의 변화율에 따라 변경되는 것이면 좋다. 이와 같은 것이면, 변화율이 큰 경우에는 여유를 두고 개방측 문턱값 개도와 개방 한계 개도의 차가 커지도록 하고, 변화율이 작은 경우에 개도의 차가 작아지도록 설정 등을 하면, 제어 불능으로 되는 상태를 보다 회피하기 쉬운 안전한 농도 제어를 행할 수 있다.
재료 가스의 분압을 모니터링하여 분압이 저하한 경우에는, 어느 정도 분압을 상승시켜 제1 밸브 개도의 가동 범위 내에서 농도 제어를 행할 수 있도록 해도 좋다. 구체적으로, 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서, 상기 도출관 상에 마련되는 제1 밸브와; 상기 재료 가스의 분압을 측정하는 분압 측정 센서와, 상기 혼합 가스의 전압을 측정하는 전압 측정 센서를 구비하고, 상기 분압과 상기 전압에 기초하여 상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와; 상기 농도 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정한 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도를 제어하는 농도 제어부와; 상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와; 상기 온도 조절기에 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비하고, 상기 분압 측정 센서에 의해 측정되는 분압이, 상기 제1 밸브의 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 하한 문턱값 분압보다 낮은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 농도 제어 시스템이면 좋다.
제1 밸브의 개도가 개방 한계 개도로 되는 것에 의해, 농도 제어가 불가능하게 되는 것을 방지하는데에는 온도 제어를 이용하여 재료 가스의 분압을 조정하는 방법 이외의 것을 이용해도 상관없다. 구체적으로, 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서, 상기 도출관 상에 마련되는 제1 밸브와; 상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와; 상기 농도 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정한 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도를 제어하는 농도 제어부와; 상기 제1 밸브의 상류 또는 하류에 설치된 보조 밸브와, 상기 보조 밸브의 개도를 제어하는 보조 밸브 제어부와를 구비하고, 상기 제1 밸브의 개도가, 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 보조 밸브 제어부가 상기 보조 밸브의 개도를 그 시점에서 설정되어 있는 개도보다 개방측의 개도로 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 농도 제어 시스템이면 좋다. 이와 같은 것이면, 제1 밸브가 개방측 한계 개도에 가까워진 경우에는, 보조 밸브의 개도가 개방되는 것에 의해 보조적으로 전압을 추가로 저하시키는 것에 의해, 재료 가스의 분압 저하에 대응하여 농도를 설정 농도에서 일정하게 유지할 수 있다.
재료 가스의 분압이 너무 저하하여 제1 밸브가 개방 한계 개도로 되어도 설정 농도로 할 수 없는 상황이 발생하는 것을 방지하는 것과 동일하게, 재료 가스의 분압이 너무 상승하여 그에 맞추어 전압을 상승시키기 위해 제1 밸브가 폐색 한계 개도로 되어도 설정 농도로 할 수 없는 불편을 회피할 수 있도록 해도 상관없다. 구체적으로, 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서, 상기 도출관 상에 마련되는 제1 밸브와; 상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와; 상기 농도 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정해진 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도를 제어하는 농도 제어부와; 상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와; 상기 온도 조절기에 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비하고, 상기 제1 밸브의 개도가, 가동 범위의 폐색 한계 개도에 기초하여 정해지는 폐색측 문턱값 개도보다 작은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 낮은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 농도 제어 시스템이면 좋다.
혼합 가스에 있어서 재료 가스의 농도가 아니라, 상기 재료 가스의 유량을 거의 일정하게 유지하고 싶은 경우에도, 재료의 감소 등에 의해 재료 가스의 발생량이 감소하는 것에 기인하여, 유량 제어용의 밸브가 개방 한계 개도로 되어도 설정 유량으로 할 수 없는 경우가 있다. 그러한 불편을 방지하려면, 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서, 상기 도입관 상에 마련되는 제2 밸브와; 상기 재료 가스의 유량을 측정하는 재료 가스 유량 측정부와; 상기 재료 가스 유량 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 유량이 미리 정해진 설정 유량으로 되도록 상기 제2 밸브의 개도를 제어하는 재료 가스 유량 제어부와; 상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와; 상기 온도 조절기의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비하고, 상기 제2 밸브의 개도가, 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 유량 제어 시스템이면 좋다. 이와 같은 것이면, 제2 밸브가 개방 한계 개도에 가까워진 경우에는, 탱크 내의 온도를 상승시켜 상기 재료 가스의 발생량을 증가시키고, 상기 제2 밸브의 개도를 가동 범위의 중앙측에서 제어시킬 수 있게 되므로, 재료 가스의 유량이 제어 불능으로 되는 사태를 회피할 수 있어, 항상 일정 유량으로 재료 가스를 흘릴 수 있게 된다.
이와 같이 본 발명의 재료 가스 농도 제어 시스템에 의하면, 농도 제어 중에 있어서 재료 가스의 분압 저하가 발생함에 따라, 제1 밸브의 개도가 개방 한계 개도에 가까워져, 그 이상 농도 제어를 계속할 수 없게 되어 버리기 전에, 상기 온도 설정부가 설정 온도를 상승시켜서, 재료 가스의 분압을 어느 정도 상승시키도록 하므로, 달성해야 할 전압도 상승하고, 상기 제1 밸브의 가동 범위 내에서 확실하게 농도 제어를 행할 수 있어, 상기 제1 밸브가 개방 한계 개도 이상으로 작동하지 않게 되는 것에 의해 농도 제어가 불가능하게 된다고 하는 불편을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 재료 가스 농도 제어 시스템의 모식적 구조.
도 2는 동 실시 형태에 있어서 재료 가스 농도 제어 시스템의 기능 블록도.
도 3은 동 실시 형태에 있어서 재료 가스 농도 제어 시스템의 농도 제어의 동작을 나타내는 플로차트.
도 4는 동 실시 형태에 있어서 재료 가스 농도 제어 시스템의 유량 제어의 동작을 나타내는 플로차트.
도 5는 동 실시 형태에 있어서 재료 가스 농도 제어 시스템의 설정 온도 변경에 의해 제1 밸브의 가동 범위 내에서 농도 제어를 행할 수 있는 것을 나타내는 그래프.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 재료 가스 농도 제어 시스템의 모식적 구조.
도 7은 본 발명의 또다른 실시 형태에 관한 재료 가스 농도 제어 시스템의 모식적 구조.
도 8은 본 발명이 또다른 실시 형태에 관한 재료 가스 농도 제어 시스템의 모식적 구조.
도 2는 동 실시 형태에 있어서 재료 가스 농도 제어 시스템의 기능 블록도.
도 3은 동 실시 형태에 있어서 재료 가스 농도 제어 시스템의 농도 제어의 동작을 나타내는 플로차트.
도 4는 동 실시 형태에 있어서 재료 가스 농도 제어 시스템의 유량 제어의 동작을 나타내는 플로차트.
도 5는 동 실시 형태에 있어서 재료 가스 농도 제어 시스템의 설정 온도 변경에 의해 제1 밸브의 가동 범위 내에서 농도 제어를 행할 수 있는 것을 나타내는 그래프.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 재료 가스 농도 제어 시스템의 모식적 구조.
도 7은 본 발명의 또다른 실시 형태에 관한 재료 가스 농도 제어 시스템의 모식적 구조.
도 8은 본 발명이 또다른 실시 형태에 관한 재료 가스 농도 제어 시스템의 모식적 구조.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시 형태의 재료 가스 농도 제어 시스템(100)은 예를 들어, 반도체 제조 장치의 일종인 MOCVD 성막 장치에 TMIn(트리메틸인듐)을 일정한 농도로 공급하기 위해 이용되는 것이다. 보다 구체적으로, TMIn의 고체 재료를 기화시켜 성막실(成膜室)인 챔버에 공급하는 버블링 시스템(1)에 이용되는 것이다. 또한, TMIn가 청구항에서의 재료에 대응하고, 버블링 시스템(1)이 청구항에서의 재료 기화 시스템에 대응한다. 여기서, 재료는 액체 재료이어도 본 발명은 동일한 효과를 달성할 수 있다. 또, 본 발명의 재료 농도 제어 시스템은 TMIn의 고체 재료가 기화한 재료 가스의 농도 제어로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, CVD 성막 장치 등이나, 반도체 제조 프로세스에 이용되는 웨이퍼 세정 장치의 건조 처리조 내의 IPA(이소프로필 알코올) 농도를 안정하게 공급하기 위해 이용할 수도 있다. 또한, 반도체, FPD, 광 디바이스, MEMS 등의 제조 프로세스로 한정하지 않으며, 버블링 시스템(1)을 이용한 가스 공급 장치에 이용할 수 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이 상기 버블링 시스템(1)은 재료(L)를 저장하는 탱크(13)와, 상기 탱크(13)에 저장된 재료(L) 중에 캐리어 가스를 도입하여 버블링 시키는 도입관(11)과, 상기 탱크(13)에 저장된 재료(L)의 위쪽 공간(N)으로부터 재료(L)가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 도출하는 도출관(12)을 구비한 것이다. 상기 탱크(13)에는 탱크(13) 내의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(T)가 달려 있다.
재료 가스 농도 제어 시스템(100)은 상기 도입관(11)에 마련하고 있고, 캐리어 가스의 유량 제어를 행하기 위한 매스플로우 컨트롤러(3; 유량 제어기)와, 상기 도출관(12)에 마련하고 있고, 혼합 가스 중 재료 가스의 농도 제어를 행하기 위한 농도 컨트롤러(concentration controller, 2; 농도 제어기)로 구성되어 있는 것이다. 본 실시 형태의 농도 컨트롤러(2)는 혼합 가스의 전압을 제어하는 것에 의해 농도 제어를 행하는 것이다. 또한 이와 같은 구성에 더하여, 본 재료 가스 농도 제어 시스템(100)은 추가로, 탱크(13) 내의 온도를 일정하게 유지하기 위한 온도 조절 기구를 구비하고 있다.
이하에서는 도 1 및 도 2를 참조하면서 각 기기에 대해, 농도 컨트롤러(2), 매스플로우 컨트롤러(3), 온도 조절 기구의 순서로 각 부마다 상술한다.
<농도 컨트롤러의 구성>
상기 농도 컨트롤러(2)는 상기 혼합 가스 중 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부(CS)와, 상기 탱크(13) 내의 압력인 혼합 가스의 압력(전압)을 측정하는 압력 측정부인 압력계(22)와, 밸브 본체의 개도에 의해 혼합 가스의 전압을 제어하기 위한 제 1 밸브(23)를 이 순서로 상류로부터 마련하고 있는 것이고, 추가로 농도 컨트롤러 제어부(24)를 구비한 것이다. 여기서, 혼합 가스 중 재료 가스의 농도를 제어하기 위해, 압력계(22)는 제1 밸브(23)보다 상류에 마련해 둘 필요가 있다. 이것은 탱크(13) 내의 전압을 정확하게 측정하여, 혼합 가스 중 재료 가스의 농도를 정확하게 산출하고, 재료(L)의 기화 상태의 변화에 맞출 수 있도록 하기 위함이다.
상기 농도 측정부(CS)는 비분산식 적외선 흡수 방식에 의해 재료 가스의 분압을 측정하는 분압 측정 센서(21), 및 상기 분압 측정 센서(21)에 의해 측정되는 재료 가스의 분압과, 상기 압력계(22)에 의해 측정되는 측정 압력인 전압에 기초하여 혼합 가스 중 재료 가스의 농도를 산출하는 농도 산출부(241)를 구비한 것이다. 여기서, 혼합 가스 중 재료 가스의 농도는 재료 가스의 분압을 혼합 가스의 전압에 의해 나누어서 산출한다. 이와 같은 농도의 산출 방법은 기체의 상태방정식에 기초하여 유도되는 것이다.
상기 농도 컨트롤러 제어부(24)는 상술한 농도 산출부(241), 및 농도 제어부(CC)로 구성되어 있다. 농도 제어부(CC)는 상기 농도 측정부(CS)에 의해 측정된 측정 농도가 미리 정한 설정 농도에 결과적으로 되도록 제1 밸브(23)를 제어하는 것이고, 제1 밸브 제어부(242), 및 상기 제1 밸브 제어부(242)에 설정 압력을 설정하는 설정 압력 설정부(243)로 구성되어 있는 것이다.
제1 밸브 제어부(242)는 상기 압력계(22)에서 측정된 압력(전압)이 설정 압력 설정부(243)에 의해 설정된 압력인 설정 압력으로 되도록 상기 제1 밸브(23)의 개도를 제어하는 것이다.
설정 압력 설정부(243)는 설정 농도가 변경된 후의 일정 기간에 있어서, 설정 압력을 후술하는 전압 산출부(244)에서 산출된 탱크 내 압력인 가설정 압력으로 하는 한편, 그 외의 기간에 있어서는 미리 정한 설정 압력을, 농도 측정부(CS)에 의해 측정된 측정 농도와 설정 농도의 편차가 작아지는 방향으로 변경하는 것이다.
구체적으로, 측정된 측정 농도가 설정 농도보다 높은 경우에, 농도는 분압/전압으로 표현되기 때문에, 전압을 크게 함으로써 농도를 낮출 수 있다. 따라서 측정 농도가 설정 농도보다 높은 경우에, 설정 압력 설정부(243)는 상기 제1 밸브 제어부(242)에 대해 전압을 크게 하도록 설정 압력을 변경한다. 그 결과, 상기 제1 밸브 제어부(242)는 제1 밸브(23)의 개도를 작게 하도록 제어하게 된다. 측정된 측정 농도가 설정 농도보다 낮은 경우에는, 그 반대를 행하게 된다.
이와 같이 측정 농도와 설정 농도의 편차가 작아지는 방향으로 설정 압력의 변경을 행하는 것은, 측정 농도가 설정 농도보다 높은 경우에 설정 압력을 보다 높게 변경하고, 측정 농도가 설정 농도보다 낮은 경우에 설정 압력을 보다 낮게 변경하는 것을 말한다.
또한, 농도 컨트롤러 제어부(24)는 컴퓨터를 이용한 것이며, 내부 버스, CPU, 메모리, I/O 채널, A/D 컨버터, D/A 컨버터 등을 구비하고 있다. 그리고 메모리에 미리 기억시킨 소정 프로그램에 따라서 상기 CPU나 주변 기기가 동작하는 것에 의해, 제1 밸브 제어부(242), 상기 농도 산출부(241), 상기 설정 압력 설정부(243)로서의 기능을 발휘하도록 되어 있다. 여기서, 제1 밸브 제어부(242)만이 독립한 원 칩(one chip) 마이크로컴퓨터 등의 제어 회로에 의해 구성되고, 설정 압력을 접수하도록 되어 있고, 상기 압력계(22) 및 상기 제1 밸브(23)를 1개 유닛으로서 설정 압력을 입력하는 것만으로 용이하게 압력 제어를 행할 수 있도록 구성되어 있다. 이와 같은 제어부의 구성이면, 종래부터 압력 제어용으로 개발된 제어 회로나 소프트웨어를 농도 제어를 위해 이용할 수 있으므로, 설계나 개발비의 증대를 방지할 수 있다.
이와 같이 농도 컨트롤러(2)는 혼합 가스의 농도 제어를 단체(單體)로 행하고 있는 것이다.
<매스플로우 컨트롤러의 구성>
다음에, 매스플로우 컨트롤러(3)에 대해 각 부에 대해 설명한다. 상기 매스플로우 컨트롤러(3)는 상기 도입관(11)에 유입하는 캐리어 가스의 질량 유량을 측정하는 유량 측정부인 서멀식 유량계(31)와, 밸브 본체의 개도에 의해 캐리어 가스의 유량을 조절하는 제2 밸브(32)를 이 순서로 상류로부터 마련하고 있는 것이고, 추가로 매스플로우 컨트롤러 제어부(33)를 구비한 것이다. 유량 측정부는 차압식의 것을 이용해도 좋다.
상기 매스플로우 컨트롤러 제어부(33)는 상기 서멀식 유량계(31)로부터의 신호에 기초하여 캐리어 가스의 유량을 산출하는 캐리어 가스 유량 산출부(331)와, 상기 재료 가스의 측정 농도 및 상기 캐리어 가스의 측정 유량에 기초하여, 상기 도출관(12)을 흐르는 재료 가스 또는 혼합 가스의 유량을 산출하고, 그 산출 유량이 미리 정한 설정 유량으로 되도록 제2 밸브(32)의 개도를 제어하는 유량 제어부(FC)로 구성되어 있다.
상기 유량 제어부(FC)는 제2 밸브 제어부(332), 및 상기 제2 밸브 제어부(332)에 설정 유량을 설정하는 설정 캐리어 가스 유량 설정부(333)를 구비한 것이다.
상기 제2 밸브 제어부(332)는 측정된 측정 캐리어 가스 유량이 설정 캐리어 가스 유량 설정부(333)에 의해 설정된 설정 캐리어 가스 유량으로 되도록 상기 제2 밸브(32)의 개도를 제어하는 것이다.
상기 설정 캐리어 가스 유량 설정부(333)는 상기 산출 유량과 설정된 설정 유량의 편차가 작아지는 방향으로 미리 정한 설정 캐리어 가스 유량을 변경하는 것이다. 상기 산출 유량과 설정된 설정 유량의 편차를 작게 하는 것에 대해, 구체적으로 설명하면, 재료 가스 또는 혼합 가스의 산출 유량이 재료 가스 또는 혼합 가스의 설정 유량보다 많은 경우에는, 상기 농도 제어부(CC)에 의해 농도가 일정하게 유지되고 있다고 가정하고, 유입하는 캐리어 가스의 유량을 줄이도록 상기 제2 밸브 제어부(332)에 대해 설정 캐리어 가스 유량을 변경하게 된다. 산출된 산출 유량이 설정 유량보다 적은 경우에는, 그 반대를 행하게 된다. 이것은 농도가 분압/전압으로 표현되기 때문에, (재료 가스의 질량 유량)/(전체 질량 유량=재료 가스의 질량 유량+캐리어 가스의 질량 유량)으로도 표현되므로, 농도가 일정하게 유지되고 있다면, 캐리어 가스의 질량 유량의 증감이 그대로 재료 가스의 질량 유량 및 전체 유량을 증감시킬 수 있기 때문이다. 또한, 산출 유량이 설정 유량보다 적은 경우에는, 많은 경우와 반대인 동작을 행하게 된다.
또한, 캐리어 가스 유량 산출부(331) 및 제2 밸브 제어부(332)는 CPU, 메모리, I/O 채널, A/D 컨버터, D/A 컨버터 등을 구비한 제어 회로(BF) 등에 의해 기능하는 것이다. 이 제어 회로(BF)는 유량 제어용으로 특화한 것이고, 매스플로우 컨트롤러(3)가 제어해야 할 유량의 값인 유량 설정값의 신호나 상기 서멀식 유량계(31)로부터의 신호를 접수하도록 구성되어 있는 것이다. 또, 상기 설정 캐리어 가스 유량 설정부(333)는 범용의 원 칩 마이크로컴퓨터 등에 의해 그 기능이 실현되는 것이다.
이와 같이 매스플로우 컨트롤러(3)는 도입관(11)에 있어서 캐리어 가스의 유량 제어만을 행하고, 결과적으로 재료 가스 또는 혼합 가스의 유량 제어를 행하고 있는 것이다.
<농도 컨트롤러, 매스플로우 컨트롤러의 동작>
다음에, 혼합 가스 중의 재료 가스 농도의 제어 동작, 및 혼합 가스 및 재료 가스의 유량의 제어 동작에 대해 도 3, 도 4의 플로차트를 참조하면서 설명한다.
우선, 설정된 설정 농도로 되도록 제1 밸브(23)의 개도를 제어하는 것에 의해 농도 제어를 행할 때의 동작에 대해 도 3을 참조하면서 설명한다.
상기 분압 측정 센서(21)에 의해 측정된 재료 가스의 분압과, 상기 압력계(22)에 의해 측정되는 혼합 가스의 전압에 의해, 농도 산출부(241)는 혼합 가스에 있어서 재료 가스의 농도를 식 (1)에 의해 산출한다.
C=Pz/Pt (1)
여기서, C는 농도, Pz는 재료 가스의 분압, Pt는 혼합 가스의 전압.
통상 운전 시에 있어서, 농도 측정부에 의해 측정된 농도가 설정 압력 설정부(243)에 설정된 설정 농도와 다른 경우에는, 상기 분압 측정 센서(21)에 의해 측정된 재료 가스의 분압(Pz)과 설정 농도(C0)에 기초하여 식 (2)에 의해, 설정 압력 설정부(243)는 다음과 같이 설정 압력(Pt0)을 변경한다(단계 S1).
Pt0=Pz/C0 (2)
여기서, Pz는 상기 분압 측정 센서(21)에 의해 항상 측정되어 있는 값이고, C0은 설정되어 있는 농도이므로 이미 알고 있다.
상기 제1 밸브 제어부(242)는 설정 압력이 Pt0로 변경되면, 상기 압력계(22)가 측정하는 압력(전압; Pt)과 설정 압력(Pt0)의 편차가 작아지도록 제1 밸브(23)의 개도를 제어한다(단계 S2).
상기 측정 압력(Pt)을 설정 압력(Pt0)에 추종시키고 있는 동안에 재료 가스의 분압(Pz)이 변동하지 않으면 최종적으로 측정되는 혼합 가스 중 재료 가스의 농도는 설정 농도(C0)로 된다.
추종 중에, 재료 가스의 분압(Pz)이 변동한 경우에, 설정 압력 설정부(243)는 식 (2)에 의해 다시 설정 압력(Pt0)을 재변경하여, 설정 농도(C0)로 되도록 한다.
다음에 도출관(12)에 있어서 재료 가스 또는 전체 유량의 유량 제어에 대해 도 4를 참조하면서 설명한다. 또한, 상술한 컨트롤러(2)의 농도 제어에 관계없이, 매스플로우 컨트롤러(3)는 캐리어 가스의 유량의 제어를 행하고 있다.
재료 가스의 설정 유량(Qz0)이 설정 캐리어 가스 유량 설정부(333)에 설정되어 있는 것으로 한다. 우선, 유량과 농도 사이에는 이하의 식 (3)과 같은 관계가 있다.
C=Pz/Pt=Qz/Qt=Qz/(Qc+Qz) (3)
여기서 Qz는 재료의 질량 유량, Qt는 혼합 가스의 질량 유량, Qc는 캐리어 가스의 질량 유량이다.
상기 설정 캐리어 가스 유량 설정부(333)는 식 (3)을 변형한 이하의 식 (4)에 의해 설정 캐리어 가스 유량(Qc0)을 설정한다(단계 ST1).
Qc0=Qz0(1-C)/C (4)
여기서, 농도(C)는 농도 측정부(CS)에 의해 항상 측정되어 있는 값이고, Qz0도 설정되어 있는 값이므로 이미 알고 있다.
상기 제2 밸브 제어부(332)는 설정 캐리어 가스 유량이 Qc0로 변경되면, 상기 유량 측정부에서 측정된 캐리어 가스 유량(Qc)과 설정 캐리어 가스 유량(Qc0)의 편차가 작아지도록 제2 밸브(32)의 개도를 제어한다(단계 ST2).
상기 측정 캐리어 가스 유량(Qc)을 설정 캐리어 가스 유량(Qc0)에 추종시키고 있는 동안에 농도(C)가 변동하지 않으면 최종적으로 측정되는 측정 캐리어 가스의 유량은 설정 캐리어 가스 유량(Qc0)으로 된다.
추종 중에, 농도(C)가 변동한 경우에는, 식 (4)에 의해, 설정 캐리어 가스 유량 설정부(333)는 다시 설정 캐리어 가스 유량(Qc0)을 재설정하고, 소정의 재료 가스 유량(Qz0)으로 되도록 한다.
이와 같이 상기 농도 컨트롤러(2) 및 상기 매스플로우 컨트롤러(3)가 협업함으로써, 제1 밸브(23)에 의해 용이하게 제어할 수 있는 전압을 제어 변수로 하여 농도 제어를 행하도록 구성되어 있으므로, 재료 가스가 포화 증기압까지 충분히 기화하지 않거나, 기화에 변동이 있다고 해도, 혼합 가스 중 재료 가스의 농도를 설정 농도에서 일정하게 유지할 수 있다.
<온도 조절 기구의 구성>
다음에 온도 조절 기구(4)의 구성 및 그 동작에 대해 설명한다. 상기 온도 조절 기구(4)는 상기 버블링 시스템(1)의 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기(41)와, 상기 온도 조절기(41)의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부(42)로 구성되어 있다.
상기 온도 조절기(41)는 히터이며, 상기 온도 센서(T)로부터 탱크 내의 온도를 취득하고, 그 측정 온도가 설정 온도로 되도록 온 오프 제어를 행하는 것이다. 또, 온도 조절기(41) 및 탱크의 주위는 단열조로 둘러싸여 있다. 상기 온도 조절기(41)는 PID 제어에 의해 탱크 내의 온도를 일정하게 유지하는 것이어도 상관없다.
상기 온도 설정부(42)는 상기 제1 밸브(23)의 개도가 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하도록 구성되어 있다.
보다 구체적으로, 상기 온도 설정부(42)는 컴퓨터 등에 의해 그 기능이 실현되는 것으로서, 상기 제1 밸브(23)의 개도를 취득하고, 그 측정된 개도가 상기 개방측 문턱값 개도를 넘고 있는지의 여부에 대해 비교를 행하는 개도 비교부(421)와, 상기 개도 비교부(421)에 있어서 측정 개도가 상기 개방측 문턱값 개도를 넘고 있는 경우에는, 설정 온도를 현상보다 높은 온도로 변경하는 온도 변경부(422)로 구성되는 것이다.
상기 개도 비교부(421)는 설정하는 개방측 문턱값 개도를, 재료의 특성이나 시간 경과에 있어서 개도의 변화율에 기초하여 변경하도록 구성되어 있다. 구체적으로, 상기 개도 비교부(421)는 제1 밸브(23) 개도의 변화율이 클수록, 그에 상관하여 상기 개방 한계 개도와 상기 개방측 문턱값 개도의 차의 절대값이 커지도록 상기 개방측 문턱값 개도를 설정하는 것이다. 그리고 상기 제1 밸브(23)의 개도가 상기 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 온도 변경부(422)에 그 취지를 전달하는 신호를 송신한다.
상기 온도 변경부(422)는 상기 제1 밸브(23)의 개도가 상기 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에, 현재 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 설정 온도로 변경하는 것이다. 현상보다 높은 온도에 설정 온도를 설정한다는 것은 본 실시 형태의 경우, 미리 정한 온도분만큼 상승시키도록 되어 있다. 예를 들어, 상기 제1 밸브(23) 개도의 가동 범위에 대해 거의 중앙값 근방에서 농도 제어가 행해지게 설정 온도를 상승시키도록 구성되어 있다.
이와 같이 구성된 재료 가스 농도 제어 시스템(100)에 있어서, 탱크(3)로부터 발생하는 재료 가스의 분압이 저하한 경우 상기 온도 조절 기구(4)의 동작에 대해 설명한다.
상기 농도 컨트롤러(2)에 의해 재료 가스의 농도가 설정 농도에서 일정하게 유지되고 있으면, 시간이 경과함에 따라, 재료량의 감소 등에 기인하여 재료로부터 기화하는 가스의 양이 감소하게 된다. 재료 가스의 발생량이 감소하면, 탱크(13) 내에서 재료 가스의 분압이 저하한다. 상기 농도 컨트롤러(2)는 농도를 일정하게 유지하기 위해, 재료 가스의 분압 감소에 맞추어 혼합 가스의 전압을 저하시키도록 상기 제1 밸브(23)의 개도를 개방측으로 크게 하도록 제어한다.
상기 개도 비교부(421)는 설정 농도로 재료 가스의 농도가 일정하게 유지되고 있고, 상기 제1 밸브(23)의 개도가 개방측 문턱값 개도에 도달하고 있지 않는 동안은 상기 제1 밸브(23) 개도의 변화율을 모니터링하고 있고, 그 샘플링 주기 또는 일정 주기마다 변화율에 기초하여 상기 개방측 문턱값 개도를 변경한다. 그리고 상기 개도 비교부(421)가 상기 제1 밸브(23)의 개도와 개방측 문턱값 개도와 비교하여, 개방측 문턱값 개도를 넘었다고 판단하면 그 취지를 상기 온도 변경부(422)에 송신한다.
상기 온도 변경부(422)는 현재 설정되어 있는 설정 온도로부터 미리 정해진 소정값만큼 설정 온도를 상승시켜 새로운 설정 온도로 변경한다.
이와 같이 설정 온도가 변경되는 것에 의해, 상기 제1 밸브(23)가 항상 가동 범위 내에서 농도 제어를 행할 수 있는 이유에 대해 도 5를 이용하여 설명한다. 도 5는 횡축에 설정 농도, 종축에 혼합 가스의 전압을 취하는 것과 아울러, 파선으로 제1 밸브(23)의 개방 한계 개도에 있어서 전압을, 1점 쇄선으로 제1 밸브(23)의 폐색 한계 개도에 있어서 전압을 나타내고 있고, 그 파선과 1점 쇄선으로 둘러싸인 영역에 의해 제1 밸브(23)의 가동 범위에서 달성할 수 있는 전압의 범위를 나타내는 것이다. 또, 실선에 의해 그려지는 곡선은 어느 온도에 있어서 재료 가스의 분압(Pz)이 일정한 경우의 곡선이며, 식 Pt=Pz/C에 기초하여 그려지는 것이다. 또한, 하측에 그려지는 곡선은 재료 가스의 온도가 15℃일 때의 것이고, 상측에 그려지는 곡선은 재료 가스의 온도가 25℃일 때의 것이다.
도 5에 나타내는 바와 같이 만일 설정 농도가 0.25%일 때에는 15℃의 곡선의 경우 개방 한계 개도를 넘어 버리기 때문에, 제1 밸브(23)에서는 달성할 수 없는 전압으로 되어 농도 제어가 불가능하게 되어 버린다. 그렇지만 도 5에 나타나는 개방측 문턱값 개도에 있어서, 설정 온도를 변경하여 25℃로 하면, 설정 농도가 0.25%일 때에는 도 5에 나타나는 바와 같이 가동 범위 내에서 달성할 수 있는 전압이므로, 설정 농도로 제어할 수 있다.
이와 같이 본 실시 형태의 재료 가스 농도 제어 시스템(100)에 의하면, 재료 가스의 농도 및 유량을 일정하게 유지하도록 제어를 계속 하고 있는 동안에 재료 가스의 분압이 저하하더라도, 상기 온도 조절 기구(4)는 상기 제1 밸브(23)의 개도가 개방측 문턱값 개도를 넘은 시점에서, 설정 온도를 보다 높은 온도로 변경하여, 재료 가스의 분압을 상승시켜 제1 밸브(23)의 가동 범위 내에서 농도 제어를 행할 수 있도록 할 수 있다. 따라서 개방 한계 개도에 도달함으로써, 농도 제어가 불가능하게 된다고 하는 불편을 방지할 수 있고, 항상 재료 가스 농도를 일정하게 유지할 수 있게 된다.
또, 재료 가스의 발생 상황이나, 그 잔량 등 다양한 요인에 의해 변화하는 탱크(13) 내의 온도를 항상 극히 짧은 시간에 일정값으로 제어하는 것은 어렵지만, 본 실시 형태의 상기 온도 조절 기구(4)는 상기 제1 밸브(23)의 개도가 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에 설정 온도를 변경하여 대략적으로 탱크 내의 온도를 상승시키는 구성으로 되어 있으므로, 매우 단순한 온도 제어를 행하는 것만으로 충분하고, 목적으로 하는 제어를 달성하기 쉽다. 즉, 염가의 온도 조절 장치이어도 충분히 본 실시 형태의 목적인 제1 제어 밸브(23)의 가동 범위를 넘는 제어 지령이 나와서, 멈추어 버리는 것을 방지할 수 있다.
그 외의 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 설명에서 상기 실시 형태에 대응하는 부재에는 동일한 부호를 첨부하는 것으로 하고 있다.
상기 실시 형태에서는 혼합 가스의 전압이 설정 압력으로 되도록 제1 밸브(23)를 제어하는 것에 의해 혼합 가스 중 재료 가스의 농도를 제어하고 있었지만, 농도 측정부(CS)에 의해 측정된 농도를 제어 변수로 하여, 설정 농도로 되도록 제1 밸브(23)를 제어해도 상관없다.
상기 실시 형태에서는 재료 가스의 농도뿐만 아니라, 그 유출 유량도 아울러 제어하도록 하고 있지만, 농도만을 제어해도 되는 것이며, 매스플로우 컨트롤러(3)를 마련하지 않고, 농도 컨트롤러(2)에 의해서만 제어를 행하도록 해도 상관없다. 즉, 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서, 상기 도출관 상에 설치된 제1 밸브와, 상기 혼합 가스에 있어서 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와, 상기 농도 측정부에서 측정된 재료 가스의 측정 농도가 미리 정한 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도를 제어하는 농도 제어부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 재료 가스 농도 제어 시스템이어도 상관없다.
이와 같은 것으로도, 농도 측정부에 의해 혼합 가스에 있어서 재료 가스의 농도 그 자체를 측정하고, 농도 제어부에 의해 미리 정한 설정 농도로 되도록 제1 밸브의 개도를 제어하므로, 탱크 내에서 재료가 포화 증기압에서 기화하고 있지 않는 경우나, 버블링 상태가 변화하는 경우 등에 있어서 재료 가스의 발생양이 변동해도, 그 변동과는 관계없이 농도를 일정하게 유지할 수 있다.
상기 농도 측정부(CS)는 분압과 전압에 의해 농도를 산출하는 것이었지만, 직접 농도를 측정하는 것이어도 상관없다. 또, 분압 측정 센서(21)로서는 비분산식 적외선 흡수 방식으로 한정되지 않으며, FTIR 분광 방식이나 레이저 흡수 분광 방식 등이어도 상관없다.
재료 가스의 유량 제어를 행하는 것은 설정된 설정 유량과, 측정되는 농도 및 측정되는 캐리어 가스 유량에 기초하여 산출되는 재료 가스의 산출 유량의 편차가 작아지도록 제2 밸브(32)를 제어하도록 해도 상관없다.
혼합 가스 중 재료 가스의 농도만을 정밀도 좋게 제어하면 되며, 유량은 어느 정해진 값은 아니어도 안정적으로 흐르는 것만으로 좋은 경우에는, 도 6에 나타내는 바와 같이 농도 컨트롤러(2)로부터 매스플로우 컨트롤러(3)로 측정 농도를 피드백하지 않고, 유량 제어를 행하도록 해도 상관없다. 이 경우, 설정 캐리어 가스 유량은 설정 농도 및 설정 유량으로부터 식 (3)에 기초하여 산출하도록 하면 좋다. 또, 설정 캐리어 가스 유량을 미리 정해 두고, 그 유량으로 캐리어 가스가 흐르도록 해도, 농도 컨트롤러(2)에 의해 농도가 일정하게 유지되고 있다면, 결과적으로 재료 가스 또는 혼합 가스의 유량도 일정하게 된다. 설정 캐리어 가스 유량을 미리 정한 경우에는, 상기 설정 캐리어 가스 유량 설정부(333)를 생략한 구성으로 하고, 상기 제2 밸브 제어부(332)에 직접 설정 캐리어 가스 유량을 입력하는 구성으로 하면 된다.
또, 상기 실시 형태에서는 농도 측정부가 혼합 가스의 전압을 측정하는 압력계와 분압 측정 센서를 구비한 것이었지만, 농도 측정부가 초음파 농도계 등과 같이 단체로 농도를 측정하는 것이어도 상관없다. 또, 농도를 측정하기 위한 압력계와 제1 밸브를 제어하기 위해 이용하는 압력계를 공통으로 이용하고 있었지만, 각각이 별개로 마련하고 있는 것이어도 상관없고, 농도 측정부가 전술과 같이 전압을 이용하지 않는 것이어도 상관없다.
상기 실시 형태에서는 상기 제1 밸브(23)의 개도를 상기 온도 조절 기구(4)가 모니터링하는 것에 의해, 설정 온도를 변경하는 것이었지만, 상기 재료 가스의 분압을 모니터링하는 것에 의해 설정 온도를 적절히 변경하는 것이어도 좋다. 구체적으로, 도 7에 나타내는 바와 같이 상기 분압 측정 센서(21)에 의해 측정되는 분압이, 상기 제1 밸브(23)의 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 하한 문턱값 분압보다 낮은 경우에는, 상기 온도 설정부(42)가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것이어도 좋다. 이와 같은 구성에서는 상기 제1 밸브(23) 개도의 모니터링을 행할 필요없이, 분압 측정 센서(21)의 값을 그대로 이용함으로써, 제1 밸브(23)가 멈추어 버리는 불편을 방지할 수 있다.
또 재료 가스의 분압을 모니터링하여 설정 온도를 변경하는 것 외에도, 예를 들어, 압력계로부터 출력되는 혼합 가스의 전압을 모니터링하여, 개방 한계 개도에 기초하여 정한 하한 문턱값 전압보다 측정 전압이 낮은 경우에는, 설정 온도를 변경하도록 구성해도 상관없다.
상기 실시 형태에서는 상기 탱크(13) 내의 온도를 변경하는 것에 의해 재료 가스의 분압을 상승시키고, 상기 제1 밸브(23)의 가동 범위 내에서 제어할 수 있도록 하고 있었지만, 재료 가스의 분압을 변화시키는 것 외의 방법을 취해도 상관없다. 즉, 도 8에 나타내는 바와 같이 상기 제1 밸브(23)의 상류 또는 하류에 마련된 보조 밸브(5)와, 상기 보조 밸브(5)의 개도를 제어하는 보조 밸브 제어부(6)를 구비하고, 상기 제1 밸브(5)의 개도가 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 보조 밸브 제어부(6)가 상기 보조 밸브(5)의 개도를 그 시점에서 설정되어 있는 개도보다 개방측의 개도로 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 농도 제어 시스템(100)이어도 상관없다.
보다 구체적으로, 상기 도출관(12)에 접속되는 반응실 등의 챔버(C)에 마련하고 있는 보조 밸브(5)를 이용하여, 제1 밸브(23)의 개도가 개방측 문턱값 개도로 된 경우에는, 상기 보조 밸브(5)를 개방하여 보다 전압을 저하할 수 있도록 구성되어 있으면 좋다. 또, 상기 제1 밸브(23)의 개도를 모니터링하는 것이 아니라, 재료 가스의 분압을 모니터링하도록 해도 상관없다. 또한, 보조 밸브(5)는 도출관(12)에 마련하고 있는 것이어도 상관없다.
상기 실시 형태에서는 제1 밸브가 개방 한계 개도로 되어 버리는 것을 방지하는 것을 의도한 구성으로 하고 있지만, 반대로 폐색 한계 개도로 되어 버리는 것을 방지하는 것이어도 상관없다. 구체적으로, 상기 제1 밸브의 개도가 가동 범위의 폐색 한계 개도에 기초하여 정해지는 폐색측 문턱값 개도보다 작은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 낮은 온도로 설정 온도를 변경하도록 구성되어 있으면 좋다. 이와 같은 것이면, 예를 들어, 재료 가스의 분압이 너무 높아져 버려, 상기 제1 밸브의 가동 범위에서는 분압에 대응한 전압을 달성할 수 없다고 하는 불편을 방지할 수 있다.
개방측 문턱값 개도는 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 것이면 좋다. 예를 들어, 개방 한계 개도와 가동 범위의 중앙값 사이에 있는 개도 등이어도 좋다. 또, 기존의 재료 가스 농도 제어 시스템 등에, 상기 온도 설정부 및 상기 농도 제어부로서의 기능을 발휘시키는 프로그램을 인스톨해도 좋다. 또, 상기 실시 형태에서는 개도 자체를 모니터링해 두고, 그 개도에 대해 문턱값을 마련하고 있었지만, 예를 들어, 측정되는 개도의 변화율 자체에 상한 문턱값 변화율을 설정해 두고, 그 상한 문턱값 변화율을 넘은 경우에는, 설정 온도를 상승시키도록 구성되어 있는 것이어도 상관없다. 이 경우, 변화율은 절대값만을 보는 것이어도 좋고, 부호도 고려하는 것이어도 상관없다. 또, 상기 개방측 문턱값 개도는 상기 제1 밸브 개도의 변화율에 따라 변경되는 것이 아니라, 항상 고정되어 있는 것이어도 상관없다. 예를 들어, 상기 개방 한계 개도의 95%를 상기 개방측 문턱값 개도로 하는 등과 같이, 상기 개방측 문턱값 개도가 상기 개방 한계 개도의 소정 비율의 개도로 고정되어 있는 것이어도 상관없다.
상기 실시 형태에서는 재료 가스의 농도를 일정하게 유지할 때에 있어서 재료 가스의 발생량이 감소하여, 상기 제1 밸브의 개도가 개방 한계 개도로 되어 농도 제어가 불가능하게 되는 것을 방지하는 것을 목적으로 하고 있었지만, 예를 들어, 재료 가스의 유량이 일정하게 되도록 유량 제어를 행하고 있을 때와 동일하게 유량 제어용 밸브의 개도가 개방 한계 개도로 되어 유량을 일정하게 유지할 수 없게 되는 것을 방지하도록 해도 좋다. 구체적으로, 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서, 상기 도입관 상에 마련되는 제2 밸브와, 상기 재료 가스의 유량을 측정하는 재료 가스 유량 측정부와, 상기 재료 가스 유량 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 유량이 미리 정해진 설정 유량으로 되도록 상기 제2 밸브의 개도를 제어하는 재료 가스 유량 제어부와, 상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와, 상기 온도 조절기의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비하고, 상기 제2 밸브의 개도가, 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 유량 제어 시스템이면 좋다. 이와 같은 것이면, 탱크의 온도를 상승시키는 것에 의해 큰 재료 가스의 유량을 확보할 수 있도록 하여, 상기 제2 밸브의 개도가 개방 한계 개도로 되는 것을 방지하는 것과 아울러, 상기 제2 밸브의 개도가 중앙값측에 있어서, 작동되어 미세한 유량의 제어를 행할 수 있도록 하는 것에 의해 재료 가스의 유량을 항상 일정하게 할 수 있다. 상기 재료 가스 유량 측정부로서는 예를 들어, 캐리어 가스 유량 측정부, 및 상기 농도 측정부로 구성되고, 상기 식 (3)에 기초하여 재료 가스의 유량을 측정하는 것이면 좋다.
재료는 상기 실시 형태에서는 고체의 재료였지만, 액체의 재료이어도 상관없다.
그 외, 본 발명의 취지에 반하지 않는 범위에 있어서, 여러 가지의 변형이나 실시 형태의 조합을 행해도 상관없다.
본 발명의 재료 가스 농도 제어 시스템에 의하면, 농도 제어 중에 있어서 재료 가스의 분압 저하가 발생하는 것에 의해, 제1 밸브의 개도가 개방 한계 개도에 가까워져, 그 이상 농도 제어를 계속할 수 없게 되어 버리기 전에, 상기 온도 설정부가 설정 온도를 상승시켜서, 재료 가스의 분압을 어느 정도 상승시키도록 하기 때문에, 달성해야 할 전압도 상승하고, 상기 제1 밸브의 가동 범위 내에서 확실하게 농도 제어를 행할 수 있어, 상기 제1 밸브가 개방 한계 개도 이상으로 되어 작동하지 않게 되는 것에 의해 농도 제어가 불가능하게 된다고 하는 불편을 방지할 수 있다.
Lㆍㆍㆍ재료
1ㆍㆍㆍ재료 기화 시스템(버블링 시스템)
11ㆍㆍㆍ도입관
12ㆍㆍㆍ도출관
13ㆍㆍㆍ탱크
23ㆍㆍㆍ제1 밸브
CSㆍㆍㆍ농도 측정부
CCㆍㆍㆍ농도 제어부
41ㆍㆍㆍ온도 조절기
42ㆍㆍㆍ온도 설정부
5ㆍㆍㆍ보조 밸브
1ㆍㆍㆍ재료 기화 시스템(버블링 시스템)
11ㆍㆍㆍ도입관
12ㆍㆍㆍ도출관
13ㆍㆍㆍ탱크
23ㆍㆍㆍ제1 밸브
CSㆍㆍㆍ농도 측정부
CCㆍㆍㆍ농도 제어부
41ㆍㆍㆍ온도 조절기
42ㆍㆍㆍ온도 설정부
5ㆍㆍㆍ보조 밸브
Claims (5)
- 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화(氣化)시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서,
상기 도출관 상에 마련되는 제1 밸브와,
상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와,
상기 농도 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정해진 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도(開度)를 제어하는 농도 제어부와,
상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와,
상기 온도 조절기의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비하고,
상기 제1 밸브의 개도가, 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 농도 제어 시스템. - 청구항 1에 있어서,
상기 문턱값이 상기 제1 밸브 개도의 변화율에 따라 변경되는 재료 가스 농도 제어 시스템. - 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서,
상기 도출관 상에 마련되는 제1 밸브와,
상기 재료 가스의 분압(分壓)을 측정하는 분압 측정 센서와, 상기 혼합 가스의 전압(全壓)을 측정하는 전압 측정 센서를 구비하고, 상기 분압과 상기 전압에 기초하여 상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와,
상기 농도 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정한 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도를 제어하는 농도 제어부와,
상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와,
상기 온도 조절기에 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비하고,
상기 분압 측정 센서에 의해 측정되는 분압이, 상기 제1 밸브의 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 하한 문턱값 분압보다 낮은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 농도 제어 시스템. - 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것으로서,
상기 도입관 상에 마련되는 제2 밸브와,
상기 재료 가스의 유량을 측정하는 재료 가스 유량 측정부와,
상기 재료 가스 유량 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 유량이 미리 정해진 설정 유량으로 되도록 상기 제2 밸브의 개도를 제어하는 재료 가스 유량 제어부와,
상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와,
상기 온도 조절기의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비하고,
상기 제2 밸브의 개도가, 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 유량 제어 시스템. - 재료를 수용하는 탱크와, 수용된 상기 재료를 기화시키는 캐리어 가스를 상기 탱크에 도입하는 도입관과, 상기 재료가 기화한 재료 가스 및 상기 캐리어 가스의 혼합 가스를 상기 탱크로부터 도출하는 도출관을 구비한 재료 기화 시스템에 이용되는 것이고,
상기 도출관 상에 마련되는 제1 밸브와, 상기 혼합 가스에 있어서 상기 재료 가스의 농도를 측정하는 농도 측정부와, 상기 농도 측정부에서 측정된 상기 재료 가스의 측정 농도가 미리 정해진 설정 농도로 되도록 상기 제1 밸브의 개도를 제어하는 농도 제어부와, 상기 탱크 내의 온도를 설정 온도로 되도록 온도 조절하는 온도 조절기와, 상기 온도 조절기의 설정 온도를 설정하는 온도 설정부를 구비한 재료 가스 농도 제어 시스템에 이용되는 프로그램으로서,
상기 제1 밸브의 개도가, 가동 범위의 개방 한계 개도에 기초하여 정해지는 개방측 문턱값 개도를 넘은 경우에는, 상기 온도 설정부가 그 시점에서 설정되어 있는 설정 온도보다 높은 온도로 설정 온도를 변경하는 것을 특징으로 하는 재료 가스 농도 제어 시스템용 프로그램.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009293533A JP5419276B2 (ja) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 材料ガス濃度制御システム及び材料ガス濃度制御システム用プログラム |
JPJP-P-2009-293533 | 2009-12-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110074459A true KR20110074459A (ko) | 2011-06-30 |
KR101685711B1 KR101685711B1 (ko) | 2016-12-12 |
Family
ID=44185995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100132410A KR101685711B1 (ko) | 2009-12-24 | 2010-12-22 | 재료 가스 농도 제어 시스템 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8459291B2 (ko) |
JP (1) | JP5419276B2 (ko) |
KR (1) | KR101685711B1 (ko) |
CN (1) | CN102156489B (ko) |
DE (1) | DE102010056004A1 (ko) |
TW (1) | TWI518745B (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150141252A (ko) * | 2014-06-09 | 2015-12-18 | (주)지오엘리먼트 | 기화량을 안정적으로 제어할 수 있는 캐니스터와 기화 시스템 |
US11550341B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-01-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow control system, and semiconductor manufacturing equipment and vaporizer including the system |
KR20230062519A (ko) * | 2014-10-07 | 2023-05-09 | 램 리써치 코포레이션 | 비말 동반된 증기를 측정하기 위한 시스템들 및 방법들 |
Families Citing this family (253)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
JP5647083B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2014-12-24 | 株式会社フジキン | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 |
DE102012210332A1 (de) * | 2012-06-19 | 2013-12-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Ald-beschichtungsanlage |
US9243325B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-01-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof |
CN102788740B (zh) * | 2012-08-09 | 2014-04-16 | 天津开发区合普工贸有限公司 | 精确控制浓度的挥发气体扩散检测设备 |
JP5969869B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-08-17 | 株式会社堀場エステック | 流量制御装置及び流量制御装置用プログラム |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
WO2014078750A1 (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Entegris - Jetalon Solutions, Inc. | Controlling mixing concentration |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9454158B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-27 | Bhushan Somani | Real time diagnostics for flow controller systems and methods |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
JP6435175B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2018-12-05 | 株式会社堀場エステック | 分解検出装置、分解検出方法、分解検出装置用プログラム、濃度測定装置、及び、濃度制御装置 |
KR101652469B1 (ko) * | 2015-02-27 | 2016-08-30 | 주식회사 유진테크 | 다중 가스 제공 방법 및 다중 가스 제공 장치 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
JP6477075B2 (ja) | 2015-03-17 | 2019-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置及び成膜装置 |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
CN105116931A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-12-02 | 首钢京唐钢铁联合有限责任公司 | 一种氢氮混合站的氢气控制方法及系统 |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
KR102493037B1 (ko) * | 2016-08-05 | 2023-01-31 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 가스 제어 시스템 및 그 가스 제어 시스템을 구비한 성막 장치 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) * | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10983538B2 (en) | 2017-02-27 | 2021-04-20 | Flow Devices And Systems Inc. | Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) * | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102607020B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2023-11-29 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 농도 제어 장치 및 재료 가스 공급 장치 |
JP7154850B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2022-10-18 | 株式会社堀場エステック | 濃度制御装置及び材料ガス供給装置 |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
CN109283023B (zh) * | 2018-11-06 | 2024-04-16 | 华北电力大学(保定) | 模拟烟气含量对三氧化硫浓度影响的实验装置及使用方法 |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP7281285B2 (ja) | 2019-01-28 | 2023-05-25 | 株式会社堀場エステック | 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11519070B2 (en) * | 2019-02-13 | 2022-12-06 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Vaporization device, film formation device, program for a concentration control mechanism, and concentration control method |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
JP7543030B2 (ja) * | 2020-08-26 | 2024-09-02 | 株式会社堀場エステック | 原料気化システム、及び、これに用いられる濃度制御モジュール |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN114047300A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-02-15 | 南大光电半导体材料有限公司 | 前驱体材料气化特性的测定装置及其测试方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR927002438A (ko) * | 1990-08-28 | 1992-09-04 | 사도미 유다까 | 아연계도금강판의 크롬산염처리방법 |
KR20010030372A (ko) * | 1999-09-14 | 2001-04-16 | 호리바 마츠시 | 액체재료 기화방법 및 장치 |
KR100393024B1 (ko) * | 1996-02-05 | 2003-12-01 | 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 | 내식성표면처리금속재료및그의표면처리제 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62285415A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Hitachi Ltd | 気相成長方法及び装置 |
JP3219184B2 (ja) * | 1995-08-24 | 2001-10-15 | 日本電信電話株式会社 | 有機金属供給装置および有機金属気相成長装置 |
JP4213331B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2009-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機金属気相成長方法及び有機金属気相成長装置 |
JP2006066540A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置 |
US8100172B2 (en) * | 2006-05-26 | 2012-01-24 | Tai-Her Yang | Installation adapted with temperature equalization system |
JP4605790B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-01-05 | 株式会社フジキン | 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。 |
JP2008282622A (ja) | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Toyota Motor Corp | 燃料電池の検査装置 |
-
2009
- 2009-12-24 JP JP2009293533A patent/JP5419276B2/ja active Active
-
2010
- 2010-12-16 CN CN201010601694.6A patent/CN102156489B/zh active Active
- 2010-12-16 TW TW099144303A patent/TWI518745B/zh active
- 2010-12-22 KR KR1020100132410A patent/KR101685711B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-22 US US12/976,754 patent/US8459291B2/en active Active
- 2010-12-23 DE DE102010056004A patent/DE102010056004A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR927002438A (ko) * | 1990-08-28 | 1992-09-04 | 사도미 유다까 | 아연계도금강판의 크롬산염처리방법 |
KR100393024B1 (ko) * | 1996-02-05 | 2003-12-01 | 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 | 내식성표면처리금속재료및그의표면처리제 |
KR20010030372A (ko) * | 1999-09-14 | 2001-04-16 | 호리바 마츠시 | 액체재료 기화방법 및 장치 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150141252A (ko) * | 2014-06-09 | 2015-12-18 | (주)지오엘리먼트 | 기화량을 안정적으로 제어할 수 있는 캐니스터와 기화 시스템 |
KR20230062519A (ko) * | 2014-10-07 | 2023-05-09 | 램 리써치 코포레이션 | 비말 동반된 증기를 측정하기 위한 시스템들 및 방법들 |
US11550341B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-01-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow control system, and semiconductor manufacturing equipment and vaporizer including the system |
KR20230009513A (ko) * | 2017-09-29 | 2023-01-17 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 질량 유량 제어 시스템 및 당해 시스템을 포함하는 반도체 제조 장치 및 기화기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102010056004A1 (de) | 2011-08-25 |
TW201126575A (en) | 2011-08-01 |
JP2011134916A (ja) | 2011-07-07 |
US20110155264A1 (en) | 2011-06-30 |
CN102156489A (zh) | 2011-08-17 |
CN102156489B (zh) | 2014-11-26 |
US8459291B2 (en) | 2013-06-11 |
KR101685711B1 (ko) | 2016-12-12 |
TWI518745B (zh) | 2016-01-21 |
JP5419276B2 (ja) | 2014-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20110074459A (ko) | 재료 가스 농도 제어 시스템 | |
KR101814210B1 (ko) | 재료가스 제어장치, 재료가스 제어 방법, 재료가스 제어 프로그램 및 재료가스 제어 시스템 | |
KR102454096B1 (ko) | 가스 제어 시스템, 그 가스 제어 시스템을 구비한 성막 장치, 그 가스 제어 시스템에 이용하는 프로그램 및 가스 제어 방법 | |
KR102639507B1 (ko) | 액체 재료 기화 공급 장치 및 제어 프로그램 | |
JP5350824B2 (ja) | 液体材料の気化供給システム | |
TWI719513B (zh) | 流量控制方法及流量控制裝置 | |
KR20100048894A (ko) | 재료가스 농도 제어 시스템 | |
US10838435B2 (en) | Pressure-type flow rate control device | |
JP7137921B2 (ja) | 気化システム及び気化システム用プログラム | |
KR20190132267A (ko) | 유체 제어 장치, 및 유량 비율 제어 장치 | |
KR20190142721A (ko) | 유체 제어 장치, 및 유량 비율 제어 장치 | |
KR102642990B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP5281364B2 (ja) | 材料ガス濃度制御システム | |
JP2018059667A (ja) | 内部循環型給湯システム | |
JP5145193B2 (ja) | 材料ガス濃度制御システム | |
JP5615162B2 (ja) | 材料ガス濃度制御システム | |
JPH0472717A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR102087773B1 (ko) | 액체 혼합 공급장치 | |
JP6681423B2 (ja) | 液化ガス気化装置の運転方法 | |
CN111656503A (zh) | 维持恒压的液体供给装置 | |
JP6008688B2 (ja) | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法 | |
JP2023103769A (ja) | 流体制御装置、流体制御方法、及び、流体制御プログラム | |
TW202320172A (zh) | 汽化裝置及其控制方法、存儲介質、流體控制裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191120 Year of fee payment: 4 |