KR20110034606A - 도전성 입자, 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법 - Google Patents

도전성 입자, 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법 Download PDF

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Abstract

고경도를 유지한 채 연전성을 향상시켜 응력을 억제할 수 있고(접속시에 찌부러진 상태에서도 크랙이 잘 생기지 않고), ITO 기판뿐만 아니라, IZO 기판에 대해서도 충분한 도통 신뢰성을 확보할 수 있는 도전성 입자, 상기 도전성 입자를 구비하는 이방성 도전 필름, 상기 이방성 도전 필름을 구비하는 접합체, 및 상기 이방성 도전 필름을 이용한 접속 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 도전성 입자는, 고분자 미립자와, 상기 고분자 미립자의 표면에 형성된 도전층을 구비하는 도전성 입자로서, 상기 도전층의 최외각이 니켈-팔라듐 합금층인 것을 특징으로 한다.

Description

도전성 입자, 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법{CONDUCTIVE PARTICLE, ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, JOINED BODY, AND CONNECTING METHOD}
본 발명은 도전성 입자, 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이와 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package: TCP)의 접속, 플렉시블 회로 기판(Flexible Printed Circuit: FPC)과 TCP의 접속, 또는 FPC와 프린트 배선판의 접속과 같은 회로 부재끼리의 접속에는, 접착제중에 도전성 입자를 분산시킨 회로 접속 재료(예컨대 이방성 도전 접착제)가 사용되고 있다. 또한, 최근에는 반도체 실리콘칩을 기판에 실장하는 경우, 회로 부재끼리의 접속을 위해 와이어 본드를 사용하지 않고, 반도체 실리콘칩을 페이스다운하여 기판에 직접 실장하는, 소위 플립칩 실장이 행해지고 있다. 이 플립칩 실장에서도, 회로 부재끼리의 접속에는 이방성 도전 접착제 등의 회로 접속 재료가 사용되고 있다.
전술한 회로 접속 재료는, 일반적으로 접착제 조성물과, 도전성 입자를 함유하고 있다. 이 도전성 입자로서는, 예컨대 (1) 니켈 입자의 표면에, 합금층을 통해, Au, Ag 및 Pd 중 1종 또는 2종 이상을 포함하는 도전성 입자(예컨대 특허문헌 1), (2) 유기 고분자로 이루어지는 핵체와, 상기 핵체 위에 형성된 구리, 니켈, 니켈 합금, 은 또는 은 합금으로 이루어지는 금속층과, 금 또는 팔라듐으로 이루어지는 최외층을 구비하는 도전성 입자(예컨대 특허문헌 2), (3) 유기 고분자로 이루어지는 핵체와, 상기 핵체 위에 형성된 구리,니켈, 니켈 합금, 은 또는 은 합금으로 이루어지는 금속층과, 금 또는 팔라듐으로 이루어지는 최외층과, 최외층의 표면측에 마련되고, 높이가 50 ㎚∼500 ㎚인 니켈, 구리, 금, 코발트 등으로 구성되는 돌기부를 구비하는 도전성 입자(예컨대 특허문헌 3), (4) 수지 미립자와, 상기 수지 미립자의 표면에 형성된 니켈로 이루어지는 도전층으로 이루어지는 도전성 입자로서, 상기 도전층은, 표면에, 금, 은, 구리, 팔라듐, 아연, 코발트, 및 티탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 또는 금속 산화물을 코어 물질로 하는 돌기를 갖는 도전성 입자(예컨대 특허문헌 4) 등을 들 수 있다. 여기서, 도전성 입자의 특성을 최대한으로 얻기 위해서는, 도전성 입자를 40%∼70% 압축하여 접속하는 것이 가장 바람직하다. 또한, 도전성 입자에 돌기를 마련하는 이유는, 딱딱하고 표면 산화성이 없는 비활성의 금속이 저저항 접속을 얻는 데에 바람직하기 때문이다.
그러나, 도전성 입자의 최외각으로서 니켈을 이용한 경우는, 니켈의 표면이 산화되기 쉽기 때문에, 낮은 저항값을 얻을 수 없다는 문제가 있었다.
또한, 도전성 입자의 최외각으로서 딱딱하고 약한 팔라듐을 이용한 경우는, 도전성 입자를 적정값까지 압축시켜 사용하면 도금의 균열 등에 의해, 환경 신뢰성 시험 후의 저항 상승이 커진다는 문제가 있었다.
또한, 도전성 입자의 최외각으로서 모스 경도가 팔라듐보다 딱딱한 코발트를 이용한 경우는, 표면 활성이 높고 산화하기 쉬우며, 라디칼 중합성 바인더와 조합했을 때에 촉매 작용을 하며, 보존 안정성이 현저히 저하된다는 문제가 있었다.
또한, 최근, 생산 비용이 비싼 ITO(Indium tin oxide) 대신에, IZO(Indium zinc oxide)가 전극 재료로서 이용되는 경향이 있다.
도전성이 높은 금을 도전성 입자의 최외각으로서 이용한 경우는, 종래부터 전극 재료로서 이용되어 온 ITO 기판에 대해서는, 도통 신뢰성을 확보할 수 있지만, 표면에 산화금속(부도체)이 형성되고, 평활한 IZO 기판에 대해서는, 표면에 형성된 산화금속(부도체)을 돌파하여 충분히 파고들게 할 수 없어, 충분한 도통 신뢰성을 확보할 수 없었다.
또한, 현재, 고경도를 유지한 채 응력을 억제할 수 있고 (접속시에 찌부러진 상태에서도 크랙이 잘 생기지 않고), ITO 기판뿐만 아니라, IZO 기판에 대해서도 충분한 도통 신뢰성을 확보할 수 있는 도전성 입자는 발견되지 않는다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2002-25345호 공보 특허문헌 2: 국제 공개 제05/002002호 팜플렛 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2005-166438호 공보 특허문헌 4: 일본 특허 공개 제2007-35573호 공보
본 발명은, 종래에서의 모든 문제를 해결하고, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은 고경도를 유지한 채 연전성을 향상시켜 응력을 억제할 수 있고(접속시에 찌부러진 상태에서도 크랙이 잘 생기지 않고), ITO 기판뿐만 아니라, IZO 기판에 대해서도 충분한 도통 신뢰성을 확보할 수 있는 도전성 입자, 상기 도전성 입자를 구비하는 이방성 도전 필름, 및 상기 이방성 도전 필름을 구비하는 접합체와 상기 이방성 도전 필름을 이용한 접속 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하는 수단으로서는, 이하와 같다. 즉,
<1> 고분자 미립자와, 상기 고분자 미립자의 표면에 형성된 도전층을 포함하는 도전성 입자로서, 상기 도전층의 최외각이 니켈-팔라듐 합금층인 것을 특징으로 하는 도전성 입자이다.
상기 도전성 입자에서는, 도전층의 최외각이 니켈-팔라듐 합금층이기 때문에, 고경도를 유지한 채 응력을 억제할 수 있고(접속시에 찌부러진 상태에서도 크랙이 잘 생기지 않고), ITO 기판뿐만 아니라, IZO 기판에 대해서도 충분한 도통 신뢰성을 확보할 수 있다.
<2> 니켈-팔라듐 합금층은, 두께가 5 ㎚∼20 ㎚인 것인 상기 <1>에 기재된 도전성 입자이다.
<3> 니켈-팔라듐 합금층은, 고분자 미립자의 표면에 팔라듐 촉매를 담지시켜, 촉진제를 이용하는 것에 의해 형성된 것인 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 도전성 입자이다.
<4> 도전층이, 고분자 미립자의 표면에 형성된 니켈 도금층을 포함하는 것인 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 도전성 입자이다.
<5> 도전층은, 두께가 50 ㎚∼150 ㎚인 것인 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 도전성 입자이다.
<6> 압축 변형 40%∼70%에서의 압축 탄성률이 100 kgf/㎜2∼1,000 kgf/㎜2이며,
압축 변형 회복률이 10%∼70%인 것인 상기 <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 도전성 입자이다.
<7> 니켈, 팔라듐, 코발트, 및 크롬 중 하나 이상을 핵으로 하는 돌기를 더 포함하는 상기 <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 도전성 입자이다.
<8> IZO(Indium zinc oxide) 기판의 접속에 이용되는 것인 상기 <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 도전성 입자이다.
<9> 상기 <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 도전성 입자와, 바인더를 포함하는 이방성 도전 필름으로서, 상기 바인더가 에폭시 수지와 아크릴레이트 수지 중 어느 하나 또는 양자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름이다.
<10> 페녹시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지 및 우레탄 수지 중 하나 이상을, 이방성 도전성 필름에 대하여 10 질량%∼80 질량% 포함하는 상기 <9>에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<11> 가열에 의해 활성화하는 잠재성 경화제를 포함하는 상기 <10>에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<12> 가열에 의해 유리(遊離) 라디칼을 발생시키는 잠재성 경화제를 포함하는 상기 <10>에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<13> 경화율이 80% 이상인 경우, 40℃ 이하에서의 탄성률이 0.5 GPa 이상이고, 글라스 전이점이 50℃ 이상인 상기 <9> 내지 <12>에 기재된 이방성 도전 필름이다.
<14> 제1 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재에 대향하는 제2 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재의 사이에 배치된 상기 <9> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름을 포함하고, 상기 제1 회로 부재에서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에서의 전극이, 도전성 입자를 통해 접속된 것을 특징으로 하는 접합체이다.
<15> 제1 회로 부재 및 제2 회로 부재 중 어느 하나 또는 양자가, IZO(Indium zinc oxide) 기판인 것인 상기 <14>에 기재된 접합체이다.
<16> 상기 <9> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 이방성 도전 필름을 이용한 접속 방법으로서, 제1 회로 부재와 제2 회로 부재의 사이에 상기 이방성 도전 필름을 배치하는 배치 공정과, 상기 제1 회로 부재를 상기 제2 회로 부재를 향해 압박하는 압박 공정과, 상기 제1 회로 부재에서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에서의 전극을, 도전성 입자를 통해 접속하는 접속 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법이다.
<17> 제1 회로 부재 및 제2 회로 부재 중 어느 하나 또는 양자가, IZO(Indium zinc oxide) 기판인 것인 상기 <16>에 기재된 접속 방법이다.
본 발명에 의하면, 상기 종래에서의 모든 문제를 해결하여, 상기 목적을 달성할 수 있고, 고경도를 유지한 채 응력을 억제할 수 있으며(접속시에 찌부러진 상태에서도 크랙이 잘 생기지 않으며), ITO 기판뿐만 아니라, IZO 기판에 대해서도 충분한 도통 신뢰성을 확보할 수 있는 도전성 입자, 상기 도전성 입자를 구비하는 이방성 도전 필름, 상기 이방성 도전 필름을 구비하는 접합체 및 상기 이방성 도전 필름을 이용한 접속 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 도전성 미립자의 제1 단면도이다.
도 2는 본 발명의 도전성 미립자의 제2 단면도이다.
도 3은 본 발명의 도전성 미립자의 제3 단면도이다.
도 4는 본 발명의 도전성 입자(돌기 있음)의 SEM 사진이다.
도 5는 IZO 배선 단면의 TEM 사진이다.
도 6은 ITO 배선 단면의 TEM 사진이다.
(도전성 입자)
본 발명의 도전성 입자는, 고분자 미립자와, 도전층을 적어도 구비하고, 필요에 따라서, 돌기 등을 갖는다.
또한, 상기 도전성 입자는 압축 변형 40%∼70%에서의 압축 탄성률이 100 kgf/㎜2∼1,000 kgf/㎜2이고, 압축 변형 회복률이 10%∼70%인 것이 바람직하며, ITO(Indium tin oxide) 기판의 접속뿐만 아니라, IZO(Indium zinc oxide) 기판의 접속에도 적합하게 이용된다.
여기서, 도전성 입자의 압축 변형 40%∼70%에서의 압축 탄성률이 100 kgf/㎜2보다 작으면, 약한 힘으로 너무 찌부러져 버리기 때문에, 접속시의 압력 제어가 어려워진다. 또한, 작은 힘으로 용이하게 파괴되기 쉽고, 원형(구체)을 유지할 수 없어, 접속 신뢰성을 유지할 수 없게 된다.
한편, 도전성 입자의 압축 변형 40%∼70%에서의 압축 탄성률이 1,000 kgf/㎜2를 초과하면, 도전성 입자가 너무 딱딱해 찌부러뜨릴 수 없어, 양호한 접속 신뢰성을 유지할 수 없게 된다.
-고분자 미립자-
고분자 미립자를 구성하는 유기 고분자로서는, 아크릴레이트 수지, 스티렌 수지, 벤조구아나민 수지, 실리콘 수지, 폴리부타디엔 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 유기 고분자는, 상기의 수지를 구성하는 모노머에 기초하는 반복 단위 중 2종 이상을 임의로 조합한 구조를 갖는 공중합체여도 좋지만, 벤조구아나민, 아크릴산에스테르, 디알릴프탈레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 디비닐벤젠 및 스티렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2종 이상을 공중합시켜 얻어지는 공중합체가 바람직하고, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 디비닐벤젠, 및 스티렌을 조합하여 얻어지는 공중합체가 보다 바람직하다.
이 중에서, 벤조구아나민 등은, 분자중에 강직한 구조를 가지며, 그 가교점간 거리도 짧기 때문에, 공중합체중에서, 이러한 분자의 함유율을 높일수록, 딱딱한 도전성 입자가 얻어진다. 또한, 유기 고분자의 가교도를 높이는 것에 의해서도, 딱딱한 도전성 입자가 얻어진다.
한편, 아크릴산에스테르, 디아릴프탈레이트 등에서는, 가교점간 거리가 길어지기 때문에, 공중합체중의 이러한 분자에 기초하는 반복 단위의 함유율을 높일수록, 부드러운 도전성 입자가 얻어진다. 또한, 유기 고분자의 가교도를 낮게 하는 것에 의해서도, 부드러운 도전성 입자가 얻어진다.
-도전층-
상기 도전층으로서는, 고분자 미립자의 표면에 형성되고, 최외각이 니켈-팔라듐 합금층이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 상기 고분자 미립자의 표면에 니켈 도금층이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 두께는 50 ㎚∼150 ㎚인 것이 바람직하다.
상기 도전층을 50 ㎚보다 얇게 하면, 접속 후에 충분한 전기 특성이 잘 얻어지지 않는다. 또한, 상기 도전층을 150 ㎚보다 두껍게 하면, 응집 입자가 많이 발생하고, 쇼트 발생률이 높아져, 바람직하지 않다.
--니켈-팔라듐 합금층--
상기 니켈-팔라듐 합금층으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있지만, 두께가 3 ㎚∼150 ㎚인 것이 바람직하고, 5 ㎚∼20 ㎚인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 니켈-팔라듐 합금층의 두께는, 가능한 한 균일한 것이 바람직하다. 상기 니켈-팔라듐 합금층을 3 ㎚보다 얇게 하면, 상기 니켈-팔라듐 합금층이 도금되어 있지 않은 부분이 생겨 버리기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 상기 니켈-팔라듐 합금층을 150 ㎚보다 두껍게 하면, 입자끼리가 달라붙어 응집하는 비율이 높아져 바람직하지 않다.
여기서, 상기 니켈-팔라듐 합금층의 두께의 측정 방법은, 우선 에폭시 접착제에 도전성 입자를 분산시켜, 연마기(마루모토스트루어스사 제조)로 입자 단면을 깎아낸다. SEM(키엔스사 제조, 품번 VE-8800)으로 측정한다.
또한, 상기 니켈-팔라듐 합금층은, 예컨대 고분자 미립자의 표면에 팔라듐 촉매를 담지시켜, 촉진제[예컨대 MK-370(무로마치테크노스사 제조)]를 이용하는 것에 의해 형성된다.
상기 니켈-팔라듐 합금층의 형성은, 무전해 도금으로 행해지고, 이온화 경향의 차를 이용한 치환 도금이나, 환원제를 이용한 화학 환원 도금 등의 어느 방법도 이용할 수 있다.
상기 니켈-팔라듐 합금층에서의 니켈과 팔라듐의 합금 비율은, 접속하는 기재(제1 회로 부재, 제2 회로 부재)의 종류에 의해, 경도, 도전성, 및 이온화 경향차 등을 고려하여, 금속염의 배합 비율을 바꿔 도금함으로써 임의로 설계 가능하다.
--니켈 도금층--
상기 니켈 도금층으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절하게 선택할 수 있지만, 두께가 30 ㎚∼150 ㎚인 것이 바람직하고, 30 ㎚∼147 ㎚인 것이 보다 바람직하다.
상기 니켈 도금층을 30 ㎚보다 얇게 하면, 고분자 미립자와의 밀착성이 저하되고, 박리하기 쉬워진다. 또한, 상기 니켈-팔라듐 합금층을 150 ㎚보다 두껍게 하면, 응집체가 많이 발생하고, 쇼트 발생률이 높아져 바람직하지 않다.
-돌기-
상기 돌기로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 니켈, 팔라듐, 코발트, 및 크롬 중 하나 이상을 핵으로 하는 것을 들 수 있다.
-압축 탄성률-
상기 압축 탄성률[K값(kgf/㎜2)]은, 20℃ 분위기하에서 미소 압축 시험기(PCT-200 시마즈제작소 제조)를 이용하여 측정하고, 하기 식으로 구할 수 있다.
K=(3/√2)·F·S-3/2·R-1/2
F: 도전성 입자의 40%∼70% 압축 변형에서의 각 하중값(N)
S: 도전성 입자의 40%∼70% 압축 변형에서의 각 압축 변위(㎜)
R: 도전성 입자의 반경(㎜)
-압축 변형 회복률-
상기 압축 변형 회복률이란, 미소 압축 시험기로써 도전성 입자를 반전 하중값 9.8 mN까지 압축한 후, 반대로 하중을 줄여 갈 때의, 하중값과 압축 변위의 관계를 측정하여 얻어지는 값으로, 하중을 제거할 때의 종점을 원점 하중값 0.98 mN, 부하 및 부하제거(unload)에서의 압축 속도 0.2842 mN/초로서 측정되며, 반전의 점까지의 변위(L1)와 반전의 점으로부터 원점 하중값을 취하는 점까지의 변위(L2)의 비(L2/L1)를 백분율로써 나타낸 값이다.
상기 압축 변형 회복률은, 작게라도 있으면 좋지만, 10%보다 작으면 접속시의 열 변화나 사용시의 환경 변화에 의한 바인더의 약해짐을 추종할 수 없게 되어, 접속 신뢰성을 유지할 수 없다. 한편, 70%를 초과하면, 열 변화 및 환경 변화에 의한 바인더의 약해짐보다 큰 반발력을 낳게 되어, 접속 신뢰성을 악화시키는 원인이 되어 바람직하지 않다.
이하, 본 발명의 도전성 미립자를 도 1∼도 3을 이용하여 설명한다. 도전성 입자(10)로서는, (1) 고분자 미립자(12)와, 고분자 미립자(12)의 표면에 형성된 니켈-팔라듐 합금층으로 이루어지는 도전층(11)을 갖는 것(도 1), (2) 고분자 미립자(12)와, 고분자 미립자(12)의 표면에 형성된 니켈층(11b) 및 니켈층(11b)의 표면에 형성된 니켈-팔라듐 합금층(11a)으로 이루어지는 도전층(11)을 갖는 것(도 2), 및 (3) 돌기(13)를 더 갖는 것(도 3 및 도 4) 등을 들 수 있다.
(이방성 도전 필름)
본 발명의 이방성 도전 필름은, 본 발명의 도전성 입자와, 바인더를 적어도 구비하고, 필요에 따라서, 잠재성 경화제, 상온에서 고형인 수지 등을 갖는다.
일반적으로, 이방성 도전막은, 도전성 입자를 40%∼70% 변형시켜 접속함으로써, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.
상기 이방성 도전 필름은, 경화율이 80% 이상인 경우, 40℃ 이하에서의 탄성률이 0.5 GPa 이상이며, 글라스 전이점이 50℃ 이상인 것이 바람직하다.
탄성률이 0.5 GPa 미만이면, 단자 사이에 끼워져 변형된 도전성 입자를 밀어 넣을 수 없어, 저항값이 상승하고 접속 신뢰성이 악화된다. 또한, 글라스 전이점이 50℃ 미만이면, 전자부품 구동시에 발생하는 열 등에 의해, 이방성 도전 필름이 연화되기 때문에, 도전성 입자를 밀어 넣을 수 없게 되어, 접속 불량을 야기한다.
-바인더-
상기 바인더로서는, 에폭시 수지 및 아크릴레이트 수지 중 어느 하나 또는 양자이면, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있다.
--에폭시 수지--
상기 에폭시 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다.
--아크릴레이트 수지--
상기 아크릴레이트 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있어, 예컨대 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴록시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴록시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴록시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다.
또한, 상기 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 들 수 있고, 이들은 1종 단독으로 사용하여도 좋으며, 2종 이상을 병용하여도 좋다.
--잠재성 경화제--
상기 잠재성 경화제는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 가열에 의해 활성화되는 잠재성 경화제, 가열에 의해 유리 라디칼을 발생시키는 잠재성 경화제 등을 들 수 있다.
상기 가열에 의해 활성화되는 잠재성 경화제로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 폴리아민, 이미다졸 등의 음이온계 경화제나 술포늄염 등의 양이온계 경화제 등을 들 수 있다.
상기 가열에 의해 유리 라디칼을 발생시키는 잠재성 경화제로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 유기 과산화물이나 아조화합물 등을 들 수 있다.
--상온에서 고형인 수지--
상기 상온에서 고형인 수지로서는, 페녹시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 및 우레탄 수지 등을 들 수 있고, 이방성 도전 필름에 대하여 10 질량%∼80 질량% 포함하는 것이 바람직하다.
상기 수지가 이방성 도전 필름에 대하여 10 질량% 미만이면, 막성(膜性)이 결여되고, 릴형의 제품으로 했을 때에 블로킹 현상을 야기한다. 또한, 상기 수지가 이방성 도전 필름에 대하여 80 질량%를 초과하면, 필름의 태크(tack)가 저하되어 회로 부재에 접합하지 않게 된다.
(접합체)
본 발명의 접합체는, 제1 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재에 대향하는 제2 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재의 사이에 배치된 본 발명의 이방성 도전 필름을 구비하고, 상기 제1 회로 부재에서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에서의 전극이, 도전성 입자를 통해 접속되어 있다.
-제1 회로 부재-
상기 제1 회로 부재로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 FPC 기판, PWB 기판을 들 수 있다.
-제2 회로 부재-
상기 제2 회로 부재로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예컨대 FPC 기판, COF 기판, TCP 기판, PWB 기판, IC 기판, 패널 등을 들 수 있다.
제1 회로 부재 및 제2 회로 부재 중 어느 하나 또는 양자가 IZO(Indium zinc oxide) 기판(IZO 배선이 형성된 기판)인 것이 바람직하다.
IZO 배선은, 폭넓은 온도 범위(실온∼350℃)로 성막이 가능하고, 안정적으로 비결정 성막의 형성이 가능하다.
이 때문에 IZO 배선은, ITO 배선보다, 도 5 및 도 6에 도시하는 사진과 같이, 성막면의 평활성이 높고, 막내에서 균일하고 높은 도전성이 얻어지며, 또한 글라스(Glass) 기판에의 부하가 저감될 뿐만 아니라, 공정도 간략화되어 저렴하게 제조가 가능해진다.
또한, 도 5 및 도 6으로부터, IZO 배선은 비결정질로 표면이 평활한 것에 대하여, ITO 배선은 결정질로 표면 조도가 높은 것을 알 수 있다.
IZO 배선은 모서리를 공유한 In 팔면체 구조의 이어짐이 많은 비결정 구조이고, 이것이 우수한 도전성의 원인으로 생각되고 있다.
(접속 방법)
본 발명의 접속 방법은, 배치 공정과, 압박 공정과, 접속 공정을 적어도 포함하고, 필요에 따라서 적절하게 선택한, 그 외의 공정을 더 포함한다.
-배치 공정-
상기 배치 공정은, 제1 회로 부재와 제2 회로 부재의 사이에, 본 발명의 이방성 도전 필름을 배치하는 공정이다.
상기 제1 회로 부재 및 상기 제2 회로 부재 중 어느 하나 또는 양자가, IZO(Indium zinc oxide) 기판인 것이 바람직하다.
-압박 공정-
상기 압박 공정은, 상기 제1 회로 부재를 상기 제2 회로 부재를 향해 압박하는 공정이다.
-접속 공정-
상기 접속 공정은, 제1 회로 부재에서의 전극과, 제2 회로 부재에서의 전극을, 도전성 입자를 통해 접속하는 공정이다.
-그 외의 공정-
상기 그 외의 공정으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 전혀 한정되는 것이 아니다.
(비교예 1)
<도전성 입자 A1의 제작>
-기재 입자(수지 입자)의 제작-
디비닐벤젠, 스티렌모노머, 부틸메타크릴레이트의 혼합 용액에, 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드를 투입하여 고속으로 균일하게 교반하면서 가열하고 중합 반응을 행함으로써 미립자 분산액을 얻었다. 이 미립자 분산액을 여과하고 감압 건조함으로써, 미립자의 응집체인 블록체를 얻었다. 또한, 이 블록체를 분쇄함으로써, 각각 가교 밀도가 상이한 평균 입자 직경 3.8 ㎛의 기재 입자(수지 입자)를 제작하였다.
-니켈 도금-
상기 제작된 수지 입자의 표면에, 팔라듐 촉매(무로마치 테크노스사 제조, 상품명: MK-2605)를 담지시켜, 촉진제(무로마치 테크노스사 제조, 상품명: MK-370)로써 활성화시킨 수지 입자를, 60℃로 가온한 황산니켈 수용액, 차아인산나트륨 수용액, 및 타르타르산나트륨 수용액의 혼합액중에 투입하여 무전해 도금 전(前)공정을 행하였다. 20분간 교반하며, 수소의 발포가 정지하는 것을 확인하였다. 다음에, 황산니켈, 차아인산나트륨, 시트르산나트륨, 도금 안정제의 혼합 용액을 첨가하고, pH가 안정될 때까지 교반하며, 수소의 발포가 정지할 때까지 무전해 도금 후(後)공정을 행하였다. 계속해서, 도금액을 여과하고, 여과물을 물로 세정한 후, 80℃의 진공 건조기로 건조하여 니켈 도금된 도전성 입자를 제작하였다.
-금 도금-
염화금산나트륨과 이온 교환수의 혼합 용액에, 니켈 도금된 도전성 입자를 투입하여 혼합한 후, 티오황산암모늄, 아황산암모늄, 및 인산수소암모늄을 투입하여 도금액을 조제하였다. 얻어진 도금액에 히드록실아민을 투입한 후, 암모니아를 이용하여 pH를 10에 맞추고, 욕 온도를 65℃로 하고, 20분 정도 반응시킴으로써, 최외각이 금 도금된(최외층이 금층인) 도전성 입자 A1을 제작하였다.
<도전성 입자 A1의 평가>
-압축 탄성률(K값) 및 압축 변형 회복률의 측정-
제작한 도전성 입자 A1을, 미소 압축 시험기(PCT-200 시마즈제작소 제조)를 이용하여, 50% 압축 변형에서의 압축 탄성률(K값)과, 압축 변형 회복률을 측정하였다. 20℃ 분위기하에서 측정을 행하고, 압축 탄성률 측정은, 압축 속도 0.2 gf/sec로 각 압축률에서의 값을 판독하였다. 압축 변형 회복률은, 압축 속도 0.2 gf/sec, 원점 가중값 0.1 gf, 반전 가중값 1.0 gf로 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
-도금 두께의 측정-
제작한 도전성 입자 A1을 에폭시 접착제에 분산시켜 경화시킨 후, 연마기(마루모토스트루어스사 제조)로 입자 단면을 깎아낸 것을 SEM(키엔스사 제조, 품번 VE-8800)으로써 관찰하여 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<이방성 도전 필름의 제작>
열경화성 바인더로서, 마이크로 캡슐형 아민계 경화제(아사히카세이케미컬사 제조, 상품명 노바큐어 HX3941HP)를 50부, 액상 에폭시 수지(재팬에폭시레진사 제조, 상품명 EP828)를 14부, 페녹시 수지(도토카세이사 제조, 상품명 YP50)를 35부, 실란커플링제(신에츠카가꾸사 제조, 상품명 KBE403)를 1부에, 상기 제작된 도전성 입자 A1을 체적 비율 10%가 되도록 분산시키고, 실리콘 처리된 박리 PET 필름 위에 두께 20 ㎛가 되도록 도포하여, 시트형의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
<IZO 배선의 실장체(접합체) A1의 제작>
IZO 배선의 실장체 A1을 제작하였다. 평가 기재로서, COF(소니케미컬&인포메이션디바이스 주식회사 평가용 COF, 50 ㎛P, Cu 8 ㎛t-Sn 도금, 38 ㎛t-S' perflex 기재)와, IZO 베타 글라스(소니케미컬&인포메이션디바이스 주식회사 평가용 ITO 베타 글라스, IZO 도금 두께 300 ㎚, 글라스 두께 0.7 ㎜)의 접속을 이하와 같이 행하였다. 우선, IZO 베타 글라스 위에, 1.5 ㎜ 폭으로 슬릿된 이방성 도전 필름을, 압착기툴 폭 1.5 ㎜, 완충재 70 ㎛ 두께 테플론(등록상표)을 이용하여, 가압착 조건 80℃-1 MPa-2 sec로 가접착하고, 박리 PET 필름을 박리하며, 계속해서, COF를 같은 압착기로, 가고정 조건 80℃-0.5 MPa-0.5 sec로 가고정하며, 마지막으로, 본 압착으로서, 압착기툴 폭 1.5 ㎜, 완충재 70 ㎛ 두께 테플론(등록상표)을 이용하여, 압착 조건 190℃-3 MPa-10 sec로 압착을 행하고, 실장체(접합체)를 완성시켰다.
<ITO 배선의 실장체 A1의 제작>
IZO 배선의 실장체 A1의 제작에 있어서, IZO 베타 글라스를 ITO 베타 글라스(소니케미컬&인포메이션디바이스 주식회사 평가용 ITO 베타 글라스, ITO 도금 두께 300 ㎚, 글라스 두께 0.7 ㎜)로 바꾼 것 이외는, IZO 배선의 실장체 A1의 제작과 마찬가지로, ITO 배선의 실장체 A1을 제작하였다.
<실장체 A1의 접속 저항 측정>
제작한 IZO 배선의 실장체 A1 및 ITO 배선의 실장체 A1에 대해서, 4단자법을 이용하여 전류 1 ㎃를 흘렸을 때의 접속 저항을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(비교예 2)
비교예 1에 있어서, 금 도금을 하는 대신에, 이하에 나타내는 팔라듐 도금을 한 것 이외는, 비교예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자 A2의 제작, 도전성 입자 A2의 평가, 이방성 도전 필름의 제작, IZO 배선의 실장체 A2의 제작, ITO 배선의 실장체 A2의 제작, 및 실장체 A2의 접속 저항 측정을 행하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
<팔라듐 도금>
테트라클로로팔라듐, 에틸렌디아민, 아미노피리딘, 차아인산나트륨, 폴리에틸렌글리콜, 및 이온 교환수를 포함하는 혼합 용액중에, 니켈 도금된 도전성 입자를 투입하여 혼합한 후, 암모니아를 이용하여 pH를 7.5에 맞추고, 욕 온도를 60℃로 하고, 20분 정도 반응시킴으로써, 최외층이 팔라듐 도금된 도전성 입자 A2를 제작하였다.
(실시예 1)
비교예 1에서 제작한 수지 입자의 표면에, 팔라듐 촉매(무로마치 테크노스사 제조, 상품명: MK-2605)를 담지시켜, 촉진제(무로마치 테크노스사 제조, 상품명: MK-370)로써 활성화시킨 수지 입자를, 욕 온도 60℃로 암모니아에 의해 pH가 8이 되도록 조정된 염화팔라듐, 염화니켈, 에틸렌디아민, 티오디글리콜산, 차아인산나트륨의 혼합 용액에 투입하고, 최외각에 니켈-팔라듐 합금 도금을 실시한(최외층이 니켈-팔라듐 합금층인) 도전성 입자 A3를 제작하고, 또한 비교예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자 A3의 평가, 이방성 도전 필름의 제작, IZO 배선의 실장체 A3의 제작, ITO 배선의 실장체 A3의 제작, 및 실장체 A3의 접속 저항 측정을 행하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
(실시예 2)
비교예 1에 있어서, 금 도금을 하는 대신에, 이하에 나타내는 니켈-팔라듐 합금 도금을 한 것 이외는, 비교예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자 A4의 제작, 도전성 입자 A4의 평가, 이방성 도전 필름의 제작, IZO 배선의 실장체 A4의 제작, ITO 배선의 실장체 A4의 제작, 및 실장체 A4의 접속 저항 측정을 행하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
<니켈-팔라듐 합금 도금>
염화팔라듐, 염화니켈, 에틸렌디아민, 티오디글리콜산, 및 차아인산나트륨의 혼합 용액중에, 니켈 도금된 도전성 입자를 투입하여 혼합한 후, 암모니아를 이용하여 pH를 8에 맞추고, 욕 온도를 60℃로 하고, 최외각에 니켈-팔라듐 합금 도금을 실시한(최외층이 니켈-팔라듐 합금층인) 도전성 입자 A4를 제작하였다.
(실시예 3)
비교예 1에서 제작한 수지 입자를 탈이온수중에 3분간 분산시킨 후, 니켈 슬러리(100 ㎚)를 투입하고, 교반함으로써 니켈 슬러리를 부착시킨 기재 입자를 얻었다. 또한 비교예 1의 니켈 도금의 무전해 도금의 전공정 및 후공정과 같은 처리를 행하고, 니켈 돌기가 붙은 도전성 입자를 제작하였다. 또한 실시예 2에서의 니켈-팔라듐 합금 도금을 실시하여, 도전성 입자 A5를 제작하고, 또한 비교예 1과 마찬가지로 하여, 도전성 입자 A5의 평가, 이방성 도전 필름의 제작, IZO 배선의 실장체 A5의 제작, ITO 배선의 실장체 A5의 제작, 및 실장체 A5의 접속 저항 측정을 행하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
(실시예 4∼12)
실시예 3에서 표 1에 나타내는 바와 같은 압축 탄성률, 압축 변형 회복률이 되도록, 디비닐벤젠, 스티렌모노머, 부틸메타크릴레이트의 혼합비를 바꾼 것 이외는, 실시예 3과 마찬가지로 하여, 도전성 입자 A6∼A14의 제작, 도전성 입자 A6∼A14의 평가, 이방성 도전 필름의 제작, IZO 배선의 실장체 A6∼A14의 제작, ITO 배선의 실장체 A6∼A14의 제작, 및 실장체 A6∼A14의 접속 저항 측정을 행하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
(비교예 3)
실시예 6에서, 니켈-팔라듐 합금 도금에서의 염화니켈을 황산구리로 바꾸고, 최외각에 구리-팔라듐 합금 도금을 실시한(최외층이 구리-팔라듐 합금층인) 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 도전성 입자 A15의 제작, 도전성 입자 A15의 평가, 이방성 도전 필름의 제작, IZO 배선의 실장체 A15의 제작, ITO 배선의 실장체 A15의 제작, 및 실장체 A15의 접속 저항 측정을 행하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
(비교예 4)
실시예 6에서, 니켈-팔라듐 합금 도금에서의 염화니켈을 시안화금칼륨으로 바꾸고, 최외각에 금-팔라듐 합금 도금을 실시한(최외층이 금-팔라듐 합금층인) 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 도전성 입자 A16의 제작, 도전성 입자 A16의 평가, 이방성 도전 필름의 제작, IZO 배선의 실장체 A16의 제작, ITO 배선의 실장체 A16의 제작, 및 실장체 A16의 접속 저항 측정을 행하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
비교예 1의 금 도금 입자는, ITO 배선에 대한 초기의 저항값이 낮고, ITO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값도 낮지만, IZO 배선에 대한 초기의 저항값이 높고, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 더 상승하는 것을 알았다.
비교예 1에서, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 높은 것은, 금 도금이 부드러워, IZO 배선에 들어갈 수 없기 때문으로 생각된다.
또한, 비교예 2의 팔라듐 도금 입자는, ITO 배선에 대한 초기의 저항값이 낮고, ITO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값도 낮으며, IZO 배선에 대한 초기의 저항값은 낮지만, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 높은 것을 알았다. 또한, 팔라듐 도금의 갈라짐 상태를 SEM으로 관찰한 바, 무수한 도금의 균열을 발생시키고 있는 것이 확인되었다.
비교예 2에서, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 높은 것은, 팔라듐 도금은 딱딱하고 약하기 때문에, 무수한 도금의 균열을 발생시키기 때문으로 생각된다.
또한, 비교예 3의 구리-팔라듐 도금 입자는, ITO 배선에 대한 초기의 저항값이 낮고, ITO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값도 낮지만, IZO 배선에 대한 초기의 저항값이 높고, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 더 상승하는 것을 알았다.
또한, 비교예 4의 금-팔라듐 도금 입자는, ITO 배선에 대한 초기의 저항값이 낮고, ITO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값도 낮지만, IZO 배선에 대한 초기의 저항값이 높고, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 더 상승하는 것을 알았다.
이것에 대하여, 실시예 1∼3, 5, 6, 8, 10, 및 12의 니켈 팔라듐 도금 입자는, ITO 배선에 대한 초기의 저항값, ITO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값, IZO 배선에 대한 초기의 저항값, 및 IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값 모두가 낮은 저항값을 나타내었다.
이상으로부터, 팔라듐 합금 도금으로 하는 것에 의해, 경도와 연전성을 양립시킬 수 있고, IZO 배선에 대한 저항값을 낮게 할 수 있는 것을 알았다.
실시예 4의 압축 탄성률이 70 kgf/㎜2로 낮은 도전성 입자는, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 실시예 1∼3, 5, 6, 8, 10 및 12의 도전성 입자보다 높았다.
실시예 7의 압축 탄성률이 1,100 kgf/㎜2로 높은 도전성 입자는, IZO 배선에 대한 초기의 저항값이 실시예 1∼3, 5, 6, 8, 10 및 12의 도전성 입자보다 높고, 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값도 다른 실시예의 도전성 입자보다 높았다.
실시예 9의 압축 변형 회복률이 5%로 낮은 도전성 입자는, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 실시예 1∼3, 5, 6, 8, 10 및 12의 도전성 입자보다 높았다.
실시예 11의 압축 변형 회복률이 80%로 높은 도전성 입자는, IZO 배선에 대한 신뢰성 시험(85℃/85%/500 hr) 후의 저항값이 실시예 1∼3, 5, 6, 8, 10 및 12의 도전성 입자보다 높았다.
10: 도전성 입자, 11: 도전층, 11a: 니켈-팔라듐 합금층, 11b: 니켈층, 12: 고분자 미립자, 13: 돌기

Claims (17)

  1. 고분자 미립자와, 상기 고분자 미립자의 표면에 형성된 도전층을 포함하는 도전성 입자로서, 상기 도전층의 최외각이 니켈-팔라듐 합금층인 것을 특징으로 하는 도전성 입자.
  2. 제1항에 있어서, 니켈-팔라듐 합금층은 두께가 5 ㎚∼20 ㎚인 것인 도전성 입자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 니켈-팔라듐 합금층이, 고분자 미립자의 표면에 팔라듐 촉매를 담지시켜, 촉진제를 이용하는 것에 의해 형성된 것인 도전성 입자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 도전층이, 고분자 미립자의 표면에 형성된 니켈 도금층을 포함하는 것인 도전성 입자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 도전층은 두께가 50 ㎚∼150 ㎚인 것인 도전성 입자.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 압축 변형 40%∼70%에서의 압축 탄성률이 100 kgf/㎜2∼1,000 kgf/㎜2이고,
    압축 변형 회복률이 10%∼70%인 것인 도전성 입자.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 니켈, 팔라듐, 코발트, 및 크롬 중 하나 이상을 핵으로 하는 돌기를 더 포함하는 것인 도전성 입자.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, IZO(Indium zinc oxide) 기판의 접속에 이용되는 것인 도전성 입자.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자와, 바인더를 포함하는 이방성 도전 필름으로서, 상기 바인더가 에폭시 수지 및 아크릴레이트 수지 중 어느 하나 또는 양자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전 필름.
  10. 제9항에 있어서, 페녹시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지 및 우레탄 수지 중 하나 이상을, 이방성 도전 필름에 대하여 10 질량%∼80 질량% 포함하는 것인 이방성 도전 필름.
  11. 제10항에 있어서, 가열에 의해 활성화되는 잠재성 경화제를 포함하는 것인 이방성 도전 필름.
  12. 제10항에 있어서, 가열에 의해 유리(遊離) 라디칼을 발생시키는 잠재성 경화제를 포함하는 것인 이방성 도전 필름.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 경화율이 80% 이상인 경우, 40℃ 이하에서의 탄성률이 0.5 GPa 이상이고, 글라스(Glass) 전이점이 50℃ 이상인 것인 이방성 도전 필름.
  14. 제1 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재에 대향하는 제2 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재의 사이에 배치된 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 포함하고, 상기 제1 회로 부재에서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에서의 전극이, 도전성 입자를 통해 접속된 것을 특징으로 하는 접합체.
  15. 제14항에 있어서, 제1 회로 부재 및 제2 회로 부재 중 어느 하나 또는 양자가, IZO(Indium zinc oxide) 기판인 것인 접합체.
  16. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 이용한 접속 방법으로서,
    제1 회로 부재와 제2 회로 부재의 사이에 상기 이방성 도전 필름을 배치하는 배치 공정과,
    상기 제1 회로 부재를 상기 제2 회로 부재를 향해 압박하는 압박 공정과,
    상기 제1 회로 부재에서의 전극과, 상기 제2 회로 부재에서의 전극을, 도전성 입자를 통해 접속하는 접속 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접속 방법.
  17. 제16항에 있어서, 제1 회로 부재 및 제2 회로 부재 중 어느 하나 또는 양자가 IZO(Indium zinc oxide) 기판인 것인 접속 방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013069919A1 (ko) * 2011-11-09 2013-05-16 제일모직 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2013077666A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Hanwha Chemical Corporation Conductive particle and method of manufacturing the same
US9024321B2 (en) 2013-04-29 2015-05-05 Samsung Display Co., Ltd. Conductive particle and display device including the same
KR20150063962A (ko) * 2012-10-02 2015-06-10 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
KR20190051252A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 에스케이이노베이션 주식회사 전극 구조체 및 이를 포함하는 이차 전지
KR20220068267A (ko) * 2014-10-29 2022-05-25 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 도전 재료

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102947929B (zh) 2010-04-19 2016-05-18 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜
JP5619675B2 (ja) * 2010-08-16 2014-11-05 株式会社日本触媒 導電性微粒子および異方性導電材料
KR101695353B1 (ko) * 2010-10-06 2017-01-11 삼성전자 주식회사 반도체 패키지 및 반도체 패키지 모듈
JP5653737B2 (ja) * 2010-12-08 2015-01-14 株式会社日本触媒 樹脂粒子およびこれを用いた絶縁化導電性粒子並びに異方性導電材料
KR101309821B1 (ko) 2010-12-31 2013-09-23 제일모직주식회사 이방 전도성 필름 조성물
JP5916334B2 (ja) * 2011-10-07 2016-05-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
WO2013094637A1 (ja) * 2011-12-21 2013-06-27 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
WO2013094636A1 (ja) * 2011-12-21 2013-06-27 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
TWI467718B (zh) 2011-12-30 2015-01-01 Ind Tech Res Inst 凸塊結構以及電子封裝接點結構及其製造方法
JP6066734B2 (ja) * 2012-01-20 2017-01-25 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6245792B2 (ja) 2012-03-29 2017-12-13 デクセリアルズ株式会社 導電性粒子、回路接続材料、実装体、及び実装体の製造方法
JP5941328B2 (ja) * 2012-04-10 2016-06-29 日本化学工業株式会社 導電性粒子及びそれを含む導電性材料
JP5973257B2 (ja) * 2012-07-03 2016-08-23 日本化学工業株式会社 導電性粒子及びそれを含む導電性材料
JP2014096531A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Dexerials Corp 接続構造体の製造方法及び接続方法
KR20150092077A (ko) * 2012-12-06 2015-08-12 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전 재료, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법
KR101298101B1 (ko) * 2012-12-26 2013-08-20 덕산하이메탈(주) 도전입자, 이를 포함하는 도전 재료
CN104704579B (zh) * 2013-01-24 2018-09-28 积水化学工业株式会社 基材粒子、导电性粒子、导电材料及连接结构体
JP5985414B2 (ja) * 2013-02-19 2016-09-06 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤、発光装置及び異方性導電接着剤の製造方法
JP6581330B2 (ja) * 2013-06-13 2019-09-25 アクゾ ノーベル コーティングス インターナショナル ビー ヴィ 塗料組成物及びこれを塗装して得られる塗膜
JP5695768B2 (ja) * 2014-02-04 2015-04-08 日本化学工業株式会社 導電性粉体及びそれを含む導電性材料
JP5975054B2 (ja) * 2014-03-10 2016-08-23 日立化成株式会社 導電粒子、異方導電性接着剤、接続構造体及び導電粒子の製造方法
JP2015195178A (ja) * 2014-03-26 2015-11-05 デクセリアルズ株式会社 導電性粒子、導電性接着剤、接続体の製造方法、電子部品の接続方法、及び接続体
TWI664783B (zh) * 2014-03-31 2019-07-01 日商迪睿合股份有限公司 異向性導電膜、其製造方法、連接構造體、及連接構造體之製造方法
KR102401753B1 (ko) * 2014-05-12 2022-05-26 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
JP6337630B2 (ja) * 2014-06-12 2018-06-06 日立化成株式会社 回路接続材料及び回路接続構造体
JP6379761B2 (ja) * 2014-07-09 2018-08-29 日立化成株式会社 導電粒子、絶縁被覆導電粒子、異方導電性接着剤、接続構造体及び導電粒子の製造方法
JP6567921B2 (ja) * 2014-08-29 2019-08-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀被覆銅粉およびその製造方法
JP2016089153A (ja) * 2014-10-29 2016-05-23 デクセリアルズ株式会社 導電材料
JP6888903B2 (ja) * 2014-11-04 2021-06-18 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
US10875095B2 (en) * 2015-03-19 2020-12-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component comprising magnetic metal powder
JP2017059471A (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 デクセリアルズ株式会社 接続材料
CN106125410B (zh) * 2016-06-28 2019-08-02 京东方科技集团股份有限公司 导电球及其制备方法、各向异性导电胶、显示装置
WO2018030438A1 (ja) * 2016-08-08 2018-02-15 積水化学工業株式会社 導通検査装置用部材及び導通検査装置
US9942986B1 (en) * 2016-09-23 2018-04-10 Apple Inc. System with field-assisted conductive adhesive bonds
CN107393633A (zh) * 2017-06-26 2017-11-24 张家港康得新光电材料有限公司 导电金属球及3d显示装置
TWI772522B (zh) * 2017-09-20 2022-08-01 日商積水化學工業股份有限公司 含金屬粒子、連接材料、連接結構體、連接結構體之製造方法、導通檢查用構件及導通檢查裝置
US20190355277A1 (en) 2018-05-18 2019-11-21 Aidmics Biotechnology (Hk) Co., Limited Hand-made circuit board
KR102650760B1 (ko) * 2018-07-10 2024-03-22 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 피복 입자
CN111383793B (zh) * 2018-12-31 2021-10-26 德山金属株式会社 导电粒子、导电材料以及接触结构体
KR102364813B1 (ko) * 2020-03-09 2022-02-17 성균관대학교산학협력단 투명 유연성 박막 및 이의 제조 방법
CN113448127A (zh) * 2021-06-30 2021-09-28 Tcl华星光电技术有限公司 一种导电球及显示面板
KR102612482B1 (ko) * 2021-11-16 2023-12-11 덕산네오룩스 주식회사 도전입자, 도전재료 및 접속 구조체

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1334479C (en) * 1988-08-29 1995-02-21 Minoru Yoshinaka Conductive composition and method for making the same
JPH0353253A (ja) * 1989-07-21 1991-03-07 Fuji Photo Film Co Ltd 静電記録フイルム
JPH0652715A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Fuji Kobunshi Kogyo Kk 異方導電性接着剤組成物
US5618394A (en) * 1996-01-16 1997-04-08 Patterson; James A. System and electrolytic cell having inert spherical core catalytic elements for heating a liquid electrolyte
DE19650300A1 (de) * 1996-12-04 1998-06-10 Gerd Hugo Anstrichstoff
EP1010781A4 (en) * 1997-04-17 2007-04-25 Sekisui Chemical Co Ltd CONDUCTIVE PARTICLES AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING THE SAME ANISOTROPIC CONDUCTIVE ADHESIVE AND CONDUCTIVE CONNECTION STRUCTURE, AND ELECTRICAL SWITCHING COMPONENTS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US6120885A (en) * 1997-07-10 2000-09-19 International Business Machines Corporation Structure, materials, and methods for socketable ball grid
US6322685B1 (en) * 1998-05-13 2001-11-27 International Business Machines Corporation Apparatus and method for plating coatings on to fine powder materials and use of the powder therefrom
WO2000024941A1 (en) * 1998-10-27 2000-05-04 Clinical Micro Sensors, Inc. Detection of target analytes using particles and electrodes
JP3696429B2 (ja) * 1999-02-22 2005-09-21 日本化学工業株式会社 導電性無電解めっき粉体とその製造方法並びに該めっき粉体からなる導電性材料
US6372376B1 (en) * 1999-12-07 2002-04-16 General Motors Corporation Corrosion resistant PEM fuel cell
JP2002025345A (ja) * 2000-07-05 2002-01-25 Nisshin Steel Co Ltd 耐マイグレーション性に優れた導電性粒子
US6352775B1 (en) * 2000-08-01 2002-03-05 Takeda Chemical Industries, Ltd. Conductive, multilayer-structured resin particles and anisotropic conductive adhesives using the same
TWI230191B (en) * 2000-12-28 2005-04-01 Hitachi Chemical Co Ltd Circuit connecting adhesive with anisotropic conductivity connecting method of circuit board and circuit connecting construction by using the adhesive
JP4814476B2 (ja) * 2001-04-20 2011-11-16 Ｔｄｋ株式会社 光情報媒体の再生方法
US20040115340A1 (en) 2001-05-31 2004-06-17 Surfect Technologies, Inc. Coated and magnetic particles and applications thereof
GB0204430D0 (en) * 2002-02-26 2002-04-10 Leuven K U Res & Dev Magnet
US7183891B2 (en) * 2002-04-08 2007-02-27 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
JP3940638B2 (ja) * 2002-06-10 2007-07-04 積水化学工業株式会社 導電性微粒子及び導電性微粒子の製造方法
EP2182585B1 (en) 2003-06-25 2011-08-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit member connecting structure
JP5247968B2 (ja) * 2003-12-02 2013-07-24 日立化成株式会社 回路接続材料、及びこれを用いた回路部材の接続構造
US20100025089A1 (en) * 2004-01-07 2010-02-04 Jun Taketatsu Circuit connection material, film-shaped circuit connection material using the same, circuit member connection structure, and manufacturing method thereof
CN1906705B (zh) * 2004-01-30 2010-04-21 积水化学工业株式会社 导电性微粒和各向异性导电材料
JP2007324138A (ja) * 2004-01-30 2007-12-13 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び異方性導電材料
EP1754762A4 (en) * 2004-06-09 2009-07-22 Hitachi Chemical Co Ltd ADHESIVE COMPOSITION, CIRCUIT CONNECTING MATERIAL, CONNECTING CONSTRUCTION FOR CIRCUIT ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
KR20070117665A (ko) * 2005-03-31 2007-12-12 후지필름 가부시키가이샤 표면 그래프트 재료와 그 제조방법, 도전성 재료와 그제조방법, 및 도전성 패턴 재료
US20060257555A1 (en) * 2005-05-12 2006-11-16 Brady Brian K Sub-layer for adhesion promotion of fuel cell bipolar plate coatings
KR100720895B1 (ko) * 2005-07-05 2007-05-22 제일모직주식회사 농도 구배를 갖는 이종(異種) 복합 금속층이 형성된 전도성미립자, 그 제조방법 및 이를 이용한 이방 전도성 접착제조성물
JP4718926B2 (ja) * 2005-07-29 2011-07-06 積水化学工業株式会社 導電性微粒子、及び、異方性導電材料
KR100732787B1 (ko) * 2005-10-14 2007-06-27 한화석유화학 주식회사 분산성 및 밀착성이 우수한 도전성 무전해 도금분체의제조방법
WO2007058142A1 (ja) * 2005-11-21 2007-05-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子部品を実装した回路基板を製造する方法
KR100719802B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-18 제일모직주식회사 이방 전도 접속용 고신뢰성 전도성 미립자
US8133591B2 (en) * 2006-06-27 2012-03-13 GM Global Technology Operations LLC Adhesion of polymeric coatings to bipolar plate surfaces using silane coupling agents
US20080038871A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 George Liang-Tai Chiu Multipath soldered thermal interface between a chip and its heat sink
FR2906160B1 (fr) * 2006-09-25 2009-06-05 Air Liquide Procede psa a lit d'adsorption composite forme d'un adsorbant et d'agglomerats de mcp
US8220310B2 (en) * 2006-11-10 2012-07-17 Tohoku University Gas analyzer and method of gas analysis
US20080152957A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Gm Global Technology Operations, Inc. Non-functional fuel cell for fuel cell stack
US7538413B2 (en) * 2006-12-28 2009-05-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having through interconnects
JP5028619B2 (ja) * 2007-03-09 2012-09-19 国立大学法人 香川大学 パターン状の微粒子膜およびパターン状の微粒子膜の製造方法
JP5079396B2 (ja) * 2007-03-30 2012-11-21 富士フイルム株式会社 導電性物質吸着性樹脂フイルム、導電性物質吸着性樹脂フイルムの製造方法、それを用いた金属層付き樹脂フイルム、及び、金属層付き樹脂フイルムの製造方法
JP2010528181A (ja) * 2007-05-24 2010-08-19 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ポリマー被覆された金属ホイルの製造方法及びその使用方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013069919A1 (ko) * 2011-11-09 2013-05-16 제일모직 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2013077666A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Hanwha Chemical Corporation Conductive particle and method of manufacturing the same
US9301392B2 (en) 2011-11-24 2016-03-29 Hanwha Chemical Corporation Conductive particle and method of manufacturing the same
KR20150063962A (ko) * 2012-10-02 2015-06-10 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
US9024321B2 (en) 2013-04-29 2015-05-05 Samsung Display Co., Ltd. Conductive particle and display device including the same
US9368255B2 (en) 2013-04-29 2016-06-14 Samsung Display Co., Ltd. Conductive particle and display device including the same
KR20220068267A (ko) * 2014-10-29 2022-05-25 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 도전 재료
KR20190051252A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 에스케이이노베이션 주식회사 전극 구조체 및 이를 포함하는 이차 전지

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