CN104620370B - 基板处理系统及处理基板的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种基板处理系统。基板处理系统包括前端模块、载入模块、及处理模块。这些模块是配置用于沿着传输方向于这些模块之间进行基板传输。前端模块、载入模块及处理模块的至少一者包括传输装置，提供至少两个单独的轨道，用于支撑基板或基板载具。传输装置的至少两个轨道的两者或多者可在垂直于传输方向的转换方向中相对于彼此可移动。至少第一载入模块、第二载入模块及处理模块可各包括双轨传输装置。

Description

基板处理系统及处理基板的方法
技术领域
本发明的实施例是有关于包括用于基板传送的基板处理系统，以及于基板处理系统中处理基板的方法。一些实施例是有关于用于处理实质上垂直定向的基板的基板处理系统。特别是，一些实施例有关于双轨基板处理系统。
背景技术
在例如是薄膜晶体管(TFT)金属化处理的数种技术应用中，不同材料的数层在基板上方沉积于彼此上。一般来说，这是通过一连串的涂布或沉积步骤来完成，例如是溅镀步骤，其中其他像是蚀刻或成型(structuring)的处理步骤可能也在各种沉积步骤之前、之间或之后提供。举例来说，可沉积具有“材料一”-“材料二”-“材料一”的顺序的多层堆迭。由于在不同处理步骤中有不同涂布率，且由于这些层的厚度不同，在用于沉积不同层的处理腔室内的处理时间可能变化相当大。
为了沉积多层堆迭，可提供数个处理模块的配置。举例来说，可使用串联式(in-line)配置和群集式(cluster)配置的沉积模块。典型的群集式配置包括中央处理模块及所连接的数个处理或沉积模块。涂布模块可装配以执行相同或不同的处理。典型的串联式系统包括数个接续的处理模块，其中处理步骤是在一个接着一个的腔室内进行，使得数个基板可连续地或类似连续地以串联式系统进行处理。
群集式工具可用于不同的周期时间，但基板的搬运可能相当的复杂，而需要在中央搬运腔室内提供复杂的传输系统。在串联式系统中的处理工站时间(processing tact)一般是决定于最长的处理时间。可提供两个传输路径，使得第一基板可赶上正进行涂布的第二基板。
尽管如此，此处仍存有对基板处理系统进行改善的需求，其中对于一给定的生产能力来说，模块的数目与因此的花费可减少，或对于相同或相当的模块的数目，生产能力可增加。对于处理方法的改善也有需求以降低工站时间(tact time)，且对于具有执行此方法的能力的系统也有需求。
发明内容
有鉴于上述内容，提供根据独立权利要求的系统与方法。更进一步的细节是可在从属权利要求、说明书、及附图中寻得。
根据一实施例，提供了一种基板处理系统。基板处理系统包括前端模块、载入模块、以及处理模块。基板处理系统可包括第二载入模块。这些模块是配置来用于沿着一传输方向于这些模块之间进行基板传输。前端模块、载入模块及处理模块的至少一者包括基板传输装置，基板传输装置是提供至少二个单独的轨道，用于支撑一基板或基板载具。基板传输装置的至少二个轨道的其中二者或更多者是在一转换方向中相对于彼此可移动，转换方向垂直于传输方向。基板传输装置可为双轨基板传输装置，且双轨基板传输装置的两个轨道可在垂直于传输方向的转换方向中相对于彼此可移动。至少第一载入模块、第二载入模块及处理模块可各包括双轨传输装置。
根据另一实施例，提供了一种于一基板处理系统中处理基板的方法。此方法包括沿着一传输方向传输基板至基板处理系统的一真空部中。此方法更包括执行一第一轨道与一第二轨道间相对移动。第一轨道支撑基板。在真空部的一处理模块内，相对移动是于转换方向中执行，转换方向是垂直于传输方向。此方法更包括在真空处理模块中沉积一层于基板上。
本发明也有关于用于执行所公开的方法的一系统，包括用于执行所说明的各方法步骤的设备部件。这些方法步骤可通过硬件元件、通过适当软件编程的电脑、通过这二者的任何结合或以任何其他方式来执行。再者，本发明也有关于所述的系统进行操作方法或制造所述的系统的方法。它包括用于执行这个系统的各功能的方法步骤。
附图说明
为了可详细地了解让上述特点，更具体的说明可参照实施例。所附的附图是与实施例相关，且说明于下方：
图1-3图示根据此处所述的实施例的基板处理系统的示意图；
图4-7图示根据此处所述的实施例的沉积一层于基板上的基板处理方法及对应的基板处理系统的示意图；
图8-14图示根据此处所述的实施例的沉积三层于基板上的基板处理方法及对应的基板处理系统的示意图；
图15-19图示根据此处所述的实施例的沉积三层于基板上的基板处理方法及对应的基板处理系统的示意图；
图20图示根据此处所述的实施例的传输装置的示意图；
图21-23图示根据此处所述的实施例的传输装置的基板支撑元件且图示在传输装置中移动基板的方法的示意图；
图24-27图示根据此处所述的实施例的传输装置的基板支撑元件且图示在传输装置中移动基板的方法的示意图；以及
图28图示根据此处所述的实施例的处理基板的方法的方块图。
具体实施方式
详细的参照将以各种范例性的实施例来达成，一或多个各种范例性的实施例的例子是图示在各附图中。各例子是通过说明的方式来提供且不意味为限制。举例来说，所说明或描述而做为一实施例的部分的特性可用于与其他实施例结合，以取得再另一实施例。此意指本揭露包括这些调整及变化。
在下述附图的说明中，相同的参考标号意指相同或相似的元件。一般来说，仅有关于各别实施例的不同处会进行说明。图示于附图中的结构并非一定以真实的尺寸或角度来进行绘制，且可能会夸大特点来更佳地了解所对应的实施例。
此处所使用的术语“方向”并不限定为向量方向(“从A到B”)，但包括两个向量方向，其中可采用一直线(“从A到B”及“从B到A”)。举例来说，垂直方向应包括上及下的概念。因此，方向是以具有两个箭头的箭号来标注在附图中。
此处所使用的术语“基板”应包含数个基板，例如是数个玻璃基板。因此，基板通常是具有1.4m2及以上的尺寸的大面积基板，特别是5m2及以上的尺寸。举例来说，可实现1.43m2(第5代)及以上，例如是5.5m2(第8.5代)、9m2(第10代)或更大的基板尺寸。
一般来说，基板为垂直定向或实质上垂直定向。因此，可理解的是，实质上垂直定向的基板可在一处理系统中具有与垂直定向的一些偏移，以允许在具有一些角度的倾斜下来达到稳定传输，例如是最多15°或最多10°，例如是从5°到7°或较少。于是基板被称为是实质上或本质上垂直方向的。如果基板的最大表面(前及后表面)的法线是实质上为水平定向，基板是实质上垂直定向，也就是说，法线具有至多一些角度的倾斜，例如是至多15°或至多10°，例如是从5°至7°或更少。最大表面的至少一者，也就是前及后表面的至少一者，一般是在基板处理系统中进行涂布，可于基板处理系统中使用根据此处所述的实施例的基板传输装置。一实质上水平定向的基板具有其最大表面的法线，法线相对垂直方向倾斜至多一些角度，例如是至多15°或至多10°，例如是从5°至7°或更少。
根据一实施例，提供了一基板处理系统。基板处理系统可为用于处理实质上垂直定向的基板的系统，特别是涂布。基板处理系统可为串联式(inline)系统。基板处理系统包括前端模块、载入模块、及处理模块。基板处理系统可更包括其他的载入或处理模块，例如是第二载入模块及/或第二、第三或第四处理模块。在具有两个载入模块的实施例中，第一载入模块可连接于第一泵系统，第一泵系统适用于对第一载入模块进行抽气而成为中真空，且第二载入模块可连接于第二泵系统，第二泵系统适用于对第二载入模块进行抽气而成为高真空。中真空可在0.05mbar至1mbar的范围内，诸如是大约0.1mbar。高真空可在0.001mbar或更少，通常是在从10-5mbar至10-4mbar的范围内，例如是大约5*10-5mbar。
在一些实施例中，前端模块是适用于载入基板至载具中。前端模块可形成基板处理系统的大气部，即非处于真空的一部分。此载入模块或这些载入模块可为在基板处理系统的大气部与真空部之间的锁。这些载入模块可视为载入基板或基板载具至真空部或从其载出。真空部可包括(这些)处理模块。(这些)处理模块可为(数个)真空处理模块。高真空可存在于基板处理系统的真空部的数个模块中。
前端模块、载入模块及处理模块可配置，用以沿着一传输方向传送基板与这些模块之间。基板可在各别的载具中进行传输。基板处理系统可具有至少两个传输路径，在传输方向中彼此平行地延伸。一般来说，基板处理系统具有一第一传输路径及一第二传输路径。第一传输路径及第二传输路径是在一方向中相对于彼此转换，此方向垂直于传输方向。此方向将称为转换方向。
前端模块、载入模块及处理模块的至少一者包括基板传输装置，例如是双轨基板传输装置或三轨基板传输装置或四轨基板传输装置。处理模块可为一列模块的最后一个模块，此列的模块起始于前端模块。处理模块可包括基板传输装置。双轨基板传输装置提供两个单独的轨道，用于支撑基板或基板载具、三轨基板传输装置提供三个单独的轨道，用于支撑基板或基板载具，四轨基板传输装置提供四个单独的轨道，用于支撑基板或基板载具，且n轨基板传输装置提供n个单独的轨道，用于支撑基板或基板载具，其中n为一自然数。轨道是定义成可支撑基板或基板载具的空间。轨道可通过一基板支撑组件或其支撑元件来定义。n轨基板传输装置的任何数目m个轨道可在至少一垂直于传输方向的方向中相对于彼此可移动，特别是在转换方向中，其中m为从0至n的范围外的整数。也就是说，基板传输装置的至少两个轨道的两者或多者可至少在转换方向中相对于彼此可移动。在双轨基板传输装置中，两个轨道可在至少一垂直于传输方向的方向中相对于彼此可移动，特别是在转换方向中。
此种双轨基板转换装置将称为相对可移动的双轨基板传输装置，例如是相较于轨道一点也不可移动的固定双轨基板传输装置，或者相较于仅刚性可移动的传输装置，像是WO 2009/156196 A1的刚性可移动三轨传输手段。术语“刚性可移动(rigidly movable)”是意指轨道仅可以群组或组合的方式移动，而彼此保持固定的距离。WO2009/156196 A1的内容是就可与本发明的内容相容的部分于此并入参照。相较于WO2009/156196 A1的刚性可移动三轨传输方式，两个轨道在转换方向中相对移动的能力让处理区域内节省空间，处理区域位于进行沉积层于基板上的一处理模块中。节省此空间可积极地影响沉积处理的品质。相对移动的能力也增加有关于处理的弹性，因此有可能改善基板处理的处理方式而具有减少的工站时间。
简短来说，精确地包括两个轨道的模块将称为双轨模块，例如是双轨摆动模块或双轨处理模块。具有固定位置的轨道的双轨模块将称为固定双轨模块，且如上所述的两个轨道可相对于彼此移动的双轨模块将称为相对可移动双轨模块。传输装置将以类似的方式命名，例如是固定双轨传输装置，用于其轨道为静止且位于固定位置的传输装置。类似的命名方式应用在三、四或n个装置、模块及系统。如果情况可能为n个轨道中没有任何一个是彼此相对可移动，则将称为「固定」或「刚性可移动」，如果全部n个轨道是彼此相对可移动，则将称为「完全相对可移动」。为了简化，具有两个轨道的双轨基板传输装置将于下述中说明。应理解的是，所说明的任何特点也可在没有进一步详述下应用于部分或全部的三、四及n个装置、模块及系统的轨道或元件。
基板传输装置的两个轨道可于转换方向中彼此独立地可移动。前端模块、处理模块或例如是传输模块的其他模块可经配置，使得两个轨道可在转换方向中经过彼此。经过彼此的含意如下所述。假设X为具有法线的平面，此法线是平行于第一与第二轨道的法线，其中当在转换方向中来看时，平面X是未平置于这些轨道之间。在某一时间点，如果第一轨道从转换方向中测量是较第二轨道靠近平面X，则在第一与第二轨道经过彼此之后，相邻关系对调。在经过之后，第二轨道从转换方向中测量是较第一轨道靠近平面X。这两个轨道也可称为已经进行转换。
第一轨道可对齐于第一传输路径，且也可在不同的时间对齐于第二传输路径。也就是说，第一轨道可对齐于第一传输路径及或者对齐于第二传输路径。第二轨道可对齐于第一传输路径，且也可在不同的时间对齐于第二传输路径。也就是说，第二轨道可对齐于第一传输路径及或者对齐于第二传输路径。
在处理模块中，第一轨道及/或第二轨道可对齐于处理位置。处理位置一般是相较于第一与第二传输路径靠近沉积源。基板或基板载具可在处理位置中与沉积遮罩对齐。沉积遮罩可位于相对沉积源的一固定位置而不可移动。处理位置可与处理模块中的第一或第二传输路径的一部分重迭。然而，沉积遮罩与有可能甚至是沉积源可能需要朝向基板或基板载具移动，以沉积层。处理模块可包括多于一个的沉积源，例如是两个沉积源。然后，每个处理模块可能有多于一个的处理位置。具有多于一个沉积源的处理模块可为三轨或甚至四轨模块，例如是完全相对可移动的三轨或四轨模块。这些模块的轨道可对齐于多于一个的处理位置。
图1图示基板处理系统1000的一实施例的示意图。若处理(实质上)垂直定向的基板，则图1表示一俯视图，且若处理(实质上)水平定向的基板例如是在向下溅镀处理模块中进行处理，则图1表示侧视图。基板处理系统1000包括前端模块1100、载入模块1200、及处理模块1400。处理模块1400包括沉积源1450。根据此处所述的实施例，沉积源可例如是溅镀源，更特别是转动靶材的溅镀源。相较于平面靶材技术，转动靶材可通过靶材表面的较好的冷却来具有高沉积率。处理位置P是图示于处理模块1400中。前端模块1100可为摆动模块，用以载入基板至载具中且把它们从它们的载具卸除。摆动模块可为双轨摆动模块，包括双轨传输装置，双轨传输装置提供两个轨道来用于支撑基板或基板载具，其中两个轨道是在转换方向中彼此相对地可移动。或者，前端模块可包括一或多个机械手臂，诸如是六轴机械手臂，用于基板的载入与卸除。根据其他选择，前端模块可包括一装置，此装置用于实质上垂直的基板的载入与卸除。
基板处理模块1000可选择性地包括其他模块，例如是第二载入模块1300及/或一或多个以参考符号1500所标注的其他模块，例如是其他处理模块。这些可选的模块是于图1中以虚线图示。两个传输路径T1与T2是沿着传输方向T延伸，且在转换方向S中分隔。若前端模块1100为摆动模块的形式，前端模块1100可包括相对可移动的双轨基板传输装置，具有两个轨道1112与1122。图1中的双头箭号表示轨道1112与1122是至少在转换方向S中相对于彼此或甚至独立于彼此可移动的。处理图示模块1400包括相对可移动的双轨基板传输装置，具有两个轨道1412与1422。图1中的双头箭号表示轨道1412与1422是至少在转换方向S中相对于彼此或甚至独立于彼此可移动的。
这些模块被配置用于在每对的相邻模块间进行基板传输。举例来说，将于下文详细地说明，基板或载有各别基板的基板载具于相邻模块间是可交换的，通常是同时地交换。通过例如是在前端模块1100及处理模块1400内的相对可移动的基板传输装置，基板或基板载具可在其轨道支撑下，从位于至少一模块内的传输路径移动至另一传输路径。这允许快速横向移动，而有可能让工站时间减少。再者，相较于以搬运装置搬运基板或基板载具来从一传输路径移动基板或基板载具至另一传输路径，当基板或基板载具于其轨道移动时，不可能产生有害的粒子。
图2图示包括仅双轨模块的基板处理系统的一实施例的示意图，双轨模块通过在各前端模块1100、第一载入模块1200、第二载入模块1300、及(第一)处理模块1400中，以及也于可选的(数个)模块1500中的两条平行线表示。包括仅双轨模块的基板处理系统将简称为双轨基板处理系统。根据此处所述的实施例的双轨基板处理系统可实现基板处理，例如是在高产量下，使用相同总数的处理腔室于目前的群集式设计基板处理系统来涂布一或多层，或者，在具有相同产量下，但使用相较于目前群集式设计基板处理系统的减少数目的处理腔室。再者，快速的工站时间可例如是以将于此更详细说明的工艺处理来实现。
前端模块1100、第一载入模块1200、第二载入模块1300及处理模块1400被配置用于沿着传输方向T来在各对的相邻模块间进行基板传输。这些模块的双轨传输装置精确地提供两个独立的轨道，用于支撑基板或基板载具，且用于在至少传输方向中移动基板或基板载具。基板或基板载具可在这些模块的至少一者中自一个传输路径T1移动至另一个传输路径T2，例如是在串联式基板处理系统的第一个及最后一个模块中。
图3图示基板处理系统的其他实施例的示意图。根据一个实施例，提供了适用于沉积一层于基板上的基板处理系统，沉积的层例如是一氧化铟锡(ITO)或氧化铟镓锌(IGZO)层。这个基板处理系统为双轨基板处理系统。它是由相对可移动的双轨前端模块1100、第一固定双轨载入模块1200、第二固定双轨载入模块1300及相对可移动的双轨处理模块1400所组成。相对可移动的双轨前端模块1100具有两个轨道1112与1122，此两个轨道1112与1122在至少转换方向S中相对于彼此可移动。第一固定双轨载入模块1200具有固定轨道1215及1225。第二固定双轨载入模块1300具有固定轨道1315及1325。相对可移动的双轨处理模块1400具有两个轨道1412与1422，此两个轨道1412与1422在至少转换方向S中相对于彼此可移动。于处理模块1400中的沉积源可例如是包括转动ITO或IGZO溅镀靶材。在此基板处理系统中用于涂布基板使其具有一层的可能工艺处理将参照图4-7进行说明。
根据图3中的再一实施例，提供了适用于沉积三层于基板上的基板处理系统，沉积的三层例如是钼-铝-钼(Mo-Al-Mo)层结构。这个基板处理系统为双轨基板处理系统。它是由相对可移动的双轨前端模块1100、第一固定双轨载入模块1200、第二固定双轨载入模块1300、第一相对可移动的双轨处理模块1400及第二相对可移动的双轨处理模块1500所组成。相对可移动的双轨前端模块1100具有两个轨道1112与1122，此两个轨道1112与1122在至少转换方向S中相对于彼此可移动。第一固定双轨载入模块1200具有固定轨道1215及1225。第二固定双轨载入模块1300具有固定轨道1315及1325。第一相对可移动的双轨处理模块1400具有两个轨道1412与1422，此两个轨道1412与1422在至少转换方向S中相对于彼此可移动。第二相对可移动的双轨处理模块1500具有两个轨道1512与1522，此两个轨道1512与1522在至少转换方向S中相对于彼此可移动。于处理模块1400中的沉积源可例如是包括转动钼(Mo)溅镀靶材。于处理模块1500中的沉积源可例如是包括转动铝(Al)溅镀靶材。在此基板处理系统中用于涂布基板使其具有三层的可能处理将参照图8-14进行说明。
类似的基板处理系统可适用于沉积两层于基板上，例如是钼-铜层结构。处理腔室1400可接着包括转动铜溅镀靶材，且处理腔室1500可接着包括转动钼溅镀靶材。在此情况中，在腔室1400中的传输装置无需为相对可移动的双轨基板传输装置。它至少无需进行第一及第二轨道的轨道转换或轨道交换或两个轨道的单独的移动。在腔室1400中的基板传输装置可例如是具有可移动轨道及固定轨道的双轨传输装置，此可移动轨道可对齐于处理位置与处理位置附近的传输路径，此固定轨道是位于另一传输路径上。
根据其他实施例，适用于沉积三层于基板上的基板处理系统可包括第三处理模块，沉积的三层例如是钼-铝-钼层结构。当第一及第二基板处理模块的第一及第二沉积源分别包括钼与铝溅镀靶材时，于第三处理模块内的沉积源可例如是包括转动钼溅镀靶材。在此实施例中，第一及第二处理模块可包括相对可移动的双轨基板传输装置，但并不必要。在一些实施例中，只有数个串联的处理模块的最后一个处理模块包括一对可移动的双轨基板传输装置，具有轨道转换或轨道交换的能力。其他处理模块可包括例如是双轨传输装置，具有一可移动轨道与一固定轨道，此可移动轨道可对齐于处理位置与处理位置附近的传输路径，此固定轨道位于另一传输路径上。根据其他实施例，双轨前端模块可由包括一或多个例如是六轴机械手臂的机械手臂的前端模块来取代。
图4-7图示有关于图3的基板处理系统的示意图，其中前端模块1100是通过锁910连接于第一载入模块1200，第一载入模块1200是通过锁920连接于第二载入模块1300，且第二载入模块1300是通过锁930连接于处理模块1400。这些腔室间的数个锁允许基板在腔室间传输通过，这些锁包括图示于图8-19中的连接处理模块1400、1500及1600的锁940及950。至少在真空部内的锁与在载入模块之间的锁可为真空密封(vacuum-tight)，例如是锁920、930、940与950。
在图4-7中，且也在图8-14与图15-19中，未图示被配置用于支撑基板或基板载具的轨道。为了说明基板或载具路线，仅图示了基板或载具，其中箭号表示接续在现在所图示的状态后的移动。在下述中，为了简化且不包含任何限制，将以「载具」做为参照。再者，应可理解的是，载具路线一般为一周期处理，只图示用于了解整个周期的部分且任何进一步的周期一般是在其后执行。用于作为说明的开头的状态是任意地选择。图4-19说明处理基板的方法的实施例及基板处理系统的实施例，基板处理系统是适用于执行包括这些方法的每个功能，这些方法的功能包括图示在这些附图中的载具路线组合。
图4-7图示使用一特定路线方案的实施例的示意图，其中一层是涂布于每个基板上。在图4中，载具12是位于前端模块1100中第二传输路径T2上，载具22是位于第一载入模块1200中第一传输路径T1上，载具32是位于第二载入模块1300中第二传输路径上，且载具42是位于处理模块1400中第一传输路径T1上。已处理基板是自载具12卸除，且未处理基板被载入载具12中。载具12在轨道支撑其的情况下于转换方向S中移动至第一传输路径T1，另一轨道进行轨道转换，且载具42在轨道支撑其的情况下于转换方向S中移动至处理位置P，另一轨道进行轨道转换，而产生图5中所示的状态。
载具42的基板接收来自沉积源1450的涂布，例如是来自转动溅镀靶材的ITO或IGZO涂布。载具22与32同时在载入模块1200与1300之间交换而产生图6中所示的状态。当涂布完成时，载具42于转换方向中移动至第二传输路径T2。载具22与42同时在模块1300与1400之间交换，且载具12与32在模块1100与1200之间交换，而产生图7中所示的状态。
在图7中所示的情况相较于在图4中所示的情况，只有载具32现在是保持在先前载具12所保持的位置，载具12保持在先前载具22所保持的位置，载具22保持在先前载具42所保持的位置，且载具42保持在先前载具32所保持的位置。已处理基板从载具32卸除，且未处理基板被载入载具32中，且处理是按照先前说明以所解释的载具交换的方式持续进行。
用这种方法，例如是具有约500A的厚度的ITO层可在少于50s的工站时间沉积于每个基板上，少于50s的工站时间例如是约45s或更少，或甚至约38s或更少。根据一可选择的例子，具有约500A的厚度的IGZO层可在少于55s的工站时间沉积于每个基板上，少于55s的工站时间例如是约51s或更少，或甚至约38s或更少。
图8-14图示使用一特定路线组合的实施例的示意图，其中三层是涂布于每个基板上。在图8中，载具12位于前端模块1100中第一传输路径T1上，载具22位于第一载入模块1200中第一传输路径T1上，载具32位于第二载入模块1300中第二传输路径上，载具42位于第一处理模块1400中于第一传输路径T1上，且载具82位于第二处理模块1500中的一处理位置P中，接收来自沉积源1550的涂布。载具42在有轨道支撑的情况下于转换方向S中移动至模块1400中的处理位置，经过可能仍旧在第二传输路径T2静止的另一轨道。此产生图9中所示的状态。
载具82的基板仍旧接收来自沉积源1550的涂布，例如是来自转动溅镀靶材的铝涂布，且载具42的基板接收来自沉积源1450的第一涂布，例如是来自转动溅镀靶材的第一钼涂布。载具22与32同时在载入模块1200与1300之间交换，产生图10中所示的状态。当第一涂布完成时，载具42在转换方向中移动至第一传输路径T1。载具82可仍然接收来自沉积源1550的涂布，例如是因为需要较厚的涂布，例如是厚(tick)铝涂布。此产生图11中所示的状态。
当来自沉积源1550的涂布完成时，载具82在转换方向中移动至第二传输路径T2。载具42与82同时在处理模块1400与1500之间交换，且载具12与32同时在模块1100与1200之间交换，产生图12中所示的状态。载具82从第二传输路径T2移动至模块1400内的处理位置，以从沉积源1450接收第二涂布，假设其已经于图8中所示之前，在一状态中接收第一涂布，第二涂布例如是第二钼涂布。载具42从第一传输路径移动至模块1500中的处理位置，以接收来自沉积源1550的涂布。已处理基板是自载具32卸除，且未处理基板被载入载具32中。载具32从第二传输路径T2移动至模块1100的第一传输路径T1，产生图13中所示的状态。
当载具82的基板的第二涂布完成时，载具82的基板已涂布有三层，例如是钼-铝-钼层结构。载具82移动至第二传输路径T2。载具42的基板可仍旧在模块1500中接收涂布。载具82与22同时在模块1300与1400之间交换，产生图14中所示的状态。
图14中的状态与图8中的状态相当，只是载具32现在保持在先前载具12所保持的位置，载具12保持在先前载具22所保持的位置，载具22保持在先前载具42所保持的位置，载具42保持在先前载具82所保持的位置，且载具82保持在先前载具32所保持的位置。按照有关图8-13的先前说明以所解释的载具交换的方式持续进行处理。
在此方式中，例如是具有约500A的厚度的第一钼层、约3500A的厚度的铝层、及约500A的厚度的第二钼层的钼-铝-钼的层结构可在少于80s的工站时间沉积于每个基板上，少于80s的工站时间例如是75s，或甚至少于70s。
在一变化型中，三个处理模块以钼-铝-钼顺序的串联式的方式提供，其中只有最后一个处理模块及前端模块执行轨道转换，使得工艺处理为类似于图4-7中的绕圈(roundabout)处理，但产线中具有三个处理模块。当仅有两个处理模块的简化设计节省了另一处理模块的相当多的成本支出时，具有绕圈处理的三个处理模块的变化型可减少工站时间。举例来说，少于70s的工站时间可达成，例如是68s，或甚至少于60s。可使用层裂技术(layer split techniques)，例如是一相对厚的铝层可在两个连续的处理模块中沉积，产生具有三及四个处理模块的变化型。此可进一步减少工站时间例如是至55s或更少，例如是大约51s，然而是以其他处理模块的额外支出为代价。
在其他变化型中，图示于图8-14中的基板处理系统可用于沉积两层结构，例如是钼-铜结构。只有例如是钼处理模块的最后的处理模块与前端模块执行轨道转换，使得处理为类似图4-7中的绕圈处理，但产线中具有两个处理模块。在少于75s，例如是70s或更少，或甚至少于50s，例如是约48s的工站时间下，执行具有约500A的厚度的钼层及约6000A的厚度的铜层的钼-铜层结构的沉积。
再者，可使用层裂技术。举例来说，如果使用两个连续的铜处理模块，少于50s，例如是45s或更少，例如是38s的工站时间下，总共三个处理模块可完成相同的层结构，然而还是以其他处理模块的额外支出为代价。图15-19图示应用层裂技术的两个不同层的沉积的示意图，例如是钼-铜层结构的沉积，其可达到这样的工站时间。
图15-19图示利用特定路线方案的实施例的示意图，其中两个不同的层涂布于每个基板上。在图15中，载具12位于前端模块1100中第二传输路径T2上，载具22位于第一载入模块1200中第一传输路径T1上，载具32位于第二载入模块1300中第二传输路径T2上，载具44位于第一处理模块1400中的一处理位置中，载具42位于第一处理模块1400中第一传输路径T1上，载具84位于第二处理模块1500中的处理位置P中，载具82位于第二处理模块1500中第一传输路径T1上，且载具92位于第三处理模块1600中第一传输路径T1上。处理模块1400内的沉积源1450与处理模块内的沉积源1550包括相同的靶材材料，例如是铜。载具84接收第二层的第一部分，假设其之前是在第三处理腔室1600内从沉积源1650涂布有第一层，且载具44接收第二层的第二部分，假设其先前是在第二处理腔室1500内涂布有第二层的第一部分且在第三处理腔室1600内涂布有第一层。载具92是在有轨道支撑其的情况下于转换方向S中移动至第三处理模块1600中的处理位置。已处理基板可自载具12卸除，且未处理基板被载入至载具12中。此产生图16中所示的状态。
载具22与32同时在载入模块1200与1300之间交换。一旦载具44、84及92完成它们的涂布步骤，它们各移动至第二传输路径，产生图17中所示的状态。载具12与32同时在模块1100与1200之间交换。载具22与44同时在模块1300与1400之间交换。载具92与82同时在模块1500与1600之间交换。此产生图18中所示的状态。
已处理基板自载具32卸除，且未处理基板被载入至载具32中。载具84是在处理模块1400中的第二传输路径T2移动至处理位置，以接收来自沉积源1450的第二涂布的第二部分。载具92自处理模块1500中的第二传输路径T2移动至处理位置，以接收来自沉积源1550的第二涂布的第一部分。此产生图19中所示的状态。
图19中的状态与图15中的状态相当，只是载具32现在保持在先前载具12所保持的位置，载具12保持在先前载具22所保持的位置，载具22保持在先前载具42所保持的位置，载具42保持在先前载具82所保持的位置，载具82保持在先前载具92所保持的位置，载具92保持在先前载具84所保持的位置，载具84保持在先前载具44所保持的位置，且载具44保持在先前载具32所保持的位置。处理按照有关图8-13的先前说明以所解释的载具交换的方式持续进行。工艺处理为绕圈处理，其中轨道转换仅发生于前端模块1100与第三处理模块1600。
在下述中，说明传输装置的实施例。传输装置的其他实施例也甚至更为详细地说明于标题为“基板转换装置及移动基板的方法(Substrate transfer device and methodof moving substrates)”的PCT申请中，其于相同的日期申请且受让予相同的受让人，且代理人案号为17594P-WO，其内容全体皆并入以供参考。所有这些传输装置可用于和此处所述的基板处理系统的实施例结合，而产生其他实施例。
沿着一传输方向的用于基板传输且在一第一传输路径与一第二传输路径之间交换的传输装置可提供于根据此处所述的实施例的基板处理系统的数个模块内，例如是在相对可移动的双轨前端模块或相对可移动的双轨处理模块内，第一传输路径与第二传输路径沿着传输方向延伸。传输装置可包括第一基板支撑组件，定义第一轨道。传输装置可更包括第二基板支撑组件，定义第二轨道。第一基板支撑组件与第二基板支撑组件可在至少转换方向中相对于彼此移动。传输装置可包括另一基板支撑组件或另一些基板支撑组件，定义另一轨道或另一些轨道。任何其他的基板支撑组件可在至少转换方向中相对于第一、第二及/或其他基板支撑组件可移动。简单来说，将于下述中只说明双轨基板传输装置。应理解的是，任何说明的特点也可在没有进一步的引述下应用于三、四及n个基板传输装置的一些或全部的基板支撑组件。
再者，说明于共同申请案的第[0016]-[0029]段中的传输装置的任何特点可结合此处所述的传输装置来应用。这些段落及对应的附图被并入此处作为参考。
图20图示传输装置100。说明了轨道与传输路径的对齐、轨道的相对移动与轨道彼此经过的情况。第一传输路径T1与第二传输路径T2在转换方向S中量测时彼此分隔一距离d。第一轨道通过第一基板支撑组件110定义，且第二轨道通过基板支撑组件120定义。基板支撑组件110具有对齐于第一传输路径T1的选择，且具有对齐于第二传输路径T2的选择，如基板支撑组件110的左侧的弯曲箭号所示。第二基板支撑组件120也具有对齐于第一传输路径T1的选择，且具有对齐于第二传输路径T2的选择，如第二基板支撑组件120的右侧的弯曲箭号所示。第一基板支撑组件110可经过第二基板支撑组件120，且反之亦然，如在附图之中间的两个相对的箭号所示。如果传输装置用于处理模块内，第一及第二基板支撑组件也可具有对齐于处理模块的处理位置的选择。
先前提及的共同申请案也揭露模块、以及其连接方式及让基板传输的方式的进一步细节。特别是，说明于共同申请案的第[0031]-[0034]段中的任何特点可结合此处所述的模块来应用。这些段落及对应的附图被并入此处作为参考。
图21-23图示传输装置和传输系统，与基板如何通过传输装置或传输系统来进行移动的方式的示意图。图21图示第一基板支撑组件310与第二基板支撑组件320，第一基板支撑组件310包括第一支撑元件312，第二基板支撑组件320包括第二支撑元件322。所图示的支撑元件可例如是表示磁性导引元件或例如是滚轮或皮带的机械支撑元件。
如图21所示，第一基板支撑组件310支撑基板50。支撑至少部分地通过第一支撑元件312提供。支撑元件312在支撑基板50或其载具时移动至处理位置P。第二基板支撑组件的第二支撑元件322移动至第一传输路径T1。基板50在其支撑于它的轨道内时移动。基板50与第一支撑元件312在往处理位置P的途中经过第二支撑元件322。第一与第二支撑元件312、322可同时地移动。或者，仅数组的支撑元件的其中一者移动。举例来说，支撑基板50的第一支撑元件312可首先移动至处理位置P，且接着第二基板支撑元件322移动至对齐第一传输路径T1。在任何情况中，第一及第二支撑元件在转换方向中存在相对移动。
图22图示基板50位于处理位置P中且从沉积源250接收涂布层的状况。在一层沉积于基板50上之后，第一支撑元件312与基板50移动至第二传输路径T2，如在载具或基板50上的箭号所示。图23图示另一模块500的示意图，其可为另一处理模块或载入模块或前端模块。另一模块500包括第二传输装置。
第二传输装置包括两个其他的基板支撑组件410、420，基板支撑组件410、420分别包括基板支撑元件412与422。第二基板60在对齐于第一传输路径T1时通过基板支撑元件412得到支撑。图23图示同时传送第一基板50与第二基板60，第一基板50是沿着第二传输路径T2从腔室200传送至腔室500，第二基板60是沿着第一传输路径T1从腔室500传送至腔室200。先前空的支撑组件420的支撑元件422在腔室500内接收第一基板50，且先前空的支撑组件320的支撑元件322在腔室200内接收第二基板60。基板处理可继续进行来对基板60以类似先前基板50的方式移动且涂布。
先前提及的共同申请案也揭露支撑元件、其形式与数目的更进一步细节。特别是，说明于共同申请案的第[0035]-[0036]段与第[0043]-[0046]段中的任何特点可结合此处所述的模块内的基板传输装置来应用。这些段落及对应的附图被并入此处作为参考。
第一基板支撑组件可包括第一支撑元件，第二基板支撑组件可包括第二支撑元件，且至少部分的第一支撑元件和至少部分的第二支撑元件可在一回避(evasion)方向中相对于彼此可移动。回避方向是垂直于传输方向且垂直于转换方向。第一基板支撑组件的第一支撑元件和第二基板支撑组件的第二支撑元件可在转换方向中且在回避方向中相对于彼此可移动。第一支撑元件或其至少部分可在回避方向中可移动。第二支撑元件或其至少部分可附加地或选择性地可在回避方向中可移动。第一及第二支撑元件或其分别的至少部分可在回避方向中独立地相对于彼此可移动。
对回避移动而言，支撑元件可倾斜配置。支撑元件可通过倾斜来在回避方向中抬起一位移。图24-27图示通过倾斜的一回避移动的示意图。图示的例子是有关于垂直对齐的基板60与基板载具62。此例子可视为实现基板60的移动的特定实施例，其类似于图21和图22中的基板50的移动。倾斜角度及其他尺寸被夸大以便于说明。
图24图示包括一沉积源250的真空模块200。真空模块200具有墙204，与沉积源250相对。传输装置包括第一及第二基板支撑组件310、320。第一基板支撑组件310包括一组的滚轮元件314与一组的磁性导引元件312。第二基板支撑组件320包括一组的滚轮元件324与一组的磁性导引元件322，其目前支撑基板载具62，基板载具62支承基板60。滚轮的轴延伸通过真空模块200的墙204内的开口而进入非真空区域600内。
在图21中，在其载具62内的基板60对齐第一传输路径。举例来说，基板60与基板载具62可已经沿着第一传输路径传输至模块内，例如是类似图23中所示。目前第一基板支撑组件的空的支撑元件312与314是通过倾斜其所在的轴来在回避方向E中移动。在图24中所示的实施例中，(这些)磁性导引元件312向上移动，且滚轮元件314向下移动，产生图25中所产生的情况。
具有倾斜的支撑元件312与314的第一基板支撑组件310在转换方向S中朝向如图25中所示的墙204移动，且具有支撑元件322与324的第二基板支撑组件320在转换方向S中朝向沉积源250移动。
在图26中，基板载具62及基板60在通过第二轨道支撑的同时已经移动至处理位置。倾斜的支撑元件312与314可为非倾斜，即，一旦它们已经经过基板60及第二基板支撑组件320的支撑元件322、324，它们的轴可恢复至水平位置。图27图示第一轨道对齐于第一传输路径，且具有基板60的第二轨道对齐于处理位置的情况。由第一基板支撑组件310定义的第一轨道与由第二基板支撑组件320定义的第二轨道已经经过彼此。在处理基板完成之后，基板60与基板载具62可移动至左侧来对齐于第二传输路径，此时发生与相邻腔室的基板的交换，类似于图23中的情况。
先前提及的共同申请案也揭露支撑元件的倾斜能力的其他细节。特别是，说明于共同申请案的第[0048]-[0062]段中的任何特点可结合此处所述的模块内的基板传输装置来应用。这些段落及对应的附图被并入此处作为参考。共同申请案更揭露基板支撑元件的为旋转移动形式的选择性回避移动。说明于第[0063]-[0068]段中的任何特点也可结合此处所述的模块内的传输装置来应用。这些段落及对应的附图被并入此处作为参考。
用以与本揭露的基板处理系统的模块结合的传输装置也可包括任何数目的下述特点：第一基板支撑组件可至少于转换方向中可移动，使得第一轨道可对齐于第一传输路径且选择性地可对齐于第二传输路径；第二基板支撑组件可至少于转换方向中可移动，使得第二轨道可对齐于第一传输路径且选择性地可对齐于第二传输路径。第一基板支撑组件与第二基板支撑组件可相对于彼此移动，使得第一轨道及第二轨道在转换方向中经过彼此。第一基板支撑组件可包括第一支撑元件；第二基板支撑组件可包括第二支撑元件；至少部分的第一支撑元件与至少部分的第二支撑元件可在回避方向中相对于彼此可移动，回避方向垂直于传输方向与转换方向。第一支撑元件可包括一第一组的磁性支撑元件；第二支撑元件可包括一第二组的磁性支撑元件；第一及第二组的磁性支撑元件的至少一者可配置以旋转或倾斜来在回避方向中相对于对应的其他组的磁性支撑元件产生位移。第一支撑元件可包括第一组的滚轮支撑元件；第二支撑元件可包括第二组的滚轮支撑元件；第一及第二组的滚轮支撑元件的至少一者可配置以旋转或倾斜来在回避方向中相对于对应的其他组的滚轮支撑元件产生位移。第一及第二组的磁性支撑元件可配置以支撑本质上垂直方向的基板或基板载具的上部；第一及第二组的滚轮支撑元件可配置以支撑本质上垂直方向的基板或基板载具的下部；第一及第二组的磁性支撑元件可适用于抬起，且第一及第二组的滚轮支撑元件可适用于降低。在固定基板或基板载具时的第一组的磁性及滚轮支撑元件与第二组的磁性及滚轮支撑元件可于第一与第二基板支撑组件在转换方向中相对移动期间经过彼此。
根据其他实施例，提供了于基板处理系统中处理基板的方法。根据以图28中的方块图说明的实施例，方法2800包括沿着传输方向传输基板至基板处理系统的真空部中，以参考符号2810标注。此方法更包括于真空部的处理模块中执行在转换方向中的第一轨道与第二轨道间的相对移动，转换方向垂直于传输方向，第一轨道支撑基板，以参考符号2820标注。此方法更包括在真空处理模块内沉积一层于基板上，以参考符号2830标注。
此方法可更包括于处理模块内执行在转换方向中的第一轨道与第二轨道间的相对移动，第二轨道支撑第二基板且第一轨道为空的，其中第一轨道与第二轨道于转换方向中相对移动期间经过彼此。基板处理系统可包括第一双轨载入模块及第二双轨载入模块，用于传输基板到真空部内且用于接收来自真空部的基板。此方法可包括传送来自第一双轨载入模块的第一静止轨道的基板至第二双轨载入模块的空的第一静止轨道中，且通常是同时地传送来自第二双轨载入模块的第二静止轨道的另一基板至第一双轨载入模块的空的第二静止轨道。此动作被称为在两个模块间的(同时)基板交换，在上述例子是在两个载入模块间的基板交换。
基板支撑系统可包括双轨摆动模块，用于传输基板至第一双轨载入模块中且用于接收来自第一双轨载入模块的基板。此方法可包括在双轨摆动模块内的第一轨道与第二轨道间中的转换方向中执行相对移动，其中第一轨道支撑基板。第二轨道可为空的。第一轨道及第二轨道可在相对移动期间在转换方向中经过彼此。此方法可更包括自双轨摆动模块的第一轨道传输基板至第一双轨载入模块的空的第一静止轨道，且通常自第一双轨载入模块的第二静止轨道同时地传送另一基板至双轨摆动模块的第二轨道内。也就是说，此方法可包括在摆动模块及第一载入模块之间的(同时)基板交换。此方法可更包括在任何一对的其他模块的基板交换或同时基板交换，例如是在载入模块及处理模块之间，或在一第一及第二处理模块之间。
于一基板处理系统中处理一基板的方法可包括移动在基板处理系统中的基板的方法。移动基板的方法可包括下述的任一者：沿着一第一传输路径传输基板至一模块中；至少在垂直于第一传输路径的一转换方向中移动模块内的基板；移动模块内的通常为空的基板支撑组件的支撑元件，其中基板及(空的)基板支撑组件的支撑元件是在转换方向中彼此相对移动且经过彼此。空的基板支撑组件的支撑元件的移动可包括下列的至少一者：于垂直于第一传输路径及转换方向的回避方向中的移动，以及在转换方向中的移动。
移动基板的方法可包括传输基板，以通过第一轨道支撑。第一轨道可通过第一基板支撑组件的第一支撑元件定义。空的基板支撑组件可为第二基板支撑组件且空的基板支撑组件的支撑元件可为定义第二轨道的第二支撑元件。移动基板可在其支撑基板时包括移动第一轨道。支撑基板的第一轨道与由第二支撑元件所定义的第二轨道可在转换方向中相对于彼此移动且可经过彼此。
此方法可包括转动或倾斜至少部分的第二支撑元件。此模块可为具有处理位置的处理模块。移动基板可包括移动基板至处理位置。此方法可包括沉积一层于处理位置内的基板上。此方法可包括沿着一第二传输路径传输基板至模块外，且通常是沿着第一传输路径同时地传输第二基板至模块内，其中第二基板通过空的基板支撑组件的支撑元件来接收。
先前提及的共同申请案揭露移动基板的方法的更多细节，其可结合根据此处所述的实施例的处理基板的方法。特别是，说明于共同申请案的第[0069]-[0077]段中的任何特点可结合此处所述的方法来应用。这些段落及对应的附图被并入此处作为参考。再者，根据此处所述的实施例的基板处理系统的任何特点可应用于处理基板的方法中，而产生其他实施例。相反，基板处理系统与其元件可经配置以执行此处所述的各个方法。根据再其他实施例，提供了使用根据此处所述的任一实施例的基板处理系统来执行任一此处所述的处理基板的方法。
于此使用的术语与词句是用以作为术语的说明且并非限制，且使用的此种术语与词句并不意欲排出任何所示及所说明或其的部分的特点的任何等效物。虽然前述是有关于实施例，其他或进一步的实施例可在不违背此范围的情况下取得，且此范围是决定于下述的权利要求。

Claims (20)

1.一种基板处理系统(1000)，包括：
前端模块(1100)；
载入模块(1200，1300)；以及
处理模块(1400)，所述处理模块包括沉积源(1450)；
其中所述前端模块(1100)、所述载入模块(1200,1300)及所述处理模块(1400)被配置来用于沿着传输方向(T)于这些模块之间进行基板传输，以及
其中所述处理模块(1400)包括传输装置(100)，所述传输装置提供至少两个单独的轨道(1412、1422)，用于支撑实质上垂直定向的基板或基板载具(12、22、32、42)，其中所述至少两个单独的轨道(1412、1422)的其中二者或更多者是在转换方向(S)中相对于彼此可移动，所述转换方向(S)垂直于所述传输方向。
2.如权利要求1所述的基板处理系统(1000)，其中所述前端模块(1100)为双轨摆动模块，包括双轨传输装置(100)，提供两个轨道(1112,1122)用于支撑基板或基板载具(12,22)，其中所述两个轨道(1112,1122)是在所述转换方向(S)中相对于彼此可移动。
3.如权利要求1所述的基板处理系统(1000)，其中所述处理模块(1400)是在一列的数个模块中的最后一个模块，所述列的这些模块起始于所述前端模块(1100)，且其中所述处理模块(1400)包括双轨传输装置(100)，提供两个轨道(1412,1422)用于支撑基板或基板载具(42)，其中所述两个轨道(1412,1422)是在所述转换方向(S)中相对于彼此可移动。
4.如权利要求2所述的基板处理系统(1000)，其中所述处理模块(1400)是在一列的数个模块中的最后一个模块，所述列的这些模块起始于所述前端模块(1100)，且其中所述处理模块(1400)包括双轨传输装置(100)，提供两个轨道(1412,1422)用于支撑基板或基板载具(42)，其中所述两个轨道(1412,1422)是在所述转换方向(S)中相对于彼此可移动。
5.如权利要求1所述的基板处理系统(1000)，其中所述处理模块(1400)的所述传输装置(100)的所述至少两个单独的轨道(1412、1422)是可移动，以在所述转换方向(S)中经过彼此。
6.如权利要求2所述的基板处理系统(1000)，其中所述前端模块(1100)的所述双轨传输装置(100)的所述两个轨道(1112,1122)与所述处理模块(1400)的所述传输装置(100)的所述至少两个单独的轨道(1412,1422)中的至少一者是可移动，以在所述转换方向(S)中经过彼此。
7.如权利要求3所述的基板处理系统(1000)，其中所述处理模块(1400)的所述传输装置(100)的所述两个轨道(1412,1422)是可移动，以在所述转换方向(S)中经过彼此。
8.如权利要求4所述的基板处理系统(1000)，其中所述前端模块(1100)与所述处理模块(1400)的至少一者的所述双轨传输装置(100)的所述两个轨道(1112,1122,1412,1422)是可移动，以在所述转换方向(S)中经过彼此。
9.如权利要求1-8中的任一项所述的基板处理系统(1000)，包括下述的至少一者：
(a)第二处理模块(1500)，包括双轨传输装置(100)；以及
(b)第三处理模块(1600)，包括双轨传输装置(100)。
10.如权利要求9所述的基板处理系统(1000)，其中所述第二处理模块(1500)的所述双轨传输装置(100)提供两个轨道(1512,1522)，所述两个轨道(1512,1522)在所述转换方向(S)中相对于彼此可移动。
11.如权利要求1-8中的任一项所述的基板处理系统(1000)，
其中所述载入模块为第一载入模块(1200)且所述基板处理系统(1000)包括第二载入模块(1300)，
其中所述第一载入模块(1200)是连接于所述前端模块(1100)且所述第二载入模块(1300)是连接于所述第一载入模块(1200)，用以于这些模块之间进行基板传输；
其中所述第一载入模块(1200)是连接于第一泵系统，适用于对所述第一载入模块(1200)进行抽气而成为中真空，且所述第二载入模块(1300)是连接于第二泵系统，适用于对所述第二载入模块(1300)进行抽气而成为高真空，且其中所述第一载入模块(1200)包括第一固定双轨传输装置(100)，提供两个静止轨道(1215、1225)来用于支撑基板或基板载具，且所述第二载入模块(1300)包括第二固定双轨传输装置(100)，提供两个静止轨道(1315、1325)来用于支撑基板或基板载具。
12.一种基板处理系统(1000)，包括：
前端模块(1100)；
第一载入模块(1200)；
第二载入模块(1300)；以及
处理模块(1400)，所述处理模块包括沉积源(1450)；
其中所述前端模块(1100)、所述第一载入模块(1200)、所述第二载入模块(1300)及所述处理模块(1400)被配置用于沿着传输方向(T)于这些模块之间进行基板传输，以及
其中所述第一载入模块(1200)、所述第二载入模块(1300)及所述处理模块(1400)各包括双轨传输装置(100)，所述双轨传输装置(100)提供恰好两个单独的轨道(1112、1122、1215、1225、1315、1325、1412、1422)，用于支撑实质上垂直定向的基板或基板载具(12、22、32、42)，且用于至少在所述传输方向(T)中移动所述实质上垂直定向的基板或基板载具(12、22、32、42)，其中所述处理模块(1400)的所述双轨传输装置(100)的所述恰好两个单独的轨道(1412、1422)在转换方向(S)上相对于彼此可移动，所述转换方向(S)垂直于所述传输方向。
13.如权利要求12所述的基板处理系统(1000)，其中所述基板处理系统为双轨基板处理系统，且所述前端模块(1100)为双轨摆动模块，精确地提供二单独的轨道(1112、1122)，用于支撑基板或基板载具(12)，且用于至少于所述传输方向(T)中移动所述基板或基板载具(12)。
14.一种于基板处理系统(1000)中处理实质上垂直定向的基板的方法(2800)，所述方法包括：
沿着传输方向(T)传输(2810)所述基板至所述基板处理系统(1000)的真空部中；
于所述真空部的处理模块(1400，200)中执行(2820)在转换方向(S)中第一轨道与第二轨道间相对移动，所述转换方向(S)垂直于所述传输方向(T)，所述第一轨道支撑所述实质上垂直定向的基板；以及
在所述处理模块(1400，200)中沉积(2830)一层于所述实质上垂直定向的基板上。
15.如权利要求14所述的方法(2800)，其中所述处理模块(1400，200)为双轨真空处理模块，其中所述第二轨道为空，且所述第一轨道与所述第二轨道是在相对移动期间于所述转换方向(S)中经过彼此。
16.如权利要求14至15中的任一项所述的方法(2800)，包括：
自所述第一轨道传输所述基板至相邻模块内；且
自所述相邻模块同时地传输第二基板至所述处理模块(1400，200)内以由所述第二轨道支撑，
其中所述相邻模块为第二处理模块(1500)或载入模块(1200、1300)。
17.如权利要求16所述的方法(2800)，包括：
于所述处理模块(1400，200)内执行在所述转换方向(S)中所述第一轨道与所述二轨道间相对移动，所述第二轨道支撑所述第二基板且所述第一轨道为空，其中所述第一轨道与所述第二轨道是在相对移动期间于所述转换方向(S)中经过彼此。
18.如权利要求14至15中的任一项所述的方法(2800)，其中所述基板处理系统(1000)包括第一双轨载入模块(1200)与第二双轨载入模块(1300)，用于传输数个基板至所述真空部内，且自所述真空部接收数个基板，所述方法(2800)包括：
自所述第一双轨载入模块(1200)的第一静止轨道(1215、1225)传送所述基板至所述第二双轨载入模块(1300)的空的第一静止轨道(1315、1325)内，且自所述第二双轨载入模块(1300)的第二静止轨道(1315、1325)同时地传送另一基板至所述第一双轨载入模块(1200)的空的第二静止轨道(1215、1225)内。
19.如权利要求18所述的方法(2800)，其中所述基板处理系统(1000)包括双轨摆动模块(1100)，用于传输数个基板至所述第一双轨载入模块(1200)中且用于接收来自所述第一双轨载入模块(1200)的数个基板，所述方法(2800)包括：
于所述双轨摆动模块(1100)中执行在所述转换方向(S)中第一轨道(1112)与第二轨道(1122)间的相对移动，所述第一轨道(1112)支撑所述基板且所述第二轨道(1122)为空，其中所述第一轨道(1112)与所述第二轨道(1122)是在相对移动期间于所述转换方向(S)中经过彼此。
20.如权利要求19所述的方法(2800)，包括：
自所述双轨摆动模块(1100)的所述第一轨道(1112)传输所述基板至所述第一双轨载入模块(1200)的空的第一静止轨道(1215)，且自所述第一双轨载入模块(1200)的第二静止轨道(1225)同时地传送另一基板至所述双轨摆动模块(1100)的所述第二轨道(1122)内。
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