KR20090049065A - 발광 다이오드 외부 광효율 개선 - Google Patents
발광 다이오드 외부 광효율 개선 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090049065A KR20090049065A KR1020097004802A KR20097004802A KR20090049065A KR 20090049065 A KR20090049065 A KR 20090049065A KR 1020097004802 A KR1020097004802 A KR 1020097004802A KR 20097004802 A KR20097004802 A KR 20097004802A KR 20090049065 A KR20090049065 A KR 20090049065A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- light
- layer
- type layer
- Prior art date
Links
- 230000006872 improvement Effects 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
발광 다이오드의 외부 광 효율을 개선하는 방법이 개시되며, 상기 방법은 표면 텍스쳐링을 형성하기 위해 발광 다이오드의 n형층의 외부면을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 표면 텍스쳐링은 광출사량을 증가시기키 위해 내부광 반사를 감소시킨다. 이에 해당하는 발광 다이오드도 개시된다.
표면 텍스쳐링, 마이크로렌즈, 표면 거칠게 하기
Description
본 발명은 발광 다이오드의 외부 광효율의 개선에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 이에 한정되는 것은 아니나, 마이크로렌즈들 및/또는 표면 거칠게 하기 등을 포함하는 표면 텍스쳐링(surface texturing)을 가지는 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드의 광 출사면 상에 상기 표면 텍스쳐링을 하는 방법에 관한 것이다.
Ga-N계 발광 다이오드(LED)들은 최근 몇년 동안 집중적으로 연구되고 발전되어 왔다. 고효율, 고성능(high power)의 Ga-N계 LED는 영상 장치, 교통 신호, 이동/휴대 전화 및 이와 비슷한 기기용 백라이트, 그리고 백색 광원들과 같은 어플리케이션용으로 관심을 끌어 왔다. 이러한 Ga-N계 LED가 주요 조명 시장에서 성공하기 위해서는 비용을 절감하고 광 출사 효율을 개선하는 것이 중요한 요소이다.
일반적으로, GaN계 LED의 내부 양자 효율(ηi)은 결정의 품질과 에피택셜 층의 구조로 인해 100%보다 상당히 작은 값을 갖는다. 보통 내부 양자 효율(ηi)은 약 70% 내지 80%의 값에 이를 수 있다. 이보다 높은 값은 얻기 어려운 것으로 알려져 있다. 외부 양자 효율(ηext)은 내부 양자 효율보다 훨씬 더 낮다. 이는 기존의 GaN계 LED의 광 추출 효율이 내부 광 반사량의 총량에 의해 제한되기 때문인데, 상 기 내부 광 반사는 공기의 굴절율(n=1)에 비해 높은 GaN의 굴절율(n≒5) 때문에 반도체-공기 경계면에서 일어난다. 활성 영역에서 발생하는 광의 임계각은 단지 23° 정도이다. 발생된 광의 대부분은 기판으로 반복적으로 반사되다가 결국 흡수된다. 측면과 바닥으로 발산되는 광이 무시할 만큼 작다고 가정하면, 소량의 광(4%)만이 상기 표면으로부터 추출될 수 있다.
금속유기 화학 기상 증착(MOCVD; metalorganic chemical vapor deposition)으로 성장된 기존의 GaN계 LED들은 비도전성 사파이어 기판을 이용한다. 상기 사파이어 기판의 에피택셜층들은 일반적으로 n형으로 도핑되고 비교적 두꺼운 GaN층과, p형으로 도핑되고 비교적 얇은 GaN층 사이에 샌드위치된 발광층(활성 영역)으로 이루어진다. 상기 n형 GaN층은 상기 사파이어에 복수 층(GaN, AlGaN, InGaN이나 AlGaInN 등과 같은 GaN계 물질들로 만들어진 n형 반도체에 비도핑 또는 도핑됨)의 스택(stack)으로 형성되며, 상기 p형 GaN층은 상기 사파이어로부터 이격되어 복수층(GaN, AlGaN, InGaN이나 AlGaInN 등과 같은 GaN계 물질들로 만들어진 p형 반도체에 비도핑 또는 도핑됨)의 스택으로 형성된다. 최상부 p-GaN 표면 에피택셜층은 광 추출 표면으로 자주 사용되는 Ga-극성층(Ga-Polar)이다. 상기 사파이어 기판은 열전도율이 낮고 전류 밀도들이 비교적 높아서 동작하는 동안 상기 활성층으로부터의 과도하게 열이 발생하기 때문에 상기 디바이스의 성능을 떨어뜨리는 데 일조한다. 이와 동시에, 비교적 얇은 상기 p-GaN층(통상 0.5 마이크로미터 이하)과 p-GaN의 높은 고유 저항(resistivity)은 플라즈마 손상에 매우 민감하며 건식 표면 텍스쳐링에 사용하기는 어렵다. 이에 더해, Ga-극성 GaN은 화학적으로 안정하며 N-극성 GaN보다 건식 식각을 하기가 더 어렵다. 상기 활성 영역의 다른 쪽, 즉, 상기 활성 영역의 n-GaN층은 보통 상기 p형 GaN층보다 훨씬 두꺼우며(2 내지 5 마이크로미터 두께), 그 두께 때문에 표면 텍스쳐링을 만들기에 이상적이다. 그러나, 이러한 부분은 상기 활성 영역의 하부 및 상기 사파이어 상에 있다. 상기 사파이어가 제거되지 않으면 표면 텍스쳐링하기는 불가능하다.
이러한 문제들을 해결하기 위해, 상기 사파이어를 그 위에 성장된 GaN 에피택셜 박막들로부터 분리하기 위해 GaN LED의 수직 레이저 리프트오프(vertical laser liftoff)와 그외 방법들이 개발되었다. 노출된 N-극성 n-GaN 표면에 표면을 거칠게 하기 위한 다른 기술 또한 개발되어 왔는데, ICP 플라즈마 식각 및 습식 식각 등이 포함된다.
발광 다이오드의 외부면 상에 마이크로렌즈들을 형성하는 것이 제안되었다. 그러나, 이것은 상기 활성 영역이 p형 GaN층 상의 발광면에 가깝고, 상기 마이크로렌즈들을 형성하는 것이나 표면을 거칠게 하는 것이 상기 활성 영역에 손상을 일으킬 수 있으므로 사실상 불가능하다.
바람직한 제1 관점에 따르면, 발광 다이오드들의 외부 발광 효율을 개선시키기 위한 방법이 제공되는 바, 상기 방법은 표면 텍스쳐링을 형성하기 위해 발광 다이오드 n형층 외부면을 식각하는 단계를 포함하며, 상기 표면 텍스쳐링은 내부 광반사를 감소시켜 광 출사량을 높인다.
바람직한 제2 관점에 따르면, 식각에 의해 형성된 표면 텍스쳐링을 가지는 발광 다이오드 n형층 외부면을 포함하는 발광 다이오드가 제공되는 바, 상기 표면 텍스쳐링은 상기 발광 다이오드의 광 출사량과 외부 발광 효율을 향상시키도록 내부 광 반사를 감소시키기 위한 것이다.
바람직한 제3 관점에 따르면 발광 다이오드 n형층 외부면과, 상기 n형층 외부면 상에 형성된 다른 물질층을 포함하는 발광 다이오드가 제공되는 바, 상기 다른 물질층의 최외각층은 상기 발광 다이오드의 광 출사량과 외부 광 효율을 증가시기키 위해 내부 광 반사가 감소되도록 표면 텍스쳐링된다.
상기한 관점들 모두를 만족시키기 위해, 상기 활성층은 양자 우물(quantum well), 양자 우물들, 양자점(quantum dot)들, 및 양자 와이어(quantum wire)들 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 표면 텍스쳐링 단계는 화학 용액으로 습식 식각하는 단계일 수 있다. 상기 화학 용액은 예정된 시간 동안 온도를 높인 수산화칼륨 수용액일 수 있다. 식각하는 동안 상기 발광 다이오드를 교반(agitation)하는 단계가 수행될 수 있다. 상기 교반은 자외선 방사(放射)에 의한 것일 수 있다. 이에 더해, 또는 이를 대신하여, 상기 표면 텍스쳐링은 건식 식각에 의한 것일 수 있다. 건식 식각은 플라즈마 식각, 플라즈마 충격 또는 레이저 프로세싱일 수 있다. 상기 건식 식각은 상기 습식 식각을 수행하기 이전이나 이후에 수행될 수 있다.
상기 표면 텍스쳐링은 표면 거칠게 하기, 마이크로 렌즈들 및 표면이 거칠게 형성된 마이크로 렌즈들, 구멍들, 공동(void)들, 기둥(pillar)들 및 비아(via)들 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 마이크로 렌즈들은 반구형, 실질적인 반구형, 편평한 상면을 가지는 반구형, 구의 일부, 피라밋형, 원통형 및 입방형 중에 선택될 수 있다. 상기 마이크로 렌즈들은 하기한 값을 가질 수 있다.
(a) 2 내지 3㎛ 범위의 마이크로 렌즈들 사이 간격,
(b) 실질적으로 6㎛인 피치,
(c) 실질적으로 2㎛인 반지름
상기 마이크로 렌즈는 실질적으로 피라밋형일 수 있으며, 실질적으로 각도가 58°인 면(facet)들을 가질 수 있다. 상기 표면 텍스쳐링은 외부면의 일부분 상에 있을 수 있다. 상기 표면 텍스쳐링은 상기 외부면 상의 전류 분산 어레이의 연결부들과 외측부 사이에 형성된 발광 공간(light space)에 있을 수 있다.
상기 n형층의 외부면 상에는 제1 오믹 콘택트가 형성될 수 있으며, p형층 외부면 상에는 제2 오믹 콘택트가 형성될 수 있다. 상기 제2 오믹 콘택트는 발광 다이오드의 광 발산을 증진시키기 위해 광을 반사할 수 있다. 상기 제2 오믹 콘택트는 금속들이나 금속의 합금들의 복수층들의 스택을 포함할 수 있다. 상기 금속은 은, 알루미늄 또는 다른 고(高)반사 금속일 수 있다. 상기 고반사 금속은 상기 발광 다이오드의 광반사를 증진시키기 위한 광 반사층용으로 사용될 수 있다. 상기 제2 오믹 콘택트는 p형층 외부면 전체를 덮을 수 있다. 선택적으로, 상기 제2 오믹 콘택트는 p형층 외부면의 일부를 덮을 수 있으며, p형층 외부면의 남은 부분의 적어도 일부분은 상기 발광 다이오드의 광 방출을 증진시키기 위해 광을 반사시키기 위한 반사 물질 중 적어도 하나로 덮힌다.
상기 p형층, 상기 활성층 및 상기 n형층은, 예를 들어, GaN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, InN 및 AlN과 같은 GaN계 물질 중 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
표면 택스쳐링은 또한 상기 p형층, 상기 오믹 콘택트 층, 및 상기 콘택트 층 중 적어도 어느 하나의 층을 표면 텍스쳐링함으로써 p형 측 상에 있을 수 있다.
본 발명이 충분이 이해되고 실제로 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해 한정되지 않은 실시예의 방식으로 본 발명의 바람직한 실시예만을 기재하며, 상세한 설명에는 상기 기재에 첨부된 예시적인 도면들이 참조된다.
도 1은 제1 실시예의 수직 단면도이다.
도 2는 도 1의 일부 확대도이다.
도 3은 도 2의 오른쪽 확대도이다.
도 4는 도 1의 실시예의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 디바이스의 일부를 나타낸 마이크로사진이다.
도 6은 제2 실시예의 주사 전자 현미경(scanning electron microscope)의 이미지이다.
도 7은 도 6의 일부의 세부 이미지이다.
도 8은 서로 다른 식각 시간들에 대한 L-I 특성의 그래프이다.
도 9는 서로 다른 식각 시간들에 대한 I-V 특성 그래프이다.
도 10은 제3 실시예의 확대 측면도이다.
도 11은 제4 실시예의 확대 측면도이다.
도 12는 제5 실시예의 확대 측면도이다.
도 1 내지 4를 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광 다이오드(100)이 도시되어 있다. 상기 발광 다이오드(100)은
도전성 금속으로 이루어진 제1 콘택트층(101);
시드층(seed layer, 102), 반사층(103);
오믹 콘택트층(104);
예컨대 GaN과 같은 p형 물질층(105) ;
활성층(106)을 형성하는 복수 개의 에피택셜층; 및
예컨대 GaN과 같은 n형 도전층(107)을 포함한다.
어느 층이든 복수 개의 층으로 적층된 스택일 수 있다. 상기 n형층(107)은 비교적 두껍고 상기 p형층(105)은 비교적 얇다. 상기 활성층(106)은 양자 우물, 양자 우물들, 양자점들 및 양자 와이어들 중 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 도전층(107)은 상기 활성층(106)에서 발생한 광의 전달을 위한 것이며, 상기 광은 도전층(107)의 외부 광 출사면(108)을 통해 지나간다. 상기 외부면(108)은 공기와 n-GaN 경계면의 외부면이다. 결합 패드(bonding pad, 109)는 상기 외부면(108) 상에 형성된다. 전류 분산 어레이(current dissipation array)(110) 또한 상기 외부면(108) 상에 형성될 수 있다.`
상기 외부면은 총 내부 반사량을 감소시켜 외부 광효율을 개선하도록 표면 텍스쳐링될 수 있다. 표면 텍스쳐링은 표면을 거칠게 하기, 마이크로 렌즈들, 표면을 거칠게 한 마이크로 렌즈들, 구멍들, 공동들, 기둥들, 그리고 비아들 중의 하나 이상일 수 있다. 표면 텍스쳐링을 하는 하나의 방법은 상기 외부면(108)을 식각하여 상기 외부면(108)에 복수 개의 마이크로 렌즈들(111)을 형성하는 것이다. 상기 마이크로렌즈들(111)은 바람직하게는 반구형이나 반구형에 가깝게 될 수 있다. 그러나, 예컨대, 상면이 편평한 반구형, 구의 일부, 피라밋형, 원통형, 입방형 등과 같은 다른 적절한 형상일 수 있다.
상기 마이크로렌즈들(111)은 임의의 적절한 크기와 간격을 가질 수 있다. 예컨대, 마이크로렌즈들(111) 사이의 간격은 2 또는 3㎛ 정도일 수 있고, 피치(인접한 마이크로렌즈들(111)의 중심 사이의 간격)는 약 6㎛ 정도일 수 있으며, 각 마이크로렌즈들은 약 2㎛ 정도의 반지름을 가질 수 있다.
도 2와 도 3에 도시된 바와 같이, 화살표(211, 212, 213)는 활성층(106)에서 형성되어 상기 층(107)을 통과하는 광을 나타낸 것이다. 상기 광의 대부분은 마이크로렌즈(111)을 통과하거나 상기 공기/GaN 경계면의 내부면(114)에 입사될 것이다. 임계각보다 작은 각도(215)에서 광선(211, 212, 213)의 입사각이 마이크로렌즈들(111) 사이의 내부면(114)이나 마이크로렌즈들(111)의 내면(113)에 접촉할 때, 상기 광은 내면(113)과 내부면(114)을 통과할 것이며, 이에 따라 상기 LED(100)로부터 출사될 것이다. 만약 상기 각도(215)가 임계각보다 큰 경우, 상기 광은 내면(113)과 내부면(114)에 의해 반사될 것이다. 상기 각도(215)는 입사 광선(214)과, 상기 광선(214)이 면(113, 114)으로 입사하는 곳에서의 접선(517)에 수직한 선(516) 사이의 각도이다. 상기 임계각은 상기 각도(214)가 각각 내면(113)이나 내부면(114)를 관통하기 보다는 광선(214)이 내면(113)이나 내부면(114)에 의해 반사 될 때의 각도이다. 상기 임계각은 n-GaN층(107)의 물질과 광선(214)의 파장에 따라 달라질 것이다. 만약 상기 각도(215)가 0°이면, 상기 광선(214)은 내면(113)이나 내부면(114)에 영향을 받지 않고 관통할 것이다. 만약 상기 각도(215)가 임계각과 0°사이에 있다면, 상기 광선(214)은 내면(113)이나 내부면(114)을 관통하기는 하나 굴절될 수 있다. 가능한 상기 각도(215) 범위는 20 내지 35°이다. 상술한 바와 같이, 대부분의 GaN 물질들과 LED들에 대해, 임계각은 약 23°이다.
따라서, 상기 마이크로렌즈들(111)의 물질, 크기, 형태 및 간격을 조절하기 위해 발광 다이오드(100)로부터 출사하는 광의 방향과 범위를 조절하는 것이 가능하다. 이는 LED(100)이 집광된 광선으로 출사할 수 있는 범위일 수 있다.
도 4와 도 11은 외부면(108) 상의 전류 분산 어레이(109, 110)에서의 마이크로렌즈들(111)의 배열을 도시한 것이다. 어레이(109, 110)의 본질, 목적 및 구조는 "Electrical Current Distribution in Light Emitting Devices"라는 제목의 발명에 대한 본사의 공동 출원 진행 건(싱가포르 특허 번호는 아직 알려지지 않음)에 충분히 개시되어 있으며, 상기 내용은 본 명세서에 그 전체가 개시된 것과 같이 본 명세서에 참조로서 편입된다.
상기 어레이(109, 110)는 연결부들(115)에 의해 상기 결합 패드(109)에 연결된 외측부 (110)를 포함한다. 연결부들(115)과 외측부(110)의 사이에는 마이크로렌즈들(111)이 위치한 다수의 발광 공간들(light spaces, 421, 422, 423, 424)이 있다. 상기 발광 공간들(421, 422, 423, 424) 각각은 실질적으로 동일한 크기와 형태를 가질 수 있으며, 서로 다른 크기와 형태를 가질 수도 있다. 상기 각 발광 공간 들(421, 422, 423, 424) 내의 마이크로렌즈(111)의 개수와 상기 마이크로렌즈들(111)이 배열된 방식은 하나의 영역부터 다음 영역까지 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 반사층(116)은 어레이(109, 110)의 하부나 내부에 형성될 수 있다.
상기 마이크로렌즈는 상기 반도체 LED의 일부를 식각함으로써 형성할 수 있다. 먼저 상기 표면 상에 포토레지스트가 회전형성된 다음, 기준 포토리소그래피를 통해 레지스트 상에 패턴들이 형성된다. 이러한 포토레지스트 패턴들은 마이크로렌즈들 형성 동안 후속 식각 마스크의 역할을 한다. 상기 포토레지스트 대신 다른 물질들이 식각 마스크로 사용될 수 있다. 식각하고 포토레지스트 잔류물을 제거한 다음에 상기 마이크로렌즈들이 형성된다.
제2 실시예에 있어서, 상기 표면 텍스쳐링은 외부면(108)의 전부나 일부를 결정학적 습식 식각으로 표면을 거칠게 형성한 것이다. 이것은 상기 n-GaN 표면(108)을 예컨대, 예정된 시간 동안 실온부터 200℃까지와 같은 온도에서 수산화칼륨 수용액에 넣음으로써 이루어진다. 상기 기간은 몇 초보다 짧을 수 있으며 수 시간에 이를 수 있다. 예컨대, 상기 온도는 90℃일 수 있으며, 상기 예정된 시간은 7분일 수 있다. 상기 수산화칼륨 수용액은 2M 수산화 칼륨 용액일 수 있으며, 이와 다른 농도가 사용될 수 있다. 도 6은 상기 표면(108)이 작은 그레인들로 거칠어진 것을 도시하고 있으며, 도 7은 상기 n-GaN 표면(108)의 표면 형상(morphology)가 서브마이크론 단위의 높은 레벨의 거칠기를 나타내며 조밀한 6각형의 피라미드 구조가 형성되어 있음을 도시하고 있다. 상기 피라미드의 면들은 평면에 있어서 약 58°4°로 기울어져 있다.
식각하는 동안 상기 발광 다이오드를 교반할 수 있다. 상기 교반은 자외선 방사(放射) 에 의한 것일 수 있다. 추가적으로 또는 선택적으로, 상기 표면 텍스쳐링은 건식 식각에 의한 것일 수 있다. 상기 건식 식각은 플라즈마 식각, 플라즈마 충격 또는 레이저 프로세싱일 수 있다. 상기 건식 식각은 상기 습식 식각 이전이나 이후에 수행될 수 있다.
이러한 조밀한 나노팁 피라미드형 구조들은 GaN계 LED들의 광 추출 효율을 증가시키기 위해 나노렌즈들로 사용될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 대형 피라미드들의 일부는 끊어져 있으며, 작은 새 피라미드 팁들이 그것들의 상면에 형성되었다. 상기 새로운 작은 피라미드들은 시간이 지남에 따라 성장한다. 이러한 방식으로 n-GaN 표면(108)의 식각이 계속될 수 있다.
도 8은 서로 다른 식각 시간에 따른 표면(108)으로부터의 전기장 발광(EL, electrical luminescence) 출력(output power) 대(對) 주입 전류(L-I)를 도시한 것이다. 상기 데이터는 KOH 습식 식각 이전과 이후 동일한 LED 다이(die)들로부터 얻은 것으로, 다이싱(dicing) 하기 전에 웨이퍼 상에서 측정되었으며, 표면 형상 이외의 다른 요소는 무시될 수 있었다. 주어진 전류에서의 출력은 표면을 거칠게 한 이후 현저하게 증가하였다. 7분 동안의 KOH 식각 이후, 광 출력은 2.5 내지 3배로 증가하였다.
도 9는 KOH 식각 이전과 이후의 측정된 I-V 특성 비교를 도시한 것이다. KOH 식각 이후 순방향 전압 강하값(Vf)의 하락는 주로 N-금속의 감소에 기인한다. Ti/A1/Ti/Au N-금속 내의 알루미늄은 KOH로 식각하는 동안 천천히 감소한다. 이런 문제는 표면을 거칠게 하는 단계 이후에 N-금속을 증착함으로써 해결될 수 있다. 역 누설 전류(reverse leakage current)는 식각 시간이 늘어난다고 해서 하락하는 것은 아니다.
도 10은 마이크로렌즈들(111)의 외측면(112) 상에 표면 거칠기(1001)를 결합한 제2 실시예를 도시한 것이다. 상기 표면 거칠기(1001)는 표면(108)의 전부 또는 일부 상에 및/또는 마이크로렌즈들(111)의 전부 또는 일부 상에 있을 수 있다. 이러한 방식으로 n-GaN 표면(108)은 처리되지 않은 표면 및/또는 표면이 거칠게(1001) 처리된 표면 및/또는 마이크로렌즈들(111) 및/또는 표면이 거칠게(1001) 된 마이크로렌즈들(111)을 가질 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 또 다른 물질 층(1130)이 n형층 외부면(108) 상에 형성될 수 있다. 이것은 상기 표면이 표면 텍스쳐링되기 이전이나 이후에 수행될 수 있다. 또 다른 물질 층의 최외각 표면(1131)은 발광 다이오드의 출사광과 외부 광 효율을 증가시키기 위해 내부 광 반사량을 감소시키도록 표면 텍스쳐링된다.
상기 오믹 콘택트층(104)는 p형층(105)의 외부면 상에 형성된다. 상기 오믹 콘택트 (104)는 상기 발광 다이오드의 광 출사를 증진시키기 위해 광을 반사시킬 수 있다. 상기 오믹 콘택트층(104)는 금속들과 상기 금속의 합금들의 복수 층으로 된 스택을 포함할 수 있다. 상기 금속은 은, 알루미늄 또는 다른 반사율이 높은 금속일 수 있다. 상기 반사율이 높은 금속은 상기 발광 다이오드의 광 반사를 증진시키기 위한 반사층을 위한 것일 수 있다. 상기 제2 오믹 콘택트층(104)은 상기 p형(105) 외부면 전체를 덮을 수 있다. 선택적으로, 상기 오믹 콘택트층(104)는 p형 층(105) 외부면 일부를 덮을 수 있으며, p형층(105) 외부면의 남은 부분은 적어도 일부가 상기 발광 다이오드의 광 출사량을 증진시키도록 광을 반사시키기 위해서 적어도 하나의 반사 물질로 덮일 수 있다.
상기 p형층(105), 상기 활성층(106) 및 n형층(107)은 예컨대 GaN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, InN 및 AlN와 같은 GaN계 물질들 중 하나 이상일 수 있다.
상기 n형층(107) 상의 표면 텍스쳐링에 더해, p형 측 상에 표면 텍스쳐링이 수행될 수 있다. 이것은 p형층(105) 및/또는 콘택트층(101) 및/또는 오믹 콘택트층(104) 상일 수 있다.
상술한 기재에 있어서 본 발명의 바람직한 실시예들이 기재되었지만, 세부 사항에 있어서 설계나 구조의 많은 변화와 변경이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 가능할 수 있음이 당업자에게 이해되어야 할 것이다.
Claims (45)
- 발광 다이오드의 n형층의 외부면을 식각하여 표면 텍스쳐링을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 표면 텍스쳐링은 내부 광 반사를 감소시켜 광 출사량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제1항에 있어서,상기 발광 다이오드는 n형층과, 상기 p형층과 상기 n형층 물질층 사이에 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제2항에 있어서,상기 활성층은 양자 우물, 양자 우물들, 양자점들, 및 양자 와이어들로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 텍스쳐링은 화학 용액을 이용한 습식 식각에 의한 것임을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제4항에 있어서,상기 화학 용액은 수산화칼륨 수용액이며, 상기 식각은 소정 기간 동안 소정 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 식각 동안 상기 발광 다이오드의 교반이 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제6항에 있어서,상기 교반은 자외선 방사에 의한 것임을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 식각은 건식 식각인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제8항에 있어서,상기 건식 식각은 플라즈마 식각, 플라즈마 충격 및 레이저 프로세싱으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제8항 또는 제9항에 있어서,상기 건식 식각은 습식 식각 이전 또는 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 텍스쳐링은 표면 거칠게 하기, 마이크로렌즈들, 및 표면이 거칠게 된 마이크로렌즈들, 구멍들, 공동들, 기둥들 및 비아들로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제11항에 있어서,상기 마이크로렌즈들은 반구형, 실질적인 반구형, 상면이 편평한 반구형, 구의 일부, 피라미드형, 원통형, 및 입방형으로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제11항 또는 제12항에 있어서,상기 마이크로렌즈들은(a) 2 내지 3㎛ 범위의 마이크로 렌즈들 사이 간격,(b) 실질적으로 6㎛인 피치,(c) 실질적으로 2㎛인 반지름을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제12항에 있어서,상기 마이크로렌즈들은 실질적으로 피라미드형이며, 실질적으로 58°의 각도에서 면들을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 텍스쳐링은 상기 외부면의 일부 상에 해당하는 것을 특징으로 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제15항에 있어서,상기 표면 텍스쳐링은 상기 외부면 상의 전류 분산 어레이의 연결부들과 외측부 사이에 형성된 발광 공간들에 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제2항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 n형층 상의 외부면 상에 제1 오믹 콘택트가 형성되고, 상기 p형층 외부면 상에 제2 오믹 콘택트가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제17항에 있어서,상기 제2 오믹 콘택트는 상기 발광 다이오드의 광 방출을 증진시키기 위해 광을 반사할 수 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제17항 또는 제18항에 있어서,상기 제2 오믹 콘택트는 금속들 및 상기 금속들의 합금들의 복수의 층으로 된 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제19항에 있어서,상기 금속은 은과 알루미늄 중 적어도 하나를 포함하는 고반사 금속인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제20항에 있어서,상기 고반사 금속은 상기 발광 다이오드의 광 반사를 증진시키기 위한 광 반사층용인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제17항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 오믹 콘택트는 상기 p형층 외부면 전체를 덮는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제17항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 오믹 콘택트는 상기 p형층 외부면 일부면을 덮고, 상기 p형층 외부면의 남은 부분은 적어도 일부가 상기 발광 다이오드의 광 출사를 증진시키도록 광을 반사시키기 위한 적어도 하나의 반사 물질로 덮인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 제2항 내지 제23항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,상기 p형층, 상기 활성층 및 상기 n형층은 GaN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, InN 및 AlN로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
- 식각에 의해 형성된 표면 텍스쳐링을 가지는 발광 다이오드의 n형층 외부면을 포함하며, 상기 표면 텍스쳐링은 상기 발광 다이오드의 광 출사량과 외부 광 효율을 증가시키도록 내부 광 반사를 감소시키기 위한 것임을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 발광 다이오드의 n형층의 외부면과 상기 n형층의 외부면 상에 형성된 다른 물질층을 포함하며, 상기 다른 물질층의 최외곽층은 상기 발광 다이오드의 광 출사량과 외부 광 효율을 증가시키기 위해 내부 광 반사를 감소시키도록 표면이 텍스쳐 링된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제25항 또는 제26항에 있어서,상기 발광 다이오드는 p형층과, 상기 p형층과 상기 n형층 사이에 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제27항에 있어서,상기 활성층은 양자 우물, 양자 우물들, 양자점들, 및 양자 와이어들로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제25항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 텍스쳐링은 표면 거칠게 하기, 마이크로렌즈들, 및 표면이 거칠게된 마이크로렌즈들, 구멍들, 공동들, 기둥들 및 비아들로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제29항에 있어서,상기 마이크로렌즈들은 반구형, 실질적인 반구형, 상면이 편평한 반구형, 구의 일부, 피라미드형, 원통형, 및 입방형으로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제29항 또는 제30항에 있어서,상기 마이크로렌즈들은(a) 2 내지 3㎛ 범위의 마이크로 렌즈들 사이 간격,(b) 실질적으로 6㎛인 피치,(c) 실질적으로 2㎛인 반지름을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제30항에 있어서,상기 마이크로렌즈들은 실질적으로 피라미드형이며, 실질적으로 58°의 각도에서 면들을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제25항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 텍스쳐링은 상기 외부면의 일부 상에 해당하는 것을 특징으로 발광 다이오드.
- 제33항에 있어서,상기 표면 텍스쳐링은 상기 표면 텍스쳐링은 상기 외부면 상의 전류 분산 어레이의 연결부들과 외측부 사이에 형성된 발광 공간들에 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제27항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서,상기 n형층 상의 외부면 상에 제1 오믹 콘택트가 형성되고, 상기 p형층 외부면 상에 제2 오믹 콘택트가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제35항에 있어서,상기 제2 오믹 콘택트는 상기 발광 다이오드의 광 방출을 증진시키기 위해 광을 반사할 수 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제35항 또는 제36항에 있어서,상기 제2 오믹 콘택트는 금속들 및 상기 금속들의 합금들의 복수의 층으로 된 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제37항에 있어서,상기 금속은 은과 알루미늄 중 적어도 하나를 포함하는 고반사 금속인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제38항에 있어서,상기 고반사 금속은 상기 발광 다이오드의 광 반사를 증진시키기 위한 광 반사층용인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제35항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 오믹 콘택트는 상기 p형층 외부면 전체를 덮는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제35항 내지 제39항 중 어느 한 항에 잇어서,상기 제2 오믹 콘택트는 상기 p형층 외부면 일부면을 덮고, 상기 p형층형층면의 남은 부분은 적어도 일부가 상기 발광 다이오드의 광 출사를 증진시키도록 광을 반사시키기 위한 적어도 하나의 반사 물질로 덮인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제27항 내지 제41항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,상기 p형층, 상기 활성층 및 상기 n형층은 GaN, InGaN, AlGaN, AlGaInN, InN 및 AlN로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제25항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서,상기 p형 측 상에 표면 텍스쳐링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제43항에 있어서,상기 p형 측 상에 형성된 표면 텍스쳐링은 상기 p형층, 상기 오믹 콘택트층, 및 상기 콘택트층으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 한 층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 p형층, 상기 오믹 콘택트층, 및 상기 콘택트층으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 한 층을 표면 텍스쳐링하여 p형 측 상에 표면 텍스쳐링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 외부 광 효율 개선 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SG200605500-8 | 2006-08-16 | ||
SG200605500-8A SG140473A1 (en) | 2006-08-16 | 2006-08-16 | Improvements in external light efficiency of light emitting diodes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090049065A true KR20090049065A (ko) | 2009-05-15 |
Family
ID=39082287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020097004802A KR20090049065A (ko) | 2006-08-16 | 2007-08-16 | 발광 다이오드 외부 광효율 개선 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8395167B2 (ko) |
EP (1) | EP2052417A4 (ko) |
JP (1) | JP2010500774A (ko) |
KR (1) | KR20090049065A (ko) |
CN (1) | CN101536196A (ko) |
SG (1) | SG140473A1 (ko) |
TW (1) | TW200818555A (ko) |
WO (1) | WO2008020819A1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101106138B1 (ko) * | 2010-10-01 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 개선된 발광 효율을 갖는 발광다이오드 및 제조방법 |
WO2012026695A2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode with improved luminous efficiency |
KR101125395B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
KR20190129440A (ko) * | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 표면발광 레이저소자 및 이를 포함하는 발광장치 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007521635A (ja) | 2003-09-19 | 2007-08-02 | ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド | 半導体デバイスの製造 |
KR20070013273A (ko) | 2004-03-15 | 2007-01-30 | 팅기 테크놀러지스 프라이빗 리미티드 | 반도체 장치의 제조 |
WO2005098974A1 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-20 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting diodes |
SG130975A1 (en) | 2005-09-29 | 2007-04-26 | Tinggi Tech Private Ltd | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
SG131803A1 (en) | 2005-10-19 | 2007-05-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Fabrication of transistors |
KR20070063731A (ko) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | 엘지전자 주식회사 | 나노 패턴이 형성된 기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한발광소자 |
SG133432A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-07-30 | Tinggi Tech Private Ltd | Localized annealing during semiconductor device fabrication |
SG140512A1 (en) | 2006-09-04 | 2008-03-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Electrical current distribution in light emitting devices |
WO2008073400A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
JP5234454B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-07-10 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
JP5167076B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2013-03-21 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
KR100998017B1 (ko) * | 2009-02-23 | 2010-12-03 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지용 렌즈 및 이를 구비하는 발광소자 패키지 |
JP2012526392A (ja) | 2009-05-05 | 2012-10-25 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 抽出効率を向上させた再発光半導体構造 |
US20110089447A1 (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-21 | Wu-Cheng Kuo | Light-emiting device chip with micro-lenses and method for fabricating the same |
KR101134802B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
CN102208508B (zh) * | 2010-03-30 | 2014-05-07 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管结构及其制造方法 |
JP2012015154A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Ngk Insulators Ltd | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
EP2617781B1 (en) | 2010-09-01 | 2020-11-25 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes and method of using the same |
CN103594461B (zh) | 2010-09-01 | 2016-10-05 | 无限科技全球公司 | 二极管、二极管或其他二端集成电路的液体或胶体悬浮液的可印组成物及其制备方法 |
CN102130285B (zh) * | 2010-11-03 | 2012-12-26 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
US8796053B2 (en) | 2010-12-21 | 2014-08-05 | Ultratech, Inc. | Photolithographic LED fabrication using phase-shift mask |
TW201248915A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Aceplux Optotech Inc | Light-emitting diode of high light-extraction efficiency and its preparation method |
KR101756334B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2017-07-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
TWI447955B (zh) | 2011-11-23 | 2014-08-01 | Ind Tech Res Inst | 發光二極體元件、其導光結構的形成方法與形成設備 |
US9022601B2 (en) * | 2012-04-09 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Optical element including texturing to control beam width and color mixing |
CN102856456B (zh) * | 2012-09-20 | 2015-11-25 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 垂直型发光二极管 |
CN102881796B (zh) * | 2012-09-20 | 2014-08-20 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 具有环形反射层的发光器件 |
US10381517B2 (en) | 2014-01-29 | 2019-08-13 | Auk Corp. | Aluminum-gallium-indium-phosphorus-based light emitting diode having gallium nitride layer of uneven type and method for manufacturing same |
US20170353641A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-07 | Intel Corporation | Illuminator with engineered illumination pattern |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
DE102021109960A1 (de) | 2021-04-20 | 2022-10-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips |
Family Cites Families (160)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3848490A (en) | 1973-11-02 | 1974-11-19 | Gerber Garment Technology Inc | Method and apparatus for controlling a cutting tool |
US3897627A (en) | 1974-06-28 | 1975-08-05 | Rca Corp | Method for manufacturing semiconductor devices |
CA1027257A (en) | 1974-10-29 | 1978-02-28 | James A. Benjamin | Overlay metallization field effect transistor |
US5192987A (en) | 1991-05-17 | 1993-03-09 | Apa Optics, Inc. | High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions |
JPH06310500A (ja) | 1993-01-22 | 1994-11-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5376580A (en) | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
US5654228A (en) | 1995-03-17 | 1997-08-05 | Motorola | VCSEL having a self-aligned heat sink and method of making |
JP3511970B2 (ja) | 1995-06-15 | 2004-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
FR2737342B1 (fr) | 1995-07-25 | 1997-08-22 | Thomson Csf | Composant semiconducteur avec dissipateur thermique integre |
KR0159388B1 (ko) * | 1995-09-30 | 1999-02-01 | 배순훈 | 평탄화 방법 |
US5917202A (en) | 1995-12-21 | 1999-06-29 | Hewlett-Packard Company | Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices |
JP2005260255A (ja) | 1996-02-19 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US5811927A (en) | 1996-06-21 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Method for affixing spacers within a flat panel display |
US5948281A (en) * | 1996-08-30 | 1999-09-07 | Sony Corporation | Microlens array and method of forming same and solid-state image pickup device and method of manufacturing same |
US6210479B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-04-03 | International Business Machines Corporation | Product and process for forming a semiconductor structure on a host substrate |
US6420735B2 (en) * | 1997-05-07 | 2002-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Surface-emitting light-emitting diode |
US6784463B2 (en) | 1997-06-03 | 2004-08-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
US6117784A (en) | 1997-11-12 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Process for integrated circuit wiring |
US6559038B2 (en) * | 1997-11-18 | 2003-05-06 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for growing p-n heterojunction-based structures utilizing HVPE techniques |
KR19990052640A (ko) | 1997-12-23 | 1999-07-15 | 김효근 | 오믹접촉 형성을 이용한 다이오드용 금속박막및 그의 제조방법 |
US6071795A (en) | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
US6091085A (en) | 1998-02-19 | 2000-07-18 | Agilent Technologies, Inc. | GaN LEDs with improved output coupling efficiency |
JP3144377B2 (ja) * | 1998-03-13 | 2001-03-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE19921987B4 (de) | 1998-05-13 | 2007-05-16 | Toyoda Gosei Kk | Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen |
JP3847477B2 (ja) | 1998-12-17 | 2006-11-22 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
US6803243B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-10-12 | Cree, Inc. | Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices |
JP3525061B2 (ja) | 1998-09-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
US6307218B1 (en) | 1998-11-20 | 2001-10-23 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Electrode structures for light emitting devices |
JP3739951B2 (ja) | 1998-11-25 | 2006-01-25 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3531722B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2004-05-31 | 信越半導体株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
US6744800B1 (en) | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
EP1039555A1 (en) | 1999-03-05 | 2000-09-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device |
JP2000294837A (ja) | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Stanley Electric Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
US6020261A (en) | 1999-06-01 | 2000-02-01 | Motorola, Inc. | Process for forming high aspect ratio circuit features |
GB9913950D0 (en) * | 1999-06-15 | 1999-08-18 | Arima Optoelectronics Corp | Unipolar light emitting devices based on iii-nitride semiconductor superlattices |
JP4189710B2 (ja) | 1999-07-16 | 2008-12-03 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2001035974A (ja) | 1999-07-19 | 2001-02-09 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001049491A (ja) | 1999-08-04 | 2001-02-20 | Fujitsu Ltd | Cu電解めっき成膜方法 |
JP3633447B2 (ja) | 1999-09-29 | 2005-03-30 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子 |
US6492661B1 (en) * | 1999-11-04 | 2002-12-10 | Fen-Ren Chien | Light emitting semiconductor device having reflection layer structure |
EP1234344B1 (en) * | 1999-12-03 | 2020-12-02 | Cree, Inc. | Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements |
JP2001168094A (ja) | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Murata Mfg Co Ltd | 配線構造、配線形成方法及び半導体装置 |
US6573537B1 (en) * | 1999-12-22 | 2003-06-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs |
US6514782B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-02-04 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
JP4501225B2 (ja) | 2000-02-21 | 2010-07-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
JP2001237461A (ja) | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
EP1139409A3 (en) | 2000-02-29 | 2003-01-02 | Agere Systems Guardian Corporation | Selective laser anneal on semiconductor material |
JP4060511B2 (ja) | 2000-03-28 | 2008-03-12 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体素子の分離方法 |
DE10051465A1 (de) | 2000-10-17 | 2002-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis |
CN1252837C (zh) | 2000-04-26 | 2006-04-19 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 | 在GaN基板上的发光二极管芯片和用GaN基板上的发光二极管芯片制造发光二极管元件的方法 |
JP2002083999A (ja) | 2000-06-21 | 2002-03-22 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
US6420732B1 (en) | 2000-06-26 | 2002-07-16 | Luxnet Corporation | Light emitting diode of improved current blocking and light extraction structure |
US6661028B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-12-09 | United Epitaxy Company, Ltd. | Interface texturing for light-emitting device |
TW456058B (en) | 2000-08-10 | 2001-09-21 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and the manufacturing method thereof |
US6380564B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-04-30 | United Epitaxy Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US6562648B1 (en) | 2000-08-23 | 2003-05-13 | Xerox Corporation | Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials |
TW466784B (en) | 2000-09-19 | 2001-12-01 | United Epitaxy Co Ltd | Method to manufacture high luminescence LED by using glass pasting |
TW475276B (en) * | 2000-11-07 | 2002-02-01 | Ind Tech Res Inst | GaN based III-V compound semiconductor light-emitting device |
US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
JP3970530B2 (ja) | 2001-02-19 | 2007-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6956250B2 (en) | 2001-02-23 | 2005-10-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials including thermally conductive regions |
US6611002B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-08-26 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods including backside vias |
CN1185720C (zh) | 2001-03-05 | 2005-01-19 | 全新光电科技股份有限公司 | 一种镀有金属反射镜膜基板的发光二极管及其制造方法 |
US6468824B2 (en) | 2001-03-22 | 2002-10-22 | Uni Light Technology Inc. | Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate |
US6589857B2 (en) * | 2001-03-23 | 2003-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor film |
US6509270B1 (en) * | 2001-03-30 | 2003-01-21 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for polishing a semiconductor topography |
JP4055503B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP3969029B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2007-08-29 | ソニー株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
KR100482174B1 (ko) | 2001-08-08 | 2005-04-13 | 삼성전기주식회사 | 기판제거 기술을 이용한 GaN계 LED 제작 방법 |
US20030064535A1 (en) | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Kub Francis J. | Method of manufacturing a semiconductor device having a thin GaN material directly bonded to an optimized substrate |
JP4336071B2 (ja) | 2001-11-08 | 2009-09-30 | 古河電気工業株式会社 | 放熱性に優れた半導体装置 |
US6784462B2 (en) | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
US6455340B1 (en) | 2001-12-21 | 2002-09-24 | Xerox Corporation | Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff |
JP3802424B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2006-07-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3782357B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2003243700A (ja) | 2002-02-12 | 2003-08-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
KR100459547B1 (ko) * | 2002-02-18 | 2004-12-04 | 삼성전자주식회사 | 포토다이오드 제조방법 |
JP4242599B2 (ja) | 2002-04-08 | 2009-03-25 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法 |
US8294172B2 (en) | 2002-04-09 | 2012-10-23 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating vertical devices using a metal support film |
US20030189215A1 (en) | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Jong-Lam Lee | Method of fabricating vertical structure leds |
JP3896027B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4233268B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3962282B2 (ja) | 2002-05-23 | 2007-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3962283B2 (ja) | 2002-05-29 | 2007-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2004014938A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004088083A (ja) | 2002-06-25 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法 |
TW540171B (en) | 2002-07-18 | 2003-07-01 | United Epitaxy Co Ltd | Manufacturing method of high-power light emitting diode |
DE10234977A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis |
JP2004072052A (ja) | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6649437B1 (en) | 2002-08-20 | 2003-11-18 | United Epitaxy Company, Ltd. | Method of manufacturing high-power light emitting diodes |
KR100497127B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2005-06-28 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 반도체 엘이디 소자 |
JP3864222B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2006-12-27 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体素子構造、電子エミッタ及び半導体素子構造の製造方法 |
US6784460B2 (en) * | 2002-10-10 | 2004-08-31 | Agilent Technologies, Inc. | Chip shaping for flip-chip light emitting diode |
US20040104395A1 (en) | 2002-11-28 | 2004-06-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light-emitting device, method of fabricating the same, and OHMIC electrode structure for semiconductor device |
KR100495215B1 (ko) | 2002-12-27 | 2005-06-14 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법 |
US6825559B2 (en) | 2003-01-02 | 2004-11-30 | Cree, Inc. | Group III nitride based flip-chip intergrated circuit and method for fabricating |
US20080105303A1 (en) | 2003-01-03 | 2008-05-08 | Bp Corporation North America Inc. | Method and Manufacturing Thin Film Photovoltaic Modules |
JP4179539B2 (ja) | 2003-01-15 | 2008-11-12 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2004241397A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2004288799A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 |
JP4492034B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-06-30 | 日亜化学工業株式会社 | Hemt及びその製造方法 |
WO2004102686A1 (en) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Cree, Inc. | Led fabrication via ion implant isolation |
JP4295669B2 (ja) | 2003-05-22 | 2009-07-15 | パナソニック株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US7244628B2 (en) | 2003-05-22 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor devices |
KR100483049B1 (ko) | 2003-06-03 | 2005-04-15 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드의 제조방법 |
US6921924B2 (en) * | 2003-06-18 | 2005-07-26 | United Epitaxy Company, Ltd | Semiconductor light-emitting device |
US6967346B2 (en) | 2003-08-02 | 2005-11-22 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting diode structure and manufacture method thereof |
US6958494B2 (en) | 2003-08-14 | 2005-10-25 | Dicon Fiberoptics, Inc. | Light emitting diodes with current spreading layer |
EP3699963A1 (en) * | 2003-08-19 | 2020-08-26 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate |
CN101373807B (zh) | 2003-09-19 | 2010-06-09 | 霆激技术有限公司 | 半导体器件上导电金属层的制作 |
JP2007521635A (ja) | 2003-09-19 | 2007-08-02 | ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド | 半導体デバイスの製造 |
US6911376B2 (en) | 2003-10-01 | 2005-06-28 | Wafermasters | Selective heating using flash anneal |
US7700973B2 (en) | 2003-10-10 | 2010-04-20 | The Regents Of The University Of California | GaN/AlGaN/GaN dispersion-free high electron mobility transistors |
TWI313071B (en) | 2003-10-15 | 2009-08-01 | Epistar Corporatio | Light-emitting semiconductor device having enhanced brightness |
US7119372B2 (en) | 2003-10-24 | 2006-10-10 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode |
US7012281B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-03-14 | Epistar Corporation | Light emitting diode device and manufacturing method |
JP4124102B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法 |
EP1697983B1 (en) | 2003-12-09 | 2012-06-13 | The Regents of The University of California | Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes having surface roughening |
US7033912B2 (en) | 2004-01-22 | 2006-04-25 | Cree, Inc. | Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods |
JP4647216B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2011-03-09 | 信越半導体株式会社 | GaP発光素子の製造方法 |
KR20070013273A (ko) * | 2004-03-15 | 2007-01-30 | 팅기 테크놀러지스 프라이빗 리미티드 | 반도체 장치의 제조 |
US20050208435A1 (en) | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Irene Chen | Method for fabricating metallic structure |
JP4955384B2 (ja) | 2004-03-30 | 2012-06-20 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP4356494B2 (ja) | 2004-03-30 | 2009-11-04 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2005098974A1 (en) | 2004-04-07 | 2005-10-20 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting diodes |
US7465592B2 (en) | 2004-04-28 | 2008-12-16 | Verticle, Inc. | Method of making vertical structure semiconductor devices including forming hard and soft copper layers |
US7791061B2 (en) | 2004-05-18 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces |
TWI433343B (zh) * | 2004-06-22 | 2014-04-01 | Verticle Inc | 具有改良光輸出的垂直構造半導體裝置 |
US20060002442A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Kevin Haberern | Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures |
TWI241038B (en) * | 2004-09-14 | 2005-10-01 | Ind Tech Res Inst | Light emitting diode structure and fabrication method thereof |
WO2006065010A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-22 | Lg Chem, Ltd. | METHOD FOR MANUFACTURING G a N-BASED LIGHT EMITTING DIODE USING LASER LIFT-OFF TECHNIQUE AND LIGHT EMITTING DIODE MANUFACTURED THEREBY |
US20060151801A1 (en) | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Doan Trung T | Light emitting diode with thermo-electric cooler |
US7378288B2 (en) | 2005-01-11 | 2008-05-27 | Semileds Corporation | Systems and methods for producing light emitting diode array |
US7413918B2 (en) | 2005-01-11 | 2008-08-19 | Semileds Corporation | Method of making a light emitting diode |
US7195944B2 (en) | 2005-01-11 | 2007-03-27 | Semileds Corporation | Systems and methods for producing white-light emitting diodes |
US20060154393A1 (en) | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Doan Trung T | Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode |
US7432119B2 (en) | 2005-01-11 | 2008-10-07 | Semileds Corporation | Light emitting diode with conducting metal substrate |
US7186580B2 (en) | 2005-01-11 | 2007-03-06 | Semileds Corporation | Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
US7335920B2 (en) * | 2005-01-24 | 2008-02-26 | Cree, Inc. | LED with current confinement structure and surface roughening |
EP1693891B1 (en) | 2005-01-31 | 2019-07-31 | IMEC vzw | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP4980615B2 (ja) | 2005-02-08 | 2012-07-18 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製法 |
US7348212B2 (en) | 2005-09-13 | 2008-03-25 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Interconnects for semiconductor light emitting devices |
US20070029541A1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Huoping Xin | High efficiency light emitting device |
JP2009509339A (ja) | 2005-09-16 | 2009-03-05 | クリー インコーポレイテッド | 炭化ケイ素パワーデバイスを有する半導体ウェハを処理する方法 |
SG130975A1 (en) | 2005-09-29 | 2007-04-26 | Tinggi Tech Private Ltd | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
US20070085098A1 (en) * | 2005-10-17 | 2007-04-19 | Luminus Devices, Inc. | Patterned devices and related methods |
SG131803A1 (en) | 2005-10-19 | 2007-05-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Fabrication of transistors |
KR20070055764A (ko) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | 광주과학기술원 | 화합물 반도체의 선택적 식각을 이용한 마이크로렌즈 및마이크로 렌즈가 집적된 광전소자 제조 방법 |
SG133432A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-07-30 | Tinggi Tech Private Ltd | Localized annealing during semiconductor device fabrication |
US7413980B2 (en) * | 2006-04-25 | 2008-08-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device with improved contact fuse |
US7525126B2 (en) * | 2006-05-02 | 2009-04-28 | 3M Innovative Properties Company | LED package with converging optical element |
US7952110B2 (en) * | 2006-06-12 | 2011-05-31 | 3M Innovative Properties Company | LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element |
US7952109B2 (en) * | 2006-07-10 | 2011-05-31 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Light-emitting crystal structures |
SG140512A1 (en) | 2006-09-04 | 2008-03-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Electrical current distribution in light emitting devices |
JP5082752B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子 |
JP4576412B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2010-11-10 | シャープ株式会社 | 着色マイクロレンズアレイの製造方法、カラー固体撮像素子およびその製造方法、カラー表示装置の製造方法、電子情報機器の製造方法 |
US7977695B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-07-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
DE102009018603B9 (de) * | 2008-04-25 | 2021-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben |
JP5468478B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-04-09 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 |
-
2006
- 2006-08-16 SG SG200605500-8A patent/SG140473A1/en unknown
-
2007
- 2007-08-16 WO PCT/SG2007/000261 patent/WO2008020819A1/en active Application Filing
- 2007-08-16 TW TW096130398A patent/TW200818555A/zh unknown
- 2007-08-16 CN CNA2007800304772A patent/CN101536196A/zh active Pending
- 2007-08-16 US US12/377,380 patent/US8395167B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-16 JP JP2009524584A patent/JP2010500774A/ja active Pending
- 2007-08-16 KR KR1020097004802A patent/KR20090049065A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-08-16 EP EP07794271A patent/EP2052417A4/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101125395B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
US8847256B2 (en) | 2009-10-28 | 2014-09-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system |
WO2012026695A2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode with improved luminous efficiency |
WO2012026695A3 (en) * | 2010-08-27 | 2012-05-31 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode with improved luminous efficiency |
US8878220B2 (en) | 2010-08-27 | 2014-11-04 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode with improved luminous efficiency |
KR101106138B1 (ko) * | 2010-10-01 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 개선된 발광 효율을 갖는 발광다이오드 및 제조방법 |
KR20190129440A (ko) * | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 표면발광 레이저소자 및 이를 포함하는 발광장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100295014A1 (en) | 2010-11-25 |
EP2052417A1 (en) | 2009-04-29 |
SG140473A1 (en) | 2008-03-28 |
WO2008020819A1 (en) | 2008-02-21 |
US8395167B2 (en) | 2013-03-12 |
CN101536196A (zh) | 2009-09-16 |
TW200818555A (en) | 2008-04-16 |
EP2052417A4 (en) | 2011-04-27 |
JP2010500774A (ja) | 2010-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20090049065A (ko) | 발광 다이오드 외부 광효율 개선 | |
JP5237286B2 (ja) | フォトニック結晶により定められたアレイ状エミッタを含む発光デバイス | |
US7129528B2 (en) | Electromagnetic radiation emitting semiconductor chip and procedure for its production | |
US6821804B2 (en) | Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements | |
JP4824293B2 (ja) | フォトニック結晶発光デバイス | |
US8466479B2 (en) | Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening | |
US20070166851A1 (en) | LIGHT EMITTING DIODES (LEDs) WITH IMPROVED LIGHT EXTRACTION BY ROUGHENING | |
US9437783B2 (en) | Light emitting diode (LED) contact structures and process for fabricating the same | |
TWI446585B (zh) | 利用粗糙化主動層及共形披覆層之高亮度發光二極體 | |
JP4957130B2 (ja) | 発光ダイオード | |
KR101228130B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광장치 | |
US11437427B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
KR101064011B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
US8592242B2 (en) | Etching growth layers of light emitting devices to reduce leakage current | |
KR100969160B1 (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
CN108140697B (zh) | 发光器件 | |
CN116420239A (zh) | 半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法 | |
KR20060032167A (ko) | 질화갈륨계 반도체 발광소자 | |
TWI786276B (zh) | 發光元件之製造方法 | |
KR100601144B1 (ko) | 질화갈륨계 반도체 발광소자 | |
TWI290775B (en) | Lighting system with high and improved extraction efficiency | |
KR20090041179A (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR20120046930A (ko) | 패터닝된 기판을 이용한 반도체 발광소자 제조방법 | |
KR20090080929A (ko) | 질화갈륨계 반도체 발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |