JPH1064918A - シリコン鏡面ウェーハの製造方法およびシリコンウェーハの加工装置 - Google Patents
シリコン鏡面ウェーハの製造方法およびシリコンウェーハの加工装置Info
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- JPH1064918A JPH1064918A JP8235871A JP23587196A JPH1064918A JP H1064918 A JPH1064918 A JP H1064918A JP 8235871 A JP8235871 A JP 8235871A JP 23587196 A JP23587196 A JP 23587196A JP H1064918 A JPH1064918 A JP H1064918A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ゲッタリング領域の形成、ドーパント揮散防
止用保護膜の形成および酸素ドナー消去熱処理といった
付加工程を２種以上行う場合に、生産性を向上すること
ができるシリコン鏡面ウェーハの製造方法およびシリコ
ンウェーハの加工装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 酸素ドナー消去熱処理、ゲッタリング領
域の形成およびドーパント揮散防止膜の形成の各加工工
程のうちの２つ以上の工程を、製造しようとするシリコ
ン鏡面ウェーハの仕様に応じて選択的に同一の装置内で
統合された一つの工程として行う。
止用保護膜の形成および酸素ドナー消去熱処理といった
付加工程を２種以上行う場合に、生産性を向上すること
ができるシリコン鏡面ウェーハの製造方法およびシリコ
ンウェーハの加工装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 酸素ドナー消去熱処理、ゲッタリング領
域の形成およびドーパント揮散防止膜の形成の各加工工
程のうちの２つ以上の工程を、製造しようとするシリコ
ン鏡面ウェーハの仕様に応じて選択的に同一の装置内で
統合された一つの工程として行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ゲッタリング領域
の形成、ドーパント揮散防止用保護膜の形成、および、
酸素ドナー消去熱処理といったシリコンウェーハの加工
を、連続的かつ選択的に行うシリコン鏡面ウェーハの製
造方法に関する。また、ゲッタリング領域の形成、ドー
パント揮散防止用保護膜の形成、および、酸素ドナー消
去熱処理といったシリコンウェーハの加工を、連続的か
つ選択的に行うことができるシリコンウェーハの加工装
置にも関する。
の形成、ドーパント揮散防止用保護膜の形成、および、
酸素ドナー消去熱処理といったシリコンウェーハの加工
を、連続的かつ選択的に行うシリコン鏡面ウェーハの製
造方法に関する。また、ゲッタリング領域の形成、ドー
パント揮散防止用保護膜の形成、および、酸素ドナー消
去熱処理といったシリコンウェーハの加工を、連続的か
つ選択的に行うことができるシリコンウェーハの加工装
置にも関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンデバイスを作製するためのシリ
コン鏡面ウェーハは、一般的に、図１に示すように、シ
リコン単結晶製造装置によって製造されたシリコン単結
晶棒をスライスして薄円盤状のシリコンウェーハを得る
スライス工程Ａと、該スライス工程Ａで得られたシリコ
ンウェーハの割れや欠けを防ぐためにその外周エッジ部
を面取りする面取り工程Ｂと、面取りされたシリコンウ
ェーハをラッピングしてこれを平坦化するラッピング工
程Ｃと、面取り及びラッピングされたシリコンウェーハ
に残留する加工歪みを除去するケミカルエッチング工程
Ｄと、エッチングされたシリコンウェーハの少なくとも
一主面を研磨する鏡面研磨工程Ｅと、少なくとも一主面
が鏡面研磨されたシリコンウェーハを洗浄してこれに付
着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程Ｆを経て製造さ
れる。
コン鏡面ウェーハは、一般的に、図１に示すように、シ
リコン単結晶製造装置によって製造されたシリコン単結
晶棒をスライスして薄円盤状のシリコンウェーハを得る
スライス工程Ａと、該スライス工程Ａで得られたシリコ
ンウェーハの割れや欠けを防ぐためにその外周エッジ部
を面取りする面取り工程Ｂと、面取りされたシリコンウ
ェーハをラッピングしてこれを平坦化するラッピング工
程Ｃと、面取り及びラッピングされたシリコンウェーハ
に残留する加工歪みを除去するケミカルエッチング工程
Ｄと、エッチングされたシリコンウェーハの少なくとも
一主面を研磨する鏡面研磨工程Ｅと、少なくとも一主面
が鏡面研磨されたシリコンウェーハを洗浄してこれに付
着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程Ｆを経て製造さ
れる。
【０００３】この際、エッチング工程Ｄの後直ちに鏡面
研磨工程Ｅを行う場合はあまりなく、製造しようとする
シリコン鏡面ウェーハの仕様（用途）によって、図１に
示すように、上記エッチング工程Ｄを実施した後に、酸
素ドナー消去熱処理、あるいは、デバイスを作製する一
主面（以下、表面と呼ぶ。）とは反対側の一主面（以
下、裏面とも呼ぶ。）へのドーパント揮散防止用保護膜
の形成またはゲッタリング領域の形成（ゲッタリング膜
の形成、ゲッタリング歪層の形成）などの付加工程（加
工工程）Ｇを経た後、鏡面研磨工程Ｅを行う場合が大半
である。例えば、図１に示すように、エッチング工程Ｄ
を経たシリコンウェーハのうち、ａ％がドーパント揮散
防止用保護膜の形成工程へ、またｂ％がドナー消去熱処
理工程へ、またｃ％がゲッタリング膜の形成工程へ、そ
してｄ％がゲッタリング歪層の形成工程へ送られ、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄはほぼ１００％である。そして、その後、例
えばドナー消去熱処理に送られたシリコンウェーハのう
ちのｘ％がさらにドーパント揮散防止用保護膜の形成工
程へ、またｙ％がゲッタリング膜の形成工程へ、そして
ｚ％がゲッタリング歪層の形成工程へ送られる。
研磨工程Ｅを行う場合はあまりなく、製造しようとする
シリコン鏡面ウェーハの仕様（用途）によって、図１に
示すように、上記エッチング工程Ｄを実施した後に、酸
素ドナー消去熱処理、あるいは、デバイスを作製する一
主面（以下、表面と呼ぶ。）とは反対側の一主面（以
下、裏面とも呼ぶ。）へのドーパント揮散防止用保護膜
の形成またはゲッタリング領域の形成（ゲッタリング膜
の形成、ゲッタリング歪層の形成）などの付加工程（加
工工程）Ｇを経た後、鏡面研磨工程Ｅを行う場合が大半
である。例えば、図１に示すように、エッチング工程Ｄ
を経たシリコンウェーハのうち、ａ％がドーパント揮散
防止用保護膜の形成工程へ、またｂ％がドナー消去熱処
理工程へ、またｃ％がゲッタリング膜の形成工程へ、そ
してｄ％がゲッタリング歪層の形成工程へ送られ、ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄはほぼ１００％である。そして、その後、例
えばドナー消去熱処理に送られたシリコンウェーハのう
ちのｘ％がさらにドーパント揮散防止用保護膜の形成工
程へ、またｙ％がゲッタリング膜の形成工程へ、そして
ｚ％がゲッタリング歪層の形成工程へ送られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの付加工程は、
別個の装置で行われるために、シリコンウェーハに２種
以上の付加工程を施そうとする場合には、シリコンウェ
ーハをある装置から次の装置まで移動する必要がある。
このように移動する際に、シリコンウェーハに汚染物が
付着するために、ある付加工程の後、次の付加工程を施
す前に、シリコンウェーハを洗浄しなければならない。
また、付加工程毎にシリコンウェーハの処理能力（スル
ープット）が異なるために、工程在庫（工程と工程の間
で、次の処理を行うために待機させているウェーハ）が
発生する。このようなことから、付加工程を２種以上行
う場合、生産性の低下や納期の延長を招き、その結果、
製造されるシリコン鏡面ウェーハのコスト高を引き起こ
している。
別個の装置で行われるために、シリコンウェーハに２種
以上の付加工程を施そうとする場合には、シリコンウェ
ーハをある装置から次の装置まで移動する必要がある。
このように移動する際に、シリコンウェーハに汚染物が
付着するために、ある付加工程の後、次の付加工程を施
す前に、シリコンウェーハを洗浄しなければならない。
また、付加工程毎にシリコンウェーハの処理能力（スル
ープット）が異なるために、工程在庫（工程と工程の間
で、次の処理を行うために待機させているウェーハ）が
発生する。このようなことから、付加工程を２種以上行
う場合、生産性の低下や納期の延長を招き、その結果、
製造されるシリコン鏡面ウェーハのコスト高を引き起こ
している。
【０００５】さらに近年、シリコン鏡面ウェーハに求め
られるゲッタリング能力等の付加的機能は多様化し、こ
れに伴って、製造すべきシリコン鏡面ウェーハの仕様が
拡大している。求められる付加的機能によって実施され
る付加工程の数や種類やその順序が異なり、工程在庫を
発生させるので、仕様の拡大も、工程在庫の増大、従っ
て生産性の低下などの原因となっている。また、各付加
工程を行う装置が別々の敷地や建物に分散している場合
には、装置間でのシリコンウェーハの輸送も必要とな
り、尚一層、生産性の低下などが問題となる。
られるゲッタリング能力等の付加的機能は多様化し、こ
れに伴って、製造すべきシリコン鏡面ウェーハの仕様が
拡大している。求められる付加的機能によって実施され
る付加工程の数や種類やその順序が異なり、工程在庫を
発生させるので、仕様の拡大も、工程在庫の増大、従っ
て生産性の低下などの原因となっている。また、各付加
工程を行う装置が別々の敷地や建物に分散している場合
には、装置間でのシリコンウェーハの輸送も必要とな
り、尚一層、生産性の低下などが問題となる。
【０００６】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、ゲッタリング領域の形成、ドーパ
ント揮散防止用保護膜の形成および酸素ドナー消去熱処
理といった付加工程を２種以上行う場合に、特に、種々
の仕様のシリコン鏡面ウェーハを製造しようとする場合
であっても、生産性を向上することができるシリコン鏡
面ウェーハの製造方法およびシリコンウェーハの加工装
置を提供することを目的とする。
であり、その目的は、ゲッタリング領域の形成、ドーパ
ント揮散防止用保護膜の形成および酸素ドナー消去熱処
理といった付加工程を２種以上行う場合に、特に、種々
の仕様のシリコン鏡面ウェーハを製造しようとする場合
であっても、生産性を向上することができるシリコン鏡
面ウェーハの製造方法およびシリコンウェーハの加工装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】従って、本発明は、酸素
ドナー消去熱処理、ゲッタリング領域の形成およびドー
パント揮散防止膜の形成の各加工工程が、製造しようと
するシリコン鏡面ウェーハの仕様により選択的に行われ
るシリコン鏡面ウェーハの製造方法において、これらの
加工工程のうちの２つ以上の工程が同一の装置内で前記
仕様に応じて行われることを特徴とする、シリコン鏡面
ウェーハの製造方法（請求項１）、およびゲッタリング
領域の形成を行う処理室、ドーパント揮散防止用保護膜
の形成を行う処理室、および、酸素ドナー消去熱処理を
行う処理室の中から選択される少なくとも２つの処理
室、ならびに、前記各処理室にシリコンウェーハを一枚
ずつまたは複数枚ずつ搬送することができるシリコンウ
ェーハの搬送手段を具備し、前記処理室は同時に運転可
能である、ことを特徴とするシリコンウェーハの加工装
置（請求項２）を要旨とするものである。
ドナー消去熱処理、ゲッタリング領域の形成およびドー
パント揮散防止膜の形成の各加工工程が、製造しようと
するシリコン鏡面ウェーハの仕様により選択的に行われ
るシリコン鏡面ウェーハの製造方法において、これらの
加工工程のうちの２つ以上の工程が同一の装置内で前記
仕様に応じて行われることを特徴とする、シリコン鏡面
ウェーハの製造方法（請求項１）、およびゲッタリング
領域の形成を行う処理室、ドーパント揮散防止用保護膜
の形成を行う処理室、および、酸素ドナー消去熱処理を
行う処理室の中から選択される少なくとも２つの処理
室、ならびに、前記各処理室にシリコンウェーハを一枚
ずつまたは複数枚ずつ搬送することができるシリコンウ
ェーハの搬送手段を具備し、前記処理室は同時に運転可
能である、ことを特徴とするシリコンウェーハの加工装
置（請求項２）を要旨とするものである。
【０００８】そして本発明の上記加工装置において、前
記処理室は、前記搬送手段を中心にしてクラスター状に
連結していることが好ましい（請求項４）。
記処理室は、前記搬送手段を中心にしてクラスター状に
連結していることが好ましい（請求項４）。
【０００９】このように２つ以上の処理室を一つの加工
装置内に設けることによって、付加工程と付加工程の間
でシリコンウェーハを洗浄したり、輸送したりする必要
はなくなり、その結果、生産性が向上する。また、２つ
以上の処理室を同時に運転可能なものとすることによっ
て、複数の種類の加工を一つの加工装置の中で同時に行
うことができ、その際各処理室のシリコンウェーハの処
理能力（スループット）を同じにすることによって、工
程在庫の発生を抑えることができ、より一層生産性の向
上が図れる。また、２つ以上の処理室を、シリコンウェ
ーハの搬送手段を中心にしてクラスター状（房状）に設
けることによって、付加工程を自由に選択して所望の順
序で行うことができ、製造すべきシリコン鏡面ウェーハ
の仕様の拡大に、一つの加工装置で対応でき、また、各
付加工程間での搬送時間を短縮でき、より生産性を向上
することができる。
装置内に設けることによって、付加工程と付加工程の間
でシリコンウェーハを洗浄したり、輸送したりする必要
はなくなり、その結果、生産性が向上する。また、２つ
以上の処理室を同時に運転可能なものとすることによっ
て、複数の種類の加工を一つの加工装置の中で同時に行
うことができ、その際各処理室のシリコンウェーハの処
理能力（スループット）を同じにすることによって、工
程在庫の発生を抑えることができ、より一層生産性の向
上が図れる。また、２つ以上の処理室を、シリコンウェ
ーハの搬送手段を中心にしてクラスター状（房状）に設
けることによって、付加工程を自由に選択して所望の順
序で行うことができ、製造すべきシリコン鏡面ウェーハ
の仕様の拡大に、一つの加工装置で対応でき、また、各
付加工程間での搬送時間を短縮でき、より生産性を向上
することができる。
【００１０】また本発明は、ゲッタリング領域の形成を
行う処理室、ドーパント揮散防止用保護膜の形成を行う
処理室、および、酸素ドナー消去熱処理を行う処理室の
中から選択される少なくとも２つの処理室、ならびに、
前記各処理室にシリコンウェーハを一枚ずつまたは複数
枚ずつ搬送することができるシリコンウェーハの搬送手
段を具備し、前記処理室は同時に運転可能であると共
に、複数枚のシリコンウェーハに対して、複数の種類の
加工を最小時間で行うことができるように前記処理室と
前記搬送手段を制御する制御装置をも具備する、ことを
特徴とするシリコンウェーハの加工装置（請求項３）も
要旨とするものである。この際、前記処理室は、前記搬
送手段を中心にしてクラスター状に連結していることが
好ましい（請求項４）。
行う処理室、ドーパント揮散防止用保護膜の形成を行う
処理室、および、酸素ドナー消去熱処理を行う処理室の
中から選択される少なくとも２つの処理室、ならびに、
前記各処理室にシリコンウェーハを一枚ずつまたは複数
枚ずつ搬送することができるシリコンウェーハの搬送手
段を具備し、前記処理室は同時に運転可能であると共
に、複数枚のシリコンウェーハに対して、複数の種類の
加工を最小時間で行うことができるように前記処理室と
前記搬送手段を制御する制御装置をも具備する、ことを
特徴とするシリコンウェーハの加工装置（請求項３）も
要旨とするものである。この際、前記処理室は、前記搬
送手段を中心にしてクラスター状に連結していることが
好ましい（請求項４）。
【００１１】このように、シリコンウェーハの加工装置
において、搬送手段を制御手段によって制御することに
よって、種々の種類のシリコンウェーハに対して、種々
の種類の加工を行う場合であっても、最小時間で行うこ
とが可能となり、より生産性を向上することができる。
ここで種々の種類の加工とは、１つまたは２つ以上の処
理室で行われるシリコンウェーハの加工であり、例え
ば、酸素ドナー熱処理とドーパント揮散防止用保護膜の
形成、ドーパント揮散防止用保護膜の形成のみ、ゲッタ
リング領域の形成とドーパント揮散防止用保護膜の形
成、酸素ドナー熱処理とゲッタリング領域の形成とドー
パント揮散防止保護膜の形成などが挙げられる。
において、搬送手段を制御手段によって制御することに
よって、種々の種類のシリコンウェーハに対して、種々
の種類の加工を行う場合であっても、最小時間で行うこ
とが可能となり、より生産性を向上することができる。
ここで種々の種類の加工とは、１つまたは２つ以上の処
理室で行われるシリコンウェーハの加工であり、例え
ば、酸素ドナー熱処理とドーパント揮散防止用保護膜の
形成、ドーパント揮散防止用保護膜の形成のみ、ゲッタ
リング領域の形成とドーパント揮散防止用保護膜の形
成、酸素ドナー熱処理とゲッタリング領域の形成とドー
パント揮散防止保護膜の形成などが挙げられる。
【００１２】さらに本発明は、シリコン鏡面ウェーハの
製造方法において、製造しようとするシリコン鏡面ウェ
ーハの仕様に合わせてゲッタリング領域の形成工程、ド
ーパント揮散防止用保護膜の形成工程、および、酸素ド
ナー消去熱処理工程の中から２つ以上の工程を選択し、
これらの選択された２つ以上の工程を、工程と工程との
間でシリコンウェーハを洗浄することなく、連続して行
うことによりシリコンウェーハを加工し、その際、複数
のシリコンウェーハに対する複数の種類の加工が最小時
間で行われるように、シリコンウェーハが一枚ずつまた
は複数枚ずつ各工程に付される、ことを特徴とするシリ
コン鏡面ウェーハの製造方法（請求項６）および上記本
発明のシリコンウェーハの加工装置を用いてシリコンウ
ェーハを加工する、ことを特徴とするシリコン鏡面ウェ
ーハの製造方法（請求項８）も要旨とするものである。
製造方法において、製造しようとするシリコン鏡面ウェ
ーハの仕様に合わせてゲッタリング領域の形成工程、ド
ーパント揮散防止用保護膜の形成工程、および、酸素ド
ナー消去熱処理工程の中から２つ以上の工程を選択し、
これらの選択された２つ以上の工程を、工程と工程との
間でシリコンウェーハを洗浄することなく、連続して行
うことによりシリコンウェーハを加工し、その際、複数
のシリコンウェーハに対する複数の種類の加工が最小時
間で行われるように、シリコンウェーハが一枚ずつまた
は複数枚ずつ各工程に付される、ことを特徴とするシリ
コン鏡面ウェーハの製造方法（請求項６）および上記本
発明のシリコンウェーハの加工装置を用いてシリコンウ
ェーハを加工する、ことを特徴とするシリコン鏡面ウェ
ーハの製造方法（請求項８）も要旨とするものである。
【００１３】シリコン鏡面ウェーハを製造する際に、製
造しようとするシリコン鏡面ウェーハに付加的機能を持
たせるために、上記本発明のシリコンウェーハの加工装
置を用いてシリコンウェーハを加工すると、上記の付加
工程の中から必要な付加工程を自由に選択することがで
き、また、２つ以上の付加工程を行う場合であっても、
その間でシリコンウェーハを洗浄する必要がなく、２つ
以上の付加工程を連続して行うことができるので、種々
の仕様のシリコン鏡面ウェーハを、高い生産性で製造す
ることが可能となる。また、上記本発明のシリコンウェ
ーハの加工装置を用いると、複数のシリコンウェーハに
対する複数の種類の加工を容易に最小時間で行うことが
可能となり、種々の仕様のシリコン鏡面ウェーハを最小
時間で、従ってより高い生産性で製造することができ
る。
造しようとするシリコン鏡面ウェーハに付加的機能を持
たせるために、上記本発明のシリコンウェーハの加工装
置を用いてシリコンウェーハを加工すると、上記の付加
工程の中から必要な付加工程を自由に選択することがで
き、また、２つ以上の付加工程を行う場合であっても、
その間でシリコンウェーハを洗浄する必要がなく、２つ
以上の付加工程を連続して行うことができるので、種々
の仕様のシリコン鏡面ウェーハを、高い生産性で製造す
ることが可能となる。また、上記本発明のシリコンウェ
ーハの加工装置を用いると、複数のシリコンウェーハに
対する複数の種類の加工を容易に最小時間で行うことが
可能となり、種々の仕様のシリコン鏡面ウェーハを最小
時間で、従ってより高い生産性で製造することができ
る。
【００１４】本発明のシリコンウェーハの加工装置、ま
たは本発明のシリコン鏡面ウェーハの製造方法におい
て、ゲッタリング領域の形成を、シリコンウェーハの一
主面にプラズマＣＶＤにより非晶質シリコンを堆積する
ことまたはシリコンウェーハの一主面にプラズマエッチ
ングによりダメージを与えることにより行い、ドーパン
ト揮散防止用保護膜の形成を、プラズマＣＶＤによりシ
リコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成することによ
り行い、酸素ドナー消去熱処理を、ランプ加熱によるラ
ピッドサーマルトリートメントにより行うのが好ましい
（請求項５および請求項７）。これらの手法によれば、
各付加工程のスループットが高く、かつ、処理条件を適
切に選択することによってそれらをほぼ等しくすること
ができ、従って律速となる工程がなくなり、工程在庫が
発生せず、各処理室の稼働率を上げることができ、従来
よりも生産性を向上することができるからである。そし
て、上記製造方法において、加工するシリコンウェーハ
として、導電型および抵抗率の異なる複数のシリコンイ
ンゴットから作製されたケミカルエッチングされたシリ
コンウェーハを使用することができる（請求項９）。
たは本発明のシリコン鏡面ウェーハの製造方法におい
て、ゲッタリング領域の形成を、シリコンウェーハの一
主面にプラズマＣＶＤにより非晶質シリコンを堆積する
ことまたはシリコンウェーハの一主面にプラズマエッチ
ングによりダメージを与えることにより行い、ドーパン
ト揮散防止用保護膜の形成を、プラズマＣＶＤによりシ
リコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成することによ
り行い、酸素ドナー消去熱処理を、ランプ加熱によるラ
ピッドサーマルトリートメントにより行うのが好ましい
（請求項５および請求項７）。これらの手法によれば、
各付加工程のスループットが高く、かつ、処理条件を適
切に選択することによってそれらをほぼ等しくすること
ができ、従って律速となる工程がなくなり、工程在庫が
発生せず、各処理室の稼働率を上げることができ、従来
よりも生産性を向上することができるからである。そし
て、上記製造方法において、加工するシリコンウェーハ
として、導電型および抵抗率の異なる複数のシリコンイ
ンゴットから作製されたケミカルエッチングされたシリ
コンウェーハを使用することができる（請求項９）。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。本発明において、ゲッタリング領域の形成とは、
例えば、シリコンウェーハの裏面に、ゲッタリング膜を
形成すること、または、ダメージを与えること（ゲッタ
リング歪層の形成）である。ゲッタリング領域の形成に
より、シリコン鏡面ウェーハを用いてシリコンデバイス
を作製する工程で発生する重金属等の不純物を、デバイ
ス領域となるシリコン鏡面ウェーハの表面付近の領域外
のゲッタリング領域に集めることができ、これによりデ
バイス特性の劣化を防ぐことができる。
する。本発明において、ゲッタリング領域の形成とは、
例えば、シリコンウェーハの裏面に、ゲッタリング膜を
形成すること、または、ダメージを与えること（ゲッタ
リング歪層の形成）である。ゲッタリング領域の形成に
より、シリコン鏡面ウェーハを用いてシリコンデバイス
を作製する工程で発生する重金属等の不純物を、デバイ
ス領域となるシリコン鏡面ウェーハの表面付近の領域外
のゲッタリング領域に集めることができ、これによりデ
バイス特性の劣化を防ぐことができる。
【００１６】ゲッタリング膜を形成する手法の一つは、
特開昭５９−１８６３３１号公報に記載されているよう
に、減圧ＣＶＤ法を用いて多結晶シリコンを堆積してゲ
ッタリング膜とする手法である。また、ゲッタリング能
力を向上させるため、多結晶シリコンに代わり、非晶質
シリコン（α−Ｓｉ）を堆積する手法もある（特開平４
−２１３３号公報参照）。しかし、本発明のシリコンウ
ェーハ加工装置では、ゲッタリング膜を形成する手法と
して、プラズマＣＶＤにより非晶質シリコンを堆積する
手法を用いるのが特に好ましい。この手法によれば、堆
積温度が数１００℃の低温においても比較的大きなゲッ
タリング膜の成長速度が得られ、スループットが高くな
るからである。また、プラズマＣＶＤにより形成された
非晶質シリコン層は、ゲッタリング能力が高いからであ
る。
特開昭５９−１８６３３１号公報に記載されているよう
に、減圧ＣＶＤ法を用いて多結晶シリコンを堆積してゲ
ッタリング膜とする手法である。また、ゲッタリング能
力を向上させるため、多結晶シリコンに代わり、非晶質
シリコン（α−Ｓｉ）を堆積する手法もある（特開平４
−２１３３号公報参照）。しかし、本発明のシリコンウ
ェーハ加工装置では、ゲッタリング膜を形成する手法と
して、プラズマＣＶＤにより非晶質シリコンを堆積する
手法を用いるのが特に好ましい。この手法によれば、堆
積温度が数１００℃の低温においても比較的大きなゲッ
タリング膜の成長速度が得られ、スループットが高くな
るからである。また、プラズマＣＶＤにより形成された
非晶質シリコン層は、ゲッタリング能力が高いからであ
る。
【００１７】また、シリコンウェーハの裏面にダメージ
を与える手法としては、シリコンウェーハの裏面にＳｉ
Ｏ2 の微粒子を吹きつけて歪みを形成する手法（サンド
ブラスト）があるが、本発明のシリコンウェーハ加工装
置では、プラズマエッチングによりシリコンウェーハの
裏面にエッチングダメージを与える手法を用いるのが好
ましい。この手法によれば、ＳｉＯ2 の微粒子を用いな
いのでパーティクルの発生がないからである。
を与える手法としては、シリコンウェーハの裏面にＳｉ
Ｏ2 の微粒子を吹きつけて歪みを形成する手法（サンド
ブラスト）があるが、本発明のシリコンウェーハ加工装
置では、プラズマエッチングによりシリコンウェーハの
裏面にエッチングダメージを与える手法を用いるのが好
ましい。この手法によれば、ＳｉＯ2 の微粒子を用いな
いのでパーティクルの発生がないからである。
【００１８】ドーパント揮散防止用保護膜の形成は、製
造されたシリコン鏡面ウェーハの表面にシリコン単結晶
薄膜をエピタキシャル成長させる際に、シリコン鏡面ウ
ェーハ中に含まれているドーパントが主としてシリコン
鏡面ウェーハの裏面からエピタキシャル成長を行う気相
中に揮散し、エピタキシャル層に取り込まれる現象（オ
ートドープ）を防止するために行われるものである。オ
ートドープが起こると、遷移幅（エピタキシャル層とシ
リコンウェーハの境界付近で、ドーパント濃度が遷移す
る領域の幅）が広がってしまい、エピタキシャル層の抵
抗率制御が困難となるし、遷移幅の広いエピタキシャル
層を持つシリコンウェーハを用いて作製したシリコンデ
バイスは設計通りの特性を示さず不良となってしまう。
造されたシリコン鏡面ウェーハの表面にシリコン単結晶
薄膜をエピタキシャル成長させる際に、シリコン鏡面ウ
ェーハ中に含まれているドーパントが主としてシリコン
鏡面ウェーハの裏面からエピタキシャル成長を行う気相
中に揮散し、エピタキシャル層に取り込まれる現象（オ
ートドープ）を防止するために行われるものである。オ
ートドープが起こると、遷移幅（エピタキシャル層とシ
リコンウェーハの境界付近で、ドーパント濃度が遷移す
る領域の幅）が広がってしまい、エピタキシャル層の抵
抗率制御が困難となるし、遷移幅の広いエピタキシャル
層を持つシリコンウェーハを用いて作製したシリコンデ
バイスは設計通りの特性を示さず不良となってしまう。
【００１９】ドーパント揮散防止用保護膜を形成する手
法には、常圧化学気相成長装置（常圧ＣＶＤ装置）で、
シリコンウェーハの裏面に常圧ＣＶＤシリコン酸化膜を
形成する手法があるが、本発明のシリコンウェーハ加工
装置では、プラズマＣＶＤによりシリコン酸化膜を形成
する手法を用いるのが好ましい。プラズマＣＶＤによれ
ば、堆積温度が数１００℃の低温においても比較的大き
なシリコン酸化膜の成長速度が得られ、スループットが
高くなるからである。酸素ドナー消去熱処理を行う手法
には、ウェーハを不活性ガス中で６５０〜７００℃の温
度で３０分〜１時間熱処理を行う手法があるが、本発明
のシリコンウェーハ加工装置では、ランプ加熱によるラ
ピッドサーマルプロセス(Rapid Thermal Process, ＲＴ
Ｐ) を採用するのが適している。ＲＴＰによれば、酸素
ドナー消去に要する時間が０．５〜２分間と短時間で済
み、スループットが高くなるからである。酸素ドナー消
去熱処理は、イントリンシック・ゲッタリングのゲッタ
リング核形成熱処理を兼ねる場合もある。
法には、常圧化学気相成長装置（常圧ＣＶＤ装置）で、
シリコンウェーハの裏面に常圧ＣＶＤシリコン酸化膜を
形成する手法があるが、本発明のシリコンウェーハ加工
装置では、プラズマＣＶＤによりシリコン酸化膜を形成
する手法を用いるのが好ましい。プラズマＣＶＤによれ
ば、堆積温度が数１００℃の低温においても比較的大き
なシリコン酸化膜の成長速度が得られ、スループットが
高くなるからである。酸素ドナー消去熱処理を行う手法
には、ウェーハを不活性ガス中で６５０〜７００℃の温
度で３０分〜１時間熱処理を行う手法があるが、本発明
のシリコンウェーハ加工装置では、ランプ加熱によるラ
ピッドサーマルプロセス(Rapid Thermal Process, ＲＴ
Ｐ) を採用するのが適している。ＲＴＰによれば、酸素
ドナー消去に要する時間が０．５〜２分間と短時間で済
み、スループットが高くなるからである。酸素ドナー消
去熱処理は、イントリンシック・ゲッタリングのゲッタ
リング核形成熱処理を兼ねる場合もある。
【００２０】ここで、本発明のシリコンウェーハの加工
装置の例を図２および図３に示す。図２および図３中、
１１は、プラズマＣＶＤにより非晶質シリコンを堆積す
る処理室、１２は、プラズマＣＶＤによりシリコン酸化
膜を形成する処理室、１３は、プラズマエッチングによ
りシリコンウェーハの裏面にダメージを与える処理室、
１４は、ＲＴＰを行う処理室であり、１５は、シリコン
ウェーハの搬送手段であり、そして１６は、制御装置で
ある。
装置の例を図２および図３に示す。図２および図３中、
１１は、プラズマＣＶＤにより非晶質シリコンを堆積す
る処理室、１２は、プラズマＣＶＤによりシリコン酸化
膜を形成する処理室、１３は、プラズマエッチングによ
りシリコンウェーハの裏面にダメージを与える処理室、
１４は、ＲＴＰを行う処理室であり、１５は、シリコン
ウェーハの搬送手段であり、そして１６は、制御装置で
ある。
【００２１】処理室１１〜１４は、同時に運転可能であ
って、処理室１１〜１４では、シリコンウェーハの一枚
ずつの処理（毎葉処理）あるいは数枚ずつの処理（バッ
チ処理）が可能である。また、処理室１１と処理室１２
は、使用する原料ガスを切り換えれば、処理室１２で非
晶質シリコンを堆積し、処理室１１でシリコン酸化膜を
形成することも、あるいは、処理室１１または処理室１
２で非晶質シリコン膜とシリコン酸化膜の複合膜を形成
することもできる。
って、処理室１１〜１４では、シリコンウェーハの一枚
ずつの処理（毎葉処理）あるいは数枚ずつの処理（バッ
チ処理）が可能である。また、処理室１１と処理室１２
は、使用する原料ガスを切り換えれば、処理室１２で非
晶質シリコンを堆積し、処理室１１でシリコン酸化膜を
形成することも、あるいは、処理室１１または処理室１
２で非晶質シリコン膜とシリコン酸化膜の複合膜を形成
することもできる。
【００２２】なお、図２および図３には、４つの処理室
を具備している本発明のシリコンウェーハの加工装置を
示したが、本発明のシリコンウェーハの加工装置は、こ
のような処理室を２つ以上具備したものである。すなわ
ち、本発明のシリコンウェーハの加工装置が、ゲッタリ
ング領域の形成を行う処理室、ドーパント揮散防止用保
護膜の形成を行う処理室、および、酸素ドナー消去熱処
理を行う処理室の中から選択される２つの処理室を具備
するということには、例えば、ゲッタリング領域の形成
を行う処理室として異なる２つの手法によるゲッタリン
グ領域の形成を行う２つの処理室を具備するということ
も含まれる。
を具備している本発明のシリコンウェーハの加工装置を
示したが、本発明のシリコンウェーハの加工装置は、こ
のような処理室を２つ以上具備したものである。すなわ
ち、本発明のシリコンウェーハの加工装置が、ゲッタリ
ング領域の形成を行う処理室、ドーパント揮散防止用保
護膜の形成を行う処理室、および、酸素ドナー消去熱処
理を行う処理室の中から選択される２つの処理室を具備
するということには、例えば、ゲッタリング領域の形成
を行う処理室として異なる２つの手法によるゲッタリン
グ領域の形成を行う２つの処理室を具備するということ
も含まれる。
【００２３】また、搬送手段１５は、任意の処理室にシ
リコンウェーハを一枚ずつまたは複数枚ずつ搬送するこ
とができ、搬送した処理室からシリコンウェーハを取り
出すことができ、それをさらに他の任意の処理室に搬送
できる搬送手段であればどんな搬送手段でもよい。そし
て、処理室１１〜１４は、例えば、図２に示すように、
搬送手段１５を中心にしてクラスター状に連結している
か、または、図３に示すように、搬送手段１５に沿って
直線状に並んでいる。
リコンウェーハを一枚ずつまたは複数枚ずつ搬送するこ
とができ、搬送した処理室からシリコンウェーハを取り
出すことができ、それをさらに他の任意の処理室に搬送
できる搬送手段であればどんな搬送手段でもよい。そし
て、処理室１１〜１４は、例えば、図２に示すように、
搬送手段１５を中心にしてクラスター状に連結している
か、または、図３に示すように、搬送手段１５に沿って
直線状に並んでいる。
【００２４】本発明の好適なシリコンウェーハの加工装
置は、図２および図３に示すように、複数の種類の加工
を最小時間で行うことができるように処理室１１〜１４
および搬送手段１５に制御装置１６を接続したものであ
る。制御装置１６は、主として入力部、演算部および制
御部（いずれも不図示）からなる。
置は、図２および図３に示すように、複数の種類の加工
を最小時間で行うことができるように処理室１１〜１４
および搬送手段１５に制御装置１６を接続したものであ
る。制御装置１６は、主として入力部、演算部および制
御部（いずれも不図示）からなる。
【００２５】例えば、このような加工装置に、図１の工
程ＡからＤを経た、導電型および抵抗率の異なる複数の
シリコンインゴットから作製され、各導電型および抵抗
率毎に分類されたシリコンウェーハの集合体（ロット）
の１種類以上を投入する。その際、それぞれの分類毎
に、必要な付加工程とその順序と処理枚数を、制御装置
の入力部に入力する。制御装置の演算部には、入力され
た全処理条件と処理枚数から、これらを加工するトータ
ル時間が最短になるように計算し、実行するプログラム
が組み込まれており、その演算結果に従って、制御部
が、処理室および搬送手段を制御する。従って、本発明
の加工装置によれば、処理条件や処理枚数が異なる、種
々の仕様のロットが混在していても、最短時間で加工す
ることが可能である。該加工装置に投入されたシリコン
ウェーハは、ロット毎に演算結果に従って、各処理室に
搬送され、そこで必要な加工が行われる。
程ＡからＤを経た、導電型および抵抗率の異なる複数の
シリコンインゴットから作製され、各導電型および抵抗
率毎に分類されたシリコンウェーハの集合体（ロット）
の１種類以上を投入する。その際、それぞれの分類毎
に、必要な付加工程とその順序と処理枚数を、制御装置
の入力部に入力する。制御装置の演算部には、入力され
た全処理条件と処理枚数から、これらを加工するトータ
ル時間が最短になるように計算し、実行するプログラム
が組み込まれており、その演算結果に従って、制御部
が、処理室および搬送手段を制御する。従って、本発明
の加工装置によれば、処理条件や処理枚数が異なる、種
々の仕様のロットが混在していても、最短時間で加工す
ることが可能である。該加工装置に投入されたシリコン
ウェーハは、ロット毎に演算結果に従って、各処理室に
搬送され、そこで必要な加工が行われる。
【００２６】このように必要な付加工程を終了したシリ
コンウェーハは、本発明のシリコンウェーハの加工装置
から取り出され、次の鏡面研磨工程Ｅでその表面が研磨
される。これによって、種々の仕様のシリコン鏡面ウェ
ーハを提供することができる。例えば、処理室１１でシ
リコンウェーハの裏面に非晶質シリコンを堆積した後、
その上に処理室１２でシリコン酸化膜を形成して、ゲッ
タリング機能とオートドープ防止機能を持たせたもの、
あるいは、処理室１４でシリコンウェーハの酸素ドナー
消去熱処理を行った後、処理室１１でシリコンウェーハ
の裏面に非晶質シリコンを堆積して、酸素ドナーの消滅
とゲッタリングを実現したもの、あるいは、処理室１３
でプラズマエッチングによりシリコンウェーハの裏面に
ダメージを与えた後、その上に処理室１１で非晶質シリ
コンを堆積して、複合的なゲッタリング効果を持たせた
もの、あるいは、処理室１２でシリコン酸化膜を形成し
て、オートドープ防止機能を持たせたもの、あるいは、
処理室１４でシリコンウェーハの酸素ドナー消去熱処理
を行った後、処理室１１でシリコンウェーハの裏面に非
晶質シリコンを堆積し、その上に処理室１２でシリコン
ウェーハ酸化膜を形成して、酸素ドナーの消去とゲッタ
リングとオートドープ防止を実現したものを提供するこ
とができる。
コンウェーハは、本発明のシリコンウェーハの加工装置
から取り出され、次の鏡面研磨工程Ｅでその表面が研磨
される。これによって、種々の仕様のシリコン鏡面ウェ
ーハを提供することができる。例えば、処理室１１でシ
リコンウェーハの裏面に非晶質シリコンを堆積した後、
その上に処理室１２でシリコン酸化膜を形成して、ゲッ
タリング機能とオートドープ防止機能を持たせたもの、
あるいは、処理室１４でシリコンウェーハの酸素ドナー
消去熱処理を行った後、処理室１１でシリコンウェーハ
の裏面に非晶質シリコンを堆積して、酸素ドナーの消滅
とゲッタリングを実現したもの、あるいは、処理室１３
でプラズマエッチングによりシリコンウェーハの裏面に
ダメージを与えた後、その上に処理室１１で非晶質シリ
コンを堆積して、複合的なゲッタリング効果を持たせた
もの、あるいは、処理室１２でシリコン酸化膜を形成し
て、オートドープ防止機能を持たせたもの、あるいは、
処理室１４でシリコンウェーハの酸素ドナー消去熱処理
を行った後、処理室１１でシリコンウェーハの裏面に非
晶質シリコンを堆積し、その上に処理室１２でシリコン
ウェーハ酸化膜を形成して、酸素ドナーの消去とゲッタ
リングとオートドープ防止を実現したものを提供するこ
とができる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を用いて
説明する。実施例 ２種類の異なるシリコンインゴットから作製され、図１
のエッチング工程Ｄまで終了した、直径６インチで主表
面が（１００）面である、表１に示す仕様のシリコンウ
ェーハを原料ウェーハとして各仕様につき５０枚ずつ用
意した。これらの原料ウェーハを、表１に示す裏面処理
条件で、加工した。
説明する。実施例 ２種類の異なるシリコンインゴットから作製され、図１
のエッチング工程Ｄまで終了した、直径６インチで主表
面が（１００）面である、表１に示す仕様のシリコンウ
ェーハを原料ウェーハとして各仕様につき５０枚ずつ用
意した。これらの原料ウェーハを、表１に示す裏面処理
条件で、加工した。
【００２８】
【表１】
【００２９】２ロットで計１００枚の原料ウェーハをロ
ット別に分類し洗浄した後、裏面処理を行うため、図２
に示す本発明のシリコンウェーハの加工装置内にセット
すると共に、ロット別に処理条件を入力部から入力し
た。各処理室における付加工程はすべて１枚ずつ行われ
た。また、各処理室における処理条件の設定の際には、
各処理室での１枚あたりの処理時間が、ウェーハの出し
入れ時間も含めて、約２分になるように、炉内温度や炉
内圧力の設定を行った。
ット別に分類し洗浄した後、裏面処理を行うため、図２
に示す本発明のシリコンウェーハの加工装置内にセット
すると共に、ロット別に処理条件を入力部から入力し
た。各処理室における付加工程はすべて１枚ずつ行われ
た。また、各処理室における処理条件の設定の際には、
各処理室での１枚あたりの処理時間が、ウェーハの出し
入れ時間も含めて、約２分になるように、炉内温度や炉
内圧力の設定を行った。
【００３０】ロットＮｏ．００１の非晶質シリコンの堆
積（処理１）とロットＮｏ．００２のＲＴＰ（処理１）
は、それぞれ処理室１１と１４で同時に行われた。そし
て処理１後、シリコンウェーハは、それぞれ、処理室１
１および処理室１４から取り出され、そのまま、洗浄す
ることなく、処理２を行う処理室１２および処理室１１
に搬送された。処理２も、処理１と同様に、それぞれ処
理室１２と処理室１１で同時に行われた。従って、２ロ
ットで計１００枚を加工するのに要した時間は、該加工
装置にセットする前の洗浄工程に要した時間約３０分を
含め、トータルで約２４０分であった。
積（処理１）とロットＮｏ．００２のＲＴＰ（処理１）
は、それぞれ処理室１１と１４で同時に行われた。そし
て処理１後、シリコンウェーハは、それぞれ、処理室１
１および処理室１４から取り出され、そのまま、洗浄す
ることなく、処理２を行う処理室１２および処理室１１
に搬送された。処理２も、処理１と同様に、それぞれ処
理室１２と処理室１１で同時に行われた。従って、２ロ
ットで計１００枚を加工するのに要した時間は、該加工
装置にセットする前の洗浄工程に要した時間約３０分を
含め、トータルで約２４０分であった。
【００３１】比較例 実施例と同一仕様の２種類の原料ウェーハをそれぞれ５
０枚ずつ用意した。そして、これらのウェーハに表２に
示す工程フローを従来の装置を用いて施した。すなわ
ち、表２に示すロットＮｏ．００３とＮｏ．００４の２
つのロットは別々に加工された。また、表２に示す通
り、各付加工程の間でシリコンウェーハの洗浄が行われ
た。また、多結晶シリコンの堆積は、減圧ＣＶＤ法を用
い、また、ＣＶＤシリコン酸化膜の形成は、常圧ＣＶＤ
装置を用いて行った。ドナー消去熱処理は、不活性ガス
中で６５０〜７００℃の温度で３０分間の熱処理により
行った。また各付加工程は５０枚ずつ行われた。
０枚ずつ用意した。そして、これらのウェーハに表２に
示す工程フローを従来の装置を用いて施した。すなわ
ち、表２に示すロットＮｏ．００３とＮｏ．００４の２
つのロットは別々に加工された。また、表２に示す通
り、各付加工程の間でシリコンウェーハの洗浄が行われ
た。また、多結晶シリコンの堆積は、減圧ＣＶＤ法を用
い、また、ＣＶＤシリコン酸化膜の形成は、常圧ＣＶＤ
装置を用いて行った。ドナー消去熱処理は、不活性ガス
中で６５０〜７００℃の温度で３０分間の熱処理により
行った。また各付加工程は５０枚ずつ行われた。
【００３２】
【表２】
【００３３】加工時間の合計は、それぞれ約２９０分と
２２０分であった。すなわち、両ロットを並行して加工
したとしても、最低２９０分を要することになる。これ
らの実施例および比較例の結果から、本発明によれば、
最短時間で複数の仕様の原料ウェーハに複数の種類の加
工を施すことができ、生産性を向上することができるこ
とがわかる。
２２０分であった。すなわち、両ロットを並行して加工
したとしても、最低２９０分を要することになる。これ
らの実施例および比較例の結果から、本発明によれば、
最短時間で複数の仕様の原料ウェーハに複数の種類の加
工を施すことができ、生産性を向上することができるこ
とがわかる。
【００３４】なお、本発明は、上記実施の形態および実
施例に限定されるものではない。上記実施の形態および
実施例は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載さ
れた技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作
用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明
の技術的範囲に包含される。
施例に限定されるものではない。上記実施の形態および
実施例は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載さ
れた技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作
用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明
の技術的範囲に包含される。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、裏面にゲッタリング膜
やオートドープ防止用保護膜などの付加機能を有するシ
リコン鏡面ウェーハの製造において、工程在庫を極力減
らし装置の稼働率を上げることができ、また、付加工程
の各工程毎に必要とされていたシリコンウェーハの洗浄
を１回のみに低減することができる。さらに、そのオペ
レーションを標準化し簡素化することで省力化を図れる
と共に、処理条件や処理枚数が異なる、種々の仕様のロ
ットが混在していても、最短時間での処理が可能とな
る。従って、これらの効果により、生産性の向上、納期
の短縮、そして製品のコスト低減を図ることができる。
やオートドープ防止用保護膜などの付加機能を有するシ
リコン鏡面ウェーハの製造において、工程在庫を極力減
らし装置の稼働率を上げることができ、また、付加工程
の各工程毎に必要とされていたシリコンウェーハの洗浄
を１回のみに低減することができる。さらに、そのオペ
レーションを標準化し簡素化することで省力化を図れる
と共に、処理条件や処理枚数が異なる、種々の仕様のロ
ットが混在していても、最短時間での処理が可能とな
る。従って、これらの効果により、生産性の向上、納期
の短縮、そして製品のコスト低減を図ることができる。
【図１】 シリコン鏡面ウェーハの製造工程を示すフロ
ー図である。
ー図である。
【図２】 本発明のシリコンウェーハの加工装置の一例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図３】 本発明のシリコンウェーハの加工装置の他の
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
１１、１２、１３、１４…処理室、１５…搬送手段、
１６…制御装置、Ａ…スライス工程、
Ｂ…面取り工程、Ｃ…ラッピング工程、
Ｄ…エッチング工程、Ｅ…鏡面研磨工程、
Ｆ…洗浄工程、Ｇ…付加工程。
１６…制御装置、Ａ…スライス工程、
Ｂ…面取り工程、Ｃ…ラッピング工程、
Ｄ…エッチング工程、Ｅ…鏡面研磨工程、
Ｆ…洗浄工程、Ｇ…付加工程。
Claims (9)
- 【請求項１】 酸素ドナー消去熱処理、ゲッタリング領
域の形成およびドーパント揮散防止膜の形成の各加工工
程が、製造しようとするシリコン鏡面ウェーハの仕様に
より選択的に行われるシリコン鏡面ウェーハの製造方法
において、これらの加工工程のうちの２つ以上の工程が
同一の装置内で前記仕様に応じて行われることを特徴と
する、シリコン鏡面ウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 ゲッタリング領域の形成を行う処理室、
ドーパント揮散防止用保護膜の形成を行う処理室、およ
び、酸素ドナー消去熱処理を行う処理室の中から選択さ
れる少なくとも２つの処理室、ならびに、前記各処理室
にシリコンウェーハを一枚ずつまたは複数枚ずつ搬送す
ることができるシリコンウェーハの搬送手段を具備し、
前記処理室は同時に運転可能である、ことを特徴とする
シリコンウェーハの加工装置。 - 【請求項３】 ゲッタリング領域の形成を行う処理室、
ドーパント揮散防止用保護膜の形成を行う処理室、およ
び、酸素ドナー消去熱処理を行う処理室の中から選択さ
れる少なくとも２つの処理室、ならびに、前記各処理室
にシリコンウェーハを一枚ずつまたは複数枚ずつ搬送す
ることができるシリコンウェーハの搬送手段を具備し、
前記処理室は同時に運転可能であると共に、複数枚のシ
リコンウェーハに対して、複数の種類の加工を最小時間
で行うことができるように前記処理室と前記搬送手段を
制御する制御装置をも具備する、ことを特徴とするシリ
コンウェーハの加工装置。 - 【請求項４】 前記処理室が、前記搬送手段を中心にし
てクラスター状に連結している、ことを特徴とする、請
求項２または請求項３に記載のシリコンウェーハの加工
装置。 - 【請求項５】 ゲッタリング領域の形成が、シリコンウ
ェーハの一主面にプラズマＣＶＤにより非晶質シリコン
を堆積することまたはシリコンウェーハの一主面にプラ
ズマエッチングによりダメージを与えることにより行わ
れ、ドーパント揮散防止用保護膜の形成が、プラズマＣ
ＶＤによりシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成
することにより行われ、酸素ドナー消去熱処理が、ラン
プ加熱によるラピッドサーマルトリートメントにより行
われる、ことを特徴とする請求項２ないし請求項４のい
ずれか１項に記載のシリコンウェーハの加工装置。 - 【請求項６】 シリコン鏡面ウェーハの製造方法におい
て、製造しようとするシリコン鏡面ウェーハの仕様に合
わせてゲッタリング領域の形成工程、ドーパント揮散防
止用保護膜の形成工程、および、酸素ドナー消去熱処理
工程の中から２つ以上の工程を選択し、これらの選択さ
れた２つ以上の工程を、工程と工程との間でシリコンウ
ェーハを洗浄することなく、連続して行うことによりシ
リコンウェーハを加工し、その際、複数のシリコンウェ
ーハに対する複数の種類の加工が最小時間で行われるよ
うに、シリコンウェーハが一枚ずつまたは複数枚ずつ各
工程に付される、ことを特徴とするシリコン鏡面ウェー
ハの製造方法。 - 【請求項７】 ゲッタリング領域の形成が、シリコンウ
ェーハの一主面にプラズマＣＶＤにより非晶質シリコン
を堆積することまたはシリコンウェーハの一主面にプラ
ズマエッチングによりダメージを与えることにより行わ
れ、ドーパント揮散防止用保護膜の形成が、プラズマＣ
ＶＤによりシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を形成
することにより行われ、酸素ドナー消去熱処理が、ラン
プ加熱によるラピッドサーマルトリートメントにより行
われる、ことを特徴とする請求項１または請求項６に記
載のシリコン鏡面ウェーハの製造方法。 - 【請求項８】 請求項２ないし請求項５のいずれか１項
に記載のシリコンウェーハの加工装置を用いてシリコン
ウェーハを加工する、ことを特徴とするシリコン鏡面ウ
ェーハの製造方法。 - 【請求項９】 加工するシリコンウェーハが、導電型お
よび抵抗率の異なる複数のシリコンインゴットから作製
され、ケミカルエッチングされたシリコンウェーハであ
る、ことを特徴とする請求項１、請求項６、請求項７ま
たは請求項８に記載のシリコン鏡面ウェーハの製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23587196A JP3491463B2 (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | シリコン鏡面ウェーハの製造方法およびシリコンウェーハの加工装置 |
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