JP2023514820A - 電子デバイス - Google Patents

電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2023514820A
JP2023514820A JP2022548112A JP2022548112A JP2023514820A JP 2023514820 A JP2023514820 A JP 2023514820A JP 2022548112 A JP2022548112 A JP 2022548112A JP 2022548112 A JP2022548112 A JP 2022548112A JP 2023514820 A JP2023514820 A JP 2023514820A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic device
polymer
acid
polymer composition
aromatic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022548112A
Other languages
English (en)
Inventor
キム,ヤン・シン
Original Assignee
ティコナ・エルエルシー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ティコナ・エルエルシー filed Critical ティコナ・エルエルシー
Publication of JP2023514820A publication Critical patent/JP2023514820A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H01B1/124Intrinsically conductive polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/04Carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • C08K7/04Fibres or whiskers inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • C08K7/04Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/06Elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0014Shaping of the substrate, e.g. by moulding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/101Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by casting or moulding of conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1258Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/202Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0083Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive non-fibrous particles embedded in an electrically insulating supporting structure, e.g. powder, flakes, whiskers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/001Conductive additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/019Specific properties of additives the composition being defined by the absence of a certain additive
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/04Carbon
    • C08K3/041Carbon nanotubes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/04Carbon
    • C08K3/042Graphene or derivatives, e.g. graphene oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0141Liquid crystal polymer [LCP]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/032Materials
    • H05K2201/0329Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/09118Moulded substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/246Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)

Abstract

電子デバイスが提供される。デバイスは、個片化されたキャリア部分、個片化されたキャリア部分上に成型された基板、および基板上に配置された導電トレースを含む。基板は、芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含むポリマー組成物を含み、ポリマー組成物は、ASTM D257-14に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オームの表面抵抗率を示す。【選択図】図1

Description

関連出題の相互参照
[0001]本出願は、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる、2020年2月26日の出願日を有する米国仮特許出願第62/981,667号、および2020年7月28日の出願日を有する米国仮特許出願第63/057,345号の出願利益を主張する。
[0002]成形回路部品(MID)は、通常プラスチック構成部品および電子回路トレースを含む三次元電気機械部品である。プラスチック基板またはハウジングを作成し、電気回路およびデバイスをプラスチック基板にメッキする、積層する、または埋め込む。MIDは通常、従来的に生成されるデバイスに比べて部品が少ないため、省スペースおよび軽量化がもたらされる。現行のMIDの製造方法には、2ショット成型およびレーザー直接構造化が含まれる。レーザー直接構造化は、例えば射出成型、プラスチック材料のレーザー活性化、およびその後の金属化ステップを含む。レーザーで部品上に配線パターンをエッチングし、金属化のために準備する。そのようなデバイスの利益にもかかわらず、より狭いスペースで使用でき、より高速で動作できると同時に、電力の使用が少なく、製造が比較的安価である電子部品パッケージに対する必要性が依然として存在する。これらの問題の解決を促すために開発された1つの技術は、「特定用途向け電子機器パッケージング(Application Specific Electronics Packaging)(「ASEP」)」として公知である。このようなパッケージングシステムは、個片化されたキャリア部分上に成型されるメッキされたプラスチック基板の使用に依存することにより、リールツーリール(連続フロー)製造プロセスを使用した製品の製造を可能にする。残念なことに、これらのシステムの限界の1つは、プラスチック基板に使用されるポリマー材料に導電回路トレースが容易にメッキされず、また材料が、典型的に所望される程度の耐熱性および機械強度を有さないことである。
[0003]したがって、導電回路トレースを有するプラスチック基板から形成される、改善されたパッケージ型電子デバイスに対する必要性が現在存在する。
[0004]本発明の一実施形態によると、個片化されたキャリア部分、個片化されたキャリア部分上に成型された基板、および基板上に配置された導電トレースを含む電子デバイスが開示される。基板は、芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含むポリマー組成物を含み、ポリマー組成物は、ASTM D257-14に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オームの表面抵抗率を示す。
[0005]本発明の他の特色および態様が、以下により詳細に記載される。
[0006]本発明の完全かつ実施可能な開示が、当業者に対するその最良の形態を含め、添付の図面への参照を含む本明細書の残り部分でより詳細に記載される。
[0007]本発明の電子デバイスを形成するために利用可能な製造プロセスの一実施形態のフロー図である。 [0008]図1に示された製造プロセスの斜視図であり、電子デバイスの形成中のキャリア上の様々な段階での基板が示される。 [0009]キャリアから分離した後の図2に示された電子デバイスの斜視図である。 [0010]図1に示す製造プロセスで使用可能なリールツーリールキャリアの一実施形態の斜視図である。 [0011]基板上に回路トレースを形成するための一実施形態の概略図である。 [0012]図1の製造プロセスで利用可能な追加のステップを示すフロー図である。 [0013]自動車用ライトの形態の本発明の電子デバイスの一実施形態の斜視図である。 [0014]図7に示された電子デバイスの分解斜視図である。
[0015]本考察は、例示的な実施形態の説明にすぎず、本発明のより広範な態様を制限するものではないことが当業者によって理解される。
[0016]一般に、本発明は、プリント回路板、フレックス回路、コネクタ、熱管理機能、EMIシールド、大電流導体、RFID装置、アンテナ、無線電力デバイス、センサ、MEMS装置、LEDデバイス、マイクロプロセッサ、メモリデバイス、ASIC、受動デバイス、インピーダンス制御デバイス、電気機械装置、またはこれらの組合せなどの電子デバイスに関する。電子デバイスは、個片化されたキャリア部分上に成型され、その上に配置された導電トレースを有する基板を含有する。特に、基板は、得られる表面抵抗率が特定の範囲内、例えばASTM D257-14(技術的にIEC62631-3-1と同等である)に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オーム、一部の実施形態では約1×1013オーム~約1×1018オーム、一部の実施形態では約1×1014~約1×1017オーム、一部の実施形態では約1×1015オーム~約1×1017オームであるような量の芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含有する。同様に、組成物はまた、例えばASTM D257-14(技術的にIEC62631-3-1と同等である)に従って決定される約1×1010オーム・m~約1×1016オーム・m、一部の実施形態では約1×1011オーム・m~約1×1016オーム・m、一部の実施形態では約1×1012オーム・m~約1×1015オーム・m、一部の実施形態では約1×1013オーム・m~約1×1015オーム・mの体積抵抗率を示してもよい。このようにして、基板は、実質的な量の電流が部品を通って流れないように、一般に本質的に帯電防止性であってもよい。一般に帯電防止性でありながら、得られる基板は、それにもかかわらずある程度の静電気散逸を許容し、その上の導電トレースのメッキおよび堆積を容易にすることができる。
[0017]従来的に、そのような抵抗率の値を有する組成物は、良好な機械的特性を同時に有さないと考えられていた。しかし、従来の思想とは対照的に、本発明の組成物は、優れた強度特性を有することが見出された。例えば、組成物は、23℃でISO試験No.179-1:2010に従って測定して約2kJ/m、一部の実施形態では約4~約40kJ/m、一部の実施形態では約6~約30kJ/mのノッチなしおよび/またはノッチ付きシャルピー衝撃強度を示してもよい。組成物はまた、約20~約500MPa、一部の実施形態では約50~約400MPa、一部の実施形態では約60~約350MPaの引張強度;約0.5%以上、一部の実施形態では約0.8%~約15%、一部の実施形態では約1%~約10%の引張破断歪み;および/または約5,000MPa~約30,000MPa、一部の実施形態では約7,000MPa~約25,000MPa、一部の実施形態では約10,000MPa~約20,000MPaの引張弾性率を示してもよい。引張特性は、23℃でISO試験No.527:2019に従って決定されてもよい。組成物はまた、約40~約500MPa、一部の実施形態では約50~約400MPa、一部の実施形態では約100~約350MPaの曲げ強度;約0.5%以上、一部の実施形態では約0.8%~約15%、一部の実施形態では約1%~約10%の曲げ破断歪み;および/または約7,000MPa以上、一部の実施形態では約9,000MPa以上、一部の実施形態では約10,000MPa~約30,000MPa、一部の実施形態では約12,000MPa~約25,000MPaの曲げ弾性率を示してもよい。曲げ特性は、23℃でISO試験No.178:2019に従って決定されてもよい。組成物はまた、1.8MPaの特定の荷重でASTM D648-07(技術的にISO試験No.75-2:2013と同等である)に従って測定して約180℃以上、一部の実施形態では約190℃~約280℃の荷重たわみ温度(DTUL)を示してもよい。
[0018]ポリマー組成物はまた、2GHzの周波数でスプリットポスト共振法によって決定される約4以上、一部の実施形態では約5以上、一部の実施形態では約6以上、一部の実施形態では約8~約30、一部の実施形態では約10~約25、一部の実施形態では約12~約24の高い比誘電率を示してもよい。そのような高い比誘電率は、薄い基板を形成する能力を促進し、さらにほんの最小レベルの電気的干渉と同時に動作する複数の導電素子(例えば、アンテナ)の利用を可能にすることができる。また、エネルギー損失率の測定値である誘電正接(dissipation factor)は比較的低くてもよく、例えば2GHzの周波数でスプリットポスト共振法によって決定される約0.3以下、一部の実施形態では約0.2以下、一部の実施形態では約0.1以下、一部の実施形態では約0.06以下、一部の実施形態では約0.04以下、一部の実施形態では約0.001~約0.03であってもよい。本発明者らはまた、比誘電率および誘電正接は、約-30℃~約100℃の温度などの種々の温度に曝露された場合でも、上述の範囲内に維持され得ることを発見した。例えば、本明細書に記載される熱サイクル試験に供された場合、熱サイクリング後の比誘電率の初期比誘電率に対する比は、約0.8以上、一部の実施形態では約0.9以上、一部の実施形態では約0.95~約1.1であってもよい。同様に、高温への曝露後の誘電正接の初期誘電正接に対する比は、約1.3以下、一部の実施形態では約1.2以下、一部の実施形態では約1.1以下、一部の実施形態では約1.0以下、一部の実施形態では0.95以下、一部の実施形態では約0.1~約0.95、一部の実施形態では約0.2~約0.9であってもよい。誘電正接の変化(すなわち、初期誘電正接-熱サイクリング後の誘電正接)も、約-0.1~約0.1、一部の実施形態では約-0.05~約0.01、一部の実施形態では約-0.001~0の範囲であり得る。
[0019]ここで、本発明の種々の実施形態をより詳細に記載する。
I.ポリマー組成物
A.ポリマーマトリックス
[0020]ポリマーマトリックスは、一般にポリマー組成物の約30wt.%~約80wt.%、一部の実施形態では約40wt.%~約75wt.%、一部の実施形態では約50wt.%~約70wt.%の量の1種または複数の芳香族ポリマーを典型的に含有する。芳香族ポリマーは、ポリマーの特定の性質に応じて比較的高いガラス転移温度および/または高い溶融温度を有するという点で「高性能」ポリマーとみなされてもよい。したがって、そのような高性能ポリマーは、得られるポリマー組成物に実質的な程度の耐熱性を付与することができる。例えば、芳香族ポリマーは、約100℃以上、一部の実施形態では約120℃以上、一部の実施形態では約140℃~約350℃、一部の実施形態では約150℃~約320℃のガラス転移温度を有してもよい。芳香族ポリマーはまた、約200℃以上、一部の実施形態では約220℃~約350℃、一部の実施形態では約240℃~約300℃の溶融温度を有してもよい。ガラス転移温度および溶融温度は、示差走査熱量測定(「DSC」)を使用して当技術分野で周知のように決定されてもよく、例えばISO試験No.11357-2:2020(ガラス転移)および11357-3:2018(溶融)によって決定されてもよい。
[0021]芳香族ポリマーは、実質的に非晶質、半結晶性または結晶性の性質であってもよい。好適な半結晶性芳香族ポリマーの1つの例は、例えば芳香族または半芳香族ポリアミドである。芳香族ポリアミドは、典型的にアミド連結(NH-CO)によって互いに保持された繰り返し単位を含有し、ジカルボン酸(例えば、芳香族ジカルボン酸)、ジアミン(例えば、脂肪族ジアミン)などの重縮合によって合成される。例えば、芳香族ポリアミドは、芳香族ジカルボン酸、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、2,7-ナフタレンジカルボン酸、1,4-ナフタレンジカルボン酸、1,4-フェニレンジオキシ-二酢酸、1,3-フェニレンジオキシ-二酢酸、ジフェン酸、4,4’-オキシジ安息香酸、ジフェニルメタン-4,4’-ジカルボン酸、ジフェニルスルホン-4,4’-ジカルボン酸、4,4’-ビフェニルジカルボン酸など、およびこれらの組合せに由来する芳香族繰り返し単位を含有してもよい。テレフタル酸が特に好適である。当然ながら、脂肪族ジカルボン酸単位、多官能性カルボン酸単位などの他の種類の酸単位も利用されてもよいことが理解されるべきである。芳香族ポリアミドはまた、典型的に4~14個の炭素原子を有する脂肪族ジアミンに由来する脂肪族繰り返し単位を含有してもよい。そのようなジアミンの例として、線状脂肪族アルキレンジアミン、例えば1,4-テトラメチレンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,7-ヘプタンジアミン、1,8-オクタンジアミン、1,9-ノナンジアミン、1,10-デカンジアミン、1,11-ウンデカンジアミン、1,12-ドデカンジアミンなど;分岐脂肪族アルキレンジアミン、例えば2-メチル-1,5-ペンタンジアミン、3-メチル-1,5ペンタンジアミン、2,2,4-トリメチル-1,6-ヘキサンジアミン、2,4,4-トリメチル-1,6-ヘキサンジアミン、2,4-ジメチル-1,6-ヘキサンジアミン、2-メチル-1,8-オクタンジアミン、5-メチル-1,9-ノナンジアミンなど;およびこれらの組合せが挙げられる。1,9-ノナンジアミンおよび/または2-メチル-1,8-オクタンジアミンに由来する繰り返し単位が特に好適である。当然ながら、脂環式ジアミン、芳香族ジアミンなどの他のジアミン単位も利用することができる。
[0022]特に好適なポリアミドとして、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド)(PA9T)、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド/ノナメチレンデカンジアミド)(PA9T/910)、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド/ノナメチレンドデカンジアミド)(PA9T/912)、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド/11-アミノウンデカンアミド(PA9T/11)、ポリ(ノナメチレンテレフタルアミド/12-アミノドデカンアミド)(PA9T/12)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/11-アミノウンデカンアミド)(PA10T/11)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/12-アミノドデカンアミド)(PA10T/12)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/デカメチレンドデカンジアミド)(PA10T/1010)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/デカメチレンドデカンジアミド)(PA10T/1012)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/テトラメチレンヘキサンジアミド)(PA10T/46)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/カプロラクタム)(PA10T/6)、ポリ(デカメチレンテレフタルアミド/ヘキサメチレンヘキサンジアミド)(PA10T/66)、ポリ(ドデカメチレンテレフタルアミド(Ierephthalamide)/ドデカメチレンドデカンジアミド)(PA12T/1212)、ポリ(ドデカメチレンテレフタルアミド/カプロラクタム)(PA12T/6)、ポリ(ドデカメチレンテレフタルアミド/ヘキサメチレンヘキサンジアミド(PA12T/66)などを挙げることができる。好適な芳香族ポリアミドのさらに他の例は、Harderらの米国特許第8,324,307号に記載されている。
[0023]利用されてもよい別の好適な半結晶性芳香族ポリマーは、8~14個の炭素原子を有する芳香族ジカルボン酸と少なくとも1種のジオールとの縮合生成物である芳香族ポリエステルである。好適なジオールとして、例えばネオペンチルグリコール、シクロヘキサンジメタノール、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール、および式HO(CHOH(式中、nは2~10の整数である)の脂肪族グリコールを挙げることができる。好適な芳香族ジカルボン酸として、例えばイソフタル酸、テレフタル酸、1,2-ジ(p-カルボキシフェニル)エタン、4,4’-ジカルボキシジフェニルエーテルなど、およびこれらの組合せを挙げることができる。1,4-、または1,5-、または2,6-ナフタレンジカルボン酸におけるように、縮合環が存在してもよい。そのような芳香族ポリエステルの特定の例として、ポリ(エチレンテレフタレート)(PET)、ポリ(1,4-ブチレンテレフタレート)(PBT)、ポリ(1,3-プロピレンテレフタレート)(PPT)、ポリ(1,4-ブチレン2,6-ナフタレート)(PBN)、ポリ(エチレン2,6-ナフタレート)(PEN)、ポリ(1,4-シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート)(PCT)ならびに上述のコポリマー、誘導体および混合物が挙げられる。
[0024]さらに、そのような芳香族ポリエステルの変性物またはコポリマーも使用されてもよい。例えば、一実施形態では、変性酸または変性ジオールを使用し、変性ポリエチレンテレフタレートポリマーおよび/または変性ポリブチレンテレフタレートポリマーを生産してもよい。本明細書で使用される用語「変性酸」および「変性ジオール」は、それぞれポリエステルの酸およびジオール繰り返し単位の一部を形成することができ、かつポリエステルを変性してその結晶化度を低減させる、またはポリエステルを非晶質にすることができる化合物を定義することを意図する。当然ながら、ポリエステルは非変性であってもよく、変性酸または変性ジオールを含有しない。いずれの場合でも、変性酸成分の例として、これらに限定されないが、イソフタル酸、フタル酸、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸、2,6-ナフタリンジカルボン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、スベリン酸、1,12-ドデカン二酸などが挙げられてもよい。実際には、多くの場合、ジカルボン酸のジメチル、ジエチルまたはジプロピルエステルなどのこれらの官能性酸誘導体を使用することが好ましい。実用的な場合、これらの酸の無水物または酸ハロゲン化物も利用されてもよい。変性ジオール成分の例として、これらに限定されないが、ネオペンチルグリコール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、2-メチル-1,3-プロパンジオール、1,4-ブタンジオール、1,6-ヘキサンジオール、1,2-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,2-シクロヘキサンジメタノール、1,3-シクロヘキサンジメタノール、2,2,4,4-テトラメチル1,3-シクロブタンジオール、Z,8-ビス(ヒドロキシメチルトリシクロ-[5.2.1.0]-デカン(ここで、Zは3、4または5を表す);1,4-ビス(2-ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、4,4’-ビス(2-ヒドロキシエトキシ)ジフェニルエーテル[ビス-ヒドロキシエチルビスフェノールA]、4,4’-ビス(2-ヒドロキシエトキシ)ジフェニルスルフィド[ビス-ヒドロキシエチルビスフェノールS]、および鎖中に1つまたは複数の酸素原子を含有するジオール、例えばジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどを挙げることができる。一般に、これらのジオールは、2~18個、一部の実施形態では2~8個の炭素原子を含有する。脂環式ジオールは、それらのシスもしくはトランス立体配置で、または両方の形態の混合物として利用することができる。
[0025]ポリアリーレンスルフィドも、好適な半結晶性芳香族ポリマーである。ポリアリーレンスルフィドは、ホモポリマーまたはコポリマーであってもよい。例えば、ジハロ芳香族化合物の選択的な組合せにより、2つ以上の異なる単位を含有するポリアリーレンスルフィドコポリマーを生じることができる。例えば、p-ジクロロベンゼンをm-ジクロロベンゼンまたは4,4’-ジクロロジフェニルスルホンと組み合わせて使用する場合、式:
Figure 2023514820000002
の構造を有するセグメント、および式:
Figure 2023514820000003
の構造を有するセグメント、または式:
Figure 2023514820000004
の構造を有するセグメントを含有するポリアリーレンスルフィドコポリマーを形成することができる。
[0026]ポリアリーレンスルフィドは、線状、半線状、分岐または架橋型であってもよい。線状ポリアリーレンスルフィドは、典型的に80mol%以上の繰り返し単位-(Ar-S)-を含有する。そのような線状ポリマーは、少量の分岐単位または架橋単位も含んでもよいが、分岐または架橋単位の量は、典型的にポリアリーレンスルフィドの全モノマー単位の約1mol%未満である。線状ポリアリーレンスルフィドポリマーは、上述の繰り返し単位を含有するランダムコポリマーまたはブロックコポリマーであってもよい。半線状ポリアリーレンスルフィドは、同様に3つ以上の反応性官能基を有する少量の1種または複数のモノマーがポリマー中に導入された架橋構造または分岐構造を有してもよい。例として、半線状ポリアリーレンスルフィドの形成に使用されるモノマー成分は、分岐ポリマーの調製に利用可能な、分子あたり2個以上のハロゲン置換基を有する一定量のポリハロ芳香族化合物を含んでもよい。そのようなモノマーは、式R’X(式中、各Xは、塩素、臭素およびヨウ素から選択され、nは3~6の整数であり、R’は、最大約4個のメチル置換基を有し得る価数nの多価芳香族基であり、R’中の炭素原子の合計数は6~約16の範囲内である)によって表すことができる。半線状ポリアリーレンスルフィドの形成に利用可能な、分子あたり2個より多いハロゲンで置換されている一部のポリハロ芳香族化合物の例として、1,2,3-トリクロロベンゼン、1,2,4-トリクロロベンゼン、1,3-ジクロロ-5-ブロモベンゼン、1,2,4-トリヨードベンゼン、1,2,3,5-テトラブロモベンゼン、ヘキサクロロベンゼン、1,3,5-トリクロロ-2,4,6-トリメチルベンゼン、2,2’,4,4’-テトラクロロビフェニル、2,2’,5,5’-テトラ-ヨードビフェニル、2,2’,6,6’-テトラブロモ-3,3’,5,5’-テトラメチルビフェニル、1,2,3,4-テトラクロロナフタレン、1,2,4-トリブロモ-6-メチルナフタレンなど、およびこれらの混合物が挙げられる。
[0027]上記に示したように、明確な融点温度を欠く実質的に非晶質のポリマーも、ポリマー組成物に利用することができる。好適な非晶質ポリマーは、例えばポリフェニレンオキシド(「PPO」)、芳香族ポリカーボネート、芳香族ポリエーテルイミドなどを含むことができる。例えば、芳香族ポリカーボネートは、典型的に約130℃~約160℃のガラス転移温度を有し、1種または複数の芳香族ジオールに由来する芳香族繰り返し単位を含有する。特に好適な芳香族ジオールは、2つのフェノール基が2価の連結基の1つの炭素原子に結合するgem-ビスフェノールなどのビスフェノールである。このようなビスフェノールの例として、例えば4,4’-イソプロピリデンジフェノール(「ビスフェノールA」)、4,4’-エチリデンジフェノール、4,4’-(4-クロロ-a-メチルベンジリデン)ジフェノール、4,4’シクロヘキシリデンジフェノール、4,4(シクロヘキシルメチレン)ジフェノールなど、およびこれらの組合せを挙げることができる。芳香族ジオールは、ホスゲンと反応させることができる。例えば、ホスゲンは、式C(O)Clを有するカルボニルクロリドであってもよい。芳香族ポリカーボネートの合成の代替ルートは、芳香族ジオール(例えば、ビスフェノール)のジフェニルカーボネートとのエステル交換を含んでもよい。
[0028]上記で言及されたポリマーに加え、結晶性ポリマーもポリマー組成物に利用することができる。特に好適なものは、金型の小さな空間を有効に充填することを可能にする高い結晶化度を有する液晶ポリマーである。液晶ポリマーは、一般的に棒状構造を有し、それらの溶融状態(例えば、サーモトロピックネマチック状態)で結晶挙動を示すことができる限り、「サーモトロピック」と分類される。そのようなポリマーは、当技術分野で公知のように1つまたは複数の種類の繰り返し単位から形成されてもよい。液晶ポリマーは、例えば、一般に以下の式(I):
Figure 2023514820000005
(式中、
環Bは、置換または非置換の6員アリール基(例えば、1,4-フェニレンまたは1,3-フェニレン)、置換または非置換の5または6員アリール基に縮合した置換または非置換の6員アリール基(例えば2,6-ナフタレン)、あるいは置換または非置換の5または6員アリール基に連結した置換または非置換の6員アリール基(例えば4,4-ビフェニレン)であり;
およびYは、独立してO、C(O)、NH、C(O)HN、またはNHC(O)である)
によって表される1つまたは複数の芳香族エステル繰り返し単位を含有してもよい。
[0029]典型的に、YおよびYの少なくとも1つはC(O)である。そのような芳香族エステル繰り返し単位の例として、例えば芳香族ジカルボン酸繰り返し単位(式I中YおよびYはC(O)である)、芳香族ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位(式I中YはOであり、YはC(O)である)、ならびにこれらの種々の組合せを挙げることができる。
[0030]例えば、4-ヒドロキシ安息香酸;4-ヒドロキシ-4’-ビフェニルカルボン酸;2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸;2-ヒドロキシ-5-ナフトエ酸;3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸;2-ヒドロキシ-3-ナフトエ酸;4’-ヒドロキシフェニル-4-安息香酸;3’-ヒドロキシフェニル-4-安息香酸;4’-ヒドロキシフェニル-3-安息香酸など、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する芳香族ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ヒドロキシカルボン酸は、4-ヒドロキシ安息香酸(「HBA」)および6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸(HNA)である。利用される場合、ヒドロキシカルボン酸(例えばHBAおよび/またはHNA)に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約40mol.%以上、一部の実施形態では約45mol.%以上、一部の実施形態では約50mol.%~100mol.%を構成する。一実施形態では、例えば、HBAに由来する繰り返し単位は、ポリマーの約30mol.%~約90mol.%、一部の実施形態ではポリマーの約40mol.%~約85mol.%、一部の実施形態ではポリマーの約50mol.%~約80mol.%を構成してもよい。同様に、HNAに由来する繰り返し単位は、ポリマーの約1mol.%~約30mol.%、一部の実施形態ではポリマーの約2mol.%~約25mol.%、一部の実施形態ではポリマーの約3mol.%~約15mol.%を構成してもよい。
[0031]また、テレフタル酸、イソフタル酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエーテル-4,4’-ジカルボン酸、1,6-ナフタレンジカルボン酸、2,7-ナフタレンジカルボン酸、4,4’-ジカルボキシビフェニル、ビス(4-カルボキシフェニル)エーテル、ビス(4-カルボキシフェニル)ブタン、ビス(4-カルボキシフェニル)エタン、ビス(3-カルボキシフェニル)エーテル、ビス(3-カルボキシフェニル)エタンなど、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ジカルボン酸に由来する芳香族ジカルボン酸繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ジカルボン酸として、例えばテレフタル酸(「TA」)、イソフタル酸(「IA」)、および2,6-ナフタレンジカルボン酸(「NDA」)を挙げることができる。利用される場合、芳香族ジカルボン酸(例えば、IA、TA、および/またはNDA)に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約1mol.%~約50mol.%、一部の実施形態では約2mol.%~約40mol.%、一部の実施形態では約5mol.%~約30%を構成する。
[0032]他の繰り返し単位もポリマーに利用することができる。例えば、特定の実施形態では、ヒドロキノン、レゾルシノール、2,6-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、4,4’-ジヒドロキシビフェニル(または4,4’-ビフェノール)、3,3’-ジヒドロキシビフェニル、3,4’-ジヒドロキシビフェニル、4,4’-ジヒドロキシビフェニルエーテル、ビス(4-ヒドロキシフェニル)エタンなど、ならびにこれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにこれらの組合せなどの芳香族ジオールに由来する繰り返し単位が利用されてもよい。特に好適な芳香族ジオールとして、例えばヒドロキノン(「HQ」)および4,4’-ビフェノール(「BP」)を挙げることができる。利用される場合、芳香族ジオール(例えば、HQおよび/またはBP)に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約1mol.%~約30mol.%、一部の実施形態では約2mol.%~約25mol.%、一部の実施形態では約5mol.%~約20%を構成する。また、芳香族アミド(例えば、アセトアミノフェン(「APAP」))および/または芳香族アミン(例えば、4-アミノフェノール(「AP」)、3-アミノフェノール、1,4-フェニレンジアミン、1,3-フェニレンジアミンなど)に由来するものなどの繰り返し単位が利用されてもよい。利用される場合、芳香族アミド(例えば、APAP)および/または芳香族アミン(例えば、AP)に由来する繰り返し単位は、典型的にポリマーの約0.1mol.%~約20mol.%、一部の実施形態では約0.5mol.%~約15mol.%、一部の実施形態では約1mol.%~約10%を構成する。また、ポリマーに種々の他のモノマー繰り返し単位が導入されてもよいことが理解されるべきである。例えば、特定の実施形態では、ポリマーは、脂肪族または脂環式ヒドロキシカルボン酸、ジカルボン酸、ジオール、アミド、アミンなどの非芳香族モノマーに由来する1つまたは複数の繰り返し単位を含有してもよい。当然ながら、他の実施形態では、ポリマーは非芳香族(例えば、脂肪族または脂環式)モノマーに由来する繰り返し単位を含まないという点で「全芳香族」であってもよい。
[0033]必ずしも必要ではないが、液晶ポリマーは、ナフタレン-2,6-ジカルボン酸(「NDA」)、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸(「HNA」)またはこれらの組合せなどの、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸およびナフテン系ジカルボン酸に由来する繰り返し単位を比較的低い含有量で含有する限り、「低ナフテン」ポリマーであってもよい。つまり、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸および/またはジカルボン酸(例えば、NDA、HNAまたはHNAとNDAの組合せ)に由来する繰り返し単位の合計量は、典型的にポリマーの約15mol.%以下、一部の実施形態では約10mol.%以下、一部の実施形態では約1mol.%~約8mol.%である。
[0034]本発明の特定の実施形態では、ポリマー組成物の所望の特性の達成を助けるために、芳香族ポリマーのブレンドも利用することができる。例えば、ポリマー組成物は、上述のものなどの半結晶性芳香族ポリエステルと組み合わせて液晶性ポリマーを含有してもよい。1つの特定の実施形態では、例えば、芳香族ポリエステルは、ポリ(1,4-シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート)(PCT)、ならびにそれらのコポリマーおよび誘導体などのポリアルキレンテレフタレートであってもよい。このようなブレンドが利用される場合、液晶ポリマーは、ブレンドの約30wt.%~約85wt.%、一部の実施形態では約40wt.%~約80wt.%、一部の実施形態では約60wt.%~約75wt.%を構成してもよく、一方で半結晶性芳香族ポリエステルは、同様にブレンドの約15wt.%~約70wt.%、一部の実施形態では約20wt.%~約60wt.%、一部の実施形態では約25wt.%~約40wt.%を構成してもよい。液晶ポリマーは、例えばポリマー組成物全体の約15wt.%~約85wt.%、一部の実施形態では約20wt.%~約75wt.%、一部の実施形態では約30wt.%~約50wt.%を構成してもよく、一方で半結晶性芳香族ポリエステルは、同様にポリマー組成物全体の約1wt.%~約50wt.%、一部の実施形態では、約5wt.%~約45wt.%、一部の実施形態では、約10wt.%~約40wt.%を構成してもよい。
B.導電性充填剤
[0035]上述のように、ポリマー組成物の所望の表面および/または体積抵抗率の値を達成するために、ポリマー組成物に導電性充填剤を利用することもできる。これは、所望の抵抗率を有する充填剤のための単一の材料を選択することによって、または得られる充填剤が所望の抵抗率を有するように複数の材料を一緒に(例えば、絶縁性および導電性)ブレンドすることによって達成されてもよい。例えば、1つの特定の実施形態では、例えばASTM D257-14(技術的にIEC 62631-3-1と同等である)に従って約20℃の温度で決定される約1オーム・cm未満、一部の実施形態では約0.1オーム・cm未満、一部の実施形態では約1×10-8~約1×10-2オーム・cmの体積抵抗率を有する導電性材料が利用されてもよい。好適な導電性材料として、例えばグラファイト、カーボンブラック、炭素繊維、グラフェン、カーボンナノチューブなどの炭素材料を挙げることができる。他の好適な導電性充填剤として、同様に、金属(例えば金属粒子、金属フレーク、金属繊維など)、イオン液体などを挙げることができる。利用される材料にかかわらず、導電性充填剤は、典型的にポリマーマトリックス100重量部あたり約0.5~約20重量部、一部の実施形態では約1~約15重量部、一部の実施形態では約2~約8重量部を構成する。例えば、導電性充填剤は、ポリマー組成物の約0.1wt.%~約10wt.%、一部の実施形態では約0.2wt.%~約8wt.%、一部の実施形態では約0.5wt.%~約4wt.%を構成してもよい。
C.鉱物充填剤
[0036]所望される場合、ポリマー組成物は、ポリマーマトリックス中に分布された1種または複数の鉱物充填剤を含有してもよい。そのような鉱物充填剤は、典型的にポリマーマトリックス100重量部あたり約10~約80部、一部の実施形態では約20~約70部、一部の実施形態では約30~約60部を構成する。鉱物充填剤は、例えば、ポリマー組成物の約5wt.%~約60wt.%、一部の実施形態では約10wt.%~約55wt.%、一部の実施形態では約25wt.%~約40wt.%を構成してもよい。さらに、導電性充填剤に対する鉱物充填剤の重量比は、約2~約500、一部の実施形態では約3~約150、一部の実施形態では約4~約75、一部の実施形態では約5~約15の範囲であってもよい。鉱物充填剤の種類および相対量を選択的に調整することによって、本発明者は、機械的特性を改善することができるだけでなく、ポリマー組成物の全体の導電率に大きな影響を与えることなく熱伝導率を増加させることができることを発見した。これにより、組成物は、「ホットスポット」を迅速に排除し、使用中に全体の温度を低下させることができるように、得られる電子デバイスから離れる熱伝達のための熱経路を作成することが可能になる。組成物は、例えば、ASTM E 1461-13に従って決定される約0.2W/m・K以上、一部の実施形態では約0.5W/m・K以上、一部の実施形態では約0.6W/m・K以上、一部の実施形態では約0.8W/m・K以上、一部の実施形態では約1~約3.5W/m・Kの面内熱伝導率を示してもよい。組成物はまた、ASTM E 1461-13に従って決定される約0.3W/m・K以上、一部の実施形態では約0.5W/m・K以上、一部の実施形態では約0.40W/m・K以上、一部の実施形態では約0.7~約2W/m・Kの面直熱伝導率を示してもよい。注目すべきことに、そのような熱伝導率は、高度の固有熱伝導率を有する従来の材料を使用することなく達成できることが発見された。例えば、ポリマー組成物は、一般に50W/m・K以上、一部の実施形態では100W/m・K以上、一部の実施形態では150W/m・K以上の固有熱伝導率を有する充填剤を含まなくてもよい。そのような高い固有熱伝導率の材料の例として、例えば窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素マグネシウム、グラファイト(例えば、膨張化グラファイト)、炭化ケイ素、カーボンナノチューブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、アルミニウム粉末、および銅粉末を挙げることができる。通常はそのような高い固有熱伝導率の材料の存在を最小にすることが望ましいが、それらは、それにもかかわらず特定の実施形態ではポリマー組成物の約10wt.%以下、一部の実施形態では約5wt.%以下、一部の実施形態では約0.01wt.%~約2wt.%の量のような比較的低いパーセンテージで存在してもよい。
[0037]鉱物粒子、鉱物繊維(または「ウィスカー」)など、およびそのブレンドのように、ポリマー組成物に利用される鉱物充填剤の性質は変化してもよい。好適な鉱物繊維として、例えばシリケート、例えばネオシリケート、ソロシリケート、イノシリケート(例えば、珪灰石などのカルシウムイノシリケート;トレモライトなどのカルシウムマグネシウムイノシリケート;アクチノライトなどのカルシウムマグネシウム鉄イノシリケート;アントフィライトなどのマグネシウム鉄イノシリケートなど)、フィロシリケート(例えば、パリゴルスカイトなどのアルミニウムフィロシリケート)、テクトシリケートなど;硫酸カルシウムなどの硫酸塩(例えば、脱水または無水石膏);鉱物ウール(例えば、ロックまたはスラグウール)などに由来するものを挙げることができる。商品名NYGLOS(登録商標)(例えば、NYGLOS(登録商標)4WまたはNYGLOS(登録商標)8)でNyco Mineralsから入手可能な珪灰石繊維などのイノシリケートが特に好適である。鉱物繊維は、約1~約35マイクロメートル、一部の実施形態では約2~約20マイクロメートル、一部の実施形態では約3~約15マイクロメートル、一部の実施形態では約7~約12マイクロメートルのメジアン径を有してもよい。鉱物繊維はまた、狭いサイズ分布を有してもよい。つまり、繊維の少なくとも約60体積%、一部の実施形態では繊維の少なくとも約70体積%、一部の実施形態では繊維の少なくとも約80体積%が、上記の範囲内のサイズを有してもよい。理論によって限定されることを意図しないが、上記のサイズ特徴を有する鉱物繊維は、成型機器を通ってより容易に移動することができ、これによりポリマーマトリックス内の分布が向上し、表面欠陥の生成が最小になると考えられる。上記のサイズ特徴を有することに加え、鉱物繊維はまた、得られるポリマー組成物の機械的特性および表面品質をさらに向上させるのを助ける比較的高いアスペクト比(平均長をメジアン径で除したもの)を有してもよい。例えば、鉱物繊維は、約2~約100、一部の実施形態では約2~約50、一部の実施形態では約3~約20、一部の実施形態では約4~約15のアスペクト比を有してもよい。そのような鉱物繊維の体積平均長は、例えば約1~約200マイクロメートル、一部の実施形態では約2~約150マイクロメートル、一部の実施形態では約5~約100マイクロメートル、一部の実施形態では約10~約50マイクロメートルの範囲であってもよい。
[0038]他の好適な鉱物繊維は、鉱物粒子である。粒子の平均直径は、例えば約5マイクロメートル~約200マイクロメートル、一部の実施形態では約8マイクロメートル~約150マイクロメートル、一部の実施形態では約10マイクロメートル~約100マイクロメートルの範囲であってもよい。粒子の形状は、例えば顆粒状、フレーク形状などのように所望通り異なってもよい。例えば約4以上、一部の実施形態では約8以上、一部の実施形態では約10~約500などの比較的高いアスペクト比(例えば、平均直径を平均厚さで除したもの)を有するフレーク形状の粒子が利用されてもよい。同様に、そのようなフレーク形状の粒子の平均厚さは、約2マイクロメートル以下、一部の実施形態では約5ナノメートル~約1マイクロメートル、一部の実施形態では約20ナノメートル~約500ナノメートルであってもよい。それらの形状およびサイズにかかわらず、粒子は典型的に、天然および/または合成ケイ酸塩鉱物、例えばタルク、マイカ、ハロイサイト、カオリナイト、イライト、モンモリロナイト、バーミキュライト、パリゴルスカイト、パイロフィライト、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、珪灰石などから形成される。タルクおよびマイカが特に好適である。例えば、白雲母(KAl(AlSi)O10(OH))、黒雲母(K(Mg,Fe)(AlSi)O10(OH))、金雲母(KMg(AlSi)O10(OH))、紅雲母(K(Li,Al)2-3(AlSi)O10(OH))、海緑石(K,Na)(Al,Mg,Fe)(Si,Al)10(OH))などを含む任意の形態のマイカが一般的に利用されてもよい。白雲母ベースのマイカが、ポリマー組成物で使用するのに特に好適である。
D.任意選択の成分
ガラス繊維、衝撃改質剤、滑剤、顔料(例えば、カーボンブラック)、酸化防止剤、安定剤、界面活性剤、ワックス、難燃剤、垂れ防止添加剤、核形成剤(例えば、窒化ホウ素)、ならびに特性および加工性を向上させるために添加される他の材料などの、多種多様なさらなる添加剤がポリマー組成物に含まれてもよい。例えば、滑剤は、ポリマー組成物の約0.05wt.%~約1.5wt.%、一部の実施形態では約0.1wt.%~約0.5wt.%(重量)の量でポリマー組成物中に利用されてもよい。そのような滑剤の例として、脂肪酸エステル、その塩、エステル、脂肪酸アミド、有機リン酸エステル、およびエンジニアリングプラスチック材料の加工において滑剤として一般的に使用されるタイプの炭化水素ワックスが挙げられ、これらの混合物が含まれる。好適な脂肪酸は、典型的に約12~約60個の炭素原子の骨格炭素鎖を有し、例えばミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、モンタン酸、オクタデシン酸、パリン酸などである。好適なエステルとして、脂肪酸エステル、脂肪アルコールエステル、ワックスエステル、グリセロールエステル、グリコールエステル、および複合エステルが挙げられる。脂肪酸アミドとして、脂肪第一級アミド、脂肪第二級アミド、メチレンおよびエチレンビスアミド、ならびに例えばパルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、N,N’-エチレンビスステアラミドなどのアルカノールアミドが挙げられる。また、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどの脂肪酸の金属塩;パラフィンワックス、ポリオレフィンおよび酸化ポリオレフィンワックス、ならびに微結晶性ワックスを含む炭化水素ワックスも好適である。特に好適な滑剤は、ペンタエリスリトールテトラステアレート、ステアリン酸カルシウム、またはN,N’-エチレンビスステアラミドなどのステアリン酸の酸、塩、またはアミドである。さらに別の好適な滑剤は、内部潤滑を改善させ、また別の表面に遭遇する組成物の摩耗および摩擦特性を強化するのに役立つシロキサンポリマーであってもよい。そのようなシロキサンポリマーは、典型的に組成物に利用されるポリマーマトリックス100部あたり約0.2~約20部、一部の実施形態では約0.5~約10部、一部の実施形態では約0.8~約5部を構成する。様々なシロキサンポリマーのいずれかが一般に利用されてもよい。シロキサンポリマーは、例えば、式:
SiO(4-r/2)
(式中、
Rは、独立して水素または置換もしくは非置換の炭化水素基であり、
rは0、1、2または3である)
を有する骨格にシロキサン単位を含む任意のポリマー、コポリマーまたはオリゴマーを包含してもよい。
[0039]好適な基Rの一部の例として、例えば任意選択で置換されたアルキル、アリール、アルキルアリール、アルケニルまたはアルキニル、またはシクロアルキル基が挙げられ、これらはヘテロ原子によって中断されてもよく、すなわち、炭素鎖または環中にヘテロ原子を含有してもよい。好適なアルキル基として、例えばメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、イソペンチル、ネオペンチルおよびtert-ペンチル基、ヘキシル基(例えばn-ヘキシル)、ヘプチル基(例えばn-ヘプチル)、オクチル基(例えばn-オクチル)、イソオクチル基(例えば2,2,4-トリメチルペンチル基)、ノニル基(例えばn-ノニル)、デシル基(例えばn-デシル)、ドデシル基(例えばn-ドデシル)、オクタデシル基(例えばn-オクタデシル)などを挙げることができる。同様に、好適なシクロアルキル基として、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル基、メチルシクロヘキシル基などを挙げることができ、好適なアリール基として、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントリル、およびフェナントリル基を挙げることができ、好適なアルキルアリール基として、o-、m-、またはp-トリル基、キシリル基、エチルフェニル基などを挙げることができ、好適なアルケニルまたはアルキニル基として、ビニル、1-プロペニル、1-ブテニル、1-ペンテニル、5-ヘキセニル、ブタジエニル、ヘキサジエニル、シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、シクロヘキセニル、エチニル、プロパルギル、1-プロピニルなどを挙げることができる。置換炭化水素基の例は、ハロゲン化アルキル基(例えば、3-クロロプロピル、3,3,3-トリフルオロプロピル、およびペルフルオロヘキシルエチル)、ならびにハロゲン化アリール基(例えば、p-クロロフェニルおよびp-クロロベンジル)である。1つの特定の実施形態では、シロキサンポリマーは、Si原子の少なくとも70mol%に結合したアルキル基(例えばメチル基)、任意選択でSi原子の0.001~30mol%に結合したビニルおよび/またはフェニル基を含む。シロキサンポリマーはまた、好ましくは主としてジオルガノシロキサン単位から構成される。ポリオルガノシロキサンの末端基は、トリアルキルシロキシ基、特にトリメチルシロキシ基、またはジメチルビニルシロキシ基であってもよい。しかし、これらのアルキル基の1つまたは複数が、ヒドロキシ基、またはメトキシもしくはエトキシ基などのアルコキシ基で置換されている可能性もある。シロキサンポリマーの特に好適な例として、例えばジメチルポリシロキサン、フェニルメチルポリシロキサン、ビニルメチルポリシロキサン、およびトリフルオロプロピルポリシロキサンが挙げられる。
[0040]シロキサンポリマーはまた、ポリマーのシロキサンモノマー単位の少なくとも一部に、ビニル基、ヒドロキシル基、ヒドリド、イソシアネート基、エポキシ基、酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば、メトキシ、エトキシおよびプロポキシ)、アシルオキシ基(例えば、アセトキシおよびオクタノイルオキシ)、ケトキシメート基(例えば、ジメチルケトキシム、メチルケトキシム、およびメチルエチルケトキシム)、アミノ基(例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノおよびブチルアミノ)、アミド基(例えば、N-メチルアセトアミドおよびN-エチルアセトアミド)、酸アミド基、アミノ-オキシ基、メルカプト基、アルケニルオキシ基(例えば、ビニルオキシ、イソプロペニルオキシおよび1-エチル-2-メチルビニルオキシ)、アルコキシアルコキシ基(例えば、メトキシエトキシ、エトキシエトキシおよびメトキシプロポキシ)、アミノキシ基(例えば、ジメチルアミノキシおよびジエチルアミノキシ)、メルカプト基などのうちの1つまたは複数などの反応性官能基を含んでもよい。
[0041]その特定の構造にかかわらず、シロキサンポリマーは典型的に比較的高い分子量を有するため、ポリマー組成物の表面に移動または拡散する可能性が減少し、したがって相分離の可能性がさらに最小限に抑えられる。例えば、シロキサンポリマーは典型的に、モルあたり約100,000グラム以上、一部の実施形態ではモルあたり約200,000グラム以上、一部の実施形態ではモルあたり約500,000グラム~モルあたり約2,000,000グラムの重量平均分子量を有する。シロキサンポリマーはまた、約10,000センチストークス以上、一部の実施形態では約30,000センチストークス以上、一部の実施形態では約50,000~約500,000センチストークスのような比較的高い動粘度を有してもよい。
[0042]所望される場合、シリカ粒子(例えば、ヒュームドシリカ)をシロキサンポリマーと組み合わせて利用し、組成物中に分散するその能力の向上を助けることもできる。そのようなシリカ粒子は、例えば約5ナノメートル~約50ナノメートルの粒径、グラムあたり約50平方メートル(m/g)~約600m/gの表面積、および/または立方メートルあたり約160キログラム(kg/m)~約190kg/mの密度を有してもよい。利用される場合、シリカ粒子は、典型的にシロキサンポリマー100重量部に対して約1~約100重量部、一部の実施形態では約20~約60重量部を構成する。一実施形態では、シリカ粒子をシロキサンポリマーと組み合わせ、その後この混合物をポリマー組成物に添加することができる。例えば、超高分子量ポリジメチルシロキサンおよびヒュームドシリカを含む混合物をポリマー組成物中に組み込むことができる。そのような予め形成された混合物は、Wacker Chemie,AGからGenioplast(登録商標)Pellet Sとして入手可能である。
[0043]本発明の1つの利益は、従来のレーザー活性化可能スピネル結晶を使用することなくポリマー組成物を容易にメッキできることであり、結晶は、一般に式AB(式中、Aは2の価数を有する金属カチオン(例えばカドミウム、クロム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、鉄、マグネシウム、スズまたはチタン)であり、Bは3の価数を有する金属カチオン(例えばクロム、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガンまたはスズ)である)を有する。一般的に、上記式中のAは第1の金属酸化物クラスターの主カチオン成分を与え、Bは第2の金属酸化物クラスターの主カチオン成分を与える。例えば、第1の金属酸化物クラスターは一般に四面体構造を有し、第2の金属酸化物クラスターは、一般に八面体クラスターを有する。そのようなスピネル結晶の特定の例として、例えばMgAl、ZnAl、FeAl、CuFe、CuCr、MnFe、NiFe、TiFe、FeCrまたはMgCrが挙げられる。ポリマー組成物は、そのようなスピネル結晶を含まなくてもよいか(すなわち、0wt.%)、またはそのような結晶は、約1wt.%以下、一部の実施形態では約0.5wt.%以下、一部の実施形態では約0.001wt.%~約0.2wt.%の量などのほんのわずかな濃度で存在してもよい。
II.形成
[0044]ポリマー組成物の成分(例えば、芳香族ポリマー、導電性充填剤、鉱物充填剤など)は、一緒に溶融加工またはブレンドすることができる。成分は、バレル(例えば、円筒形バレル)内に回転可能に取り付けられて収容されている少なくとも1つのスクリューを含み、スクリューの長さに沿って、フィードセクションおよびフィードセクションの下流に位置する溶融セクションを画定することができる押出機に、別々にまたは組み合わせて供給することができる。押出機は、単軸または二軸押出機であってもよい。スクリューの速度は、所望の滞留時間、せん断速度、溶融加工温度などを達成するように選択することができる。例えば、スクリュー速度は、1分あたり約50~約800回転(「rpm」)、一部の実施形態では約70~約150rpm、一部の実施形態では約80~約120rpmの範囲であってもよい。また、溶融ブレンド中の見掛けのせん断速度は、約100秒-1~約10,000秒-1、一部の実施形態では約500秒-1~約5000秒-1、一部の実施形態では約800秒-1~約1200秒-1の範囲であってもよい。見掛けのせん断速度は、4Q/πR(式中、Qはポリマー溶融体の体積流量(「m/秒」)であり、Rはそれを通って溶融ポリマーが流れる毛細管(例えば、押出機ダイ)の半径(「m」)である)に等しい。
[0045]それが形成される特定の方法にかかわらず、得られるポリマー組成物は、優れた熱特性を有することができる。例えば、ポリマー組成物の溶融粘度は、ポリマー組成物が小さい寸法を有する金型の空洞内に容易に流入することができるように十分に低くてもよい。1つの特定の実施形態では、ポリマー組成物は、1000秒-1のせん断速度で決定される約10~約250Pa・s、一部の実施形態では約15~約200Pa・s、一部の実施形態では約20~約150Pa・s、一部の実施形態では約30~約100Pa・sの溶融粘度を有してもよい。溶融粘度は、ISO試験No.11443:2005に従い、組成物の溶融温度よりも15℃高い温度(例えば、約325℃の溶融温度に対して約340℃)で決定されてもよい。
III.電子デバイス
[0046]上記に示されたように、本発明のポリマー組成物は、「個片化された」キャリア部分上に成型され、その上にメッキされた導電トレースを有する基板に利用される。本明細書で使用される用語「個片化された」は、一般にキャリア部分がより大きなキャリア(例えば、接合または連続)から分離されていることを意味する。基板は、様々な異なる技術を使用して形成されてもよい。好適な技術として、例えば射出成型、低圧射出成型、押出圧縮成型、ガス射出成型、発泡射出成型、低圧ガス射出成型、低圧発泡射出成型、ガス押出圧縮成型、発泡押出圧縮成型、押出成型、発泡押出成型、圧縮成型、発砲圧縮成型、ガス圧縮成型などを挙げることができる。例えば、ポリマー組成物が注入され得る金型を含む射出成型システムが利用されてもよい。ポリマーマトリックスが予め固化しないように、注入器内の時間を制御し、最適化することができる。サイクル時間に達し、バレルが排出のために満杯になると、ピストンを使用して金型の空洞に組成物を注入してもよい。圧縮成型システムも利用されてもよい。射出成型と同様に、ポリマー組成物の所望の物品への成形も金型内で行われる。組成物は、自動化されたロボットアームによってピックアップされることなどにより、任意の公知の技術を使用して圧縮金型に配置されてもよい。金型の温度は、固化を可能にするために所望の時間にわたってポリマーマトリックスの固化温度以上に維持されてもよい。その後、成型品を溶融温度未満の温度にすることによって固化させてもよい。得られた製品を脱型してもよい。各成型プロセスのサイクル時間は、十分な結合を達成するため、またプロセス全体の生産性を向上させるためにポリマーマトリックスに合わせて調整することができる。
[0047]本発明の電子デバイスを形成するために利用可能な製造プロセスの実施形態のフロー図を図1に示す。ステップ1に示すように、リードフレーム54を形成するためにアーム56が延びる外側領域を含有するキャリア40が提供される。図4に示すように、キャリア40は、例えばバルクソースリール68aから繰り出され、その後第2リール68bに集められてもよい。キャリア40は、典型的に金属(例えば、銅もしくは銅合金)または他の好適な導電材料から形成される。所望であれば、アーム56は、そこに設けられた開口部58を含有することもできる。キャリアホール52は、同様に、キャリア40が製造ラインに沿って連続的に横断できるように、キャリア40の外側部分上に位置してもよい。ステップ2において、本発明のポリマー組成物から形成されてもよい基板42は、その後リードフレーム54の上に成型(例えば、オーバーモールド)されてもよい。フィンガー56の開口部58に対応する開口部60を基板42に設けてもよい。
[0048]基板42がリードフレーム54の上に成型されると、次に導電回路トレースが形成されてもよい。そのようなトレースは、様々な公知の金属堆積技術によって、例えばメッキ(例えば、電気メッキ、無電解メッキなど)、印刷(例えば、デジタル印刷、エアロゾルジェット印刷など)などによって形成されてもよい。所望により、金属堆積プロセスを促進するために、最初に基板上にシード層が形成されてもよい。例えば、図1のステップ3および3Aでは、最初に基板42の表面上にシード層44を堆積させてもよく、これによりキャリア40によって形成された内部バスバー43をシード層44に電気的に接続することができる。その後、金属(例えば、銅、ニッケル、金、銀、スズ、鉛、パラジウムなど)によってシード層44を堆積させ、電子回路トレース62を含有する部分46を形成してもよい(ステップ4)。一実施形態では、例えば、キャリア40に電位を印加し、その後電気メッキ浴に配置することによって電気メッキを行うことができる。また、トレースと回路の内部層との間に電気経路を作成するために、基板の表面にビアを任意選択で成型することができる。これらのトレースは、キャリア部分に「電気バスバー」を作成し、それにより堆積される導電ペーストを塗布した後にトレースをメッキすることが可能になる。所望により、基板の表面は、レーザーアブレーション、プラズマエッチング、紫外線処理、フッ素化などの様々な公知の技術を使用して粗面化され、その後メッキされてもよい。とりわけ、このような粗面化は、所望の相互接続パターンでのメッキを促進するのに役立つ。例えば図5を参照すると、この目的のためにレーザーを利用するプロセスの一実施形態がより詳細に示される。より詳細には、ステップ9に示すように、最初にレーザー70を利用して基板42の表面をアブレーションし、相互接続パターン66を形成するチャネル72を作成することができる。ステップ10では、次にインクジェットプロセス、エアロゾルプロセス、またはスクリーニングプロセスなど、任意の公知の技術によって導電性ペースト74をチャネル72内に配置してもよい。あるいは、ペーストの使用に代えておよび/または加えて、メッキプロセス(例えば、無電解メッキ)を利用することもできる。しかし、利用する場合、ペースト74が基板42に十分に接着することを保証することを助けるために、ステップ11に例示するように、堆積したペースト74をレーザーまたはフラッシュ熱76を通して任意選択で焼結してもよい。任意選択で焼結されると、ペースト74はステップ12に示されるようにメッキ(例えば電気メッキ)され、電子回路トレース62を形成する。
[0049]再び図1を参照すると、メッキ後に、はんだ付け、ワイヤボンディングなどの様々な技術のいずれかを使用して1つまたは複数の電気構成部品50を基板42に接続することによって(ステップ6)電気デバイスを形成することができる。特定の実施形態では、構成部品50を接続する前に、はんだマスク48を任意選択で適用することができる(ステップ5)。その後、得られた電子デバイスをキャリア40から分離してもよい。図2~3は、例えば、形成の様々な段階における電子デバイス22の一実施形態を示す。ステップAでは、例えば、成型前のキャリア40が示される。ステップBは、キャリア部分40上に成型され、電子回路トレース62が適用された後の基板42を示す。ステップCおよびDでは、任意選択のピンコンタクトおよび回路の金属化を追加して、完成した電子デバイスを形成してもよい(ステップE)。その後、完成した電子デバイス22は、図3に示されるように隣接するキャリア40から分離され、個片化されたキャリア部分40を含有する電子デバイス22を形成することができる。得られた電子デバイスは、様々な種類の電子構成部品、例えばライト、トンネル灯、ヘッドランプなどのための光源(例えば、発光ダイオード(「LED」))用のハウジング、またはコンピュータ、電話、電子制御装置などで使用されるような他の電子機器を含有してもよい。このような製品は、電気自動車(EV)、ハイブリッド電気自動車(HEV)、プラグインハイブリッド電気自動車(PHEV)、または推進力のために電力を使用する他の種類の車両(まとめて「電気自動車」と呼ぶ)などの車両(例えば、自動車、バス、オートバイ、ボートなど)に特に有用である場合がある。
[0050]例えば、図7~8を参照すると、自動車製品で使用するためのライト20の形態である電子製品の一実施形態が示される。ライト20は、ハウジング24、電子デバイス22(図2も参照されたい)、およびライトパイプ28を含む。ハウジング24は、図8に示すように、2つの部品24aおよび24bで形成されてもよい。ハウジング24は、そこを通る通路34を形成する壁32、および壁32を通って延び、通路34と連通する開口部36を有する。開口部36は、通路34に対して横方向であってもよい。電子デバイス22は、ハウジング30の通路34内に取り付けられてもよい。ライトパイプ28は、ハウジング30の開口部36を通って延び、本明細書に記載されるように電子デバイス22の電子構成部品50の1つまたは複数として形成される発光ダイオード(LED)38の上に取り付けられる。図6は、ライト20を形成するための代表的なプロセスを示す。ステップ7および8は、例えば、電子デバイス22が他のデバイスから個片化され、ハウジング24およびライトパイプ28とアセンブルされることを示す。デバイス22が形成された後、通路34内に取り付けられ、ハウジング24の部品24aおよび24bが一緒にアセンブルされる。ピンコンタクト64は露出したままである。ライトパイプ28は、ハウジング24の開口部36を通して取り付けられ、LED38の上方に設けられる。
[0051]本発明は、以下の実施例を参照してより良好に理解することができる。
試験方法
[0052]溶融粘度:溶融粘度(Pa・s)は、Dynisco LCR7001キャピラリーレオメーターを使用して、せん断速度1,000s-1および溶融温度を15℃超える温度で、ISO試験No.11443:2014に従って決定されてもよい。レオメーターオリフィス(ダイ)は、直径1mm、長さ20mm、L/D比20.1、および入口角180°を有していた。バレルの直径は9.55mm+0.005mm、ロッド長さは233.4mmであった。
[0053]溶融温度:溶融温度(「Tm」)は、当技術分野で公知のように示差走査熱量測定(「DSC」)によって決定されてもよい。溶融温度は、ISO試験No.11357-2:2018によって決定される示差走査熱量測定(DSC)のピーク溶融温度である。DSC手順に基づき、TA Q2000装置上で行うDSC測定を使用し、ISO標準10350に記述されるように、試料を1分あたり20℃で加熱および冷却した。
[0054]荷重たわみ温度(「DTUL」):荷重たわみ温度は、ISO試験No.75-2:2013(技術的にASTM D648と同等である)に従って決定されてもよい。より詳細には、長さ80mm、厚さ10mm、および幅4mmの試験片試料を、指定の荷重(最大外部繊維応力)が1.8メガパスカルであるエッジワイズ三点屈曲試験に供してもよい。検体をシリコーン油浴中に下げ、検体が0.25mm(ISO試験No.75-2:2013では0.32mm)たわむまで温度を1分あたり2℃で上昇させる。
[0055]引張弾性率、引張応力および引張伸び:引張特性は、ISO試験No.527:2019(技術的にASTM D638と同等である)に従って試験されてもよい。弾性率および強度の測定は、長さ80mm、厚さ10mm、および幅4mmの同じ試験片試料で行われてもよい。試験温度は23℃であってもよく、試験速度は1または5mm/分であってもよい。
[0056]曲げ弾性率、曲げ応力および曲げ伸び:曲げ特性は、ISO試験No.178:2019(技術的にASTM D790と同等である)に従って試験されてもよい。この試験は、64mmの支持スパン上で実施されてもよい。試験は、切断されていないISO 3167マルチパーパスバーの中心部で行われてもよい。試験温度は23℃であってもよく、試験速度は2mm/分であってもよい。
[0057]ノッチなしおよびノッチ付きシャルピー衝撃強度:シャルピー特性は、ISO試験No.ISO179-1:2010(技術的にASTM D256-10、方法Bと同等である)に従って試験されてもよい。この試験は、タイプ1検体サイズ(長さ80mm、幅10mm、および厚さ4mm)を使用して行われてもよい。ノッチ付き衝撃強度を試験する場合、ノッチはタイプAノッチ(0.25mmベース半径)であってもよい。検体は、一本歯フライス盤を使用してマルチパーパスバーの中心から切り出してもよい。試験温度は23℃であってもよい。
[0058]比誘電率(「Dk」)および誘電正接(「Df」):比誘電率(または相対静的誘電率)および誘電正接は、Baker-Jarvisら、IEEE Trans.on Dielectric and Electrical Insulation、5(4)、571頁(1998年)およびKrupkaら、Proc.7th International Conference on Dielectric Materials:Measurements and Applications、IEEE Conference Publication No.430(1996年9月)に記載されるものなどの公知のスプリット-ポスト誘電共振法を使用して決定される。より詳細には、サイズ80mm×90mm×3mmの板状試料を2つの固定された誘電共振器の間に挿入した。共振器により、検体の面における誘電率成分を測定した。5つの試料を試験し、平均値を記録する。スプリット-ポスト共振器を使用し、低ギガヘルツ領域、例えば2GHzから1GHzで誘電測定を行うことができる。
[0059]熱サイクル試験:検体を温度制御チャンバに入れ、-30℃~100℃の温度範囲内で加熱/冷却する。まず、100℃の温度に達するまで試料を加熱し、その時点ですぐに冷却した。温度が-30℃に達したとき、検体を100℃に達するまですぐに再び加熱する。3時間にわたって23回の加熱/冷却サイクルを実施してもよい。
[0060]表面/体積抵抗率:表面および体積抵抗率の値は、IEC62631-3-1:2016またはASTM D257-14に従って決定することができる。この手順によると、標準検体(例えば、1メートルの立方体)を2つの電極の間に配置する。電圧を60秒間印加し、抵抗を測定する。表面抵抗率は、電位勾配(V/m単位)と単位電極長あたりの電流(A/m単位)の商であり、一般に絶縁材料の表面に沿った漏れ電流に対する抵抗を表す。電極の4つの端が正方形を画定するため、商において長さを約分して表面抵抗率をオームで報告するが、より説明的な単位であるオームパースクエアを見ることも一般的である。また、体積抵抗率は、材料中の電流に平行な電位勾配の電流密度に対する比として決定される。SI単位では、体積抵抗率は、その材料の1メートルの立方体の対向面間の直流抵抗(オーム・mまたはオーム・cm)に数値的に等しい。
実施例1
[0061]試料1~4を、種々のパーセンテージの液晶ポリマー(「LCP1」および「LCP2」)、珪灰石繊維(Nyglos(商標)8)、カーボンブラック顔料、炭素繊維ならびに滑剤(Glycolube(商標)P)から形成する。LCP1は、HBA60mol.%、HNA5mol.%、BP12mol.%、TA17.5mol.%およびAPAP5mol.%から形成される。LCP2は、HBA73mol.%およびHNA27mol.%から形成される。配合は、18mm単軸押出機を使用して実施した。部品を射出成型し、試料を板(60mm×60mm)にする。
Figure 2023514820000006
[0062]試料1~4を熱的および機械的特性について試験した。結果を以下の表2に記載する。
Figure 2023514820000007
[0063]また、試料3~4を上述の熱サイクル試験に供した。試験後、試料について得られた誘電正接は、それぞれ0.021および0.015と決定された。したがって、試料3および4の熱サイクル試験後の誘電正接の初期誘電正接に対する比は、それぞれ1.24および0.86であった。また、試験後、試料について得られた比誘電率は、それぞれ12.9および12.6と決定された。したがって、試料3および4の熱サイクル試験後の比誘電率の初期比誘電率に対する比は、それぞれ0.98および1.01であった。
実施例2
[0064]試料5~9を、種々のパーセンテージの液晶ポリマー(「LCP1」および「LCP2」)、Nyglos(商標)8、カーボンブラック顔料、グラファイト、ならびにGlycolube(商標)Pから形成する。配合は、18mm単軸押出機を使用して実施した。部品を射出成型し、試料を板(60mm×60mm)にする。
Figure 2023514820000008
[0065]試料5~9を熱的および機械的特性について試験した。結果を以下の表4に記載する。
Figure 2023514820000009
[0066]また、試料5~7を上述の熱サイクル試験に供した。試験後、試料について得られた誘電正接は、それぞれ0.0578、0.0214および0.0098と決定された。したがって、試料5、6および7の熱サイクル試験後の誘電正接の初期誘電正接に対する比は、それぞれ1.17、1.06および1.09であった。また、試験後、試料について得られた比誘電率は、それぞれ12.6、8.9および6.3と決定された。したがって、試料5、6および7の熱サイクル試験後の比誘電率の初期比誘電率に対する比は、それぞれ1.0、1.0および1.0であった。
[0067]本発明のこれらおよび他の修正および変形は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく当業者によって実施可能である。さらに、種々の実施形態の態様は、全体的または部分的の両方で相互交換可能であることが理解されるべきである。さらに、当業者は、上述の記載が単なる例示であり、したがってそのような添付の特許請求の範囲にさらに記載される本発明を制限するものではないことを理解する。

Claims (34)

  1. 電子デバイスであって、
    個片化されたキャリア部分、
    当該個片化されたキャリア部分上に成型された基板であって、当該基板が芳香族ポリマーおよび導電性充填剤を含むポリマー組成物を含み、当該ポリマー組成物が、ASTM D257-14に従って決定される約1×1012オーム~約1×1018オームの表面抵抗率を示す、当該基板、ならびに
    当該基板上に配置された導電トレース
    を含む、前記電子デバイス。
  2. 前記ポリマー組成物が、ASTM D257-14に従って決定される1×1010オーム・m~約1×1016オーム・mの体積抵抗率を示す、請求項1に記載の電子デバイス。
  3. ポリマーマトリックスが前記ポリマー組成物の約30wt.%~約80wt.%を構成する、請求項1に記載の電子デバイス。
  4. 前記芳香族ポリマーが約200℃以上の溶融温度を有する、請求項1に記載の電子デバイス。
  5. 前記芳香族ポリマーが、ポリアミド、ポリエステル、ポリアリーレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキシド、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、またはそれらの組合せである、請求項1に記載の電子デバイス。
  6. 前記芳香族ポリマーが液晶ポリマーを含む、請求項1に記載の電子デバイス。
  7. 前記液晶ポリマーが、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する1つまたは複数の繰り返し単位を含有し、前記ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位が前記ポリマーの約40mol.%以上を構成する、請求項6に記載の電子デバイス。
  8. 前記液晶ポリマーが、4-ヒドロキシ安息香酸、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、またはそれらの組合せに由来する繰り返し単位を含有する、請求項7に記載の電子デバイス。
  9. 前記液晶ポリマーが、4-ヒドロキシ安息香酸に由来する繰り返し単位を前記ポリマーの約30mol.%~約90mol.%の量で含有し、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸に由来する繰り返し単位を前記ポリマーの約1mol.%~約30mol.%の量で含有する、請求項7に記載の電子デバイス。
  10. 前記液晶ポリマーが、テレフタル酸、イソフタル酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、ヒドロキノン、4,4’-ビフェノール、アセトアミノフェン、4-アミノフェノール、またはこれらの組合せに由来する繰り返し単位をさらに含有する、請求項7に記載の電子デバイス。
  11. 前記導電性充填剤が炭素材料を含む、請求項1に記載の電子デバイス。
  12. 前記炭素材料が約0.1オーム・cm未満の体積抵抗率を有する、請求項11に記載の電子デバイス。
  13. 前記炭素材料が、グラファイト、カーボンブラック、炭素繊維、グラフェン、カーボンナノチューブまたはそれらの組合せを含む、請求項11に記載の電子デバイス。
  14. 前記導電性充填剤が、前記ポリマーマトリックス100重量部あたり約0.5~約20重量部の量で前記ポリマー組成物中に存在する、請求項1に記載の電子デバイス。
  15. 前記ポリマー組成物が鉱物充填剤をさらに含む、請求項1に記載の電子デバイス。
  16. 前記鉱物充填剤が、前記ポリマーマトリックス100重量部あたり約10~約80重量部の量で前記ポリマー組成物中に存在する、請求項15に記載の電子デバイス。
  17. 前記鉱物充填剤の前記導電性充填剤に対する重量比が約2~約500の範囲である、請求項15に記載の電子デバイス。
  18. 前記鉱物充填剤が、鉱物粒子、鉱物繊維またはそれらの組合せを含有する、請求項15に記載の電子デバイス。
  19. 前記鉱物粒子が、タルク、マイカまたはそれらの組合せを含む、請求項18に記載の電子デバイス。
  20. 前記鉱物繊維が珪灰石を含む、請求項18に記載の電子デバイス。
  21. 前記鉱物繊維が約1~約35マイクロメートルのメジアン径を有する、請求項18に記載の電子デバイス。
  22. 前記鉱物繊維が約1~約50のアスペクト比を有する、請求項18に記載の電子デバイス。
  23. 前記ポリマー組成物が、1,000s-1のせん断速度、および前記組成物の溶融温度を15℃超える温度でISO試験No.11443:2014に従って決定される約10~約250Pa・sの溶融粘度を有する、請求項1に記載の電子デバイス。
  24. 前記個片化されたキャリア部分が金属を含む、請求項1に記載の電子デバイス。
  25. 前記基板が、シード層が内部に配置されたチャネルを含有し、さらに回路トレースが前記シード層上に配置された、請求項1に記載の電子デバイス。
  26. 前記チャネルがレーザーによって形成される、請求項25に記載の電子デバイス。
  27. 前記ポリマー組成物が、2GHzの周波数で決定される約4以上の比誘電率および約0.3以下の誘電正接を示す、請求項1に記載の電子デバイス。
  28. 前記組成物が、約-30℃~約100℃の温度サイクルに曝露された後に比誘電率を示し、前記温度サイクル後の比誘電率の熱サイクル前の比誘電率に対する比が約0.8以上である、請求項27に記載の電子デバイス。
  29. 前記組成物が、約-30℃~約100℃の温度サイクルに曝露された後に誘電正接を示し、前記温度サイクル後の誘電正接の熱サイクル前の誘電正接に対する比が約1.3以下である、請求項27に記載の電子デバイス。
  30. 前記ポリマー組成物がスピネル結晶を含まない、請求項1に記載のポリマー組成物。
  31. 前記基板をキャリア上に成型するステップ、
    前記基板上にシード層を形成するステップ、および
    前記シード層上に金属を堆積させ、導電トレースを形成するステップ
    を含む、請求項1に記載の電子デバイスを形成する方法。
  32. 構成部品を前記導電トレースに電気的に接続してデバイスを形成し、前記キャリアから前記デバイスを分離するステップをさらに含む、請求項31に記載の方法。
  33. 前記トレースが、前記基板をレーザーでアブレーションし、その後前記シード層を形成するステップを含むプロセスによって形成される、請求項31に記載の方法。
  34. 前記シード層が導電ペーストを含む、請求項31に記載の方法。
JP2022548112A 2020-02-26 2021-02-18 電子デバイス Pending JP2023514820A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062981667P 2020-02-26 2020-02-26
US62/981,667 2020-02-26
US202063057345P 2020-07-28 2020-07-28
US63/057,345 2020-07-28
PCT/US2021/018471 WO2021173408A1 (en) 2020-02-26 2021-02-18 Electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023514820A true JP2023514820A (ja) 2023-04-11

Family

ID=77366379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022548112A Pending JP2023514820A (ja) 2020-02-26 2021-02-18 電子デバイス

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11715579B2 (ja)
EP (1) EP4110868A4 (ja)
JP (1) JP2023514820A (ja)
KR (1) KR20220146567A (ja)
CN (1) CN115151607A (ja)
TW (1) TW202202570A (ja)
WO (1) WO2021173408A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021173412A1 (en) 2020-02-26 2021-09-02 Ticona Llc Circuit structure
KR20220147110A (ko) 2020-02-26 2022-11-02 티코나 엘엘씨 전자 디바이스를 위한 중합체 조성물
US11728065B2 (en) 2020-07-28 2023-08-15 Ticona Llc Molded interconnect device
US20230407091A1 (en) * 2022-06-21 2023-12-21 Ticona Llc Laser Activatable Polymer Composition

Family Cites Families (172)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4458039A (en) 1983-02-07 1984-07-03 Celanese Corporation Thermotropic liquid crystalline polymer blend with reduced surface abrasion
JPS6461087A (en) 1987-09-01 1989-03-08 Sumitomo Chemical Co Resin composition for printed wiring board
AU612707B2 (en) 1987-10-12 1991-07-18 Nippon Paint Co., Ltd. Thermosetting polyester resin and powder coating resinous composition containing the same
US5928589A (en) 1987-12-28 1999-07-27 Teijin Limited Processing for producing shaped wholly aromatic polyamide resin composition article and shaped article produced thereby
JP2830279B2 (ja) 1989-05-11 1998-12-02 住友化学工業株式会社 流動性の改良された液晶ポリエステル樹脂組成物
US5492946A (en) 1990-06-04 1996-02-20 Amoco Corporation Liquid crystalline polymer blends and molded articles therefrom
JPH0481451A (ja) 1990-07-25 1992-03-16 Toray Ind Inc 液晶ポリエステル樹脂組成物
US5204443A (en) 1991-04-19 1993-04-20 Hoechst Celanese Corp. Melt processable poly(ester-amide) capable of forming an anisotropic melt containing an aromatic moiety capable of forming an amide linkage
JPH05140282A (ja) 1991-11-22 1993-06-08 Mitsubishi Petrochem Co Ltd サーモトロピツク液晶性ポリエステルの製造方法
JP3265721B2 (ja) 1993-07-01 2002-03-18 東レ株式会社 液晶性樹脂組成物
US5375403A (en) 1993-10-28 1994-12-27 Collins Border Holdings Ltd. Lowbush berry harvester
US5830940A (en) 1993-12-28 1998-11-03 Toray Industries, Inc. Shaped article of liquid crystalline polymer
KR100207568B1 (ko) 1994-08-27 1999-07-15 손욱 전도성 측쇄형 액정화합물 및 이를 사용한 배향막
US6492463B1 (en) 1994-08-31 2002-12-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Liquid crystalline polymer composition
WO1996011985A1 (fr) 1994-10-18 1996-04-25 Polyplastics Co., Ltd. Composition de resines thermoplastiques, son procede de moulage par injection et article ainsi moule
JPH09143347A (ja) 1995-11-28 1997-06-03 Sumitomo Chem Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂混合物およびそれを用いた成形方法
DE69623858T2 (de) 1995-06-09 2003-08-07 Sumitomo Chemical Co Verwendung anorganischer Oxide oder Hydroxide in flüssigkristallinen Polyesterharzen
US5962122A (en) 1995-11-28 1999-10-05 Hoechst Celanese Corporation Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant
JP3686718B2 (ja) 1995-12-27 2005-08-24 ポリプラスチックス株式会社 液晶性ポリマー組成物および成形体
EP0790279B2 (en) 1996-02-19 2007-07-18 Sumitomo Chemical Company, Limited Liquid crystal polyester resin composition
JPH09297256A (ja) 1996-04-30 1997-11-18 Toray Ind Inc カメラ鏡筒及びその製造方法
TW515822B (en) 1997-01-31 2003-01-01 Toray Industries Liquid-crystalline resin composition and precision moldings of the composition
JPH1160927A (ja) 1997-06-13 1999-03-05 Nippon Petrochem Co Ltd サーモトロピック液晶ポリマー組成物
JPH1180518A (ja) 1997-09-09 1999-03-26 Shikoku Chem Corp 光学式ピックアップパーツ用樹脂組成物
JPH1180517A (ja) 1997-09-09 1999-03-26 Shikoku Chem Corp 樹脂組成物
JP3493983B2 (ja) 1997-11-18 2004-02-03 住友化学工業株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物、それを用いてなるシートもしくはフィルム、および該シートもしくはフィルムの製造方法
US6046300A (en) 1997-12-26 2000-04-04 Toray Industries, Inc. Liquid-crystalline resin and thermoplastic resin composition
US6294618B1 (en) 1998-04-09 2001-09-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low viscosity liquid crystalline polymer compositions
US6833405B1 (en) 1998-07-31 2004-12-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions containing liquid crystalline polymers
JP2000080289A (ja) 1998-09-07 2000-03-21 Toray Ind Inc 液晶性樹脂組成物
TW490478B (en) 1998-11-12 2002-06-11 Sumitomo Chemical Co Liquid crystalline polyester resin for extrusion molding
JP4118425B2 (ja) 1998-12-18 2008-07-16 ポリプラスチックス株式会社 コネクター用液晶性ポリマー組成物およびコネクター
US6379795B1 (en) 1999-01-19 2002-04-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Injection moldable conductive aromatic thermoplastic liquid crystalline polymeric compositions
JP2000273320A (ja) 1999-03-19 2000-10-03 Polyplastics Co 光ピックアップ用液晶性ポリマー組成物および光ピックアップ
JP2000273292A (ja) 1999-03-19 2000-10-03 Polyplastics Co 光ピックアップ用液晶性ポリマー組成物および光ピックアップ
JP2000281885A (ja) 1999-03-31 2000-10-10 Toray Ind Inc 帯電防止用途向け液晶性樹脂組成物
FI991006A (fi) 1999-05-03 2000-11-04 Optatech Oy Uudet nestekiteiset polymeerit
JP4450902B2 (ja) 1999-10-08 2010-04-14 ポリプラスチックス株式会社 液晶性ポリマー組成物
JP2001172479A (ja) 1999-12-16 2001-06-26 Sumitomo Chem Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物およびその成形品
CA2393259A1 (en) 2000-01-13 2001-07-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Liquid crystalline polymer compositions containing small particle size fillers
JP4636644B2 (ja) 2000-01-17 2011-02-23 富士フイルム株式会社 電解質組成物、電気化学電池およびイオン性液晶モノマー
JP2001207054A (ja) 2000-01-24 2001-07-31 Polyplastics Co 液晶性ポリマー成形品
JP2001261946A (ja) 2000-03-14 2001-09-26 Polyplastics Co 液晶性ポリマー組成物および成形方法
US20020064701A1 (en) 2000-09-11 2002-05-30 Hand Doris I. Conductive liquid crystalline polymer film and method of manufacture thereof
JP2002118144A (ja) 2000-10-06 2002-04-19 Sony Chem Corp 接着剤及び電気装置
JP2002294038A (ja) 2001-03-28 2002-10-09 Sumitomo Chem Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物
JP4033678B2 (ja) 2001-03-30 2008-01-16 独立行政法人科学技術振興機構 液晶性イオン伝導体とその製造方法
SG141208A1 (en) 2001-06-28 2008-04-28 Sumitomo Chemical Co Liquid crystal polyester resin mixture
JP3969171B2 (ja) 2001-11-12 2007-09-05 住友化学株式会社 液晶性ポリエステルおよびその製造方法
WO2003062286A1 (fr) 2002-01-22 2003-07-31 Japan Science And Technology Agency Composite a cristaux liquides conducteur d'ions polymerisable, composite polymere a cristaux liquides conducteur d'ions de maniere anisotrope et procede de production
JP3922039B2 (ja) 2002-02-15 2007-05-30 株式会社日立製作所 電磁波吸収材料及びそれを用いた各種製品
JP4019731B2 (ja) 2002-02-25 2007-12-12 住友化学株式会社 コネクター用液晶性ポリエステル樹脂組成物
CN1681878A (zh) 2002-07-05 2005-10-12 德古萨公司 由聚合物和离子性液体形成的聚合物组合物
JP3834528B2 (ja) 2002-07-11 2006-10-18 ポリマテック株式会社 熱伝導性高分子成形体の製造方法
JP2004051852A (ja) 2002-07-22 2004-02-19 Polymatech Co Ltd 熱伝導性高分子成形体及びその製造方法
BR0313974A (pt) 2002-09-03 2005-07-19 Solvay Advanced Polymers Llc Composição de polìmero, artigo fabricado em fusão, artigo extrusado, artigo moldado por injeção, utensìlio de cozinha, método para aumentar a condutividade térmica de um artigo, e, uso de partìculas de metal
JP4223272B2 (ja) 2002-12-04 2009-02-12 ポリプラスチックス株式会社 導電性樹脂組成物
JP2004263162A (ja) 2003-02-28 2004-09-24 Japan Science & Technology Agency 芳香族系導電性高分子液晶
CA2523272A1 (en) 2003-05-15 2004-12-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Isotropic polyester compositions and their use in substrate coating
ATE370196T1 (de) 2003-05-15 2007-09-15 Du Pont Schnell kristallisierende polyesterzusammensetzungen
JP4672552B2 (ja) 2003-07-02 2011-04-20 ポリプラスチックス株式会社 導電性樹脂組成物
US8697817B2 (en) 2003-09-04 2014-04-15 Ticona Llc Manufacturing process for liquid crystalline polymer
US7276284B2 (en) 2003-12-18 2007-10-02 Sgl-Carbon Ag Carbon fiber reinforced coke from the delayed coker
JP4302508B2 (ja) 2003-12-26 2009-07-29 ポリプラスチックス株式会社 導電性樹脂組成物
US20050176835A1 (en) 2004-01-12 2005-08-11 Toshikazu Kobayashi Thermally conductive thermoplastic resin compositions
US20050191877A1 (en) 2004-03-01 2005-09-01 Peter Huang Electrical connector
KR100764045B1 (ko) 2004-03-10 2007-10-08 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 금속 코팅 수지 성형물 및 그의 제조 방법
JP4016010B2 (ja) 2004-03-26 2007-12-05 株式会社東芝 リアルタイムスケジューリング可能性判定方法およびリアルタイムシステム
US7641833B2 (en) 2004-04-15 2010-01-05 Polyplastics Co., Ltd. Method for producing a pellet from a fiber-filled resin composition and injection-molded products thereof
JP4664626B2 (ja) 2004-07-05 2011-04-06 ポリマテック株式会社 イオン伝導性高分子電解質膜及びその製造方法
JP4463637B2 (ja) 2004-07-30 2010-05-19 ポリプラスチックス株式会社 液晶性ポリエステル樹脂組成物
JP2006045298A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Ntn Corp 液晶ポリエステル樹脂組成物
JP4665475B2 (ja) 2004-09-30 2011-04-06 住友化学株式会社 芳香族液晶ポリエステルフィルム
JP4498900B2 (ja) 2004-11-29 2010-07-07 ポリプラスチックス株式会社 信号読取装置用樹脂成形部品及びその成形方法
JP5243692B2 (ja) 2004-12-22 2013-07-24 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 光学乾燥フィルム及び乾燥フィルムを有する光学デバイス形成方法
CN1828354A (zh) 2005-03-04 2006-09-06 普立尔科技股份有限公司 照相机模块及其制备方法
US7438832B2 (en) 2005-03-29 2008-10-21 Eastman Kodak Company Ionic liquid and electronically conductive polymer mixtures
KR100608533B1 (ko) * 2005-05-13 2006-08-08 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 전기 전도성이 우수한 고분자 수지 및 그 제조방법
KR100702859B1 (ko) 2005-05-27 2007-04-03 부산대학교 산학협력단 액정 물질을 포함하는 고체 전해질 및 이를 이용한염료감응형 태양전지 소자
US7825176B2 (en) 2005-08-31 2010-11-02 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. High flow polyester composition
US20070057236A1 (en) 2005-09-12 2007-03-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Conductive resin composition and the use thereof
DE102006048637A1 (de) 2005-10-13 2007-04-19 Polyplastics Co. Ltd. Flüssigkristalline Harzzusammensetzung zum Blasformen
US20090027586A1 (en) 2006-02-13 2009-01-29 Toshiko Kumai Thermoplastic Resin Composition, and Liquid Crystal Display Component Thereof or Information Recording Media Component Thereof
US7931824B2 (en) 2006-07-03 2011-04-26 The Regents Of The University Of Colorado Surfactants and polymerizable surfactants based on room-temperature ionic liquids that form lyotropic liquid crystal phases with water and room-temperature ionic liquids
JP2008075079A (ja) 2006-08-22 2008-04-03 Japan Gore Tex Inc 液晶ポリマー組成物の製造方法
TWI472574B (zh) 2006-08-24 2015-02-11 Polyplastics Co 非對稱電子零件
JP5172279B2 (ja) 2006-11-06 2013-03-27 上野製薬株式会社 液晶ポリマー組成物およびそれからなる成形品
JP5332188B2 (ja) 2007-02-26 2013-11-06 住友化学株式会社 樹脂成形体及びその製造方法
JP5087958B2 (ja) 2007-03-07 2012-12-05 東レ株式会社 液晶性樹脂組成物からなる成形品
JP5384023B2 (ja) 2007-04-23 2014-01-08 上野製薬株式会社 液晶ポリマー組成物およびそれからなる成形品
US8029694B2 (en) 2007-04-24 2011-10-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thermally conductive and electrically resistive liquid crystalline polymer composition
JP2009030015A (ja) 2007-06-27 2009-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶性ポリエステル組成物
US8300328B2 (en) 2007-07-03 2012-10-30 Optomecha Co., Ltd. Lens unit composed of different materials and camera module and method for manufacturing the same
DE502007006117D1 (de) 2007-08-24 2011-02-10 Ems Patent Ag Mit flachen Glasfasern verstärkte Hochtemperatur-Polyamidformmassen
US8432484B2 (en) 2007-10-31 2013-04-30 STMicroelectronics (R&D) Ltd. Camera modules
JP2009155623A (ja) 2007-12-03 2009-07-16 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物及びその成形体
JP5018460B2 (ja) 2007-12-26 2012-09-05 東洋インキScホールディングス株式会社 カーボンナノチューブ分散体及びそれを用いてなる樹脂組成物ならびに成形体
JP2009231269A (ja) 2008-02-25 2009-10-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 反射板及び発光装置
JP5951169B2 (ja) 2008-03-28 2016-07-13 Jxエネルギー株式会社 カメラモジュール用液晶ポリエステル樹脂組成物
CN101981123B (zh) 2008-03-28 2012-11-21 吉坤日矿日石能源株式会社 照相机模块用液晶聚酯树脂组合物
JP5325442B2 (ja) 2008-03-28 2013-10-23 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 カメラモジュール用液晶ポリエステル樹脂組成物
JP5951168B2 (ja) 2008-03-28 2016-07-13 Jxエネルギー株式会社 カメラモジュール用液晶ポリエステル樹脂組成物
JP5165492B2 (ja) 2008-05-23 2013-03-21 ポリプラスチックス株式会社 平面状コネクター
US20100012354A1 (en) 2008-07-14 2010-01-21 Logan Brook Hedin Thermally conductive polymer based printed circuit board
EP2147776A1 (de) 2008-07-23 2010-01-27 SGL Carbon SE Verfahren zur Herstellung eines Fasergelege-verstärkten Verbundwerkstoffs, sowie Fasergelege-verstärkte Verbundwerkstoffe und deren Verwendung
JP2010037364A (ja) 2008-07-31 2010-02-18 Polyplastics Co コネクター
KR101639439B1 (ko) 2008-12-25 2016-07-13 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 액정성 폴리에스테르 수지 조성물 및 이것을 사용한 커넥터
CN102282213A (zh) 2009-01-16 2011-12-14 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 用于柔性印刷电路板的聚酰胺膜
JP5503915B2 (ja) 2009-07-30 2014-05-28 住友化学株式会社 液晶ポリエステル組成物およびこれを用いた電子回路基板
JP5486889B2 (ja) 2009-09-28 2014-05-07 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物
JP2011094116A (ja) 2009-09-29 2011-05-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル樹脂組成物、成形体および光ピックアップレンズホルダー
KR101708927B1 (ko) 2009-10-09 2017-02-21 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 내열성이 향상된 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드 및 그의 제조방법
KR101783477B1 (ko) 2009-10-21 2017-09-29 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드, 상기 수지 컴파운드의 제조방법, 광픽업용 부품, 및 상기 부품의 제조방법
TW201132747A (en) 2009-11-16 2011-10-01 Sumitomo Chemical Co Liquid crystalline polyester composition for connector and connector using the same
KR101004428B1 (ko) 2009-12-30 2010-12-28 주식회사 대림코퍼레이션 대전방지특성 또는 전기전도특성을 가지는 전방향족 폴리이미드 분말의 제조방법
JP2011157422A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステル組成物、その製造方法及びコネクター
US20130200297A1 (en) 2010-02-25 2013-08-08 Yuji Saga Thermally conductive and dimensionally stable liquid crystalline polymer composition
CN102071424B (zh) 2010-02-26 2012-05-09 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
JP5695389B2 (ja) 2010-10-15 2015-04-01 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物及びカメラモジュール部品
KR101711214B1 (ko) 2010-11-12 2017-02-28 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 반사체 및 이를 구비하는 발광장치
KR20120052647A (ko) 2010-11-16 2012-05-24 삼성정밀화학 주식회사 유동성이 향상된 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드
JP5633338B2 (ja) 2010-11-30 2014-12-03 住友化学株式会社 液晶ポリエステル組成物
WO2012090407A1 (ja) 2010-12-27 2012-07-05 東レ株式会社 全芳香族液晶ポリエステルおよびその製造方法
JP5241956B2 (ja) 2010-12-28 2013-07-17 東レ株式会社 液晶性ポリエステル樹脂組成物及びその製造方法とそれからなる成形品
US8778222B2 (en) 2010-12-28 2014-07-15 Toray Industries, Inc. Liquid crystalline polyester composition, method of producing the same and molded product manufactured from the same
TWI586750B (zh) 2011-02-28 2017-06-11 住友化學股份有限公司 液晶聚酯組成物及其製造方法
WO2012117475A1 (ja) 2011-02-28 2012-09-07 東レ株式会社 液晶性ポリエステル樹脂組成物およびそれを用いた金属複合成形品
KR20120114048A (ko) 2011-04-06 2012-10-16 삼성정밀화학 주식회사 열전도성 고분자 복합소재 및 이를 포함하는 물품
US20120301647A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Phosphatized polyesters and coating compositions containing the same
US20140128545A1 (en) 2011-06-30 2014-05-08 Dow Global Technologies Llc Curable compositions
JP5730704B2 (ja) 2011-07-27 2015-06-10 上野製薬株式会社 液晶ポリマー組成物
CN103764794B (zh) 2011-08-29 2016-05-18 提克纳有限责任公司 高流动液晶聚合物组合物
WO2013032970A1 (en) 2011-08-29 2013-03-07 Ticona Llc Liquid crystalline polymer composition containing a fibrous filler
US9045685B2 (en) 2011-08-29 2015-06-02 Ticona Llc Cast molded parts formed from a liquid crystalline polymer
JP2014525501A (ja) 2011-08-29 2014-09-29 ティコナ・エルエルシー 高流動性液晶ポリマー組成物
KR101773204B1 (ko) 2011-10-31 2017-09-01 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 대전방지 특성을 갖는 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드 및 물품
KR20140091029A (ko) 2011-10-31 2014-07-18 티코나 엘엘씨 레이저 직접 구조체 기판의 형성에 사용하기 위한 열가소성 조성물
KR101996106B1 (ko) 2011-11-15 2019-07-03 티코나 엘엘씨 치수 공차가 작은 성형 부품에 사용하기 위한 저-나프텐 액정 중합체 조성물
WO2013074475A1 (en) 2011-11-15 2013-05-23 Ticona Llc Liquid crystalline polymer composition for high voltage electronic components
US8906259B2 (en) 2011-11-15 2014-12-09 Ticona Llc Naphthenic-rich liquid crystalline polymer composition with improved flammability performance
TWI498351B (zh) 2011-11-15 2015-09-01 Ticona Llc 低環烷之液晶聚合物組合物
WO2013074469A1 (en) 2011-11-15 2013-05-23 Ticona Llc Compact camera module
WO2013129338A1 (ja) 2012-02-29 2013-09-06 ポリプラスチックス株式会社 カメラモジュール用液晶性樹脂組成物
KR20150023249A (ko) 2012-06-27 2015-03-05 티코나 엘엘씨 초저 점도 액체 결정질 중합체 조성물
CN104736672B (zh) * 2012-10-16 2017-10-24 提克纳有限责任公司 抗静电液晶聚合物组合物
WO2014081650A1 (en) 2012-11-21 2014-05-30 Ticona Llc Liquid crystalline polymer composition for melt-extruded substrates
WO2014088700A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-12 Ticona Llc Conductive liquid crystalline polymer composition
US9512293B2 (en) * 2013-03-13 2016-12-06 Ticona Llc Antistatic liquid crystalline polymer composition
EP3025566B1 (en) 2013-07-23 2021-04-07 Rogers Corporation Circuit materials, circuit laminates, and methods of manufacture thereof
WO2015094805A1 (en) 2013-12-19 2015-06-25 Ticona Llc Polyarylene sulfide composition for use in forming a laser direct structured substrate
US20150274965A1 (en) 2014-03-26 2015-10-01 Ticona Llc Laminate for a Printed Circuit Board
CN106164172B (zh) 2014-04-09 2019-07-26 提克纳有限责任公司 摄像模组
WO2016003588A1 (en) 2014-07-01 2016-01-07 Ticona Llc Laser activatable polymer composition
US9722145B2 (en) 2015-06-24 2017-08-01 Sharp Laboratories Of America, Inc. Light emitting device and fluidic manufacture thereof
CN107001937A (zh) 2014-12-01 2017-08-01 提克纳有限责任公司 具有改善的阻燃性能的聚合物组合物
KR102439790B1 (ko) 2015-06-29 2022-09-02 몰렉스 엘엘씨 애플리케이션 특정 전자기기 패키징 시스템, 방법 및 디바이스
US20170002137A1 (en) 2015-07-02 2017-01-05 Ticona Llc Liquid Crystalline Polymer for Use in Melt-Extuded Articles
US10407605B2 (en) 2015-07-31 2019-09-10 Ticona Llc Thermally conductive polymer composition
TWI708806B (zh) * 2015-08-17 2020-11-01 美商堤康那責任有限公司 用於相機模組之液晶聚合物組合物
JP6774329B2 (ja) 2016-12-28 2020-10-21 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物
US10633535B2 (en) 2017-02-06 2020-04-28 Ticona Llc Polyester polymer compositions
KR20230165875A (ko) 2017-12-05 2023-12-05 티코나 엘엘씨 액정 중합체 조성물
KR102627886B1 (ko) 2017-12-05 2024-01-19 티코나 엘엘씨 카메라 모듈에 사용하기 위한 방향족 중합체 조성물
US11637365B2 (en) 2019-08-21 2023-04-25 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system
US20210054190A1 (en) 2019-08-21 2021-02-25 Ticona Llc Polymer Composition For Laser Direct Structuring
US11258184B2 (en) 2019-08-21 2022-02-22 Ticona Llc Antenna system including a polymer composition having a low dissipation factor
US11912817B2 (en) 2019-09-10 2024-02-27 Ticona Llc Polymer composition for laser direct structuring
WO2021173412A1 (en) 2020-02-26 2021-09-02 Ticona Llc Circuit structure
KR20220147110A (ko) 2020-02-26 2022-11-02 티코나 엘엘씨 전자 디바이스를 위한 중합체 조성물
EP4110885A4 (en) 2020-02-26 2024-04-24 Ticona Llc ELECTRONIC DEVICE
US11728065B2 (en) 2020-07-28 2023-08-15 Ticona Llc Molded interconnect device
US20220127499A1 (en) 2020-10-26 2022-04-28 Ticona Llc Laminate Structure

Also Published As

Publication number Publication date
EP4110868A4 (en) 2024-03-06
KR20220146567A (ko) 2022-11-01
US20210265075A1 (en) 2021-08-26
CN115151607A (zh) 2022-10-04
WO2021173408A1 (en) 2021-09-02
EP4110868A1 (en) 2023-01-04
TW202202570A (zh) 2022-01-16
US11715579B2 (en) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023514820A (ja) 電子デバイス
JP2023515975A (ja) 電子デバイス
US11129312B2 (en) Electronic module for use in an automotive vehicle
US20210075162A1 (en) Electrical Connector Formed from a Polymer Composition having a Low Dielectric Constant and Dissipation Factor
US11466130B2 (en) Fiber-reinforced polymer composition for use in an electronic module
JP2023514988A (ja) 電子デバイス用ポリマー組成物
US11084925B2 (en) Thermally conductive polymer composition
JP2023515976A (ja) 回路構造体
US11728065B2 (en) Molded interconnect device
JP2023551639A (ja) パワーエレクトロニクスモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240116