JP2010027569A - 導電性粒子、異方性導電フィルム、及び接合体、並びに、接続方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の導電性粒子は、高分子微粒子と、前記高分子微粒子の表面に形成された導電層とを備える導電性粒子であって、前記導電層の最外殻がニッケル−パラジウム合金層であることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
<1> 高分子微粒子と、前記高分子微粒子の表面に形成された導電層とを備える導電性粒子であって、前記導電層の最外殻がニッケル−パラジウム合金層であることを特徴とする導電性粒子である。
該導電性粒子では、導電層の最外殻がニッケル−パラジウム合金層であるので、高硬度を保ったまま応力を抑制することができ(接続時に潰れた状態でもクラックが入りにくく)、ITO基板のみならず、IZO基板に対しても十分な導通信頼性を確保することができる。
<2> ニッケル−パラジウム合金層は、厚さが5nm〜20nmである前記<1>に記載の導電性粒子である。
<3> ニッケル−パラジウム合金層が、高分子微粒子の表面にパラジウム触媒を担持させて、促進剤を用いることにより形成された前記<1>から<2>のいずれかに記載の導電性粒子である。
<4> 導電層が、高分子微粒子の表面に形成されたニッケルメッキ層を有する前記<1>から<3>のいずれかに記載の導電性粒子である。
<5> 導電層は、厚さが50nm〜150nmである前記<1>から<4>のいずれかに記載の導電性粒子である。
<6> 圧縮変形40%〜70%における圧縮弾性率が100kgf/mm2〜1,000kgf/mm2であり、
圧縮変形回復率が10%〜70%である前記<1>から<5>のいずれかに記載の導電性粒子である。
<7> ニッケル、パラジウム、コバルト、及びクロムの少なくともいずれかを核とする突起をさらに備える前記<1>から<6>のいずれかに記載の導電性粒子である。
<8> IZO(Indium zinc oxide)基板の接続に用いられる前記<1>から<7>のいずれかに記載の導電性粒子である。
<9> 前記<1>から<8>のいずれかに記載の導電性粒子と、バインダーとを備える異方性導電フィルムであって、前記バインダーがエポキシ樹脂及びアクリレート樹脂の少なくともいずれかを含むことを特徴とする異方性導電フィルムである。
<10> フェノキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、及びウレタン樹脂の少なくともいずれかを、異方性導電性フィルムに対して10質量%〜80質量%含む前記<9>に記載の異方性導電フィルムである。
<11> 加熱により活性化する潜在性硬化剤を含む前記<10>に記載の異方性導電フィルムである。
<12> 加熱により遊離ラジカルを発生させる潜在性硬化剤を含む前記<10>に記載の異方性導電フィルムである。
<13> 硬化率が80%以上の場合、40℃以下における弾性率が0.5GPa以上であり、かつ、ガラス転移点が50℃以上である前記<9>から<12>に記載の異方性導電フィルムである。
<14> 第1の回路部材と、前記第1の回路部材に対向する第2の回路部材と、前記第1の回路部材及び前記第2の回路部材間に配設された前記<9>から<13>のいずれかに記載の異方性導電フィルムとを備え、前記第1の回路部材における電極と、前記第2の回路部材における電極とが、導電性粒子を介して接続されたことを特徴とする接合体である。
<15> 第1の回路部材及び第2の回路部材の少なくともいずれかが、IZO(Indium zinc oxide)基板である前記<14>に記載の接合体である。
<16> 前記<9>から<13>のいずれかに記載の異方性導電フィルムを用いた接続方法であって、第1の回路部材及び第2の回路部材間に前記異方性導電フィルムを配設する配設工程と、前記第1の回路部材を前記第2の回路部材に向かって押圧する押圧工程と、前記第1の回路部材における電極と、前記第2の回路部材における電極とを、導電性粒子を介して接続する接続工程とを含むことを特徴とする接続方法である。
<17> 第1の回路部材及び第2の回路部材の少なくともいずれかが、IZO(Indium zinc oxide)基板である前記<16>に記載の接続方法である。
本発明の導電性粒子は、高分子微粒子と、導電層とを少なくとも備え、必要に応じて、突起などを有する。
また、該導電性粒子は、圧縮変形40〜70%における圧縮弾性率が100kgf/mm2〜1,000kgf/mm2であり、圧縮変形回復率が10%〜70%であることが好ましく、ITO(Indium tin oxide)基板の接続のみならず、IZO(Indium zinc oxide)基板の接続にも好適に用いられる。
一方、導電性粒子の圧縮変形40〜70%における圧縮弾性率が1,000kgf/mm2を超えると、導電性粒子が硬過ぎて潰すことができず、良好な接続信頼性を保つことができなくなる。
高分子微粒子を構成する有機高分子としては、アクリレート樹脂、スチレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。また、前記有機高分子は、上記の樹脂を構成するモノマーに基づく繰り返し単位のうちの少なくとも2種以上を任意に組み合わせた構造を有する共重合体でもよいが、ベンゾグアナミン、アクリル酸エステル、ジアリルフタレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジビニルベンゼン及びスチレンからなる群より選ばれる少なくとも2種以上を共重合させて得られる共重合体が好ましく、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジビニルベンゼン、及びスチレンを組合せて得られる共重合体がより好ましい。
前記導電層としては、高分子微粒子の表面に形成され、最外殻がニッケル−パラジウム合金層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記高分子微粒子の表面にニッケルメッキ層が形成されているものが好ましい。なお、厚さは、50nm〜150nmであることが好ましい。
前記導電層を50nmより薄くしようとすると、接続後に十分な電気特性が得られ難い。また、前記導電層を150nmより厚くしようとすると、凝集粒子が多く発生し、ショート発生率が高くなり、好ましくない。
前記ニッケル−パラジウム合金層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、厚さが、3nm〜150nmであることが好ましく、5nm〜20nmであることがより好ましい。
ここで、前記ニッケル−パラジウム合金層の厚さの測定方法は、まず、エポキシ接着剤に導電性粒子を分散させて、研磨機(丸本ストルアス社製)で粒子断面を削りだす。SEM(キーエンス社製、品番VE−8800)にて測定する。
前記ニッケル−パラジウム合金層におけるニッケルとパラジウムとの合金比率は、接続する基材(第1の回路部材、第2の回路部材)の種類によって、硬度、導電性、及びイオン化傾向差などを考慮にいれて、金属塩の配合比率を変えてメッキすることで任意に設計可能である。
前記ニッケルメッキ層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、厚さが30nm〜150nmであることが好ましく、30nm〜147nmであることがより好ましい。
前記ニッケルメッキ層を30nmより薄くしようとすると、高分子微粒子との密着性が低下し、剥離し易くなる。また、前記ニッケル−パラジウム合金層を150nmより厚くしようとすると、凝集体が多く発生し、ショート発生率が高くなり好ましくない。
前記突起としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ニッケル、パラジウム、コバルト、及びクロムの少なくともいずれかを核とするものが挙げられる。
前記圧縮弾性率(K値(kgf/mm2))は、20℃雰囲気下で微小圧縮試験機(PCT−200島津製作所製)を用いて測定し、下記式で求めることができる。
K=(3/√2)・F・S−3/2・R−1/2
F:導電性粒子の40〜70%圧縮変形における各荷重値(N)
S:導電性粒子の40〜70%圧縮変形における各圧縮変位(mm)
R:導電性粒子の半径(mm)
前記圧縮変形回復率とは、微小圧縮試験機にて導電性粒子を反転荷重値9.8mNまで圧縮した後、逆に荷重を減らしていくときの、荷重値と圧縮変位との関係を測定して得られる値であり、荷重を除く際の終点を原点荷重値0.98mN、負荷及び除負荷における圧縮速度0.2842mN/秒として測定され、反転の点までの変位(L1)と反転の点から原点荷重値を取る点までの変位(L2)との比(L2/L1)を百分率にて表した値である。
本発明の異方性導電フィルムは、本発明の導電性粒子と、バインダーとを少なくとも備え、必要に応じて、潜在性硬化剤、常温で固形である樹脂などを有する。
一般的に、異方性導電膜は、導電性粒子を40〜70%変形させて接続することで、高い接続信頼性を得ることができる。
該異方性導電フィルムは、硬化率が80%以上の場合、40℃以下における弾性率が0.5GPa以上であり、かつ、ガラス転移点が50℃以上であることが好ましい。
弾性率が0.5GPa未満であると、端子間に挟まれ変形した導電性粒子を押さえ込むことができず、抵抗値が上昇し接続信頼性が悪化する。また、ガラス転移点が50℃未満であると、電子部品駆動時に発生する熱等により、異方性導電フィルムが軟化するため、導電性粒子を押さえ込むことができなくなり、接続不良を引き起こす。
前記バインダーとしては、エポキシ樹脂及びアクリレート樹脂の少なくともいずれかである限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、
例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラッ
ク型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上
を併用してもよい。
前記アクリレート樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
また、前記アクリレートをメタクリレートにしたものが挙げられ、これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記潜在性硬化剤は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、加熱により活性化する潜在性硬化剤、加熱により遊離ラジカルを発生させる潜在性硬化剤などが挙げられる。
前記加熱により活性化する潜在性硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリアミン、イミダゾール等のアニオン系硬化剤やスルホニウム塩などのカチオン系硬化剤などが挙げられる。
前記加熱により遊離ラジカルを発生させる潜在性硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機過酸化物やアゾ化合物などが挙げられる。
前記常温で固形である樹脂としては、フェノキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、及びウレタン樹脂などが挙げられ、異方性導電フィルムに対して10質量%〜80質量%含むことが好ましい。
前記樹脂が異方性導電フィルムに対して10質量%未満であると、膜性に欠け、リール状の製品にしたときにブロッキング現象を引き起こす。また、前記樹脂が異方性導電フィルムに対して80質量%を超えると、フィルムのタックが低下して回路部材に貼り付かなくなる。
本発明の接合体は、第1の回路部材と、前記第1の回路部材に対向する第2の回路部材と、前記第1の回路部材及び前記第2の回路部材間に配設された本発明の異方性導電フィルムとを備え、前記第1の回路部材における電極と、前記第2の回路部材における電極とが、導電性粒子を介して接続されている。
前記第1の回路部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、FPC基板、PWB基板が挙げられる。
前記第2の回路部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、FPC基板、COF基板、TCP基板、PWB基板、IC基板、パネル等が挙げられる。
IZO配線は、幅広い温度範囲(室温〜350℃)で成膜が可能で、安定して非晶成膜の形成が可能である。
そのため、IZO配線は、ITO配線よりも、図5及び図6に示す写真のように、成膜面の平滑性が高く、膜内において均一で高い導電性が得られ、また、Glass基板への負荷が低減されるだけでなく、工程も簡略化され安価に製造が可能となる。
また、図5及び図6より、IZO配線は非晶質で表面が平滑であるのに対して、ITO配線は結晶質で表面粗度が高いことが判る。
IZO配線は、稜共有したIn八面体構造の連なりが多い非晶構造であり、それが優れた導電性の原因であると考えられている。
本発明の接続方法は、配設工程と、押圧工程と、接続工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
前記配設工程は、第1の回路部材及び第2の回路部材間に、本発明の異方性導電フィルムを配設する工程である。
前記第1の回路部材及び前記第2の回路部材の少なくともいずれかが、IZO(Indium zinc oxide)基板であることが好ましい。
前記押圧工程は、前記第1の回路部材を前記第2の回路部材に向かって押圧する工程である。
前記接続工程は、第1の回路部材における電極と、第2の回路部材における電極とを、導電性粒子を介して接続する工程である。
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
<導電性粒子A1の作製>
−基材粒子(樹脂粒子)の作製−
ジビニルベンゼン、スチレンモノマー、ブチルメタクリレートの混合溶液に、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを投入して高速で均一撹拌しながら加熱をおこない重合反応を行うことで微粒子分散液を得た。この微粒子分散液をろ過し減圧乾燥することで、微粒子の凝集体であるブロック体を得た。さらに、このブロック体を粉砕することで、それぞれ架橋密度の異なる平均粒子径3.8μmの基材粒子(樹脂粒子)を作製した。
前記作製された樹脂粒子の表面に、パラジウム触媒(ムロマチテクノス社製、商品名:MK−2605)を担持させて、促進剤(ムロマチテクノス社製、商品名:MK−370)にて活性化させた樹脂粒子を、60℃に加温した硫酸ニッケル水溶液、次亜燐酸ナトリウム水溶液、及び酒石酸ナトリウム水溶液の混合液中に投入して無電解メッキ前工程を行った。20分間攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認した。次に、硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、メッキ安定剤の混合溶液を添加し、pHが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するまで無電解メッキ後工程を行った。続いて、メッキ液を濾過し、濾過物を水で洗浄した後、80℃の真空乾燥機で乾燥してニッケルメッキされた導電性粒子を作製した。
塩化金酸ナトリウムとイオン交換水との混合溶液に、ニッケルメッキされた導電性粒子を投入して混合した後、チオ硫酸アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、及び、リン酸水素アンモニウムを投入しメッキ液を調製した。得られたメッキ液にヒドロキシルアミンを投入後、アンモニアを用いてpHを10に合わせ、浴温を65℃にし、20分程度反応させることにより、最外殻が金メッキされた(最外層が金層である)導電性粒子A1を作製した。
−圧縮弾性率(K値)及び圧縮変形回復率の測定−
作製した導電性粒子A1を、微小圧縮試験機(PCT−200島津製作所製)を用いて、50%圧縮変形における圧縮弾性率(K値)と、圧縮変形回復率とを測定した。20℃雰囲気下で測定を行い、圧縮弾性率測定は、圧縮速度0.2gf/secで各圧縮率における値を読み取った。圧縮変形回復率は、圧縮速度0.2gf/sec、原点加重値0.1gf、反転加重値1.0gfで行った。結果を表1に示す。
作製した導電性粒子A1をエポキシ接着剤に分散させて硬化させた後、研磨機(丸本ストルアス社製)で粒子断面を削りだしたものをSEM(キーエンス社製、品番VE−8800)にて観察し測定を行った。結果を表1に示す。
熱硬化性バインダーとして、マイクロカプセル型アミン系硬化剤(旭化成ケミカルズ社製、商品名ノバキュアHX3941HP)を50部、液状エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、商品名EP828)を14部、フェノキシ樹脂(東都化成社製、商品名YP50)を35部、シランカップリング剤(信越化学社製、商品名KBE403)を1部に、前記作製された導電性粒子A1を体積比率10%になるように分散させて、シリコン処理された剥離PETフィルム上に厚み20μmになるように塗布して、シート状の異方性導電フィルムを作製した。
IZO配線の実装体A1の作製を行った。評価基材として、COF(ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社評価用COF、50μmP、Cu8μmt−Snメッキ、38μmt−S’perflex基材)と、IZOベタガラス(ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社評価用ITOベタガラス、IZOメッキ厚300nm、ガラス厚0.7mm)との接続を以下のように行った。まず、IZOベタガラス上に、1.5mm幅にスリットされた異方性導電フィルムを、圧着機ツール幅1.5mm、緩衝材70μm厚テフロン(登録商標)を用いて、仮圧着条件80℃−1MPa−2secで仮貼りし、剥離PETフィルムを剥がし、続いて、COFを、同圧着機で、仮固定条件80℃−0.5MPa−0.5secで仮固定をおこない、最後に、本圧着として、圧着機1.5mm幅ツール、緩衝材70μm厚テフロン(登録商標)を用いて、圧着条件190℃−3MPa−10sec、で圧着を行い、実装体(接合体)を完成させた。
IZO配線の実装体A1の作製において、IZOベタガラスをITOベタガラス(ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社評価用ITOベタガラス、ITOメッキ厚300nm、ガラス厚0.7mm)に変えた以外は、IZO配線の実装体A1の作製と同様に、ITO配線の実装体A1を作製した。
作製したIZO配線の実装体A1及びITO配線の実装体A1について、4端子法を用いて電流1mAを流したときの接続抵抗の測定を行った。結果を表2に示す。
比較例1において、金メッキを行う代わりに、以下に示すパラジウムメッキを行った以外は、比較例1と同様にして、導電性粒子A2の作製、導電性粒子A2の評価、異方性導電フィルムの作製、IZO配線の実装体A2の作製、ITO配線の実装体A2の作製、及び実装体A2の接続抵抗測定を行った。結果を表1及び表2に示す。
テトラクロロパラジウム、エチレンジアミン、アミノピリジン、次亜リン酸ナトリウム、ポリエチレングリコール、及びイオン交換水を含む混合溶液中に、ニッケルメッキされた導電性粒子を投入して混合した後、アンモニアを用いてpHを7.5に合わせ、浴温を60℃にし、20分程度反応させることにより、最外層がパラジウムメッキされた導電性粒子A2を作製した。
比較例1で作製した樹脂粒子の表面に、パラジウム触媒(ムロマチテクノス社製、商品名:MK−2605)を担持させて、促進剤(ムロマチテクノス社製、商品名:MK−370)にて活性化させた樹脂粒子を、浴温60℃でアンモニアによってpHが8になるよう調整された塩化パラジウム、塩化ニッケル、エチレンジアミン、チオジグエリコール酸、次亜燐酸ナトリウムの混合溶液に投入し、最外殻にニッケル−パラジウム合金メッキを施した(最外層がニッケル−パラジウム合金層である)導電性粒子A3を作製し、さらに、比較例1と同様にして、導電性粒子A3の評価、異方性導電フィルムの作製、IZO配線の実装体A3の作製、ITO配線の実装体A3の作製、及び実装体A3の接続抵抗測定を行った。結果を表1及び表2に示す。
比較例1において、金メッキを行う代わりに、以下に示すニッケル−パラジウム合金メッキを行った以外は、比較例1と同様にして、導電性粒子A4の作製、導電性粒子A4の評価、異方性導電フィルムの作製、IZO配線の実装体A4の作製、ITO配線の実装体A4の作製、及び実装体A4の接続抵抗測定を行った。結果を表1及び表2に示す。
塩化パラジウム、塩化ニッケル、エチレンジアミン、チオジグエリコール酸、及び次亜燐酸ナトリウムの混合溶液中に、ニッケルメッキされた導電性粒子を投入して混合した後、アンモニアを用いてpHを8に合わせ、浴温を60℃にし、最外殻にニッケル−パラジウム合金メッキを施した(最外層がニッケル−パラジウム合金層である)導電性粒子A4を作製した。
比較例1で作製した樹脂粒子を脱イオン水中に3分間分散させた後、ニッケルスラリー(100nm)を投入し、攪拌することでニッケルスラリーを付着させた基材粒子を得た。さらに、比較例1のニッケルメッキの無電解メッキの前工程及び後工程と同様の処理を行い、ニッケル突起の付いた導電性粒子を作製した。さらに、実施例2におけるニッケル−パラジウム合金メッキを施して、導電性粒子A5を作製し、さらに、比較例1と同様にして、導電性粒子A5の評価、異方性導電フィルムの作製、IZO配線の実装体A5の作製、ITO配線の実装体A5の作製、及び実装体A5の接続抵抗測定を行った。結果を表1及び表2に示す。
実施例3において、表1に示すような圧縮弾性率、圧縮変形回復率となるように、ジビニルベンゼン、スチレンモノマー、ブチルメタクリレートの混合比を変えた以外は、実施例3と同様にして、導電性粒子A6〜A14の作製、導電性粒子A6〜A14の評価、異方性導電フィルムの作製、IZO配線の実装体A6〜A14の作製、ITO配線の実装体A6〜A14の作製、及び実装体A6〜A14の接続抵抗測定を行った。結果を表1及び表2に示す。
実施例6において、ニッケル−パラジウム合金メッキにおける塩化ニッケルを硫酸銅に代え、最外殻に銅−パラジウム合金メッキを施した(最外層が銅−パラジウム合金層である)こと以外は、実施例6と同様にして、導電性粒子A15の作製、導電性粒子A15の評価、異方性導電フィルムの作製、IZO配線の実装体A15の作製、ITO配線の実装体A15の作製、及び実装体A15の接続抵抗測定を行った。結果を表1及び表2に示す。
実施例6において、ニッケル−パラジウム合金メッキにおける塩化ニッケルをシアン化金カリウムに代え、最外殻に金−パラジウム合金メッキを施した(最外層が金−パラジウム合金層である)こと以外は、実施例6と同様にして、導電性粒子A16の作製、導電性粒子A16の評価、異方性導電フィルムの作製、IZO配線の実装体A16の作製、ITO配線の実装体A16の作製、及び実装体A16の接続抵抗測定を行った。結果を表1及び表2に示す。
比較例1において、信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値が高いのは、金メッキは軟らかく、IZO配線に潜り込むことができないためであると考えられる。
また、比較例2のパラジウムメッキ粒子は、ITO配線に対する初期における抵抗値が低く、ITO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値も低く、IZO配線に対する初期における抵抗値は低いものの、IZO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値が高いことが判った。さらに、パラジウムメッキの割れ具合をSEMで観察したところ、無数のメッキヒビ割れを生じているのが確認された。
比較例2において、信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値が高いのは、パラジウムメッキは硬く脆いために、無数のメッキひび割れを生じるためであると考えられる。
また、比較例3の銅−パラジウムメッキ粒子は、ITO配線に対する初期における抵抗値が低く、ITO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値も低いが、IZO配線に対する初期における抵抗値が高く、IZO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値がさらに上昇することが判った。
また、比較例4の金−パラジウムメッキ粒子は、ITO配線に対する初期における抵抗値が低く、ITO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値も低いが、IZO配線に対する初期における抵抗値が高く、IZO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値がさらに上昇することが判った。
これに対し、実施例1〜3、5、6、8、10、及び12のニッケルパラジウムメッキ粒子は、ITO配線に対する初期における抵抗値、ITO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値、IZO配線に対する初期における抵抗値、及びIZO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値のいずれも低い抵抗値を示した。
以上より、パラジウム合金メッキにすることにより、硬さと延転性を両立でき、IZO配線に対する抵抗値を低くすることができることが判った。
実施例4の圧縮弾性率が70kgf/mm2と低い導電性粒子は、IZO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値が実施例1〜3、5、6,8、10、及び12の導電性粒子よりも高かった。
実施例7の圧縮弾性率が1,100kgf/mm2と高い導電性粒子は、IZO配線に対する初期における抵抗値が実施例1〜3、5、6、8、10、及び12の導電性粒子よりも高く、信頼性試験(85℃/85%/500hr)後の抵抗値も他の実施例の導電性粒子よりも高かった。
実施例9の圧縮変形回復率が5%と低い導電性粒子は、IZO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値が実施例1〜3、5、6、8、10、及び12の導電性粒子よりも高かった。
実施例11の圧縮変形回復率が80%と高い導電性粒子は、IZO配線に対する信頼性試験(85℃/85%/500hr)後における抵抗値が実施例1〜3、5、6,8、10、及び12の導電性粒子よりも高かった。
11 導電層
11a ニッケル−パラジウム合金層
11b ニッケル層
12 高分子微粒子
13 突起
Claims (17)
- 高分子微粒子と、前記高分子微粒子の表面に形成された導電層とを備える導電性粒子であって、前記導電層の最外殻がニッケル−パラジウム合金層であることを特徴とする導電性粒子。
- ニッケル−パラジウム合金層は、厚さが5nm〜20nmである請求項1に記載の導電性粒子。
- ニッケル−パラジウム合金層が、高分子微粒子の表面にパラジウム触媒を担持させて、促進剤を用いることにより形成された請求項1から2のいずれかに記載の導電性粒子。
- 導電層が、高分子微粒子の表面に形成されたニッケルメッキ層を有する請求項1から3のいずれかに記載の導電性粒子。
- 導電層は、厚さが50nm〜150nmである請求項1から4のいずれかに記載の導電性粒子。
- 圧縮変形40%〜70%における圧縮弾性率が100kgf/mm2〜1,000kgf/mm2であり、
圧縮変形回復率が10%〜70%である請求項1から5のいずれかに記載の導電性粒子。 - ニッケル、パラジウム、コバルト、及びクロムの少なくともいずれかを核とする突起をさらに備える請求項1から6のいずれかに記載の導電性粒子。
- IZO(Indium zinc oxide)基板の接続に用いられる請求項1から7のいずれかに記載の導電性粒子。
- 請求項1から8のいずれかに記載の導電性粒子と、バインダーとを備える異方性導電フィルムであって、前記バインダーがエポキシ樹脂及びアクリレート樹脂の少なくともいずれかを含むことを特徴とする異方性導電フィルム。
- フェノキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、及びウレタン樹脂の少なくともいずれかを、異方性導電フィルムに対して10質量%〜80質量%含む請求項9に記載の異方性導電フィルム。
- 加熱により活性化する潜在性硬化剤を含む請求項10に記載の異方性導電フィルム。
- 加熱により遊離ラジカルを発生させる潜在性硬化剤を含む請求項10に記載の異方性導電フィルム。
- 硬化率が80%以上の場合、40℃以下における弾性率が0.5GPa以上であり、かつ、ガラス転移点が50℃以上である請求項9から12に記載の異方性導電フィルム。
- 第1の回路部材と、前記第1の回路部材に対向する第2の回路部材と、前記第1の回路部材及び前記第2の回路部材間に配設された請求項9から13のいずれかに記載の異方性導電フィルムとを備え、前記第1の回路部材における電極と、前記第2の回路部材における電極とが、導電性粒子を介して接続されたことを特徴とする接合体。
- 第1の回路部材及び第2の回路部材の少なくともいずれかが、IZO(Indium zinc oxide)基板である請求項14に記載の接合体。
- 請求項9から13のいずれかに記載の異方性導電フィルムを用いた接続方法であって、
第1の回路部材及び第2の回路部材間に前記異方性導電フィルムを配設する配設工程と、
前記第1の回路部材を前記第2の回路部材に向かって押圧する押圧工程と、
前記第1の回路部材における電極と、前記第2の回路部材における電極とを、導電性粒子を介して接続する接続工程とを含むことを特徴とする接続方法。 - 第1の回路部材及び第2の回路部材の少なくともいずれかが、IZO(Indium zinc oxide)基板である請求項16に記載の接続方法。
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