KR20050055582A - Ｒｒａｍ 메모리 셀 전극 - Google Patents
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Abstract
RRAM 메모리 셀은 내부에 동작 접합을 가지며 상부에 금속 플러그가 형성된 실리콘 기판상에 형성되며, 제 1 산화 방지층; 제 1 내화 금속층; CMR 층; 제 2 내화 금속층; 및 제 2 산화 방지층을 포함한다.
다층 전극 RRAM 메모리 셀을 제조하는 방법은, 실리콘 기판을 준비하는 단계; N+ 접합 및 P+ 접합으로 구성되는 접합의 군으로부터 선택되는 접합을 기판에 형성하는 단계; 상기 접합상에 금속 플러그를 막형성하는 단계; 상기 금속 플러그상에 제 1 산화 방지층을 막형성하는 단계; 상기 제 1 산화 방지층상에 제 1 내화 금속층을 막형성하는 단계; 상기 제 1 내화 금속층상에 CMR 층을 막형성하는 단계; 상기 CMR 층상에 제 2 내화 금속층을 막형성하는 단계; 상기 제 2 내화 금속층상에 제 2 산화 방지층을 막형성하는 단계; 및 RRAM 메모리 셀을 완성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 비휘발성 메모리 어레이용 박막 저항 메모리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게 설명하면 RRAM 메모리 셀용 다층 전극에 관한 것이다.
현 시점에서 입수가능한 상업적인 RRAM 장치는 없지만, Pt, Au, Ag, Al, Ti 및 TiN 전극을 이용하는 실험용 장치가 개발되고 있다. Pt, Au 및 Ag 전극 장치는 양호한 내구성을 나타내지만, 이들 재료로 형성되는 전극들은 종래의 집적 회로 에칭 공정을 이용해서 에칭될 수 없다. 초미세 대규모 메모리 장치 제작에 적합하지도 않고 비용면에서도 비효율적인, 얕은 마스크 또는 화학 기계적 연마 (CMP) 공정을 이용하여 실험용 장치가 제작된다. 실험용 장치에 이용되어 왔던 다른 전극 재료들은 불량한 신뢰성 및 불량한 내구성을 나타낸다. 2000년 5월에 발행된 Applied Physics Letters, Vol. 76, #19, p.2749-2751에서, Liu 등의 Electrical-pulse-induced reversible resistance change effect in magnetoresistive films 을 참조한다. 본 발명은 제조 비용을 절감함과 동시에, 장치 신뢰성, 내구성을 향상시키는 신뢰성있는 전극 구조를 제공한다.
본 발명의 목적은 장치 신뢰성 및 장치 내구성을 향상시키고, 경제적으로 제조될 수 있는 신뢰성있는 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 산화를 방지하는 다층 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 RRAM 용의 금속 전극을 제공하는 것이다.
내부에 동작 접합을 가지며 상부에 금속 플러그가 형성된 실리콘 기판상에 형성되는 RRAM 메모리 셀은, 제 1 산화 방지층; 제 1 내화 금속층; CMR 층; 제 2 내화 금속층; 및 제 2 산화 방지층을 포함한다.
다층 전극 RRAM 메모리 셀을 제조하는 방법은, 실리콘 기판을 준비하는 단계; N+ 접합 및 P+ 접합으로 구성되는 접합의 군으로부터 선택되는 접합을 기판에 형성하는 단계; 상기 접합상에 금속 플러그를 막형성하는 단계; 상기 금속 플러그상에 제 1 산화 방지층을 막형성하는 단계; 상기 제 1 산화 방지층상에 제 1 내화 금속층을 막형성하는 단계; 상기 제 1 내화 금속층상에 CMR 층을 막형성하는 단계; 상기 CMR 층상에 제 2 내화 금속층을 막형성하는 단계; 상기 제 2 내화 금속층상에 제 2 산화 방지층을 막형성하는 단계; 및 RRAM 메모리 셀을 완성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 요약 및 목적은 본 발명의 본질을 빨리 이해할 수 있도록 하기 위해 제공한다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 대한, 도면을 참조하면서, 다음의 상세한 설명을 통하여 본 발명을 더욱 완전하게 이해할 수 있다.
실험 데이터는, 프로그래밍 동안에, 애노드 근처의 RRAM 재료의 저항률은 낮은 저항률 상태로 스위칭되는 반면에, 캐소드 근처의 RRAM 재료의 저항률은 높은 저항률 상태로 스위칭되는 것을 입증하고 있다. 협 전압 펄스가 장치에 인가되는 순간 동안에, 저항률의 반전이 발생하여, 캐소드 근방의 전압 강하를 유발한다. 이 저항률의 변화에 요구되는 분명한 개시 전압이 있다. 또한, 재료가 소정의 산소 함유량을 필요로 하며, 산소 함유량이 너무 낮은 경우에는, 저항률이 변화하지 않는다는 점이 실험적으로 발견되었다.
RRAM 메모리 셀의 전극이 산화 방지가 되지 않으면, 제조 공정 열처리 동안에 전극은 산화되거나, 정규 동작 중에 전류-전압으로 발생되는 열에 의해 점차적으로 산화될 것이다. 전극 산화가 발생함과 동시에, RRAM 재료로부터 전극으로 산소가 확산하여, 산소 결핍 영역을 발생시킨다. 산화된 전극 및 산소 결핍 영역 양자는 고저항을 가진다. 또한, 도 1에서 설명하는 바와 같이, 전기적 펄스에 의해서 산소 결핍 영역은 저저항 상태로 변화될 수 없다. 캐소드에 인가되는 유효 전압은 따라서,
로 주어지게 된다.
여기에서, I 는 장치를 통하여 흐르는 전류이고, R 은 메모리 재료의 산화된 전극과 산소 결핍 영역의 직렬 저항이며, QDS 는 공핍 영역의 순전하이고, COD 는 산소 결핍 영역 커패시턴스와 산화된 전극 커패시턴스의 직렬 커패시턴스이다. 상기 등식은, 전극의 산화에 의해 유효 프로그래밍 전압이 상당히 저하될 수 있다는 점을 입증한다.
전술한 바와 같이, 초미세 크기의 Pt 전극은 화학 기계적 연마 (CMP) 공정에 의해 형성될 수 있다. 단점은 비용이다. CMP 는 웨이퍼 표면의 평탄화, 산화물 트렌치의 형성 및 CMP 공정을 필요로 한다. 또한, Pt 는 산소 확산을 막을 수 없으며, 산소의 손실 및 산소 결핍 영역의 형성이 계속하여 일어날 수 있다.
RRAM 전극은 저항 재료와 반응해서는 안된다. 귀금속 전극이 바람직하다. 그러나, 대부분의 귀금속들은 산소 확산을 막지 못한다. 따라서, 도 2 에 도시된 바와 같이, 일반적으로 (10) 으로 나타낸, 다층 전극이 요구된다. 도 2는 내부에 N+ 접합 또는 P+ 접합이 형성되며, 접합 (16) 으로부터 산화물층을 통해서 다층 전극 RRAM 메모리 셀 (18) 로 금속 플러그 (16) 가 위로 연장하는, 기판 (12) 을 도시한다. RRAM 메모리 셀 (18) 은 산화 방지 재료층 (20 및 28), 내화 금속층 (22 및 26), 및 금속층, 상세하게는 바람직한 실시형태에서, 거대 자기저항 (colossal magnetoresistive; CMR) 재료층 (24) 을 포함한다.
층 (20, 28) 은 TiN, TaN, TiAlNx, TaAlNx, TaSiN, TiSiN 및 RuTiN와 같은 산화 방지 재료로 형성된다. 본 명세서에서 각각 제 1 산화 방지층 및 제 2 산화 방지층이라고 하는 층 (20, 28) 의 두께는 대략 50㎚ 내지 300㎚ 사이이다. 층 (20, 28) 은 어떠한 종래의 드라이 에치 공정을 이용하여 에칭될 수 있다.
층 (22, 26) 은 Pt, Ir, IrO2, Ru, RuO2, Au, Ag, Rh, Pd, Ni 및 Co 와 같은 내화 금속으로 형성된다. 본 명세서에서 각각 제 1 내화 금속층 및 제 2 내화 금속층이라고 하는 층 (22, 26) 의 두께는, 대략 3㎚ 내지 50㎚ 사이이다. 층 (22, 26) 은 매우 얇기 때문에, 마스크 재료의 과도한 열화가 없으며 에칭된 재료의 재-막형성이 없는 부분적인 스퍼터링 공정을 이용하여 드라이 에치될 수 있다. 캐소드 및 애노드 양자에 대해 이중 금속 전극을 가지는 것이 바람직하지만, 도 2에 도시된 바와 같이, 소정의 애플리케이션에는 단 하나의 이중 금속 전극을 가지는 RRAM 셀이 신뢰성 있다.
CMR 층 (24) 은, PCMO (Pr0.7Ca0.3MnO3), LPCMO 또는 고온 초전도체 재료 등과 같은, 소정의 CMR 재료로 형성될 수 있으며, 스핀 코팅을 포함하여, 금속 유기 화학 증착 (MOCVD) 또는 금속 산화물 막형성 (MOD) 인 스퍼터링에 의해서, 막형성될 수 있다. CMR 층은 대략 50㎚ 내지 300㎚ 사이의 두께를 가진다.
도 3 을 참조하면, 본 발명의 방법은 일반적으로 (30) 으로 도시되며, 기판을 준비하는 단계 (32) 및 기판에 N+ 접합 또는 P+ 접합을 형성하는 단계 (34) 를 포함한다. 스퍼터링에 의해서 금속 플러그 (16) 가 막형성되며 (36), 텅스텐 또는 구리로 형성될 수 있다. 금속 플러그 (16) 는 패터닝되고 에칭된 후에, 다음으로 금속 플러그 (16) 둘레에 막형성되는 산화물층에 의해 둘러싸이게 된다.
제 1 산화 방지층이 막형성되고 (38), 그 후 제 1 내화 금속층이 막형성된다 (40). 그 후, CMR 층이 막형성된다 (42). 제 2 내화 금속층이 막형성되고 (44), 그 후 제 2 산화 방지층이 막형성된다 (46). 그 후, 공지된 기술에 따라 RRAM 메모리 셀이 완성될 수 있다 (48).
이와 같이, RRAM 메모리 셀 전극의 제조 방법을 개시하였다. 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 범위내에서 본 발명의 변형과 수정이 이루어질 수 있다.
이상, 본 발명의 다층 전극 RRAM 메모리 셀에 따르면, 장치 신뢰성 및 장치 내구성을 향상시키고, 경제적으로 제조될 수 있는 신뢰성있는 전극을 제공할 수 있다
도 1은 RRAM 메모리 셀의 저항 특성을 도시하는 도면.
도 2은 본 발명의 RRAM 다층 전극을 도시하는 도면.
도 3는 본 발명의 방법의 블럭도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 다층 전극
12: 기판
16: 금속 플러그
18: RRAM 메모리 셀
20, 28: 산화 방지층
22, 26: 내화 금속층
24: CMR 층
Claims (14)
- 내부에 동작 접합을 가지며 상부에 금속 플러그가 형성된 실리콘 기판상에 형성되는 RRAM 메모리 셀로서,제 1 산화 방지층;제 1 내화 금속층;CMR 층;제 2 내화 금속층; 및제 2 산화 방지층을 포함하는, RRAM 메모리 셀.
- 제 1 항에 있어서,상기 산화 방지층은 TiN, TaN, TiAlNx, TaAlNx, TaSiN, TiSiN 및 RuTiN 으로 구성되는 재료의 군으로부터 선택되는 재료로 형성되는, RRAM 메모리 셀.
- 제 2 항에 있어서,상기 산화 방지층은 대략 50㎚ 내지 300㎚ 사이의 두께를 가지는, RRAM 메모리 셀.
- 제 1 항에 있어서,상기 내화 금속층은, Pt, Ir, IrO2, Ru, RuO2, Au, Ag, Rh, Pd, Ni 및 Co 로 구성되는 재료의 군으로부터 선택되는 재료로 형성되는, RRAM 메모리 셀.
- 제 4 항에 있어서,상기 내화 금속층은 대략 3㎚ 내지 50㎚ 사이의 두께를 가지는, RRAM 메모리 셀.
- 제 1 항에 있어서,CMR 층은 CMR 재료 및 고온 초전도체로 구성되는 재료의 군으로부터 선택되는 재료로 형성되는, RRAM 메모리 셀.
- 제 6 항에 있어서,CMR 층은 대략 50㎚ 내지 300㎚ 사이의 두께를 가지는, RRAM 메모리 셀.
- 다층 전극 RRAM 메모리 셀을 제조하는 방법으로서,실리콘 기판을 준비하는 단계;N+ 접합 및 P+ 접합으로 구성되는 접합의 군으로부터 선택되는 접합을 상기 기판에 형성하는 단계;상기 접합상에 금속 플러그를 막형성하는 단계;상기 금속 플러그상에 제 1 산화 방지층을 막형성하는 단계;상기 제 1 산화 방지층상에 제 1 내화 금속층을 막형성하는 단계;상기 제 1 내화 금속층상에 CMR 층을 막형성하는 단계;상기 CMR 층상에 제 2 내화 금속층을 막형성하는 단계;상기 제 2 내화 금속층상에 제 2 산화 방지층을 막형성하는 단계; 및RRAM 메모리 셀을 완성하는 단계를 포함하는, 다층 전극 RRAM 메모리 셀 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 산화 방지층을 막형성하는 단계는 TiN, TaN, TiAlNx, TaAlNx, TaSiN, TiSiN 및 RuTiN 으로 구성되는 재료의 군으로부터 선택되는 재료를 막형성하는 단계를 포함하는, 다층 전극 RRAM 메모리 셀 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 산화 방지층을 막형성하는 단계는 대략 50㎚ 내지 300㎚ 사이의 두께로 상기 산화 방지층을 막형성하는 단계를 포함하는, 다층 전극 RRAM 메모리 셀 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 내화 금속층을 막형성하는 단계는 Pt, Ir, IrO2, Ru, RuO2, Au, Ag, Rh, Pd, Ni 및 Co 로 구성되는 재료의 군으로부터 선택되는 재료를 막형성하는 단계를 포함하는, 다층 전극 RRAM 메모리 셀 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 내화 금속층을 막형성하는 단계는 대략 3㎚ 내지 50㎚ 사이의 두께로 내화 금속을 막형성하는 단계를 포함하는, 다층 전극 RRAM 메모리 셀 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 CMR 층을 막형성하는 단계는 PCMO, LPCMO 및 고온 초전도체로 구성되는 재료의 군으로부터 선택되는 CMR 재료의 층을 막형성하는 단계를 포함하는, 다층 전극 RRAM 메모리 셀 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 CMR 층을 막형성하는 단계는 대략 50㎚ 내지 300㎚ 사이의 두께를 가지는 CMR 재료의 층을 막형성하는 단계를 포함하는, 다층 전극 RRAM 메모리 셀 제조 방법.
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