JPWO2020130098A1 - 封止組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、無機充填材を高充填させることで、封止材の高熱伝導化が可能になる。
<1>
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
比表面積が100m2/g以上のシリカ粒子を含む無機充填材と、
炭素数6以上の鎖状炭化水素基がケイ素原子に結合した構造を有するシラン化合物と、
を含有する封止組成物。
<2>
封止組成物を、硬化温度175℃及び硬化時間90秒の条件で加熱硬化したときに得られる硬化物のショアDで示される熱時硬度が70以上である<1>に記載の封止組成物。
<3>
前記無機充填材の含有率は、封止組成物全体に対して78体積%以上である<1>又は<2>に記載の封止組成物。
<4>
前記硬化剤は、多官能フェノール樹脂硬化剤を含有する<1>〜<3>のいずれか1つに記載の封止組成物。
<5>
前記硬化剤は、トリフェニルメタン型フェノール樹脂を含有する<1>〜<4>のいずれか1つに記載の封止組成物。
<6>
前記鎖状炭化水素基が、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、及びアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1つの官能基を有する、<1>〜<5>のいずれか1つに記載の封止組成物。
<7>
前記鎖状炭化水素基が、(メタ)アクリロイル基を有する、<1>〜<6>のいずれか1つに記載の封止組成物。
<8>
半導体素子と、前記半導体素子を封止してなる<1>〜<7>のいずれか1つに記載の封止組成物の硬化物と、を含む半導体装置。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において「(メタ)アクリロイル基」とは、アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも一方を意味し、「(メタ)アクリル」はアクリル及びメタクリルの少なくとも一方を意味し、「(メタ)アクリレート」はアクリレート及びメタクリレートの少なくとも一方を意味する。
本開示の封止組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、比表面積が100m2/g以上のシリカ粒子を含む無機充填材と、炭素数6以上の鎖状炭化水素基がケイ素原子に結合した構造を有するシラン化合物と、を含有する。
以下、比表面積が100m2/g以上のシリカ粒子を「特定シリカ粒子」、炭素数6以上の鎖状炭化水素基がケイ素原子に結合した構造を有するシラン化合物を「特定シラン化合物」と称する場合がある。
一般的に、無機充填材を高充填させることで、熱伝導性の高い硬化物が得られる。しかし、無機充填材の充填量を上げていくと、流動性が下がりやすくなることに加え、無機充填材の充填量をさらに上げても硬化物の熱伝導性が上昇しにくくなり、熱伝導性が飽和状態となることがある。これに対して、本開示の封止組成物では、上記特定シラン化合物を含有することにより、特定シラン化合物を含有しない場合に比べて、流動性が高く、無機充填材の充填量を上げることで硬化物の熱伝導性を高くすることができる。その理由は定かではないが、特定シラン化合物を含有することにより、封止組成物内における無機充填材の分散性が向上することで、封止組成物の流動性が向上すると共に、無機充填材による熱伝導性向上の機能が発揮されやすくなると考えられる。以上のことから、本開示の封止組成物は熱伝導性の高い硬化物を得ることと流動性の向上とが両立できると推測される。
本開示の封止組成物は、エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂の種類は特に限定されず、公知のエポキシ樹脂を使用することができる。
エポキシ樹脂の具体例としては、フェノール化合物(フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF等)及びナフトール化合物(α−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等)からなる群より選択される少なくとも1種と、アルデヒド化合物(ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等)と、を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの(フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等);ビスフェノール(ビスフェノールA、ビスフェノールAD、ビスフェノールF、ビスフェノールS等)及びビフェノール(アルキル置換又は非置換のビフェノール等)からなる群より選択される少なくとも1種のジグリシジルエーテル;フェノール・アラルキル樹脂のエポキシ化物;フェノール化合物とジシクロペンタジエン及びテルペン化合物からなる群より選択される少なくとも1種との付加物又は重付加物のエポキシ化物;多塩基酸(フタル酸、ダイマー酸等)とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂;ポリアミン(ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等)とエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂;オレフィン結合を過酸(過酢酸等)で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂;脂環族エポキシ樹脂;などが挙げられる。エポキシ樹脂は、1種類を単独で使用しても、2種類以上を併用してもよい。
ここで、エポキシ樹脂の融点は示差走査熱量測定(DSC)で測定される値とし、エポキシ樹脂の軟化点はJIS K 7234:1986に準じた方法(環球法)で測定される値とする。
上記「エポキシ基当量」は、測定対象となるエポキシ樹脂を秤量してメチルエチルケトン等の溶剤に溶解させ、酢酸と臭化テトラエチルアンモニウム酢酸溶液を加えた後、過塩素酸酢酸標準液によって電位差滴定することにより測定される。この滴定には、指示薬を用いてもよい。
なお、上記エポキシ基は、グリシジル基、グリシジルオキシ基、グリシジルオキシカルボニル基、エポキシシクロアルキル基(エポキシシクロペンチル基、エポキシシクロヘキシル基、エポキシシクロオクチル基等)からなる群より選択される少なくとも一種の一部として、第1のエポキシ樹脂の分子中に含まれていてもよい。
なお、下記一般式(1)中、*は結合部を示し、R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、又は炭素数4〜18の芳香族基を示す。
また、前記一般式(1)中、R5〜R8は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
無機充填材を除く封止組成物に占めるエポキシ樹脂の含有率は、40質量%〜70質量%であることが好ましく、45質量%〜64質量%であることがより好ましく、48質量%〜55質量%であることがさらに好ましい。
本開示の封止組成物は、硬化剤を含有する。硬化剤の種類は特に限定されず、公知の硬化剤を使用することができる。
硬化剤としては、フェノール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、ポリメルカプタン硬化剤、ポリアミノアミド硬化剤、イソシアネート硬化剤、ブロックイソシアネート硬化剤等が挙げられる。硬化剤は、流動性を維持しつつ耐リフロー性に優れる封止組成物を得る観点から、フェノール硬化剤、アミン硬化剤、及び酸無水物硬化剤が好ましく、フェノール硬化剤がより好ましい。硬化剤は1種類を単独で使用しても、2種類以上を併用してもよい。
ここで、「多官能フェノール樹脂硬化剤」は1分子中に官能基(すなわち水酸基)を3以上有するフェノール樹脂である硬化剤である。
一般式(2)中のb1〜b5は、0〜1の整数であることが好ましく、0であることがより好ましい
一般式(2)中のnは、1〜7であることが好ましく、2〜5であることがより好ましい。
硬化剤の融点又は軟化点は、エポキシ樹脂の融点又は軟化点と同様にして測定される値とする。
本開示の封止組成物は、無機充填材として、特定シリカ粒子(すなわち、比表面積が100m2/g以上のシリカ粒子)を少なくとも含み、必要に応じて特定シリカ粒子以外の充填材(以下「他の充填材」ともいう)を含んでもよい。
封止組成物が特定シリカ粒子を含むことにより、例えば、トランスファーモールド法により半導体素子の封止を行った場合におけるバリの発生が抑制される。
封止組成物は、無機充填材として、特定シリカ粒子と他の充填材とを含むことが好ましい。
無機充填材の比表面積(すなわち、BET比表面積)は、JIS Z 8830:2013に準じて窒素吸着能から測定することができる。評価装置としては、QUANTACHROME社:AUTOSORB−1(商品名)を用いることができる。BET比表面積の測定を行う際には、試料表面及び構造中に吸着している水分がガス吸着能に影響を及ぼすと考えられることから、まず、加熱による水分除去の前処理を行うことが好ましい。
前処理では、0.05gの測定試料を投入した測定用セルを、真空ポンプで10Pa以下に減圧した後、110℃で加熱し、3時間以上保持した後、減圧した状態を保ったまま常温(25℃)まで自然冷却する。この前処理を行った後、評価温度を77Kとし、評価圧力範囲を相対圧(飽和蒸気圧に対する平衡圧力)にて1未満として測定する。
他の充填材を2種類以上併用する場合としては、成分、平均粒子径、形状等が異なる無機充填材を2種類以上用いる場合が挙げられる。
他の充填材の形状は特に制限されず、粉状、球状、繊維状等が挙げられる。封止組成物の成形時の流動性及び金型摩耗性の点からは、他の充填材の形状は球状であることが好ましい。
アルミナ以外の他の充填材としては、比表面積が100m2/g未満のシリカ(球状シリカ、結晶シリカ等)、ジルコン、酸化マグネシウム、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニアなどが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填材としては水酸化アルミニウム、硼酸亜鉛等が挙げられる。
また、無機充填材の含有率は、高熱伝導性の観点から、封止組成物の全体に対して78体積%以上であることが好ましく、80体積%以上であることがより好ましい。無機充填材の含有率は、封止組成物の成形性の観点から、封止組成物の全体に対して95体積%以下であることが好ましく、90体積%以下であることがより好ましく、85体積%以下であることがさらに好ましい。無機充填材の含有率は、高熱伝導性と封止組成物の成形性とを両立する観点から、78体積%〜90体積%が好ましく、78体積%〜85体積%がより好ましく、80体積%〜85体積%がさらに好ましい。
封止組成物の硬化物の熱伝導率は、無機充填材の平均粒子径が大きくなる程、高くなる傾向にある。
無機充填材の平均粒子径は、以下の方法により測定することができる。
封止組成物の流動性は、無機充填材の比表面積が小さくなる程、高くなる傾向にある。
本開示の封止組成物は、特定シラン化合物(すなわち、炭素数6以上の鎖状炭化水素基がケイ素原子に結合した構造を有するシラン化合物)を含有する。
特定シラン化合物は、炭素数6以上の鎖状炭化水素基(以下、炭素数6以上の鎖状炭化水素基を、単に鎖状炭化水素基ともいう)がケイ素原子に結合した構造を有する。鎖状炭化水素基は分岐していてもよく、置換基を有していてもよい。なお、本開示において、鎖状炭化水素基の炭素数とは、分岐又は置換基の炭素を含まない炭素数を意味する。鎖状炭化水素基は、不飽和結合を含んでいても含んでいなくてもよく、不飽和結合を含まないことが好ましい。
特定シラン化合物は、封止組成物において、無機充填材のカップリング剤として機能すると考えられる。
また、特定シラン化合物の含有率は、封止組成物の全体に対して3質量%以下であることが好ましく、2質量%以下がより好ましく、1質量%以下がさらに好ましく、その効果を発揮させる観点からは、0.1質量%以上であることが好ましく、0.15質量%以上であることがより好ましく、0.2質量%以上がさらに好ましい。
(他のカップリング剤)
封止組成物は、前記特定シラン化合物に加えて、他のカップリング剤をさらに含有してもよい。他のカップリング剤としては、エポキシ樹脂を用いた封止組成物に一般に使用されているものであれば特に制限はない。他のカップリング剤としては、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシラン系化合物(特定シラン化合物を除く)、チタン系化合物、アルミニウムキレート化合物、アルミニウム/ジルコニウム系化合物などの公知のカップリング剤が挙げられる。他のカップリング剤は1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、特定シラン化合物及び他のカップリング剤の合計含有率は、封止組成物の全体に対して3質量%以下であることが好ましく、2質量%以下がより好ましく、1質量%以下がさらに好ましく、その効果を発揮させる観点からは、0.1質量%以上であることが好ましく、0.15質量%以上であることがより好ましく、0.2質量%以上がさらに好ましい。
封止組成物は、硬化促進剤をさらに含有してもよい。硬化促進剤の種類は特に制限されず、公知の硬化促進剤を使用することができる。
硬化促進剤としては、具体的には、1,8−ジアザ−ビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、1,5−ジアザ−ビシクロ[4.3.0]ノネン、5,6−ジブチルアミノ−1,8−ジアザ−ビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7等のシクロアミジン化合物;シクロアミジン化合物に無水マレイン酸、1,4−ベンゾキノン、2,5−トルキノン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルベンゾキノン、2,6−ジメチルベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−5−メチル−1,4−ベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−1,4−ベンゾキノン、フェニル−1,4−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物;ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の3級アミン化合物;3級アミン化合物の誘導体;2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物;イミダゾール化合物の誘導体;トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4−メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物;有機ホスフィン化合物に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、N−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩;テトラフェニルボロン塩の誘導体;トリフェニルホスホニウム−トリフェニルボラン、N−メチルモルホリンテトラフェニルホスホニウム−テトラフェニルボレート等のホスフィン化合物とテトラフェニルボロン塩との付加物;などが挙げられる。硬化促進剤は、1種類を単独で使用しても、2種類以上を併用してもよい。
なお、「リン系硬化促進剤」はリン原子を有する硬化促進剤である。
封止組成物は、イオントラップ剤をさらに含有してもよい。
本開示において使用可能なイオントラップ剤は、半導体装置の製造用途に用いられる封止材において、一般的に使用されているイオントラップ剤であれば特に制限されるものではない。イオントラップ剤としては、下記一般式(3)又は下記一般式(4)で表される化合物等が挙げられる。
(一般式(3)中、aは0<a≦0.5であり、uは正数である。)
BiOb(OH)c(NO3)d (4)
(一般式(4)中、bは0.9≦b≦1.1、cは0.6≦c≦0.8、dは0.2≦d≦0.4である。)
イオントラップ剤は、1種類を単独で使用しても、2種類以上を併用してもよい。
封止組成物は、離型剤をさらに含有してもよい。離型剤の種類は特に制限されず、公知の離型剤を使用することができる。具体的には、離型剤としては、高級脂肪酸、カルナバワックス、モンタンワックス、ポリエチレン系ワックス等が挙げられる。離型剤は、1種類を単独で使用しても、2種類以上を併用してもよい。
封止組成物が離型剤を含有する場合、離型剤の含有率は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量に対して、10質量%以下であることが好ましく、その効果を発揮させる観点からは、0.5質量%以上であることが好ましい。
封止組成物は、着色剤(カーボンブラック等)を含有してもよい。また、封止組成物は、改質剤(シリコーン、シリコーンゴム等)を含有してもよい。着色剤及び改質剤は、それぞれ、1種類を単独で使用しても、2種類以上を併用してもよい。
封止組成物が導電性粒子を含有する場合、導電性粒子の含有率は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量に対して3質量%以下であることが好ましい。
封止組成物は、必要に応じて、さらにその他添加剤を含んでもよい。
その他添加剤としては、難燃剤、陰イオン交換体、可塑剤等が挙げられる。また、封止組成物には、必要に応じて当技術分野で周知の各種添加剤を添加してもよい。
封止組成物の作製方法は特に制限されず、公知の方法により行うことができる。例えば、所定の配合量の原材料の混合物をミキサー等によって充分混合した後、熱ロール、押出機等によって混練し、冷却、粉砕等の処理を経ることによって封止組成物を作製することができる。封止組成物の状態は特に制限されず、粉末状、固体状、液体状等であってよい。
封止組成物を、硬化温度175℃及び硬化時間90秒の条件で加熱硬化したときに得られる硬化物のショアDで示される熱時硬度は、70以上であることが好ましく、74以上であることがより好ましく、76以上であることがさらに好ましい。
上記熱時硬度が上記範囲であることにより、トランスファーモールド法により半導体素子の封止を行った場合における連続成形性が良好となる。
本開示の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を封止してなる本開示の封止組成物の硬化物と、を含む。
下記に示す成分を表1及び表2に示す配合割合(質量部)で予備混合(ドライブレンド)した後、二軸ニーダーで混練し、冷却粉砕して粉末状の封止組成物を製造した。
なお、表1及び表2に示す成分の詳細は以下の通りである。
エポキシ樹脂A1:三菱ケミカル株式会社、品名「YX4000H」、エポキシ基当量「192g/eq」、軟化点「107℃」、ビフェニル型エポキシ樹脂、前記一般式(1)で表される2価の連結基を有するエポキシ樹脂
(B)硬化剤
硬化剤B1:トリフェニルメタン型フェノール樹脂、エア・ウォーター株式会社、品名「HE910−09」、水酸基当量「104g/eq」、軟化点「80℃」、前記一般式(2)で表されるフェノール樹脂
(C)硬化促進剤
硬化促進剤C1:リン系硬化促進剤(トリブチルホスフィンとベンゾキノンの付加物)
(D)カップリング剤
カップリング剤D1:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株式会社、品名「KBM−503」炭素数3の炭化水素基を有するシラン化合物
カップリング剤D2:8−メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン、信越化学工業株式会社、品名「KBM−5803」、炭素数8の鎖状炭化水素基を有するシラン化合物
離型剤E1:モンタンワックス、クラリアント社、品名「HW−E」
(F)着色剤
顔料F1:カーボンブラック、三菱ケミカル株式会社、商品名「MA600」
(G)添加剤
添加剤G1:トリフェニルホスフィンオキシド
(H)改質剤
改質剤H1:シリコーン、東レ・ダウコーニング株式会社、品名「BY16−876」
フィラI1:シリカ粒子、球状、比表面積「190〜210m2/g」、特定シリカ粒子
フィラI2:アルミナ粒子、球状、平均粒子径「0.7μm」
フィラI3:アルミナ粒子、球状、平均粒子径「10μm」
実施例及び比較例で作製した封止組成物の特性を、次の特性試験により評価した。評価結果を下記表1及び表2に示す。
上記で得られた封止組成物を用いて、トランスファ成形機により、金型温度175℃、成形圧力6.9MPa、硬化時間90秒の条件で成形し、直径50mm×厚み3mmの円板形状である試験片を作製した。成形後直ちにショアD型硬度計(高分子計器株式会社、アスカー、タイプDデュロメータ)を用いて熱時硬度を測定した。
硬化性は、ゲル化試験機を用いて以下のようにして測定されたゲルタイムに基づいて評価した。
上記で得られた封止組成物0.5gを175℃に熱した熱板上に乗せ、治具を用いて20回転/分〜25回転/分の回転速度で、試料を2.0cm〜2.5cmの円状に均一に広げた。試料を熱板に乗せてから、試料の粘性がなくなり、ゲル状態となって熱板から剥がれるようになるまでの時間を計測し、これをゲルタイム(sec)として測定した。
結果を表1及び表2に示す。エポキシ100質量部に対して同じ触媒量を用いた場合に、ゲルタイムの短いものほど、硬化性に優れる。
上記で得られた封止組成物を、2段篩(上段:2.38mm、下段:0.5mm)に通し、下段に残った試料を7g秤量した。その封止組成物を180℃に熱した平滑な金型の上に置き、同様に180℃に熱した8kgの平滑な金型を試料の上に置いて60秒放置した。その後、得られた円板状成形品の直径(mm)と短径(mm)の平均値(mm)を求め、その平均値(mm)をディスクフロー(DF)とした。
結果を表1及び表2に示す。ディスクフローの長いものほど、流動性に優れる。
上記で得られた封止組成物15gをプレス熱板上の180℃の金型上に乗せ、硬化時間90秒で成形した。成形後、金型に作製された50μm、30μm、20μm、10μm、5μm及び2μmのスリットで一番長く封止組成物が流れた部分の長さを、ノギスを用いて測定し、この測定値をバリ長さとした。
その結果、実施例1〜5のいずれにおいても、バリ長さが10mm以下であり、バリの発生が抑制されていることが分かった。
上記で得られた封止組成物を用いて、トランスファ成形機により、金型温度175℃〜180℃、成形圧力7MPa、硬化時間300秒の条件で熱伝導率評価用の試験片を作製した。次いで、成形した試験片について、厚さ方向の熱拡散率を測定した。熱拡散率の測定はレーザーフラッシュ法(装置:LFA467 nanoflash、NETZSCH社)にて行った。パルス光照射は、パルス幅0.31(ms)、印加電圧247Vの条件で行った。測定は雰囲気温度25℃±1℃で行った。また上記試験片の密度は電子比重計(AUX220、株式会社島津製作所)を用いて測定した。比熱は、各材料の比熱の文献値と配合比率より算出した封止組成物の理論比熱を用いた。
次いで、式(5)を用いて比熱及び密度を熱拡散率に乗算することによって,熱伝導率の値を得た。
λ=α×Cp×ρ・・・式(5)
(式(5)中、λは熱伝導率(W/(m・K))、αは熱拡散率(m2/s)、Cpは比熱(J/(kg・K))、ρは密度(kg/m3)をそれぞれ示す。)
結果を表1及び表2に示す。
表1及び表2の評価結果から明らかなように、特定シラン化合物を含有する実施例1〜5の封止組成物は、特定シラン化合物を含有しない比較例1〜5の封止組成物に比較して、流動性が高く、また熱伝導率の高い硬化物が得られている。また、比較例1〜5の封止組成物においては、フィラ含有率の増加に対する熱伝導率の上昇率が低く、熱伝導性が飽和状態となっているのに対し、実施例1〜3の封止組成物においては、フィラ含有率の増加に伴って熱伝導率が高くなっていることが分かる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に取り込まれる。
Claims (8)
- エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
比表面積が100m2/g以上のシリカ粒子を含む無機充填材と、
炭素数6以上の鎖状炭化水素基がケイ素原子に結合した構造を有するシラン化合物と、
を含有する封止組成物。 - 封止組成物を、硬化温度175℃及び硬化時間90秒の条件で加熱硬化したときに得られる硬化物のショアDで示される熱時硬度が70以上である請求項1に記載の封止組成物。
- 前記無機充填材の含有率は、封止組成物全体に対して78体積%以上である請求項1又は請求項2に記載の封止組成物。
- 前記硬化剤は、多官能フェノール樹脂硬化剤を含有する請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の封止組成物。
- 前記硬化剤は、トリフェニルメタン型フェノール樹脂を含有する請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の封止組成物。
- 前記鎖状炭化水素基が、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、及びアルコキシ基からなる群より選択される少なくとも1つの官能基を有する、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の封止組成物。
- 前記鎖状炭化水素基が、(メタ)アクリロイル基を有する、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の封止組成物。
- 半導体素子と、前記半導体素子を封止してなる請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の封止組成物の硬化物と、を含む半導体装置。
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