JP2859286B2 - 超微結晶磁性合金の製造方法 - Google Patents
超微結晶磁性合金の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、可飽和リアクトル、トランス、チョークコ
イル、磁気ヘッド等に用いられる高周波磁気特性に優れ
た超微結晶磁性合金の製造方法に関するものである。
イル、磁気ヘッド等に用いられる高周波磁気特性に優れ
た超微結晶磁性合金の製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 上記した磁心部品は一般に、磁歪が小さいこと、高い
実効透磁率を有すること、高い飽和磁束密度を有するこ
とが必要であり、更に、これらの磁気特性が経時変化せ
ず、耐久性に優れることが必要である。
実効透磁率を有すること、高い飽和磁束密度を有するこ
とが必要であり、更に、これらの磁気特性が経時変化せ
ず、耐久性に優れることが必要である。
上記特性に加えて、特に磁気増幅回路などに用いられ
る可飽和リアクトルに対しては、コア損失が小さいこ
と、制御磁化特性が良好であること（制御不能磁束密度
が小さい）も要求される。
る可飽和リアクトルに対しては、コア損失が小さいこ
と、制御磁化特性が良好であること（制御不能磁束密度
が小さい）も要求される。
また、半導体回路用リアクトルは半導体回路のオン、
オフ時に発生する電流スパイクや電流リンキングによっ
て半導体に規格値以上の電流が流れ半導体回路が破壊さ
れたり、ノイズにより半導体回路が誤動作するのを防止
するために挿入されるものであり、特に実効透磁率が高
く、上記した異常電流のみを抑制するために高い角形比
が要求される。
オフ時に発生する電流スパイクや電流リンキングによっ
て半導体に規格値以上の電流が流れ半導体回路が破壊さ
れたり、ノイズにより半導体回路が誤動作するのを防止
するために挿入されるものであり、特に実効透磁率が高
く、上記した異常電流のみを抑制するために高い角形比
が要求される。
また、コモンモードチョークにおいては特に、単極性
ノイズを防止するため、有効動作磁束密度を大きくする
必要が有り、直流Ｂ−Ｈカーブにおける角形比が小さい
ことが要求される。
ノイズを防止するため、有効動作磁束密度を大きくする
必要が有り、直流Ｂ−Ｈカーブにおける角形比が小さい
ことが要求される。
また、トランスにおいては、特に、コモンモードチョ
ークと同様に単極性ノイズを防止するため直流Ｂ−Ｈカ
ーブにおける角形比が低いこと、および最近のスイッチ
ング電源の高周波駆動型への移行に伴い、高周波特性
（例えば高周波で駆動したときの鉄損が小さいこと）に
優れることが要求される。
ークと同様に単極性ノイズを防止するため直流Ｂ−Ｈカ
ーブにおける角形比が低いこと、および最近のスイッチ
ング電源の高周波駆動型への移行に伴い、高周波特性
（例えば高周波で駆動したときの鉄損が小さいこと）に
優れることが要求される。
近年、高い飽和磁束密度を有する材料として、Fe基お
よびCo基非晶質合金が注目されている。Co基非晶質合金
は磁歪が小さく、実効透磁率が高いという利点があり、
最近、可飽和リアクトル用磁心材として、特開昭57−21
0612号公報あるいは特開昭57−21512号公報にCo基非晶
質合金を使用するのが開示された。これに対しFe基非晶
質合金は飽和磁束密度がCo基の非晶質合金よりも高く、
特公昭58−1183号公報に記載されているように非酸化性
雰囲気で熱処理することによって高角形比の直流磁気特
性が得られる利点のあることが知られている。
よびCo基非晶質合金が注目されている。Co基非晶質合金
は磁歪が小さく、実効透磁率が高いという利点があり、
最近、可飽和リアクトル用磁心材として、特開昭57−21
0612号公報あるいは特開昭57−21512号公報にCo基非晶
質合金を使用するのが開示された。これに対しFe基非晶
質合金は飽和磁束密度がCo基の非晶質合金よりも高く、
特公昭58−1183号公報に記載されているように非酸化性
雰囲気で熱処理することによって高角形比の直流磁気特
性が得られる利点のあることが知られている。
上記したようにFe基の非晶質合金はCo基非晶質合金に
比べ飽和磁束密度が高いという利点があるが、例えばス
イッチング電源の磁気増幅回路にFe基の非晶質合金を用
いた可飽和リアクトルを使用した場合、特に20kHz以上
の高周波で駆動する場合、コア損失や制御磁化特性がCo
基の非晶質合金よりも劣っており、全制御磁化力が大き
いため、出力電圧を制御するための制御磁化電流が大き
くなるという問題や磁心の温度上昇が大きくなるという
問題があり、制御回路の負担が増加し効率が低下した
り、周囲の部品の耐久性が低下する場合があった。
比べ飽和磁束密度が高いという利点があるが、例えばス
イッチング電源の磁気増幅回路にFe基の非晶質合金を用
いた可飽和リアクトルを使用した場合、特に20kHz以上
の高周波で駆動する場合、コア損失や制御磁化特性がCo
基の非晶質合金よりも劣っており、全制御磁化力が大き
いため、出力電圧を制御するための制御磁化電流が大き
くなるという問題や磁心の温度上昇が大きくなるという
問題があり、制御回路の負担が増加し効率が低下した
り、周囲の部品の耐久性が低下する場合があった。
また、半導体回路用リアクトルをFe基の非晶質合金で
構成した場合は、磁歪が著しく大きく、実効透磁率も低
いためスパイク電流等の防止効果は十分なものではなか
った。
構成した場合は、磁歪が著しく大きく、実効透磁率も低
いためスパイク電流等の防止効果は十分なものではなか
った。
また、スイッチング電源のトランスには従来は主にMn
−Znフェライトが用いられているが、高周波で駆動する
スイッチング電源のトランスにFe基の非晶質合金を用い
る試みが信学技報PE−84−3812頁に記載されている。し
かし、この報告では、Fe基の非晶質合金を用いた場合は
磁歪が大きいため機械的ストレスにより特性が劣化しや
すく、含浸コアやカットコアとした場合、高周波磁気特
性が劣化するという問題点が指摘されている。
−Znフェライトが用いられているが、高周波で駆動する
スイッチング電源のトランスにFe基の非晶質合金を用い
る試みが信学技報PE−84−3812頁に記載されている。し
かし、この報告では、Fe基の非晶質合金を用いた場合は
磁歪が大きいため機械的ストレスにより特性が劣化しや
すく、含浸コアやカットコアとした場合、高周波磁気特
性が劣化するという問題点が指摘されている。
そのため、Co基の非晶質合金に匹敵する低磁歪および
高い実効透磁率を有し、かつFe基の非晶質合金と同等の
飽和磁束密度を有し、さらに特性が経時変化せず耐久性
に優れる材料が望まれていた。
高い実効透磁率を有し、かつFe基の非晶質合金と同等の
飽和磁束密度を有し、さらに特性が経時変化せず耐久性
に優れる材料が望まれていた。
このような欠点を解決できるものとして本発明者等
は、特願昭62−367187号等で新しい超微細結晶粒組織を
有する合金およびその製造方法を出願した。
は、特願昭62−367187号等で新しい超微細結晶粒組織を
有する合金およびその製造方法を出願した。
この合金はFeを主体としCuおよびＭ（ただしＭは、N
b,W,Ta,Zr,Hf,Ti及びMo）等からなる合金で組織の少な
くとも50％が粒径1000Å以下の超微細な結晶粒からなる
合金である。
b,W,Ta,Zr,Hf,Ti及びMo）等からなる合金で組織の少な
くとも50％が粒径1000Å以下の超微細な結晶粒からなる
合金である。
この合金は前述の可飽和リアクトルやコモンモードチ
ョークに使用する場合、磁場中熱処理によりＢ−Ｈ曲線
の形を用途に適する形とし使用される。
ョークに使用する場合、磁場中熱処理によりＢ−Ｈ曲線
の形を用途に適する形とし使用される。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、単純な磁場中熱処理を行っただけでは
例えば高角形比タイプの特性とする場合は組成によって
は磁心損失が著しく増加する問題がある。一方低角形比
タイプの特性とする場合は実効透磁率が低くなりすぎる
問題がある。
例えば高角形比タイプの特性とする場合は組成によって
は磁心損失が著しく増加する問題がある。一方低角形比
タイプの特性とする場合は実効透磁率が低くなりすぎる
問題がある。
このような問題を解決する製造方法として本発明者等
は先に特願昭63−77315で結晶化熱処理の後、磁場中熱
処理を行う方法等を出願している。
は先に特願昭63−77315で結晶化熱処理の後、磁場中熱
処理を行う方法等を出願している。
しかし、このような製造方法は特性ばらつきが比較的
大きい問題があり別の方法で同様の特性を得る製造方法
が望まれていた。
大きい問題があり別の方法で同様の特性を得る製造方法
が望まれていた。
本発明の目的は高角形比低磁心損失、あるいは低角形
比高透磁率特性を示す高周波磁気特性に優れた超微細磁
性合金の製造方法を提供することである。
比高透磁率特性を示す高周波磁気特性に優れた超微細磁
性合金の製造方法を提供することである。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するために鋭意検討の結果、本発明者
等は、 Fe,CuおよびＭ（ただしＭは、Nb,W,Ta,Zr,Hf,Ti及びM
oからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素）を必
須元素とする非晶質合金を熱処理して組織の少なくとも
50％が微細な結晶粒からなる超微結晶磁性合金を製造す
る方法において、前記熱処理を行う際または前記熱処理
を行った後に、特定の方向に磁場を印加して第１の磁場
中熱処理を行い、さらに前記熱処理と異なる方向に磁場
を印加して第２の磁場中熱処理を行うこと、もしくは、
前記熱処理を行う際または前記熱処理を行った後に、印
加方向の異なる磁場を合成した磁界中で磁場中熱処理を
行うことにより磁気特性を改善した超微結晶磁性合金を
安定に製造することができることを見い出し本発明に想
到した。
等は、 Fe,CuおよびＭ（ただしＭは、Nb,W,Ta,Zr,Hf,Ti及びM
oからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素）を必
須元素とする非晶質合金を熱処理して組織の少なくとも
50％が微細な結晶粒からなる超微結晶磁性合金を製造す
る方法において、前記熱処理を行う際または前記熱処理
を行った後に、特定の方向に磁場を印加して第１の磁場
中熱処理を行い、さらに前記熱処理と異なる方向に磁場
を印加して第２の磁場中熱処理を行うこと、もしくは、
前記熱処理を行う際または前記熱処理を行った後に、印
加方向の異なる磁場を合成した磁界中で磁場中熱処理を
行うことにより磁気特性を改善した超微結晶磁性合金を
安定に製造することができることを見い出し本発明に想
到した。
前記非晶質合金が薄帯である場合の磁場中熱処理の際
の磁場の印加方向は、高角形比タイプのＢ−Ｈ曲線とす
る場合、第１の磁場中熱処理の磁場印加方向を薄帯の長
手方向（磁心形状にした場合は磁心の磁路方向）、第２
の磁場中熱処理の磁場印加方向を薄帯の幅方向（磁心形
状にした場合は磁路と垂直方向）とするのが最も好まし
く、高角形比低磁心損失の合金が得やすい。
の磁場の印加方向は、高角形比タイプのＢ−Ｈ曲線とす
る場合、第１の磁場中熱処理の磁場印加方向を薄帯の長
手方向（磁心形状にした場合は磁心の磁路方向）、第２
の磁場中熱処理の磁場印加方向を薄帯の幅方向（磁心形
状にした場合は磁路と垂直方向）とするのが最も好まし
く、高角形比低磁心損失の合金が得やすい。
一方、低角形比タイプのＢ−Ｈ曲線とする場合は、第
１表の磁場中熱処理の磁場印加方向を薄帯の幅方向（磁
心形状にした場合は磁路と垂直方向）第２の磁場中熱処
理の磁場印加方向を薄帯の長手方向（磁心形状にした場
合は磁路方向）とするのが最も好ましく、低角形比で高
透磁率の合金が得やすい。
１表の磁場中熱処理の磁場印加方向を薄帯の幅方向（磁
心形状にした場合は磁路と垂直方向）第２の磁場中熱処
理の磁場印加方向を薄帯の長手方向（磁心形状にした場
合は磁路方向）とするのが最も好ましく、低角形比で高
透磁率の合金が得やすい。
本発明の製造方法においては組織の少なくとも50％が
微細な結晶粒となるようにする熱処理が必要であるが、
この熱処理は前述の第１の磁場中熱処理の際、結晶化さ
せながら行っても良いし、第１の磁場中熱処理の前に別
に行っても良い。
微細な結晶粒となるようにする熱処理が必要であるが、
この熱処理は前述の第１の磁場中熱処理の際、結晶化さ
せながら行っても良いし、第１の磁場中熱処理の前に別
に行っても良い。
熱処理の雰囲気はArや窒素等の不活性ガス雰囲気、真
空中や水素中等が望ましい。印加する磁場の大きさは印
加方向や合金の形状で異なるが、長手方向に印加する場
合は0.1Oe以上、幅方向に印加する場合は100Oe以上が望
ましい。特に望ましくは、長手方向で1Oe以上、幅方向
で1000Oe以上である。
空中や水素中等が望ましい。印加する磁場の大きさは印
加方向や合金の形状で異なるが、長手方向に印加する場
合は0.1Oe以上、幅方向に印加する場合は100Oe以上が望
ましい。特に望ましくは、長手方向で1Oe以上、幅方向
で1000Oe以上である。
また、製造される合金の結晶粒の平均粒径は1000Å以
下であるが、500Å以下の平均粒径の場合、特に優れた
特性が得やすい。より好ましくは20〜200Åである。
下であるが、500Å以下の平均粒径の場合、特に優れた
特性が得やすい。より好ましくは20〜200Åである。
また上述の特性は２つ以上の印加方向の異なる磁場を
合成した磁界中で熱処理することによっても得ることが
できる。
合成した磁界中で熱処理することによっても得ることが
できる。
本発明に係る合金としては、本発明者等が特願昭62−
367187号として先に出願したFe基の超微結晶合金があ
る。この合金は 組成式： （Fe1-aMa）100-x-y-z- αCuSiyBzＭ′α （ただしＭはCo及び／又はNiであり、Ｍ′はNb,W,Ta,Z
r,Hf,Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも１種
の元素であり、a,x,y,z及びαはそれぞれ０≦ａ≦0.5,
0.1≦ｘ≦3.0,0≦ｙ≦30,0≦ｚ≦25,5≦ｙ＋ｚ≦30およ
び0.1≦α≦30を満たす。）により表される組成を有
し、組織の少なくとも50％が微細な結晶粒からなるFe基
の超微結晶合金、 あるいは、 組成式： （Fe1-aMa）100-x-y-z- α - β - γCuxSiyBzＭ′αＭ″β
Ｘγ （ただしＭはCo及び／又はNiであり、Ｍ′はNb,W,Ta,Z
r,Hf,Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも１種
の元素、Ｍ″はV,Cr,Mn,Al,白金元素、Sc,Y,希土類元
素、Au,Zu,Sn,Reからなる群から選ばれた少なくとも１
種の元素、ＸはC,Ge,P,Ca,Sb,In,Be,Asからなる群から
選ばれた少なくとも１種の元素であり、a,x,y,z,α，β
及びγはそれぞれ０≦ａ≦0.5,0.1≦ｘ≦3.0,0≦ｙ≦3
0,0≦ｚ≦25,5≦ｙ＋ｚ≦30,0.1≦α≦30,β≦10,γ≦1
0を満たす。）により表される組成を有し、組織の少な
くとも50％が微細な結晶粒からなるFe基の超微結晶合金
である。
367187号として先に出願したFe基の超微結晶合金があ
る。この合金は 組成式： （Fe1-aMa）100-x-y-z- αCuSiyBzＭ′α （ただしＭはCo及び／又はNiであり、Ｍ′はNb,W,Ta,Z
r,Hf,Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも１種
の元素であり、a,x,y,z及びαはそれぞれ０≦ａ≦0.5,
0.1≦ｘ≦3.0,0≦ｙ≦30,0≦ｚ≦25,5≦ｙ＋ｚ≦30およ
び0.1≦α≦30を満たす。）により表される組成を有
し、組織の少なくとも50％が微細な結晶粒からなるFe基
の超微結晶合金、 あるいは、 組成式： （Fe1-aMa）100-x-y-z- α - β - γCuxSiyBzＭ′αＭ″β
Ｘγ （ただしＭはCo及び／又はNiであり、Ｍ′はNb,W,Ta,Z
r,Hf,Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも１種
の元素、Ｍ″はV,Cr,Mn,Al,白金元素、Sc,Y,希土類元
素、Au,Zu,Sn,Reからなる群から選ばれた少なくとも１
種の元素、ＸはC,Ge,P,Ca,Sb,In,Be,Asからなる群から
選ばれた少なくとも１種の元素であり、a,x,y,z,α，β
及びγはそれぞれ０≦ａ≦0.5,0.1≦ｘ≦3.0,0≦ｙ≦3
0,0≦ｚ≦25,5≦ｙ＋ｚ≦30,0.1≦α≦30,β≦10,γ≦1
0を満たす。）により表される組成を有し、組織の少な
くとも50％が微細な結晶粒からなるFe基の超微結晶合金
である。
ここで、Fe,CuおよびＭ（ただしＭは、Nb,W,Ta,Zr,H
f,Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも一種以上
の元素）を必須元素としたのは、結晶核の生成を促進し
結晶成長を助長する元素と考えられるCuと結晶の成長を
抑制する元素と考えられるＭの相互作用によってFe基の
超微結晶合金が得られるためである。この微結晶合金は
非晶質化した後熱処理することによって微結晶化するも
のであり、上記必須元素の他にSi,B等の非晶質化を促進
する元素を含む方が好ましい。
f,Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも一種以上
の元素）を必須元素としたのは、結晶核の生成を促進し
結晶成長を助長する元素と考えられるCuと結晶の成長を
抑制する元素と考えられるＭの相互作用によってFe基の
超微結晶合金が得られるためである。この微結晶合金は
非晶質化した後熱処理することによって微結晶化するも
のであり、上記必須元素の他にSi,B等の非晶質化を促進
する元素を含む方が好ましい。
［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って説明するが、本発明は
これらに限定されるのではない。
これらに限定されるのではない。
実施例１ 原子％でCu1％,Nb2.5％,Si13.5％B7.2％残部実質的に
Feからなる合金溶湯を単ロール法により急冷し、幅5mm,
厚さ18μｍの非晶質合金薄帯を作製した。
Feからなる合金溶湯を単ロール法により急冷し、幅5mm,
厚さ18μｍの非晶質合金薄帯を作製した。
次に、この合金を巻回し、外径19mm、内径15mmのトロ
イダル巻磁心とした後、ガラス被覆銅線を巻き、銅線に
電流を流し磁心の磁路方向と薄帯の長手方向に5Oeの磁
場を印加した。次にこの磁心を550℃に保った窒素ガス
雰囲気の管状炉に入れ１時間保持後、室温まで約10℃/m
inの速度で冷却し第１の磁場中熱処理を行った。次い
で、磁路と垂直方向（薄帯幅方向）に約3000Oeの磁場が
かかる構造の300℃に保った磁場中熱処理炉に試料を入
れ磁場を印加し一定時間保持後炉から取りだし空冷し第
２の磁場中熱処理を行った。熱処理パターンを第１図に
示す。
イダル巻磁心とした後、ガラス被覆銅線を巻き、銅線に
電流を流し磁心の磁路方向と薄帯の長手方向に5Oeの磁
場を印加した。次にこの磁心を550℃に保った窒素ガス
雰囲気の管状炉に入れ１時間保持後、室温まで約10℃/m
inの速度で冷却し第１の磁場中熱処理を行った。次い
で、磁路と垂直方向（薄帯幅方向）に約3000Oeの磁場が
かかる構造の300℃に保った磁場中熱処理炉に試料を入
れ磁場を印加し一定時間保持後炉から取りだし空冷し第
２の磁場中熱処理を行った。熱処理パターンを第１図に
示す。
角形比Br/B10と100KHz,2KGにおける磁心損失Pcの第２
の熱処理の磁場中熱処理時間依存性を第２図に示す。
の熱処理の磁場中熱処理時間依存性を第２図に示す。
第２の磁場中熱処理を行う本発明製造方法により、高
角形比で低磁心損失の特性を得ることができる。なお、
合金は薄板組織の大部分が粒径約100Å程度の超微細な
結晶粒からなっていた。
角形比で低磁心損失の特性を得ることができる。なお、
合金は薄板組織の大部分が粒径約100Å程度の超微細な
結晶粒からなっていた。
実施例２ 原子％でCu1％,Nb3％,Si13.5％B9％残部実施的にFeか
らなる合金溶湯を単ロール法により急冷し、幅10mm,厚
さ18μｍの非晶質合金薄帯を作製した。
らなる合金溶湯を単ロール法により急冷し、幅10mm,厚
さ18μｍの非晶質合金薄帯を作製した。
次に、この合金薄板にAl2O3を表面コーティングし、
これを巻回して、外径19mm、内径15mmのトロイダル磁心
とした後、磁路と垂直方向（薄帯幅方向）に約4000Oeの
磁場を印加しながら５℃／ minの昇温速度で550℃まで昇温し１時間保持後３℃/min
の冷却速度で300℃まで冷却しこんどは磁路方向（薄帯
長手方向）に10Oeの磁場を印加し、300℃に一定時間保
持後室温まで５℃/minの冷却速度で冷却した。熱処理パ
ターンを第３図に示す。磁路方向に磁場を印加する場合
は磁心の中央部に銅の棒を配置しそこに直流電流を流し
印加した。
これを巻回して、外径19mm、内径15mmのトロイダル磁心
とした後、磁路と垂直方向（薄帯幅方向）に約4000Oeの
磁場を印加しながら５℃／ minの昇温速度で550℃まで昇温し１時間保持後３℃/min
の冷却速度で300℃まで冷却しこんどは磁路方向（薄帯
長手方向）に10Oeの磁場を印加し、300℃に一定時間保
持後室温まで５℃/minの冷却速度で冷却した。熱処理パ
ターンを第３図に示す。磁路方向に磁場を印加する場合
は磁心の中央部に銅の棒を配置しそこに直流電流を流し
印加した。
熱処理後の合金薄帯のミクロ組織は実施例１と同様で
あった。
あった。
角形比Br/B10と1KHzにおける実効透磁率μe1Kの第２
の熱処理の磁場中熱処理時間依存性を第４図に示す。
の熱処理の磁場中熱処理時間依存性を第４図に示す。
第２の磁場中熱処理を行う本発明製造方法により、低
角形比で高透磁率の特性を得ることができる。このよう
な特性は、コモンモードチョーク磁心等に最適である。
角形比で高透磁率の特性を得ることができる。このよう
な特性は、コモンモードチョーク磁心等に最適である。
実施例３ 原子％でCu1％,Nb2.5％,Mo0.5％,Si14％,B9％,Co1
％，残部実質的にFeからなる合金溶湯を単ロール法によ
り急冷し、幅25mm,厚さ20μｍの非晶質合金薄帯を作製
した。
％，残部実質的にFeからなる合金溶湯を単ロール法によ
り急冷し、幅25mm,厚さ20μｍの非晶質合金薄帯を作製
した。
次に、この合金薄帯表面に電気泳動法によりMgO粉末
をつけてこの薄帯を巻回し、外径80mm,内径65mmのトロ
イダル巻磁心を作製した。次に、この磁心にガラス被覆
銅線を巻き、Arガス雰囲気中450℃に保った炉中に入れ
銅線に電流を流し、薄帯長手方向に10Oeの磁界を印加し
た。一方薄帯幅方向に炉の外部より、50Oeの磁場を印加
し合成磁場中で熱処理を行った。炉に試料を入れた後２
℃/minの昇温速度で530℃まで昇温し１時間保持後2.5℃
/minの昇温速度で室温まで冷却した。
をつけてこの薄帯を巻回し、外径80mm,内径65mmのトロ
イダル巻磁心を作製した。次に、この磁心にガラス被覆
銅線を巻き、Arガス雰囲気中450℃に保った炉中に入れ
銅線に電流を流し、薄帯長手方向に10Oeの磁界を印加し
た。一方薄帯幅方向に炉の外部より、50Oeの磁場を印加
し合成磁場中で熱処理を行った。炉に試料を入れた後２
℃/minの昇温速度で530℃まで昇温し１時間保持後2.5℃
/minの昇温速度で室温まで冷却した。
熱処理後の合金の磁心損失は100KHz,2KGで450mw/ccで
あった。比較のため同一条件で、薄帯幅方向の磁場印加
をやめて熱処理を行ったところ、100KHz,2KGの磁心損失
は960mw/ccであり、本発明熱処理により磁心損失が低減
された。
あった。比較のため同一条件で、薄帯幅方向の磁場印加
をやめて熱処理を行ったところ、100KHz,2KGの磁心損失
は960mw/ccであり、本発明熱処理により磁心損失が低減
された。
［発明の効果］ 本発明によれば可飽和リアクトル、トランス、チョー
クコイル、磁気ヘッド等に適する高周波磁気特性に優れ
た超微結晶磁性合金の製造方法を提供できるため、その
効果は著しいものがある。
クコイル、磁気ヘッド等に適する高周波磁気特性に優れ
た超微結晶磁性合金の製造方法を提供できるため、その
効果は著しいものがある。
第１図，および第３図は本発明に係る熱処理パターン例
を示した図、第２図，および第４図は磁気特性と磁場中
熱処理時間の関係を示した本発明を説明するための図で
ある。
を示した図、第２図，および第４図は磁気特性と磁場中
熱処理時間の関係を示した本発明を説明するための図で
ある。
Claims (4)
- 【請求項１】Fe,CuおよびＭ（ただしＭは、Nb,W,Ta,Zr,
Hf,Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも一種の
元素）を必須元素とする非晶質合金を熱処理して組織の
少なくとも50％が微細な結晶粒からなる超微結晶磁性合
金を製造する方法において、前記熱処理を行う際または
前記熱処理を行った後に、特定の方向に磁場を印加して
第１の磁場中熱処理を行い、さらに前記熱処理と異なる
方向に磁場を印加して第２の磁場中熱処理を行うことを
特徴とする超微結晶磁性合金の製造方法。 - 【請求項２】Fe,CuおよびＭ（ただしＭは、Nb,W,Ta,Zr,
Hf,Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも一種の
元素）を必須元素とする非晶質合金を熱処理して組織の
少なくとも50％が微細な結晶粒からなる超微結晶磁性合
金を製造する方法において、前記熱処理を行う際または
前記熱処理を行った後に、印加方向の異なる磁場を合成
した磁界中で磁場中熱処理を行うことを特徴とする超微
結晶磁性合金の製造方法。 - 【請求項３】前記非晶質合金が薄帯であって、磁場を印
加する方向が前記薄帯の長手方向と、幅方向又は厚さ方
向から選ばれる方向の２方向であることを特徴とする請
求項１または２に記載の超微結晶磁性合金の製造方法。 - 【請求項４】前記磁場中熱処理を複数回行うことを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかに記載の超微結晶磁
性合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057471A JP2859286B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 超微結晶磁性合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057471A JP2859286B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 超微結晶磁性合金の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02236219A JPH02236219A (ja) | 1990-09-19 |
| JP2859286B2 true JP2859286B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=13056613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057471A Expired - Fee Related JP2859286B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 超微結晶磁性合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2859286B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016017578A1 (ja) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 日立金属株式会社 | カレントトランス用コアおよびその製造方法、ならびに当該コアを備える装置 |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP1057471A patent/JP2859286B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016017578A1 (ja) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 日立金属株式会社 | カレントトランス用コアおよびその製造方法、ならびに当該コアを備える装置 |
| JPWO2016017578A1 (ja) * | 2014-07-28 | 2017-06-15 | 日立金属株式会社 | カレントトランス用コアおよびその製造方法、ならびに当該コアを備える装置 |
| EP3176797A4 (en) * | 2014-07-28 | 2018-03-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Current transformer core, method for manufacturing same, and device equipped with said core |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02236219A (ja) | 1990-09-19 |
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