CN113448127A - 一种导电球及显示面板 - Google Patents

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CN113448127A CN202110737873.0A CN202110737873A CN113448127A CN 113448127 A CN113448127 A CN 113448127A CN 202110737873 A CN202110737873 A CN 202110737873A CN 113448127 A CN113448127 A CN 113448127A
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Abstract

本发明提供了一种导电球及显示面板,涉及显示技术领域。导电球包括内部体以及包覆内部体的外层,外层设有多个锥形的外层突起部,外层突起部的突起高度为
Figure DDA0003142204220000011
本发明提供的导电球能够有效刺穿配向层,实现TFT基板和CF基板之间电极的导通。

Description

一种导电球及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种导电球及显示面板。
背景技术
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器,Thin film transistor liquid crystaldisplay)是液晶显示器中的一种,它被应用在电视、平面显示器及投影机上,通过薄膜晶体管技术改善影象品质。TFT-LCD可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶,其中一侧玻璃基板是彩色滤光片(Color Filter),可称为CF基板,而另一侧玻璃基板(TFT基板)则有晶体管镶嵌于上。电流通过晶体管产生电场变化,造成液晶分子偏转,改变光线的偏极性,再由偏光片决定像素(Pixel)的明暗状态。
在TFT-LCD生产技术中,TFT基板和CF基板通过框胶进行粘合,与框胶一起混合涂布的导电球(结构参见图1)对两侧基板进行导通,参见图2,以形成电场,实现液晶分子的偏转。
随着显示产品的解析度越来越高,边框越来越窄,如聚酰亚胺(PI)的配向膜的涂布精度变得难以管控,为了解决配向膜涂布造成的周边Gap(间隙)不均的问题,工艺上采用配向膜外扩、与框胶交叠来克服。但参见图3,在此种情况下,采用现有的导电球的TFT基板和CF基板之间电极的导通性较差,甚至没有导通,如此,也就衍生了电性串扰的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种导电球,该导电球能够有效刺穿配向层,实现TFT基板和CF基板之间电极的导通。
本发明的另一目的在于提供一种显示面板。
本发明解决技术问题是采用以下技术方案来实现的:
一种导电球,包括:
内部体;以及
包覆内部体的外层,外层设有多个锥形的外层突起部,外层突起部的突起高度为
Figure BDA0003142204200000021
可选的,在本发明的一些实施例中,内部体包括内核和包覆内核的中间金属层,外层包覆中间金属层。
可选的,在本发明的一些实施例中,中间金属层设有多个锥形的与外层突起部对应的中间层突起部,中间层突起部的突起高度为
Figure BDA0003142204200000022
可选的,在本发明的一些实施例中,内核设有多个锥形的与中间层突起部对应的内核突起部,内核突起部的突起高度为
Figure BDA0003142204200000023
可选的,在本发明的一些实施例中,内核的内径为3~10μm。
可选的,在本发明的一些实施例中,中间金属层的厚度为
Figure BDA0003142204200000024
可选的,在本发明的一些实施例中,外层的厚度为
Figure BDA0003142204200000025
另外,一种显示面板,包括第一基板、第二基板以及导电球,导电球用于导通第一基板和第二基板之间的电极,第一基板为彩色滤光片基板,第二基板为薄膜晶体管阵列基板,导电球包括内部体以及包覆内部体的外层,外层设有多个锥形的外层突起部,外层突起部的突起高度为
Figure BDA0003142204200000026
可选的,在本发明的一些实施例中,导电球分布于显示面板的框胶中,导电球与框胶的质量比为1~2:100。
可选的,在本发明的一些实施例中,显示面板为垂直配向型的显示面板。
相对于现有技术,本发明包括以下有益效果:由于导电球的外层具有多个突起高度为
Figure BDA0003142204200000027
的外层突起部,因此,当配向膜外扩、与框胶交叠时,导电球也能够有效的刺穿配向膜,实现TFT基板和CF基板之间电极的导通,如此,也就能够解决窄边框显示产品因无法有效导通而产生的电性串扰问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的导电球的结构示意图;
图2是解析度为4K的产品的TFT基板、CF基板之间电极通过导电球导通的示意图;
图3是解析度为8K的产品的TFT基板、CF基板之间电极导通不良的情况示意图;
图4是本发明实施例提供的导电球的结构示意图
图5是本发明实施例提供的单个外层突起部的截面图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供的技术方案将在以下内容进行详细说明。需要说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外,在本发明的描述中,术语“包括”是指“包括但不限于”。用语“第一”、“第二”等仅仅作为标示使用,并没有强加数字要求或建立顺序。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在;应当理解,以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁,不应理解为对本发明范围的硬性限制;因此,应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。
参见图4,本发明的实施例提供了一种导电球,该导电球包括内部体以及包覆内部体的外层103,外层103设有多个锥形的外层突起部1031,外层突起部1031的突起高度为
Figure BDA0003142204200000031
表示长度单位“埃”。内部体包括内核101和包覆内核101的中间金属层102,外层103包覆中间金属层102,也就是说,本实施例提供的导电球从内到外依次为内核101、中间金属层102、外层103。在其他实施例中,内部体也可以仅表示内部核,整体形成内核-外层的结构。
本实施例中,导电球为非标准的球体,而是如图4所示的广义“球体”;外层突起部1031的形状设置的目的也是为了便于刺穿配向膜,因此,其可为非标准的锥形,外层突起部1031只要是类似锥形的广义“锥形”结构即可。本实施例中,锥形的外层突起部1031的截面为锯齿形,外层突起部1031的突起高度为图5所示的横向虚线所示的高度。
内部体的形状结构不做限定,可设置成球形,也可设置成对应于外层103、外层突起部1031的形状结构,还可设置成其他结构。本实施例中,内部体的形状结构对应外层103、外层突起部1031的形状结构。
具体的,内部体的中间金属层102设有多个锥形的与外层突起部1031对应的中间层突起部1021,中间层突起部1021的突起高度为
Figure BDA0003142204200000041
内核101设有多个锥形的与中间层突起部1021对应的内核突起部1011,内核突起部1011的突起高度为
Figure BDA0003142204200000042
中间层突起部1021、内核突起部1011的截面均为图示的锯齿形。
内核101的内径为3~10μm。此处所提到的“内径”是指图4所示的内核101的内圆直径,为3μm,在其他实施例中,内核101的内径可以为其他数值,如5μm、8μm、10μm。而中间金属层102的厚度为
Figure BDA0003142204200000043
外层103的厚度为
Figure BDA0003142204200000044
此处所提到的“厚度”是指图4所示的中间金属层102、外层103的宽度,具体的,中间金属层102的厚度为
Figure BDA0003142204200000045
外层103的厚度为
Figure BDA0003142204200000046
在其他实施例中,中间金属层102、外层103可以分别设置成其他厚度,如中间金属层102的厚度为
Figure BDA0003142204200000047
外层103的厚度为
Figure BDA0003142204200000048
本实施例中,内核突起部1011、中间层突起部1021、外层突起部1031的突起高度均为
Figure BDA0003142204200000049
在其他实施例中,突起高度可以设置成其他数值,如
Figure BDA00031422042000000411
Figure BDA00031422042000000410
并且三者之间的突起高度可以不相同。
外层突起部1031的数量为26个,中间层突起部1021、内核突起部1011与外层突起部1031一一对应,数量均为26个,但在其他实施例中,外层突起部1031的数量可以为其他数值,如22个、30个、40个,并且外层突起部1031、中间层突起部1021、内核突起部1011的数量可不相同,实现各自取值,本实施例中,外层突起部1031、中间层突起部1021、内核突起部1011的锥形形状、位置朝向相同,但在其他实施例中,三者的位置朝向可以部分对应相同、或者不相同。本实施例中,内核101材料为聚氧硅烷,中间金属层102材料为镍,外层103材料为金,在其他实施例中,内核101材料可以选择其他聚合物,而中间金属层102、外层103也可以选取其他金属材料,由于各层材料的选取为本领域已熟知的内容,在此不再赘述。
另外,本实施例还提供了一种显示面板,包括第一基板、第二基板以及上述的导电球,导电球用于导通第一基板和第二基板之间的电极,第一基板为彩色滤光片基板,第二基板为薄膜晶体管阵列基板。
进一步的,导电球分布于显示面板的框胶中,导电球与框胶的质量比为1~2:100,该比例条件下的施用效果较好。该显示面板为垂直配向型(Vertical Alignment,VA)的显示面板,上述的导电球适用于该类型的显示面板,特别适用于PSVA型(Polymer StabilizedVertically Aligned)的显示面板。PSVA型的显示面板也具有快响应、高对比、高穿透的优良特性,被广泛应用在大尺寸LCD生产中。
利用本实施例提供的导电球,能够有效导通TFT基板侧的电极和CF基板侧的电极,如此,也就能够避免窄边框显示产品因无法有效导通而产生的电性串扰的问题,实用性高,适合大范围推广。
以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种导电球,其特征在于,包括:
内部体;以及
包覆所述内部体的外层,所述外层设有多个锥形的外层突起部,所述外层突起部的突起高度为
Figure FDA0003142204190000011
2.根据权利要求1所述的导电球,其特征在于,所述内部体包括内核和包覆所述内核的中间金属层,所述外层包覆所述中间金属层。
3.根据权利要求2所述的导电球,其特征在于,所述中间金属层设有多个锥形的与所述外层突起部对应的中间层突起部,所述中间层突起部的突起高度为
Figure FDA0003142204190000012
4.根据权利要求3所述的导电球,其特征在于,所述内核设有多个锥形的与所述中间层突起部对应的内核突起部,所述内核突起部的突起高度为
Figure FDA0003142204190000013
5.根据权利要求2所述的导电球,其特征在于,所述内核的内径为3~10μm。
6.根据权利要求2所述的导电球,其特征在于,所述中间金属层的厚度为
Figure FDA0003142204190000014
7.根据权利要求1所述的导电球,其特征在于,所述外层的厚度为
Figure FDA0003142204190000015
8.一种显示面板,其特征在于,包括第一基板、第二基板以及导电球,所述导电球用于导通所述第一基板和所述第二基板之间的电极,所述第一基板为彩色滤光片基板,所述第二基板为薄膜晶体管阵列基板,所述导电球包括内部体以及包覆所述内部体的外层,所述外层设有多个锥形的外层突起部,所述外层突起部的突起高度为
Figure FDA0003142204190000016
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述导电球分布于所述显示面板的框胶中,所述导电球与所述框胶的质量比为1~2:100。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为垂直配向型的显示面板。
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