CN101995700A - 液晶面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种液晶面板及其制造方法。液晶面板包括对盒设置的两显示基板，第一显示基板上形成有栅扫描线和数据线，围设成像素单元，像素单元内设有TFT，其中：第二衬底基板的各像素区域中分别形成有像素电极和公共电极；第一显示基板和第二显示基板之间形成有包含导电材料的第一隔垫物，第一隔垫物连接第二显示基板上的像素电极和通过第一过孔露出的漏电极；公共电极线形成在第一衬底基板或第二衬底基板上，与公共电极电连接。本发明采用将形成水平电场的像素电极和公共电极与数据线分设在两个显示基板的技术手段，在拉近相邻像素电极之时不会提高像素电极与数据线之间的寄生电容。

Description

液晶面板及其制造方法

技术领域

本发明实施例涉及液晶显示技术，尤其涉及一种液晶面板及其制造方法。

背景技术

为了提高液晶显示器(Liquid Crystal Display；以下简称：LCD)的宽视角特性，特别是电视显示领域对各个视角的对比度(Contrast Ratio；以下简称：CR)，即对宽视角特性的高要求，目前提出了水平电场模式的LCD。水平电场模式的LCD主要包括平面内切换(In-Plane Switching；以下简称：IPS)模式和边缘场切换(Fringe Field Switching；以下简称：FFS)模式等。水平电场技术的特点是像素电极和公共电极之间形成水平电场来控制液晶分子的扭转。

图1为现有典型的IPS模式液晶面板中阵列基板的局部俯视结构示意图，图2为沿图1中A-A线的剖面结构示意图，同时在图2中增加示出了彩膜基板和液晶300的结构。如图1和图2所示，阵列基板包括第一衬底基板1，第一衬底基板1上形成多条横纵交叉的数据线3和栅扫描线2。数据线3和栅扫描线2围设成多个像素单元的阵列，图1和图2中所示为一个像素单元内的结构。在每个像素单元中包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下简称：TFT)、像素电极4、公共电极线5和公共电极6。TFT具体包括栅电极7、有源层8、源电极9和漏电极10。栅电极7连接栅扫描线2，源电极9连接数据线3，漏电极10连接像素电极4，用于向像素电极4施加工作电压。公共电极线5连接公共电极6，用于向公共电极6施加公用电压。像素电极4与公共电极6的图案均呈梳状，包括多条窄缝，像素电极4和公共电极6的图案彼此凹凸配合。上述导电的膜层之间以栅极绝缘层11和钝化层12保持绝缘。公共电极线5通常与栅扫描线2同层形成，通过第四过孔13与公共电极6相连。在垂直于阵列基板平面的方向上，像素电极4与异层设置的公共电极线5或栅扫描线2之间能够形成存储电容，用于在每帧显示的间隙中保持电场。如图2所示，彩膜基板通常包括第二衬底基板14，其上形成黑矩阵层15和彩膜树脂层16的图案。通常对应彩膜基板的黑矩阵层15区域上形成隔垫物17，在彩膜基板和阵列基板对盒之后用于保持两基板之间的距离，即盒厚。彩膜基板和阵列基板因其上设置的薄膜结构而得名，一般可统称为显示基板。

现有技术中，无论从减少产品成本和提高显示效果方面，都存在提高液晶面板透过率的需求。现有技术提高液晶面板透过率的一种途径是提高像素单元的开口率。所谓开口率即每个像素单元内，透光区域的面积占整个像素单元面积的比例，数据线、栅扫描线和TFT的区域需要被黑矩阵遮挡，均属于非透光区域。非透光区域越大，则开口率越低。

现有技术目前提供的一种技术方案是减小相邻像素单元的像素电极之间的距离，从而减小对应的黑矩阵的宽度来提高开口率。但该方案的缺陷是两像素电极与其间的数据线之间的距离也相应变小，导致像素电极与数据线之间形成的寄生电容值增大，影响了显示效果。

现有技术目前提供的另一种技术方案是在上述方案的基础上增加钝化层的厚度。像素电极位于钝化层之上，而数据线位于钝化层之下，所以增加钝化层的厚度即增加了像素电极与数据线之间的距离，可以降低像素电极与数据线之间形成的寄生电容值。但是，该方案存在的问题是：钝化层的厚度需要达到2微米(μm)以上，才能在像素电极之间的距离从15μm缩小到6～8μm的情况下，将寄生电容值降低到符合要求的限值以下。然而，钝化层通常是采用氮化硅制备的，由于薄膜应力(filmstress)作用，所以氮化硅薄膜很难将厚度做到0.5～1μm以上。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种液晶面板及其制造方法，以在液晶面板上相邻像素电极之间的距离减小时，减少寄生电容的影响。

为实现上述目的，本发明提供了一种液晶面板，包括对盒设置的第一显示基板和第二显示基板，所述第一显示基板和第二显示基板之间填充有液晶；所述第一显示基板包括第一衬底基板，所述第一衬底基板上形成有多条横纵交叉的栅扫描线和数据线，围设形成多个像素单元，每个像素单元中设置有TFT，所述TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极与栅扫描线相连，所述源电极与数据线相连，所述栅扫描线和栅电极上覆盖有栅极绝缘层，所述数据线、有源层、源电极和漏电极上覆盖有钝化层；所述第二显示基板包括第二衬底基板，所述第二衬底基板上形成有网状的黑矩阵层，围设形成与各像素单元对应的像素区域，其中：

所述第二衬底基板的各像素区域中分别形成有像素电极和公共电极；

所述第一显示基板和第二显示基板之间形成有包含导电材料的第一隔垫物，所述第一隔垫物连接第二显示基板上的像素电极和通过第一过孔露出的漏电极；

公共电极线，形成在所述第一衬底基板或所述第二衬底基板上，与所述公共电极电连接。

为实现上述目的，本发明提供了一种液晶面板的制造方法，包括：

在第一衬底基板上沉积栅扫描线薄膜；

对所述栅扫描线薄膜进行构图工艺，形成包括栅扫描线、栅电极和公共电极线的图案；

在形成栅扫描线、栅电极和公共电极线的第一衬底基板上形成栅极绝缘层薄膜；

在所述栅极绝缘层薄膜沉积有源层薄膜和数据线薄膜；

对所述有源层薄膜和数据线薄膜进行构图工艺，形成包括数据线、有源层、源电极和漏电极的图案；

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

对所述钝化层薄膜和栅极绝缘层进行构图工艺，形成包括第一过孔和第二过孔的钝化层的图案，且形成包括所述第二过孔的栅极绝缘层的图案，所述第一过孔的位置对应各漏电极的位置，所述第二过孔的位置对应各公共电极线的位置；

在第二衬底基板上形成黑矩阵层和公共电极绝缘层；

在所述公共电极绝缘层上沉积像素电极薄膜；

对所述像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极和公共电极的图案，所述像素电极和所述公共电极的图案均呈具有多条缝隙的梳状，彼此相互凹凸配合；

在所述像素电极的图案上形成第一隔垫物，在所述公共电极的图案上形成第二隔垫物，所述第一隔垫物和第二隔垫物包含有导电材料；

将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒，所述第一隔垫物对应所述第一过孔与所述漏电极接触，从而电连接所述像素电极和所述漏电极，所述第二隔垫物对应所述第二过孔与所述公共电极线接触，从而电连接所述公共电极和所述公共电极线。

为实现上述目的，本发明还提供了另一种液晶面板的制造方法，包括：

在第一衬底基板上进行多次薄膜沉积和构图工艺，分别形成栅扫描线、TFT和数据线的图案，所述TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

对所述钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括第一过孔的钝化层的图案，所述第一过孔的位置对应各漏电极的位置；

在第二衬底基板上沉积公共电极线薄膜；

对所述公共电极线薄膜进行构图工艺，形成包括公共电极线的图案；

在形成所述公共电极线的第二衬底基板上沉积公共电极绝缘薄膜；

对所述公共电极绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第三过孔的公共电极绝缘层的图案，所述第三过孔的位置对应各公共电极线的位置；

在形成第三过孔之后的公共电极绝缘层上形成黑矩阵层；

在所述公共电极绝缘层和黑矩阵层上沉积像素电极薄膜；

对所述像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极和公共电极的图案，所述像素电极和所述公共电极的图案均呈具有多条缝隙的梳状，彼此相互凹凸配合，所述公共电极通过所述第三过孔与所述公共电极线电连接；

在所述像素电极的图案上形成第一隔垫物，所述第一隔垫物包含有导电材料；

将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒，所述第一隔垫物对应所述第一过孔与所述漏电极接触，从而电连接所述像素电极和所述漏电极。

为实现上述目的，本发明还提供了再一种液晶面板的制造方法，包括：

在第一衬底基板上进行多次薄膜沉积和构图工艺，分别形成栅扫描线、TFT和数据线的图案，所述TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

对所述钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括第一过孔的钝化层的图案，所述第一过孔的位置对应各漏电极的位置；

在第二衬底基板上沉积公共电极线薄膜；

对所述公共电极线薄膜进行构图工艺，形成包括公共电极线和公共电极的图案；

在形成所述公共电极线和公共电极的第二衬底基板上形成公共电极绝缘层；

在所述公共电极绝缘层上形成黑矩阵层；

在所述公共电极绝缘层和黑矩阵层上沉积像素电极薄膜；

对所述像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极的图案，所述像素电极的图案呈具有多条缝隙的梳状；

在所述像素电极的图案上形成第一隔垫物，所述第一隔垫物包含有导电材料；

将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒，所述第一隔垫物对应所述第一过孔与所述漏电极接触，从而电连接所述像素电极和所述漏电极。

由以上技术方案可知，本发明采用将形成水平电场的像素电极和公共电极与数据线分设在两个显示基板的技术手段，在通过减小黑矩阵线的宽度、拉近相邻像素电极的距离来增加液晶面板的开口率的情况下，能够增加像素电极和数据线之间的垂直距离，从而减小寄生电容。较大的开口率改善了画面的亮度，较小的寄生电容不会影响显示质量。

附图说明

图1为现有典型的IPS模式液晶面板中阵列基板的局部俯视结构示意图；

图2为沿图1中A-A线的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图；

图4为本发明实施例一提供的液晶面板中第二显示基板的局部俯视结构示意图；

图5为本发明实施例一提供的液晶面板的局部侧视剖面结构示意图；

图6为本发明实施例二提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图；

图7为本发明实施例二提供的液晶面板中第二显示基板的局部俯视结构示意图；

图8为本发明实施例二提供的液晶面板的局部侧视剖面结构示意图；

图9为本发明实施例三提供的液晶面板中第二显示基板的局部俯视结构示意图；

图10为本发明实施例三提供的液晶面板的局部侧视剖面结构示意图；

图11为本发明实施例四提供的液晶面板的制造方法的流程图；

图12为本发明实施例五提供的液晶面板的制造方法的流程图；

图13为本发明实施例六提供的液晶面板的制造方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

图3为本发明实施例一提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图，图4为本发明实施例一提供的液晶面板中第二显示基板的局部俯视结构示意图，图5为本发明实施例一提供的液晶面板的局部侧视剖面结构示意图，图5为沿图3中的B-B线和图4中的C-C线进行剖切获得。本实施例的液晶面板包括对盒设置的第一显示基板100和第二显示基板200，第一显示基板100和第二显示基板200之间填充有液晶300。

第一显示基板100具体包括第一衬底基板1，第一衬底基板1上形成有多条横纵交叉的栅扫描线2和数据线3。栅扫描线2和数据线3围设形成多个像素单元，图3中所示即为一个像素单元内的结构。数据线3可以为折线形，也可以为直线形，数据线3的形状是为了配合像素电极4的图案形状，折线形更有利于形成较佳的水平电场。每个像素单元中设置有TFT，TFT具体包括栅电极7、有源层8、源电极9和漏电极10。栅电极7和栅扫描线2同层形成，且彼此相连，其上覆盖有栅极绝缘层11。有源层8形成在源电极9和漏电极10的下方，源电极9、漏电极10和数据线3同层形成，其上覆盖有钝化层12，源电极9与数据线3相连。第一显示基板100上还形成有公共电极线5，公共电极线5与栅扫描线2同层形成在第一衬底基板1上，覆盖在栅极绝缘层11之下。覆盖公共电极线5的栅极绝缘层11和钝化层12上对应公共电极线5的位置形成有第二过孔21。

第二显示基板200具体包括第二衬底基板14，第二衬底基板14上形成有网状的黑矩阵层15。黑矩阵层15的图案围设形成与各像素单元对应的像素区域。第二衬底基板14的各像素区域中分别形成有像素电极4和公共电极6，像素电极4和公共电极6之间绝缘间隔设置，具体的，像素电极4和公共电极6同层形成，且均呈具有多条缝隙的梳状图案，彼此相互凹凸配合。像素电极4和公共电极6可以直接形成在第二衬底基板14和黑矩阵层15上，优选的是在黑矩阵层15上形成绝缘层，在绝缘层上形成像素电极4和公共电极6。

第一显示基板100和第二显示基板200之间形成有包含导电材料的第一隔垫物18，第一隔垫物18对应钝化层12中的第一过孔20电连接第二显示基板200上的像素电极4和通过第一过孔20露出的漏电极10。第一过孔20的位置具体是形成在漏电极10之上，漏电极10通过包含导电材料的第一隔垫物18与像素电极4相连。第一显示基板100和第二显示基板200之间还形成有第二隔垫物19，对应公共电极线5和公共电极6的位置设置，且第二隔垫物19中包含有导电材料；第二隔垫物19连接第二显示基板200上的公共电极6和通过第二过孔21露出的公共电极线5。

采用本实施例的技术方案，像素电极和公共电极形成在一个显示基板上，数据线形成在另一个显示基板上，所以当通过增加像素电极面积、减小黑矩阵的宽度来提高开口率时，由于像素电极与数据线的垂直距离增大，所以所形成的寄生电容较小，降低了对显示质量造成的影响。因此，本实施例的技术方案在提高液晶面板像素单元开口率的同时，无须通过增加钝化层厚度来减小寄生电容，保证了显示质量，且降低了生产工艺的难度要求。

在本实施例中，第一隔垫物和第二隔垫物均可以采用具有一定支撑强度的高分子材料制成，具体可以采用构图工艺制备，从而精确控制隔垫物的位置。第一隔垫物和第二隔垫物包含的导电材料可以为掺杂在隔垫物中的导电颗粒，或者采用导电树脂，再或者可以为在隔垫物的表面覆盖导电薄膜，例如，可以像素电极材料覆盖沉积在隔垫物的表面来作为导电材料。像素电极和/或公共电极的材料可以采用透明导电材料制造，也可以采用非透明的金属导电材料制造。钝化层是绝缘材料制成的，通常可以使用氮化硅材料制备，或者也可以按需采用其他绝缘材料制备。

通常的液晶面板都是能够呈现彩色图像的，因此，在显示基板上通常制备彩膜树脂层16。彩膜树脂层16可以制造在第二显示基板200上，也可以制造在第一显示基板100上。本实施例中，优选的是将彩膜树脂层16形成在钝化层12之上(图3中未示)。可以通过涂覆工艺形成的彩膜树脂材料的膜层厚度能够达到2微米以上也不会变形。采用该技术方案，可以进一步增加像素电极4和数据线3之间的垂直距离，从而减小寄生电容。为节省材料和工艺步骤，还可以直接在有源层8、源电极9、漏电极10、数据线3上形成彩膜树脂层16，以彩膜树脂层16作为钝化层12。

实施例二

图6为本发明实施例二提供的液晶面板中第一显示基板的局部俯视结构示意图，图7为本发明实施例二提供的液晶面板中第二显示基板的局部俯视结构示意图，图8为本发明实施例二提供的液晶面板的局部侧视剖面结构示意图，图8为沿图6中的D-D线和图7中的E-E线进行剖切获得。本实施例与实施例一的区别在于：公共电极线5形成在第二衬底基板14上，且公共电极线5上覆盖有公共电极绝缘层23，像素电极4和公共电极6形成在公共电极绝缘层23上；公共电极绝缘层23上形成有第三过孔22，对应公共电极线5的位置；公共电极线5通过第三过孔22与公共电极6电连接。

采用本实施例的技术方案，即可以增加像素电极与数据线之间的垂直距离，从而在通过拉近相邻像素电极之间距离来扩大开口率时，不会产生过大的寄生电容。既能够提高显示亮度，又不会增加寄生电容影响，保证了显示质量，同时，公共电极线和像素电极之间能够产生存储电容，缩短了公共电极线和像素电极之间的垂直距离，可以增加存储电容值，避免了现有技术中通过增加钝化层厚度来减少寄生电容的同时也减小了存储电容的现象。存储电容值的提高，可以使画面显示过程中的电压维持率增加，画面显示质量得到保证。本实施例的技术方案无须额外增加公共电极线的面积来提高存储电容值，因此也能够提高像素单元的开口率。

实施例三

图9为本发明实施例三提供的液晶面板中第二显示基板的局部俯视结构示意图，图10为本发明实施例三提供的液晶面板的局部侧视剖面结构示意图，图10为沿图9中的F-F线进行剖切获得，且图10中增加示出了第一显示基板100和液晶300。本实施例与上述实施例二的区别在于，实施例二为像素电极4和公共电极6同层形成的IPS模式LCD，本实施例为像素电极4和公共电极6异层形成，以绝缘材料彼此间隔，且像素电极4呈具有多条缝隙的梳状图案，而公共电极6为对应像素单元区域的整块图案的FFS模式LCD。

本实施例中，第一显示基板100的结构可参考上述实施例和图6所示。第二显示基板200中，公共电极线5和公共电极6共同形成在第二衬底基板14上，公共电极线5和公共电极6上覆盖公共电极绝缘层23，像素电极4的图案形成在公共电极绝缘层23上。

FFS模式的LCD并不限于本实施例的结构，可以类似采用实施例一的结构，将公共电极线制备在第一显示基板中，以第二隔垫物实现公共电极和公共电极线之间的电连接。

本发明实施例的技术方案并不限于应用在IPS和FFS模式的LCD中，其他为了减小像素电极和数据线之间的寄生电容而将像素电极与数据线分设在两个显示基板上，以包含导电材料的隔垫物实现像素电极与漏电极电连接的方案均适用。

本发明各实施例的技术方案可以通过减小黑矩阵线的宽度、拉近相邻像素电极的距离来增加液晶面板的开口率，且在此情况下，将像素电极和公共电极与数据线设置在不同的显示基板上，能够减小寄生电容，且保持较大的存储电容，显著改善了画面的亮度和显示质量。当通过提高开口率来提高显示亮度时，可以相应的减少液晶显示器中光棱镜等改善亮度的元件，进而可以降低产品的成本。

在本发明的技术方案中，黑矩阵层的作用是遮挡数据线和TFT等区域，其形成位置并不限于第二显示基板，也并不限制在第二显示基板上与像素电极和公共电极的层次位置，能够起到遮挡作用即可。

实施例四

图11为本发明实施例四提供的液晶面板的制造方法的流程图，该方法包括如下步骤：

步骤101、在第一衬底基板上进行多次薄膜沉积和构图工艺，分别形成栅扫描线、TFT和数据线的图案，所谓构图工艺可以为采用单色调掩膜板或双色调掩膜板进行曝光显影，而后进行刻蚀、剥离等操作的工艺，TFT具体包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；

步骤102、在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

步骤103、对钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括第一过孔的钝化层的图案，第一过孔的位置对应各漏电极的位置；

步骤104、在第二衬底基板上沉积公共电极线薄膜；

步骤105、对公共电极线薄膜进行构图工艺，形成包括公共电极线的图案；

步骤106、在形成公共电极线的第二衬底基板上沉积公共电极绝缘薄膜；

步骤107、对公共电极绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第三过孔的公共电极绝缘层的图案，第三过孔的位置对应各公共电极线的位置；

步骤108、在形成第三过孔之后的公共电极绝缘层上形成黑矩阵层；

步骤109、在公共电极绝缘层和黑矩阵层上沉积像素电极薄膜；

步骤110、对像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极和公共电极的图案，像素电极和公共电极的图案均呈具有多条缝隙的梳状，彼此相互凹凸配合，公共电极通过第三过孔与公共电极线电连接；

步骤111、在像素电极的图案上形成第一隔垫物，第一隔垫物包含有导电材料，导电材料可以是掺杂在第一隔垫物之中的，也可以是涂覆在第一隔垫物表面的，例如将像素电极的材料沉积在第一隔垫物的表面；

步骤112、将第一衬底基板和第二衬底基板对盒，第一隔垫物对应第一过孔与漏电极接触，从而电连接像素电极和漏电极。

在本实施例的基础上，优选的是在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层之后还形成彩膜树脂层；或采用彩膜树脂层的材料在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成彩膜树脂层作为钝化层。

实施例五

图12为本发明实施例五提供的液晶面板的制造方法的流程图，该方法包括如下步骤：

步骤201、在第一衬底基板上沉积栅扫描线薄膜；

步骤202、对栅扫描线薄膜进行构图工艺，形成包括栅扫描线、栅电极和公共电极线的图案；

步骤203、在形成栅扫描线、栅电极和公共电极线的第一衬底基板上形成栅极绝缘层薄膜；

步骤204、在栅极绝缘层薄膜上沉积有源层薄膜和数据线薄膜；

步骤205、对有源层薄膜和数据线薄膜进行构图工艺，形成包括数据线、有源层、源电极和漏电极的图案，本步骤具体可以采用多次构图工艺分别形成有源层与数据线、源电极和漏电极的图案，也可以采用双色调掩膜板以一次掩膜曝光、两次刻蚀的构图工艺形成有源层与数据线、源电极和漏电极的图案；

步骤206、在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

步骤207、对钝化层薄膜和栅极绝缘层薄膜进行构图工艺，形成包括第一过孔和第二过孔的钝化层的图案，且形成包括第二过孔的栅极绝缘层的图案，第一过孔的位置对应各漏电极的位置，第二过孔贯穿于钝化层和栅极绝缘层中，第二过孔的位置对应各公共电极线的位置；

步骤208、在第二衬底基板上形成黑矩阵层和公共电极绝缘层；

步骤209、在公共电极绝缘层上沉积像素电极薄膜；

步骤210、对像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极和公共电极的图案，像素电极和公共电极的图案均呈具有多条缝隙的梳状，彼此相互凹凸配合；

步骤211、在像素电极的图案上形成第一隔垫物，在公共电极的图案上形成第二隔垫物，第一隔垫物和第二隔垫物包含有导电材料，导电材料可以是掺杂在第一隔垫物和第二隔垫物之中的，也可以是涂覆在第一隔垫物和第二隔垫物表面的，例如将像素电极的材料沉积在第一隔垫物和第二隔垫物的表面；

步骤212、将第一衬底基板和第二衬底基板对盒，第一隔垫物对应第一过孔与漏电极接触，从而电连接像素电极和漏电极，第二隔垫物对应第二过孔与公共电极线接触，从而电连接公共电极和公共电极线。

在本实施例的基础上，优选的是在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层之后还形成彩膜树脂层；或采用彩膜树脂的材料在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成彩膜树脂层作为钝化层。

实施例六

图13为本发明实施例六提供的液晶面板的制造方法的流程图，该方法包括如下步骤：

步骤301、在第一衬底基板上进行多次薄膜沉积和构图工艺，分别形成栅扫描线、TFT和数据线的图案，TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；

步骤302、在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

步骤303、对钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括第一过孔的钝化层的图案，第一过孔的位置对应各漏电极的位置；

步骤304、在第二衬底基板上沉积公共电极线薄膜；

步骤305、对公共电极线薄膜进行构图工艺，形成包括公共电极线和公共电极的图案；

步骤306、在形成公共电极线和公共电极的第二衬底基板上形成公共电极绝缘层；

步骤307、在公共电极绝缘层上形成黑矩阵层；

步骤308、在公共电极绝缘层和黑矩阵层上沉积像素电极薄膜；

步骤309、对像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极的图案，像素电极的图案呈具有多条缝隙的梳状；

步骤310、在像素电极的图案上形成第一隔垫物，第一隔垫物包含有导电材料；

步骤311、将第一衬底基板和第二衬底基板对盒，第一隔垫物对应第一过孔与漏电极接触，从而电连接像素电极和漏电极。

本实施例可以用于制备如图9和图10所示的液晶面板。

在本实施例的基础上，优选的是在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层之后还形成彩膜树脂层；或采用彩膜树脂的材料在数据线、有源层、源电极和漏电极上形成彩膜树脂层作为钝化层。

上述实施例四、实施例五和实施例六是可以用于制备本发明实施例一、实施例二和实施例三液晶面板的优选的制造方法实施例，本发明液晶面板的制造方法并不限于上述三种，可以根据结构需要实施相应的制造工艺。采用本发明实施例提供的液晶面板的制造方法，可以简化的生产工序制备上述液晶面板，得到较高的开口率和良好的显示质量。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种液晶面板，包括对盒设置的第一显示基板和第二显示基板，所述第一显示基板和第二显示基板之间填充有液晶；所述第一显示基板包括第一衬底基板，所述第一衬底基板上形成有多条横纵交叉的栅扫描线和数据线，围设形成多个像素单元，每个像素单元中设置有TFT，所述TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极与栅扫描线相连，所述源电极与数据线相连，所述栅扫描线和栅电极上覆盖有栅极绝缘层，所述数据线、有源层、源电极和漏电极上覆盖有钝化层；所述第二显示基板包括第二衬底基板，所述第二衬底基板上形成有网状的黑矩阵层，围设形成与各像素单元对应的像素区域，其特征在于：

所述第二衬底基板的各像素区域中分别形成有像素电极和公共电极；

所述第一显示基板和第二显示基板之间形成有包含导电材料的第一隔垫物，所述第一隔垫物连接第二显示基板上的像素电极和通过第一过孔露出的漏电极；

公共电极线，形成在所述第一衬底基板或所述第二衬底基板上，与所述公共电极电连接。

2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于：所述钝化层上还形成有彩膜树脂层；或所述钝化层由彩膜树脂的材料制成。

3.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于：所述像素电极和所述公共电极同层形成，且均呈具有多条缝隙的梳状图案，彼此相互凹凸配合；或所述像素电极和所述公共电极异层形成，以绝缘材料彼此间隔，且所述像素电极呈具有多条缝隙的梳状图案。

4.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于：

所述公共电极线形成在所述第一衬底基板上，且与所述栅扫描线同层形成；覆盖所述公共电极线的栅极绝缘层和钝化层上对应公共电极线的位置形成有第二过孔；所述第一显示基板和第二显示基板之间形成有第二隔垫物，对应所述公共电极线和所述公共电极的位置设置，且所述第二隔垫物中包含有导电材料；所述第二隔垫物连接第二显示基板上的公共电极和通过第二过孔露出的公共电极线。

5.根据权利要求4所述的液晶面板，其特征在于：

包含导电材料的第一隔垫物和/或包含导电材料的第二隔垫物为掺杂有导电材料的隔垫物，或为表面覆盖有像素电极材料的隔垫物，所述像素电极材料作为所述导电材料。

6.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于：

所述公共电极线形成在所述第二衬底基板上，且所述公共电极线上覆盖有公共电极绝缘层，所述像素电极和公共电极形成在所述公共电极绝缘层上；所述公共电极绝缘层上形成有第三过孔，对应所述公共电极线的位置；所述公共电极线通过所述第三过孔与所述公共电极电连接。

7.一种液晶面板的制造方法，其特征在于，包括：

在第一衬底基板上沉积栅扫描线薄膜；

对所述栅扫描线薄膜进行构图工艺，形成包括栅扫描线、栅电极和公共电极线的图案；

在形成栅扫描线、栅电极和公共电极线的第一衬底基板上形成栅极绝缘层薄膜；

在所述栅极绝缘层薄膜上沉积有源层薄膜和数据线薄膜；

对所述有源层薄膜和数据线薄膜进行构图工艺，形成包括数据线、有源层、源电极和漏电极的图案；

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

对所述钝化层薄膜和栅极绝缘层薄膜进行构图工艺，形成包括第一过孔和第二过孔的钝化层的图案，且形成包括所述第二过孔的栅极绝缘层的图案，所述第一过孔的位置对应各漏电极的位置，所述第二过孔的位置对应各公共电极线的位置；

在第二衬底基板上形成黑矩阵层和公共电极绝缘层；

在所述公共电极绝缘层上沉积像素电极薄膜；

对所述像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极和公共电极的图案，所述像素电极和所述公共电极的图案均呈具有多条缝隙的梳状，彼此相互凹凸配合；

在所述像素电极的图案上形成第一隔垫物，在所述公共电极的图案上形成第二隔垫物，所述第一隔垫物和第二隔垫物包含有导电材料；

将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒，所述第一隔垫物对应所述第一过孔与所述漏电极接触，从而电连接所述像素电极和所述漏电极，所述第二隔垫物对应所述第二过孔与所述公共电极线接触，从而电连接所述公共电极和所述公共电极线。

8.根据权利要求7所述的液晶面板的制造方法，其特征在于：

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层之后还形成彩膜树脂层；或采用彩膜树脂的材料在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成彩膜树脂层作为所述钝化层。

9.一种液晶面板的制造方法，其特征在于，包括：

在第一衬底基板上进行多次薄膜沉积和构图工艺，分别形成栅扫描线、TFT和数据线的图案，所述TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

对所述钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括第一过孔的钝化层的图案，所述第一过孔的位置对应各漏电极的位置；

在第二衬底基板上沉积公共电极线薄膜；

对所述公共电极线薄膜进行构图工艺，形成包括公共电极线的图案；

在形成所述公共电极线的第二衬底基板上沉积公共电极绝缘薄膜；

对所述公共电极绝缘薄膜进行构图工艺，形成包括第三过孔的公共电极绝缘层的图案，所述第三过孔的位置对应各公共电极线的位置；

在形成第三过孔之后的公共电极绝缘层上形成黑矩阵层；

在所述公共电极绝缘层和黑矩阵层上沉积像素电极薄膜；

对所述像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极和公共电极的图案，所述像素电极和所述公共电极的图案均呈具有多条缝隙的梳状，彼此相互凹凸配合，所述公共电极通过所述第三过孔与所述公共电极线电连接；

在所述像素电极的图案上形成第一隔垫物，所述第一隔垫物包含有导电材料；

将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒，所述第一隔垫物对应所述第一过孔与所述漏电极接触，从而电连接所述像素电极和所述漏电极。

10.根据权利要求9所述的液晶面板的制造方法，其特征在于：

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层之后还形成彩膜树脂层；或采用彩膜树脂的材料在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成彩膜树脂层作为所述钝化层。

11.一种液晶面板的制造方法，其特征在于，包括：

在第一衬底基板上进行多次薄膜沉积和构图工艺，分别形成栅扫描线、TFT和数据线的图案，所述TFT包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层薄膜；

对所述钝化层薄膜进行构图工艺，形成包括第一过孔的钝化层的图案，所述第一过孔的位置对应各漏电极的位置；

在第二衬底基板上沉积公共电极线薄膜；

对所述公共电极线薄膜进行构图工艺，形成包括公共电极线和公共电极的图案；

在形成所述公共电极线和公共电极的第二衬底基板上形成公共电极绝缘层；

在所述公共电极绝缘层上形成黑矩阵层；

在所述公共电极绝缘层和黑矩阵层上沉积像素电极薄膜；

对所述像素电极薄膜进行构图工艺，形成包括像素电极的图案，所述像素电极的图案呈具有多条缝隙的梳状；

在所述像素电极的图案上形成第一隔垫物，所述第一隔垫物包含有导电材料；

将所述第一衬底基板和所述第二衬底基板对盒，所述第一隔垫物对应所述第一过孔与所述漏电极接触，从而电连接所述像素电极和所述漏电极。

12.根据权利要求11所述的液晶面板的制造方法，其特征在于：

在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成钝化层之后还形成彩膜树脂层；或采用彩膜树脂的材料在所述数据线、有源层、源电极和漏电极上形成彩膜树脂层作为所述钝化层。

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