TW201903786A - 樹脂組合物及導通檢查用構件 - Google Patents

樹脂組合物及導通檢查用構件 Download PDF

Info

Publication number
TW201903786A
TW201903786A TW107118717A TW107118717A TW201903786A TW 201903786 A TW201903786 A TW 201903786A TW 107118717 A TW107118717 A TW 107118717A TW 107118717 A TW107118717 A TW 107118717A TW 201903786 A TW201903786 A TW 201903786A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
particles
conductive
resin composition
hardness
substrate
Prior art date
Application number
TW107118717A
Other languages
English (en)
Inventor
真原茂雄
Original Assignee
日商積水化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商積水化學工業股份有限公司 filed Critical 日商積水化學工業股份有限公司
Publication of TW201903786A publication Critical patent/TW201903786A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

本發明提供一種可有效地防止導通對象構件之損傷，且可有效地提高導通檢查之可靠性之樹脂組合物。 本發明之樹脂組合物包含導電性粒子、熱硬化性化合物、及熱硬化劑，且於樹脂組合物100重量%中，上述導電性粒子之含量為50重量%以上，於將樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得硬化物時，依據JIS K6251而測定之上述硬化物之切斷時伸長率為10%以上且100%以下。

Description

樹脂組合物及導通檢查用構件
本發明係關於一種包含導電性粒子之樹脂組合物及導通檢查用構件。又，本發明係關於一種使用上述樹脂組合物之導通檢查用構件。
半導體積體電路等電子電路器件之微細化及積體化之技術不斷發展。伴隨於此，對於用以檢查電子電路器件之電特性之檢查裝置，亦要求與微細化及積體化相對應之技術。近年來，作為電子電路器件等之導通檢查裝置，一直使用有針卡。所謂探針卡，係將多數個導通檢查用探針集聚並捆紮而成之構件，且係用以使接觸探針(contact probe)與電子電路器件之電極墊接觸，並提取電極墊之電訊號之導通檢查用構件。
作為上述導通檢查用構件之一例，下述專利文獻1中揭示有如下導電性片材，其具備形成有複數個電極之檢查對象基板之電極形成面、及對應於上述複數個電極而配設於檢查頭之複數個探針。於上述導電性片材中，於上述電極與和上述電極相對應之探針之間，配置有由彈性體所形成之絕緣層。於上述絕緣層中分散有2種導電性粒子。於上述絕緣層經壓縮之狀態下，上述導電性片材於厚度方向表現出導電性。分散於上述絕緣層之表面部之上述導電性粒子為金屬粒子。分散於上述絕緣層之內部之上述導電性粒子係對彈性體粒子之表面實施有導電性鍍覆之粒子。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-161553號公報
[發明所欲解決之問題]
於使用導通檢查用構件之導通檢查中，使導通檢查用構件之導電部與BGA(Ball Grid Array，球柵陣列)基板等電子電路器件之焊料球等接觸。存在導通檢查用構件之導電部使用導電性粒子與絕緣性樹脂之情形。絕緣性樹脂係用於填充導通檢查用構件之導電部內之空隙而固定導電性粒子。於導通檢查用構件之導電部使用導電性粒子與絕緣性樹脂之情形時，為了提高導通檢查之可靠性，必須確實地排除存在於導電部與焊料球之間之絕緣性樹脂。於導通檢查時，若於導電部與焊料球之間殘留絕緣性樹脂，則存在電阻值增高，或因壓入焊料球之力(壓力)而電阻值產生偏差之情況。作為結果，導通檢查之可靠性降低。
於先前之導通檢查用構件中，存在使用聚矽氧樹脂作為絕緣性樹脂之情形。聚矽氧樹脂為非常柔軟之樹脂，存在於上述導電部之導電性粒子與焊料球之間之聚矽氧樹脂難以排除。因此，若導通檢查用構件之導電部使用聚矽氧樹脂，則為了提高導通檢查之可靠性，必須使用較硬之金屬粒子作為導電性粒子，並強力地壓入焊料球(提高導通檢查之壓力)。
另一方面，為了防止BGA基板等電子電路器件之焊料球之損傷，或應對BGA基板等電子電路器件之窄間距化及導通檢查之小行程化，要求降低導通檢查之壓力，並且提高導通檢查之可靠性。先前之導通檢查用構件難以滿足該等要求。
本發明之目的在於提供一種可有效地防止導通對象構件之損傷，且可有效地提高導通檢查之可靠性之樹脂組合物及導通檢查用構件。又，本發明之目的在於提供一種使用上述樹脂組合物之導通檢查用構件。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之較廣之態樣，提供一種樹脂組合物，其包含導電性粒子、熱硬化性化合物、及熱硬化劑，且於樹脂組合物100重量%中，上述導電性粒子之含量為50重量%以上，於將樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得硬化物時，依據JIS K6251而測定之上述硬化物之切斷時伸長率為10%以上且100%以下。
於本發明之樹脂組合物之某一特定之態樣中，上述導電性粒子具備基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之導電層。
於本發明之樹脂組合物之某一特定之態樣中，於將上述樹脂組合物於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得高度1 mm及直徑0.5 mm之圓柱狀之硬化物時，以荷重10 gf對上述硬化物之圓柱上表面自垂直方向反覆加壓1000次後的硬化物之高度之減少率為0.1%以上且未達15%。
於本發明之樹脂組合物之某一特定之態樣中，上述樹脂組合物係於如下導通檢查用構件中用作導電部之材料，該導通檢查用構件具備具有貫通孔之基體與導電部，且上述貫通孔係於上述基體配置有複數個，上述導電部係配置於上述貫通孔內。
根據本發明之較廣之態樣，提供一種導通檢查用構件，其具備具有貫通孔之基體與導電部，且上述貫通孔係於上述基體配置有複數個，上述導電部係配置於上述貫通孔內，上述導電部之材料為上述樹脂組合物。
根據本發明之較廣之態樣，提供一種導通檢查用構件，其具備具有不貫通之孔之基體、金屬部、及導電部，且上述不貫通之孔係由上述基體與上述金屬部所形成，上述不貫通之孔係於上述基體配置有複數個，上述導電部係配置於上述不貫通之孔之內部，上述導電部之材料為上述樹脂組合物。
於本發明之導通檢查用構件之某一特定之態樣中，上述導電部包含上述導電性粒子、及使上述樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分進行硬化而成之硬化物，且上述導電性粒子之硬度計硬度相對於上述硬化物之硬度計硬度之比超過1，上述基體之硬度計硬度相對於上述硬化物之硬度計硬度之比為1以上，上述導電性粒子之硬度計硬度相對於上述基體之硬度計硬度之比為1以上。 [發明之效果]
本發明之樹脂組合物包含導電性粒子、熱硬化性化合物、及熱硬化劑。關於本發明之樹脂組合物，於樹脂組合物100重量%中，上述導電性粒子之含量為50重量%以上。於將本發明之樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得硬化物時，依據JIS K6251而測定之上述硬化物之切斷時伸長率為10%以上且100%以下。本發明之樹脂組合物由於具備上述構成，故而可有效地防止導通對象構件之損傷，且可有效地提高導通檢查之可靠性。
以下，詳細地說明本發明。
(樹脂組合物) 本發明之樹脂組合物包含導電性粒子、熱硬化性化合物及熱硬化劑。關於本發明之樹脂組合物，於樹脂組合物100重量%中，上述導電性粒子之含量為50重量%以上。於將本發明之樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得硬化物時，依據JIS K6251而測定之上述硬化物之切斷時伸長率為10%以上且100%以下。
於本發明中，由於具備上述構成，故而可有效地防止導通對象構件之損傷，且可有效地提高導通檢查之可靠性。於本發明中，由於上述硬化物之切斷時伸長率為10%以上且100%以下，故而無需使用較硬之金屬粒子作為導電性粒子，無需提高導通檢查之壓力。作為結果，於本發明中，可降低導通檢查之壓力，並且提高導通檢查之可靠性，亦可防止導通對象構件之損傷。例如，於導通檢查時，即便使作為導通對象構件之焊料球與導電部接觸，焊料球亦不易受損。
再者，於本發明之樹脂組合物中，用以測定切斷時伸長率之硬化物係藉由將本發明之樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得。於使用本發明之樹脂組合物時，亦可於在130℃下加熱30分鐘之條件以外之條件下加熱樹脂組合物。
上述樹脂組合物較佳為於如下導通檢查用構件中用作導電部之材料，該導通檢查用構件具備具有貫通孔之基體與導電部，且上述貫通孔係於上述基體配置有複數個，上述導電部係配置於上述貫通孔內。上述樹脂組合物較佳為上述導通檢查用構件之上述導電部之材料。
就更有效地防止導通對象構件之損傷之觀點、及更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，於樹脂組合物100重量%中，上述導電性粒子之含量較佳為55重量%以上，更佳為60重量%以上，進而較佳為70重量%以上。於樹脂組合物100重量%中，上述導電性粒子之含量之上限並無特別限定。於樹脂組合物100重量%中，上述導電性粒子之含量可為90重量%以下。於樹脂組合物100重量%中，若上述導電性粒子之含量為上述下限以上，則可有效地提高導通檢查之可靠性。
本發明之樹脂組合物包含導電性粒子、熱硬化性化合物及熱硬化劑。以下，對樹脂組合物中所含之各成分進行說明。
(導電性粒子) 就更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，上述導電性粒子之粒徑較佳為1 μm以上，更佳為3 μm以上，進而較佳為5 μm以上，且較佳為1000 μm以下，更佳為100 μm以下，進而較佳為30 μm以下，尤佳為10 μm以下。若上述導電性粒子之粒徑為3 μm以上且30 μm以下，則可將上述導電性粒子適宜地用於導通檢查用構件用途。
上述導電性粒子之粒徑較佳為平均粒徑，更佳為數量平均粒徑。上述導電性粒子之粒徑例如係藉由如下方式而求出：利用電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察任意之導電性粒子50個，並算出平均值；或算出複數次之利用雷射繞射式粒度分佈測定裝置測得之測定結果之平均值。
上述導電性粒子之粒徑之變異係數越低越佳，通常為0.1%以上，且較佳為10%以下，更佳為8%以下，進而較佳為5%以下。若上述導電性粒子之粒徑之變異係數為上述下限以上及上述上限以下，則可進一步提高導通可靠性。其中，上述導電性粒子之粒徑之變異係數可為未達5%。
上述變異係數(CV值)能以如下方式進行測定。
CV值(%)＝(ρ/Dn)×100 ρ：導電性粒子之粒徑之標準偏差 Dn：導電性粒子之粒徑之平均值
上述導電性粒子之形狀並無特別限定。上述導電性粒子之形狀可為球狀，亦可為扁平狀等球狀以外之形狀。
就更有效地防止導通對象構件之損傷之觀點、及更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，上述導電性粒子較佳為具備基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之導電層。藉由上述導電性粒子具備基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之導電層，可容易地使導電性粒子之硬度柔軟化。藉由使用柔軟之導電性粒子，可更有效地防止導通對象構件之損傷，且可更有效地提高導通檢查之可靠性。柔軟之導電性粒子可藉由適當調整基材粒子之聚合條件及導電部之硬度而獲得。
關於基材粒子，例如於上述基材粒子為除下述金屬粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子之情形時，藉由進行縮合反應條件、焙燒時之氧分壓、焙燒溫度、焙燒時間之調整，可於縮合反應時抑制自由基聚合反應，並且於焙燒步驟中進行自由基聚合反應。作為結果，可容易地獲得能夠獲得柔軟之導電性粒子之基材粒子。
關於導電部，藉由適當調整作為上述導電部之材料之金屬種、導電部之厚度，上述導電性粒子之物性可與上述基材粒子之物性相輔相成而獲得所需之物性。作為上述金屬種，可列舉包含鎳之材料作為較佳之例。
其次，一面參照圖式，一面對本發明說明具體之實施形態。再者，本發明並非僅限定於以下之實施形態，以下之實施形態能以不損及本發明之特徵之程度適當進行變更、改良等。
圖1係表示本發明之樹脂組合物中可使用之導電性粒子之一例之剖視圖。
圖1所示之導電性粒子1具有基材粒子2與導電層3。導電層3係配置於基材粒子2之表面上。導電性粒子1中，導電層3與基材粒子2之表面接觸。導電層3覆蓋基材粒子2之表面。導電性粒子1係基材粒子2之表面經導電層3被覆之被覆粒子。導電性粒子1中，導電層3為單層之導電層。
導電性粒子1不同於下述導電性粒子11、21，不具有芯物質。導電性粒子1於導電性之表面不具有突起，且於導電層3之外表面不具有突起。導電性粒子1為球狀。
如此，本發明之導電性粒子可於導電性之表面不具有突起，亦可於導電層之外表面不具有突起，亦可為球狀。
圖2係表示本發明之樹脂組合物中可使用之導電性粒子之第1變化例之剖視圖。
圖2所示之導電性粒子11具有基材粒子2、導電層12、及複數個芯物質13。導電層12係配置於基材粒子2之表面上。複數個芯物質13係配置於基材粒子2之表面上。導電層12係以覆蓋基材粒子2與複數個芯物質13之方式配置於基材粒子2之表面上。於導電性粒子11中，導電層12為單層之導電層。
導電性粒子11於外表面具有複數個突起11a。於導電性粒子11中，導電層12於外表面具有複數個突起12a。複數個芯物質13使導電層12之外表面隆起。藉由導電層12之外表面因複數個芯物質13隆起，而形成有突起11a及12a。複數個芯物質13係埋入於導電層12內。於突起11a及12a之內側，配置有芯物質13。於導電性粒子11中，為了形成突起11a及12a，使用複數個芯物質13。於上述導電性粒子中，為了形成上述突起，亦可不使用複數個上述芯物質。於上述導電性粒子中，亦可不具備複數個上述芯物質。
圖3係表示本發明之樹脂組合物中可使用之導電性粒子之第2變化例之剖視圖。
圖3所示之導電性粒子21具有基材粒子2、導電層22、及複數個芯物質13。導電層22係整體上於基材粒子2側具有第1導電層22A，且於與基材粒子2側相反之側具有第2導電層22B。
於導電性粒子11與導電性粒子21中，僅導電層不同。即，於導電性粒子11中，形成有1層構造之導電層12，相對於此，於導電性粒子21中，形成有2層構造之第1導電層22A及第2導電層22B。第1導電層22A與第2導電層22B可形成為不同之導電層，亦可形成為相同之導電層。
第1導電層22A係配置於基材粒子2之表面上。於基材粒子2與第2導電層22B之間配置有第1導電層22A。第1導電層22A與基材粒子2接觸。第2導電層22B與第1導電層22A接觸。於基材粒子2之表面上配置有第1導電層22A，且於第1導電層22A之表面上配置有第2導電層22B。
導電性粒子21於外表面具有複數個突起21a。於導電性粒子21中，導電層22於外表面具有複數個突起22a。第1導電層22A於外表面具有突起22Aa。第2導電層22B於外表面具有複數個突起22Ba。於導電性粒子21中，導電層22為2層之導電層。導電層22亦可為2層以上之導電層。
以下，說明導電性粒子之其他詳細情況。再者，於以下之說明中，「(甲基)丙烯酸」係指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」之一者或兩者，「(甲基)丙烯酸酯」係指「丙烯酸酯」與「甲基丙烯酸酯」之一者或兩者。
基材粒子： 作為上述基材粒子，可列舉：樹脂粒子、除金屬粒子以外之無機粒子、有機無機混合粒子及金屬粒子等。上述基材粒子較佳為除金屬粒子以外之基材粒子，更佳為樹脂粒子、除金屬粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子。上述基材粒子亦可為具備核與配置於該核之表面上之殼的核殼粒子。
上述基材粒子進而較佳為樹脂粒子或有機無機混合粒子，可為樹脂粒子，亦可為有機無機混合粒子。藉由使用該等較佳之基材粒子，可更有效地發揮本發明之效果，獲得更適於導通檢查用構件之材料之導電性粒子。
作為上述樹脂粒子之材料，可適宜地使用各種樹脂。作為上述樹脂粒子之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚異丁烯、聚丁二烯等聚烯烴樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂；聚對苯二甲酸烷二酯、聚碳酸酯、聚醯胺、苯酚甲醛樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、苯并胍胺甲醛樹脂、脲甲醛樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、苯并胍胺樹脂、脲樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、聚碸、聚苯醚、聚縮醛、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚碸、及使1種或者2種以上之具有乙烯性不飽和基之各種聚合性單體進行聚合而獲得之聚合物等。
由於可容易地將基材粒子之硬度控制為適宜之範圍內，故而上述樹脂粒子之材料較佳為使1種或2種以上之具有複數個乙烯性不飽和基之聚合性單體進行聚合而成之聚合物。
於使具有乙烯性不飽和基之聚合性單體進行聚合而獲得上述樹脂粒子之情形時，作為上述具有乙烯性不飽和基之聚合性單體，可列舉非交聯性之單體與交聯性之單體。
作為上述非交聯性之單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；(甲基)丙烯酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等含羧基之單體；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異酯等(甲基)丙烯酸烷基酯化合物；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、甘油(甲基)丙烯酸酯、聚氧乙烯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含氧原子之(甲基)丙烯酸酯化合物；(甲基)丙烯腈等含腈之單體；乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯等酸乙烯酯化合物；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯等不飽和烴；(甲基)丙烯酸三氟甲酯、(甲基)丙烯酸五氟乙酯、氯乙烯、氟乙烯、氯苯乙烯等含鹵素之單體等。
作為上述交聯性之單體，例如可列舉：四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯化合物；(異)氰尿酸三烯丙酯、偏苯三酸三烯丙酯、二乙烯苯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、二烯丙基丙烯醯胺、二烯丙基醚；γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷基苯乙烯、乙烯基三甲氧基矽烷等含矽烷之單體等。
藉由利用公知之方法使上述具有乙烯性不飽和基之聚合性單體進行聚合，可獲得上述樹脂粒子。作為該方法，例如可列舉：於自由基聚合起始劑之存在下進行懸浮聚合之方法、以及使用非交聯之種粒子使單體與自由基聚合起始劑一併膨潤而進行聚合之方法等。
於上述基材粒子為除金屬粒子以外之無機粒子或有機無機混合粒子之情形時，作為上述基材粒子之材料之無機物可列舉：氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鋯及碳黑等。上述無機物較佳為不為金屬。作為由上述氧化矽所形成之粒子，並無特別限定，例如可列舉藉由如下方式而獲得之粒子：於使具有2個以上水解性之烷氧基矽烷基之矽化合物水解而形成交聯聚合物粒子後，視需要進行焙燒。作為上述有機無機混合粒子，例如可列舉：由經交聯之烷氧基矽烷基聚合物與丙烯酸系樹脂所形成之有機無機混合粒子等。
上述有機無機混合粒子較佳為具有核與配置於該核之表面上之殼的核殼型之有機無機混合粒子。上述核較佳為有機核。上述殼較佳為無機殼。就更有效地防止導通對象構件之損傷之觀點、及更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，上述基材粒子較佳為具有有機核與配置於上述有機核之表面上之無機殼的有機無機混合粒子。
作為上述有機核之材料，可列舉上述樹脂粒子之材料等。
作為上述無機殼之材料，可列舉作為上述基材粒子之材料而列舉之無機物。上述無機殼之材料較佳為氧化矽。上述無機殼較佳為藉由如下方式而形成：於上述核之表面上，藉由溶膠凝膠法使金屬烷氧化物形成為殼狀物後，對該殼狀物進行焙燒。上述金屬烷氧化物較佳為矽烷烷氧化物。上述無機殼較佳為由矽烷烷氧化物所形成。
於上述基材粒子為金屬粒子之情形時，作為該金屬粒子之材料之金屬可列舉：銀、銅、鎳、矽、金及鈦等。其中，上述基材粒子較佳為不為金屬粒子。
上述基材粒子之粒徑較佳為1 μm以上，更佳為3 μm以上，進而較佳為5 μm以上，且較佳為1000 μm以下，更佳為100 μm以下，進而較佳為30 μm以下，尤佳為10 μm以下。若上述基材粒子之粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則可更有效地提高導通檢查之可靠性。進而於在基材粒子之表面形成導電部時不易凝聚，而不易形成凝聚之導電性粒子。
上述基材粒子之粒徑於基材粒子為真球狀之情形時表示直徑，於基材粒子不為真球狀之情形時表示最大直徑。
上述基材粒子之粒徑表示數量平均粒徑。上述基材粒子之粒徑係使用粒度分佈測定裝置等而求出。基材粒子之粒徑較佳為藉由利用電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察任意之基材粒子50個，並算出平均值而求出。於導電性粒子中，於測定上述基材粒子之粒徑之情形時，例如能以如下方式進行測定。
以導電性粒子之含量成為30重量%之方式，添加至Kulzer公司製造之「TECHNOVIT 4000」中並使其分散，製作導電性粒子檢查用嵌入樹脂。以通過分散於導電性粒子檢查用嵌入樹脂中之導電性粒子之中心附近之方式，使用離子研磨裝置(Hitachi High-Technologies公司製造之「IM4000」)切出導電性粒子之剖面。然後，使用場發射型掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)，將圖像倍率設定為25000倍，隨機地選擇50個導電性粒子，並觀察各導電性粒子之基材粒子。測量各導電性粒子之基材粒子之粒徑，並對該等進行算術平均而設為基材粒子之粒徑。
導電層： 作為上述導電層之材料之金屬並無特別限定。作為上述金屬，例如可列舉：金、銀、鈀、銅、鉑、鋅、鐵、錫、鉛、鋁、鈷、銦、鎳、鉻、鈦、銻、鉍、鉈、鍺、鎘、矽及該等之合金等。又，作為上述金屬，可列舉摻錫氧化銦(ITO)及焊料等。就更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，較佳為包含錫之合金、鎳、鈀、銅或金，較佳為鎳或鈀。
又，由於可更有效地提高導通檢查之可靠性，故而上述導電層及上述導電層之外表面部分較佳為包含鎳。包含鎳之導電層100重量%中之鎳之含量較佳為10重量%以上，更佳為50重量%以上，更佳為60重量%以上，進而較佳為70重量%以上，尤佳為90重量%以上。上述包含鎳之導電層100重量%中之鎳之含量可為97重量%以上，可為97.5重量%以上，亦可為98重量%以上。
如導電性粒子1、11般，上述導電層可由1層所形成。如導電性粒子21般，上述導電層亦可由複數層所形成。即，導電層可具有2層以上之積層構造。於導電層係由複數層所形成之情形時，最外層較佳為金層、鎳層、鈀層、銅層或包含錫與銀之合金層，更佳為金層。於最外層為該等較佳之導電層之情形時，可更有效地提高導通檢查之可靠性。又，於最外層為金層之情形時，可更有效地提高耐腐蝕性。
於上述基材粒子之表面形成上述導電層之方法並無特別限定。作為形成上述導電層之方法，例如可列舉：利用無電解鍍覆之方法、利用電鍍之方法、利用物理蒸鍍之方法、以及將金屬粉末或者包含金屬粉末與黏合劑之膏塗覆於基材粒子之表面之方法等。由於導電層之形成較簡便，故而較佳為利用無電解鍍覆之方法。作為上述利用物理蒸鍍之方法，可列舉：真空蒸鍍、離子鍍覆及離子濺鍍等方法。
上述導電層之厚度較佳為0.005 μm以上，更佳為0.01 μm以上，且較佳為1 μm以下，更佳為0.3 μm以下。若上述導電層之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則可更有效地提高導通檢查之可靠性，且導電性粒子不會變得過硬。
於上述導電層係由複數層所形成之情形時，最外層之導電層之厚度較佳為0.001 μm以上，更佳為0.01 μm以上，且較佳為0.5 μm以下，更佳為0.1 μm以下。若上述最外層之導電層之厚度為上述下限以上及上述上限以下，則最外層之導電層之被覆變得較均勻，耐腐蝕性充分地增高，且可更有效地提高導通檢查之可靠性。
上述導電層之厚度例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察導電性粒子之剖面而進行測定。
芯物質： 上述導電性粒子較佳為於上述導電層之外表面具有複數個突起。藉由上述導電性粒子於上述導電層之外表面具有複數個突起，可更有效地提高導通檢查之可靠性。藉由使用具有上述突起之導電性粒子，可使導電性粒子間更確實地接觸，而可更有效地提高導通檢查之可靠性。又，藉由導電性粒子之突起，導電性粒子與導通對象構件之間之熱硬化性化合物被有效地排除。因此，可更有效地提高導通檢查之可靠性。
藉由將上述芯物質埋入至上述導電層中，可於上述導電層之外表面容易地形成複數個突起。然而，為了於導電性粒子之導電層之表面形成突起，可未必使用芯物質。
作為形成上述突起之方法，可列舉：於使芯物質附著於基材粒子之表面後，藉由無電解鍍覆形成導電層之方法；以及藉由無電解鍍覆於基材粒子之表面形成導電層後，使芯物質附著，進而藉由無電解鍍覆形成導電層之方法等。作為形成上述突起之其他方法，可列舉：於在基材粒子之表面上形成第1導電層後，於該第1導電層上配置芯物質，其次形成第2導電層之方法；以及於在基材粒子之表面上形成導電層(第1導電層或第2導電層等)之中途階段，添加芯物質之方法等。又，為了形成突起，亦可使用如下方法等：不使用上述芯物質，於藉由無電解鍍覆於基材粒子上形成導電層後，於導電層之表面上使鍍層以突起狀析出，進而藉由無電解鍍覆形成導電層。
作為於上述基材粒子之外表面上配置芯物質之方法，可列舉：向基材粒子之分散液中添加芯物質，例如利用凡得瓦力使芯物質集聚並附著於基材粒子之表面之方法；以及向放入有基材粒子之容器中添加芯物質，並藉由容器之旋轉等之機械作用，使芯物質附著於基材粒子之表面之方法等。由於容易控制所附著之芯物質之量，故而較佳為使芯物質集聚並附著於分散液中之基材粒子之表面之方法。
上述芯物質之材料並無特別限定。作為上述芯物質之材料，例如可列舉導電性物質及非導電性物質。作為上述導電性物質，可列舉：金屬、金屬之氧化物、石墨等導電性非金屬及導電性聚合物等。作為上述導電性聚合物，可列舉聚乙炔等。作為上述非導電性物質，可列舉：氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇及氧化鋯等。其中，由於可提高導電性，進而可有效地降低連接電阻，故而較佳為金屬。上述芯物質較佳為金屬粒子。作為上述芯物質之材料之金屬可適宜地使用作為上述金屬粒子之材料而列舉之金屬。
較佳為上述芯物質之材料之莫氏硬度較高。作為莫氏硬度較高之材料，可列舉：鈦酸鋇(莫氏硬度4.5)、鎳(莫氏硬度5)、氧化矽(二氧化矽、莫氏硬度6～7)、氧化鈦(莫氏硬度7)、氧化鋯(莫氏硬度8～9)、氧化鋁(莫氏硬度9)、碳化鎢(莫氏硬度9)及金剛石(莫氏硬度10)等。上述芯物質較佳為鎳、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或金剛石。上述芯物質更佳為氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或金剛石，進而較佳為氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或金剛石，尤佳為氧化鋯、氧化鋁、碳化鎢或金剛石。上述芯物質之材料之莫氏硬度較佳為4以上，更佳為5以上，更佳為6以上，進而較佳為7以上，尤佳為7.5以上。
上述芯物質之形狀並無特別限定。芯物質之形狀較佳為塊狀。作為芯物質，可列舉：粒子狀之塊、複數個微小粒子凝聚而成之凝聚塊、及不定形狀之塊等。
上述芯物質之粒徑較佳為0.001 μm以上，更佳為0.05 μm以上，且較佳為0.9 μm以下，更佳為0.2 μm以下。若上述芯物質之粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則可更有效地提高導通檢查之可靠性。
上述芯物質之粒徑表示數量平均粒徑。芯物質之粒徑較佳為藉由如下方式而求出：利用電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察任意之芯物質50個，並算出平均值。
每1個上述導電性粒子之上述突起之數量較佳為3個以上，更佳為5個以上。上述突起之數之上限並無特別限定。上述突起之數之上限可考慮導電性粒子之粒徑及導電性粒子之用途等而適當選擇。
每1個上述導電性粒子之上述突起之數量較佳為藉由如下方式而求出：利用電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察任意之導電性粒子50個，並算出平均值。
複數個上述突起之高度較佳為0.001 μm以上，更佳為0.05 μm以上，且較佳為0.9 μm以下，更佳為0.2 μm以下。若上述突起之高度為上述下限以上及上述上限以下，則可更有效地提高導通檢查之可靠性。
複數個上述突起之高度較佳為藉由如下方式而求出：利用電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察任意之導電性粒子50個，並算出平均值。
(熱硬化性化合物) 上述樹脂組合物包含熱硬化性化合物。上述熱硬化性化合物係可藉由加熱而硬化之化合物。作為上述熱硬化性化合物，可列舉：氧雜環丁烷化合物、環氧化合物、環硫化物化合物、(甲基)丙烯酸化合物、酚化合物、胺基化合物、不飽和聚酯化合物、聚胺基甲酸酯化合物、聚矽氧化合物及聚醯亞胺化合物等。就更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，上述熱硬化性化合物較佳為環氧化合物或環硫化物化合物。上述熱硬化性化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
上述環氧化合物係具有至少1個環氧基之化合物。作為上述環氧化合物，可列舉：雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、雙酚S型環氧化合物、酚系酚醛清漆型環氧化合物、聯苯型環氧化合物、聯苯酚醛清漆型環氧化合物、聯苯酚型環氧化合物、萘型環氧化合物、茀型環氧化合物、苯酚芳烷基型環氧化合物、萘酚芳烷基型環氧化合物、二環戊二烯型環氧化合物、蒽型環氧化合物、具有金剛烷骨架之環氧化合物、具有三環癸烷骨架之環氧化合物、萘醚型環氧化合物、於骨架中具有三核之環氧化合物、具有脂肪族骨架之環氧化合物、及於骨架中具有胺基甲酸酯鍵之環氧化合物等。上述環氧化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
就更有效地防止導通對象構件之損傷之觀點、及更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，上述環氧化合物較佳為具有脂肪族骨架之環氧化合物或於骨架中具有胺基甲酸酯鍵之環氧化合物，更佳為具有脂肪族骨架之環氧化合物。
關於本發明之樹脂組合物，依據JIS K6251而測定之上述硬化物之切斷時伸長率為10%以上且100%以下。就更有效地防止導通對象構件之損傷之觀點、及更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，依據JIS K6251而測定之上述硬化物之切斷時伸長率較佳為10%以上，更佳為20%以上，且較佳為100%以下，更佳為50%以下。若上述硬化物之切斷時伸長率為上述下限以上及上述上限以下，則即便上述導電性粒子為柔軟之導電性粒子，亦有效地排除導電性粒子與導通對象構件之間之熱硬化性化合物。因此，可更有效地提高導通檢查之可靠性。
於依據JIS K6251而測定上述硬化物之切斷時伸長率時，例如，於將上述樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分(不含導電性粒子之樹脂組合物)真空消泡後，注入至模框中，並利用經加熱至130℃之烘箱加熱硬化30分鐘，藉此獲得硬化物。物性之測定較佳為使用JIS K6251中所規定之啞鈴狀3號形狀之試片，較佳為將上述硬化物成型為啞鈴狀3號形狀。
上述切斷時伸長率係依據JIS K6251而進行測定。更具體而言，可於25℃下於拉伸條件500 mm/min下拉伸試片直至切斷，並藉由下述式(1)而算出。
切斷時伸長率Eb (%)＝[(Lb －L0 )/L0 ]×100 (1)
上述式(1)中，L0 表示初始之標線間距離(mm)，Lb 表示切斷時之標線間距離(mm)。
作為拉伸試驗機，例如可使用「萬能試驗機：島津製作所公司製造之AGS-H」。
於本發明之樹脂組合物中，硬化物之高度之減少率較佳為0.1%以上，更佳為0.2%以上，且較佳為15%以下，更佳為10%以下，進而較佳為5%以下。若上述硬化物之高度之減少率為上述下限以上及上述上限以下，則可更有效地提高導通檢查之可靠性。
於測定上述硬化物之高度之減少率時，例如較佳為於將上述樹脂組合物真空消泡後，注入至模框中，並利用經加熱至130℃之烘箱加熱硬化30分鐘，藉此獲得高度1 mm及直徑0.5 mm之圓柱狀之硬化物。
上述硬化物之高度之減少率較佳為使用所獲得之上述圓柱狀之硬化物，以荷重10 gf對上述硬化物之圓柱上表面自垂直方向反覆加壓1000次後，藉由下述式(X)算出。
硬化物之高度之減少率(%)＝[(1－H)/1]×100 式(X)
上述式(X)中，H表示以荷重10 gf對上述硬化物之圓柱上表面自垂直方向反覆加壓1000次後的上述硬化物之高度(mm)。
於上述樹脂組合物100重量%中，上述熱硬化性化合物之含量較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上，且較佳為50重量%以下，更佳為40重量%以下。若上述熱硬化性化合物之含量為上述下限以上及上述上限以下，則可更有效地提高導通檢查之可靠性。就更有效地提高耐衝擊性之觀點而言，較佳為上述熱硬化性化合物之含量較多。
(熱硬化劑) 上述樹脂組合物包含熱硬化劑。上述熱硬化劑使上述熱硬化性化合物進行熱硬化。作為上述熱硬化劑，有氰酸酯硬化劑、咪唑硬化劑、酚硬化劑、硫醇硬化劑、胺硬化劑、酸酐硬化劑、熱陽離子硬化劑及熱自由基產生劑等。上述熱硬化劑較佳為具有可與上述環氧化合物之環氧基反應之官能基。上述熱硬化劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
上述氰酸酯硬化劑並無特別限定。作為上述氰酸酯硬化劑，可列舉：酚醛清漆型氰酸酯化合物、雙酚型氰酸酯化合物、以及該等經局部三聚化而成之預聚物等。作為上述酚醛清漆型氰酸酯化合物，可列舉苯酚酚醛清漆型氰酸酯化合物及烷基苯酚型氰酸酯化合物等。作為上述雙酚型氰酸酯化合物，可列舉：雙酚A型氰酸酯化合物、雙酚E型氰酸酯化合物及四甲基雙酚F型氰酸酯化合物等。
上述咪唑硬化劑並無特別限定。作為上述咪唑硬化劑，可列舉：2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三及2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三異三聚氰酸加成物等。
上述酚硬化劑並無特別限定。作為上述酚硬化劑，可列舉：酚醛清漆型苯酚、聯苯酚型苯酚、萘型苯酚、二環戊二烯型苯酚、芳烷基型苯酚及二環戊二烯型苯酚等。
上述硫醇硬化劑並無特別限定。作為上述硫醇硬化劑，可列舉：三羥甲基丙烷三-3-巰基丙酸酯、季戊四醇四-3-巰基丙酸酯及二季戊四醇六-3-巰基丙酸酯等。
上述胺硬化劑並無特別限定。作為上述胺硬化劑，可列舉：六亞甲基二胺、八亞甲基二胺、十亞甲基二胺、3,9-雙(3-胺基丙基)-2,4,8,10-四螺[5.5]十一烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、間苯二胺及二胺基二苯基碸等。
作為上述熱陽離子硬化劑，可列舉：錪系陽離子硬化劑、氧鎓系陽離子硬化劑及鋶系陽離子硬化劑等。作為上述錪系陽離子硬化劑，可列舉雙(4-第三丁基苯基)錪六氟磷酸鹽等。作為上述氧鎓系陽離子硬化劑，可列舉三甲基氧鎓四氟硼酸鹽等。作為上述鋶系陽離子硬化劑，可列舉三對甲苯基鋶六氟磷酸鹽等。
上述熱自由基產生劑並無特別限定。作為上述熱自由基產生劑，可列舉偶氮化合物及有機過氧化物等。作為上述偶氮化合物，可列舉偶氮雙異丁腈(AIBN)等。作為上述有機過氧化物，可列舉過氧化二第三丁基及過氧化甲基乙基酮等。
上述熱硬化劑之含量並無特別限定。相對於上述熱硬化性化合物100重量份，上述熱硬化劑之含量較佳為0.01重量份以上，更佳為1重量份以上，且較佳為200重量份以下，更佳為100重量份以下，進而較佳為75重量份以下。若熱硬化劑之含量為上述下限以上，則容易使熱硬化性化合物充分地硬化。若熱硬化劑之含量為上述上限以下，則於硬化後不易殘留未參與硬化之剩餘之熱硬化劑，且可獲得更良好之硬化物。
(其他成分) 上述樹脂組合物視需要例如亦可含有偶合劑、遮光劑、反應性稀釋劑、消泡劑、調平劑、填充劑、增量劑、軟化劑、塑化劑、聚合觸媒、硬化觸媒、著色劑、抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、防靜電劑及阻燃劑等各種添加劑。
(導通檢查用構件) 本發明之導通檢查用構件具備具有貫通孔之基體與導電部。於本發明之導通檢查用構件中，上述貫通孔係於上述基體配置有複數個。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電部係配置於上述貫通孔內。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電部之材料為上述樹脂組合物。上述導電部係由上述樹脂組合物所形成。上述導電部包含上述樹脂組合物硬化物。
又，本發明之導通檢查用構件具備具有貫通孔之基體與導電部。於本發明之導通檢查用構件中，上述貫通孔係於上述基體配置有複數個。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電部係配置於上述貫通孔內。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電部之材料包含導電性粒子、熱硬化性化合物及熱硬化劑。上述導電部包含上述導電性粒子、及使上述樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分進行硬化而成之硬化物。
本發明之導通檢查用構件具備具有不貫通之孔之基體、金屬部、及導電部。於本發明之導通檢查用構件中，上述不貫通之孔係由上述基體與上述金屬部所形成。於本發明之導通檢查用構件中，上述不貫通之孔係於上述基體配置有複數個。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電部係配置於上述不貫通之孔之內部。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電部之材料為上述樹脂組合物。上述導電部係由上述樹脂組合物所形成。上述導電部包含上述樹脂組合物硬化物。
又，本發明之導通檢查用構件具備具有不貫通之孔之基體、金屬部、及導電部。於本發明之導通檢查用構件中，上述不貫通之孔係由上述基體與上述金屬部所形成。於本發明之導通檢查用構件中，上述不貫通之孔係於上述基體配置有複數個。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電部係配置於上述不貫通之孔之內部。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電部之材料包含導電性粒子、熱硬化性化合物及熱硬化劑。上述導電部包含上述導電性粒子、及使上述樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分進行硬化而成之硬化物。
於本發明之導通檢查用構件中，上述導電性粒子之硬度計硬度相對於上述硬化物之硬度計硬度之比超過1。於本發明之導通檢查用構件中，上述基體之硬度計硬度相對於上述硬化物之硬度計硬度之比為1以上。於本發明之導通檢查用構件中，上述導電性粒子之硬度計硬度相對於上述基體之硬度計硬度之比為1以上。
於本發明之導通檢查用構件中，於上述導電部中，使用特定之導電性粒子與特定之熱硬化性化合物，故而可更有效地防止導通對象構件之損傷，且可更有效地提高導通檢查之可靠性。
圖4(a)、(b)係表示導通檢查用構件之一例之俯視圖及剖視圖。圖4(b)係沿圖4(a)中之A-A線之剖視圖。
圖4(a)、(b)所示之導通檢查用構件31具備具有貫通孔32a之基體32、及配置於基體32之貫通孔32a內之導電部33。導電部33之材料包含導電性粒子、熱硬化性化合物及熱硬化劑。導電部33之材料可為上述樹脂組合物。導通檢查用構件31可為導通用構件。
對於導通檢查用構件31而言，藉由電性連接電流計(例如圖5(c)所表示之電流計60)，可實施導通檢查。於導通檢查中，上述電流計係與導通檢查用構件31中之任意2個導電部33連接。並且，藉由以與連接有上述電流計之2個導電部33接觸之方式連接電子電路器件(例如將圖5(c)所表示之BGA基板52之焊料球51連接於導電部120)，可實施該電子電路器件之導通檢查。
上述基體係成為上述導通檢查用構件之基板之構件。上述基體較佳為具有絕緣性，上述基體較佳為由絕緣性之材料所形成。作為絕緣性之材料，例如可列舉絕緣性樹脂。
作為構成上述基體之絕緣性樹脂，例如可為熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂中之任一者。作為熱塑性樹脂，可列舉：聚酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、ABS(Acrylonitrile-Butadiene-Styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、及聚碳酸酯樹脂等。作為熱硬化性樹脂，可列舉：環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺系樹脂、聚矽氧樹脂、及酚樹脂等。作為聚矽氧樹脂，可列舉聚矽氧橡膠等。
於上述基體係由絕緣性樹脂形成之情形時，構成上述基體之絕緣性樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
上述基體例如為板狀、片狀等。片狀中包含膜狀。上述基體之厚度可根據導通檢查用構件之種類而適當設定，例如可為0.005 mm以上且50 mm以下之厚度。上述基體之俯視時之大小亦可根據目標之檢查用構件或檢查裝置而適當設定。
上述基體例如可藉由將上述絕緣性樹脂等絕緣性材料作為原料並成形為所需之形狀而獲得。
上述基體之上述貫通孔係於上述基體配置有複數個。上述貫通孔較佳為於上述基體之厚度方向貫通。
上述基體之上述貫通孔可形成為圓柱狀，但並不限定於圓柱狀，亦可形成為其他形狀例如多角柱狀。又，上述貫通孔可形成為向一方向前端變細之楔形，除此以外，亦可形成為經變形之形狀。
上述貫通孔之大小例如俯視時之上述貫通孔之表觀面積亦可形成為適當之大小，例如只要形成為可收容且可保持導電部之程度之大小即可。若上述貫通孔例如為圓柱狀，則上述貫通孔之直徑較佳為0.01 mm以上，且較佳為10 mm以下。
再者，上述基體之上述貫通孔可全部為相同之形狀、相同之大小，上述基體之上述貫通孔之一部分之形狀或大小亦可與其他貫通孔不同。
上述基體之上述貫通孔之個數亦可於適當之範圍內進行設定，只要具有可進行導通檢查之程度之個數即可，可根據目標之檢查用構件或檢查裝置而適當設定。又，上述基體之上述貫通孔之配置部位亦可根據目標之檢查用構件或檢查裝置而適當設定。
形成上述基體之上述貫通孔之方法並無特別限定，可利用公知之方法(例如雷射加工)形成貫通孔。
上述基體之上述貫通孔內之導電部具有導電性。上述導電性粒子較佳為緊密地填充至上述貫通孔內，於該情形時，可利用上述導通檢查用構件進行更確實之導通檢查。上述導電部較佳為以可遍及導通檢查用構件或導通用構件之正面及背面進行導通之方式收容於上述貫通孔內。
於上述導電部中，上述導電性粒子較佳為自導電部之正面遍及至背面連續地使上述導電性粒子相互接觸且存在。於該情形時，上述導電部之導通性提高。
將上述導電部收容於上述貫通孔內之方法並無特別限定。例如，可利用將包含上述導電性粒子、上述熱硬化性化合物及上述熱硬化劑之樹脂組合物塗敷於上述基體之方法中，將上述導電性粒子填充至上述貫通孔內，並於適當之條件下使樹脂組合物硬化，由此於上述貫通孔內形成上述導電部。藉此，上述導電部係收容於上述貫通孔內。於上述樹脂組合物中，視需要可含有溶劑。
上述導通檢查用構件可用作探針卡。再者，上述導通檢查用構件只要為不妨礙本發明之效果之程度，則可具備其他構成要素。
圖5(a)、(b)係表示導通檢查用構件之第1變化例之俯視圖及剖視圖。圖5(b)係沿圖5(a)中之A-A線之剖視圖。
圖5(a)、(b)所示之導通檢查用構件31A具備具有不貫通之孔32Aa之基體32A、金屬部34A、及導電部33A。不貫通之孔32Aa係由基體32A與金屬部34A所形成。導電部33A係配置於不貫通之孔32Aa之內部。導電部33A之材料包含導電性粒子、熱硬化性化合物及熱硬化劑。導電部33A之材料可為上述樹脂組合物。導通檢查用構件31A可為導通用構件。
關於圖4(a)、(b)所示之導通檢查用構件31、及圖5(a)、(b)所示之導通檢查用構件31A，僅形成於上述基體之孔是否貫通不同。形成於上述基體之孔可貫通，亦可不貫通。就更有效地抑制基體之變形之觀點而言，較佳為形成於上述基體之孔不貫通。就更有效地抑制基體之變形之觀點而言，更佳為於形成於上述基體之孔之內部配置有上述金屬部，且形成於上述基體之孔不貫通。藉由上述導通檢查用構件具有上述金屬部，可更有效地抑制上述基體之變形。
上述金屬部較佳為具有導電性。上述金屬部較佳為利用導電性之材料而形成。作為導電性之材料，例如可列舉上述導電層中所使用之金屬等。
上述金屬部只要配置於形成於上述基體之孔之內部即可，且只要以不堵塞形成於上述基體之孔之方式配置即可。上述金屬部之配置部位、形狀及厚度等並無特別限定。上述金屬部可配置於形成於上述基體之孔之底部，亦可配置於形成於上述基體之孔之中央部。上述金屬部之形狀或厚度等可根據導通檢查用構件之種類而適當設定。作為上述金屬部之形狀，可列舉圓狀或多角形狀等，且能以堵塞形成於上述基體之孔之方式適當設定。上述金屬部之厚度可為0.05 mm以上且0.3 mm以下。上述金屬部之俯視時之大小亦能以堵塞形成於上述基體之孔之方式適當設定。
將上述金屬部配置於形成於上述基體之孔之內部之方法並無特別限定。作為將上述金屬部配置於形成於上述基體之孔之內部之方法，可列舉網版印刷方法、及利用注射器進行擠出填充之方法等。
上述金屬部與上述導電部較佳為可遍及導通檢查用構件或導通用構件之正面及背面而進行導通。上述金屬部與上述導電部中之上述導電性粒子較佳為相互接觸。於該情形時，可更有效地提高導通檢查之可靠性。
圖6(a)～(c)係模式性地表示使用導通檢查用構件檢查電子電路器件之電特性之情況之圖。
於圖6(a)～(c)中，電子電路器件為BGA基板52(球柵陣列基板)。BGA基板52係具有將連接墊以格子狀排列於多層基板50，且於各墊上配設有焊料球51(導通對象構件)之構造之基板。又，於圖6(a)～(c)中，導通檢查用構件100為探針卡。導通檢查用構件100中，於基體110中形成有複數個貫通孔110a，且於貫通孔110a內收容有導電部120。如圖6(a)所示，準備BGA基板52與導通檢查用構件100，如圖6(b)所示，使BGA基板52與導通檢查用構件100接觸並壓縮。此時，焊料球51與貫通孔110a內之導電部120接觸。可於該狀態下，如圖6(c)所示般連接電流計60實施導通檢查，判定BGA基板52之合格與否。
就更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，於本發明之導通檢查用構件中，上述導電性粒子之硬度計硬度相對於上述硬化物之硬度計硬度之比(導電性粒子之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)較佳為超過1。就進一步更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，上述比(導電性粒子之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)較佳為1.1以上，更佳為1.2以上。上述比(導電性粒子之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)之上限並無特別限定。上述比(導電性粒子之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)可為5以下。
就更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，於本發明之導通檢查用構件中，上述基體之硬度計硬度相對於上述硬化物之硬度計硬度之比(基體之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)較佳為1以上。就進一步更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，上述比(基體之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)較佳為1.1以上，更佳為1.2以上。上述比(基體之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)之上限並無特別限定。上述比(基體之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)可為5以下。
就更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，於本發明之導通檢查用構件中，上述導電性粒子之硬度計硬度相對於上述基體之硬度計硬度之比(導電性粒子之硬度計硬度/基體之硬度計硬度)較佳為1以上。就進一步更有效地提高導通檢查之可靠性之觀點而言，上述比(導電性粒子之硬度計硬度/基體之硬度計硬度)較佳為1.1以上，更佳為1.2以上。上述比(導電性粒子之硬度計硬度/基體之硬度計硬度)之上限並無特別限定。上述比(導電性粒子之硬度計硬度/基體之硬度計硬度)可為5以下。
為了測定硬度計硬度，上述硬化物可除了硬化時之加熱條件以外，以與用以測定上述切斷時伸長率之硬化物相同之方式獲得。於該情形時，於本發明之導通檢查用構件之製作時之硬化條件下，使上述樹脂組合物硬化。
上述硬度計硬度係依據JIS K6253而進行測定。上述硬度計硬度係使用硬度計硬度試驗裝置而進行測定。作為上述硬度計硬度試驗裝置，可列舉Teclock公司製造之「硬度計 A型 GS719N」等。
以下，列舉實施例及比較例具體地說明本發明。本發明並非僅限定於以下之實施例。
導電性粒子： 導電性粒子(1)之製作： 準備粒徑為70.0 μm之二乙烯苯共聚物樹脂粒子(積水化學工業公司製造之「Micropearl SP-270」)作為基材粒子(S1)。
於包含鈀觸媒液5重量%之鹼性溶液100重量份中，利用超音波分散器使基材粒子(S1)10重量份分散後，對溶液進行過濾，藉此取出基材粒子(S1)。繼而，將基材粒子(S1)添加至二甲基胺硼烷1重量%溶液100重量份中，使基材粒子(S1)之表面活化。於將表面經活化之基材粒子(S1)充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得懸浮液(A1)。
將懸浮液(A1)加入至包含硫酸銅20 g/L、及乙二胺四乙酸30 g/L之溶液中，獲得粒子混合液(B1)。
又，準備利用氨將包含硫酸銅100 g/L、乙二胺四乙酸75 g/L、葡萄糖酸鈉50 g/L、及甲醛50 g/L之混合液調整為pH值10.5之鍍銅液(C1)作為無電解鍍銅液。
又，準備利用氨水將包含硝酸銀15 g/L、琥珀醯亞胺50 g/L、及甲醛20 g/L之混合液調整為pH值8.0之鍍銀液(D1)作為無電解鍍銀液。
向55℃之粒子混合液(B1)中緩慢滴加鍍銅液(C1)，進行無電解鍍銅。於鍍銅液(C1)之滴加速度為30 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銅。以上述方式獲得包含於樹脂粒子之表面具備銅作為第1導電層(第1層)之粒子的粒子混合液(E1)。
其後，藉由將粒子混合液(E1)過濾而取出粒子，並進行水洗，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上配置有銅之粒子。於將該粒子充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得粒子混合液(F1)。
其次，向60℃之粒子混合液(F1)中緩慢滴加鍍銀液(D1)，進行無電解鍍銀。於鍍銀液(D1)之滴加速度為10 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後，藉由過濾而取出粒子，進行水洗並加以乾燥，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上具備銅及銀(導電層整體之厚度：0.1 μm)之導電性粒子(1)。
導電性粒子(2)之製作： 準備使金屬鎳粒子(三井金屬公司製造之「2020SUS」，平均粒徑200 nm)以成為50重量%之方式分散於純水中而成之漿料。歷時3分鐘將該漿料1重量份添加至導電性粒子(1)之製作時所使用之懸浮液(A1)中，獲得包含附著有芯物質之基材粒子(S1)之懸浮液(A2)。
將懸浮液(A2)加入至包含硫酸銅20 g/L、及乙二胺四乙酸30 g/L之溶液中，獲得粒子混合液(B2)。
向55℃之粒子混合液(B2)中，緩慢滴加導電性粒子(1)之製作時所使用之鍍銅液(C1)，進行無電解鍍銅。於鍍銅液(C1)之滴加速度為30 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銅。以上述方式獲得包含於樹脂粒子之表面配置有銅作為第1導電層(第1層)，且具備於表面具有突起之導電層之粒子的粒子混合液(D2)。
其後，藉由將粒子混合液(D2)過濾而取出粒子，並進行水洗，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上配置有銅，且具備於表面具有突起之導電層之粒子。於將該粒子充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得粒子混合液(E2)。
其次，向60℃之粒子混合液(E2)中，緩慢滴加導電性粒子(1)之製作時所使用之鍍銀液(D1)，進行無電解鍍銀。於鍍銀液(D1)之滴加速度為10 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後，藉由過濾而取出粒子，進行水洗並加以乾燥，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上配置有銅及銀(無突起之部分中之導電層整體之厚度：0.1 μm)，且具備於表面具有複數個突起之導電層之導電性粒子(2)。
導電性粒子(3)之製作： 準備粒徑為35.0 μm之二乙烯苯共聚物樹脂粒子(積水化學工業公司製造之「Micropearl SP-235」)作為基材粒子(S2)。
於包含鈀觸媒液5重量%之鹼性溶液100重量份中，利用超音波分散器使基材粒子(S2)10重量份分散後，對溶液進行過濾，藉此取出基材粒子(S2)。繼而，將基材粒子(S2)添加至二甲基胺硼烷1重量%溶液100重量份中，使基材粒子(S2)之表面活化。於將表面經活化之基材粒子(S2)充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得懸浮液(A3)。
其次，準備使金屬鎳粒子(三井金屬公司製造之「2020SUS」，平均粒徑200 nm)以成為50重量%之方式分散於純水中而成之漿料。歷時3分鐘將該漿料1重量份添加至懸浮液(A3)中，獲得包含附著有芯物質之基材粒子(S2)之懸浮液(B3)。
將懸浮液(B3)加入至包含硫酸銅20 g/L、及乙二胺四乙酸30 g/L之溶液中，獲得粒子混合液(C3)。
又，準備利用氨將包含硫酸銅200 g/L、乙二胺四乙酸150 g/L、葡萄糖酸鈉100 g/L、及甲醛50 g/L之混合液調整為pH值10.5之鍍銅液(D3)作為無電解鍍銅液。
又，準備利用氨水將包含硝酸銀30 g/L、琥珀醯亞胺75 g/L、及甲醛20 g/L之混合液調整為pH值8.0之鍍銀液(E3)作為無電解鍍銀液。
向55℃之粒子混合液(C3)中緩慢滴加鍍銅液(D3)，進行無電解鍍銅。於鍍銅液(D3)之滴加速度為20 mL/min且滴加時間為45分鐘之條件下進行無電解鍍銅。以上述方式獲得包含於樹脂粒子之表面配置有銅作為第1導電層(第1層)，且具備於表面具有突起之導電層之粒子的粒子混合液(F3)。
其後，藉由將粒子混合液(F3)過濾而取出粒子，並進行水洗，藉此獲得於基材粒子(S2)之表面上配置有銅之粒子。於將該粒子充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得粒子混合液(G3)。
其次，向60℃之粒子混合液(G3)中緩慢滴加鍍銀液(E3)，進行無電解鍍銀。於鍍銀液(E3)之滴加速度為5 mL/min且滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後，藉由過濾而取出粒子，進行水洗並加以乾燥，藉此獲得於基材粒子(S2)之表面上配置有銅及銀(導電層整體之厚度：0.1 μm)，且具備於表面具有複數個突起之導電層之導電性粒子(3)。
導電性粒子(4)之製作： 於包含鈀觸媒液5重量%之鹼性溶液100重量份中，利用超音波分散器使導電性粒子(1)之製作時所使用之基材粒子(S1)10重量份分散後，對溶液進行過濾，藉此取出基材粒子(S1)。繼而，將基材粒子(S1)添加至二甲基胺硼烷1重量%溶液100重量份中，使基材粒子(S1)之表面活化。於將表面經活化之基材粒子(S1)充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得懸浮液(A4)。
將懸浮液(A4)加入至包含硫酸鎳10 g/L、及檸檬酸鈉10 g/L之溶液中，獲得粒子混合液(B4)。
又，準備利用氨將包含硫酸鎳90 g/L、檸檬酸鈉100 g/L、硝酸鉈100 ppm、硝酸鉍30 ppm及次磷酸鈉50 g/L之混合液調整為pH值6.0之鍍鎳液(C4)作為無電解鍍鎳液。
又，準備利用氨水將包含硝酸銀15 g/L、琥珀醯亞胺50 g/L、及甲醛20 g/L之混合液調整為pH值8.0之鍍銀液(D4)作為無電解鍍銀液。
向55℃之粒子混合液(B4)中緩慢滴加鍍鎳液(C4)，進行無電解鍍鎳。於鍍鎳液(C4)之滴加速度為30 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍鎳。以上述方式獲得包含於樹脂粒子之表面具備鎳作為第1導電層(第1層)之粒子的粒子混合液(E4)。
其後，藉由將粒子混合液(E4)過濾而取出粒子，並進行水洗，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上配置有鎳之粒子。於將該粒子充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得粒子混合液(F4)。
其次，向60℃之粒子混合液(F4)中緩慢滴加鍍銀液(D4)，進行無電解鍍銀。於鍍銀液(D4)之滴加速度為10 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後，藉由過濾而取出粒子，進行水洗並加以乾燥，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上具備鎳及銀(導電層整體之厚度：0.1 μm)之導電性粒子(4)。
導電性粒子(5)之製作： 於包含鈀觸媒液5重量%之鹼性溶液100重量份中，利用超音波分散器使基材粒子(S1)10重量份分散後，對溶液進行過濾，藉此提取基材粒子(S1)。繼而，將基材粒子(S1)添加至二甲基胺硼烷1重量%溶液100重量份中，使基材粒子(S1)之表面活化。於將表面經活化之基材粒子(S1)充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得懸浮液(A5)。
將懸浮液(A5)加入至包含硫酸鎳10 g/L、及檸檬酸鈉10 g/L之溶液中，獲得粒子混合液(B5)。
又，準備利用氨將包含硫酸鎳90 g/L、檸檬酸鈉100 g/L、硝酸鉈100 ppm、硝酸鉍30 ppm及次磷酸鈉50 g/L之混合液調整為pH值6.0之鍍鎳液(C5)作為無電解鍍鎳液。
又，準備利用氨水將包含氰化金鉀10 g/L、乙二胺四乙酸20 g/L、檸檬酸鈉10 g/L、及二甲基胺硼烷2 g/L之混合液調整為pH值8.0之鍍金液(D5)作為無電解鍍金液。
向55℃之粒子混合液(B5)中緩慢滴加鍍鎳液(C5)，進行無電解鍍鎳。於鍍鎳液(C5)之滴加速度為30 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍鎳。以上述方式獲得包含於樹脂粒子之表面具備鎳作為第1導電層(第1層)之粒子的粒子混合液(E5)。
其後，藉由將粒子混合液(E5)過濾而取出粒子，並進行水洗，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上配置有鎳之粒子。於將該粒子充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得粒子混合液(F5)。
其次，向45℃之粒子混合液(F5)中緩慢滴加鍍金液(D5)，進行無電解鍍金。於鍍金液(D5)之滴加速度為5 mL/min且滴加時間為60分鐘之條件下進行無電解鍍金。其後，藉由過濾而取出粒子，進行水洗並加以乾燥，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上具備鎳及金(導電層整體之厚度：0.1 μm)之導電性粒子(5)。
導電性粒子(6)之製作： 於包含鈀觸媒液5重量%之鹼性溶液100重量份中，利用超音波分散器使導電性粒子(1)之製作時所使用之基材粒子(S1)分散後，對溶液進行過濾，藉此取出基材粒子(S1)。繼而，將基材粒子(S1)添加至二甲基胺硼烷1重量%溶液100重量份中，使基材粒子(S1)之表面活化。於將表面經活化之基材粒子(S1)充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得懸浮液(A6)。
將懸浮液(A6)加入至包含硫酸鎳10 g/L、及檸檬酸鈉10 g/L之溶液中，獲得粒子混合液(B6)。
又，準備以下之溶液作為無電解鍍鎳-鈷合金液。利用氨將包含硫酸鎳90 g/L、硫酸鈷10 g/L、乙二胺四乙酸5 g/L、檸檬酸鈉100 g/L、硝酸鉈100 ppm、硝酸鉍30 ppm及二甲基胺硼烷25 g/L之混合液調整為pH值5.0之鍍鎳-鈷合金液(C6)。
又，準備利用氨水將包含硝酸銀15 g/L、琥珀醯亞胺50 g/L、及甲醛20 g/L之混合液調整為pH值8.0之鍍銀液(D6)作為無電解鍍銀液。
向65℃之粒子混合液(B6)中緩慢滴加鍍鎳-鈷合金液(C6)，而進行無電解鍍鎳-鈷合金。於鍍鎳-鈷合金液(C6)之滴加速度為30 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍鎳-鈷合金。以上述方式獲得包含於樹脂粒子之表面具備鎳-鈷合金作為第1導電層(第1層)之粒子的粒子混合液(E6)。
其後，藉由將粒子混合液(E6)過濾而取出粒子，並進行水洗，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上配置有鎳-鈷合金之粒子。於將該粒子充分地水洗後，添加至蒸餾水500重量份中使其分散，藉此獲得粒子混合液(F6)。
其次，向60℃之粒子混合液(F6)中緩慢滴加鍍銀液(D6)，進行無電解鍍銀。於鍍銀液(D6)之滴加速度為10 mL/min且滴加時間為30分鐘之條件下進行無電解鍍銀。其後，藉由過濾而取出粒子，進行水洗並加以乾燥，藉此獲得於基材粒子(S1)之表面上具備鎳-鈷合金及銀(導電層整體之厚度：0.1 μm)之導電性粒子(6)。
導電性粒子(7)：銀包覆銅粒子(福田金屬箔工業公司製造之「FCC-2000」)
熱硬化性化合物： 熱硬化性化合物(1)：高彈性環氧樹脂(三菱化學公司製造之「YX-7400」) 熱硬化性化合物(2)：高彈性環氧樹脂(四日市合成公司製造之「Epogosey PT」) 熱硬化性化合物(3)：環氧樹脂(DIC公司製造之「EPICLON EXA-850CRP」)
聚矽氧化合物： 聚矽氧化合物(1)：多官能環氧矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「X-12-981S」)
熱硬化劑： 熱硬化劑(1)：熱陽離子硬化劑(三新化學公司製造之「San-Aid SI-60」) 熱硬化劑(2)：熱陽離子硬化劑(ADEKA公司製造之「Adeka Optomer CP-66」)
偶合劑： 偶合劑(1)：環氧矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-403」)
(實施例1～13及比較例1～3) (1)樹脂組合物之製作 以下述表1～3所示之調配量調配下述表1～3所示之成分，並使用勻相分散機以1000 rpm攪拌20分鐘後，使用Thinky公司製造之「練太郎ARE250」進行消泡，藉此獲得樹脂組合物。
(2)導通檢查用構件之製作 準備聚矽氧橡膠作為導通檢查用構件之基體(由絕緣材料所形成之片狀之基體)。聚矽氧橡膠之尺寸為橫向寬度25 mm、縱向寬度25 mm及厚度1 mm。於聚矽氧橡膠中，形成有縱向20個及橫向20個且總數400個之利用雷射加工所形成的直徑0.5 mm之圓柱狀之貫通孔。
使用刮刀塗佈機將上述樹脂組合物塗敷於具有貫通孔之聚矽氧橡膠上，並向貫通孔中填充樹脂組合物。其次，利用烘箱於130℃下將於貫通孔中填充有樹脂組合物之聚矽氧橡膠加熱30分鐘，使樹脂組合物硬化，獲得厚度1 mm之導通檢查用構件。
(評價) (1)切斷時伸長率(%) 調配下述表1～3所示之成分中之除導電性粒子以外之成分，獲得硬化性組合物。藉由將所獲得之硬化性組合物於130℃下加熱30分鐘，而獲得硬化物。
使用所獲得之硬化物，藉由上述方法測定切斷時伸長率。
(2)硬度計硬度 調配下述表1～3所示之成分中之除導電性粒子以外之成分，獲得硬化性組合物。藉由將所獲得之硬化性組合物於130℃下加熱30分鐘，而獲得硬化物1。將硬化物1之硬度計硬度設為硬化物之硬度計硬度。
又，利用與下述表1～3中所使用之導電性粒子之基材粒子(S1或S2)相同之組成之二乙烯苯共聚物樹脂，製作1 cm×1 cm×0.5 cm之樹脂板。以成為相同厚度之方式對所獲得之樹脂板之表面實施與下述表1～3中所使用之導電性粒子相同之鍍覆，獲得對表面實施有鍍覆之硬化物2。將硬化物2之硬度計硬度設為導電性粒子之硬度計硬度。導電性粒子(7)(銀包覆銅粒子)之硬度計硬度由於成為測定設備之測定上限以上，故而設為100。
使用所獲得之硬化物1、硬化物2、及上述基體，藉由上述方法測定硬度計硬度。根據測定結果，算出導電性粒子之硬度計硬度相對於硬化物之硬度計硬度之比(導電性粒子之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)。同樣地，算出基體之硬度計硬度相對於硬化物之硬度計硬度之比(基體之硬度計硬度/硬化物之硬度計硬度)、及導電性粒子之硬度計硬度相對於基體之硬度計硬度之比(導電性粒子之硬度計硬度/基體之硬度計硬度)。
(3)接觸電阻值 使用所獲得之導通檢查用構件，測定接觸電阻值。導通檢查用構件之接觸電阻值係使用接觸電阻測定系統(FACTK公司製造之「MS7500」)進行測定。接觸電阻值之測定係利用前端為直徑0.4 mm之鉑探針，以荷重10 gf、50 gf、及100 gf向所獲得之導通檢查用構件之導電部自垂直方向加壓。此時，利用低電阻計(鶴賀電機公司製造之「MODEL3566」)施加5 V，並測定接觸電阻值。算出對5處之導電部進行測定而得之接觸電阻值之平均值。依據下述基準判定接觸電阻值。
[接觸電阻值之判定基準] ○○：接觸電阻值之平均值為50.0 mΩ以下 ○：接觸電阻值之平均值超過50.0 mΩ且為100.0 mΩ以下 △：接觸電阻值之平均值超過100.0 mΩ且為500.0 mΩ以下 ×：接觸電阻值之平均值超過500.0 mΩ
(4)反覆加壓後之接觸電阻值 使用所獲得之導通檢查用構件，測定反覆加壓後之接觸電阻值。導通檢查用構件之反覆加壓後之接觸電阻值係使用接觸電阻測定系統(FACTK公司製造之「MS7500」)進行測定。反覆加壓後之接觸電阻值係利用前端為直徑0.4 mm之鉑探針，以荷重10 gf、50 gf、及100 gf向所獲得之導通檢查用構件之導電部自垂直方向反覆加壓1000次。於反覆加壓1000次後，利用低電阻計(鶴賀電機公司製造之「MODEL3566」)施加5 V，並測定接觸電阻值。算出對5處之導電部同樣地進行測定而得之接觸電阻值之平均值。藉由下述基準判定反覆加壓後之接觸電阻值。
[反覆加壓後之接觸電阻值之判定基準] ○○：接觸電阻值之平均值為100.0 mΩ以下 ○：接觸電阻值之平均值超過100.0 mΩ且為500.0 mΩ以下 △：接觸電阻值之平均值超過500.0 mΩ且為1000.0 mΩ以下 ×：接觸電阻值之平均值超過1000.0 mΩ
(5)BGA基板之焊料球表面外觀 準備安裝有直徑300 μm之焊料球(焊料組成：Sn-3.0Ag-0.5Cu，千住金屬公司製造)之BGA基板。以BGA基板之焊料球位於所獲得之導通檢查用構件之導電部上之方式配置BGA基板，繼而，於BGA基板之上表面載置加壓頭，並以10 gf、50 gf、及100 gf之荷重施加壓力而使其接觸。其後，使用光學顯微鏡觀察與導通檢查用構件之導電部接觸之焊料球表面，確認有無焊料球表面之損傷。隨機地觀察20個焊料球，並依據下述基準進行評價。
[BGA基板之焊料球表面外觀之判定基準] ○○：於表面確認到20 μm以上之損傷之焊料球為0個 ○：於表面確認到20 μm以上之損傷之焊料球為1個以上且未達5個 △：於表面確認到20 μm以上之損傷之焊料球為5個以上且未達10個 ×：於表面確認到20 μm以上之損傷之焊料球為10個以上
(6)反覆加壓後之硬化物之高度之減少率 準備(4)之評價中所使用之反覆加壓前後之導通檢查用構件。具體而言，準備以荷重10 gf嚮導通檢查用構件之導電部自垂直方向反覆加壓1000次後之導通檢查用構件、及進行加壓前之導通檢查用構件。測定所準備之加壓前後之導通檢查用構件之高度，算出反覆加壓後之硬化物之高度之減少率。
將結果示於表1～3。
[表1]
[表2]
[表3]
1‧‧‧導電性粒子
2‧‧‧基材粒子
3‧‧‧導電層
11‧‧‧導電性粒子
11a‧‧‧突起
12‧‧‧導電層
12a‧‧‧突起
13‧‧‧芯物質
21‧‧‧導電性粒子
21a‧‧‧突起
22‧‧‧導電層
22A‧‧‧第1導電層
22Aa‧‧‧突起
22a‧‧‧突起
22B‧‧‧第2導電層
22Ba‧‧‧突起
31‧‧‧導通檢查用構件
31A‧‧‧導通檢查用構件
32‧‧‧基體
32A‧‧‧基體
32Aa‧‧‧不貫通之孔
32a‧‧‧貫通孔
33‧‧‧導電部
33A‧‧‧導電部
34A‧‧‧金屬部
50‧‧‧多層基板
51‧‧‧焊料球(導通對象構件)
52‧‧‧BGA基板
60‧‧‧電流計
100‧‧‧導通檢查用構件
110‧‧‧基體
110a‧‧‧貫通孔
120‧‧‧導電部
圖1係表示本發明之樹脂組合物中可使用之導電性粒子之一例之剖視圖。 圖2係表示本發明之樹脂組合物中可使用之導電性粒子之第1變化例之剖視圖。 圖3係表示本發明之樹脂組合物中可使用之導電性粒子之第2變化例之剖視圖。 圖4(a)、(b)係表示導通檢查用構件之一例之俯視圖及剖視圖。圖4(b)係沿圖4(a)中之A-A線之剖視圖。 圖5(a)、(b)係表示導通檢查用構件之第1變化例之俯視圖及剖視圖。圖5(b)係沿圖5(a)中之A-A線之剖視圖。 圖6(a)～(c)係模式性地表示使用導通檢查用構件檢查電子電路器件之電特性之情況之圖。

Claims (8)

  1. 一種樹脂組合物，其包含導電性粒子、熱硬化性化合物、熱硬化劑，且 於樹脂組合物100重量%中，上述導電性粒子之含量為50重量%以上， 於將樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得硬化物時，依據JIS K6251而測定之上述硬化物之切斷時伸長率為10%以上且100%以下。
  2. 如請求項1之樹脂組合物，其中上述導電性粒子具備基材粒子、及配置於上述基材粒子之表面上之導電層。
  3. 如請求項1之樹脂組合物，其中於將上述樹脂組合物於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得高度1 mm及直徑0.5 mm之圓柱狀之硬化物時，以荷重10 gf對上述硬化物之圓柱上表面自垂直方向反覆加壓1000次後的硬化物之高度之減少率為0.1%以上且未達15%。
  4. 如請求項2之樹脂組合物，其中於將上述樹脂組合物於130℃下加熱30分鐘使其硬化而獲得高度1 mm及直徑0.5 mm之圓柱狀之硬化物時，以荷重10 gf對上述硬化物之圓柱上表面自垂直方向反覆加壓1000次後的硬化物之高度之減少率為0.1%以上且未達15%。
  5. 如請求項1至4中任一項之樹脂組合物，其係於下述導通檢查用構件中用作導電部之材料，上述導通檢查用構件具備具有貫通孔之基體與上述導電部，且上述貫通孔係於上述基體配置有複數個，上述導電部係配置於上述貫通孔內。
  6. 一種導通檢查用構件，其具備具有貫通孔之基體與導電部，且 上述貫通孔係於上述基體配置有複數個， 上述導電部係配置於上述貫通孔內， 上述導電部之材料為如請求項1至5中任一項之樹脂組合物。
  7. 一種導通檢查用構件，其具備具有不貫通之孔之基體、金屬部、及導電部，且 上述不貫通之孔係由上述基體與上述金屬部所形成， 上述不貫通之孔係於上述基體配置有複數個， 上述導電部係配置於上述不貫通之孔之內部， 上述導電部之材料為如請求項1至5中任一項之樹脂組合物。
  8. 如請求項6或7之導通檢查用構件，其中上述導電部包含上述導電性粒子、及使上述樹脂組合物中之除上述導電性粒子以外之成分進行硬化而成之硬化物，且 上述導電性粒子之硬度計硬度相對於上述硬化物之硬度計硬度之比超過1， 上述基體之硬度計硬度相對於上述硬化物之硬度計硬度之比為1以上， 上述導電性粒子之硬度計硬度相對於上述基體之硬度計硬度之比為1以上。
TW107118717A 2017-05-31 2018-05-31 樹脂組合物及導通檢查用構件 TW201903786A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017107868 2017-05-31
JP2017-107868 2017-05-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201903786A true TW201903786A (zh) 2019-01-16

Family

ID=64455863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107118717A TW201903786A (zh) 2017-05-31 2018-05-31 樹脂組合物及導通檢查用構件

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2018221640A1 (zh)
KR (1) KR20200013628A (zh)
CN (1) CN110168020A (zh)
TW (1) TW201903786A (zh)
WO (1) WO2018221640A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7447605B2 (ja) 2020-03-25 2024-03-12 日油株式会社 熱硬化性樹脂組成物及びその硬化膜を備えるカラーフィルター

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02133422A (ja) * 1988-11-14 1990-05-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd エポキシ樹脂用硬化剤
JPH0384078A (ja) * 1989-08-29 1991-04-09 Toray Ind Inc 導電性接着剤
JP4893104B2 (ja) * 2005-06-08 2012-03-07 日立化成工業株式会社 導電ペーストおよびそれを用いた電子部品搭載基板
US20130000964A1 (en) * 2010-04-22 2013-01-03 Hiroshi Kobayashi Anisotropic conductive material and connection structure
JP2013161553A (ja) 2012-02-02 2013-08-19 Hioki Ee Corp 導電性シートおよび基板検査装置
JP6470518B2 (ja) * 2013-07-16 2019-02-13 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6203783B2 (ja) * 2015-05-29 2017-09-27 株式会社タムラ製作所 導電性接着剤および電子基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2018221640A1 (ja) 2020-04-02
KR20200013628A (ko) 2020-02-07
WO2018221640A1 (ja) 2018-12-06
CN110168020A (zh) 2019-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102391136B1 (ko) 수지 입자, 도전성 입자, 도전 재료, 접착제, 접속 구조체 및 액정 표시 소자
JP5476280B2 (ja) 重合体粒子
TWI498405B (zh) An electrically conductive particles having an insulating particle, an anisotropic conductive material, and a connecting structure
KR102018042B1 (ko) 이방 도전성 필름 및 접속 구조체
JP2019173015A (ja) 基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2011040189A (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
CN109983543B (zh) 导电性粒子、导电材料以及连接结构体
JP2012209097A (ja) 異方性導電材料及び接続構造体
JP2011060502A (ja) 絶縁粒子付き導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2009074020A (ja) 異方性導電膜
JP2016210980A (ja) 基材粒子、基材粒子の製造方法、導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2017069191A (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2014081928A (ja) タッチパネル用導電性粒子、タッチパネル用導電材料及びタッチパネル用接続構造体
CN110000372A (zh) 导电性粒子、导电材料及连接结构体
JP5476168B2 (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP7335687B2 (ja) 基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体
TW201719679A (zh) 導電性粒子、導電材料及連接構造體
TW201903786A (zh) 樹脂組合物及導通檢查用構件
JP2014026971A (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
CN107615466B (zh) 连接结构体的制造方法、导电性粒子、导电膜及连接结构体
JP2016041803A (ja) 基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6609092B2 (ja) 接続構造体の製造方法及び接続構造体
CN112352294B (zh) 带有绝缘性粒子的导电性粒子、导电材料以及连接结构体
JP6483958B2 (ja) 導電フィルム及び接続構造体
JP6457743B2 (ja) 接続構造体