JPWO2009037862A1 - 包接錯体を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

包接錯体を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Download PDF

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Abstract

緻密な半導体の封止材に対応するため、封止材の保存安定性を向上させる共に、封止時の封止材の流動性を保ち、且つ熱による効率的な封止材の硬化速度を実現するものである。下記（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。（Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）（ｂ１）芳香族カルボン酸化合物と、（ｂ２）式（II）［式中、Ｒ２は、水素原子等を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子等を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも１種とを含有する包接錯体。【化１】

Description

本発明は、包接錯体を硬化剤及び／又は硬化促進剤とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子や電気部品の封止材として、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及びその他の添加剤を含有するエポキシ樹脂組成物が用いられている。従来、硬化剤や硬化促進剤としてアミン系化合物やイミダゾール系化合物等が用いられていたがエポキシ樹脂組成物の保存安定性に問題があった。近年、この保存安定性を改善する目的で、イミダゾール系化合物やアミン系化合物をゲスト化合物とし、１，１’，２，２’−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンをホストとする包接錯体を硬化促進剤として用いることが提案されている（特許文献１参照）。しかしながら１，１’，２，２’−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンはイミダゾール系化合物やアミン系化合物を包接することで、それらの化合物を単独又は併用した場合に比べ、封止材の常温での保存安定性の向上を図ることが可能となるものの、近年進歩の著しい半導体の微細な仕様に対する封止材組成を十分に満足させるものではなかった。
特開２００４−３０７５４５
本発明の課題は、緻密な半導体の封止材に対応するため、封止材の保存安定性を向上させると共に、封止時の封止材の流動性を保ち、且つ熱による効率的な封止材の硬化速度を実現することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、芳香族カルボン酸化合物と、イミダゾール化合物とを少なくとも含む包接錯体をエポキシ樹脂の硬化剤及び／又は硬化促進剤として用いることで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、
［１］下記（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）（ｂ１）芳香族カルボン酸化合物と、
（ｂ２）式（II）
Figure 2009037862
 ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも１種
とを含有する包接錯体。
また、本発明は、
［２］下記（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を含有することを特徴とする半導体固形封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）（ｂ１）芳香族カルボン酸化合物と、
（ｂ２）式（II）
Figure 2009037862
 ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも１種
とを含有する包接錯体
（Ｃ）無機充填剤
さらに、本発明は、
［３］（ｂ１）の芳香族カルボン酸化合物が、式（Ｉ−１）
Figure 2009037862
（式中、ｎ１は１〜４のいずれかの整数を表す。ｎ２は０〜４のいずれかの整数を表す。Ｒ１はＣ１〜６アルキル基、ニトロ基、水酸基を表す。）
又は、式（Ｉ−２）
Figure 2009037862
（式中、ｍ１は１〜４のいずれかの整数を表す。ｍ２は０〜２のいずれかの整数を表す。Ｒ１１はＣ１〜６アルキル基、ニトロ基、水酸基又は次式
Figure 2009037862
（式中、ｑは１又は２の整数を表す。＊は結合位置を示す。）
を表す。）
で表される化合物であることを特徴とする、［１］又は［２］のエポキシ樹脂組成物や、
［４］（ｂ１）の芳香族カルボン酸化合物が、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、イソフタル酸、テレフタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、５−ニトロイソフタル酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、［１］又は［２］にのエポキシ樹脂組成物や、
［５］（Ｂ）の包接錯体が、
（ｂ１）３，５−ジヒドロキシ安息香酸、イソフタル酸、テレフタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、５−ニトロイソフタル酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種である芳香族カルボン酸化合物と、
（ｂ２）２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも１種であるイミダゾール化合物
との包接錯体であることを特徴とする、
［１］〜［４］のエポキシ樹脂組成物に関する。
さらに、本発明は
［６］トリメシン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種と、
式（II）
Figure 2009037862
 ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも1種との、包接錯体に関する。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、
（Ａ）エポキシ樹脂と、
（Ｂ）（ｂ１）芳香族カルボン酸化合物と、
（ｂ２）式（II）
Figure 2009037862
 ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも１種
とを含有する包接錯体
とを含有するものであれば特に制限されるものではない。
（Ａ）成分のエポキシ樹脂としては、従来公知の各種ポリエポキシ化合物が使用でき、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンジグリシジルエーテル、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパンジグリシジルエーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタンジグリシジルエーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタンジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、フロログリシノールトリグリシジルエーテル、トリヒドロキシビフェニルトリグリシジルエーテル、テトラグリシジルベンゾフェノン、ビスレゾルシノールテトラグリシジルエーテル、テトラメチルビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＣジグリシジルエーテル、ビスフェノールヘキサフルオロプロパンジグリシジルエーテル、１，３−ビス〔１−（２，３−エポキシプロパキシ）−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエチル〕ベンゼン、１，４−ビス〔１−（２，３−エポキシプロパキシ）−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロメチル〕ベンゼン、４，４′−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）オクタフルオロビフェニル、フェノールノボラック型ビスエポキシ化合物等の芳香族系グリシジルエーテル化合物、アリサイクリックジエポキシアセタール、アリサイクリックジエポキシアジペート、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の脂環式ポリエポキシ化合物、ジグリシジルフタレート、ジグリシジルテトラヒドロフタレート、ジグリシジルヘキサヒドロフタレート、ジメチルグリシジルフタレート、ジメチルグリシジルヘキサヒドロフタレート、ジグリシジル−ｐ−オキシベンゾエート、ジグリシジルシクロペンタン−１，３−ジカルボキシレート、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジルアミノフェノール、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、ジグリシジルトリブロモアニリン等のグリシジルアミン化合物、ジグリシジルヒダントイン、グリシジルグリシドオキシアルキルヒダントイン、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物等を挙げることができる。
（Ｂ）成分としては、芳香族カルボン酸化合物と、式（II）
Figure 2009037862
 ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物とを少なくとも含有する包接錯体であれば特に制限はなく、溶媒等の第３成分を含んでいてもよい。
ここで「包接錯体」とは、２種又は３種以上の分子が共有結合以外の結合により結合した化合物をいい、より好ましくは、２種又は３種以上の分子が共有結合以外の結合により結合した結晶性化合物をいう。包接する化合物をホスト化合物といい、包接される化合物をゲスト化合物という。また、塩もここでいう包接錯体に含まれる。
前記芳香族カルボン酸化合物と、イミダゾール化合物との割合は、包接化合物を形成しうる限り特に制限はないが、前記芳香族カルボン酸化合物１モルに対して、イミダゾール化合物が、０．１〜５．０モルであることが好ましく、０．５〜４．０モルであることがより好ましい。
第３成分を含有する場合には、第３成分は組成物全量に対して４０モル％以下であることが好ましく、さらには１０モル％以下が好ましく、特に、第３成分を含まないことが最も好ましい。
芳香族カルボン酸化合物としては、特に制限されず、例えば次のものが例示できる。
安息香酸、２−メチル安息香酸、３−メチル安息香酸、４−メチル安息香酸、２−エチル安息香酸、３−エチル安息香酸、４−エチル安息香酸、２−ｎ−プロピル安息香酸、３−ｎ−プロピル安息香酸、４−ｎ−プロピル安息香酸、２−ブチル安息香酸、３−ブチル安息香酸、４−ブチル安息香酸、２−イソプロピル安息香酸、３−イソプロピル安息香酸、４−イソプロピル安息香酸、２−イソブチル安息香酸、３−イソブチル安息香酸、４−イソブチル安息香酸、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２−ニトロ安息香酸、３−ニトロ安息香酸、４−ニトロ安息香酸、２−ニトロ安息香酸メチル、３−ニトロ安息香酸メチル、４−ニトロ安息香酸メチル、２−ニトロ安息香酸エチル、３−ニトロ安息香酸エチル、４−ニトロ安息香酸エチル、２−ニトロ安息香酸プロピル、３−ニトロ安息香酸プロピル、４−ニトロ安息香酸プロピル、２−ニトロ安息香酸ブチル、３−ニトロ安息香酸ブチル、４−ニトロ安息香酸ブチル、２，３−ジメチル安息香酸、２，４−ジメチル安息香酸、２，５−ジメチル安息香酸、２，６−ジメチル安息香酸、３，４−ジメチル安息香酸、３，５−ジメチル安息香酸、３，６−ジメチル安息香酸、４，５−ジメチル安息香酸、４，６−ジメチル安息香酸、２，３−ジエチル安息香酸、２，４−ジエチル安息香酸、２，５−ジエチル安息香酸、２，６−ジエチル安息香酸、３，４−ジエチル安息香酸、３，５−ジエチル安息香酸、３，６−ジエチル安息香酸、４，５−ジエチル安息香酸、４，６−ジエチル安息香酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，６−ジヒドロキシ安息香酸、４，５−ジヒドロキシ安息香酸、４，６−ジヒドロキシ安息香酸；
フタル酸、３−メチルフタル酸、４−メチルフタル酸、５−メチルフタル酸、６−メチルフタル酸、３−エチルフタル酸、４−エチルフタル酸、５−エチルフタル酸、６−エチルフタル酸、３−ｎ−プロピルフタル酸、４−ｎ−プロピルフタル酸、５−ｎ−プロピルフタル酸、６−ｎ−プロピルフタル酸、３−ブチルフタル酸、４−ブチルフタル酸、５−ブチルフタル酸、６−ブチルフタル酸、３−イソプロピルフタル酸、４−イソプロピルフタル酸、５−イソプロピルフタル酸、６−イソプロピルフタル酸、３−イソブチルフタル酸、４−イソブチルフタル酸、５−イソブチルフタル酸、６−イソブチルフタル酸、３−ヒドロキシフタル酸、４−ヒドロキシフタル酸、５−ヒドロキシフタル酸、６−ヒドロキシフタル酸、３，４−ジヒドロキシフタル酸、３，５−ジヒドロキシフタル酸、３，６−ジヒドロキシフタル酸、４，５−ジヒドロキシフタル酸、４，６−ジヒドロキシフタル酸、３−ニトロフタル酸、４−ニトロフタル酸、５−ニトロフタル酸、６−ニトロフタル酸、３，４−ジメチルフタル酸、３，５−ジメチルフタル酸、３，６−ジメチルフタル酸、４，５−ジメチルフタル酸、４，６−ジメチルフタル酸；
イソフタル酸、２−メチルイソフタル酸、４−メチルイソフタル酸、５−メチルイソフタル酸、６−メチルイソフタル酸、２−エチルイソフタル酸、４−エチルイソフタル酸、５−エチルイソフタル酸、６−エチルイソフタル酸、２−ｎ−プロピルイソフタル酸、４−ｎ−プロピルイソフタル酸、５−ｎ−プロピルイソフタル酸、６−ｎ−プロピルイソフタル酸、２−イソプロピルイソフタル酸、４−イソプロピルイソフタル酸、５−イソプロピルイソフタル酸、６−イソプロピルイソフタル酸、２−ブチルイソフタル酸、４−ブチルイソフタル酸、５−ブチルイソフタル酸、６−ブチルイソフタル酸、２−イソブチルイソフタル酸、４−イソブチルイソフタル酸、５−イソブチルイソフタル酸、６−イソブチルイソフタル酸、４−ｔ−ブチルイソフタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、６−ｔ−ブチルイソフタル酸、２−ヒドロキシイソフタル酸、４−ヒドロキシイソフタル酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、６−ヒドロキシイソフタル酸、２，４−ジヒドロキシイソフタル酸、２，５−ジヒドロキシイソフタル酸、２，６−ジヒドロキシイソフタル酸、４，５−ジヒドロキシイソフタル酸、４，６−ジヒドロキシイソフタル酸、５，６−ジヒドロキシイソフタル酸、２，４−ジメチルイソフタル酸、２，５−ジメチルイソフタル酸、２，６−ジメチルイソフタル酸、４，５−ジメチルイソフタル酸、４，６−ジメチルイソフタル酸、５，６−ジメチルイソフタル酸、２−ニトロイソフタル酸、４−ニトロイソフタル酸、５−ニトロイソフタル酸、６−ニトロイソフタル酸、２−メチルテレフタル酸、２−エチルテレフタル酸、２−ｎ−プロピルテレフタル酸、２−イソプロピルテレフタル酸、２−ブチルテレフタル酸、２−イソブチルテレフタル酸、２−ヒドロキシテレフタル酸、２，６−ジヒドロキシテレフタル酸、２，６−ジメチルテレフタル酸、２−ニトロテレフタル酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、１，２，４−ベンゼントリカルボン酸（トリメット酸）、１，２，５−ベンゼントリカルボン酸、１，３，４−ベンゼントリカルボン酸、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸（トリメシン酸）、４−ヒドロキシ−１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、５−ヒドロキシ−１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、３−ヒドロキシ−１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、５−ヒドロキシ−１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、６−ヒドロキシ−１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸（ピロメリット酸）；
１−ナフトエ酸、２−ナフトエ酸、２−メチル−１−ナフトエ酸、３−メチル−１−ナフトエ酸、４−メチル−１−ナフトエ酸、５−メチル−１−ナフトエ酸、６−メチル−１−ナフトエ酸、７−メチル−１−ナフトエ酸、８−メチル−１−ナフトエ酸、１−メチル−２−ナフトエ酸、３−メチル−２−ナフトエ酸、４−メチル−２−ナフトエ酸、５−メチル−２−ナフトエ酸、６−メチル−２−ナフトエ酸、７−メチル−２−ナフトエ酸、８−メチル−２−ナフトエ酸、１，２−ナフタレンジカルボン酸、１，３−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、１，６−ナフタレンジカルボン酸、１，７−ナフタレンジカルボン酸、１，８−ナフタレンジカルボン酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸、２，４−ナフタレンジカルボン酸、２，５−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、２，８−ナフタレンジカルボン酸、２−ヒドロキシ１−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、４−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、５−ヒドロキシ１−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、７−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、８−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、４−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、５−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、７−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、８−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、１，２，４，５−ナフタレンテレカルボン酸、２，３−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、２，４−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、２，５−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、２，６−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、２，７−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、２，８−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３，４−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３，６−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３，８−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、４，５−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、４，６−ヒドロキシジヒドロキシナフトエ酸、４，７−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、４，８−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、５，６−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、５，７−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、５，８−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、６，７−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、６，８−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、７，８−ジヒドロキシ−１−ナフトエ酸、１，３−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、１，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、１，６−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、１，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、１，８−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，６−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，８−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、４，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、４，６−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、４，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、４，８−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、５，６−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、５，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、５，８−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、６，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、６，８−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、７，８−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、シクロヘキサンカルボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，１−シクロヘキサンジカルボン酸、１，２−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，３−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，４−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，５−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，６−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，７−デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，８−デカヒドロナフタレンジカルボン酸等。
これらの芳香族カルボン酸化合物は１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
これらのうちでも、式（Ｉ−１）
Figure 2009037862
（式中、ｎ１は１〜４のいずれかの整数を表す。ｎ２は０〜４のいずれかの整数を表す。Ｒ１はＣ１〜６アルキル基、ニトロ基、水酸基を表す。）
又は、式（Ｉ−２）
Figure 2009037862
（式中、ｍ１は１〜４のいずれかの整数を表す。ｍ２は０〜２のいずれかの整数を表す。Ｒ１１はＣ１〜６アルキル基、ニトロ基、水酸基又は次式
Figure 2009037862
（式中、ｑは１又は２の整数を表す。＊は結合位置を示す。）
を表す。）で表される芳香族カルボン酸化合物であることが好ましい。
Ｒ１、Ｒ１１のＣ１〜６アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基、ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、ネオペンチル基、１−エチルプロピル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基等が挙げられる。
さらにこれらのうちでも、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、イソフタル酸、テレフタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、５−ニトロイソフタル酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種であることがより好ましい。
イミダゾール化合物としては、式（II）
Figure 2009037862
 ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表される化合物であれば、特に制限はない。
Ｒ２のＣ１〜Ｃ１０のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、シクロプロピルメチル基、ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、ネオペンチル基、１−エチルプロピル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
Ｒ３〜Ｒ５のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基としては、Ｒ２のアルキル基として挙げたもののほか、ウンデシル基、ラウリル基、パルミチル基、ステアリル基等が挙げられる。
Ｒ３〜Ｒ５のＣ１〜Ｃ２０のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基等が挙げられる。
イミダゾール化合物として具体的に例えば、イミダゾール、１−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、３−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、５−メチルイミダゾール、１−エチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、３−エチルイミダゾール、４−エチルイミダゾール、５−エチルイミダゾール、１−ｎ−プロピルイミダゾール、２−ｎ−プロピルイミダゾール、１−イソプロピルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、１−ｎ−ブチルイミダゾール、２−ｎ−ブチルイミダゾール、１−イソブチルイミダゾール、２−イソブチルイミダゾール、２−ウンデシル−１Ｈ−イミダゾール、２−ヘプタデシル−１Ｈ−イミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１，３−ジメチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−フェニルイミダゾール、２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、４−メチル−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル−４，５−ジ（２−シアノエトキシ）メチルイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール塩酸塩等が挙げられる。
これらのうちでも、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも１種であるイミダゾール化合物がより好ましい。
上記の芳香族カルボン酸化合物とイミダゾール化合物との包接錯体は、上記の範囲のものであればその組み合わせは特に制限されないが、なかでも、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、イソフタル酸、テレフタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、５−ニトロイソフタル酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種である芳香族カルボン酸化合物と、
２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも１種であるイミダゾール化合物との包接錯体であることがより好ましい。
（新規包接錯体）
本発明において、トリメシン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種と、
式（II）
Figure 2009037862
 ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも1種との包接錯体は、新規なものである。
（Ｂ）成分の包接錯体の製造方法は、前記芳香族カルボン酸化合物と、イミダゾール化合物とを直接混合するか、あるいは溶媒中で混合することにより得ることができる。また、低沸点の物質あるいは蒸気圧の高い物質の場合は、前記芳香族カルボン酸化合物にこれらの物質の蒸気を作用させることにより目的とする包接錯体を得ることができる。また、前記芳香族カルボン酸化合物に対して、二種類以上のイミダゾール化合物を反応させることにより、三成分以上の多成分からなる包接錯体を得ることもできる。さらに、前記芳香族カルボン酸化合物と、あるイミダゾール化合物との包接錯体をまず生成させ、この包接錯体と、別のイミダゾール化合物とを上記のような方法で反応させることにより目的とする包接錯体を得ることができる。
得られる包接錯体の構造は、熱分析（ＴＧ及びＤＴＡ）、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）、Ｘ線回折パターン、固体ＮＭＲスペクトル等により確認できる。また、包接錯体の組成は、熱分析、１Ｈ−ＮＭＲスペクトル、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）、元素分析等により確認することができる。
（Ｂ）成分の包接錯体の５０％粒子径は、特に限定されないが、通常約０．０１〜８０μｍ、好ましくは約０．０１〜３０μｍ、より好ましくは約０．１〜２０μｍの範囲である。平均粒子径が約８０μｍを超えるものは、封止時にその包接錯体粒子が半導体の配線間に入り込むことができなくなるため、好ましくない。
なお、５０％粒子径は、粉体の集団を１００％として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが５０％となる粒子径μｍを表したものである。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含んでいればよく、また、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて（Ｃ）無機充填剤を含む、半導体固形封止用エポキシ樹脂組成物であってもよい。
本発明の半導体固形封止用エポキシ樹脂組成物の（Ｃ）無機充填剤としては特に制限されないが、例えば、石英ガラス、火炎溶融することで得られる球状シリカ、ゾルゲル法などで製造される球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、タルク、窒化アンモニウム、窒化ケイ素、マグネシア、マグネシウムシリケート等が挙げられ、これらは単独で用いても２種以上を用いてもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物において（Ｂ）成分は、硬化剤としても硬化促進剤としても使用されるが、（Ｂ）成分が硬化促進剤である場合には、硬化剤をさらに含んでいてもよい。硬化剤としては、エポキシ樹脂中のエポキシ基と反応してエポキシ樹脂を硬化させる化合物であれば、特に制限はない。このような、硬化剤としては、従来のエポキシ樹脂の硬化剤として慣用されているものの中から任意のものを選択して使用できる。例えば、脂肪族アミン類、脂環式及び複素環式アミン類、芳香族アミン類、変性アミン類等のアミン系化合物、イミダゾール系化合物、イミダゾリン系化合物、アミド系化合物、エステル系化合物、フェノール系化合物、アルコール系化合物、チオール系化合物、エーテル系化合物、チオエーテル系化合物、尿素系化合物、チオ尿素系化合物、ルイス酸系化合物、リン系化合物、酸無水物系化合物、オニウム塩系化合物、活性珪素化合物−アルミニウム錯体等が挙げられる。
硬化剤、及び硬化促進剤としては、具体的に例えば以下の化合物が挙げられる。
脂肪族アミン類としては、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジプロピレンジアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、ペンタンジアミン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ペンタメチルジエチレントリアミン、アルキル−ｔ−モノアミン、１，４−ジアザビシクロ（２，２，２）オクタン（トリエチレンジアミン）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミノエトキシエトキシエタノール、トリエタノールアミン、ジメチルアミノヘキサノール等が挙げられる。
脂環式及び複素環式アミン類としては、例えば、ピペリジン、ピペラジン、メンタンジアミン、イソホロンジアミン、メチルモルホリン、エチルモルホリン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリス（ジメチルアミノプロピル）ヘキサヒドロ−ｓ−トリアジン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキシスピロ（５，５）ウンデカンアダクト、Ｎ−アミノエチルピペラジン、トリメチルアミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、１，８−ジアザビシクロ（４，５，０）ウンデセン−７等が挙げられる。
芳香族アミン類としては、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ベンジルメチルアミン、ジメチルベンジルアミン、ｍ−キシレンジアミン、ピリジン、ピコリン、α−メチルベンジルメチルアミン等が挙げられる。
変性アミン類としては、例えば、エポキシ化合物付加ポリアミン、マイケル付加ポリアミン、マンニッヒ付加ポリアミン、チオ尿素付加ポリアミン、ケトン封鎖ポリアミン、ジシアンジアミド、グアニジン、有機酸ヒドラジド、ジアミノマレオニトリル、アミンイミド、三フッ化ホウ素−ピペリジン錯体、三フッ化ホウ素−モノエチルアミン錯体等が挙げられる。
イミダゾール系化合物としては、例えば、イミダゾール、１−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、３−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、５−メチルイミダゾール、１−エチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、３−エチルイミダゾール、４−エチルイミダゾール、５−エチルイミダゾール、１−ｎ−プロピルイミダゾール、２−ｎ−プロピルイミダゾール、１−イソプロピルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、１−ｎ−ブチルイミダゾール、２−ｎ−ブチルイミダゾール、１−イソブチルイミダゾール、２−イソブチルイミダゾール、２−ウンデシル−１Ｈ−イミダゾール、２−ヘプタデシル−１Ｈ−イミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１，３−ジメチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−フェニルイミダゾール、２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、４−メチル−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル−４，５−ジ（２−シアノエトキシ）メチルイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール塩酸塩等が挙げられる。
イミダゾリン系化合物としては、例えば、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等が挙げられる。
アミド系化合物としては、例えば、ダイマー酸とポリアミンとの縮合により得られるポリアミド等が挙げられる。
エステル系化合物としては、例えば、カルボン酸のアリール及びチオアリールエステルのような活性カルボニル化合物等が挙げられる。
フェノール系化合物、アルコール系化合物、チオール系化合物、エーテル系化合物、及びチオエーテル系化合物としては、例えば、フェノール樹脂硬化剤として、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型フェノ−ル樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、これらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチル化したノボラック型フェノール樹脂等、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パラキシレン変性フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、多官能型フェノール樹脂等が挙げられる。また、ポリオール、ポリメルカプタン、ポリサルファイド、２−（ジメチルアミノメチルフェノール）、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールのトリ−２−エチルヘキシル塩酸塩等が挙げられる。
尿素系化合物、チオ尿素系化合物、ルイス酸系化合物としては、例えば、ブチル化尿素、ブチル化メラミン、ブチル化チオ尿素、三フッ化ホウ素等が挙げられる。
リン系化合物としては、有機ホスフィン化合物、例えば、エチルホスフィン、ブチルホスフィン等のアルキルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジプロピルホスフィン等のジアルキルホスフィン、ジフェニルホスフィン、メチルエチルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィン等が挙げられる。
酸無水物系化合物としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水マレイン酸、テトラメチレン無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水クロレンド酸、無水ピロメリット酸、ドデセニル無水コハク酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物等が挙げられる。
また、オニウム塩系化合物、及び活性珪素化合物−アルミニウム錯体としては、例えば、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリフェニルシラノール−アルミニウム錯体、トリフェニルメトキシシラン−アルミニウム錯体、シリルペルオキシド−アルミニウム錯体、トリフェニルシラノール−トリス（サリシルアルデヒダート）アルミニウム錯体等が挙げられる。
前記硬化剤としては、特にアミン系化合物、イミダゾール系化合物、フェノール系化合物を用いるのが好ましい。フェノール系化合物の中でもフェノール樹脂硬化剤を用いるのがより好ましい。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法は、前記の各成分及びその他の添加剤の所定量からなる混合物を、例えば、ニーダーやロール、押し出し成型機等を使用して、ゲル化の起こらない温度、時間で溶融、混練し、冷却後、粉砕し、再び成型することで製造することができる。また半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法は、加熱による溶融混練を省略してもよい。
製造されたエポキシ樹脂組成物は、その組成及び製造方法により固形であっても液状であってもよく、固形であることがより好ましい。固形として用いる場合には、エポキシ樹脂組成物全体に対して無機充填剤の含有量を70〜95%とすることが好ましい。
使用する包接錯体の量は、通常の硬化剤、硬化促進剤と同様な使用量でよく、硬化方法による。エポキシ基と反応する事によって、硬化した樹脂中に必ず硬化剤分子が組み込まれる付加型硬化剤の場合には、求められる樹脂の性質にもよるが、通常エポキシ基１モルに対して包接しているイミダゾール化合物（硬化剤及び／又は硬化促進剤）が０．３〜１．０モル程度になるよう包接錯体を使用する。また、硬化剤分子が樹脂中に組み込まれることなく触媒的にエポキシ基の開環を誘発し、オリゴマー間の重合付加反応を起こす重合型硬化剤や光開始型硬化剤の場合、また硬化促進剤として使用する場合などでは、エポキシ基１モルに対して包接錯体は１．０モル以下で十分である。これらの包接錯体は１種、又は２種以上を混合して使用できる。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、所望により、その他の添加剤を添加することができる。その他の添加剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤；重炭酸カルシウム、軽質炭酸カルシウム、天然シリカ、合成シリカ、溶融シリカ、カオリン、クレー、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、タルク、マイカ、ウォラスナイト、チタン酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、セピオライト、ゾノトライト等の充填剤；ＮＢＲ、ポリブタジエン、クロロプレンゴム、シリコーン、架橋ＮＢＲ、架橋ＢＲ、アクリル系、コアシェルアクリル、ウレタンゴム、ポリエステルエラストマー、官能基含有液状ＮＢＲ、液状ポリブタジエン、液状ポリエステル、液状ポリサルファイド、変性シリコーン、ウレタンプレポリマー等のエラストマー変性剤；
ヘキサブロモシクロデカン、ビス（ジブロモプロピル）テトラブロモビスフェノールＡ、トリス（ジブロモプロピル）イソシアヌレート、トリス（トリブロモネオペンチル）ホスフェート、デカブロモジフェニルオキサイド、ビス（ペンタブロモ）フェニルエタン、トリス（トリブロモフェノキシ）トリアジン、エチレンビステトラブロモフタルイミド、ポリブロモフェニルインダン、臭素化ポリスチレン、テトラブロモビスフェノールＡポリカーボネート、臭素化フェニレンエチレンオキシド、ポリペンタブロモベンジルアクリレート、トリフェニルホスフェート、トリグレジルホスフェート、トリキシニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キシリルジフェニルホスフェート、クレジルビス（ジ−２，６−キシレニル）ホスフェート、２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート、レゾルシノールビス（ジフェニル）ホスフェート、ビスフェノールＡビス（ジフェニル）ホスフェート、ビスフェノールＡビス（ジクレシジル）ホスフェート、レゾルシノールビス（ジ−２，６−キシレニル）ホスフェート、トリス（クロロエチル）ホスフェート、トリス（クロロプロピル）ホスフェート、トリス（ジクロプロピル）ホスフェート、トリス（トリブロモプロピル）ホスフェート、ジエチル−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロオキシエチル）アミノメチルホスホネート、陰イオン蓚酸処理水酸化アルミニウム、硝酸塩処理水酸化アルミニウム、高温熱水処理水酸化アルミニウム、錫酸表面処理水和金属化合物、ニッケル化合物表面処理水酸化マグネシウム、シリコーンポリマー表面処理水酸化マグネシウム、プロコバイト、多層表面処理水和金属化合物、カチオンポリマー処理水酸化マグネシウム等の難燃剤；高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメタアクリル酸メチル、ポリ塩化ビニル、ナイロン６，６、ポリアセタール、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリスルホン等のエンジニアリングプラスチック；可塑剤；ｎ−ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、スチレンオキサイド、ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポキシド、フェノール、クレゾール、ｔ−ブチルフェノール等の希釈剤；増量剤；補強剤；着色剤；増粘剤；高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム等、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワッ等の離型剤；等が挙げられる。これらの添加剤の配合量は、特に限定されず、本発明の効果が得られる限度において、配合量を適宜決定することができる。
さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、エポキシ樹脂の他に、他の樹脂を含有していてもよい。他の樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、シリコン系樹脂、ポリウレタン系樹脂等が挙げられる。
以下に実施例を示すが、本発明はこの実施例になんら束縛されるものではない。
［包接錯体の調製］
以下の［表１］〜［表５］に示す組合せの包接錯体を調製した。各包接錯体の調製は、〔実施例２〕、〔実施例３〕、〔実施例１７〕に示す方法、及びこれらと同様の方法によって行った。
〔実施例２〕
３Ｌの三口フラスコに、５−ｔｅｒｔブチルイソフタル酸１８０．０ｇと２−エチル−４−メチルイミダゾール１０７．１ｇ、およびメタノール８１０ｍｌを加え、攪拌し加熱還流を３時間行った。冷却後、ろ過・真空乾燥を行うことで、包接錯体５−ｔｅｒｔブチルイソフタル酸／２−エチル−４−メチルイミダゾール（１：１）を２０１．３ｇ得た。得られた包接錯体は、１Ｈ−ＮＭＲ、ＴＧ−ＤＴＡおよびＸＲＤにて包接化を確認した。
同様の方法で、実施例５、９、１２、１３、１４、１８、２３、２８、２９、３１、３３、３４、３５、３６、３８、３９、４０、４３、４４、４５の包接錯体を調製した。
〔実施例３〕
５００ｍＬの三口フラスコに、イソフタル酸４９．８ｇとアセトン３００ｍｌを入れ、攪拌した。そこへ、加熱しながら、別途６０ｍｌのアセトンにて溶解した２−エチル４−メチルイミダゾール３３．１ｇを滴下した。滴下後、加熱還流を３時間行い、冷却後、吸引ろ過を行った。真空乾燥を行うことにより、イソフタル酸／２−エチル４−メチルイミダゾールの包接錯体（１：１）を７９．２ｇ得た。得られた包接錯体は、１Ｈ−ＮＭＲ、ＴＧ−ＤＴＡ、およびＸＲＤにて包接化を確認した。
同様の方法で、実施例１、８、１０、１１、１９、２１、３０、３７、４６の包接錯体を調製した。
〔実施例１７〕
３Ｌの三口フラスコに、１，４−ナフタレンジカルボン酸４３．２ｇと２−ウンデシルイミダゾール４４．５ｇ、および酢酸エチル１０００ｍｌを加え、攪拌し加熱還流を３時間行った。冷却後、ろ過・真空乾燥を行うことで、包接錯体１，４−ナフタレンジカルボン酸／２−ウンデシルイミダゾール（１：１）を８５．９ｇ得た。得られた包接錯体は、１Ｈ−ＮＭＲ、ＴＧ−ＤＴＡおよびＸＲＤにて包接化を確認した。
同様の方法で、実施例４、２０、２２、２７、３２、４１の包接錯体を調製した。
表１〜表５中、「２Ｅ４ＭＺ」は２−エチル−４−メチルイミダゾールを、「２ＭＺ」は２−メチルイミダゾールを、「Ｃ１１Ｉｍ」は２−ウンデシルイミダゾールを、「２Ｐ４ＭＨＺ」は２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールを、「Ｃ１７Ｉｍ」は２−ヘプタデシルイミダゾールを意味する。
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［エポキシ樹脂組成物の製造］
実施例の包接錯体を硬化触媒として、下記［表６］〜［表１１］に示した組成でそれぞれ配合した後、１００℃で５分間加熱混練し、冷却後、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造した。なお、表中の各組成物の配合量は重量部で表されている。
また、比較例として包接錯体でないイミダゾール化合物を用いて、［表１２］に示した組成で同様に半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造した。
（スパイラルフロー試験）
各実施例のエポキシ樹脂組成物を打錠し、錠剤を成型した。これらの錠剤を、アルキメデススパイラル金型とトランスファー成形機を用いて、１７５℃、圧力７０Ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で３分間射出成形したものの長さを測定した。スパイラルフロー値は初期値及び３０℃で９６時間経過後の値を測定し、それらの値から保持率（％）を算出した。
（ゲルタイム）
ゲル化試験器を用いて１７５℃で測定した。
なお、ｏ−クレゾールノボラックエポキシ樹脂は、ＥＳＣＮ１９５ＬＬ エポキシ当量１９５（住友化学社製）、ノボラックフェノールは、ＰＳＭ−４２６１ ＯＨ当量１０３（群栄化学工業社製）、離型剤は、リファインドグラニュラーカルナバ（東亜化成製）、カップリング剤は、ＫＢＭ−４０３（信越化学社製）、シリカは、デンカＦＢ−９４０Ａ球状シリカ（電気化学工業社製）を用いた。
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 表中、「２Ｅ４ＭＺ」は２−エチル−４−メチルイミダゾールを、「２ＭＺ」は２−メチルイミダゾールを、「Ｃ１１Ｉｍ」は２−ウンデシルイミダゾールを、「２Ｐ４ＭＨＺ」は２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールを意味する。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いることにより、緻密な半導体回路に対応可能な封止材の保存安定性の確保、封止材の封止時の流動性の保持、効率的な封止材の硬化を得ることができる。

Claims (6)

  1. 下記（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    （Ａ）エポキシ樹脂
    （Ｂ）（ｂ１）芳香族カルボン酸化合物と、
    （ｂ２）式（II）
    Figure 2009037862
     ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも１種
    とを含有する包接錯体。
  2. 下記（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を含有することを特徴とする半導体固形封止用エポキシ樹脂組成物。
    （Ａ）エポキシ樹脂
    （Ｂ）（ｂ１）芳香族カルボン酸化合物と、
    （ｂ２）式（II）
    Figure 2009037862
     ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも１種
    とを含有する包接錯体
    （Ｃ）無機充填剤
  3. （ｂ１）の芳香族カルボン酸化合物が、式（Ｉ−１）
    Figure 2009037862
    （式中、ｎ１は１〜４のいずれかの整数を表す。ｎ２は０〜４のいずれかの整数を表す。Ｒ１はＣ１〜６アルキル基、ニトロ基、水酸基を表す。）
    又は、式（Ｉ−２）
    Figure 2009037862
    （式中、ｍ１は１〜４のいずれかの整数を表す。ｍ２は０〜２のいずれかの整数を表す。Ｒ１１はＣ１〜６アルキル基、ニトロ基、水酸基又は次式
    Figure 2009037862
    （式中、ｑは１又は２の整数を表す。＊は結合位置を示す。）
    を表す。）
    で表される化合物であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
  4. （ｂ１）の芳香族カルボン酸化合物が、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、イソフタル酸、テレフタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、５−ニトロイソフタル酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
  5. （Ｂ）の包接錯体が、
    （ｂ１）３，５−ジヒドロキシ安息香酸、イソフタル酸、テレフタル酸、５−ｔ−ブチルイソフタル酸、５−ニトロイソフタル酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種である芳香族カルボン酸化合物と、
    （ｂ２）２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも１種であるイミダゾール化合物
    との包接錯体であることを特徴とする、
    請求項１〜４のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
  6. トリメシン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸及びベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種と、
    式（II）
    Figure 2009037862
     ［式中、Ｒ２は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基又はシアノエチル基を表し、Ｒ３〜Ｒ５は、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ２０のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシメチル基又はＣ１〜Ｃ２０のアシル基を表す。］で表されるイミダゾール化合物の少なくとも1種との、包接錯体。
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