KR100609219B1 - 탄성표면파 장치 및 통신 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 밸런스 특성이 개선된 평형형-불평형형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치 및 이것을 사용한 통신 장치를 제공한다.
평형형-불평형형 변환기능을 갖는 세로결합공진자형의 각 빗형 전극부(2, 1, 3)를 탄성표면파의 전파방향을 따라서 압전기판(8)상에 마련한다. 각 빗형 전극부 (2, 1, 3)의 적어도 하나, 예를 들면 빗형 전극부(2)의 각 전극지(21, 22) 중에서, 빗형 전극부(1)와의 대면영역의 근방의 전극지(21)에 교차웨이팅 등의 웨이팅이 실시된 교차웨이팅 전극지(22a)를 마련한다.
탄성표면파 장치, 통신 장치, 평형형-불평형형 변환기능, 세로결합공진자, 압전기판

Description

탄성표면파 장치 및 통신 장치{Surface acoustic wave apparatus and communication unit}
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 2는 제 1 비교예의 탄성표면파 장치의 요부 구성을 나타낸 설명도이다.
도 3은 상기 제 1 실시형태의 한 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 4는 상기 제 1 실시형태의 탄성표면파 장치에서의 웨이팅 영역을 설명하기 위한 요부 구성도이다.
도 5는 상기 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 6은 상기 탄성표면파 장치의 위상평형도(위상 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 7은 상기 제 1 비교예의 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 8은 상기 제 1 비교예의 탄성표면파 장치의 위상평형도(위상 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 9는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 10은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 11은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 12는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 13은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 14는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 15는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 16은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 17은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 18은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 19는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 20은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 21은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 22는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 23은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 24는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 25는 상기 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 26은 상기 탄성표면파 장치의 위상 밸런스를 나타낸 그래프이다.
도 27은 상기 제 1 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 전송특성을 나타낸 그래프이다.
도 28은 상기 제 2 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 전송특성을 나타낸 그래프이다.
도 29는 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이 다.
도 30은 상기 제 3 실시형태 및 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 31은 상기 제 3 실시형태 및 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 위상 밸런스를 나타낸 그래프이다.
도 32는 상기 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 33은 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 34는 상기 제 4 실시형태 및 제 2 종래예에 따른 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 35는 상기 제 2 종래예에 있어서의 밸런스 열화를 나타내기 위한 요부 구성도이다.
도 36은 상기 제 4 실시형태에 있어서의 밸런스 개선을 나타내기 위한 요부 구성도이다.
도 37은 상기 제 4 실시형태에 있어서의 한 변형예의 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 38은 상기 제 4 실시형태의 한 변형예에 있어서의 밸런스 개선을 나타내기 위한 요부 구성도이다.
도 39는 상기 제 4 실시형태에 있어서의 다른 변형예인 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 40은 상기 제 4 실시형태에 있어서의 다른 변형예에 있어서의 밸런스 개선을 나타낸기 위한 요부 구성도이다.
도 41은 상기 제 4 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예인 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 42는 본 발명의 제 5 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 43은 상기 제 5 실시형태 및 제 3 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 44는 상기 제 3 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 45는 상기 제 3 비교예에 있어서의 밸런스 열화를 나타내기 위한 요부 구성도이다.
도 46은 상기 제 5 실시형태에 있어서의 밸런스 개선을 나타내기 위한 요부 구성도이다.
도 47은 본 발명의 제 6 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 48은 상기 제 6 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 확대 구성도이다.
도 49는 상기 제 6 실시형태 및 제 4 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 50은 상기 제 4 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 51은 상기 제 6 실시형태에 따른 탄성표면파 장치에 있어서의, 교차폭의 변화에게 따른 진폭평형도(진폭 밸런스)의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 52는 상기 제 6 실시형태의 한 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 53은 상기 제 6 실시형태에 있어서의 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 54는 상기 제 6 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 55는 본 발명의 제 7 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 56은 상기 제 7 실시형태 및 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 57은 상기 제 7 실시형태 및 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 위상 밸런스를 나타낸 그래프이다.
도 58은 상기 제 7 실시형태의 한 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 59는 상기 제 7 실시형태에 있어서의 다른 변형예에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 60은 상기 제 7 실시형태에 있어서의 다른 변형예 및 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 61은 상기 제 7 실시형태에 있어서의 다른 변형예 및 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 위상 밸런스를 나타낸 그래프이다.
도 62는 본 발명의 제 8 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 63은 상기 제 8 실시형태 및 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 진폭평형도(진폭 밸런스)를 나타낸 그래프이다.
도 64는 상기 제 8 실시형태 및 제 2 비교예에 따른 탄성표면파 장치의 위상 밸런스를 나타낸 그래프이다.
도 65는 본 발명의 제 9 실시형태에 따른 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 66은 본 발명의 통신 장치의 요부 블록도이다.
도 67은 제 1 종래예의 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 68은 제 2 종래예의 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 69는 종래에 있어서의 평형신호단자 사이에서의 삽입손실의 차이를 나타내기 위한 그래프이다.
도 70은 상기 종래에 있어서의 평형신호단자 사이에서의 삽입손실의 차이를 나타내기 위한, 한쪽의 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 71은 상기 종래에 있어서의 평형신호단자 사이에서의 삽입손실의 차이를 나타내기 위한, 다른쪽의 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
도 72는 탄성표면파 장치에 있어서의 공진 모드를 설명하는 것이며, (a)은 공진 모드의 주파수 관계를 나타낸 그래프이며, (b)은 공진 모드의 유효전류분포를 나타낸, 개략구성도 및 그것에 대응하는 전류분포의 그래프이다.
도 73은 제 3 종래예의 탄성표면파 장치의 요부 구성도이다.
(도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명)
1: IDT(빗형 전극부)
2: IDT(빗형 전극부)
3: IDT(빗형 전극부)
22: 시그널 전극지(내측 전극지)
21a: 더미 전극
22a: 교차웨이팅 전극지
31a: 더미 전극
본 발명은 불평형형-평형형 변환기능을 갖는 필터 등에 사용되는 탄성표면파 장치 및 이것을 사용한 통신 장치에 관한 것이다.
최근, 휴대전화기 등의 통신 장치의 소형화, 경량화에 대한 기술적 진보는 눈부시다. 이러한 통신 장치에 사용되는 필터로서는, 사용주파수대역이 높아짐에 따라서, 소형화가 가능한 탄성표면파 장치를 사용할 수 있게 되고 있다. 게다가, 통신 장치에 있어서의, 각 구성부품수의 삭감, 소형화로 인하여, 복수의 기능을 복 합한 부품의 개발도 진행되어 왔다.
이러한 상황을 배경으로, 휴대전화기의 RF단에 사용하는 탄성표면파 필터에 평형-불평형 변환기능, 소위 발룬(balun) 기능을 갖춘 것도 최근 열심히 연구되어, GSM(Global System for Mobile communications) 등을 중심으로 사용되어 왔다. 이러한 평형-불평형 변환기능을 갖춘 탄성표면파 필터에 관한 특허도, 몇개인가 출원되어 있다.
입력 임피던스와 출력 임피던스가 거의 동등한, 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 필터으로서는, 도 67에 나타낸 것 같은 구성이 알려져 있다.
도 67에 기재된 탄성표면파 장치는 압전기판(100)상에, 빗형 전극부(발형상 전극부라고도 함, Inter-Digital Transducer, 이하, IDT라고 함)(101)이 마련되며, 상기 IDT(101)의 좌우(탄성표면파의 전파방향에 따라)에 IDT(102), IDT(103)가 각각 배치되어 있는, 평형-불평형 변환기능을 갖는 3 IDT 타이프의 세로결합공진자형의 탄성표면파 장치이다.
상기 탄성표면파 장치에는, 게다가, 상기 각 IDT(102, 101, 103)를 좌우에서 끼워넣도록, 반사기(리플렉터)(104), 반사기(105)가 각각 배치되어 있으며, 평형신호단자로서 각 단자(106, 107)와, 불평형 신호단자로서 단자(108)가 마련되어 있다.
또, 입력 임피던스와 출력 임피던스를 서로 예를 들면 4배 다르게 하여, 평형-불평형 변환기능을 갖는, 다른 탄성표면파 장치로서는, 예를 들면 일본국 특허공개 평10-117123호 공보에 기재된 구성을 예시할 수 있다.
상기 공보에 기재된 탄성표면파 장치는 도 68에 나타낸 바와 같이, 압전기판상에, 제 1 탄성표면파 필터(111)와, 제 1 탄성표면파 필터(111)와는 출력신호의 위상이 180도 다른 제 2 탄성표면파 필터(112)를 갖고 있다. 한편, 도 68에 있어서, 압전기판의 기재는 생략되어 있다. 이에 따라서, 상기 탄성표면파 장치는 필터 기능과 함께, 평형-불평형 변환기능을 발휘할 수 있다.
제 1 탄성표면파 필터(111)는 3 IDT 타이프의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(118)와, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(118)에 대하여, 탄성표면파의 전파방향을 따른 대칭선을 사이에 두고 경면(鏡面)대칭이 되는 3 IDT 타이프의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(124)를, 캐스케이드 접속, 즉 2단 종속접속한 것이다.
세로결합공진자형 탄성표면파 필터(118)는 중앙의 IDT(113)의 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따라)에 각 IDT(114, 115)를 각각 배치하고, 이들 IDT(114, 113, 105)를 다시 좌우의 양측에서 끼워넣도록, 반사기(116, 117)가 각각 배치된 것이다. 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(124)는 마찬가지로 중앙의 IDT(119)의 좌우에 각 IDT(120, 121)를 각각 배치하고, 이들 IDT(120, 119, 121)을 끼워넣도록, 반사기(122, 123)가 배치된 것이다.
제 2 탄성표면파 필터(112)는 3 IDT 타이프의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(124)와 동일한 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(128)와, 3 IDT 타이프의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(118)에 대하여, 중앙의 IDT(103)의 방향을 반전시켜서 위상을 반전시킨(요컨대 약 180°) IDT(133)를 구비하고 있는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(127)를 2단 종속접속한 것이다.
제 1, 제 2 탄성표면파 필터(111, 112)의 각각 한쪽의 각 단자(129, 130)를 전기적으로 병렬로 접속하고, 다른 한쪽의 각 단자(131, 132)를 전기적으로 직렬로 접속하고, 병렬로 접속한 단자에서 불평형단자(108), 직렬로 접속한 단자에서 각 평형단자(106, 107)를 구성하고 있다.
평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치에 있어서, 불평형단자(108)와 각 평형단자(106, 107)의 각각의 단자와의 사이의 통과대역내에서의 전송특성에는, 진폭특성이 서로 동등하고, 또한 위상특성이 서로 180도 반전되어 있을 것이 요구되고 있다. 이들 특성은 진폭평형도 및 위상평형도라 각각 각각 불리워지고 있다.
진폭평형도 및 위상평형도는 상기 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 3포트 디바이스라고 가정하고, 예를 들면 불평형입력단자를 포트 1, 각 평형출력단자의 각각을 포트 2, 포트 3이라고 했을 때,
진폭평형도=|A|, A=|20 log (S21)|-|20 log (S31)|…식(1)
위상평형도=|B|, B=|∠S21-∠S31|…식(2)
으로 정의한다. 한편, S21은 포트 1로부터 포트 2으로의 전달계수를, S31은 포트 1으로부터 포트 3으로의 전달계수를 나타내고 있다. 이러한 평형도는 이상적으로는 탄성표면파 장치의 필터 특성에 있어서의, 통과대역내에서 진폭평형도가 0dB, 위상평형도는 180도로 되어 있다.
그러나, 상기와 같은, 평형신호단자를 갖는 탄성표면파 장치에 있어서는, 평형신호단자간의 평형도가 악화된다는 문제가 있었다. 평형도가 나쁜 원인은 몇가지 를 들 수 있는데, 그 중 하나로서, 평형신호단자(106)에 접속되어 있는 전극지와 IDT(102)의 시그널 전극지와의 거리(도 67의 109)와, 평형신호단자(107)에 접속되어 있는 전극지와 IDT(103)의 시그널 전극지와의 거리(도 67의 110)가, 전극지의 피치로 결정되는 파장의 0.5배 다른 것을 들 수 있다.
이에 따라서, 각 평형신호단자(106, 107)의 각각에 접속되어 있는 전극지의 총 용량이 다른, 전기신호와 탄성표면파 사이에서의 변환효율이 다르다고 하는 폐해가 발생하고, 그 결과, 평형도의 악화로 이어졌다.
따라서, 도 70과 같이, 도 67의 평형신호단자(107)를 접지에 접속해서 평형신호단자(106)로부터 출력되는 주파수에 대한 진폭특성과, 도 71과 같이, 도 67의 평형신호단자(106)를 접지에 접속해서 평형신호단자(107)로부터 출력되는 진폭특성을 측정하고, 이들의 결과로서의 상기 진폭특성의 차를 도 69에 나타낸다. 2개의 진폭특성은 서로 크게 다르며, 이 차이가 평형도의 악화로 이어지고 있다.
또한, 도 68에 나타낸, 캐스케이드 접속된 탄성표면파 장치에서는, 2개의 서로 이웃하는 각 IDT에 있어서의, 서로 대면하는 2부위의 각 전극지의 극성이 좌우 비대칭인 상태인 것에 기인하여, 평형도가 악화된다고 하는 문제가 생기고 있다.
요컨대, IDT(113)가, 이웃하는 각 IDT(114, 115)와 각 부위(도 68의 125)에서는, 서로 이웃하는 각 IDT(113, 114, 115)의 최외측 전극지가 어느쪽이든 접지 전극지인데 비하여, IDT(133)가, 이웃하는 각 IDT(134, 135)와 이웃하는 각 부위(도 68의 126)에 있어서는, 시그널 전극지와 접지 전극으로 되어 있다. 이렇게 이웃하는 각 IDT의 최외측 전극지에 있어서의 극성의 조합이 변하면, 전기신호와 탄성표면파 사이에서의 변환에 의해, 도 72에 나타낸 공진 모드의 주파수나 진폭 레벨이 변화된다.
도 68과 같이, 상기와 같은 서로 이웃하는 각 IDT에 있어서의 각 최외측 전극지의 조합이 서로 다른 2개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 조합하여, 평형-불평형 변환기능을 구비한 탄성표면파 장치를 구성한 경우, 이 공진 모드의 변동이 평형신호단자간의 평형도악화의 원인이 되고 있었다.
이러한 현상은 도 73에 나타낸 바와 같은, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 사용하여, 평형-불평형변환 기능을 구비한 탄성표면파 장치를 구성한 경우에 있어서도, 상기의 공진 모드의 변동이 마찬가지로 발생하여, 평형신호단자간의 평형도악화의 원인이 되고 있었다.
본 발명의 목적은 평형신호단자 사이의 평형도 악화의 한 원인인 상기의 평형신호단자간의 차를 시정함으로써, 평형신호단자 사이의 평형도가 양호한, 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치, 및 이것을 사용한 통신 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 탄성표면파 장치는 이상의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판상에 탄성표면파의 전파방향을 따라 형성된 적어도 2개의 IDT를 갖는 탄성표면파 필터를 적어도 1개와, 상기 탄성표면파 필터를 위한 입력신호단자 및 출력신호단자를 구비하고 있는 탄성표면파 장치로, 입력신호단자 및 출력신호단자의 적어도 한쪽은 평형신호단자에 접속되어 있으며, 또한 상기 탄성표면파 필터의 적어도 일부의 전극지가 웨이팅되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 구성에 따르면, 적어도 2개의 IDT를 갖는 탄성표면파 필터의 적어도 일부의 전극지를 웨이팅함으로써, 평형신호단자간의 각 특성(진폭 밸런스, 위상 밸런스, 전송특성 중의 적어도 하나)의 밸런스를 조정할 수 있으므로, 각 특성의 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 쌍이 되는 상기 평형신호단자 사이에 있어서의, 진폭평형도 및 위상평형도의 적어도 한쪽을 개선하도록, 상기 일부의 전극지가 웨이팅되어 있는 것이 바람직하다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 웨이팅이, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 IDT 중에서 적어도 한쪽에 있어서의, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지로부터 몇개의 전극지에 대하여 실시되어 있어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 웨이팅이, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 IDT 중에서 적어도 한쪽에 있어서의, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지의 근방에 위치하는 몇개의 전극지에 대하여 실시되어 있어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 웨이팅이, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 IDT 중에서 적어도 한쪽에 있어서의, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지로부터 상기 IDT의 탄성표면파의 전파방향의 1/2이내까지의 범위의 전극지에 대하여 실시되어 있어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 웨이팅이, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 IDT 중에서 적어도 한쪽에 있어서의 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지에 대하여 실시되어 있어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 IDT의 서로 이웃하는 부위의 전극지가 각각 접지 전극지와 시그널 전극지이며, 상기 접지 전극지 및 시그널 전극지의 적어도 한쪽에 대하여 상기 웨이팅이 실시되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 웨이팅되는 전극지는 상기 탄성표면파 필터의 시그널 전극지이어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 웨이팅은 상기 탄성표면파 필터의 평형신호단자에 접속되어 있는 IDT의 전극지에 실시되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 탄성표면파 필터는 적어도 1개의 IDT를 다른 IDT에 대하여 위상반전하여 가지며, 상기 웨이팅은 상기 위상반전된 IDT의 전극지에 대하여 실시되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 웨이팅은 시닝　아웃　웨이팅이어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 시닝　아웃　웨이팅된 전극지가 접속되어 있는 버스 바와 대향하는 대향 버스 바에, 더미 전극이 마련되어 있는 것이 바람직하다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 더미 전극을 사이에 두고 서로 이웃하는 IDT의 접지에 접속된 전극지끼리를 접속하는 접지 접속부가 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 웨이팅은 전극지의 교차폭을 다른 전극지와 다르게 하는 교차폭 웨이팅이어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 교차폭 웨이팅은 교차방향의 대략 중앙부에서 실시되어 있는 것이 바람직하다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 교차폭 웨이팅된 전극지와 이웃하는 전극지도 교차폭 웨이팅되어 있으며, 또한, 상기 2개의 교차폭 웨이팅된 전극지 각각에 대면하도록, 절곡하여 형성되는 더미 전극이 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 교차폭 웨이팅된 전극지는, 서로 이웃하는 IDT의 한쪽의 최외측 전극지이며, 또한, 다른쪽의 IDT에는 상기 교차폭 웨이팅된 전극지에 대향하도록 더미 전극이 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 더미 전극은 접지에 접속되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 웨이팅은 전극지의 듀티를 다른 전극지와 다르게 하는 듀티웨이팅이어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 탄성표면파 필터는 적어도 3개의 IDT를 가지며, 서로 이웃하는 IDT의 적어도 한쪽에는, 각각 상기한 것 중 어느 하나에 기재된 웨이팅이 실시되어 있음과 아울러, 상기 웨이팅이 각각 달라도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 탄성표면파 필터가 2개 마련되어 있으며, 상기 각 탄성표면파 필터에서는, 각각 상기한 것 중 어느 하나에 기재된 웨이팅이 실시되어 있음과 아울러, 상기 웨이팅이 서로 달라도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 탄성표면파 필터는 각각 서로 이웃하는 적어도 3개의 IDT를 가지며, 서로 이웃하는 IDT의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 영역에서 최외측 전극지와 다른 몇개의 전극지에 대하여 교차폭 웨이팅되어 있으며, 또한 다른 서로 이웃하는 IDT의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지에 대하여 시닝　아웃　웨이팅되어 있음과 아울러, 상기 시닝　아웃　웨이팅된 부위에는, 상기 시닝아웃　웨이팅된 전극지가 접속된 버스 바와 대향하는 대향 버스 바에 접속된 더미 전극이 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 탄성표면파 필터는 각각 서로 이웃하는 적어도 3개의 IDT를 가지며, 서로 이웃하는 IDT의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지의 듀티를 다른 전극지와 다르게 하는 듀티웨이팅이 실시되어 있으며, 또한 다른 서로 이웃하는 IDT의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지에 대하여 시닝　아웃　웨이팅되어 있음과 아울러, 상기 시닝　아웃　웨이팅된 부위에는 상기 시닝　아웃　웨이팅된 전극지가 접속된 버스 바와 대향하는 대향 버스 바에 접속된 더미 전극이 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 탄성표면파 필터가 2개 마련되어 있으며, 한쪽의 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 IDT의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 영역에서 최외측 전극지와 다른 몇개의 전극지에 대하여 교차폭 웨이팅되어 있으며, 또한, 다른쪽의 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 IDT의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 IDT가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지에 대하여 시닝　아웃　웨이팅되어 있음과 아울러, 상기 시닝　아웃　웨이팅된 부위에는 상기 시닝　아웃　웨이팅된 전극지가 접속된 버스 바와 대향하는 대향 버스 바에 접속된 더미 전극이 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 탄성표면파 필터는 평형신호입력-평형신호출력 필터 기능을 갖도록 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 탄성표면파 필터는 평형신호입력-불평형신호출력 필터 기능, 또는 불평형신호입력-평형신호출력 필터 기능을 갖도록 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 IDT의 적어도 1개는 교차폭방향으로 2분할되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기의 쌍이 되는 평형신호단자가, 1개의 IDT에 있어서의 양 극의 빗살형상전극에 각각 접속되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 IDT의 적어도 1개는 탄성표면파의 전파방향으로 2분할되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기의 쌍이 되는 평형신호단자 사이에, 접지된 전기적 중성점을 갖지 않아도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 탄성표면파 필터가 2개, 평형신호입력-평형신호출력 필터 기능을 갖도록 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 탄성표면파 필터가 2개, 입력신호에 대한 출력신호의 위상을 약180도 다르게 하도록 마련되며, 상기 각 탄성표면파 필터는, 평형신호입력-불평형신호출력 필터 기능, 또는 불평형신호입력-평형신호출력 필터 기능을 갖도록 마련되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 불평형신호단자측에, 또한 탄성표면파 필터가 캐스케이드 접속되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 탄성표면파 필터는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터이어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 홀수개의 IDT를 갖고 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 3개의 IDT를 갖고 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 적어도 1개의 IDT의 총 전극지 갯수가 짝수개이어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 3개 또는 3개 이상의 IDT 중에서, 적어도 평형신호단자에 접속되어 있는, IDT의 전극지의 총 갯수가 짝수개이어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 3개 또는 3개이상의 IDT의 중에서, 적어도 중앙부에 위치하는 IDT의 전극지의 총 갯수가 짝수개이어도 된다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 탄성표면파 필터에, 직렬 및 병렬의 적어 도 한쪽에서, 탄성표면파 공진자가 적어도 1개 접속되어 있어도 좋다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 탄성표면파 필터는 2개이상의 탄성표면파 필터부를 캐스케이드 접속한 것이어도 된다.
본 발명의 다른 탄성표면파 장치에서는, 상기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판상에, 복수의 전극지를 갖는 입력용 IDT와, 복수의 전극지를 갖는 출력용 IDT가, 세로결합공진자형을 형성하도록 탄성표면파의 전파방향을 따라서 마련되며, 상기 입력용 IDT 및 출력용 IDT의 적어도 한쪽의 각 전극지의 최외측 전극지와 다른 내측 전극지에, 웨이팅된 웨이팅 전극지를 갖고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 입력용 IDT 및 출력용 IDT의 한쪽은, 평형용이며, 평형측의 각 IDT의 적어도 한쪽에 웨이팅 전극지를 갖고 있는 것이 바람직하다. 상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 불평형형-평형형 변환을 갖고 있어도 좋다.
상기 구성에 따르면, 입력용 IDT 및 출력용 IDT의 적어도 한쪽의 각 전극지에, 웨이팅 전극지를 마련함으로써, 출력신호, 특히 평형용의 각 출력신호 간의 각특성(진폭 밸런스, 위상 밸런스, 전송특성)의 밸런스를 조정할 수 있으므로, 각 특성의 밸런스 특성을 개선할 수 있다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 웨이팅 전극지는, 하나의 IDT에 있어서의 최외측 전극지의 다음으로부터 모든 전극지의 1/2이내까지의 범위내에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 웨이팅 전극지는 다른 전극지보다 짧게 설정되어 있는 것이 바람직하다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 입력용 IDT 및 출력용 IDT의 적어도 한쪽의 각 전극지에, 다른 IDT와 서로 대면하는 위치의 최외측 전극지를 포함하는 2개이상, 연속된 접지 전극지가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 구성에 따르면, 한쪽의 각 전극지에, 서로 대면하는 위치의 최외측 전극지를 포함하는 2개이상, 연속된 접지 전극지를 형성함으로써, 예를 들면 평형용의 각 출력신호와 같이 위상차를 180°에 가깝게 설정하는 것을 간소한 구성에 의해 확실하게 할 수 있다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 웨이팅 전극지는 상기 입력용 IDT 및 출력용 IDT의 적어도 한쪽의 접지된 전극지인 각 접지 전극지의 이웃하는 사이에서 형성되는 무전계부의 크기를 제어하도록 설정되어 있는 것이 바람직하다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 입력용 IDT 또는 출력용 IDT는 평형용이며, 평형용의 2개의 IDT에서, 상기 무전계부의 크기가 거의 동일하게 되도록 설정되어 있는 것이 바람직하다.
상기 구성에 따르면, 웨이팅 전극지를, 무전계부의 크기를 제어, 더욱 바람직하게는 평형용의 2개의 IDT에서, 상기 무전계부의 크기를, 거의 동일해지도록 설정함으로써, 각 IDT, 특히 출력용 IDT에서의 탄성 에너지로부터 전기 에너지로의 변환의 밸런스를 조정할 수 있기 때문에, 밸런스 특성을 향상할 수 있다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 상기 웨이팅 전극지를 향하여, 접지된 제 1 밸런스용 전극지가 상기 웨이팅 전극지의 길이에 맞춰서 연장되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 구성에 따르면, 짧게 설정된 웨이팅 전극지에 의해 형성되는 무전극지부분이, 제 1 밸런스용 전극지에 의해 어느정도 커버할 수 있으므로, 상기 무전극지 부분에 의한 밸런스 특성의 열화를 회피할 수 있다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 웨이팅 전극지와 다른 위치를 향하여, 접지된 제 2 밸런스용 전극지가 상기 웨이팅 전극지의 길이에 맞춰서 형성되며, 상기 제 2 밸런스용 전극지 및 웨이팅 전극지에 대면하도록 절곡하여 형성되는 더미 전극이 마련되어 있어도 좋다.
상기 구성에 따르면, 더미 전극을 마련하는 것에 의해, 양호한 밸런스 특성을 유지하면서, 전송특성을 더욱 향상할 수 있다.
본 발명의 통신 장치는, 상기의 과제를 해결하기 위해서, 상기한 것 중 어느 하나에 기재된 탄성표면파 장치를 채용한 것을 특징으로 하고 있다. 상기 구성에 따르면, 뛰어난 밸런스 특성을 구비한 탄성표면파 장치를 사용했으므로, 상기 구성의 성능을 향상할 수 있다.
(발명의 실시형태)
본 발명의 각 실시형태에 대해서 도 1 내지 도 65에 의거하여 설명하면, 이하와 같다.
(제 1 실시형태)
본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성표면파 장치는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 불평형형-평형형 변환기능과 필터 기능을 갖는 것으로, 입력용의 IDT(1)와, 그 양측(탄성표면파의 전파방향을 따라서)에 각각 배치된 출력용의 각 IDT(2, 3) 와, 게다가 그들의 외측에 각각 배치된 각 반사기(4)를, 압전기판(8)상에 갖고 있다. 한편, 상기의 입력과 출력은 서로 교체가능하다.
요컨대, 출력용의 각 IDT(2, 3)는 그들의 사이에 입력용의 IDT(1)를 끼우도록 배치되어 있다. 게다가, 각 반사기(4)는 그들 사이에 IDT(2), IDT(1) 및 IDT(3)를 끼우도록 배치되고 있으며, 전파해 오는 탄성표면파를 반사하도록 되어 있다. 상기 압전기판(8)은 예를 들면 40±5° Y컷 X전파 LiTaO3로 이루어지는 것이다.
IDT(1, 2, 3)는 띠형상의 기단부(버스 바)와, 그 기단부의 한쪽의 측부에서 직교하는 방향으로 연장되는 복수의, 서로 평행하며 등간격의 띠형상의 각 전극지를 구비한 전극지부를 2개 구비하고 있으며, 상기 각 전극지부의 전극지의 측부를 서로 대면하도록 서로의 전극지 사이에 편입한 상태에서 상기 각 전극지부를 갖는 것이다.
이러한 IDT(1, 2, 3)에서는, 각 전극지의 길이나 폭, 이웃하는 각 전극지의 간격, 서로의 전극지 사이에서의 편입된 상태의 대면 길이를 나타낸 교차폭을, 각각 설정함으로써, 신호변환특성이나, 통과대역의 설정이 가능해지고 있다. 본 제 1 실시형태에서는, IDT(1)의 전극지의 갯수는 39개로 설정되며, IDT(2, 3)의 전극지의 갯수가 23개로 설정되어 있다.
또한, 상기의 각 전극지나 버스 바나, 각 반사기(4)는 포토리소그래피법등에 의해 압전기판(8)상에 형성된, 예를 들면 알루미늄(Al)전극(박)에 의해 형성되어 있다.
그리고, 본 제 1 실시형태에서는, 불평형형 신호를 입력하여, 평형형 신호를 출력하기 위해서, 입력용의 IDT(1)에 있어서는, 불평형용의 입력단자(5)에 접속된 각 시그널 전극지(11)과, 접지된 각 접지 전극지(12)가 전술한 바와 같이 서로 편입된 상태로 마련되어 있다.
또한, 상기 IDT(1)에서는, 탄성표면파의 전파방향에서의 양 단부에 있는, 최외측 전극지가, 각각 접지 전극지가 되도록 접지 전극지(12)는 설정되어 있다. 상기 최외측 전극지는 IDT(2, 3)의 각 최외측 전극지의 한쪽과 각각 대면하는 위치에 있다.
한편, IDT(2)에 있어서는, 각 접지 전극지(21)와, 평형용의 출력단자(6)에 접속된 시그널 전극지(22)가 전술한 바와 같이 서로 편입된 상태에서 마련되어 있다. 또한, 각 접지 전극지(21)에 연결되는 버스 바(23)는, 입력용의 IDT(1)의 각 시그널 전극지(11)에 연결되는 버스 바(13)에 대하여 거의 직선형상이 되도록 배치되어 있다. 또한, IDT(2)에서는, 탄성표면파의 전파방향에서의 양 단부의 각 전극지가 되는 각 최외측 전극지가 각각 접지 전극지(21)로 되어 있다.
IDT(3)에서는, 각 접지 전극지(31)와, 평형용의 출력단자(7)에 접속된 시그널 전극지(32)가 전술한 서로 편입된 상태에서 마련되어 있다. 각 접지 전극지(31)에 연결되는 버스 바(33)는, 입력용의 IDT(1)의 각 시그널 전극지(11)에 연결되는 버스 바(13)에 대하여 거의 직선형상이 되도록 배치되어 있다.
또한, IDT(1)의 각 접지 전극지(12)의 버스 바(14)는 IDT(2)의 각 시그널 전극지(22)의 버스 바(24)와, IDT(3)의 각 시그널 전극지(32)의 버스 바(34)를 각각 직선형상이 되도록 설정되어 있다.
게다가, 본 제 1 실시형태에서는, 출력용의 각 IDT(2, 3)는 구조상에 있어서 서로 반전되어 마련되어 있다. 요컨대, IDT(2)에 있어서는, IDT(1)에 가까운 쪽에서부터, 접지 전극지에서 시작되고, 시그널 전극지, 접지 전극지로, 교대로 설정되어 있는 한편, IDT(3)에서는, IDT(1)에 가까운 쪽에서부터, 시그널 전극지에서 시작되고, 접지 전극지, 시그널 전극지로, 교대로 설정되어 있다.
이에 따라서, 본 제 1 실시형태에 있어서는, 각 IDT(2, 3)사이에서의 진폭차가 0, 위상차가 180°에 가까워지도록 설정되어 있으므로, 평형-불평형 변환기능을 발휘할 수 있게 된다.
그리고, 본 제 1 실시형태에서는, IDT(1)와 IDT(3)가 이웃하는 부위에 있어서, IDT(3)의 최외측 전극지가 시닝　아웃　웨이팅되어 있다. 시닝　아웃　웨이팅된 전극지의 위치에는, 접지된 더미 전극(31a)이 형성되어 있다. 이에 따라서, IDT(1)과 IDT(3) 사이의 근방이 되는 IDT(3)에서는, 접지 전극지가 더미 전극(31a) 및 접지 전극지(3lb)와 같이 2개 연속으로 나란하도록 되어 있다.
게다가, 본 제 1 실시형태에서는, 출력용의 IDT(2)에 있어서의 시그널 전극지(22) 중에서 입력용의 IDT(1)에 가까운 쪽(최외측 전극지)의 접지 전극지(21)의 다음이 되는 시그널 전극지(22)의 위치에 교차웨이팅 전극지(22a)를 설정했다. 상기 교차웨이팅 전극지(22a)에서는, 교차웨이팅 전극지(22a)의 길이가, 다른 시그널 전극지(22)의 길이에 대하여, 예를 들면 약 절반, 즉 교차폭을 조절한 교차웨이팅이 되도록 설정되어 있다.
게다가, 짧게 설정된 웨이팅 전극지(22a)에 의해 생긴 공간을 메우도록, 접지되어 있는 버스 바(23)로부터 연장되는, 오프셋(offset) 전극지인 띠형상의 더미 전극(제 1 밸런스용 전극지)(21a)가 형성되어 있다. 더미 전극(21a)은 서로 이웃하는 각 접지 전극지(21)에 대하여 등간격으로 거의 평행하게, 교차웨이팅 전극지 (22a)의 선단부를 향하여 연장되어 있다.
다음으로, 본 제 1 실시형태의 작용·효과에 대해서 설명하겠다. 우선, 비교로서, 도 2에, 상기의 시닝　아웃　웨이팅, 및 교차웨이팅을 행하고 있지 않는, 제 1 비교예의 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치의 각 IDT의 개략구성도를 나타낸다. 제 1 비교예의 구성에서는, IDT(1)과 IDT(40)의 이웃하는 부위에는 접지 전극끼리가 나란한데 비하여, IDT(1)과 IDT(41) 사이에는, 시그널 전극과 접지 전극이 나란하다. 따라서, IDT(1)과 IDT(40) 사이에는, 전기와 탄성표면파의 변환이 행해지지 않는 무전계부(9)가 존재하는데 비하여, IDT(1)과 IDT(41) 사이에서는, 전기신호(시그널)와 탄성표면파 사이의 변환이 행해진다. 이 때문에 평형신호단자(6, 7)로부터 출력되는 신호의 주파수나 진폭 레벨이 다르고, 게다가 위상도 완전히 180도 반전되지 않고, 그 결과, 평형신호단자간의 평형도가 나빠지고 있었다.
본 제 1 실시형태에서는, 우선, 제 1 비교예에 나타낸 시그널 전극과 접지 전극이 나란한 IDT(1), IDT(41)가 서로 이웃하는 부위의 전극지를, 도 3에 나타낸 것 같이, 시닝　아웃　웨이팅하고, 게다가 시닝　아웃　웨이팅된 전극지의 위치에, 더미 전극(31a)을 형성했다. 요컨대, IDT(1)과 IDT(3) 사이의 근방의 IDT(3)에는, 2개의 접지 전극지가 나란하도록 했다. 이에 따라서, IDT(1)과 IDT(3) 사이, IDT(1)와 IDT(40) 사이의 전기신호와 탄성표면파 사이에서의 변환효율의 차가 시정되어, 평형신호단자(6, 7)사이의 평형도가 개선된 탄성표면파 장치가 얻어진다.
게다가, 더미 전극(31a)을 형성함으로써, 탄성표면파가 벌크파로 변환되는 것에 따른 손실의 증가를 막고, 통과대역내의 삽입손실이 양호한 탄성표면파 장치가 얻어진다. 또한, 더미 전극(31a)은 접지하지 않고 부유전극으로 해도 좋지만, 부유전극은 평형신호단자(6, 7)사이의 평형도가 악화되는 원인이 되므로, 접지해 두는 편이 좋다.
그러나, 도 3의 구성에서는, 시닝　아웃　웨이팅을 행함으로써, 무전계부(9)가 IDT(1)와 IDT(40)가 나란한 측부터, IDT(1)와 IDT(3)가 나란한 쪽이 커져버린다. 이래서는 아직 충분한 평형신호단자(6, 7)사이의 평형도를 얻을 수 없다. 따라서, 도 4에 나타낸 바와 같이, IDT(1)과 IDT(2)가 나란한 측의 시그널 전극지(22)에 교차폭 웨이팅을 실시한 교차웨이팅 전극지(22a)를 설정하고, 다시 더미 전극(21a)을 마련했다. 이에 따라서, IDT(1)과 IDT(2) 사이의 경계부 X1, 및 IDT(1)과 IDT(3) 사이의 경계부 X2에 있어서의 각 무전계부(9, 9)의 크기가 대략 일치하고, 평형신호단자간의 평형도가 더욱 개선된 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
게다가 더미 전극(21a)을 형성함으로써, 탄성표면파가 벌크파로 변환되는 것에 따른 손실의 증가를 막고, 통과대역내의 삽입손실이 양호한 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
이러한 접지된 더미 전극(21a, 31a)은 서로 이웃하는 각 접지 전극지(21, 3lb) 사이에서 무전계부(9)를 각각 형성하고 있으며, 후술하는 바와 같이 상기 각무전계부(9)의 형성영역(용량의 형성영역)의 크기를 제어할 수 있도록 되어 있다.
이상 설명한 바와 같은 교차웨이팅은, 시그널 전극에 실시하는 편이 적은 웨이팅으로 무전계부를 조정할 수 있으므로 효율적인데, 물론 접지 전극에 웨이팅되어 있어도 좋다.
또한, 웨이팅은 본 제 1 실시형태에 있어서는 입력용의 IDT(1)과 출력용의 IDT(2, 3)가 서로 이웃하는 부위의 전극지, 및 그 전극지로부터 2개째의 전극지에서 행했지만, 이것은 IDT의 어느 부분에서 행해도 좋다. 그러나, IDT가 이웃하는 전극지의 극성의 차에 의해 영향이 큰, 통과대역의 가장 고주파측에 있는 공진 모드(도 72의 C의 공진 모드)는 도 72b에서 나타낸 바와 같이 IDT가 이웃하는 부위에 있어서 전류의 분포가 크기 때문에, 도 4에 나타낸 바와 같이, 각 IDT(1, 2)가 서로 이웃하는 부위로부터, IDT(2)에 있어서의 탄성표면파의 전파방향 길이 a의 1/2의 범위내까지에서 행하는 것이, 효과적이다.
또한, 교차폭 웨이팅은 제 1 실시형태에서는, 시그널 전극지(22)를 대략 중앙부까지 짧게 한 교차웨이팅 전극지(22a)를 설정하는 것에 의해 실시되어 있으나, 교차폭 웨이팅의 양은 필요에 따라서 조정하면 좋다. 예를 들면, IDT(1)측의 시그널 전극지(22)에 약1/4의 교차폭 웨이팅을 행하고, 게다가, 다음의 시그널 전극지(22)에도 약1/4의 교차폭 웨이팅을 실시해도, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도 5에, 본 제 1 실시형태의 구성에서의 주파수에 대한 평형신호단자(6, 7) 사이의 진폭평형도, 도 6에 위상평형도를 나타낸다. 또 비교로서, 도 2에 나타낸 제 1 비교예의 구성에 있어서의 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도를 도 7에, 위상평형도를 도 8에 나타낸다. EGSM 송신용 필터의 통과대역의 주파수범위는 880MHz∼915MHz다.
이　범위에서의 주파수에 대한 평형신호단자(6, 7)사이의 진폭평형도는, 제 1 비교예에서는 -1.6dB∼+1.5dB(편차 3.1dB, 편차가 작으면 진폭평형도는 좋다)인데 비하여, 본 제 1 실시형태에서는 -0.7dB∼+1.2dB(편차1.9dB)로, 약 1.2dB 개선되어 있다. 평형신호단자(6, 7)사이의 위상평형도는 제 1 비교예에서는 172도∼189도 (편차 17도, 편차가 작으면 위상평형도는 좋다)인데 비하여, 본 제 1 실시형태에서는 178도∼184도(편차 6도)로, 약 11도 개선되어 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 제 1 실시형태에서는, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 사용하여 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치의 구성에 웨이팅을 실시함으로써, 종래의 탄성표면파 장치보다도 평형신호단자(6, 7) 사이의 평형도가 개선된 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
본 제 1 실시형태에서는, 3개의 IDT를 갖는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 1개 사용하는 구성으로 설명했지만, 본 발명은 이러한 구성에 한하지 않고, 평형신호단자(6, 7)를 갖는 탄성표면파 필터를 사용한 탄성표면파 장치이라면, 어떤 구성에 있어서도, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
예를 들면 도 9는 5개의 IDT를 갖는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 사용한 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치인데(평형신호단자(401, 402), 불평형신호단자(403)), 이렇게 3개 이상의 IDT를 갖는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 사용한 구성이나, 2개의 IDT를 갖는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터을 사용한 구성에 있어서도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다. 물론, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터에만 한하지 않고, 트랜스버셜형의 탄성표면파 필터나, 가로결합공진자형 탄성표면파 필터을 사용한 탄성표면파 장치에 있어서도, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한 본 제 1 실시형태에서는, 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치로 설명했지만, 예를 들면 도 10(평형신호단자(501)와 평형신호단자(502)가 쌍, 평형신호단자(503)와 평형신호단자(504)가 쌍으로 되어 있다)이나 도 11(평형신호단자(601)와 평형신호단자(602)가 쌍, 평형신호단자(603)와 평형신호단자(604)가 쌍으로 되어 있다)에 나타낸, 평형신호입력-평형신호출력의 탄성표면파 장치에 있어서도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다.
또한, 본 제 1 실시형태에서는, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 사용하여 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치를 구성하는 예로 설명했지만, 본 발명은 이 구성뿐만아니라, 모든 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치에 있어서, 효과를 얻을 수 있다.
예를 들면 도 12와 같이, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터에 있어서의 1개의 IDT의 양 극의 빗살형상전극에 각각 평형신호단자(701, 702)가 접속되며 (703이 불평형신호단자), 접지에 접지된 전기적 중성점을 갖지 않는 구성, 더욱이 도 13과 같이, 어느 한쪽의 IDT가 교차폭 방향으로 분할되어, 임피던스가 변경된 구성(801, 802가 평형신호단자, 803이 불평형신호단자), 더욱이 도 14와 같이, 탄성표면파의 전파방향으로 분할되며, 분할된 빗살형상전극 각각에 평형신호단자 (901, 902)를 접속하는 구성(903이 불평형신호단자)에 있어서도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다.
이 때, 도 15에 나타낸 바와 같이, 불평형신호단자(1003)를 좌우의 IDT에 있어서 각각 다른 방향의 빗살형상전극에 접속함으로써, 통과대역외의 감쇠량이 더욱 개선된 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.(1001, 1002가 평형신호단자).
게다가, 복수의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 조합하여, 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치의 구성에 있어서도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다.
예를 들면 도 16과 같이, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1104)에 대하여 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1105)의 입력신호에 대한 출력신호의 위상을 약180도 다르게 하고, 또한, 평형신호단자(1101, 1102)에 연결되는 IDT를 직렬접속, 불평형신호단자(1103)에 연결되는 IDT를 병렬접속하여, 평형-불평형변환 기능을 구비한 탄성표면파 장치의 구성, 더욱이 도 17와 같이 도 16의 구성에 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1201)를 캐스케이드 접속한 구성, 또한, 도 18와 같이, 도 68의 구성에 웨이팅을 실시해도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다.
이렇게, 게다가 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 캐스케이드 접속하는 구성에서는, 평형신호단자간의 평형도가 개선될 뿐만 아니라, 통과대역외의 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다. 이 때, 도 19와 같이, 캐스케이드 접속되 어 있는 각각 2개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 접속하고 있는 각 시그널 라인(1301, 1302)을 전송하는 전기신호의 위상이 서로 약 180도 다르도록, 각 IDT(1303, 1304)를 서로 반전시키고, 마찬가지로, 각 시그널 라인(1305, 1306)을 전송하는 전기신호의 위상이 서로 약 180도 다르도록, 각 IDT(1307, 1308)를 서로 반전시킴으로써, 평형신호단자간의 평형도를 더욱 개선한 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
게다가 도 20과 같이, 도 12의 탄성표면파 장치에 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1401)를 캐스케이드 접속한 구성에서도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다. 이 구성에서는, 평형신호단자간의 평형도가 개선될 뿐만 아니라, 통과대역외의 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다. 이 때 도 21과 같이, 도 19의 구성과 같이 각 시그널 라인(1501, 1502)을 전송하는 전기신호의 위상이 서로 약 180도 다르도록 각 IDT(1503, 1504)를 서로 반전시킴으로써, 평형신호단자간의 평형도를 더욱 개선한 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
또한, 2개이상의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터을 캐스케이드 접속하는 경우는, 특히 동일한 구성의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 사용할 필요는 없고, 예를 들면 입출력으로 임피던스를 조정하고자 하는 경우는 교차폭을 조정하거나, 또는 통과대역외의 감쇠량을 크게 하고 싶은 경우는 IDT의 쌍수나 이웃하는 IDT끼리의 중심간 거리, IDT와 반사기의 중심간 거리를 다르게 하는등, 각 탄성표면파 필터에서 설계를 달리하면 된다.
또한, 본 제 1 실시형태에서는, 어느 세로결합공진자형 탄성표면파 필터에 있어서도, 각 IDT의 전극지 총갯수를 홀수개로 했지만, 이것은 짝수개이어도 되고, 특히 도 22와 같이, 3개 있는 IDT의 중앙부에 위치하고, 게다가 평형신호단자에 접속되는 IDT의 전극지의 총갯수를 짝수개로 하는 것에서도, 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
이 경우, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터의 중심에 대하여 좌우의 대칭성이 향상되고, 게다가 평형신호단자에 접속되어 있는 전극지의 갯수가 동등해지므로, 보다 평형신호단자간의 평형도가 개선된 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
또한 도 23에 나타낸 바와 같이, 탄성표면파 공진자(1601, 1602)를 직렬접속한 구성이나, 도시하지 않았지만 탄성표면파 공진자를 병렬접속한 구성, 또는 그 양쪽을 접속한 구성에 있어서도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다. 이 구성의 경우, 평형신호단자간의 평형도가 개선될 뿐만 아니라, 특히 통과대역근방의 감쇠량이 큰 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
(제 2 실시형태)
본 제 2 실시형태에 대하여, 도 24 내지 도 28에 의거하여 설명하면 이하와 같다. 한편, 본 제 2 실시형태에 있어서는, 도 1에서 나타낸 탄성표면파 장치와 동일한 기능을 갖는 부재에 대해서는 동일한 부재번호를 부여해서 그 설명을 생략했다.
본 제 2 실시형태에 따른 탄성표면파 장치에서는, 웨이팅의 방법으로서, 도 24에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 실시형태에서의, 시닝　아웃　웨이팅 및 교차폭에서의 교차웨이팅 대신에, 직렬웨이팅이 사용되고 있다. 요컨대, 상기 제 1 실시형태에 기재된 IDT(2) 대신에, IDT(25)가 마련되어 있다.
IDT(25)에서는, 상술한 IDT(2)의 더미 전극(21a) 대신에, 교차웨이팅 전극지 22a의 내측의 (다음의) 접지 전극지(21)를 교차웨이팅 전극지(22a)와 마찬가지로 짧게 한 교차웨이팅 전극지(2lb)가 마련되며, 게다가, 상기 양자와 이간(즉 뜬 상태)되어 있는 더미 전극(제 2 밸런스용 전극지)(25a)이 마련되어 있다.
상기 더미 전극(25a)은 교차웨이팅 전극지(22a)와 동폭으로, 교차웨이팅 전극지(22a)와 다음의 시그널 전극지(22) 사이를, 그들과 거의 평행하게 연장되고, 계속하여 교차웨이팅 전극지(22a)의 선단부와 교차웨이팅 전극지(2lb)의 선단부 사이를 지나가고, 게다가, 교차웨이팅 전극지(2lb)와 최외측 접지 전극지(21) 사이를, 이들과 거의 평행하게 연장되도록 절곡하여 형성되는 전극지이다.
이러한 IDT(25)를 갖는 탄성표면파 장치에 대해서, 통과대역 근방의, 진폭평형도 및 위상평형도를 각각 측정했다. 그 결과를 도 25 및 도 26에 각각 나타내었다. 그 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, EGSM 송신용 필터의 통과대역의 범위에 있어서의 주파수-평형신호단자간의 진폭평형도는 -0.7dB∼+1.2dB(편차 1.9dB)로 제 1 실시형태와 동일하지만, 평형신호단자간의 위상평형도는 177도∼182도(편차 5도)로, 제 1 실시형태보다도 1도 더 개선되어 있다.
게다가, 제 1 실시형태에 있어서의 주파수에 대한 통과대역내의 전송특성을 도 27에 나타내고, 제 2 실시형태에 있어서의 주파수에 대한 통과대역내의 전송특성을 도 28에 나타내었다. 상기 양자를 비교하면, 제 1 실시형태에서는 통과대역내에 리플 A(도 27참조)이 발생하고 있지만, 제 2 실시형태에 있어서는, 상기 리플 A 가 발생하고 있지 않고(도 28참조), 제 1 실시형태보다도 통과대역내의 편차가 작은 탄성표면파 장치가 얻어지고 있다.
이상 설명한 바와 같이, 교차폭 웨이팅을 더욱 확장한 직렬웨이팅을 실시함으로써, 더욱 평형신호단자간의 평형도, 및 통과대역내의 편차가 개선된 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
게다가, 본 제 2 실시형태에서는, 상기 제 1 실시형태와 비교해도, 전송특성에 있어서 리플의 발생이 억제되고 있으며, 보다 뛰어난 전송특성을 갖는다는 것을 알 수 있다.
(제 3 실시형태)
본 발명의 제 3 실시형태에 대해서 도 29 내지 도 32에 의거해서 설명하면, 다음과 같다. 도 29에, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 구성을 나타낸다. 한편, 본제 3 실시형태에서는, PCS 수신용 필터를 예로 들어서 설명한다.
본 제 3 실시형태의 탄성표면파 장치에서는, 압전기판(200)상에, 3 IDT의 세로결합공진자형의 탄성표면파 필터(201)와, 탄성표면파 필터(201)에 직렬접속된 각 탄성표면파 공진자(202, 203)가 포토리소그래피법 등에 의해 형성된 알루미늄(Al)전극(박)에 의해 형성되어 있다. 상기 압전기판(200)의 소재로서는, 40±5° Y컷 X전파 LiTaO3를 들 수 있다. 이러한 탄성표면파 필터(201)는 상술한 도 10에 나타낸 것과 거의 동일한 것이다.
탄성표면파 필터(201)에 있어서는, 중심이 되고, 평형신호단자측이 되는 IDT(205)를 좌우에서 끼워넣도록(탄성표면파의 전파방향을 따라서) 각 IDT(204, 206)가 각각 형성되어 있다. 게다가, 각 IDT(204, 206)의 양 외측(탄성표면파의 전파방향을 따라)에, 상기 각 IDT(204∼206)로부터의 탄성표면파를 반사하는 각 반사기(207, 208)가 각각 형성되어 있다. 요컨대, 각 IDT나 반사기는, 각 전극지의 폭방향이 탄성표면파의 전파방향을 따르도록, 또한, 상기 탄성표면파의 전파로상에 설정되어 있다.
게다가, 탄성표면파 필터(201)에서는, 도 29로부터 알 수 있는 바와 같이, IDT(204)와 IDT(205)가 서로 이웃하는 부위 및 그들의 근방, 및 IDT(205)와 IDT(206)가 서로 이웃하는 부위 및 그들의 근방의, 몇개의 전극지(협피치 전극지)의 피치를, 상술한 바와 같이, 상기 각 IDT의 다른 부분보다도 작아지도록 설정하고 있다(도 29의 213와 214의 부위).
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 각 단자(210, 211)가 평형신호단자, 단자 (209)가 불평형신호단자이다. 따라서, IDT(204), IDT(206)는 불평형신호측이 되고, 각각 시그널 전극지(204a) 및 접지 전극지(204b), 시그널 전극지(206a) 및 접지 전극지(206b)를 구비하고 있다. 한편, IDT(205)는 평형신호단자측이 되고, 각 시그널 전극지(205a, 205b)를 구비하고 있게 된다. 따라서, 본 제 3 실시형태는, 접지에 접지된 전기적 중성점을 갖지 않는 구성에 웨이팅을 실시한 예이다.
각 탄성표면파 공진자(202, 203)는 시그널 라인(212)을 사이에 두고, 불평형신호단자(209)와 각 IDT(204, 206) 사이에 직렬접속되어 있다. 탄성표면파 공진자(202)는 IDT(202a)와, 그것을 끼우도록 탄성표면파의 전파방향을 따라 각 반 사기(202b, 202c)를 갖고 있다. 탄성표면파 공진자(203)는 IDT(203a)와, 그것을 끼우도록 탄성표면파의 전파방향을 따라 각 반사기(203b, 203c)를 갖고 있다.
본 제 3 실시형태의 특징은, IDT(205)와 IDT(206)가 서로 이웃하고, 탄성표면파의 전파방향에서 대면하고 있는 부위에 있어서의, IDT(206)의 전극지(219)의 부위에서 시닝　아웃　웨이팅되어 있는 점이다.
본 제 3 실시형태에서는, 상기 시닝　아웃　웨이팅으로서, IDT(206)의 시그널 전극지(206a)에 있어서의, IDT(205)에 이웃하는 부위(가장 가까운 쪽)의 전극지가 시닝　아웃　웨이팅되어 있다.
또한, 본 제 3 실시형태에서는, 각 전극지의 피치를 확보하여, 서로 이웃하는 각 IDT, 요컨대, 각 IDT(205, 206) 사이의 간격을 유지하기 위해서, 접지 전극지(206b)에 전극지(219)가, 협피치측의 접지 전극지(206b)와 동일한 교차폭, 동일 피치, 동일 듀티, 및 동일 선폭으로 마련되어 있다. 이에 따라서, IDT(206)에서는, IDT(205)에 이웃하는 부위에서, 접지 전극지(206b)가 복수, 예를 들면 2개, 서로 이웃하여 존재하게 된다.
탄성표면파 필터(201)의 상세한 설계는, 협피치 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI2(도 29의 213, 214의 부위), 그 밖의 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI1라고 하면,
교차폭 W: 60.6λI1
IDT갯수(204, 205, 206의 순): 29(4)/(4)44(4)/(4) 29개 (괄호안은 피치를 작게 한 전극지의 갯수)
IDT파장λI1: 2.06㎛, λI2: 1.88㎛
반사기파장λR: 2.07㎛
반사기갯수: 100개
IDT-IDT간격: 0.50λI2
파장λI1과 파장λI2의 각 전극지에서 끼워진 부위의 간격(도 29의 215, 216, 217, 218): 0.25λI1+0.25λI2
IDT-반사기간격: 0.47λR
듀티: 0.60(IDT, 반사기 모두)
전극 막두께: 0.080λI1
탄성표면파 공진자(202)의 상세한 설계를 이하에 나타낸다.
교차폭W: 40.6λ
IDT갯수: 241개
파장λ(IDT, 반사기 모두): 1.97㎛
반사기갯수: 30개
IDT-반사기간격: 0.50λ
듀티: 0.60(IDT, 반사기 모두)
전극 막두께: 0.084λ
탄성표면파 공진자(203)의 상세한 설계를 이하에 나타낸다.
교차폭W: 49.1λ
IDT갯수: 401개
파장λ(IDT, 반사기 모두): 2.04㎛
반사기갯수: 30개
IDT-반사기간격: 0.50λ
듀티: 0.60(IDT, 반사기 모두)
전극 막두께: 0.080λ
상기의 간격이란, 서로 이웃하는 2개의 전극지의 중심(폭방향에서의 중심)간 거리를 말한다.
다음으로, 본 제 3 실시형태의 각 특성을 측정하고, 그 결과를 도 30 및 도 31에 나타낸다. 본 제 3 실시형태의 구성에 있어서의, 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도의 측정결과를 나타낸 그래프를 도 30에, 위상평형도의 그래프을 도 31에 나타낸다.
비교로서, 도 32에 나타낸, 2개의 IDT가 이웃해 있는 부위에 있어서 시닝　아웃　웨이팅이 실시되지 않은 IDT(206c)를, IDT(206) 대신에 갖는, 제 2 비교예의 구성에서의 진폭평형도, 위상평형도를 도 30 및 도 31에 합쳐서 나타낸다.
도 32의 제 2 비교예의 구성은, 제 3 실시형태에 대하여, 시닝　아웃　웨이팅을 실시하지 않은 IDT(206c)를 IDT(206) 대신에 갖는 이외는 아주 동일한 구성이다. PCS 수신용 필터에 있어서의 통과대역의 주파수 범위는 1930MHz∼1990MHz이다.
이　범위에서의 최대의 진폭평형도는, 제 2 비교예에서는, -1.6dB∼+0.7dB(편차 2.3dB)인데 비하여, 제 3 실시형태에서는 -1.5dB∼+0.7dB(편차2.2dB)로, 약 0.1dB 진폭평형도가 개선되어 있다. 다음으로, 위상평형도는, 제 2 비교예에서는, 162도∼182도(편차20도)인데 비하여, 제 3 실시형태에서는 162도∼181도(편차19도 )로, 약 1도 위상평형도가 개선되어 있다.
이것은 시닝　아웃　웨이팅을 실시함으로써, IDT(205)와 IDT(206)가 서로 이웃하는 부위에서의 전극지의 극성이, 제 2 비교예에서는 +와 +에서 어느쪽도 시그널 전극지이었으나, 본 제 3 실시형태에서는, IDT(204)와 IDT(205)가 서로 이웃하는 부위의 극성과 동일한 -와 +가 되고, 좌우의 비대칭성이 개선된 효과이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 제 3 실시형태에서는, 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 필터에 있어서, 2개의 IDT가 서로 이웃하는 부위의 전극지를 시닝아웃　웨이팅함으로써, 종래의 탄성표면파 필터보다도 평형신호단자간의 평형도가 개선된 탄성표면파 필터를 얻을 수 있다.
(제 4 실시형태)
본 발명의 제 4 실시형태를 도 33 내지 도 41에 의거해서 설명한다. 제 4 실시형태에서는, EGSM 수신용 필터를 예로 들어서 설명한다.
제 4 실시형태에 따른 탄성표면파 장치는, 도 18에 나타낸, 입력신호에 대한 출력신호의 위상이 약 180도 상이한 2개의 각 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918, 1920)를 평형신호단자(1906, 1907)측은 직렬접속, 불평형신호단자(1905)측은 병렬접속해서 평형-불평형 변환기능을 갖게 하고, 게다가, 2개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918, 1920) 각각에 1개씩의 새로운 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918, 1918)를 캐스케이드 접속한 구성으로 하고, 상기 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1920)에, 시닝　아웃　웨이팅을 실시 하여, 더미 전극(190lb)을 갖고 있는 예이다.
제 4 실시형태에서는, 압전기판(8)상에 4개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918, 1920)가 Al전극에 의해 형성되어 있다. 4개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918, 1920)는 입력신호에 대한 출력신호의 위상이 약 180도 다른 점, 및 웨이팅되어 있는 점 이외는, 모두 동일한 설계이다. 또한, 제 4 실시형태에서는 제 3 실시형태와 마찬가지로, 2개의 IDT가 이웃하는 사이에, 몇개의 협피치 전극지가 마련되어 있다. 제 4 실시형태의 구성은, 웨이팅의 점 이외에, 기본적으로는 도 68에 나타낸 제 2 종래예의 구성과 같다.
세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918)의 상세한 설계는, 협피치 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI2, 그 밖의 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI1로 하면,
교차폭: 25.2λI1
IDT갯수(1902, 1901, 1903의 순): 23(4)/ (4) 26(4)/23(4)개 (괄호안은 피치를 좁게 한 전극지의 갯수)
IDT파장λI1: 4.204㎛,λI2: 3.854㎛
반사기파장λR: 4.279㎛
반사기갯수: 90개
IDT-IDT간격:
파장λI1과 파장λI2의 전극지에 끼워진 부위: 0.25λI1+0.25 λI2
파장λI2의 전극지에 끼워진 부위: 0.50λI2
IDT-반사기간격: 0.470λR
IDT듀티: 0.720
반사기듀티: 0.55
전극 막두께: 0.08λI1이다.
제 4 실시형태의 특징은, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918)에 대하여 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1920)의 입력신호에 대한 출력신호의 위상을 약 180도 다르게 하기 위하여 반전시킨 IDT(1901a)의 양단에 위치하고, 불평형신호단자(1905)와 접속된 전극지의 한쪽이 시닝 아웃되어 그 부분에 접지에 접속된 더미 전극(190lb)을 마련하고 있는 점이다.
다음으로, 본 제 4 실시형태의 작용·효과에 대해서 설명한다. 도 34에, 제 4 실시형태의 구성에서의 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도를 나타낸다. 비교로서, 도 68의 제 2 종래예에서의 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도를 도 34에 나타낸다. 도 68의 제 2 종래예의 구성은 제 4 실시형태에 대하여, 시닝　아웃　웨이팅을 실시하지 않은 이외는, 아주 동일한 구성이다. EGSM 수신용 필터에 있어서의 통과대역의 주파수범위는 925MHz∼960MHz이다.
이　범위에서의 평형신호단자간의 진폭평형도는, 제 2 종래예에서는 -0.2dB∼+1.3dB(편차1.5dB)인데 비하여, 제 4 실시형태에서는 -0.7dB∼+0.2dB(편차0.9dB)로, 약 0.6dB 진폭평형도가 개선되어 있다.
이하에, 제 4 실시형태의 효과가 얻어진 이유를 설명한다. 탄성표면파의 여진은, 극성이 다른 전극지가 인접하는 경우에, 그 전극지 사이에서 행해진다. 도 35에, 도 68에 기재된 각 탄성표면파 필터(118, 127)에 있어서의, IDT끼리가 인접하는 주변(도 68에서 ○으로 둘러싼 부분)에서의 탄성표면파의 여진상태에 대해서 도시한다.
도 35에서는, 각각 IDT가 인접하는 부분의 단부에서 3개의 전극지만을 나타내고, 그 외에 대해서는 생략하고 있다. 도 68의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(118, 127)는, 도 35에서는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2007, 2008)에, 도 68의 IDT(113, 114, 115)는, 도 35에 있어서는 IDT(2001, 2002, 2003)에, 도 68의 IDT(133,134, 135)는, 도 35의 IDT(2004, 2005, 2006)에 각각 대응하고 있다. 도중으로 ○를 붙인 부분에서는, 탄성표면파가 여진되고, ×를 붙인 부분에서는, 탄성표면파는 여진되지 않는 것을 나타낸다.
제 2 종래예의 경우, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2007)에 있어서, IDT(2001, 2002, 2003) 각각의 최외측 전극지는 접지 전극이기 때문에, 각각의 인접하는 전극지 사이에서는 탄성표면파의 여진은 행해지지 않는다.
한쪽, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2008)에 있어서는, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2007)의 IDT(2001)와 방향을 반전시킨 IDT(2004)에 의해, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2007)와의 입력신호에 대한 출력신호의 위상을 약 180도 다르게 하고 있기 때문에, IDT(2004)의 최외측 전극지는 시그널 전극이며, IDT(2005, 2006)의 최외측 전극지는 접지 전극이다.
이 때문에, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2008)에 있어서는, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2007)의 경우와 달리, 각각의 인접하는 전극지 사이에 있어서도 탄성표면파의 여진이 행해지고, 전체적으로 비교하면, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2007)에 비하여, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2008)에서는 탄성표면파의 여진이 행해지는 부위가 2부위 많아진다.
이에 따라서, 제 2 종래예에 있어서는, 세로결합공진자형 탄성표면파필터(200)와 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2008)에서, 인접하는 전극지 간격부에 있어서의 탄성표면파의 유효전류의 강도분포가 다르고, 그 결과, 도 72에 나타낸 3개의 공진 모드 중에서, 중앙에 위치하는 공진 모드와 가장 고역측에 위치하는 공진 모드의 간격이 다르고, 평형신호단자간의 평형도가 악화되어 있다.
다음으로, 도 36에, 도 33에 나타낸 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918, 1920)에 있어서의, IDT끼리가 인접하는 주변(도중에 ○으로 둘러싼 부분)에서의 탄성표면파의 여진상태에 대해서 도시한다. 도 36에 있어서도 도 35와 마찬가지로, 각각 IDT가 인접하는 부분의 단부에서부터 3개의 전극지만을을 나타내고, 그 외에 대해서는 생략하고 있다.
도 33에 있어서의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918, 1920)는, 도 36의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2107, 2108)에, 또한, 도 33에 있어서의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1918)의 IDT(1902, 1901, 1903)는, 도 36의 IDT(2102, 2101, 2103)에, 도 33에 있어서의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(1920)의 IDT(1901a, 1902, 1903)는, 도 36의 IDT(2104, 2105, 2106)에 각각 대응하고 있다.
제 4 실시형태의 경우에는, 입력측에 접속된 IDT의 방향을 반전함으로써, 세 로결합공진자형 탄성표면파 필터(2107)와 입력신호에 대한 출력신호의 위상을 약 180도 다르게 한 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2108)에 있어서, IDT(2104)의 최외측 전극지를 시닝　아웃　웨이팅하고, 그 부분에 더미 전극(2109)(도 33의 더미 전극(190lb))을 마련하고, 접지에 접속하고 있다.
이 때문에, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2108)에서는, 한쪽의 2개의 IDT가 인접하는 부분(2110)에 있어서, 시그널 전극지와 접지 전극지가 교대로 나란하기 때문에 탄성표면파가 여진되는데 비하여, 다른 한쪽의 2개의 IDT가 인접하는 부분(2111)에 있어서, 접지 전극지가 3개 나란하기 때문에 탄성표면파가 여진되지 않는 부분이 2부위 발생한다.
그 결과, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2107)와 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2108)에 있어서, 전극지 사이에서 탄성표면파가 여진되지 않는 부위의 총 수, 즉 전극지 사이에서 탄성표면파가 여진되는 부위의 총 수가 동등해지기 때문에, 제 2 종래예와 비교해서 공진 모드의 간격의 차가 작아져, 평형신호단자 사이에서의 진폭평형도가 개선된다.
예를 들면, 도 37에 나타낸 바와 같은 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2201)를 2단 종속으로 접속한 제 1 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2202)와, 제 1 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2202)에 대하여 2단째의 출력측에 접속되는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2201a)의 IDT(2203)의 방향을 반전함으로써, 제 1 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2202)와는 입력신호에 대한 출력신호의 위상을 약 180도 다르게 한 제 2 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2204)를 가지며, 1단째의 각 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2201)에 있어서의 중앙의 IDT를 병렬로 접속하고 불평형신호단자(2205)를, 2단째의 각 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2201, 2201a)의 중앙의 IDT를 직렬로 접속하여 평형신호단자(2206)를 구성한 경우가 있다.
상기 경우에서도, IDT(2203)의 최외측 전극지를 시닝　아웃　웨이팅하고, 그 부분에 더미 전극(2207)을 마련하고 접지에 접속함으로써, 출력측의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터에 있어서의 2개의 IDT가 인접하는 주변(도 37중에서 ○으로 둘러싼 부분)에서의 탄성표면파의 여진상태는 도 38과 같이 되고, 제 1 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2202)와 제 2 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2204)에 있어서, 전극지 사이에서 탄성표면파가 여진되지 않는 부위의 총 수, 즉 전극지 사이에서 탄성표면파가 여진되는 부위의 총 수가 서로 동등해지기 때문에, 평형신호단자간의 진폭평형도가 개선된다.
또한, 도 39에 나타낸 바와 같이, 2단째의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터의 중앙 IDT가 아니라, 외측의 IDT의 방향을 반전시킴으로써 입력신호에 대한 출력신호의 위상을 약 180도 다르게 한 경우도 있다.
상기 경우에 있어서도, 방향을 반전시킨 IDT(2301)의 한쪽의 IDT의 최외측 전극지를 시닝　아웃　웨이팅하고, 그 부분에 더미 전극지(2302)를 마련해서 접지에 접속함으로써, 출력측의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터에 있어서의 2개의 IDT가 인접하는 주변(도 39의 ○으로 둘러싼 부분)에서의 탄성표면파의 여진상태는, 도 40에 나타낸 바와 같이, 제 1 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2303)와 제 2 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2304)에 있어서, 전극지 사이에서 탄성표면파가 여진되지 않는 부위의 총 수, 즉 전극지 사이에서 탄성표면파가 여진되는 부위의 총 수가 서로 동등해지기 때문에, 평형신호단자간에서의 진폭평형도가 개선된다.
또한, 도 41에 나타낸 바와 같이, 도 33에 있어서의 3 IDT 타이프의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터 대신에 5 IDT 타이프의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 사용하여 구성한 경우에 있어서도, 방향을 반전시킨 IDT(2401)의 IDT의 한 쪽의 최외측 전극지를 시닝　아웃　웨이팅하고, 그 부분에 더미 전극지(2402)를 마련해서 접지와 접속함으로써, 제 1 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2403)와 제 2 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2404)에 있어서, 전극지 사이에서 탄성표면파가 여진되지 않는 부위의 총 수, 즉 전극지 사이에서 탄성표면파가 여진되는 부위의 총 수가 서로 동등해지기 때문에, 평형신호단자 사이에서의 진폭평형도가 개선된다.
이상, 설명한 바와 같이 제 4 실시형태에서는, 입력신호에 대한 출력신호의 위상이 약 180도 다른 2개의 탄성표면파 필터를 평형신호단자측은 직렬접속, 불평형신호단자측은 병렬접속해서 평형-불평형 변환기능을 갖게 하고, 더욱이 2개의 탄성표면파 필터 각각에 1개씩의 탄성표면파 필터를 캐스케이드 접속한 구성에 시닝아웃　웨이팅을 실시함으로써, 종래의 탄성표면파 장치보다도 평형신호단자간의 평형도가 개선된 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
(제 5 실시형태)
본 발명의 제 5 실시형태를 도 42 내지 도 46에 의거해서 설명한다. 본 제 5 실시형태에서는, DCS 수신용 필터를 예로 들어서 설명한다.
제 5 실시형태는 도 16에 나타낸, 입력신호에 대한 출력신호의 위상이 약 180도 다른 2개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 평형신호단자측은 직렬접속, 불평형신호단자측은 병렬접속해서 평형-불평형 변환기능을 갖게 한 구성에, 웨이팅을 실시한 예이다.
제 5 실시형태에서는, 상술한 압전기판(8)상에 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2501)와, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2501)에 직렬접속된 탄성표면파 공진자(2502)와 (2503)가, Al 전극에 의해 형성되어 있다. 2개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 입력신호에 대한 출력신호의 위상이 약 180도 다른 이외는, 모두 동일한 설계이다. 또한, 제 5 실시형태에서는 제 3 실시형태와 마찬가지로, 2개의 IDT가 이웃하는 사이에, 몇개의 협피치 전극지가 마련되어 있다.
세로결합공진자형 탄성표면파 필터의 상세한 설계는, 협피치 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI2, 그 밖의 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI1이라고 하면,
교차폭: 37.12λI1
IDT갯수 (2504, 2505, 2506의 순): (4) 19/ (4) 31(4)/19(4)개 (괄호안은 피치를 좁게 한 전극지의 갯수)
IDT파장λI1: 2.156㎛, λI2: 1.926㎛
반사기파장λR: 2.177㎛
반사기갯수: 150개
IDT-IDT간격: 파장λI1과 λI2의 전극지에 끼워진 부위: 0.25λI1+0.25λI2, 파장λI2의 전극지에 끼워진 부위: 0.50λI2
IDT-반사기간격: 0.50λR
IDT듀티: 0.63
반사기듀티: 0.60
전극 막두께: 0.09λI1
탄성표면파 공진자(2502)의 상세한 설계를 이하에 나타낸다.
교차폭: 14.3λI
IDT갯수: 241개
IDT파장 및 반사기파장: 2.102㎛
반사기갯수: 30개
IDT-반사기간격: 0.50λR
탄성표면파 공진자(2503)의 상세한 설계를 이하에 나타낸다.
교차폭: 37.1λI
IDT갯수: 241개
IDT파장 및 반사기파장: 2.023㎛
반사기갯수: 30개
IDT-반사기간격: 0.50λR이다.
제 5 실시형태의 특징은 탄성표면파 필터(2507)에 대하여 탄성표면파 필터(2508)의 입력신호에 대한 출력신호의 위상을 약 180도 다르게 하기 위해서 반전시킨, IDT(2509)의 단부에 위치하는 시그널 전극지의 한쪽이 시닝 아웃되어, 그 부분에 접지에 접속된 더미 전극(2510)을 마련하고 있으며, 더욱이 더미 전극 (2510)을 사이에 두고 3개의 각 IDT의 접지 전극을 공통화하고 있는 점이다.
다음으로, 본 제 5 실시형태의 작용·효과에 대해서 설명한다. 먼저, 도 43에 제 5 실시형태의 구성에서의 주파수에 대한 평형신호단자 간의 진폭평형도를 나타낸다. 비교로서 도 44에 나타낸, 제 3 비교예에서의 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도를 도 43에 합쳐서 나타낸다. 도 44의 제 3 비교예의 구성은 제 5 실시형태에 대하여, 시닝　아웃　웨이팅을 실시하고 있지 않은 이외는, 아주 동일한 구성이다.
DCS 수신용 필터에 있어서의 통과대역의 주파수범위는 1805MHz∼1880MHz이다. 이　범위에서의 평형신호단자간의 진폭평형도는, 제 3 비교예에서는, -1.0dB∼+3.2dB(편차 4.2dB)인데 비하여, 제 5 실시형태에서는 -0.5dB∼+1.5dB(편차 2.0dB)로, 약 2.2dB 진폭평형도가 개선되어 있다.
제 5 실시형태의 효과가 얻어진 이유를 설명하면, 도 44에 나타낸 제 3 비교예에서는 도 45에 나타낸 바와 같이, IDT끼리가 인접하는 주변(도 44의 ○으로 둘러싼 부분)에서의 탄성표면파가 여진되는 부위의 수가 제 1 탄성표면파 필터(2601)와 제 2 탄성표면파 필터(2602)에서 다른데 비하여, 제 5 실시형태의 경우에는, 도 46에 나타낸 바와 같이, IDT끼리가 인접하는 주변(도 42의 ○으로 둘러싼 부분)에서의 탄성표면파가 여진되는 부위의 수가 제 1 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2511)와 제 2 탄성표면파 필터(2512)에서 같아진다. 이 때문에, 도 72에 나타낸 3개의 공진 모드 중에서에 있어서의, 대역 중앙에 보여지는 공진 모드과 대역 고역측에 보여지는 공진 모드의 간격이, 2개의 평형신호단자로부터 출력되는 신호 사이에서, 제 3 비교예보다 일치했기 때문이다.
이상과 같이 제 5 실시형태에서는, 입력신호에 대한 출력신호의 위상이 약 180도 다른 2개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터를 평형신호단자측은 직렬접속, 불평형신호단자측은 병렬접속해서 평형-불평형 변환기능을 갖게 한 구성에 시닝　아웃　웨이팅을 실시함으로써, 종래의 탄성표면파 장치보다도 평형신호단자간의 평형도가 개선된 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
게다가 시닝 아웃된 위치에 마련되어진 더미 전극(2510)도 포함하여 3개의 각 IDT의 접지을 공통화함으로써, 탄성표면파 장치의 접지가 강화되어, 통과대역내의 삽입손실이나 통과대역외의 감쇠량이 개선된다. 게다가, 중앙부의 IDT의 접지 단자를 생략하는 것도 가능해 진다.
(제 6 실시형태)
본 발명에 따른 제 6 실시형태를 도 47 내지 도 54에 의거해서 설명한다. 본제 6 실시형태에서는, DCS 수신용 필터를 예로 들어서 설명한다.
제 6 실시형태는 제 3 실시형태와 같이, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2701)에 있어서의 1개의 IDT(2704)의 양 극이 되는 빗살형상 전극에 각각 평형신호단자(2711, 2712)가 접속되어, 각 평형신호단자(2711, 2712)에 있어서는, 접지에 접지된 전기적 중성점을 갖지 않는 구성에 웨이팅을 실시한 예이다.
제 6 실시형태에서는, 전술한 압전기판(8)상에 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2701)와, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2701)에 직렬접속된 탄성표면파 공진자(2702)와 (2703)가 Al전극에 의해 형성되어 있다.
세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2701)의 구성은, IDT(2704)의 좌우에 IDT(2705, 2706)를 배치하고, 이들 IDT를 끼워넣도록, 반사기(2707, 2708)가 형성되어 있다.
제 6 실시형태에서는 제 3 실시형태와 마찬가지로, 2개의 IDT가 이웃하는 사이에, 몇개의 협피치 전극지가 마련되어 있다(도 47의 2709와 2710의 부위). 단자 (2711)과 (2712)는 평형신호단자, 2713는 불평형신호단자다. 도 48에, 도 47의 IDT(2704)와 (2705)의 사이를 확대한 도를 나타낸다.
평형신호단자 2711에 접속된 IDT(2704)의 최외측 전극지(2704a)가 교차폭 웨이팅되고, 다시 웨이팅되어, 삭제된 부위에 더미 전극(2705a)이 마련되어, 접지에 접속되어 있다.
세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2701)의 상세한 설계는, 협피치 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI2, 그 밖의 전극지의 피치로 결정되는 파장을 λI1이라고 하면,
교차폭: 교차폭 웨이팅하지 않은 부분(도 48의 2805): 71.2λI1
교차폭 웨이팅한 부분(도 48의 2806): 35.6λI1
IDT갯수 (2705, 2704, 2706의 순): 21(4)/ (4) 35(4)/ (4) 21개 (괄호안은 피치를 작게 한 전극지의 갯수)
IDT파장λI1: 2.18㎛, λ I2: 1.96㎛
반사기파장λR: 2.18㎛
반사기갯수: 150개
IDT-IDT간격: 파장λI1과 λI2의 전극지에 끼워진 부위(도 47의 2714): 0.25λI1+0.25λI2
파장λI2의 전극지에 끼워진 부위(도 47의 2715): 0.50λI2
IDT-반사기간격: 0.460λR
IDT듀티: 피치를 좁게 하지 않은 부분: 0.63, 피치를 좁게 한 부분: 0.60
반사기듀티: 0.57
전극 막두께: 0.09λI1
탄성표면파 공진자(2702)의 상세한 설계를 이하에 나타낸다.
교차폭: 23.6λI
IDT갯수: 241개
IDT파장 및 반사기파장: 2.12㎛
반사기갯수: 30개
IDT-반사기간격: 0.50λR
탄성표면파 공진자(2703)의 상세한 설계를 이하에 나타낸다.
교차폭: 58.5λI
IDT갯수: 241
IDT파장 및 반사기파장: 2.04㎛
반사기갯수: 30개IDT-반사기간격: 0.50λR이다.
제 6 실시형태의 특징은 접지 전극지와 인접하고, 평형신호단자에 접속된 중앙의 IDT(2704)의 양단에 위치하는 전극지를 각각 교차폭 웨이팅한 교차웨이팅 전극지(2704a)를 형성하고, 더우기 교차폭 웨이팅된 부위에 더미 전극(2705a, 2706a)이 각각 마련되어서, 접지에 접속되어 있는 점이다.
다음으로, 본 제 6 실시형태의 작용·효과에 대해서 설명한다. 도 49에, 제 6 실시형태의 구성에서의 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도를 나타낸다. 비교로서 도 50에 나타낸, 제 4 비교예에서의 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도를 도 49에 합쳐서 나타낸다. 도 50의 제 4 비교예의 구성은, 제 6 실시형태로 대하여 중앙IDT의 양단의 전극지가 교차폭 웨이팅되어 있지 않는, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2701a)를 채용한 이외는, 아주 동일한 구성이다. DCS 수신용 필터에 있어서의 통과대역의 주파수범위는 1805MHz∼1880MHz이다.
이　범위에서의 평형신호단자간의 진폭평형도는, 제 4 비교예에서는 -1.3dB∼+3.3dB(편차4.6dB)인데 비하여, 제 6 실시형태에서는 -2.0dB∼+1.9dB(편차3.9dB)로, 약 0.7dB 진폭평형도가 개선되어 있다.
게다가, 제 4 비교예에서는, 평형신호단자간의 진폭평형도가 +측에 크게 벗어나 있지만, 제 6 실시형태에서는 +방향과 -방향의 변동이 거의 균등하게 되어 있다. 제 6 실시형태와 같이 +방향과 -방향의 변동이 거의 균등한 쪽이, +측이나 -측의 어느 한쪽에 크게 벗어나 있는 것보다도 동상(同相) 신호의 노이즈 레벨이 작아진다고 하는 이점이 있으며, 제 6 실시형태쪽이, 이 점에서도 뛰어나다.
제 6 실시형태의 효과가 얻어진 이유는, 접지 전극지와 인접하는 중앙 IDT(2704)의 양단의 전극지를 교차폭 웨이팅하고, 더욱이 교차폭 웨이팅된 부위에 더미 전극을 마련해서 접지에 접속함으로써, 평형신호단자(2711)에 접속되는 IDT와 평형단자(2712)에 접속되는 IDT의 양단의 전극지가 접지 전극지와 인접하게 되기 때문에, 각각에 인접하는 전극지와의 극성의 관계가 동일해졌기 때문이다.
다음으로, 교차폭 웨이팅의 최적값을 조사한 결과에 대해서 설명한다. 조사의 방법은, 도 47, 도 48의 구성에서, 교차폭 웨이팅하지 않은 부분의 교차폭(2805)에 대한 웨이팅하는 부분의 교차폭(2806)의 비율(이후, 교차폭 웨이팅의 비)을 변화시켜 가고, 그에 따른 통과대역내에서 평형신호단자간의 진폭평형도의 변화를 조사했다.
교차폭 웨이팅의 비는, 웨이팅하지 않은 도 50의 경우를 1, 도 47의 경우를 1/2로 하여, 교차폭 웨이팅의 비가 1/4, 1/2, 3/4인 경우에 대해서, 평형신호단자간의 진폭평형도를 조사했다. 도 51에, 교차폭 웨이팅의 비를 변화시켰을 때의 평형신호단자간에 있어서의 진폭평형도의 결과값을 나타낸다. 도 51에서는, 평형신호단자간의 진폭평형도는, +측의 변동분을 플롯하고 있다.
도 51에서, 교차폭 웨이팅의 비를 대략 0.5라고 한 경우, 다시 말해, 전극지의 대략 중앙의 위치에서 웨이팅한 경우에 통과대역내의 평형신호단자간의 진폭평형도는 최소가 된다. 이것은 중앙IDT의 양단의 전극지를 대략 중앙의 위치에서 웨이팅하고, 웨이팅된 전극지를 접지에 접속함으로써, 평형신호단자(2711)에 접속되는 IDT와 평형신호단자(2712)에 접속되는 IDT의 양단의 전극지에, 접지 전극지가 각각 전체의 교차폭의 대략 절반으로 인접하기 때문에, 각각에 인접하는 전극지와의 극성의 관계가 동일해진 효과이다.
이상, 설명한 바와 같이 제 6 실시형태에서는, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터에 있어서의 1개의 IDT(바람직하게는 중앙의 IDT)의, 양 극의 빗살형상전극에, 각각 평형신호단자가 접속되어, 접지에 접지된 전기적 중성점을 갖지 않는 구성에 있어서, 중앙 IDT의 양단의 전극지를 거의 중앙의 위치에서 교차폭 웨이팅 하고, 웨이팅에 의해 삭제된 위치에 마련되어진 더미 전극을 접지에 접속하는 것에, 종래의 탄성표면파 장치보다도 평형신호단자간의 진폭평형도를 개선한 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
제 6 실시형태에서는, 평형신호단자에 접속된 IDT의 양단의 전극지가, 양측에서 접지 전극지와 인접하고 있는 구성으로 설명했지만, 예를 들면, 도 52와 같이 한쪽에서는 접지 전극지와, 다른 한쪽에서는 시그널 전극지와 인접하고 있는 구성에 있어서도, 접지 전극지와 인접하고 있는 측의 시그널 전극지만을 교차폭 웨이팅 하고, 웨이팅에 의해 삭제된 위치에 마련한 더미 전극을 접지에 IDT를 개재하여 접속하는 것에, 평형신호단자간의 진폭평형도를 개선한 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
또한, 도 53과 같이, 2개 이상의 IDT의 양극으로부터 평형신호를 꺼내는 구성에 있어서도, 2개의 IDT 각각의 최외측 전극지를 교차폭 웨이팅하고, 웨이팅된 전극지를 IDT 및 반사기를 개재하여 접지에 접속하는 것에, 평형신호단자간의 진폭평형도를 개선할 수 있다.
제 6 실시형태에서는, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터가 3 IDT 타이프의 구성으로 설명했지만, 예를 들면 4개 이상의 IDT를 갖는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터의 경우에도, 도 54와 같이 평형신호를 꺼내는 IDT의 양단의 전극지를 교차폭 웨이팅하고, 웨이팅에 의해 삭제된 위치에 마련한 더미 전극을 접지에 IDT를 개재하여 접속하는 것에 의해, 평형신호단자간의 진폭평형도를 개선할 수 있다.
(제 7 실시형태)
본 발명에 따른 제 7 실시형태에 대해서 도 55 내지 도 61에 의거해서 설명한다. 본 제 7 실시형태에서는, PCS 수신용 필터를 예로 들어서 설명한다.
제 7 실시형태는 제 3 실시형태와 마찬가지로, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터의 1개의 IDT의 양 극의 빗살형상 전극에 각각 평형신호단자가 접속되어, 접지에 접지된 전기적 중성점을 갖지 않는 구성에 웨이팅을 실시한 예이다.
제 7 실시형태에서는, 상술한 압전기판(8)상에 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2901)와, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터(2901)에 직렬접속된, 각 탄성표면파 공진자(2902, 2903)가, Al전극에 의해 형성되어 있다. 제 7 실시형태의 구성은, 기본적으로는 제 3 실시형태의 도 29와 동일한 구성이다.
제 7 실시형태의 특징은 전극지(2919, 2920)의 듀티가 0.40으로 되어 있는 점이다. 또한, 제 7 실시형태에서는 시그널 라인(2912)과 평형신호단자(2910) 사이에, 접지에 접속된 실드 라인(2921)이 삽입되어 있다. 이와 같이 시그널 전극끼리가 이웃하는 부위에, 접지에 접속된 실드 라인을 삽입함으로써, 시그널 전극간의 교락(橋絡) 용량이 저감되어, 평형신호단자간의 평형도가 더욱 개선된 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
이하에, 본 제 7 실시형태의 작용·효과에 대해서 설명한다. 도 56에 제 7 실시형태의 구성에서의, 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도, 도 57에 위상평형도를 나타낸다. 비교로서 도 32에 나타낸, 제 2 비교예의 구성에서의 평형신호단자간의 진폭평형도, 위상평형도를 도 56 및 도 57에 합쳐서 나타낸다. 도 32의 제 2 비교예의 구성은 제 7 실시형태에 대하여, IDT(2905)의 IDT(2904, 2906)에 이웃하는 전극지의 듀티를 바꾸고 있지 않는 이외는, 아주 동일한 구성이다. PCS 수신용 필터에 있어서의 통과대역의 주파수범위는 1930MHz∼1990MHz이다.
이　범위에서의 평형신호단자간의 위상평형도의 편차는 제 7 실시형태와 제 2 비교예에서 거의 다르지 않지만, 평형신호단자간의 진폭평형도는, 제 2 비교예에서는 -0.5dB∼+2.3dB(편차 2.8dB)인데 비하여, 제 7 실시형태에서는 -0.6dB∼+2.0dB(편차2.6dB)로, 약 0.2dB 진폭평형도가 개선되어 있다.
게다가, 제 2 비교예에서는, 평형신호단자간의 진폭평형도 및 위상평형도가 +측이나 -측의 어느 한쪽에 크게 벗어나 있지만, 제 7 실시형태에서는 +방향과 -방향의 변동의 차가 작아져 있다. 제 7 실시형태와 같이 +방향과 -방향의 변동의 차가 작은 쪽이, +측인가 -측의 어느 한쪽에 크게 벗어나 있는 것보다도 동상 신호의 노이즈 레벨이 작아진다고 하는 이점이 있으며, 제 7 실시형태쪽이 이 점에서도 뛰어나다.
제 7 실시형태의 효과가 얻어진 이유는, IDT(2905)의 각 IDT(2904, 2906)에 이웃하는 전극지의 듀티를, 다른 전극지의 듀티보다 작게 함으로써, 각 평형신호단 자(2910, 2911)에 연결되는 전극지의 총 용량이나, 전기신호와 탄성표면파 사이의 변환효율을 시정함에 따른 효과이다.
이 전극지의 총 용량 등의 차이는, 특히 2개의 IDT가 이웃하는 부위에서 크기 때문에, 제 7 실시형태와 같이 이 부분의 전극지의 듀티를 조정함으로써, 가장 큰 효과가 얻어진다. 더욱 큰 효과를 얻기 위해서는, 도 58과 같이 , 2개의 IDT가 이웃하는 부위에 가까운 몇개의 전극지의 듀티를 조정하면 된다.
다음으로, 제 7 실시형태에 있어서의 다른 구성으로서, 도 59와 같이 IDT(2904a)와 IDT(2906a)의, IDT(2905b)와 이웃하는 전극지(도 59의 3001과 3002)의 듀티를, 다른 전극지의 듀티보다도 작게 한 경우의, 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도를 도 60에, 위상평형도를 도 61에 나타낸다. 이 때 전극지(3001)과 전극지(3002)의 듀티는 0.40으로 하고 있다.
비교로서, 도 32의 제 2 비교예의 구성에서의 평형신호단자간의 진폭평형도, 위상평형도를 도 60 및 도 61에 합쳐서 나타낸다. 이　범위에서의 평형신호단자문의 위상평형도의 편차는, 제 7 실시형태의 변형예와 제 2 비교예에서 거의 다르지 않지만, 평형신호단자간의 진폭평형도는, 제2비교예에서는 -0.5dB∼+2.3dB(편차2.8dB)인데 비하여, 제 7 실시형태의 변형예에서는 -0.5dB∼+2.0dB(편차2.5dB)로, 약 0.3dB 진폭평형도가 개선되어 있다.
이렇게, 도 59와 같이 불평형신호단자에 접속되어 있는 IDT의 전극지의 듀티를 조정하는 것으로도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다. 물론 이것에 더해서, IDT(2905b)에 듀티의 조정을 더해도, 본 발명의 효과는 얻을 수 있다.
이상, 설명한 것 같이 제 7 실시형태에서는, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터에 있어서의 1개의 IDT의 양 극이 되는 빗살형상 전극에 각각 평형신호단자가 접속되어, 접지에 접지된 전기적 중성점을 갖지 않는 구성에 있어서, IDT의 일부, 특히 2개의 IDT가 이웃하는 부위를 듀티웨이팅함으로써, 종래의 탄성표면파 장치보다도 평형신호단자간의 진폭평형도를 개선한 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
(제 8 실시형태)
본 발명에 따른 제 8 실시형태에 대해서, 도 62 내지 도 64에 의거해서 설명한다. 제 8 실시형태의 구성은, 제 7 실시형태와 같이 IDT(2905)의 IDT(2904), IDT(2906)와 이웃하는 전극지만의 듀티를 0.40으로 할 뿐만 아니라, 제 8 실시형태에서는, 평형신호단자(2910)에 접속되어 있는 IDT(2905)의 전극지의 듀티를 모두, 다른 전극지와 다르게 하고, 예를 들면, 더욱 작게, 0.40으로 하고 있다. 그 밖의 구성은 모두 제 7 실시형태의 구성과 같다.
이하에, 본 제 8 실시형태의 작용·효과에 대해서 설명한다. 도 63에, 제 8 실시형태의 구성에서의, 주파수에 대한 평형신호단자간의 진폭평형도, 도 64에 위상평형도를 나타낸다. 비교로서, 도 32에 나타낸 제 2 비교예의 구성에서의, 평형신호단자간의 진폭평형도, 위상평형도를 도 63 및 도 64에 합쳐서 나타낸다. PCS 수신용 필터의 통과대역의 주파수범위에서는, 평형신호단자간의 위상평형도는 제 2 비교예보다 약간 악화되어 있으나, 평형신호단자간의 진폭평형도는 제 2 비교예보다 약 0.5dB 개선되어 있다.
게다가 제 2 비교예에서는, 평형신호단자간의 진폭평형도 및 위상평형도가 +측인가 -측의 어느 한쪽에 크게 벗어나 있지만, 제 8 실시형태에서는 +방향과 -방향의 변동의 차가, 작게 되어 있다. 제 8 실시형태와 같이 +방향과 -방향의 변동의 차가 작은 쪽이, +측인가 -측의 어느 한쪽에 크게 벗어나 있는 것보다도 동상 신호의 노이즈 레벨이 작아진다고 하는 이점이 있으며, 제 8 실시형태쪽이 이 점에서도 뛰어나다.
이상, 설명한 것 같이 제 8 실시형태에서는, 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터의 1개의 IDT의 양극의 빗살형상전극에 각각 평형신호단자가 접속되어, 접지에 접지된 전기적 중성점을 갖지 않는 구성에 있어서, 평형신호단자의 한쪽에 접속되어 있는 전극지를 모두 듀티웨이팅하는 것에, 종래의 탄성표면파 장치보다도 평형신호단자간의 진폭평형도를 개선한 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
도 62와 같이, 평형신호단자(2910)에 접속되어 있는 IDT(2905c)의 전극지의 듀티를 모두 조정하면, 평형신호단자간의 진폭평형도를 더욱 개선할 수 있으나, 위상평형도는 반대로 악화된다. 그러나, 도 55나 도 58과 같이 모든 전극지는 조정하지 않고 필요한 갯수만 조정하거나, 혹은 전극지마다 듀티의 조정량을 다르게 함으로써, 평형신호단자간의 위상평형도를 악화시키지 않고, 진폭평형도를 개선하는 것은 가능하다.
(제 9 실시형태)
본 발명에 따른 제 9 실시형태에 대해서, 도 65에 의거해서 설명한다. 제 9 실시형태는 기본적으로는 제 7 실시형태와 동일한 구성이지만, IDT(2904)와 IDT(2905d)가 서로 이웃하는 부위에 있어서 IDT(2905d)의 전극지(3003)의 듀티를 작게 하고, 더욱이 IDT(2905d)와 IDT(2906b)가 이웃하는 부위에 있어서 IDT(2906b)의 최외측 시그널 전극지가 시닝 아웃되어, 그 시닝 아웃된 위치에 접지에 접속된 더미 전극(3004)이 설치된, 시닝　아웃　웨이팅되어 있다.
다음으로, 본 제 9 실시형태의 작용·효과에 대해서 설명한다. 이렇게 1개의 세로결합공진자형 탄성표면파 필터내에 2종류의 웨이팅 방법을 혼재하거나 몇종류의 웨이팅 방법을 혼재시킴으로써, 평형신호단자간의 평형도의 조정자유도가 향상되고, 소망의 평형신호단자간의 평형도를 갖는, 평형신호단자를 갖는 탄성표면파 장치를 얻을 수 있다.
이상의 각 실시형태에서는, 압전기판으로서, 40±5° Y컷 X전파 LiTaO3 기판을 사용하고 있으나, 효과가 얻어지는 원리로부터 알 수 있듯이, 본 발명은 이 기판에 한하지 않고, 64∼72° Y컷 X전파 LiNbO3, 41° Y컷 X전파 LiNbO3 등의 기판에서도 같은 효과를 얻을 수 있다.
또, 3이상의 IDT를 구비하는 탄성표면파 필터을 2개 사용하여, 평형-불평형 변환기능을 갖는 탄성표면파 장치에 있어서는, 탄성표면파 필터의 전극지에 대하여, 탄성표면파의 여진이 강해지는 방향으로 웨이팅하는 것이 바람직하다. 이에 따라서, 통과대역폭이 좁아지는 것을 억제하면서, 통과대역내의 진폭평형도를 개선할 수 있다.
이러한 탄성표면파의 여진이 강해지는 방향의 웨이팅의 예로서는, 한쪽의 탄 성표면파 장치(제 1 탄성표면파 장치)에는 웨이팅하지 않고, 다른쪽의 탄성표면파 장치(제 2 탄성표면파 장치)의 중앙의 IDT의 최외측 전극지(보다 바람직하게는 시그널 전극지)의 양자에 대하여, 시닝　아웃　웨이팅, 교차웨이팅(더미 전극의 형성도 포함한다), 또는 직렬웨이팅(가장 바람직하다)을 실시하는 것을 들 수 있다.
게다가, 상기 각 실시형태에서는, 각각 여러가지 웨이팅에 대해서 설명했지만, 이것들은 서로 독립된 작용·효과를 갗추고 있으며, 이것들을 2이상, 어떻게 조합하여 이용해도, 본원발명의 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른, 상기 각 실시형태에 기재된 탄성표면파 장치를 탑재한 통신 장치에 대해서, 도 66에 의거해서 설명하면 다음과 같다. 도 66에 나타낸 바와 같이, 제 1 내지 제 9 실시형태 중 어느 하나에 기재된 탄성표면파 장치를 탑재한 통신기(3100)는, 수신을 행하는 리시버측(Rx측)으로서, 안테나(3101), 안테나 공용부/RF Top 필터(3102), 앰프(3103), Rx 단간 필터(3104), 믹서(3105), 제 1 IF 필터(3106), 믹서(3107), 제 2 IF 필터(3108), 제 1+제 2 로컬 신시사이저(3111), TCXO(Temperature Compensated crystal Oscillator(온도보상형 수정발진기))(3112), 디바이더(3113), 로컬 필터(3114)를 구비하여 구성되어 있다. Rx 단간 필터(3104)로부터 믹서(3105)에는, 도 66에서 이중선으로 나타낸 바와 같이, 평형신호단자간의 평형도를 확보하기 위해서, 각 평형신호로 송신하는 것이 바람직하다.
또, 상기 통신 장치(3100)는 송신을 행하는 트랜시버측(Tx측)으로서, 상기 안테나(3101) 및 상기 안테나 공용부/RF Top 필터(3102)를 공용함과 아울러, Tx IF 필터(3121), 믹서(3122), Tx 단간 필터(3123), 앰프(3124), 커플러(3125), 아이솔레이터(3126), APC(Automatic Power Control(자동출력제어)) (3127)를 구비하여 구성되어 있다.
그리고, 상기 Rx 단간 필터(3104)에는, 상술한 제 1 내지 제 9 실시형태중의 어느 하나에 기재된 탄성표면파 장치를 바람직하게 이용할 수 있다.
따라서, 상기 통신 장치(3100)는 사용한 탄성표면파 장치의 소형화를 도모하면서, 전송특성이 뛰어나므로, 소형화, 특히 GHz 대역 이상에 있어서 소형화를 도모하면서, 전송특성(통신특성)이 우수한 것으로 되어 있다. 　　　
본 발명의 탄성표면파 장치는, 이상과 같이, 압전기판상에, 탄성표면파의 전파방향을 따라서 형성된 적어도 2개의 IDT를 갖는 탄성표면파 필터를 적어도 1개이상 이용하여 구성되는 탄성표면파 장치로서, 상기 탄성표면파 장치의 입력 및 출력신호단자의 적어도 한쪽은 평형신호단자에 접속되어 있으며, 상기 탄성표면파 필터의 적어도 일부의 전극지가 웨이팅되어 있는 구성이다.
그러므로, 상기 구성에서는, 웨이팅을 실시함으로써, 각 평형신호단자간에서의 평형도를 개선할 수 있다는 효과를 갖는다.
본 발명의 탄성표면파 장치는, 이상과 같이, 압전기판상에, 복수의 전극지를 갖는 입력용 IDT와, 복수의 전극지를 갖는 출력용 IDT가 탄성표면파의 전파방향을 따라서 형성되며, 상기 입력용 IDT 및 출력용 IDT의 적어도 한쪽의 각 전극지의 최외측 전극지와 다른 각 내측전극지에, 웨이팅된 웨이팅 전극지를 갖는 구성이다.
그러므로, 상기 구성은 웨이팅 전극지를 마련하는 것에 의해, 예를 들면, 각평형단자 사이에서의 평형도(밸런스 특성)를 개선할 수 있다고 하는 효과를 갖는다.
본 발명의 통신 장치는 이상과 같이, 상기 탄성표면파 장치를 이용한 것을 특징으로 하고 있다.
그러므로, 상기 구성은 소형화, 특히 GHz 대역 이상에 있어서 소형화를 도모하면서, 전송특성(통신특성)이 뛰어나다고 하는 효과를 갖는다.

Claims (54)

  1. 압전기판상에 탄성표면파의 전파방향을 따라서 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부를 갖는 적어도 하나의 탄성표면파 필터와, 상기 탄성표면파 필터를 위한 입력신호단자 및 출력신호단자를 구비하고 있는 탄성표면파 장치로,
    입력신호단자 및 출력신호단자의 적어도 한쪽은 평형신호단자에 접속되어 있으며, 또한 상기 탄성표면파 필터의 적어도 일부의 전극지가 전극지의 교차폭을 다른 전극지와 다르게 하는 교차폭웨이팅되고,
    상기 교차폭웨이팅된 전극지와 이웃하는 전극지도 교차폭웨이팅되어 있으며, 또한 상기 2개의 교차폭웨이팅된 전극지 각각에 대면하도록, 절곡하여 형성되는 더미 전극이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 교차폭웨이팅이, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 빗형 전극부 중에서 적어도 한쪽에 있어서의, 상기 빗형 전극부가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지로부터 몇개의 전극지에 대하여 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 교차폭웨이팅이, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 빗형 전극부 중에서 적어도 한쪽에 있어서의, 상기 빗형 전극부가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지의 근방에 위치하는 몇개의 전극지에 대하여 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 교차폭웨이팅이, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 빗형 전극부 중에서 적어도 한쪽에 있어서의, 상기 빗형 전극부가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지로부터 상기 빗형 전극부의 탄성표면파의 전파방향의 1/2이내까지의 범위의 전극지에 대하여 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 교차폭웨이팅이, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 빗형 전극부 중에서 적어도 한쪽에 있어서의 상기 빗형 전극부가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지에 대하여 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 빗형 전극부의 서로 이웃하는 부위의 전극지가 각각 접지 전극지와 시그널 전극지이며,
    상기 접지 전극지 및 시그널 전극지의 적어도 한쪽에 대하여 상기 교차폭웨이팅이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 교차폭웨이팅되는 전극지는 상기 탄성표면파 필터의 시그널 전극지인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 교차폭웨이팅은 상기 탄성표면파 필터의 평형신호단자에 접속되어 있는 빗형 전극부의 전극지에 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터는 적어도 1개의 빗형 전극부를 다른 빗형 전극부에 대하여 위상 반전하여 가지며,
    상기 교차폭웨이팅은 상기 위상 반전된 빗형 전극부의 전극지에 대하여 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터는 시닝　아웃　웨이팅된 전극지를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 시닝　아웃　웨이팅된 전극지가 접속되어 있는 버스 바와 대향하는 대향 버스 바에, 더미 전극이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 입력신호단자에 접속된 빗형 전극부 및 출력신호단자에 접속된 빗형 전극부의 적어도 한쪽의 각 전극지에, 다른 빗형 전극부와 서로 대면하는 위치의 최외측 전극지를 포함하는 2개 이상, 연속된 접지 전극지가 웨이 팅으로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 압전기판상에 탄성표면파의 전파방향을 따라서 형성된, 각각 서로 이웃하는 적어도 3개의 빗형 전극부를 갖는 적어도 하나의 탄성표면파 필터와, 상기 탄성표면파 필터를 위한 입력신호단자 및 출력신호단자를 구비하고 있는 탄성표면파 장치로,
    입력신호단자 및 출력신호단자의 적어도 한쪽은 평형신호단자에 접속되어 있으며,
    또한, 서로 이웃하는 빗형 전극부의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 빗형 전극부가 서로 이웃하는 부위의 최외측 영역에서 최외측 전극지와 상이한 몇개의 전극지에 대하여 교차폭 웨이팅되어 있으며,
    또한, 상이한 서로 이웃하는 빗형 전극부의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 빗형 전극부가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지에 대하여 시닝　아웃　웨이팅되어 있음과 아울러,
    상기 시닝　아웃　웨이팅된 부위에는, 상기 시닝　아웃　웨이팅된 전극지가 접속된 버스 바와 대향하는 대향 버스 바에 접속된 더미 전극이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  25. 삭제
  26. 압전기판상에 탄성표면파의 전파방향을 따라서 형성된 적어도 2개의 빗형 전극부를 갖는 적어도 하나의 탄성표면파 필터와, 상기 탄성표면파 필터를 위한 입력신호단자 및 출력신호단자를 구비하고 있는 탄성표면파 장치로,
    입력신호단자 및 출력신호단자의 적어도 한쪽은 평형신호단자에 접속되어 있으며, 또한, 상기 탄성표면파 필터가 2개 마련되어 있고,
    한쪽의 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 빗형 전극부의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 빗형 전극부가 서로 이웃하는 부위의 최외측 영역에서 최외측 전극지와 상이한 몇개의 전극지에 대하여 교차폭 웨이팅되어 있으며,
    또한, 다른쪽의 탄성표면파 필터의 서로 이웃하는 빗형 전극부의 적어도 한쪽에 있어서, 상기 빗형 전극부가 서로 이웃하는 부위의 최외측 전극지에 대하여 시닝　아웃　웨이팅되어 있음과 아울러,
    상기 시닝　아웃　웨이팅된 부위에는, 상기 시닝　아웃　웨이팅된 전극지가 접속된 버스 바와 대향하는 대향 버스 바에 접속된 더미 전극이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  27. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터는 평형신호입력-평형신호출력 필터 기능을 갖도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  28. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터는 평형신호입력-불평형신호출력 필 터 기능, 또는 불평형신호입력-평형신호출력 필터 기능을 갖도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 빗형 전극부의 적어도 1개는 교차폭방향으로 2분할되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  30. 제 27 항에 있어서, 상기의 쌍이 되는 평형신호단자가 1개의 빗형 전극부에 있어서의 양 극의 빗살형상 전극에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  31. 제 27 항에 있어서, 상기 빗형 전극부의 적어도 1개는 탄성표면파의 전파방향으로 2분할되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  32. 제 27 항에 있어서, 상기의 쌍이 되는 평형신호단자 사이에, 접지된 전기적 중성점을 갖지 않는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  33. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터가 2개, 평형신호입력-평형신호출력 필터 기능을 갖도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  34. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터가 2개, 입력신호에 대한 출력신호 의 위상을 약 180도 다르게 하도록 마련되며,
    상기 각 탄성표면파 필터는 평형신호입력-불평형신호출력 필터 기능, 또는 불평형신호입력-평형신호출력 필터 기능을 갖도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  35. 제 34 항에 있어서, 불평형신호단자측에, 게다가 탄성표면파 필터가 캐스케이드 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  36. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터는 세로결합공진자형 탄성표면파 필터인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 홀수개의 빗형 전극부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  38. 제 37 항에 있어서, 상기 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 3개의 빗형 전극부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  39. 제 36 항에 있어서, 상기 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 적어도 1개의 빗형 전극부의 총 전극지 갯수가 짝수개인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  40. 제 39 항에 있어서, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 3개 또는 3개이상의 빗형 전극부 중에서, 적어도 평형신호단자에 접속되어 있는, 빗형 전극부의 전극지의 총 갯수가 짝수개인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  41. 제 39 항에 있어서, 세로결합공진자형 탄성표면파 필터는 3개 또는 3개이상의 빗형 전극부 중에서, 적어도 중앙부에 위치하는, 빗형 전극부의 전극지의 총갯수가 짝수개인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  42. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터에, 직렬 및 병렬의 적어도 한쪽에서, 탄성표면파 공진자가 적어도 1개 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  43. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성표면파 필터는 2개 이상의 탄성표면파 필터부를 캐스케이드 접속한 것임을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  44. 삭제
  45. 삭제
  46. 삭제
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
  51. 삭제
  52. 삭제
  53. 삭제
  54. 제 1 항에 기재된 탄성표면파 장치를 이용한 것을 특징으로 하는 통신 장치.
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