JP2019001841A - エポキシ樹脂組成物及び該組成物の硬化物を備える半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、上記事情に鑑み、耐トラッキング性に優れ、ガラス転移温度が高く、及び、弾性率が低い硬化物を与える、半導体封止用として好適なエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。【解決手段】即ち、本発明は、下記(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物であり、(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤、及び(C)無機充填剤 上記(A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して200〜1,000質量部上記(A)成分及び(B)成分のうち少なくとも1が芳香族炭化水素基を有し、(A)及び(B)成分の合計100質量部中、芳香族炭化水素基の割合が20質量部以上55質量部未満であり、上記(C)無機充填剤が少なくとも1種の熱伝導性無機充填剤を含み、及び、ASTM E1530に準拠して測定される熱伝導率1.0W/m・K以上2.0W/m・K未満を有する硬化物を与える、前記エポキシ樹脂組成物を提供する。【選択図】なし
Description
本発明は、半導体封止用として好適なエポキシ樹脂組成物に関する。
現在、半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジスター、IC、LSI、超LSIが主流であるが、エポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿特性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体デバイスを封止することが一般的である。この中でもパワー半導体デバイスは自動車、電車、風力発電、太陽光発電等、大電流、高電圧の環境で使用されている。これら装置に使用されるパワー半導体デバイスは従来以上に絶縁性能が求められている。しかもパッケージは軽薄短小化が進んでおり、端子間の沿面距離を設計する上に封止材料には耐トラッキング性が求められる。欧州規格EN61984では比較トラッキング指数(CTI)600V以上の材料をグループIとして最高ランクに位置付けている。
さらに前記パワー半導体デバイスは動作時のジャンクション温度が150℃以上になる為、封止材料には高いガラス転移温度が求められる。
このような要求に対して、耐トラッキング特性を改良する手法としてトリアジンチオ−ル化合物(トリチオイソシアヌル酸など)を添加する方法、ジシアンジアミドまたはビスフェノ−ルAとホルムアルデヒドの重縮合物を添加する手法が用いられるが、これら有機系化合物は長期耐熱試験において熱劣化するものである。無機添加材としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物が添加されるが、金属水酸化物は吸水特性があり、耐湿、耐水試験において電気的ショ−トの可能性が高く、さらにイオン性不純物による電気不良が懸念される。さらにシリカを高充填させることによって良好な耐トラッキング特性を得ることができるが、シリカを高充填されたエポキシ樹脂の線膨張係数は放熱用途に使用される銅よりも小さくなり、パッケ−ジに大きな歪を発生させ、反り、剥離の原因となり、流動性が低下し、大型パワー半導体モジュールの成型には不向きであった。エポキシ樹脂としてはジシクロペンタジエン骨格含有樹脂が良好であることが知られているが単独使用ではガラス転移温度が低く高耐熱半導体用途では不向きである。このような半導体封止用樹脂組成物は特許文献1〜6に記載がある。
本発明は、上記事情に鑑み、耐トラッキング性に優れ、ガラス転移温度が高く、及び、弾性率が低い硬化物を与える、半導体封止用として好適なエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
トラッキング現象とは、半導体封止材料のような絶縁体表面で放電を繰り返し、材料表面に導電炭化層ができる現象である。本発明者らは、エポキシ樹脂組成物に含まれる芳香族炭化水素基の量を制御することにより、優れた耐トラッキング性及び高いガラス転移温度を両立できることを見出した。さらに、パワーデバイス端子間で放電がおきた場合、放電時の熱を素早く逃がし、樹脂表面に炭化層を形成させないことで耐トラッキング性を向上させることを検討した。通常、半導体封止材料の熱伝導率は0.7〜0.9W/m・Kであるがこの熱伝導率では炭化層形成を防止するには不十分である。本発明者らは、1.0W/m・K以上2.0W/m・K未満の熱伝導率を有する硬化物を与える組成物が、上記課題を解決できることを見出した。したがって本発明者らは、エポキシ樹脂組成物において、得られる硬化物の熱伝導率が上記範囲内となるように無機充填剤を配合し、且つ、組成物に含まれる芳香族炭化水素基の量を制限することにより、耐トラッキング性に優れ、且つ、高いガラス転移温度及び低い弾性率を有する硬化物を提供できることを見出し、本発明を成すに至った。
即ち、本発明は、下記(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物であり、
(A)エポキシ樹脂
(B)硬化剤、及び
(C)無機充填剤 上記(A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して200〜1,000質量部
上記(A)成分及び(B)成分のうち少なくとも1が芳香族炭化水素基を有し、(A)及び(B)成分の合計100質量部中、芳香族炭化水素基の割合が20質量部以上55質量部未満であり、上記(C)無機充填剤が少なくとも1種の熱伝導性無機充填剤を含み、及び、ASTM E1530に準拠して測定される熱伝導率1.0W/m・K以上2.0W/m・K未満を有する硬化物を与える、前記エポキシ樹脂組成物を提供する。
(A)エポキシ樹脂
(B)硬化剤、及び
(C)無機充填剤 上記(A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して200〜1,000質量部
上記(A)成分及び(B)成分のうち少なくとも1が芳香族炭化水素基を有し、(A)及び(B)成分の合計100質量部中、芳香族炭化水素基の割合が20質量部以上55質量部未満であり、上記(C)無機充填剤が少なくとも1種の熱伝導性無機充填剤を含み、及び、ASTM E1530に準拠して測定される熱伝導率1.0W/m・K以上2.0W/m・K未満を有する硬化物を与える、前記エポキシ樹脂組成物を提供する。
さらに本発明は、(C)無機充填剤として球状溶融シリカを含み、該球状溶融シリカの割合が(C)無機充填剤の合計質量に対して10〜88質量%である、上記エポキシ樹脂組成物を提供する。
なお、本発明における「芳香族炭化水素基の割合」とは、エポキシ樹脂並びに硬化剤を構成するポリマー及び/または化合物の分子量に対する芳香環の分子量割合を算出し、その値を基に、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計質量部に対する芳香族炭化水素基の質量割合を算出したものである。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、耐トラッキング性に優れ、ガラス転移温度が高く、且つ、弾性率が低い硬化物を与える。また、該硬化物は高い耐熱性を有することもできる。本発明のエポキシ樹脂組成物は半導体封止用として好適である。
以下、本発明のエポキシ樹脂組成物についてより詳細に説明する。
[(A)エポキシ樹脂]
(A)エポキシ樹脂は従来公知のエポキシ樹脂を使用することができる。本発明においては後述する(B)硬化剤と該エポキシ樹脂の少なくとも1が芳香族炭化水素基を有する。本発明の組成物は、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計100質量部に対して、該芳香族炭化水素基の割合が20質量部以上55質量部未満であることを特徴とし、好ましくは35質量部以上52質量部以下を満たすのがよい。本発明において、芳香族炭化水素基とは単環又は多環の芳香族炭化水素からなる基を意味する。該芳香族炭化水素基の割合とは、例えば、フェニル基のベンゼン環、ナフチレン基のナフタレン環の質量割合である。尚、複素芳香族は包含されない。
(A)エポキシ樹脂は従来公知のエポキシ樹脂を使用することができる。本発明においては後述する(B)硬化剤と該エポキシ樹脂の少なくとも1が芳香族炭化水素基を有する。本発明の組成物は、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計100質量部に対して、該芳香族炭化水素基の割合が20質量部以上55質量部未満であることを特徴とし、好ましくは35質量部以上52質量部以下を満たすのがよい。本発明において、芳香族炭化水素基とは単環又は多環の芳香族炭化水素からなる基を意味する。該芳香族炭化水素基の割合とは、例えば、フェニル基のベンゼン環、ナフチレン基のナフタレン環の質量割合である。尚、複素芳香族は包含されない。
エポキシ樹脂としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネート化合物、モノアリルジグリシジルイソシアネート化合物、及び、アルケニル基含有エポキシ化合物と下記平均式(1)で表されるハイドロジェンオルガノポリシロキサンとのヒドロシリル化反応により得られる共重合化合物等が挙げられる。
(式中、Rは、置換または非置換の炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜6の1価炭化水素基であり、aは0.01≦a≦1、bは1≦b≦3、1.01≦a+b<4である)
これらは1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
これらは1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
アルケニル基含有エポキシ化合物は、例えばアルケニル基含有フェノール樹脂をエピクロロヒドリンでエポキシ化したり、従来公知のエポキシ化合物に2−アリルフェノールを部分的に反応させたりすることにより得ることができる。該エポキシ化合物は、例えば、下記平均式(2)で表すことができる。
(R2’はアルケニル基を有する、炭素数3〜15、好ましくは炭素数3〜5の、脂肪族1価炭化水素基であり、R3’はグリシジルオキシ基または−OCH2CH(OH)CH2OR’で示される基であり、R’はアルケニル基を有する炭素数3〜10、好ましくは炭素数3〜5の1価炭化水素基であり、kは1であり、k’は0または1であり、xは1〜30の正数であり、yは1〜3の正数である)
上記平均式(1)で表されるハイドロジェンオルガノポリシロキサンは、1分子中に少なくとも1個のSiH基を有する。式(1)において、Rはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基、及びシアノエチル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、フェニル基である。
上記平均式(1)で示されるオルガノポリシロキサンは、直鎖状、環状、及び分岐状のいずれでもよい。例えば、下記式(a)〜(c)で表すことができる。
上記式において、Rは互いに独立に、置換又は非置換の、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜6の1価炭化水素基であり、R9は水素原子またはRの選択肢から選ばれる基であり、R8は下記に示す基である。n1は5〜200の整数であり、n2は0〜2の整数であり、n3は0〜10の整数であり、n4は1または0である。
R及びR9は上述の通りであり、n5は1〜10の整数である。但し、上記式(a)の化合物は1分子中に少なくとも1の、ケイ素原子に結合した水素原子を有する。
式(b)において、Rは上記の通りであり、n6は1〜10の整数であり、n7は1又は2である。
式(c)において、R及びR9は上記の通りであり、rは0〜3の整数であり、R10は水素原子または酸素原子を有してよい炭素数1〜10の1価炭化水素基であり、上記式(c)の化合物は1分子中に少なくとも1の、ケイ素原子に結合した水素原子を有する。
上記ハイドロジェンオルガノポリシロキサンとしては、両末端ハイドロジェンメチルポリシロキサン、両末端ハイドロジェンメチルフェニルポリシロキサンなどが好適である。例えば、以下の化合物が好ましい。
(式中、nは20〜100の整数である)
(式中、mは1〜10の整数であり、nは10〜100の整数である)
上記の中でも、好ましくは、トリグリシジルイソシアネート(芳香族炭化水素基割合0%)、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(例えば、芳香族炭化水素基割合35質量%)、ガラス転移温度が高いトリフェノールアルカン型エポキシ樹脂(例えば、芳香族炭化水素基割合50質量%)、及び、弾性率が低いアルケニル基含有エポキシ化合物と下記平均式(1)で表されるハイドロジェンオルガノポリシロキサンとのヒドロシリル化反応により得られる共重合化合物(例えば、芳香族炭化水素基割合37質量%)である。但し、上記の通り、本発明のエポキシ樹脂組成物は、芳香族炭化水素基を上述した範囲となる量で含有することが必要である。
[(B)硬化剤]
本発明に用いる(B)硬化剤は、従来公知のエポキシ樹脂硬化剤であればよく、例えば、フェノール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、イミダゾール硬化剤などが挙げられる。例えば、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールA、ビスフェノールF等が挙げられる。アミン硬化剤としては、芳香族アミン硬化剤が好ましい。例えばアニリンとビスハロゲノメチルアラルキル誘導体またはアラルキルアルコール誘導体との反応物が挙げられる。また、酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミックス酸等が挙げられる。これら硬化剤は1種であっても2種以上の併用であってもよい。
人体に対する影響度、半導体デバイスの信頼性を考えるとフェノール硬化剤、及びアミン硬化剤が好ましい。また、上記した通り、本発明においては、上記エポキシ樹脂及び硬化剤のうち少なくとも1つが芳香族炭化水素基を有する。従って、特に好ましくはフェノール樹脂及び芳香族アミン樹脂である。
本発明に用いる(B)硬化剤は、従来公知のエポキシ樹脂硬化剤であればよく、例えば、フェノール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、イミダゾール硬化剤などが挙げられる。例えば、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールA、ビスフェノールF等が挙げられる。アミン硬化剤としては、芳香族アミン硬化剤が好ましい。例えばアニリンとビスハロゲノメチルアラルキル誘導体またはアラルキルアルコール誘導体との反応物が挙げられる。また、酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミックス酸等が挙げられる。これら硬化剤は1種であっても2種以上の併用であってもよい。
人体に対する影響度、半導体デバイスの信頼性を考えるとフェノール硬化剤、及びアミン硬化剤が好ましい。また、上記した通り、本発明においては、上記エポキシ樹脂及び硬化剤のうち少なくとも1つが芳香族炭化水素基を有する。従って、特に好ましくはフェノール樹脂及び芳香族アミン樹脂である。
アニリンとビスハロゲノメチルアラルキル誘導体またはアラルキルアルコール誘導体とを反応させて得られる化合物は、例えば下記式で表すことができる。
式中、Xは炭素数6〜18の芳香族炭化水素基であり、nは平均値であり1≦n≦10である。
ビスハロゲノメチルアラルキル誘導体またはアラルキルアルコール誘導体としては、例えば、1,4−ビスクロロメチルベンゼン、1,3−ビスクロロメチルベンゼン、1,2−ビスクロロメチルベンゼン、1,4−ビスブロモメチルベンゼン、1,3−ビスブロモメチルベンゼン、1,2−ビスブロモメチルベンゼン、1,4−ジメトキシメチルベンゼン、1,3−ジメトキシメチルベンゼン、1,2−ジメトキシメチルベンゼン、1,4−ジエトキシメチルベンゼン、1,3−ジエトキシメチルベンゼン、1,2−ジエトキシメチルベンゼン、1,4−ジヒドロキシメチルベンゼン、1,3−ジヒドロキシメチルベンゼン、1,2−ジヒドロキシメチルベンゼン、2,6−ジヒドロキシメチルナフタレン、1,5−ジヒドロキシメチルナフタレン、2,6−ジメトキシメチルナフタレン、1,5−ジメトキシメチルナフタレン、4,4’−ビス(クロロメチル)ビフェニル、4,4’−ビス(ブロモメチル)ビフェニル、4,4’−ビス(フルオロメチル)ビフェニル、4,4’−ビス(ヨードメチル)ビフェニル、4,4’−ジメトキシメチルビフェニル、4,4’−ジエトキシメチルビフェニル、4,4’−ジプロポキシメチルビフェニル、4,4’−ジイソプロポキシメチルビフェニル、4,4’−ジイソブトキシメチルビフェニル、4,4’−ジブトキシメチルビフェニル、4,4’−ジ−tert−ブトキシメチルビフェニル、4,4’−ジヒドロキシメチルビフェニルなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。ビスハロゲノメチルアラルキル誘導体またはアラルキルアルコール誘導体は、アニリン1モルに対して通常0.05〜0.8モル、好ましくは0.1〜0.6モルとなる量でアニリンと反応させる。反応方法は特に限定されず、例えばWO2015/152007に記載の方法で製造できる。
本発明において、(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤との配合割合は特に制限されないが、(A)エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基1モルに対して、(B)硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基、アミノ基または酸無水物基等の、エポキシと反応性の基のモル比が0.5〜1.5、特に0.8〜1.2の範囲となる量であることが好ましい。
上記の通り、本発明のエポキシ樹脂組成物は(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤の合計100質量部に対して、20質量部以上55質量部未満、好ましくは35〜52質量部となる量の芳香族炭化水素基を有する。上記の通り、トラッキング現象とは半導体封止材料のような絶縁体表面で放電を繰り返し、材料表面に導電炭化層ができる現象である。導電炭化層は芳香族炭化水素が多数つながった構造をしており、芳香族炭化水素を60質量%以上含む樹脂組成物で形成されやすい。また、脂環式エポキシ樹脂と脂環式酸無水物の組み合わせは芳香族炭化水素基の割合が0%であるので耐トラッキング性は良好であるが、耐熱性に劣り、高耐熱用途が求められるパワーデバイスには不適である。本発明のエポキシ樹脂組成物は、芳香族炭化水素基の量を上記範囲内とすることにより、耐トラッキング性及び高いガラス転移温度を両立させることができる。
[(C)無機充填剤]
本発明において無機充填剤は、得られる硬化物の熱伝導率が1.0以上2.0W/m・K未満を満たすように配合される。該無機充填剤としては、少なくとも1種の熱伝導性無機充填剤を含む。得られる硬化物に上述した範囲の熱伝導率を与えるものであれば特に制限されるものではなく、通常エポキシ樹脂組成物に配合される無機充填剤を使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、球状クリストバライト、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。これらは1種単独でも、2種以上の併用であってもよい。これら無機充填剤の平均粒子径や形状は特に限定されないが、成形性及び流動性の面から、平均粒子径は5〜40μmであるのがよく、球状の溶融シリカと球状アルミナの併用、または球状溶融シリカと結晶シリカの併用、球状結晶シリカと酸化マグネシウムの併用が望ましい。なお、平均粒子径は、レーザー回折法による粒度分布測定における累積体積基準平均値(又はメジアン径)等として測定することができる。
本発明において無機充填剤は、得られる硬化物の熱伝導率が1.0以上2.0W/m・K未満を満たすように配合される。該無機充填剤としては、少なくとも1種の熱伝導性無機充填剤を含む。得られる硬化物に上述した範囲の熱伝導率を与えるものであれば特に制限されるものではなく、通常エポキシ樹脂組成物に配合される無機充填剤を使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、球状クリストバライト、アルミナ、酸化マグネシウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。これらは1種単独でも、2種以上の併用であってもよい。これら無機充填剤の平均粒子径や形状は特に限定されないが、成形性及び流動性の面から、平均粒子径は5〜40μmであるのがよく、球状の溶融シリカと球状アルミナの併用、または球状溶融シリカと結晶シリカの併用、球状結晶シリカと酸化マグネシウムの併用が望ましい。なお、平均粒子径は、レーザー回折法による粒度分布測定における累積体積基準平均値(又はメジアン径)等として測定することができる。
特に好ましい態様は、本発明のエポキシ樹脂組成物は上記無機充填剤として(C1)球状溶融シリカを含む。溶融シリカは熱伝導率が1.0〜2.0W/m・Kであり、アルミナ、酸化マグネシウム等に比較して熱伝導率が低い。該溶融シリカと、(C2)熱伝導率が2.0W/m・Kを超える熱伝導性無機充填剤とを組合せて使用するのが好ましい。尚、無機充填剤の熱伝導率は室温での値である。該熱伝導性無機充填剤(C2)としては、アルミナ、酸化マグネシウム、結晶シリカ、窒化珪素、窒化アルミニウム等が挙げられる。好ましくは、アルミナ、酸化マグネシウム、及び結晶シリカである。無機充填剤中の球状溶融シリカの質量割合は、10質量%以上88質量%以下が好ましく、より好ましくは20質量%以上80質量%未満であり、更に好ましくは35質量%以上65質量%未満であるのがよい。球状溶融シリカの含有割合が上記下限値未満であると、耐トラッキング性は良好だが、流動性の低下による未充填、ワイヤー変形、弾性率増加による熱ストレス起因のパッケージクラック、基材界面との剥離がおこる可能性がある。また、上記上限値以上であると、耐トラッキング性が不十分となる場合がある。
なお、無機充填剤は、樹脂との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理しされていることが好ましい。このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプトシラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法は従来公知の方法に従えばよく、特に制限されるものではない。
(C)無機充填剤の配合量は上記(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤の総量100質量部に対して200〜1,000質量部、特に400〜800質量部が好適である。(C)無機充填剤の量が上記範囲内であれば耐トラッキング性に有利となり、また線膨張係数が大きくなり過ぎずパッケージの熱ストレスが抑制される。一方、上記上限値を超えると流動性の低下による未充填やワイヤー変形、弾性率向上による熱ストレスの増加などが生じるおそれがある。
[その他の成分]
本発明の組成物は、更に必要に応じて硬化促進剤、離型剤、難燃剤、イオントラップ剤、接着性付与剤、及び顔料など各種の添加剤を含有することができる。
本発明の組成物は、更に必要に応じて硬化促進剤、離型剤、難燃剤、イオントラップ剤、接着性付与剤、及び顔料など各種の添加剤を含有することができる。
硬化促進剤は、上記エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進させるものであればよく、特に制限はない。例えば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ(p−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレートなどのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7などの第3級アミン化合物、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、尿素化合物、サリチル酸等を使用することができる。硬化促進剤の配合量は(A)成分、(B)成分の合計100質量部に対して0.1〜10質量部であり、好ましくは0.5〜4質量部である。
離型剤としては、特に制限されず公知のものを使用することができる。例えば、カルナバワックス、ライスワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン、モンタン酸、モンタン酸と飽和アルコール、2−(2−ヒドロキシエチルアミノ)−エタノール、エチレングリコール、グリセリン等とのエステル化合物等のワックス;ステアリン酸、ステアリン酸エステル、ステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体等が挙げられ、これら1種単独でも2種以上を組み合わせて使用してもよい。離型剤の配合量は(A)成分、(B)成分の合計100質量部に対して0.5〜5質量部であり、好ましくは1〜3質量部である。
難燃剤としては、特に制限されず公知のものを使用することができる。例えばホスファゼン化合物、シリコーン化合物、モリブデン酸亜鉛担持タルク、モリブデン酸亜鉛担持酸化亜鉛、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化モリブデン、三酸化アンチモンなどが挙げられ、これら1種単独でも2種以上を組み合わせて使用してもよい。難燃剤の配合量は(A)成分、(B)成分及び(C)成分の合計100質量部に対して2〜20質量部であり、好ましくは5〜15質量部である。
イオントラップ剤としては、特に制限されず公知のものを使用することができる。例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス化合物、希土類酸化物等が使用でき、これら1種単独でも2種以上を組み合わせて使用してもよい。イオントラップ剤の配合量は(A)成分、(B)成分及び(C)成分の合計100質量部に対して0.5〜10質量部であり、好ましくは1.5〜5質量部である。
接着性付与剤としては、特に制限されず公知のものを使用することができる。例えば上記したカップリング剤が挙げられる。これら1種単独でも2種以上を組み合わせて使用してもよい。接着性付与剤の配合量は(A)成分、(B)成分の合計100質量部に対して0.2〜5質量部であり、好ましくは0.5〜3質量部である。
[エポキシ樹脂組成物の調製等]
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填剤、及び必要に応じてその他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料として得ることができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填剤、及び必要に応じてその他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料として得ることができる。
このようにして得られる本発明のエポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止用として有効に利用できる。この場合、封止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の成形温度は適宜選択されればよいが、好ましくは150〜180℃で30〜180秒、後硬化は150〜180℃で2〜16時間行うことが望ましい。
上記した通り、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物はASTM E1530(定常法)に準拠して測定される熱伝導率1.0W/m・K以上2.0W/m・K未満、特には1.1W/m・K〜1.8W/m・K以下を有する。熱伝導率が上記上限値以上であると放電時に熱を素早く逃がすことができ、樹脂表面への炭化層形成を抑制することはできるが、該熱伝導率とするためにはアルミナや酸化マグネシウム等の熱伝導率が高い無機充填材の量を増やす必要があり、流動性の低下、曲げ弾性率の上昇等、封止材の特性に悪影響を及ぼす恐れがある。また、熱伝導率が上記下限値未満では、放電時に熱を素早く逃がすことが出来ず、樹脂表面への炭化層形成を抑制することができない。熱伝導率が上記範囲内であることにより、樹脂表面への炭化層形成を抑制しつつ、且つ、曲げ弾性率が上昇することのない、優れた封止材特性を有する硬化物を提供することができる。
上記本発明のエポキシ樹脂組成物を硬化して成る硬化物は、IEC60112法に準拠して測定される比較トラッキング指数(CTI)が600V以上となり、欧州規格EN61984で最高ランクのグループIとしてランキングされる材料となり、封止された半導体装置は、信頼性の非常に優れたものとなる。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、以下に示す芳香族炭化水素基割合の値は、(A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対する質量%である。
実施例及び比較例にて使用した各成分は以下の通りである。
(A)エポキシ樹脂
エポキシ樹脂a:エピクロンN−665EXP−S、(DIC(株)製、クレゾールノボラック型、芳香族炭化水素基割合44%、エポキシ当量200g/eq)
エポキシ樹脂b:エピクロンHP−7200、(DIC(株)製、ジシクロペンタジエン型、芳香族炭化水素基割合35%、エポキシ当量258g/eq)
エポキシ樹脂c:EPPN−501H(日本化薬(株)製、芳香族炭化水素基割合50%、トリスフェノール メタンノボラック型、エポキシ当量165g/eq)
エポキシ樹脂d:NC−3000(日本化薬(株)製、ビフェニルアラルキル型、芳香族炭化水素基割合64%、エポキシ当量272g/eq)
エポキシ樹脂e:アルケニル基含有エポキシ樹脂とポリオルガノシロキサンの共重合物(信越化学(株)製、芳香族炭化水素基割合37%、エポキシ当量402g/eq)
エポキシ樹脂f:Tepic−s(日産化学(株)製、トリグリシジルイソシアネート、芳香族炭化水素基割合0%)
(B)硬化剤
フェノール樹脂g:DL−92(明和化成(株)製、芳香族炭化水素基割合76%、OH基当量110g/eq)
フェノール樹脂h:MEHC−7851SS(明和化成(株)製、芳香族炭化水素基割合83%、OH基当量203g/eq)
芳香族アミンi:アニリンとアラルキル化合物との反応物(信越化学(株)製、芳香族炭化水素基割合83%、アミン当量203g/eq)
酸無水物j:リカシッドMH(新日鐵化学(株)製、芳香族炭化水素基割合0%、酸無水物当量168g/eq)
(C)無機充填剤
球状溶融シリカk((株)龍森製、平均粒子径=15μm、熱伝導率1W/m・K)
球状アルミナl(デンカ(株)製、平均粒子径=15μm、熱伝導率27W/m・K)
結晶シリカm((株)龍森製、平均粒子径=15μm、熱伝導率12W/m・K)
(A)エポキシ樹脂
エポキシ樹脂a:エピクロンN−665EXP−S、(DIC(株)製、クレゾールノボラック型、芳香族炭化水素基割合44%、エポキシ当量200g/eq)
エポキシ樹脂b:エピクロンHP−7200、(DIC(株)製、ジシクロペンタジエン型、芳香族炭化水素基割合35%、エポキシ当量258g/eq)
エポキシ樹脂c:EPPN−501H(日本化薬(株)製、芳香族炭化水素基割合50%、トリスフェノール メタンノボラック型、エポキシ当量165g/eq)
エポキシ樹脂d:NC−3000(日本化薬(株)製、ビフェニルアラルキル型、芳香族炭化水素基割合64%、エポキシ当量272g/eq)
エポキシ樹脂e:アルケニル基含有エポキシ樹脂とポリオルガノシロキサンの共重合物(信越化学(株)製、芳香族炭化水素基割合37%、エポキシ当量402g/eq)
エポキシ樹脂f:Tepic−s(日産化学(株)製、トリグリシジルイソシアネート、芳香族炭化水素基割合0%)
(B)硬化剤
フェノール樹脂g:DL−92(明和化成(株)製、芳香族炭化水素基割合76%、OH基当量110g/eq)
フェノール樹脂h:MEHC−7851SS(明和化成(株)製、芳香族炭化水素基割合83%、OH基当量203g/eq)
芳香族アミンi:アニリンとアラルキル化合物との反応物(信越化学(株)製、芳香族炭化水素基割合83%、アミン当量203g/eq)
酸無水物j:リカシッドMH(新日鐵化学(株)製、芳香族炭化水素基割合0%、酸無水物当量168g/eq)
(C)無機充填剤
球状溶融シリカk((株)龍森製、平均粒子径=15μm、熱伝導率1W/m・K)
球状アルミナl(デンカ(株)製、平均粒子径=15μm、熱伝導率27W/m・K)
結晶シリカm((株)龍森製、平均粒子径=15μm、熱伝導率12W/m・K)
その他
硬化促進剤n:トリフェニルホスフィン(北興化学工業(株)製)
硬化促進剤o:サリチル酸(東京化成(株)製)
硬化促進剤p:U CAT18X(サンアプロ(株)製)
硬化促進剤n:トリフェニルホスフィン(北興化学工業(株)製)
硬化促進剤o:サリチル酸(東京化成(株)製)
硬化促進剤p:U CAT18X(サンアプロ(株)製)
[実施例1〜8、比較例1〜5]
各成分を表1又は2に示す割合で熱2本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物について、以下に記載の評価を行った。結果を表1及び2に示す。
各成分を表1又は2に示す割合で熱2本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物について、以下に記載の評価を行った。結果を表1及び2に示す。
(イ)熱伝導率
各組成物を、175℃×120秒間、成形圧6.9MPaの条件でトランスファー成形し、次いで180℃×4時間ポストキュアすることにより厚み3mm、直径50mmの円板硬化物を得た。ASTM E1530に準拠した定常法(熱流束法)(Unitherm2022型)により熱伝導率を測定した。
各組成物を、175℃×120秒間、成形圧6.9MPaの条件でトランスファー成形し、次いで180℃×4時間ポストキュアすることにより厚み3mm、直径50mmの円板硬化物を得た。ASTM E1530に準拠した定常法(熱流束法)(Unitherm2022型)により熱伝導率を測定した。
(ロ)耐トラッキング特性(CTI)試験
各組成物を、175℃×120秒間、成形圧6.9MPaの条件でトランスファー成形し、次いで180℃×4時間ポストキュアすることにより厚み3mm、直径50mmの円板硬化物を得た。IEC60112法に基づいて耐トラッキング特性試験を実施した。詳細には、白金製電極間に試験電圧(100〜600V)を印加し、トラッキング破壊が生じるまで電解液を滴下した。51滴を滴下して、測定個数n=5の全ての試験片が破壊しない最大電圧V1の値を記録した。続いて、得られた最大電圧V1から25V低い電圧で、電解液を100滴滴下して測定個数n=5の全ての試験片が破壊しなければV1を値測定値として記録した。また、電解液には0.1質量%塩化アンモニウム水溶液を使用した。
各組成物を、175℃×120秒間、成形圧6.9MPaの条件でトランスファー成形し、次いで180℃×4時間ポストキュアすることにより厚み3mm、直径50mmの円板硬化物を得た。IEC60112法に基づいて耐トラッキング特性試験を実施した。詳細には、白金製電極間に試験電圧(100〜600V)を印加し、トラッキング破壊が生じるまで電解液を滴下した。51滴を滴下して、測定個数n=5の全ての試験片が破壊しない最大電圧V1の値を記録した。続いて、得られた最大電圧V1から25V低い電圧で、電解液を100滴滴下して測定個数n=5の全ての試験片が破壊しなければV1を値測定値として記録した。また、電解液には0.1質量%塩化アンモニウム水溶液を使用した。
(ハ)スパイラルフロー
EMMI規格に準じた金型を使用して、175℃、6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で測定した。60cm以上を合格とした。
EMMI規格に準じた金型を使用して、175℃、6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で測定した。60cm以上を合格とした。
(二)ガラス転移温度
各組成物を、175℃×120秒間、成形圧6.9MPaの条件でトランスファー成形し、次いで180℃×4時間ポストキュアすることにより、5×5×15mmの試験片を得た。試験片の、5℃/分の昇温速度における寸法変化を熱機械分析装置Rigaku TMA8310を用いて測定し、50〜100℃の接線と270〜290℃の接線の交点よりガラス転移点を求めた。150℃以上を合格とした。
各組成物を、175℃×120秒間、成形圧6.9MPaの条件でトランスファー成形し、次いで180℃×4時間ポストキュアすることにより、5×5×15mmの試験片を得た。試験片の、5℃/分の昇温速度における寸法変化を熱機械分析装置Rigaku TMA8310を用いて測定し、50〜100℃の接線と270〜290℃の接線の交点よりガラス転移点を求めた。150℃以上を合格とした。
(ホ)曲げ弾性率
各組成物を、175℃×120秒間、成形圧6.9MPaの条件でトランスファー成形し、次いで250℃×4時間ポストキュアすることにより、10×4×100mmの試験片を得た。島津オートグラフを用いて曲げ弾性率を測定した。25GPa未満を合格とした。
各組成物を、175℃×120秒間、成形圧6.9MPaの条件でトランスファー成形し、次いで250℃×4時間ポストキュアすることにより、10×4×100mmの試験片を得た。島津オートグラフを用いて曲げ弾性率を測定した。25GPa未満を合格とした。
上記表1に示す通り、本発明のエポキシ樹脂組成物は流動性が良好で、耐トラッキング特性が良好でガラス転移温度が高く、曲げ弾性率が低い硬化物を与える。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、耐トラッキング性に優れ、ガラス転移温度が高く、且つ、弾性率が低い硬化物を与える。従って、半導体封止用の組成物として、特には、パワー半導体デバイス封止用の組成物として特に有用である。
Claims (5)
- 下記(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物であり、
(A)エポキシ樹脂
(B)硬化剤、及び
(C)無機充填剤 上記(A)成分及び(B)成分の合計100質量部に対して200〜1,000質量部
上記(A)成分及び(B)成分のうち少なくとも1が芳香族炭化水素基を有し、(A)及び(B)成分の合計100質量部中、芳香族炭化水素基の割合が20質量部以上55質量部未満であり、上記(C)無機充填剤が少なくとも1種の熱伝導性無機充填剤を含み、及び、ASTM E1530に準拠して測定される熱伝導率1.0W/m・K以上2.0W/m・K未満を有する硬化物を与える、前記エポキシ樹脂組成物。 - (C)成分が、(C1)球状溶融シリカと、(C2)2.0W/m・Kを超える熱伝導率を有する熱伝導性無機充填剤とを含み、該(C1)球状溶融シリカの割合が(C)成分全体の質量に対して10〜88質量%である、請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記(B)成分がフェノール樹脂である、請求項1又は2記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記(B)成分が芳香族アミン樹脂である、請求項1又は2記載のエポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物を備える半導体装置。
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