JPH11218297A - ガス制御装置及びガス供給方法 - Google Patents
ガス制御装置及びガス供給方法Info
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- JPH11218297A JPH11218297A JP10325319A JP32531998A JPH11218297A JP H11218297 A JPH11218297 A JP H11218297A JP 10325319 A JP10325319 A JP 10325319A JP 32531998 A JP32531998 A JP 32531998A JP H11218297 A JPH11218297 A JP H11218297A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 107
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 99
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 40
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 40
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 611
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 14
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 10
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 240000005020 Acaciella glauca Species 0.000 description 1
- 239000004237 Ponceau 6R Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 235000003499 redwood Nutrition 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012858 resilient material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004793 spatially offset Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002560 therapeutic procedure Methods 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
- F17C13/04—Arrangement or mounting of valves
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
- F17C13/02—Special adaptations of indicating, measuring, or monitoring equipment
- F17C13/025—Special adaptations of indicating, measuring, or monitoring equipment having the pressure as the parameter
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C5/00—Methods or apparatus for filling containers with liquefied, solidified, or compressed gases under pressures
- F17C5/02—Methods or apparatus for filling containers with liquefied, solidified, or compressed gases under pressures for filling with liquefied gases
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C7/00—Methods or apparatus for discharging liquefied, solidified, or compressed gases from pressure vessels, not covered by another subclass
- F17C7/02—Discharging liquefied gases
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D1/00—Pipe-line systems
- F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
- F17D1/04—Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C2205/00—Vessel construction, in particular mounting arrangements, attachments or identifications means
- F17C2205/03—Fluid connections, filters, valves, closure means or other attachments
- F17C2205/0302—Fittings, valves, filters, or components in connection with the gas storage device
- F17C2205/0338—Pressure regulators
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F17C2205/00—Vessel construction, in particular mounting arrangements, attachments or identifications means
- F17C2205/03—Fluid connections, filters, valves, closure means or other attachments
- F17C2205/0388—Arrangement of valves, regulators, filters
- F17C2205/0391—Arrangement of valves, regulators, filters inside the pressure vessel
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F17C2227/00—Transfer of fluids, i.e. method or means for transferring the fluid; Heat exchange with the fluid
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧縮ガス容器と共に使用するモジュール式ガ
ス制御装置を提供する。 【解決手段】 モジュール式ガス制御装置は一次モジュ
ールとこれに装着された二次モジュールを有し、一次モ
ジュールは主ガス流路が形成された第１の支持体を有
し、第１の支持体は圧縮ガス容器にガス流路を接続する
ための入口接続手段を有する。減圧手段が前記容器内圧
力より低い圧力でガス流路にガスを供給し、減圧手段の
下流の出口接続手段が主ガス流路からの低圧出口を形成
する。高圧閉止弁が減圧手段の上流に配置され充填手段
が入口流路から離れた第２の流路に沿って入口接続手段
を通して圧縮ガスをシリンダに充填する。二次モジュー
ルが支持体と主流路を有し、一次モジュール上に二次モ
ジュールを装着するための出口接続手段と対応する入口
接続手段を有する。
ス制御装置を提供する。 【解決手段】 モジュール式ガス制御装置は一次モジュ
ールとこれに装着された二次モジュールを有し、一次モ
ジュールは主ガス流路が形成された第１の支持体を有
し、第１の支持体は圧縮ガス容器にガス流路を接続する
ための入口接続手段を有する。減圧手段が前記容器内圧
力より低い圧力でガス流路にガスを供給し、減圧手段の
下流の出口接続手段が主ガス流路からの低圧出口を形成
する。高圧閉止弁が減圧手段の上流に配置され充填手段
が入口流路から離れた第２の流路に沿って入口接続手段
を通して圧縮ガスをシリンダに充填する。二次モジュー
ルが支持体と主流路を有し、一次モジュール上に二次モ
ジュールを装着するための出口接続手段と対応する入口
接続手段を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧縮ガスの容器と
共に使用するためのガス制御装置と、この圧縮ガス容器
からガスを供給する方法とに係わる。
共に使用するためのガス制御装置と、この圧縮ガス容器
からガスを供給する方法とに係わる。
【０００２】術語「ガス」は、永久ガスと液化ガスの蒸
気との両方を含む。永久ガスは、圧力だけによっては液
化されることが不可能なガスであり、例えば、３００バ
ールｇまでの圧力でシリンダに入れて供給されることが
可能である。この永久ガスの例は、アルゴンと窒素であ
る。液化ガスの蒸気は、圧縮ガスシリンダ内において液
体の上方に存在する。シリンダ内に充填するために圧縮
される時に圧力下で液化するガスは、永久ガスではな
く、より正確には液化ガスまたは液化ガス蒸気と呼ばれ
ている。例えば、亜酸化窒素は、１５℃において４４．
４バールｇの平衡蒸気圧で、液体の形でシリンダに入れ
て供給される。こうした蒸気は、外界条件に近い圧力ま
たは温度によって液化可能であるので、永久ガスでも真
のガスでもないことが多い。
気との両方を含む。永久ガスは、圧力だけによっては液
化されることが不可能なガスであり、例えば、３００バ
ールｇまでの圧力でシリンダに入れて供給されることが
可能である。この永久ガスの例は、アルゴンと窒素であ
る。液化ガスの蒸気は、圧縮ガスシリンダ内において液
体の上方に存在する。シリンダ内に充填するために圧縮
される時に圧力下で液化するガスは、永久ガスではな
く、より正確には液化ガスまたは液化ガス蒸気と呼ばれ
ている。例えば、亜酸化窒素は、１５℃において４４．
４バールｇの平衡蒸気圧で、液体の形でシリンダに入れ
て供給される。こうした蒸気は、外界条件に近い圧力ま
たは温度によって液化可能であるので、永久ガスでも真
のガスでもないことが多い。
【０００３】
【従来の技術】高圧シリンダからのガスを取り扱うため
の従来の方法は、圧力、流量、ガス閉止、及び、安全排
出のような機能を制御するために、高圧シリンダの外側
に取り付けた幾つかの別個の構成要素を使用することで
ある。こうした構成は複雑であり、漏洩、デッドスペー
ス、及び、多数の継目という問題を生じさせ、製品の品
質と純度とに関する問題を生じさせる。こうした組立体
は、大型であり従って高価とならざるを得ないガスキャ
ビネット内に封入されなければならないことが多い。
の従来の方法は、圧力、流量、ガス閉止、及び、安全排
出のような機能を制御するために、高圧シリンダの外側
に取り付けた幾つかの別個の構成要素を使用することで
ある。こうした構成は複雑であり、漏洩、デッドスペー
ス、及び、多数の継目という問題を生じさせ、製品の品
質と純度とに関する問題を生じさせる。こうした組立体
は、大型であり従って高価とならざるを得ないガスキャ
ビネット内に封入されなければならないことが多い。
【０００４】圧縮ガスシリンダは、様々な市場で使用さ
れている。低コストの一般工業市場では、現行の標準シ
リンダ弁は非常に安価であるが、例えば医療用途におけ
る直接的な圧力制御と流量制御とのような付加的な利点
を顧客に提供するために、こうしたシリンダ弁に追加的
な機能を組み込むことが必要とされている。エレクトロ
ニクスのようなより高コストの部門では、エレクトロニ
クス分野に特有の高純度の腐食性で有毒な自燃性ガスを
使用する場合の、腐食、汚染、及び、ガス容器に対する
接続を開閉する時に人間がガスに接触する危険性に関連
した問題点を取り除くことが必要とされている。
れている。低コストの一般工業市場では、現行の標準シ
リンダ弁は非常に安価であるが、例えば医療用途におけ
る直接的な圧力制御と流量制御とのような付加的な利点
を顧客に提供するために、こうしたシリンダ弁に追加的
な機能を組み込むことが必要とされている。エレクトロ
ニクスのようなより高コストの部門では、エレクトロニ
クス分野に特有の高純度の腐食性で有毒な自燃性ガスを
使用する場合の、腐食、汚染、及び、ガス容器に対する
接続を開閉する時に人間がガスに接触する危険性に関連
した問題点を取り除くことが必要とされている。
【０００５】こうした問題の１つの事例が、ガスシリン
ダのための再充填処理において生じる。シリンダは、一
般的に（合衆国では組込み破断円板を含む）単純な閉止
シリンダ弁によって制御される高圧ガスを収容すること
が普通である。一般的に、ガスは、容器内の圧力よりも
著しく低い圧力で使用され、従って、使用者は、膨張弁
のような減圧手段を回路内に接続することになる。ガス
シリンダを再充填する必要がある場合には、そのシリン
ダ上の閉止弁が閉じられ、高圧回路が切断される。この
シリンダの高圧における開閉は、漏洩と汚染の危険性を
もたらす。高圧での取り外しを行うことなしに再充填す
ることによって、この問題を克服する試みが既に行われ
ている。
ダのための再充填処理において生じる。シリンダは、一
般的に（合衆国では組込み破断円板を含む）単純な閉止
シリンダ弁によって制御される高圧ガスを収容すること
が普通である。一般的に、ガスは、容器内の圧力よりも
著しく低い圧力で使用され、従って、使用者は、膨張弁
のような減圧手段を回路内に接続することになる。ガス
シリンダを再充填する必要がある場合には、そのシリン
ダ上の閉止弁が閉じられ、高圧回路が切断される。この
シリンダの高圧における開閉は、漏洩と汚染の危険性を
もたらす。高圧での取り外しを行うことなしに再充填す
ることによって、この問題を克服する試みが既に行われ
ている。
【０００６】１９８８年７月２０日付で公開されたＥＰ
−Ａ−０ ２７５ ２４２（ＡＧＡＡＫＴＩＥＢＯＬＡ
Ｇ）には、主にガス療法での使用が意図された一体型シ
リンダ弁制御装置が開示されており、この装置は、ガス
シリンダに永久的に接続され、且つ、そのガスシリンダ
に固定装着された保護カップによって取り囲まれること
が意図されている。この弁は、ガスシリンダに対する接
続ソケットと残留ガス弁と逆流防止弁とを含む弁ハウジ
ングを有する。この制御装置は、更に、シリンダ圧力を
適切な動作圧に低下させる働きをする上記弁ハウジング
内に配置された調整器、ガス閉止弁、消費導管の接続の
ための迅速結合装置、ガス補給導管をシリンダに接続す
るための装置、及び、シリンダ内のガス体積を表示する
ための装置を含む。
−Ａ−０ ２７５ ２４２（ＡＧＡＡＫＴＩＥＢＯＬＡ
Ｇ）には、主にガス療法での使用が意図された一体型シ
リンダ弁制御装置が開示されており、この装置は、ガス
シリンダに永久的に接続され、且つ、そのガスシリンダ
に固定装着された保護カップによって取り囲まれること
が意図されている。この弁は、ガスシリンダに対する接
続ソケットと残留ガス弁と逆流防止弁とを含む弁ハウジ
ングを有する。この制御装置は、更に、シリンダ圧力を
適切な動作圧に低下させる働きをする上記弁ハウジング
内に配置された調整器、ガス閉止弁、消費導管の接続の
ための迅速結合装置、ガス補給導管をシリンダに接続す
るための装置、及び、シリンダ内のガス体積を表示する
ための装置を含む。
【０００７】１９８９年３月２９日付で公開されたＥＰ
−Ａ−０３０８８７５（ＵｎｉｏｎＣａｒｂｉｄｅ Ｃ
ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）には、より低圧の装置に高圧ガ
ス供給源を適合させるための弁−調整器組立体が開示さ
れており、この弁−調整器は密封可能であるか、また
は、高圧での再充填を可能にする高圧ガス供給源から分
離されている。実施様態の１つでは、単一の出口が、調
整器によって減圧され終わった時には低圧出口として使
用され、一方、その同じ出口がシリンダの再充填のため
のアダプタとして使用される。このアダプタが使用され
る場合には、アダプタ栓上の締切り手段が調整器を固定
位置に動かし、その調整器に対して作用するガス圧力に
は関係なしに主導管からのガス流を閉止する。その後
で、シリンダの再充填が上記アダプタを通して行われ
る。これは、再充填前に高圧ガスを完全に閉止すること
を可能にし、従って、高圧における開閉を回避すること
を可能にする。
−Ａ−０３０８８７５（ＵｎｉｏｎＣａｒｂｉｄｅ Ｃ
ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）には、より低圧の装置に高圧ガ
ス供給源を適合させるための弁−調整器組立体が開示さ
れており、この弁−調整器は密封可能であるか、また
は、高圧での再充填を可能にする高圧ガス供給源から分
離されている。実施様態の１つでは、単一の出口が、調
整器によって減圧され終わった時には低圧出口として使
用され、一方、その同じ出口がシリンダの再充填のため
のアダプタとして使用される。このアダプタが使用され
る場合には、アダプタ栓上の締切り手段が調整器を固定
位置に動かし、その調整器に対して作用するガス圧力に
は関係なしに主導管からのガス流を閉止する。その後
で、シリンダの再充填が上記アダプタを通して行われ
る。これは、再充填前に高圧ガスを完全に閉止すること
を可能にし、従って、高圧における開閉を回避すること
を可能にする。
【０００８】これに類似した装置が１９９１年７月２３
日付で公開されたＵＳ−Ａ−５ ０３３ ４９９（Ｐａ
ｔｅｌ他）に開示されている。減圧弁が、高圧ガスシリ
ンダ上に直接装着されている。標準的なアダプタが出口
の中に挿入され、制御ハンドホイールが開かれ、出口で
は、必要とされる低圧（例えば最大圧力２００バール）
のガスを得ることが可能である。特殊な充填アダプタが
出口の中に挿入される場合には、シリンダがその最大圧
力３００バールに再充填されることが可能である。この
特殊な充填アダプタは、弁組立体内のチャンバからその
弁組立体内の通路を経て周囲雰囲気にガスが流出するの
を防止するシールを有する。一方、これは、通常の使用
時にそうであるようにピストンが下向きに動いて減圧弁
の入口を閉じることを防止する。
日付で公開されたＵＳ−Ａ−５ ０３３ ４９９（Ｐａ
ｔｅｌ他）に開示されている。減圧弁が、高圧ガスシリ
ンダ上に直接装着されている。標準的なアダプタが出口
の中に挿入され、制御ハンドホイールが開かれ、出口で
は、必要とされる低圧（例えば最大圧力２００バール）
のガスを得ることが可能である。特殊な充填アダプタが
出口の中に挿入される場合には、シリンダがその最大圧
力３００バールに再充填されることが可能である。この
特殊な充填アダプタは、弁組立体内のチャンバからその
弁組立体内の通路を経て周囲雰囲気にガスが流出するの
を防止するシールを有する。一方、これは、通常の使用
時にそうであるようにピストンが下向きに動いて減圧弁
の入口を閉じることを防止する。
【０００９】しかし、これらの先行の開示内容は、上記
組立体の本体においては限られた機能しか提供しておら
ず、即ち、手動操作による通常の低圧調整、及び／また
は、再充填が可能であることだけを提供するにすぎな
い。使用者が必要とする更に別の機能は、その低圧出口
に通常の方法で結合される別個の構成要素によって提供
される。
組立体の本体においては限られた機能しか提供しておら
ず、即ち、手動操作による通常の低圧調整、及び／また
は、再充填が可能であることだけを提供するにすぎな
い。使用者が必要とする更に別の機能は、その低圧出口
に通常の方法で結合される別個の構成要素によって提供
される。
【００１０】圧縮ガスシリンダの頭部上に直接装着され
た構成要素によって様々な機能をもたらそうとする試み
が、これまでに行われてきた。１９９２年２月１１日付
で公開されたＵＳ−Ａ−５ ０８６ ８０７（Ｌａｓｎ
ｉｅｒ他／Ｌ’Ａｉｒ Ｌｉｑｕｉｄｅ）には、入口接
続装置と出口接続装置とを装着するための互いに反対側
に位置した穴を含む減圧器本体と、調整弁がその中に装
着されている高圧チャンバを画定する別の穴の外側端部
とを含む減圧器が開示されている。この減圧器の本体
は、低圧チャンバと境を接するピストンと調整弁との間
に接続棒が圧入係合させられている環状切頭ライニング
を含む調整弁のばねのための支えを画定する、高圧圧力
計のための接続装置を受けるように適合させられてい
る。この発明は、高圧圧力計と低圧圧力計とを含む、単
純化された設計の工業タイプの減圧器を提案する。
た構成要素によって様々な機能をもたらそうとする試み
が、これまでに行われてきた。１９９２年２月１１日付
で公開されたＵＳ−Ａ−５ ０８６ ８０７（Ｌａｓｎ
ｉｅｒ他／Ｌ’Ａｉｒ Ｌｉｑｕｉｄｅ）には、入口接
続装置と出口接続装置とを装着するための互いに反対側
に位置した穴を含む減圧器本体と、調整弁がその中に装
着されている高圧チャンバを画定する別の穴の外側端部
とを含む減圧器が開示されている。この減圧器の本体
は、低圧チャンバと境を接するピストンと調整弁との間
に接続棒が圧入係合させられている環状切頭ライニング
を含む調整弁のばねのための支えを画定する、高圧圧力
計のための接続装置を受けるように適合させられてい
る。この発明は、高圧圧力計と低圧圧力計とを含む、単
純化された設計の工業タイプの減圧器を提案する。
【００１１】１９９２年７月７日付で公開されたＵＳ−
Ａ−５１２７４３６（Ｃａｍｐｉｏｎ他／Ｌ’Ａｉｒ
Ｌｉｑｕｉｄｅ）では、高圧ガスシリンダのためのガス
分配アダプタと減圧器装置とが開示されている。この装
置は、高圧ガスシリンダの締切り弁の上に取り付けられ
ることが意図された組立体を含み、更に、その上流側端
部が締切り弁と連通している分配弁を操作する手動制御
装置、使用者回路に接続するための出口と分配弁との間
の過剰圧力を防止するための減圧器と安全装置、及び、
上記分配弁の上流の圧力を測定する圧力計を含む。
Ａ−５１２７４３６（Ｃａｍｐｉｏｎ他／Ｌ’Ａｉｒ
Ｌｉｑｕｉｄｅ）では、高圧ガスシリンダのためのガス
分配アダプタと減圧器装置とが開示されている。この装
置は、高圧ガスシリンダの締切り弁の上に取り付けられ
ることが意図された組立体を含み、更に、その上流側端
部が締切り弁と連通している分配弁を操作する手動制御
装置、使用者回路に接続するための出口と分配弁との間
の過剰圧力を防止するための減圧器と安全装置、及び、
上記分配弁の上流の圧力を測定する圧力計を含む。
【００１２】しかし、これらの装置の場合にも同様に、
シリンダ頭部上に装着されたこれらの装置において提供
される機能の種類は限定されており、従って、必要とさ
れる更に別の機能は、シリンダ頭部の制御装置の出口に
接続される従来通りの構成要素によって提供される。
シリンダ頭部上に装着されたこれらの装置において提供
される機能の種類は限定されており、従って、必要とさ
れる更に別の機能は、シリンダ頭部の制御装置の出口に
接続される従来通りの構成要素によって提供される。
【００１３】１９９２年１１月１７日付で公開されたＵ
Ｓ−Ａ−５ １６３ ４７５（Ｇｒｅｇｏｉｒｅ／Ｐｒ
ａｘａｉｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ）では、分
配ガスの純度とガス送出パネルの安全性とを高めるよう
に適合させられている一連の弁と圧力調整器とその関連
構成要素とを含む、工具位置に供給シリンダからガスを
配送するための超小型パネルが開示されている。この発
明の目的は、超高純度の有害ガスの制御に適合させられ
ている縮小サイズの超小型パネルを提供することであ
る。好ましくはガス流路が、湾曲部と停滞ガスポケット
が最小限である直線的な流れであるように、このパネル
の構成要素が配置され、口が付けられている。この超小
型パネルの構成要素は、その中のガス通路部品が同一平
面内で実質的に一直線になっているように配置されてい
る。上記弁と圧力調整器構成要素との相互接続のための
流体流路を提供するために、単一のまたは１つの金属
（例えば、ステンレススチール）ブロックを機械加工す
ることが可能である。しかし、この超小型パネルは、サ
イズが小さくなってはいるが、通常サイズのガスパネル
の複雑さを維持し、個々の構成要素の間の多数の接続部
を含んでいる。更に、このパネルによって提供される機
能は限定されており、更に別の機能が必要とされる場合
には、こうした別の機能は従来通りの追加の構成要素に
よって提供されることになる。更に、圧縮ガスシリンダ
を再充填することが必要とされる場合には、再充填のた
めにそのシリンダを取り外すために、その回路の高圧部
分において従来通りの開閉が行われる。
Ｓ−Ａ−５ １６３ ４７５（Ｇｒｅｇｏｉｒｅ／Ｐｒ
ａｘａｉｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ）では、分
配ガスの純度とガス送出パネルの安全性とを高めるよう
に適合させられている一連の弁と圧力調整器とその関連
構成要素とを含む、工具位置に供給シリンダからガスを
配送するための超小型パネルが開示されている。この発
明の目的は、超高純度の有害ガスの制御に適合させられ
ている縮小サイズの超小型パネルを提供することであ
る。好ましくはガス流路が、湾曲部と停滞ガスポケット
が最小限である直線的な流れであるように、このパネル
の構成要素が配置され、口が付けられている。この超小
型パネルの構成要素は、その中のガス通路部品が同一平
面内で実質的に一直線になっているように配置されてい
る。上記弁と圧力調整器構成要素との相互接続のための
流体流路を提供するために、単一のまたは１つの金属
（例えば、ステンレススチール）ブロックを機械加工す
ることが可能である。しかし、この超小型パネルは、サ
イズが小さくなってはいるが、通常サイズのガスパネル
の複雑さを維持し、個々の構成要素の間の多数の接続部
を含んでいる。更に、このパネルによって提供される機
能は限定されており、更に別の機能が必要とされる場合
には、こうした別の機能は従来通りの追加の構成要素に
よって提供されることになる。更に、圧縮ガスシリンダ
を再充填することが必要とされる場合には、再充填のた
めにそのシリンダを取り外すために、その回路の高圧部
分において従来通りの開閉が行われる。
【００１４】Ｈｅｌｍｅｒｓ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ，
Ｉｎｃによって１９９３年２月に出版されたＳＥＮＳＯ
ＲＳに掲載されている、Ｒｅｄｗｏｏｄ ＭｉｃｒｏＳ
ｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃの製品を説明する標題「ミクロ構
造のための革命的アクチュエータ（Ａ Ｒｅｖｏｌｕｔ
ｉｏｎａｒｙ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）」の記事では、登録商標「Ｆｌ
ｕｉｓｔｏｒ」で知られるサーモニューマチックアクチ
ュエータ（ｔｈｅｒｍｏｐｎｅｕｍａｔｉｃａｃｔｕａ
ｔｏｒ）と組み合わされた、ミクロ機械加工された圧力
センサと電子フィードバックループとから成るソリッド
ステート圧力調整器が説明されている。シリコン基体内
に空洞がエッチングによって形成され、制御液体で満た
される。この液体が加熱されると、シリコンのダイヤフ
ラムが外側に湾曲し、弁座の上を覆う。このシリコンダ
イヤフラムが外側に湾曲して、制御されるべき流体の流
れを方向付けるように設計されている精密な溝と穴を含
むその下側に接着されている第２のウェーハに接触す
る。この超小型弁は、小型で正確で価格効果の高いクロ
ーズドループ制御システムを構成するために、ミクロ機
械加工された圧力センサまたは流量センサ、及び、電子
フィードバック回路構成要素と組み合わされることが可
能である。この弁は、マイクロリットル／分からリット
ル／分のガス流量の比例制御のために使用されることが
可能である。この超小型弁を圧力センサまたは流量セン
サと電子フィードバック回路構成要素と共に一体化する
ことによって、プログラム可能クローズドループ圧力調
整器または流量調整器が得られる。この調整器は、ディ
ジタル信号またはアナログ信号によって制御されること
が可能なので、パーソナルコンピュータまたは既存の制
御システムの使用によって圧力及び流量が制御されるこ
とが可能である。こうした構成要素は、特に本発明の実
施様態において使用される。
Ｉｎｃによって１９９３年２月に出版されたＳＥＮＳＯ
ＲＳに掲載されている、Ｒｅｄｗｏｏｄ ＭｉｃｒｏＳ
ｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃの製品を説明する標題「ミクロ構
造のための革命的アクチュエータ（Ａ Ｒｅｖｏｌｕｔ
ｉｏｎａｒｙ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ）」の記事では、登録商標「Ｆｌ
ｕｉｓｔｏｒ」で知られるサーモニューマチックアクチ
ュエータ（ｔｈｅｒｍｏｐｎｅｕｍａｔｉｃａｃｔｕａ
ｔｏｒ）と組み合わされた、ミクロ機械加工された圧力
センサと電子フィードバックループとから成るソリッド
ステート圧力調整器が説明されている。シリコン基体内
に空洞がエッチングによって形成され、制御液体で満た
される。この液体が加熱されると、シリコンのダイヤフ
ラムが外側に湾曲し、弁座の上を覆う。このシリコンダ
イヤフラムが外側に湾曲して、制御されるべき流体の流
れを方向付けるように設計されている精密な溝と穴を含
むその下側に接着されている第２のウェーハに接触す
る。この超小型弁は、小型で正確で価格効果の高いクロ
ーズドループ制御システムを構成するために、ミクロ機
械加工された圧力センサまたは流量センサ、及び、電子
フィードバック回路構成要素と組み合わされることが可
能である。この弁は、マイクロリットル／分からリット
ル／分のガス流量の比例制御のために使用されることが
可能である。この超小型弁を圧力センサまたは流量セン
サと電子フィードバック回路構成要素と共に一体化する
ことによって、プログラム可能クローズドループ圧力調
整器または流量調整器が得られる。この調整器は、ディ
ジタル信号またはアナログ信号によって制御されること
が可能なので、パーソナルコンピュータまたは既存の制
御システムの使用によって圧力及び流量が制御されるこ
とが可能である。こうした構成要素は、特に本発明の実
施様態において使用される。
【００１５】１９９５年４月２５日付で公開されたＵＳ
−Ａ−５ ４０９ ５２６（Ｚｈｅｎｇ他／Ａｉｒ Ｐ
ｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎ
ｃ）では、高純度ガスを供給するための装置が、２つの
内部口を有する弁を含むシリンダを有する。一方の内部
口はシリンダの充填に使用され、他方の内部口には、ガ
スがシリンダから出ていく時にそのガスから粒子と不純
物を取り除く清浄器ユニットが嵌め込まれている。清浄
化されたガスは上記弁を通ってシリンダから出ていき、
上記装置とシリンダの外部にその全てが配置されている
調整器と流量制御装置と様々な長さの管系を通過した後
に、ガスが従来通りの清浄器を通過して使用場所に到達
する。内部の清浄器が外部清浄器の負荷を軽減させ、そ
の清浄器の再充填の頻度を減少させる。２つの内部口と
内部での弁制御とによって、充填ガスを内部フィルタユ
ニットを通過させずに容器充填に使用することが可能に
なる。しかし、圧力調整器がシリンダ頭部ユニットの外
部にあるので、再充填のためにシリンダを交換すること
は、圧力調整器によって発生させられる圧力低下の上流
における、高圧での従来通りの開閉を含む。更に、圧力
調整器のような機能構成要素は、従来通りの手段によっ
てシリンダ頭部ユニットに接続されており、従って、シ
リンダ上には装着されていない。この開示内容は、使用
者に対して透過性である追加の機能性がシリンダパッケ
ージに含まれる、シリンダに装着された制御装置の一例
である。清浄器と濾過媒体とがカートリッジの形でシリ
ンダ弁に追加された。シリンダの内容物の完全性を維持
するために、シリンダ弁の出口上に残留圧力弁が含まれ
ていた。残留圧力弁は、雰囲気汚染物によるシリンダ汚
染または使用者による外来ガスに起因するシリンダ汚染
が生じることを防止する。シリンダを充填するために、
且つ、清浄器及びシリンダパッケージの完全性を維持す
るために、第２の内部口が備えられ、この内部口は、シ
リンダ充填のための追加の隔離弁を含む。
−Ａ−５ ４０９ ５２６（Ｚｈｅｎｇ他／Ａｉｒ Ｐ
ｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎ
ｃ）では、高純度ガスを供給するための装置が、２つの
内部口を有する弁を含むシリンダを有する。一方の内部
口はシリンダの充填に使用され、他方の内部口には、ガ
スがシリンダから出ていく時にそのガスから粒子と不純
物を取り除く清浄器ユニットが嵌め込まれている。清浄
化されたガスは上記弁を通ってシリンダから出ていき、
上記装置とシリンダの外部にその全てが配置されている
調整器と流量制御装置と様々な長さの管系を通過した後
に、ガスが従来通りの清浄器を通過して使用場所に到達
する。内部の清浄器が外部清浄器の負荷を軽減させ、そ
の清浄器の再充填の頻度を減少させる。２つの内部口と
内部での弁制御とによって、充填ガスを内部フィルタユ
ニットを通過させずに容器充填に使用することが可能に
なる。しかし、圧力調整器がシリンダ頭部ユニットの外
部にあるので、再充填のためにシリンダを交換すること
は、圧力調整器によって発生させられる圧力低下の上流
における、高圧での従来通りの開閉を含む。更に、圧力
調整器のような機能構成要素は、従来通りの手段によっ
てシリンダ頭部ユニットに接続されており、従って、シ
リンダ上には装着されていない。この開示内容は、使用
者に対して透過性である追加の機能性がシリンダパッケ
ージに含まれる、シリンダに装着された制御装置の一例
である。清浄器と濾過媒体とがカートリッジの形でシリ
ンダ弁に追加された。シリンダの内容物の完全性を維持
するために、シリンダ弁の出口上に残留圧力弁が含まれ
ていた。残留圧力弁は、雰囲気汚染物によるシリンダ汚
染または使用者による外来ガスに起因するシリンダ汚染
が生じることを防止する。シリンダを充填するために、
且つ、清浄器及びシリンダパッケージの完全性を維持す
るために、第２の内部口が備えられ、この内部口は、シ
リンダ充填のための追加の隔離弁を含む。
【００１６】１９９５年８月８日付で公開されたＵＳ−
Ａ−５４４０４７７（Ｒｏｈｒｂｅｒｇ他／Ｃｒｅａｔ
ｉｖｅ Ｐａｔｈｗａｙｓ，Ｉｎｃ）には、コンピュー
タ制御弁、アクチュエータ、調整器、及び、トランスデ
ューサを含む完全なガス多岐管を有する小型ガス管理シ
ステムが開示されている。このシステム全体が、通常は
ガスキャビネット内に封入されている従来通りのガスシ
リンダの頂部上に載っているハウジングの中に配置され
ている。このハウジングの外部には、上部制御パネルが
ＬＣＤ表示装置を含み、下部制御パネルには、キーパッ
ド制御装置、取り外し可能なデータパック、ＬＥＤ表示
器灯、及び、緊急閉止スイッチが備えられる。このハウ
ジングの内部においては、首状部分がガスシリンダから
上向きに突出し、そのガスシリンダ内のガスを上記ガス
多岐管に対して供給するための接続部を与える。ガス多
岐管は、弁、アクチュエータ、圧力調整器、溶接付属
品、及び、トランスデューサの組立体である。上記ハウ
ジングの最上部には、ガスシリンダの軸線からずれてい
るプロセスガス出口、通気口接続部、及び、パージガス
入口が取り付けられている。この装置は、構成要素と構
成要素との間に溶接部を有することによって、サイズを
小さくすることと、機械的接続部の数を減らすこととを
求めている。
Ａ−５４４０４７７（Ｒｏｈｒｂｅｒｇ他／Ｃｒｅａｔ
ｉｖｅ Ｐａｔｈｗａｙｓ，Ｉｎｃ）には、コンピュー
タ制御弁、アクチュエータ、調整器、及び、トランスデ
ューサを含む完全なガス多岐管を有する小型ガス管理シ
ステムが開示されている。このシステム全体が、通常は
ガスキャビネット内に封入されている従来通りのガスシ
リンダの頂部上に載っているハウジングの中に配置され
ている。このハウジングの外部には、上部制御パネルが
ＬＣＤ表示装置を含み、下部制御パネルには、キーパッ
ド制御装置、取り外し可能なデータパック、ＬＥＤ表示
器灯、及び、緊急閉止スイッチが備えられる。このハウ
ジングの内部においては、首状部分がガスシリンダから
上向きに突出し、そのガスシリンダ内のガスを上記ガス
多岐管に対して供給するための接続部を与える。ガス多
岐管は、弁、アクチュエータ、圧力調整器、溶接付属
品、及び、トランスデューサの組立体である。上記ハウ
ジングの最上部には、ガスシリンダの軸線からずれてい
るプロセスガス出口、通気口接続部、及び、パージガス
入口が取り付けられている。この装置は、構成要素と構
成要素との間に溶接部を有することによって、サイズを
小さくすることと、機械的接続部の数を減らすこととを
求めている。
【００１７】この開示内容は、ガスシリンダ上に装着さ
れる小型化ガスパネルの着想を提示しているが、このシ
ステムは、依然として、シリンダの再充填の際には、ガ
スシリンダの最大圧力においてガスシリンダとガスパネ
ルとの間の接続を開閉することが意図されている。この
着想は、新たなシリンダの取付の際に、小型化ガスパネ
ル全体がシリンダから取り外され、その古いシリンダが
再充填されるということである。従って、シリンダの比
較的高い圧力において開閉が続けられる。更に、小型ガ
スパネル内に備えられる機能構成要素の数が、ガスシリ
ンダ上に従来通りに装着される機能構成要素の数よりも
多いが、ガスパネルに関して必要とされる組合せが設定
されるか、または、従来通りの接続部及び溶接部によっ
て設定される。追加の機能が必要とされる場合には、こ
うした追加機能は、従来通りの仕方で更に別の別個の構
成要素を結合することによってだけ提供されることが可
能であるにすぎない。
れる小型化ガスパネルの着想を提示しているが、このシ
ステムは、依然として、シリンダの再充填の際には、ガ
スシリンダの最大圧力においてガスシリンダとガスパネ
ルとの間の接続を開閉することが意図されている。この
着想は、新たなシリンダの取付の際に、小型化ガスパネ
ル全体がシリンダから取り外され、その古いシリンダが
再充填されるということである。従って、シリンダの比
較的高い圧力において開閉が続けられる。更に、小型ガ
スパネル内に備えられる機能構成要素の数が、ガスシリ
ンダ上に従来通りに装着される機能構成要素の数よりも
多いが、ガスパネルに関して必要とされる組合せが設定
されるか、または、従来通りの接続部及び溶接部によっ
て設定される。追加の機能が必要とされる場合には、こ
うした追加機能は、従来通りの仕方で更に別の別個の構
成要素を結合することによってだけ提供されることが可
能であるにすぎない。
【００１８】１９９６年１２月１３日付で公開されたＥ
Ｐ−Ａ−２ ７３５ ２０９（Ｌ’Ａｉｒ Ｌｉｑｕｉ
ｄｅ）には、主ガス流路がその本体内を貫通する支持体
を有する、圧縮ガスシリンダと共に使用するためのガス
制御装置が開示されており、この支持体は、圧縮ガスシ
リンダ上にその本体を装着するための、及び、ガスシリ
ンダと連通するように上記ガス流路を接続するための入
口接続手段を有する。この支持体の内部には、シリンダ
内の圧力よりも著しく低い選択された圧力で上記ガス流
路内にガスを供給するための減圧手段を提供する膨張弁
と、その減圧手段の上流の主ガス流路内の高圧閉止弁と
が備えられている。ガスを利用するための後続の装置に
主ガス流路を接続するために、出口接続手段が減圧手段
の下流に備えられる。このガス制御装置の支持体は、主
ガス流路がそれを通って加圧ガスシリンダと連通する経
路とは別の経路によって、入口接続手段を通して圧縮ガ
スをその容器に充填するための充填手段を有する。圧縮
ガスシリンダ内の圧力を表示するために、減圧手段の上
流に高圧計器が備えられ、一方、減圧手段の下流には低
圧計器が備えられている。示されている膨張弁は、ガス
シリンダ使用時にそのシリンダを手で取り扱うことを可
能にするシリンダ取扱キャップを形成する成形カバー内
に配置されている。その弁組立体全体が、様々な組立体
入口及び出口のための出入穴を有する上記キャップ内に
配置されていることが好ましい。
Ｐ−Ａ−２ ７３５ ２０９（Ｌ’Ａｉｒ Ｌｉｑｕｉ
ｄｅ）には、主ガス流路がその本体内を貫通する支持体
を有する、圧縮ガスシリンダと共に使用するためのガス
制御装置が開示されており、この支持体は、圧縮ガスシ
リンダ上にその本体を装着するための、及び、ガスシリ
ンダと連通するように上記ガス流路を接続するための入
口接続手段を有する。この支持体の内部には、シリンダ
内の圧力よりも著しく低い選択された圧力で上記ガス流
路内にガスを供給するための減圧手段を提供する膨張弁
と、その減圧手段の上流の主ガス流路内の高圧閉止弁と
が備えられている。ガスを利用するための後続の装置に
主ガス流路を接続するために、出口接続手段が減圧手段
の下流に備えられる。このガス制御装置の支持体は、主
ガス流路がそれを通って加圧ガスシリンダと連通する経
路とは別の経路によって、入口接続手段を通して圧縮ガ
スをその容器に充填するための充填手段を有する。圧縮
ガスシリンダ内の圧力を表示するために、減圧手段の上
流に高圧計器が備えられ、一方、減圧手段の下流には低
圧計器が備えられている。示されている膨張弁は、ガス
シリンダ使用時にそのシリンダを手で取り扱うことを可
能にするシリンダ取扱キャップを形成する成形カバー内
に配置されている。その弁組立体全体が、様々な組立体
入口及び出口のための出入穴を有する上記キャップ内に
配置されていることが好ましい。
【００１９】この開示されているガス制御装置は、ガス
シリンダの頂部上に装着されている単一の本体におい
て、それ以前には組合せの形で提供されたことのない追
加の機能を提供するが、こうした提供される機能は、高
圧閉止弁、減圧手段、高圧及び低圧計器、並びに、ガス
制御装置がガス容器上に装着されているままの状態で別
個の入口流路を通してガス容器を充填することに限定さ
れている。使用者によって必要とされる他の機能は全
て、通常の仕方で個別の構成要素によってそのガス制御
装置の出口接続部に連続的に取り付けられる従来通りの
構成要素によって提供される。この制御装置を通る主ガ
ス流の出口は、上記本体を通過する主ガス流の方向に対
して概ね垂直であり、ねじ付きの出口接続部は、別の従
来通りの構成要素に対する接続のために従来通りの形態
である。従って、以上のことを要約すると、この制御装
置によって提供される機能は限定されており、更に別の
構成要素を追加するための構成は、通常の接続部によっ
て個別の構成要素を追加することによる従来通りのもの
である。圧縮ガスシリンダの使用者によって求められる
可能性がある追加の機能、例えば、パージ機能は、上記
制御装置の様々な部品に別々に接続された従来通りの構
成要素によって提供されなければならない。圧縮ガス容
器の様々な使用者の多様な要求を満たす柔軟性を有す
る、追加機能をコンパクトなスペースで実現することが
可能なシステムを提供することが依然として必要とされ
続けている。
シリンダの頂部上に装着されている単一の本体におい
て、それ以前には組合せの形で提供されたことのない追
加の機能を提供するが、こうした提供される機能は、高
圧閉止弁、減圧手段、高圧及び低圧計器、並びに、ガス
制御装置がガス容器上に装着されているままの状態で別
個の入口流路を通してガス容器を充填することに限定さ
れている。使用者によって必要とされる他の機能は全
て、通常の仕方で個別の構成要素によってそのガス制御
装置の出口接続部に連続的に取り付けられる従来通りの
構成要素によって提供される。この制御装置を通る主ガ
ス流の出口は、上記本体を通過する主ガス流の方向に対
して概ね垂直であり、ねじ付きの出口接続部は、別の従
来通りの構成要素に対する接続のために従来通りの形態
である。従って、以上のことを要約すると、この制御装
置によって提供される機能は限定されており、更に別の
構成要素を追加するための構成は、通常の接続部によっ
て個別の構成要素を追加することによる従来通りのもの
である。圧縮ガスシリンダの使用者によって求められる
可能性がある追加の機能、例えば、パージ機能は、上記
制御装置の様々な部品に別々に接続された従来通りの構
成要素によって提供されなければならない。圧縮ガス容
器の様々な使用者の多様な要求を満たす柔軟性を有す
る、追加機能をコンパクトなスペースで実現することが
可能なシステムを提供することが依然として必要とされ
続けている。
【００２０】Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ １９９６に掲載されているＰ
ｈｉｌｌｉｐｓ及びＳｈｅｒｉｆｆによる標題「ミニマ
リズムガスシステム設計の利点（Ｂｅｎｅｆｉｔｓ Ｏ
ｆ Ａ Ｍｉｎｉｍａｌｉｓｔ Ｇａｓ Ｓｙｓｔｅｍ
Ｄｅｓｉｇｎ）」の記事には、ガス制御システムを含
む、電子装置のための製造プラントの設計と構造が説明
されている。主な新規の特徴は、各々のプロセスガスの
ための分配システム内の圧力が、ガス供給源において単
一の調整器によって制御されるということだった。これ
は、複数のガスシステムの間の相互作用を防止するため
に各プロセスチャンバループ毎に別々の局所的な圧力調
整が行われる従来の構成とは対照的である。本発明は、
上記引用記事に記述されている製造システムのような製
造システムのためのガス制御に応用されることが可能で
ある。
ｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ １９９６に掲載されているＰ
ｈｉｌｌｉｐｓ及びＳｈｅｒｉｆｆによる標題「ミニマ
リズムガスシステム設計の利点（Ｂｅｎｅｆｉｔｓ Ｏ
ｆ Ａ Ｍｉｎｉｍａｌｉｓｔ Ｇａｓ Ｓｙｓｔｅｍ
Ｄｅｓｉｇｎ）」の記事には、ガス制御システムを含
む、電子装置のための製造プラントの設計と構造が説明
されている。主な新規の特徴は、各々のプロセスガスの
ための分配システム内の圧力が、ガス供給源において単
一の調整器によって制御されるということだった。これ
は、複数のガスシステムの間の相互作用を防止するため
に各プロセスチャンバループ毎に別々の局所的な圧力調
整が行われる従来の構成とは対照的である。本発明は、
上記引用記事に記述されている製造システムのような製
造システムのためのガス制御に応用されることが可能で
ある。
【００２１】Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ，Ｊａｎｕａｒｙ１９９７に掲載され
たＣｅｓｔａｒｉ、Ｌａｕｒｅｔａ及びＩｔａｆｕｇｉ
による標題「プロセスガス分配の次段階：完全一体化シ
ステム（Ｔｈｅ ＮｅｘｔＳｔｅｐ Ｉｎ Ｐｒｏｃｅ
ｓｓ Ｇａｓ Ｄｅｌｉｖｅｒｙ： Ａ Ｆｕｌｌｙ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｓｙｓｔｅｍ）」の記事には、
汚染を低減させるために内部体積を減少させ且つ封じ込
み区域を取り除くことが意図された、半導体製造プロセ
スで使用するための一体型ガス分配システムが説明され
ている。この記事は、あらゆるガス分配プロセス要件を
満たすためには、標準的なモジュール構成要素セットを
構成することによる、ガス制御システムの一体化が必要
であると述べている。これらの構成要素は、互いに直接
的に接続するように、または、嵌め込みもしくは溶接を
使用せずに、共通の１つの多岐管に接続するように設計
されなければならない。構成要素のモジュール性と互換
性は、弁、調整器、トランスデューサ、フィルタ、質量
流量制御装置、及び、他の構成要素に関する標準形態因
子を必要とする。互換モジュール式構成要素の利点は、
ある１つの一体型ガスシステム内でのその構成要素の特
定の機能に係わりなく、その構成要素が同一の仕方で接
続し、且つ、同一のスペースに嵌合することであると述
べられている。この利点は、ガスシリンダからガス管路
を取り外す必要なしにガス制御システムをパージするこ
とであると述べられている。改善された流路によって、
ガス分配システムにおける従来の回旋状のガス流路と大
きな体積とを排除する必要が説明されている。しかし、
上記記事で説明されているシステムは、個別の構成要素
を使用し続けており、個別の構成要素の間の接続部の小
型化に関与しているにすぎない。
ｎａｔｉｏｎａｌ，Ｊａｎｕａｒｙ１９９７に掲載され
たＣｅｓｔａｒｉ、Ｌａｕｒｅｔａ及びＩｔａｆｕｇｉ
による標題「プロセスガス分配の次段階：完全一体化シ
ステム（Ｔｈｅ ＮｅｘｔＳｔｅｐ Ｉｎ Ｐｒｏｃｅ
ｓｓ Ｇａｓ Ｄｅｌｉｖｅｒｙ： Ａ Ｆｕｌｌｙ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｓｙｓｔｅｍ）」の記事には、
汚染を低減させるために内部体積を減少させ且つ封じ込
み区域を取り除くことが意図された、半導体製造プロセ
スで使用するための一体型ガス分配システムが説明され
ている。この記事は、あらゆるガス分配プロセス要件を
満たすためには、標準的なモジュール構成要素セットを
構成することによる、ガス制御システムの一体化が必要
であると述べている。これらの構成要素は、互いに直接
的に接続するように、または、嵌め込みもしくは溶接を
使用せずに、共通の１つの多岐管に接続するように設計
されなければならない。構成要素のモジュール性と互換
性は、弁、調整器、トランスデューサ、フィルタ、質量
流量制御装置、及び、他の構成要素に関する標準形態因
子を必要とする。互換モジュール式構成要素の利点は、
ある１つの一体型ガスシステム内でのその構成要素の特
定の機能に係わりなく、その構成要素が同一の仕方で接
続し、且つ、同一のスペースに嵌合することであると述
べられている。この利点は、ガスシリンダからガス管路
を取り外す必要なしにガス制御システムをパージするこ
とであると述べられている。改善された流路によって、
ガス分配システムにおける従来の回旋状のガス流路と大
きな体積とを排除する必要が説明されている。しかし、
上記記事で説明されているシステムは、個別の構成要素
を使用し続けており、個別の構成要素の間の接続部の小
型化に関与しているにすぎない。
【００２２】１９９６年１０月２２日付で公開されたＵ
Ｓ−Ａ−５，５６６，７１３（Ｌｈｏｍｅｒ他）は、高
圧下でガスを収容するタンクに接続されることが意図さ
れた、ガス制御及び分配組立体に係わり、この組立体
は、低圧出口、及び、上記タンクと上記低圧出口との間
に連続的に配置された、高圧にさらされる閉止弁と、上
記閉止弁に結合された減圧器手段と、流量調整器手段と
を含む。その目的は、典型的にはガスタンクまたはガス
容器上に永久的に装着され、ガス分配及びタンク充填の
両方のために必要とされる機能面及び安全面での特徴の
全てを提供する、コンパクトで人間工学的なユニット形
態のガス制御及び分配組立体を提供することであると述
べられている。このガス制御及び分配組立体は、ガス容
器上に装着され且つ圧力計と充填コネクタとを含む下部
ブロックを含み、この下部ブロック上には、その部分組
立体を囲む管状の制御及び起動部材の回転に対応して軸
方向に移動可能な部分組立体が永久装着され、この部分
組立体は、減圧器と間欠駆動可能な流量調整器とを含
み、且つ、低圧出口と中圧出口とを有する。
Ｓ−Ａ−５，５６６，７１３（Ｌｈｏｍｅｒ他）は、高
圧下でガスを収容するタンクに接続されることが意図さ
れた、ガス制御及び分配組立体に係わり、この組立体
は、低圧出口、及び、上記タンクと上記低圧出口との間
に連続的に配置された、高圧にさらされる閉止弁と、上
記閉止弁に結合された減圧器手段と、流量調整器手段と
を含む。その目的は、典型的にはガスタンクまたはガス
容器上に永久的に装着され、ガス分配及びタンク充填の
両方のために必要とされる機能面及び安全面での特徴の
全てを提供する、コンパクトで人間工学的なユニット形
態のガス制御及び分配組立体を提供することであると述
べられている。このガス制御及び分配組立体は、ガス容
器上に装着され且つ圧力計と充填コネクタとを含む下部
ブロックを含み、この下部ブロック上には、その部分組
立体を囲む管状の制御及び起動部材の回転に対応して軸
方向に移動可能な部分組立体が永久装着され、この部分
組立体は、減圧器と間欠駆動可能な流量調整器とを含
み、且つ、低圧出口と中圧出口とを有する。
【００２３】１９９４年３月２３日付で公開されたＥＰ
−Ａ−０ ５８８ ５３１（Ｋａｂｕｓｈｉｋｉ Ｋａ
ｉｓｈａ Ｎｅｒｉｋｉ）は、ガスの放出及び充填に使
用するための圧縮ガス及び液化ガスを収容するガスシリ
ンダに取り付けられることに適合させられている弁組立
体に係わる。ガス入口、停止弁、減圧弁、及び、ガス出
口が、１つの弁ケーシング内に連続的に配置されてい
る。ガス出口と停止弁の出口とが、逆止弁を備えたガス
充填流路を介して互いに連通する。ガス出口は、ガス誘
導流路によって二次安全弁と連通する。ガスシリンダが
ガスを充填される時には、ガス充填口金が上記ガス出口
に装着される。この場合には、上記口金に備えられた起
動部分によって、ガス誘導流路内に備えられた開閉部分
が閉じられる。従って、高圧ガスが二次安全弁から放出
されることはない。
−Ａ−０ ５８８ ５３１（Ｋａｂｕｓｈｉｋｉ Ｋａ
ｉｓｈａ Ｎｅｒｉｋｉ）は、ガスの放出及び充填に使
用するための圧縮ガス及び液化ガスを収容するガスシリ
ンダに取り付けられることに適合させられている弁組立
体に係わる。ガス入口、停止弁、減圧弁、及び、ガス出
口が、１つの弁ケーシング内に連続的に配置されてい
る。ガス出口と停止弁の出口とが、逆止弁を備えたガス
充填流路を介して互いに連通する。ガス出口は、ガス誘
導流路によって二次安全弁と連通する。ガスシリンダが
ガスを充填される時には、ガス充填口金が上記ガス出口
に装着される。この場合には、上記口金に備えられた起
動部分によって、ガス誘導流路内に備えられた開閉部分
が閉じられる。従って、高圧ガスが二次安全弁から放出
されることはない。
【００２４】１９９１年１２月４日に公開されたＥＰ−
Ａ−０ ４５９ ９６６（ＧＣＥＧａｓ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＡＢ）は、ガス容器用の閉止
及び充填弁としてもガス調整器を使用することを可能に
するための、ガス容器に接続されることが意図されたガ
ス調整器の構成に係わる。この調整器は並流タイプであ
り、その上部部分と下部部分とに互いに異なった横断面
積を有する差圧ピストンを含み、この上部部分と下部部
分は調整器ハウジングに対して密封されている。上記ピ
ストンの上部部分と調整器ハウジングとの間には、弁座
からピストンを引き離す働きをするばねが備えられてい
る。上記ピストンは、そのピストンの上部部分上に作用
する作動部材によって上記弁座に向かって手動で移動さ
せられることが可能である。上記調整器は安全弁も含
む。
Ａ−０ ４５９ ９６６（ＧＣＥＧａｓ Ｃｏｎｔｒｏ
ｌ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＡＢ）は、ガス容器用の閉止
及び充填弁としてもガス調整器を使用することを可能に
するための、ガス容器に接続されることが意図されたガ
ス調整器の構成に係わる。この調整器は並流タイプであ
り、その上部部分と下部部分とに互いに異なった横断面
積を有する差圧ピストンを含み、この上部部分と下部部
分は調整器ハウジングに対して密封されている。上記ピ
ストンの上部部分と調整器ハウジングとの間には、弁座
からピストンを引き離す働きをするばねが備えられてい
る。上記ピストンは、そのピストンの上部部分上に作用
する作動部材によって上記弁座に向かって手動で移動さ
せられることが可能である。上記調整器は安全弁も含
む。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するため
の手段】本発明によって、その第１の形態において、圧
縮ガス容器と共に使用するためのモジュール式ガス制御
装置が提供され、この装置は、一次モジュールと、この
一次モジュール上に装着された二次モジュールとを含
み、上記一次モジュールが、その支持体内を通過する第
１の主ガス流路を有する第１の支持体を含み、上記第１
の支持体が、圧縮ガス容器上に上記第１の支持体を装着
するための及び上記ガス容器と連通するように上記ガス
流路を接続するための入口接続手段、上記容器内の圧力
よりも著しく低い選択された圧力で上記ガス流路内にガ
スを供給するための減圧手段、上記主ガス流路からの出
口を与えるための、上記減圧手段の下流の出口接続手
段、上記減圧手段の上流の、上記ガス流路内の高圧閉止
弁、上記入口接続手段内を通過する圧縮ガスで上記容器
を充填するための充填手段、並びに、上記主ガス流に対
するパージガスを受け入れるための、上記減圧手段の上
流のパージガス入口弁を有し、上記二次モジュールが、
その支持体内を通過する第２の主ガス流路を有する第２
の支持体を含み、上記第２の支持体が、上記一次モジュ
ール上に上記第２の支持体を装着するための及び上記一
次モジュールの上記出口接続手段に上記第２の主ガス流
路を接続するための第２の入口接続手段、並びに、上記
第２の主ガス流路からの出口を与えるための第２の出口
接続手段を有し、上記二次モジュールの上記支持体が、
ガス流に関連する機能を果たすための少なくとも２つの
機能構成要素の組合せを有する。
の手段】本発明によって、その第１の形態において、圧
縮ガス容器と共に使用するためのモジュール式ガス制御
装置が提供され、この装置は、一次モジュールと、この
一次モジュール上に装着された二次モジュールとを含
み、上記一次モジュールが、その支持体内を通過する第
１の主ガス流路を有する第１の支持体を含み、上記第１
の支持体が、圧縮ガス容器上に上記第１の支持体を装着
するための及び上記ガス容器と連通するように上記ガス
流路を接続するための入口接続手段、上記容器内の圧力
よりも著しく低い選択された圧力で上記ガス流路内にガ
スを供給するための減圧手段、上記主ガス流路からの出
口を与えるための、上記減圧手段の下流の出口接続手
段、上記減圧手段の上流の、上記ガス流路内の高圧閉止
弁、上記入口接続手段内を通過する圧縮ガスで上記容器
を充填するための充填手段、並びに、上記主ガス流に対
するパージガスを受け入れるための、上記減圧手段の上
流のパージガス入口弁を有し、上記二次モジュールが、
その支持体内を通過する第２の主ガス流路を有する第２
の支持体を含み、上記第２の支持体が、上記一次モジュ
ール上に上記第２の支持体を装着するための及び上記一
次モジュールの上記出口接続手段に上記第２の主ガス流
路を接続するための第２の入口接続手段、並びに、上記
第２の主ガス流路からの出口を与えるための第２の出口
接続手段を有し、上記二次モジュールの上記支持体が、
ガス流に関連する機能を果たすための少なくとも２つの
機能構成要素の組合せを有する。
【００２６】上記少なくとも２つの機能構成要素が、上
記第２の支持体内のガス流のパラメータを測定する及び
／もしくは変化させるための手段、並びに／または、上
記第２の支持体内のガス流を切り換える及び／もしくは
通気する及び／もしくは混合するための手段を含むこと
が好ましい。
記第２の支持体内のガス流のパラメータを測定する及び
／もしくは変化させるための手段、並びに／または、上
記第２の支持体内のガス流を切り換える及び／もしくは
通気する及び／もしくは混合するための手段を含むこと
が好ましい。
【００２７】各モジュールの各支持体が、上記機能構成
要素がその上またはその中に装着されている単一の材料
本体であることが好ましい。しかし、構成によっては、
上記支持体が、上記機能構成要素がその上またはその中
に装着されている支持体を形成するように一体的に固定
された２つ以上の副次的本体を含むことも可能である。
更に、構成によっては、上記支持体が、弁のような機能
構成要素を収容するようにその金属中に穿孔または他の
仕方で形成された開口を有する金属であることも可能で
ある。しかし、他の構成では、上記装置がミクロ電気機
械システム（ＭＥＭＳ）技術によって作られることも可
能であり、例えば、シリコン本体内に形成されたサーモ
ニューマチック超小型弁を使用して作られることも可能
である。この場合には、弁を制御するための適切な電子
制御回路を画成する電子プリント回路の基板を提供する
ために、同一のシリコン本体が使用可能であることが好
都合である。
要素がその上またはその中に装着されている単一の材料
本体であることが好ましい。しかし、構成によっては、
上記支持体が、上記機能構成要素がその上またはその中
に装着されている支持体を形成するように一体的に固定
された２つ以上の副次的本体を含むことも可能である。
更に、構成によっては、上記支持体が、弁のような機能
構成要素を収容するようにその金属中に穿孔または他の
仕方で形成された開口を有する金属であることも可能で
ある。しかし、他の構成では、上記装置がミクロ電気機
械システム（ＭＥＭＳ）技術によって作られることも可
能であり、例えば、シリコン本体内に形成されたサーモ
ニューマチック超小型弁を使用して作られることも可能
である。この場合には、弁を制御するための適切な電子
制御回路を画成する電子プリント回路の基板を提供する
ために、同一のシリコン本体が使用可能であることが好
都合である。
【００２８】各モジュールの第１の支持体が入口接続手
段（例えば、圧縮ガスシリンダの頂部の従来通りのねじ
付き開口の中に入る従来通りのねじ付きボス）だけによ
ってガス容器上に構造的に支持されていることが特に好
ましい。各モジュールが、支持体から一定の距離だけ離
れてその周囲を囲むハウジングを含み、そのハウジング
が、ガス容器を手で扱うための手段を提供するように形
作られていることが好ましい。支持体の口及び構成要素
に対する接近を可能にするように開口がハウジング内に
形成されることも好都合であり、且つ、支持体とそのハ
ウジングとの間の間隙の中に、弾力性のある材料が備え
られることも好都合である。各モジュールにおいて、そ
のモジュール内を通過する主ガス流路が、その長さの少
なくとも一部分（好ましくは、少なくともその大部分）
に亙って支持体の主軸線と概ね一直線になっており、こ
の主軸線がモジュールの入口接続手段と出口接続手段と
を通って延在し、且つ、その２つのモジュールの主軸線
が互いに同軸であることが特に好ましい。ガス容器が従
来通りのガスシリンダである場合には、モジュールの主
軸線がガスシリンダの軸線と同軸である形で、ガス制御
装置がガス容器上に装着されていることが好ましい。
段（例えば、圧縮ガスシリンダの頂部の従来通りのねじ
付き開口の中に入る従来通りのねじ付きボス）だけによ
ってガス容器上に構造的に支持されていることが特に好
ましい。各モジュールが、支持体から一定の距離だけ離
れてその周囲を囲むハウジングを含み、そのハウジング
が、ガス容器を手で扱うための手段を提供するように形
作られていることが好ましい。支持体の口及び構成要素
に対する接近を可能にするように開口がハウジング内に
形成されることも好都合であり、且つ、支持体とそのハ
ウジングとの間の間隙の中に、弾力性のある材料が備え
られることも好都合である。各モジュールにおいて、そ
のモジュール内を通過する主ガス流路が、その長さの少
なくとも一部分（好ましくは、少なくともその大部分）
に亙って支持体の主軸線と概ね一直線になっており、こ
の主軸線がモジュールの入口接続手段と出口接続手段と
を通って延在し、且つ、その２つのモジュールの主軸線
が互いに同軸であることが特に好ましい。ガス容器が従
来通りのガスシリンダである場合には、モジュールの主
軸線がガスシリンダの軸線と同軸である形で、ガス制御
装置がガス容器上に装着されていることが好ましい。
【００２９】構成によっては、第１の支持体が、更に、
ガス容器内の圧力を表示するための、減圧手段の上流の
高圧表示器と、破断円板またはリリーフ弁を含む安全リ
リーフ装置とを有することが可能である。第１の入口接
続手段が第１のガス流路と第２のガス流路とを含み、こ
の第１のガス流路がガス容器から第１の支持体を通過す
る第１のガス流路に通じ、第２のガス流路がガス容器か
ら上記充填手段に通じることが好ましい。この場合に
は、ガス容器から出て上記第１の主ガス流路の中に入る
ガスを清浄化するために、第１の流路とガス容器内部と
の間に挿置される形で、ガス容器内に清浄化手段が配置
されることも可能である。
ガス容器内の圧力を表示するための、減圧手段の上流の
高圧表示器と、破断円板またはリリーフ弁を含む安全リ
リーフ装置とを有することが可能である。第１の入口接
続手段が第１のガス流路と第２のガス流路とを含み、こ
の第１のガス流路がガス容器から第１の支持体を通過す
る第１のガス流路に通じ、第２のガス流路がガス容器か
ら上記充填手段に通じることが好ましい。この場合に
は、ガス容器から出て上記第１の主ガス流路の中に入る
ガスを清浄化するために、第１の流路とガス容器内部と
の間に挿置される形で、ガス容器内に清浄化手段が配置
されることも可能である。
【００３０】一般的に、本発明の様々な形態では、上記
装置が清浄化手段を含む場合に、清浄器は、吸収剤、吸
着剤、及び、これらの混合物から成るグループから選択
される物質を含むユニットを含み、それによって、この
ユニットを通過させてガス容器からガスが抜き出される
時にガスから不純物が除去されることが好都合である。
このユニットが、その開示内容が本明細書に引例として
組み入れられているＵＳ−Ａ−５，４０９，５２６（Ｚ
ｈｅｎｇ他）に開示されている通りのユニットであるこ
とが好都合だろう。
装置が清浄化手段を含む場合に、清浄器は、吸収剤、吸
着剤、及び、これらの混合物から成るグループから選択
される物質を含むユニットを含み、それによって、この
ユニットを通過させてガス容器からガスが抜き出される
時にガスから不純物が除去されることが好都合である。
このユニットが、その開示内容が本明細書に引例として
組み入れられているＵＳ−Ａ−５，４０９，５２６（Ｚ
ｈｅｎｇ他）に開示されている通りのユニットであるこ
とが好都合だろう。
【００３１】上記一次モジュールが、更に別の機能をも
たらす構成要素を含むことが好ましく、好ましい実施様
態の１つでは、上記第１の支持体が更に、減圧手段の上
流の第１の主ガス流路内に、高圧安全リリーフ弁、もし
くは、安全リリーフ装置の装着のための構造を提供する
ように適合させられている高圧安全リリーフ領域を有
し、及び／または、減圧手段の下流の第１の主ガス流路
内に、低圧表示器、もしくは、減圧手段の下流の主ガス
流路内の圧力を表示するための圧力表示器のための構造
を提供するように適合させられている低圧表示器領域を
有する。第１の支持体が更に、ガス容器内の圧力を表示
するための高圧表示器を減圧手段の上流に有することが
好ましい。上記安全リリーフ装置は、破断円板またはリ
リーフ弁であることが可能である。機能構成要素を装着
するための上記構造は、その機能構成要素が完成製品に
おいて必要とされる場合にガス制御装置の製造中に穿孔
されるように適合させられている、第１の支持体の成形
部分を含むことが可能である。
たらす構成要素を含むことが好ましく、好ましい実施様
態の１つでは、上記第１の支持体が更に、減圧手段の上
流の第１の主ガス流路内に、高圧安全リリーフ弁、もし
くは、安全リリーフ装置の装着のための構造を提供する
ように適合させられている高圧安全リリーフ領域を有
し、及び／または、減圧手段の下流の第１の主ガス流路
内に、低圧表示器、もしくは、減圧手段の下流の主ガス
流路内の圧力を表示するための圧力表示器のための構造
を提供するように適合させられている低圧表示器領域を
有する。第１の支持体が更に、ガス容器内の圧力を表示
するための高圧表示器を減圧手段の上流に有することが
好ましい。上記安全リリーフ装置は、破断円板またはリ
リーフ弁であることが可能である。機能構成要素を装着
するための上記構造は、その機能構成要素が完成製品に
おいて必要とされる場合にガス制御装置の製造中に穿孔
されるように適合させられている、第１の支持体の成形
部分を含むことが可能である。
【００３２】本発明が、顧客の要求に対応した特定の機
能構成要素が常に提供されるわけではないガス制御装置
の提供も含むということが理解されるだろう。しかし、
製造の柔軟性と容易さとのために、本発明は、必要に応
じて更に別の機能構成要素を備えることが可能な構造を
含む。例えば、機能構成要素を装着するために備えられ
る上記構造は、機能構成要素が完成製品において必要と
される場合にガス制御装置の製造中に穿孔されるように
適合されている、第１の支持体の成形部分を含むことが
可能である。
能構成要素が常に提供されるわけではないガス制御装置
の提供も含むということが理解されるだろう。しかし、
製造の柔軟性と容易さとのために、本発明は、必要に応
じて更に別の機能構成要素を備えることが可能な構造を
含む。例えば、機能構成要素を装着するために備えられ
る上記構造は、機能構成要素が完成製品において必要と
される場合にガス制御装置の製造中に穿孔されるように
適合されている、第１の支持体の成形部分を含むことが
可能である。
【００３３】二次モジュールは、複数の適合可能な二次
モジュールのいずれか１つから顧客の要求に応じて選択
されることが可能である。一例としては、圧縮ガスシリ
ンダからのガスが通気口から出ていき、二次モジュール
の出口接続手段に接続可能な更に別の装置を排気するた
めに出口接続手段において真空を発生させるように、二
次モジュールが、ガス流路内の二次入口及び出口接続手
段を接続するための排気口と切り換え可能弁手段とを含
む真空モジュールであることが可能であり、この弁手段
は、二次モジュールの入口接続手段から排気手段または
出口接続手段のどちらかにガス流を選択的に方向付ける
ように切り換え可能である。別の例では、二次モジュー
ルが、パージガス入口を通してパージガスを受け入れる
ための、且つ、パージガスを方向付けてそのモジュール
を通過させ出口接続手段を通過させて外に排出しガス使
用装置をパージするための、切り換え可能な弁手段を有
するパージモジュールである。更に別の例では、二次モ
ジュールが、出口接続手段においてガス混合気体を供給
するように、その二次モジュールの主ガス流路を通過す
るガス流に対して更に別のガスを加えるための制御可能
弁手段を有する混合器モジュールであり、一例では、二
次モジュールが上記更に別のガスの供給源を含むことも
可能である。別の例では、二次モジュールが、その二次
モジュールの外部に位置する上記更に別のガスの供給源
に接続されるように適合させられている、更に別の入口
手段を含むことが可能である。
モジュールのいずれか１つから顧客の要求に応じて選択
されることが可能である。一例としては、圧縮ガスシリ
ンダからのガスが通気口から出ていき、二次モジュール
の出口接続手段に接続可能な更に別の装置を排気するた
めに出口接続手段において真空を発生させるように、二
次モジュールが、ガス流路内の二次入口及び出口接続手
段を接続するための排気口と切り換え可能弁手段とを含
む真空モジュールであることが可能であり、この弁手段
は、二次モジュールの入口接続手段から排気手段または
出口接続手段のどちらかにガス流を選択的に方向付ける
ように切り換え可能である。別の例では、二次モジュー
ルが、パージガス入口を通してパージガスを受け入れる
ための、且つ、パージガスを方向付けてそのモジュール
を通過させ出口接続手段を通過させて外に排出しガス使
用装置をパージするための、切り換え可能な弁手段を有
するパージモジュールである。更に別の例では、二次モ
ジュールが、出口接続手段においてガス混合気体を供給
するように、その二次モジュールの主ガス流路を通過す
るガス流に対して更に別のガスを加えるための制御可能
弁手段を有する混合器モジュールであり、一例では、二
次モジュールが上記更に別のガスの供給源を含むことも
可能である。別の例では、二次モジュールが、その二次
モジュールの外部に位置する上記更に別のガスの供給源
に接続されるように適合させられている、更に別の入口
手段を含むことが可能である。
【００３４】本発明の第２の形態によって、圧縮ガス容
器と共に使用するためのモジュール式ガス制御装置が提
供されることが可能であり、この装置が、一次モジュー
ルと、この一次モジュール上に装着された二次モジュー
ルとを含み、上記一次モジュールが、その支持体内を通
過する第１の主ガス流路を有する第１の支持体を含み、
上記第１の支持体が、圧縮ガス容器上に上記第１の支持
体を装着するための及び上記ガス容器と連通するように
上記ガス流路を接続するための第１の入口接続手段、上
記容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力で上記
ガス流路内にガスを供給するための減圧手段、上記主ガ
ス流路からの出口を与えるための、上記減圧手段の下流
の第１の出口接続手段、上記減圧手段の上流の、上記ガ
ス流路内の高圧閉止弁、並びに、上記入口接続手段を通
過する圧縮ガスで上記容器を充填するための充填手段を
有し、上記二次モジュールが、その支持体内を通過する
第２の主ガス流路を有する第２の支持体を含み、上記第
２の支持体が、上記一次モジュール上に上記第２の支持
体を装着するための及び上記一次モジュールの上記出口
接続手段に上記第２の主ガス流路を接続するための第２
の入口接続手段、並びに、上記第２の主ガス流路からの
出口を与えるための第２の出口接続手段を有し、上記二
次モジュールの上記支持体が、ガス流に関連する機能を
果たすための２つ以上の機能構成要素の組合せを有し、
上記ガス容器が、主シリンダ軸線を有するシリンダを含
み、上記モジュールの各々が、その入口接続手段とその
出口接続手段とを通過する主軸線を有し、上記モジュー
ル各々の主ガス流路が、その長さの少なくとも一部分に
おいてそのモジュールの主軸線と一直線になっており、
且つ、上記モジュール各々の主軸線が上記主シリンダ軸
線と実質的に同軸である。
器と共に使用するためのモジュール式ガス制御装置が提
供されることが可能であり、この装置が、一次モジュー
ルと、この一次モジュール上に装着された二次モジュー
ルとを含み、上記一次モジュールが、その支持体内を通
過する第１の主ガス流路を有する第１の支持体を含み、
上記第１の支持体が、圧縮ガス容器上に上記第１の支持
体を装着するための及び上記ガス容器と連通するように
上記ガス流路を接続するための第１の入口接続手段、上
記容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力で上記
ガス流路内にガスを供給するための減圧手段、上記主ガ
ス流路からの出口を与えるための、上記減圧手段の下流
の第１の出口接続手段、上記減圧手段の上流の、上記ガ
ス流路内の高圧閉止弁、並びに、上記入口接続手段を通
過する圧縮ガスで上記容器を充填するための充填手段を
有し、上記二次モジュールが、その支持体内を通過する
第２の主ガス流路を有する第２の支持体を含み、上記第
２の支持体が、上記一次モジュール上に上記第２の支持
体を装着するための及び上記一次モジュールの上記出口
接続手段に上記第２の主ガス流路を接続するための第２
の入口接続手段、並びに、上記第２の主ガス流路からの
出口を与えるための第２の出口接続手段を有し、上記二
次モジュールの上記支持体が、ガス流に関連する機能を
果たすための２つ以上の機能構成要素の組合せを有し、
上記ガス容器が、主シリンダ軸線を有するシリンダを含
み、上記モジュールの各々が、その入口接続手段とその
出口接続手段とを通過する主軸線を有し、上記モジュー
ル各々の主ガス流路が、その長さの少なくとも一部分に
おいてそのモジュールの主軸線と一直線になっており、
且つ、上記モジュール各々の主軸線が上記主シリンダ軸
線と実質的に同軸である。
【００３５】この装置は少なくとも２つの二次モジュー
ルを含み、第１の二次モジュールが一次モジュール上に
装着されており、第２の二次モジュールまたは別の二次
モジュールの各々が、互いに重なり合って二次モジュー
ルの積み重ねを形成するように装着されることも可能で
ある。
ルを含み、第１の二次モジュールが一次モジュール上に
装着されており、第２の二次モジュールまたは別の二次
モジュールの各々が、互いに重なり合って二次モジュー
ルの積み重ねを形成するように装着されることも可能で
ある。
【００３６】本発明の上記形態及び下記形態に関して説
明されている好ましい特徴と随意の特徴が、本発明のこ
の形態によっても提供されることが可能である。
明されている好ましい特徴と随意の特徴が、本発明のこ
の形態によっても提供されることが可能である。
【００３７】本発明の第３の主要な形態によって、圧縮
ガスの容器と共に使用するためのモジュール式ガス制御
装置を提供するためのモジュールのセットが提供される
ことが可能であり、上記モジュールセットが、一次モジ
ュール、及び、上記一次モジュール上または別の二次モ
ジュール上に装着されるように各々が適合させられてい
る複数の二次モジュールを含み、上記一次モジュール
が、その支持体内を通過する第１の主ガス流路を有する
第１の支持体を含み、上記第１の支持体が、圧縮ガス容
器上に上記第１の支持体を装着するための及び上記ガス
容器と連通するように上記ガス流路を接続するための入
口接続手段、上記容器内の圧力よりも著しく低い選択さ
れた圧力で上記ガス流路内にガスを供給するための減圧
手段、上記主ガス流路からの出口を与えるための、上記
減圧手段の下流の出口接続手段、並びに、上記入口接続
手段を通過する圧縮ガスで上記容器を充填するための充
填手段を有し、上記二次モジュールの各々が、その第２
の支持体内を通過する第２の主ガス流路を有する第２の
支持体を含み、上記第２の支持体が、上記第１のモジュ
ール上または別の二次モジュール上に上記第２の支持体
を装着するための及び上記第１のモジュールまたは上記
別の二次モジュールの主ガス流路に上記第２の主ガス流
路を接続するための第２の入口接続手段、並びに、上記
第２の主ガス流路からの出口を与えるための第２の出口
接続手段を有し、上記二次モジュール各々の上記支持体
が、ガス流に関連する機能を果たすための２つ以上の機
能構成要素の組合せを有する。
ガスの容器と共に使用するためのモジュール式ガス制御
装置を提供するためのモジュールのセットが提供される
ことが可能であり、上記モジュールセットが、一次モジ
ュール、及び、上記一次モジュール上または別の二次モ
ジュール上に装着されるように各々が適合させられてい
る複数の二次モジュールを含み、上記一次モジュール
が、その支持体内を通過する第１の主ガス流路を有する
第１の支持体を含み、上記第１の支持体が、圧縮ガス容
器上に上記第１の支持体を装着するための及び上記ガス
容器と連通するように上記ガス流路を接続するための入
口接続手段、上記容器内の圧力よりも著しく低い選択さ
れた圧力で上記ガス流路内にガスを供給するための減圧
手段、上記主ガス流路からの出口を与えるための、上記
減圧手段の下流の出口接続手段、並びに、上記入口接続
手段を通過する圧縮ガスで上記容器を充填するための充
填手段を有し、上記二次モジュールの各々が、その第２
の支持体内を通過する第２の主ガス流路を有する第２の
支持体を含み、上記第２の支持体が、上記第１のモジュ
ール上または別の二次モジュール上に上記第２の支持体
を装着するための及び上記第１のモジュールまたは上記
別の二次モジュールの主ガス流路に上記第２の主ガス流
路を接続するための第２の入口接続手段、並びに、上記
第２の主ガス流路からの出口を与えるための第２の出口
接続手段を有し、上記二次モジュール各々の上記支持体
が、ガス流に関連する機能を果たすための２つ以上の機
能構成要素の組合せを有する。
【００３８】上記第１の支持体が更に、主ガス流に対す
るパージガスを受け入れるために、減圧手段の上流に高
圧パージガス入口弁を有することが好ましい。
るパージガスを受け入れるために、減圧手段の上流に高
圧パージガス入口弁を有することが好ましい。
【００３９】１つの特に好ましい構成では、上記一次モ
ジュールと上記二次モジュールとがモジュールの垂直積
み重ねの形に配列され、その最上部のモジュールが、支
持体の側面上に位置したその出口接続手段を有する。
ジュールと上記二次モジュールとがモジュールの垂直積
み重ねの形に配列され、その最上部のモジュールが、支
持体の側面上に位置したその出口接続手段を有する。
【００４０】本発明の上記形態と下記形態とに関して説
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
【００４１】本発明の第４の主たる形態によって、圧縮
ガス容器と共に使用するためのモジュール式ガス制御装
置が提供され、この装置が一次モジュールを含み、上記
一次モジュールが、その支持体内を通過する主ガス流路
を有する支持体を含み、上記支持体が、圧縮ガス容器上
に上記支持体を装着するための及び上記ガス容器と連通
するように上記ガス流路を接続するための入口接続手
段、上記容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力
で上記ガス流路内にガスを供給するための減圧手段、上
記減圧手段の上流の、上記ガス流路内の高圧閉止弁、並
びに、上記入口接続手段を通過する圧縮ガスで上記容器
を充填するための充填手段を有し、上記支持体が更に、
上記減圧手段の下流に、上記主ガス流路からの出口を与
えるための及び上記一次モジュールの上記主ガス流路と
連通する二次モジュールを上記一次モジュール上に装着
するための出口接続手段を含む。
ガス容器と共に使用するためのモジュール式ガス制御装
置が提供され、この装置が一次モジュールを含み、上記
一次モジュールが、その支持体内を通過する主ガス流路
を有する支持体を含み、上記支持体が、圧縮ガス容器上
に上記支持体を装着するための及び上記ガス容器と連通
するように上記ガス流路を接続するための入口接続手
段、上記容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力
で上記ガス流路内にガスを供給するための減圧手段、上
記減圧手段の上流の、上記ガス流路内の高圧閉止弁、並
びに、上記入口接続手段を通過する圧縮ガスで上記容器
を充填するための充填手段を有し、上記支持体が更に、
上記減圧手段の下流に、上記主ガス流路からの出口を与
えるための及び上記一次モジュールの上記主ガス流路と
連通する二次モジュールを上記一次モジュール上に装着
するための出口接続手段を含む。
【００４２】上記出口接続手段が、上記一次モジュール
の上方に上記二次モジュールを装着するために、上記一
次モジュールの上部領域（好ましくは上部表面）上に位
置していることが、本発明のこの形態における特に好ま
しい特徴である。
の上方に上記二次モジュールを装着するために、上記一
次モジュールの上部領域（好ましくは上部表面）上に位
置していることが、本発明のこの形態における特に好ま
しい特徴である。
【００４３】構成によっては、上記支持体が更に、主ガ
ス流路に対するパージガスを受け入れるために、上記減
圧手段の上流にパージガス入口弁を有する。
ス流路に対するパージガスを受け入れるために、上記減
圧手段の上流にパージガス入口弁を有する。
【００４４】本発明の上記形態と下記形態とに関して説
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
【００４５】本発明の第５の主たる形態によって、圧縮
ガス容器と共に使用するためのモジュール式ガス制御装
置が提供され、この装置が一次モジュールと、この一次
モジュール上に装着された二次モジュールとを含み、上
記一次モジュールが、その支持体内を通過する第１の主
ガス流路を有する支持体を含み、上記支持体が、圧縮ガ
ス容器上に上記支持体を装着するための及び上記ガス容
器と連通するように上記ガス流路を接続するための入口
接続手段、上記容器内の圧力よりも著しく低い選択され
た圧力で上記ガス流路内にガスを供給するための減圧手
段、上記主ガス流路からの出口を与えるための、上記減
圧手段の下流の出口接続手段上記減圧手段の上流の、上
記ガス流路内の高圧閉止弁、並びに、上記入口接続手段
を通過する圧縮ガスで上記容器を充填するための充填手
段を有し、上記第１の支持体が更に、上記主ガス流路内
において、上記減圧手段の上流に、高圧安全リリーフ
弁、または、安全リリーフ装置の装着のための構造を提
供するように適合させられている高圧安全リリーフ領域
を有し、上記減圧手段の上流に、パージガス入口弁、ま
たは、パージガス入口弁のための構造を提供するように
適合させられているパージガス入口領域を有し、及び、
上記減圧手段の下流に、上記減圧手段の下流の流体流路
内の圧力を表示するための、低圧表示器、または、圧力
表示器のための構造を提供するように適合させられてい
る低圧表示器領域を有し、上記二次モジュールが、その
第２の支持体内を通過する第２の主ガス流路を有する第
２の支持体を含み、上記第２の支持体が、上記一次モジ
ュール上に上記第２の支持体を装着するための及び上記
一次モジュールの上記出口接続手段に上記第２の主ガス
流路を接続するための第２の入口接続手段、並びに、上
記第２の主ガス流路からの出口を与えるための第２の出
口接続手段を有し、上記二次モジュールの上記支持体
が、ガス流に関連する機能を果たすための少なくとも２
つの機能構成要素の組合せを有する。本発明の上記形態
と下記形態とに関して説明されている好ましい特徴と随
意の特徴とが、本発明のこの形態によっても提供される
ことが可能である。
ガス容器と共に使用するためのモジュール式ガス制御装
置が提供され、この装置が一次モジュールと、この一次
モジュール上に装着された二次モジュールとを含み、上
記一次モジュールが、その支持体内を通過する第１の主
ガス流路を有する支持体を含み、上記支持体が、圧縮ガ
ス容器上に上記支持体を装着するための及び上記ガス容
器と連通するように上記ガス流路を接続するための入口
接続手段、上記容器内の圧力よりも著しく低い選択され
た圧力で上記ガス流路内にガスを供給するための減圧手
段、上記主ガス流路からの出口を与えるための、上記減
圧手段の下流の出口接続手段上記減圧手段の上流の、上
記ガス流路内の高圧閉止弁、並びに、上記入口接続手段
を通過する圧縮ガスで上記容器を充填するための充填手
段を有し、上記第１の支持体が更に、上記主ガス流路内
において、上記減圧手段の上流に、高圧安全リリーフ
弁、または、安全リリーフ装置の装着のための構造を提
供するように適合させられている高圧安全リリーフ領域
を有し、上記減圧手段の上流に、パージガス入口弁、ま
たは、パージガス入口弁のための構造を提供するように
適合させられているパージガス入口領域を有し、及び、
上記減圧手段の下流に、上記減圧手段の下流の流体流路
内の圧力を表示するための、低圧表示器、または、圧力
表示器のための構造を提供するように適合させられてい
る低圧表示器領域を有し、上記二次モジュールが、その
第２の支持体内を通過する第２の主ガス流路を有する第
２の支持体を含み、上記第２の支持体が、上記一次モジ
ュール上に上記第２の支持体を装着するための及び上記
一次モジュールの上記出口接続手段に上記第２の主ガス
流路を接続するための第２の入口接続手段、並びに、上
記第２の主ガス流路からの出口を与えるための第２の出
口接続手段を有し、上記二次モジュールの上記支持体
が、ガス流に関連する機能を果たすための少なくとも２
つの機能構成要素の組合せを有する。本発明の上記形態
と下記形態とに関して説明されている好ましい特徴と随
意の特徴とが、本発明のこの形態によっても提供される
ことが可能である。
【００４６】本発明は更に、更に別の形態において、必
ずしも他のモジュールと共に使用するものではないガス
制御装置も含む。この場合は、圧縮ガスの容器と共に使
用するためのガス制御装置が提供されることが可能であ
り、この装置は、その支持体内を通過する主ガス流路を
有する支持体を含み、上記支持体が、圧縮ガス容器上に
上記支持体を装着するための及び上記ガス容器と連通す
るようにガス流路を接続するための入口接続手段、上記
容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力で上記ガ
ス流路内にガスを供給するための減圧手段、上記ガスを
利用するための装置に上記主ガス流路を直接的にまたは
間接的に接続するための、上記減圧手段の下流の出口接
続手段、上記減圧手段の上流の、上記主ガス流路内の高
圧閉止弁、並びに、上記入口接続手段を通過する圧縮ガ
スで上記容器を充填するための充填手段を有し、上記支
持本体が更に、上記減圧手段の上流に、パージガス入口
弁、または、パージガス入口弁のための構造を提供する
ように適合させられているパージガス入口領域を有す
る。
ずしも他のモジュールと共に使用するものではないガス
制御装置も含む。この場合は、圧縮ガスの容器と共に使
用するためのガス制御装置が提供されることが可能であ
り、この装置は、その支持体内を通過する主ガス流路を
有する支持体を含み、上記支持体が、圧縮ガス容器上に
上記支持体を装着するための及び上記ガス容器と連通す
るようにガス流路を接続するための入口接続手段、上記
容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力で上記ガ
ス流路内にガスを供給するための減圧手段、上記ガスを
利用するための装置に上記主ガス流路を直接的にまたは
間接的に接続するための、上記減圧手段の下流の出口接
続手段、上記減圧手段の上流の、上記主ガス流路内の高
圧閉止弁、並びに、上記入口接続手段を通過する圧縮ガ
スで上記容器を充填するための充填手段を有し、上記支
持本体が更に、上記減圧手段の上流に、パージガス入口
弁、または、パージガス入口弁のための構造を提供する
ように適合させられているパージガス入口領域を有す
る。
【００４７】本発明の上記形態と下記形態とに関して説
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
【００４８】本発明の特徴が、本発明による装置に関し
て本明細書で説明される場合には、こうした特徴が、本
発明による方法に関しても提供されることが可能であ
り、更に、この逆の場合も可能であるということを理解
されたい。
て本明細書で説明される場合には、こうした特徴が、本
発明による方法に関しても提供されることが可能であ
り、更に、この逆の場合も可能であるということを理解
されたい。
【００４９】特に、且つ、上記説明の一般概念に対する
先入観なしに、本発明の一形態によって、圧縮ガスを供
給する方法が提供され、この方法は、その第１の支持体
内を通過する第１の主ガス流路を有する第１の支持体を
その一次ガス制御モジュールが含み、且つ、この第１の
支持体が、圧縮ガス容器上に上記第１の支持体を装着す
るための及び上記ガス容器と連通するように上記ガス流
路を接続するための第１の入口接続手段、上記容器内の
圧力よりも著しく低い選択された圧力で上記ガス流路内
にガスを供給するための減圧手段、上記減圧手段の下流
の第１の出口接続手段、及び、上記第１の入口接続手段
を通過する圧縮ガスで上記容器を充填するための充填手
段を有する、一次ガス制御モジュールがその上に装着さ
れている圧縮ガス容器を設ける段階、その第２の支持体
内を通過する第２の主ガス流路を有する第２の支持体を
その二次ガス制御モジュールが含み、この第２の支持体
が、上記一次モジュール上に上記第２の支持体を装着す
るための及び上記一次モジュールの上記第１の出口接続
手段に上記第２の主ガス流路を接続するための第２の入
口接続手段、及び、上記第２の主ガス流路をガスを利用
する装置に直接的にまたは間接的に接続するための第２
の出口接続手段を有し、且つ、その二次ガス制御モジュ
ールの上記支持体が、ガス流に関連する機能を果たすた
めの少なくとも２つの機能構成要素の組合せを有する、
二次ガス制御モジュールに上記出口接続手段を接続する
段階、上記ガス利用装置に対して上記ガス制御モジュー
ルを通して上記ガス容器からガスを放出する段階、上記
ガス容器上に上記一次ガス制御モジュールが装着されて
いる間に、上記ガス利用装置を分離する段階、上記ガス
容器上に上記一次ガス制御モジュールが装着されている
間に、上記充填手段を通して上記ガス容器にガスを充填
する段階、並びに、上記ガス容器上に上記一次ガス制御
モジュールが装着されている間に、上記ガス利用装置を
再接続する段階を含む。
先入観なしに、本発明の一形態によって、圧縮ガスを供
給する方法が提供され、この方法は、その第１の支持体
内を通過する第１の主ガス流路を有する第１の支持体を
その一次ガス制御モジュールが含み、且つ、この第１の
支持体が、圧縮ガス容器上に上記第１の支持体を装着す
るための及び上記ガス容器と連通するように上記ガス流
路を接続するための第１の入口接続手段、上記容器内の
圧力よりも著しく低い選択された圧力で上記ガス流路内
にガスを供給するための減圧手段、上記減圧手段の下流
の第１の出口接続手段、及び、上記第１の入口接続手段
を通過する圧縮ガスで上記容器を充填するための充填手
段を有する、一次ガス制御モジュールがその上に装着さ
れている圧縮ガス容器を設ける段階、その第２の支持体
内を通過する第２の主ガス流路を有する第２の支持体を
その二次ガス制御モジュールが含み、この第２の支持体
が、上記一次モジュール上に上記第２の支持体を装着す
るための及び上記一次モジュールの上記第１の出口接続
手段に上記第２の主ガス流路を接続するための第２の入
口接続手段、及び、上記第２の主ガス流路をガスを利用
する装置に直接的にまたは間接的に接続するための第２
の出口接続手段を有し、且つ、その二次ガス制御モジュ
ールの上記支持体が、ガス流に関連する機能を果たすた
めの少なくとも２つの機能構成要素の組合せを有する、
二次ガス制御モジュールに上記出口接続手段を接続する
段階、上記ガス利用装置に対して上記ガス制御モジュー
ルを通して上記ガス容器からガスを放出する段階、上記
ガス容器上に上記一次ガス制御モジュールが装着されて
いる間に、上記ガス利用装置を分離する段階、上記ガス
容器上に上記一次ガス制御モジュールが装着されている
間に、上記充填手段を通して上記ガス容器にガスを充填
する段階、並びに、上記ガス容器上に上記一次ガス制御
モジュールが装着されている間に、上記ガス利用装置を
再接続する段階を含む。
【００５０】方法に関する本発明の更に別の形態によっ
て、圧縮ガスを供給するための方法が提供されることが
可能であり、この方法は、その支持体内を通過する主ガ
ス流路を有する支持体をそのガス制御装置が含み、且
つ、この支持体が、圧縮ガス容器上に上記支持体を装着
するための及び上記ガス容器と連通するように上記ガス
流路を接続するための入口接続手段、上記容器内の圧力
よりも著しく低い選択された圧力で上記ガス流路内にガ
スを供給するための減圧手段、上記減圧手段の下流の出
口接続手段、上記入口接続手段を通過する圧縮ガスで上
記容器を充填するための充填手段、及び、上記減圧手段
の上流のパージガス入口弁を有する、ガス制御装置がそ
の上に装着されている圧縮ガス容器を設ける段階、上記
ガスを利用するガス利用装置に直接的にまたは間接的に
上記出口接続手段を接続する段階、上記ガス利用装置に
対して上記ガス制御装置を通して上記ガス容器からガス
を放出する段階、上記ガス容器上に上記ガス制御装置が
装着されている間に、上記ガス利用装置を分離する段
階、上記ガス容器上に上記ガス制御装置が装着されてい
る間に、上記充填手段を通して上記ガス容器にガスを充
填する段階、上記ガス容器上に上記ガス制御装置が装着
されている間に、上記パージガス弁を通して上記主ガス
流路内にパージガスを送り込む段階、並びに、上記ガス
容器上に上記ガス制御装置が装着されている間に、上記
ガス利用装置を再接続する段階を含む。
て、圧縮ガスを供給するための方法が提供されることが
可能であり、この方法は、その支持体内を通過する主ガ
ス流路を有する支持体をそのガス制御装置が含み、且
つ、この支持体が、圧縮ガス容器上に上記支持体を装着
するための及び上記ガス容器と連通するように上記ガス
流路を接続するための入口接続手段、上記容器内の圧力
よりも著しく低い選択された圧力で上記ガス流路内にガ
スを供給するための減圧手段、上記減圧手段の下流の出
口接続手段、上記入口接続手段を通過する圧縮ガスで上
記容器を充填するための充填手段、及び、上記減圧手段
の上流のパージガス入口弁を有する、ガス制御装置がそ
の上に装着されている圧縮ガス容器を設ける段階、上記
ガスを利用するガス利用装置に直接的にまたは間接的に
上記出口接続手段を接続する段階、上記ガス利用装置に
対して上記ガス制御装置を通して上記ガス容器からガス
を放出する段階、上記ガス容器上に上記ガス制御装置が
装着されている間に、上記ガス利用装置を分離する段
階、上記ガス容器上に上記ガス制御装置が装着されてい
る間に、上記充填手段を通して上記ガス容器にガスを充
填する段階、上記ガス容器上に上記ガス制御装置が装着
されている間に、上記パージガス弁を通して上記主ガス
流路内にパージガスを送り込む段階、並びに、上記ガス
容器上に上記ガス制御装置が装着されている間に、上記
ガス利用装置を再接続する段階を含む。
【００５１】次に、その充填回路がガスシリンダからの
主出口回路から分離している、ガスシリンダのための別
個の充填回路を提供することに関する本発明の第６の主
要形態に言及する。本発明のこの形態によって、圧縮ガ
ス容器と共に使用するためのガス制御装置が提供され、
この装置は、その支持体内を通過する主ガス流路を有す
る支持体を有し、この支持体が、上記圧縮ガス容器上に
上記支持体を装着するための及び上記ガス容器と連通す
るように上記主ガス流路を接続するための入口接続手
段、上記容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力
で上記ガス流路内にガスを供給するための減圧手段、上
記ガスを利用するための装置に上記主ガス流路を直接的
にまたは間接的に接続するための、上記減圧手段の下流
の出口接続手段、上記減圧手段の上流の、上記主ガス流
路内の高圧閉止弁、並びに、上記入口接続手段を通過す
る圧縮ガスで上記容器を充填するための充填手段を有
し、上記入口接続手段が第１のガス流路と第２のガス流
路とを有し、上記第１のガス流路が上記容器から上記支
持体を通過する上記主ガス流路に通じ、上記第２のガス
流路が上記容器から上記充填手段に通じ、上記充填手段
が第２の高圧閉止弁を含む。
主出口回路から分離している、ガスシリンダのための別
個の充填回路を提供することに関する本発明の第６の主
要形態に言及する。本発明のこの形態によって、圧縮ガ
ス容器と共に使用するためのガス制御装置が提供され、
この装置は、その支持体内を通過する主ガス流路を有す
る支持体を有し、この支持体が、上記圧縮ガス容器上に
上記支持体を装着するための及び上記ガス容器と連通す
るように上記主ガス流路を接続するための入口接続手
段、上記容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力
で上記ガス流路内にガスを供給するための減圧手段、上
記ガスを利用するための装置に上記主ガス流路を直接的
にまたは間接的に接続するための、上記減圧手段の下流
の出口接続手段、上記減圧手段の上流の、上記主ガス流
路内の高圧閉止弁、並びに、上記入口接続手段を通過す
る圧縮ガスで上記容器を充填するための充填手段を有
し、上記入口接続手段が第１のガス流路と第２のガス流
路とを有し、上記第１のガス流路が上記容器から上記支
持体を通過する上記主ガス流路に通じ、上記第２のガス
流路が上記容器から上記充填手段に通じ、上記充填手段
が第２の高圧閉止弁を含む。
【００５２】本発明の上記形態と下記形態とに関して説
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
【００５３】特に好ましい形式では、上記第１のガス流
路と上記容器内部との間に挿入された、上記容器を出て
上記主ガス流路内に入るガスを清浄化するための、上記
ガス容器内に配置された清浄化手段が提供される。
路と上記容器内部との間に挿入された、上記容器を出て
上記主ガス流路内に入るガスを清浄化するための、上記
ガス容器内に配置された清浄化手段が提供される。
【００５４】上記支持体が、機能構成要素がその上また
はその中に装着されている単一の材料本体であることが
好ましく、上記支持体が、上記入口接続手段だけによっ
て上記ガス容器上に構造的に支持されていることが好ま
しい。
はその中に装着されている単一の材料本体であることが
好ましく、上記支持体が、上記入口接続手段だけによっ
て上記ガス容器上に構造的に支持されていることが好ま
しい。
【００５５】上記装置が、上記支持体から一定の距離だ
け離れてその周囲を囲むハウジングを含み、そのハウジ
ングが、上記ガス容器を手で取り扱うための手段を提供
するように形作られていることが好ましく、上記装置
が、主ガス流路に対するパージガスを受け入れるための
パージガス入口弁を上記減圧手段の上流に含むことが好
ましい。
け離れてその周囲を囲むハウジングを含み、そのハウジ
ングが、上記ガス容器を手で取り扱うための手段を提供
するように形作られていることが好ましく、上記装置
が、主ガス流路に対するパージガスを受け入れるための
パージガス入口弁を上記減圧手段の上流に含むことが好
ましい。
【００５６】構成によっては、上記出口接続手段が、上
記支持体の上部領域（好ましくは上部表面）上に配置さ
れており、他の構成では、上記出口接続手段が、上記支
持体の側部領域（好ましくは側部表面）上に配置されて
いる。
記支持体の上部領域（好ましくは上部表面）上に配置さ
れており、他の構成では、上記出口接続手段が、上記支
持体の側部領域（好ましくは側部表面）上に配置されて
いる。
【００５７】支持体の上部表面または側部表面のどちら
にガス制御装置の出口接続手段を配置するかということ
は、上記側面の全てにおいて本発明に影響する問題であ
ることを理解されたい。一般的には、上向きの出口接続
手段によって更に別のモジュールが上記ガス制御装置に
結合させられることが意図されている場合に、上向きの
または上方向に向いている出口接続手段がモジュールに
備えられることが特に好ましい特徴である。しかし、当
該モジュールが、他の関連モジュールなしにガスシリン
ダの頂部上に単独で嵌合されることが意図されている場
合、または、当該モジュールが、ガスシリンダの頂部上
に固定された一連のモジュールの中の一番上のモジュー
ルであることが意図されている場合には、こうした状況
では、出口接続手段がそのモジュールから横向きに方向
付けられるか横方向に向いていることが好ましい。状況
によっては出口接続手段がモジュールの側部表面から上
向きまたは下向きに一定の角度に方向付けられているこ
とが可能であるが、出口接続手段が支持体から水平方向
に横向きに向いていることが好ましい。更に別の変形例
では、出口接続手段がモジュールの上部表面上に装着さ
れることも可能であるが、他の装置に接続されていない
時には、その開口が水平方向に横向きに方向付けられる
ように配置されることも可能である。
にガス制御装置の出口接続手段を配置するかということ
は、上記側面の全てにおいて本発明に影響する問題であ
ることを理解されたい。一般的には、上向きの出口接続
手段によって更に別のモジュールが上記ガス制御装置に
結合させられることが意図されている場合に、上向きの
または上方向に向いている出口接続手段がモジュールに
備えられることが特に好ましい特徴である。しかし、当
該モジュールが、他の関連モジュールなしにガスシリン
ダの頂部上に単独で嵌合されることが意図されている場
合、または、当該モジュールが、ガスシリンダの頂部上
に固定された一連のモジュールの中の一番上のモジュー
ルであることが意図されている場合には、こうした状況
では、出口接続手段がそのモジュールから横向きに方向
付けられるか横方向に向いていることが好ましい。状況
によっては出口接続手段がモジュールの側部表面から上
向きまたは下向きに一定の角度に方向付けられているこ
とが可能であるが、出口接続手段が支持体から水平方向
に横向きに向いていることが好ましい。更に別の変形例
では、出口接続手段がモジュールの上部表面上に装着さ
れることも可能であるが、他の装置に接続されていない
時には、その開口が水平方向に横向きに方向付けられる
ように配置されることも可能である。
【００５８】しかし、単一のモジュールまたは一番上の
モジュールに関する好ましい構成は、出口接続手段がそ
のモジュールの側部表面上に装着されており、モジュー
ルから水平方向に横向きに向いていることである。こう
した構成は、出口接続手段が別の装置に接続されていな
い時に、汚染物が出口接続手段に入り込む可能性を低減
させるという点で利点を有する。
モジュールに関する好ましい構成は、出口接続手段がそ
のモジュールの側部表面上に装着されており、モジュー
ルから水平方向に横向きに向いていることである。こう
した構成は、出口接続手段が別の装置に接続されていな
い時に、汚染物が出口接続手段に入り込む可能性を低減
させるという点で利点を有する。
【００５９】本発明の特に好ましい独立した特徴の１つ
では、一次モジュールと、垂直方向のモジュール積み重
ねの形に配置された一連の二次モジュールとを含み、且
つ、このモジュール積み重ねの一番上のモジュールがそ
のモジュールの側部表面上に配置されている出口接続手
段を有する、圧縮ガス容器と共に使用するためのガス制
御装置が提供される。これらのモジュールが、上記の特
徴のいずれか１つ以上に従って形成されることが好まし
い。
では、一次モジュールと、垂直方向のモジュール積み重
ねの形に配置された一連の二次モジュールとを含み、且
つ、このモジュール積み重ねの一番上のモジュールがそ
のモジュールの側部表面上に配置されている出口接続手
段を有する、圧縮ガス容器と共に使用するためのガス制
御装置が提供される。これらのモジュールが、上記の特
徴のいずれか１つ以上に従って形成されることが好まし
い。
【００６０】本発明の上記形態と下記形態とに関して説
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
明されている好ましい特徴と随意の特徴とが、本発明の
この形態によっても提供されることが可能である。
【００６１】本発明は、少なくともその好ましい実施様
態において、従来のガス制御装置及び方法よりも優れた
幾つかの利点を提供する。幾つかの小型化ガス制御シス
テムで提案されているより小さな制御パネルの中に幾つ
かの個別の構成要素を接続するだけにとどまらず、本発
明は、再設計と、（機械式ユニットの場合に）単一の本
体の中に一群の構成要素を直接的に機械加工すること、
または、（例えば、ミクロ電気機械式システムユニット
の場合に）電子チップ上に一群の構成要素を機械加工す
ることとを含む。本発明は、一連のモジュールを提供す
ることも可能である。これらのモジュールの各々は互い
に独立しており、別々の機能を有する。他のモジュール
と圧力制御を組み合わせることによって、そのシステム
は、清浄化、気化、混合気体発生等のような使用者の追
加的な要求を満たすように、機能拡張されることが可能
である。好ましい形態では、全てのモジュールが、表示
のための電気出力信号を送出し、且つ、制御のための電
気入力信号を受け取ることが可能である。システムのコ
ストを低減させると同時に、漏洩を最小限にし、デッド
スペースと余分な接合部を排除し、且つ、製品の品質と
純度を向上させるために、特に圧縮ガスシリンダの軸線
と一直線にされた主ガス流路を使用することによって、
一体型の設計が実現されることが可能である。
態において、従来のガス制御装置及び方法よりも優れた
幾つかの利点を提供する。幾つかの小型化ガス制御シス
テムで提案されているより小さな制御パネルの中に幾つ
かの個別の構成要素を接続するだけにとどまらず、本発
明は、再設計と、（機械式ユニットの場合に）単一の本
体の中に一群の構成要素を直接的に機械加工すること、
または、（例えば、ミクロ電気機械式システムユニット
の場合に）電子チップ上に一群の構成要素を機械加工す
ることとを含む。本発明は、一連のモジュールを提供す
ることも可能である。これらのモジュールの各々は互い
に独立しており、別々の機能を有する。他のモジュール
と圧力制御を組み合わせることによって、そのシステム
は、清浄化、気化、混合気体発生等のような使用者の追
加的な要求を満たすように、機能拡張されることが可能
である。好ましい形態では、全てのモジュールが、表示
のための電気出力信号を送出し、且つ、制御のための電
気入力信号を受け取ることが可能である。システムのコ
ストを低減させると同時に、漏洩を最小限にし、デッド
スペースと余分な接合部を排除し、且つ、製品の品質と
純度を向上させるために、特に圧縮ガスシリンダの軸線
と一直線にされた主ガス流路を使用することによって、
一体型の設計が実現されることが可能である。
【００６２】様々な用途のための様々な制御モジュール
を設計することによって、次に示す諸機能を含む消費者
と市場の多様な要求を満たすようにモジュールが組み合
わされることが可能である。 ・ 組込み残留圧力制御及び安全リリーフ弁、 ・ シリンダからのガス圧力を調整するための圧力モジ
ュール、 ・ 流量制御モジュール、 ・ エレクトロニクス用ＵＨＰガスの制御のための濾過
及び／または清浄器モジュール、 ・ 腐食性、有毒性、及び、自燃性の用途における排気
用ベンチュリモジュール、 ・ エレクトロニクスのための圧力調整の電子制御、 ・ 液化製品をガスに変換するための気化器モジュー
ル、 ・ ガス品質を検出するための分析器モジュール、 ・ 基準ガス混合気体の発生のための混合器モジュー
ル、 ・ ガス混合物を処理するためのガスブレンドモジュー
ル、 ・ エレクトロニクスのための完全自動化制御機能、 ・ 遠隔データ捕捉、記憶及び制御（例えば、遠隔計測
器）。
を設計することによって、次に示す諸機能を含む消費者
と市場の多様な要求を満たすようにモジュールが組み合
わされることが可能である。 ・ 組込み残留圧力制御及び安全リリーフ弁、 ・ シリンダからのガス圧力を調整するための圧力モジ
ュール、 ・ 流量制御モジュール、 ・ エレクトロニクス用ＵＨＰガスの制御のための濾過
及び／または清浄器モジュール、 ・ 腐食性、有毒性、及び、自燃性の用途における排気
用ベンチュリモジュール、 ・ エレクトロニクスのための圧力調整の電子制御、 ・ 液化製品をガスに変換するための気化器モジュー
ル、 ・ ガス品質を検出するための分析器モジュール、 ・ 基準ガス混合気体の発生のための混合器モジュー
ル、 ・ ガス混合物を処理するためのガスブレンドモジュー
ル、 ・ エレクトロニクスのための完全自動化制御機能、 ・ 遠隔データ捕捉、記憶及び制御（例えば、遠隔計測
器）。
【００６３】本発明は、特に、毒性、腐食性及び／また
は自燃性のガスを取り扱うための、通常はガスキャビネ
ットの使用を必要とする集積回路製造に使用される。
は自燃性のガスを取り扱うための、通常はガスキャビネ
ットの使用を必要とする集積回路製造に使用される。
【００６４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の例示のために、本
発明の実施例を次の通りの添付図面を参照しながら説明
する。
発明の実施例を次の通りの添付図面を参照しながら説明
する。
【００６５】圧縮ガスシリンダの現在における使用の２
つの例を最初に説明する。図１は、調査研究用途、分析
用途、医療用途、教育用途、及び、他の幾つかの工業用
途において一般的に使用されている基本的な構成を示し
ている。図２は、半導体製造設備で使用されることが多
い典型的なガスキャビネットを示している。
つの例を最初に説明する。図１は、調査研究用途、分析
用途、医療用途、教育用途、及び、他の幾つかの工業用
途において一般的に使用されている基本的な構成を示し
ている。図２は、半導体製造設備で使用されることが多
い典型的なガスキャビネットを示している。
【００６６】図１では、圧縮ガスシリンダ１１は、従来
通りのシリンダ弁１２と、安全リリーフ装置を与える破
断円板１３とを有する。Ｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄ Ｇａｓ
Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ規格による標準継手１４が、
シリンダ弁１２の出口に備えられ、選択された減圧を生
じさせる圧力調整器１５に結合されており、この圧力調
整器１５は高圧計器１６と低圧計器１７とを有する。シ
リンダ弁１２と破断円板１３はシリンダ１１上に取り付
けられているが、後続の構成要素は全て、シリンダから
離して装着されており、従来通りの継手または溶接継目
によって接続されている。ガス流路は、圧力調整器１５
から、隔離弁１８、逆止弁１９、清浄器２０、フィルタ
２１、及び、隔離弁２２を通って、ガスを利用する装置
に接続された出口２３に達する。隔離弁１８と逆止弁１
９との間には低圧安全リリーフ弁２４が備えられてい
る。
通りのシリンダ弁１２と、安全リリーフ装置を与える破
断円板１３とを有する。Ｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄ Ｇａｓ
Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ規格による標準継手１４が、
シリンダ弁１２の出口に備えられ、選択された減圧を生
じさせる圧力調整器１５に結合されており、この圧力調
整器１５は高圧計器１６と低圧計器１７とを有する。シ
リンダ弁１２と破断円板１３はシリンダ１１上に取り付
けられているが、後続の構成要素は全て、シリンダから
離して装着されており、従来通りの継手または溶接継目
によって接続されている。ガス流路は、圧力調整器１５
から、隔離弁１８、逆止弁１９、清浄器２０、フィルタ
２１、及び、隔離弁２２を通って、ガスを利用する装置
に接続された出口２３に達する。隔離弁１８と逆止弁１
９との間には低圧安全リリーフ弁２４が備えられてい
る。
【００６７】図２では、典型的なガスキャビネット２５
が、シリンダ１１とガス制御構成要素とを収容する換気
キャビネットを与える。このガスキャビネットは、先ず
第１に、シリンダ内容物の破局的な漏洩を完全に封じ込
めるために備えられる。このキャビネットは、中央換気
システム２６を通して排気される。用途に応じて、環境
に対して排出される前にシリンダ内容物の効率的な除去
を実現するために、この換気システムがスクラッバーシ
ステム（ガス洗浄装置）を含むことも可能である。この
ガスキャビネットの第２の目的は、圧力、濾過、シリン
ダの液面高さ、サイクルパージ、清浄化、及び、安全監
視といった機能を制御することによって効果的なガス管
理を実現することである。このガスキャビネットの電子
制御システムは、ガス利用、装置動作、シリンダ内容
物、プロセスガス圧力、及び、安全警報状態に関する情
報をプロセス工具とオペレータとに即時フィードバック
することを可能にする。
が、シリンダ１１とガス制御構成要素とを収容する換気
キャビネットを与える。このガスキャビネットは、先ず
第１に、シリンダ内容物の破局的な漏洩を完全に封じ込
めるために備えられる。このキャビネットは、中央換気
システム２６を通して排気される。用途に応じて、環境
に対して排出される前にシリンダ内容物の効率的な除去
を実現するために、この換気システムがスクラッバーシ
ステム（ガス洗浄装置）を含むことも可能である。この
ガスキャビネットの第２の目的は、圧力、濾過、シリン
ダの液面高さ、サイクルパージ、清浄化、及び、安全監
視といった機能を制御することによって効果的なガス管
理を実現することである。このガスキャビネットの電子
制御システムは、ガス利用、装置動作、シリンダ内容
物、プロセスガス圧力、及び、安全警報状態に関する情
報をプロセス工具とオペレータとに即時フィードバック
することを可能にする。
【００６８】次に、シリンダ１１からのガス流路につい
て説明するが、この説明では図１の構成要素に対応する
構成要素は同じ参照番号で示される。シリンダ１１の出
口は、シリンダ閉止弁１２から、制御弁２７とフロース
イッチ２８とを経由して別の弁２９に連通している。弁
２７の上流の高圧トランスデューサ５は、シリンダ１１
の圧力を表示する。弁２９から送出されるガスは、別の
制御弁３０を通って、選択された減圧を生じさせるため
の減圧器３１に達する。この低圧ガスは、フロースイッ
チ３２とフィルタ３３とを通って更に別の弁３４に達
し、その後で、更に別の制御弁３５、３６を通って、ガ
スを使用するための装置３８に通じる出口３７に達す
る。圧力調整器３１とフロースイッチ３２との間の低圧
トランスデューサ３９が、そのガス流路内の低圧力を表
示する。制御弁４０、４１の各々は、弁２９、３４から
共通の圧力管路４２に通じ、更にベンチュリポンプ４３
を経由してベンチュリ出口４４に通じる。パージガス入
口４５は弁４６、４７、４８を通して窒素を受け取り、
ベンチュリポンプ４３にその窒素が送られ、主ガス流回
路の排気が可能にされる。パージガス入口４５で装置内
に入りベンチュリ出口４４で装置から出ていくベンチュ
リ窒素の作用は、主プロセスガス流路から残留空気また
は汚染物を除去するための真空を発生させることであ
る。主流路内の弁２７とフロースイッチ２８との間に
は、主流路をパージするための高圧超高純度窒素を受け
入れるための高圧パージガス入口５０を有する弁４９が
接続されている。
て説明するが、この説明では図１の構成要素に対応する
構成要素は同じ参照番号で示される。シリンダ１１の出
口は、シリンダ閉止弁１２から、制御弁２７とフロース
イッチ２８とを経由して別の弁２９に連通している。弁
２７の上流の高圧トランスデューサ５は、シリンダ１１
の圧力を表示する。弁２９から送出されるガスは、別の
制御弁３０を通って、選択された減圧を生じさせるため
の減圧器３１に達する。この低圧ガスは、フロースイッ
チ３２とフィルタ３３とを通って更に別の弁３４に達
し、その後で、更に別の制御弁３５、３６を通って、ガ
スを使用するための装置３８に通じる出口３７に達す
る。圧力調整器３１とフロースイッチ３２との間の低圧
トランスデューサ３９が、そのガス流路内の低圧力を表
示する。制御弁４０、４１の各々は、弁２９、３４から
共通の圧力管路４２に通じ、更にベンチュリポンプ４３
を経由してベンチュリ出口４４に通じる。パージガス入
口４５は弁４６、４７、４８を通して窒素を受け取り、
ベンチュリポンプ４３にその窒素が送られ、主ガス流回
路の排気が可能にされる。パージガス入口４５で装置内
に入りベンチュリ出口４４で装置から出ていくベンチュ
リ窒素の作用は、主プロセスガス流路から残留空気また
は汚染物を除去するための真空を発生させることであ
る。主流路内の弁２７とフロースイッチ２８との間に
は、主流路をパージするための高圧超高純度窒素を受け
入れるための高圧パージガス入口５０を有する弁４９が
接続されている。
【００６９】使用済みシリンダから満杯のシリンダへの
シリンダ交換の際には、高圧システムのプロセスガスが
効率よくパージされなければならない。パージ完了後
に、シリンダ閉止弁１２に対する高圧ピグテール接続部
が、接続されている使用済みシリンダと満杯のシリンダ
とから切り離される。ガスパネルは、ピグテール接続部
を効果的に清浄化するために必要である、弁の操作と真
空パージ処理とを実現させる。真空／パージサイクリン
グは、弁４９、２９を互いに反対に逐次的に開閉するこ
とによって行われる。この仕方で、プロセスガスが除去
され、シリンダ源から供給されることが可能なパージガ
ス（この場合には超高純度窒素）によって置き換えられ
る。ガスパネル弁は、典型的には、プログラム可能論理
コントローラまたはマイクロプロセッサによって自動制
御される。この論理制御は、シリンダ交換のための連続
動作が首尾一貫していることを確実にし、人間のオペレ
ータが誤りを犯すことを防止する。
シリンダ交換の際には、高圧システムのプロセスガスが
効率よくパージされなければならない。パージ完了後
に、シリンダ閉止弁１２に対する高圧ピグテール接続部
が、接続されている使用済みシリンダと満杯のシリンダ
とから切り離される。ガスパネルは、ピグテール接続部
を効果的に清浄化するために必要である、弁の操作と真
空パージ処理とを実現させる。真空／パージサイクリン
グは、弁４９、２９を互いに反対に逐次的に開閉するこ
とによって行われる。この仕方で、プロセスガスが除去
され、シリンダ源から供給されることが可能なパージガ
ス（この場合には超高純度窒素）によって置き換えられ
る。ガスパネル弁は、典型的には、プログラム可能論理
コントローラまたはマイクロプロセッサによって自動制
御される。この論理制御は、シリンダ交換のための連続
動作が首尾一貫していることを確実にし、人間のオペレ
ータが誤りを犯すことを防止する。
【００７０】満杯のシリンダの接続の際には、これらの
弁の同様の連続動作が、大気中の汚染物を除去する。大
気中汚染物は、下流側のガス制御構成要素の動作に悪影
響を与える可能性がある腐食の発生または有害な反応副
生成物の形成に関して、最も深刻な危険性をもたらす。
最大シリンダ圧力においては、数多くの重要な腐食性ガ
スが、残留した大気中汚染物による腐食発生に対して非
常に高い感受性を有する。例えば、蒸気の形で分配され
るＨＢｒ及びＨＣｌのような酸性ガスは、凝縮相が腐食
性材料と接触している時に腐食を生じさせる。従って、
高圧接続部が取り除かれるならば、シリンダの分離と再
接続とに起因する大気中不純物に対する感受性が、低下
させられるか取り除かれることが可能である。
弁の同様の連続動作が、大気中の汚染物を除去する。大
気中汚染物は、下流側のガス制御構成要素の動作に悪影
響を与える可能性がある腐食の発生または有害な反応副
生成物の形成に関して、最も深刻な危険性をもたらす。
最大シリンダ圧力においては、数多くの重要な腐食性ガ
スが、残留した大気中汚染物による腐食発生に対して非
常に高い感受性を有する。例えば、蒸気の形で分配され
るＨＢｒ及びＨＣｌのような酸性ガスは、凝縮相が腐食
性材料と接触している時に腐食を生じさせる。従って、
高圧接続部が取り除かれるならば、シリンダの分離と再
接続とに起因する大気中不純物に対する感受性が、低下
させられるか取り除かれることが可能である。
【００７１】さて次に図３を参照すると、この図には、
図２に示されている機能を果たすように構成された、本
発明を具体化するガス制御装置が線図で示されている。
第１の圧縮ガスシリンダ１１はプロセスガスを収容し、
第２の圧縮ガスシリンダ１１１は窒素のようなパージガ
スを収容する。これらのシリンダの各々は、本明細書に
引例として組み入れられているＵＳ−Ａ−５４０９５２
６に開示されている仕方で構成されている組込み清浄器
９、１０９を含む。シリンダ１１、１１１の各々の上に
は、一次モジュール５２、１５２を各々に含むモジュー
ル式ガス制御装置が取り付けられている。これらの一次
モジュールは互いに同一であるが、内部構成要素の動作
に応じて異なった機能を果たす。一次モジュール１５２
の頂部上には、この場合には真空モジュールである二次
モジュール２５２が装着されている。
図２に示されている機能を果たすように構成された、本
発明を具体化するガス制御装置が線図で示されている。
第１の圧縮ガスシリンダ１１はプロセスガスを収容し、
第２の圧縮ガスシリンダ１１１は窒素のようなパージガ
スを収容する。これらのシリンダの各々は、本明細書に
引例として組み入れられているＵＳ−Ａ−５４０９５２
６に開示されている仕方で構成されている組込み清浄器
９、１０９を含む。シリンダ１１、１１１の各々の上に
は、一次モジュール５２、１５２を各々に含むモジュー
ル式ガス制御装置が取り付けられている。これらの一次
モジュールは互いに同一であるが、内部構成要素の動作
に応じて異なった機能を果たす。一次モジュール１５２
の頂部上には、この場合には真空モジュールである二次
モジュール２５２が装着されている。
【００７２】最初に一次モジュール５２を考察すると、
これは、第１の支持体（図３では５４で概略的に示され
ているが、後述される図５では更に詳細に示されてい
る）を含む。支持体５４は、その支持体内を通過する第
１の主ガス流路（全体的に５５で示される）を有する。
圧縮ガス容器１１上に支持体５４を装着するための及び
ガス容器１１と連通するようにガス流路５５を接続する
ための入口接続手段５６が備えられている。この入口接
続手段５６は、残留圧力弁１０によって組込み清浄器９
と連通している第１の接続流路５７と、シリンダ１１の
内部と一次モジュール５２の支持体５４内の充填弁６０
との間を直接連通する第２の接続流路５９とを含む。充
填弁６０は充填入口６１と連通している。第２の流路５
９には、安全逃がし弁または破断円板６２も接続されて
いる。
これは、第１の支持体（図３では５４で概略的に示され
ているが、後述される図５では更に詳細に示されてい
る）を含む。支持体５４は、その支持体内を通過する第
１の主ガス流路（全体的に５５で示される）を有する。
圧縮ガス容器１１上に支持体５４を装着するための及び
ガス容器１１と連通するようにガス流路５５を接続する
ための入口接続手段５６が備えられている。この入口接
続手段５６は、残留圧力弁１０によって組込み清浄器９
と連通している第１の接続流路５７と、シリンダ１１の
内部と一次モジュール５２の支持体５４内の充填弁６０
との間を直接連通する第２の接続流路５９とを含む。充
填弁６０は充填入口６１と連通している。第２の流路５
９には、安全逃がし弁または破断円板６２も接続されて
いる。
【００７３】上記入口接続手段５６の第１の流路５７
は、最初に主シリンダ弁６４に進むことによって、シリ
ンダ１１を主流路５５に接続する。主シリンダ弁６４の
出口はフィルタ６５に接続され、このフィルタ６５は更
に、圧力を約２００バールから約０−２０バールに低下
させるための圧力調整器６６に接続されている。フィル
タ６５と圧力調整器６６との間には、高圧計器６７が接
続されている。これは、シリンダ１１内の圧力を表示す
る働きをし、従って、シリンダが空である時に交換され
ることが可能であるようにシリンダの内容物の状態を表
示する。迅速接続式出口接続手段７０に通じる隔離弁６
９を通してプロセス装置に送られる低圧流を制御するた
めに、圧力調整器６６の出口が、圧力スイッチまたはフ
ロースイッチ６８に接続されている。圧力スイッチまた
はフロースイッチ６８は、例えば、手動操作式のニード
ル弁または計量弁であることが可能である。
は、最初に主シリンダ弁６４に進むことによって、シリ
ンダ１１を主流路５５に接続する。主シリンダ弁６４の
出口はフィルタ６５に接続され、このフィルタ６５は更
に、圧力を約２００バールから約０−２０バールに低下
させるための圧力調整器６６に接続されている。フィル
タ６５と圧力調整器６６との間には、高圧計器６７が接
続されている。これは、シリンダ１１内の圧力を表示す
る働きをし、従って、シリンダが空である時に交換され
ることが可能であるようにシリンダの内容物の状態を表
示する。迅速接続式出口接続手段７０に通じる隔離弁６
９を通してプロセス装置に送られる低圧流を制御するた
めに、圧力調整器６６の出口が、圧力スイッチまたはフ
ロースイッチ６８に接続されている。圧力スイッチまた
はフロースイッチ６８は、例えば、手動操作式のニード
ル弁または計量弁であることが可能である。
【００７４】低圧計器７１は、一次モジュール５２の低
圧部分内の圧力を表示するために圧力／フロースイッチ
６８に接続されている。一次モジュール５２は、圧力調
整器６６の上流の位置において、逆流防止弁６３を経由
してフィルタ６５とシリンダ弁６４との間の位置で主流
路５５と連通しているパージガス入口弁７２も有する。
パージガス弁７２はパージガス入口手段７３に接続され
ており、一方、パージガス入口手段７３は、この場合に
は、より詳細に後述するパージ管路７４に接続されてい
る。
圧部分内の圧力を表示するために圧力／フロースイッチ
６８に接続されている。一次モジュール５２は、圧力調
整器６６の上流の位置において、逆流防止弁６３を経由
してフィルタ６５とシリンダ弁６４との間の位置で主流
路５５と連通しているパージガス入口弁７２も有する。
パージガス弁７２はパージガス入口手段７３に接続され
ており、一方、パージガス入口手段７３は、この場合に
は、より詳細に後述するパージ管路７４に接続されてい
る。
【００７５】図４は、図３に示されている装置の側面図
である。図５、図６、図７、及び、図８を参照すると、
これらの図には、ガス制御装置５２の諸構成要素が、そ
の装置の部分断面斜視図として更に詳細に示されてい
る。図７と図８は、その基部に更に別の構成要素を追加
した、図６に示されている構成要素の外側の三次元図で
ある。
である。図５、図６、図７、及び、図８を参照すると、
これらの図には、ガス制御装置５２の諸構成要素が、そ
の装置の部分断面斜視図として更に詳細に示されてい
る。図７と図８は、その基部に更に別の構成要素を追加
した、図６に示されている構成要素の外側の三次元図で
ある。
【００７６】ガス制御装置５２の支持体５４が、ガスシ
リンダ（図示されていない）の軸線と実質的に同軸であ
る主軸線５１を有する細長い本体として示されている。
入口接続手段５６は、支持体５４を通って主ガス流路に
まで通じている内部軸穴を有し、圧力ガスシリンダの頂
部内の従来通りのねじ付き開口に結合するために外側に
ねじが切られている（図示されていない）。
リンダ（図示されていない）の軸線と実質的に同軸であ
る主軸線５１を有する細長い本体として示されている。
入口接続手段５６は、支持体５４を通って主ガス流路に
まで通じている内部軸穴を有し、圧力ガスシリンダの頂
部内の従来通りのねじ付き開口に結合するために外側に
ねじが切られている（図示されていない）。
【００７７】主閉止弁６４は操作ノブ７５によって操作
される。高圧トランスデューサまたは圧力計器６７が、
横断通路７６を通して接続される。パージガス弁７２に
結合されているパージ口７３が、その装置の裏側に配置
されているが、図６には示されていない。低圧閉止弁６
９は操作ノブによって操作される。充填口６１は、密閉
可能なカバー（図示されていない）を通して接続される
ことが可能である。圧力調整器６６はノブ７８によって
操作される。この圧力調整器は膨張弁６６から成る。図
５には示されていない逆止弁が、主流路５５の上部端部
に配置されており、この先には、取り外し可能なカバー
７９で覆われた迅速接続式出口接続手段７０が備えられ
ている。金属ハウジング５０が支持体５４の周囲を囲っ
ている。外部衝撃を吸収し、一次モジュールと二次モジ
ュールとの間の接続部を保護し、且つ、手での取扱いを
可能にするために、プラスチックリング４８Ａがハウジ
ング５０の頂部上に嵌め込まれている。
される。高圧トランスデューサまたは圧力計器６７が、
横断通路７６を通して接続される。パージガス弁７２に
結合されているパージ口７３が、その装置の裏側に配置
されているが、図６には示されていない。低圧閉止弁６
９は操作ノブによって操作される。充填口６１は、密閉
可能なカバー（図示されていない）を通して接続される
ことが可能である。圧力調整器６６はノブ７８によって
操作される。この圧力調整器は膨張弁６６から成る。図
５には示されていない逆止弁が、主流路５５の上部端部
に配置されており、この先には、取り外し可能なカバー
７９で覆われた迅速接続式出口接続手段７０が備えられ
ている。金属ハウジング５０が支持体５４の周囲を囲っ
ている。外部衝撃を吸収し、一次モジュールと二次モジ
ュールとの間の接続部を保護し、且つ、手での取扱いを
可能にするために、プラスチックリング４８Ａがハウジ
ング５０の頂部上に嵌め込まれている。
【００７８】次に、シリンダ１１からガス利用装置（図
示されていない）へのプロセスガスの通常の供給の際に
単一のガス制御装置として使用される場合の、一次モジ
ュール５２の通常動作を説明する。
示されていない）へのプロセスガスの通常の供給の際に
単一のガス制御装置として使用される場合の、一次モジ
ュール５２の通常動作を説明する。
【００７９】図３に示されるように、通常は、充填弁６
０と安全逃がし弁６２と同様にパージガス弁７２が閉じ
られている。プロセスガスが必要とされる場合には、シ
リンダ弁６４が開かれ、プロセスガスが出口接続手段７
０に供給され、調節可能圧力調整器６６と圧力／フロー
スイッチ６８によって制御され、高圧計器６７と低圧計
器７１とによって監視される。シリンダ１１が空になる
と、約０−２０バールの圧力である流路低圧部分内の出
口接続手段７０と、弁７２が閉じられる時のパージ入口
接続手段７３とにおいて、そのシリンダが分離されるこ
とになる。その後で、シリンダ１１及びガス制御装置５
２のユニット全体が、充填のためにガス供給業者に返還
される。新たな充填済みのガスシリンダが、既にそのシ
リンダ上に永久的に装着されているそのシリンダ自体の
一次モジュール５２（ガス制御装置として働く）と共に
供給され、ガス制御装置５２内を通過する主流路５５が
（後述されるように）パージされ、上記新たなシリンダ
とガス制御装置とが、その新たなガスシリンダの出口接
続手段７０を通してガス使用システムに結合され、且
つ、パージ入口接続手段７３を通してパージシステムに
結合される。従って、約０−２０バールの比較的低い圧
力で開閉が行われることになる。ガス制御装置５２とシ
リンダ１１との間の接続は、ガスシリンダの使用者によ
って切断されることはない。完全な状態のままのシリン
ダとガス制御装置との返却後に、使用者による取り外し
が不可能な密封入口キャップを通してガス供給業者によ
って空シリンダの再充填が行われる。適切なパージの完
了後に、ガス供給業者によって充填口６１と充填弁６０
を通して充填が行われる。
０と安全逃がし弁６２と同様にパージガス弁７２が閉じ
られている。プロセスガスが必要とされる場合には、シ
リンダ弁６４が開かれ、プロセスガスが出口接続手段７
０に供給され、調節可能圧力調整器６６と圧力／フロー
スイッチ６８によって制御され、高圧計器６７と低圧計
器７１とによって監視される。シリンダ１１が空になる
と、約０−２０バールの圧力である流路低圧部分内の出
口接続手段７０と、弁７２が閉じられる時のパージ入口
接続手段７３とにおいて、そのシリンダが分離されるこ
とになる。その後で、シリンダ１１及びガス制御装置５
２のユニット全体が、充填のためにガス供給業者に返還
される。新たな充填済みのガスシリンダが、既にそのシ
リンダ上に永久的に装着されているそのシリンダ自体の
一次モジュール５２（ガス制御装置として働く）と共に
供給され、ガス制御装置５２内を通過する主流路５５が
（後述されるように）パージされ、上記新たなシリンダ
とガス制御装置とが、その新たなガスシリンダの出口接
続手段７０を通してガス使用システムに結合され、且
つ、パージ入口接続手段７３を通してパージシステムに
結合される。従って、約０−２０バールの比較的低い圧
力で開閉が行われることになる。ガス制御装置５２とシ
リンダ１１との間の接続は、ガスシリンダの使用者によ
って切断されることはない。完全な状態のままのシリン
ダとガス制御装置との返却後に、使用者による取り外し
が不可能な密封入口キャップを通してガス供給業者によ
って空シリンダの再充填が行われる。適切なパージの完
了後に、ガス供給業者によって充填口６１と充填弁６０
を通して充填が行われる。
【００８０】次に、図３に示される構成要素のうちの残
りの他の構成要素を説明する。パージガスシリンダ１１
１と一次モジュール１５２の構造は、シリンダ１１と一
次モジュール５２の構造と同一であることが可能であ
り、便宜上、同様の構成要素が、「１」を先頭に付けた
同様の参照番号によって示されている。一次モジュール
１５２の出口接続手段１７０上には、二次モジュール２
５２が装着されている。この二次モジュールは、２５４
で全体が示されている第２の支持体を含み、この第２の
支持体は、図５に示されている支持体５４と概ね同様の
特徴を有する。この二次モジュールは、上記支持体と第
２の入口接続手段２５６と第２の出口接続手段２７０と
を通る主ガス流路２５５を有する。支持体２５４が、第
２の入口接続手段２５６と一次モジュール１５２の出口
接続手段１７０との間の接続部の上に装着され、支持さ
れている。
りの他の構成要素を説明する。パージガスシリンダ１１
１と一次モジュール１５２の構造は、シリンダ１１と一
次モジュール５２の構造と同一であることが可能であ
り、便宜上、同様の構成要素が、「１」を先頭に付けた
同様の参照番号によって示されている。一次モジュール
１５２の出口接続手段１７０上には、二次モジュール２
５２が装着されている。この二次モジュールは、２５４
で全体が示されている第２の支持体を含み、この第２の
支持体は、図５に示されている支持体５４と概ね同様の
特徴を有する。この二次モジュールは、上記支持体と第
２の入口接続手段２５６と第２の出口接続手段２７０と
を通る主ガス流路２５５を有する。支持体２５４が、第
２の入口接続手段２５６と一次モジュール１５２の出口
接続手段１７０との間の接続部の上に装着され、支持さ
れている。
【００８１】入口接続手段２５６は、主ガス流路２５５
を経由して逆流防止弁２８０に接続され、更に、制御弁
２８１と制御弁２８２とに接続され、制御弁２８２の出
口は出口接続手段２７０に接続されている。制御弁２８
１と制御弁２８２との間の接続部には、入口／出口接続
手段２８４に通じる制御弁２８３と、ベンチュリポンプ
２８６を経由してそのポンプの通気口に通じる制御弁２
８５とが接続されている。制御弁２８５とベンチュリポ
ンプ２８６との間には、トランスデューサ２８８が配置
されている。入口接続手段２５６は、制御弁２８９を経
由して逆流防止弁２９０とベンチュリポンプ２８６とに
通じる別のガス流路に接続されている。出口接続手段２
７０は、圧力／真空管路７４によって一次モジュール５
２のパージガス入口７３に接続されている。
を経由して逆流防止弁２８０に接続され、更に、制御弁
２８１と制御弁２８２とに接続され、制御弁２８２の出
口は出口接続手段２７０に接続されている。制御弁２８
１と制御弁２８２との間の接続部には、入口／出口接続
手段２８４に通じる制御弁２８３と、ベンチュリポンプ
２８６を経由してそのポンプの通気口に通じる制御弁２
８５とが接続されている。制御弁２８５とベンチュリポ
ンプ２８６との間には、トランスデューサ２８８が配置
されている。入口接続手段２５６は、制御弁２８９を経
由して逆流防止弁２９０とベンチュリポンプ２８６とに
通じる別のガス流路に接続されている。出口接続手段２
７０は、圧力／真空管路７４によって一次モジュール５
２のパージガス入口７３に接続されている。
【００８２】全ての主入口接続手段と主出口接続手段と
が２つの接続形式の形に標準化されている。入力接続手
段５６、１５６は、圧力ガスシリンダの標準的な出口に
嵌合するように作られている。出口接続手段７０、１７
０、２７０は全て同一の構造であり、対応するあらゆる
二次モジュールの入口接続手段２５６と結合するように
構成されている。出口接続手段１７０と入口接続手段２
５６との間の接続部が、それによって装着される二次モ
ジュールのための構造的な支持体を提供するように、及
び、そのように結合されたモジュールの主ガス流路の間
の流れの連通を実現するように構成されている。しか
し、必要に応じて、出口接続手段７０、１７０、２７０
の各々が、１つの二次モジュールまたは更に別の二次モ
ジュールに接続することが可能であることに加えて、管
路７４のような従来通りの圧力管路に接続されることも
可能である。例えば、二次モジュール２５２の上に更に
別の二次モジュール（図示されていない）が装着されて
いてもよい。
が２つの接続形式の形に標準化されている。入力接続手
段５６、１５６は、圧力ガスシリンダの標準的な出口に
嵌合するように作られている。出口接続手段７０、１７
０、２７０は全て同一の構造であり、対応するあらゆる
二次モジュールの入口接続手段２５６と結合するように
構成されている。出口接続手段１７０と入口接続手段２
５６との間の接続部が、それによって装着される二次モ
ジュールのための構造的な支持体を提供するように、及
び、そのように結合されたモジュールの主ガス流路の間
の流れの連通を実現するように構成されている。しか
し、必要に応じて、出口接続手段７０、１７０、２７０
の各々が、１つの二次モジュールまたは更に別の二次モ
ジュールに接続することが可能であることに加えて、管
路７４のような従来通りの圧力管路に接続されることも
可能である。例えば、二次モジュール２５２の上に更に
別の二次モジュール（図示されていない）が装着されて
いてもよい。
【００８３】次に、典型的な用途における二次モジュー
ル２５２の動作を説明する。２つのタイプのパージが行
われ、その一方は、比較的高圧（例えば２００バール）
でガス供給業者によって行われ、他方は、比較的低圧
（例えば０−２０バール）で使用者によって行われる。
その理由は、シリンダとその一次モジュールとが最初に
組み立てられる時に、シリンダ内に空気が存在するとい
うことである。シリンダが真空パージされる場合でさ
え、これによって汚染物全てを出口構成要素から取り除
くことは不可能であり、従って、シリンダが腐食性また
は可燃性のガスで充填されており、且つ、そのガスが出
口流路を通して放出されることが可能である場合には、
そのシリンダ内に残留する空気または湿気が構成要素と
反応してその構成要素を劣化させることになるだろう。
従って、シリンダが最初に圧力制御装置と共に組み立て
られている最中に、非常に初期の段階で最初の高圧形態
のパージが行われる。更に、高圧パージは、シリンダの
再充填時に一次モジュールに対してガス供給業者によっ
て行われる。この高圧パージは、高圧パージガス供給源
（図示されていない）にパージガス弁７２を接続した後
で、高圧パージガスで一次モジュール５２をパージする
ことによって行われる。これはガス供給業者だけによっ
て行われ、消費者によっては行われない。
ル２５２の動作を説明する。２つのタイプのパージが行
われ、その一方は、比較的高圧（例えば２００バール）
でガス供給業者によって行われ、他方は、比較的低圧
（例えば０−２０バール）で使用者によって行われる。
その理由は、シリンダとその一次モジュールとが最初に
組み立てられる時に、シリンダ内に空気が存在するとい
うことである。シリンダが真空パージされる場合でさ
え、これによって汚染物全てを出口構成要素から取り除
くことは不可能であり、従って、シリンダが腐食性また
は可燃性のガスで充填されており、且つ、そのガスが出
口流路を通して放出されることが可能である場合には、
そのシリンダ内に残留する空気または湿気が構成要素と
反応してその構成要素を劣化させることになるだろう。
従って、シリンダが最初に圧力制御装置と共に組み立て
られている最中に、非常に初期の段階で最初の高圧形態
のパージが行われる。更に、高圧パージは、シリンダの
再充填時に一次モジュールに対してガス供給業者によっ
て行われる。この高圧パージは、高圧パージガス供給源
（図示されていない）にパージガス弁７２を接続した後
で、高圧パージガスで一次モジュール５２をパージする
ことによって行われる。これはガス供給業者だけによっ
て行われ、消費者によっては行われない。
【００８４】使用者による低圧パージの第１の形態が図
３に示されており、この図では、二次モジュール２５２
が、再充填済みシリンダ１１の据え付け時に一次モジュ
ール５２の低圧パージを行うように意図されている。最
初に、二次モジュール２５２において弁２８１が閉じら
れ、弁２８９と弁２８５とが開かれ、その結果として、
シリンダ１１１からのパージガスがベンチュリポンプ２
８６とベンチュリ通気口２８７とを通って外に出て、弁
２８２の上流に真空を生じさせる。弁２８２が開かれる
と、一次モジュール５２の真空パージがパージ管路７４
によって生じる。真空パージの完了後に、ベンチュリ通
気回路弁２８５、２８９が閉じられ、二次モジュールを
通る主流路内の弁２８１が開かれる。その後で、シリン
ダ１１１からのパージガスが低圧でパージ管路７４を通
して送られ、低圧パージを生じさせる。パージ管路７４
がこの真空／パージサイクルによって清浄化される。弁
７２が開かれて、一次モジュール５２の低圧パージを生
じさせる。低圧パージの別の形式が、図３の構成の変形
である図９に示されている。シリンダ１１、１１１及び
一次モジュール５２、１５２は図９と図３とで同一であ
る。パージガスシリンダ１１１上には二次モジュールが
装着されておらず、プロセスガス一次モジュール５２上
には、二次モジュール２５２とは異なった内部弁構成を
有する二次モジュール３５２が装着されている。図９に
示される別の形態のパージ構成の目的は、ベンチュリパ
ージを不要にすることである。
３に示されており、この図では、二次モジュール２５２
が、再充填済みシリンダ１１の据え付け時に一次モジュ
ール５２の低圧パージを行うように意図されている。最
初に、二次モジュール２５２において弁２８１が閉じら
れ、弁２８９と弁２８５とが開かれ、その結果として、
シリンダ１１１からのパージガスがベンチュリポンプ２
８６とベンチュリ通気口２８７とを通って外に出て、弁
２８２の上流に真空を生じさせる。弁２８２が開かれる
と、一次モジュール５２の真空パージがパージ管路７４
によって生じる。真空パージの完了後に、ベンチュリ通
気回路弁２８５、２８９が閉じられ、二次モジュールを
通る主流路内の弁２８１が開かれる。その後で、シリン
ダ１１１からのパージガスが低圧でパージ管路７４を通
して送られ、低圧パージを生じさせる。パージ管路７４
がこの真空／パージサイクルによって清浄化される。弁
７２が開かれて、一次モジュール５２の低圧パージを生
じさせる。低圧パージの別の形式が、図３の構成の変形
である図９に示されている。シリンダ１１、１１１及び
一次モジュール５２、１５２は図９と図３とで同一であ
る。パージガスシリンダ１１１上には二次モジュールが
装着されておらず、プロセスガス一次モジュール５２上
には、二次モジュール２５２とは異なった内部弁構成を
有する二次モジュール３５２が装着されている。図９に
示される別の形態のパージ構成の目的は、ベンチュリパ
ージを不要にすることである。
【００８５】図９の構成の構造と接続を考察すると、二
次モジュール３５２は、２つの制御弁３８０、３８２を
通る主ガス流路３５５に沿って出口接続手段３７０に接
続されている入口接続手段３５６を有する。弁３８０と
弁３８２との間の接続点が、制御弁３９３を経由してパ
ージガス入口３９４に接続され、一方、制御弁３９５を
経由して口３９６に接続されている。パージガス入口３
９４は、一次モジュール１５２の出口接続手段１７０か
ら連通するパージガス管路７８に接続されている。二次
モジュール３５２の出口手段３７０は、プロセスガス管
路７９によってプロセス装置（図示されていない）に接
続されている。図３の構成において空のシリンダ１１を
交換する場合には、一次モジュール５２の出口接続手段
７０と二次モジュール３５２の入口接続手段３５６との
間で開閉が行われる。新たな充填済みのシリンダが提供
される時には、一次モジュール５２がガス供給業者によ
って既に高圧パージされ終わっており、高圧パージガス
で充填された状態で供給される。二次モジュール３５２
と、モジュール５２とモジュール３５２との間の接続部
とをパージするために、その新たなシリンダが入口接続
手段３５６に接続され、低圧パージガスがパージガス管
路７８に沿って供給される。パージ完了後に、パージガ
ス弁３９３が閉じられ、一次モジュールに対する高圧プ
ロセスガスを受け入れるために主シリンダ弁６４を開く
ことによって、一次モジュール５２内の高圧パージガス
が二次モジュール３５２を強制的に通過させられる。図
６に示される別の方法の利点は、ベンチュリパージの最
中に汚染が生じる可能性が取り除かれるということであ
る。
次モジュール３５２は、２つの制御弁３８０、３８２を
通る主ガス流路３５５に沿って出口接続手段３７０に接
続されている入口接続手段３５６を有する。弁３８０と
弁３８２との間の接続点が、制御弁３９３を経由してパ
ージガス入口３９４に接続され、一方、制御弁３９５を
経由して口３９６に接続されている。パージガス入口３
９４は、一次モジュール１５２の出口接続手段１７０か
ら連通するパージガス管路７８に接続されている。二次
モジュール３５２の出口手段３７０は、プロセスガス管
路７９によってプロセス装置（図示されていない）に接
続されている。図３の構成において空のシリンダ１１を
交換する場合には、一次モジュール５２の出口接続手段
７０と二次モジュール３５２の入口接続手段３５６との
間で開閉が行われる。新たな充填済みのシリンダが提供
される時には、一次モジュール５２がガス供給業者によ
って既に高圧パージされ終わっており、高圧パージガス
で充填された状態で供給される。二次モジュール３５２
と、モジュール５２とモジュール３５２との間の接続部
とをパージするために、その新たなシリンダが入口接続
手段３５６に接続され、低圧パージガスがパージガス管
路７８に沿って供給される。パージ完了後に、パージガ
ス弁３９３が閉じられ、一次モジュールに対する高圧プ
ロセスガスを受け入れるために主シリンダ弁６４を開く
ことによって、一次モジュール５２内の高圧パージガス
が二次モジュール３５２を強制的に通過させられる。図
６に示される別の方法の利点は、ベンチュリパージの最
中に汚染が生じる可能性が取り除かれるということであ
る。
【００８６】図１０と図１１は、一次モジュール１５２
と、混合機能を果たすための異なった二次モジュール４
５２とを有する、ガスシリンダ１１１の２つの図を示し
ている。図１０には、そのアセンブリが三次元側面図の
形で示されており、図１１には、流路と構成要素とが示
されている。シリンダ１１１と一次モジュール１５２と
が図３に示されているものと同一であり、同じ参照番号
が使用されている。
と、混合機能を果たすための異なった二次モジュール４
５２とを有する、ガスシリンダ１１１の２つの図を示し
ている。図１０には、そのアセンブリが三次元側面図の
形で示されており、図１１には、流路と構成要素とが示
されている。シリンダ１１１と一次モジュール１５２と
が図３に示されているものと同一であり、同じ参照番号
が使用されている。
【００８７】二次モジュール４５３は、入口接続手段４
５６を有し、主流路４５５が出口接続手段４７０に通じ
ている。入口接続手段４５６は流量制御弁４０１に接続
されており、この流量制御弁４０１の出口は先ず混合器
弁４０２に接続され、その次に蒸気源４０３に接続され
ている。蒸気源４０３の出口も混合器弁４０２に接続さ
れている。混合器弁４０２の出口は出口接続手段４７０
に接続されており、この出口接続手段４７０はプロセス
ガス管路４７９を経由してプロセス装置に接続されてい
る。蒸気源４０３は、拡散管または浸透管であることが
可能な小型の混合ガス発生器である。シリンダ１１１か
らのプロセスガスがガス源４０３を通過させられる時
に、第２のガスとプロセスガスとの混合ガスが発生させ
られ、この混合ガスは流量制御弁４０１によって調節さ
れ、第２のガスの１００万分の１単位の薄い混合ガス、
または、ガス流に対して加えるべき成分のパーセント混
合ガスであることが可能である混合ガスを提供すること
が可能である。この場合には、シリンダ１１１からのプ
ロセスガスがゼロ基準ガスを構成し、モジュール４５３
内の切換え構成が、シリンダ１１１から直接供給される
ゼロガス、または、選択された混合ガスのどちらかを、
プロセス装置に対して提供することを可能にする。この
ゼロガスは、較正用としてプロセス管路に対して使用で
きるものでなければならない。蒸気源４０３が、シリン
ダ１１１からのガス流の中に材料がその半透膜を通って
比較的ゆっくりと浸透または拡散することが可能な半透
膜を有する、ガスまたは液体の形で活性化学物質がその
中に封入されている管であることが好都合である。
５６を有し、主流路４５５が出口接続手段４７０に通じ
ている。入口接続手段４５６は流量制御弁４０１に接続
されており、この流量制御弁４０１の出口は先ず混合器
弁４０２に接続され、その次に蒸気源４０３に接続され
ている。蒸気源４０３の出口も混合器弁４０２に接続さ
れている。混合器弁４０２の出口は出口接続手段４７０
に接続されており、この出口接続手段４７０はプロセス
ガス管路４７９を経由してプロセス装置に接続されてい
る。蒸気源４０３は、拡散管または浸透管であることが
可能な小型の混合ガス発生器である。シリンダ１１１か
らのプロセスガスがガス源４０３を通過させられる時
に、第２のガスとプロセスガスとの混合ガスが発生させ
られ、この混合ガスは流量制御弁４０１によって調節さ
れ、第２のガスの１００万分の１単位の薄い混合ガス、
または、ガス流に対して加えるべき成分のパーセント混
合ガスであることが可能である混合ガスを提供すること
が可能である。この場合には、シリンダ１１１からのプ
ロセスガスがゼロ基準ガスを構成し、モジュール４５３
内の切換え構成が、シリンダ１１１から直接供給される
ゼロガス、または、選択された混合ガスのどちらかを、
プロセス装置に対して提供することを可能にする。この
ゼロガスは、較正用としてプロセス管路に対して使用で
きるものでなければならない。蒸気源４０３が、シリン
ダ１１１からのガス流の中に材料がその半透膜を通って
比較的ゆっくりと浸透または拡散することが可能な半透
膜を有する、ガスまたは液体の形で活性化学物質がその
中に封入されている管であることが好都合である。
【００８８】従って、要約すると、二次モジュール４５
２は２つの流路を与える。一方は、シリンダから出口接
続手段４７０に直線的にガスが進むことを可能にし、他
方の流路は、ガスに蒸気源装置４０３内を通過させるこ
とになる。蒸気源４０３によって添加される蒸気の量
は、流量制御弁４０１で設定される流量と、その装置の
形状と蒸気源の温度に依存する蒸気源の蒸気圧とによっ
て決定される。図１２は、２つのプロセスガスがシリン
ダ１１内とシリンダ５１１内に収容されている別の混合
構成を示している。これらのシリンダの各々の上には、
５２と５５２とで示される一次モジュールが装着されて
おり、これらの一次モジュールは、図３に示されている
モジュール５２と同一である。モジュール５５２の頂部
上には、２つのシリンダからのガスを混合するための二
次モジュール５５３がある。図１２に示されているよう
に、二次モジュール５５３は、一次モジュール５５２上
にモジュール５５３がそれを介して装着されている第１
の入口接続手段５５６と、第２のガス入口５８４とを有
する。二次モジュール５５３は、全体として５５４で示
されている支持体によって形成されており、この支持体
５５４の中には、ガス使用装置（図示されていない）に
プロセスガス管路５７９によって接続されている出口接
続手段５７０にガス入口５５６とガス入口５８４とから
別々に連通している２つの流路が通っている。
２は２つの流路を与える。一方は、シリンダから出口接
続手段４７０に直線的にガスが進むことを可能にし、他
方の流路は、ガスに蒸気源装置４０３内を通過させるこ
とになる。蒸気源４０３によって添加される蒸気の量
は、流量制御弁４０１で設定される流量と、その装置の
形状と蒸気源の温度に依存する蒸気源の蒸気圧とによっ
て決定される。図１２は、２つのプロセスガスがシリン
ダ１１内とシリンダ５１１内に収容されている別の混合
構成を示している。これらのシリンダの各々の上には、
５２と５５２とで示される一次モジュールが装着されて
おり、これらの一次モジュールは、図３に示されている
モジュール５２と同一である。モジュール５５２の頂部
上には、２つのシリンダからのガスを混合するための二
次モジュール５５３がある。図１２に示されているよう
に、二次モジュール５５３は、一次モジュール５５２上
にモジュール５５３がそれを介して装着されている第１
の入口接続手段５５６と、第２のガス入口５８４とを有
する。二次モジュール５５３は、全体として５５４で示
されている支持体によって形成されており、この支持体
５５４の中には、ガス使用装置（図示されていない）に
プロセスガス管路５７９によって接続されている出口接
続手段５７０にガス入口５５６とガス入口５８４とから
別々に連通している２つの流路が通っている。
【００８９】主ガス流路５５５は、入口接続手段５５６
から可変弁５１０とフィルタ５１１とを経由して流量計
５１２に達し、更に混合弁５１３に達する。混合弁５１
３の出口は、出口接続手段５２０に接続されている。第
２のガス入口５８４が、可変弁５１４とフィルタ５１５
と流量計５１６とを経由して、混合弁５１３に接続され
ている。ガス入口５８４は、ガス管路５０によって一次
モジュール５２の出口接続手段７０に接続されている。
動作時には、２つのシリンダ１１、５１１からのガス
が、可変弁５１０、５１４の作用によって所期比率で混
合されることが可能である。図１０と図１１とで説明さ
れている方法に比較して、この構成は、パーセントレベ
ルで混合物を作ることに、より一層適しており、例え
ば、アルゴン／水素混合ガス中で１０％の水素が必要と
される場合のアルゴンと水素の２成分混合ガスを作るこ
とに、より一層適している。図１２の構成は、混合のた
めに、例えば水素用とアルゴン用に２つのシリンダが備
えられることを可能にする。これらシリンダの一方が適
切な混合ガスを収容し、他方のシリンダがバランスガス
を収容する場合には、この方法は、ｐｐｍまたはｐｐｂ
混合ガスを作ることにも適している。
から可変弁５１０とフィルタ５１１とを経由して流量計
５１２に達し、更に混合弁５１３に達する。混合弁５１
３の出口は、出口接続手段５２０に接続されている。第
２のガス入口５８４が、可変弁５１４とフィルタ５１５
と流量計５１６とを経由して、混合弁５１３に接続され
ている。ガス入口５８４は、ガス管路５０によって一次
モジュール５２の出口接続手段７０に接続されている。
動作時には、２つのシリンダ１１、５１１からのガス
が、可変弁５１０、５１４の作用によって所期比率で混
合されることが可能である。図１０と図１１とで説明さ
れている方法に比較して、この構成は、パーセントレベ
ルで混合物を作ることに、より一層適しており、例え
ば、アルゴン／水素混合ガス中で１０％の水素が必要と
される場合のアルゴンと水素の２成分混合ガスを作るこ
とに、より一層適している。図１２の構成は、混合のた
めに、例えば水素用とアルゴン用に２つのシリンダが備
えられることを可能にする。これらシリンダの一方が適
切な混合ガスを収容し、他方のシリンダがバランスガス
を収容する場合には、この方法は、ｐｐｍまたはｐｐｂ
混合ガスを作ることにも適している。
【００９０】一次モジュールの変更例（図示されていな
い）では、その一次モジュールが、そのモジュール内の
切換え機能が遠隔操作によって行われることが可能であ
るように、他の制御及び検出装置と、例えば、遠隔制御
ステーションと通信する送信装置に接続されているマイ
クロチップとを含むことが可能である。
い）では、その一次モジュールが、そのモジュール内の
切換え機能が遠隔操作によって行われることが可能であ
るように、他の制御及び検出装置と、例えば、遠隔制御
ステーションと通信する送信装置に接続されているマイ
クロチップとを含むことが可能である。
【００９１】上記のように、モジュール内の構成要素
は、例えば本明細書の導入部で取り上げた文書、ＳＥＮ
ＳＯＲＳ，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９３の標題「ミクロ
構造のための革命的アクチュエータ」の記事に記述され
ている通り、ミクロ電気機械システム技術によって作ら
れることが可能である。ミクロ機械装置及びシステムは
本来的に、その肉眼的な大きさの同等物よりも小型で、
軽量で、高速で、一般的に精密である。これに加えて、
ＭＥＭＳ技術は、集積回路で使用されるシリコン加工技
術と同様のシリコン加工技術の利点を利用することによ
って、従来通りに機械加工されたシステムに比較して機
能システムのコストを低減させるだろう。こうしたシス
テムの開発は、小型の形状の画成、精密な寸法管理、設
計の柔軟性、及び、制御エレクトロニクスとの整合を可
能にする。この技術はミクロ機械加工したシリコンを使
用し、圧力センサ、位置センサ、加速度センサ、速度セ
ンサ、流量センサ、及び、力センサのような様々なセン
サが使用可能である。
は、例えば本明細書の導入部で取り上げた文書、ＳＥＮ
ＳＯＲＳ，Ｆｅｂｒｕａｒｙ １９９３の標題「ミクロ
構造のための革命的アクチュエータ」の記事に記述され
ている通り、ミクロ電気機械システム技術によって作ら
れることが可能である。ミクロ機械装置及びシステムは
本来的に、その肉眼的な大きさの同等物よりも小型で、
軽量で、高速で、一般的に精密である。これに加えて、
ＭＥＭＳ技術は、集積回路で使用されるシリコン加工技
術と同様のシリコン加工技術の利点を利用することによ
って、従来通りに機械加工されたシステムに比較して機
能システムのコストを低減させるだろう。こうしたシス
テムの開発は、小型の形状の画成、精密な寸法管理、設
計の柔軟性、及び、制御エレクトロニクスとの整合を可
能にする。この技術はミクロ機械加工したシリコンを使
用し、圧力センサ、位置センサ、加速度センサ、速度セ
ンサ、流量センサ、及び、力センサのような様々なセン
サが使用可能である。
【００９２】次に、上記の図面と共に図１３から１６を
参照して、ガス制御装置がモジュール式システムでの使
用に適しているか否かに係わらず、ガス制御装置に充填
回路を備えることに関する本発明の更に別の形態を説明
する。図１３は公知のシステムを示している。図１６
は、本発明のこの形態を具体化する充填システムを示し
ており、図３とその前の他の図とに示されているシステ
ムに対応している。先行の図に示されている構成要素と
一致する構成要素は、先頭に「６」を付加した同じ参照
番号で示してある。図１３から図１６に示されている充
填システムの各々を、システムＡ、．．．、システムＤ
と呼ぶことにする。
参照して、ガス制御装置がモジュール式システムでの使
用に適しているか否かに係わらず、ガス制御装置に充填
回路を備えることに関する本発明の更に別の形態を説明
する。図１３は公知のシステムを示している。図１６
は、本発明のこの形態を具体化する充填システムを示し
ており、図３とその前の他の図とに示されているシステ
ムに対応している。先行の図に示されている構成要素と
一致する構成要素は、先頭に「６」を付加した同じ参照
番号で示してある。図１３から図１６に示されている充
填システムの各々を、システムＡ、．．．、システムＤ
と呼ぶことにする。
【００９３】図１３、図１４、図１５、図１６に共通の
構成要素は次の通りである。シリンダ６１１が、第１の
接続流路６５７によって、概略的に示されている支持体
６５４を有するシリンダ頂部のガス制御装置に接続され
ている。この支持体６５４は、６５６で全体として示さ
れている入口接続手段を介してシリンダ６１１上に支持
されている。支持体６５４は、その支持体内を通過する
主ガス流路（全体として６５５で示される）を有する。
入口接続手段６５６が、圧縮ガス容器６１１上に支持体
６５４を装着するために及びガス容器６１１と連通する
ようにガス流路６５５を接続するために備えられてい
る。入口接続手段５６と充填入口６６１とを通して充填
が行われる。各々の場合に、充填は充填弁を通して行わ
れる。システムＡ、システムＢ、及び、システムＣで
は、充填弁が逆止弁６０８であり、システムＤでは、充
填弁が高圧閉止弁６６０である。ガス制御装置は、ガス
使用装置に接続するための出口接続手段６７０を有す
る。主ガス流路６５５は、入口接続手段５６から、主閉
止弁６６４と、約２００バールから約０−２０バールに
減圧するための圧力調整器６６６とを経由して、出口接
続手段６７０に通じる。概ね本明細書の図３と他の図と
に示されている通りに、他の構成要素が備えられること
が可能である。
構成要素は次の通りである。シリンダ６１１が、第１の
接続流路６５７によって、概略的に示されている支持体
６５４を有するシリンダ頂部のガス制御装置に接続され
ている。この支持体６５４は、６５６で全体として示さ
れている入口接続手段を介してシリンダ６１１上に支持
されている。支持体６５４は、その支持体内を通過する
主ガス流路（全体として６５５で示される）を有する。
入口接続手段６５６が、圧縮ガス容器６１１上に支持体
６５４を装着するために及びガス容器６１１と連通する
ようにガス流路６５５を接続するために備えられてい
る。入口接続手段５６と充填入口６６１とを通して充填
が行われる。各々の場合に、充填は充填弁を通して行わ
れる。システムＡ、システムＢ、及び、システムＣで
は、充填弁が逆止弁６０８であり、システムＤでは、充
填弁が高圧閉止弁６６０である。ガス制御装置は、ガス
使用装置に接続するための出口接続手段６７０を有す
る。主ガス流路６５５は、入口接続手段５６から、主閉
止弁６６４と、約２００バールから約０−２０バールに
減圧するための圧力調整器６６６とを経由して、出口接
続手段６７０に通じる。概ね本明細書の図３と他の図と
に示されている通りに、他の構成要素が備えられること
が可能である。
【００９４】図１３に示されている公知の充填システム
を再度考察すると、減圧器を含むシリンダ頂部アセンブ
リに関するこの従来通りの充填構成には３つの問題点が
ある。これらのアセンブリでは、充填口６６１が、高圧
閉止弁６６４と減圧器６６６との間の使用回路に連通し
ている。通常の使用時には、充填口６６１は、充填がそ
れを通して行われる逆流防止弁６０８によって閉じられ
ている。これら３つの要件は、（ｉ）充填操作中は減圧
器を保護すること、（ｉｉ）通常の使用時には、ＢＩＰ
（組込み清浄器）フィルタまたは逆流防止弁のような機
能要素をガスシリンダの出口に付加することが可能であ
り、且つ、そのアセンブリを通して充填が可能であるこ
と、及び、（ｉｉｉ）（充填中に２つの閉止弁を作動さ
せることなしに）使用していない時には全ての出口にお
いて閉止弁によってガスシリンダが確実に密閉されるこ
とである。
を再度考察すると、減圧器を含むシリンダ頂部アセンブ
リに関するこの従来通りの充填構成には３つの問題点が
ある。これらのアセンブリでは、充填口６６１が、高圧
閉止弁６６４と減圧器６６６との間の使用回路に連通し
ている。通常の使用時には、充填口６６１は、充填がそ
れを通して行われる逆流防止弁６０８によって閉じられ
ている。これら３つの要件は、（ｉ）充填操作中は減圧
器を保護すること、（ｉｉ）通常の使用時には、ＢＩＰ
（組込み清浄器）フィルタまたは逆流防止弁のような機
能要素をガスシリンダの出口に付加することが可能であ
り、且つ、そのアセンブリを通して充填が可能であるこ
と、及び、（ｉｉｉ）（充填中に２つの閉止弁を作動さ
せることなしに）使用していない時には全ての出口にお
いて閉止弁によってガスシリンダが確実に密閉されるこ
とである。
【００９５】図１３と図１５とに示されているように、
これらの要件の幾つかを満たす様々な組合せが可能であ
るが、これらの要件全てを満たす唯一の構成は、図１６
に示されている構成である。
これらの要件の幾つかを満たす様々な組合せが可能であ
るが、これらの要件全てを満たす唯一の構成は、図１６
に示されている構成である。
【００９６】次に、これら４つの充填システムを更に詳
細に参照すると、最初に図１３において、システムＡ
は、医療及びヘリウムシリンダ供給システムで使用され
る公知の充填システムである。充填は、閉止弁６６４と
減圧器６６６との間の主流路６５５に接続する逆止弁６
０８を通して行われる。このシステムの利点は、閉止弁
６６４が、その高圧が使用されるまで高圧をシステムと
オペレータとから隔離した状態に保つということであ
る。充填回路において逆止弁６０８が使用されるが、シ
ステム非使用時の高圧が閉止弁６６４によって対処され
るので、逆止弁６０８がシステム非使用時の高圧を閉じ
込める必要がない。システムＡの欠点は、シリンダ６１
１の充填中に減圧器６６６が高充填圧力を受けるという
ことである。
細に参照すると、最初に図１３において、システムＡ
は、医療及びヘリウムシリンダ供給システムで使用され
る公知の充填システムである。充填は、閉止弁６６４と
減圧器６６６との間の主流路６５５に接続する逆止弁６
０８を通して行われる。このシステムの利点は、閉止弁
６６４が、その高圧が使用されるまで高圧をシステムと
オペレータとから隔離した状態に保つということであ
る。充填回路において逆止弁６０８が使用されるが、シ
ステム非使用時の高圧が閉止弁６６４によって対処され
るので、逆止弁６０８がシステム非使用時の高圧を閉じ
込める必要がない。システムＡの欠点は、シリンダ６１
１の充填中に減圧器６６６が高充填圧力を受けるという
ことである。
【００９７】図１４のシステムＢでは、充填回路が、閉
止弁６６４の上流の主流路６５５と接続する。このシス
テムの欠点は、シリンダが使用中であるか否かに係わら
ず、充填回路内の逆止弁６０８がシリンダ６１１からの
最大圧力を常に受けるということである。
止弁６６４の上流の主流路６５５と接続する。このシス
テムの欠点は、シリンダが使用中であるか否かに係わら
ず、充填回路内の逆止弁６０８がシリンダ６１１からの
最大圧力を常に受けるということである。
【００９８】閉止弁６６４を閉じても、シリンダ６１１
は完全には密閉されず、従って、逆止弁６０８を通して
漏洩が生じる可能性が多少ある。図１５のシステムは、
逆止弁または逆流防止弁６０８が図３の充填回路内の閉
止弁６０の代わりに示されているということを除いて、
概ね図３に示されている通りである。
は完全には密閉されず、従って、逆止弁６０８を通して
漏洩が生じる可能性が多少ある。図１５のシステムは、
逆止弁または逆流防止弁６０８が図３の充填回路内の閉
止弁６０の代わりに示されているということを除いて、
概ね図３に示されている通りである。
【００９９】図１６には、本発明による好ましいシステ
ムであるシステムＤが示されている。充填回路内に逆止
弁６０８の代わりに閉止弁６６０を有する、完全に分離
した充填回路６５９が存在する。これは、モジュール方
式とは無関係に、本発明の特徴を提供する。このシステ
ムの改善点は、分離した充填回路と、逆止弁の代わりの
充填回路内の閉止弁との組合せである。これは、１つの
弁だけを作動させることで充填を行うことを可能にし、
且つ、システム非使用時には２つの閉止弁によってシリ
ンダを完全に密閉することを可能にする。本発明の１つ
以上の形態における本発明の実施例を提供するために、
図１３から図１６に示されている充填システムのいずれ
もが、モジュール方式のような本発明の他の特徴と共に
使用されることが可能であることを理解されたい。
ムであるシステムＤが示されている。充填回路内に逆止
弁６０８の代わりに閉止弁６６０を有する、完全に分離
した充填回路６５９が存在する。これは、モジュール方
式とは無関係に、本発明の特徴を提供する。このシステ
ムの改善点は、分離した充填回路と、逆止弁の代わりの
充填回路内の閉止弁との組合せである。これは、１つの
弁だけを作動させることで充填を行うことを可能にし、
且つ、システム非使用時には２つの閉止弁によってシリ
ンダを完全に密閉することを可能にする。本発明の１つ
以上の形態における本発明の実施例を提供するために、
図１３から図１６に示されている充填システムのいずれ
もが、モジュール方式のような本発明の他の特徴と共に
使用されることが可能であることを理解されたい。
【０１００】図１６に示されている構成の特に好ましい
形態は、組込み清浄器９がシリンダ１１内に備えられ、
且つ、圧力保持弁１０を経由して第１の接続流路５７に
接続されている図３と他の図とに示されている構成であ
る。次に、本発明の様々な形態の幾つかの利点を説明す
る。
形態は、組込み清浄器９がシリンダ１１内に備えられ、
且つ、圧力保持弁１０を経由して第１の接続流路５７に
接続されている図３と他の図とに示されている構成であ
る。次に、本発明の様々な形態の幾つかの利点を説明す
る。
【０１０１】充填回路内の閉止弁とシリンダ上の圧力調
整器との組合せが、幾つかの利点をもたらす。組込み清
浄器が、従来のフィルタでは実現不可能であるＰＰＢ
（１０億分の１単位）更にはＰＰＴ（１兆分の１単位）
の不純物の水準にガスを清浄化することが可能である。
従来の方法では、弁と付属品とを介して互いに接続され
ている一連の個別の流動制御構成要素を通過させること
によって、清浄化されたガスが、そのガスを使用する装
置内の器具に達する。このタイプの構成は、ガスに接触
する大きな表面、漏洩、及び、デッドスペースを不可避
的に生じさせ、従って、清浄化されたガスが再び汚染さ
れることになる。シリンダ頂部に装着されているガス制
御装置内の組込み清浄器の上方に圧力調整器を直接配置
することと、組込み清浄器からの下流の流路内の接続部
の体積と個数を最少限にすることが、汚染を最少限にす
るのに効果的な方法である。
整器との組合せが、幾つかの利点をもたらす。組込み清
浄器が、従来のフィルタでは実現不可能であるＰＰＢ
（１０億分の１単位）更にはＰＰＴ（１兆分の１単位）
の不純物の水準にガスを清浄化することが可能である。
従来の方法では、弁と付属品とを介して互いに接続され
ている一連の個別の流動制御構成要素を通過させること
によって、清浄化されたガスが、そのガスを使用する装
置内の器具に達する。このタイプの構成は、ガスに接触
する大きな表面、漏洩、及び、デッドスペースを不可避
的に生じさせ、従って、清浄化されたガスが再び汚染さ
れることになる。シリンダ頂部に装着されているガス制
御装置内の組込み清浄器の上方に圧力調整器を直接配置
することと、組込み清浄器からの下流の流路内の接続部
の体積と個数を最少限にすることが、汚染を最少限にす
るのに効果的な方法である。
【０１０２】組込み清浄器は、公知のシリンダガス製品
では通常は実現不可能であるシリンダガスの非常に高度
な要求値を実現するために、粒子を濾過することも可能
である。ガス流回路内の付属物が粒子を発生させること
が多い。従って、継手なしに圧力調整器を組込み清浄器
と直接組み合わせるという着想は、粒子発生を低減させ
る。
では通常は実現不可能であるシリンダガスの非常に高度
な要求値を実現するために、粒子を濾過することも可能
である。ガス流回路内の付属物が粒子を発生させること
が多い。従って、継手なしに圧力調整器を組込み清浄器
と直接組み合わせるという着想は、粒子発生を低減させ
る。
【０１０３】組込み清浄器は粒子を効果的に除去するこ
とが可能であるが、高圧ガスが閉止弁のような絞りを通
過して急激に膨張する時には粒子が下流で発生させられ
る可能性がある。組込み清浄器と組み合わせて圧力調整
器を使用することによって、出口圧が低下し、幾つかの
粒子問題が回避でき、粒子測定が著しく容易になる。
とが可能であるが、高圧ガスが閉止弁のような絞りを通
過して急激に膨張する時には粒子が下流で発生させられ
る可能性がある。組込み清浄器と組み合わせて圧力調整
器を使用することによって、出口圧が低下し、幾つかの
粒子問題が回避でき、粒子測定が著しく容易になる。
【０１０４】腐食性ガスの中には、その温度が低いほ
ど、ガス分配システムに対する腐食作用が低下するもの
がある。組込み清浄器は、ガスの腐食性を低減させるた
めに水分を除去することが可能であり、圧力調整器が出
口圧力を低下させて腐食性を更に低減させることが可能
である。
ど、ガス分配システムに対する腐食作用が低下するもの
がある。組込み清浄器は、ガスの腐食性を低減させるた
めに水分を除去することが可能であり、圧力調整器が出
口圧力を低下させて腐食性を更に低減させることが可能
である。
【０１０５】本明細書では、術語「清浄化手段」は、気
体及び／または固体の不純物の除去のための手段を意味
している。同様に、術語「清浄器」または「組込み清浄
器」は、気体及び／または固体の不純物の除去のための
清浄化手段を意味している。適切には、これは、吸収
剤、吸着剤、触媒、及び／もしくは、濾過媒体、並びに
／または、これらの混合物によって実現されることが可
能である。
体及び／または固体の不純物の除去のための手段を意味
している。同様に、術語「清浄器」または「組込み清浄
器」は、気体及び／または固体の不純物の除去のための
清浄化手段を意味している。適切には、これは、吸収
剤、吸着剤、触媒、及び／もしくは、濾過媒体、並びに
／または、これらの混合物によって実現されることが可
能である。
【０１０６】次に、本発明を具体化するモジュール式ガ
ス制御装置の出口接続手段の変型を、図１７と図１８と
を参照しながら説明する。上記の実施例では、各モジュ
ール毎に主ガス流路が、その長さの少なくとも一部分に
おいて、モジュールの入口接続手段と出口接続手段とを
通って延在する支持体の主軸と一直線になっている、好
ましい構成が説明されている。一次モジュールの上方に
二次モジュールを装着するために、モジュールの出口接
続手段が一次モジュールの上部表面上にまたは上部表面
に配置されている好ましい特徴も既に説明されている。
しかし、状況によっては、一連のモジュールの一番上の
モジュールが、最上部の口ではなくて側部の口からその
低圧出口を有することが好ましい場合もある。この利点
は、特に工業用途において、出口手段がガス使用回路か
ら切り離されている時に、汚染物の侵入を防止すること
である。従って、別の好ましい形態では、互いに積み重
ねられた一連のモジュールの各モジュールの出口手段
が、モジュールの側部表面上にその出口手段が備えられ
ている一番上のモジュールを除いて、各モジュール毎に
モジュールの上部表面上にまたは上部表面に備えられて
いる。
ス制御装置の出口接続手段の変型を、図１７と図１８と
を参照しながら説明する。上記の実施例では、各モジュ
ール毎に主ガス流路が、その長さの少なくとも一部分に
おいて、モジュールの入口接続手段と出口接続手段とを
通って延在する支持体の主軸と一直線になっている、好
ましい構成が説明されている。一次モジュールの上方に
二次モジュールを装着するために、モジュールの出口接
続手段が一次モジュールの上部表面上にまたは上部表面
に配置されている好ましい特徴も既に説明されている。
しかし、状況によっては、一連のモジュールの一番上の
モジュールが、最上部の口ではなくて側部の口からその
低圧出口を有することが好ましい場合もある。この利点
は、特に工業用途において、出口手段がガス使用回路か
ら切り離されている時に、汚染物の侵入を防止すること
である。従って、別の好ましい形態では、互いに積み重
ねられた一連のモジュールの各モジュールの出口手段
が、モジュールの側部表面上にその出口手段が備えられ
ている一番上のモジュールを除いて、各モジュール毎に
モジュールの上部表面上にまたは上部表面に備えられて
いる。
【０１０７】図１７では、２つの連続するモジュール７
５２ａ、７５２ｂがその上に装着されているシリンダ１
１が示されている。それぞれの場合に、モジュールの出
口接続手段７７０ａ、７７０ｂの各々が、シリンダ７１
１の軸線と同軸である形で、モジュールの上部表面上に
または上部表面に配置されている。図に示されている最
後のモジュール７５２ｃの場合には、出口接続手段７７
０ｃが、モジュールの側部表面上にまたは側部表面に配
置されている。典型的には、第１のモジュール７５２ａ
が圧力調整器を含み、図３に全体として５２と１５２と
で示されている。こうした調整器モジュールには、図１
７に示されているように上部表面上に出口接続手段７７
０ａが備えられることが可能であり、または、図１８に
示されているように、側部表面上に出口接続手段７７０
ｃが備えられることが可能である。図１７と図１８とに
示されている２つのモジュール７５２ａ、７５２ｄが、
１つの共通の鍛造物から作られることが可能である。図
１７と図１８とに示されている２つの形態の出口を与え
るように、上部表面上または側部表面上に出口が機械加
工されることが可能である。従って、圧力調整器モジュ
ールが、その用途に応じて異なった形で使用される垂直
及び水平の２つのタイプの出口を有することが可能であ
る。垂直出口タイプは、垂直のモジュール積み重ねの少
なくとも１つ以上のモジュールに接続されるモジュール
である。水平出口タイプは、その最終モジュールだけが
圧力調整器モジュールである工業用または医療用一体型
弁のような、最終モジュールとなるモジュールのための
ものである。
５２ａ、７５２ｂがその上に装着されているシリンダ１
１が示されている。それぞれの場合に、モジュールの出
口接続手段７７０ａ、７７０ｂの各々が、シリンダ７１
１の軸線と同軸である形で、モジュールの上部表面上に
または上部表面に配置されている。図に示されている最
後のモジュール７５２ｃの場合には、出口接続手段７７
０ｃが、モジュールの側部表面上にまたは側部表面に配
置されている。典型的には、第１のモジュール７５２ａ
が圧力調整器を含み、図３に全体として５２と１５２と
で示されている。こうした調整器モジュールには、図１
７に示されているように上部表面上に出口接続手段７７
０ａが備えられることが可能であり、または、図１８に
示されているように、側部表面上に出口接続手段７７０
ｃが備えられることが可能である。図１７と図１８とに
示されている２つのモジュール７５２ａ、７５２ｄが、
１つの共通の鍛造物から作られることが可能である。図
１７と図１８とに示されている２つの形態の出口を与え
るように、上部表面上または側部表面上に出口が機械加
工されることが可能である。従って、圧力調整器モジュ
ールが、その用途に応じて異なった形で使用される垂直
及び水平の２つのタイプの出口を有することが可能であ
る。垂直出口タイプは、垂直のモジュール積み重ねの少
なくとも１つ以上のモジュールに接続されるモジュール
である。水平出口タイプは、その最終モジュールだけが
圧力調整器モジュールである工業用または医療用一体型
弁のような、最終モジュールとなるモジュールのための
ものである。
【０１０８】図１９では、図１８に示されているモジュ
ールのような典型的なシリンダ頂部モジュールの内部回
路構成要素が線図として示されている。図１９では、こ
の図に示されている構成要素は、図３の装置５２内の構
成要素と一致している。一致する構成要素は、参照番号
の先頭に「７」を付けた同じ参照番号で示されている。
図１９の実施例と図３の実施例との間の相違点は、図３
の出口手段７０が支持体５４の上部表面から移動されて
おり、図１９では支持体７５４の側部表面上に位置した
出口手段７７０として示されているということである。
ールのような典型的なシリンダ頂部モジュールの内部回
路構成要素が線図として示されている。図１９では、こ
の図に示されている構成要素は、図３の装置５２内の構
成要素と一致している。一致する構成要素は、参照番号
の先頭に「７」を付けた同じ参照番号で示されている。
図１９の実施例と図３の実施例との間の相違点は、図３
の出口手段７０が支持体５４の上部表面から移動されて
おり、図１９では支持体７５４の側部表面上に位置した
出口手段７７０として示されているということである。
【０１０９】出口手段７７０が、モジュールに対して横
向きに（好ましくは水平方向に）向いていることが、最
も好ましい。既に説明したように、その利点は、特に工
業用途の場合に、出口手段７７０が、ユニットの頂部表
面に上向きに装着されているのではなく、ユニットの側
部表面に横向きに装着されている場合には、落下汚染物
によって汚染される可能性がより一層低いということで
ある。
向きに（好ましくは水平方向に）向いていることが、最
も好ましい。既に説明したように、その利点は、特に工
業用途の場合に、出口手段７７０が、ユニットの頂部表
面に上向きに装着されているのではなく、ユニットの側
部表面に横向きに装着されている場合には、落下汚染物
によって汚染される可能性がより一層低いということで
ある。
【０１１０】図１９の実施例では、圧力調整器７６６は
固定圧力調整器７６６であっても可変圧力調整器７６６
Ａであってもよい。パージガス回路７７３、７７２及び
７６３は随意であり、完全に削除されることが可能であ
る。同様に、隔離弁７６９は随意であり、完全に削除さ
れることが可能である。隔離弁７６９が含まれる場合に
は、この隔離弁７６９は図に示されているように閉止弁
であることが可能であり、または、閉止弁ではなく流量
制御弁として働くニードル弁であることも可能である。
固定圧力調整器７６６であっても可変圧力調整器７６６
Ａであってもよい。パージガス回路７７３、７７２及び
７６３は随意であり、完全に削除されることが可能であ
る。同様に、隔離弁７６９は随意であり、完全に削除さ
れることが可能である。隔離弁７６９が含まれる場合に
は、この隔離弁７６９は図に示されているように閉止弁
であることが可能であり、または、閉止弁ではなく流量
制御弁として働くニードル弁であることも可能である。
【０１１１】図１７から図２９は各々に、本発明を具体
化するモジュール積み重ね（図１７）、本発明の一形態
を具体化するガスシリンダの頂部に固定された単一モジ
ュール（図１８）、こうしたモジュールの一例の内部回
路構成要素（図２１）、及び、図１９に示されている実
施例の１０種類の図を示している。これらの１０種類の
図は、図２０から図２９ｍに示されている図から成る。
図２０から図２４の図は、図１９に示されている装置の
１つの実施例に関連し、図２５から図２９は、図１９に
示されている装置の第２の実施例を示している。
化するモジュール積み重ね（図１７）、本発明の一形態
を具体化するガスシリンダの頂部に固定された単一モジ
ュール（図１８）、こうしたモジュールの一例の内部回
路構成要素（図２１）、及び、図１９に示されている実
施例の１０種類の図を示している。これらの１０種類の
図は、図２０から図２９ｍに示されている図から成る。
図２０から図２４の図は、図１９に示されている装置の
１つの実施例に関連し、図２５から図２９は、図１９に
示されている装置の第２の実施例を示している。
【０１１２】最初に図２０から図２３を参照すると、こ
れらの図には、図１９のシリンダ頂部装置の１つの実施
例の４つの直交側面図が示されている。この実施例で
は、ガス制御装置７５２内に５つの機能要素が備えら
れ、即ち、閉止弁７６４、内容物計器７６７、出口接続
部７７０、圧力調整器７６６、及び、充填入口７６１が
備えられる。図２４と図２５は、図２０と図２１の部分
断面図に対応する部分断面図を示す。図に示されている
ように、この装置は、装置の主支持体に対して一定の間
隔を置いてその支持体の周囲を囲むハウジング７５０を
含み、このハウジングは、上記機能を行う個々の構成要
素に対するアクセスまたは目視検査を可能にする幾つか
の開口を有する。ハウジング５０が、入口接続手段７５
６において上記装置がそれに接続されるガス容器を手で
取り扱うための手段を提供するように成形されることが
可能であることが好都合である。（図２０から図２９に
は、ハンドルとガスシリンダは示されていない。）図２
０から図２５の重要性は、ハウジング７５０内の４つの
直交穴または直交開口を通して、５つの機能を果たす構
成要素に対するアクセスと目視検査を可能にするために
好都合な構成要素配置が示されている。図２０から図２
５に示されている実施例が、図１９の特定の構成要素
（例えば、パージガス回路７７３、７７２及び７６３）
が削除されることが可能な実施例であるということを理
解されたい。
れらの図には、図１９のシリンダ頂部装置の１つの実施
例の４つの直交側面図が示されている。この実施例で
は、ガス制御装置７５２内に５つの機能要素が備えら
れ、即ち、閉止弁７６４、内容物計器７６７、出口接続
部７７０、圧力調整器７６６、及び、充填入口７６１が
備えられる。図２４と図２５は、図２０と図２１の部分
断面図に対応する部分断面図を示す。図に示されている
ように、この装置は、装置の主支持体に対して一定の間
隔を置いてその支持体の周囲を囲むハウジング７５０を
含み、このハウジングは、上記機能を行う個々の構成要
素に対するアクセスまたは目視検査を可能にする幾つか
の開口を有する。ハウジング５０が、入口接続手段７５
６において上記装置がそれに接続されるガス容器を手で
取り扱うための手段を提供するように成形されることが
可能であることが好都合である。（図２０から図２９に
は、ハンドルとガスシリンダは示されていない。）図２
０から図２５の重要性は、ハウジング７５０内の４つの
直交穴または直交開口を通して、５つの機能を果たす構
成要素に対するアクセスと目視検査を可能にするために
好都合な構成要素配置が示されている。図２０から図２
５に示されている実施例が、図１９の特定の構成要素
（例えば、パージガス回路７７３、７７２及び７６３）
が削除されることが可能な実施例であるということを理
解されたい。
【０１１３】図２６から図２９は、図１９の装置の別の
実施例の４つの直交側面図を示す。これらの図には、そ
の実施例において、圧力調整を可能にするための手動操
作レバーを有する調節可能圧力調整器７６６Ａ、及び、
流量を表示するために使用可能な低圧出口計器７７１が
更に示されている。従って、図２６から図２９は、その
構成要素が４つの直交口を通してアクセスまたは目視検
査されることが可能であるように、シリンダ頂部装置に
７つの機能を与える構成要素をどのように配置するかを
示している。
実施例の４つの直交側面図を示す。これらの図には、そ
の実施例において、圧力調整を可能にするための手動操
作レバーを有する調節可能圧力調整器７６６Ａ、及び、
流量を表示するために使用可能な低圧出口計器７７１が
更に示されている。従って、図２６から図２９は、その
構成要素が４つの直交口を通してアクセスまたは目視検
査されることが可能であるように、シリンダ頂部装置に
７つの機能を与える構成要素をどのように配置するかを
示している。
【０１１４】さて次に、図３０から図３２を参照しなが
ら、上記の図において概略的な記号で示されている構成
要素の例を説明する。
ら、上記の図において概略的な記号で示されている構成
要素の例を説明する。
【０１１５】図３０には、減圧手段とも圧力膨張弁とも
呼ばれる図３に示されている圧力調整器６６の一例の線
図が示されている。図３０の例は、入口流路８８０と出
口流路８１１とを有する圧力調整器８６６である。流路
８８０に入る高圧ガスは、ピストン８８２内の中央穴を
通ってチャンバ８８３に達し、更にリストリクタ８８４
に達する。チャンバ８８３内の圧力がピストン８８２の
位置を決定する。チャンバ８８３内の圧力が所要圧力を
上回る場合には、ピストン８８２が、この図では、ばね
８８５に逆らって右方向に移動させられ、入口流路８８
０からガスがその中を通って流れる間隙を制限する。図
１１ａに示されている例は固定減圧器であるが、他の例
では、手動で調節可能な減圧があることも可能である。
図３１には、主シリンダ弁とも高圧閉止弁とも呼ばれ
る、図３に示されている閉止弁６４の略図が示されてい
る。図３にも示されている充填弁６０、隔離弁６９、及
び、制御弁２８１、２８２、２８５、２８９を与えるた
めに、図３１の構成要素が、適切な変更が加えられるこ
とによって、使用されることが可能である。
呼ばれる図３に示されている圧力調整器６６の一例の線
図が示されている。図３０の例は、入口流路８８０と出
口流路８１１とを有する圧力調整器８６６である。流路
８８０に入る高圧ガスは、ピストン８８２内の中央穴を
通ってチャンバ８８３に達し、更にリストリクタ８８４
に達する。チャンバ８８３内の圧力がピストン８８２の
位置を決定する。チャンバ８８３内の圧力が所要圧力を
上回る場合には、ピストン８８２が、この図では、ばね
８８５に逆らって右方向に移動させられ、入口流路８８
０からガスがその中を通って流れる間隙を制限する。図
１１ａに示されている例は固定減圧器であるが、他の例
では、手動で調節可能な減圧があることも可能である。
図３１には、主シリンダ弁とも高圧閉止弁とも呼ばれ
る、図３に示されている閉止弁６４の略図が示されてい
る。図３にも示されている充填弁６０、隔離弁６９、及
び、制御弁２８１、２８２、２８５、２８９を与えるた
めに、図３１の構成要素が、適切な変更が加えられるこ
とによって、使用されることが可能である。
【０１１６】図３１に示されている例では、図３１の閉
止弁８６４が、高圧ガスのための入口流路８９０と、出
口流路８９１とを有する。可動弁部材８９２は、手動操
作可能なスピンドル８９３の制御を受けることによっ
て、この図で左方向に移動してその弁を閉じることが可
能であり、一方、この図で右方向に移動してその弁を開
くことが可能である。本明細書では、術語「閉止弁」に
よって、開状態と閉状態とを有し、且つ、その弁を開状
態と閉状態の間で変化させるための制御手段を有する、
制御可能な弁が意味される。
止弁８６４が、高圧ガスのための入口流路８９０と、出
口流路８９１とを有する。可動弁部材８９２は、手動操
作可能なスピンドル８９３の制御を受けることによっ
て、この図で左方向に移動してその弁を閉じることが可
能であり、一方、この図で右方向に移動してその弁を開
くことが可能である。本明細書では、術語「閉止弁」に
よって、開状態と閉状態とを有し、且つ、その弁を開状
態と閉状態の間で変化させるための制御手段を有する、
制御可能な弁が意味される。
【０１１７】図３２は、図３に示されている逆流防止弁
６３の一例の線図である。図３２に示されている例は、
適切な変更が加えられることによって、図３の逆流防止
弁２８０、２９０を形成するためにも使用されることが
可能である。図３２に示されている例では、逆流防止弁
が、可動弁部材８９６を経由して出口流路８９７に通じ
る入口流路８９５を含む。この可動弁部材は、ダイヤフ
ラム８９８上に支持されており、この図では、入口流路
８９５内の高圧ガスがダイヤフラム８９８の圧力に逆ら
って弁部材８９６を弁座８９９から離れた位置に保持す
る時に、可動弁部材が開位置にあるように示されてい
る。入口流路８９５内の圧力が予め決められたレベルよ
りも低下すると、ダイヤフラム８９８が可動弁部材８９
６を弁座８９９に押しつけ、その弁を閉じる。
６３の一例の線図である。図３２に示されている例は、
適切な変更が加えられることによって、図３の逆流防止
弁２８０、２９０を形成するためにも使用されることが
可能である。図３２に示されている例では、逆流防止弁
が、可動弁部材８９６を経由して出口流路８９７に通じ
る入口流路８９５を含む。この可動弁部材は、ダイヤフ
ラム８９８上に支持されており、この図では、入口流路
８９５内の高圧ガスがダイヤフラム８９８の圧力に逆ら
って弁部材８９６を弁座８９９から離れた位置に保持す
る時に、可動弁部材が開位置にあるように示されてい
る。入口流路８９５内の圧力が予め決められたレベルよ
りも低下すると、ダイヤフラム８９８が可動弁部材８９
６を弁座８９９に押しつけ、その弁を閉じる。
【０１１８】一般的に、同様の構成要素が他の実施例で
示される場合には、図３０から図３２に示される例が使
用可能であるということを理解されたい。
示される場合には、図３０から図３２に示される例が使
用可能であるということを理解されたい。
【図１】工業用途における典型的な公知の圧縮ガスシリ
ンダ制御システムの線図である。
ンダ制御システムの線図である。
【図２】有害な及び／または腐食性のガスの場合の構成
要素の配置及び流れを示す典型的なガスキャビネット図
である。
要素の配置及び流れを示す典型的なガスキャビネット図
である。
【図３】図２の従来通りのガスキャビネットに示されて
いる機能を果たすための、本発明を具体化するガス制御
システムの概略図である。
いる機能を果たすための、本発明を具体化するガス制御
システムの概略図である。
【図４】図１０のガス制御システムの物理的構造の側面
図である。
図である。
【図５】図３に概略図として示されている一次モジュー
ルガス制御装置の、部分断面三次元図である。
ルガス制御装置の、部分断面三次元図である。
【図６】図５の内部構成を更に詳細に示す別の三次元図
である。
である。
【図７】更に別の構成要素を基部に追加した、図６に示
されている構成要素の外側の三次元図である。
されている構成要素の外側の三次元図である。
【図８】図７に示されている装置の裏側を示す三次元斜
視図である。
視図である。
【図９】図３の装置に変更が加えられている別の装置の
概略図である。
概略図である。
【図１０】本発明を具体化したガス制御装置の二次モジ
ュールガス供給源を含む混合器モジュールの側面図であ
る。
ュールガス供給源を含む混合器モジュールの側面図であ
る。
【図１１】図１０の装置の内部を示す概略図である。
【図１２】第２の圧縮ガスシリンダを含む、ガスを混合
するための本発明の別の実施態様の概略図である。
するための本発明の別の実施態様の概略図である。
【図１３】ガス制御装置に充填回路を備えたシステムを
示す図である。
示す図である。
【図１４】図１３のシステムの一部を変更した図１３と
同様の図である。
同様の図である。
【図１５】図１４のシステムの変更例を示す図である。
【図１６】本発明の充填システムを示す概略図である。
【図１７】本発明のモジュールの積層体を示す図であ
り、モジュールがガスシリンダーの頂部に固定されたと
ころを示す。
り、モジュールがガスシリンダーの頂部に固定されたと
ころを示す。
【図１８】１つのモジュールがガスシリンダーの頂部に
固定された構造を示す図である。
固定された構造を示す図である。
【図１９】図１８の内部構造を示す図である。
【図２０】モジュールの内部構造を示す図である。
【図２１】図２０の構造となる異なる他の例を示す図２
０と同様の図である。
０と同様の図である。
【図２２】図２０，２１とは異なる他の例を示す図であ
る。
る。
【図２３】図２０〜２２とは異なる他の例を示す図であ
る。
る。
【図２４】図２０〜２３とは異なる他の例を示す図であ
る。
る。
【図２５】図２０〜２４とは異なる他の例を示す図であ
る。
る。
【図２６】図２０〜２５とは異なる他の例を示す図であ
る。
る。
【図２７】図２０〜２６とは異なる他の例を示す図であ
る。
る。
【図２８】図２０〜２７とは異なる他の例を示す図であ
る。
る。
【図２９】図２０〜２８とは異なる他の例を示す図であ
る。
る。
【図３０】本発明の実施態様に関連して使用されること
のできる構成要素の断面図である。
のできる構成要素の断面図である。
【図３１】図３０と構成要素とは異なる構成要素の断面
図である。
図である。
【図３２】図３０とはさらに異なる構成要素の断面図で
ある。
ある。
９，１０９…清浄器 １０，１１０…残留圧力弁 １１，１１１…圧縮ガスシリンダ ５２，１５２…一次モジュール ２５２…二次モジュール ５４，１５４，２５４…支持体 ５５，１５５…ガス流路 ５６，１５６…入口接続手段 ５７，１５７…第１接続流路 ５９，１５９…第２接続流路 ６０，１６０…充填弁 ６１，１６１…充填入口 ６２，１６２…破断円板 ６４，１６４…主シリンダ弁 ６５，１６５…フィルタ ６６，１６６…圧力調整器 ６７，１６７…高圧計器 ６８，１６８…フロースイッチ ６９，１６９…隔離弁 ７０，１７０…出口接続手段 ７１，１７１…低圧計器 ７２，１７２…パージガス入口弁 ７３，１７３…パージガス入口手段 ７４，１７４…パージ管路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダオ ホン ゼン イギリス国，ロンドン イー12 ６キュー ティー，メイナー パーク，シェリダン ロード 25 (72)発明者 ジョン アーベン イギリス国，バッキンガムシャー エイチ ピー15 ６ジェイエス，ハイ ウィコム, クライヤーズ ヒル，クライヤーズ ヒル ロード，‘ミッドウェイズ’ (72)発明者 マーク エー．ジョージ アメリカ合衆国，ペンシルバニア 18106, ウェスコスビル，アイビー レーン 6601
Claims (23)
- 【請求項１】 圧縮ガス容器と共に使用するためのモジ
ュール式ガス制御装置であって、前記装置が、 一次モジュール（１５２）と、この一次モジュール上に
装着された二次モジュール（２５２）とを含み、 前記一次モジュールが、その支持体内を通過する第１の
主ガス流路（１５５）を有する第１の支持体（１５４）
を含み、前記第１の支持体が、 圧縮ガス容器（１１１）上に前記第１の支持体を装着す
るための及び前記ガス容器と連通するように前記ガス流
路を接続するための入口接続手段（１５６）、 前記容器（１１１）内の圧力よりも著しく低い選択され
た圧力で前記ガス流路内にガスを供給するための減圧手
段（１６６）、 前記主ガス流路（１５５）からの出口を与えるための、
前記減圧手段（１６６）の下流の出口接続手段（１７
０）、 前記減圧手段（１６６）の上流の、前記ガス流路（１５
５）内の高圧閉止弁（１６４）、 前記入口接続手段（１５６）を通過する圧縮ガスで前記
容器を充填するための充填手段（１６０、１６１）、並
びに、 前記主ガス流（１５５）に対するパージガスを受け入れ
るための、前記減圧手段（１６６）の上流のパージガス
入口弁（１７２）を有し、 前記二次モジュール（２５２）が、その支持体を通過す
る第２の主ガス流路（２５５）を有する第２の支持体
（２５４）を含み、前記第２の支持体が、 前記一次モジュール（１５２）上に前記第２の支持体を
装着するための及び前記一次モジュール（１５２）の前
記出口接続手段（１７０）に前記第２の主ガス流路（２
５５）を接続するための第２の入口接続手段（２５
６）、並びに前記第２の主ガス流路（２５５）からの出
口を与えるための第２の出口接続手段（２７０）を有
し、 前記二次モジュール（２５３）の前記支持体（２５４）
が、ガス流に関連する機能を果たすための少なくとも２
つの機能構成要素の組合せを有するモジュール式ガス制
御装置。 - 【請求項２】 圧縮ガス容器と共に使用するためのモジ
ュール式ガス制御装置であって、前記装置が、 一次モジュール（１５２）と、この一次モジュール上に
装着された二次モジュール（２５２）とを含み、 前記一次モジュールが、その支持体を通過する第１の主
ガス流路（１５５）を有する第１の支持体（１５４）を
有し、前記第１の支持体が、 圧縮ガス容器（１１１）上に前記第１の支持体を装着す
るための及び前記ガス容器と連通するように前記ガス流
路を接続するための入口接続手段（１５６）、 前記容器（１１１）内の圧力よりも著しく低い選択され
た圧力で前記ガス流路内にガスを供給するための減圧手
段（１６６）、 前記主ガス流路（１５５）からの出口を与えるための、
前記減圧手段（１６６）の下流の出口接続手段（１７
０）、 前記減圧手段（１６６）の上流の、前記ガス流路（１５
５）内の高圧閉止弁（１６４）、並びに、 前記入口接続手段（１５６）を通過する圧縮ガスで前記
容器を充填するための充填手段（１６０、１６１）を有
し、 前記二次モジュール（２５２）が、その支持体を通過す
る第２の主ガス流路（２５５）を有する第２の支持体
（２５４）を含み、前記第２の支持体が、 前記一次モジュール（１５２）上に前記第２の支持体を
装着するための及び前記一次モジュール（１５２）の前
記出口接続手段（１７０）に前記第２の主ガス流路（２
５５）を接続するための第２の入口接続手段（２５
６）、並びに前記第２の主ガス流路（２５５）からの出
口を与えるための第２の出口接続手段（２７０）を有
し、 前記二次モジュール（２５３）の前記支持体（２５４）
が、ガス流に関連する機能を果たすための２つ以上の機
能構成要素の組合せを有し、 前記ガス容器が、主シリンダ軸線を有するシリンダを含
み、前記モジュールの各々が、その入口接続手段とその
出口接続手段とを通過する主軸線を有し、前記モジュー
ル各々の主ガス流路が、その長さの少なくとも一部分に
おいてそのモジュールの主軸線と一直線になっており、
且つ、前記モジュール各々の主軸線が前記主シリンダ軸
線と実質的に同軸であるモジュール式ガス制御装置。 - 【請求項３】 少なくとも２つの二次モジュールを含
み、前記第１の二次モジュールが前記一次モジュール上
に装着されており、前記第２の二次モジュールまたは他
の二次モジュールの各々が、互いに重なり合って二次モ
ジュールの積み重ねを形成するように装着されている請
求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記少なくとも２つの機能構成要素が、
前記第２の支持体内のガス流のパラメータを測定する及
び／もしくは変化させるための手段、並びに／または、
前記第２の支持体内のガス流を切り換える及び／もしく
は通気する及び／もしくは混合するための手段を含む請
求項１から３のいずれかに記載の装置。 - 【請求項５】 圧縮ガス容器と共に使用するためのモジ
ュール式ガス制御装置を提供するためのモジュールのセ
ットであって、前記モジュールのセットが、 一次モジュール（１５２）と、前記一次モジュール上ま
たは別の二次モジュール上に装着されるように各々が適
合させられている複数の二次モジュール（２５３）とを
含み、 前記一次モジュールが、その支持体内を通過する第１の
主ガス流路（１５５）を有する第１の支持体（１５４）
を含み、前記第１の支持体が、 圧縮ガス容器（１１１）上に前記第１の支持体を装着す
るための及び前記ガス容器と連通するように前記ガス流
路を接続するための入口接続手段（１５６）、 前記容器（１１１）内の圧力よりも著しく低い選択され
た圧力で前記ガス流路内にガスを供給するための減圧手
段（１６６）、 前記主ガス流路（１５５）からの出口を与えるための、
前記減圧手段（１６６）の下流の出口接続手段（１７
０）、並びに、 前記入口接続手段（１５６）を通過する圧縮ガスで前記
容器を充填するための充填手段（１６０、１６１）を有
し、 前記二次モジュール（２５３）の各々が、その支持体を
通過する第２の主ガス流路（２５５）を有する第２の支
持体（２５４）を含み、前記第２の支持体が、 前記一次モジュール（１５２）上または別の二次モジュ
ール（２５３）上に前記第２の支持体を装着するための
及び前記一次モジュールまたは前記別の二次モジュール
の主ガス流路に前記第２の主ガス流路（２５５）を接続
するための第２の入口接続手段（２５６）、並びに前記
第２の主ガス流路（２５５）からの出口を与えるための
第２の出口接続手段（２７０）を有し、 前記二次モジュール（２５３）各々の前記支持体（２５
４）が、ガス流に関連する機能を果たすための２つ以上
の機能構成要素の組合せを有するモジュールのセット。 - 【請求項６】 前記第１の支持体（１５４）が更に、前
記主ガス流（１５５）に対するパージガスを受け入れる
ために、前記減圧手段（１６６）の上流に高圧パージガ
ス入口弁（１７２）を有する請求項５に記載のモジュー
ルのセット。 - 【請求項７】 前記一次モジュール（７５２Ａ）と前記
二次モジュール（７５２Ｂ、７５２Ｃ）とがモジュール
の垂直積み重ねの形に配列され、最上部のモジュール
が、そのモジュールの側部表面上に配置されているその
出口接続手段（７７０Ｃ）を有する請求項５または６に
記載のモジュールのセット。 - 【請求項８】 圧縮ガス容器と共に使用するためのモジ
ュール式ガス制御装置であって、前記装置が、 一次モジュールを含み、 前記一次モジュールが、その支持体内を通過する第１の
主ガス流路（１５５）を有する支持体（１５４）を含
み、前記支持体が、 圧縮ガス容器（１１１）上に前記支持体を装着するため
の及び前記ガス容器と連通するように前記ガス流路を接
続するための入口接続手段（１５６）、 前記容器（１１１）内の圧力よりも著しく低い選択され
た圧力で前記ガス流路内にガスを供給するための減圧手
段（１６６）、 前記減圧手段（１６６）の上流の、前記ガス流路（１５
５）内の高圧閉止弁（１６４）、並びに、 前記入口接続手段（１５６）を通過する圧縮ガスで前記
容器を充填するための充填手段（１６０、１６１）を有
し、 前記支持体が更に、前記減圧手段（１６６）の下流に、
前記主ガス流路（１５５）からの出口を与えるための及
び前記一次モジュールの前記主ガス流路と連通する二次
モジュールを前記一次モジュール上に装着するための出
口接続手段（１７０）を含むモジュール式ガス制御装
置。 - 【請求項９】 前記出口接続手段（１７０）が、前記一
次モジュールの上方に前記二次モジュールを装着するた
めに、前記一次モジュールの上部領域上に配置されてい
る請求項８に記載の装置。 - 【請求項１０】 前記支持体が更に、前記主ガス流路
（１５５）に対するパージガスを受け入れるために、前
記減圧手段（１６６）の上流にパージガス入口弁（１７
２）を有する請求項８に記載の装置。 - 【請求項１１】 前記第１の入口接続手段（１５６）が
第１の流路（１５７）と第２の流路（１５９）とを含
み、前記第１の流路（１５７）が前記容器から前記第１
の支持体内を通過する前記主ガス流路（１５５）に通
じ、前記第２の流路（１５７）が前記容器から前記充填
手段（１６０、１６１）に通じている請求項１から１０
のいずれかに記載の装置またはセット。 - 【請求項１２】 圧縮ガス容器と共に使用するためのガ
ス制御装置であって、前記装置が、 その支持体内を通過する主ガス流路（５５、７５４）を
有する支持体（５４、７５４）を有し、前記支持体が、 前記圧縮ガス容器（１１、７１１）上に前記支持体を装
着するための及び前記ガス容器と連通するように前記主
ガス流路を接続するための入口接続手段（５６、７５
６）、 前記容器（１１、７１１）内の圧力よりも著しく低い選
択された圧力で前記ガス流路内にガスを供給するための
減圧手段（６６、７６６）、 前記ガスを利用する装置に直接的または間接的に前記主
ガス流路を接続するための、前記減圧手段（６６、７６
６）の下流の出口接続手段（７０、７７０）、 前記減圧手段の上流の、前記主ガス流路（５５、７５
５）内の高圧閉止弁（６４、７６４）、並びに、 前記入口接続手段（５６、７５６）を通過する圧縮ガス
で前記容器を充填するための充填手段（６０、７６０、
６１、７６１）を有し、 前記入口接続手段（５６、７５６）が第１の流路（５
７、７５７）と第２の流路（５９、７５９）とを含み、
前記第１の流路（５７、７５７）が前記容器から前記支
持体内を通過する前記主ガス流路（５５、７５５）に通
じ、前記第２の流路（５７、７５７）が前記容器から前
記充填手段（６０、７６０、６１、７６１）に通じてお
り、前記充填手段が第２の高圧閉止弁（６０、７６０）
を含むガス制御装置。 - 【請求項１３】 前記主ガス流路（５５、７５５）に対
するパージガスを受け入れるためのパージガス入口弁
（７２、７７２）を、前記減圧手段（６６、７６６）の
上流に含む請求項１２に記載の装置。 - 【請求項１４】 前記出口接続手段（７０、７７０）
が、前記支持体（５４、７５４）の上部領域上に配置さ
れている請求項１２または１３に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記出口接続手段（７０、７７０）
が、前記支持体の側部領域上に配置されている請求項１
２または１３に記載の装置。 - 【請求項１６】 前記容器から出て前記第１の主ガス流
路の中に入るガスを清浄化するために、前記第１の流路
（１５７）と前記ガス容器の内部との間に挿置されてい
る清浄化手段（１０９）が、前記ガス容器（１１１）内
に備えられている請求項１１から１５のいずれかに記載
の装置またはセット。 - 【請求項１７】 前記支持体（１５４、２５４）の各々
が、前記機能構成要素がその上またはその中に装着され
ている単一の材料塊体である請求項１から１６のいずれ
かに記載の装置またはセット。 - 【請求項１８】 前記第１の支持体（１５４）が前記入
口接続手段（１５６）だけによって前記容器（１１１）
上に構造的に支持されている請求項１から１７のいずれ
かに記載の装置またはセット。 - 【請求項１９】 各モジュールにおいて、前記主ガス流
路が、その長さの少なくとも一部分に亙って前記支持体
の主軸線（５１）と概ね一直線になっており、この主軸
線（５１）が前記モジュールの前記入口接続手段と前記
出口接続手段とを通って延在し、且つ、前記モジュール
の前記主軸線が互いに同軸である請求項１から１８のい
ずれかに記載の装置またはセット。 - 【請求項２０】 圧縮ガス容器と共に使用するためのモ
ジュール式ガス制御装置であって、前記装置が、 一次モジュール（１５２）と、この一次モジュール上に
装着された二次モジュール（２５２）とを含み、 前記一次モジュールが、その支持体内を通過する第１の
主ガス流路を有する支持体（１５４）を含み、前記支持
体が、 圧縮ガス容器（１１１）上に前記支持体を装着するため
の及び前記ガス容器と連通するように前記ガス流路を接
続するための入口接続手段（１５６）、 前記容器（１１１）内の圧力よりも著しく低い選択され
た圧力で前記ガス流路内にガスを供給するための減圧手
段（１６６）、 前記主ガス流路（１５５）からの出口を与えるための、
前記減圧手段の下流の出口接続手段（１７０）、 前記減圧手段（１６６）の上流の、前記ガス流路（１５
５）内の高圧閉止弁（１６４）、並びに、 前記入口接続手段（１５６）を通過する圧縮ガスで前記
容器を充填するための充填手段（１６０、１６１）を有
し、 前記第１の支持体が、更に、前記主ガス流路内におい
て、 前記減圧手段の上流に、高圧安全リリーフ装置、また
は、安全リリーフ装置の装着のための構造を提供するよ
うに適合させられている高圧安全リリーフ領域を有し、 前記減圧手段の上流に、パージガス入口弁、または、パ
ージガス入口弁のための構造を提供するように適合させ
られているパージガス入口領域を有し、及び、 前記減圧手段の下流に、前記減圧手段の下流の流体流路
内の圧力を表示するための低圧表示器、または、圧力表
示器のための構造を提供するように適合させられている
低圧表示器領域を有し、 前記二次モジュール（２５２）が、その支持体内を通過
する第２の主ガス流路を有する第２の支持体（２５４）
を含み、前記第２の支持体が、 その支持体を前記一次モジュール（１５２）上に装着す
るための及び前記一次モジュール（１５２）の前記出口
接続手段（１７０）に前記第２の主ガス流路（２５５）
を接続するための第２の入口接続手段（２５６）、並び
に、 前記第２の主ガス流路（２５５）からの出口を与えるた
めの第２の出口接続手段（２７０）を有し、 前記二次モジュールの前記支持体が、ガス流に関連する
機能を果たすための少なくとも２つの機能構成要素の組
合せを有するモジュール式ガス制御装置。 - 【請求項２１】 圧縮ガス容器と共に使用するためのガ
ス制御装置であって、前記装置が、 その支持体内を通過する主ガス流路（１５５）を有する
支持体（１５４）を含み、前記支持体が、 圧縮ガス容器（１１１）上に前記支持体を装着するため
の及び前記ガス容器と連通するように前記ガス流路を接
続するための入口接続手段（１５６）、 前記容器（１１１）内の圧力よりも著しく低い選択され
た圧力で前記ガス流路内にガスを供給するための減圧手
段（１６６）、 前記ガスを使用するための装置に前記主ガス流路を直接
的にまたは間接的に接続するあための、前記減圧手段
（１６６）の下流の出口接続手段（１７０）、 前記減圧手段の上流の、前記主ガス流路（１５５）内の
高圧閉止弁（１６４）、並びに、 前記入口接続手段（１５６）を通過する圧縮ガスで前記
容器を充填するための充填手段（１６０、１６１）を有
し、 前記支持体が、更に、 前記減圧手段の上流に、パージガス入口弁（１７２）、
または、パージガス入口弁のための構造を提供するよう
に適合させられているパージガス入口領域を有するガス
制御装置。 - 【請求項２２】 圧縮ガスを供給する方法であって、 その第１の支持体内を通過する第１の主ガス流路を有す
る第１の支持体をその一次ガス制御モジュールが含み、
且つ、前記第１の支持体が、圧縮ガス容器上に前記第１
の支持体を装着するための及び前記ガス容器と連通する
ように前記ガス流路を接続するための第１の入口接続手
段、前記容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧力
で前記ガス流路内にガスを供給するための減圧手段、前
記減圧手段の下流の第１の出口接続手段、及び、前記入
口接続手段を通過する圧縮ガスで前記容器を充填するた
めの充填手段を有する、一次ガス制御モジュールがその
上に装着されている圧縮ガス容器を設ける段階、 その第２の支持体内を通過する第２の主ガス流路を有す
る第２の支持体をその二次ガス制御モジュールが含み、
前記第２の支持体が、前記一次モジュール上に前記第２
の支持体を装着するための及び前記一次モジュールの前
記出口接続手段に前記第２の主ガス流路を接続するため
の第２の入口接続手段、及び、ガスを利用する装置に前
記第２の主ガス流路を直接的にまたは間接的に接続する
ための第２の出口接続手段を有し、且つ、その二次ガス
制御モジュールの前記支持体が、ガス流に関連する機能
を果たすための少なくとも２つの機能構成要素を有す
る、二次ガス制御モジュールに前記出口接続手段を接続
する段階、 前記ガス利用装置に対して前記ガス制御モジュールを通
して前記ガス容器からガスを放出する段階、 前記ガス容器上に前記一次ガス制御モジュールが装着さ
れている間に、前記ガス利用装置を分離する段階、 前記ガス容器上に前記一次ガス制御モジュールが装着さ
れている間に、前記充填手段を通して前記ガス容器にガ
スを充填する段階、並びに、 前記ガス容器上に前記一次ガス制御モジュールが装着さ
れている間に、前記ガス利用装置を再接続する段階を含
む圧縮ガスの供給方法。 - 【請求項２３】 圧縮ガスを供給するための方法であっ
て、 その支持体内を通過するガス流路を有する支持体をその
ガス制御装置が含み、且つ、前記支持体が、圧縮ガス容
器上に前記支持体を装着するための及び前記ガス容器と
連通するように前記ガス流路を接続するための入口接続
手段、前記容器内の圧力よりも著しく低い選択された圧
力で前記ガス流路内にガスを供給するための減圧手段、
前記減圧手段の下流の出口接続手段、前記入口接続手段
を通過する圧縮ガスで前記容器を充填するための充填手
段、及び、前記減圧手段の上流のパージガス入口弁を有
する、ガス制御装置がその上に装着されている圧縮ガス
容器を提供する段階、 前記ガスを利用するためのガス利用装置に直接的にまた
は間接的に前記出口接続手段を接続する段階、 前記ガス利用装置に対して前記ガス制御装置を通して前
記ガス容器からガスを放出する段階、 前記ガス容器上に前記ガス制御装置が装着されている間
に、前記ガス利用装置を分離する段階、 前記ガス容器上に前記ガス制御装置が装着されている間
に、前記充填手段を通して前記ガス容器にガスを充填す
る段階、 前記ガス容器上に前記ガス制御装置が装着されている間
に、前記パージガス弁を通して前記主ガス流路内にパー
ジガスを送り込む段階、並びに、 前記ガス容器上に前記ガス制御装置が装着されている間
に、前記ガス利用装置を再接続する段階を含む圧縮ガス
の供給方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| GBGB9724168.1A GB9724168D0 (en) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | Gas control device and method of supplying gas |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218297A true JPH11218297A (ja) | 1999-08-10 |
| JP3732662B2 JP3732662B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=10822131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP32531998A Expired - Lifetime JP3732662B2 (ja) | 1997-11-14 | 1998-11-16 | ガス制御装置、及びモジュール式ガス制御装置を提供するための別個のモジュールのセット |
Country Status (8)
| Country | Link |
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| US (6) | US6314986B1 (ja) |
| EP (1) | EP0916891B2 (ja) |
| JP (1) | JP3732662B2 (ja) |
| KR (1) | KR100303226B1 (ja) |
| CA (1) | CA2254101C (ja) |
| DE (1) | DE69836254T3 (ja) |
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| JP2014055675A (ja) * | 2008-09-16 | 2014-03-27 | Air Products And Chemicals Inc | アセチレンを供給するための方法およびシステム |
| CN101868113A (zh) * | 2009-04-16 | 2010-10-20 | 西门子公司 | 气体喷射系统以及用于运行气体喷射系统的方法 |
| JP2014515665A (ja) * | 2011-04-19 | 2014-07-03 | インビジダーム， エルエルシー | 過飽和気体を伴う物質を生成する方法、その経皮デリバリーデバイス、および、その使用 |
| US10130800B2 (en) | 2012-01-27 | 2018-11-20 | Invisiderm, Llc | Method of producing substances with supersaturated gas, transdermal delivery device thereof, and uses thereof |
| JP2013238280A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Toyota Motor Corp | 高圧タンク用のバルブ装置 |
| CN108397574A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-08-14 | 苏州热工研究院有限公司 | 一种核电厂计量标准器防沾污隔离阀及其使用方法 |
| CN108397574B (zh) * | 2018-03-06 | 2020-01-03 | 苏州热工研究院有限公司 | 一种核电厂计量标准器防沾污隔离阀及其使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100303226B1 (ko) | 2001-11-30 |
| US6648021B2 (en) | 2003-11-18 |
| EP0916891A2 (en) | 1999-05-19 |
| EP0916891A3 (en) | 1999-09-08 |
| CA2254101C (en) | 2005-01-04 |
| ES2274558T3 (es) | 2007-05-16 |
| DE69836254T2 (de) | 2007-05-03 |
| JP3732662B2 (ja) | 2006-01-05 |
| ES2274558T5 (es) | 2017-08-16 |
| US20020096211A1 (en) | 2002-07-25 |
| DE69836254D1 (de) | 2006-12-07 |
| US6527009B2 (en) | 2003-03-04 |
| US20010029979A1 (en) | 2001-10-18 |
| EP0916891B2 (en) | 2016-12-14 |
| DE69836254T3 (de) | 2017-05-18 |
| CA2254101A1 (en) | 1999-05-14 |
| EP0916891B1 (en) | 2006-10-25 |
| US20020124883A1 (en) | 2002-09-12 |
| KR19990062571A (ko) | 1999-07-26 |
| US20020023677A1 (en) | 2002-02-28 |
| US6314986B1 (en) | 2001-11-13 |
| GB9724168D0 (en) | 1998-01-14 |
| US20010039961A1 (en) | 2001-11-15 |
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Legal Events
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| A601 | Written request for extension of time |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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