JP5326210B2 - 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Description
[1]下記一般式(1)で示されるエポキシ樹脂(A)と、下記一般式(2)で示されるフェノール系樹脂(B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤(D)と、シランカップリング剤(E)と、芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物(F)と、を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物であって、
前記シランカップリング剤(E)を当該樹脂組成物全体の0.01重量%以上1重量%以下含むことを特徴とし、
前記化合物(F)を当該樹脂組成物全体の0.01重量%以上1重量%以下含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
(ただし、上記一般式(2)において、R 1 はフェニレン基、ビフェニレン基又はナフチレン基であり;R 2 はOH基と一緒になってフェノール、α−ナフトール又はβ−ナフトール骨格を形成し;R 3 ,R 4 はそれぞれR 2 、R 1 に導入される基であり、水素又は炭素数10以下の炭化水素基であり、これらは互いに同一でも異なっていてもよく;nは平均値で、1以上10以下の正数である。)
[3]上記第[1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、前記化合物(F)の芳香環がナフタレン環であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
[4]上記第[3]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、前記化合物(F)は、前記ナフタレン環を構成する2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
[5]上記第[1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物において、無機充填剤(C)の含有量が80重量%以上92重量%以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
[6]上記第[1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
(ただし、上記一般式(2')において、R 5 はフェニレン基又はビフェニレン基であり、R 6 はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素または炭素数4以下の炭化水素であり、nは平均値で、1以上5以下の正数である。)
前記半導体封止用樹脂組成物の実施形態であるエポキシ樹脂組成物は、下記の一般式(1)で示されるエポキシ樹脂(A)と、下記の一般式(2)で示されるフェノール系樹脂(B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤(D)と、シランカップリング剤(E)と、芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物(F)と、を含み、これにより耐半田クラック性、耐燃性に優れ、且つ流動性、硬化性に優れた半導体封止用樹脂組成物が得られるものである。
本実施形態で用いられるエポキシ樹脂(A)は、一般式(1)で示される構造を有する。
また、一般式(1)で示されるエポキシ樹脂を用いることによる効果が損なわれない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができる。併用できるエポキシ樹脂としては、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えばフェノールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂;オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂等が挙げられる。またこれらのエポキシ樹脂は、単独もしくは混合して用いても差し支えない。
ア表面実装型半導体パッケージにおける低反り性を向上させることができる。また、フェノール性水酸基を含有する芳香族基(−R 2 (OH)−)としては、フェノール、あるいはα−ナフトール、β−ナフトールのいずれでもよいが、特にナフトールである場合は前述のナフチレン骨格を含有する化合物と同様に、ガラス転移温度Tgの上昇や線膨張係数の低下により、低反り性を向上させる効果が得られる上に、さらに分子中に芳香族炭素を多く存在させることから耐燃性の向上も実現することができる。
(実施例)
フェノールフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(エポキシ当量235、式(1)の「n」=4.0、融点52℃)
6.8重量部
フェノールビフェニルアラルキル樹脂(明和化成(株)製、MEH−7851SS、水酸基当量203、式(2)の「n」=2.5、軟化点66℃、式(2)においてR 1 :ビフェニレン基、R 2 (OH):フェノール、R 3 :水素原子、R 4 :水素原子)
5.9重量部
球状溶融シリカ(平均粒径30μm)
86.0重量部
トリフェニルホスフィン
0.2重量部
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン
0.6重量部
2,3−ジヒドロキシナフタレン
0.05重量部
カルナバワックス
0.2重量部
カーボンブラック
0.3重量部
をミキサーにて常温混合し、80〜100℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。評価結果を表1に示す。
表1および表2の配合に従い、実験例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実験例1と同様にして評価した。評価結果を表1および表2に示す。
ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000H、融点105℃、エポキシ当量191)
フェノールフェニルアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XLC−4L、軟化点65℃、水酸基当量165、式(2)の「n」=3.4、式(2)においてR 1 :フェニレン基、R 2 (OH):フェノール、R 3 :水素原子、R 4 :水素原子)
ナフトールフェニルアラルキル樹脂(新日鐵化学(株)製、SN−485、軟化点85℃、水酸基当量210。式(2)の「n」=1.6、式(2)においてR 1 :フェニレン基、R 2 (OH):β−ナフトール、R 3 :水素原子、R 4 :水素原子)
フェノールノボラック樹脂(住友ベークライト(株)製、PR−HF−3、軟化点80℃、水酸基当量105)
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUと略す)
式(8)で示される硬化促進剤
カテコール
ピロガロール
1,6−ジヒドロキシナフタレン
レゾルシノール
Claims (6)
- 下記一般式(1)で示されるエポキシ樹脂(A)と、下記一般式(2)で示されるフェノール系樹脂(B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤(D)と、シランカップリング剤(E)と、芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物(F)と、を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物であって、
前記シランカップリング剤(E)を当該樹脂組成物全体の0.01重量%以上1重量%以下含むことを特徴とし、
前記化合物(F)を当該樹脂組成物全体の0.01重量%以上1重量%以下含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
(ただし、上記一般式(1)において、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素または炭素数4以下の炭化水素であり、nは平均値で、1以上5以下の正数である。)
(ただし、上記一般式(2)において、R 1 はフェニレン基、ビフェニレン基又はナフチレン基であり;R 2 はOH基と一緒になってフェノール、α−ナフトール又はβ−ナフトール骨格を形成し;R 3 ,R 4 はそれぞれR 2 、R 1 に導入される基であり、水素又は炭素数10以下の炭化水素基であり、これらは互いに同一でも異なっていてもよく;nは平均値で、1以上10以下の正数である。) - 請求項1に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記化合物(F)は、前記芳香環を構成する2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - 請求項1に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記化合物(F)の芳香環がナフタレン環であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - 請求項3に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記化合物(F)は、前記ナフタレン環を構成する2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - 請求項1に記載の半導体封止用樹脂組成物において、
前記無機充填剤(C)の含有量が80重量%以上92重量%以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - 請求項1に記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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JP4879048B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-02-15 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5332094B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2013-11-06 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
JP5386837B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2014-01-15 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
CN101641388B (zh) * | 2007-03-23 | 2012-11-21 | 住友电木株式会社 | 半导体密封树脂组合物和使用该树脂组合物的半导体器件 |
WO2008117522A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いる半導体装置 |
KR100882336B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2009-02-11 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
WO2010013406A1 (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物、およびこれを用いる半導体装置 |
JP5166232B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-03-21 | 新日鉄住金化学株式会社 | ナフトール樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
CN102449020B (zh) * | 2009-06-03 | 2014-04-02 | 住友电木株式会社 | 半导体封装用树脂组合物和半导体装置 |
CN102558769B (zh) * | 2010-12-31 | 2015-11-25 | 第一毛织株式会社 | 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以及由该环氧树脂组合物封装的半导体器件 |
KR101332507B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2013-11-26 | 주식회사 포스코 | Mccl용 절연 접착제 조성물, 이를 이용한 도장 금속판 및 그 제조방법 |
KR101802583B1 (ko) * | 2015-06-23 | 2017-12-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자 |
JP2018024770A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物、および半導体装置 |
CN111315820A (zh) * | 2017-11-14 | 2020-06-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体芯片包封用树脂组合物和半导体封装体 |
DE102019101631B4 (de) * | 2019-01-23 | 2024-05-23 | Infineon Technologies Ag | Korrosionsgeschützte Formmasse, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002322347A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2003165896A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-10 | Kyocera Chemical Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2003342446A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005089486A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005206725A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005225971A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63225616A (ja) | 1986-10-01 | 1988-09-20 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
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JP3010110B2 (ja) | 1993-11-04 | 2000-02-14 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
JPH07173255A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
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JPH11140277A (ja) | 1997-11-10 | 1999-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP5364963B2 (ja) | 2001-09-28 | 2013-12-11 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003128759A (ja) | 2001-10-23 | 2003-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP4128420B2 (ja) | 2002-09-27 | 2008-07-30 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂用硬化剤組成物、該硬化剤組成物を用いたエポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP4152161B2 (ja) | 2002-10-07 | 2008-09-17 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂用硬化剤組成物、該硬化剤組成物を用いたエポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
US7291684B2 (en) * | 2003-03-11 | 2007-11-06 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
US7023098B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-04 | Sumitomo Bakelite Company | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
-
2005
- 2005-05-25 US US11/137,820 patent/US7431990B2/en not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002322347A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2003165896A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-10 | Kyocera Chemical Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2003342446A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005089486A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005206725A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005225971A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Also Published As
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