JP2020513111A - アレイ基板、液晶表示パネル及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

複数のサブ画素領域を有するアレイ基板（１）であって、前記アレイ基板（１）は、前記複数のサブ画素領域の各々において、液晶分子を駆動するためのフリンジフィールドを形成するように配置される第１電極層（１１）、第２電極層（１２）、及び第１電極層（１１）と第２電極層（１２）との間に位置する絶縁層（１３）を備え、第２電極層（１２）は、複数のブランチ（１２Ｂ）を含み、前記複数のブランチ（１２Ｂ）は、複数の歯部にグループ化され；前記複数の歯部のうち隣接する歯部は、第１スリット（Ｓ）によって離間されており、前記第１スリット（Ｓ）は、実質的に前記複数のサブ画素領域のうちの一つの第２電極層（１２）の一つの次元にわたって延在し、且つ、隣接する歯部は、第１端部（Ｅ１）で互いに分離されると共に第２端部（Ｅ２）で互いに接続される。【選択図】図５

Description

本開示は、表示技術分野に関し、特にアレイ基板、液晶表示パネル及び液晶表示装置に関するものである。

フリンジフィールド駆動液晶表示パネルにおいて、液晶層はフリンジ電界により駆動される。フリンジフィールド駆動液晶表示パネルの例には、高級超次元スイッチング（Advanced super Dimension Switching：ＡＤＳ）液晶表示パネルが含まれる。例えば、ＡＤＳ方式の液晶表示パネルでは、同一平面内の複数のスリット電極のエッジで発生する電界、及びスリット電極層とプレート電極層とで発生する電界によって多次元電界が形成される。上述した電界によって、スリット電極の間及びスリット電極の上に位置する液晶分子を回転させる。ＡＤＳ方式の液晶表示パネルでは、液晶表示パネルの操作効率及び光透過率が大幅に向上される。

本発明の一つの態様では、複数のサブ画素領域を有するアレイ基板を提供する。前記アレイ基板は、前記複数のサブ画素領域の各々において、液晶分子を駆動するためのフリンジフィールドを形成するように配置される第１電極層、第２電極層、及び前記第１電極層と前記第２電極層との間に位置する絶縁層を備え、前記第２電極層は、複数のブランチを含み、前記複数のブランチは、複数の歯部にグループ化され、前記複数の歯部のうち隣接する歯部は、第１スリットによって離間されており、前記第１スリットは、実質的に前記複数のサブ画素領域のうちの一つのサブ画素領域における前記第２電極層の一つの次元にわたって延在し、且つ、隣接する歯部は、第１端部で互いに分離されると共に、第２端部で互いに接続される。

選択的には、前記複数の歯部の各々は、前記複数のブランチのうちの一つのみを備える。

選択的には、前記第２電極層は、第２端部で前記複数の歯部のうち隣接する歯部を接続するバーをさらに備える櫛歯状電極層である。

選択的には、前記バーは、前記第２電極層の周辺領域に位置する。

選択的には、前記アレイ基板は、共通電極信号線をさらに備え、前記共通電極信号線の前記アレイ基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板における投影と少なくとも部分的に重なる。

選択的には、前記共通電極信号線の前記アレイ基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板における投影と実質的に重なる。

選択的には、前記共通電極信号線の前記アレイ基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板における投影を完全に覆う。

選択的には、前記アレイ基板は、共通電極信号線をさらに備え、前記共通電極信号線の前記アレイ基板における投影は、前記第１端部で前記複数の歯部の前記アレイ基板における投影と少なくとも部分的に重なる。

選択的には、前記複数の歯部の各々は、前記複数のブランチのうちの第１ブランチと第２ブランチとを備え、さらに、第１ブランチと第２ブランチとは、第２スリットによって離間されており、前記第２スリットは、実質的に前記第２電極層の前記一つの次元にわたって延在する。

選択的には、第２スリットは第１スリットと実質的に平行であり、第１ブランチと第２ブランチは、第３端部で互いに接続されると共に、第４端部で互いに分離され；第３端部は、第１端部に接近すると共に、第２端部から離れており、第４端部は、第２端部に接近すると共に、第１端部から離れる。

選択的には、第２電極層はジグザグ形状（zig-zag shaped）の電極層である。

選択的には、第１電極層は、実質的に前記複数のサブ画素領域のうちの一つにわたって延在するプレート電極層である。

選択的には、前記複数のブランチの各々は、実質的に第２電極層の前記一つの次元にわたって延在する。

選択的には、隣接する歯部を接続する如何なる構造も、第２電極層の周辺領域に位置付けられる。

選択的には、前記第１端部及び前記第２端部は、第２電極層の周辺領域に位置する。

選択的には、第２電極層は、第１ドメインと第２ドメインとを備え、第１ドメインにおけるブランチ及びスリットは、実質的に第１方向に沿って延在し、そして第２ドメインにおけるブランチ及びスリットは、実質的に第２方向に沿って延在する。

選択的には、前記複数のブランチは、実質的にサブ画素領域の長手方向に沿って延在する。

選択的には、前記複数のブランチは、実質的にサブ画素領域の横方向に沿って延在する。

選択的には、第１電極層は共通電極層であり、第２電極層は画素電極層である。

選択的には、第２電極層は共通電極層であり、第１電極層は画素電極層である。

別の態様では、本発明は、本明細書に記載のアレイ基板を備える液晶表示パネルを提供する。

選択的には、液晶表示パネルは、液晶層中の液晶分子がフリンジ電界によって駆動されるフリンジフィールド駆動液晶表示パネルである。

選択的には、液晶表示パネルは、高級超次元スイッチング型液晶表示パネルである。

もう一つの態様では、本発明は、本明細書に記載の液晶表示パネルを備える液晶表示装置を提供する。

以下の図面は、開示された様々な実施形態を示すための例示のみであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。

従来の液晶表示パネルの構造を示す概略図である。 図１における液晶表示パネルの線Ａ−Ａ’線に沿う断面図である。 本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。 図３における液晶表示パネルの線Ｂ−Ｂ’線に沿う断面図である。 本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。 本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。 図６における液晶表示パネルの線Ｃ−Ｃ’線に沿う断面図である。 図６における液晶表示パネルの線Ｄ−Ｄ’線に沿う断面図である。 従来の液晶表示パネルの構造を示す概略図である。 本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。 本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。 本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。

以下の実施例を参照して、本開示をさらに詳細に説明する。なお、本明細書において、幾つかの実施例に係る以下の説明は、例示及び説明のみを目的として提示されるものである。網羅的であること、又は開示された精確な形態に限定されることを意図するものではない。

図１は従来の液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図２は、図１における液晶表示パネルのＡ−Ａ’線に沿う断面図である。図１及び図２に示すように、従来の液晶表示パネルは、アレイ基板１と、アレイ基板１に対向する対向基板２と、アレイ基板１と対向基板２との間に位置する液晶層３とを備える。液晶表示パネルは、第１電極層１１、第２電極層１２、及び第１電極層１１と第２電極層１２との間に位置する絶縁層１３を含む。第２電極層は、例えば、画素電極層とすることができる。図１に示すように、画素電極層は、複数のスリットＳによって離間された複数のブランチ１２Ｂを含む。複数のブランチ１２Ｂは、第２電極層１２の底部に位置する第１バー１２−１と第２電極層１２の頂部に位置する第２バー１２−２とによって互いに接続される。複数のスリットＳの各々は、第１端部と第２端部とを有しており、この両端部は、いずれも閉合端である。例えば、第１バー１２−１及び第２バー１２−２は、当該スリットの第１端部及び第２端部において前記複数のスリットＳの各々を閉合させる。第１電極層１１は、サブ画素領域のエッジまで延在する。図１に示すように、第１電極層１１のベース基板１０における投影は、サブ画素領域のエッジに沿って第１電極層１１の幅にわたって第２電極層１２の第１バー１２−１のベース基板１０における投影と重なる。第１電極層１１と第２電極層１２との間（例えば、第１バー１２−１と第２バー１２−２に対応する領域内）の重なり領域が大きいので、第１電極層１１と第２電極層１２との間には一つの大きな蓄積容量が形成される。その蓄積容量は、以下の式によって決定され得る。

ここで、εは誘電率、Ｓは第１電極層１１と第２電極層１２との重なり面積、ｄは第１電極層１１と第２電極層１２との間の距離である。

通常、第１電極層１１及び第２電極層１２は、インジウム錫酸化物、又は他の類似の金属酸化物又は透明導電材料から作製される。光は、サブ画素領域のエッジに沿って、２つの電極層を通過するようになる、例えば、まず第１電極層１１を通過し、そして第１バー１２−１又は第２バー１２−２を通過する。従って、第１バー１２−１及び第２バー１２−２に対応する領域の光透過率は、例えば２０％減少され、サブ画素領域のエッジに沿って暗領域が形成される。

よって、本開示は特に、関連技術の制限及び欠点による不具合の一つ又は複数を実質的に回避できるアレイ基板、液晶表示パネル及び液晶表示装置を提供する。一つの態様では、本開示は液晶表示パネルを提供する。幾つかの実施例において、液晶表示パネルは、アレイ基板と、アレイ基板に対向する対向基板と、複数のサブ画素とを有する液晶表示パネルである。液晶表示パネルは、各サブ画素において、アレイ基板と対向基板との間に位置する液晶層と、液晶層内に液晶分子を駆動するためのフリンジフィールドを形成するように配置される第１電極層、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に位置する絶縁層とを備え；前記第２電極層は、複数のブランチを含み；前記複数のブランチは、複数の歯部にグループ化されることができ；前記複数の歯部のうち隣接する歯部は、一つの第１スリットによって離間されており、第１スリットは、第１端部Ｅ１で開放されると共に、第２端部Ｅ２で閉合され、且つ実質的に第２電極層の一つの次元にわたって延在しており、第１端部Ｅ１は第２端部Ｅ２に互いに対向し、隣接する歯部は、第１端部Ｅ１で互いに分離されると共に、第２端部Ｅ２で互いに接続される。選択的には、第１電極層は共通電極層であり、第２電極層は画素電極層である。選択的には、第２電極層は共通電極層であり、且つ第１電極層は画素電極層である。本開示の記述においては、前記複数の歯部の各々は、一つ又は複数の隣接するブランチを備えることができる。選択的には、前記複数の歯部の各々は、一つのブランチのみを備える。選択的には、前記複数の歯部の各々は、２つの隣接するブランチを備える。選択的には、前記複数の歯部の各々は、２つ以上の隣接するブランチを備える。

図３は、本開示の幾つかの実施形態に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図４は、図３における液晶表示パネルの線Ｂ−Ｂ’線に沿う断面図である。図３及び図４に示すように、幾つかの実施例に係る液晶表示パネルは、アレイ基板１と、アレイ基板１に対向する対向基板２と、アレイ基板１と対向基板２との間に位置する液晶層３とを備える。液晶表示パネルは、複数のサブ画素を有する。サブ画素の各々において、液晶表示パネルは、第１電極層１１、第２電極層１２、及び第１電極層１１と第２電極層１２との間に位置する絶縁層１３を含む。第１電極層１１及び第２電極層１２は、液晶層３内の液晶分子を駆動するためのフリンジフィールドを形成するように配置される。液晶表示パネルは、さらに互いに交差する複数のゲート線ＧＬと複数のデータ線ＤＬとを備え、これによって、複数のサブ画素を限定する。サブ画素の各々は、さらにサブ画素内の画像表示を駆動するためのゲートＧを有するスイッチング薄膜トランジスタを含む。第２電極層１２は画素電極層である場合（図３に示すように）、第２電極層１２がこのスイッチング薄膜トランジスタのドレインに接続され、且つ複数のデータ線ＤＬのうちの一つは、このスイッチング薄膜トランジスタのソースに接続される。選択的には、第２電極層１２は共通電極層であり、第１電極層１１は画素電極層であり、且つ第１電極層１１は、このスイッチング薄膜トランジスタのドレインに接続される。

図３に示すように、第１電極層１１（例えば共通電極層）は、実質的にサブ画素にわたって延在し、例えばサブ画素の第１エッジまで延在する（例えば、図３の線Ｂ−Ｂ’に接近する）プレート電極層である。第２電極層１２は複数のブランチ１２Ｂを含み、前記複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的にサブ画素の長手方向に沿って延在する。選択的には、複数のブランチ１２Ｂは、複数のデータ線ＤＬと実質的に平行な方向に沿って延在する。選択的には、複数のブランチ１２Ｂは、複数のゲート線ＧＬと実質的に平行な方向に沿って延在する。複数のブランチ１２Ｂは、複数のスリット（例えば、図３の第１スリットＳ１）によって離間される。

幾つかの実施例において、複数のブランチ１２Ｂは、複数の歯部Ｔにグループ化されることができる。図３に示す実施例において、複数のブランチ１２Ｂの各々は、複数の歯部Ｔのうちの一つに対応し、例えば複数の歯部Ｔの各々は、複数のブランチ１２Ｂのうちの一つのみを含む。複数の歯部Ｔのうち隣接する歯部は、第１スリットＳ１によって離間される。従って、図３に示す実施例において、複数のブランチ１２Ｂのうち隣接するブランチは、第１スリットＳ１によって離間される。

第１スリットＳ１は、第１端部Ｅ１（例えば、サブ画素の第１エッジに沿う第１信号線に接近する一端）で開放されると共に、第２端部Ｅ２（例えば、サブ画素の第１エッジに対向する第２エッジに沿う第２信号線に接近する一端）で閉合される。第１端部Ｅ１は第２端部Ｅ２に対向する。第１スリットＳ１は、隣接する歯部（又は図３に示す実施例の隣接するブランチ１２Ｂ）と実質的に平行な方向に沿って延在し、第１スリットＳ１の第１端部Ｅ１は、複数のブランチ１２Ｂのうちの一つのブランチの第１端部に接近すると共に、複数のブランチ１２Ｂのうちの該一つのブランチの第２端部（複数のブランチ１２Ｂのうちの該一つのブランチの第１端部に対向する）から離れており、さらに、第１スリットＳ１の第２端部Ｅ２は、複数のブランチ１２Ｂのうちの一つのブランチの第２端部に接近すると共に、複数のブランチ１２Ｂのうちの該一つのブランチの第１端部から離れる。第１スリットＳ１は、実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在し、例えば、第２電極層１２の長手方向の次元にわたって延在する。隣接する歯部は、第１端部Ｅ１で互いに分離されると共に、第２端部Ｅ２で互いに接続される。図３に示す実施例において、複数のブランチ１２Ｂのうち隣接するブランチは、第１端部Ｅ１で互いに分離されると共に、第２端部Ｅ２で互いに接続される。

図３に示す実施例において、第２電極層１２は、複数の歯部Ｔと、第２端部Ｅ２において複数の歯部Ｔのうち隣接する歯部を接続するバー（例えば、図３に示す第１バー１２−１）とを有する櫛歯状電極層である。従来の液晶表示パネルと比べて、図３に示す液晶表示パネルは、サブ画素の一つのエッジのみに沿った一つのバーを有する、例えば、サブ画素の対向するエッジに沿った第２バーを備えない。図２と図４に示す断面図から明らかなように、本設計は、第１電極層１１と第２電極層１２との間の重なり面積を大幅に減少した。その結果、第１電極層１１と第２電極層１２との間の蓄積容量が大幅に減少された。図４に示すように、本液晶表示パネルはサブ画素のエッジに沿った複数のスリットを有し、これらの領域において、光は２つの電極層を通過する必要がない。従って、サブ画素のエッジに沿った光透過率は著しく改善され、サブ画素のエッジ沿いの暗領域発生は回避される。

図３に示すように、複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的に第２電極層１２の一つの次元（例えば、長手方向の次元）にわたって延在する。隣接する歯部又は隣接するブランチを接続するための任意の構造は、第２電極層１２の周辺領域に配置される。第１スリットＳ１の第１端部Ｅ１及び第２端部Ｅ２は、第２電極層１２の周辺領域に位置される。複数の歯部のうち隣接する歯部を接続するバーも、第２電極層１２の周辺領域に位置する。

図５は、本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図３に示す実施例において、隣接する歯部又は隣接するブランチを接続するバーは、サブ画素の発光を制御するためのゲート走査信号をサブ画素に提供するように配置されたゲート線に接近する第１バー１２−１である。図５に示す実施例において、隣接する歯部又は隣接するブランチを接続するバーは、サブ画素の第１エッジに沿った第２バー１２−２であり、前記第１エッジはサブ画素の第２エッジに対向しており、サブ画素の発光を制御するゲート線は、第２エッジに位置する。図３に示す実施例と同様に、従来の液晶表示パネルに比べて、第１電極層１１と第２電極層１２との間の重なり面積及び蓄積容量は、著しく減少する。サブ画素のエッジに沿った光透過率が向上され、画像表示における暗いエッジが除去されるようになる。

幾つかの実施例において、液晶表示パネルは、さらに複数の共通電極信号線を備える。図３及び図５に示すように、各サブ画素は共通電極信号線ＣＬと関連付けられる。選択的には、共通電極信号線ＣＬは、サブ画素の発光を制御するゲート線が位置するサブ画素の第２エッジに対向するサブ画素の第１エッジに接近する位置にある。図３に示すように、幾つかの実施例において、共通電極信号線ＣＬのアレイ基板における投影は、第１端部Ｅ１において複数の歯部Ｔのアレイ基板における投影と少なくとも部分的に重なる。

図５に示すように、幾つかの実施例において、共通電極信号線ＣＬのアレイ基板における投影は、第２バー１２−２のアレイ基板における投影と少なくとも部分的に重なる。選択的には、共通電極信号線ＣＬのアレイ基板における投影は、第２バー１２−２のアレイ基板における投影と実質的に重なる。選択的には、共通電極信号線ＣＬのアレイ基板における投影は、第２バー１２−２のアレイ基板における投影を完全に覆う。サブ画素領域内の共通電極信号線ＣＬに対応する領域は、暗領域である。バーを少なくとも部分的に共通電極信号線ＣＬに対応する領域に位置させるように配置することによって、表示パネルの開口率及び光透過率は、バーから最小限の影響を受けるか、又はバーからの影響を受けさせない。

幾つかの実施例において、図３及び図５に示すように、共通電極信号線ＣＬは、複数のゲート線ＧＬと同じ層に位置する。選択的には、共通電極信号線ＣＬと複数のゲート線ＧＬとは、同じ材料からなり、且つ同じマスクプレートによってパターニングされる。幾つかの実施例において、共通電極信号線ＣＬは、複数のゲート線ＧＬと異なる層に位置する。

図６は、本開示の幾つかの実施形態に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図７は、図６における液晶表示パネルの線Ｃ−Ｃ’線に沿う断面図である。図８は、図６における液晶表示パネルの線Ｄ−Ｄ’線に沿う断面図である。図６〜図８に示すように、サブ画素の各々において、幾つかの実施例に係る液晶表示パネルは、第１電極層１１、第２電極層１２、及び第１電極層１１と第２電極層１２との間に位置する絶縁層１３を含む。第１電極層１１及び第２電極層１２は、液晶層３内の液晶分子を駆動するためのフリンジフィールドを形成するように配置される。選択的には、第２電極層１２は共通電極層であり、第１電極層１１は画素電極層であり、且つ第１電極層１１はスイッチング薄膜トランジスタのドレインに接続される。

図６に示すように、第１電極層１１（例えば、共通電極層）は、実質的にサブ画素領域にわたって延在し、例えばサブ画素の第１エッジまで延在する（例えば、図６の線Ｃ−Ｃ’線に接近する）プレート電極層である。第２電極層１２は複数のブランチ１２Ｂ（例えば、図６の第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２）を含み、前記複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的にサブ画素の長手方向に沿って延在する。複数のブランチ１２Ｂは、複数のスリット（例えば、図６の第１スリットＳ１と第２スリットＳ２）によって離間される。

幾つかの実施例において、複数のブランチ１２Ｂは、複数の歯部Ｔにグループ化されることができる。図６に示す実施例において、複数の歯部Ｔの各々は、複数のブランチ１２Ｂのうちの第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２とを含む。第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２は、図６の線Ｃ−Ｃ’に接近するサブ画素の第１エッジに沿って互いに接続される。複数の歯部Ｔのうち隣接する歯部は、第１スリットＳ１によって離間される。複数の歯部Ｔの各々における第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２は、第２スリットＳ２によって離間される。

第１スリットＳ１は、第１端部Ｅ１（例えば、サブ画素の第１エッジに沿った第１信号線に接近する一端）で開放されると共に、第２端部Ｅ２（例えば、サブ画素の第１エッジに対向する第２エッジに沿った第２信号線に接近する一端）で閉合される。第１端部Ｅ１は第２端部Ｅ２に対向する。第１スリットＳ１は、隣接する歯部（又は図６に示す実施例の隣接するブランチ１２Ｂ）と実質的に平行な方向に沿って延在し、第１スリットＳ１の第１端部Ｅ１は、複数の歯部Ｔのうちの一つの歯部の第１端部に接近すると共に、複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第２端部（複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第１端部に対向する）から離れており、且つ、第１スリットＳ１の第２端部Ｅ２は、複数の歯部Ｔのうちの一つの歯部の第２端部に接近すると共に、複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第１端部から離れる。第１スリットＳ１は、実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在する、例えば、第２電極層１２の長手方向の次元にわたって延在する。隣接する歯部は、第１端部Ｅ１で互いに分離されると共に、第２端部Ｅ２で互いに接続される。

第２スリットＳ２は、第３端部Ｅ３（例えば、サブ画素の第１エッジに沿った第１信号線に接近する一端）で閉合され、且つ第４端部Ｅ４（例えば、サブ画素の第１エッジに対向する第２エッジに沿った第２信号線に接近する）で開放される。第３端部Ｅ３は第４端部Ｅ４に対向する。第２スリットＳ２は、複数の歯部Ｔのうちの各々における第１ブランチ１２Ｂ１及び第２ブランチ１２Ｂ２と実質的に平行な方向に沿って延在し、第２スリットＳ２の第３端部Ｅ３は、複数の歯部Ｔのうちの一つの歯部の第１端部に接近すると共に、複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第２端部（複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第１端部に対向する）から離れ、且つ、第２スリットＳ２の第４端部Ｅ４は、複数の歯部Ｔのうちの一つの歯部の第２端部に接近すると共に、複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第１端部から離れる。第２スリットＳ２は、実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在し、例えば、第２電極層１２の長手方向の次元にわたって延在する。

幾つかの実施例において、第２スリットＳ２は第１スリットＳ１と実質的に平行である。選択的には、第３端部Ｅ３は、第１端部Ｅ１に接近すると共に、第２端部Ｅ２から離れており、第４端部Ｅ４は、第２端部Ｅ２に接近すると共に、第１端部Ｅ１から離れる。選択的には、第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２とは、第４端部Ｅ４で互いに分離されると共に、第３端部Ｅ３で互いに接続される。

幾つかの実施例において、第２電極層１２は、ジグザグ形状の電極層である。図６に示すように、液晶表示パネルは、サブ画素の第１エッジと第２エッジの両方に沿って複数の歯部Ｔを含む。図７及び図８に示すように、本液晶表示パネルはサブ画素の２つのエッジに沿った複数のスリットを有する。従来の液晶表示パネルに比べて、図６〜図８の実施例に示す液晶表示パネルは、第１電極層１１と第２電極層１２との間の重なり面積が大幅に減少される。第１電極層１１と第２電極層１２との間の蓄積容量が大幅に減少される。サブ画素の二つのエッジに沿った複数のスリット領域において、光は２つの電極層を通過する必要がない。従って、サブ画素のエッジに沿って光透過率は著しく改善され、サブ画素のエッジ沿いの暗領域発生は回避される。

図３〜図７に示す実施例において、複数のブランチは、実質的にサブ画素の長手方向に沿って延在する。選択的には、複数のブランチは、実質的にサブ画素の横方向に沿って延在する。

選択的には、第１電極層１１及び第２電極層１２は、両方ともにアレイ基板１内に位置する。

図６に示すように、複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的に第２電極層１２の一つの次元（例えば、長手方向の次元）にわたって延在する。隣接する歯部又は隣接するブランチを接続する如何なる構造も、第２電極層１２の周辺領域に配置される。第１スリットＳ１の第１端部Ｅ１、第２端部Ｅ２及び第２スリットＳ２の第３端部Ｅ３、第４端部Ｅ４は、第２電極層１２の周辺領域に位置する。

幾つかの実施例において、第２電極層１２は、モノドメイン電極層である。幾つかの実施例において、第２電極層１２は、マルチドメイン電極層である。選択的には、第２電極層１２は、第１ドメインと第２ドメインとを有し、第１ドメインにおけるブランチ及びスリットは、実質的に第１方向に沿って延在し、第２ドメインにおけるブランチ及びスリットは、実質的に第２方向に沿って延在する。

図９は、従来の液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図９に示すように、従来の液晶表示パネルは、サブ画素の各々において、第１電極層１１と第２電極層１２とを有する。幾つかの実施例における第２電極層１２は、第１ドメイン（トップドメイン）と第２ドメイン（ボトムドメイン）とを有する。第２電極層１２は、複数のスリットＳによって離間された複数のブランチ１２Ｂを含む。第１ドメインにおける複数のブランチ１２Ｂは、実質的に第１方向に沿って延在する。第２ドメインにおける複数のブランチ１２Ｂは、実質的に第２方向に沿って延在する。複数のブランチ１２Ｂは、第２電極層１２の左側に位置する第１バー１２−１と第２電極層１２の右側に位置する第２バー１２−２とによって互いに接続される。複数のスリットＳの各々は、第１端部と第２端部とを有しており、その両方は、いずれも閉合端である。例えば、第１バー１２−１及び第２バー１２−２は、前記複数のスリットＳの各々を該スリットの第１端部及び第２端部で閉合させる。第１電極層１１は、サブ画素のエッジまで延在する。第１電極層１１のベース基板１０における投影は、サブ画素のエッジに沿って第１電極層１１の長さにわたって第２電極層１２の第１バー１２−１のベース基板１０における投影と重なる。第１電極層１１と第２電極層１２との間の重なり面積が大きいため、第１電極層１１と第２電極層１２との間に大きな蓄積容量が形成され、且つ第１バー１２−１及び第２バー１２−２に対応する領域の光透過率は減少される。

図１０は、本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図１０に示すように、第１電極層１１（例えば、共通電極層）は、実質的にサブ画素領域にわたって延在し、例えばサブ画素の第１エッジまで延在する（例えば、サブ画素の左縦エッジ）プレート電極層である。第２電極層１２は複数のブランチ１２Ｂを含み、前記複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的にサブ画素の横方向に沿って延在する。複数のブランチ１２Ｂは、複数のスリット（例えば、図１０の第１スリットＳ１）によって離間される。複数のブランチ１２Ｂは、複数の歯部Ｔにグループ化されることができる。図１０に示す実施例において、複数のブランチ１２Ｂの各々は、複数の歯部Ｔのうちの一つに対応し、例えば複数の歯部Ｔの各々は、複数のブランチ１２Ｂのうちの一つのみを含む。複数の歯部Ｔのうち隣接する歯部は、第１スリットＳ１によって離間される。従って、図１０に示す実施例において、複数のブランチ１２Ｂのうち隣接するブランチは、第１スリットＳ１によって離間される。

第１スリットＳ１は、第１端部Ｅ１（例えば、サブ画素の第１エッジに沿った第１信号線に接近する一端）で開放されると共に、第２端部Ｅ２（例えば、サブ画素の第１エッジに対向する第２エッジに沿った第２信号線に接近する一端）で閉合される。第１端部Ｅ１は第２端部Ｅ２に対向する。第１スリットＳ１は、隣接する歯部（又は図１０に示す実施例の隣接するブランチ）と実質的に平行な方向に沿って延在し、第１スリットＳ１の第１端部Ｅ１は、複数のブランチ１２Ｂのうちの一つのブランチの第１端部に接近すると共に、複数のブランチ１２Ｂのうちの該一つのブランチの第２端部（複数のブランチ１２Ｂのうちの該一つのブランチの第１端部に対向する）から離れており、且つ、第１スリットＳ１の第２端部Ｅ２は、複数のブランチ１２Ｂのうちの一つのブランチの第２端部に接近すると共に、複数のブランチ１２Ｂのうちの該一つのブランチの第１端部から離れる。第１スリットＳ１は、実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在する、例えば、第２電極層１２の横方向の次元にわたって延在する。隣接する歯部は、第１端部Ｅ１で互いに分離されると共に、第２端部Ｅ２で互いに接続される。図１０に示す実施例において、複数のブランチ１２Ｂのうち隣接するブランチは、第１端部Ｅ１では互いに分離されると共に、第２端部Ｅ２で互いに接続される。

図１０に示す第２電極層１２は、複数の歯部Ｔと、第２端部Ｅ２において複数の歯部Ｔのうち隣接する歯部を接続するバー（例えば、図１０に示す第１バー１２−１）とを有する櫛歯状電極層である。複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的に第２電極層１２の一つの次元（例えば、横方向の次元）にわたって延在する。隣接する歯部又は隣接するブランチを接続する如何なる構造も、第２電極層１２の周辺領域に配置される。第１スリットＳ１の第１端部Ｅ１及び第２端部Ｅ２は、第２電極層１２の周辺領域に位置される。複数の歯部のうち隣接する歯部を接続するバーも、第２電極層１２の周辺領域に位置する。

図１１は、本開示の幾つかの実施形態に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図１１において、隣接する歯部又は隣接するブランチを接続するバーは、サブ画素の右側エッジに沿った第２バー１２−２である。図１０に示す実施例と同様に、従来の液晶表示パネルに比べて、第１電極層１１と第２電極層１２との間の重なり面積及び蓄積容量は、著しく減少される。サブ画素のエッジ沿いの光透過率が向上され、画像表示における暗いエッジが除去される。

図１２は、本開示の幾つかの実施形態に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図１２に示すように、第２電極層１２は複数のブランチ１２Ｂ（例えば、図１２の第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２）を有し、前記複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的にサブ画素の横方向に沿って延在する。複数のブランチ１２Ｂは、複数のスリット（例えば、図１２の第１スリットＳ１と第２スリットＳ２）によって離間される。複数のブランチ１２Ｂは、複数の歯部Ｔにグループ化される、例えば、図１２において、複数の歯部Ｔの各々は、複数のブランチ１２Ｂのうちの第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２とを有する。第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２は、サブ画素の右側エッジに沿って互いに接続される。複数の歯部Ｔのうち隣接する歯部は、第１スリットＳ１によって離間される。複数の歯部Ｔのうちの各々における第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２は、第２スリットＳ２によって離間される。

第１スリットＳ１は、第１端部Ｅ１で開放されると共に、第２端部Ｅ２で閉合されており、第１端部Ｅ１は第２端部Ｅ２に対向する。第１スリットＳ１は、隣接する歯部又は隣接するブランチと実質的に平行な方向に沿って延在する。第１スリットＳ１は、実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在する、例えば、第２電極層１２の横方向の次元にわたって延在する。隣接する歯部は、第１端部Ｅ１で互いに分離されると共に、第２端部Ｅ２で互いに接続される。第２スリットＳ２は、第３端部Ｅ３で閉合されると共に、第４端部Ｅ４で開放されており、第３端部Ｅ３は第４端部Ｅ４に対向する。第２スリットＳ２は、複数の歯部Ｔのうちの各々における第１ブランチ１２Ｂ１及び第２ブランチ１２Ｂ２と実質的に平行な方向に沿って延在する。第２スリットＳ２は、実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在する、例えば、第２電極層１２の横方向の次元にわたって延在する。幾つかの実施例において、第２スリットＳ２は第１スリットＳ１と実質的に平行である。選択的には、第３端部Ｅ３は、第１端部Ｅ１に接近すると共に、第２端部Ｅ２から離れており、第４端部Ｅ４は、第２端部Ｅ２に接近すると共に、第１端部Ｅ１から離れる。選択的には、第１ブランチ１２Ｂ１と第２ブランチ１２Ｂ２とは、第４端部Ｅ４で互いに分離されると共に、第３端部Ｅ３で互いに接続される。図１２における第２電極層１２は、ジグザグ形状の電極層である。液晶表示パネルは、サブ画素の左エッジと右エッジの両者に沿って複数の歯部Ｔを含む。

図９〜図１２に示すように、複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的に第２電極層１２の一つの次元（例えば、横方向の次元）にわたって延在する。隣接する歯部又は隣接するブランチを接続する如何なる構造も、第２電極層１２の周辺領域に配置される。第１スリットＳ１の第１端部Ｅ１、第２端部Ｅ２及び第２スリットＳ２の第３端部Ｅ３、第４端部Ｅ４は、第２電極層１２の周辺領域に位置される。

幾つかの実施例において、液晶表示パネは、フリンジフィールド駆動液晶表示パネルであり、その中の液晶層はフリンジ電界により駆動される。フリンジフィールド駆動液晶表示パネルの例示としては、高級超次元スイッチング（Advanced super Dimension Switching：ＡＤＳ）型液晶表示パネル、インプレーンスイッチング（ＩＰＳ）型液晶表示パネル及びフリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ）型液晶パネルが挙げられるが、これらに限定されない。

もう一つの態様では、本発明は、本明細書に記載の液晶表示パネルを備える液晶表示装置を提供する。表示装置の好適な例示としては、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニタ、ノートブックコンピュータ、デジタルフォトアルバム、ゲームシステム等が挙げられるが、これらに限定されない。

本発明の実施例の上述した説明は、例示及び説明を目的とする。それらは網羅的であること、又は本発明を開示された精確な形態又は例示的な実施例に限定することを意図していない。従って、上記の説明は、限定的ではなく、例示的と理解されるべきである。種々の変形や変更を行うことができるということは当業者には明らかであろう。これらの実施例を選択して説明するのは、本発明の原理及び最良の実施形態の実際の適用を解釈することにより、当業者に種々の実施例、及び特定用途や構想された実施形態に適した様々な変形例を通じて本発明を理解させるためである。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等の形態によって限定されることを意図しており、特に言及しない限り、全ての用語は、それらの最も広く、合理的な意味で理解されるべきである。従って、「前記発明」、「本発明」などの用語は、必ずしも特許請求の範囲を特定の実施例に限定することを意図するものではなく、本発明の例示的な実施例への言及は、本発明を限定することを意図するものではないし、そのような制限も推断されるべきではない。本発明は、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲のみによって限定される。さらに、これらの請求項では、名詞又はエレメントの前に「第１」、「第２」等を付しても良い。これらの用語は命名法として理解されるべきであり、特定の数が与えられていない限り、これらの命名法によって修飾されるエレメントの数を限定するものとして理解されるべきではない。説明された如何なる利点及び効果も、本発明の全ての実施例に適用しなくてもよい。添付の特許請求の範囲によって限定された本発明の範囲から逸脱しない範囲内において、当業者であればここに記載の実施例に対して様々な変形をなし得ると理解されるべきである。さらに、本開示における如何なるエレメント及び構成要素も、添付の特許請求の範囲に明確に記載されているか否かにかかわらず、公衆に捧げることを意図するものではない。

本発明の一つの態様では、複数のサブ画素領域を有するアレイ基板を提供する。前記アレイ基板は、前記複数のサブ画素領域の一つにおいて、液晶分子を駆動するためのフリンジフィールドを形成するように配置される第１電極層、第２電極層、及び前記第１電極層と前記第２電極層との間に位置する絶縁層を備え、前記第２電極層は、複数のブランチを含み、前記複数のブランチは、複数の歯部にグループ化され、前記複数の歯部のうち隣接する歯部は、第１スリットによって離間されており、前記第１スリットは、実質的に前記複数のサブ画素領域のうちの一つのサブ画素領域における前記第２電極層の一つの次元にわたって延在し、且つ、隣接する歯部は、第１端部で互いに分離されると共に、第２端部で互いに接続される。

選択的には、前記複数の歯部の一つは、前記複数のブランチのうちの一つのみを備える。

選択的には、前記アレイ基板は、共通電極信号線をさらに備え、前記共通電極信号線の前記アレイ基板のベース基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板の前記ベース基板における投影と少なくとも部分的に重なる。

選択的には、前記共通電極信号線の前記アレイ基板の前記ベース基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板の前記ベース基板における投影と実質的に重なる。

選択的には、前記共通電極信号線の前記アレイ基板の前記ベース基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板の前記ベース基板における投影を完全に覆う。

選択的には、前記アレイ基板は、共通電極信号線をさらに備え、前記共通電極信号線の前記アレイ基板のベース基板における投影は、前記第１端部で前記複数の歯部の前記アレイ基板の前記ベース基板における投影と少なくとも部分的に重なる。

選択的には、前記複数の歯部の一つは、前記複数のブランチのうちの第１ブランチと第２ブランチとを備え、さらに、第１ブランチと第２ブランチとは、第２スリットによって離間されており、前記第２スリットは、実質的に前記第２電極層の前記一つの次元にわたって延在する。

選択的には、前記複数のブランチの一つは、実質的に第２電極層の前記一つの次元にわたって延在する。

別の態様では、本発明は、本明細書に記載のアレイ基板と、前記アレイ基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板１と前記対向基板２との間に位置する液晶層を備える液晶表示パネルを提供する。

幾つかの実施例において、液晶表示パネルは、さらに複数の共通電極信号線を備える。図３及び図５に示すように、各サブ画素は共通電極信号線ＣＬと関連付けられる。選択的には、共通電極信号線ＣＬは、サブ画素の発光を制御するゲート線が位置するサブ画素の第２エッジに対向するサブ画素の第１エッジに接近する位置にある。図３に示すように、幾つかの実施例において、共通電極信号線ＣＬのアレイ基板のベース基板における投影は、第１端部Ｅ１において複数の歯部Ｔのアレイ基板のベース基板における投影と少なくとも部分的に重なる。

図５に示すように、幾つかの実施例において、共通電極信号線ＣＬのアレイ基板のベース基板における投影は、第２バー１２−２のアレイ基板のベース基板における投影と少なくとも部分的に重なる。選択的には、共通電極信号線ＣＬのアレイ基板のベース基板における投影は、第２バー１２−２のアレイ基板のベース基板における投影と実質的に重なる。選択的には、共通電極信号線ＣＬのアレイ基板のベース基板における投影は、第２バー１２−２のアレイ基板のベース基板における投影を完全に覆う。サブ画素領域内の共通電極信号線ＣＬに対応する領域は、暗領域である。バーを少なくとも部分的に共通電極信号線ＣＬに対応する領域に位置させるように配置することによって、表示パネルの開口率及び光透過率は、バーから最小限の影響を受けるか、又はバーからの影響を受けさせない。

第１スリットＳ１は、第１端部Ｅ１（例えば、サブ画素の第１エッジに沿った第１信号線に接近する一端）で開放されると共に、第２端部Ｅ２（例えば、サブ画素の第１エッジに対向する第２エッジに沿った第２信号線に接近する一端）で閉合される。第１端部Ｅ１は第２端部Ｅ２に対向する。第１スリットＳ１は、隣接する歯部（又は図６に示す実施例の隣接するブランチ１２Ｂ）と実質的に平行な方向に沿って延在し、第１スリットＳ１の第１端部Ｅ１は、複数の歯部Ｔのうちの一つの歯部の第１端部に接近すると共に、複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第２端部（複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第１端部に対向する）から離れており、且つ、第１スリットＳ１の第２端部Ｅ２は、複数の歯部Ｔのうちの一つの歯部の第２端部に接近すると共に、複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第１端部から離れる。第１スリットＳ１は、実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在する、例えば、第２電極層１２の長手方向の次元にわたって延在する。隣接する歯部は、第１端部Ｅ１で互いに分離されると共に、第２端部Ｅ２で互いに接続される。ここで、第１スリットＳ１が実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在するとは、第１スリットＳ１のその延在方向に沿った長さが第２の電極層１２の対応する一つの次元よりも小さいが、それに近いことを指す。

第２スリットＳ２は、第３端部Ｅ３（例えば、サブ画素の第１エッジに沿った第１信号線に接近する一端）で閉合され、且つ第４端部Ｅ４（例えば、サブ画素の第１エッジに対向する第２エッジに沿った第２信号線に接近する）で開放される。第３端部Ｅ３は第４端部Ｅ４に対向する。第２スリットＳ２は、複数の歯部Ｔのうちの各々における第１ブランチ１２Ｂ１及び第２ブランチ１２Ｂ２と実質的に平行な方向に沿って延在し、第２スリットＳ２の第３端部Ｅ３は、複数の歯部Ｔのうちの一つの歯部の第１端部に接近すると共に、複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第２端部（複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第１端部に対向する）から離れ、且つ、第２スリットＳ２の第４端部Ｅ４は、複数の歯部Ｔのうちの一つの歯部の第２端部に接近すると共に、複数の歯部Ｔのうちの該一つの歯部の第１端部から離れる。第２スリットＳ２は、実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在し、例えば、第２電極層１２の長手方向の次元にわたって延在する。ここで、第２スリットＳ２が実質的に第２電極層１２の一つの次元にわたって延在するとは、第２スリットＳ２のその延在方向に沿った長さが第２の電極層１２の一つの次元よりも小さいが、それに近いことを指す。

図１０は、本開示の幾つかの実施例に係る液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図１０に示すように、第１電極層１１（例えば、共通電極層）は、実質的にサブ画素領域にわたって延在し、例えばサブ画素の第１エッジまで延在する（例えば、サブ画素の右縦エッジ）プレート電極層である。第２電極層１２は複数のブランチ１２Ｂを含み、前記複数のブランチ１２Ｂの各々は、実質的にサブ画素の横方向に沿って延在する。複数のブランチ１２Ｂは、複数のスリット（例えば、図１０の第１スリットＳ１）によって離間される。複数のブランチ１２Ｂは、複数の歯部Ｔにグループ化されることができる。図１０に示す実施例において、複数のブランチ１２Ｂの各々は、複数の歯部Ｔのうちの一つに対応し、例えば複数の歯部Ｔの各々は、複数のブランチ１２Ｂのうちの一つのみを含む。複数の歯部Ｔのうち隣接する歯部は、第１スリットＳ１によって離間される。従って、図１０に示す実施例において、複数のブランチ１２Ｂのうち隣接するブランチは、第１スリットＳ１によって離間される。

Claims (24)

1. 複数のサブ画素領域を有するアレイ基板であって、
   前記アレイ基板は、前記複数のサブ画素領域の各々のサブ画素領域は、
   液晶分子を駆動するためのフリンジフィールドを形成するように配置される第１電極層、第２電極層と、
   前記第１電極層と前記第２電極層との間に位置する絶縁層とを備え、
   前記第２電極層は、複数のブランチを含み、
   前記複数のブランチは、複数の歯部にグループ化され、
   前記複数の歯部のうち隣接する歯部は、第１スリットによって離間されており、前記第１スリットは、実質的に前記複数のサブ画素領域のうちの一つのサブ画素領域における前記第２電極層の一つの次元にわたって延在し、且つ、
   隣接する歯部は、第１端部で互いに分離されると共に、第２端部で互いに接続される、アレイ基板。
2. 前記複数の歯部の各々は、前記複数のブランチのうちの一つのみを備える、請求項１に記載のアレイ基板。
3. 前記第２電極層は、前記第２端部で前記複数の歯部のうち前記隣接する歯部を接続するバーをさらに備える櫛歯状電極層である、請求項２に記載のアレイ基板。
4. 前記バーは、前記第２電極層の周辺領域に位置する、請求項３に記載のアレイ基板。
5. 共通電極信号線をさらに備え、
   前記共通電極信号線の前記アレイ基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板における投影と少なくとも部分的に重なる、請求項４に記載のアレイ基板。
6. 前記共通電極信号線の前記アレイ基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板における投影と実質的に重なる、請求項５に記載のアレイ基板。
7. 前記共通電極信号線の前記アレイ基板における投影は、前記バーの前記アレイ基板における投影を完全に覆う、請求項５に記載のアレイ基板。
8. 共通電極信号線をさらに備え、
   前記共通電極信号線の前記アレイ基板における投影は、前記第１端部において前記複数の歯部の前記アレイ基板における投影と少なくとも部分的に重なる、請求項４に記載のアレイ基板。
9. 前記複数の歯部の各々は、前記複数のブランチのうちの第１ブランチと第２ブランチとを含み、且つ、
   前記第１ブランチと前記第２ブランチとは、第２スリットによって離間されており、前記第２スリットは、実質的に前記第２電極層の前記一つの次元にわたって延在する、請求項１に記載のアレイ基板。
10. 前記第２スリットは、前記第１スリットと実質的に平行であり、
    前記第１ブランチと前記第２ブランチは、第３端部で互いに接続され、そして第４端部で互いに分離され、
    前記第３端部は、前記第１端部に接近すると共に前記第２端部から離れており、
    前記第４端部は、前記第２端部に接近すると共に前記第１端部から離れる、請求項９に記載のアレイ基板。
11. 前記第２電極層はジグザグ形状の電極層である、請求項９に記載のアレイ基板。
12. 前記第１電極層は、実質的に前記複数のサブ画素領域のうちの一つにわたって延在するプレート電極層である、請求項１に記載のアレイ基板。
13. 前記複数のブランチの各々は、実質的に前記第２電極層の前記一つの次元にわたって延在する、請求項１に記載のアレイ基板。
14. 隣接する歯部を接続する如何なる構造も、前記第２電極層の周辺領域に位置する、請求項１に記載のアレイ基板。
15. 前記第１端部及び前記第２端部は、前記第２電極層の周辺領域に位置する、請求項１に記載のアレイ基板。
16. 前記第２電極層は、第１ドメインと第２ドメインとを含み、前記第１ドメインにおけるブランチ及びスリットは、実質的に第１方向に沿って延在し、前記第２ドメインにおけるブランチ及びスリットは、実質的に第２方向に沿って延在する、請求項１に記載のアレイ基板。
17. 前記複数のブランチは、実質的にサブ画素領域の長手方向に沿って延在する、請求項１に記載のアレイ基板。
18. 前記複数のブランチは、実質的にサブ画素領域の横方向に沿って延在する、請求項１に記載のアレイ基板。
19. 前記第１電極層は共通電極層であり、前記第２電極層は画素電極層である、請求項１に記載のアレイ基板。
20. 前記第２電極層は共通電極層であり、前記第１電極層は画素電極層である、請求項１に記載のアレイ基板。
21. 請求項１から請求項２０のいずれかに記載のアレイ基板を備える、液晶表示パネル。
22. 前記液晶表示パネルは、前記液晶層中の液晶分子がフリンジ電界によって駆動されるフリンジフィールド駆動液晶表示パネルである、請求項２１に記載の液晶表示パネル。
23. 前記液晶表示パネルは、高級超次元スイッチング型液晶表示パネルである、請求項２２に記載の液晶表示パネル。
24. 請求項２１から請求項２３のいずれかに記載の液晶表示パネルを備える、液晶表示装置。

Images