JPH088318A

JPH088318A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH088318A
Application number: JP13401294A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Kawamura; 喜雄河村; Hide Kobayashi; 秀小林; Shigeo Moriyama; 茂夫森山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-06-16
Filing date: 1994-06-16
Publication date: 1996-01-12

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置の製造工程ライン構築やレイアウ
ト変更を、容易に短期間で低コスト実現可能とした半導
体製造装置を得る。【構成】ウェハの有効取扱直径Ｄ_mで規格化した搬送
室２と処理室４と連通路手段３で構成し、室番号をｍと
した搬送室２に接続可能な連通路手段３の接続開口数ｎ
_mの時、搬送室２内の平面図中心と接続開口までの距離
ｂ_mが（Ｄ_m／２）＜ｂ_m≦｛（Ｄ_m／２）／tan（１８０
°／ｎ_m）｝で、接続開口の最大寸法をＤ_mにほぼ等しく
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に異なる種類の処理
室を複数連結した半導体製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造のために異なった処理
を連続して行う装置として、特開平４−６３４１４号公
報に記載されたように、搬送室を中心として、洗浄、成
膜、エッチング、潜像露光などの複数の処理室を配置
し、ウェハ表面の汚染を防ぎ、半導体装置の性能向上を
はかることを目的とした、半導体装置の一貫製造装置が
存在している。また、互いに異なる雰囲気間に半導体基
板を搬送する手段として、特開昭６２−１４７７２６号
公報に記載のように、半導体基板を保持するホルダを、
連通路から予備排気室および連通路を経て搬送する手段
があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、一貫製造装置では各処理室間と搬送室との間をゲー
ト弁を介して仕切って、種々の処理目的の処理装置を接
続しているが、床面積を規定していないため、半導体製
造工程のラインを構築した後でレイアウト変更や半導体
装置の世代交替に伴う新しい処理室の変更接続を行うた
めに、時間と費用とを膨大に要するという問題があっ
た。また、半導体基板を保持するホルダの搬送において
は、連通路の中間にそれぞれ予備排気室を設置するため
に、半導体製造装置の構成が複雑になり大型化し、費用
がかさむという問題があった。

【０００４】本発明は、半導体装置の製造工程ライン構
築やレイアウト変更を容易にし、これらを短期間に低コ
ストで実現できるようにして、高性能な半導体装置を低
価格で製造できる半導体製造装置を得ることを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、互いに隣接
し、複数の互いに異なる雰囲気条件の処理手段を有する
半導体基板の処理室と、上記半導体基板の移動授受手段
を有する搬送室と、上記処理室を上記搬送室に連結する
連通路手段とにより、半導体基板の処理を行う半導体製
造装置において、上記搬送室の室番号をｍ（ｍは整数）
とし、上記各室における上記半導体基板の有効取扱直径
をＤ_mとし、室番号ｍの搬送室に接続可能な連通路手段
への接続開口の数をｎ_m（ｎ_m≧３）として、上記室番号
ｍの搬送室内の平面図における中心と、上記接続開口ま
での距離ｂ_mが（Ｄ_m／２）＜ｂ_m≦｛（Ｄ_m／２）／tan
（１８０°／ｎ_m）｝で、かつ、上記連通路手段の接続
開口の最大寸法が、上記半導体基板の有効取扱直径Ｄ_m
にほぼ等しい構造であることにより達成される。

【０００６】さらに、連通路手段の２つの開口間の距離
をｃとし、上記連通路手段を介して互いに隣接する処理
室（ｍ＝１）や搬送室（ｍ＝２）の壁面の厚さをｔ_mと
するときに、互いに隣接する処理室（ｍ＝１）や搬送室
（ｍ＝２）の中心間距離が、ｂ₁＋ｔ₁＋ｃ＋ｂ₂＋ｔ₂に
ほぼ等しい構造により達成され、また、搬送室が半導体
基板の広い平坦表面を平面図とほぼ平行に維持して移動
させる水平移動授受手段を有し、上記搬送室の平面図に
おける中心と開口までの距離ｂ_mが（Ｄ_m／２）／tan
（１８０°／ｎ_m）にほぼ等しい構造であることによ
り、あるいは上記広い平坦表面を平面図とほぼ垂直に維
持して移動させる垂直移動授受手段を有し、上記搬送室
の平面図における中心と開口までの距離ｂ_mが、（Ｄ_m／
２）にほぼ等しい構造であることにより達成される。

【０００７】さらに、処理室が第１の搬送室から第２の
搬送室に半導体基板を授受する機能を有するバッファ室
を備えた構造であり、また、搬送室から上記半導体製造
装置外に半導体基板を授受する機能を有するバッファ室
を備えた構造であることにより達成され、あるいは連通
路手段が、上記処理室と上記搬送室とを遮断／連通する
機能のゲート弁を備えたことにより、または上記処理室
と上記搬送室とを結ぶ連通路と、該連通路の入口側およ
び出口側に位置する互いに独立な少なくとも２個所の給
気手段と、上記給気手段間に位置する少なくとも１つ以
上の排気手段と、上記給気手段から連通路につながる給
気空間を開閉する給気遮断手段と、上記排気手段から上
記連通路につながる排気空間を遮断する排気遮断手段
と、上記連通路内で連通路内壁面に対向して微小な間隙
のコンダクタンス部を形成可能な外壁面構造で、半導体
基板を載せて搬送する移動授受手段と、上記搬送室内の
移動授受手段の駆動手段と、上記連通路の出口を遮断す
る連通路出口遮断手段と、上記移動授受手段の連通路内
での位置を検出して、それぞれの遮断手段の開閉や排気
手段または給気手段につながる排気系または給気系を制
御する制御手段とを有し、上記連通路の入口と出口との
距離ｃを上記半導体基板の有効取扱直径Ｄ_mにほぼ等し
くすることによって達成される。

【０００８】さらに、連通路手段は、搬送室から上記半
導体製造装置外に半導体基板を授受する機能を有する構
造とし、あるいは、第１の搬送室から第２の搬送室に半
導体基板を授受する機能を有する構造とすることにより
達成される。さらにまた、上記処理室は、所望ガスの供
給排気制御を行うガス供給排気手段を有し、あるいは所
望ガスを励起し、試料面にパターンを形成する励起手段
を有し、あるいは所望パターンの自己成長処理を行う育
成手段を有し、あるいは所望パターンの除去加工処理を
行う除去加工手段を有し、あるいはまた、所望パターン
の堆積加工処理を行う堆積加工手段を有することによ
り、それぞれ達成することができる。

【０００９】

【作用】複数の処理室や搬送室および連通手段において
それぞれの室番号をｍとするとき、各室等で取扱う半導
体基板の有効取扱直径をＤ_mとし、連通路手段の開口の
幅をＤ_mにほぼ等しくすることにより、上記連通路手段
の開口の最大寸法を規定することができる。１つの処理
室ないしは搬送室に、ｎ個の連通路手段を介してｎ個の
処理室や搬送室を接続可能にする場合の、１つの処理室
ないし搬送室内の最大寸法は、半導体基板を平面図に対
して平行な状態で移送する水平搬送の場合には、平面図
における各室内の中心と開口までの距離ｂ_mは（Ｄ_m／
２）／tan（１８０°／ｎ_m）となり、また半導体基板を
平面図に対して垂直な状態で移送する垂直搬送の場合に
は、平面図における各室内の中心と開口までの距離ｂ_m
は（Ｄ_m／２）となる。

【００１０】また、処理室や搬送手段の接続部分にそれ
ぞれの部屋の不雰囲気条件を遮断したり連通させる機能
のゲート弁や連通手段を介在させる場合には、その連通
路方向の長さをｃ、さらに処理室や搬送室の接続部分に
おける壁厚をｔと規定することにより、各処理室や搬送
室の間隔が規格化できる。

【００１１】したがって、各室の寸法等の規格化が行え
るので、半導体装置の製造工程ラインの構築やレイアウ
ト変更等を、容易かつ短期間で行えるので、半導体装置
の製造工程ラインの低コスト化が実現できる。その結
果、高性能な半導体装置を低コストで製造可能な半導体
製造装置を得ることができる。

【００１２】

【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図１は本発明による半導体製造装置の第１実施例を
示す平面概略図、図２は本発明の第２実施例を示す断面
概略図、図３は本発明の連通路手段を備えた第３実施例
の断面概略図、図４は本発明による半導体製造装置の第
４実施例を示す概略図である。

【００１３】図１に示す本発明の半導体製造装置におけ
る第１実施例は、半導体基板１の広い平坦表面を、その
平面図に対して平行に維持しながら水平移動させる半導
体製造装置を示す一例である。本半導体製造装置は、搬
送室２、４と各種の処理室５、６、７、８、９および連
通路手段３とにより主に構成されている。上記搬送室
２、４には、半導体基板１を載せて移動搬送する図示し
ていない移動授受手段と、該移動授受手段を駆動する駆
動手段とが設けられている。

【００１４】図２は本発明の第２実施例を示す平面図で
あり、半導体基板の広い平坦表面をその平面図に対して
ほぼ垂直に維持しながら垂直移動させる半導体製造装置
の一例を示す。本半導体製造装置は、搬送室１２、１４
と各種の処理室１５、１６、１７、１８、１９および連
通路手段１３とから主に構成されている。上記搬送室１
２、１４には、半導体基板１１を載せて移動搬送する図
示していない移動授受手段と、該移動授受手段を駆動す
る駆動手段とを備えている。

【００１５】図３は本発明による連通路手段を備えた半
導体製造装置の連通路手段部分を示す断面図で、搬送室
１０１と処理室１０２とを連通路手段１０３でつないで
いる。上記搬送室１０１は、半導体基板１０４を載せて
移動搬送する移動授受手段１０５と、該移動授受手段を
駆動する駆動手段１０６と、上記搬送室１０１内の雰囲
気条件を維持する図示していない雰囲気制御手段とを備
えている。上記処理室１０２には、半導体基板を設置す
る試料台１０７と、上記半導体基板に所望の処理を行う
ための図示していない処理手段と、上記処理室１０２内
の雰囲気条件を維持する図示していない雰囲気制御手段
とを備えている。また上記連通路手段１０３には、搬送
室１０１と処理室１０２とを結ぶ連通路１０８があり、
該連通路１０８の入口１０９と出口１１０の近傍に給気
手段１１１、１１２を備え、これらに挟まれる間の位置
に排気手段１１３がある。上記連通路１０８の内壁で囲
まれた通路の断面形状は、上記移動授受手段１０５の最
外壁面で形成される断面形状と相似で若干大きい形状を
なし、上記移動授受手段１０５を連通路１０８に挿入し
た時に、両者の相対向する壁面で挟まれて形成される間
隙の間隔が１００μｍ以下となって、所望のコンダクタ
ンス部を形成する構造になっている。

【００１６】連通路１０８の内壁には給気手段１１１、
１１２からの給気空間１２１、１２２が、またこれらの
給気空間１２１、１２２に挟まれる位置にある１つ以上
の排気手段１１３の排気空間１２３が、移動授受手段を
取り巻くような構造で設けてある。上記給気空間１２
１、１２２と排気空間１２３は、それぞれ連通路１０８
に向った内容積を構造上最小にする位置に、給気遮断手
段１１４、１１６および排気遮断手段１１５を設けるこ
とにより形成される。また、連通路出口１１０には連通
路出口遮断手段１１７を設けてある。給気手段１１１の
他端は、図示していない流量制御手段とフィルタ手段を
経て、搬送室１０１へ送気ガスと同種の第１のガスを供
給する供給系１１８が設けられ、また、給気手段１１２
の他端は流量制御手段とフィルタ手段を経て、処理室１
０２へ送気するガスと同種の第２のガスを供給する供給
系１１９が設けられている。これらのガスは目的に応じ
て種々の所望のガスを用いることも容易に可能である。
排気手段１１３の他端は排気系１２０に接続してある。

【００１７】上記移動授受手段１０５への半導体基板１
０４は、図示していないバッファ室から授受されるが、
搬送室内経由で図示していない別の処理室へ搬送授受を
行うことも可能である。搬送室１０１の周辺にそれぞれ
配置された図示していないロードロック室や別の処理室
への接続は、上記の連通路手段１０３と同じ機構を用い
ることができる。

【００１８】搬送室を中心にして種々の処理を行う処理
室を、図３に示すような連通路手段を介して配置するこ
とにより、それぞれの処理室や搬送室の雰囲気条件を異
なった状態に保持したままで、互いに雰囲気を汚染した
り半導体基板を汚染することなく、各処理室間を円滑に
半導体基板を搬送し処理を施すことが可能になった。特
に、各処理室や搬送室の雰囲気条件を変化させずに半導
体基板を搬送できるので、従来行っていたような搬送先
と搬送元の雰囲気条件を一致させるための排気や圧力設
定に時間を費やすことが不要になる。その結果、スルー
プットが向上し半導体基板の不要な汚染が低減されるた
め、性能が高い半導体装置を高い歩留りで製造可能にな
った。また、半導体基板の汚染が減るため洗浄処理工程
を減らすことができ、半導体装置のプロセス工程数を低
減できるので、さらにスループットの向上をはかること
ができる。なお、移動授受手段上への半導体基板の固定
は、上記移動授受手段の凹部形状の底に設けた静電チャ
ックを用いた。連通路内で微小な間隙を保持して移動授
受手段を移動させるため、図示していないガイド手段を
用いた。上記ガイド手段としては、公知の転がり案内機
構や磁気の反発力で距離を保つ磁気浮上案内機構、さら
には搬送アームの姿勢を駆動手段で位置制御する支持機
構や、リンク機構等を組み合わせたものを適用すること
ができる。

【００１９】少なくとも１つ以上設けられた排気手段に
は、それぞれ独立に排気ポンプにつながる排気孔を備え
ている。排気手段の構造や数は、本発明の実施例に限定
されるものではなく、隣接する室との間の圧力差や間隙
で形成されるコンダクタンスの大きさ、さらには排気ポ
ンプの排気能力等によって、適宜に設計すべきであるこ
とは容易に考えられる。連通路の遮断手段としては、連
通路出口の遮断手段だけではなく連通路入口に設けるこ
とも容易にできる。連通路内の移動授受手段の位置は、
連通路内に適当な非接触距離センサを配置したり、駆動
手段１０６に設けた割り出しスケール等で求めることが
できる。また、種々の遮断手段における開閉制御のタイ
ミングは、連通路内の移動授受手段の位置の情報によっ
て行うことが容易であるが、連通路内に適宜設けた圧力
ゲージの出力に応じて制御することも可能である。

【００２０】ここで、図１における搬送室２、４、処理
室５、６、７、８、９、連通路手段３の規格化につい
て、詳細に説明する。本装置で取り扱う半導体基板１の
有効取扱直径をＤ_mとするとき、連通路手段３の開口の
幅をＤ_mにほぼ等しくすることにより、上記連通路手段
３の開口の最大寸法を規定できる。１つの処理室ないし
は搬送室にｎ個の連通路手段を介して、ｎ個の処理室や
搬送室を接続可能にする場合における１つの処理室内な
いしは搬送室内の最大寸法として、平面図における各室
内の中心と開口までの距離ｂ_mは、半導体基板を水平移
動させる場合には（Ｄ_m／２）／tan（１８０°／ｎ_m）
となる。例えば、搬送室２の場合には８個の処理室の接
続が可能であるためｎ＝８、室内の中心と開口までの距
離ｂ₁はｂ₁＝（Ｄ_m／２）／tan（２２．５°）となる。
搬送室４の場合には６個の処理室の接続が可能であるた
めｎ＝６、室内の中心と開口までの距離ｂ₄はｂ₄＝（Ｄ
_m／２）／tan（３０°）となる。また、処理室ｍ＝５、
６、７、８、９の場合には、それぞれ４個の処理室の接
続が可能であるためｎ_m＝４、室内の中心と開口までの
距離はｂ_m＝（Ｄ_m／２）／tan（４５°）となる。

【００２１】搬送室２の内壁の厚さをｔ₂、搬送室４の
内壁の厚さをｔ₄、処理室ｍ＝５、６、７、８、９の内
壁の厚さをｔ_mとし、連通路手段３の２つの開口間の距
離をｃとすると、互いに連結された装置の中心間距離は
それぞれ図１に記入して示したようになる。すなわち、
互いに連通路手段を介して隣接する処理室（ｍ＝１）や
搬送室（ｍ＝２）の壁面の厚さをｔ_mとするとき、互い
に隣接する処理室（ｍ＝１）や搬送室（ｍ＝２）の中心
間距離はｂ₁＋ｔ₁＋ｃ＋ｂ₂＋ｔ₂となり、各室の寸法等
の規格化が行える。もちろん、各処理室や搬送室におけ
る互いの接続可能数ｎ_mやその組合せ方は種々考えられ
るが、それぞれの最大寸法が規格化されて床面積をあら
かじめ規定できるため、半導体製造プロセスラインの構
築やレイアウト変更、あるいは世代交代による新しい処
理室の接続替えの際における時間短縮とコスト低減が可
能になった。なお、各処理室における半導体基板の有効
取扱直径Ｄ_mは、搬送費や連通手段については半導体基
板の最大直径と等しくすることができる。また、種々の
処理室においては、処理に最小限度必要とする空間を半
導体基板の外周辺部に確保できる直径とするが、一般に
は半導体基板の最大直径と等しくすることが望ましい。

【００２２】上記各搬送室内の第１のガスとしては純度
９９．９９％以上の高純度窒素を用いた。処理室内の第
２のガスとしては、半導体基板のエッチング処理を行う
場合にはＣＦ₄やＣＨＦ₃、あるいはＳＦ₆等のふっ素系
ガスを用いたり、ＣＣｌ₄等の塩素系のガス、さらには
酸素等を混合させた所定の成分比率の混合ガスを用い
た。また、常圧ＣＶＤ（化学蒸着法）処理で絶縁薄膜の
形成を行う場合には、Ｏ₂、ＳｉＨ₄、ＰＨ₃の混合ガス
を流した。低圧ＣＶＤ処理装置でＰｏｌｙ−Ｓｉ膜の形
成を行う場合にはＳｉＨ₄ガスを流す。このように、そ
れぞれの処理に対応したガスを用いて、所望の圧力下で
処理を行うことができる。さらには、ガスのプラズマ化
等の処理の併用も容易に行うことができる。図示してい
ない別の処理室では、プラズマ化したガスを用いて行う
ドライ洗浄処理や、短波長光の照射によるアッシング洗
浄処理、塩素系ガスの供給と短波長光の照射による洗浄
処理、また、化学的に気化したガスを用いて薄膜を堆積
する薄膜形成処理、さらに紫外光を用いてマスクパター
ンを縮小投影転写するリソグラフィ処理や、荷電粒子線
により所定の雰囲気中で直接パターンを描画するパター
ン形成処理、所定の反応性ガスを供給しながら紫外光や
電子線等のエネルギビームをパターン状に照射して、薄
膜をパターン状に堆積する処理や、所望の原子や分子等
をパターン状に拡散する処理等を行うことが可能であ
る。

【００２３】なお、種々のガスを切り替えたり組合わせ
ることや、半導体基板表面の処理状態を計測しながら処
理を行うことも可能である。また、別の処理室を半導体
基板表面の計測分析を行う処理室として利用することも
可能である。

【００２４】上記半導体製造装置を組み合わせた半導体
装置の製造ラインとして、本発明を応用した第４実施例
の平面概略図を図４に示す。搬送室と処理室等の各室の
中心間距離を上記のように規格化したエッチングクラス
タ装置４０、薄膜形成クラスタ装置５０、第２のエッチ
ングクラスタ装置６０、熱処理クラスタ装置７０、リソ
グラフィクラスタ装置８０をウェハ搬送路３０に対向し
て配置した半導体装置の製造ラインである。上記ウェハ
搬送路３０内には、Ｎ₂等の不活性ガス雰囲気下で物理
的化学的にクリーンな状態でウェハ９０を上記各クラス
タ装置に搬送授受可能な、図示していない搬送手段が具
備されている。大気圧雰囲気の外部からのウェハは、ロ
ードロック室３１に図示していない搬送手段で搬入し、
連通路手段３２を経由してウェハ搬送路３０に移送す
る。ウェハ搬送路３０に対向した各装置は、ローダ室４
１、５１、６１、７１およびアンローダ室４２、５２、
６２、７２を経由してそれぞれの各搬送室でウェハを授
受する。

【００２５】リソグラフィクラスタ装置は清浄な大気圧
雰囲気条件を保持するため、連通路手段８１を経由し搬
送室でウェハを授受する。エッチングクラスタ装置４０
は、ウェハ表面をドライ洗浄するアッシング処理室４
３、４４とドライエッチング処理室４５、４６を備えて
いる。薄膜形成クラスタ装置５０は、熱処理室５３、５
４とＣＶＤ処理室５５、５６を備えている。第２のエッ
チングクラスタ装置６０は、アッシング処理室６３、６
４とメタル用のエッチング処理室６５と絶縁膜エッチン
グ処理室６６とを備えている。熱処理クラスタ装置７０
は前処理としての洗浄室７３とアニーリング処理室７４
とバッファ室７８を経由して、後処理のメタルのデポ処
理室７５、薄膜のデポ処理室７６、７７とを備えてい
る。また、リソグラフィクラスタ装置８０では、それぞ
れのクラスタ装置４０、５０、６０、７０で処理する上
で不可欠なレジストパターンを形成するために、レジス
トの塗布処理室８２、潜像を形成するためのパターン露
光処理室８３、現像処理室８４、レジストの除去処理室
８５、湿式洗浄処理室８６とを備えている。

【００２６】なお、上記半導体装置の製造ラインは、半
導体装置の多品種変量生産に対応した一例を示すもので
あり、短い処理時間（ＱＴＡＴ：Quick Turn Around Ti
me）の試作開発に対応するのか、量産に対応するのかに
よって、ウェハ搬送路３０に接続している各クラスタ装
置内の種々の処理室の種類や組合わせや、台数の変更、
さらには上記記載の処理室以外に半導体装置の製造に必
要な処理室を備えることは容易である。

【００２７】

【発明の効果】上記のように本発明による半導体製造装
置は、互いに隣接し、複数の互いに異なる雰囲気条件の
処理手段を有する半導体基板の処理室と、上記半導体基
板の移動授受手段を有する搬送室と、上記処理室を上記
搬送室に連結する連通路手段とにより、半導体基板の処
理を行う半導体製造装置において、上記搬送室の室番号
をｍ（ｍは整数）とし、上記各室における上記半導体基
板の有効取扱直径をＤ_mとし、室番号ｍの搬送室に接続
可能な連通路手段への接続開口の数をｎ_m（ｎ_m≧３）と
して、上記室番号ｍの搬送室内の平面図における中心
と、上記接続開口までの距離ｂ_mが（Ｄ_m／２）＜ｂ_m≦
｛（Ｄ_m／２）／tan（１８０°／ｎ_m）｝で、かつ、上
記連通路手段の接続開口の最大寸法が、上記半導体基板
の有効取扱直径Ｄ_mにほぼ等しい構造であることにより
各処理室や搬送室や連通路手段のそれぞれの最大寸法が
規格化され、設置するための床面積があらかじめ規定で
きるため、各処理室を規格化でき、各クラスタ装置内の
種々の処理室の種類や組合わせ、数量を変更することが
容易に行えるという特徴がある。

【００２８】さらに、それぞれの処理室等の標準化や共
用化が図れるため、半導体装置の製造工程ラインの構築
やレイアウト変更、または世代交替による新しい処理室
の接続しなおしの際に、時間短縮とコスト低減が可能に
なり、高性能な半導体装置を低コストで製造できるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体製造装置の第１実施例を示
す平面概略図である。

【図２】本発明の第２実施例の平面構成を示す断面図で
ある。

【図３】本発明の連通路手段を備えた第３実施例の断面
概略図である。

【図４】本発明による半導体製造装置の第４実施例を示
す概略図である。

【符号の説明】

１、１１、１０４半導体基板２、４、１２、１４、１０１搬送室３、１３、３２、８１、１０３連通路手段５、６、７、８、９、１５、１６、１７、１８、１９、
１０２処理室３０搬送路７８バッファ室１０５移動授受手段１１１、１１２給
気手段１１３排気手段１１４、１１６給
気遮断手段１１５排気遮断手段１１７連通路出口
遮断手段１１９、１２０ガス供給排気手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに隣接し、複数の互いに異なる雰囲気
条件の処理手段を有する半導体基板の処理室と、上記半
導体基板の移動授受手段を有する搬送室と、上記処理室
を上記搬送室に連結する連通路手段とにより、半導体基
板の処理を行う半導体製造装置において、上記搬送室の
室番号をｍ（ｍは整数）とし、上記各室における上記半
導体基板の有効取扱直径をＤ_mとし、室番号ｍの搬送室
に接続可能な連通路手段への接続開口の数をｎ_m（ｎ_m≧
３）として、上記室番号ｍの搬送室内の平面図における
中心と、上記接続開口までの距離ｂ_mが（Ｄ_m／２）＜ｂ
_m≦｛（Ｄ_m／２）｝／tan（１８０°／ｎ_m）で、かつ、
上記連通路手段の接続開口の最大寸法が、上記半導体基
板の有効取扱直径Ｄ_mにほぼ等しい構造であることを特
徴とする半導体製造装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置において、
室番号ｍの搬送室内の平面図における中心と開口までの
距離をｂ_mとして、連通路手段の２つの開口間の距離を
ｃとし、上記連通路手段を介して互いに隣接する処理室
（ｍ＝１）や搬送室（ｍ＝２）の壁面の厚さをｔ_mとす
るときに、上記互いに隣接する処理室（ｍ＝１）や搬送
室（ｍ＝２）の中心間距離が、ｂ₁＋ｔ₁＋ｃ＋ｂ₂＋ｔ₂
にほぼ等しい構造であることを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項３】請求項１記載の半導体製造装置において、
上記搬送室は、半導体基板の広い平坦表面を上記搬送室
内の平面図とほぼ平行に維持して移動させる水平移動授
受手段を有し、上記平面図における中心と接続開口まで
の距離ｂ_mが、（Ｄ_m／２）／tan（１８０°／ｎ_m）にほ
ぼ等しい構造であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】請求項１記載の半導体製造装置において、
上記搬送室は、半導体基板の広い平坦表面を上記搬送室
内の平面図とほぼ垂直に維持して移動させる垂直移動授
受手段を有し、上記平面図における中心と接続開口まで
の距離ｂ_mが、（Ｄ_m／２）にほぼ等しい構造であること
を特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】請求項１記載の半導体製造装置において、
上記処理室は、第１の搬送室から第２の搬送室に半導体
基板を授受する機能を有する、バッファ室を備えた構造
であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】請求項１記載の半導体製造装置において、
上記処理室は、上記搬送室から半導体製造装置外に半導
体基板を授受する機能を有する、バッファ室を備えた構
造であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】請求項２記載の半導体製造装置において、
上記連通路手段は、上記処理室と上記搬送室とを遮断／
連通する機能を有するゲート弁を備えたことを特徴とす
る半導体製造装置。
【請求項８】請求項２記載の半導体製造装置において、
上記連通路手段は、上記処理室と上記搬送室とを結ぶ連
通路と、上記連通路の入口側および出口側に位置する互
いに独立した少なくとも２個所の給気手段と、少なくと
も２個所の上記給気手段の間に位置する少なくとも１つ
以上の排気手段と、上記給気手段から上記連通路につな
がる給気空間を開閉する給気遮断手段と、上記排気手段
から上記連通路につながる排気空間を遮断する排気遮断
手段と、上記連通路内で該連通路内壁面に対向して微小
な間隙のコンダクタンス部を形成可能な外壁面構造で、
半導体基板を載せて搬送する移動授受手段と、上記搬送
室内における上記移動授受手段の駆動手段と、上記連通
路の出口を遮断する連通路出口遮断手段と、上記移動授
受手段の上記連通路内での位置を検出して、それぞれの
遮断手段の開閉や上記排気手段につながる排気系および
上記給気手段につながる給気系を制御する制御手段とを
有し、上記連通路の入口と出口との距離ｃを、上記半導
体基板の有効取扱直径Ｄ_mにほぼ等しくすることを特徴
とする半導体製造装置。
【請求項９】請求項８記載の半導体製造装置において、
上記連通路手段は、搬送室から上記半導体製造装置外に
半導体基板を授受する機能を有する連通手段であること
を特徴とする半導体製造装置。
【請求項１０】請求項８記載の半導体製造装置におい
て、上記連通路手段は、第１の搬送室から第２の搬送室
に半導体基板を授受する機能をもつ構造を有する連通路
手段であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１１】請求項１記載の半導体製造装置におい
て、上記処理室は、所望のガスの供給排気制御を行うガ
ス供給排気手段を有することを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項１２】請求項１記載の半導体製造装置におい
て、上記処理室は、所望のガスを励起し試料面に所望の
パターンを形成する励起手段を有することを特徴とする
半導体製造装置。
【請求項１３】請求項１記載の半導体製造装置におい
て、上記処理室は、所望のパターンの自己成長処理を行
う育成手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１４】請求項１記載の半導体製造装置におい
て、上記処理室は、所望のパターンの除去加工処理を行
う除去加工手段を有することを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項１５】請求項１記載の半導体製造装置におい
て、上記処理室は、所望のパターンの堆積加工処理を行
う堆積加工手段を有することを特徴とする半導体製造装
置。