JP2014530495A - ウェハ欠陥の設計座標の決定 - Google Patents
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Abstract
ウェハ上で検出される欠陥の設計座標を決定するための方法およびシステムが提供される。1つの方法は、検査ツールによってウェハ上の複数のスワスで検出される欠陥の欠陥レビューツール画像に、ウェハの設計図を位置合わせすることと、位置合わせの結果に基づいて設計座標での欠陥のそれぞれの位置を決定することと、それぞれの欠陥が検出されたスワス(スワス補正要素)、これらの欠陥の設計座標、及び、検査ツールによって決定されたこれらの欠陥位置を用いて求められた欠陥位置の偏りを、複数のスワスのそれぞれに対して別個に決定することと、適切なスワス補正率をそれらの欠陥に適用することによって、検査ツールによって複数のスワスで検出された他の欠陥の設計座標を決定することを含む。
Description
(関連出願の相互参照)
本願は、2011年9月13日に出願された、「1−Pixel Defect Location Accuracy (DLA) Through SEM Image Based Analysis and Cross Platform Integration」と題する米国仮特許出願第61/534,104号の優先権を主張し、係る出願は、本明細書に完全に述べられるかのように参照することにより本明細書に組み込まれる。
本願は、2011年9月13日に出願された、「1−Pixel Defect Location Accuracy (DLA) Through SEM Image Based Analysis and Cross Platform Integration」と題する米国仮特許出願第61/534,104号の優先権を主張し、係る出願は、本明細書に完全に述べられるかのように参照することにより本明細書に組み込まれる。
本発明は、概してウェハ上で検出される欠陥の、設計図上の座標を決定するための方法およびシステムに関する。
以下の説明および例は、それらが本項に包含されるという理由で先行技術であるとは認められない。
ウェハ上の欠陥を検出して製造プロセスでのより高い歩留まり、ひいてはより高い利益を促進するために、半導体製造プロセス中の多様なステップで検査プロセスが使用される。検査はつねに半導体デバイス製作プロセスの重要な一部である。この点につき、半導体デバイスの寸法が縮小するにつれ、より小さな欠陥がデバイスの故障を引き起こすことがある。このことから、満足な品質を持った半導体デバイスの製造に成功するためには、検査はなおさら重要になる。
ウェハ上の欠陥の位置を正確に決定することは、多くの理由から重要である。現在使用されている手法では、ステージ精度および実行時位置合わせ(run-time alignment)等の検査ツールの能力のために、欠陥位置の精度は制限されている。設計図上の位置を基準にして、偏り、スケール、および回転での差異を手動操作にて補償、修正することによって、ウェハ座標系を設計座標系に対して位置合わせできる。ただし、この手法は、スワスに関連した位置の誤差から生じる誤差には対応していない。その結果として、欠陥位置精度(DLA)は、高度な検査ツールで使用されている検査画素の数倍レベルの精度に限られている。
上述の手動方法は多くの不利な点を有している。たとえば、DLAはウェハ座標系を設計座標系に手動で位置合わせすることによってしか改善されない。通常、補正はウェハ全体で2つの部位に制限されるため、当該方法はスワスに基づいた誤差に対する配慮に欠ける。DLA誤差は、検査ツールに起因する誤差と設計座標系と対ウェハ座標系の位置合わせに起因する誤差の両方を含み、これにより、DLA誤差レベルは検査画素サイズの数倍レベルに制限されてしまう。
したがって、上述の不利な点の1つまたは複数を有さないシステムおよび/または方法を開発することが有利となるだろう。
多様な実施形態の以下の説明は、決して添付の特許請求の範囲の主題を制限するとして解釈されるべきではない。
一実施形態は、ウェハ上で検出される欠陥の設計図上の座標を決定するためのコンピュータによって実現される方法に関する。この方法は、検査ツールによって複数のスワスで検出される欠陥に対して欠陥レビューツールによって生成される画像に、ウェハの設計図を位置合わせすることを含む。欠陥は、複数のスワスのそれぞれで検出される2つ以上の欠陥を含む。言い換えると、この方法では、複数のスワスのそれぞれからの2つ以上の欠陥が設計図に位置合わせされる。また、この方法では、位置合わせステップの結果に基づいて設計座標での欠陥のそれぞれの位置を決定することも含む。さらに、この方法は、複数のスワスのそれぞれの欠陥位置の偏り(offset)を個別に(スワス別に)決定することを含む。当該決定は、(そのスワスから検出され位置合わせの対象となる)各欠陥が検出されたスワス、これら各欠陥の設計座標、及び、検査ツールによって決定されたこれら各欠陥の位置(もともとのウエハ上の位置)に基づいて行われる。これは、スワスごとの補正要素を生じさせる。この方法はさらに、検査ツールによって複数のスワス内に亘り検出された他の欠陥に対する設計座標を決定することを含む。この決定では、上述した欠陥位置の偏りのうちの一つが、検査ツールによって決定された他の欠陥位置に対して適用される。その適用に当たっては、これら他の欠陥が検出されたスワスに基づいて行われる(適切なスワス補正要素をこれらの欠陥に適用する)。上述した、位置合わせステップ、位置を決定すること、スワスに関連する欠陥位置の偏りを別々に決定すること、および設計座標を決定することは、コンピュータシステムによって実行される。
上述の方法は、本明細書にさらに説明されるように実行されてよい。さらに、上述の方法は、本明細書に説明される任意の他の方法(複数の場合がある)の任意の他のステップ(複数の場合がある)を含んでよい。さらに、上述の方法は、本明細書に説明されるシステムのいずれかによって実行されてよい。
別の実施形態は、ウェハ上で検出される欠陥の設計座標を決定するための方法であってコンピュータによって実現される方法を実行するための、コンピュータシステムで実行可能なプログラム命令を記憶する、固定コンピュータ可読媒体に関する。コンピュータによって実現される方法は、上述の方法のステップを含む。コンピュータ可読媒体は、本明細書に説明されるようにさらに構成されてよい。コンピュータによって実現される方法のステップは、本明細書にさらに説明されるように実行されてよい。さらに、プログラム命令が実行可能であるコンピュータによって実現される方法は、本明細書に説明される任意の他の方法(複数の場合がある)の任意の他のステップ(複数の場合がある)を含んでよい。
追加の実施形態は、ウェハ上で検出される欠陥の設計座標を決定するように構成されたシステムに関する。システムは、検査ツールによってウェハ上で走査される複数のスワスにて検出される欠陥の画像を生成するように構成された、欠陥レビューツールを含む。撮像される欠陥は、複数のスワスの内のそれぞれで検出される2つ以上の欠陥を含む。また、システムは、上述の方法を実行するように構成されたコンピュータシステムも含む。システムは本明細書に説明されるようにさらに構成されてよい。
本発明の他の目的および優位点は、以下の詳細な説明を読み、添付図面を参照すると明らかになるだろう。
本発明は多様な変更形態および代替形式の影響を受けやすいが、本発明の特定の実施形態は、図面中例として示され、本明細書で詳しく説明される。ただし、図面およびそれに対する詳細な説明が、開示されている特定の形式に本発明を制限することを目的とするのではなく、逆に意図は添付の特許請求の範囲によって定められる本発明の精神および範囲に入るすべての変更形態、同等物、および代替案を包含することであることが理解されるべきである。
ここで図面を参照すると、留意点として、図は縮尺比通りに描かれていない。特に、図の要素のいくつかのスケールは要素の特徴を強調するために大いに強調されている。図が同じ縮尺比通りに描かれていないことも留意される。同様に構成されてよい2つ以上の図に図示される要素は、同じ参照番号を使用して示されている。
一実施形態は、ウェハ上で検出される欠陥の設計座標を決定するための、コンピュータによって実施される方法に関する。本明細書に説明される実施形態は、検査後の欠陥位置を改善するためにいくつかの拡散した技術を統合する。たとえば、この方法は、検査ツールによってウェハ上で走査される複数のスワスで検出される欠陥に対して欠陥レビューツールによって生成される画像に、ウェハの設計図を位置合わせすることを含む。したがって、本明細書に説明される実施形態は、事実上、検査技術、欠陥レビュー技術、および設計技術を統合する。
本方法は、欠陥検査を実行することを含むこともあれば、含まないこともある。たとえば、この方法は、検査ツールを使用してウェハ上の複数のスワスを走査することによってウェハを検査することを含んでよい。代わりに、複数のスワスで検出される欠陥の情報は、本明細書に説明される方法での使用のために、検査ツールによって当該情報が記憶されるコンピュータ可読記憶媒体から獲得されてよい。どちらの場合でも、ウェハ検査の結果は検査結果ファイルを含んでよい。検査結果ファイルは、欠陥レビューツールが、検査結果ファイルの欠陥についての情報を使用して、本明細書に説明される1つまたは複数のステップを実行し得るように欠陥レビューツールに送信されてよい。同様に、この方法は欠陥レビューツールを使用して画像を生成することを含むこともあれば、含まないこともある。たとえば、この方法は、欠陥レビューツールを使用してウェハ上の欠陥を撮像することを含むことがある。代わりに、欠陥に対して欠陥レビューツールによって生成される画像は、本明細書に説明される方法での使用のために、欠陥レビューツールによって画像が記憶されるコンピュータ可読記憶媒体から獲得されてよい。複数のスワスは、ウェハ上で走査されるスワスのすべてまたはそれぞれを含むことがある。このようにして、本方法は、スワスごとの欠陥位置精度(DLA)を改善し得る、スワス単位での位置合わせを行う検査含んでよい。
一実施形態では、設計図は、グラフィックデータシステム(GDS)ファイルまたはオープンアートワークシステムインターチェンジ標準(OASIS)ファイルで提供される。別の実施形態では、本方法は、電子設計自動化(EDA)ツールから設計図を獲得することを含む。このようにして、本方法は、正確な位置合わせのために欠陥レビューツール画像および設計レイアウトを使用することを含んでよい。本明細書に説明される実施形態で使用される設計図または設計図のための情報は、技術で既知の任意の他の設計データを含んでよい。
一実施形態では、欠陥レビューツールは、走査型電子顕微鏡(SEM)である。SEMは、カリフォルニア、ミルピタスのKLA−Tencorから市販されているeDR7000等の技術で既知の、任意の適切な市販されているSEM欠陥レビューツールを含んでよい。このようにして、設計図を、欠陥レビューツールによって生成される画像に位置合わせすることは、SEM画像を設計図に位置合わせすることを含んでよい。SEM画像対設計図の位置合わせを行うことで、本明細書に説明される実施形態によって生じる結果に対する検査ツールノイズの影響が軽減される。
別の実施形態では、検査ツールは光学(つまり、光ベースの)検査ツールである。いくつかの実施形態では、検査ツールは電子ビームベースの検査ツールである。検査ツールは、技術で既知の任意の適切な市販されている光ベースの検査ツールまたは電子ビームベースの検査ツールを含んでよい。さらに、光ベースの検査ツールは、明視野(BF)検査ツールおよび/または暗視野(DF)検査ツールであってよい。このようにして、本明細書に説明される実施形態で使用される検査ツールは、BF検査、DF検査、および/または電子ビーム検査に制限されない。言い換えると、本明細書に説明される実施形態は、検査ツールプラットホームとは無関係である。
欠陥は、複数のスワスのそれぞれで検出される2つ以上の欠陥を含む。たとえば、本方法は、スワスごとに2つの欠陥を用いて、設計図画像への位置合わせを行うことを含んでよい。一実施形態では、本方法は、欠陥が検出されたスワスに基づいて、欠陥レビューツールによって画像が生成される欠陥をサンプリングすることを含む。たとえば、欠陥のサンプリングは、検査結果ファイルに保存されているスワス情報を使用して、検査結果ロット内にある各スワスから、比較的少ない数の欠陥を選択することを含んでよい。このようにして、本方法は、スワスごとのDLAを改善するための、検査スワスベースのサンプリングを含んでよい。また、好ましくは、2つ以上の欠陥とは、複数のスワスのそれぞれで検出されるすべての欠陥より少ない欠陥を含む。欠陥レビューツール画像が本明細書に説明される実施形態で生成される欠陥の数は、欠陥レビューツールの速度に応じて変わることがある。たとえば、より高速の欠陥レビューツール画像生成では、なおさら優れた精度およびロバスト性のために追加の欠陥を含むために、同じ概念を拡大できる。
係る一実施形態を図1に示す。複数のスワス12が検査ツール(図1では不図示)によって走査されるとともに、ウェハ上の欠陥14を検出した検査の結果が、ウェハマップ10により示されている。また、ウェハマップは、ウェハ上のダイ16の位置も示す。簡単のため、図1では複数のスワス12のうち1つだけが示されている。この例では、上述されたように、欠陥をサンプリングすることは、検査後の検査結果ファイルからスワスごとに2つの欠陥をサンプリングすることを含んでよい。さらに詳細には、2つの欠陥は、図1に示されるスワスからサンプリングされてよく、次いで2つの他の欠陥が複数のスワスの内の別のスワスからサンプリングされてよい。このことは以下同様である。欠陥がスワス単位であるスワスからサンプリングされた後、サンプリングされた欠陥に対して、欠陥レビューツール(図1では不図示)を使用して、画像18が生成されてよい、または欠陥レビューツールによって画像が記憶されたコンピュータ可読記憶媒体から当該画像を取得されてよい。図1に示されるように、画像18は相対的に高分解能のSEM画像であってよい。画像は、(たとえば、欠陥位置Xi、Yiで)検査ツールによって決定される欠陥位置で、欠陥レビューツールによって生成されてよい。位置合わせステップは、次いで、画像18を設計図の一部20に位置合わせすることを含んでよい。設計図の一部は設計「クリップ」またGDSクリップと呼ばれてよい。
いくつかの実施形態では、本方法は、欠陥レビューツールによって実行される自動欠陥位置決め(ADL)を使用して、画像内で欠陥の位置を突き止めることを含む。たとえば、いったん欠陥が欠陥レビューツール上で撮像されると、欠陥はADLによって位置を突き止められてよい。ADLは、技術で既知の任意の適切な方法で実行されてよい。
一実施形態では、位置合わせは画像処理を含む。いくつかの実施形態では、画像処理は、ウェハ上の層(layer)ごとに、最善のエッジ検出のためにSEM画像を最適化することを含んでよい。係るトレーニングは自動化されてよい。別の実施形態では、位置合わせするステップは、設計図の一部に画像を重ね合わせる(オーバーレイ)ことを含む。このようにして、位置合わせのステップは、SEM画像と設計レイアウトとをオーバーレイすることを含んでよい。たとえば、図1に示されるように、画像18は設計図の一部20にオーバーレイされ、次いで画像18の、設計図の一部20に対する位置は、画像内の造作物(features)が、設計図の一部に含まれる造作物に実質的に一致するまで変更されてよい。
また、本方法は、位置合わせステップの結果に基づいて、設計座標での欠陥のそれぞれの位置を決定することも含む。このようにして、本方法は、欠陥の設計座標を決定することを含む。たとえば、欠陥レビューツールで生成される画像内にある欠陥位置であって、ADL(自動欠陥位置決め)によって決定される欠陥位置に対して、位置合わせ後に当該欠陥が重ね合わせられた設計図の位置に対応する設計座標がその欠陥位置に割り当てられてよい。このように、本方法は、設計空間における欠陥の位置を、SEMレベルの位置精度で十分に正確に決定することを含んでよい。
本方法は、欠陥位置の偏り(つまり、スワス補正要素)を、複数のスワスのそれぞれに対して別個に決定することも含む。当該決定に当たり、それぞれの欠陥が検出されたスワス、これらの欠陥の設計座標、及び、検査ツールによって決定されたこれらの欠陥の位置が用いられる。このようにして、本方法は、複数のスワスのそれぞれの位置補正を決定することを含んでよい。たとえば、複数のスワスのそれぞれの位置補正は、設計座標に対する位置合わせに基づいて決定されてよい。
本方法はさらに、検査ツールによって複数のスワスに亘って検出された他の欠陥の設計位置を決定することを含む。当該決定に当たり、上述した欠陥位置の偏りの内の1つを、検査ツールによって決定された当該他の欠陥の位置に適用する。この適用は、当該他の欠陥が検出されたスワスに基づいて行う(つまり、適切なスワス補正要素を、同じスワスから検出される他の欠陥のそれぞれに適用する)。このようにして、本方法は欠陥位置の偏りをスワス単位でウェハ検査座標に適用して、調整された欠陥位置(たとえば、補正された位置Xf、Yf)を決定することを含む。たとえば、上述されたように、スワス単位で複数のスワスのすべての他の欠陥に適用されてよい位置補正を生成するために、2つの欠陥が使用されてよい。さらに、本方法は、画像に基づいた精度が高いDLAを含む。このようにして、欠陥座標調整は、SEM画像から設計ファイル位置合わせに対して行われてよい。たとえば、複数のスワスのそれぞれの位置補正は、スワス単位で所定スワス内のすべての欠陥に適用されてよい。このようにして、欠陥位置は、設計図に対する欠陥位置の精度を改善するために調整できる。
補正された欠陥位置は検査結果ファイルに送信されてよい。たとえば、結果は追加の分析のために検査結果ファイルに送り返されてよい。補正された位置(Xf、Yf)は、コンテキストベースの検査(CBI)動作を改善するためだけではなく、新しい用途を可能にするためにも使用できる。CBIは、本明細書に完全に述べられるかのように参照することにより本明細書に組み込まれる、Kulkarniらに対する米国特許第7,676,077号に説明されるように実行されてよい。
設計図を位置合わせすること、位置を決定すること、欠陥位置の偏りを別々に決定すること、および設計座標を決定することは、本明細書にさらに説明されるように構成されてよいコンピュータシステムによって実行される。
一実施形態では、欠陥および他の欠陥は、ウェハ上で検出されるすべての欠陥を含む。言い換えると、スワス補正要素を決定するために使用される欠陥、および適切なスワス補正要素が適用される欠陥は、ウェハ上のすべての欠陥を含んでよい。このようにして、設計座標は、ウェハで検出されるすべての欠陥に決定できる。たとえば、図1に示されるように、補正された位置(Xf、Xy)は、ウェハ上の他のすべてのダイにおける、他のすべての欠陥に加えて、ウェハ上でのダイ24のすべての欠陥22に対して決定されてよい。
いくつかの実施形態では、設計図を位置合わせすること、位置を決定すること、欠陥位置の偏りを決定すること、および設計座標を決定することは、検査ツールの1画素範囲内のレベルで正確である、他の欠陥の設計座標を生じさせる。たとえば、本明細書に説明される実施形態は、SEM画像ベース分析およびクロスプラットフォーム統合による1画素DLAを提供する。特に、本実施形態は、SEMレビューツールで相対的に小さい欠陥のサブセットをサンプリングすることによって、ウェハ検査結果でのすべての欠陥に+/−1検査画素レベルの座標精度を提供する。このようにして、本明細書に説明される実施形態では、設計図に位置合わせするとともに、サンプリングされる欠陥について欠陥レビューツールの位置精度(たとえば、ADL精度)の範囲内で欠陥位置を修正することによって、検査ツールの複数画素精度の限界が克服される。係る改善は、検査ツールおよびレビューツールの更なる使用を促進し得る新たな応用技術となり得る。さらに、本明細書に説明されるように、検査ツール性能のさらなる改善を要さずに、検査に基づく欠陥位置を改善できる。現在利用可能な他の技術はこの座標精度を達成できない。
別の実施形態では、設計図を位置合わせすること、位置を決定すること、欠陥位置偏りを別々に決定すること、および設計座標を決定することは、画像内の欠陥の位置を決定するための欠陥レビューツールの精度にほぼ等しい精度で他の欠陥の設計座標を生じさせる。たとえば、検査に基づく欠陥位置は、本明細書に説明されるように改変され、欠陥レビューツール位置誤差の範囲内(たとえば、eDR7000システムの場合約6nmの範囲内)のDLA座標精度を達成できる。特に、スワスごとのステージジッタ(微小振動)は、画素の約2分の1である。高度明視野ツール(のステージジッタ)は、今日約10nmであってよい。したがって、本明細書に説明される実施形態は、サンプリングされる欠陥について約6nmの精度、他の欠陥について約10nmの精度が提供され得る。現在利用可能な他の技術はこのレベルの座標精度を達成できない。
本明細書に説明される実施形態は、欠陥レビューツールおよび設計図に基づいた位置合わせを使用して、新しい使用ケースの開発のために検査結果ファイルにフィードバックすることも含んでよい。たとえば、一実施形態では、本方法は、欠陥の内の1つおよび他の欠陥に決定された設計座標に基づいて、ウェハ用の検査ツールによって生成される検査結果のビットマップ画素(欠陥画素としても知られる)を選択し、選択した(欠陥)画素に基づいてウェハを検査するために使用されるプロセスを改変することを含む。このようにして、本方法は、検査最適化のために欠陥によって影響を受ける単一の画素を識別するために改善されたDLAを使用することを含んでよい。係る実施形態は特定の欠陥の検査感度の最適化に使用されてよい。たとえば、本方法によって、以前には未検出であったウェハ上の「ギャップ」欠陥が検出されることがある。さらに、本方法は、欠陥レビューツール画像を使用して欠陥ごとの偏りを調整することを含んでよい。本方法は、補正された欠陥座標を適用して、検査最適化の元とするビットマップ画素または欠陥画素を決定することも含んでよい。
さらに、実施形態は、サブピクセル解析を実行して異なる欠陥タイプに基づいて欠陥対欠陥の挙動を理解することを含んでよい。本明細書に説明される実施形態は、いくつかの例が上記に参照されたKulkarniに対する特許に説明されるCBIをセットアップするために使用されてもよい。たとえば、本明細書に説明される方法は、ウェハ上でホットスキャンを実行して、ウェハ上でより多くの欠陥を検出することを含んでよい。本明細書に説明される欠陥に決定される設計座標は、次いで設計図のホットスポットを識別するために使用されてよい。たとえば、ある欠陥の設計座標が、設計図における重要造作物(critical feature)と同一であるか近傍である場合には、当該欠陥の設計座標を設計図のホットスポットとして識別されてよい。識別されたホットスポットに基づき、CBIプロセスは設計図(のパターン)が転写される他のウェハにセットアップできる。たとえば、CBIプロセスは、ホットスポットがウェハ上の非ホットスポットよりも高い感度で検査されるようにセットアップできる。
また、おそらく検査のさらなる改善をもたらす、本明細書に説明される手法の他の多くの可能性がある用途がある。たとえば、本明細書に説明される方法の結果は、ある特定のメモリセルにおける欠陥を局所化するための(DRAM、FLASH、およびSRAM用の)インラインビットマッピングのために使用されることがある。また、本方法の結果は、欠陥による概略オーバーレイに基づいたサンプリングに使用されてもよい(たとえば、欠陥が設計図で指定される金属相互接続と重複する場合、その欠陥はサンプリングされてよい)。さらに、本明細書に説明される方法の結果は、シングルビア及びダブルビアによる欠陥データをまとめるため、N型/P型トランジスタ分離のため、将来の層(たとえば、接点上の粒子)のための歩留まり予測のため、および、線上及び線間におけるショートまたは断線による欠陥データの収集のために使用されてよい。
本明細書に説明される実施形態は、欠陥の位置を決定するために現在使用されている方法に優る多くの優位点を有する。たとえば、以前に使用された手法は、設計図対ウェハの位置合わせにウェハレベルの偏りを適用する。以前の手法を使用すると、DLAは設計図および検査システムの誤差に手動で位置合わせすることに制限される。さらに、代替手法はウェハの検査中に検査ツールによって生成される欠陥の、相対的に高分解能の光学パッチ画像を、リアルタイム位置合わせのための設計レイアウトに位置合わせすることとなるだろう。ただし、この手法は、信頼できるパッチ画像を必要とし、新しい画像照合アルゴリズムも必要とする。対照的に、SEM画像等の欠陥レビューツール画像は、一般に、光学画像と比較してはるかに優れたパターン忠実度を有する。したがって、欠陥レビューツール画像を画像処理を使用して設計図に位置合わせすることによって、欠陥対設計図の正確な位置合わせを達成することができ、したがって全体的なDLAが改善される。
上述される方法の実施形態のそれぞれは、本明細書に説明される任意の他の方法(複数の場合がある)の任意の他のステップ(複数の場合がある)を含んでよい。さらに、上述される方法の実施形態のそれぞれは、本明細書に説明されるシステムのいずれかによって実行されてよい。
本明細書に説明される方法のすべては、本方法実施形態の1つまたは複数のステップの結果をコンピュータ可読記憶媒体が記憶することを含んでよい。結果は、本明細書に説明される結果のいずれかを含んでよく、技術で既知の任意の方法で記憶されてよい。記憶媒体は、本明細書に説明される任意の記憶媒体、または技術で既知の任意の他の適切な記憶媒体を含んでよい。結果が記憶された後、結果は記憶媒体でアクセスすることができ、本明細書に説明され、ユーザに表示するためにフォーマットされ、別のソフトウェアモジュール、方法、またはシステム等によって使用される本方法の実施形態またはシステム実施形態のいずれかによって使用できる。
追加の実施形態は、ウェハ上で検出される欠陥の設計座標を決定するためのコンピュータによって実現される方法を実行するためのコンピュータシステムで実行可能なプログラム命令を記憶する固定コンピュータ可読媒体に関する。係る一実施形態は図2に示される。特に、図2に示されるように、コンピュータ可読媒体50は、コンピュータシステム54で実行可能なプログラム命令52を含む。コンピュータによって実現される方法は、上述される方法のステップを含む。プログラム命令が実行可能であるコンピュータによって実現される方法は、本明細書に説明される任意の他のステップ(複数の場合がある)も含んでよい。
本明細書に説明される方法等、本方法を実現するプログラム命令52は、コンピュータ可読媒体50に記憶されてよい。コンピュータ可読媒体は、磁気ディスクもしくは光ディスク、または磁気テープ、または技術で既知の任意の他の適切な固定コンピュータ可読媒体等の記憶媒体であってよい。
プログラム命令は、とりわけプロシージャベースの技法、構成要素ベースの技法、および/またはオブジェクト指向技法を含む多様な方法の内のいずれかで実現されてよい。たとえば、プログラム命令は、ActiveXコントロール、C++オブジェクト、JavaBeans、Microsoft Foundation Classes(マイクロソフトファンデーションクラス)(「MFC」)、または所望される他の技術もしくは方法を使用して実現されてよい。
コンピュータシステムは、パーソナルコンピュータシステム、画像コンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワークアプライアンス、インターネットアプライアンス、または他の装置を含む多様な形をとってよい。一般に、用語「コンピュータシステム」は、メモリ媒体からの命令を実行する1台または複数のプロセッサを有する任意の装置を包含するとして広くに定義されてよい。コンピュータシステムは、パラレルプロセッサ等の技術で既知の任意の適切なプロセッサも含んでよい。さらに、コンピュータシステムは、スタンドアロンツールまたはネットワーク化ツールのどちらかとして高速処理およびソフトウェアを備えたコンピュータプラットフォームを含んでよい。
追加の実施形態は、ウェハで検出される欠陥に設計座標を決定するように構成されたシステムに関する。係るシステムの一実施形態は図3に示される。システムは、検査ツール82によってウェハ上で走査される複数のスワスで検出される欠陥の画像を生成するように構成された欠陥レビューツール80を含む。欠陥は、複数のスワスのそれぞれで検出される2つ以上の欠陥を含む。欠陥レビューツール80および検査ツール82は、本明細書に説明されるようにさらに構成されてよい。図3に示されるように、欠陥レビューツールおよび検査ツールは、検査ツールが欠陥についての情報を欠陥レビューツールに送信できるように何らかの方法で結合されてよい。たとえば、検査ツールおよび欠陥レビューツールは、検査ツールが欠陥レビューツールに情報を送信できる伝送媒体(不図示)によって結合されてよい。当該伝送媒体は、有線部分および/または無線部分を含んでよい。代わりに、検査ツールは、検査ツールがその中に欠陥の情報を記憶することができ、欠陥レビューツールがそこから欠陥情報を取り出すことができるファブデータベース等のコンピュータ可読記憶媒体(図3では不図示)によって欠陥レビューツールに事実上結合されてよい。
本システムは、本明細書に説明されるようなウェハの設計図の画像への位置合わせを実行するために構成されたコンピュータシステム84も含む。また、このコンピュータシステムは、本明細書にさらに説明されるような、位置合わせステップの結果に基づいた各欠陥に対する設計座標の位置決定を実行するために構成されてよい。さらに、本コンピュータシステムは、本明細書に説明されるように、それぞれの欠陥が検出されたスワス、これらの欠陥の設計座標、及び、検査ツールによって決定されたこれらの欠陥の位置を用いて求められた欠陥位置の偏りを、複数のスワスのそれぞれに対して別個に決定する決定プロセスを実行するために構成されてよい。本コンピュータシステムはさらに、本明細書に説明されるように、検査ツールによって複数のスワス内に亘り検出された他の欠陥に対する設計座標を決定する決定プロセスを実行するために構成されてよい。この決定では、上述した欠陥位置の偏りのうちの一つが、検査ツールによって決定された他の欠陥位置に対して適用される。その適用に当たっては、これら他の欠陥が検出されたスワスに基づいて行われる(適切なスワス補正要素をこれらの欠陥に適用する)。
本コンピュータシステムは、コンピュータシステムが欠陥レビューツールおよび検査ツールとの間で情報を送受できるように、上述された方法等の方法で欠陥レビューツールおよび検査ツールに結合されてよい。また、コンピュータシステムは、本明細書に説明される実施形態で使用するために設計図がコンピュータシステムによってそこから取得されてよいEDAツール等の他のツールに、類似した方法で結合されてもよい。コンピュータシステムおよびシステムは、本明細書に説明される任意の他のステップ(複数の場合がある)を実行するように構成され、本明細書に説明されるようにさらに構成されてよい。
本発明の多様な態様の追加の変更形態および代替実施形態は、本説明を鑑みて当業者に明らかになるだろう。たとえば、ウェハ上で検出される欠陥の設計座標を決定するための方法およびシステムが提供される。したがって、本説明は例示的のみとして解釈されるべきであり、本説明は本発明を実施する一般的な方法を当業者に教示することを目的とする。本明細書に示され、説明される本発明の形式が、現在好ましい実施形態として解釈されるべきであることが理解されるべきである。すべてが本発明の本説明の利点を有した後に当業者に明らかになるように、要素および材料は、本明細書に示され、説明された要素および材料の代わりとなってよく、パーツおよびプロセスは入れ替えられてよく、本発明の特定の特長は独立して活用されてよい。変更は、以下の特許請求の範囲に説明される本発明の精神および範囲から逸脱することなく本明細書に説明される要素で加えられてよい。
Claims (16)
- ウェハ上で検出される欠陥の設計座標を決定するための、コンピュータによって実現される方法であって、
検査ツールによって前記ウェハ上にて走査された複数のスワスで検出される欠陥に対して欠陥レビューツールによって生成される画像への、ウェハの設計図の位置合わせであって、前記欠陥は前記複数のスワスのそれぞれで検出される2つ以上の欠陥を含む、位置合わせと、
前記位置合わせの結果に基づいて、設計座標での前記欠陥のそれぞれの位置を決定することと、
それぞれの欠陥が検出されたスワス、これらの欠陥の設計座標、及び、検査ツールによって決定されたこれらの欠陥位置を用いて求められた欠陥位置の偏りを、複数のスワスのそれぞれに対して別個に決定することと、
他の欠陥が検出されたスワスに基づいて、前記欠陥位置の偏りの内の一つが、検査ツールによって決定された当該他の欠陥位置に対して適用されることで、検査ツールによって複数のスワス内に亘り検出された他の欠陥に対する設計座標を決定することを含み、
前記位置合わせ、前記位置を決定すること、前記欠陥位置の偏りを別個に決定すること、および前記設計座標を決定することがコンピュータシステムによって実行される方法。 - 前記欠陥および前記他の欠陥が前記ウェハ上で検出されるすべての欠陥を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記位置合わせ、前記位置を決定すること、前記欠陥位置の偏りを別個に決定すること、および前記設計座標を決定することが、前記ウェハを検査するときに前記検査ツールによって使用される画素の1画素サイズ範囲内まで正確である、前記他の欠陥の設計座標を生じさせる、請求項1に記載の方法。
- 前記位置合わせ、前記位置を決定すること、前記欠陥位置の偏りを別個に決定すること、および前記設計座標を決定することが、前記画像内の前記欠陥の位置を決定するための前記欠陥レビューツールの精度にほぼ等しい精度を有する前記他の欠陥の設計座標を生じさせる、請求項1に記載の方法。
- 前記設計図がグラフィックデータシステム(GDS)ファイルまたはオープンアートワークインターチェンジ標準(OASIS)ファイルで提供される、請求項1に記載の方法。
- 電子設計自動化(EDA)ツールから前記設計図を獲得することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥レビューツールが走査型電子顕微鏡である、請求項1に記載の方法。
- 前記検査ツールが光学検査ツールである、請求項1に記載の方法。
- 前記検査ツールが電子ビームベースの検査ツールである、請求項1に記載の方法。
- 前記画像が、前記欠陥が検出される前記スワスに基づいて前記欠陥レビューツールによって生成される、前記欠陥をサンプリングすることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥レビューツールによって実行される自動欠陥位置決めを使用して前記画像で前記欠陥の位置を突き止めることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記位置合わせすることが画像処理を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記位置合わせすることが、前記設計図の一部に前記画像をオーバーレイすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェハに対して前記検査ツールによって生成される検査結果のビットマップ画素を、前記欠陥の内の1つまたは前記他の欠陥に対して決定された前記設計座標に基づいて選択するとともに、前記選択した画素に基づいて、前記ウェハを検査するために使用されるプロセスを変更することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ウェハで検出される欠陥の設計座標を決定するためのコンピュータによって実現される方法を実行するためのコンピュータシステムで実行可能なプログラム命令を記憶する固定コンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータによって実現される方法が、
検査ツールによって前記ウェハ上にて走査された複数のスワスで検出される欠陥に対して欠陥レビューツールによって生成される画像への、ウェハの設計図の位置合わせであって、前記欠陥は前記複数のスワスのそれぞれで検出される2つ以上の欠陥を含む、位置合わせと、
前記位置合わせの結果に基づいて、設計座標での前記欠陥のそれぞれの位置を決定することと、
それぞれの欠陥が検出されたスワス、これらの欠陥の設計座標、及び、検査ツールによって決定されたこれらの欠陥位置を用いて求められた欠陥位置の偏りを、複数のスワスのそれぞれに対して別個に決定することと、
他の欠陥が検出されたスワスに基づいて、前記欠陥位置の偏りの内の一つが、検査ツールによって決定された当該他の欠陥位置に対して適用されることで、検査ツールによって複数のスワス内に亘り検出された他の欠陥に対する設計座標を決定することと、
を含む、固定コンピュータ可読媒体。 - ウェハで検出される欠陥の設計座標を決定するように構成されたシステムであって、
検査ツールによってウェハ上で走査される複数のスワスで検出される欠陥の画像を生成するように構成された欠陥レビューツールであって、前記欠陥が前記複数のスワスのそれぞれで検出される2つ以上の欠陥を備える、欠陥レビューツールと、
コンピュータシステムであって、
前記画像への、前記ウェハの設計図の位置合わせと、
前記位置合わせの結果に基づいて、設計座標での前記欠陥のそれぞれの位置を決定すること、
それぞれの欠陥が検出されたスワス、これらの欠陥の設計座標、及び、検査ツールによって決定されたこれらの欠陥位置を用いて求められた欠陥位置の偏りを、複数のスワスのそれぞれに対して別個に決定すること、
他の欠陥が検出されたスワスに基づいて、前記欠陥位置の偏りの内の一つが、検査ツールによって決定された当該他の欠陥位置に対して適用されることで、検査ツールによって複数のスワス内に亘り検出された他の欠陥に対する設計座標を決定すること、
のために構成されたコンピュータシステムと
を備える、システム。
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