JPWO2016136691A1 - 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 186
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 411
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 190
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 51
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 29
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 14
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 37
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 464
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 35
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 26
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910001208 Crucible steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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Abstract
Description
(1)dxのX軸方向に関する変動成分
X軸方向の倍率の変化
(2)dxのY軸方向に関する変動成分
Y軸に対する回転
(3)dyのX軸方向に関する変動成分
Y軸方向の倍率の変化
(4)dyのY軸方向に関する変動成分
X軸に対する回転
(A)係数(未定係数)確定後の式(3)をX、Yについて偏微分した値に従ってショットを変形する。
(B)ウエハグリッドを、1次のモデル式に近似して、そのモデル式の係数に従って、ショットを変形する。ここで、ウエハグリッドは、係数(未定係数)確定後の式(3)に、各ショットの設計上の位置座標X、Yをそれぞれ代入して、ウエハ上の複数のショット領域の配列の設計値からの補正量(ショットの位置座標の補正量dx、dy)、すなわちウエハグリッドの変形成分を求め、その補正量と、ショットの位置座標の設計値とを用いて算出することができる。
図11には、変形例に係るリソグラフィシステム2000の構成が、概略的に示されている。リソグラフィシステム2000は、露光装置200と、C/D300と、前述の計測装置100と同様の構成された2台の計測装置100a、100bと、を備えている。リソグラフィシステム2000は、クリーンルーム内に設置されている。
Claims (35)
- 少なくとも1つのマークと共に区画領域が複数形成された基板を処理対象とする基板処理システムであって、
前記基板を保持可能な第1ステージを有し、該第1ステージに保持された前記基板上の複数の前記マークの位置情報を計測する計測装置と、
前記計測装置による前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板が載置される第2ステージを有し、該第2ステージ上に載置された前記基板上の前記複数のマークのうち一部のマークの位置情報を計測する計測動作及び前記複数の区画領域をエネルギビームで露光する露光動作を行う露光装置と、を備え、
前記計測装置は、計測した前記複数のマークの前記位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列に関する第1情報を求め、
前記露光装置は、計測した前記一部のマークの位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列に関する第2情報を求め、前記計測装置で求められた前記第1情報と、前記第2情報とに基づいて、前記露光動作を行う際に前記第2ステージの位置を制御する基板処理システム。 - 前記第1情報は、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の非線形的な変形成分を含む請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記第2情報は、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の線形的な変形成分を含む請求項1又は2に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記複数のマークの位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の基準値に対する補正量の関係を第1の所定次の多項式から成るモデル式で求め、
前記露光装置は、前記一部のマークの位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の基準値に対する補正量の関係を第2の所定次の多項式から成るモデル式で求める請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記複数の区画領域は、前記基板上にマトリクス状の配置で形成され、前記複数の区画領域の配列の前記補正量は、前記基板上の所定の基準点を原点とし、前記マトリクスの行方向であるX軸方向と列方向であるY軸方向とを軸方向とする2次元直交座標系である基板座標系における各区画領域の設計上の位置座標X、Yと、その区画領域の位置座標の補正量との関係を表す、X、Yに関する多項式から成るモデル式に基づいて求められ、
前記計測装置は、統計演算により、前記モデル式の高次項の係数を求め、
前記露光装置は、統計演算により、前記モデル式の低次項の係数を求め、該低次項の係数と前記高次項の係数とが、前記モデル式に代入された係数確定後のモデル式に基づいて前記基板上の前記複数の区画領域の配列の前記補正量を求める請求項4に記載の基板処理システム。 - 前記低次項は、1次以下の項であり、前記高次項は2次以上の項である請求項5に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、前記係数確定後のモデル式を、X,Yについて偏微分した値に従って前記複数の区画領域の変形を推定する請求項5又は6に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、前記求めた補正量と前記基板上の前記複数の区画領域の配列の設計値とに基づいて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列であるグリッドを求め、該グリッドを、1次のモデル式に近似して、そのモデル式の係数に従って、前記複数の区画領域の変形を推定する請求項5に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと前記第2ステージとを同期して投影光学系に対して相対移動し、前記パターンを前記基板上の前記区画領域に転写する走査露光を行う装置であり、
前記露光装置は、前記推定された前記区画領域の変形後の形状に合わせて前記パターンの前記投影光学系による投影像が変形するように、前記走査露光中に、前記マスクステージと前記第2ステージとの相対走査角度、走査速度比、前記マスクステージ及び前記第2ステージの少なくとも一方の前記投影光学系に対する相対位置、前記投影光学系の結像特性、及び露光光の波長の少なくとも1つを調整する請求項7又は8に記載の基板処理システム。 - 前記計測装置は、前記第1ステージに保持された前記基板上の前記マークを検出し、検出信号を出力するマーク検出系と、前記マーク検出系に対する前記第1ステージの位置情報を計測する位置計測装置と、前記第1ステージを駆動する駆動システムと、前記位置計測装置で計測された前記位置情報に基づいて、前記駆動システムによる前記第1ステージの駆動を制御しつつ、前記位置計測装置による前記位置情報を取得し、前記マーク検出系を用いて前記第1ステージに保持された前記基板上の前記複数のマークの位置情報を求める制御装置と、を備える請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記第1ステージは、ベース部材に対して移動可能であり、
前記位置計測装置は、前記ベース部材に対する前記ステージの第1位置情報を計測する第1位置計測系と、前記マーク検出系と前記ベース部材との相対的な第2位置情報を計測する第2位置計測系とを含む請求項10に記載の基板処理システム。 - 前記第1位置計測系は、格子部を有する計測面と前記計測面にビームを照射するヘッド部の一方が前記第1ステージに設けられ、前記ヘッド部からの複数のビームを前記計測面に照射し、前記複数のビームそれぞれの前記計測面からの戻りビームを受光して前記第1ステージの第1位置情報を計測する請求項11に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記マーク検出系による検出条件が互いに異なる複数の計測モードを設定可能である請求項10〜12のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記複数の計測モードには、前記基板上の全ての区画領域について各1つのマークを検出対象とする第1モードと、前記基板上の全ての区画領域について各2つ以上の第1の数のマークを検出する第2モードと、前記基板上の一部の区画領域については2つ以上の第2の数のマークを検出し、残りの区画領域については各1つのマークを検出する第3モードとのうちの少なくとも1つのモードが含まれる請求項13に記載の基板処理システム。
- 前記複数の計測モードには、複数枚の基板を連続して処理する際に、最初に処理される第1枚目の基板を含む所定枚数の基板の計測結果に応じて、前記複数のモードのうちの1つのモードを設定する第4モードが含まれる請求項13又は14に記載の基板処理システム。
- 前記複数の計測モードには、複数枚の基板を連続して処理する際に、最初に処理される第1枚目の基板を含む所定枚数の基板の計測結果に基づいて、残りの基板について前記マーク検出系による検出の対象となるマークを決定するモードが含まれる請求項13又は14に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置により前記基板上の複数の区画領域のうち少なくとも一部の区画領域について、複数の前記マークの位置情報が計測された場合、
前記露光装置は、前記計測動作を行うに際して、前記基板上の前記少なくとも一部の区画領域について前記計測装置により位置情報が計測された前記複数のマークを含む、前記基板上の複数のマークの中から選択した複数のマークの位置情報を計測し、その計測した複数のマークの位置情報を用いて前記統計演算を含む演算を行い、前記区画領域の変形を推定する請求項13〜16のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記計測装置と前記露光装置とは、インラインにて接続されている請求項1〜17のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置及び前記露光装置にインライン接続され、前記基板に所定の処理を施す基板処理装置をさらに備える請求項18に記載の基板処理システム。
- 前記基板処理装置は、基板上に感応剤を塗布する塗布装置である請求項19に記載の基板処理システム。
- 前記基板処理装置は、基板上に感応剤を塗布するとともに、露光後の前記基板を現像する塗布現像装置である請求項19に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置される請求項20又は21に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測と、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測との少なくとも一方で用いられる請求項20〜22のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、複数設けられ、該複数の計測装置のうちの第1計測装置と第2計測装置とは、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置され、
前記第1計測装置及び前記第2計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測と、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測との両方で用いられ、
前記第1計測装置と前記第2計測装置は、複数枚の基板を連続処理するに際し、いずれも、同一基板に対する前記事前計測と前記事後計測とで用いられる請求項20又は21に記載の基板処理システム。 - 前記計測装置は、複数設けられ、前記複数の計測装置のうちの第1計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置され、前記複数の計測装置のうちの第2計測装置は、前記基板処理装置を挟んで前記露光装置の反対側に配置され、
前記第2計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測に用いられ、
前記第1計測装置は、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測に用いられる請求項20又は21に記載の基板処理システム。 - 前記基板処理装置は、露光後の前記基板を現像する現像装置である請求項19に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置される請求項26に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測と、現像終了後の前記基板上の重ね合わせずれ計測マークの位置ずれ量を計測する重ね合わせずれ計測の両方で用いられる請求項21、26、27のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、複数設けられ、該複数の計測装置のうちの第1計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置され、残りの計測装置のうちの第2計測装置は、前記基板処理装置を挟んで前記露光装置の反対側に配置され、
前記第1計測装置は、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測で用いられ、
前記第2計測装置は、現像終了後の前記基板上の重ね合わせずれ計測マークの位置ずれ量を計測する重ね合わせずれ計測で用いられる請求項21、26、27のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記計測装置の前記ステージに搭載されるのに先立って、所定の温度範囲内となるように前記基板を温調する温調装置を、さらに備える請求項19〜29のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記温調装置は、前記基板処理装置の一部に設けられる請求項30に記載の基板処理システム。
- 請求項1〜31のいずれか一項に記載の基板処理システムを用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 少なくとも1つのマークと共に区画領域が複数形成された基板を処理対象とする基板処理方法であって、
第1ステージに保持された前記基板上の複数の前記マークの位置情報を計測することと、
前記計測することで前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板を、第2ステージに保持させ、該第2ステージに保持された前記基板上の前記複数のマークのうち一部のマークの位置情報を計測する計測動作及び前記複数の区画領域をエネルギビームで露光する露光動作を行うことと、を含み、
前記計測することでは、計測した前記複数のマークの前記位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列に関する第1情報を求め、
前記計測動作及び露光動作を行うことでは、計測した前記一部のマークの位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列に関する第2情報を求め、前記計測することで求められた前記第1情報と、前記第2情報とに基づいて、前記露光動作を行うに際に前記第2ステージの位置を制御する基板処理方法。 - 前記複数の区画領域は、前記基板上にマトリクス状の配置で形成され、前記複数の区画領域の配列の基準値に対する補正量は、前記基板上の所定の基準点を原点とし、前記マトリクスの行方向であるX軸方向と列方向であるY軸方向とを軸方向とする2次元直交座標系である基板座標系における各区画領域の設計上の位置座標X、Yと、その区画領域の位置座標の補正量との関係を表す、X、Yに関する多項式から成るモデル式に基づいて求められ、
前記計測することでは、前記統計演算により、前記モデル式の高次項の係数を求め、
前記計測動作及び露光動作を行うことでは、前記統計演算により、前記モデル式の低次項の係数を求め、該低次項の係数と前記高次項の係数とが、前記モデル式に代入された係数確定後のモデル式に基づいて前記基板上の前記複数の区画領域の配列の前記補正量を求める請求項33に記載の基板処理方法。 - 前記低次項は、1次以下の項であり、前記高次項は2次以上の項である請求項34に記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015032911 | 2015-02-23 | ||
JP2015032911 | 2015-02-23 | ||
PCT/JP2016/055133 WO2016136691A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-02-23 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020104764A Division JP7220176B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-06-17 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016136691A1 true JPWO2016136691A1 (ja) | 2017-11-30 |
JP6719729B2 JP6719729B2 (ja) | 2020-07-08 |
Family
ID=56788752
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017502364A Active JP6719729B2 (ja) | 2015-02-23 | 2016-02-23 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2020104764A Active JP7220176B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-06-17 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2022002978A Active JP7367786B2 (ja) | 2015-02-23 | 2022-01-12 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2023131589A Pending JP2023153245A (ja) | 2015-02-23 | 2023-08-10 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020104764A Active JP7220176B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-06-17 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2022002978A Active JP7367786B2 (ja) | 2015-02-23 | 2022-01-12 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2023131589A Pending JP2023153245A (ja) | 2015-02-23 | 2023-08-10 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10775708B2 (ja) |
EP (2) | EP3680717A1 (ja) |
JP (4) | JP6719729B2 (ja) |
KR (2) | KR20240010551A (ja) |
CN (4) | CN107278279B (ja) |
HK (1) | HK1246872A1 (ja) |
TW (2) | TWI702474B (ja) |
WO (1) | WO2016136691A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230107706A (ko) * | 2015-02-23 | 2023-07-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법 |
CN107278279B (zh) | 2015-02-23 | 2020-07-03 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法 |
CN111158220A (zh) | 2015-02-23 | 2020-05-15 | 株式会社尼康 | 测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法 |
KR102239782B1 (ko) | 2016-09-30 | 2021-04-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법 |
DE102016225899A1 (de) * | 2016-12-21 | 2018-06-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Modifizieren von Abbildungseigenschaften eines optischen Systems für die Mikrolithographie |
JP6942555B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2021-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
EP3531206A1 (en) * | 2018-02-23 | 2019-08-28 | ASML Netherlands B.V. | Systems and methods for improving resist model predictions |
CN108899288B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-11-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法 |
US11408734B2 (en) * | 2019-01-03 | 2022-08-09 | Lam Research Corporation | Distance measurement between gas distribution device and substrate support at high temperatures |
US11764111B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Reducing cross-wafer variability for minimum width resistors |
JP7463154B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2024-04-08 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、データ処理装置、描画方法、および描画データ生成方法 |
TWI746318B (zh) * | 2020-12-17 | 2021-11-11 | 萬潤科技股份有限公司 | 檢測方法、檢測裝置及設備 |
CN112631080B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-05-31 | 苏州源卓光电科技有限公司 | 一种双工作台曝光机的曝光方法 |
JP2022162313A (ja) | 2021-04-12 | 2022-10-24 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP2022166688A (ja) | 2021-04-21 | 2022-11-02 | キヤノン株式会社 | 処理システム、処理方法、計測装置、基板処理装置及び物品の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260117A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2005086093A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及びステージ装置の制御方法 |
JP2010212383A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Nikon Corp | 露光方法、露光システム、及びデバイス製造方法 |
JP2011061128A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2012060119A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法および基板にパターンを与える方法 |
Family Cites Families (194)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
US4734746A (en) * | 1985-06-24 | 1988-03-29 | Nippon Kogaku K. K. | Exposure method and system for photolithography |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP3261793B2 (ja) * | 1993-03-19 | 2002-03-04 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法、及び露光方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
US20010049589A1 (en) | 1993-01-21 | 2001-12-06 | Nikon Corporation | Alignment method and apparatus therefor |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
US5461237A (en) | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
JP3448614B2 (ja) * | 1993-08-12 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | 投影露光方法、走査型投影露光装置、及び素子製造方法 |
JP3326902B2 (ja) | 1993-09-10 | 2002-09-24 | 株式会社日立製作所 | パターン検出方法及びパターン検出装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH07307269A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Canon Inc | 位置合わせ方法 |
JPH08115869A (ja) * | 1994-10-18 | 1996-05-07 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
KR100500199B1 (ko) * | 1995-05-29 | 2005-11-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 마스크패턴을겹쳐서노광하는노광방법 |
JP3634487B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 位置合せ方法、位置合せ装置、および露光装置 |
JPH09289149A (ja) | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Fujitsu Ltd | X線マスク及びその製造方法 |
CN1244018C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands Bv | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
AU1351199A (en) | 1997-12-03 | 1999-06-16 | Nikon Corporation | Substrate transferring device and method |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11191585A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
US6924884B2 (en) * | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
GB9921504D0 (en) | 1999-09-10 | 1999-11-17 | Morgan Crucible Co | High temperatures resistant saline soluble fibres |
SG107560A1 (en) | 2000-02-25 | 2004-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001274073A (ja) | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 重ね合わせ露光方法及び露光システム |
JP2001297966A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Canon Inc | 露光方法、露光システム、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20020042664A1 (en) | 2000-05-31 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Evaluation method, position detection method, exposure method and device manufacturing method, and exposure apparatus |
JP2001345243A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 評価方法、位置検出方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4915033B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2012-04-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、基板処理装置及びリソグラフィシステム、並びにデバイス製造方法 |
US20030020889A1 (en) | 2000-08-02 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Stage unit, measurement unit and measurement method, and exposure apparatus and exposure method |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP2002231622A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US20020109823A1 (en) | 2001-02-09 | 2002-08-15 | Nikon Corporation. | Wafer stage assembly |
JP3762307B2 (ja) | 2001-02-15 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置 |
JP2003017386A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Canon Inc | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2003124094A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Canon Inc | 露光装置の制御方法及び露光システム |
JP3966211B2 (ja) | 2002-05-08 | 2007-08-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
TW541642B (en) * | 2002-05-10 | 2003-07-11 | Nanya Technology Corp | Wafer alignment method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
JP4364806B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
KR101506408B1 (ko) | 2003-02-26 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP4164414B2 (ja) | 2003-06-19 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7443511B2 (en) | 2003-11-25 | 2008-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Integrated plane mirror and differential plane mirror interferometer system |
US7817242B2 (en) | 2003-11-28 | 2010-10-19 | Nikon Corporation | Exposure method and device manufacturing method, exposure apparatus, and program |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
JP4429037B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
KR101144683B1 (ko) | 2004-03-01 | 2012-05-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 사전 계측 처리 방법, 노광 시스템 및 기판 처리 장치 |
US7728953B2 (en) | 2004-03-01 | 2010-06-01 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure system, and substrate processing apparatus |
WO2005096354A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに面形状検出装置 |
JP4751032B2 (ja) | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
JP2005322755A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Nikon Corp | 誤差検出方法、位置合わせ方法、露光方法 |
JP2005327993A (ja) | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005337912A (ja) | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 位置計測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP4678372B2 (ja) | 2004-06-29 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | 管理方法及び管理システム、並びにプログラム |
US7256871B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
TW200615716A (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
EP1791169A4 (en) | 2004-08-31 | 2011-03-02 | Nikon Corp | ALIGNMENT PROCESS, DEVELOPMENT SYSTEM, SUBSTRATED REPEATABILITY MEASURING METHOD, POSITION MEASURING METHOD, EXPOSURE METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, MEASURING METHOD AND MEASURING DEVICE |
WO2006030727A1 (ja) | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 補正方法及び露光装置 |
JP3962736B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
TWI393170B (zh) * | 2004-11-18 | 2013-04-11 | 尼康股份有限公司 | A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method |
US20060139595A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
JP2006222312A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Canon Inc | ステージ制御装置及びその方法、ステージ装置並びに露光装置 |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7838858B2 (en) | 2005-05-31 | 2010-11-23 | Nikon Corporation | Evaluation system and method of a search operation that detects a detection subject on an object |
EP1744217B1 (en) | 2005-07-12 | 2012-03-14 | ASML Netherlands B.V. | Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same |
US7348574B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
DE102005043569A1 (de) | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Positionsmesseinrichtung |
US7362446B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
WO2007043535A1 (ja) | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法 |
WO2007049704A1 (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Nikon Corporation | デバイス製造処理装置間の接続装置及び接続方法、プログラム、デバイス製造処理システム、露光装置及び露光方法、並びに測定検査装置及び測定検査方法 |
JP4840684B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2011-12-21 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
WO2007052699A1 (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Nikon Corporation | 解析装置、処理装置、測定装置、露光装置、基板処理システム、解析方法及びプログラム |
US8411271B2 (en) * | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
WO2007077925A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nikon Corporation | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007184343A (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Nikon Corp | 処理方法、処理装置、及びプログラム |
JP2007184342A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Nikon Corp | 露光システム、露光方法、及びデバイス製造方法 |
EP2752714B8 (en) * | 2006-01-19 | 2015-10-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
JP5194800B2 (ja) | 2006-01-26 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
JP4998853B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2012-08-15 | 株式会社ニコン | 処理条件決定方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
US7408642B1 (en) | 2006-02-17 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Registration target design for managing both reticle grid error and wafer overlay |
TW200745771A (en) * | 2006-02-17 | 2007-12-16 | Nikon Corp | Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium |
SG178791A1 (en) * | 2006-02-21 | 2012-03-29 | Nikon Corp | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method |
EP2003680B1 (en) * | 2006-02-21 | 2013-05-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
WO2007097466A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
US7602489B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7649613B2 (en) | 2006-03-03 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of controlling a component of a lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5077770B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
US7636165B2 (en) | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2008004581A (ja) | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Nikon Corp | 露光装置及びセンサ |
JP2008021748A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2008007765A1 (fr) | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Appareil de détection de position de surface, appareil d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif |
KR101824374B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2018-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN102360169B (zh) * | 2006-09-01 | 2014-01-22 | 株式会社尼康 | 移动体驱动方法及移动体驱动系统、图案形成方法及装置、曝光方法及装置、组件制造方法、以及校正方法 |
TW201610608A (zh) * | 2006-09-01 | 2016-03-16 | 尼康股份有限公司 | 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、以及元件製造方法 |
JP2008071839A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Canon Inc | 表面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
CN100468212C (zh) * | 2006-09-22 | 2009-03-11 | 上海微电子装备有限公司 | 双台定位交换系统 |
WO2008044612A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2008038752A1 (fr) | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Nikon Corporation | système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF |
KR101549709B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2015-09-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 유지 장치, 위치 검출 장치 및 노광 장치, 이동 방법, 위치검출 방법, 노광 방법, 검출계의 조정 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP4548735B2 (ja) * | 2006-11-14 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
US7812964B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-10-12 | Zygo Corporation | Distance measuring interferometer and encoder metrology systems for use in lithography tools |
US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR100781971B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2007-12-06 | 삼성전자주식회사 | 트윈 스캔 노광설비의 웨이퍼 스테이지 모듈 및 그의제어방법 |
US8040490B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP5127507B2 (ja) | 2007-02-27 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、プログラムおよび露光システム |
US7561280B2 (en) | 2007-03-15 | 2009-07-14 | Agilent Technologies, Inc. | Displacement measurement sensor head and system having measurement sub-beams comprising zeroth order and first order diffraction components |
US7903866B2 (en) * | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7948616B2 (en) | 2007-04-12 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Measurement method, exposure method and device manufacturing method |
US8440375B2 (en) * | 2007-05-29 | 2013-05-14 | Nikon Corporation | Exposure method and electronic device manufacturing method |
JP4953923B2 (ja) | 2007-05-30 | 2012-06-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7804579B2 (en) | 2007-06-21 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product |
JP5406437B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009010289A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
CN104111587B (zh) | 2007-07-18 | 2017-01-11 | 株式会社尼康 | 测量方法、载台装置、及曝光装置 |
EP2187430B1 (en) * | 2007-07-24 | 2018-10-03 | Nikon Corporation | Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method, and device manufacturing method |
WO2009028157A1 (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、並びにパターン形成方法及びパターン形成装置 |
DE102007046927A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung |
TW200919100A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-01 | Nanya Technology Corp | Exposure method |
NL1036080A1 (nl) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Asml Netherlands Bv | Position measurement system and Lithographic Apparatus. |
JP5006761B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法、位置合わせ装置、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
US9013681B2 (en) * | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101470671B1 (ko) * | 2007-11-07 | 2014-12-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US8665455B2 (en) | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036180A1 (nl) | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method. |
KR20100091885A (ko) | 2007-12-11 | 2010-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 노광 장치 및 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CN100559283C (zh) | 2007-12-28 | 2009-11-11 | 上海微电子装备有限公司 | 测量方镜非正交性角度和缩放比例因子校正值的方法 |
TWI547769B (zh) * | 2007-12-28 | 2016-09-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP5344180B2 (ja) | 2008-02-08 | 2013-11-20 | 株式会社ニコン | 位置計測システム及び位置計測方法、移動体装置、移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、パターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5229790B2 (ja) | 2008-03-05 | 2013-07-03 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 基板製造方法及び製造システム |
US8228482B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP2009294386A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | リソグラフィシミュレーション方法 |
JP2010040553A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Tokyo Institute Of Technology | 位置検出方法、プログラム、位置検出装置及び露光装置 |
US8440475B2 (en) * | 2008-08-01 | 2013-05-14 | Qimonda Ag | Alignment calculation |
JP5264406B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法およびデバイスの製造方法 |
JP2010147066A (ja) | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Nuflare Technology Inc | 座標計測装置及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
JP2010186918A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Nikon Corp | アライメント方法、露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光システム |
JP2010205867A (ja) | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Canon Inc | 位置検出装置及び露光装置 |
US8472008B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-06-25 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
US8294878B2 (en) | 2009-06-19 | 2012-10-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2011009316A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Canon Inc | 露光装置 |
US8493547B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5428671B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-02-26 | 株式会社ニコン | 露光方法、デバイス製造方法、及び露光システム |
JP5457767B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-04-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
NL2005545A (en) | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4917652B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP2011222610A (ja) | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法及びデバイスの製造方法、並びに露光装置 |
JP5498243B2 (ja) | 2010-05-07 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
NL2007818A (en) | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Asml Netherlands Bv | Method of updating calibration data and a device manufacturing method. |
JP2012220559A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP5787691B2 (ja) | 2011-09-21 | 2015-09-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
NL2009508A (en) | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
CN104620370B (zh) * | 2012-09-10 | 2018-09-28 | 应用材料公司 | 基板处理系统及处理基板的方法 |
KR102203305B1 (ko) | 2012-10-02 | 2021-01-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
WO2014063995A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9772564B2 (en) * | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
EP2920649B1 (en) | 2012-11-19 | 2023-03-29 | ASML Netherlands B.V. | Position measurement system and grating for a position measurement system |
JP2014220263A (ja) | 2013-04-30 | 2014-11-20 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
US9703214B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-07-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method |
JP6271896B2 (ja) | 2013-07-22 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | 干渉計測装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法 |
JP6242099B2 (ja) | 2013-07-23 | 2017-12-06 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置およびデバイス製造方法 |
JP6362312B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
JP6399739B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法 |
JP6462993B2 (ja) * | 2014-04-02 | 2019-01-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品製造方法 |
US9958254B2 (en) | 2014-08-12 | 2018-05-01 | Zygo Corporation | Calibration of scanning interferometers |
CN107278279B (zh) | 2015-02-23 | 2020-07-03 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法 |
CN111158220A (zh) | 2015-02-23 | 2020-05-15 | 株式会社尼康 | 测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法 |
KR20230107706A (ko) | 2015-02-23 | 2023-07-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법 |
CN106154765B (zh) | 2015-04-23 | 2018-12-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套刻测量装置 |
JP6562707B2 (ja) | 2015-05-13 | 2019-08-21 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP2017040583A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
WO2018038071A1 (ja) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
KR102556130B1 (ko) * | 2016-09-27 | 2023-07-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 결정 방법 및 장치, 프로그램, 정보 기록 매체, 노광 장치, 레이아웃 정보 제공 방법, 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR102239782B1 (ko) | 2016-09-30 | 2021-04-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US10635004B2 (en) | 2016-11-10 | 2020-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Correction using stack difference |
CN115039032A (zh) * | 2020-03-19 | 2022-09-09 | 极光先进雷射株式会社 | 曝光系统、激光控制参数的生成方法和电子器件的制造方法 |
-
2016
- 2016-02-23 CN CN201680011727.7A patent/CN107278279B/zh active Active
- 2016-02-23 WO PCT/JP2016/055133 patent/WO2016136691A1/ja active Application Filing
- 2016-02-23 KR KR1020247001253A patent/KR20240010551A/ko active Application Filing
- 2016-02-23 EP EP19212547.4A patent/EP3680717A1/en active Pending
- 2016-02-23 TW TW105105388A patent/TWI702474B/zh active
- 2016-02-23 EP EP16755437.7A patent/EP3264180B1/en active Active
- 2016-02-23 CN CN202010504124.9A patent/CN111948913B/zh active Active
- 2016-02-23 CN CN202010504099.4A patent/CN111948912A/zh active Pending
- 2016-02-23 JP JP2017502364A patent/JP6719729B2/ja active Active
- 2016-02-23 TW TW109124787A patent/TWI768409B/zh active
- 2016-02-23 CN CN202010504531.XA patent/CN111610696A/zh active Pending
- 2016-02-23 KR KR1020177026406A patent/KR102632657B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-08-09 US US15/673,260 patent/US10775708B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-18 HK HK18106473.3A patent/HK1246872A1/zh unknown
-
2020
- 2020-06-17 JP JP2020104764A patent/JP7220176B2/ja active Active
- 2020-08-03 US US16/983,446 patent/US11442371B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-12 JP JP2022002978A patent/JP7367786B2/ja active Active
- 2022-06-29 US US17/852,831 patent/US11977339B2/en active Active
-
2023
- 2023-08-10 JP JP2023131589A patent/JP2023153245A/ja active Pending
-
2024
- 2024-01-04 US US18/403,945 patent/US20240134295A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260117A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2005086093A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及びステージ装置の制御方法 |
JP2010212383A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Nikon Corp | 露光方法、露光システム、及びデバイス製造方法 |
JP2011061128A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2012060119A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法および基板にパターンを与える方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |