JP3394293B2 - 試料の搬送方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

試料の搬送方法および半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP3394293B2
JP3394293B2 JP23306593A JP23306593A JP3394293B2 JP 3394293 B2 JP3394293 B2 JP 3394293B2 JP 23306593 A JP23306593 A JP 23306593A JP 23306593 A JP23306593 A JP 23306593A JP 3394293 B2 JP3394293 B2 JP 3394293B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
gas
communication passage
chamber
room
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP23306593A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0794570A (ja
Inventor
喜雄 河村
佳史 川本
史彦 内田
賢一 水石
夏樹 横山
英一 村上
義則 中山
英一 瀬谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP23306593A priority Critical patent/JP3394293B2/ja
Priority to KR1019940023530A priority patent/KR950009986A/ko
Priority to US08/308,442 priority patent/US5562800A/en
Publication of JPH0794570A publication Critical patent/JPH0794570A/ja
Priority to US08/642,510 priority patent/US5601686A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3394293B2 publication Critical patent/JP3394293B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/935—Gas flow control

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料の搬送方法および
半導体装置の製造方法に係り、特に、異種類の部屋を複
数連結した技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造のため、特開平４−６
３４１４号公報に記載されているように、搬送室を中心
に、洗浄、成膜、エッチング、潜像露光等の複数の処理
室を配置し、ウエハ表面の汚染を防ぎ、半導体装置の性
能向上を図ることを目的とした一貫製造装置がある。ま
た、互いに異なる雰囲気間に基板を搬送する手段とし
て、特開昭６２−１４７７２６号公報に記載のように、
基板を保持するホルダを連通路、予備排気室、連通路と
経て基板を搬送する手段がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち一
貫製造装置では、各処理室間と搬送室との間をゲート弁
を介して仕切り、ウエハ搬送の度ごとに処理室内の雰囲
気圧力を調整し、搬送室につながるゲート弁を開閉する
操作を必要としているため、スループットの低下を招く
という問題を有していた。また、雰囲気の異なる処理室
の条件を保ったまま、基板を搬送する従来技術では、連
通路と基板ホルダとで形成される隙間を通って処理室や
搬送室からの雰囲気ガスが予備排気室に流入して、ホル
ダに載った基板を汚染するという問題があった。
【０００４】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、互いに異なる雰囲気条件の部屋と部屋との
間を、両室のそれぞれ異なる雰囲気条件を保持したまま
で、試料やウェハに汚染を与えずに、両室間に相互に試
料やウェハを搬送可能にする高スループットで汚染の無
い試料の搬送方法および半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の試料の搬送方法は、ガス雰囲気Ａの部屋１
より、ガス雰囲気Ｂの部屋２へ、それぞれの部屋のガス
雰囲気条件を保ったまま、試料を搬送する方法であっ
て、前記試料を移動授受手段の搭載部に搭載し、前記移
動授受手段を、前記部屋１と前記部屋２との間に設けら
れ、前記移動授受手段の断面形状に対して各対向面間の
間隔が１００μｍ以下になるように設定された断面形状
を持つ連通路内を通過させ、前記移動授受手段が前記連
通路内を通過するに際して、前記連通路内の前記部屋１
近傍にガス雰囲気Ａと同種のガスを供給し、および前記
連通路内の前記部屋２近傍にガス雰囲気Ｂと同種のガス
を供給し、および前記連通路内の前記両ガス供給部の間
よりガスを排気し、前記試料を搭載した前記移動授受手
段を、前記連通路を通過後に前記部屋２内の所定位置で
停止させて搬送を完了することを特徴とする。また、本
発明の半導体装置の製造方法は、ガス雰囲気Ａの搬送室
と、ガス雰囲気Ｂの処理室との間を、それぞれの部屋の
ガス雰囲気条件を保ったまま、ウェハを搬送して、前記
ウェハに処理を施し、半導体装置を製造する方法であっ
て、前記ウェハを移動授受手段の搭載部に搭載し、前記
移動授受手段を、前記搬送室と前記処理室との間に設け
られ、前記移動授受手段の断面形状に対して各対向面間
の間隔が所定値以下になるように設定された断面形状を
持ち、コンダクタンス部を形成する連通路内を通過さ
せ、前記移動授受手段が前記連通路内を通過するに際し
て、前記連通路内の前記搬送室近傍にガス雰囲気Ａと同
種のガスを供給し、および前記連通路内の前記処理室近
傍にガス雰囲気Ｂと同種のガスを供給し、および前記連
通路内の前記両ガス供給部の間よりガスを排気し、前記
処理室内に搬送された前記ウェハに対して所定の処理を
施し、前記処理が終了した前記ウェハを、前記の搬送路
を逆にたどって前記搬送室へ搬送して、前記処理室とは
異なる処理室へ同様に搬送し、処理を繰り返すことを特
徴とする。
【０００６】
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【作用】互いに異なる雰囲気条件の搬送室と処理室とを
結ぶ連通路の中に、入口側と出口側にそれぞれ独立に設
けた給気手段のうち、入口側の給気手段からは、搬送室
内へ給気するものと同種の第１のガスを所定のフィルタ
手段を経て搬送室内の圧力より僅かに高い圧力で供給
し、出口側の給気手段からは、処理室内へ給気するもの
と同種の第２のガスを所定のフィルタ手段を経て処理室
内の圧力より僅かに高い圧力で供給することにより、連
通路内に基板の移動授受手段を挿入して、連通路内壁と
移動授受手段外壁とにより形成される間隙によるコンダ
クタンス部を介して、第１のガスを搬送室側に、第２の
ガスを処理室側に流出することができるので、搬送室内
や処理室内の汚染物質を含んだガスを、連通路内壁と移
動授受手段外壁とにより形成される間隙に巻き込むこと
が無く、その結果、移動授受手段に載った基板の汚染を
防止することができる。
【００１０】さらに、連通路内に移動授受手段が挿入さ
れず、連通路内壁と移動授受手段外壁とによるコンダク
タンス部が形成されていない時には、全ての遮断手段を
閉止し、移動授受手段の連通路への挿入移動にともな
い、給気手段の給気空間や排気手段の排気空間の直前に
該コンダクタンス部が位置する時に、その直近の給気手
段の給気遮断手段ないしは排気手段の排気遮断手段を開
け、また、連通路から移動授受手段を抜き去る場合に
は、上述の挿入時の場合の逆の手順で給気手段や排気手
段の遮断手段を閉じながら、該搬送室内に該移動授受手
段を引き戻す。
【００１１】このように、連通路内壁と移動授受手段外
壁との間隙で形成されるコンダクタンス部を連通路内に
順次移動させ、その移動に応じて、給気空間や排気空間
を遮断したり開放したりする制御を行うため、互いに隣
接し、互いに異なる雰囲気条件の搬送室と処理室内との
ガスの混入を生じること無く、スムーズに基板を搬送す
ることができる。また、基板を汚染することが無いた
め、高性能な半導体装置を製造することが可能となる。
その結果、高スループットで高性能な半導体装置が製造
可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１、図２により
説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例に使用する装置の
断面概略図で、図２は本発明の一実施例の手順を示す装
置の断面概略図であり、それぞれの図において、同一の
部分は同じ番号が付けられている。
【００１４】本発明に使用する半導体製造装置は、主
に、搬送室１、処理室２、インターフェース部３とから
構成されている。
【００１５】搬送室１には、基板４を載せて移動搬送す
る移動授受手段５と、移動授受手段５を駆動する駆動手
段６と搬送室１内の雰囲気条件を維持する図示していな
い雰囲気制御手段とを備えている。処理室２には、基板
４を設置する試料台手段７と基板４に所望の処理を行う
ための図示していない処理手段と処理室２内の雰囲気条
件を維持する図示していない雰囲気制御手段とを備えて
いる。インターフェース部３には、搬送室１と処理室２
とを結ぶ連通路８があり、その連通路入口９、連通路出
口１０の近傍に給気手段１１、１２を備え、これらの間
に挾まれる位置に排気手段１３がある。
【００１６】連通路８の内壁で囲まれた通路の断面形状
は、移動授受手段５の最外壁面で形成される断面形状よ
り僅かに大きい相似な形状をなし、移動授受手段５を連
通路８に挿入した時に、両者の相対向する壁面で挾まれ
て形成される間隙の間隔が１００μｍ以下となり、コン
ダクタンス部を形成する構造である。連通路８の内壁に
は給気手段からの給気空間２１、２２が、また、これら
の給気空間に挾まれる位置にある一つ以上の排気手段の
排気空間２３が、移動授受手段５を取り巻くような構造
で設けてある。給気空間２１、２２と排気空間２３と
は、それぞれ連通路８に向かった内容積を構造上最小に
する位置に給気遮断手段１４、１６、排気遮断手段１５
を設けることにより形成される。また、連通路出口１０
には、連通路出口の遮断手段１７を設けてある。
【００１７】給気手段１１の他端は、図示していない流
量制御手段とフィルタ手段を経て、搬送室１へ送気する
ガスと同種の第１のガスを供給する供給系１８が設けら
れ、また、給気手段１２の他端は流量制御手段とフィル
タ手段を経て、処理室２へ送気するガスと同種の第２の
ガスを供給する供給系１９が設けられている。なお、こ
れらのガスは目的に応じて、種々の所望のガスを用いる
ことも容易に可能である。また、排気手段１３の他端は
排気系２０に接続してある。
【００１８】基板４は、移動授受手段５へ図示していな
いロードロック室から授受される。なお、移動授受手段
５上の基板４は搬送室１内経由で、図示していない別の
処理室へ搬送授受を行うことも可能である。そして、搬
送室１の周辺にそれぞれ配置された図示していないロー
ドロック室や別の処理室への接続は、上述したインター
フェース部３と同じ機構を用いることができる。
【００１９】次に図２を用いて、基板を搬送する手順に
ついて述べる。
【００２０】先ず、搬送室１内に移動授受手段５の全て
が引き込まれた状態であるときには、給気遮断手段１
４、１６、排気遮断手段１５、連通路出口遮断手段１７
の全てを閉じておく。次に、移動授受手段５が搬送室１
から連通路入口９に挿入されると、連通路８の内壁面と
移動授受手段５の外壁とで形成される間隔１００μｍ以
下の隙間によるコンダクタンス部３０が連通路８内に形
成される。このコンダクタンス部３０が連通路入口９に
位置する時に給気遮断手段１４を開けて、給気手段１１
より第１のガスを供給空間２１に供給する（図２ａ）。
移動授受手段５が漸次移動して、給気空間２１を通過し
た後に、すなわち排気手段の入口側に上述のコンダクタ
ンス部３１が位置する時に、排気遮断手段１５を開け、
排気空間２３と連通路８内の気体を排気する。なお、排
気空間２３と連通路８内の容積は小さいため、移動授受
手段５が等速で移動している間に排気することが十分可
能である（図２ｂ）。移動授受手段５がさらに移動し排
気空間２３を通過して、コンダクタンス部３２が連通路
８の出口側の給気手段の直前に位置する時、給気遮断手
段１６を開けて第２のガスを給気空間２２と連通路８内
に供給する（図２ｃ）。移動授受手段がさらに移動し、
コンダクタンス部３３が給気空間２２を通過後、連通路
出口遮断手段１７を開ける（図２ｄ）。その後、移動授
受手段５を処理室２に挿入し、試料台手段７の直上で、
図示していない基板取り出し手段を用いて、図示してい
ない処理済基板と基板４との載せ替えの授受操作を行う
（図２ｅ）。
【００２１】処理室２内で載せ替えられた処理済み基板
４を、処理室２から搬送室１へ取り出し搬送する方法
は、図２ｅの基板４を処理済み基板として、上述の挿入
搬送の手順を逆に行うことにより搬送室１内に取り出す
ことができる。処理済み基板４は、搬送室１に取り出さ
れた後、必要に応じて別の処理室に挿入搬送されたり、
ロードロック室に搬送されたりする。
【００２２】搬送室内の第１のガスとしては、純度９
９．９９％以上の高純度な窒素を用いた。また、処理室
２内の第２のガスとしては、基板４のエッチング処理を
行う場合には、ＣＦ4やＣＨＦ3、ＳＦ6等のフッ素系ガ
スを用いたり、ＣＣＬ4等の塩素系のガス、さらには、
酸素等を混合させた所定の成分比率の混合ガスを用い
た。
【００２３】図示していない別の処理室では、プラズマ
化したガスを用いてのドライ洗浄処理や、短波長光の照
射によるアッシング洗浄処理、塩素ガスの供給と短波長
光の照射による洗浄処理、また、化学的に気化したガス
を用いて薄膜を堆積する薄膜形成処理、さらには、紫外
光を用いてマスクパターンを縮小投影転写するリソグラ
フィー処理や荷電粒子線により所定の雰囲気中で直接パ
ターンを描画するパターン形成処理、所定の反応性ガス
を供給しながら紫外光や電子線等のエネルギビームをパ
ターン状に照射して、薄膜をパターン状に堆積する処理
や原子等をパターン状に拡散する処理などを行うことが
可能である。なお、ガスを切り替えたり組み合わせるこ
とや、基板表面の処理状態を計測しながら処理を行うこ
とも可能である。また、別の処理室を基板表面の計測分
析を行う処理室とすることも可能である。
【００２４】搬送室１を中心に種々の処理が行える処理
室２を本発明のインターフェース部３を介して配置する
ことにより、それぞれの処理室や搬送室の雰囲気条件を
異なった状態に保持したままで、互いに雰囲気を汚染し
たり、基板を汚染することなく、各処理室間をスムーズ
に基板を搬送させ処理を施すことが可能となった。特に
各処理室や搬送室の雰囲気条件を変化させずに基板を搬
送できるので、従来行われていたような、搬送先と搬送
元の雰囲気条件を一致させるための排気や圧力設定に時
間を費やすことが不要となる。その結果、スループット
が向上し、基板の不要な汚染が低減されるため、性能の
高い半導体装置が高い歩留まりで製造可能となった。ま
た、基板の汚染が減るため洗浄処理工程が減らせ、半導
体装置のプロセス工程数を低減できるので、さらにスル
ープットの向上を図ることができた。
【００２５】なお、移動授受手段５上への基板４の固定
には、移動授受手段５の凹部形状の底に設けた静電チャ
ックが用いられた。また、連通路８内で微小な間隙を保
持して移動授受手段５を移動させるためには、図示して
いないガイド手段を用いた。このガイド手段としては、
公知の転がり案内機構や磁気の反発力で距離を保つ磁気
浮上案内機構、さらには搬送アームの姿勢を駆動手段で
位置制御する支持機構や、リンク機構等を組み合わせた
ものが適用できる。
【００２６】少なくとも一つ以上設けられた排気手段に
は、それぞれ独立に排気ポンプにつながる排気孔を備え
ている。なお、排気手段の構造や数は本発明の実施例に
限定されるものではなく、隣接室間の圧力差や間隙で形
成されるコンダクタンスの大きさ、さらには排気ポンプ
の排気能力等によって適宜設計すべきことは容易に考え
られる。また、連通路８の遮断手段としては連通路出口
遮断手段１７のみならず、連通路入口にも設けることも
可能である。
【００２７】連通路８内の移動授受手段５の位置は、連
通路８内に適当な非接触距離センサを配置したり、駆動
手段６に設けた割り出しスケール等で求めることが可能
である。そして、種々の遮断手段の開閉制御のタイミン
グは、連通路８内の移動授受手段５の位置の情報により
行うことが容易であるが、連通路８内に適宜設けた圧力
ゲージの出力に応じて制御することも可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る試料
の搬送方法および半導体装置の製造方法においては、相
互の隔室間の雰囲気ガスの混入や、試料やウェハの汚染
を生じること無く、互いに異なる雰囲気条件を維持した
まま、それぞれの部屋間に試料やウェハを高スループッ
トで搬送でき、また、試料やウェハを挿入後、高性能な
機能を有する半導体装置を製造し、完成させ、送出する
ことが可能になったので、高度なクリーンルーム等の付
帯環境設備を特別に必要とせず、また、インターフェー
ス部の標準化や共用化を図ることができるため、その結
果、高性能な半導体装置を容易に低コストで提供できる
ようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に使用する装置の断面概略図
である。
【図２】本発明の一実施例の手順を示す装置の断面概略
図である。
【符号の説明】
１ 搬送室 ２ 処理室 ３ インターフェース部 ４ 基板 ５ 移動授受手段 ６ 駆動手段 ７ 試料台手段 ８ 連通路 ９ 連通路入口 １０ 連通路出口 １１、１２ 給気手段 １３ 排気手段 １４、１５、１６、１７ 遮断手段 １８、１９ 給気系 ２０ 排気系 ２１、２２ 給気空間 ２３ 排気空間 ３０、３１、３２、３３ コンダクタンス部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水石 賢一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 横山 夏樹 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 村上 英一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 中山 義則 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 瀬谷 英一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−147726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−27143（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−51537（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−287315（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/00 H01L 21/02 H01L 21/027

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガス雰囲気Ａの部屋１より、ガス雰囲気Ｂ
    の部屋２へ、それぞれの部屋のガス雰囲気条件を保った
    まま、試料を搬送する方法であって、 前記試料を移動授受手段の搭載部に搭載し、 前記移動授受手段を、前記部屋１と前記部屋２との間に
    設けられ、前記移動授受手段の断面形状に対して各対向
    面間の間隔が１００μｍ以下になるように設定された断
    面形状を持つ連通路内を通過させ、 前記移動授受手段が前記連通路内を通過するに際して、
    前記連通路内の前記部屋１近傍にガス雰囲気Ａと同種の
    ガスを供給し、および前記連通路内の前記部屋２近傍に
    ガス雰囲気Ｂと同種のガスを供給し、および前記連通路
    内の前記両ガス供給部の間よりガスを排気し、 前記試料を搭載した前記移動授受手段を、前記連通路を
    通過後に前記部屋２内の所定位置で停止させて搬送を完
    了することを特徴とする試料の搬送方法。
  2. 【請求項２】ガス雰囲気Ａの搬送室と、ガス雰囲気Ｂの
    処理室との間を、それぞれの部屋のガス雰囲気条件を保
    ったまま、ウェハを搬送して、前記ウェハに処理を施
    し、半導体装置を製造する方法であって、 前記ウェハを移動授受手段の搭載部に搭載し、 前記移動授受手段を、前記搬送室と前記処理室との間に
    設けられ、前記移動授受手段の断面形状に対して各対向
    面間の間隔が所定値以下になるように設定された断面形
    状を持ち、コンダクタンス部を形成する連通路内を通過
    させ、 前記移動授受手段が前記連通路内を通過するに際して、
    前記連通路内の前記搬送室近傍にガス雰囲気Ａと同種の
    ガスを供給し、および前記連通路内の前記処理室近傍に
    ガス雰囲気Ｂと同種のガスを供給し、および前記連通路
    内の前記両ガス供給部の間よりガスを排気し、 前記処理室内に搬送された前記ウェハに対して所定の処
    理を施し、 前記処理が終了した前記ウェハを、前記の搬送路を逆に
    たどって前記搬送室へ搬送して、前記処理室とは異なる
    処理室へ同様に搬送し、処理を繰り返すことを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
JP23306593A 1993-09-20 1993-09-20 試料の搬送方法および半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3394293B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23306593A JP3394293B2 (ja) 1993-09-20 1993-09-20 試料の搬送方法および半導体装置の製造方法
KR1019940023530A KR950009986A (ko) 1993-09-20 1994-09-16 반도체웨이퍼의 반송방법
US08/308,442 US5562800A (en) 1993-09-20 1994-09-19 Wafer transport method
US08/642,510 US5601686A (en) 1993-09-20 1996-05-03 Wafer transport method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23306593A JP3394293B2 (ja) 1993-09-20 1993-09-20 試料の搬送方法および半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0794570A JPH0794570A (ja) 1995-04-07
JP3394293B2 true JP3394293B2 (ja) 2003-04-07

Family

ID=16949256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23306593A Expired - Fee Related JP3394293B2 (ja) 1993-09-20 1993-09-20 試料の搬送方法および半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5562800A (ja)
JP (1) JP3394293B2 (ja)
KR (1) KR950009986A (ja)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW276353B (ja) * 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
US5788868A (en) * 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
JP3491463B2 (ja) * 1996-08-19 2004-01-26 信越半導体株式会社 シリコン鏡面ウェーハの製造方法およびシリコンウェーハの加工装置
JP3589823B2 (ja) * 1996-12-06 2004-11-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法
US6133635A (en) * 1997-06-30 2000-10-17 Philips Electronics North America Corp. Process for making self-aligned conductive via structures
US6045620A (en) * 1997-07-11 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Two-piece slit valve insert for vacuum processing system
AU3888400A (en) * 1999-03-19 2000-10-09 Electron Vision Corporation Cluster tool for wafer processing having an electron beam exposure module
US6267545B1 (en) 1999-03-29 2001-07-31 Lam Research Corporation Semiconductor processing platform architecture having processing module isolation capabilities
US6095741A (en) * 1999-03-29 2000-08-01 Lam Research Corporation Dual sided slot valve and method for implementing the same
US6244811B1 (en) 1999-06-29 2001-06-12 Lam Research Corporation Atmospheric wafer transfer module with nest for wafer transport robot
AU4462001A (en) * 2000-03-29 2001-10-08 Nikon Corporation Aligner, apparatus and method for transferring wafer, microdevice and method formanufacturing the same
US6390448B1 (en) 2000-03-30 2002-05-21 Lam Research Corporation Single shaft dual cradle vacuum slot valve
US6913243B1 (en) 2000-03-30 2005-07-05 Lam Research Corporation Unitary slot valve actuator with dual valves
US20020195201A1 (en) * 2001-06-25 2002-12-26 Emanuel Beer Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber
US6800172B2 (en) * 2002-02-22 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor
US6858264B2 (en) * 2002-04-24 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US6814813B2 (en) 2002-04-24 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
EP1506570A1 (en) * 2002-05-21 2005-02-16 ASM America, Inc. Reduced cross-contamination between chambers in a semiconductor processing tool
US6838114B2 (en) 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6858085B1 (en) * 2002-08-06 2005-02-22 Tegal Corporation Two-compartment chamber for sequential processing
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US20040069409A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-15 Hippo Wu Front opening unified pod door opener with dust-proof device
US6926775B2 (en) 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7335396B2 (en) 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
KR100528971B1 (ko) * 2003-05-02 2005-11-16 한국전자통신연구원 전자빔 리소그라피 시스템
US7235138B2 (en) 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7344755B2 (en) 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7422635B2 (en) 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US20070176265A1 (en) * 2003-12-01 2007-08-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) * 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US7584942B2 (en) * 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
JP5037058B2 (ja) * 2006-08-01 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法
US8404047B2 (en) * 2008-09-16 2013-03-26 United Technologies Corporation Electron beam vapor deposition apparatus and method
US7972961B2 (en) * 2008-10-09 2011-07-05 Asm Japan K.K. Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers
US8216380B2 (en) * 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8287648B2 (en) 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
CN101956173B (zh) * 2009-07-20 2013-06-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 使用承载组件的镀膜装置
KR20140048752A (ko) * 2012-10-16 2014-04-24 삼성전자주식회사 슬릿 밸브 유닛 및 이를 구비하는 성막 장치
JP6217567B2 (ja) * 2014-09-08 2017-10-25 信越半導体株式会社 半導体製造装置、半導体基板の製造方法及び搬送ロボット
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51131461A (en) * 1975-05-13 1976-11-15 Ulvac Corp A vacuum treatment chamber apparatus
NL8203318A (nl) * 1982-08-24 1984-03-16 Integrated Automation Inrichting voor processing van substraten.
JPS59123226A (ja) * 1982-12-28 1984-07-17 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置
JPS62147726A (ja) * 1985-12-23 1987-07-01 Hitachi Ltd 電子線装置
US5013385A (en) * 1986-04-18 1991-05-07 General Signal Corporation Quad processor
JP2849458B2 (ja) * 1990-07-03 1999-01-20 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0794570A (ja) 1995-04-07
US5601686A (en) 1997-02-11
US5562800A (en) 1996-10-08
KR950009986A (ko) 1995-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3394293B2 (ja) 試料の搬送方法および半導体装置の製造方法
KR100329287B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법과 반도체 장치
KR100736300B1 (ko) 웨이퍼 취급 시스템 및 리소그래피 패터닝에 사용되는 방법
US7878755B2 (en) Load lock and method for transferring objects
US6930050B2 (en) Multi-chamber system having compact installation set-up for an etching facility for semiconductor device manufacturing
JP2005039185A (ja) 被処理体処理装置、その被処理体処理方法、圧力制御方法、被処理体搬送方法、及び搬送装置
JPH04206547A (ja) 装置間搬送方法
KR20040080372A (ko) 리소그래피 투영 조립체, 기판 핸들링용 핸들링장치 및기판 핸들링 방법
US8794896B2 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
KR20010029949A (ko) 처리시스템
US5932014A (en) Apparatus for producing semiconductor device
JP4277517B2 (ja) 露光装置及び基板搬送装置
JP2001118904A (ja) ロードロック室を備えた基板処理装置および被処理基板の搬送方法
JPH088318A (ja) 半導体製造装置
JPH04271139A (ja) 半導体製造装置
JP3416326B2 (ja) 処理システム及びこれを用いたデバイス生産方法
JPH04275449A (ja) 磁気搬送装置
JPH10135307A (ja) 処理装置
JPH02184333A (ja) ロードロック装置を備えた処理装置
JP2000150395A (ja) 処理システム
JP5001388B2 (ja) 被処理体処理装置の圧力制御方法
JP2003142552A (ja) 基板処理装置
WO2023003309A1 (ko) 기판 처리 장치 및 도어 어셈블리 구동 방법
JPH06181249A (ja) 基板搬送システム
JP3319835B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees