JPWO2012169195A1 - 抵抗変化素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記酸化物半導体は、第1の金属酸化物層と、第2の金属酸化物層とを有する。上記第1の金属酸化物層は、上記第1の電極と上記第2の電極との間に形成され、上記第1の電極とオーミック接合される。上記第2の金属酸化物層は、上記第1の金属酸化物層と上記第2の電極との間に形成され、上記第2の電極とオーミック接合される。
上記第1の電極の上に、第1の金属酸化物層が形成される。上記第1の金属酸化物層は、第1の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成される。
上記第1の金属酸化物層の上に、第2の金属酸化物層が形成される。上記第2の金属酸化物層は、上記第1の抵抗率と異なる第2の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成される。
上記第2の金属酸化物層の上に、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wのいずれかの金属、あるいはその化合物で構成された第2の電極が形成される。
上記第1の電極の上に、第1の金属酸化物層が形成される。上記第1の金属酸化物層は、第1の抵抗率を有し、P型酸化物半導体で構成される。
上記第1の金属酸化物層の上に、第2の金属酸化物層が形成される。上記第2の金属酸化物層は、前記第1の抵抗率と異なる第2の抵抗率を有し、P型酸化物半導体で構成される。
上記第2の金属酸化物層の上に、Fe,Co,Ni,Cu,Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Pt,Auのいずれかの金属、あるいはその化合物で構成された第2の電極が形成される。
上記酸化物半導体は、第1の金属酸化物層と、第2の金属酸化物層とを有する。上記第1の金属酸化物層は、上記第1の電極と上記第2の電極との間に形成され、上記第1の電極とオーミック接合される。上記第2の金属酸化物層は、上記第1の金属酸化物層と上記第2の電極との間に形成され、上記第2の電極とオーミック接合される。
上記第1の電極の上に、第1の金属酸化物層が形成される。上記第1の金属酸化物層は、第1の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成される。
上記第1の金属酸化物層の上に、第2の金属酸化物層が形成される。上記第2の金属酸化物層は、上記第1の抵抗率と異なる第2の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成される。
上記第2の金属酸化物層の上に、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wのいずれかの金属、あるいはその化合物で構成された第2の電極が形成される。
上記第1の電極の上に、第1の金属酸化物層が形成される。上記第1の金属酸化物層は、第1の抵抗率を有し、P型酸化物半導体で構成される。
上記第1の金属酸化物層の上に、第2の金属酸化物層が形成される。上記第2の金属酸化物層は、前記第1の抵抗率と異なる第2の抵抗率を有し、P型酸化物半導体で構成される。
上記第2の金属酸化物層の上に、Fe,Co,Ni,Cu,Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Pt,Auのいずれかの金属、あるいはその化合物で構成された第2の電極が形成される。
(2)Pt,Ir,Ru,Pd,TiN,TiAlN,TaNなどの酸化耐性がある電極上にALD法、CVD法、酸化ガスによる反応性スパッタ法などにより、金属酸化物を多積させる。
(3)IrOx,RuOx,SrRuO3,LaNiO3,ITOなどの酸化物電気伝導体上にALD法、CVD法、酸化ガスによる反応性スパッタ法などにより、金属酸化物を堆積させる。
(4)TaC,WSi,WGeなど、Si,C,Geなど還元力の強い元素が含まれる電気伝導体上にALD法、CVD法、酸化ガスによる反応性スパッタ法などにより、金属酸化物を耐性させる。
(5)下部電極層3上に堆積された金属酸化物の下部電極界面近傍に、ドナー元素またはアクセプタ元素をイオン注入、プラズマドープしたり、上記元素を成膜ガスやターゲットに混入する。
(6)電位障壁を形成しない金属材料と酸化物材料を組み合わせる。
2…基板
3…下部電極層
4…酸化物半導体層
5…上部電極層
41…第1の金属酸化物層
42…第2の金属酸化物層
上記第1の電極の上に、第1の金属酸化物層が形成される。上記第1の金属酸化物層は、第1の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成される。
上記第1の金属酸化物層の上に、第2の金属酸化物層が形成される。上記第2の金属酸化物層は、上記第1の抵抗率と異なる第2の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成される。
上記第2の金属酸化物層の上に、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Taのいずれかの金属で構成された第2の電極が形成される。
上記第1の電極の上に、第1の金属酸化物層が形成される。上記第1の金属酸化物層は、第1の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成される。
上記第1の金属酸化物層の上に、第2の金属酸化物層が形成される。上記第2の金属酸化物層は、上記第1の抵抗率と異なる第2の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成される。
上記第2の金属酸化物層の上に、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Taのいずれかの金属で構成された第2の電極が形成される。
(2)Pt,Ir,Ru,Pdなどの酸化耐性がある電極上にALD法、CVD法、酸化ガスによる反応性スパッタ法などにより、金属酸化物を多積させる。
(3)IrOx,RuOx,SrRuO3,LaNiO3,ITOなどの酸化物電気伝導体上にALD法、CVD法、酸化ガスによる反応性スパッタ法などにより、金属酸化物を堆積させる。
(4)TaC,WSi,WGeなど、Si,C,Geなど還元力の強い元素が含まれる電気伝導体上にALD法、CVD法、酸化ガスによる反応性スパッタ法などにより、金属酸化物を堆積させる。
(5)下部電極層3上に堆積された金属酸化物の下部電極界面近傍に、ドナー元素またはアクセプタ元素をイオン注入、プラズマドープしたり、上記元素を成膜ガスやターゲットに混入する。
(6)電位障壁を形成しない金属材料と酸化物材料を組み合わせる。
Claims (5)
- 第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に形成され、前記第1の電極とオーミック接合される第1の金属酸化物層と、前記第1の金属酸化物と前記第2の電極との間に形成され、前記第2の電極とオーミック接合される第2の金属酸化物層とを有する酸化物半導体と
を具備する抵抗変化素子。 - 請求項1に記載の抵抗変化素子であって、
前記第1の金属酸化物層及び前記第2の金属酸化物層は、N型酸化物半導体であり、
前記第1の電極及び前記第2の電極は、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wのいずれかの金属あるいはその化合物である
抵抗変化素子。 - 請求項1に記載の抵抗変化素子であって、
前記第1の金属酸化物層及び前記第2の金属酸化物層は、P型酸化物半導体であり、
前記第1の電極及び前記第2の電極は、Fe,Co,Ni,Cu,Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Pt,Auのいずれかの金属あるいはその化合物である
抵抗変化素子。 - 基板上に、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wのいずれかの金属あるいはその化合物で構成された第1の電極を形成し、
前記第1の電極の上に、第1の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成された第1の金属酸化物層を形成し、
前記第1の金属酸化物層の上に、前記第1の抵抗率と異なる第2の抵抗率を有し、N型酸化物半導体で構成された第2の金属酸化物層を形成し、
前記第2の金属酸化物層の上に、Ti,V,Cr,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,Wのいずれかの金属あるいはその化合物で構成された第2の電極を形成する
抵抗変化素子の製造方法。 - 基板上に、Fe,Co,Ni,Cu,Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Pt,Auのいずれかの金属あるいはその化合物で構成された第1の電極を形成し、
前記第1の電極の上に、第1の抵抗率を有し、P型酸化物半導体で構成された第1の金属酸化物層を形成し、
前記第1の金属酸化物層の上に、前記第1の抵抗率と異なる第2の抵抗率を有し、P型酸化物半導体で構成された第2の金属酸化物層を形成し、
前記第2の金属酸化物層の上に、Fe,Co,Ni,Cu,Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Pt,Auのいずれかの金属あるいはその化合物で構成された第2の電極を形成する
抵抗変化素子の製造方法。
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