JP7137921B2 - 気化システム及び気化システム用プログラム - Google Patents
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Description
さらに、圧力センサの例えばゼロ点補正等の校正を行う場合は、気化器を空にする必要があり、メンテナンス性が悪いという問題もある。
気化器内の液体材料の減少に伴い気化器内の圧力が低下すると、流量調整弁に流入する気化ガスの圧力が低下することから、測定流量が設定流量となるようにするためには、弁開度を大きくする必要がある。従って、気化器内の圧力が低下すると、弁制御部は、例えばノーマルオープンタイプの流量調整弁に対しては、印加電圧や印加電流などの駆動信号値を小さくして弁開度を大きくし、ノーマルクローズタイプの流量調整弁に対しては、印加電圧や印加電流などの駆動信号値を大きくして弁開度を大きくする。
一方、流量調整弁がノーマルクローズタイプの場合は、駆動信号値が大きくなれば、それは気化器内の液体材料の減少し、気化器内の圧力が低下していることを示しており、駆動信号値が小さくなれば、それは気化器内の液体材料が増加し、気化器内の圧力が上昇していることを示している。
このことから、弁制御部は、液体材料が殆どなくなるまでは弁開度を大きくしようとしないので、設定流量が小さい場合に駆動信号値に基づいて液体材料の供給を制御すると、液体材料が枯渇する恐れがある。
このような構成であれば、液面センサの検出値に基づいて液体材料の供給を制御することができるので、設定流量が小さい場合であっても液体材料の供給を適切に制御することができる。
このような構成であれば、液体材料が枯渇する前に気化器へ液体材料を供給したり、気化器から液体材料が溢れ出る前に液体材料の供給を停止したりすることができる。
このような構成であれば、例えば設定流量が最大値に設定されている場合など、液体材料の枯渇が生じる恐れが高い条件に応じて閾値を設定しておくことで、互いに異なる設定流量に対する閾値の調整や、互いに異なる設定流量に対する閾値を供給制御部に読み込ませる動作など不要にすることができる。
このようなプログラムを用いれば、上述した気化システムと同様の作用効果を奏し得る。
なお、本実施形態では気化部2を構成する各部が第1筐体C1に収容されており、マスフローコントローラ3を構成する各部が第1筐体C1とは別体の第2筐体C2に収容されているが、気化部2を構成する各部及びマスフローコントローラ3を構成する各部を同一の筐体に収容させても構わない。
このように、供給流量制御機器22として開閉弁を用いることで、供給流量制御機器22としてマスフローコントローラを用いる場合に比べて、気化部2を小型化することができる。さらに、供給流量制御機器22として電磁開閉弁22を用いているので、開閉時の動作を緩やかにすることで気化器21内の急激な圧力変動を軽減することができる。
ただし、供給量制御機器22は、必ずしも開閉弁である必要はない。その一例として、供給量制御機器22は、例えばピエゾバルブ等の制御弁や、この制御弁を備えたマスフローコントローラなどであっても良い。この場合、上述した液面センサ213の検出値や、後述する流量調整弁32への駆動信号値を用いて制御弁の弁開度を制御することで、気化器21へ供給される液体材料の供給量を制御することができる。
マスフローコントローラ3は、流路を流れる気化ガスを検知する流体検知機器31と、流路を流れる気化ガスの流量を制御する流量調整弁32とを備えている。なお、流体検知機器31は、流路の上流側に設けられた第1発熱抵抗体311及び流路の下流側に設けられた第2発熱抵抗体312である。また、流量調整弁32は、上述した気化器21により生成された気化ガスの流量を制御する制御弁であり、本実施形態では、所謂ノーマルオープンタイプのピエゾバルブである。
制御装置4は、上述した電磁開閉弁22を制御することにより、気化運転時において、液体材料を気化器21に供給するように構成されたものである。
以下、各部について説明する。
一方、例えば気化器内21に液体材料を供給して気化器内21の圧力が上昇すると、流量調整弁32に流入する気化ガスの圧力が上昇することから、測定流量が設定流量となるようにするためには、流量調整弁32の弁開度を小さくする必要がある。このとき弁制御部43は、弁開度が小さくなるように、流量調整弁32に出力する駆動信号値を変動させる。
なお、流量調整弁32がノーマルクローズタイプのものであれば、弁制御部43は、気化器21内の圧力が低下した場合、弁制御部43は駆動信号値を大きくして弁開度を大きくし、気化器21内の圧力が上昇した場合、弁制御部43は駆動信号値を小さくして弁開度を小さくすることになる。
具体的に供給制御部45は、図3に示すように、駆動信号値と予め設定された閾値とを比較して、電磁開閉弁22を制御する。本実施形態では、上述したように、気化器21内の液体材料の減少に伴い気化器21内の圧力が低下すると、弁制御部43から流量調整弁32に出力される駆動信号値も小さくなることから、駆動信号値が減少して閾値を下回った場合に、供給制御部45が電磁開閉弁22に制御信号を出力して液体材料の供給を開始する。
具体的には、例えば液面センサ213により検出された液面レベルが最低レベルを下回った場合に、供給制御部45が電磁開閉弁22に制御信号を出力して、気化器21への液体材料の供給を開始し、液面センサ213により検出された液面レベルが最高レベルを上回った場合に、液体材料の供給を停止する。
そして、駆動信号値が減少して閾値を下回った場合、供給制御部45が電磁開閉弁22に制御信号を出力して電磁開閉弁22を開け(S2)、液体材料の供給を開始する。
一方、駆動信号値が閾値を上回った場合、供給制御部45が電磁開閉弁22に制御信号を出力して電磁開閉弁を閉じ(S3)、液体材料の供給を停止する。
その結果、圧力センサを不要になった分、コスト削減やシステムの小型化を図れるうえ、圧力センサの校正時に必要であった気化器21を空にする作業が不要となり、メンテナンス性の向上をも図れる。
なお、駆動信号値の他に例えば温度等の種々のパラメータを用いて弁制御部43の弁開度を算出し、この弁開度を用いて電磁開閉弁22を制御する態様も考えられるが、種々の
パラメータを含む為に制御が複雑となり利用するのは難しい。
これに対して、本実施形態に係る気化システム100は、上述したように圧力センサを不要にすることができるので、圧力センサを用いた制御に伴う上述した種々の問題を解決することができる。
具体的にこの制御態様切替部は、設定流量と予め設定された第1流量とを比較して、設定流量が第1流量よりも大きい場合には、供給制御部45を第1制御態様にするとともに、設定流量が第1流量よりも小さい場合には、供給制御部45の制御態様を第1制御態様から第2制御態様にするように構成されたものが挙げられる。
さらに制御態様切替部としては、第1流量よりも大きい所定の第2流量よりも、設定流量がさらに大きい場合は、供給制御部45の制御態様を第1制御態様から第2制御態様に切り替えるように構成されていても良い。
21 ・・・気化器
22 ・・・供給量制御機器
32 ・・・流量調整弁
43 ・・・弁制御部
44 ・・・駆動信号値取得部
45 ・・・供給制御部
Claims (5)
- 液体材料を気化する気化器と、前記気化器への液体材料の供給量を制御する供給量制御機器と、前記気化器により生成された気化ガスの流量を調整する流量調整弁と、前記気化ガスの流量を測定する流量センサと、前記流量センサにより測定された測定流量が予め定められた設定流量となるように前記流量調整弁に駆動信号を出力して弁開度を制御する弁制御部とを具備する気化システムであって、
前記流量調整弁に出力される前記駆動信号の示す値である駆動信号値を取得する駆動信号値取得部と、
前記駆動信号値に基づき前記供給量制御機器に制御信号を出力して、前記液体材料の供給を制御する供給制御部とを備える気化システム。 - 前記気化器に設けられた液面センサをさらに具備し、
前記供給制御部が、前記駆動信号値に加えて液面センサからの検出値に基づいて前記供給量制御機器に制御信号を出力する請求項1記載の気化システム。 - 前記供給制御部が、前記駆動信号値が減少して予め定められた閾値を下回った場合、又は、前記駆動信号値が増加して予め定められた閾値を上回った場合に、前記供給量制御機器に制御信号を出力して前記液体材料の供給を開始する又は前記液体材料の供給を停止する請求項1又は2記載の気化システム。
- 前記閾値が、所定の1つの値に設定されている請求項3記載の気化システム。
- 液体材料を気化する気化器と、前記気化器への液体材料の供給量を制御する供給量制御機器と、前記気化器により生成された気化ガスの流量を調整する流量調整弁と、前記気化ガスの流量を測定する流量センサとを具備する気化システムに用いられるプログラムであって、
前記流量センサにより測定された測定流量が予め定められた設定流量となるように前記流量調整弁に駆動信号を出力して弁開度を制御する弁制御部と、
前記流量調整弁に出力される前記駆動信号の示す値である駆動信号値を取得する駆動信号値取得部と、
前記駆動信号値に基づき前記供給量制御機器に制御信号を出力して、前記液体材料の供給を制御する供給制御部としての機能をコンピュータに発揮させる気化システム用プログラム。
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210187953A1 (en) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | Xerox Corporation | System And Method To Attenuate The Drying Of Aqueous Inks In A Printhead |
JPWO2021192643A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | ||
TWI839614B (zh) * | 2020-06-04 | 2024-04-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 液體材料驟蒸發坩堝、蒸氣沉積設備及用於塗覆真空腔室內的基板的方法 |
JP7203070B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2023-01-12 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
EP4053516A1 (en) * | 2021-03-05 | 2022-09-07 | HORIBA STEC, Co., Ltd. | Material supply system, program for a material supply system and material supply method |
JP7527237B2 (ja) * | 2021-04-01 | 2024-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、ガス供給方法、および基板処理装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005307233A (ja) | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法 |
JP2016122841A (ja) | 2014-12-22 | 2016-07-07 | 株式会社堀場エステック | 気化システム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2216196C3 (de) * | 1972-04-04 | 1980-09-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Oberflächenvergaser zur Vergasung von flüssigem Brennstoff |
US4276243A (en) * | 1978-12-08 | 1981-06-30 | Western Electric Company, Inc. | Vapor delivery control system and method |
JPH11286782A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
KR20100105906A (ko) * | 2002-07-19 | 2010-09-30 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 유체유동측정 및 비례유체유동 제어장치 |
EP1866074A4 (en) * | 2005-03-16 | 2017-01-04 | Entegris Inc. | System for delivery of reagents from solid sources thereof |
JP4605790B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-01-05 | 株式会社フジキン | 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。 |
JP6212467B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2017-10-11 | 株式会社フジキン | 液面計及び液体原料気化供給装置 |
JP6578125B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-09-18 | 株式会社フジキン | 気化供給装置 |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005307233A (ja) | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法 |
JP2016122841A (ja) | 2014-12-22 | 2016-07-07 | 株式会社堀場エステック | 気化システム |
Also Published As
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---|---|
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