JP7220176B2 - 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 165
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 92
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 362
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 197
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 50
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 12
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 470
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 50
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 48
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 28
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 25
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 21
- 238000013461 design Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910001208 Crucible steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Description
(1)dxのX軸方向に関する変動成分
X軸方向の倍率の変化
(2)dxのY軸方向に関する変動成分
Y軸に対する回転
(3)dyのX軸方向に関する変動成分
Y軸方向の倍率の変化
(4)dyのY軸方向に関する変動成分
X軸に対する回転
(A)係数(未定係数)確定後の式(3)をX、Yについて偏微分した値に従ってショットを変形する。
(B)ウエハグリッドを、1次のモデル式に近似して、そのモデル式の係数に従って、ショットを変形する。ここで、ウエハグリッドは、係数(未定係数)確定後の式(3)に、各ショットの設計上の位置座標X、Yをそれぞれ代入して、ウエハ上の複数のショット領域の配列の設計値からの補正量(ショットの位置座標の補正量dx、dy)、すなわちウエハグリッドの変形成分を求め、その補正量と、ショットの位置座標の設計値とを用いて算出することができる。
図11には、変形例に係るリソグラフィシステム2000の構成が、概略的に示されている。リソグラフィシステム2000は、露光装置200と、C/D300と、前述の計測装置100と同様の構成された2台の計測装置100a、100bと、を備えている。リソグラフィシステム2000は、クリーンルーム内に設置されている。
Claims (33)
- 複数のマークと共に区画領域が複数形成された基板を処理対象とする基板処理システムであって、
前記基板を保持可能な第1ステージを有し、前記第1ステージに保持された基板上の複数のマークの位置情報を取得する計測装置と、
前記計測装置による前記複数のマークの位置情報の取得が終了した前記基板が載置される第2ステージを有し、前記第2ステージ上に載置された前記基板上の複数の区画領域をエネルギビームで露光する露光動作を行う露光装置と、を備え、
前記計測装置は、前記マークの検出条件が互いに異なる複数の計測モードを備え、1ロットに含まれる一部の基板から取得した前記位置情報に応じて、前記1ロットに含まれる残りの基板に適用する前記計測モードを前記複数の計測モードから選択し、選択された前記計測モードに従って前記残りの基板上の前記複数のマークの位置情報を取得し、
前記露光装置は、前記計測装置で取得された前記位置情報を用いて計算された前記複数の区画領域それぞれの形状情報に基づいて、前記露光動作を行う基板処理システム。 - 前記複数の計測モードの一つは、前記基板に形成された前記複数の区画領域のすべてに対し、前記複数の区画領域それぞれに対応する1つのマークの位置情報を前記計測装置で取得するとの前記検出条件を含む請求項1記載の基板処理システム。
- 前記複数の計測モードの一つは、前記基板に形成された前記複数の区画領域のうちの一部の区画領域を選択し、前記選択された区画領域それぞれに対応する複数のマークの位置情報を前記計測装置で取得し、かつ前記選択されなかった区画領域に対応する1つのマークの位置情報を前記計測装置で取得するとの前記検出条件を含む請求項1記載の基板処理システム。
- 前記複数の計測モードの一つは、前記基板上のすべての区画領域のそれぞれに対応する複数のマークの位置情報を前記計測装置で取得するとの前記検出条件を含む請求項1記載の基板処理システム。
- 前記一部の基板に形成されたすべての区画領域に対応する複数のマークの位置情報を取得し、前記複数の計測モードの一つは、取得した前記位置情報に基づいて、前記残りの基板に対して、前記複数の区画領域に対応する複数のマークから計測対象とすべきマークを決定し、前記マークの位置情報を前記計測装置で取得するとの前記検出条件を含む請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記複数の計測モードの一つは、前記基板を含む1ロットに含まれるすべての基板から一部の基板を選択し、前記選択された基板のそれぞれに形成されたすべての区画領域に対応する複数のマークの位置情報を前記計測装置で取得するとの前記検出条件を含む請求項4に記載の基板処理システム。
- 前記区画領域内の複数のマークの中から、前記区画領域の形状情報の算出に用いる複数のマークが選択される請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記区画領域の形状情報は、前記区画領域内の複数の前記マークの位置情報を統計演算して算出される請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、前記第2ステージに保持された前記基板上に形成された複数のマークの位置情報を取得する検出装置を備え、
前記露光装置は、前記区画領域それぞれの前記形状情報と、前記検出装置で計測した複数の前記マークの位置情報とに基づいて露光動作を行う請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記検出装置は、前記計測装置によって前記位置情報が計測された前記複数のマークのうち、一部について位置情報を取得する請求項9に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、パターンが形成されたマスクを保持して移動可能なマスクステージと前記第2ステージとが投影光学系に対して同期して移動し、前記パターンの投影像で前記基板を露光する走査型露光装置であり、
前記複数の区画領域のうちの一つの区画領域の走査露光中に、前記マスクステージと前記第2ステージとの少なくとも一方が、走査角度、走査速度、相対位置、投影光学系の結像特性、露光波長の少なくとも1つを、前記区画領域の形状情報に基づいて調整する請求項9または10に記載の基板処理システム。 - 前記計測装置と前記露光装置とは、インラインにて接続されている請求項1~11のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置及び前記露光装置にインライン接続され、前記基板に所定の処理を施す基板処理装置をさらに備える請求項12に記載の基板処理システム。
- 前記基板処理装置は、基板上に感応剤を塗布する塗布装置である請求項13に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置される請求項14に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測と、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測との少なくとも一方で用いられる請求項14~15のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、複数設けられ、前記複数の計測装置のうちの第1計測装置と第2計測装置とは、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置され、
前記第1計測装置及び前記第2計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測と、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測との両方で用いられ、
前記第1計測装置と前記第2計測装置は、複数枚の基板を連続処理するに際し、いずれも、同一基板に対する前記事前計測と前記事後計測とで用いられる請求項14~16のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記計測装置は、複数設けられ、前記複数の計測装置のうちの第1計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置され、前記複数の計測装置のうちの第2計測装置は、前記基板処理装置を挟んで前記露光装置の反対側に配置され、
前記第2計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測に用いられ、
前記第1計測装置は、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測に用いられる請求項14~16のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記基板処理装置は、基板上に感応剤を塗布するとともに、露光後の前記基板を現像する塗布現像装置である請求項13~18のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、現像終了後の前記基板上の重ね合わせずれ計測マークの位置ずれ量を計測する重ね合わせずれ計測が可能である請求項19に記載の基板処理システム。
- 前記基板処理装置は、基板上に感応剤を塗布するとともに、露光後の前記基板を現像する塗布現像装置であり、
前記第2計測装置は、現像終了後の前記基板上の重ね合わせずれ計測マークの位置ずれ量を計測する重ね合わせずれ計測に用いられる請求項17または18に記載の基板処理システム。 - 前記計測装置の前記第1ステージに搭載されるのに先立って、所定の温度範囲内となるように前記基板を温調する温調装置を、さらに備える請求項19~21のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記温調装置は、前記基板処理装置の一部に設けられる請求項22に記載の基板処理システム。
- 前記計測装置は、前記第1ステージに保持された前記基板に関して前記基板表面の高さ分布情報の取得を行い、
前記露光装置は、前記第2ステージ上に載置された前記基板上の前記複数の区画領域に対して、前記計測装置で取得した前記高さ分布情報に基づいて、エネルギビームによる露光動作を行う請求項1~23のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記計測装置は、前記基板に形成された前記マークを検出する第1検出系と、前記基板の表面の高さを検出する第2検出系とを備え、
前記第1検出系の検出結果と前記第1ステージの位置情報とから前記マークの位置情報を取得し、前記第2検出系の検出結果と前記第1ステージの位置情報とから前記基板の高さ分布情報を取得する請求項24に記載の基板処理システム。 - 前記第2検出系は、前記基板表面の複数の位置の高さ情報を同時に検出できる多点位置検出系である、請求項25に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、前記露光動作に先立って、前記計測装置が取得した前記位置情報および前記高さ分布情報を取得する請求項24~26のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、前記計測装置が取得した前記位置情報および前記高さ分布情報を利用して、前記基板の露光時に前記第2ステージの位置制御を行う請求項24~27のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記露光装置は、前記計測装置が取得した前記基板表面の高さ分布情報を利用して、前記基板の露光時に、前記基板を載置する前記第2ステージの載置面と直交する方向に関して前記第2ステージの位置制御を行う請求項24~28のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 複数のマークと共に区画領域が複数形成された基板を処理対象とする基板処理方法であって、
前記基板を保持可能な第1ステージに保持された基板上の複数のマークの位置情報を取得することと、
前記複数のマークの位置情報の取得が終了した前記基板を前記第1ステージとは異なる第2ステージに移載し、前記第2ステージ上に載置された前記基板上の複数の区画領域をエネルギビームで露光する露光動作を行うことと、を含み、
前記複数のマークの位置情報を取得することは、前記マークの検出条件が互いに異なる複数の計測モードを準備することと、1ロットに含まれる一部の基板から前記位置情報を取得することと、取得した前記位置情報に応じて、前記1ロットに含まれる残りの基板に適用する前記計測モードを前記複数の計測モードから選択することと、選択された前記計測モードに従って前記残りの基板上の前記複数のマークの位置情報を取得することを含み、
前記露光動作は、前記位置情報を用いて計算された前記複数の区画領域それぞれの形状情報に基づいて、前記露光動作が行われる基板処理方法。 - 前記露光動作は、パターンが形成されたマスクを保持したマスクステージと前記第2ステージとを投影光学系に対して同期して移動させ、前記パターンの投影像で前記基板を走査露光することによって行われ、
前記複数の区画領域のうちの一つの区画領域の走査露光中に、前記マスクステージと前記第2ステージとの相対的な走査角度、走査速度、位置、および投影光学系の結像特性、露光波長の少なくとも1つが、前記区画領域の形状情報に基づいて調整される請求項30に記載の基板処理方法。 - 前記第1ステージに保持された前記基板に関して前記基板表面の高さ分布情報を取得することをさらに含み、
前記第2ステージ上に載置された前記基板上の前記複数の区画領域に対して、前記高さ分布情報に基づいて、エネルギビームによる露光動作を行う請求項30または31に記載の基板処理方法。 - 請求項1~29のいずれか一項に記載の基板処理システムを用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022002978A JP7367786B2 (ja) | 2015-02-23 | 2022-01-12 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2023131589A JP2023153245A (ja) | 2015-02-23 | 2023-08-10 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015032911 | 2015-02-23 | ||
JP2015032911 | 2015-02-23 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017502364A Division JP6719729B2 (ja) | 2015-02-23 | 2016-02-23 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022002978A Division JP7367786B2 (ja) | 2015-02-23 | 2022-01-12 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020160475A JP2020160475A (ja) | 2020-10-01 |
JP7220176B2 true JP7220176B2 (ja) | 2023-02-09 |
Family
ID=56788752
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017502364A Active JP6719729B2 (ja) | 2015-02-23 | 2016-02-23 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2020104764A Active JP7220176B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-06-17 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2022002978A Active JP7367786B2 (ja) | 2015-02-23 | 2022-01-12 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2023131589A Pending JP2023153245A (ja) | 2015-02-23 | 2023-08-10 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017502364A Active JP6719729B2 (ja) | 2015-02-23 | 2016-02-23 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022002978A Active JP7367786B2 (ja) | 2015-02-23 | 2022-01-12 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2023131589A Pending JP2023153245A (ja) | 2015-02-23 | 2023-08-10 | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10775708B2 (ja) |
EP (2) | EP3264180B1 (ja) |
JP (4) | JP6719729B2 (ja) |
KR (2) | KR20240010551A (ja) |
CN (4) | CN111610696A (ja) |
HK (1) | HK1246872A1 (ja) |
TW (2) | TWI768409B (ja) |
WO (1) | WO2016136691A1 (ja) |
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TWI768409B (zh) | 2015-02-23 | 2022-06-21 | 日商尼康股份有限公司 | 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法 |
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- 2016-02-23 CN CN202010504531.XA patent/CN111610696A/zh active Pending
- 2016-02-23 KR KR1020247001253A patent/KR20240010551A/ko active Application Filing
- 2016-02-23 JP JP2017502364A patent/JP6719729B2/ja active Active
- 2016-02-23 WO PCT/JP2016/055133 patent/WO2016136691A1/ja active Application Filing
- 2016-02-23 CN CN202010504124.9A patent/CN111948913B/zh active Active
- 2016-02-23 CN CN201680011727.7A patent/CN107278279B/zh active Active
- 2016-02-23 EP EP16755437.7A patent/EP3264180B1/en active Active
- 2016-02-23 KR KR1020177026406A patent/KR102632657B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-23 TW TW105105388A patent/TWI702474B/zh active
- 2016-02-23 EP EP19212547.4A patent/EP3680717A1/en active Pending
- 2016-02-23 CN CN202010504099.4A patent/CN111948912A/zh active Pending
-
2017
- 2017-08-09 US US15/673,260 patent/US10775708B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-18 HK HK18106473.3A patent/HK1246872A1/zh unknown
-
2020
- 2020-06-17 JP JP2020104764A patent/JP7220176B2/ja active Active
- 2020-08-03 US US16/983,446 patent/US11442371B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-12 JP JP2022002978A patent/JP7367786B2/ja active Active
- 2022-06-29 US US17/852,831 patent/US20220326629A1/en active Granted
-
2023
- 2023-08-10 JP JP2023131589A patent/JP2023153245A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124094A (ja) | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Canon Inc | 露光装置の制御方法及び露光システム |
JP2007184342A (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Nikon Corp | 露光システム、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2007086511A1 (ja) | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Nikon Corporation | 処理条件決定方法及び装置、表示方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
JP2010186918A (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Nikon Corp | アライメント方法、露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107278279B (zh) | 2020-07-03 |
TW202041980A (zh) | 2020-11-16 |
EP3264180A4 (en) | 2018-12-05 |
EP3264180B1 (en) | 2020-01-08 |
JPWO2016136691A1 (ja) | 2017-11-30 |
CN111610696A (zh) | 2020-09-01 |
US20200363738A1 (en) | 2020-11-19 |
TW201708970A (zh) | 2017-03-01 |
JP2022044651A (ja) | 2022-03-17 |
JP7367786B2 (ja) | 2023-10-24 |
HK1246872A1 (zh) | 2018-09-14 |
TWI768409B (zh) | 2022-06-21 |
CN107278279A (zh) | 2017-10-20 |
US10775708B2 (en) | 2020-09-15 |
US20180039190A1 (en) | 2018-02-08 |
CN111948913B (zh) | 2023-09-01 |
KR20170118210A (ko) | 2017-10-24 |
TW202238283A (zh) | 2022-10-01 |
JP2023153245A (ja) | 2023-10-17 |
CN111948912A (zh) | 2020-11-17 |
WO2016136691A1 (ja) | 2016-09-01 |
KR20240010551A (ko) | 2024-01-23 |
US11442371B2 (en) | 2022-09-13 |
EP3680717A1 (en) | 2020-07-15 |
TWI702474B (zh) | 2020-08-21 |
US20220326629A1 (en) | 2022-10-13 |
KR102632657B1 (ko) | 2024-02-01 |
CN111948913A (zh) | 2020-11-17 |
JP2020160475A (ja) | 2020-10-01 |
EP3264180A1 (en) | 2018-01-03 |
JP6719729B2 (ja) | 2020-07-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220112 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220112 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220127 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220201 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20220304 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20220308 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20221101 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20221220 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
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|
C30A | Notification sent |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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