CN114371576A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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CN114371576A CN202111590270.9A CN202111590270A CN114371576A CN 114371576 A CN114371576 A CN 114371576A CN 202111590270 A CN202111590270 A CN 202111590270A CN 114371576 A CN114371576 A CN 114371576A
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宋文亮
李荣荣
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Changsha HKC Optoelectronics Co Ltd
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HKC Co Ltd
Changsha HKC Optoelectronics Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法，其中，该显示面板，包括上基板和下基板，上基板上形成有透明电极层，下基板上形成有公共电极层，其中，在显示面板的显示区还包括黑矩阵，至少部分黑矩阵的一端连接透明电极层，另一端连接公共电极层，黑矩阵为导电黑矩阵，以将透明电极层与公共电极层电连接。通过上述方式，本申请中的显示面板通过可显示区的黑矩阵实现透明电极层与公共电极层之间的导电连接，而无需另外在显示面板的非显示区设置金球实现透明电极层与公共电极层的导电连接，进而能够有效减少非显示区的占用空间，以实现显示面板的窄边框或无边框设计。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，特别是涉及显示面板及其制备方法。
背景技术
在显示技术领域，作为目前主流的垂直场液晶显示模式，比如，VA(VerticalAlignment，垂直配向)面板和TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)面板，由于其上、下基板均需进行供电，以此来驱动面板中的液晶转动，而达到显示的目的，因此，不可避免的需要对应实现其上、下基板的导通。
现今，业内一般有两种导通上、下基板的方式，其一、采用AU in seal(密封胶埋金)工艺，即提前将AU(金)粒子与sealant(密封胶)均匀混合，然后通过涂胶工艺成盒后，导通上、下基板；其二、先经过涂胶工艺完成sealant的涂布，然后在涂布后的固定点位放置AU粒子，俗称Au dot(金打点)工艺，成盒后导通上、下基板。其中，如图1所示，图1是现有技术中显示面板的结构示意图，该显示面板10包括AA(Active Area，可操作)区11和非AA区12，且非AA区12进一步包括sealing(密封)区121，而AU粒子具体是形成于sealing区121，以能够对应实现显示面板10中的上、下基板的导通。
然而，以上两种工艺均作用于sealing区121，且均占用了一定的空间，从而限制了显示面板10外围的布线空间，也便无法满足GDL(驱动芯片)的设计空间，以致无法实现窄边框设计。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中的显示面板无法提供足够的驱动芯片的布线空间，以致无法实现窄边框设计的问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，包括上基板和下基板，上基板上形成有透明电极层，下基板上形成有公共电极层，其中，在显示面板的显示区还包括黑矩阵，至少部分黑矩阵的一端连接透明电极层，另一端连接公共电极层，黑矩阵为导电黑矩阵，以将透明电极层与公共电极层电连接。
其中，黑矩阵中混杂有导电粒子，以使黑矩阵带有导电性。
其中，黑矩阵中与透明电极层和公共电极层相接触的导电粒子的外侧面上形成有第一刺突。
其中，公共电极层连接黑矩阵的一侧面上形成有第二刺突，透明电极层上与黑矩阵相接触的区域形成有第三刺突。
其中，黑矩阵包括主黑矩阵和辅黑矩阵，主黑矩阵的一端连接透明电极层，另一端连接公共电极层，辅黑矩阵的一端连接透明电极层，另一端与公共电极层间隔设置。
其中，主黑矩阵和辅黑矩阵的数量之和等于显示面板的亚像素的总数量；主黑矩阵的数量小于辅黑矩阵的数量。
其中，主黑矩阵和辅黑矩阵的数量之比为2:100-10:100。
其中，主黑矩阵和辅黑矩阵辅黑矩阵的外侧面上还形成有反光金属层。
其中，黑矩阵均为主黑矩阵，主黑矩阵的一端连接透明电极层，另一端连接公共电极层；主黑矩阵的数量和显示面板的亚像素的数量相同。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法，其中，该制备方法包括：提供上基板；提供下基板；在下基板上形成公共电极层；在上基板上形成透明电极层；在公共电极层上形成黑矩阵，并使黑矩阵与透明电极层对应连接；其中，黑矩阵为导电黑矩阵，以将透明电极层与公共电极层电连接。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供的显示面板包括：上基板和下基板，上基板上还形成有透明电极层，下基板上还形成有公共电极层，而在显示面板的可显示区还包括黑矩阵，且黑矩阵为导电黑矩阵，以能够使透明电极层与公共电极层实现导电连接，而无需另外在显示面板的非显示区设置金球实现透明电极层与公共电极层的导电连接，进而能够有效减少非显示区的占用空间，以实现显示面板的窄边框或无边框设计。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是现有技术中显示面板的结构示意图；
图2是本申请显示面板一实施方式的结构示意图；
图3是图2中显示面板的俯视图；
图4是图2中显示面板中的黑矩阵的结构示意图；
图5是图2中黑矩阵中的导电粒子的结构示意图；
图6是图2中显示面板中的公共电极层的的结构示意图；
图7是本申请显示面板的制备方法第一实施方式的流程示意图；
图8是本申请显示面板的制备方法第二实施方式的流程示意图；
图9是本申请显示面板的制备方法第三实施方式的流程示意图；
图10是本申请显示器一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图2-图3，其中，图2是本申请显示面板一实施方式的结构示意图，图3是图2中显示面板的俯视图。在本实施例中，该显示面板20包括：上基板21和下基板22。
其中，该上基板21具体可以是CF(color filter，彩色滤光片)基板，以用作显示面板20中的彩色显示，且其原材料可以是玻璃基板；下基板22具体可以是TFT(Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)基板，而TFT在显示面板20中起着传输和控制电信号的作用，即通过它确定施加在显示面板20中的液晶上的电压的大小。
进一步地，该上基板21上还形成有透明电极层24，也即ITO(氧化铟锡)层，其中，氧化铟锡是一种混合物，为透明茶色薄膜或黄偏灰色块状，由90％In2O3(氧化铟)和10％SnO2(二氧化硅)混合而成，主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、太阳能电池、抗静电镀膜、EMI(Electromagnetic Interference，电磁干扰)屏蔽的透明传导镀、各种光学镀膜等。而下基板22上还形成公共电极层25，以能够通过该公共电极层25对显示面板20中的液晶施加电压。
显示面板20进一步包括可显示区201和非显示区202，且在显示面板20的可显示区201还进一步包括黑矩阵26，至少部分黑矩阵26的一端连接透明电极层24，且其另一端进一步连接公共电极层25。
其中，该黑矩阵26具体为导电黑矩阵26，以能够对应使透明电极层24与公共电极层25实现导电连接，进而通过透明电极层24和公共电极层25导通上基板21和下基板22，从而能够驱动显示面板20中的液晶转动，以达到显示目的。
需说明的是，该黑矩阵26具体是指为保证三色彩色滤光膜的遮光效果，而在三色彩色滤光膜间涂覆的不透光的黑色遮光层，又称颜料黑矩阵26。
在一实施例中，在上基板21和下基板22之间还设置有液晶层23，且液晶层23与黑矩阵26同层设置。其中，液晶层23可理解为向列相液晶层，以能够在不同的电压驱动下，控制光的透过率，达到显示图像的目的。
上述方案，通过在显示面板20的可显示区201设置导电黑矩阵26，以使透明电极层24与公共电极层25实现导电连接，相较于在非显示区202设置金球导通透明电极层24和公共电极层25，导电黑矩阵26在整个显示面板20中分布的更均匀，且空间占比更大，能够有效使上基板21的透明电极层24的电势均匀度更好，从而能够达到更好的显示均一度；且通过导电黑矩阵26使透明电极层211与公共电极层221实现导电连接，便无需另外在显示面板20的非显示区202设置金球实现透明电极层24与公共电极层25的导电连接，进而能够有效减少非显示区202的占用空间，以实现显示面板20的窄边框或无边框设计；此外，通过使黑矩阵26带有导电性，并在黑矩阵26的制程工艺中制做完成，而无需额外的工艺流程，且减少了在非显示区202制做金球的工艺流程，也使得显示面板20的结构更简单，整个制备工艺更简单，且节约了金球的成本及相应的制备成本。
在一实施例中，请参阅图4，图4是图2中显示面板中的黑矩阵的结构示意图，在黑矩阵26中具体是在不透光的黑色遮光材料中均匀混杂有导电粒子2601，以通过该导电粒子2601使黑矩阵26带有导电性。
可选地，黑矩阵26呈部分圆锥状、梯形体、圆柱体或方体等任一合理的形状，本申请对此不做限定。
在一个可选的实施例中，该导电粒子2601的数量可以为1个，且该导电粒子2601的部分结构能够嵌设于透明电极层24和公共电极层25内，以分别与透明电极层24和公共电极层25实现电连接，且该导电粒子2601位于透明电极层24和公共电极层25之间的部分结构的体积占其总体积的比值为85％-90％。
在另一实施例中，该导电粒子2601的数量还可以为多个，并均匀混合于一树脂材料中，以构成为黑矩阵26，且该黑矩阵26中的导电粒子241与黑色遮光材料的混合比例不小于5：100，具体可根据实际需要确定，以能够在尽可能的减少导电粒子的数量，以降低黑矩阵26制造成本的同时，还能够保证黑矩阵26具有较好的导电性。
可选地，该导电粒子2601为金粒子、银粒子或铜粒子等任一合理能够对应实现导电效果的粒子，本申请对此不做限定。
可选地，该导电粒子2601包括树脂球以及该树脂球外层包裹的导电材质，比如，金、银或铜等任一合理的导电金属，以能够在保证良好导电效果的前提下，尽可能的减少导电材质的用量，以降低导电粒子2601的制造成本，且还能够使该导电粒子2601具有一定的弹性，并有效减少该导电粒子2601的总重量。而在其他实施例中，该树脂球还可以是二氧化硅等任一合理非金属材质制成的球体，本申请对此不做限定。
可选地，请参阅图5，图5是图2中黑矩阵中的导电粒子的结构示意图，黑矩阵26中的每一导电粒子2601的外侧面上均形成有第一刺突26011，也即该导电粒子2601的外侧形成为刺突微结构，以能够通过第一刺突26011来突破黑矩阵26上、下端面，而使导电粒子2601与透明电极层24和公共电极层25相接触，且形成于导电粒子2601外侧面上的第一刺突26011还能够有效使每相邻两个导电粒子2601连接的更紧密，从而确保能够有效实现上基板21和下基板22的导通。
可选地，在黑矩阵26中仅与透明电极层24和公共电极层25相接触的导电粒子2601的外侧面上形成有第一刺突26011，以能够在保证有效实现上基板21和下基板22导通的同时，尽可能的降低黑矩阵26的制造成本。
可选地，请参阅图6，图6是图2中显示面板中的公共电极层的的结构示意图，公共电极层25连接黑矩阵26的一侧面上形成有第二刺突251，或公共电极层25连接黑矩阵26的一侧面呈凹凸不平状，而黑矩阵26中的树脂能够与公共电极层25的刺突或凹凸面连接的更稳固，而导电粒子2601的刺突能够嵌入至该凹凸面内，以能够使黑矩阵26与公共电极层25连接的更紧密，从而能够确保公共电极层25与黑矩阵26之间的电连接更有效。
可选地，透明电极层24上与黑矩阵26相接触的区域形成有第三刺突(图未标出)，或透明电极层24连接黑矩阵26的一侧面呈凹凸不平状，以能够使黑矩阵26与透明电极层24连接的更紧密，从而能够确保透明电极层24与黑矩阵26之间的电连接更有效。
在一实施例中，黑矩阵26的外侧面还形成有导电层2602，且黑矩阵26具体是通过导电层2602将透明电极层24与公共电极层26导电连接。
可理解的是，该导电层2602可以是导电金属层，也可以是透明电极，并具体可以是在上基板21上形成透明电极层24时，同步在黑矩阵26的外侧面形成得到，也即该导电层2602也可以是透明电极层24的部分，本申请对此不做限定。
在一实施例中，黑矩阵26背离公共电极层25的一端具体是嵌设于透明电极层24对应形成的通孔中，而抵接于上基板21，以能够在通过黑矩阵26实现透明电极层24与公共电极层25，也即上基板21和下基板22之间电连接的同时，还能够代替支撑柱对上基板21和下基板22的间隔设置提供支撑，也即，在本实施例中，无需另外再在上基板21和下基板22之间制作支撑柱，从而大大节省了密封胶的粘结时间，并有效地提高了显示面板20的制造效率，节省了制造成本。
且通过将黑矩阵26嵌入到透明电极层24中，还能够对应使黑矩阵26的高度与液晶盒厚相当，故而在大视角下也避免了混色，色偏的现象产生，从而大大的改善了显示面板20的显示效果。
在一实施例中，黑矩阵26包括主黑矩阵261和辅黑矩阵262，且主黑矩阵261的一端连接透明电极层24，另一端连接公共电极层25，而辅黑矩阵262的一端连接透明电极层24，另一端与公共电极25层间隔设置；通过间隔设置主黑矩阵261和辅黑矩阵262，一部分主黑矩阵261起到支撑作用，而另外的辅黑矩阵262起到弹性支撑作用，从工艺方面来说，使得显示面板20具有更大的LC margin(液晶量范围)，也即更大的工艺宽容度，从而降低产品制造难度。
在一实施例中，主黑矩阵261和辅黑矩阵262的外侧面上还形成有反光金属层(图未示出)，以在有光线照射到主黑矩阵261和辅黑矩阵262上时，将不被吸收，而被该反光金属层反射，从而能够增加光的利用率，进而提升光透过效率。
其中，主黑矩阵261和辅黑矩阵262的数量之和等于显示面板20的亚像素的总数量。
需说明的是，亚像素具体指的是面阵摄像机的成像面以像素为最小单位。
为了获取到更好的LC margin(液晶量范围)，设置主黑矩阵261的数量小于辅黑矩阵262的数量。进一步地，主黑矩阵261和辅黑矩阵262的数量之比为2:100-10:100。通过设置更多的辅黑矩阵262，在保证面板之间的支撑同时，增大面板之间的弹性支撑，从而使得显示面板具有更好的LC margin(液晶量范围)，也即工艺宽容度更大，从而进一步降低制造难度，进而提升产品工艺和良率，提升生产制造产能。
在一实施例中，所有黑矩阵26均为主黑矩阵261，主黑矩阵261的一端连接透明电极层24，另一端连接公共电极层25；主黑矩阵261的数量和显示面板20的亚像素的数量相同。通过将所有黑矩阵26设置为主黑矩阵261，因此所有主黑矩阵261均充当支撑柱，起到支撑作用，同时由于所有的主黑矩阵261均具有导电性能，因此面板中每个像素处均通过主黑矩阵261导电导通，均匀分布在显示面板20可显示区201的主黑矩阵261也能够使显示面板20的电势均匀度更好，从而使得显示面板20能够达到更好的显示均一度。
进一步地，可在黑矩阵26的外侧面上形成有反光金属层(图未示出)，以在有光线照射到黑矩阵26上时，光将不被吸收，而被该反光金属层反射，从而能够增加光的利用率，进而提升光透过效率，提高显示面板20的显示效果。
本申请还提供了一种显示面板的制备方法，请参阅图7，图7是本申请显示面板的制备方法第一实施方式的流程示意图。本实施例包括如下步骤：
S31：提供上基板。
可理解的是，该上基板具体可以是CF基板，以用作显示面板中的彩色显示，且其原材料可以是玻璃基板。
S32：提供下基板。
可理解的是，该下基板具体可以是TFT基板，而TFT在显示面板中起着传输和控制电信号的作用，即通过它确定施加在液晶层上的电压的大小。
S33：在下基板上形成公共电极层。
进一步地，在下基板上通过物理气相沉积或其他工艺形成公共电极层。
S34：在上基板上形成透明电极层。
进一步地，在上基板上通过物理气相沉积或其他工艺形成透明电极层，也即ITO(氧化铟锡)层，其中，氧化铟锡是一种混合物，为透明茶色薄膜或黄偏灰色块状，由90％In2O3(氧化铟)和10％SnO2(二氧化硅)混合而成，主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、太阳能电池、抗静电镀膜、EMI屏蔽的透明传导镀、各种光学镀膜等。
S35：在公共电极层上形成黑矩阵，并使黑矩阵与透明电极层对应连接。
又进一步地，在公共电极层上形成黑矩阵，并通过成盒工艺使该黑矩阵背离公共电极层的一侧对应与透明电极层相连接。
其中，该黑矩阵具体为导电黑矩阵，以能够对应使透明电极层与公共电极层实现电连接，进而通过透明电极层和公共电极层导通上基板和下基板。
进一步地，在一实施例中，上述S35还包括：在透明电极层或公共电极层上依次形成黑矩阵和液晶层，并使黑矩阵与公共电极层或透明电极层对应连接。
进一步地，在一实施例中，上述S35之后，还包括：通过Cell(面板成型)工艺和后续model(造型)工艺，形成最终的显示模组产品。
请继续参阅图8，图8是本申请显示面板的制备方法第二实施方式的流程示意图。本实施例的显示面板的制备方法是图7中的显示面板的制备方法的一细化实施例的流程示意图，本实施例包括如下步骤：
S41：提供上基板。
S42：提供下基板。
S43：在下基板上形成公共电极层。
S44：在上基板上形成透明电极层。
其中，S41、S42、S43以及S44与图7中的S31、S32、S33以及S34相同，具体请参阅S31、S32、S33以及S34及其相关的文字描述，在此不再赘述。
S45：提供导电粒子，将导电粒子与黑矩阵材料混合均匀，以作为导电黑矩阵材料。
具体地，将导电粒子掺杂到黑矩阵材料中，比如，丙烯酸树脂等任一合理的树脂材料中，并混合均匀，以作为导电黑矩阵材料。
S46：通过导电黑矩阵材料在公共电极层上形成导电黑矩阵，并使导电黑矩阵与透明电极层对应连接。
进一步地，通过配制得到的导电黑矩阵材料在公共电极层上形成导电黑矩阵，并通过成盒工艺使该导电黑矩阵背离公共电极层的一侧对应与透明电极层相连接。
可选地，黑矩阵呈部分圆锥状、梯形体、圆柱体或方体等任一合理的形状，本申请对此不做限定。
在一个可选的实施例中，该导电粒子的数量可以为1个，且该导电粒子的部分结构能够嵌设于透明电极层和公共电极层内，以分别与透明电极层和公共电极层实现电连接，且该导电粒子位于透明电极层和公共电极层之间的部分结构的体积占其总体积的比值为85％-90％。
在另一实施例中，该导电粒子的数量还可以为多个，并均匀混合于一树脂材料中，以构成为黑矩阵，且该黑矩阵中的导电粒子与黑色遮光材料的混合比例不小于5：100，具体可根据实际需要确定，以能够在尽可能的减少导电粒子的数量，以降低黑矩阵制造成本的同时，还能够保证黑矩阵具有较好的导电性。
可选地，该导电粒子为金粒子、银粒子或铜粒子等任一合理能够对应实现导电效果的粒子，本申请对此不做限定。
可选地，该导电粒子包括树脂球以及该树脂球外层包裹的导电材质，比如，金、银或铜等任一合理的导电金属，以能够在保证良好导电效果的前提下，尽可能的减少导电材质的用量，以降低导电粒子的制造成本，且还能够使该导电粒子具有一定的弹性，并有效减少该导电粒子的总重量。而在其他实施例中，该树脂球还可以是二氧化硅等任一合理非金属材质制成的球体，本申请对此不做限定。
可选地，黑矩阵中的每一导电粒子的外侧面上均形成有第一刺突，也即该导电粒子的外侧形成为刺突微结构，以能够通过第一刺突来突破黑矩阵上、下端面，而使导电粒子与透明电极层和公共电极层相接触，且形成于导电粒子外侧面上的第一刺突还能够有效使每相邻两个导电粒子连接的更紧密，从而确保能够有效实现上基板和下基板的导通。
可选地，该导电粒子为金粒子或银粒子等任一合理能够对应实现导电效果的粒子，本申请对此不做限定。
可选地，在黑矩阵中仅与透明电极层和公共电极层相接触的导电粒子的外侧面上形成有第一刺突，以能够在保证有效实现上基板和下基板导通的同时，尽可能的降低黑矩阵的制造成本。
可选地，公共电极层连接黑矩阵的一侧面上形成有第二刺突，或公共电极层连接黑矩阵的一侧面呈凹凸不平状，而黑矩阵中的树脂能够与公共电极层的刺突或凹凸面连接的更稳固，而导电粒子的刺突能够嵌入至该凹凸面内，以能够使黑矩阵与公共电极层连接的更紧密，从而能够确保公共电极层与黑矩阵之间的电连接更有效。
可选地，透明电极层上与黑矩阵相接触的区域形成有第三刺突(图未标出)，或透明电极层连接黑矩阵的一侧面呈凹凸不平状，以能够使黑矩阵与透明电极层连接的更紧密，从而能够确保透明电极层与黑矩阵之间的电连接更有效。
请继续参阅图9，图9是本申请显示面板的制备方法第三实施方式的流程示意图。本实施例包括如下步骤：
S51：提供上基板。
可理解的是，该上基板具体可以是CF基板，以用作显示面板中的彩色显示，且其原材料可以是玻璃基板。
S53：提供下基板。
可理解的是，该下基板具体可以是TFT基板，而TFT在显示面板中起着传输和控制电信号的作用，即通过它确定施加在液晶层上的电压的大小。
S54：在下基板上形成公共电极层。
进一步地，在下基板上通过物理气相沉积或其他工艺形成公共电极层。
S52：在上基板上形成形成黑矩阵。
具体地，在上基板上对应形成形成黑矩阵。
S55：在上基板和黑矩阵上形成透明电极层，并使至少部分透明电极层与公共电极层电连接。
进一步地，在上基板和黑矩阵上通过物理气相沉积或其他工艺形成透明电极层，也即ITO(氧化铟锡)层，并使至少部分该透明电极层对应与公共电极层导电连接。
可理解的是，黑矩阵背离公共电极层的一端具体是抵接于上基板上，而透明电极层形成在黑矩阵外侧，以能够在通过黑矩阵实现透明电极层与公共电极层，也即上基板和下基板之间电连接的同时，还能够代替支撑柱对上基板和下基板的间隔设置提供支撑，也即，在本实施例中，无需另外再在上基板和下基板之间制作支撑柱，从而大大节省了密封胶的粘结时间，并有效地提高了显示面板的制造效率，节省了制造成本。
且通过将黑矩阵嵌入到透明电极层中，还能够对应使黑矩阵的高度与液晶盒厚相当，故而在大视角下也避免了混色，色偏的现象产生，从而大大的改善了显示面板的显示效果。
在一实施例中，黑矩阵包括主黑矩阵和辅黑矩阵，且主黑矩阵的一端连接透明电极层，另一端上的透明电极层连接公共电极层，而辅黑矩阵的一端连接透明电极层，另一端上的透明电极层与公共电极层间隔设置；通过间隔设置主黑矩阵和辅黑矩阵，一部分主黑矩阵起到支撑作用，而另外的辅黑矩阵起到弹性支撑作用，从工艺方面来说，使得显示面板具有更大的LC margin(液晶量范围)，也即更大的工艺宽容度，从而降低产品制造难度。
在一实施例中，主黑矩阵和辅黑矩阵的外侧面上还形成有反光金属层(图未示出)，以在有光线照射到主黑矩阵和辅黑矩阵上时，将不被吸收，而被该反光金属层反射，从而能够增加光的利用率，进而提升光透过效率。
其中，主黑矩阵和辅黑矩阵的数量之和等于显示面板的亚像素的总数量。
为了获取到更好的LC margin(液晶量范围)，设置主黑矩阵的数量小于辅黑矩阵的数量。进一步地，主黑矩阵和辅黑矩阵的数量之比为2:100-10:100。通过设置更多的辅黑矩阵，在保证面板之间的支撑同时，增大面板之间的弹性支撑，从而使得显示面板具有更好的LC margin(液晶量范围)，也即工艺宽容度更大，从而进一步降低制造难度，进而提升产品工艺和良率，提升生产制造产能。
在一实施例中，所有黑矩阵均为主黑矩阵，主黑矩阵的一端连接透明电极层，另一端连接公共电极层；主黑矩阵的数量和显示面板的亚像素的数量相同。通过将所有黑矩阵设置为主黑矩阵，因此所有主黑矩阵均充当支撑柱，起到支撑作用，同时由于所有的主黑矩阵均具有导电性能，因此面板中每个像素处均通过主黑矩阵导电导通，均匀分布在显示面板可显示区的主黑矩阵也能够使显示面板的电势均匀度更好，从而使得显示面板能够达到更好的显示均一度。
进一步地，可在黑矩阵的外侧面上形成有反光金属层(图未示出)，以在有光线照射到黑矩阵上时，光将不被吸收，而被该反光金属层反射，从而能够增加光的利用率，进而提升光透过效率，提高显示面板的显示效果。
本申请还提供了一种电子装置，请参阅图10，图10是本申请显示器一实施方式的结构示意图。其中，该显示器61包括相互电连接的电路基板611以及设置在电路基板611上的显示面板612。
需说明的是，电路基板611具体是用于为显示面板612提供电源、驱动电压，并与外部器件或设备实现电连接的电路逻辑线路板，而本实施例所阐述的显示面板612为上述实施例中任一项所阐述的显示面板20，在此就不再赘述。
区别于现有技术的情况，本申请提供的显示面板包括：上基板和下基板，上基板上还形成有透明电极层，下基板上还形成有公共电极层，而在显示面板的可显示区还包括黑矩阵，且黑矩阵为导电黑矩阵，以能够使透明电极层与公共电极层实现导电连接，而无需另外在显示面板的非显示区设置金球实现透明电极层与公共电极层的导电连接，进而能够有效减少非显示区的占用空间，以实现显示面板的窄边框或无边框设计。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括上基板和下基板，所述上基板上形成有透明电极层，所述下基板上形成有公共电极层，其特征在于，
在所述显示面板的显示区还包括黑矩阵，至少部分所述黑矩阵的一端连接所述透明电极层，另一端连接所述公共电极层，所述黑矩阵为导电黑矩阵，以将所述透明电极层与所述公共电极层电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述黑矩阵中混杂有导电粒子，以使所述黑矩阵带有导电性。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述黑矩阵中与所述透明电极层和所述公共电极层相接触的所述导电粒子的外侧面上形成有第一刺突。
4.根据权利要求3中任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述公共电极层连接所述黑矩阵的一侧面上形成有第二刺突，所述透明电极层上与所述黑矩阵相接触的区域形成有第三刺突。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述黑矩阵包括主黑矩阵和辅黑矩阵，所述主黑矩阵的一端连接所述透明电极层，另一端连接所述公共电极层，所述辅黑矩阵的一端连接所述透明电极层，另一端与所述公共电极层间隔设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述主黑矩阵和所述辅黑矩阵的数量之和等于所述显示面板的亚像素的总数量；所述主黑矩阵的数量小于所述辅黑矩阵的数量。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述主黑矩阵和所述辅黑矩阵的数量之比为2:100-10:100。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述主黑矩阵和所述辅黑矩阵的外侧面上还形成有反光金属层。
9.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述黑矩阵均为主黑矩阵，所述主黑矩阵的一端连接所述透明电极层，另一端连接所述公共电极层；所述主黑矩阵的数量和显示面板的亚像素的数量相同。
10.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述显示面板的制造方法包括：
提供上基板；
提供下基板；
在所述下基板上形成公共电极层；
在所述上基板上形成所述透明电极层；在所述公共电极层上形成所述黑矩阵，并使所述黑矩阵与所述透明电极层对应连接；其中，黑矩阵为导电黑矩阵，以将透明电极层与公共电极层电连接。
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