JPH02138738A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02138738A JPH02138738A JP31790288A JP31790288A JPH02138738A JP H02138738 A JPH02138738 A JP H02138738A JP 31790288 A JP31790288 A JP 31790288A JP 31790288 A JP31790288 A JP 31790288A JP H02138738 A JPH02138738 A JP H02138738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plasma
- phosphorus
- gas
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 P-5 ION Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000001007 puffing effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板上に金属配線を形成後、さらにそ
の上にブロッキング作用とゲッタリング作用を！備した
パッシベーション膜がプラズマ励起ＣＶＤ法で被覆され
る半導体装置の製造方法に関する。
の上にブロッキング作用とゲッタリング作用を！備した
パッシベーション膜がプラズマ励起ＣＶＤ法で被覆され
る半導体装置の製造方法に関する。
従来、金属配線形成後のバンシベーシッン膜としてはプ
ラズマ窒化膜（Ｐ−５ＩＮ Ｂ）、プラズマ燐ガラス膜
（Ｐ−ＰＳＧ膜）あるいはプラズマオキシナイトライド
Ｍ（Ｐ−３ｉＯＮ膜）がよく知られている。パ。
ラズマ窒化膜（Ｐ−５ＩＮ Ｂ）、プラズマ燐ガラス膜
（Ｐ−ＰＳＧ膜）あるいはプラズマオキシナイトライド
Ｍ（Ｐ−３ｉＯＮ膜）がよく知られている。パ。
シベーシッン膜のパッシベーション効果は、大別してブ
ロッキング作用とゲッタリング作用の二つに分けられ、
そのうちブロンキング作用とは機械的損傷からの半導体
装置の保護や、外界からの水分の浸入によるＭの腐食、
ｉ！食の防止の他、アルカリイオン等の不純物イオンや
金属不純物原子の侵入を阻止したり、α線によるソフト
エラー効果を緩和させ特性の安定化を図るという作用で
あり、それに加えＭ配線上のヒロックやエレクトロマイ
グレーシランの発生を抑制し信転性を向上させる効果を
持つ。すなわちデバイスの表面を絶縁保護膜で被覆し、
外界の雰囲気から遮断することでデバイスの信鎖性を確
保しようとするものである。
ロッキング作用とゲッタリング作用の二つに分けられ、
そのうちブロンキング作用とは機械的損傷からの半導体
装置の保護や、外界からの水分の浸入によるＭの腐食、
ｉ！食の防止の他、アルカリイオン等の不純物イオンや
金属不純物原子の侵入を阻止したり、α線によるソフト
エラー効果を緩和させ特性の安定化を図るという作用で
あり、それに加えＭ配線上のヒロックやエレクトロマイ
グレーシランの発生を抑制し信転性を向上させる効果を
持つ。すなわちデバイスの表面を絶縁保護膜で被覆し、
外界の雰囲気から遮断することでデバイスの信鎖性を確
保しようとするものである。
一方ゲツタリング作用とは、外界から内部に侵入しよう
とするイオン等をその保護膜内部で捕捉し、固定、不働
態化してしまう作用であり、特に特徴的な作用としてパ
ッシベーション膜の下層に残存しているアルカリイオン
なども捕獲、不活性化し、Ｓｔ−５ＩＯｇ界面、すなわ
ちＭＯ３界面を安定化させるという作用も持っている０
以上がパッシベーション膜に要求される基本的特性であ
る。
とするイオン等をその保護膜内部で捕捉し、固定、不働
態化してしまう作用であり、特に特徴的な作用としてパ
ッシベーション膜の下層に残存しているアルカリイオン
なども捕獲、不活性化し、Ｓｔ−５ＩＯｇ界面、すなわ
ちＭＯ３界面を安定化させるという作用も持っている０
以上がパッシベーション膜に要求される基本的特性であ
る。
パッシベーション膜としてよく知られている膜のうちの
Ｐ−５ｉＮ膜は、機械的強度が強く、さらにアルカリイ
オン、 Ｈ，Ｏ，α線などのブロック性に優れているが
、＋５〜６ Ｘ ｌＯ”ｄｙｎｓ／ｃ１１！程度の非常
に高い圧縮性の内部応力をもつため、例えばＭの配線幅
が３〜２−になると、その応力に起因してＭにスリット
状の空洞が生ずることにより電流密度が高くなり、エレ
クトロマイグレーシランにより断線を起こす確率が高く
なるという問題があった。
Ｐ−５ｉＮ膜は、機械的強度が強く、さらにアルカリイ
オン、 Ｈ，Ｏ，α線などのブロック性に優れているが
、＋５〜６ Ｘ ｌＯ”ｄｙｎｓ／ｃ１１！程度の非常
に高い圧縮性の内部応力をもつため、例えばＭの配線幅
が３〜２−になると、その応力に起因してＭにスリット
状の空洞が生ずることにより電流密度が高くなり、エレ
クトロマイグレーシランにより断線を起こす確率が高く
なるという問題があった。
これに加え、内部応力を減少させるような膜の生成条件
にすると、今度はトレードオフ的に膜中水素濃度が・２
〜３Ｍ量％に高くなり、その水素がＭＯ８界面に移動し
てホットエレクトロンをトラップしＭＯＳの闇値電圧の
変動を招くという問題も報告されている０次にｐ−ｐｓ
ｃ膜の場合は、燐が添加されているため、ゲッタリング
効果によりアルカリイオンを固定できると共に燐をドー
プしない通常のプラズマ酸化膜（Ｐ−３ｉＯ膜）に比し
熱膨張係数が増加し、Ｍとの熱膨張係数の差を小さくで
きるのでＭ上でクランクを生じに（くすることができる
、さらに、膜中の水素量は微小であるのでＰ−５ＩＮ膜
で問題となったようなＭＯ５界面の不安定性の問題はな
い、しかし現状、通常使用されているＰ ！ Ｏｓ ｒ
Ｊ１度は、内部応力を＋２ Ｘ １０’ｄｙｎｓ／−以
下に小さくするため通常５重量％程度であり、燐がある
程度入っているので耐水性が低下しＭの腐食、電食を引
き起こすという可能性もすてきれないという問題があっ
た。もちろん、ブロッキング性、膜の硬度という観点で
はＰ−５ｉＮ ＭＪＯ方がを利である。最後に、膜の応
力を緩和することを目的としたものにＰ−ＳｉＯＮ膜が
ある。この性質は膜の生成条件にも大きく依存するが、
Ｐ−３ＩＯ［とＰ−５ＩＮ膜の両者の性質をあわせもつ
と考えられる０例えば比誘電率は４．７でｐ−５ｔｏ膜
と同程度である。水分に対する耐水性はＰ−３ＩＮ膜と
同程度である。そして、膜の内部応力は生成条件を適当
に選択すると零応力或いは−２Ｘ １０’ｄｙｎｓ／ｃ
ＪＡ程度の引っ張り性にすることが出来る。しかし、膜
中に燐が含有されていないのでバッシベーシッン効果の
うちゲッタリング効果はないという不完全さがあり、例
えばりフロー膜として上部に硼素ガラス膜（ＢＳＧ膜）
を使用した場合は、半導体装置としてのゲッタリング効
果が不充分なものとなる問題があった。
にすると、今度はトレードオフ的に膜中水素濃度が・２
〜３Ｍ量％に高くなり、その水素がＭＯ８界面に移動し
てホットエレクトロンをトラップしＭＯＳの闇値電圧の
変動を招くという問題も報告されている０次にｐ−ｐｓ
ｃ膜の場合は、燐が添加されているため、ゲッタリング
効果によりアルカリイオンを固定できると共に燐をドー
プしない通常のプラズマ酸化膜（Ｐ−３ｉＯ膜）に比し
熱膨張係数が増加し、Ｍとの熱膨張係数の差を小さくで
きるのでＭ上でクランクを生じに（くすることができる
、さらに、膜中の水素量は微小であるのでＰ−５ＩＮ膜
で問題となったようなＭＯ５界面の不安定性の問題はな
い、しかし現状、通常使用されているＰ ！ Ｏｓ ｒ
Ｊ１度は、内部応力を＋２ Ｘ １０’ｄｙｎｓ／−以
下に小さくするため通常５重量％程度であり、燐がある
程度入っているので耐水性が低下しＭの腐食、電食を引
き起こすという可能性もすてきれないという問題があっ
た。もちろん、ブロッキング性、膜の硬度という観点で
はＰ−５ｉＮ ＭＪＯ方がを利である。最後に、膜の応
力を緩和することを目的としたものにＰ−ＳｉＯＮ膜が
ある。この性質は膜の生成条件にも大きく依存するが、
Ｐ−３ＩＯ［とＰ−５ＩＮ膜の両者の性質をあわせもつ
と考えられる０例えば比誘電率は４．７でｐ−５ｔｏ膜
と同程度である。水分に対する耐水性はＰ−３ＩＮ膜と
同程度である。そして、膜の内部応力は生成条件を適当
に選択すると零応力或いは−２Ｘ １０’ｄｙｎｓ／ｃ
ＪＡ程度の引っ張り性にすることが出来る。しかし、膜
中に燐が含有されていないのでバッシベーシッン効果の
うちゲッタリング効果はないという不完全さがあり、例
えばりフロー膜として上部に硼素ガラス膜（ＢＳＧ膜）
を使用した場合は、半導体装置としてのゲッタリング効
果が不充分なものとなる問題があった。
本発明の課題は、上記の各パッシベーション膜の問題点
を解決して、膜の内部応力は充分低減され、しかもブロ
ンキング作用とゲッタリング作用とを兼ね備えたパッシ
ベーション膜をプラズマ励起ＣＶＤ法で形成する半導体
装置の製造方法を提供することにある。
を解決して、膜の内部応力は充分低減され、しかもブロ
ンキング作用とゲッタリング作用とを兼ね備えたパッシ
ベーション膜をプラズマ励起ＣＶＤ法で形成する半導体
装置の製造方法を提供することにある。
上記ｉｌ！題の解決のために、本発明の方法は、金属配
線を形成した半導体基板を真空反応槽に収容し、少なく
とも５ｉ）Ｉオ、ＮｔＯ，ＮＨｓおよびＰＨ３の各ガス
を含むふん囲気中でプラズマを発生させ、プラズマ励起
ＣＶＤ法により半導体基板の金属配線形成面上を１〜３
重量％の燐がドープされたシリコンオキシナイトライド
からなるパッシベーション膜により被覆するものとする
。さらにまた、金属配線を形成した半導体基板を真空反
応槽に収容し、少なくともＳ ｉ Ｈａ ＋ Ｎ ！
Ｏ＋ Ｎ Ｈ３およびＰＨ３の各ガスを含む雰囲気中で
プラズマを発生させ、プラズマ励起ＣＶＤ法により半導
体基板の金属配線形成面上を２〜５重量％の燐がドープ
されたシリコンオキシナイトライドからなるバンシベー
シ９ン膜下層で被覆したのち、前記各ガス中２１１．の
みを含まない雰囲気中での同様なプラズマ励起ＣＶＤ法
により前記パッシベーション腰下層を燐をドープしない
シリコンオキシナイトライドからなるパ・ノシベーシッ
ン膜上層で被覆するものとする。
線を形成した半導体基板を真空反応槽に収容し、少なく
とも５ｉ）Ｉオ、ＮｔＯ，ＮＨｓおよびＰＨ３の各ガス
を含むふん囲気中でプラズマを発生させ、プラズマ励起
ＣＶＤ法により半導体基板の金属配線形成面上を１〜３
重量％の燐がドープされたシリコンオキシナイトライド
からなるパッシベーション膜により被覆するものとする
。さらにまた、金属配線を形成した半導体基板を真空反
応槽に収容し、少なくともＳ ｉ Ｈａ ＋ Ｎ ！
Ｏ＋ Ｎ Ｈ３およびＰＨ３の各ガスを含む雰囲気中で
プラズマを発生させ、プラズマ励起ＣＶＤ法により半導
体基板の金属配線形成面上を２〜５重量％の燐がドープ
されたシリコンオキシナイトライドからなるバンシベー
シ９ン膜下層で被覆したのち、前記各ガス中２１１．の
みを含まない雰囲気中での同様なプラズマ励起ＣＶＤ法
により前記パッシベーション腰下層を燐をドープしない
シリコンオキシナイトライドからなるパ・ノシベーシッ
ン膜上層で被覆するものとする。
Ｐ−５１０膜とＰ−５ｉＮ膜の両者の性質をあわせもち
、かつ膜の内部応力を低減することのできるＰ−５ｉＯ
Ｎ膜作成時のプラズマ中にＰＨｓガスを導入することに
よりゲッタリング効果をもつ燐ドープのＳ＋ＯＮ膜が得
られ、低応力でブロッキング効果とゲッタリング効果を
もつパッシベーション膜で金属配線を被覆した、信頼性
の高い半導体装置が得られる。
、かつ膜の内部応力を低減することのできるＰ−５ｉＯ
Ｎ膜作成時のプラズマ中にＰＨｓガスを導入することに
よりゲッタリング効果をもつ燐ドープのＳ＋ＯＮ膜が得
られ、低応力でブロッキング効果とゲッタリング効果を
もつパッシベーション膜で金属配線を被覆した、信頼性
の高い半導体装置が得られる。
また、同様なプラズマ励起ＣＶＤ法でパフシヘーション
膜を下層の燐ドープのＰ−５ｉＯＮ膜と上層の燐をトー
プしないＰ−５ｉＯＮ膜からなる２層構造とすることで
、パフシベーシッン膜の内部応力を低減した上で、上層
膜のブロッキング効果１耐湿性を利用し、上層膜に欠け
るゲッタリング効果を下層の燐ドープのＰ−５ＩＯＮ膜
で補うようにし、さらに金属配線上で耐クランク性を向
上させた、より信転性の高い半導体装置を得ることがで
きる。
膜を下層の燐ドープのＰ−５ｉＯＮ膜と上層の燐をトー
プしないＰ−５ｉＯＮ膜からなる２層構造とすることで
、パフシベーシッン膜の内部応力を低減した上で、上層
膜のブロッキング効果１耐湿性を利用し、上層膜に欠け
るゲッタリング効果を下層の燐ドープのＰ−５ＩＯＮ膜
で補うようにし、さらに金属配線上で耐クランク性を向
上させた、より信転性の高い半導体装置を得ることがで
きる。
第１図ｆａｔ、（ｂｌは本発明の一つの一実施例の工程
を示し、シリコン基板１にシリコン酸化膜２を介してア
ルミニウム電極配線３を形成し （図ａ）、次いで枚葉
式平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応槽にこの基板
を収容する０反応槽には、５ＩＨ４ガスを３０ｓｅｃｍ
、 ＮＨ３ガスを２０〜２００ｓｅｃｗ、Ｎ、Ｏガスを
５０〜２００ｓｅｃｍ、キャリアガスとしてのＡｒガス
を３００ｓｅｃｍの２ｉｔｉｌで導入するほか、５ｉＨ
ａに対し０．０２〜０．１２の流量比でＰＨ，ガスを導
入し、圧力を１〜３ Ｔｏｒｒに設定して、生成温度３
８０〜４２０℃、高周波電源周波数２００〜４００ＫＨ
ｚ、高周波パワー３０Ｗの条件でプラズマを発生させ、
堆積速度５００〜６００人／分で燐がドープされたプラ
ズマシリコンオキシナイトライド膜（Ｐ−５ｉＯＮＰ膜
）４を堆積させる （図ｂ）。
を示し、シリコン基板１にシリコン酸化膜２を介してア
ルミニウム電極配線３を形成し （図ａ）、次いで枚葉
式平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応槽にこの基板
を収容する０反応槽には、５ＩＨ４ガスを３０ｓｅｃｍ
、 ＮＨ３ガスを２０〜２００ｓｅｃｗ、Ｎ、Ｏガスを
５０〜２００ｓｅｃｍ、キャリアガスとしてのＡｒガス
を３００ｓｅｃｍの２ｉｔｉｌで導入するほか、５ｉＨ
ａに対し０．０２〜０．１２の流量比でＰＨ，ガスを導
入し、圧力を１〜３ Ｔｏｒｒに設定して、生成温度３
８０〜４２０℃、高周波電源周波数２００〜４００ＫＨ
ｚ、高周波パワー３０Ｗの条件でプラズマを発生させ、
堆積速度５００〜６００人／分で燐がドープされたプラ
ズマシリコンオキシナイトライド膜（Ｐ−５ｉＯＮＰ膜
）４を堆積させる （図ｂ）。
ＰＨｓガスの流量等の生成条件は、燐濃度は耐湿性とゲ
ッタリング作用に関しトレードオフの関係にあることを
考慮し、１〜３重量重量％色なるように調整した。第２
図は膜の生成条件と内部応力の関係の一例を示し、Ｎ１
３．の流量を一定にしてＲ−ＮよＯ／ （Ｎ！Ｏ＋ Ｎ
Ｈａ）の値を変化させたときには、Ｒ＝０．２および０
．８付近で内部応力零の状態が得られることがわかる。
ッタリング作用に関しトレードオフの関係にあることを
考慮し、１〜３重量重量％色なるように調整した。第２
図は膜の生成条件と内部応力の関係の一例を示し、Ｎ１
３．の流量を一定にしてＲ−ＮよＯ／ （Ｎ！Ｏ＋ Ｎ
Ｈａ）の値を変化させたときには、Ｒ＝０．２および０
．８付近で内部応力零の状態が得られることがわかる。
第３図ｆａ＋、［ｂｌは本発明の他の一つの一実施例の
工程を示し、図ｔａ＋は第１ｕ（ａ＋と同様である０次
いで第１図（ｂｌにおけると同様な条件のＮｚ０−５ｉ
Ｈｎ−ＮｕｓＰＩ’＋３系のガスを用いてのプラズマ励
起ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯＮＰ膜４を堆積させる。燐
濃度は、Ｍ電極配ｖＡ３上での耐クラツク性の向上のた
め粘性係数を上げるためと、耐湿性、ゲッタリング作用
を勘案し、２〜５重量％程度となるようにＰＨ３ガスの
流量等の生成条件を調整する０次いで、上記条件のうち
、Ｐｌｌ、ガスの流量をＯとする以外は同様にして２層
目のＰ−５ｉＯＮ膜５を形成する。これによりＰ−５ｉ
ＯＮＰ膜４とＰ−ＳｉＯＮ膜５の双方の効果を兼ね備え
たパフシベーシッン膜が得られる。
工程を示し、図ｔａ＋は第１ｕ（ａ＋と同様である０次
いで第１図（ｂｌにおけると同様な条件のＮｚ０−５ｉ
Ｈｎ−ＮｕｓＰＩ’＋３系のガスを用いてのプラズマ励
起ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯＮＰ膜４を堆積させる。燐
濃度は、Ｍ電極配ｖＡ３上での耐クラツク性の向上のた
め粘性係数を上げるためと、耐湿性、ゲッタリング作用
を勘案し、２〜５重量％程度となるようにＰＨ３ガスの
流量等の生成条件を調整する０次いで、上記条件のうち
、Ｐｌｌ、ガスの流量をＯとする以外は同様にして２層
目のＰ−５ｉＯＮ膜５を形成する。これによりＰ−５ｉ
ＯＮＰ膜４とＰ−ＳｉＯＮ膜５の双方の効果を兼ね備え
たパフシベーシッン膜が得られる。
本発明によれば、金属配線形成後のパッシベーション膜
として、燐を１〜３重景世知−プしたＰ−３ｉＯＮ膜を
用いるか、あるいは下層が燐を２〜５重量％ドープした
Ｐ−３ｉＯＮ膜、上層が燐をドープしないＰ−５ｉＯＮ
膜からなる２Ｎ膜を用いるので、膜の耐湿性を保証し、
かつ内部応力を低減した上でブロッキング作用とゲッタ
リング作用を兼ね備えることができ、例えば、Ｍの腐食
、ｉｔ食の防止、 Ｎａイオンなどのアルカリイオンの
浸入阻止および膜中への捕捉と不活性化、燐の添加によ
る耐クランク性の向上、膜中水素濃度の減少によるＭＯ
３界面の安定性の向上などが可能となり、はぼ理想的な
パンシベーション効果を得ることができるので、信頼性
の高い半導体装置を製造することが可能となる。
として、燐を１〜３重景世知−プしたＰ−３ｉＯＮ膜を
用いるか、あるいは下層が燐を２〜５重量％ドープした
Ｐ−３ｉＯＮ膜、上層が燐をドープしないＰ−５ｉＯＮ
膜からなる２Ｎ膜を用いるので、膜の耐湿性を保証し、
かつ内部応力を低減した上でブロッキング作用とゲッタ
リング作用を兼ね備えることができ、例えば、Ｍの腐食
、ｉｔ食の防止、 Ｎａイオンなどのアルカリイオンの
浸入阻止および膜中への捕捉と不活性化、燐の添加によ
る耐クランク性の向上、膜中水素濃度の減少によるＭＯ
３界面の安定性の向上などが可能となり、はぼ理想的な
パンシベーション効果を得ることができるので、信頼性
の高い半導体装置を製造することが可能となる。
第１図ｆａｔ、 （ｂｌは本発明の一つの一実施例のパ
ッシベーション膜形成工程を示す断面図、第２図はＮｘ
Ｏ／ （Ｎ！Ｏ＋ Ｎｔｈ）の値と膜の内部応力との関
係線図、第３鋪冑？）に発明の他の一つの一実施例のバ
ツシベ−シラン膜形成工程を示す断面図である。 １ ：シリ コ ン基板、 ２：シリ コン酸化膜、 ３ ： Ａ７電極配線、 ： Ｐ １ＯＮＰ 膜、 ： Ｐ−３ＩＯＮ膜。
ッシベーション膜形成工程を示す断面図、第２図はＮｘ
Ｏ／ （Ｎ！Ｏ＋ Ｎｔｈ）の値と膜の内部応力との関
係線図、第３鋪冑？）に発明の他の一つの一実施例のバ
ツシベ−シラン膜形成工程を示す断面図である。 １ ：シリ コ ン基板、 ２：シリ コン酸化膜、 ３ ： Ａ７電極配線、 ： Ｐ １ＯＮＰ 膜、 ： Ｐ−３ＩＯＮ膜。
Claims (2)
- （１）金属配線を形成した半導体基板を真空反応槽に収
容し、少なくともＳＩＨ＿４、Ｎ＿２Ｏ、ＮＨ＿３およ
びＰＨ＿３の各ガスを含むふん囲気中でプラズマを発生
させ、プラズマ励起ＣＶＤ法により半導体基板の金属配
線形成面上を１〜３重量％の燐がドープされたシリコン
オキシナイトライドからなるパッシベーション膜により
被覆することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）金属配線を形成した半導体基板を真空反応槽に収
容し、少なくともＳｉＨ＿４、Ｎ＿２Ｏ、ＮＨ＿３およ
びＰＨ＿３の各ガスを含むふん囲気中でプラズマを発生
させ、プラズマ励起ＣＶＤ法により半導体基板の金属配
線形成面上を２〜５重量％の燐がドープされたシリコン
オキシナイトライドからなるパッシベーション膜下層で
を被覆したのち、前記各ガス中ＰＨ＿３のみを含まない
雰囲気中での同様なプラズマ励起ＣＶＤ法により前記パ
ッシベーション膜下層を燐をドープしないシリコンオキ
シナイトライドからなるパッシベーション膜上層で被覆
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31790288A JPH02138738A (ja) | 1988-08-12 | 1988-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-201477 | 1988-08-12 | ||
| JP20147788 | 1988-08-12 | ||
| JP31790288A JPH02138738A (ja) | 1988-08-12 | 1988-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138738A true JPH02138738A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=26512808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31790288A Pending JPH02138738A (ja) | 1988-08-12 | 1988-12-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02138738A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798765A2 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing a semiconductor wafer comprising a dopant evaporation preventive film on one main surface and an epitaxial layer on the other main surface |
| EP0828286A2 (en) * | 1996-08-19 | 1998-03-11 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing mirror-polished silicon wafers, and apparatus for processing silicon wafers |
| JP2001514448A (ja) * | 1997-08-25 | 2001-09-11 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Ｐｅｃｖｄ窒化／酸窒化膜へのリン注入による不揮発性メモリセルの電荷損失の低減 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP31790288A patent/JPH02138738A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798765A2 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing a semiconductor wafer comprising a dopant evaporation preventive film on one main surface and an epitaxial layer on the other main surface |
| EP0798765A3 (en) * | 1996-03-28 | 1998-08-05 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing a semiconductor wafer comprising a dopant evaporation preventive film on one main surface and an epitaxial layer on the other main surface |
| US5834363A (en) * | 1996-03-28 | 1998-11-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafer, semiconductor wafer manufactured by the same, semiconductor epitaxial wafer, and method of manufacturing the semiconductor epitaxial wafer |
| EP0828286A2 (en) * | 1996-08-19 | 1998-03-11 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing mirror-polished silicon wafers, and apparatus for processing silicon wafers |
| EP0828286A3 (en) * | 1996-08-19 | 2001-05-09 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing mirror-polished silicon wafers, and apparatus for processing silicon wafers |
| JP2001514448A (ja) * | 1997-08-25 | 2001-09-11 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Ｐｅｃｖｄ窒化／酸窒化膜へのリン注入による不揮発性メモリセルの電荷損失の低減 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7271092B2 (en) | Boron incorporated diffusion barrier material | |
| JP2533440B2 (ja) | 半導体装置の層間絶縁膜形成方法 | |
| US6235650B1 (en) | Method for improved semiconductor device reliability | |
| US20020000662A1 (en) | Chemical vapor deposition of titanium | |
| KR960026256A (ko) | 새로운 텅스텐 증착방법 | |
| KR960002073B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR100451569B1 (ko) | 수소배리어막을 구비한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPH02138738A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0750295A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02170430A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20050017323A1 (en) | Semicoductor device containing an ultra thin dielectric film or dielectric layer | |
| KR100476376B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
| JPH01304735A (ja) | 半導体装置の保護膜形成方法 | |
| JP2001223209A (ja) | 絶縁性，半導電性，および導電性薄膜の製造方法 | |
| JPS6313343B2 (ja) | ||
| KR920010123B1 (ko) | 금속 배선막 형성방법 | |
| KR100234704B1 (ko) | 반도체소자 배선금속층 형성방법 | |
| JPH0215630A (ja) | 半導体装置の保護膜形成方法 | |
| JPS649729B2 (ja) | ||
| KR960009979B1 (ko) | 게이트산화막 제조방법 | |
| KR910000793B1 (ko) | 반도체 장치의 보호막 형성방법 | |
| JPS5994830A (ja) | 半導体素子の表面保護膜形成方法 | |
| KR0179021B1 (ko) | 이중 층간절연막 증착방법 | |
| TW406308B (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| JPH0669361A (ja) | 半導体装置とその製造方法 |