KR101834608B1 - 웨이퍼 결함들에 대한 설계 좌표들 결정 - Google Patents

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쿠르람 자파
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Abstract

웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 하나의 방법은, 검사 툴에 의해 웨이퍼 상의 복수의 스와스들에서 검출된 결함들에 대한 결함 검토 툴 이미지들에 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하고, 정렬의 결과에 기초하여 설계 좌표들로 결함들 각각의 위치를 결정하고, 결함들 각각이 검출된 스와스(스와스 보정 계수), 결함들 각각에 대한 설계 좌표들, 및 검사 툴에 의해 결정된 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여 복수의 스와스들 각각에 대한 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하고, 검사 툴에 의해 복수의 스와스들에서 검출된 다른 결함들에 적합한 스와스 보정 계수를 적용함으로써 이들 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 것을 포함한다.

Description

웨이퍼 결함들에 대한 설계 좌표들 결정{DETERMINING DESIGN COORDINATES FOR WAFER DEFECTS}
관련 출원에 대한 상호참조
본 출원은 2011년 9월 13일 출원된 발명의 명칭이 "1-Pixel Defect Location Accuracy(DLA) Through SEM Image Based Analysis and Cross Platform Integration"인 미국 가출원 번호 제61/534,104호의 우선권을 주장하며, 이는 그 전체가 여기에 서술된 것처럼 참조에 의해 포함된다.
발명의 기술분야
본 발명은 일반적으로 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
관련 기술분야의 설명
다음의 기재 및 예는 이 문단에 포함되었다고 하여 종래 기술인 것으로 인정되는 것은 아니다.
검사(inspection) 프로세스는 반도체 제조 프로세스 중의 다양한 단계에서 제조 프로세스의 더 높은 수율과 그에 따른 더 높은 이익을 추구하도록 웨이퍼 상의 결함을 검출하는데 사용된다. 검사는 항상 반도체 디바이스 제조의 중요한 부분이었다. 그러나, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 더 작은 결함들이 디바이스를 고장시킬 수 있기 때문에, 검사는 허용가능한(acceptable) 반도체 디바이스의 성공적인 제조에 점점 더 중요하게 되었다.
웨이퍼 상의 결함의 위치를 정밀하게 결정하는 것은 다수의 이유로 중요하다. 현재 사용되는 접근에서, 결함 위치 정밀도(accuracy)는 스테이지 정밀도 및 실행시간 정렬과 같은 검사 툴 능력으로 인해 제한된다. 설계 내의 위치에 대하여, 오프셋, 스케일, 및 회전의 차이를 보상함으로써 웨이퍼 좌표 시스템은 설계 좌표 시스템에 수동으로 정렬될 수 있다. 그러나, 이 접근은 스와스(swath) 관련 위치 에러로부터 생기는 에러에는 대처하지 못한다. 그 결과, 결함 위치 정밀도(DLA; defect location accuracy)는 진보된 검사 툴 상에서도 사용되고 있는 검사 픽셀의 몇 배로 제한된다.
상기 기재한 수동 방법은 많은 단점을 갖는다. 예를 들어, DLA는 오로지 설계 좌표 시스템에 웨이퍼 좌표 시스템을 수동으로 정렬함으로써 개선된다. 보정은 통상적으로 전체 웨이퍼에 대한 두 자리에 한정되고, 따라서 스와스 기반의 에러에 대한 고려가 부족하다. DLA 에러는 검사 툴 에러와 설계-웨이퍼 정렬 에러 둘 다를 포함하며, 그리하여 DLA 에러를 검사 픽셀 크기의 몇 배로 제한한다.
따라서, 상기 기재한 단점 중의 하나 이상을 갖지 않는 시스템 및/또는 방법을 개발하는 것이 유리할 것이다.
다양한 실시예들의 다음 기재는 어떠한 방식으로든 첨부된 청구항의 내용을 한정하는 것으로서 해석되어서는 안 된다.
하나의 실시예는 웨이퍼 상에서 검출된 결함에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 방법은 검사 툴에 의해 복수의 스와스들에서 검출된 결함들에 대하여 결함 검토 툴에 의해 발생된 이미지들에 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하는 것을 포함한다. 결함은 복수의 스와스들 각각에서 검출된 둘 이상의 결함들을 포함한다. 다르게 말하자면, 이 방법에서, 복수의 스와스들 각각으로부터의 둘 이상의 결함들이 설계에 정렬된다. 방법은 또한, 정렬 단계의 결과에 기초하여 설계 좌표들로 결함들 각각의 위치를 결정하는 것을 포함한다. 또한, 방법은 결함들 각각이 검출된 스와스(그 스와스로부터 검출되고 정렬된 결함들), 결함들 각각에 대한 설계 좌표들, 및 검사 툴에 의해 결정된 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여 복수의 스와스들 각각에 대한 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하는 것을 포함한다. 이는 각각의 스와스에 대한 보정 계수(correction factor)를 생성한다. 방법은 다른 결함들이 검출된 스와스에 따라 검사 툴에 의해 결정된 다른 결함들의 위치에 결함 위치 오프셋들 중의 하나를 적용함으로써(결함에 적합한 스와스 보정 계수를 적용함), 검사 툴에 의해 복수의 스와스들에서 검출된 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 것을 더 포함한다. 정렬하는 단계, 위치를 결정하는 단계, 스와스-관련 결함 위치 오프셋들을 개별적으로 결정하는 단계, 및 설계 좌표들을 결정하는 단계는 컴퓨터 시스템에 의해 수행된다.
상기 기재한 방법은 여기에 더 기재된 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 상기 기재한 방법은 여기에 기재된 임의의 기타 방법(들)의 임의의 기타 단계(들)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 기재한 방법은 여기에 기재된 임의의 시스템에 의해 수행될 수 있다.
다른 실시예는, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장한 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체에 관한 것이다. 컴퓨터 구현 방법은 상기 기재한 방법의 단계들을 포함한다. 컴퓨터 판독가능한 매체는 여기에 기재된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 컴퓨터 구현 방법의 단계들은 여기에 더 기재된 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 프로그램 명령어가 실행 가능한 컴퓨터 구현 방법은 여기에 기재된 임의의 기타 방법(들)의 임의의 기타 단계(들)를 포함할 수 있다.
추가의 실시예는 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템에 관한 것이다. 시스템은 검사 툴에 의해 웨이퍼 상에 스캔된 복수의 스와스들에서 검출된 결함들에 대한 이미지들을 발생하도록 구성된 결함 검토 툴을 포함한다. 이미징된 결함들은 복수의 스와스들 각각에서 검출된 둘 이상의 결함들을 포함한다. 시스템은 또한 상기 기재한 방법의 단계들을 수행하도록 구성된 컴퓨터 시스템을 포함한다. 시스템은 여기에 기재된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
다음의 상세한 설명을 보면 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 다른 목표 및 이점들이 명백하게 될 것이다.
도 1은 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 방법의 하나의 실시예를 예시한 개략도이다.
도 2는 여기에 기재된 컴퓨터 구현 방법들 중의 하나 이상을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체의 하나의 실시예를 예시한 블록도이다.
도 3은 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템의 하나의 실시예의 측면을 예시한 개략도이다.
본 발명은 다양한 수정 및 대안 형태가 가능하지만, 이의 구체적 실시예가 도면에 예로써 도시되어 있으며 여기에서 상세하게 기재될 것이다. 그러나, 도면 및 이의 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태에 한정하는 것으로 의도되지 않으며, 반대로 본 발명은 첨부된 청구항에 의해 정의되는 본 발명의 사상 및 범위 내에 속하는 모든 수정, 등가물 및 대안을 커버하는 것임을 이해하여야 한다.
이제 도면을 참조하면, 도면들이 축척대로 도시된 것이 아님을 유의하여야 한다. 특히, 도면의 구성요소들 중 일부의 스케일은 그 구성요소의 특성을 강조하도록 크게 과장되어 있다. 또한 도면이 동일한 스케일로 도시된 것은 아님을 유의하여야 한다. 유사하게 구성될 수 있는, 하나보다 많은 수의 도면에 도시된 구성요소들은 동일한 참조 번호를 사용하여 표시되었다.
하나의 실시예는 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 여기에 기재된 실시예는 검사 후에 결함 위치를 개선하도록 여러 가지 분산된 기술들을 통합한다. 예를 들어, 방법은 검사 툴에 의해 웨이퍼 상에 스캔된 복수의 스와스들에서 검출된 결함들에 대하여 결함 검토 툴에 의해 발생된 이미지들에, 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하는 것을 포함한다. 따라서, 여기에 기재된 실시예는 검사, 결함 검토, 및 설계 기술들을 효과적으로 통합한다.
방법은 결함 검사를 실행하는 것을 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 방법은 검사 툴을 사용하여 웨이퍼 상의 복수의 스와스들을 스캔함으로써 웨이퍼를 검사하는 것을 포함할 수 있다. 대안으로서, 복수의 스와스들에서 검출된 결함들에 대한 정보는, 검사 툴에 의해 그 정보가 저장된 컴퓨터 판독가능한 저장 매체로부터 여기에 기재된 방법에 사용하기 위해 획득될 수 있다. 어느 경우든, 웨이퍼 검사의 결과들은 검사 결과 파일을 포함할 수 있다. 검사 결과 파일은 결함 검토 툴로 보내질 수 있으며, 그리하여 결함 검토 툴은 검사 결과 파일 내의 결함들에 대한 정보를 사용하여 여기에 기재된 하나 이상의 단계들을 수행할 수 있다. 마찬가지 방식으로, 방법은 결함 검토 툴을 사용하여 이미지들을 발생하는 것을 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 방법은 결함 검토 툴을 사용하여 웨이퍼 상의 결함들을 이미징하는 것을 포함할 수 있다. 대안으로서, 결함들에 대하여 결함 검토 툴에 의해 발생된 이미지들은, 결함 검토 툴에 의해 그 이미지들이 저장된 컴퓨터 판독가능한 저장 매체로부터 여기에 기재된 방법에 사용하기 위해 획득될 수 있다. 복수의 스와스들은 웨이퍼 상에 스캔된 스와스들 전부 또는 각각을 포함할 수 있다. 이 방식에서, 방법은 각각의 스와스에 대하여 결함 위치 정밀도(DLA)를 개선하도록 검사 스와스 기반의 정렬을 포함할 수 있다.
하나의 실시예에서, 설계는 GDS(Graphical Data System) 또는 OASIS(Open Artwork System Interchange Standard) 파일에서 제공된다. 다른 실시예에서, 방법은 EDA(electronic design automation) 툴로부터 설계를 획득하는 것을 포함한다. 이 방식에서, 방법은 정밀한 정렬을 위해 결함 검토 툴 이미지들과 설계 레이아웃을 사용하는 것을 포함할 수 있다. 여기에 기재된 실시예에서 사용되는 설계 및 설계에 대한 정보는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 기타 설계 데이터를 포함할 수 있다.
하나의 실시예에서, 결함 검토 툴은 주사 전자 현미경(SEM; scanning electron microscope)이다. SEM은 KLA-Tencor(Milpitas, Calif)로부터 상업적으로 입수가능한 eDR7000과 같이 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 상업적으로 입수가능한 SEM 결함 검토 툴을 포함할 수 있다. 이 방식에서, 결함 검토 툴에 의해 발생된 이미지들에 설계를 정렬하는 것은, 설계에 SEM 이미지들을 정렬하는 것을 포함할 수 있다. SEM 이미지-설계 정렬을 사용하는 것은, 여기에 기재된 실시예에 의해 생성된 결과들에 미치는 임의의 검사 툴 잡음 영향을 완화시킨다.
다른 실시예에서, 검사 툴은 광학(즉, 광 기반의) 검사 툴이다. 일부 실시예에서, 검사 툴은 전자 빔 기반의 검사 툴이다. 검사 툴은 당해 기술 분야에 공지된, 임의의 적합한 상업적으로 입수가능한 광 또는 전자 빔 기반의 검사 툴을 포함할 수 있다. 또한, 광 기반의 검사 툴은 BF(bright field) 및/또는 DF(dark field) 검사 툴일 수 있다. 이 방식에서, 여기에 기재된 실시예에 사용된 검사 툴은 BF, DF, 및/또는 전자 빔 검사에 한정되지 않는다. 다르게 말하자면, 여기에 기재된 실시예는 검사 툴 플랫폼에 독립적이다.
결함들은 복수의 스와스들 각각에서 검출된 둘 이상의 결함들을 포함한다. 예를 들어, 방법은 설계 이미지들에 정렬하는데 스와스당 2개의 결함들을 사용하는 것을 포함할 수 있다. 하나의 실시예에서, 방법은 결함들이 검출된 스와스에 기초하여 결함 검토 툴에 의해 이미지들이 발생되는 결함들을 샘플링하는 것을 포함한다. 예를 들어, 결함들을 샘플링하는 것은, 검사 결과 파일에 보관된 스와스 정보를 사용하여 검사 로트 결과에서 각각의 스와스로부터 비교적 작은 수의 결함들을 선택하는 것을 포함할 수 있다. 이 방식에서, 방법은 각각의 스와스에 대하여 DLA를 개선하도록 검사 스와스 기반의 샘플링을 포함할 수 있다. 둘 이상의 결함들은 또한 바람직하게는, 복수의 스와스들 각각에서 검출된 결함들 전부보다는 적은 수를 포함한다. 여기에 기재된 실시예에서 결함 검토 툴 이미지들이 발생되는 결함들의 수는 결함 검토 툴의 속도에 따라 다양할 수 있다. 예를 들어, 결함 검토 툴 이미지 발생이 빠를수록, 보다 나은 정밀도 및 강건성(robustness)을 위해 추가의 결함들을 포함하도록 동일 개념이 확장될 수 있다.
하나의 이러한 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 맵(10)은 웨이퍼 상의 결함들(14)을 검출한 검사 툴(도 1에는 도시되지 않음)에 의해 복수의 스와스들(12)이 웨이퍼 상에 스캔된 검사의 결과를 도시한다. 웨이퍼 맵은 또한 웨이퍼 상의 다이들(16)의 위치를 도시할 수 있다. 복수의 스와스들(12) 중의 하나만 단순화를 위해 도 1에 도시되어 있다. 이 예에서, 상기 기재된 바와 같이 결함들을 샘플링하는 것은, 검사 후의 검사 결과 파일로부터 스와스당 2개의 결함들을 샘플링하는 것을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 도 1에 도시된 스와스로부터 2개의 결함들이 샘플링될 수 있고, 그 다음 복수의 스와스들 중 다른 스와스로부터 2개의 다른 결함들이 샘플링될 수 있으며, 그 뒤로도 마찬가지이다. 스와스 단위로 스와스들로부터 결함들이 샘플링된 후에, 이미지들(18)이 결함 검토 툴(도 1에 도시되지 않음)을 사용하여 샘플링된 결함들에 대하여 발생될 수 있거나 또는 이미지들이 결함 검토 툴에 의해 저장된 컴퓨터 판독가능한 저장 매체로부터 획득될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이미지들(18)은 비교적 높은 해상도의 SEM 이미지들일 수 있다. 이미지들은 검사 툴에 의해 결정된 결함들의 위치에서(예를 들어, 결함 위치 Xi, Yi에서) 결함 검토 툴에 의해 발생될 수 있다. 그 다음, 정렬 단계는 설계의 일부분들(20)에 이미지들(18)을 정렬하는 것을 포함할 수 있다. 설계의 일부분들은 설계 "클립" 또는 GSD 클립으로 불릴 수 있다.
일부 실시예에서, 방법은 결함 검토 툴에 의해 수행되는 자동 결함 위치결정(ADL; automatic defect locating)을 사용하여 이미지들 내의 결함들의 위치를 찾는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 결함 검토 툴에 의해 결함들이 이미징되면, ADL에 의해 이미지 내의 결함들 위치가 찾아질 수 있다. ADL은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 방식으로 수행될 수 있다.
하나의 실시예에서, 정렬은 이미지 프로세싱(image processing)을 포함한다. 일부 실시예에서, 이미지 프로세싱은 웨이퍼 상의 각각의 층에 대하여 최상의 에지 검출을 위해 SEM 이미지들을 최적화하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 트레이닝은 자동화될 수 있다. 다른 실시예에서, 정렬 단계는 설계의 일부분들을 이미지들과 중첩시키는 것을 포함한다. 이 방식에서, 정렬 단계는 SEM 이미지들을 설계 레이아웃과 중첩시키는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 이미지들(18)은 설계의 일부분들(20)과 중첩될 수 있고, 그 다음 설계의 일부분들(20)에 대한 이미지들(18)의 일부분들은 이미지들 내의 특징들이 설계의 일부분들 내의 특징들과 실질적으로 일치할 때까지 변경될 수 있다.
방법은 또한, 정렬 단계의 결과에 기초하여 설계 좌표들로 결함들 각각의 위치를 결정하는 것을 포함한다. 이 방식에서, 방법은 결함 설계 좌표들을 결정하는 것을 포함한다. 예를 들어, 결함 검토 툴이 발생한 이미지들에서 ADL에 의해 결정된 결함 위치에, 정렬 후에 그 결함과 중첩하는 설계 내의 대응 위치의 설계 좌표가 할당될 수 있다. 이 방식에서, 방법은 SEM 위치 정밀도로 설계 공간 내의 결함들의 상당히 정확한 위치를 결정하는 것을 포함할 수 있다.
방법은 또한, 결함들 각각이 검출된 스와스, 결함들 각각에 대한 설계 좌표들, 및 검사 툴에 의해 결정된 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여 복수의 스와스들 각각에 대한 결함 위치 오프셋(즉, 스와스 보정 계수)을 개별적으로 결정하는 것을 포함한다. 이 방식에서, 방법은 복수의 스와스들 각각에 대하여 위치 보정을 결정하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 스와스들 각각에 대한 위치 보정은 설계 좌표에의 정렬에 기초하여 결정될 수 있다.
방법은, 다른 결함들이 검출된 스와스에 따라 검사 툴에 의해 결정된 그 다른 결함들의 위치에 결함 위치 오프셋들 중의 하나를 적용함으로써(즉, 그 스와스로부터 검출된 다른 결함들 각각에 적합한 스와스 보정 계수를 적용함) 검사 툴에 의해 복수의 스와스들에서 검출된 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 것을 더 포함한다. 이 방식에서, 방법은 조정된 결함 위치(예를 들어, 보정된 위치(Xf,Yf))를 결정하도록 스와스 단위로 웨이퍼 검사 좌표들에 오프셋들을 적용하는 것을 포함한다. 예를 들어, 상기 기재한 바와 같이, 2개의 결함들이 위치 보정을 발생하는데 사용될 수 있으며, 이는 그 다음에 스와스 단위로 복수의 스와스들에서 모든 다른 결함들에 적용될 수 있다. 또한, 방법은 이미지 기반의 정밀 DLA를 포함한다. 그리하여, 결함 좌표 조정이 SEM 이미지로부터 설계 파일 정렬에 행해질 수 있다. 예를 들어, 복수의 스와스들 각각에 대한 위치 보정이 스와스 단위로 스와스들에서 모든 결함들에 적용될 수 있다. 이 방식에서, 결함 위치는 설계에 대한 결함 위치의 정밀도를 개선하도록 조정될 수 있다.
보정된 결함 위치는 검사 결과 파일로 보내질 수 있다. 예를 들어, 결과는 부가의 분석을 위해 검사 결과로 다시 보내질 수 있다. 보정된 위치(Xf, Yf)는 새로운 적용을 가능하게 할 뿐 아니라, CBI(context based inspection) 동작을 개선하는 데에도 사용될 수 있다. CBI는 Kulkarni 등의 미국 특허 번호 제7,676,077호에 기재된 바와 같이 수행될 수 있으며, 이는 그 전체가 여기에 서술된 것처럼 참조에 의해 포함된다.
설계를 정렬하고, 위치를 결정하고, 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하고, 설계 좌표를 결정하는 것은 컴퓨터 시스템에 의해 수행되며, 이는 여기에 더 기재된 바와 같이 구성될 수 있다.
하나의 실시예에서, 결함들 및 다른 결함들은 웨이퍼 상에서 검출된 모든 결함들을 포함한다. 다르게 말하자면, 스와스 보정 계수를 결정하는데 사용된 결함들 및 적합한 스와스 보정 계수가 적용되는 결함들은 웨이퍼 상의 모든 결함들을 포함할 수 있다. 이 방식에서, 웨이퍼 상에서 검출된 모든 결함들에 대하여 설계 좌표들이 결정될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 보정된 위치(Xf, Xy)는, 웨이퍼 상의 모든 다른 다이들 내의 모든 다른 결함들에 더하여, 웨이퍼 상의 다이들(24) 내의 모든 결함들(22)에 대하여 결정될 수 있다.
일부 실시예에서, 설계를 정렬하고, 위치를 결정하고, 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하고, 설계 좌표를 결정하는 것은, 검사 툴의 하나의 픽셀 이내까지 정밀한, 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 생성한다. 예를 들어, 여기에 기재된 실시예는 SEM 이미지 기반의 분석 및 크로스 플랫폼 통합을 통해 1 픽셀 DLA를 제공한다. 구체적으로, 실시예는, SEM 검토 툴 상에서 결함들의 비교적 작은 서브세트를 샘플링함으로써, 웨이퍼 검사 결과 내의 모든 결함들에 대한 +/- 1 검사 픽셀 좌표 정밀도를 제공한다. 이 방식에서, 여기에 기재된 실시예는, 샘플링된 결함들에 대해 설계에 정렬하고 결함 검토 툴 위치 정밀도(예를 들어, ADL 정밀도) 내에서 결함 위치를 수정함으로써, 검사 툴의 복수 픽셀 정밀도 제한을 극복한다. 이러한 개선은 검사 및 검토 툴의 사용을 더 발전시킬 새로운 적용을 가능하게 한다. 또한, 검사로부터의 결함 위치는 검사 툴 성능의 부가의 개선 없이도 여기에 기재된 바와 같이 개선될 수 있다. 현재 이용 가능한 다른 기술로는 이 좌표 정밀도를 달성할 수 없다.
다른 실시예에서, 설계를 정렬하고, 위치를 결정하고, 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하고, 설계 좌표를 결정하는 것은, 이미지들 내의 결함들의 위치를 결정하기 위해 결함 검토 툴의 정밀도와 대략 동일한 정밀도로 다른 결함들에 대한 설계 좌표를 생성한다. 예를 들어, 검사로부터의 결함 위치들은, 결함 검토 툴 위치 에러의 마진 내에서(예를 들어, eDR7000 시스템의 경우 약 6nm 내에서) DLA 좌표 정밀도를 달성하도록 여기에 기재된 바와 같이 변경될 수 있다. 구체적으로, 각각의 스와스에 대한 스테이지 지터(stage jitter)는 픽셀의 약 1/2이다. 오늘날 발전된 명시야(Bright-Field) 툴은 약 10 nm일 수 있다. 따라서, 여기에 기재된 실시예는 샘플링된 결함들에 대해 약 6 nm 정밀도 및 다른 결함들에 대해 약 10 nm를 제공할 수 있다. 현재 이용 가능한 다른 기술로는 이 수준의 좌표 정밀도를 달성할 수 없다.
여기에 기재된 실시예는 또한, 새로운 유즈 케이스 개발을 위해 검사 결과 파일로 피드백하도록 결함 검토 툴 및 설계 기반의 정렬을 사용하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 실시예에서, 방법은, 결함들 중의 하나 또는 다른 결함들에 대하여 결정된 설계 좌표들에 기초하여 웨이퍼에 대하여 검사 툴에 의해 생성된 검사 결과에서 비트맵 픽셀(결함 픽셀로도 알려짐)을 선택하고, 선택된(결함) 픽셀에 기초하여 웨이퍼를 검사하는데 사용된 프로세스를 변경하는 것을 포함한다. 이 방식에서, 방법은 검사 최적화를 위해 결함에 의해 영향을 받는 단일 픽셀을 식별하도록 개선된 DLA의 사용을 포함할 수 있다. 이러한 실시예는 특정 결함들에 대한 검사 감도 최적화에 사용될 수 있다. 예를 들어, 방법은 웨이퍼 상의 미리 검출되지 않은 "갭(gap)" 결함의 검출을 일으킬 수 있다. 또한, 방법은 결함 검토 툴 이미지들을 사용하여 각각의 결함에 대한 오프셋을 조정하는 것을 포함할 수 있다. 방법은 또한, 검사 최적화에 기반으로 할 비트맵 또는 결함 픽셀을 결정하도록 보정된 결함 좌표들을 적용하는 것을 포함할 수 있다.
또한, 실시예는 상이한 결함 유형에 기초하여 결함-결함 거동을 이해하도록 서브픽셀 분석을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 여기에 기재된 실시예는 또한 CBI를 셋업하는 데에 사용될 수 있으며, 이들 중 일부 예는 Kulkarni의 상기 인용한 특허에 기재되어 있다. 예를 들어, 여기에 기재된 방법은 웨이퍼 상의 더 많은 결함들을 검출하도록 웨이퍼에 대해 핫 스캔(hot scan)을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 여기에 기재된 바와 같이 결함들에 대해 결정된 설계 좌표들은 그 다음, 설계에서 핫스폿을 식별하는 데에 사용될 수 있다. 예를 들어, 설계 내의 임계 특징부와 동일하거나 가까이 있는 결함들의 설계 좌표들이 설계에서 핫스폿으로서 식별될 수 있다. 식별된 핫스폿에 기초하여, 설계가 인쇄될 다른 웨이퍼들에 대해 CBI 프로세스가 셋업될 수 있다. 예를 들어, CBI 프로세스는 웨이퍼 상의 비(non) 핫스폿보다 핫스폿이 더 높은 감도로 검사되도록 셋업될 수 있다.
또한 검사에서 가능하면 부가의 개선으로 여기에 기재된 접근의 다수의 기타 잠재적 적용들이 존재한다. 예를 들어, 여기에 기재된 방법의 결과는 특정 메모리 셀로 결함을 국부화하도록 인라인 비트맵핑(DRAM, FLASH 및 SRAM의 경우)에 사용될 수 있다. 방법의 결과는 또한, 결함과의 도식적 오버레이에 기초한 샘플링에 사용될 수 있다(예를 들어, 결함이 설계 내에 지정된 금속 상호접속부와 중첩되면, 그 결함이 샘플링될 수 있음). 또한, 여기에 기재된 방법의 결과는, 단일 비아 또는 더블 비아에 의한 결함들을 비닝(binning)하도록, N/P 트랜지스터 분리를 위해, 미래의 층들에 대한 수율 예상을 위해(예를 들어, 컨택 상의 입자), 및 라인들 사이에 또는 그 위에 있거나 단락되거나 파손된 라인에 의한 결함들을 비닝하도록, 사용될 수 있다.
여기에 기재된 실시예는 결함 위치를 결정하기 위해 현재 사용되는 방법들 이상의 다수의 이점을 갖는다. 예를 들어, 이전에 사용된 접근은 설계-웨이퍼 정렬에 대하여 웨이퍼 레벨 오프셋을 적용한다. 이전의 접근을 사용하면, DLA는 설계 및 검사 시스템 에러에 수동으로 정렬하는 것에 제한된다. 또한, 대안의 접근은 실시간 정렬에 대하여 설계 레이아웃에 웨이퍼의 검사 동안 검사 툴에 의해 발생된 결함들의 비교적 높은 해상도 광학 패치 이미지를 정렬하는 것일 것이다. 그러나, 이 접근은 신뢰성있는 패치 이미지를 요구하며, 또한 새로운 이미지 매칭 알고리즘을 요구한다. 이와 달리, SEM 이미지와 같은 결함 검토 툴 이미지는 일반적으로 광학 이미지에 비교하여 보다 나은 패턴 적합도(fidelity)를 갖는다. 그리하여, 이미지 프로세싱을 사용하여 결함 검토 툴 이미지를 설계에 정렬함으로써, 결함-설계의 정밀한 정렬이 달성될 수 있고, 따라서 전체 DLA가 개선된다.
상기 기재된 방법의 실시예들 각각은 여기에 기재된 임의의 기타 방법(들)의 임의의 기타 단계(들)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 기재된 방법의 실시예들 각각은 여기에 기재된 임의의 시스템들에 의해 수행될 수 있다.
여기에 기재된 방법들 전부는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체에 방법 실시예들의 하나 이상의 단계들의 결과들을 저장하는 것을 포함할 수 있다. 결과는 여기에 기재된 임의의 결과를 포함할 수 있고, 당해 기술 분야에 공지된 임의의 방식으로 저장될 수 있다. 저장 매체는 여기에 기재된 임의의 저장 매체 및 당해 기술 분야에 공지된 임의의 기타 적합한 저장 매체를 포함할 수 있다. 결과가 저장된 후에, 결과는 저장 매체에서 액세스되어 여기에 기재된 임의의 방법 또는 시스템 실시예에 의해 사용되거나, 사용자에의 디스플레이를 위해 포맷되거나, 다른 소프트웨어 모듈, 방법 또는 시스템 등에 사용될 수 있다.
추가의 실시예는 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장한 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체에 관한 것이다. 하나의 이러한 실시예가 도 2에 도시된다. 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 컴퓨터 판독가능한 매체(50)는 컴퓨터 시스템(54) 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어(52)를 포함한다. 컴퓨터 구현 방법은 상기 기재된 방법의 단계들을 포함한다. 프로그램 명령어가 실행 가능한 컴퓨터 구현 방법은 여기에 기재된 임의의 기타 단계(들)를 포함할 수 있다.
여기에 기재된 바와 같은 방법들을 구현하는 프로그램 명령어(52)는 컴퓨터 판독가능한 매체(50) 상에 저장될 수 있다. 컴퓨터 판독가능한 매체는 자기 또는 광 디스크와 같은 저장 매체, 또는 자기 테이프 또는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 기타 적합한 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체일 수 있다.
프로그램 명령어는 무엇보다도 프로시저 기반의 기술, 컴포넌트 기반의 기술, 및/또는 객체 지향 기술을 포함한 임의의 다양한 방식으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 프로그램 명령어는 원하는 바에 따라 ActiveX 컨트롤, C++ 오브젝트, JavaBeans, Microsoft Foundation Classes("MFC") 또는 기타 기술 또는 방법을 사용하여 구현될 수 있다.
컴퓨터 시스템은 개인용 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 어플라이언스, 인터넷 어플라이언스, 또는 기타 디바이스를 포함하는 다양한 형태를 취할 수 있다. 일반적으로, 용어 "컴퓨터 시스템"은 메모리 매체로부터의 명령을 실행하는 하나 이상의 프로세서를 갖는 임의의 디바이스를 망라하도록 넓게 정의될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 또한 병렬 프로세서와 같이 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 프로세서를 포함할 수 있다. 또한, 컴퓨터 시스템은 단독형이나 네트워크드 툴로서 고속 프로세싱인 컴퓨터 플랫폼 및 소프트웨어를 포함할 수 있다.
추가의 실시예는 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템에 관한 것이다. 이러한 시스템의 하나의 실시예가 도 3에 도시되어 있다. 시스템은 검사 툴(82)에 의해 웨이퍼 상에 스캔된 복수의 스와스들에서 검출된 결함들에 대한 이미지들을 발생하도록 구성된 결함 검토 툴(80)을 포함한다. 결함들은 복수의 스와스들 각각에서 검출된 둘 이상의 결함들을 포함한다. 결함 검토 툴(80) 및 검사 툴(82)은 여기에 기재된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 결함 검토 툴 및 검사 툴은 검사 툴이 결함 검토 툴에 결함에 관한 정보를 보낼 수 있도록 일부 방식으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 검사 툴 및 결함 검토 툴은 전파 매체(도시되지 않음)에 의해 결합될 수 있으며, 이는 검사 툴이 결함 검토 툴에 정보를 보낼 수 있는 유선 및/또는 무선 부분을 포함할 수 있다. 대안으로서, 검사 툴이 결함에 대한 정보를 저장할 수 있고 그로부터 결함 검토 툴이 결함 정보를 검색할 수 있는 팹(fab) 데이터베이스와 같은 컴퓨터 판독가능한 저장 매체(도 3에 도시되지 않음)에 의해 검사 툴은 결함 검토 툴에 효과적으로 결합될 수 있다.
시스템은 또한 이미지들에 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하도록 구성된 컴퓨터 시스템(84)을 포함하며, 이는 여기에 기재된 바와 같이 수행될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 또한 정렬 단계의 결과에 기초하여 설계 좌표로 결함들 각각의 위치를 결정하도록 구성되며, 여기에 더 기재된 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 컴퓨터 시스템은 결함들 각각이 검출된 스와스, 결함들 각각에 대한 설계 좌표들, 및 검사 툴에 의해 결정된 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여 복수의 스와스들 각각에 대한 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하도록 구성되며, 이는 여기에 기재된 바와 같이 수행될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 또한, 다른 결함들이 검출된 스와스에 따라 검사 툴에 의해 결정된 다른 결함들의 위치에 결함 위치 오프셋들 중의 하나를 적용함으로써(이들 결함에 적합한 스와스 보정 계수를 적용함) 검사 툴에 의해 복수의 스와스들에서 검출된 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성되며, 이는 여기에 더 기재된 바와 같이 수행될 수 있다.
컴퓨터 시스템은, 컴퓨터 시스템이 결함 검토 툴 및 검사 툴에 대하여 정보를 보내고 받을 수 있도록, 상기 기재된 바와 같은 방식으로 결함 검토 툴 및 검사 툴에 결합될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 또한 EDA 툴과 같은 다른 툴에 마찬가지 방식으로 결합될 수 있으며, 그로부터 설계가 여기에 기재된 실시예에 사용하기 위해 컴퓨터 시스템에 의해 획득될 수 있다. 컴퓨터 시스템 및 시스템은 여기에 기재된 임의의 기타 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있고, 여기에 기재된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
본 발명의 다양한 양상들의 부가의 수정들 및 대안의 실시예들은 본 명세서에 비추어 당해 기술 분야에서의 숙련자에게 명백할 것이다. 예를 들어, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 방법 및 시스템이 제공되어 있다. 따라서, 이 기재는 단지 설명을 위한 것으로서 해석되어야 하고, 본 발명을 수행하는 일반적인 방식을 당해 기술 분야에서의 숙련자에게 교시하기 위한 목적인 것이다. 여기에 기재되고 도시된 본 발명의 형태는 현재 바람직한 실시예로서 취해진 것임을 이해하여야 한다. 구성요소 및 재료가 여기에 예시 및 기재된 바에 대하여 치환될 수 있고, 부분 및 프로세스가 뒤바뀔 수 있으며, 본 발명의 특정 특징들은 독립적으로 이용될 수 있고, 이는 전부 본 발명의 이러한 설명의 이점을 가진 후에 당해 기술 분야에서의 숙련자에게 명백할 것이다. 다음의 청구항에 기재된 본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않고서 여기에 기재된 구성요소들에 있어서 변경이 행해질 수 있다.

Claims (27)

  1. 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 상의 결함들의 위치들에서 결함 검토 툴에 의해 발생된 이미지들에 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하는 단계로서, 상기 결함들은 상기 정렬 이전에 그리고 상기 결함 검토 툴에 의한 상기 이미지들의 발생 이전에 웨이퍼 검사 툴에 의해 상기 웨이퍼 상에 스캔된 복수의 스와스(swath)들에서 검출되며, 상기 결함 검토 툴이 이미지들을 발생시키는 상기 결함들의 위치들은 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며, 상기 결함들은 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에서 검출된 2개 이상의 제1 결함 및 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에서 검출된 2개 이상의 제2 결함을 포함하며, 상기 정렬하는 단계는 상기 웨이퍼 상의 상기 결함들의 위치들에서 상기 결함 검토 툴에 의해 발생된 이미지들과 상기 설계의 일부분들을 중첩시키는 것을 포함하는 것인, 상기 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하는 단계와,
    상기 정렬의 결과에 기초하여 설계 좌표들로 상기 결함들 각각의 위치를 결정하는 단계와,
    적어도 상기 제1 결함들 각각에 대한 설계 좌표들 및 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정된 상기 제1 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여, 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에 대한 제1 결함 위치 오프셋을, 그리고 상기 제2 결함들 각각에 대한 설계 좌표들 및 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정된 상기 제2 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여, 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에 대한 제2 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하는 단계와,
    상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에서 검출되었던 다른 결함들의 위치들에 상기 제1 결함 위치 오프셋을 적용하고, 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에서 검출되었던 다른 결함들의 위치들에 상기 제2 결함 위치 오프셋을 적용함으로써, 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 상기 복수의 스와스들에서 검출된 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 단계
    를 포함하고,
    상기 정렬하는 단계, 상기 위치를 결정하는 단계, 적어도 상기 제1 및 제2 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하는 단계, 및 상기 설계 좌표들을 결정하는 단계는, 컴퓨터 시스템에 의해 수행되는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 결함들 및 상기 다른 결함들은 상기 웨이퍼 상에서 검출된 모든 결함들을 포함하는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 단계, 상기 위치를 결정하는 단계, 적어도 상기 제1 및 제2 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하는 단계, 및 상기 설계 좌표들을 결정하는 단계는, 상기 웨이퍼를 검사할 때 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 사용된 픽셀의 일 픽셀 크기 이내까지 정밀한 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 생성하는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 단계, 상기 위치를 결정하는 단계, 적어도 상기 제1 및 제2 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하는 단계, 및 상기 설계 좌표들을 결정하는 단계는, 상기 이미지들 내의 결함들의 위치를 결정하기 위한 상기 결함 검토 툴의 정밀도와 동일한 정밀도를 갖는 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 생성하는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 설계는 GDS(Graphical Data System) 또는 OASIS(Open Artwork System Interchange Standard) 파일 내에 제공되는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  6. 제1항에 있어서, 전자 설계 자동화(EDA; electronic design automation) 툴로부터 상기 설계를 획득하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 결함 검토 툴은 주사 전자 현미경인 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 검사 툴은 광학 검사 툴인 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 검사 툴은 전자 빔 기반의 검사 툴인 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 단계는, 상기 결함들이 검출된 스와스에 기초하여 상기 결함 검토 툴에 의해 상기 이미지들이 발생되는 결함들을 샘플링하는 단계를 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 단계는, 상기 결함 검토 툴에 의해 수행된 자동 결함 위치 결정(automatic defect locating)을 사용하여 상기 이미지들 내의 결함들의 위치를 찾는 단계를 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 정렬하는 단계는 이미지 프로세싱을 더 포함하는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 설계 좌표들을 결정하는 단계 후에, 상기 결함들 또는 상기 다른 결함들 중의 하나에 대하여 결정된 설계 좌표들에 기초하여 상기 웨이퍼에 대하여 상기 검사 툴에 의해 생성된 검사 결과에서 비트맵 픽셀을 선택하는 단계와, 상기 선택된 픽셀에 기초하여 상기 웨이퍼를 검사하는데 사용된 프로세스를 변경하는 단계를 더 포함하는, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법.
  14. 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장한 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체에 있어서, 상기 컴퓨터 구현 방법은,
    상기 웨이퍼 상의 결함들의 위치들에서 결함 검토 툴에 의해 발생된 이미지들에 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하는 단계로서, 상기 결함들은 상기 정렬 이전에 그리고 상기 결함 검토 툴에 의한 상기 이미지들의 발생 이전에 웨이퍼 검사 툴에 의해 상기 웨이퍼 상에 스캔된 복수의 스와스들에서 검출되며, 상기 결함 검토 툴이 이미지들을 발생시키는 결함들의 위치들은 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며, 상기 결함들은 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에서 검출된 2개 이상의 제1 결함 및 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에서 검출된 2개 이상의 제2 결함을 포함하며, 상기 정렬하는 단계는 상기 웨이퍼 상의 상기 결함들의 위치들에서 상기 결함 검토 툴에 의해 발생된 이미지들과 상기 설계의 일부분들을 중첩시키는 것을 포함하는 것인, 상기 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하는 단계와,
    상기 정렬의 결과에 기초하여 설계 좌표들로 상기 결함들 각각의 위치를 결정하는 단계와,
    적어도 상기 제1 결함들 각각에 대한 설계 좌표들 및 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정된 상기 제1 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여, 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에 대한 제1 결함 위치 오프셋을, 그리고 상기 제2 결함들 각각에 대한 설계 좌표들 및 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정된 상기 제2 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여, 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에 대한 제2 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하는 단계와,
    상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에서 검출되었던 다른 결함들의 위치들에 상기 제1 결함 위치 오프셋을 적용하고, 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에서 검출되었던 다른 결함들의 위치들에 상기 제2 결함 위치 오프셋을 적용함으로써, 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 상기 복수의 스와스들에서 검출된 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 단계
    를 포함하는 것인 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체.
  15. 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템에 있어서,
    상기 웨이퍼 상의 결함들의 위치에서 이미지들을 발생하도록 구성된 결함 검토 툴로서, 상기 결함들은 웨이퍼 검사 툴에 의해 웨이퍼 상에 스캔된 복수의 스와스들에서 검출되며, 상기 결함 검토 툴이 이미지들을 발생시키는 결함들의 위치들은 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며, 상기 결함들은 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에서 검출된 2개 이상의 제1 결함 및 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에서 검출된 2개 이상의 제2 결함을 포함하는 것인, 결함 검토 툴과,
    컴퓨터 시스템을 포함하고,
    상기 컴퓨터 시스템은,
    상기 이미지들에 상기 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하고 - 상기 결함들은 상기 정렬 이전에 그리고 상기 결함 검토 툴에 의한 상기 이미지들의 발생 이전에 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 검출됨 -,
    상기 정렬의 결과에 기초하여 설계 좌표들로 상기 결함들 각각의 위치를 결정하고,
    적어도 상기 제1 결함들 각각에 대한 설계 좌표들 및 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정된 상기 제1 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여, 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에 대한 제1 결함 위치 오프셋을, 그리고 상기 제2 결함들 각각에 대한 설계 좌표들 및 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정된 상기 제2 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여, 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에 대한 제2 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하고,
    상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며 상기 복수의 스와스들 중 제1 스와스에서 검출되었던 다른 결함들의 위치들에 상기 제1 결함 위치 오프셋을 적용하고, 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 결정되며 상기 복수의 스와스들 중 제2 스와스에서 검출되었던 다른 결함들의 위치들에 상기 제2 결함 위치 오프셋을 적용함으로써, 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 상기 복수의 스와스들에서 검출된 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록
    구성된 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기 결함들 및 상기 다른 결함들은 상기 웨이퍼 상에서 검출된 모든 결함들을 포함하는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  17. 제15항에 있어서, 상기 정렬하는 단계, 상기 위치를 결정하는 단계, 적어도 상기 제1 및 제2 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하는 단계, 및 상기 설계 좌표들을 결정하는 단계는, 상기 웨이퍼를 검사할 때 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 사용된 픽셀의 일 픽셀 크기 이내까지 정밀한 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 생성하는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  18. 제15항에 있어서, 상기 정렬하는 단계, 상기 위치를 결정하는 단계, 적어도 상기 제1 및 제2 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하는 단계, 및 상기 설계 좌표들을 결정하는 단계는, 상기 이미지들 내의 결함들의 위치를 결정하기 위한 상기 결함 검토 툴의 정밀도와 동일한 정밀도를 갖는 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 생성하는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  19. 제15항에 있어서, 상기 설계는 GDS(Graphical Data System) 또는 OASIS(Open Artwork System Interchange Standard) 파일 내에 제공되는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  20. 제15항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 전자 설계 자동화(EDA; electronic design automation) 툴로부터 상기 설계를 획득하기 위하여 구성되는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  21. 제15항에 있어서, 상기 결함 검토 툴은 주사 전자 현미경인 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  22. 제15항에 있어서, 상기 웨이퍼 검사 툴은 광학 검사 툴인 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  23. 제15항에 있어서, 상기 웨이퍼 검사 툴은 전자 빔 기반의 검사 툴인 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  24. 제15항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 결함들이 검출된 스와스에 기초하여 상기 결함 검토 툴에 의해 상기 이미지들이 발생되는 결함들을 샘플링하기 위하여 구성되는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  25. 제15항에 있어서, 상기 결함 검토 툴은 또한, 자동 결함 위치 결정(automatic defect locating)을 사용하여 상기 이미지들 내의 결함들의 위치를 찾도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  26. 제15항에 있어서, 상기 정렬은 이미지 프로세싱을 더 포함하는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
  27. 제15항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 결함들 또는 상기 다른 결함들 중의 하나에 대하여 결정된 설계 좌표들에 기초하여 상기 웨이퍼에 대하여 상기 웨이퍼 검사 툴에 의해 생성된 검사 결과에서 비트맵 픽셀을 선택하고, 상기 선택된 픽셀에 기초하여 상기 웨이퍼를 검사하는데 사용된 프로세스를 변경하도록 구성되는 것인, 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하도록 구성된 시스템.
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