KR100657641B1 - 전자기파 흡수 재료 및 관련 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 준밀리미터파영역으로부터 밀리미터파영역까지 사용할 수 있는, 우수한 전파흡수특성을 가지는 제조 용이한 전자기파 흡수 재료와 이의 각종 용도를 제공하는 것이다.
본 발명은 탄소의 다층 중공소구체, 순가이트(schungite) 탄소 및 순가이트 광석 중 하나 이상이 높은 전기 저항율을 가진 물질중에 혼합된 분산물을 포함하여 이루어지는 전자기파 흡수 재료를 특징으로 한다. 본 발명은 또한, 상기 전자기파 흡수 재료에 의해 기판, 전자소자 및 배선회로의 적어도 일부가 도포된 전자장치, 광송신모듈, 광수신모듈, 고주파 통신장치, 무-정지 자동 톨게이트 시스템을 특징으로 한다.

Description

전자기파 흡수 재료 및 관련 장치{ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORPTION MATERIAL AND AN ASSOCIATED DEVICE}
도 1a와 1b는 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 포함하여 이루어지는 순가이트 탄소의 모식도,
도 2a와 2b는 본 발명 및 비교예의 전자기파 흡수 재료의 복소비 유전율(complex relative dielectric constant) 및 복소비 유전율의 정합범위(conforming range)를 나타내는 그래프,
도 3a와 3b는 금속판으로 보강된 경우의 반사 감쇠량(return loss) 조사에서 중심주파수를 일치시킨 경우의 다양한 재료의 반사 감쇠량의 계산결과를 나타내는 그래프,
도 4a 내지 4c는 금속판으로 보강된 경우의 다양한 두께에서의 반사 감쇠량의 계산결과를 나타내는 그래프,
도 5는 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 포함하여 이루어지는 전자기파 흡수층을 구비한 프린트 배선기판의 단면도,
도 6a와 6b는 노이즈 발생원이 되는 반도체소자를 감싸도록 프린트 배선기판상에 배치된 전자기파 흡수캡의 단면도,
도 7a와 7b는 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 포함하여 이루어지는 전자장치 케이싱의 단면도,
도 8은 본 발명의 일실시형태에 관한 광송신 모듈의 단면도,
도 9는 본 발명의 실시형태에 관한, 케이싱이 제거된 광송신 모듈의 단면도,
도 10은 본 발명의 다른 실시형태에 관한 2층구조의 광송신 모듈의 단면도,
도 11은 광송수신 모듈의 제 1 형태인 광송수신 모듈의 평면도,
도 12는 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 게이트 지붕 천정면 및 지지기둥에 적용한 전자요금수수 시스템(ETC)을 구비한 자동 톨게이트의 단면구성도,
도 13은 본 발명의 다층구조 전파흡수체의 단면도,
도 14는 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 적용한 고주파 통신장치의 일 실시형태인 밀리미터파 송수신장치의 단면도이다.
본 발명은 신규인 전자기파 흡수 재료와 관련 장치에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 밀리미터파의 1 내지 300 GHz 대용 전자기파 흡수 재료와 이러한 흡수재료를 사용한 프린트 배선기판, 전자장치, 전자 장치용 케이싱, 광송신 또는 수신모듈, 자동 톨게이트 및 고주파통신장치 등의 각종제품에 관한 것이다.
최근, 전자장치의 고속처리화가 가속적으로 확산되고 있고, 마이크로프로세서 등의 IC나 LSI의 작동주파수는 급속히 상승하고 있다. 이러한 상승된 주파수로 인해 이러한 장치에서는 불필요한 노이즈가 쉽게 발생하고 있다.
또한 통신분야에서는 차세대 멀티미디어 이동통신(2 GHz), 무선 LAN(2 내지 30 GHz), 광섬유를 사용한 고속통신망이 현재 이용되고 있다. ITS(지능 수송 시스템;Intelligent Transport System)의 분야에서는 ETC(자동전자요금수수; an automated Electronic Toll Collection) 시스템에 있어서의 5.8 GHz, AHS(주행지원도로 시스템; an advanced cruise-assist highway system)에 있어서의 76 GHz 등이 이용되고 있다. 따라서, 고주파 이용범위는 계속하여 급속하게 확대해 갈 것이 예상된다.
그런데 전파의 주파수가 상승하면, 노이즈의 형태로 발생하는 것이 더 쉬워진다. 동시에, 최근의 전자장치의 저전력소비에 의한 좁아진 노이즈 한계나, 전자장치의 소형화 및 고밀도화에 의한 기기 내부의 노이즈환경의 악화가 EMI(전자기 간섭;Electro-Magnetic Interference)에 의한 오동작 문제를 일으킨다.
이러한 상황 하에, 전자장치 내부에서의 EMI를 저감시키기 위하여, 전자기기 내부에 전파 흡수 재료를 배치하는 등의 대책이 취해지고 있다. 지금까지, 사용되는 전파 흡수 재료 중 하나는, 고무나 수지 등의 전기적 절연성 유기물과 스피넬 결정구조의 연자성금속 산화물 재료나 연자성 금속재료 등의 자성손실 재료로 된 복합 시트이다. 이들 기술은 일본 특개평 7-212079호 공보, 특개평 9-111421호 공보, 특개평 11-354973호 공보, 특개평 11-16727호 공보 등에 개시되어 있다.
그러나 스피넬 결정구조의 연자성 금속 산화물 재료의 비투과율은, 스네크의 한계법칙에 따라, GHz 대에서는 급격히 감소해 버린다. 이는 전자기파 흡수 재료로서 이 금속 산화물에 사용가능한 주파수범위가 수 GHz 이라는 것을 의미한다. 한편, 연자성 금속재료에서는, 입자의 두께를 표피 깊이보다 얇은 플레이크형상으로 함으로써, 와전류의 억제효과 및 형상-의존성 자기 이방성의 효과에 의해, 전자기파 흡수 재료로서 사용가능한 한계 주파수를 10 GHz 정도까지 늘릴 수 있다. 그러나 이러한 자성재료는 원래 중량이 크기 때문에, 경량인 전자기파 흡수체의 실현을 방해한다.
또 일본 특허공개 2001-358493호 공보에는, 미립자 자성 금속과 세라믹으로 구성된 집적 전자기파 흡수 재료와, 상기 집적 흡수 재료를 사용한 프린트 배선기판, 전자장치, 전자장치 케이싱, 광송신 또는 수신모듈, 자동 톨게이트 및 고주파통신장치 등의 각종 제품 또는 설비가 개시되어 있다.
그러나 상기한 자성재료는 전자기파 흡수성능 면에서 만족스럽지 못하다. 밀리미터파 영역까지 사용할 수 있는 성능이 뛰어난 전자기파 흡수 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 또한 상기의 일본 특허공개 2001-358493호 공보에 따른 전자기파 흡수 재료에 있어서도 5.8 GHz 이하의 준밀리미터파 영역의 주파수에 대하여 만족할 수 있으나, 그 이상의 밀리미터파 영역에 사용하기에는 성능이 만족스럽지 못하다.
본 발명의 목적은, 전파의 주파수가 1 내지 300 GHz인 준밀리미터파 영역으로부터 밀리미터파 영역까지 사용 가능한 우수한 전파흡수 특성을 가지고, 제조 용이하고 경량인 전자기파 흡수 재료를 제공하는 것이다. 본 발명의 목적은 또한. 상기 전자기파 흡수 재료로 된 다양한 제품 및 이를 갖는 시스템, 특히 전자장치, 광송신 또는 수신모듈, 고주파 통신장치, 및 전자기파 간섭에 의한 오동작을 방지한 무-정지 자동 톨게이트 시스템을 제공하는 것이 포함된다.
본 발명자의 발명자는, 밀리미터파 영역에 사용가능한 전자기파 흡수 재료로서, 예를 들면, 카본블랙미립자, 흑연, 코크스, 탄소 마이크로 코일, 탄소나노튜브 등의 탄소계 물질을 고무나 수지 등의 전기 절연성 유기물질에 혼합시킨 분산물인 유전손실형 전자기파 흡수 재료에 비하여, 탄소로 이루어지는 다층 중공소구체를 전기 절연성 유기물질에 혼합시킨 분산물을 포함하여 이루어지는 전자기파 흡수 재료쪽이, 훨씬 우수한 성능을 가지는 것을 발견하였다. 또한 상기 탄소로 이루어지는 다층 중공소구체 또는 천연순가이트 광석 내에 존재하는 탄소로 이루어지는 다층 중공소구체(이하, 순가이트 탄소라 함)는 천연 순가이트 광석에 함유되어 있으므로, 별 어려움없이 전자기파 흡수 재료로 이러한 재료를 사용하는 것이 가능하다. 특히, 본 발명은 주파수 30 내지 300 GHz의 밀리미터파 영역에서 이러한 소구체가 높은 흡수특성을 가진다는 발견에 기초하여 이루어진 것이다.
이러한 목적의 순가이트 탄소는 기공율이 1.5 내지 45%, 두께 0.15 내지 0.25 nm, 구형상, 편평 형상, 또는 이들이 혼재한 형상이 바람직하다. 또 천연 순가이트 광석은 순가이트 탄소 25 내지 35%, Si02 57 내지 67%, Al2O3 3 내지 5%, Fe2O3 + FeO 1 내지 3%, K2O 0.5 내지 2%, 황 0.2 내지 1.0%, 자유수(free water) 0.2 내지 0.5% 및 TiO2, MgO, CaO, Na2O, MnO 각각 0.3% 이하의 함량을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명은, 탄소의 다층 중공구체(소구체) 및 순가이트 탄소 중 하나; 또는 탄소나노튜브, 금속성분 및 자유수 중 하나 이상을 함유하는 다층 중공구체 및 순가이트 탄소 중 하나; 또는 이와 달리 순가이트 광석을 포함하는 전자기파 흡수 재료를 특징으로 한다.
또 본 발명의 전자기파 흡수 재료는, 다층 중공소구체 또는 순가이트 탄소보다도 높은 전기 저항율을 가지는 물질에 혼합된 분산물인 것이 바람직하다. 이 분산에서, 다층 중공소구체 및 순가이트 탄소의 양은, 이러한 높은 저항율을 가지는 물질에 대하여, 5 내지 50 중량%의 범위로 하는 것이 바람직하다. 이러한 높은 저항율을 가지는 물질은 고무, 절연성 고중합체 및 절연성 무기재료 중에서 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명의 전자기파 흡수 재료에 있어서, 전자기파의 입사면으로부터 내부를 따라, 특성 임피던스가 낮아지도록, 다층 중공소구체 또는 순가이트 탄소의 함유량을 다수의 단계로 변화시키는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 전자기파의 비스듬한 입사에 대한 전자기파 흡수특성이 향상되고, 또는 광대역의 주파수의 전자기파를 수용할 수 있게 된다.
높은 전기 저항율을 가지는 재료에는, 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni) 중 하나 이상을 주성분으로 하는 자성금속; 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 티탄(Ti), 바륨(Ba), 망간(Mn), 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg) 중 하나 이상을 주성분으로 하는 산화물, 질화물 및 탄화물로 구성되는 그룹에서 선택되는 화합물; 카본블랙, 흑연, 코크스 및 탄소 마이크로 코일 중 하나 이상을 함유하는 탄소-계 물질 중 하나 이상을 함유할 수 있다. 이에 의하 여, 전자기파 흡수 재료의 흡수특성이 더욱 향상된다.
본 발명의 특징은, 전자기파 흡수 미립자와, 상기 전자기파 흡수 미립자보다도 높은 전기 저항율을 가지는 물질을 포함하여 이루어지고, 전파의 주파수 1 GHz에서 상기 전자기파 흡수 재료의 반사 감쇠량(반사계수)이 -3.5dB 이상(절대치)이고, 전파의 주파수 6 GHz 에서 전자기파 흡수 재료의 반사 감쇠량이 -20 dB 이상인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수 재료에 있다. 상기 전자기파 흡수 미립자는, 상기의 전자기파 흡수 재료를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 반사 감쇠량 수준은 상기 전자기파 흡수 재료의 두께와 혼합물 중의 상기 전자기파 흡수 미립자의 함량과의 조합을 조절함으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 전자기파 흡수 재료는, 각 제품에 따라 다양한 적합한 방법을 통하여, 일반적으로 하기된 광범위한 제품에 적용할 수 있다. 상기 흡수재료는 상기 절연재료에 혼합된 분산물 형태로 도포 또는 시트화하여 붙이거나, 사출성형으로 망유사 형상(near net shape)의 스타일로 적용한다.
(1) 한쪽은 배선된 표면이고 다른쪽은 배선회로를 갖지 않는 이면인 배선 기판 표면 중 하나 이상의 전체 또는 일부가, 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 각각 포함하여 이루어지는 직접 코팅층 또는 시트형 필름으로 덮여진, 프린트 배선 기판.
(2) 상부에 탑재된 전자소자가 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 가지는 캡으로 덮여 있는 전자장치.
(3) 이의 프린트 배선기판과, 상기 프린트 배선 기판 상에 탑재된 전자소자를 본 발명의 전자기파 흡수재료를 가지는 케이싱으로 덮거나, 또는 개구부를 가지는 금속제 케이싱의 내면에 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 제공하여 이루어지는 전자장치.
(4) 고속통신망에 사용되는 광-전기변환기를 각각 가지는 이의 발광소자 또는 수광소자 중 하나 이상과, 그 속의 송신회로 또는 수신회로 중 하나 이상이, 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 가지는 부재에 의해 덮여진 광송신 또는 광수신모듈.
(5) 지붕이 설치된 톨게이트와, 상기 톨게이트의 진입측에 설치되어 상기 톨게이트에 접근하는 통행차량을 향하는 진입부 안테나와, 상기 차량에 대하여 출로측에 설치되어 상기 톨게이트를 떠나는 통행차량을 향하는 출로부 안테나와, 길쪽 통신장치와 상기 통행차량에 탑재되어 있는 차재기(on-vehicle equipment)와의 사이에서 정보를 교환하는 자동요금수수 시스템을 포함하여 이루어지고, 전자기파를 반사하는 상기 톨게이트와 그 근방의 구조적 부재의 표면, 상기 톨게이트 지붕의 상기 차량주행쪽 표면, 상기 진입부 안테나 및 상기 출로부 안테나를 지지하는 지지기둥의 표면의 적어도 일부에 본 발명의 전자기파 흡수 재료가 제공되어 이루어지는 자동 톨게이트.
(6) 케이싱 내부에 설치되어 수용된 고주파 회로소자 및 안테나를 포함하여 이루어지고, 케이싱의 적어도 내벽 및 상기 내벽의 적어도 일부에 본 발명의 전자기파 흡수 재료가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파통신장치.
(실시예 1)
도 1a와 1b는 천연 순가이트 광석에 함유되어 있고 소구체라 불리는 탄소 다층 중공소구체로 구성된 순가이트 탄소의 모식도이다. 도 1b에 나타내는 바와 같이, 소구체의 내부에는, 탄소나노튜브(CNT), 금속(Cu, Ni, V, Cr, Co, Mn 및 Ti), 및 자유수 등이 소량 함유되어 있다. 이 금속은 규산염, 황화물 및 산화물의 형태로 존재하고 있다. 또 천연 순가이트 광석에는 중량비로, 순가이트 탄소가 28 내지 32% 함유되어 있고, Si02 57 내지 66%, Al2O3 3 내지 5%, Fe2O3 + FeO 1 내지 3%, K2O 0.5 내지 2%, 황 0.2 내지 1.0%, 자유수 0.2 내지 0.5% 및 TiO2, MgO, CaO, Na2O 및 MnO의 합이 0.3% 이하가 함유되어 있다.
도 2a와 2b는 주파수 범위의 시트형 전자기파 흡수 재료의 비유전율 그래프이다. 상기 흡수 재료 시트는 카본블랙(이하, CB라 함), 탄소나노튜브(이하, CNT로 함)를 각각 바인더 수지에 대하여 20 중량부, 입경 1 내지 30 ㎛ 의 분말로 분쇄된 천연 순가이트 광석(이하, 순가이트로 함)을 액상의 바인더 수지에 대하여 70 중량부(단, 순가이트 탄소의 바인더 수지에 대한 중량비는 약 20 중량부) 사용하여 제조한다. 이들 재료는 혼합, 혼련하여，페이스트로 한 후, 닥터 블레이드법 또는 롤형성법으로 시트화한다. 이 순가이트 탄소는 그 중공 내경이 3nm, 외경이 약 22.5 nm 이다.
도면 중, 2a가 6 GHz의 특성, 2b가 10 GHz의 특성에 대한 것으로, 각 주파수는 밀리미터파 영역에 속한다. 복소비 유전율의 반사 감쇠량이 -20 dB 이상이 되는 범위를 사선으로 도시하고 있다. 이 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 조사된 모든 주파수에 있어서 순가이트의 복소비 유전율은 정합범위에 들어가 있다. 이와 대조적으로, CB나 CNT의 경우는, 복소비 유전율 실수부(ε')에 비하여 복소비 유전 율 허수부(ε")가 지나치게 커서, 정합범위로부터 벗어나고, 이의 반사 감쇠량(반사계수)이 -20 dB 미만이다. 본 발명의 특징인 반사 감쇠량이 -20 dB 이상을 만족시키는 복소비 유전율 범위는, 6 GHz 및 10 GHz 주파수 모두에서, 실수부(ε')의 10의 값이 허수부(ε")의 4 내지 6의 값에 대응하고, 실수부(ε')의 75의 값이 허수부(ε")의 10 내지 13의 값에 대응하는 범위이다.
도료 형태로 사용하는 경우, 상기한 페이스트로 제조한 후, 스프레이법, 디핑법, 캐스팅법으로 형성할 수 있다.
바인더로서, 폴리에스테르계 수지, 폴리비닐 염화물계 수지, 폴리비닐부티랄수지, 폴리우레탄수지, 셀룰로오스계 수지, 또는 이들 수지의 공중합체; 에폭시수지, 페놀수지, 아미드계수지, 이미드계수지, 나일론, 아크릴수지, 합성고무 및 다른 유사 중합체의 절연성 재료; 및 알루미나, 실리카 등을 주성분으로 하는 무기 절연성 재료를 사용할 수 있다. 본 실시예에서는, 아크릴과 폴리아미드의 혼합수지를 바인더로 사용한다.
또 천연 순가이트의 광석에 함유되는 순가이트 탄소 이외의 미네랄 성분을 불화수소산 등으로 용해시켜 얻어지는 정제, 순가이트 탄소만을 사용할 수 있다. 이와 달리, 전자기파 흡수특성을 향상시킬 목적으로, 순가이트 탄소에 Fe, Co, Ni 중 하나 이상을 포함하는 자성을 가지는 금속입자를 담지시킬 수 있다.
천연 순가이트의 분쇄분말에 포함되는 순가이트 탄소는, 도 1a에 나타내는 바와 같이 포자형형상의 거친 소구체 구조를 가지며; 구조 내부에 일반적으로 존재하는 CNT 등은, 소구체와는 독립적으로 존재한다. 또한 천연 순가이트와 동일한 구조를 가지는 인공으로 제조된 탄소를 사용하여도 동일한 효과가 얻어진다. 또 천연 순가이트의 분쇄분말을 불활성 가스 대기에서 열처리를 실시함으로써, 복소비 유전율을 변화시켜, 전자기파 흡수특성을 향상시킬 수도 있다. 그러한 열처리 온도로서는, 500℃ 내지 1000℃가 바람직하다.
복소비 유전율은, 네트워크 분석기(HP 8720C)와 동축선을 포함하는 측정시스템으로 측정한다. 자유공간의 측정 투과율 및 유전율이 모두 1이 되도록 시스템을 보정하고, 동축선에 시료 표본을 넣고, 2개의 포트를 사용하여 S11 및 S21 파라미터를 측정하고, 이어서 니콜슨-로스 및 웨이어법(Nicolson-Ross and Weir Method)에 의해 복소비 유전율을 구하였다.
또 금속판으로 보강된 정합형 전자기파 흡수체의 흡수 메커니즘으로서는, 표면반사파와 흡수체 중에서 발생한 다중 반사파와의 임계결합에 의한 다중 반사효과와 흡수체중에서의 유전손실에 의한 감쇠(attenuation) 효과를 포함시킬 수 있다. 일반적으로, 수직입사에 대한 반사 감쇠량〔R.L. : 반사 감쇠량(dB)〕은, 하기 수학식 1 및 2로 표시된다.
Figure 112002030839087-pat00001
(상기 식에서, Zin : 흡수체의 특성 임피던스이다)
Figure 112002030839087-pat00002
〔상기 식에서, εr: 복소비 유전율(εr=ε'+ jε" ), f: 주파수(Hz), t: 흡수체의 두께(m)이다〕
도 3a와 3b는 반사 감쇠량 조사에 대한 중심주파수를 일치시킨 경우의 다양한 전자기파 흡수 재료의 반사 감쇠량의 두께 의존성을 비교한 결과를 나타내는 그래프이다. 도면의, 중심주파수는 도 3a에서 6 GHz이고, 도 3b에서 1OGHz이다. 또한 도면 중에는 각 전자기파 흡수 재료의 두께도 도시하고 있다. 도 3a에서는 6GHz 에서, CNT가 -6 dB의 반사 감쇠량, CB가 -13dB, 순가이트 탄소가 -21dB을 아타내고 도 3b에서는 1OGHz 에서, CNT가 -6 dB, CB가 -17dB, 순가이트 탄소가 -40dB이다. 이것은, 양 주파수에서, 이들 재료 중에 순가이트 탄소가 가장 큰 반사 감쇠량, 즉 가장 우수한 전자기파 흡수 특성을 갖는 것을 나타낸다. 또한 밀리미터파영역에서, CNT 및 CB는 그러한 영역에서 허용가능한 성능을 나타내므로, 단독 또는 본 발명의 재료와 조합하여 사용할 수 있다.
도 4a 내지 4c 는 다양한 두께의 다양한 전자기파 흡수 재료에 있어서의 반사 감쇠량의 계산결과를 나타내는 그래프이다. 반사 감쇠량의 중심 주파수는 서로 다르나, 모든 두께에서 순가이트가 가장 우수한 흡수특성을 나타내고 있다. 각 도면 중, 두께는 도 4a가 1.5mm, 도 4b가 2.0 mm, 도 4c가 2.5 mm에 대응한다.
도 4a의 1.5mm 두께에 있어서는, CNT의 반사 감쇠량이 -6dB, CB가 -17dB, 순가이트 탄소가 -40dB이고, 도 4b의 2.0mm 에 있어서는, CNT가 -6dB, CB가 -17dB, 순가이트 탄소가 -27dB이고, 도 4c의 2.5mm 에 있어서는, CNT가 -6dB, CB가 -14dB, 순가이트 탄소가 -22dB이다. 이들은 모든 주파수에서, 순가이트 탄소가 가장 큰 반사 감쇠량을 나타내어, 전자기파 흡수특성이 가장 우수한 것을 보여준다. 또한 밀리미터파영역에서, CNT 및 CB에서 그러한 영역에서 허용가능한 성능을 나타내므로, 단독 또는 본 발명의 재료와 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 이로부터 순가이트 탄소를 포함하는 본발명의 재료는, 전파의 주파수 6GHz에서 1GHz 당 반사 감쇠량(반사계수) -3.5dB 및 1OGHz 에 있어서 -4.0dB, 또 6GHz 에 있어서의 반사 감쇠량이 -20dB 이상인 것을 알 수 있다.
(실시예 2)
도 5는, 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 포함하여 이루어지는 전자기파 흡수층을 구비한 프린트 배선기판의 단면도이다. 절연기판상에 형성된 배선회로(2)를 포함하여 이루어지는 프린트 배선기판(3)은, 상기 배선회로(2)가 형성된 한쪽 표면에 절연층(4)을 가지고 다른쪽 이면에 배선회로를 갖지 않는다. 상기 절연층(4)의 일부 및 상기 이면의 일부, 또는 양자의 전면에, 천연 순가이트 광석분쇄분말와 바인더수지를 포함하여 이루어지는 재료가, 상부에 전자기파 흡수층을 제공하기 위하여 적용된다. 이는, 상기 재료의 도료를 직접 코팅 또는 페인팅하거나, 또는 상기 재료의 시트를 제공함으로써 적용한다. 상기 코팅 또는 시트의 두께는, 발생하는 주파수와 전자기파 흡수율에 따라 결정되도록 디자인될 수 있으나, O.1 내지 1.Omm가 바람직하다. 이에 의하여, 프린트 배선회로로부터 발생하는 전자기파에 의한 누화현상 등의 노이즈 발생이 억제된다. 특히, 반도체기판의 적어도 한쪽 주면에 형성된 제 1 배선층, 상기 제 1 배선층의 표면에 형성된 절연막, 상기 절연막상에 전도구멍을 거쳐 상기 제 1 배선층과 전기적으로 접속된 제 2 배선층을 포함하고, 상기 제 2 배선층이 상기 제 1 배선층 상에 반복하여 적층되어 이루어지는 다층 배선회로 기판의 고밀도 및 고집적도화를 높은 신뢰성으로 달성할 수 있다. 또 전자기파 흡수층의 모든 바깥쪽에 도체층을 배치하여, 전자기파에 대한 흡수효율을 향상시킬 수 있고, 또한 외부로부터의 유입 전자기파에 대한 차폐효과도 향상시킬 수 있다.
(실시예 3)
도 6a와 6b는 노이즈를 발생시키는 반도체소자를 감싸도록 프린트 배선기판상에 배치된 반도체용 전자기파 흡수캡의 단면도이다. 이는, 마이크로프로세서나 시스템 LSI 등의 가능한 노이즈 발생원을 상기 캡으로 감싸도록 프린트 배선기판상에 배치된, 본 발명에 관계되는 전자기파 흡수캡을 배치한 구성을 나타낸다. 도 6a는 금속제 캡(5)의 내면에 본 발명의 전자기파 흡수층을 배치하여, 외부에서 오는 전자기파를 차폐하고 내부에서 발생하는 전자기파를 흡수하는 구성을 나타낸다. 금속 캡(5)으로는 구리도금 재료, 구리와 금의 도금 재료, 또는 스테인리스강이 사용된다. 도 6b는 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 사출성형하여 만든 캡을 나타낸다. 캡으로 형성된 전자기파 흡수 재료(1)는 프린트 배선기판(3)에 밀봉되거나, 접착되거나, 유사한 방식으로 고정된다.
이들의 설치에 의하여 반도체소자에서 발생하는 전자기파를 효율 좋게 흡수하고, 내부간섭을 억제할 수 있다.
(실시예 4)
도 7a와 7b는 프린트 배선기판(3)에 탑재된 IC(6)를, 본 발명의 전자기파 흡수재료를 포함하여 이루어지는 전자장치 케이싱로 밀봉한 전자장치의 단면도이다. 도 7a는 전자장치용 금속제 케이싱 내면에 본 발명의 전자기파 흡수재료층을 코팅 또는 사출성형에 의해 제공한 경우를 나타낸다. 도 7b는 본 발명의 전자기파 흡수 재료를 사용하여 사출성형으로 형성된 전자장치 케이싱을 나타낸다. 따라서, 이들 실시예에서 나타낸 바와 같이 전자장치 케이싱에 전자기파 흡수기능을 부여함으로써, 전자장치 내부에서의 전자기파 간섭을 억제할 수 있다.
(실시예 5)
도 8은 본 발명의 광송신 모듈의 구성을 나타내는 단면도이다. 광송신 모듈(8)은 커버가 씌워진 광섬유(9), 광도파로(13), LD(10), 송신회로(11) 및 회로기판(12)을 포함하여 이루어진다. 송신회로(11)는 발광 다이오드인 LD(10)를 구동하는 LD 드라이버, 레이저 출력제어부, 플립플롭회로를 더 포함하여 이루어진다. 실제로는, 이런 구성은 리드프레임 및 와이어를 수반하지만, 이들의 도시는 생략되어 있다. 전송속도가 증가함에 따라, LD(10)를 여기하는 전기신호의 클록 주파수가 높아지므로, 광전송 모듈내에서는 고주파의 전자기파가 많이 발생한다. 이 전자기파는 모듈 내 다른 요소 및 부품 등에 악영향을 미치는 노이즈의 원인이 된다.
본 실시예에서는, 광송신 모듈을 주형에 넣고, 금속제 케이싱(14) 속에 수지 혼합물을 부어 고화시킨 후, 금속제 케이싱(14)으로 상기 모듈의 외부를 완전히 밀봉하도록 금속 덮개를 덮는데, 이 때 상기 수지 혼합물은 상기 천연 순가이트 광석분쇄분말을 상기한 주파수 및 상기 수지 혼합물의 전자기파 흡수율에 따라 조절되는 수지에 대하여 40 내지 80wt% 를 포함하여 이루어진다. 이에 의해, 소자 및 기판을 수분이나 기체로부터 보호할 뿐 아니라, 전자기파를 흡수, 차폐할 수 있어, 송신 모듈내에서의 노이즈 간섭을 억제하고, 또한 모듈 외부로의 노이즈의 발생을 완전하게 방지할 수 있다.
도 9는 광송신 모듈의 단면도이다. 금속제 케이싱(14)은 반드시 필요하지는 않으므로, 도 9에서와 같이, 수지혼합물로 이송성형법에 의해 밀봉된 완성 구조도 가능하다. 이 구조는 전자기파 흡수, 차폐효과가 금속제 케이싱으로 덮은 경우보다도 약간 뒤떨어질 수 있으나, 염가로 할 수 있는 장점이 있다.
도 10은 광송수신 모듈의 단면도이다. 배선간의 단락을 확실히 방지하기 위해서는, 도 10에서와 같이, 2층 구조로 하는 것이 유효하다. 배선부만을 우선 천연 순가이트 광석분쇄분말을 함유하지 않은 수지로 밀봉하고; 그 위에 천연 순가이트 광석분쇄분말을 함유한 수지혼합물로 밀봉하여 상기 2층 구조를 형성한다.
본 실시예에서는, LD(l0)와 송신회로(11)를 나타낸다. 그러나, 이들 유닛을 수광회로 및 수신회로로 각각 대체하면 광수신 모듈이 구성된다.
(실시예 6)
도 11은 회로기판(12) 상에 광송신 모듈과 광수신 모듈이 형성된 광송수신 모듈의 평면도이다. 광송수신 모듈(17)은, 광송신 모듈과 광수신 모듈 양자로 기능한다. 광송신부는, 커버가 씌워진 광섬유(9), 광도파로(13), LD(10), 송신회로(11) 및 회로기판(12) 을 포함하여 이루어진다. 송신회로는 레이저를 구동하는 LD 드라이버, 레이저출력제어부 및 플립플롭회로로 구성된다. 광수신부는 커버가 씌워진 광섬유(9), 광도파로(13), PD(19), 수신회로(18) 및 회로기판(12) 으로 구성된다. 수신회로는 전치증폭기능을 가지는 PRE-IC, 클록 추출부 및 이퀄라이징 증폭기로 이루어지는 CDRLSI, SAW 협대역 필터 및 AOD 바이어스 제어회로로 구성된다. 실제로는, 이들 구조에는 리드프레임이나 와이어가 수반되지만, 이들 도시는 생략되어 있다.
상기한 바와 같이, 송신모듈과 수신모듈이 일체가 된 송수신 모듈에서는, 광송신 유닛과 광수신 유닛과의 사이에서의 노이즈 발생-및-피해에 의해 유발된 내부 노이즈 간섭문제가 상승한다.
노이즈 간섭을 방지하기 위하여 종래의 광송수신 모듈에서는, 광송신 유닛과 광수신 유닛 사이에 금속제의 차폐판을 배치하거나, 각 모듈을 금속제 패키지에 봉입하여, 하나는 송신 모듈로, 다른 것은 수신 모듈로 분리하여 사용한다. 그러나, 이와 같은 구조는, 모듈 전체가 대형화하여 무거워질 뿐 아니라, 고가의 금속제 패키지를 사용함으로써 고가가 된다. 본 발명에 따른 구조는, 모듈내에서의 노이즈 간섭을 방지할 수 있을 뿐 아니라, 소형화 및 저가격화도 실현할 수 있다.
본 발명에 따르면, 흡수재료가 가진 내부 노이즈 간섭 및 외부로의 노이즈 발생을 억제하고, 소형 및 경량화를 달성하고, 고속송신하에서 작업하고, 고감도를 나타내는 능력 덕택에, 광학 송신 모듈, 광학 수신 모듈, 또는 광학 송신유닛과 광학 수신 유닛으로 구성되는 광학 송수신모듈과 같은 고속통신망에서 사용가능한 장치를 제공할 수 있다.
(실시예 7)
도 12는, 길쪽 통신장치와 톨게이트를 통행하는 차량에 탑재되어 있는 차재기와의 사이에서 정보를 교환하는 전자요금수수 시스템(이하, ETC)이 구비되어 있는 톨게이트의 기본구성을 나타낸 단면도이다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 진입부 안테나(21), 출로부 안테나(22) 및 차재기(23)와의 사이에서 주파수 5.8 GHz에서, 요금수수에 필요한 정보를 교환한다. 출로부 안테나(22)로부터 송신된 전파〔직접파(27)〕의 전개범위가 노면(24)과 게이트 지붕(25)의 천정면 또는 지지기둥(26)에 의한 다중 반사현상에 의해 넓어진다. 이에 의하여, 출로부 안테나(22)로부터 송신된 전파〔직접파(27)〕가 차량 A(29)의 차재기에 의해 수신되더라도, 노면(24)에서 반사된 반사파(28)가, 도 12에 나타낸 바와 같이 후속의 차량 B(30)의 차재기에 수신된다는 차간 구분의 문제가 발생한다. 인접 차선의 차량에 대한 간섭과 같은 전파장해에 의한 오동작도 예상된다. 게이트 지붕(25)의 천정면 및 지지기둥과 같은 전자기파를 반사할 수 있는 구조 부재의 표면에, 반사파(28)를 흡수할 수 있도록 전자기파 흡수 재료를 적용하여, 이러한 문제를 해결할 수 있다. 이러한 적용에서, 상기 전자기파 흡수 재료를 제조하고, 수지에 대하여 50 내지 85 wt%의 상기 천연 순가이트 광석분쇄분말을 함유한 수지혼합물을 용매를 사용하여 액상으로 또는 시트로 만든 후, 액상 재료는 원하는 구조부재 상에 적용하고, 시트화된 재료는 원하는 구조 부재 상에 붙이는 방식으로 적용한다.
종래기술의 ETC용 전파흡수재료는 두께가 수십 cm인 일체 패널형이다. 그 때문에, 복잡형상으로 적용시에는 설치가 곤란하다는 등의 설치 작업상의 문제가 있어, 도료타입 또는 가요성 시트타입의 얇은 전자기파 흡수재료층이 요구되고 있다. 본 발명의 전자기파 흡수재료(1)는 천연 순가이트 광석분쇄분말을 함유한 수 지혼합물을 포함하여 이루어져, 사용되는 수지의 선택에 의하여 도료 또는 가요성 시트로 적용하는 것이 가능하다.
천연 순가이트 광석분쇄분말을 함유한 수지혼합물을 포함하여 이루어지는 전파흡수체(31)는, 단층 또는 도 13에 나타내는 바와 같이 다층구조로 형성되어야 한다. 전파 입사면쪽으로부터 완전 반사체인 금속판(33) 방향으로 입사파(32)에 대한 전파흡수체의 특성 임피던스가 서서히 감소하도록 층이 형성되는 다층구조가, 비스듬한 입사의 흡수 특성을 효과적으로 개선한다. 이를 위하여, 전파 입사면쪽으로부터 금속판(33) 방향으로 복소비 유전율을 서서히 증가시키면 충분하고; 이는 천연 순가이트 광석분쇄분말의 수지에 대한 충전비를 변화시켜 달성한다. 또한 적용되는 대상이 금속인 경우에는, 금속판은 불필요하다. 도 13에 나타낸 전파흡수체(31)는 3층이다.
또 각 층의 탄소로 이루어지는 다층 중공소구체의 수지에 대한 충전량이 5 중량% 이하이면 복소비 유전율이 지나치게 작아, 전자기파 흡수능이 충분하지 않다. 따라서, 수지혼합물의 유동성 확보의 점에서는, 각 층에서의 비율은 최대 50 중량% 이하인 것이 바람직하다.
(실시예 8)
도 14는 고주파 통신장치의 일 실시형태인 밀리미터파 송수신장치의 단면도이다. 송수신용 MMIC 등의 반도체 장치(34)의 평평한 표면 쪽과 이러한 반도체 장치를 접속하는 평면회로기판(35)은, 케이싱 바닥부인 금속성 베이스 플레이트(36) 상에 설치되어 송수신회로를 구성하고; 입출력신호는 동축선(37)을 통해 안테나(도시 생략)에 접속된다. 케이싱의 측벽(39)에 의해 베이스 플레이트(36)로부터 분리된 금속성의 덮개(38)는 케이싱의 천정부를 형성한다. 케이싱의 측벽 재료는, 금속, 유리, 알루미나 및 다른 비금속 중 어느 것일 수 있다. 베이스 플레이트(36)는 플라스틱 또는 알루미나와 같은 비금속으로 구성되지만, MMIC와 평면회로기판이 설치되는 그 표면 일부를 도금이나 증착에 의해 형성되는 금속으로 덮을 수 있다. 케이싱 내부에 면하는 덮개(38)의 천정부에, 도료 조성물 또는 시트로 제조된 천연 순가이트 광석분쇄분말을 함유하는 수지 혼합물을 적용한다. 도료 조성물의 수지 혼합물은 상기 천정부에 적용하고, 시트화된 것은 상기 천정부에 붙인다. 이를 통해, 케이싱 내에서 빗나간 송수신회로의 송신쪽으로부터의 불필요한 발생이 수신쪽에 도달하는 것을 방지하고, 송신쪽과 수신쪽 간의 상호 간섭을 줄일 수 있다.
본 발명에 따르면, 종래의 탄소계 재료로 구성되는 유전손실형 전자기파 흡수재료보다도 흡수 특성 면에서 훨씬 우수한 성능을 갖는 저렴한 전자기파 흡수 재료를 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 준밀리미터파영역으로부터 밀리미터파영역까지 사용 가능한 흡수특성을 가지는 경량인 전자기파 흡수 재료를 사용하여, 전자장치 내부에서의 전자기파 간섭을 효율적으로 억제한다. 따라서, 흡수재료가 가진 내부 노이즈 간섭 및 외부로의 노이즈 발생을 억제하고, 소형 및 경량화를 달성하고, 고속송신하에서 작업하고, 고감도를 나타내는 능력 덕택에, 반도체 장치, 광송신모듈, 광수신모듈 또는 광송수신 모듈 및 고주파 통신장치와 같은 고속통신망에서 사용가능한 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 전자기파간섭을 받는 일 없이, 길쪽 통신장치와 차재기간의 정보 교환이 가능한 자동 톨게이트를 제공할 수 있다.

Claims (24)

  1. 탄소의 다층 중공소구체 또는 순가이트 탄소와, 상기 다층 중공소구체 또는 순가이트 탄소보다도 높은 전기 저항율을 가지는 물질을 포함하고, 이들 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 탄소의 다층 중공소구체와, 상기 소구체 내에 형성된 탄소나노튜브, 금속성분 및 수분의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 순가이트 탄소와, 금속성분 및 수분의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 금속성분은 금속 규산염, 금속 황화물 및 금속 산화물의 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 금속성분은 Cu, Ni, V, Cr, Co, Mn 및 Ti의 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  7. 제 1항, 제 4항 및 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 순가이트 탄소는 순가이트 광석으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  8. 삭제
  9. 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    전파의 주파수 1GHz 당 반사 감쇠량이 -3.5 dB 이상인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  10. 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    전파의 주파수 6 Ghz에 있어서의 반사 감쇠량이 -20 dB 이상인 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  11. 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 높은 전기 저항율을 가지는 물질이 고무, 절연성 고분자재료 및 절연성 무기재료의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  12. 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다층 중공소구체, 순가이트 탄소 및 순가이트 광석 중의 순가이트 탄소의 어느 하나는 전체의 5 내지 50 중량% 가지는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  13. 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    전자파의 입사면으로부터 내부를 따라 특성 임피던스가 낮아지도록 상기 다층 중공소구체, 순가이트 탄소 및 전자파 흡수재 입자의 함유량을 복수종으로 변화시킨 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  14. 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    Fe, Co 및 Ni 중 적어도 하나를 주성분으로 하는 자성금속, Fe, Co, Ni, Al, Si, Ti, Ba, Mn, Zn 및 Mg 중 적어도 하나를 포함하는 산화물, 질화물 및 탄화물의 어느 하나, 카본블랙, 흑연, 코크스 및 탄소 마이크로코일 중 적어도 하나의 어느 하나가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수 재료.
  15. 절연기판상에 배선회로를 가지고, 그 배선회로의 적어도 일부가 절연층에 의하여 덮여진 프린트 배선기판에 있어서, 상기 절연기판의 상기 배선회로 형성면측 및 그 반대면측의 적어도 한쪽에 전자파 흡수 재료로 이루어지는 층을 가지고, 상기 전자파 흡수 재료가 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프린트 배선기판.
  16. 프린트 배선기판상에 탑재된 전자소자가 금속제 캡에 의하여 덮여지고, 상기 금속제 캡의 내주면의 적어도 일부에 전자파 흡수 재료를 가지고, 상기 전자파 흡수 재료가 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  17. 프린트 배선기판과, 상기 기판상에 탑재된 전자소자가 금속제 케이싱에 의하여 덮여지고, 상기 금속제 케이싱의 내주면의 적어도 일부에 전자파 흡수재를 가지고, 상기 전자파 흡수 재료가 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  18. 개구부를 가지는 금속제 케이싱의 내주면의 적어도 일부에, 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 케이싱.
  19. 회로기판상에 발광소자 및 수광소자 중 적어도 한쪽과, 송신회로 및 수신회로 중 적어도 한쪽의 회로를 가지고, 상기 회로기판, 상기 소자 및 상기 회로 중 적어도 일부가 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료에 의하여 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 광송신 또는 수신 모듈.
  20. 회로기판상에 발광소자 및 수광소자 중 적어도 한쪽과, 송신회로 및 수신회로 중 적어도 한쪽의 회로를 가지고, 상기 회로기판, 소자 및 회로 중 적어도 일부가 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료를 가지는 부재에 의하여 내주면의 적어도 일부가 형성된 금속제 캡에 의하여 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 광송신 또는 수신모듈.
  21. 회로기판 상에 발광소자 및 수광소자 중 적어도 한쪽과, 송신회로 및 수신회로 중 적어도 한쪽의 회로를 가지고, 상기 회로기판, 소자 및 회로 중 적어도 일부가 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료를 가지는 부재에 의하여 덮여지고, 상기 부재의 외주면이 금속제 캡에 의하여 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 광송신 또는 수신모듈.
  22. 제 19항에 있어서,
    상기 회로기판, 소자 및 회로의 적어도 일부가 절연수지에 의하여 덮여지고, 상기 절연수지의 표면에 상기 전자파 흡수 재료가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광송신 또는 수신모듈.
  23. 게이트지붕이 설치된 요금소와, 상기 요금소를 통행하는 차량에 대하여 진입측에 설치된 진입부 안테나와, 상기 차량에 대하여 출로측에 설치된 출로부 안테나와, 길쪽 통신장치와 상기 차량에 탑재되어 있는 차재기와의 사이에서 정보의 수수를 행하는 자동요금수수시스템을 구비한 자동요금소에 있어서,
    상기 요금소와 그 근방의 전자파를 반사하는 부재의 표면, 상기 게이트 지붕의 상기 차량주행측 표면, 진입부 안테나 및 출로부 안테나를 지지하는 지지기둥의 표면의 적어도 일부에 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자동요금소.
  24. 케이싱 내부에 설치된 고주파 회로소자를 가지고, 상기 케이싱의 적어도 내벽의 적어도 일부에 제 1항, 제 2항, 제 4항, 제 5항 및 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 전자파 흡수 재료가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 통신장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220151896A (ko) 2021-05-07 2022-11-15 한국자동차연구원 밀리미터파 차폐 및 흡수용 복합소재

Families Citing this family (128)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6723299B1 (en) 2001-05-17 2004-04-20 Zyvex Corporation System and method for manipulating nanotubes
JP3922039B2 (ja) * 2002-02-15 2007-05-30 株式会社日立製作所 電磁波吸収材料及びそれを用いた各種製品
US6905667B1 (en) 2002-05-02 2005-06-14 Zyvex Corporation Polymer and method for using the polymer for noncovalently functionalizing nanotubes
US20040034177A1 (en) 2002-05-02 2004-02-19 Jian Chen Polymer and method for using the polymer for solubilizing nanotubes
US7035308B1 (en) * 2002-10-28 2006-04-25 Science Applications International Corporation Method and system for countering laser technology
US7419601B2 (en) * 2003-03-07 2008-09-02 Seldon Technologies, Llc Nanomesh article and method of using the same for purifying fluids
JP4520983B2 (ja) * 2003-03-07 2010-08-11 セルドン テクノロジーズ，インコーポレイテッド ナノ物質による流体の浄化
JP2007516314A (ja) 2003-05-22 2007-06-21 ザイベックス コーポレーション ナノコンポジットおよびナノコンポジットに関する方法
US7129422B2 (en) * 2003-06-19 2006-10-31 Wavezero, Inc. EMI absorbing shielding for a printed circuit board
EA009102B1 (ru) * 2003-08-14 2007-10-26 Эвальд Деркен Аг Отражающий слой
DE10345157B4 (de) * 2003-09-29 2009-01-08 Qimonda Ag Wärmeleitende Verpackung von elektronischen Schaltungseinheiten
US7507036B2 (en) * 2004-03-25 2009-03-24 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Connection arrangement for optical communication systems
CN100438739C (zh) * 2004-06-10 2008-11-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 抗磨损的防电磁干扰层
US7296576B2 (en) 2004-08-18 2007-11-20 Zyvex Performance Materials, Llc Polymers for enhanced solubility of nanomaterials, compositions and methods therefor
JP2006114877A (ja) * 2004-09-15 2006-04-27 Suzuki Sogyo Co Ltd 電磁波吸収シート、電磁波吸収シート積層体及びそれらを用いた電磁波吸収性ハウジング
CN100542798C (zh) * 2004-12-09 2009-09-23 中国科学院电子学研究所 一种低烧结温度的微波衰减材料
US7688246B2 (en) * 2005-05-10 2010-03-30 Fuji Xerox Co., Ltd. Radio wave absorber, electromagnetic field measurement system and radiated immunity system
JP4575247B2 (ja) * 2005-07-11 2010-11-04 株式会社東芝 高周波パッケージ装置
DE102005034166A1 (de) * 2005-07-21 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
JP5063616B2 (ja) 2006-02-03 2012-10-31 インテジェニックス インコーポレイテッド マイクロ流体デバイス
EP1860929B1 (en) * 2006-05-23 2009-02-11 Research In Motion Limited Mobile wireless communications device having an absorber for reducing energy radiated from an RF component
US7310067B1 (en) * 2006-05-23 2007-12-18 Research In Motion Limited Mobile wireless communications device with reduced interfering RF energy into RF metal shield secured on circuit board
US8134084B2 (en) * 2006-06-30 2012-03-13 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Noise-suppressing wiring-member and printed wiring board
DE102006047691A1 (de) * 2006-10-09 2008-04-17 Siemens Audiologische Technik Gmbh Absorption elektromagnetischer Strahlungen in Hörvorrichtungen
US8951631B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US8158217B2 (en) 2007-01-03 2012-04-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber and method therefor
DE102007013617B4 (de) * 2007-03-21 2023-06-22 Vitesco Technologies GmbH Elektronisches Bauteil
JP4748529B2 (ja) * 2007-03-22 2011-08-17 古河電気工業株式会社 磁性体
US20100096181A1 (en) * 2007-03-29 2010-04-22 Munetomo Nakamura Electromagnetic shield sheet and rfid plate
JP5362205B2 (ja) * 2007-04-24 2013-12-11 Ｎｔｎ株式会社 高周波用電子部品材料
US8013775B2 (en) * 2007-04-30 2011-09-06 Viasat, Inc. Radio frequency absorber
US20090079447A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Azurewave Technologies, Inc. Testing system for a radio frequency module
US20090104405A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Honeywell International Inc. Laminated printed wiring board with controlled spurious rf emission capability/characteristics
CN101466252B (zh) * 2007-12-21 2011-11-30 清华大学 电磁屏蔽层及其制备方法
JP4748538B2 (ja) * 2008-03-27 2011-08-17 古河電気工業株式会社 磁性体の製造方法
JP2010080911A (ja) * 2008-04-30 2010-04-08 Tayca Corp 広帯域電磁波吸収体及びその製造方法
TWI419643B (zh) * 2008-05-23 2013-12-11 Zhen Ding Technology Co Ltd 電路板基板及電路板
US20100296527A1 (en) * 2008-09-25 2010-11-25 Ofs Fitel Llc Passively modelocked fiber laser using carbon nanotubes
US8692716B2 (en) * 2008-10-20 2014-04-08 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Nano and micro based antennas and sensors and methods of making same
KR20100072383A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 한국전자통신연구원 전자파 흡수체를 구비한 운송수단 용 자동 요금 징수 시스템, 운송용 장치, 건물형 구조물, 전자기기, 전자파 무반사실
KR20110125220A (ko) 2009-02-17 2011-11-18 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. 섬유상에 탄소 나노튜브를 포함하는 복합체
KR101703340B1 (ko) 2009-02-27 2017-02-06 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. 가스 예열법을 이용한 저온 ｃｎｔ 성장
US20100227134A1 (en) 2009-03-03 2010-09-09 Lockheed Martin Corporation Method for the prevention of nanoparticle agglomeration at high temperatures
CN102458825A (zh) 2009-04-24 2012-05-16 应用纳米结构方案公司 基于cnt的信号控制材料
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
BRPI1014711A2 (pt) 2009-04-27 2016-04-12 Applied Nanostrctured Solutions Llc aquecimento de resistência com base em cnt para descongelar estruturas de compósito
CN101883477A (zh) * 2009-05-04 2010-11-10 富准精密工业(深圳)有限公司 壳体及其制造方法
BR112012002216A2 (pt) 2009-08-03 2016-05-31 Applied Nanostructured Sols método de incorporação de nanopartículas em fibras compósitas, fibra de vidro e tapete de fibra picada ou compósito
KR101045403B1 (ko) * 2009-10-15 2011-06-30 세종대학교산학협력단 건물용 층간 소음 방지구조
JP5799021B2 (ja) 2009-11-23 2015-10-21 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニーＡｐｐｌｉｅｄ Ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｓｏｌｕｔｉｏｎｓ， Ｌｌｃ Ｃｎｔを適合された航空ベース複合材料構造体
KR20120117978A (ko) 2009-11-23 2012-10-25 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. 카본 나노튜브-주입된 섬유 재료를 포함하는 세라믹 복합재료 및 이의 제조방법
CN103079805B (zh) 2009-12-14 2015-02-11 应用纳米结构方案公司 含有碳纳米管并入的纤维材料的防火复合材料和制品
US9167736B2 (en) 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
EP2531558B1 (en) 2010-02-02 2018-08-22 Applied NanoStructured Solutions, LLC Carbon nanotube-infused fiber materials containing parallel-aligned carbon nanotubes, methods for production thereof, and composite materials derived therefrom
WO2011109485A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions,Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
JP2013521656A (ja) 2010-03-02 2013-06-10 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー カーボン・ナノチューブ浸出電極材料を含む螺旋に巻き付けられた電気機器及びその生産方法並びに生産装置
CN101853727B (zh) * 2010-05-21 2011-11-09 山东大学 一种铁-碳纳米复合电磁波吸收材料及其制备方法
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
WO2012024658A2 (en) 2010-08-20 2012-02-23 IntegenX, Inc. Integrated analysis system
US9017854B2 (en) 2010-08-30 2015-04-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Structural energy storage assemblies and methods for production thereof
CA2808242A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof
BR112013005529A2 (pt) 2010-09-22 2016-05-03 Applied Nanostructured Sols substratos de fibras de carbono que têm nanotubos de carbono desenvolvidos nos mesmos, e processos para a produção dos mesmos
JP2014508370A (ja) 2010-09-23 2014-04-03 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー 強化送電線のセルフシールドワイヤとしてのｃｎｔ浸出繊維
CN102093613B (zh) * 2011-01-05 2012-06-06 江苏省金肯科技实业股份有限公司 一种用于橡胶的金刚素炭黑及其制备方法
US8569631B2 (en) * 2011-05-05 2013-10-29 Tangitek, Llc Noise dampening energy efficient circuit board and method for constructing and using same
TWI558657B (zh) * 2011-09-08 2016-11-21 淡水河谷公司 奈米碳管應用於粉礦聚集物以增加其機械強度
US20150136604A1 (en) 2011-10-21 2015-05-21 Integenx Inc. Sample preparation, processing and analysis systems
US10865440B2 (en) 2011-10-21 2020-12-15 IntegenX, Inc. Sample preparation, processing and analysis systems
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
RU2485729C1 (ru) * 2012-03-20 2013-06-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Способ получения магнитной композиции
KR101417270B1 (ko) * 2012-05-08 2014-07-08 현대자동차주식회사 전자파차폐 복합재용 하이브리드 필러 및 그 제조방법
JP2013247020A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Toyota Boshoku Corp 操作スイッチ
CN102856663B (zh) * 2012-08-24 2014-07-23 电子科技大学 一种超材料宽带红外吸波结构材料
KR101223506B1 (ko) * 2012-09-05 2013-01-21 김영욱 플러렌 입자구조를 갖는 단말기용 전자파 차단 및 방열 시트
KR101218309B1 (ko) * 2012-09-05 2013-01-09 김영욱 플러렌 구조를 갖는 단말기 전면용 전자파 차단 및 방열 시트
ITRM20120495A1 (it) 2012-10-16 2014-04-17 Univ Roma "nanocompositi polimerici a base di gnp per la riduzione di interferenze elettromagnetiche"
US20140197352A1 (en) * 2013-01-11 2014-07-17 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Methods and compositions for energy dissipation
US9622338B2 (en) 2013-01-25 2017-04-11 Laird Technologies, Inc. Frequency selective structures for EMI mitigation
US9307631B2 (en) * 2013-01-25 2016-04-05 Laird Technologies, Inc. Cavity resonance reduction and/or shielding structures including frequency selective surfaces
US8952503B2 (en) 2013-01-29 2015-02-10 International Business Machines Corporation Organic module EMI shielding structures and methods
KR101454595B1 (ko) * 2013-05-14 2014-11-17 만고산업 (주) 순기트를 포함하는 전자파 차폐 부직포 및 이의 제조방법
US20150043162A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-12 Wah Hong Industrial Corp. Central processing unit casing
US9541678B2 (en) * 2013-11-13 2017-01-10 Arc Technologies, Inc. Multi-layer absorber
WO2015073999A1 (en) 2013-11-18 2015-05-21 Integenx Inc. Cartridges and instruments for sample analysis
US10208332B2 (en) 2014-05-21 2019-02-19 Integenx Inc. Fluidic cartridge with valve mechanism
US9839133B2 (en) 2014-06-04 2017-12-05 Apple Inc. Low-area overhead connectivity solutions to SIP module
CN104084575B (zh) * 2014-06-30 2016-03-23 北京师范大学 立方相钴/石墨烯复合材料、制备方法和吸波性能
CN104084576B (zh) * 2014-06-30 2016-03-23 北京师范大学 六方相钴/石墨烯复合材料、制备方法和吸波性能
CN104117683B (zh) * 2014-07-01 2016-03-23 北京师范大学 六方相钴镍合金纳米簇-石墨烯复合材料、其制备方法及用途
CN104043840B (zh) * 2014-07-01 2016-03-23 北京师范大学 立方相钴镍合金纳米簇-石墨烯复合材料、其制备方法及用途
CN204104291U (zh) * 2014-10-15 2015-01-14 昆山雅森电子材料科技有限公司 薄型化高传输电磁吸收屏蔽膜
EP3209410A4 (en) 2014-10-22 2018-05-02 IntegenX Inc. Systems and methods for sample preparation, processing and analysis
EP3029771B1 (en) * 2014-12-03 2019-10-16 The University of Tokyo Electromagnetic wave absorber and film forming paste
JP6616653B2 (ja) * 2014-12-03 2019-12-04 国立大学法人 東京大学 電磁波吸収体及び膜形成用ペースト
US10624214B2 (en) * 2015-02-11 2020-04-14 Apple Inc. Low-profile space-efficient shielding for SIP module
WO2016135689A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Valgimigli Andrea Composite shielding material
KR101715466B1 (ko) * 2015-03-23 2017-03-14 신라대학교 산학협력단 탄소계 복합재의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 탄소계 복합재
KR102374414B1 (ko) * 2015-04-24 2022-03-15 엘지이노텍 주식회사 전자파 차폐 구조물
US11310948B2 (en) * 2016-03-11 2022-04-19 Flex-Cable Bendable shielded bus bar
JP6791698B2 (ja) * 2016-09-27 2020-11-25 国立大学法人 東京大学 シュンガイトの精製方法
US9953930B1 (en) * 2016-10-20 2018-04-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure and method for manufacturing the same
JP6676191B2 (ja) * 2016-12-21 2020-04-08 三菱電機株式会社 半導体装置
CN106807948B (zh) * 2017-02-20 2019-07-05 南京三乐集团有限公司 一种速调管用微波衰减薄膜的制备方法
JP6985588B2 (ja) * 2017-04-07 2021-12-22 富士通株式会社 電子装置及び電磁波吸収体
FR3066643B1 (fr) * 2017-05-16 2020-03-13 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Boitier electronique pourvu d'une fente locale formant un event
DE102017222983A1 (de) * 2017-12-18 2019-06-19 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines Faserverbundbauteils
US11391899B2 (en) 2018-02-07 2022-07-19 Lumentum Operations Llc Thermal interface for riding heatsink
CN112640226A (zh) * 2018-07-12 2021-04-09 申泰公司 用于改善信号完整性的有损材料
US11258184B2 (en) 2019-08-21 2022-02-22 Ticona Llc Antenna system including a polymer composition having a low dissipation factor
US11637365B2 (en) 2019-08-21 2023-04-25 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system
US11912817B2 (en) 2019-09-10 2024-02-27 Ticona Llc Polymer composition for laser direct structuring
US11555113B2 (en) 2019-09-10 2023-01-17 Ticona Llc Liquid crystalline polymer composition
US11646760B2 (en) 2019-09-23 2023-05-09 Ticona Llc RF filter for use at 5G frequencies
US11917753B2 (en) 2019-09-23 2024-02-27 Ticona Llc Circuit board for use at 5G frequencies
US11721888B2 (en) 2019-11-11 2023-08-08 Ticona Llc Antenna cover including a polymer composition having a low dielectric constant and dissipation factor
KR20220147110A (ko) 2020-02-26 2022-11-02 티코나 엘엘씨 전자 디바이스를 위한 중합체 조성물
JP2023515976A (ja) * 2020-02-26 2023-04-17 ティコナ・エルエルシー 回路構造体
JP2023514820A (ja) 2020-02-26 2023-04-11 ティコナ・エルエルシー 電子デバイス
US11728065B2 (en) 2020-07-28 2023-08-15 Ticona Llc Molded interconnect device
CN112117545B (zh) * 2020-09-02 2021-08-06 南京航空航天大学 一种基于水的极化可重构多功能频率选择吸波体
CN112341807B (zh) * 2020-10-29 2022-08-02 中国石油化工股份有限公司 微晶石墨矿-尼龙6组合物复合材料
US11728559B2 (en) 2021-02-18 2023-08-15 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system
CN117769579A (zh) 2021-04-02 2024-03-26 三菱化学株式会社 树脂组合物和成型体
JP2023000572A (ja) * 2021-06-18 2023-01-04 兵庫県公立大学法人 電波吸収体
WO2023069031A1 (en) * 2021-10-21 2023-04-27 Antalya Bilim Universitesi Rektorlugu A shungite based thin film polymer for electromagnetic field protection and its production method
CN115954682B (zh) * 2023-02-28 2023-09-12 湖南博翔新材料有限公司 一种轻质吸波材料及其应用

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2977591A (en) * 1952-09-17 1961-03-28 Howard A Tanner Fibrous microwave absorber
US3721982A (en) * 1970-11-10 1973-03-20 Gruenzweig & Hartmann Absorber for electromagnetic radiation
JPS5418755B2 (ko) * 1973-03-07 1979-07-10
US5786785A (en) * 1984-05-21 1998-07-28 Spectro Dynamics Systems, L.P. Electromagnetic radiation absorptive coating composition containing metal coated microspheres
JPH0650799B2 (ja) * 1986-11-19 1994-06-29 喜之 内藤 電波吸収材
JPH0228399A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Shinwa Internatl Kk 電波吸収材及びその製造方法
SE463769B (sv) * 1989-04-19 1991-01-21 Diab Barracuda Ab Kamouflagematerial av pvc-cellplast med slutna celler
JP2660647B2 (ja) 1992-10-21 1997-10-08 株式会社巴川製紙所 電波吸収体
JP3401650B2 (ja) 1994-01-20 2003-04-28 エヌイーシートーキン株式会社 電磁波干渉抑制体
EP0689262B1 (en) * 1994-06-23 1999-12-01 Takenaka Corporation Wave absorber composition, radio wave absorber member, radio wave absorber and method for producing wave absorber member
US5487432A (en) * 1995-02-22 1996-01-30 Thompson; Jon E. Subsurface tool
JPH09111421A (ja) 1995-10-20 1997-04-28 Tokin Corp 高電気抵抗磁性材料及びその製造方法
US5952953A (en) * 1997-03-14 1999-09-14 Hitachi Maxell, Ltd. Wave absorber
JPH1116727A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Sumitomo Metal Ind Ltd 高電気抵抗磁性薄膜
JPH11290435A (ja) 1998-04-14 1999-10-26 Jiyouno Tetsuhisa 電波吸収遮蔽と空気浄化組成物
RU2157256C2 (ru) * 1998-05-19 2000-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "Минеральная продукция" Средство для защиты от геопатогенного воздействия
JPH11354973A (ja) 1998-06-04 1999-12-24 Hitachi Metals Ltd 電磁波吸収体
EP0986294A3 (en) * 1998-09-04 2000-05-17 TDK Corporation Electric wave absorber
JP3869147B2 (ja) 1999-03-25 2007-01-17 関東鋼線株式会社 電磁波吸収シート
JP3925835B2 (ja) 2000-04-10 2007-06-06 株式会社日立製作所 電磁波吸収材とその製造法及びそれを用いた各種用途
JP3922039B2 (ja) * 2002-02-15 2007-05-30 株式会社日立製作所 電磁波吸収材料及びそれを用いた各種製品

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220151896A (ko) 2021-05-07 2022-11-15 한국자동차연구원 밀리미터파 차폐 및 흡수용 복합소재

Also Published As

Publication number Publication date
US7239261B2 (en) 2007-07-03
TW566077B (en) 2003-12-11
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US20050035896A1 (en) 2005-02-17
US6818821B2 (en) 2004-11-16
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JP2003243878A (ja) 2003-08-29
US20040146452A1 (en) 2004-07-29
US20030155143A1 (en) 2003-08-21

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