KR102506730B1

KR102506730B1 - 은 피복 수지 입자

Info

Publication number: KR102506730B1
Application number: KR1020207018647A
Authority: KR
Inventors: 히로토 아카이케; 가즈히코 야마사키; 겐스케 가게야마; 히로카즈 츠카다
Original assignee: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤; 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤
Priority date: 2018-02-06
Filing date: 2019-01-28
Publication date: 2023-03-06
Also published as: US20210363322A1; KR20200092369A; CN111512400B; TWI771559B; EP3751586A4; WO2019155924A1; EP3751586A1; CN111512400A; TW201940738A; US11542381B2; JPWO2019155924A1

Abstract

수지 입자 (11) 와, 상기 수지 입자 (11) 의 표면에 형성된 은 피복층 (12) 을 갖는 은 피복 수지 입자 (10) 로서, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 500 ㎫ 이상 15000 ㎫ 이하의 범위 내에 있고, 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 30 ％ 이하인 은 피복 수지 입자.

Description

은 피복 수지 입자

본 발명은, 수지 입자와, 이 수지 입자의 표면에 형성된 은 피복층을 갖는 은 피복 수지 입자에 관한 것이다.

본원은, 2018년 2월 6일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2018-019519호에 대해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

은 피복 수지 입자는, 은입자와 동등한 도전성을 갖고, 또한 모입자인 수지 입자가 은입자와 비교하여 부드럽기 때문에, 변형시키기 쉽다는 특성을 갖는다. 이 때문에, 은 피복 수지 입자는, TIM (Thermal Interface Material) 재료나 도전성 스페이서 등의 도전성 재료의 도전성 필러로서 이용되고 있다. 도전성 필러로서 이용하는 은 피복 수지 입자에서는, 그 은 피복 수지 입자를 함유하는 도전성 재료에 응력이 부여되었을 때에, 도전성 재료가 파손되지 않도록, 높은 응력 완화 능력을 갖는 것이 바람직하다.

특허문헌 1 에는, 높은 응력 완화 능력을 갖는 은 피복 수지 입자로서, 모입자의 수지 입자로서 평균 입경이 0.1 ∼ 10 ㎛ 인 수지 입자를 사용하고, 은 피복층에 함유되는 은의 양을, 은 피복 수지 입자 100 질량부에 대해 60 ∼ 90 질량부로 하고, 또한 은 피복 수지 입자를 시차열 분석했을 때의 발열 피크 온도를 265 ℃ 이상으로 한 은 피복 수지 입자가 개시되어 있다.

일본 공개특허공보 2016-130354호

상기 특허문헌 1 에 기재된 은 피복 수지 입자는, 시차열 분석했을 때의 발열 피크 온도가 265 ℃ 이상으로 되어 있고, 온도 변화에 대한 내성을 갖고 있지만, 인장이나 압축 등의 물리적인 충격이나 열응력 등의 응력에 대한 완화 능력이 불충분한 경우가 있었다.

본 발명은, 상기 서술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은, 응력에 대해 높은 완화 능력을 갖는 은 피복 수지 입자를 제공하는 것에 있다.

[1] 상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 은 피복 수지 입자는, 수지 입자와, 상기 수지 입자의 표면에 형성된 은 피복층을 갖는 은 피복 수지 입자로서, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 500 ㎫ 이상 15000 ㎫ 이하의 범위 내에 있고, 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 30 ％ 이하인 것을 특징으로 하고 있다.

이와 같은 구성으로 된 본 발명의 은 피복 수지 입자에 의하면, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 500 ㎫ 이상 15000 ㎫ 이하의 범위 내에 있고, 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 30 ％ 이하로 낮고, 10 ％ 압축 탄성률의 편차가 적기 때문에, 응력이 부여되었을 때는, 균일하게 변형되고, 높은 완화 능력을 발휘한다. 따라서, 본 발명의 은 피복 수지 입자를 함유하는 도전성 재료에 있어서는, 응력이 부여되었을 때는 은 피복 수지 입자가 균일하게 변형되고, 그 응력이 완화되어 특정한 지점에 응력이 잘 집중되지 않게 되기 때문에, 잘 파손되지 않게 된다.

[2] 상기 [1] 에 있어서, 상기 수지 입자는, 실리콘 수지 입자, 아라미드 수지 입자, 불소 수지 입자, 폴리술폰 수지 입자, 폴리에테르 수지 입자, 폴리이미드 수지 입자, 폴리아미드이미드 수지 입자, 에폭시 수지 입자, 페놀 수지 입자, 아크릴 수지 입자, 아크릴-스티렌 공중합체 입자, 폴리우레탄 입자, 코어 셀 구조를 갖는 수지 입자 중 어느 것을 사용해도 된다.

[3] 상기 [1] ∼ [2] 에 있어서, 상기 수지 입자의 평균 입자경은, 0.1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하의 범위 내여도 된다. 수지 입자의 평균 입자경이, 이 범위 내인 경우, 수지 입자가 잘 응집되지 않고, 또 수지 입자의 표면적이 작아져, 도전성 필러로서 필요한 도전성을 얻기 위한 은의 양을 억제할 수 있고, 또 양호한 은 피복층을 형성하기 쉬워진다. 본 발명의 은 피복 수지 입자를 도전성 재료의 도전성 필러로서 사용했을 때에, 평균 입자경이 이 범위 내이면, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 의하면, 응력에 대해 높은 완화 능력을 갖는 은 피복 수지 입자를 제공하는 것이 가능해진다.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 은 피복 수지 입자의 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 은 피복 수지 입자의 제조 방법을 나타내는 플로도이다.

이하에, 본 발명의 실시형태에 대해 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

[은 피복 수지 입자]

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태인 은 피복 수지 입자의 단면도이다.

도 1 에 있어서, 은 피복 수지 입자 (10) 는, 수지 입자 (11) 와, 수지 입자 (11) 의 표면에 형성된 은 피복층 (12) 을 갖는다. 은 피복 수지 입자 (10) 는, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 500 ㎫ 이상 15000 ㎫ 이하의 범위 내에 있고, 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 30 ％ 이하로 되어 있다.

(수지 입자)

수지 입자 (11) 로는, 예를 들어, 실리콘 수지 입자, 아라미드 수지 입자, 불소 수지 입자, 폴리술폰 수지 입자, 폴리에테르 수지 입자, 폴리이미드 수지 입자, 폴리아미드이미드 수지 입자, 에폭시 수지 입자, 페놀 수지 입자, 아크릴 수지 입자, 아크릴-스티렌 공중합체 입자, 폴리우레탄 입자, 코어 셀 구조를 갖는 수지 입자를 사용할 수 있다. 실리콘 수지 입자의 예로는, 폴리실세스퀴옥산 (PSQ) 수지 입자, 폴리메틸실세스퀴옥산 (PMSQ) 수지 입자를 들 수 있다. 아라미드 수지 입자의 예로는, 폴리메타페닐렌이소프탈아미드 (MPIA) 수지 입자, 폴리파라페닐렌테레프탈아미드 (PPTA) 수지 입자를 들 수 있다. 불소 수지 입자의 예로는, 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE) 수지 입자, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-비닐리덴플루오라이드 (THV) 수지 입자, 폴리비닐리덴플루오라이드 (PVDF) 계 수지 입자, 폴리클로로트리플루오로에틸렌 (PCTFE) 계 수지 입자, 클로로트리플루오로에틸렌-에틸렌 (ECTFE) 계 수지 입자, 테트라플루오로에틸렌-에틸렌 (ETFE) 계 수지 입자, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 (FEP) 계 수지 입자, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 (PFA) 계 수지 입자 등을 들 수 있다. 폴리술폰 수지 입자의 예로는, 폴리페닐렌술파이드 (PPS) 수지, 폴리에테르-술폰 (PES) 수지 등을 들 수 있다. 폴리에테르 수지 입자의 예로는, 폴리에테르·에테르·케톤 (PEEK) 수지 입자, 폴리페닐렌에테르 (PPE) 수지 입자 등을 들 수 있다. 페놀 수지 입자의 예로는, 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 또는 그것들의 일부를 변성한 페놀 수지 등을 들 수 있다. 폴리우레탄 입자로는, 폴리에스테르계 폴리우레탄 입자, 폴리올계 폴리우레탄 입자 등을 들 수 있다. 코어 셀 구조를 갖는 수지 입자의 예로는, 아크릴 수지 코어-실리콘 수지 쉘의 수지 입자를 들 수 있다. 아크릴 수지 코어-실리콘 수지 쉘의 수지 입자는, 아크릴 수지 입자에 실리콘 수지막을 피복함으로써 제조된다.

수지 입자 (11) 는, 열중량 분석에 의해 측정되는 5 ％ 질량 감소 온도가 265 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 5 ％ 질량 감소 온도란, 사전에 물리 흡착된 수분을 120 ℃ 에서 건조시킨 수지 입자를, 불활성 분위기 중에서 열중량 분석했을 때에, 25 ℃ 에 있어서의 초기 중량으로부터 5 질량％ 감소했을 때의 온도를 의미한다. 수지 입자 (11) 의 5 ％ 질량 감소 온도가 265 ℃ 미만인 은 피복 수지 입자 (10) 를 도전성 필러로서 함유하는 도전성 페이스트에 의해 형성된 도전막의 내열성이 저하될 우려가 있다.

즉, 예를 들어, 이 도전막과 동일한 기판 상에, 전자 부품을 솔더링하는 경우, 이 도전막도 솔더링 온도까지 가열되게 되고, 수지 입자 (11) 의 5 ％ 질량 감소 온도가 265 ℃ 미만인 경우, 수지 입자 (11) 가 열분해되어 도전막의 형상을 유지하기 어려워질 우려가 있다.

수지 입자 (11) 의 형상은, 특별히 제한은 없다. 수지 입자 (11) 는, 구상의 입자여도 되고, 구상이 아니라 이형상, 예를 들어 편평상, 판상, 침상이어도 된다.

수지 입자 (11) 의 평균 입자경은, 0.1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 0.5 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하의 범위 내에 있는 것이 보다 바람직하다. 수지 입자 (11) 의 평균 입자경이 0.1 ㎛ 미만인 경우에서는, 수지 입자 (11) 가 응집되기 쉽고, 또 수지 입자 (11) 의 표면적이 커져, 도전성 필러로서 필요한 도전성을 얻기 위해서는 은의 양을 많게 할 필요가 있고, 또 양호한 은 피복층 (12) 을 형성하기 어려워질 우려가 있다. 한편, 수지 입자 (11) 의 평균 입자경이 30 ㎛ 를 초과하면, 은 피복 수지 입자 (10) 를 도전성 재료의 도전성 필러로서 사용했을 때에, 입자경이 큰 입자에 응력 집중이 발생하기 쉬워, 신뢰성을 저하시킬 우려가 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 수지 입자 (11) 의 평균 입자경이란, 주사형 전자 현미경 (주식회사 히타치 하이테크놀로지스 제조, 형식명 : SU-1500) 을 사용하여, 소프트웨어 (품명 : PC SEM) 에 의해, 배율 5000 배로, 300 개의 수지 입자의 직경 (입자경) 을 측정하여, 산출된 평균치를 말한다. 수지 입자 (11) 가 구형상 이외인 경우에는, 수지 입자 (11) 의 장변을 평균한 값을 평균 입자경이라고 한다.

또 수지 입자 (11) 는, 입자경의 변동 계수가 30 ％ 이하이고, 입자경이 고르게 되어 있는 것이 바람직하다. 수지 입자 (11) 의 입자경의 변동 계수가 30 ％ 를 초과하고, 입자경이 고르게 되어 있지 않으면, 은 피복 수지 입자 (10) 를 도전성 필러로서 사용할 때의 도전성 부여의 재현성이 저하될 우려가 있다. 수지 입자 (11) 의 입자경의 변동 계수 (단위 : ％) 는, 상기 300 개의 수지 입자 (11) 의 입자경의 표준 편차와 평균 입자경으로부터, 식 : [(입자경의 표준 편차/평균 입자경) × 100] 에 의해 구한 값이다.

(은 피복층)

은 피복 수지 입자 (10) 의 은 피복층 (12) 의 함유량, 즉 은 피복 수지 입자 (10) 의 은의 함유량은, 은 피복 수지 입자 (10) 의 질량을 100 으로 했을 때에 25 질량％ 이상 90 질량％ 이하의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 40 질량％ 이상 85 질량％ 이하의 범위 내에 있는 것이 보다 바람직하다. 은의 함유량이 25 질량％ 미만이면, 은 피복층 (12) 에 결손이 발생할 우려가 있다. 한편, 은의 함유량이 90 질량부를 초과하면, 은 피복 수지 입자의 비중이 지나치게 커져, TIM 재료나 도전성 스페이서 등의 도전성 재료에 균일하게 분산시키기 어려워질 우려가 있다. 또, 은의 함유량이 90 질량부를 초과하면 은 피복층 (12) 의 도전성이 포화되기 때문에, 그 이상의 은을 함유시키는 것은 공업적으로 불리해질 우려가 있다.

은 피복 수지 입자 (10) 의 평균 입자경은 0.2 ㎛ ∼ 30.5 ㎛ 의 범위 내로 하는 것이 바람직하고, 0.6 ㎛ ∼ 10.5 ㎛ 의 범위 내로 하는 것이 보다 바람직하다. 이 평균 입자경은 수지 입자 (11) 의 평균 입자경과 동일한 방법에 의해 측정 및 산출할 수 있다.

또, 은 피복층 (12) 의 두께는 0.1 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 이하의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 은 피복층 (12) 의 두께가 0.1 ㎛ 미만이면, 도전성 필러로서 은 피복 수지 입자 (10) 를 사용했을 때에, 은 피복 수지 입자 (10) 끼리의 접점을 취하기 어려워져, 충분한 도전성을 부여할 수 없을 우려가 있다. 한편, 은 피복층 (12) 의 두께가 0.5 ㎛ 를 초과하면, 은 피복 수지 입자 (10) 가 변형되기 어려워질 우려가 있다.

(10 ％ 압축 탄성률)

은 피복 수지 입자 (10) 의 10 ％ 압축 탄성률이 500 ㎫ 미만이면, 은 피복 수지 입자 (10) 가 지나치게 변형되기 쉬워져, 은 피복 수지 입자 (10) 를 도전성 필러로서 함유하는 도전성 재료로 형성되는 도전막이나 콤퍼짓 등의 강도가 저하된다. 한편, 10 ％ 압축 탄성률이 15000 ㎫ 을 초과하면, 은 피복 수지 입자 (10) 가 변형되기 어려워져, 응력에 대한 완화 능력이 낮아진다.

이상의 이유로부터, 본 실시형태에서는, 은 피복 수지 입자 (10) 의 10 ％ 압축 탄성률을 500 ㎫ 이상 15000 ㎫ 이하의 범위 내로 설정하고 있다. 10 ％ 압축 탄성률의 평균치는, 1000 ㎫ 이상 15000 ㎫ 이하의 범위 내에 있는 것이 특히 바람직하고, 5000 ㎫ 이상 12000 ㎫ 이하의 범위 내에 있는 것이 특히 바람직하다.

또, 은 피복 수지 입자 (10) 의 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 30 ％ 를 초과하는 은 피복 수지 입자 (10) 를 도전막의 도전성 필러로서 사용한 경우, 그 도전막에 응력이 부하되었을 때에, 도전막의 특정한 지점에 응력이 집중되기 쉬워져, 도전막이 파괴되기 쉬워진다.

이 때문에, 본 실시형태에서는, 은 피복 수지 입자 (10) 의 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수를 30 ％ 이하로 설정하고 있다. 또한, 바람직하게는 25 ％ 이하로 하면 된다. 하한은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0 ％ 여도 된다.

여기서, 본 실시형태에 있어서, 은 피복 수지 입자 (10) 의 10 ％ 압축 탄성률의 평균치는, 100 개의 은 피복 수지 입자 (10) 에 대해 측정한 10 ％ 압축 탄성률의 산술 평균치이다. 또, 은 피복 수지 입자 (10) 의 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수 (단위 : ％) 는, 상기 100 개의 은 피복 수지 입자 (10) 의 10 ％ 압축 탄성률의 산술 평균치와 표준 편차로부터, 식 : [(10 ％ 압축 탄성률의 표준 편차/10 ％ 압축 탄성률의 산술 평균치) × 100] 에 의해 구한 값이다. 은 피복 수지 입자 (10) 의 10 ％ 압축 탄성률은, 은 피복 수지 입자 (10) 를 일방향으로 10 ％ 압축했을 때의 압축 탄성률이다.

[은 피복 수지 입자의 제조 방법]

다음으로, 본 실시형태의 은 피복 수지 입자의 제조 방법을 설명한다.

도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 은 피복 수지 입자의 제조 방법을 나타내는 플로도이다. 본 실시형태의 은 피복 수지 입자의 제조 방법은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 모입자가 되는 수지 입자의 표면에, 무전해 도금에 의해 은을 석출시키기 쉽게 하기 위한 처리를 실시하는 전처리 공정 S01 과, 수지 입자에 무전해 은 도금은 도금 은 피복층을 형성하는 무전해 은 도금 공정 S02 를 갖는다.

모입자인 수지 입자는, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 450 ㎫ 이상 14000 ㎫ 이하의 범위 내에 있고, 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 30 ％ 이하인 것이 바람직하다. 수지 입자의 10 ％ 압축 탄성률의 평균치 및 변동률이 상기의 범위에 있음으로써, 은 피복 수지 입자의 10 ％ 압축 탄성률의 평균치 및 변동률을 상기 서술한 값으로 조정하기 쉬워진다.

수지 입자는, 입자를 구성하고 있는 수지의 가교도나 중합도, 또 수지 중에 잔류되어 있는 모노머량이나 올리고머량의 편차에 의해, 10 ％ 압축 탄성률의 변동률이 높아지는 경우가 있다. 수지 입자의 10 ％ 압축 탄성률의 변동이 큰 경우에는, 수지 입자를 가열하는 등의 처리에 의해, 입자를 구성하고 있는 수지의 중합도나 수지 중에 잔류되어 있는 모노머량이나 올리고머량의 편차를 저감시킴으로써, 10 ％ 압축 탄성률의 변동률을 낮게 하는 것이 바람직하다.

(전처리 공정)

전처리 공정 S01 에서는, 수지 입자의 표면에 촉매를 흡착시켜 촉매 흡착 수지 입자를 얻거나, 혹은 치환층을 흡착시켜 치환층 흡착 수지 입자를 얻는 것이 바람직하다. 촉매로는, 팔라듐, 은나노 입자를 사용할 수 있다. 치환층의 재료로는 주석 등의 은보다 비 (卑) 금속 또는 그 화합물을 사용할 수 있다.

팔라듐 촉매 흡착 수지 입자는, 예를 들어, 수지 입자를 분산시킨 슬러리에, 팔라듐 화합물과 염산과 환원제를 첨가하여, 수지 입자의 표면에 팔라듐을 석출시킴으로써 얻을 수 있다. 팔라듐 화합물로는 염화팔라듐, 황산팔라듐, 질산팔라듐, 및 팔라듐암민 착염 등의 착염 등을 사용할 수 있다. 환원제로는, 예를 들어 염화제1주석, 황산제1주석 등, 2 가의 주석 이온을 함유하는 염이나, 포르말린, 포도당, 이미다졸, 로셸염 (타르타르산나트륨칼륨), 하이드라진 및 그 유도체, 하이드로퀴논, L-아스코르브산 또는 포름산 등을 사용할 수 있다.

주석 치환층 흡착 수지 입자는, 예를 들어, 수지 입자를 분산시킨 슬러리에, 주석 화합물과 염산을 첨가하여, 수지 입자의 표면에, 예를 들어, 수산화주석 등을 석출시킴으로써 얻을 수 있다. 주석 화합물로는, 염화제1주석, 불화제1주석, 브롬화제1주석, 요오드화제1주석 등을 사용할 수 있다.

필요에 따라, 전처리 공정 S01 을 실시하기 전에 수지 입자에 대해, 플라즈마 처리, 오존 처리, 산 처리, 알칼리 처리, 산화제 처리, 실란 처리 등에 의해 표면 개질을 실시해도 된다. 이것들의 표면 개질에 의해, 수지 입자의 표면이 활성화되어, 촉매 또는 치환층 및 은 피복층과 수지 입자의 밀착성이 향상된다.

(무전해 은 도금 공정)

무전해 은 도금 공정 S02 에서는, 전처리 공정 S01 에서 얻어진 촉매 흡착 수지 입자 또는 치환층 흡착 수지 입자에 무전해 은 도금에 의해 은 피복층을 형성한다. 무전해 은 도금에 의해 은 피복층을 형성하는 방법으로는, (1) 착화제, 환원제 등을 함유하는 수용액 중에, 촉매 흡착 수지 입자 또는 치환층 흡착 수지 입자를 투입하여 슬러리를 조제하고, 이 슬러리에 재결정 온도 상승용의 첨가 금속 (Sn, Cu, Bi, Sb) 또는 그 염을 함유하는 은염 수용액을 적하하는 방법, (2) 재결정 온도 상승용의 첨가 금속 또는 그 염과 착화제를 함유하는 은염 수용액 중에, 촉매 흡착 수지 입자 또는 치환층 흡착 수지 입자를 투입하여 슬러리를 조제하고, 이 슬러리에 환원제 수용액을 적하하는 방법, (3) 재결정 온도 상승용의 첨가 금속 또는 그 염과 착화제와 환원제를 함유하는 은염 수용액에, 금속 촉매 흡착 수지 입자를 투입하여 슬러리를 조제하고, 이 슬러리에 가성 알칼리 수용액을 적하하는 방법을 들 수 있다.

은염으로는, 질산은 혹은 은을 질산에 용해시킨 것 등을 사용할 수 있다. 착화제로는, 암모니아, 에틸렌디아민사아세트산, 에틸렌디아민사아세트산사나트륨, 니트로삼아세트산, 트리에틸렌테트라암민육아세트산, 티오황산나트륨, 숙신산염, 숙신산이미드, 시트르산염 또는 요오드화물염 등의 염류를 사용할 수 있다. 환원제로는, 포르말린, 포도당, 이미다졸, 로셸염 (타르타르산나트륨칼륨), 하이드라진 및 그 유도체, 하이드로퀴논, L-아스코르브산 또는 포름산 등을 사용할 수 있다. 환원제로는, 포름알데히드가 바람직하고, 적어도 포름알데히드를 함유하는 2 종 이상의 환원제의 혼합물이 보다 바람직하고, 포름알데히드와 포도당을 함유하는 환원제의 혼합물이 가장 바람직하다.

필요에 따라, 얻어진 은 피복 수지 입자에 대해, 표면 처리를 실시해도 된다. 표면 처리로는, 스테아르산, 이소스테아르산, 팔미트산, 올레산 등의 지방산, 말레산, 숙신산 등의 디카르복실산, 폴리아크릴산 등의 카르복실산계 고분자, 도데실아민, 옥타데실아민 등의 아민 화합물, 폴리에테르아민 등의 아민계 고분자, 옥타데실디술파이드 등의 술파이드 화합물, 도데칸티올 등의 티올 화합물, 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 은 피복 수지 입자에 대해 표면 처리를 실시함으로써, 후술하는 용도에 있어서 도전성 필러로서 사용될 때에, 바인더와의 친화성을 향상시킬 수 있다.

[용도]

본 실시형태의 은 피복 수지 입자 (10) 는, 도전성 필러로서 우수하고, 특히, 도전성 접착제, 도전성 필름 (시트), 도전성 고무 (엘라스토머), 도전성 점착제, 방열 시트나 방열 그리스 등의 TIM (Thermal Interface Material) 재료, 또는 도전성 스페이서 등의 도전성 재료의 도전성 필러로서 최적으로 적용할 수 있다.

(도전성 접착제)

도전성 접착제는, 등방성의 도전성 접착제 (ICA : Isotropic Conductive Adhesive) 와, 이방성의 도전성 접착제 (ACA : Anisotropic Conductive Adhesive) 로 구분된다. 또, 바인더의 형태에 의해 페이스트상, 필름상, 잉크상의 형태를 갖는다. 등방성의 도전성 접착제는, 바인더 경화시에 바인더가 수축됨으로써, 세로 방향, 가로 방향, 경사 방향 모두 필러가 서로 접촉하고, 이로써 접속하고자 하는 도전물과 필러가 접촉하여 도전성이 얻어진다. 등방성의 도전성 접착제로 시트를 형성할 수도 있다. 이방성의 도전성 접착제는, 바인더 중에 필러가 분산되어 있어 접속하고자 하는 도전물끼리 사이에 이방성의 도전성 접착제를 끼워넣는다. 이것을 세로 방향으로 가압함으로써, 접속하고자 하는 도전물 사이의 필러와 접속하고자 하는 도전물이 세로 방향으로 접촉하여 도전성이 얻어진다. 한편, 가압되어 있지 않은 부분은 절연물인 바인더를 개재하여 필러끼리가 가로 방향으로 배치되어, 서로 접촉하지 않기 때문에 도전성은 얻어지지 않는다.

도전성 접착제로는, 예를 들어, 이방성 또는 등방성의 도전성 페이스트, 이방성 또는 등방성의 도전성 잉크 등을 들 수 있다. 도전성 접착제는, 은 피복 수지 입자 (10) 와 절연성의 바인더 수지를 유성 혼합기나 3 본 롤 밀과 같은 혼련기를 사용하여 균일하게 혼합하여 조제된다. 도전성 접착제에서는, 절연성의 바인더 수지 중에 은 피복 수지 입자 (10) 가 균일하게 분산된다. 은 피복 수지 입자 (10) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 용도 등에 따라 적절히 결정되지만, 바인더 수지 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 90 질량부의 범위 내가 바람직하다.

도전성 접착제에 있어서의 절연성의 바인더 수지로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 열가소성 수지나, 경화성 수지 조성물 등의 열이나 광에 의해 경화되는 조성물 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로는, 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 아크릴 수지, 에틸렌-아세트산비닐 수지 등을 들 수 있다. 경화성 수지 조성물로는, 글리시딜기를 갖는 에폭시계 모노머나 올리고머와, 이소시아네이트 등의 경화제를 함유하는 수지 조성물을 들 수 있다.

(도전성 필름 (시트))

도전성 필름으로는, 필름상으로 성형된 이방성 또는 등방성의 도전성 필름이 있다. 도전성 필름은, 먼저 은 피복 수지 입자 (10) 가 절연성의 바인더 수지 중에 분산된 수지 조성물을 제조하고, 이어서 이 수지 조성물을 PET 등의 지지 필름의 표면에 도포함으로써 제조된다. 이 수지 조성물은 은 피복 수지 입자 (10) 와 절연성의 바인더 수지를 유성 혼합기나 3 본 롤 밀과 같은 혼련기를 사용하여 균일하게 혼합하여 조제된다. 도전성 필름에서는, 지지체 필름 상에서 절연성의 바인더 수지 중에 은 피복 수지 입자 (10) 가 균일하게 분산된다. 도전성 필름에 있어서의 절연성의 바인더 수지로는, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페녹시 수지 등의 수지 또는 그것들의 혼합물을 주성분으로서 함유하는 수지 조성물을 들 수 있다. 도전성 필름에 있어서의 수지 조성물 중의 은 피복 수지 입자 (10) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 용도 등에 따라 적절히 결정되지만, 바인더 수지 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 90 질량부의 범위 내가 바람직하다.

(도전성 고무 (엘라스토머))

도전성 고무로는, 시트상이나 직방체상으로 성형된 도전성 고무가 있고, 방열 시트나 도전 커넥터로서 사용할 수 있다. 도전성 고무는, 먼저 바인더 고무와, 가황제 (加硫劑) 와, 은 피복 수지 입자 (10) 를 2 축 롤 등을 사용하여 혼련하고, 이어서 가열 프레스기나 건조기를 사용하여 가열이나 가압을 실시함으로써 가황 및 성형함으로써 제조된다. 도전성 고무에 있어서의 바인더 고무로는, 니트릴 고무, 아크릴 고무, 스티렌부타디엔 고무, 실리콘 고무, 불소 고무 등을 들 수 있다. 도전성 고무에 있어서의 조성물 중의 은 피복 수지 입자 (10) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 용도 등에 따라 적절히 결정되지만, 바인더 고무 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 90 질량부의 범위 내가 바람직하다.

(도전성 점착제)

도전성 점착제로는, 시트상이나 직방체상으로 성형된 도전성 점착제 또는 도전성 겔이 있고, 전기 접점 재료, 방열 시트 및 전극으로서 사용할 수 있다. 도전성 점착제는, 먼저 은 피복 수지 입자 (10) 가 절연성의 바인더가 되는 점착제 중에 분산된 점착성 조성물을 제조하고, 이어서 이 점착성 조성물을 PET 등의 지지 필름의 표면에 도포함으로써 제조된다. 도전성 점착제에 있어서의 바인더 점착제로는, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다. 도전성 점착제에 있어서의 조성물 중의 은 피복 수지 입자 (10) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 용도 등에 따라 적절히 결정되지만, 바인더 점착제 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 90 질량부의 범위 내가 바람직하다.

(방열 그리스)

방열 그리스로는, 불휘발성의 기유 (基油), 은 피복 수지 입자 (10) 를 혼합한 것이 있고, 방열 재료로서 사용할 수 있다. 방열 그리스는 기유와 은 피복 수지 입자 (10) 를 유성 혼합기나 3 본 롤 밀과 같은 혼련기를 사용하여 균일하게 혼합하여 조제된다. 방열 그리스에 사용되는 기유로는, 실리콘 오일계 기유, 광유계 기유, 합성 탄화수소계 기유, 에스테르계 기유, 에테르계 기유 및 글리콜계 기유 또는 그들의 조합 등을 들 수 있다. 방열 그리스에 있어서의 조성물 중의 은 피복 수지 입자 (10) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 용도 등에 따라 적절히 결정되지만, 기유 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 90 질량부의 범위 내가 바람직하다.

(도전성 스페이서)

도전성 스페이서는, 액정 표시 장치에 있어서, 액정 물질을 사이에 두는 상하 2 장의 기판의 배선 부분을 전기적으로 상하에 접속하고, 또한 기판의 간극을 소정의 치수로 유지하여 사용된다. 도전성 스페이서는, 먼저 은 피복 수지 입자 (10) 를 열경화성 수지나 자외광 경화형 접착제 등의 절연성의 바인더 수지에 첨가한 후, 은 피복 수지 입자 (10) 와 바인더 수지를 유성 혼합기나 3 본 롤 밀과 같은 혼련기를 사용하여 균일하게 혼합하여 수지 조성물을 조제하고, 이어서 상하 2 장의 기판의 배선 부분 중 어느 일방 또는 쌍방에 상기 수지 조성물을 도포하여 2 장의 기판을 첩합 (貼合) 시킴으로써 제조된다. 은 피복 수지 입자 (10) 의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 용도 등에 따라 적절히 결정되지만, 바인더 수지 100 질량부에 대해 2 ∼ 10 질량부의 범위 내가 바람직하다.

본 실시형태의 은 피복 수지 입자 (10) 를 함유하는 TIM 재료나 도전성 스페이서는, 은 피복 수지 입자 (10) 와 절연성의 바인더 수지의 혼합물을 혼련할 때에 높은 전단력을 가해도, 은 피복층 (12) 에 균열 혹은 깨짐 또는 은 피복층 (12) 의 수지 입자 (11) 로부터의 박리가 잘 발생하지 않아, 그 도전성이 보다 향상된다. 이로써, 본 실시형태의 은 피복 수지 입자 (10) 를 예를 들어 이방성의 도전성 접착제에 사용한 경우, 이방도전 (가로 방향) 의 단락을 회피할 수 있어, 신뢰성이 향상된다.

이상과 같은 구성으로 된 본 실시형태인 은 피복 수지 입자 (10) 에 의하면, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 500 ㎫ 이상 15000 ㎫ 이하의 범위 내에 있고, 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 30 ％ 이하로 낮고, 10 ％ 압축 탄성률의 편차가 적기 때문에, 응력에 대한 완화 능력이 높다. 따라서, 본 실시형태의 은 피복 수지 입자 (10) 를 함유하는 TIM 재료나 도전성 스페이서 등의 도전성 재료는, 응력에 대한 강도가 높아진다.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 경우는 없고, 그 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.

실시예

다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 이들은 본 발명을 한정하는 것은 아니다.

[본 발명예 1]

(모입자)

평균 입자경이 3 ㎛ 인 구상 아크릴-스티렌 공중합체의 입자를 250 ℃ 의 진공 중에서 5 시간 가열 처리하고, 입자의 가교도를 조정하였다. 이 가열 처리 후의 아크릴-스티렌 공중합체 입자는, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 5600 ㎫ 이고, 변동 계수가 4.5 ％ 였다.

이 가열 처리 후의 아크릴-스티렌 공중합체 입자를 모입자로 하여, 이하의 방법으로 은 피복 수지 입자를 제조하였다.

(전처리 공정)

염화제1주석 10 질량부와, 농도가 35 ％ 인 염산 15 질량부와, 이온 교환수 300 질량부를 혼합하여 염화제1주석 수용액을 조제하였다. 조제한 염화제1주석 수용액을 30 ℃ 로 보온하면서, 이 용액에, 상기의 아크릴-스티렌 공중합체 입자 (10) 질량부를 투입하고, 1 시간 교반하여 아크릴-스티렌 공중합체 입자의 표면에 주석 치환층을 흡착시켰다. 생성된 주석 치환층 흡착 아크릴-스티렌 공중합체 입자를 여과 분리하여 회수한 후, 수세하였다.

(무전해 은 도금 공정)

이온 교환수 500 질량부에, 에틸렌디아민사아세트산사나트륨 10 질량부와, 수산화나트륨 15 질량부와, 포름알데히드 37 질량％ 수용액 10 질량부를 첨가하고, 교반하여, 착화제 및 환원제를 함유하는 수용액을 조제하였다.

또, 별도로, 질산은 37 질량부와, 25 질량％ 의 암모니아수 30 질량부와, 이온 교환수 150 질량부를 혼합하고, 질산은 수용액을 조제하였다.

다음으로, 상기의 착화제 및 환원제를 함유하는 수용액 535 질량부에, 상기의 전처리 공정에서 얻은 주석 치환층 흡착 아크릴-스티렌 공중합체 입자 (10) 질량부를 투입하고, 슬러리를 조제하였다. 이어서, 조제한 슬러리를 교반하면서, 이 슬러리에, 상기의 질산은을 함유하는 수용액 217 질량부를 적하하고, Sn 촉매 피복 아크릴-스티렌 공중합체 모입자의 표면에 은 피복층을 형성하여, 은 피복 아크릴-스티렌 공중합체 입자 슬러리를 얻었다. 얻어진 슬러리를 수세한 후, 여과, 건조시켜 은 피복 아크릴-스티렌 공중합체 입자를 얻었다.

[본 발명예 2]

(모입자)

평균 입자경이 4 ㎛ 인 구상 실리콘 수지 입자를 350 ℃ 의 질소 분위기 중에서 5 시간 가열 처리하고, 입자의 가교도를 조정한 것을 모입자로 하였다. 이 가열 처리 후의 실리콘 수지 입자는, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 4470 ㎫ 이고, 변동 계수가 5.8 ％ 였다.

(전처리 공정)

실시예 1 과 동일하게 하여 실시하여, 주석 치환층 흡착 실리콘 수지 입자를 얻었다.

(무전해 은 도금 공정)

상기의 전처리 공정에서 얻은 주석 치환층 흡착 실리콘 수지 입자 (10) 질량부를, 이온 교환수 500 질량부에 분산시켜, 슬러리를 조제하였다. 이어서, 조제한 슬러리 510 질량부에 대해, 에틸렌디아민사아세트산사나트륨 (착화제) 6 질량부와 37 질량％ 포름알데히드 수용액 (환원제) 8 질량부, D-글루코오스 15 질량부를 첨가하고, 교반하여, 착화제 및 환원제를 함유하는 주석 치환층 흡착 실리콘 수지 입자 슬러리를 조제하였다.

또, 별도로, 질산은 30 질량부와, 25 질량％ 암모니아수 23 질량부와, 이온 교환수 150 질량부를 첨가하고, 질산은 수용액을 조제하였다.

상기의 착화제 및 환원제를 함유하는 주석 치환층 형성 실리콘 수지 입자 슬러리를 교반하면서, 이 슬러리에, 상기의 질산은 수용액을 적하하고, 실리콘 수지 입자의 표면에 은 피복층을 형성하여, 은 피복 수지 입자 슬러리를 얻었다. 얻어진 슬러리를 수세한 후, 여과, 건조시켜 은 피복 실리콘 수지 입자를 얻었다.

[본 발명예 3 ∼ 12]

모입자로서, 하기의 표 1 에 나타내는 것을 사용한 것, 및 무전해 은 도금 공정에 있어서, 은 피복 수지 입자의 은함유량이 동일하게 하기 표 1 에 나타내는 값이 되도록, 주석 치환층 흡착 수지 입자와, 착화제 및 환원제를 함유하는 수용액과, 질산은 수용액의 배합 비율을 변경한 것 이외에는, 본 발명예 1 과 동일하게 하여 은 피복 수지 입자를 제조하였다.

[비교예 1]

모입자로서, 평균 입자경이 8 ㎛, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 3080 ㎫ 이고, 변동 계수가 30.5 ％ 인 스티렌 수지 입자를 사용하였다. 그리고, 무전해 은 도금 공정에 있어서, 은 피복 수지 입자 중의 은함유량이 45 질량％ 가 되도록, 주석 치환층 흡착 수지 입자와, 착화제 및 환원제를 함유하는 수용액과, 질산은 수용액의 배합 비율을 변경한 것 이외에는, 본 발명예 1 과 동일하게 하여 은 피복 수지 입자를 제조하였다.

[비교예 2]

모입자로서, 평균 입자경이 4 ㎛, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 4020 ㎫ 이고, 변동 계수가 42 ％ 인 실리콘 수지 입자를 사용하였다. 그리고, 무전해 은 도금 공정에 있어서, 은 피복 수지 입자의 은함유량이 75 질량％ 가 되도록, 주석 치환층 흡착 수지 입자와, 착화제 및 환원제를 함유하는 수용액과, 질산은 수용액의 배합 비율을 변경한 것 이외에는, 본 발명예 1 과 동일하게 하여 은 피복 수지 입자를 제조하였다.

[비교예 3]

모입자로서, 평균 입자경이 2 ㎛, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 5300 ㎫ 이고, 변동 계수가 27.2 ％ 인 실리콘 수지 입자를 사용하였다. 그리고, 무전해 은 도금 공정에 있어서, 은 피복 수지 입자의 은함유량이 88 질량％ 가 되도록, 주석 치환층 흡착 수지 입자와, 착화제 및 환원제를 함유하는 수용액과, 질산은 수용액의 배합 비율을 변경한 것 이외에는, 본 발명예 1 과 동일하게 하여 은 피복 수지 입자를 제조하였다.

[비교예 4]

모입자로서, 평균 입자경이 7 ㎛, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 400 ㎫ 이고, 변동 계수가 10.8 ％ 인 폴리우레탄 입자를 사용하였다. 그리고, 무전해 은 도금 공정에 있어서, 은 피복 수지 입자의 은함유량이 88 질량％ 가 되도록, 주석 치환층 흡착 수지 입자와, 착화제 및 환원제를 함유하는 수용액과, 질산은 수용액의 배합 비율을 변경한 것 이외에는, 본 발명예 1 과 동일하게 하여 은 피복 수지 입자를 제조하였다.

[평가]

본 발명예 및 비교예에서 얻어진 은 피복 수지 입자에 대해, 이하의 평가를 실시하였다. 그 결과를 하기의 표 1 에 나타낸다.

(은의 함유량)

은 피복 수지 입자와 희질산을 혼합하여, 은 피복층을 용해시킨 후, 여과하여, 수지 입자를 제거하였다. 얻어진 은 피복층 용해액 중의 은의 양을, 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석 장치에 의해 측정하고, 은 피복 수지 입자의 은함유량으로 환산하였다.

(10 ％ 압축 탄성률)

은 피복 수지 입자의 10 ％ 압축 탄성률은, 이하와 같이 하여 산출하였다.

먼저, 미소 압축 시험기 (피셔 인스트루먼트사 제조, 형번 : HM500) 를 사용하여, 평면 압자에 의해 1 개의 은 피복 수지 입자에 대해 하중 변화 속도 0.3 mN/s, 20 ℃ 의 조건에서 압축 시험을 실시하고, 은 피복 수지 입자의 장경에 대해 10 ％ 압축했을 때의 변위와 하중을 측정하였다. 이 때, 변위의 측정 개시점 (제로점) 은, 미소 압축 시험기가 은 피복 수지 입자와의 접촉을 인식한 점이 아니라, 미소 압축 시험기가 은 피복 수지 입자에 부여하는 하중을 변화시킨 점으로 하였다. 다음으로 측정한 변위와 하중을, 하기 (1) 에 대입하여, 10 ％ 압축 탄성률을 산출하였다. 압축 시험은 은 피복 수지 입자 100 개에 대해 실시하고, 각각의 입자의 10 ％ 압축 탄성률을 산출하였다. 그리고, 그 10 ％ 압축 탄성률의 평균치로 변동 계수를 구하였다.

10 ％ 압축 탄성률 [㎫] ＝ 3F/(2S³R)^1/2 … 식 (1)

F : 은 피복 수지 입자가 10 ％ 압축되었을 때의 하중 [N]

S : 은 피복 수지 입자가 10 ％ 압축되었을 때의 변위 [㎜]

R : 압축 전의 은 피복 수지 입자의 반경 [㎜]

(은 피복 수지 입자 함유 수지 필름의 인장 시험)

은 피복 수지 입자 함유 수지 필름은, 다음과 같이 하여 제조하였다.

에폭시 수지 조성물과 은 피복 수지 입자를, 경화 후의 에폭시 수지 조성물과 은 피복 수지 입자의 비율이 체적비로 60 : 40 이 되도록 칭량하였다. 이어서, 칭량한 에폭시 수지 조성물과 은 피복 수지 입자를 자전 공전 믹서를 사용하여 혼합한 후, 3 본 롤 밀을 사용하여 혼련함으로써, 은 피복 수지 입자 함유 에폭시 수지 조성물 페이스트를 조제하였다. 또한, 열경화성 에폭시 수지 조성물은, 그것 단체로 경화시켰을 때의 파단시 신장률이 10 ％ 인 것을 사용하였다.

조제한 은 피복 수지 입자 함유 에폭시 수지 조성물 페이스트를, 어플리케이터를 사용하여 테플론 (등록상표) 판에 도포하고, 이어서 150 ℃, 2 시간의 조건에서 가열하여, 은 피복 수지 입자 함유 에폭시 수지 조성물을 경화시켰다. 경화 후의 은 피복 수지 입자 함유 에폭시 수지 조성물을 테플론판으로부터 박리하고, JIS K 7161 (플라스틱-인장 특성의 시험 방법 (제 1 부 : 통칙)) 에 기재된 방법에 준거하여, 인장 시험용의 시험 필름을 50 개 제조하였다.

인장 시험은, 만능 시험기 (시마즈 제작소 제조, 오토 그래프) 를 사용하여, 동일하게 JIS K 7161 에 기재된 방법에 준거한 방법으로 실시하고, 시험 필름 파단시의 변형을 산출하였다. 50 개의 시험 필름에 대해, 시험 필름 파단시의 변형을 측정하고, 파단시의 변형이 1.0 ％ 이하인 시험 필름의 비율을 산출하였다.

10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 본 발명의 범위를 초과하는 비교예 1, 2 의 은 피복 수지 입자를 함유하는 은 피복 수지 입자 함유 에폭시 수지 조성물은, 경화 후의 파단시의 변형이 1.0 ％ 이하인 시험 필름의 비율이 많아졌다. 이것은, 은 피복 수지 입자의 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 지나치게 커졌기 때문에, 응력이 부여되었을 때에 은 피복 수지 입자가 불균일하게 변형되고, 은 피복 수지 입자의 완화 능력이 저하되었기 때문인 것으로 생각된다.

또, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 본 발명의 범위를 초과하는 비교예 3 의 은 피복 수지 입자를 함유하는 은 피복 수지 입자 함유 에폭시 수지 조성물은, 경화 후의 파단시의 변형이 1.0 ％ 이하인 시험 필름의 비율이 많아졌다. 이것은, 은 피복 수지 입자의 10 ％ 압축 탄성률이 지나치게 커졌기 때문에, 은 피복 수지 입자의 완화 능력이 저하되었기 때문인 것으로 생각된다.

이에 반하여, 10 ％ 압축 탄성률의 평균치와 변동 계수가 본 발명의 범위에 있는 본 발명예 1 ∼ 12 의 은 피복 수지 입자를 함유하는 은 피복 수지 입자 함유 에폭시 수지 조성물은, 경화 후의 파단시의 변형이 1.0 ％ 이하인 시험 필름의 비율이 낮아졌다. 이것은, 은 피복 수지 입자의 완화 능력이 높기 때문인 것으로 생각된다.

이상으로부터, 본 발명에 의하면, 응력에 대해 높은 완화 능력을 갖는 은 피복 수지 입자를 제공하는 것이 가능해지는 것이 확인되었다.

10 : 은 피복 수지 입자
11 : 수지 입자
12 : 은 피복층

Claims

코어 셀 구조 및 중공 구조 중 어느 것도 가지지 않는 수지 입자와, 상기 수지 입자의 표면에 형성된 은 피복층을 갖는 은 피복 수지 입자로서,
상기 수지 입자는, 아라미드 수지 입자, 불소 수지 입자, 폴리술폰 수지 입자, 폴리에테르 수지 입자, 폴리이미드 수지 입자, 폴리아미드이미드 수지 입자, 에폭시 수지 입자, 페놀 수지 입자, 아크릴 수지 입자, 아크릴-스티렌 공중합체 입자, 및 폴리우레탄 입자 중 어느 것이고,
10 ％ 압축 탄성률의 평균치가 500 ㎫ 이상 15000 ㎫ 이하의 범위 내에 있고, 하기 측정 방법으로 측정되는 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수가 30 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 은 피복 수지 입자.
＜10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수의 측정 방법＞
100 개의 은 피복 수지 입자의, 10 ％ 압축 탄성률의 산술 평균치와 표준 편차로부터, 식 : [(10 ％ 압축 탄성률의 표준 편차/10 ％ 압축 탄성률의 산술 평균치) Х 100] 에 의해 구한 값을, 10 ％ 압축 탄성률의 변동 계수로 한다.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 수지 입자의 평균 입자경은, 0.1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 은 피복 수지 입자.