JPS6339920Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6339920Y2 JPS6339920Y2 JP1982139953U JP13995382U JPS6339920Y2 JP S6339920 Y2 JPS6339920 Y2 JP S6339920Y2 JP 1982139953 U JP1982139953 U JP 1982139953U JP 13995382 U JP13995382 U JP 13995382U JP S6339920 Y2 JPS6339920 Y2 JP S6339920Y2
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- JP
- Japan
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- torch
- plasma
- flange
- tube
- circular
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Links
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Gas Burners (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は高周波電力の誘導によりプラズマ炎を
形成する高周波誘導プラズマ用トーチに関する。
形成する高周波誘導プラズマ用トーチに関する。
高周波誘導プラズマ(熱プラズマ)はプラズマ
炎の中心温度が通常5000℃以上と極めて高い。そ
のためプラズマ炎を形成するトーチの材料として
は耐熱性が高く、かつ熱膨張係数の低いものが要
求され、一般には石英ガラスが使用される。その
従来のプラズマ用トーチを第1図に示す。図示す
るようにプラズマ用トーチ1は管径の異なる3本
の円管2,3,4を同心に嵌挿し、円管2,3,
4の基端を各々融着してなる多重管である。また
最内側の円管2以外の円管3,4には枝管6,7
がそれぞれ突設され、この枝管6からプラズマ用
ガス、枝管7から冷却ガスが導入されるようにな
つている。従つてプラズマ炎に接するトーチ1の
内壁は多量の冷却ガス例えばAr,O2等により保
護される。更にプラズマ用トーチの上部外周には
環状の高周波誘導コイル5が設けられる。
炎の中心温度が通常5000℃以上と極めて高い。そ
のためプラズマ炎を形成するトーチの材料として
は耐熱性が高く、かつ熱膨張係数の低いものが要
求され、一般には石英ガラスが使用される。その
従来のプラズマ用トーチを第1図に示す。図示す
るようにプラズマ用トーチ1は管径の異なる3本
の円管2,3,4を同心に嵌挿し、円管2,3,
4の基端を各々融着してなる多重管である。また
最内側の円管2以外の円管3,4には枝管6,7
がそれぞれ突設され、この枝管6からプラズマ用
ガス、枝管7から冷却ガスが導入されるようにな
つている。従つてプラズマ炎に接するトーチ1の
内壁は多量の冷却ガス例えばAr,O2等により保
護される。更にプラズマ用トーチの上部外周には
環状の高周波誘導コイル5が設けられる。
このような構成のプラズマ用トーチ1は円管
2,3,4を融着して製造するため、手加工にた
よらなければならないが、前述したように円管
2,3,4の材質が石英ガラスであるため、その
手加工は高温下での極めて熟練度を要する作業と
なる。そのため、高精度のトーチ1を得ることは
難しく、特にトーチ1の開口部における円管2,
3,4の相互の間隔を周方向に均一に製造するこ
とができなかつた。そのため従前のプラズマ用ト
ーチ1ではプラズマ炎が片より、片よつたプラズ
マ炎に接する円管を変形させ、或いは蒸発させて
しまうことがあつた。
2,3,4を融着して製造するため、手加工にた
よらなければならないが、前述したように円管
2,3,4の材質が石英ガラスであるため、その
手加工は高温下での極めて熟練度を要する作業と
なる。そのため、高精度のトーチ1を得ることは
難しく、特にトーチ1の開口部における円管2,
3,4の相互の間隔を周方向に均一に製造するこ
とができなかつた。そのため従前のプラズマ用ト
ーチ1ではプラズマ炎が片より、片よつたプラズ
マ炎に接する円管を変形させ、或いは蒸発させて
しまうことがあつた。
このように従前のプラズマ用トーチは精度、特
に開口部における間隔の精度が不十分であり、
種々の不具合が生じていた。
に開口部における間隔の精度が不十分であり、
種々の不具合が生じていた。
本考案は、プラズマ用トーチの精度を向上させ
て、プラズマ炎をトーチの中央部に安定して形成
することのできる高周波誘導プラズマ用トーチを
提供することを目的とするものであつて、その構
成は高周波電力の誘導によりプラズマ炎を形成す
る多重管構造のトーチにおいて、内管、外管を同
心に嵌挿すると共に該外管の基端部外周に環状の
フランジを垂直に設ける一方、前記内管の基端部
を二重に形成した部分のうちの外周部分に環状の
フランジを垂直に設け、更に該フランジと前記フ
ランジとを相互に重ね合せて緊結し、又前記外周
部分にガス導入用枝管を突設したことを特徴とす
る。
て、プラズマ炎をトーチの中央部に安定して形成
することのできる高周波誘導プラズマ用トーチを
提供することを目的とするものであつて、その構
成は高周波電力の誘導によりプラズマ炎を形成す
る多重管構造のトーチにおいて、内管、外管を同
心に嵌挿すると共に該外管の基端部外周に環状の
フランジを垂直に設ける一方、前記内管の基端部
を二重に形成した部分のうちの外周部分に環状の
フランジを垂直に設け、更に該フランジと前記フ
ランジとを相互に重ね合せて緊結し、又前記外周
部分にガス導入用枝管を突設したことを特徴とす
る。
以下、本考案の高周波誘導プラズマ用トーチを
実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例に基づいて詳細に説明する。
第2図イ,ロに本考案の第一の実施例を示す。
図示するように本考案の高周波誘導プラズマ用ト
ーチ11においては、管径の異なる3本の円管1
2,13,14が同心に嵌挿され、その外側の円
管14と内側の円管12,13とが夫々形成され
たフランジを介し緊密に締結され多重管が構成さ
れている。即ち、最内側の円管12はその基端部
が2重に形成され、その外側の管の上端には環状
のフランジ12aが一体に設けられている。ま
た、この外側の管にはプラズマ用ガスを導入する
ための枝管17が突設されている。このような円
管12の外周に嵌挿される円管13の基端にはフ
ランジ13aと上記フランジ12aとが密着して
いる。これらフランジ13a,12aに締結金具
15が装着されており、フランジ12a,13a
は緊密に締結される。更に円管13の基端部は2
重に形成され、その外側の管の上端には環状のフ
ランジ13bが一体に設けられてている。またこ
の外側の管には冷却ガスを導入するための枝管1
8が突設される。この枝管18の突設する態様と
しては、第2図ロのようにトーチ11の接線方向
を向くように突設すると、この枝管18を通つて
導入される冷却ガスがトーチ内を回転しながら上
昇し、より安定したプラズマ炎が得られ好都合で
ある。このような円管13の外周に嵌挿される円
管14の基端にはフランジ14aが一体に設けら
れ、このフランジ14aと上記フランジ13bと
が密着している。これらフランジ13b,14a
に締付金具16が装着され、これらフランジ13
b,14aは緊密に締結される。
図示するように本考案の高周波誘導プラズマ用ト
ーチ11においては、管径の異なる3本の円管1
2,13,14が同心に嵌挿され、その外側の円
管14と内側の円管12,13とが夫々形成され
たフランジを介し緊密に締結され多重管が構成さ
れている。即ち、最内側の円管12はその基端部
が2重に形成され、その外側の管の上端には環状
のフランジ12aが一体に設けられている。ま
た、この外側の管にはプラズマ用ガスを導入する
ための枝管17が突設されている。このような円
管12の外周に嵌挿される円管13の基端にはフ
ランジ13aと上記フランジ12aとが密着して
いる。これらフランジ13a,12aに締結金具
15が装着されており、フランジ12a,13a
は緊密に締結される。更に円管13の基端部は2
重に形成され、その外側の管の上端には環状のフ
ランジ13bが一体に設けられてている。またこ
の外側の管には冷却ガスを導入するための枝管1
8が突設される。この枝管18の突設する態様と
しては、第2図ロのようにトーチ11の接線方向
を向くように突設すると、この枝管18を通つて
導入される冷却ガスがトーチ内を回転しながら上
昇し、より安定したプラズマ炎が得られ好都合で
ある。このような円管13の外周に嵌挿される円
管14の基端にはフランジ14aが一体に設けら
れ、このフランジ14aと上記フランジ13bと
が密着している。これらフランジ13b,14a
に締付金具16が装着され、これらフランジ13
b,14aは緊密に締結される。
上記構成を有する本考案の高周波誘導プラズマ
用トーチ11は円管12,13,14のフランジ
12a,13a,13b,14aを単に締結して
組み立てるだけで製造でき、従前と異なり円管を
融着して製造する必要がなく、高温下での極めて
熟練を要した作業を回避できる。また、同時に、
フランジ12a,13a,13b,14aを相互
にずらし、あるいはこれらの間にスペーサ等を介
装することが可能なため、トーチ11の開口部に
おける円管12,13,14の周方向の間隔を高
精度に均一に調整することができる。この場合フ
ランジ面をスリ合せ状に形成しておき、このフラ
ンジ面の間に耐高温グリースをわずかに塗布して
おくと、更に調整し易くなると共にプラズマ用ガ
スのリークを完全に防止でき好都合である。
用トーチ11は円管12,13,14のフランジ
12a,13a,13b,14aを単に締結して
組み立てるだけで製造でき、従前と異なり円管を
融着して製造する必要がなく、高温下での極めて
熟練を要した作業を回避できる。また、同時に、
フランジ12a,13a,13b,14aを相互
にずらし、あるいはこれらの間にスペーサ等を介
装することが可能なため、トーチ11の開口部に
おける円管12,13,14の周方向の間隔を高
精度に均一に調整することができる。この場合フ
ランジ面をスリ合せ状に形成しておき、このフラ
ンジ面の間に耐高温グリースをわずかに塗布して
おくと、更に調整し易くなると共にプラズマ用ガ
スのリークを完全に防止でき好都合である。
また、本考案のプラズマ用トーチ11は組立、
分解が簡単なため、故障部分のみを交換し他の部
分は継続して使用できる経済上のメリツトがあ
る。例えば、プラズマ用トーチ11の内壁、特に
最外側は反応用導入ガス(弗素系ガス等)の付着
物の堆積によりプラズマ炎の形成に支障が生ずる
場合があるが、この場合に付着物の堆積した部分
のみを交換すればトーチ11全体を取り換るより
安価である。
分解が簡単なため、故障部分のみを交換し他の部
分は継続して使用できる経済上のメリツトがあ
る。例えば、プラズマ用トーチ11の内壁、特に
最外側は反応用導入ガス(弗素系ガス等)の付着
物の堆積によりプラズマ炎の形成に支障が生ずる
場合があるが、この場合に付着物の堆積した部分
のみを交換すればトーチ11全体を取り換るより
安価である。
次に本考案の第2の実施例を第3図に示す。同
図に示されるプラズマ用トーチ11′はガス導入
用の枝管17′,18′を最内側の円管12′と最
外側の円管14′から突設した例であり、その他
の構造は第2図に示される第一の実施例とほぼ同
一になつている。
図に示されるプラズマ用トーチ11′はガス導入
用の枝管17′,18′を最内側の円管12′と最
外側の円管14′から突設した例であり、その他
の構造は第2図に示される第一の実施例とほぼ同
一になつている。
以上、実施例に基づいて具体的に説明したよう
に本考案の高周波誘導プラズマ用トーチは開口部
の精度が高く、プラズマ炎をトーチの中央部に安
定して形成することができる。またこのため、ト
ーチの熱劣化の虞が極めて少なくなつた。
に本考案の高周波誘導プラズマ用トーチは開口部
の精度が高く、プラズマ炎をトーチの中央部に安
定して形成することができる。またこのため、ト
ーチの熱劣化の虞が極めて少なくなつた。
尚、上記実施例では3重管構造のプラズマ用ト
ーチについて適用した例を示しているが、本考案
はこれに限らず2重管或いは4重管以上の構造で
あつても適用することが可能である。
ーチについて適用した例を示しているが、本考案
はこれに限らず2重管或いは4重管以上の構造で
あつても適用することが可能である。
第1図は従来の高周波誘導プラズマ用トーチの
断面図、第2図及び第3図は、本考案の高周波誘
導プラズマ用トーチに係り、第2図イは第一の実
施例の縦断面図、第2図ロはその横断面図、第3
図は第2の実施例の縦断面図である。 図面中、11,11′は高周波誘導プラズマ用
トーチ、12,13,14,12′,13′,1
4′、は円管、15,16は締付金具、17,1
8,17′,18′は枝管である。
断面図、第2図及び第3図は、本考案の高周波誘
導プラズマ用トーチに係り、第2図イは第一の実
施例の縦断面図、第2図ロはその横断面図、第3
図は第2の実施例の縦断面図である。 図面中、11,11′は高周波誘導プラズマ用
トーチ、12,13,14,12′,13′,1
4′、は円管、15,16は締付金具、17,1
8,17′,18′は枝管である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 高周波電力の誘導によりプラズマ炎を形成す
る多重管構造のトーチにおいて、内管、外管を
同心に嵌挿すると共に該外管の基端部外周に環
状のフランジを垂直に設ける一方、前記内管の
基端部を二重に形成した部分のうちの外周部分
に環状のフランジを垂直に設け、更に該フラン
ジと前記フランジとを相互に重ね合せて緊結
し、又前記外周部分にガス導入用枝管を突設し
たことを特徴とする高周波誘導プラズマ用トー
チ。 (2) 実用新案登録請求の範囲第一項において、上
記ガス導入用枝管がトーチの接線方向を向き、
かつ、複数個設けられることを特徴とする高周
波誘導プラズマ用トーチ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982139953U JPS5945900U (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高周波誘導プラズマ用ト−チ |
EP83108781A EP0103809B1 (en) | 1982-09-17 | 1983-09-06 | High frequency induction coupled plasma torch |
DE8383108781T DE3378817D1 (en) | 1982-09-17 | 1983-09-06 | High frequency induction coupled plasma torch |
US06/532,937 US4578560A (en) | 1982-09-17 | 1983-09-16 | High frequency induction coupled plasma torch with concentric pipes having flanges thereon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982139953U JPS5945900U (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高周波誘導プラズマ用ト−チ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5945900U JPS5945900U (ja) | 1984-03-27 |
JPS6339920Y2 true JPS6339920Y2 (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=15257517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1982139953U Granted JPS5945900U (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高周波誘導プラズマ用ト−チ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4578560A (ja) |
EP (1) | EP0103809B1 (ja) |
JP (1) | JPS5945900U (ja) |
DE (1) | DE3378817D1 (ja) |
Families Citing this family (326)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4739147A (en) * | 1987-01-30 | 1988-04-19 | The Dow Chemical Company | Pre-aligned demountable plasma torch |
US4766287A (en) * | 1987-03-06 | 1988-08-23 | The Perkin-Elmer Corporation | Inductively coupled plasma torch with adjustable sample injector |
US4926021A (en) * | 1988-09-09 | 1990-05-15 | Amax Inc. | Reactive gas sample introduction system for an inductively coupled plasma mass spectrometer |
JPH02215038A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ極微量元素分析装置 |
JP2922223B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1999-07-19 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
US5233156A (en) * | 1991-08-28 | 1993-08-03 | Cetac Technologies Inc. | High solids content sample torches and method of use |
US5684581A (en) * | 1995-12-11 | 1997-11-04 | Mds Health Group Limited | Torch for inductively coupled plasma spectrometry |
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US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
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US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
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