KR100971045B1 - 수증기 및 희석 가스를 이용하여 강화되는 수소 애슁 방법 - Google Patents

수증기 및 희석 가스를 이용하여 강화되는 수소 애슁 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100971045B1
KR100971045B1 KR1020080036116A KR20080036116A KR100971045B1 KR 100971045 B1 KR100971045 B1 KR 100971045B1 KR 1020080036116 A KR1020080036116 A KR 1020080036116A KR 20080036116 A KR20080036116 A KR 20080036116A KR 100971045 B1 KR100971045 B1 KR 100971045B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ashing
gas
amount
plasma
hydrogen
Prior art date
Application number
KR1020080036116A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080094608A (ko
Inventor
찬-šœ 양
창훈 이
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20080094608A publication Critical patent/KR20080094608A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100971045B1 publication Critical patent/KR100971045B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

수소화 실리콘 산탄화물 재료 기재 저-k 유전체 재료에 특히 유용한 무산소 수소 플라즈마 애슁 공정이 개시된다. 주요 애슁 단계는 수소(50)의 플라즈마(48) 및 선택적인 질소(54), 많은 양의 수증기(60), 및 많은 양의 아르곤(80) 또는 헬륨으로 미리 애칭된 유전체 층을 노출하는 단계를 포함한다. 특히 다공성 저-k 유전체를 위해, 주요 애슁 플라즈마는 메탄과 같은 탄화수소 가스(84)를 더 포함한다. 주요 애슁 전에 수소 및 선택적인 질소와 같은 수소-함유 환원 가스의 플라즈마에 의해 짧은 표면 처리가 선행될 수 있다.

Description

수증기 및 희석 가스를 이용하여 강화되는 수소 애슁 방법 {HYDROGEN ASHING ENHANCED WITH WATER VAPOR AND DILUENT GAS}
본 발명은 일반적으로 집적 회로의 제조 시 재료의 플라즈마 에칭에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 포토레지스트의 애슁(ashing)에 관한 것이다.
플라즈마 에칭(plasma etching)은 실리콘 집적 회로의 제조에서 널리 이용된다. 종종 유전체 에칭으로 지칭되는 공정 단계 중 하나의 공정은 집적 회로의 상이한 레벨들 사이에 수직 전기 연결을 제공하도록 유전체 층을 통하여 홀(hole)을 형성하기 위하여 이용된다. 프로토타입의 비아(via) 구조물이 도 1에서 단면으로 개략적으로 도시되어 있다. 웨이퍼의 표면에 형성된 하부 유전체 층(10)은 표면에 형성된 전도성 피쳐(12)를 가진다. 상부 유전체 층(14)은 하부 유전체 층(10) 및 전도성 피쳐(12) 상에 증착된다. 평면형 포토레지스트 층(16)은 지금까지 패턴화되지 않은 상부 유전체 층(14) 상으로 형성되고(spin) 스테퍼는 방사 패턴에 따라 포토그래픽 방식으로(photographically) 노출하여 포토레지스트 층(16)을 통하여 마스크 통공(18)을 형성하도록 하여 전도성 피쳐(12) 위에 배치되는 마스크 통공(18)을 구비한 포토마스크를 형성하도록 하여 비아를 경유하여 전기적으로 접촉되도록 한다. 에칭 하드 마스크 또는 반사 방지 코팅과 같은 포토레지스트 층(16)과 상부 유전체 층(14) 사이에 부가 층이 형성될 수 있다. 포토마스크형 웨이퍼는 플라즈마 에칭 반응기 내로 배치되며, 플라즈마 에칭 반응기는 상부 유전체 층(14)을 통하여 하방으로 전도성 피쳐로 에칭되어 비아 홀(20)을 형성한다. 통상적으로, 동일한 에칭 반응기는 또한 존재하는 경우, 에칭 화학물이 층들 사이에서 변화되면서 반사 방지 코팅 및 하드 마스크를 통하여 에칭된다. 유전체 에칭은 통상적으로 예를 들면, 헥사플루오르부타디엔(C4F6)을 이용하는, 플루오르카본 화학적 작용을 기초로 한다.
유전체 에칭 후, 비아 홀(20)은 알루미늄 또는 구리와 같은 금속으로 채워져서 전도성 피쳐(12)로 수직 전기 연결을 제공한다. 구리 금속화에 통상적으로 이용되는 이중-물결무늬 구조를 위해, 비아 홀(20)은 상부에서 수평으로 연장하는 트렌치로 연결되는 상부 유전체 층(14)의 바닥에서 더 짧은 비아 홀로 대체되고, 둘다 동시에 구리로 채워진다. 접촉 층 금속화를 위해, 비록 이 경우 적절하게는 접촉 홀로 지칭되는, 비아 홀(20)을 구비한 인터페이스에서 복합 규화물 및 가스 산화물이 있을 수 있지만, 하부 유전체 층(10)은 활성 실리콘 층으로 대체되고 전도성 피쳐(12)는 또한 실리콘으로 구성된다.
유전체 에칭의 완료시, 포토레지스트의 일부는 유전체 층(14)의 상부에 남아 있을 수 있거나 종종 탄소를 포함하는 합성물의 에칭 잔류물이 비아 홀(18)에 남아 있을 수 있다. 잔류물은, 수직 에칭 프로파일을 형성하는 것을 보조하거나 비아 홀(20)의 바닥부에서 일부를 포함하는 격리된 에칭 잔류물을 형성하는, 비아 홀(20)의 측부 상에 폴리메릭 코팅(22)을 형성할 수 있다. 유사한 폴리메릭 코팅은 경화성 외측면을 형성하도록 포토레지스트의 나머지를 덮을 수 있다. 금속 충전 공정은 비아 홀(20)이 배리어 층, 및 전기화학적 도금(ECP)으로 수행되는 구리 금속화의 경우, 시드 층 및 전기 도금 전극에 작용하는 구리 층을 포함하는 등각 라이너로 코팅될 것을 요구한다. 현재, 배리어 층은 통상적으로 TaN/Ta의 이중층이고 구리 시드 층이 스퍼터링의 진보된 형태로 증착될 수 있다. 포토레지스트 및 다른 잔류물이 비아 측벽으로의 부착이 저하되고 비아 바닥부에서의 접촉 저항이 증가되고 이 두 경우에서 장치 생산 및 신뢰성에 영향을 미치기 때문에 포토레지스트 및 다른 잔류물은 비아 홀을 라이닝하는 층의 증착 전에 구조물로부터 제거되어야 하는 것이 중요하다.
플라즈마 애슁(plasma ashing)은 에칭 후 포토레지스트 및 다른 잔류물을 제거하기 위해 오랜동안 실시되어 왔다. 산소 플라즈마는 탄소 기재 층으로부터 에칭시 매우 효율적이다. 비록 애슁(ashing)은 종래에 다수의 웨이퍼의 배치 프로세싱을 위해 설계되는 배리어 애쉬어(asher)로 실시되었지만, 더 많은 현 기술은 개별 에칭 반응기로서 또는 유전체 에칭을 위해 이용되는 동일한 플라즈마 에칭 반응기에서 수행되는 개별 처리 단계에서 단일 웨이퍼 플라즈마 애쉬어를 이용한다.
종래의 애슁은 유전체 층이 SiO2 의 유사한 화학적 구성을 가지고 약 3.9의 유전체 상수(k)를 가지는 실리콘 일산화물(실리카)로 형성된다. 그러나 애슁은 진보된 집적회로를 위해 요구되는 더 많은 저-k 유전체로 인가될 때 어려움이 존재한다. 초기에 저-k 유전체가 유전체 상수를 약 3.5로 감소시키기 위해 플루오르 실리카를 도핑함으로써 형성된다. 3 아래 범위(low-3 range)에 있는 더 낮은 유전체 상수조차 미국의 캘리포니아 산타 클라라의 어플라이드 머티어리얼스로부터 입수가능한 블랙 다이아몬드 유전체와 같은 수소화 실리콘 산탄화물 재료(hydrogenated silicon oxycarbide material)에 의해 얻을 수 있다. 3 보다 작은 여전히 낮은 유전체 상수가 다공성이 되는 이 같은 재료를 증착함으로써 얻을 수 있다. 이러한 재료의 산소 애슁은 많은 문제점을 일으킨다. 산소 플라즈마는 탄소를 포함하는 포토레지스트 잔류물 및 다른 잔류물을 공격만 하지 않으며, 또한 실리콘 산탄화물의 탄소 함량을 고갈시키는 경향이 있어 유전체 상수가 증가된다. 다공성 유전체 재료는 상대적으로 부서지기 쉬우며 더욱이 구멍 내로의 산소의 부분 침수에 의해 산소 플라즈마로부터 손상을 받아 구멍이 붕괴되기가 쉽다.
따라서, 진보된 애슁은 산소 플라즈마의 산화 화학적 작용으로부터 수소 및 가능하게는 질소, 예를 들면, H2, H2/N2, 또는 NH3의 일부 조합물로 형성되는 플라즈마의 감소된 화학적 작용으로 변위된다. 수소 래디컬 H* 기재 애슁은 산소 에칭보다 더 작은 유전체 손상 및 더 높은 성능을 보여준다. 그러나, 수소 래디컬 밀도는 단지 환원 가스의 환경에서 발생되는 저 수소 래디컬 밀도 및 저환원 반응 속도에 의한 매우 느린 공정이다. 산소 애슁은 20초의 공정을 요구하는 반면, 수소 애슁은 10배 긴 시간을 요구할 수 있어, 이는 확실한 경제적 단점이 된다. 따라서, 종종 작은 양의 산소가 애슁 속도 및 애슁 효율을 증가시키기 위해 감소된 가스에 부가될 수 있다. 그러나, 다공성 저-k 재료는 작은 양의 산소에 조차 민감하여, 실리콘 산탄화물 재료로부터 상당한 탄소를 제거할 수 있고 유전체 상수를 증가시킨다.
산소가 없는 플라즈마 애슁 공정은 산소 가스, 선택적인 질소 가스, 수증기 및 아르곤 또는 헬륨과 같은 다른 불활성 또는 희석 가스로부터 형성된 플라즈마를 포함한다. 암모니아는 수소 및 질소를 대체할 수 있다. 플라즈마는 수소 가스보다 더 많은 수증기, 및 수증기보다 더 많은 불활성 가스로부터 형성된다.
애슁은 특히 저-k 유전체 재료 함유 탄소 뿐만 아니라 실리콘 산화물, 예를 들면, 수소화 실리콘 산탄화물에 유용하다.
선택적으로, 메탄과 같은 탄화수소가 주요 애싱 단계의 플라즈마에 부가될 수 있다. 탄화수소의 부가는 특히 예를 들면 3 보다 작은 유전체 상수를 가지는 다공성의 저-k 유전체 재료에 유용하다.
초기의 산소가 없는 플라즈마 애슁 또는 표면 처리 단계는 수소 또는 암모니아, 및 수증기를 제외하지 않은 선택적인 질소 가스와 같은 수소 함유 환원 가스로부터 형성되는 플라즈마를 포함한다. 표면 처리 단계는 주 애슁 단계보다 더 짧을 수 있다.
수소 기재 애슁 플라즈마로의 많은 양의 아르곤 및 수증기의 부가는 수소 래디컬의 농도를 상당히 증가시키고, 저-k 유전체에 대한 손상을 감소시키면서 애슁 속도(ashing rate)를 증가시킨다.
본 발명은 도 2에서 단면으로 개략적으로 도시된, 플라즈마 애슁 반응기(30)에서 실시될 수 있다. 진공 처리 챔버(32)는 낮은 Torr 범위로 진공 펌핑 시스템(36)에 의해 펌핑된다. 챔버(32) 내의 페데스탈(38)은 다수의 통공(44)을 통하여 공정 가스를 공급하는 가스 샤워헤드(42) 반대쪽에서 애슁되는 웨이퍼(40)를 지지한다.
공정 가스는 공정 가스를 플라즈마로 여기시키는(excite) 원격 플라즈마 소스(48)를 통하여 샤워헤드(42)의 후방에 있는 매니폴드(46)로 공급된다. 원격 플라즈마 소스(48)는 진공 처리 챔버(32)로부터 이격된 거리에 위치할 수 있지만 원격 플라즈마 소스(48) 내에 발생된 플라즈마를 포함하는 가스가 활성 플라즈마 상태로 진공 처리 챔버(32) 내로 유동하므로, 여전히 진공 처리 챔버에 대한 부속 부품으로 고려된다. 바람직하게는, 주로 래디컬 및 상대적으로 적은 플라즈마 이온이 진공 처리 챔버(32) 내로 전달된다. 원격 플라즈마 소스 및 매니폴드의 일부가 미국 특허 출원 공보 2007/0190266호로서 지금 상세하게 공개되고 2006년 2월 10일에 출원된 미국 특허 출원 11/351,676호로 푸(Fu)에 의해 상세하게 공개된다. 원격 플라즈마 소스(48)는 서브(sub)-기가헤르쯔 범위, 예를 들면 270 내지 650 kHz에서 작동하는 RF 여기 소스, 또는 낮은 기가헤르쯔 범위, 예를 들면 2.54 GHz에서 작동하는 마이크로웨이브 여기 소스를 이용할 수 있다. 원격 플라즈마 소스(48)는 유용하게는 하전된 입자 필터를 포함하여 챔버로 전달되는 플라즈마가 단지 중성 래디컬 및 하전되지 않은 이온만을 포함하도록 한다. 수소 가스(H2)가 주로 애슁 가스로서 이용되는 경우, 수소 가스 소스(50)로부터 매스 유동 제어기(52)를 통하여 원격 플라즈마 소스(48)로 공급된다. 질소 가스(N2)는 질소 가스 소스(54)로부터 또 다른 매스 유동 제어기(56)를 통하여 공급될 수 있다. 질소는 수소 래디컬 에칭을 위한 패시베이터(passivator)로서 작용하도록 하는 경향이 있다.
수증기(H2O)는 액체형태의 물의 풀(62)을 포함하는 진공 밀봉된 물 앰풀로부터 원격 플라즈마 소스(48)로 공급된다. 매스 유동 제어기(64)는 앰풀(60)로부터 수증기를 계량한다. 상온에서 물의 증기 압력은 약 20 Torr이고, 이는 원격 플라즈마 소스(48)가 작동하는 통상의 진공 레벨 위에서 유용하다. 따라서, 앰풀(60)이 펌핑되면, 약 20 Torr의 압력을 가지는 수증기가 앰풀(60) 내의 액체형태의 물 풀(62) 위의 헤드 공간(66)에 존재한다. 앰풀(60)은 배관의 길이를 최소화하기 위해 챔버(32) 상에 직접 장착될 수 있으며, 배관의 벽 위에서, 물이 응축된다.
제어기(70)는 CDROM과 같은 녹음가능한 매체(72)로 제어기(70) 내로 삽입되는 레시피(recipe)에 따라 작용하고 펌핑 시스템(36), 원격 플라즈마 소스(48), 및 이미 설명된 매스 유동 제어기(52, 56, 64) 뿐만 아니라 나머지를 포함하는 다양한 매스 유동 제어기를 제어한다.
본 발명에 따라, 아르곤(Ar)과 같은 다른 불활성 가스는 매스 유동 제어기(82)에 의해 계량되는 아르곤 가스 소스(80)로부터 공급된다. 헬륨(He)은 아르곤으로 대체될 수 있다. 아르곤은 여기 아르곤 래디컬의 에너지가 물 성분으로 전달되는, 페닝 공정(Penning process)이 되는 H2O의 H* 및 OH* 로의 해리를 증진한다. 따라서, 수소 래디컬 H* 의 매우 높은 밀도가 H2 하나만으로 가능한 것보다 수증기로부터 형성된다. 결과적으로, 비록 아르곤 및 헬륨이 보통 불활성 희석 가스가 되는 것이 고려되지만, 아르곤 및 헬륨은 실제 애슁에서 불활성으로 남아 있지만, 활성 애슁 래디컬의 높은 밀도의 발생을 증진한다. 그럼에도 불구하고, 레시피에 유용하게 포함되는 H2 가 산소 래디컬 O* 의 발생을 억제한다. 또한, N2 는 유용하게는 H2O의 해리를 강화할 뿐만 아니라 애슁 공정 동안 일부 패시베이션을 제공하기 위하여 부가된다.
표 1로 작성된 수화 실리콘 산화탄소의 공정의 일 실시예는 공정 가스가 표준 평방 센티미터(sccm)로 제시되면서 표 1에서 작성된 두 개의 단계 공정이다.
Figure 112008027754759-pat00001
표 1
제 1 단계는 초기 애슁 단계로서, 적당한 소프트 에칭(soft etch) 또는 표면 처리 단계이며 포토레지스트의 표면 또는 폴리메릭 측벽 코팅을 경화시키기 않는다. 제 1 단계는 주로 수소 환원 화학 원리를 기초로 한다. 그러나, 표면을 에칭하는 것만을 의도한다. H2/N2는 H2 홀로 또는 암모니아(NH3)와 같은 다른 환원 가스로 대체될 수 있다. 제 2 단계는 포토레지스트 및 잔류물의 벌크 부분을 신속하게 제거하도록 한다. 제 2 단계는 주요 애슁 단계이고 초기 표면 처리 단계보다 길다.
요약된 레시피는 단지 본 발명의 공정을 대표하는 것으로 이해된다. 압력 범위는 0.5 내지 5 Torr, RPS 소스 전력 범위는 300 mm 챔버에 대해 2kW 내지 8kW로, 수소 유동은 200 내지 2000 sccm, 아르곤 유동은 3000 내지 10,000 sccm, 및 수증기 유동은 500 내지 3000 sccm으로, 용이하게 연장한다. 위에서 언급된 바와 같이, 헬륨은 아르곤으로 대체될 수 있다. 일반적인 의미로, 제 1 단계에서, 주로 수소가 공급되지만 더 적은 양의 질소가 공급될 수 있다. 제 2 단계에서, 물보다 더 많은 아르곤 및 수증기보다 더 적은 수소가 공급된다. 산소 가스 또는 래디컬 형태의 오존이 어느 한 단계에 공급되지 않는다.
제 2 단계의 주요 애슁 공정은 제 1 단계의 주요 표면 처리 없이 실시될 수 있거나 소정의 다른 타입의 주요 처리로 실시될 수 있다.
표 1의 레시피는 수소화 실리콘 산탄화물의 비 다공성 저-k 유전체에 대해 효율적이다. 그러나, 동일하고 일반적인 구성의 지금 선호되는 다공성 저-k 유전체에 대해, 부가 패시베이션이 바람직하다. 따라서, 메탄(CH4)과 같은 탄화수소는 탄화수소 가스 소스(84)로부터 또 다른 매스 유동 제어기(86)를 통하여 공급될 수 있지만, 에탄(C2H6), 에틸렌(C2H4), 및 아세틸렌(C2H2) 뿐만 아니라 더 많은 알칸, 알켄, 알킨 등과 같은 수소 및 탄소로 이루어지는 다른 탄소-및 탄화수소가 대체될 수 있다. 다공성 저-k 유전체에 선호되는 레시피는 표 2에 기재되어 있다.
Figure 112008027754759-pat00002
표 2
표 2의 레시피는 다른 성분보다 실질적으로 작은 양의 메탄의 제 2 단계에서 의 부가를 제외하고 표 1의 레시피를 근접하게 따른다. 작은 양의 탄화수소는 유전체 재료의 기공을 밀봉함으로써 노출된 다공성 저-k 유전체에 보호막을 씌우고 보호하고 에칭 플라즈마 특히 산소 성분이 기공부 안으로 깊게 투과하여 유전체 재료가 저하되는 것을 방지한다.
본 발명은 원격 플라즈마 소스를 이용하는 플라즈마 애쉬어로 제한되지 않지만 플라즈마 다이오드 에칭 반응기에서 실시될 수 있으며, 플라즈마 다이오드 에칭 반응기에서 플라즈마가 웨이퍼 또는 다른 기판에 인접한 진공 챔버 내에 발생하지만 플라즈마의 이온 함량은 최소화될 것이 요구된다. 또한, 본 발명은 설명된 저-k 유전체의 수소화 실리콘 산탄화물로 제한되지 않지만 다른 타입의 유전체 재료에 적용될 수 있으며 실제로 금속 또는 실리콘 에칭 공정 후 애슁으로 적용될 수 있다.
따라서 본 발명은 저-k 유전체 재료를 애슁하는데 특히 유용하고 신속한 보호 애슁 공정을 제공한다.
도 1은 잔류 포토레지스트, 측벽 폴리메릭 코팅, 및 다른 에칭 잔류물을 포함하는 유전체 에칭이 애시에 의해 제거된 후의 비아 홀의 단면도이며,
도 2는 본 발명으로 이용가능한 플라즈마 애쉬어의 개략적인 단면도이다.

Claims (15)

  1. 애슁 방법으로서,
    애슁 공정으로 처리되는 홀을 포토마스크에 따라 기판의 유전체 층 내에서 에칭하는 선행 단계, 및
    주요 애슁 가스의 플라즈마를 상기 기판으로 인가하는 상기 애슁 공정의 주요 애슁 단계를 포함하며,
    상기 주요 애슁 가스는 수소 가스 및 암모니아 가스로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 제 1 양(amount)의 환원 가스, 상기 제 1 양의 환원 가스 보다 많은 제 2 양의 수증기, 및 아르곤과 헬륨으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 제 3 양의 가스를 포함하고, 산소 가스를 포함하지 않으며,
    상기 제 3 양의 가스는 상기 제 2 양의 수증기 보다 많은,
    애슁 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 환원 가스는 수소 가스를 포함하는,
    애슁 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 환원 가스는 암모니아 가스를 포함하는,
    애슁 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 주요 애슁 가스는 제 4 양의 탄화수소 가스를 더 포함하는,
    애슁 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 4 양의 탄화수소 가스는 상기 제 1 양의 환원 가스보다 적은,
    애슁 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 탄화수소 가스는 메탄을 포함하는,
    애슁 방법.
  7. 삭제
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주요 애슁 단계 전 및 상기 에칭하는 선행 단계 후에 수행되며 초기 애슁 가스의 플라즈마를 상기 기판으로 인가하는 초기 애슁 단계를 더 포함하며,
    상기 초기 애슁 가스는 제 5 양의 수소 함유 환원 가스를 포함하고 탄화수소 또는 수증기를 포함하지 않는,
    애슁 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 수소 함유 환원 가스는 수소 가스를 포함하는,
    애슁 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 초기 애슁 가스는 상기 제 5 양의 수소 함유 환원 가스 보다 적은 제 6 양의 질소 가스를 더 포함하는,
    애슁 방법.
  11. 미리 에칭되는 홀을 구비한 유전체 층을 가지는 기판의 애슁 방법으로서,
    상기 기판이 배치되고 보조 장치를 포함하는 플라즈마 에칭 챔버 내에서 수행되는 단계를 포함하고,
    제 1 양의 수소 가스를 포함하고 산소 또는 수증기를 포함하지 않은 제 1 가스 혼합물을 제 1 플라즈마로 여기시키는 제 1 단계,
    상기 제 1 단계에 이어서, 제 2 양의 수소 가스, 제 3 양의 수증기, 및 아르곤 및 헬륨으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 제 4 양의 불활성 가스를 포함하고 산소를 포함하지 않는 제 2 가스 혼합물을 제 2 플라즈마로 여기시키는 제 2 단계를 포함하는,
    기판의 애슁 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 보조 장치는 상기 제 1 및 제 2 플라즈마가 여기되어 상기 챔버 내로 유동하는 원격 플라즈마 소스를 포함하는,
    기판의 애슁 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 혼합물은 질소를 더 포함하는,
    기판의 애슁 방법.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 혼합물은 제 5 양의 탄화수소 가스를 더 포함하는,
    기판의 애슁 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 탄화수소 가스는 메탄을 포함하는,
    기판의 애슁 방법.
KR1020080036116A 2007-04-19 2008-04-18 수증기 및 희석 가스를 이용하여 강화되는 수소 애슁 방법 KR100971045B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/737,731 2007-04-19
US11/737,731 US7807579B2 (en) 2007-04-19 2007-04-19 Hydrogen ashing enhanced with water vapor and diluent gas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080094608A KR20080094608A (ko) 2008-10-23
KR100971045B1 true KR100971045B1 (ko) 2010-07-16

Family

ID=39604669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080036116A KR100971045B1 (ko) 2007-04-19 2008-04-18 수증기 및 희석 가스를 이용하여 강화되는 수소 애슁 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7807579B2 (ko)
EP (1) EP1983554A3 (ko)
JP (1) JP2008277812A (ko)
KR (1) KR100971045B1 (ko)
CN (1) CN101295145B (ko)
SG (1) SG147394A1 (ko)
TW (1) TWI355019B (ko)

Families Citing this family (288)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8021514B2 (en) * 2007-07-11 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Remote plasma source for pre-treatment of substrates prior to deposition
US20090277871A1 (en) * 2008-03-05 2009-11-12 Axcelis Technologies, Inc. Plasma mediated ashing processes that include formation of a protective layer before and/or during the plasma mediated ashing process
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8609526B2 (en) * 2009-10-20 2013-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Preventing UBM oxidation in bump formation processes
US20110097904A1 (en) * 2009-10-22 2011-04-28 Lam Research Corporation Method for repairing low-k dielectric damage
WO2012112187A1 (en) * 2011-02-15 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for multizone plasma generation
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP2013026399A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法及びプラズマアッシング装置
US8962469B2 (en) 2012-02-16 2015-02-24 Infineon Technologies Ag Methods of stripping resist after metal deposition
JP5921953B2 (ja) * 2012-03-28 2016-05-24 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置
US9349395B2 (en) 2012-08-31 2016-05-24 International Business Machines Corporation System and method for differential etching
US9001463B2 (en) 2012-08-31 2015-04-07 International Business Machines Corporaton Magnetic recording head having protected reader sensors and near zero recessed write poles
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103904023A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
DE102013223490B4 (de) * 2013-11-18 2023-07-06 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Oberfläche
FR3018951B1 (fr) * 2014-03-18 2017-06-09 Commissariat Energie Atomique Procede de gravure d'un materiau dielectrique poreux
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10502349B2 (en) * 2014-07-18 2019-12-10 Deublin Company Piston actuated rotary union
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9767989B2 (en) * 2014-11-11 2017-09-19 Seagate Technology Llc Methods of forming features
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6499001B2 (ja) 2015-04-20 2019-04-10 東京エレクトロン株式会社 多孔質膜をエッチングする方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10304668B2 (en) 2016-05-24 2019-05-28 Tokyo Electron Limited Localized process control using a plasma system
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP6869024B2 (ja) * 2016-12-20 2021-05-12 東京エレクトロン株式会社 パーティクル除去方法及び基板処理方法
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10354883B2 (en) 2017-10-03 2019-07-16 Mattson Technology, Inc. Surface treatment of silicon or silicon germanium surfaces using organic radicals
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US11387111B2 (en) 2018-04-13 2022-07-12 Mattson Technology, Inc. Processing of workpieces with reactive species generated using alkyl halide
JP2019192892A (ja) 2018-04-18 2019-10-31 東京エレクトロン株式会社 処理システムおよび処理方法
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
CN112219260B (zh) 2018-06-11 2024-08-06 玛特森技术公司 用于处理工件的氢反应性核素的生成
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10840082B2 (en) * 2018-08-09 2020-11-17 Lam Research Corporation Method to clean SnO2 film from chamber
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11495456B2 (en) 2018-10-15 2022-11-08 Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd Ozone for selective hydrophilic surface treatment
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
JP2022512802A (ja) * 2018-10-26 2022-02-07 マトソン テクノロジー インコーポレイテッド ハードマスクを除去するための水蒸気ベースのフッ素含有プラズマ
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2020101838A1 (en) * 2018-11-16 2020-05-22 Mattson Technology, Inc. Chamber seasoning to improve etch uniformity by reducing chemistry
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US10403492B1 (en) 2018-12-11 2019-09-03 Mattson Technology, Inc. Integration of materials removal and surface treatment in semiconductor device fabrication
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
JP7311628B2 (ja) 2019-04-30 2023-07-19 マトソン テクノロジー インコーポレイテッド メチル化処理を使用した選択的な堆積
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
CN112086335B (zh) * 2019-06-12 2022-07-26 长鑫存储技术有限公司 半导体器件的制备方法
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
EP3999913A4 (en) * 2019-07-18 2022-08-10 Mattson Technology, Inc. MACHINING OF WORKPIECES USING HYDROGEN RADICALS AND OZONE GAS
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
US20220102138A1 (en) * 2020-09-30 2022-03-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interconnect Structure for Semiconductor Devices
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
US20220223426A1 (en) * 2021-01-13 2022-07-14 Changxin Memory Technologies, Inc. Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure manufacturing device
CN114765126B (zh) * 2021-01-13 2023-11-17 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法和半导体结构的制造设备
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
CN113460954B (zh) * 2021-05-24 2024-03-12 北京量子信息科学研究院 含钽膜的微纳米结构元件及其制备方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010024769A1 (en) * 2000-02-08 2001-09-27 Kevin Donoghue Method for removing photoresist and residues from semiconductor device surfaces

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170238A (ja) * 1984-02-15 1985-09-03 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ドライエツチング方法
JP3391410B2 (ja) * 1993-09-17 2003-03-31 富士通株式会社 レジストマスクの除去方法
US5660682A (en) 1996-03-14 1997-08-26 Lsi Logic Corporation Plasma clean with hydrogen gas
US5895245A (en) 1997-06-17 1999-04-20 Vlsi Technology, Inc. Plasma ash for silicon surface preparation
US6536449B1 (en) * 1997-11-17 2003-03-25 Mattson Technology Inc. Downstream surface cleaning process
US7001848B1 (en) * 1997-11-26 2006-02-21 Texas Instruments Incorporated Hydrogen plasma photoresist strip and polymeric residue cleanup process for oxygen-sensitive materials
US6340435B1 (en) 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6316354B1 (en) 1999-10-26 2001-11-13 Lsi Logic Corporation Process for removing resist mask of integrated circuit structure which mitigates damage to underlying low dielectric constant silicon oxide dielectric layer
US6503840B2 (en) * 2001-05-02 2003-01-07 Lsi Logic Corporation Process for forming metal-filled openings in low dielectric constant dielectric material while inhibiting via poisoning
US6630406B2 (en) 2001-05-14 2003-10-07 Axcelis Technologies Plasma ashing process
US6951823B2 (en) * 2001-05-14 2005-10-04 Axcelis Technologies, Inc. Plasma ashing process
US6834656B2 (en) 2001-05-23 2004-12-28 Axcelis Technology, Inc. Plasma process for removing polymer and residues from substrates
US6562700B1 (en) 2001-05-31 2003-05-13 Lsi Logic Corporation Process for removal of resist mask over low k carbon-doped silicon oxide dielectric material of an integrated circuit structure, and removal of residues from via etch and resist mask removal
US6849559B2 (en) 2002-04-16 2005-02-01 Tokyo Electron Limited Method for removing photoresist and etch residues
US6806038B2 (en) * 2002-07-08 2004-10-19 Lsi Logic Corporation Plasma passivation
JP2004103747A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2004281837A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
CN102610481B (zh) * 2004-09-01 2016-04-13 朗姆研究公司 用于增加光阻移除率之装置及等离子体灰化方法
JP4588391B2 (ja) * 2004-09-01 2010-12-01 芝浦メカトロニクス株式会社 アッシング方法及びアッシング装置
JP2006154722A (ja) 2004-10-28 2006-06-15 Daikin Ind Ltd Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋ多層配線構造のアッシング残渣の剥離液及び剥離方法
US20070045227A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Chih-Ning Wu Method of stripping photoresist
US7695567B2 (en) 2006-02-10 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Water vapor passivation of a wall facing a plasma

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010024769A1 (en) * 2000-02-08 2001-09-27 Kevin Donoghue Method for removing photoresist and residues from semiconductor device surfaces

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008277812A (ja) 2008-11-13
CN101295145B (zh) 2011-11-30
US7807579B2 (en) 2010-10-05
SG147394A1 (en) 2008-11-28
TWI355019B (en) 2011-12-21
KR20080094608A (ko) 2008-10-23
US20080261405A1 (en) 2008-10-23
EP1983554A3 (en) 2009-08-05
CN101295145A (zh) 2008-10-29
TW200908074A (en) 2009-02-16
EP1983554A2 (en) 2008-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100971045B1 (ko) 수증기 및 희석 가스를 이용하여 강화되는 수소 애슁 방법
KR101385346B1 (ko) 인-시추 기판 프로세싱을 위한 방법 및 장치
Armacost et al. Plasma-etching processes for ULSI semiconductor circuits
CN101536155B (zh) 一种具有原位背侧聚合物去除的等离子体蚀刻工艺
US9330926B2 (en) Fabrication of a silicon structure and deep silicon etch with profile control
KR100849707B1 (ko) 탄소-도우핑된 저유전체들의 선택적 식각
US6014979A (en) Localizing cleaning plasma for semiconductor processing
JP4825911B2 (ja) 介在チャンバでの脱フッ素化及びウェハ脱フッ素化ステップによるプラズマエッチング及びフォトレジストストリッププロセス
JP2016157940A (ja) 窒化シリコンのエッチング時における超高選択比を達成するための方法
WO2000014793A2 (en) In-situ integrated oxide etch process particularly useful for copper dual damascene
KR20160075358A (ko) 선택적인 질화물 에칭
US20080182422A1 (en) Methods of etching photoresist on substrates
KR20050118267A (ko) 플라즈마 에칭 성능 강화를 위한 방법
WO1999009587A2 (en) Method of etching copper for semiconductor devices
JP4911936B2 (ja) プラズマアッシング方法
KR20070105259A (ko) ｌｏｗ－ｋ 유전 물질 손상이 감소한 마스킹 물질 제거방법
US20100043821A1 (en) method of photoresist removal in the presence of a low-k dielectric layer
KR100917291B1 (ko) 듀얼 다마신 분야에서 바닥부 무반사 코팅층의 2단계 에칭
US20100270262A1 (en) Etching low-k dielectric or removing resist with a filtered ionized gas
JP2019186501A (ja) エッチングする方法及びプラズマ処理装置
JP3963295B2 (ja) ケミカルドライエッチング方法
JP4990551B2 (ja) ドライエッチング方法
JP3834004B2 (ja) エッチング後処理方法
KR100711917B1 (ko) 플라즈마 반응기의 구동 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130628

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee