JPH09111421A - 高電気抵抗磁性材料及びその製造方法 - Google Patents
高電気抵抗磁性材料及びその製造方法Info
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- JPH09111421A JPH09111421A JP7272265A JP27226595A JPH09111421A JP H09111421 A JPH09111421 A JP H09111421A JP 7272265 A JP7272265 A JP 7272265A JP 27226595 A JP27226595 A JP 27226595A JP H09111421 A JPH09111421 A JP H09111421A
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- electric resistance
- magnetic material
- crystal grains
- high electric
- atmosphere
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15341—Preparation processes therefor
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い飽和磁束密度を持ち，かつ磁気損失の小
さな，つまり電気抵抗の大きな磁性材料と，この磁性材
料を用いた線輪部品と，その製造方法とを提供するこ
と。 【解決手段】 高透磁率アモルファス合金をその結晶化
温度以上で酸素ガス，窒素ガス及びアンモニアガスのう
ちの少なくとも一種を含有する雰囲気中で熱処理するこ
とによって高電気抵抗磁性材料を製造する。この高電気
抵抗磁性材料は，高透磁率合金よりなる結晶粒と，前記
結晶粒の周囲に形成された，酸化物又は窒化物のうちの
少なくとも一種とを備えており，結晶粒径が５００オン
グストローム以下の極微細結晶粒の集合体から成る。
さな，つまり電気抵抗の大きな磁性材料と，この磁性材
料を用いた線輪部品と，その製造方法とを提供するこ
と。 【解決手段】 高透磁率アモルファス合金をその結晶化
温度以上で酸素ガス，窒素ガス及びアンモニアガスのう
ちの少なくとも一種を含有する雰囲気中で熱処理するこ
とによって高電気抵抗磁性材料を製造する。この高電気
抵抗磁性材料は，高透磁率合金よりなる結晶粒と，前記
結晶粒の周囲に形成された，酸化物又は窒化物のうちの
少なくとも一種とを備えており，結晶粒径が５００オン
グストローム以下の極微細結晶粒の集合体から成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，インダクタンス素
子，電源トランス等の線輪部品，特に，平滑チョークコ
イルに用いられる高磁性率合金磁芯等に利用される高周
波用の高電気抵抗磁性材料とその製造方法に関する。
子，電源トランス等の線輪部品，特に，平滑チョークコ
イルに用いられる高磁性率合金磁芯等に利用される高周
波用の高電気抵抗磁性材料とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在，チョークコイルは小型化が著しく
進んでいる。この小型の際に，チョークコイルのコア材
料要求されるのは，高周波領域における磁気損失が小さ
いということであった。したがって，従来においては高
周波域での磁気損失の小さい材料，つまり電気抵抗の大
きな材料であるフェライトが使用されてきた。
進んでいる。この小型の際に，チョークコイルのコア材
料要求されるのは，高周波領域における磁気損失が小さ
いということであった。したがって，従来においては高
周波域での磁気損失の小さい材料，つまり電気抵抗の大
きな材料であるフェライトが使用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，フェラ
イトでは飽和磁束密度が低くせいぜい３〜５ＫＧでしか
なく，すぐ飽和してしまい，飽和させないようにするに
は先のチョークコイルのトレンドに逆交して大型化の方
向に進まなければならず，小型化するのが困難であっ
た。
イトでは飽和磁束密度が低くせいぜい３〜５ＫＧでしか
なく，すぐ飽和してしまい，飽和させないようにするに
は先のチョークコイルのトレンドに逆交して大型化の方
向に進まなければならず，小型化するのが困難であっ
た。
【０００４】そこで，本発明の技術的課題は，高い飽和
磁束密度を持ち，かつ磁気損失の小さな，つまり電気抵
抗の大きな磁性材料とその製造方法とを提供することに
ある。
磁束密度を持ち，かつ磁気損失の小さな，つまり電気抵
抗の大きな磁性材料とその製造方法とを提供することに
ある。
【０００５】また，本発明の特別の技術的課題は，前記
磁性材料を用いた線輪部品を提供することにある。
磁性材料を用いた線輪部品を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，高透磁
率合金よりなる結晶粒と，前記結晶粒の周囲に形成され
た酸化物又は窒化物のうちの少なくとも一種とを備え，
結晶粒径が５００オングストローム以下の極微細結晶粒
の集合体からなることを特徴とする高電気抵抗磁性材料
が得られる。
率合金よりなる結晶粒と，前記結晶粒の周囲に形成され
た酸化物又は窒化物のうちの少なくとも一種とを備え，
結晶粒径が５００オングストローム以下の極微細結晶粒
の集合体からなることを特徴とする高電気抵抗磁性材料
が得られる。
【０００７】また，本発明によれば，アモルファス合金
をその結晶化温度以上で酸素ガス，窒素ガスのどちらか
一方を含有する雰囲気中で熱処理することを特徴とする
高電気磁性材料の製造方法が得られる。
をその結晶化温度以上で酸素ガス，窒素ガスのどちらか
一方を含有する雰囲気中で熱処理することを特徴とする
高電気磁性材料の製造方法が得られる。
【０００８】また，本発明によれば，前記高電気抵抗磁
性材料を巻コア状態で備えていることを特徴とする線輪
部品が得られる。
性材料を巻コア状態で備えていることを特徴とする線輪
部品が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の一形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】予め冷却ロール上方に保持された溶湯ノズ
ル中で，Ｆｅ bal Ｍ15〜30Ｂ10〜20（但し，Ｍは，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏのうちの少なくとも１種）
の合金組成に配合されたインゴットを，大気，Ａｒ，Ｎ
2 ，Ｏ2 及びＮＨ3 雰囲気中で高周波溶解した後，予め
定められた回転数で回転している冷却ロール上にガス加
圧によって溶湯を噴出した。これにより，リボン試料を
作製した。ここで得られた試料のマトリックスが非晶質
化していることの確認はＸ線回折により行い，結晶性の
鋭い回折ピークのないことにより，非晶質化が確認され
た。その後，得られたリボン試料を電気炉にて５００〜
６５０℃×０．５〜５０Ｈｒで大気中雰囲気で熱処理
し，予め定められた冷却速度で室温まで冷却した。かく
して得られた製品を樹脂埋め込みによって固定し，その
断面を，研磨し，最後にバフ研磨し，弗硝酸にてエッチ
ングしたのち，ＥＤＸにて，結晶粒内及び結晶粒の回り
を線分析等を行った結果，結晶粒内部は上部磁性体合金
組成が得られた。そしてその結晶粒の周囲については結
晶粒内部の組成及び酸素を同時に検出し，ＥＤＸ分析に
よりＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系の酸化物を検出し，さらに結晶粒
径を測定したところ，約２７０オングストロームであっ
て，最大でも５００オングストロームを越えるようなも
のは確認されなかった。尚，本発明の実施の一形態に係
るリボン試料は，巻コア状態でチョークコイルに使用さ
れる。
ル中で，Ｆｅ bal Ｍ15〜30Ｂ10〜20（但し，Ｍは，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏのうちの少なくとも１種）
の合金組成に配合されたインゴットを，大気，Ａｒ，Ｎ
2 ，Ｏ2 及びＮＨ3 雰囲気中で高周波溶解した後，予め
定められた回転数で回転している冷却ロール上にガス加
圧によって溶湯を噴出した。これにより，リボン試料を
作製した。ここで得られた試料のマトリックスが非晶質
化していることの確認はＸ線回折により行い，結晶性の
鋭い回折ピークのないことにより，非晶質化が確認され
た。その後，得られたリボン試料を電気炉にて５００〜
６５０℃×０．５〜５０Ｈｒで大気中雰囲気で熱処理
し，予め定められた冷却速度で室温まで冷却した。かく
して得られた製品を樹脂埋め込みによって固定し，その
断面を，研磨し，最後にバフ研磨し，弗硝酸にてエッチ
ングしたのち，ＥＤＸにて，結晶粒内及び結晶粒の回り
を線分析等を行った結果，結晶粒内部は上部磁性体合金
組成が得られた。そしてその結晶粒の周囲については結
晶粒内部の組成及び酸素を同時に検出し，ＥＤＸ分析に
よりＦｅ−Ｓｉ−Ｏ系の酸化物を検出し，さらに結晶粒
径を測定したところ，約２７０オングストロームであっ
て，最大でも５００オングストロームを越えるようなも
のは確認されなかった。尚，本発明の実施の一形態に係
るリボン試料は，巻コア状態でチョークコイルに使用さ
れる。
【００１１】
【実施例】以下，本発明の実施例について説明する。
【００１２】（実施例１）まず，予め冷却ロール上方に
保持された石英製ノズル中で，Ｆｅ bal Ｓｉ10Ｂ15の
合金組成に配合されたインゴットをアルゴン雰囲気中で
高周波溶解した後，４０００ｒｐｍで回転している冷却
ロール上にアルゴンガス加圧によって溶湯を噴出した。
これにより幅５ｍｍ，板厚０．０２ｍｍ，長さ１００ｍ
のリボン試料を作製した。ここで得られた試料のマトリ
ックスが非晶質化していることの確認はＸ線回折により
行い，結晶性の鋭い回折ピークのないことにより，非晶
質化が確認された。その後，得られたリボン試料を電気
炉にて５８０℃×０．５Ｈｒで大気中雰囲気で熱処理
し，１００℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で室温まで冷却し
た。かくして得られた製品を樹脂埋め込みによって固定
し，その断面を＃３２０から＃１５００まで研磨し，最
後にバフ研磨し，弗硝酸にてエッチングしたのち，ＥＤ
Ｘにて，結晶粒内及び結晶粒の回りを線分析等を行った
結果，結晶粒内部は上記磁性体合金組成が得られた。
保持された石英製ノズル中で，Ｆｅ bal Ｓｉ10Ｂ15の
合金組成に配合されたインゴットをアルゴン雰囲気中で
高周波溶解した後，４０００ｒｐｍで回転している冷却
ロール上にアルゴンガス加圧によって溶湯を噴出した。
これにより幅５ｍｍ，板厚０．０２ｍｍ，長さ１００ｍ
のリボン試料を作製した。ここで得られた試料のマトリ
ックスが非晶質化していることの確認はＸ線回折により
行い，結晶性の鋭い回折ピークのないことにより，非晶
質化が確認された。その後，得られたリボン試料を電気
炉にて５８０℃×０．５Ｈｒで大気中雰囲気で熱処理
し，１００℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で室温まで冷却し
た。かくして得られた製品を樹脂埋め込みによって固定
し，その断面を＃３２０から＃１５００まで研磨し，最
後にバフ研磨し，弗硝酸にてエッチングしたのち，ＥＤ
Ｘにて，結晶粒内及び結晶粒の回りを線分析等を行った
結果，結晶粒内部は上記磁性体合金組成が得られた。
【００１３】そしてその結晶粒の回りについては結晶粒
内部の組成及び酸素を同時に検出し，ＥＤＸ分析により
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｏ系の酸化物を検出し，さらに結晶粒径を
測定したところ，約２７０オングストロームであって，
最大でも５００オングストロームを越えるようなものは
確認されなかった。
内部の組成及び酸素を同時に検出し，ＥＤＸ分析により
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｏ系の酸化物を検出し，さらに結晶粒径を
測定したところ，約２７０オングストロームであって，
最大でも５００オングストロームを越えるようなものは
確認されなかった。
【００１４】（実施例２）まず，予め冷却ロール上方に
保持された石英製ノズル中で，Ｆｅ bal Ｓｉ10Ｂ15，
Ｆｅ bal Ｚｒ5 Ｓｉ10Ｂ15，Ｆｅ bal Ｃｏ20Ｓｉ10
Ｂ15，Ｆｅ balＮｉ10Ｓｉ10Ｂ15及びＦｅ bal Ｍｏ10
Ｓｉ10Ｂ15の合金組成に配合されたインゴットをアルゴ
ン雰囲気中で高周波溶解した後，４０００ｒｐｍで回転
している冷却ロール上にアルゴンガス加圧によって溶湯
を噴出した。これにより幅５ｍｍ，板厚０．０２ｍｍ，
長さ１００ｍのリボン試料を作製した。ここで得られた
試料のマトリックスが非晶質化していることの確認はＸ
線回折により行い，結晶性の鋭い回折ピークのないこと
により，非晶質化が確認された。その後，得られたリボ
ン試料を電気炉にて５８０℃×０．５Ｈｒで大気中，Ａ
ｒ＋２０％Ｏ2 ，Ａｒ＋２０％Ｎ2 及び比較例としてＡ
ｒ雰囲気の４種類の雰囲気で熱処理し，１００℃／ｍｉ
ｎ以下の冷却速度で室温まで冷却した。かくして得られ
た製品の電気抵抗について下記表１に併記した。なお電
気抵抗は常温で４端子法にて測定した。
保持された石英製ノズル中で，Ｆｅ bal Ｓｉ10Ｂ15，
Ｆｅ bal Ｚｒ5 Ｓｉ10Ｂ15，Ｆｅ bal Ｃｏ20Ｓｉ10
Ｂ15，Ｆｅ balＮｉ10Ｓｉ10Ｂ15及びＦｅ bal Ｍｏ10
Ｓｉ10Ｂ15の合金組成に配合されたインゴットをアルゴ
ン雰囲気中で高周波溶解した後，４０００ｒｐｍで回転
している冷却ロール上にアルゴンガス加圧によって溶湯
を噴出した。これにより幅５ｍｍ，板厚０．０２ｍｍ，
長さ１００ｍのリボン試料を作製した。ここで得られた
試料のマトリックスが非晶質化していることの確認はＸ
線回折により行い，結晶性の鋭い回折ピークのないこと
により，非晶質化が確認された。その後，得られたリボ
ン試料を電気炉にて５８０℃×０．５Ｈｒで大気中，Ａ
ｒ＋２０％Ｏ2 ，Ａｒ＋２０％Ｎ2 及び比較例としてＡ
ｒ雰囲気の４種類の雰囲気で熱処理し，１００℃／ｍｉ
ｎ以下の冷却速度で室温まで冷却した。かくして得られ
た製品の電気抵抗について下記表１に併記した。なお電
気抵抗は常温で４端子法にて測定した。
【００１５】
【表１】
【００１６】上記表１にいて，例えば，試料２と試料４
の比較において，不活性ガス雰囲気においてよりも酸素
を含んだ雰囲気での結晶化熱処理品の方がかなりの電気
抵抗の上昇が認められる。このことは実施例のように結
晶粒の周囲に高電気抵抗物質が存在していることを示
し，いずれも比較例であるＡｒ雰囲気中での熱処理と比
べ，それ以外の酸素や窒素が存在する雰囲気でのものが
明らかにその電気抵抗値が高く，かつＡｒ＋２０％Ｏ2
やＡｒ＋２０％Ｎ2 よりも大気中のものの方が電気抵抗
の上昇度が大きい。
の比較において，不活性ガス雰囲気においてよりも酸素
を含んだ雰囲気での結晶化熱処理品の方がかなりの電気
抵抗の上昇が認められる。このことは実施例のように結
晶粒の周囲に高電気抵抗物質が存在していることを示
し，いずれも比較例であるＡｒ雰囲気中での熱処理と比
べ，それ以外の酸素や窒素が存在する雰囲気でのものが
明らかにその電気抵抗値が高く，かつＡｒ＋２０％Ｏ2
やＡｒ＋２０％Ｎ2 よりも大気中のものの方が電気抵抗
の上昇度が大きい。
【００１７】よって，大気中雰囲気での結晶化熱処理の
条件で行うことが高電気抵抗を引き出すこととなり，好
ましいと思われる。尚，熱処理での試料の磁束密度の差
は，ほとんど見られなかった。
条件で行うことが高電気抵抗を引き出すこととなり，好
ましいと思われる。尚，熱処理での試料の磁束密度の差
は，ほとんど見られなかった。
【００１８】（実施例３）まず，予め冷却ロール上方に
保持された石英製ノズル中で，Ｆｅ bal Ｓｉ10Ｂ15，
Ｆｅ bal Ｚｒ5 Ｓｉ10Ｂ15，Ｆｅ bal Ｃｏ20Ｓｉ10
Ｂ15，Ｆｅ balＮｉ10Ｓｉ10Ｂ15及びＦｅ bal Ｍｏ10
Ｓｉ10Ｂ15の合金組成に配合されたインゴットをアルゴ
ン雰囲気中で高周波溶解した後，４０００ｒｐｍで回転
している冷却ロール上にアルゴンガス加圧によって溶湯
を噴出した。これにより幅５ｍｍ，板厚０．０２ｍｍ，
長さ１００ｍのリボン試料を作製した。ここで得られた
試料のマトリックスが非晶質化していることの確認はＸ
線回折により行い，結晶性の鋭い回折ピークのないこと
により，非晶質化が確認された。その後，得られたリボ
ン試料を電気炉にて５８０℃×０．５ＨｒでＮ2 ，Ｎ2
＋２０％ＮＨ3 ，Ｎ2 ＋５０％ＮＨ3 ，Ｎ2 ＋８０％Ｎ
2 及び比較例としてＡｒ雰囲気の４種類の雰囲気で熱処
理し，１００℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で室温まで冷却
した。かくして得られた製品の電気抵抗について下記表
２に併記する。なお電気抵抗は常温で４端子法にて測定
した。
保持された石英製ノズル中で，Ｆｅ bal Ｓｉ10Ｂ15，
Ｆｅ bal Ｚｒ5 Ｓｉ10Ｂ15，Ｆｅ bal Ｃｏ20Ｓｉ10
Ｂ15，Ｆｅ balＮｉ10Ｓｉ10Ｂ15及びＦｅ bal Ｍｏ10
Ｓｉ10Ｂ15の合金組成に配合されたインゴットをアルゴ
ン雰囲気中で高周波溶解した後，４０００ｒｐｍで回転
している冷却ロール上にアルゴンガス加圧によって溶湯
を噴出した。これにより幅５ｍｍ，板厚０．０２ｍｍ，
長さ１００ｍのリボン試料を作製した。ここで得られた
試料のマトリックスが非晶質化していることの確認はＸ
線回折により行い，結晶性の鋭い回折ピークのないこと
により，非晶質化が確認された。その後，得られたリボ
ン試料を電気炉にて５８０℃×０．５ＨｒでＮ2 ，Ｎ2
＋２０％ＮＨ3 ，Ｎ2 ＋５０％ＮＨ3 ，Ｎ2 ＋８０％Ｎ
2 及び比較例としてＡｒ雰囲気の４種類の雰囲気で熱処
理し，１００℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で室温まで冷却
した。かくして得られた製品の電気抵抗について下記表
２に併記する。なお電気抵抗は常温で４端子法にて測定
した。
【００１９】
【表２】
【００２０】上記表２において，試料２と試料４とを比
較すると，窒素ガス雰囲気中よりもその窒素ガスにアン
モニアを含んだ雰囲気での結晶化熱処理品の方がかなり
の電気抵抗の上昇が認められる。このことは実施例のよ
うに窒素単独よりもアンモニアを適当に含んだ方が結晶
粒の回りに高電気抵抗物質が存在していることを指す。
較すると，窒素ガス雰囲気中よりもその窒素ガスにアン
モニアを含んだ雰囲気での結晶化熱処理品の方がかなり
の電気抵抗の上昇が認められる。このことは実施例のよ
うに窒素単独よりもアンモニアを適当に含んだ方が結晶
粒の回りに高電気抵抗物質が存在していることを指す。
【００２１】よって，窒素＋アンモニア混合ガス中雰囲
気での結晶化熱処理の条件で行うことが高電気抵抗を最
も引き出す条件となり，非常に好ましいと思われる。
気での結晶化熱処理の条件で行うことが高電気抵抗を最
も引き出す条件となり，非常に好ましいと思われる。
【００２２】尚，熱処理での磁束密度の差はほとんどみ
られなかった。
られなかった。
【００２３】（実施例４）まず，予め冷却ロール上方に
保持された石英製ノズル中で，Ｆｅ bal Ｓｉ10Ｂ15，
Ｆｅ bal Ｚｒ5 Ｓｉ10Ｂ15，Ｆｅ bal Ｃｏ20Ｓｉ10
Ｂ15，Ｆｅ balＮｉ10Ｓｉ10Ｂ15及びＦｅ bal Ｍｏ10
Ｓｉ10Ｂ15の合金組成に配合されたインゴットをアルゴ
ン雰囲気中で高周波溶解した後，４０００ｒｐｍで回転
している冷却ロール上にアルゴンガス加圧によって溶湯
を噴出した。これにより幅５ｍｍ，板厚０．０２ｍｍ，
長さ１００ｍのリボン試料を作製した。ここで得られた
試料のマトリックスが非晶質化していることの確認はＸ
線回折により行い，結晶性の鋭い回折ピークのないこと
により，非晶質化が確認された。その後，得られたリボ
ン試料を電気炉にて５８０℃で大気中の雰囲気で熱処理
した。熱処理時間を０．１Ｈｒ，０．２Ｈｒ，０．５Ｈ
ｒ，１Ｈｒの４条件で実験を行った。
保持された石英製ノズル中で，Ｆｅ bal Ｓｉ10Ｂ15，
Ｆｅ bal Ｚｒ5 Ｓｉ10Ｂ15，Ｆｅ bal Ｃｏ20Ｓｉ10
Ｂ15，Ｆｅ balＮｉ10Ｓｉ10Ｂ15及びＦｅ bal Ｍｏ10
Ｓｉ10Ｂ15の合金組成に配合されたインゴットをアルゴ
ン雰囲気中で高周波溶解した後，４０００ｒｐｍで回転
している冷却ロール上にアルゴンガス加圧によって溶湯
を噴出した。これにより幅５ｍｍ，板厚０．０２ｍｍ，
長さ１００ｍのリボン試料を作製した。ここで得られた
試料のマトリックスが非晶質化していることの確認はＸ
線回折により行い，結晶性の鋭い回折ピークのないこと
により，非晶質化が確認された。その後，得られたリボ
ン試料を電気炉にて５８０℃で大気中の雰囲気で熱処理
した。熱処理時間を０．１Ｈｒ，０．２Ｈｒ，０．５Ｈ
ｒ，１Ｈｒの４条件で実験を行った。
【００２４】その後１００℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で
室温まで冷却した。かくして得られた製品の電気抵抗に
ついて下記表３に示した。なお電気抵抗は常温で４端子
法にて測定した。
室温まで冷却した。かくして得られた製品の電気抵抗に
ついて下記表３に示した。なお電気抵抗は常温で４端子
法にて測定した。
【００２５】
【表３】
【００２６】上記表３において，例えば，試料２と試料
４とを比較すると，熱処理時間が長くなるにつれて，か
なりの電気抵抗の上昇（倍以上）が認められる。このこ
とは実施例１のように結晶粒の回りに高電気抵抗物質が
その内部に数多く浸透させることができたことを意味し
ており，結果として全体としての電気抵抗が上昇してい
るものと考えられる。尚，熱処理した試料としないもの
との磁束密度の差は，ほとんど見られなかった。
４とを比較すると，熱処理時間が長くなるにつれて，か
なりの電気抵抗の上昇（倍以上）が認められる。このこ
とは実施例１のように結晶粒の回りに高電気抵抗物質が
その内部に数多く浸透させることができたことを意味し
ており，結果として全体としての電気抵抗が上昇してい
るものと考えられる。尚，熱処理した試料としないもの
との磁束密度の差は，ほとんど見られなかった。
【００２７】
【発明の効果】以上，説明したように，本発明によれ
ば，結晶粒の回りに高抵抗物質の導入することによって
電気抵抗が著しく飛躍的に改善された高電気抵抗磁性材
料とその製造方法とを提供することができる。
ば，結晶粒の回りに高抵抗物質の導入することによって
電気抵抗が著しく飛躍的に改善された高電気抵抗磁性材
料とその製造方法とを提供することができる。
【００２８】さらに，本発明によれば，前記したような
利点を備えた高電気抵抗磁性材料を用いた線輪部品を提
供することができる。
利点を備えた高電気抵抗磁性材料を用いた線輪部品を提
供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石山 和志 宮城県仙台市青葉区柏木１丁目５−８− 801
Claims (3)
- 【請求項１】 高透磁率合金よりなる結晶粒と，前記結
晶粒の周囲に形成された，酸化物又は窒化物のうちの少
なくとも一種とを備え，結晶粒径が５００オングストロ
ーム以下の極微細結晶粒の集合体から成ることを特徴と
する高電気抵抗磁性材料。 - 【請求項２】 請求項１記載の高電気抵抗磁性材料を製
造する方法において，高透磁率アモルファス合金をその
結晶化温度以上で酸素ガス，窒素ガス及びアンモニアガ
スのうちの少なくとも一種を含有する雰囲気中で熱処理
することを特徴とする高電気抵抗磁性材料の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の高電気抵抗材料を巻コア
状態で備えていることを特徴とする線輪部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7272265A JPH09111421A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 高電気抵抗磁性材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7272265A JPH09111421A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 高電気抵抗磁性材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111421A true JPH09111421A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17511445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7272265A Withdrawn JPH09111421A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 高電気抵抗磁性材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09111421A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001155946A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Hitachi Metals Ltd | カレントトランスおよびその製造方法 |
| WO2004015836A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-19 | In-Hyun Cho | Power saving equipment |
| US6818821B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-11-16 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorption material and an associated device |
| US7218266B2 (en) | 2000-04-10 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP7272265A patent/JPH09111421A/ja not_active Withdrawn
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| JP2001155946A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Hitachi Metals Ltd | カレントトランスおよびその製造方法 |
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