TW202411458A - 用於不對稱晶圓弓翹補償的多路徑螺旋混合器 - Google Patents
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 679
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 477
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 220
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 183
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 112
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 71
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 43
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 40
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 17
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 168
- 239000010408 film Substances 0.000 description 151
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 118
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 92
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 55
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 53
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 44
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 44
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 44
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 39
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 39
- 230000006870 function Effects 0.000 description 35
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 229920006302 stretch film Polymers 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 16
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 11
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000006727 cell loss Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009429 distress Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- -1 oxides Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013316 zoning Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
一設備包括桿體及內部流徑。桿體具有近端及遠端。近端包括入口，其每一者不同並配置成接收對應氣體。遠端沿著桿體之縱向軸線與近端相對並配置成與氣體分配器接合。遠端包括出口，其至少一者不同。內部流動路徑包括第一內部流徑及第二內部流徑。內部流徑中之每一者延伸於入口中之對應入口與出口中之至少一對應出口之間，使得內部流徑相互不同。每一內部流徑包括配置成沿著縱向軸線引發紊流以響應於對應氣體沿著內部流徑流動的結構。
Description
本發明係關於用於不對稱晶圓弓翹補償的多路徑螺旋混合器。
半導體製造通常涉及在晶圓上沉積並圖案化結構之一或更多製程。隨著晶圓上或橫跨整個晶圓之結構及/或材料的複雜性及/或不均勻性增加，施加至晶圓上的應力會導致晶圓變形(例如，弓翹、扭曲等)，其影響從結構形成到產品良率的諸多方面。例如， 在三維反-及(NOT-AND)邏輯閘(3D-NAND)結構製造中，具有厚、高應力基於碳之硬遮罩、金屬化圖案及基板溝槽的多層堆疊膜可能引起嚴重的晶圓翹曲，導致前側微影疊對(overlay)不匹配、晶圓弓翹超出靜電吸盤之夾持極限等問題。
本文所提供的背景描述係為了概述本發明內容脈絡之目的。本案發明人的成果(在此先前技術段落中所述之範圍內)、以及在申請時可能未以其他方式認定為先前技術之描述態樣，並未明示或默示地被承認為相對於本發明的先前技術。
本說明書中所述標的之一或更多實施方式的細節闡述於附圖及下文敘述中。其他特徵、態樣及優點將從描述、附圖及請求項變得顯而易見。以下非限定實施方式被視為本發明之一部分；從本發明之整體內容及附圖亦將顯而易見其他實施方式。
一些實施方式提供能夠以不同(distinct)或部分混合狀態提供一或更多氣體至氣體分配器(例如噴淋頭、噴淋頭基座等)的設備。
一些實施例提供能夠將一或更多氣體(例如一或更多製程(反應物)氣體及/或一或更多稀釋氣體)分配於製程腔室中鄰近(例如在上方或在下方)基板的區域中。
額外態樣將於下詳細描述中闡述，且部分將從本發明顯而易見，或可透過實行所揭示之實施例及/或所主張之標的來獲知。
根據實施例，一設備包括一桿體及複數內部流徑。該桿體包括一近端及一遠端。該近端包括複數入口。該等入口之每一者相互不同(distinct)並配置成接收對應一或更多氣體。該遠端沿著該桿體之縱向軸線設置成相對於該近端。該遠端配置成與沉積設備之氣體分配器接合。該遠端包括複數出口。該等出口之至少一者與該等出口之至少另一者不同(distinct)。該複數內部流徑包括一第一內部流徑及一第二內部流徑。該等內部流徑之每一者延伸於該等入口中之一對應入口與該等出口中之至少一對應出口之間，使得該等內部流徑相互不同(distinct)。該等內部流徑之每一者包括一或更多結構，其配置成沿著桿體之縱向軸線引發紊流以響應於對應一或更多氣體沿著內部流徑流動。
在一些實施例中，該等入口可包括一第一入口及一第二入口，第一入口之軸線可在第一方向上與桿體之縱向軸線間隔開，第一內部流徑之第一部分可沿著第一入口之軸線縱向延伸，第二入口之軸線可在不同於第一方向之第二方向上與桿體之縱向軸線間隔開，且第二內部流徑之第一部分可沿著第二入口之軸線縱向延伸。
在一些實施例中， 該一或更多結構可定義第一內部流徑之一或更多第二部分。第一內部流徑之第二部分的每一者可沿著繞著桿體之縱向軸線的第一螺旋路徑。此外，該一或更多結構可定義第二內部流徑之一或更多第二部分。第二內部流徑之第二部分的每一者可沿著繞著桿體之縱向軸線的第二螺旋路徑。
在一些實施例中，第一及第二螺旋路徑可相互呈不同相位，使得第二內部流徑之每一第二部分與第一內部流徑之對應第二部分交繞。
在一些實施例中，該一或更多第一結構可進一步定義第一內部流徑之一或更多第三部分。第一內部流徑之第三部分的每一者可沿著桿體之縱向軸線線性延伸。又，該一或更多第二結構可進一步定義第二內部流徑之一或更多第三部分。第二內部流徑之第三部分的每一者可沿著桿體之縱向軸線線性延伸。
在一些實施例中，第一內部流徑之第三部分的每一者可在第二方向上與桿體之縱向軸線間隔開，且第二內部流徑之第三部分的每一者可在第一方向上與桿體之縱向軸線間隔開。
在一些實施例中，第一內部流徑之第三部分的每一者可定義一第一腔室，其包括縮窄第一內部流徑之通道的至少一第一衝擊凸部，且第二內部流徑之第三部分的每一者可定義一第二腔室，其包括縮窄第二內部流徑之通道的至少一第二衝擊凸部。
在一些實施例中，該至少一第一衝擊凸部可沿著第一腔室之內壁的第一周圍部分延伸，且該至少一第二衝擊凸部可沿著第二腔室之內壁的第二周圍部分延伸。
在一些實施例中，一中間參考平面可將第一及第二腔室分成對應分區，且中間參考平面可平行於桿體之縱向軸線延伸並與其相交。進一步地，第一腔室之第一周圍部分可設於中間參考平面之與第二腔室之第二周圍部分相反的一側上。
在一些實施例中，第一腔室可包括多個第一衝擊凸部，且第二腔室可包括多個第二衝擊凸部。
在一些實施例中，第一內部流徑之該一或更多第二部分可與第一內部流徑之該一或更多第三部分沿著桿體之縱向軸線交替佈設，且第二內部流徑之該一或更多第二部分可與第二內部流徑之該一或更多第三部分沿著桿體之縱向軸線交替佈設。
在一些實施例中， 第一內部流徑可包括四個第二部分及三個第三部分，且第二內部流徑可包括四個第二部分及三個第三部分。
在一些實施例中， 第一內部流徑之該四個第二部分中的三個可包括繞著桿體之縱向軸線的至少三個旋繞(revolution)。第一內部流徑之該四個第二部分中的一個可包括繞著桿體之縱向軸線的至少一個旋繞，第一內部流徑之該四個第二部分中的該一個可比第一內部流徑之該四個第二部分中的該三個更靠近桿體之遠端。第二內部流徑之該四個第二部分中的三個可包括繞著桿體之縱向軸線的至少三個旋繞。第二內部流徑之該四個第二部分中的一個可包括繞著桿體之縱向軸線的至少一個旋繞，第二內部流徑之該四個第二部分的該一個可比第二內部流徑之該四個第二部分的該三個更靠近桿體之遠端。
在一些實施例中，該等出口之該至少一者可定義第一內部流徑之一出口，且第一內部流徑之一第四部分可沿著該等出口之該至少一者的軸線縱向延伸。該等出口之該至少一者的該軸線可沿著桿體之縱向軸線延伸。
在一些實施例中，該等出口之該至少一者的該軸線可與桿體之縱向軸線同軸對準。
在一些實施例中，該一或更多結構可進一步定義第二內部流徑之一或更多第四部分。第二內部流徑之第四部分的每一者可環繞第一內部流徑之第四部分。第二內部流徑之第四部分的每一者可包括沿著桿體之縱向軸線延伸的一環形通道。每一環形通道可包括較靠近桿體之近端的第一端以及較靠近桿體之遠端的第二端。每一第二端可終止於一對應衝擊表面處，該衝擊表面包括沿著桿體之縱向軸線延伸的複數貫通通道孔口。該對應複數貫通通道孔口可繞著桿體之縱向軸線相互周向隔開。
在一些實施例中，每一環形通道可與桿體之縱向軸線同軸對準。
在一些實施例中，第二內部流徑可包括沿著桿體之縱向軸線軸向佈設的多個第四部分，且該複數第四部分中一第四部分之該等貫通通道孔口的第一中心軸線可周向偏離該複數第四部分中另一第四部分之該等貫通通道孔口的第二中心軸線。
在一些實施例中，第一中心軸線可與第二中心軸線不重合。
在一些實施例中，第二內部流徑之該一第四部分的該等貫通通道孔口可定義桿體之遠端之該等出口中的多個出口。該等出口中的該多個出口可與第一內部流徑之該出口不同。
在一些實施例中，第二內部流徑可包括五個該第四部分。
在一些實施例中，第一內部流徑之第四部分可延伸得比第二內部流徑之第四部分的每一者離桿體之近端更遠。
在一些實施例中，桿體可為一增材製成組成件，且內部流徑可在桿體中定義連續空隙。
在一些實施例中，桿體可由鋁合金形成。
在一些實施例中，內部流徑可在桿體內相互流體隔離。
在一些實施例中，氣體分配器可為沉積設備之噴淋頭基座。
在一些實施例中，氣體分配器可為沉積設備之噴淋頭。
在一些實施例中，內部流徑可進一步包括至少一第三內部流徑。
根據實施例，設備包括一噴淋頭。噴淋頭包括 一第一表面、一第二表面及一桿體。第一表面包括複數第一入口。第二表面相對於該第一表面，該第二表面包括複數氣體分配埠。桿體包括一近端、一遠端及複數內部流徑。該近端包括複數第二入口。該等第二入口之每一者相互不同並配置成接收一或更多氣體。該遠端沿著桿體之縱向軸線設置成相對於該近端。該遠端配置成耦接至噴淋頭之第一表面。該遠端包括與該複數第一入口接合之複數出口。該等出口之至少一者與該等出口之至少另一者不同。該等內部流徑之每一者延伸於該等第二入口中之一對應第二入口與該等出口中之至少一對應出口之間，使得該等內部流徑在桿體內相互流體隔離。該等內部流徑之每一者包括配置成沿著桿體之縱向軸線引發紊流以響應於一或更多氣體流動的一或更多結構。該等內部流徑中之一第一內部流徑流體連接至第一組之氣體分配埠。該等內部流徑中之一第二內部流徑流體連接至第二組之氣體分配埠，該第二組不同於該第一組。
在一些實施例中，該噴淋頭可為噴淋頭基座，其配置成在其外圍處或附近支撐基板，使得基板之背側實質上暴露於該複數氣體分配埠。
在一些實施例中，設備可進一步包括一製程腔室，配置成將桿體之一第一部分及該噴淋頭支撐於其內。該製程腔室可包括一開口，桿體之一第二部分延伸穿過該開口以暴露該近端。
根據實施例，設備包括一主體。該主體包括一第一表面及在第一方向上與第一表面相對之一第二表面。該第一表面包括複數氣體分配埠並分成複數區域。該複數氣體分配埠包括： 一組之第一氣體分配埠，分佈於該等區域中之第一區域上，每一第一氣體分配埠透過對應第一氣體分配流徑流體連接至一或更多第一氣體入口；一組之第二氣體分配埠，分佈於該等區域中之第二區域上，每一第二氣體分配埠透過對應第二氣體分配流徑流體連接至一或更多第二氣體入口；及一組之第三氣體分配埠，分佈於該等區域中之第三區域上，每一第三氣體分配埠透過對應第三氣體分配流徑流體連接至一或更多第三氣體入口。第一區域將第二區域與第三區域分開。在該主體內，第一氣體分配流徑與第二與第三氣體分配流徑之每一者分開。
在一些實施例中，該一或更多第二氣體入口亦可定義該一或更多第三氣體入口。
在一些實施例中，第一氣體分配流徑可配置成提供一或更多第一氣體至第一氣體分配埠，使得來自第一氣體分配埠之該一或更多第一氣體的輸出在第一區域上呈現第一氣流分佈；第二氣體分配流徑可配置成提供一或更多第二氣體至第二氣體分配埠，使得來自第二氣體分配埠之該一或更多第二氣體的輸出在第二區域上呈現第二氣流分佈；第三氣體分配流徑可配置成提供一或更多第二氣體至第三氣體分配埠，使得來自第三氣體分配埠之該一或更多第二氣體的輸出在第三區域上呈現第三氣流分佈；且對於相同入口/出口邊界條件，第一、第二及第三氣流分佈可為不同。
在一些實施例中，第一氣流分佈可為實質上均勻，第二氣流分佈可在第二區域上沿至少一方向變化，且第三氣流分佈可在第三區域上沿至少一方向變化。
在一些實施例中，第二及第三氣流分佈之每一者可隨著距第一氣流分佈之距離增加而增加。
在一些實施例中，第二及第三區域之每一者可包括： 一第一排列之氣體分配埠，具有第一空間關係；以及一第二排列之氣體分配埠，具有不同於第一空間關係之第二空間關係。
實在一些實施例中，第二空間關係可包括比第一空間關係更密集排列的氣體分配埠。
在一些實施例中，第一氣體分配埠可根據第一空間關係分佈於第一區域上。
在一些實施例中，第一排列之氣體分配埠可環繞第二排列之氣體分配埠。
在一些實施例中，第二排列之氣體分配埠可比第一表面之中心更靠近第一表面之外圍。
在一些實施例中， 該組之第二氣體分配埠可包括： 第一子組之第二氣體分配埠，分佈於第二區域之第一子區域上；以及第二子組之第二氣體分配埠，分佈於第二區域之第二子區域上，第二區域之第二子區域鄰近第二區域之第一子區域。進一步地，該組之第三氣體分配埠可包括： 第一子組之第三氣體分配埠，分佈於第三區域之第一子區域上；以及第二子組之第三氣體分配埠，分佈於第三區域之第二子區域上，第三區域之第二子區域鄰近第三區域之第一子區域。
在一些實施例中，在相同入口/出口邊界條件下， 第二氣體分配流徑可配置為使得沿著與第二子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的相應流導大於沿著與第一子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的每一相應流導。進一步地，在相同入口/出口邊界條件下，第三氣體分配流徑可配置為使得沿著與第二子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的相應流導大於沿著與第一子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的每一相應流導。
在一些實施例中，該組之第二氣體分配埠可進一步包括第三子組之第二氣體分配埠，分佈於第二區域之第三子區域上，第二區域之第三子區域在第二區域之第一與第二子區域之間。又，該組之第三氣體分配埠可進一步包括 第三子組之第三氣體分配埠，分佈於第三區域之第三子區域上，第三區域之第三子區域在第三區域之第一與第二子區域之間。
在一些實施例中，在相同入口/出口邊界條件下 ，第二氣體分配流徑可配置為使得沿著與第三子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的相應流導大於沿著與第一子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的每一相應流導，並小於沿著與第二子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的每一相應流導。進一步地，在相同入口/出口邊界條件下，第三氣體分配流徑可配置為使得沿著與第三子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的相應流導大於沿著與第一子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的每一相應流導，並小於沿著與第二子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的每一相應流導。
在一些實施例中，第二區域之第三子區域可包括一子部分，其中第三子組之第二氣體分配埠的第一複數個第二氣體分配埠配置不同於第三子組之第二氣體分配埠的第二複數個第二氣體分配埠。此外，第三區域之第三子區域可包括一子部分，其中第三子組之第三氣體分配埠的第一複數個第三氣體分配埠配置不同於第三子組之第三氣體分配埠的第二複數個第三氣體分配埠。
在一些實施例中，第三子組之第二氣體分配埠的第一複數個第二氣體分配埠可比第三子組之第二氣體分配埠的第二複數個第二氣體分配埠佈設地更密集。又，第三子組之第三氣體分配埠的第一複數個第三氣體分配埠可比第三子組之第三氣體分配埠的第二複數個第三氣體分配埠佈設地更密集。
在一些實施例中，該主體可包括複數通道沿不同於第一方向之第二方向延伸，該等通道在不同於第二方向之第三方向上相互間隔開。進一步地，該等通道之每一者可流體連接至對應複數個該等氣體分配埠。
在一些實施例中，該等通道之每一者在垂直於第二方向之平面上的橫截面積可實質上相等。
在一些實施例中，該等通道之至少一者在垂直於第二方向之平面上的橫截面積可不同於該等通道之至少另一者在垂直於第二方向之平面上的橫截面積。
在一些實施例中，該等通道中之相鄰通道之間的對應間距可實質上相等。
在一些實施例中，第一複數個該等通道可以第一間距沿第三方向佈設，且第二複數個該等通道可以不同於第一間距之第二間距沿第三方向佈設。
在一些實施例中，設備可進一步包括一外壁，其環繞該主體。該主體可進一步包括：一第三表面，延伸於第一表面與第二表面之間；複數第一盲腔，凹入第三表面並繞著主體之周邊佈設；以及複數第二盲腔，凹入第三表面並繞著主體之周邊佈設，第一盲腔之每一者在該第一方向上設於第一表面與第二盲腔之對應者之間。此外，延伸於第一盲腔與第二盲腔之間之第三表面的一部份可形成一間隔壁。該間隔壁可包括在第三表面中的複數凹部。凹部之每一者可在第一方向上設於鄰近於彼此之第一與第二盲腔的對應者之間，以結合外壁之內表面形成流體連接第一與第二盲腔之對應者的相應氣流通道。
在一些實施例中，第一盲腔之每一者可流體連接至一或更多通道。
在一些實施例中，該等通道之一些通道可將第一盲腔中的兩個第一盲腔相互流體連接，相對於主體之中心軸線相互相對之該兩個第一盲腔沿第一方向延伸。
在一些實施例中，第一組之第一盲腔中每一第一盲腔可具有第一開口區面向外壁之內表面並可流體連接至第一數量的該等通道，且第二組之第一盲腔中每一第一盲腔可具有第二開口區面向外壁之內表面並可流體連接至第二數量的該等通道。第二開口區可大於第一開口區。第二數量可大於第一數量。
在一些實施例中，設備可進一步包括： 在主體中之複數第一長孔，其從主體之第一中心區域徑向延伸；以及在主體中之複數第二長孔，其從主體之第二中心區域徑向延伸。第一長孔之每一者可具有：一對應近端，流體連接至該一或更多第一入口之至少一者；以及一對應遠端，流體連接至該等第二盲腔中之一第二盲腔，以形成第一氣體分配流徑之至少一者的對應部分。第二長孔之每一者可具有：一對應近端，流體連接至該一或更多第二入口與該第一或更多第三入口之至少一者；以及一對應遠端，流體連接至該等第二盲腔中之一第二盲腔，以形成第二與第三氣體分配流徑之至少一者的對應部分。
在一些實施例中， 第一長孔之每一者可在主體之第一平面區域中延伸，第二長孔之每一者可在不同於主體之第一平面區域之主體的第二平面區域中延伸，且第一平面區域可比第二平面區域更靠近主體之第二表面。
在一些實施例中，第一與第二平面區域之每一者可比該等通道之每一者更靠近第二表面。
在一些實施例中，第一與第二長孔在垂直於其相應縱向延伸方向之對應平面上的相應橫截面積可為相等。
在一些實施例中，第一組之第二盲腔可直接實體且流體連接至第一長孔並可在主體內部與第二長孔分開，且第二組之第二盲腔可直接實體且流體連接至第二長孔並可在主體內部與第一長孔分開。該第二組之第二盲腔可包括第一子組之第二盲腔，第一子組之第二盲腔的每一第二盲腔可直接實體且流體連接至第二長孔遠端中之第二長孔的一個遠端。該第二組之第二盲腔一亦可包括第二子組之第二盲腔，第二子組之第二盲腔的每一第二盲腔可直接實體且流體連接至第二長孔遠端中之第二長孔的兩個遠端。
在一些實施例中，第一組之第二盲腔可佈設於主體之第一區域中，第一子組之第二盲腔可佈設於主體之第二區域中，且第二子組之第二盲腔可佈設於主體之第三區域中。主體之第二區域可在主體之第一與第三區域之間。
在一些實施例中，第二區域可設於第一區域之相對側上，且第三區域可設於第二區域之相對側上及第一區域之相對側上。
在一些實施例中，第一長孔之每一者在垂直於其相應縱向延伸方向的平面上可具有實質上相等的第一橫截面積，與第一子組之第二盲腔相關聯之每一第二長孔在垂直於其相應縱向延伸方向的平面上可具有實質上相等的第二橫截面積，與第二子組之第二盲腔相關聯之每一第二長孔在垂直於其相應縱向延伸方向的平面上可具有實質上相等的第三橫截面積，且第一、第二及第三橫截面積可互不相同。
在一些實施例中，第三橫截面積可大於第二橫截面積，且第二橫截面積可大於第一橫截面積。
在一些實施例中，設備可進一步包括一冷卻導管熱耦接至主體。該冷卻導管可具有配置成接收處於第一溫度之潔淨乾空氣(CDA)的一入口及配置成輸出處於不同於第一溫度之第二溫度之該CDA的一出口。主體可包括凹入第二表面之一第一凹槽。冷卻導管之一部分可延伸於第一凹槽內。
在一些實施例中，一第一帽結構可將冷卻導管以壓迫狀態封於第一凹槽中。
在一些實施例中，冷卻導管可由不銹鋼形成。
在一些實施例中，冷卻導管尺寸可為使得CDA流速能夠高達約140標準升每分鐘且雷諾數大於約2500。
在一些實施例中，設備可進一步包括一電阻加熱元件。主體可進一步包括凹入第二表面之一第二凹槽。電阻加熱元件之一部分可延伸於第二凹槽內。
在一些實施例中，在第一方向上，第二凹槽可比第一凹槽更深地延伸入第二表面。又，在垂直於第一方向之徑向方向上，第二凹槽之最外部可比第一凹槽之最外部更靠近主體之外圍。
在一些實施例中，設備可進一步包括一製程腔室，配置成將主體支撐於其內。該主體可形成噴淋頭之一部分。
在一些實施例中，噴淋頭可為一噴淋頭基座，其配置成將基板支撐於其上，使得基板的大部分背側暴露於複數氣體分配埠。
在一些實施例中，主體可由鋁合金形成。
以上的概要性描述及以下的詳細描述為說明性及解釋性，且旨在對對所主張的標的提供進一步解釋。
在以下描述中，闡述許多具體細節以提供對諸多實施例的透徹理解。可在沒有一些或所有此些具體細節下實行所揭示之實施例。在其他實例中，不再詳細描述眾所周知之製程操作，以免不必要地模糊所揭示之實施例。儘管將結合具體實施例來描述所揭示之實施例，但將理解，其並非意在限制所揭示之實施例。
在本申請中，術語「半導體晶圓」、「晶圓」、「基板」、「晶圓基板」及「部分已製成之積體電路」可互換使用。本領域普通技術人員將理解，術語「部分已製成之積體電路」可指積體電路製造之許多階段中任一者期間的矽晶圓。半導體裝置產業中所使用之晶圓或基板通常具有200 mm或300 mm或450 mm的直徑。除了半導體晶圓之外，可利用所揭示實施例之其他工件包括諸多製品，例如印刷電路板、磁記錄媒體、磁記錄感測器、反射鏡、光學元件、微機械裝置及類似者。
半導體製造製程涉及諸多結構的形成，其中許多可為二維。 隨著半導體裝置尺寸微縮且裝置縮至更小，整個半導體基板上之特徵部密度增加，因而有以諸多方式(包括三維方式)蝕刻且沉積之材料層。例如，3D-NAND為一項變得更受歡迎的技術，其原因在於，相較於其他技術(例如二維(2D)-NAND結構)有較低成本及增加的記憶體密度，且在諸多應用中有更高的可靠度。在3D-NAND結構的製造期間，晶圓弓翹會極大變化。例如，在製造3D-NAND結構時，沉積厚的硬遮罩材料及沿晶圓表面蝕刻溝槽可能導致晶圓弓翹。由於膜層在製作期間係堆疊於彼此上，因此更多應力被引至半導體晶圓上，其便會導致弓翹。此外，沿晶圓不同軸的應力場可能變得更加不均勻，從而導致多模態弓形。
可利用光學技術來測量弓翹。可透過獲得晶圓圖或應力圖來測量或評估晶圓弓翹。可使用如本文所述之弓值及/或翹曲值來量化弓翹。一般而言，「晶圓弓值」根據美國材料試驗學會(American Society for Testing and Materials, ASTM) F534標準是測量自由、未被夾之晶圓中間表面中心點從中間表面到等邊三角形(其底邊以一指定量小於晶圓標稱直徑)之三個角所定義之參考平面的偏差。「晶圓翹曲值」根據ASTM F657及ASTM F1390標準是自由、未被夾之晶圓中間表面距參考平面之最大與最小距離之間的差值。然而，注意，翹曲值可沿一或更多軸來表示—例如，不對稱翹曲晶圓可能具有x軸翹曲及/或y軸翹曲。進一步地，「晶圓平坦度」根據ASTM F1530標準是晶圓背面呈理想平坦時晶圓正面相對於指定參考平面之偏差的程度，以總指標讀數或最大焦平面偏差表示。
在弓形晶圓中，最低點是晶圓中心而最高點是晶圓邊緣。在圓頂形晶圓中，最低點是晶圓邊緣，而最高點是晶圓中心。弓形及圓頂形晶圓具有對稱或大程度對稱的弓翹。晶圓亦可能具有不對稱的弓翹。在不對稱弓翹中，翹曲是沿著x軸及y軸測量。不對稱弓翹晶圓具有不同的x軸翹曲與y軸翹曲。在一些例子中，不對稱弓翹晶圓具有負x軸翹曲與正y軸翹曲。在一些例子中，不對稱弓翹晶圓具有正x軸翹曲與負y軸翹曲。在一些例子中，不對稱弓翹晶圓具有正x軸翹曲與正y軸翹曲，但翹曲值不同。在一些實例中，不對稱弓翹晶圓具有負x軸翹曲與負y軸翹曲，但翹曲值不同。不對稱弓翹晶圓的示例為鞍形晶圓。對於鞍形晶圓，在一示例中，x軸上的翹曲可為+200 μm，而y軸上的翹曲可為-200 μm。鞍形晶圓具有向上彎曲之晶圓的兩相對邊緣，而晶圓之另兩相對邊緣則向下彎曲。如本文所使用，翹曲可指晶圓呈現偏離平面度的任何偏差，其中弓形晶圓、圓頂形晶圓及鞍形晶圓是不同類型的基板翹曲示例。
弓翹可能對後續處理(例如在微影期間)造成問題，因為若半導體基板翹曲，蝕刻可能不均勻。高弓翹可能是沉積厚、高應力碳硬遮罩層所引起。 此外，由於多層堆疊膜以及此等製造製程中使用厚、高應力基於碳之硬遮罩的存在，蝕刻可能導致一些不對稱翹曲，且沉積製程可能引起高達在-1300 μm至+1300 μm弓翹之間變化的顯著晶圓翹曲。例如，可灰化硬遮罩可具有高達-1000 MPa的應力值及高達-1000 μm的弓值。在一些例子中，高深寬比狹縫蝕刻與金屬填充(例如，鎢填充)可能在半導體基板上引起大的非等向應力。
解決此等晶圓翹曲可能是一項挑戰，因為後續或下游處理可能受到超過例如約±150 μ m、約±200 μ m、約±300 μ m或約±500 μ m之晶圓翹曲的影響。然而，當理解，隨著製程對晶圓拓撲(wafer topology)變得更加敏感，可能需解決較小程度的晶圓翹曲。一示例問題是，機械晶圓搬運可能會因晶圓翹曲而受到影響，其中不平坦的晶圓可能無法被晶圓機器人或晶圓搬運機構有效地夾持或固持。另外，晶圓翹曲可能導致製程非均勻度，其中下游蝕刻、沉積或清潔操作可能因晶圓表面上之處理非均勻度而受到不利影響。例如，晶圓翹曲可能導致不良的熱接觸，其可能導致晶圓不均勻加熱，進而可能導致晶圓之不均勻處理。在一些實例中，處理高度翹曲之晶圓可能會導致進一步翹曲。例如，沿一方向蝕刻溝槽可能因晶圓上不對稱應力而導致不對稱弓翹之翹曲。此外，微影操作可能受到晶圓翹曲的不利影響，因為無法形成精確的圖案。當將晶圓用於涉及將晶圓夾於靜電吸盤之後續處理中時，高度翹曲的晶圓可能無法在一些工具中進行處理。許多靜電吸盤具有「夾持極限」，其係定義為無法有效夾持晶圓之前所容忍的最大翹曲。例如，一些靜電吸盤具有約±300 μm之夾持極限。在此等實例中，超過夾持極限之翹曲晶圓可能無法進行處理。
圖1示意性地示出呈現不對稱弓翹之弓翹半導體基板的透視圖。
參見圖1，相對於具有參考平面103之三維坐標系示出基板101，參考平面103平行於x軸方向與y軸方向所定義出的平面。以此方式，沿著u軸方向指出基板101相對於參考平面103之變形程度(例如，翹曲)。據此，基板101被示為不對稱地弓翹。換言之，基板101沿x軸方向之弓翹程度不同於基板101沿y軸方向之弓翹程度。例如，x軸方向上之翹曲達到第一正值，而y軸方向上之翹曲達到第二負值，第二負值的大小大於第一正值的大小。基板101之此等變形可稱為基板101之「鞍形」弓翹。如本文所使用，翹曲係指基板101之中間表面偏離參考平面103(且因而偏離平面度)的任何偏差。
隨著3D-NAND結構持續擴展且高深寬比特徵部變得越來越普遍，正出現與半導體基板上局域化應力及晶粒間應力變化有關之新挑戰。局域化應力及晶粒間應力變化可能會導致區塊彎折(block-bending)、單元串擾(cell cross-talk)、單元損耗(cell loss)及/或單元錯位(cell misalignments)。局域化應力係指以不均勻方式發生在晶圓內之應力變化。不良補償/校正之局域化應力可能會導致局域化晶圓拓樸(topology)變化，其進而可能導致微影期間之不良對位。此等不良對位通常依照平面變形(in-plane distortion, IPD)來觀察，其為晶圓上對位標記因晶圓拓樸而偏離其預期位置之向量位移的量化。微影期間之高IPD可能會導致臨界尺寸或微影步驟中定義之任何其他特徵部發生非所欲之變化，因此可能因微影錯誤而出現前述之區塊彎折、單元串擾、單元損耗及/或單元錯位的現象。
圖2A至圖2C示意性地示出呈現不對稱弓翹之基板的諸多視圖。 例如，圖2A示意性地示出基板201的平面圖，而圖2B及圖2C示意性地示出基板201分別沿剖面線2B-2B及2C-2C截取的剖視圖。如圖2A所示，基板201可包括形成在前側205上的諸多特徵部(例如，金屬化圖案203)，其至少部分地導致基板201不對稱地弓翹。為便於說明，圖2B及2C中並未示出基板201之前側205上的特徵部結構。可從圖2B及2C知悉，基板201呈現沿x軸方向之拋物線弓翹及沿y軸方向之反拋物線弓翹，其組合可產生類似於圖1中基板101之鞍形弓翹的鞍形弓翹。
可採用諸多技術來解決基板(例如基板201)的弓翹。例如，可在半導體基板之背側(例如背側207)上形成一或更多應力補償層。利用背側應力補償層通常已限於減輕單調全域晶圓翹曲。換言之，解決半導體基板弓翹的技術通常限於解決軸對稱或多軸對稱的弓翹輪廓。在一些實例中，不對稱弓翹可透過在層形成期間使用遮罩或前驅物分區(precursor zoning)技術形成背側應力補償層來解決。例如，局域化應力調變可透過使用例如承載環遮罩將前驅物材料輸送至不對稱弓翹基板之某些區或區域來達成。在其他實例中，局域化應力調變可透過採用多個氣室以控制氣體輸送至不同位置之前驅物分區來達成。然而，此等技術取得的成功有限，部分原因在於高IPD疊對(overlay)以及與夾持弓翹基板相關的問題。此等問題可能是由於區域之間膜應力的劇烈轉變以及難以設計將局部拓撲變化降至最小之區域佈局。
據此，一或更多實施例尋求提供經由背側沉積降低基板不對稱弓翹的方法及設備。氣體分配器(例如，噴淋頭、噴淋頭基座等)之前驅物控制可對沉積在基板背側上之一或更多膜提供所欲之厚度分佈。該一或更多沉積膜可用於共同形成應力補償層。應力補償層之應力分佈可用多項式函數來表徵。 以此方式，應力補償層可減輕或者甚至解決不對稱弓翹基板中的局域化應力。在一些實施方式中，應力補償層可透過膜堆疊方法形成，其沉積具有不同厚度分佈之多個膜。在一些實施方式中，可在弓翹基板的背側上沉積具有非線性厚度分佈之壓縮膜與具有不同非線性厚度分佈之拉伸膜的組合。例如，壓縮膜可具有第一拋物線形輪廓，而拉伸膜可具有第二拋物線形輪廓，其在與第一拋物線形輪廓相反的方向上開口。以此方式，可共同利用壓縮膜與拉伸膜來形成應力補償層。在一些實例中，應力補償層可呈平坦或實質上平坦。此等透過背側沉積之膜堆疊技術可用於將IPD疊對(overlay)問題減至最小(或至少減小)，而不影響夾持基板的能力。
應力補償層中該一或更多膜之厚度調控可透過在一或更多沉積操作期間控制靠近(或鄰近)基板之前驅物及稀釋氣體濃度來達成。根據諸多實施例，鄰近基板之前驅物及稀釋氣體濃度可透過氣體分配器中之設計特徵部來控制。 此等設計特徵部可影響來自氣體分配器之前驅物氣體及稀釋氣體的流動動力學。在一實施例中，氣體分配器可分成多個氣體分佈組(或區域)。例如，一或更多前驅物氣體可被輸送至(並因此來自)一或更多第一區域，而一或更多稀釋氣體可被輸送至(並因此來自)一或更多第二區域。在一些實例中， 從一區域輸出的氣體(或穿過該區域之氣流分佈)可為均勻(或實質上均勻)，而從一或更多其他區域輸出的氣體可為不規則，例如，呈現梯度，例如隨著距該一區域之距離增加而增加的非線性梯度、例如隨著距該一區域之距離增加而增加的拋物線梯度。如本文所使用之關於氣流及氣流分佈的術語「均勻」係指實質上均勻或相似的氣流或氣流分佈；此等氣流或氣流分佈可能因諸多局域化效應潛在地包括較小的擾動或偏差，但仍可被視為大致均勻。為此，本文提及之諸多氣流分佈可被視為氣體分配器結構的作用，並因而被理解為在相同入口/出口邊界條件下發生，例如壓力、溫度等。在一些例子中，從該一或更多其他區域輸出之氣體可呈現隨著距該一區域之距離增加而增加的階式梯度或任何其他合適的氣體輸出分佈。根據一些實施例，全部氣體分配埠之組合氣流分佈可呈現相對於軸的鏡像對稱，但不呈現3重或更高的徑向對稱。此等多區域流量控制可用於在層形成期間調變鄰近基板之前驅物及稀釋氣體的濃度。亦預期一或更多主要區域可包括一或更多子區域，且該一或更多子區域可(在一些實施方式中)包括一或更多子部分以進一步定制鄰近基板之前驅物與稀釋氣體的濃度(或流動動力學)，例如鄰近基板邊緣之流動動力學。此可透過主區域、子區域及/或子區域之子部分之間不同的氣體分配埠模式來達成(例如位置、密度、埠尺寸等)。額外地或可替代地，對不同區域、子區域及/或子區域之子部分供應一或更多前驅物或一或更多稀釋氣體之不同的氣體分配流徑(例如尺寸、數量、流導等)亦可用於定制鄰近基板之前驅物及稀釋氣體的濃度(或流動動力學)。
圖3為根據一些實施例減輕不對稱晶圓弓翹之製程的流程圖。圖4A、4B1、4B2及4C示意性地示出根據一些實施例形成應力補償層以減輕不對稱晶圓弓翹的諸多階段。製程300可以不同順序及/或利用不同、較少或額外的操作來執行。製程300之操作將結合圖4A至4C中所示之形成應力補償層的諸多階段來描述。進一步地，製程300之操作可使用膜沉積之設備來執行，例如結合圖7A、7B、8、9A-9C、10、11、12A-12C、13-16、18A、18B、19、20、21A、21B及22-30中一或更多圖所述之設備。在一些實施方式中，可實施製程300的操作，其至少部分地根據儲存在一或更多非暫態電腦可讀媒體中的軟體。
在方塊301，可使呈現不對稱弓翹之基板至少部分地裝載至沉積設備中，例如配置成將材料沉積於基板背側上的設備。作用在基板上之應力分佈可包括非均勻地施加至基板上之一或更多壓縮區域及/或一或更多拉伸區域。一般而言，施加於基板上的拉伸應力引起具有正值的翹曲並至少部分地引起基板的凹形彎曲。施加於基板上的壓縮應力引起具有負值的翹曲並至少部分地引起基板的凸形彎曲。基板上之諸多拉伸與壓縮應力的組合可能導致基板包括表面(例如，中間表面)偏離代表平面配置的參考平面。在一些實例中，基板的翹曲可能超過±300 µm。進一步地，不對稱弓翹可能導致鞍形或反向鞍形基板。
基板可為矽晶圓，例如200 mm晶圓、300 mm晶圓、450 mm晶圓或類似者，包括沉積於基板前側之一或更多層材料(例如介電、導電及/或半導電材料)。該一或更多層中之一些者可被圖案化。層之非限定示例包括介電層及導電層，例如氧化矽、氮化矽、碳化矽、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物及金屬層。在一些實例中，基板本身可被圖案化。例如，基板可包括在基板中形成(例如蝕刻)有一或更多溝槽之3D-NAND結構。據此，應力分佈之該一或更多壓縮區域與該一或更多拉伸區域可歸因於例如基板上之該一或更多層材料、該一或更多層中之一或更多圖案、基板中之該一或更多溝槽等。
基板可能呈現翹曲，例如約+1000 μm之翹曲。在一些實例中，基板可能具有超過約+300 μm之翹曲。在一些例子中，基板可能具有大於約+300 μm且小於約+1000 μm之翹曲。翹曲可能發生在基板之一或更多區域。為此，翹曲沿x軸方向與y軸方向可能具有不同的值(或輪廓)。翹曲可能是基板中非等向應力分佈所導致。
如本文所使用，拉伸區域產生引起具有正值之翹曲的拉伸應力。 拉伸區域引起基板的凹形彎曲。如本文所使用，壓縮區域產生引起具有負值之翹曲的壓縮應力。壓縮區域引起基板的凸形彎曲。該一或更多壓縮區域與該一或更多拉伸區域可歸因於例如，基板上之該一或更多層材料、該一或更多層中之該一或更多圖案、基板中之該一或更多溝槽等。
在一些實施方式中，基板的中心具有壓縮應力而基板之至少兩相對邊緣具有拉伸應力。在一些例子中，基板之中心具有拉伸應力而基板之至少兩相對邊緣具有壓縮應力。基板之x軸方向上的應力分佈可以拋物線或其他非線性函數來表述。基板之y軸方向上的應力分佈可以拋物線或其他非線性函數來表述。為此，x軸方向上之應力分佈可以多項式函數來表述，且y軸方向上之應力分佈可以多項式函數來表述。
根據一些實施例，使基板至少部分地被提供於製程腔室中(例如，圖29之腔室2903)以執行沉積操作。製程腔室可配置用於背側及/或前側沉積。在一些實施方式中，背側沉積可透過將製程氣體從製程腔室之底部噴淋頭(例如，噴淋頭基座)輸送至基板背側來達成。在一些實施方式中，基板的背側未被圖案化。一般描述於本文中的噴淋頭係指用於將氣體輸送至基板背側的噴淋頭基座。
圖4A示意性地示出呈現不對稱弓翹之基板的剖視圖。儘管未明顯示出，但基板401為弓形。基板401之前側401a可被圖案化為具有在基板401中導致非等向應力分佈的結構。非等向應力分佈可以多項式函數來表徵，例如x軸與y軸方向之一者或兩者上的拋物線函數，其中x軸與y軸定義出基板401的參考平面。基板401可呈不對稱弓翹。例如，基板401可呈現鞍形弓翹。在一些例子中，基板401可在x軸方向與y軸方向之一者或兩者上具有大於或等於約+300 μm或者小於或等於約-300 μm的翹曲。可使基板401至少部分地被提供於用於沉積的製程腔室中，例如用於背側沉積的製程腔室。
返回圖3，在方塊303，利用來自噴淋頭基座之第一氣流配置使第一膜至少部分地沉積在基板401的背側401b上。使第一膜至少部分地在基板401之背側401b上具有第一非線性厚度分佈。
根據一實施例，第一膜為壓縮膜，其為具有固有壓縮應力之薄膜。壓縮膜可具有固有壓縮應力，例如高達-4000 MPa的負應力值。厚度分佈係沿著膜的軸向(例如，x軸或y軸方向)呈現。非線性厚度分佈係以膜沿軸向偏離線性的任何偏差來表徵。非線性厚度分佈可以拋物線函數或其他多項式函數來表徵。例如，非線性厚度分佈可為向上或向下開口的第一拋物線形分佈。在第一拋物線形分佈向上開口的情況下，壓縮膜在基板401之邊緣處較厚且在基板401之中心處逐漸變薄。在第一拋物線形分佈向下開口的情況下，壓縮膜在基板401之中心處較厚且在邊緣處逐漸變薄。取決於基板401的翹曲，壓縮膜可在x軸與y軸方向之一者或兩者上具有非線性厚度分佈。
根據非線性厚度分佈來沉積壓縮膜可透過控制來自噴淋頭基座之前驅物及/或稀釋氣體濃度來進行。可控制前驅物及/或稀釋氣體濃度在基板401之背側401b上變化。例如，厚度控制可透過在沉積期間控制鄰近基板401背側401b之前驅物及/或稀釋氣體濃度來達成。較多用於沉積壓縮膜之前驅物在壓縮區域中流動。較少或沒有用於沉積壓縮膜之前驅物流至拉伸區域中。控制前驅物濃度以在基板401背側401b上變化可透過影響來自噴淋頭基座之流動動力學來進行。前驅物及/或稀釋氣體濃度可沿著基板401之x軸與y軸方向之一者或兩者變化。
在一些實施方式中，壓縮膜可為壓縮氧化矽、壓縮氮化矽、壓縮矽或壓縮碳膜，但實施例不限於此。例如，在一些實施方式中，壓縮膜為壓縮氧化矽膜或壓縮氮化矽膜。前驅物氣體、稀釋氣體與製程條件之選擇可用於調控壓縮膜的應力。在一些實施方式中，使用任何合適的沉積技術將壓縮膜沉積在基板401的背側401b上，例如電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強原子層沉積(PEALD)或原子層沉積(ALD)。例如，可利用PECVD使壓縮膜至少部分地沉積。
如本文所使用，「氧化矽」包括含有矽與氧原子的化合物，包括Si
xO
y之任何及所有化學計量可能性，包括x與y的整數值以及x與y的非整數值。 進一步地，「氮化矽」在本文中被稱為包括Si
xN
y之任何及所有化學計量可能性，包括x與y的整數值以及x與y的非整數值；例如，比率X： Y可為3： 4。
在一些實施例中，壓縮氧化矽膜可使用含矽前驅物與含氧反應物之混合物來沉積。含矽前驅物之示例包括但不限於矽烷及四乙氧基矽烷(tetraethyl orthosilicate，TEOS)。含氧反應物的示例包括但不限於氧與一氧化二氮。在PECVD中，含矽前驅物可與暴露於電漿之含氧反應物反應以形成壓縮氧化矽膜。可存在惰性氣體，例如氦。
根據一些實施方式，壓縮氮化矽膜可使用含矽前驅物與含氮反應物之混合物來沉積。含矽前驅物的示例包括但不限於矽烷及TEOS。含氮反應物的示例包括但不限於氮與氨。在PECVD中，含矽前驅物可與暴露於電漿之含氮反應物反應以形成壓縮氮化矽膜。可存在惰性氣體，例如氦。
含矽前驅物與反應物以及電漿類型(雙頻或單頻)與製程條件的選擇可影響正沉積之膜的應力。在一些實施方式中，沉積期間含矽前驅物相對於流動之其他氣體的流速可調控應力。例如，在壓縮氮化矽之沉積中，矽烷流量的增加可降低應力，使得壓縮氮化矽膜呈較小壓縮性。因此，在一些實施方式中，矽烷流量增加導致沉積膜呈較小壓縮性，且在一些實施方式中，可調控基板溫度以調變壓縮膜中的應力。例如，可使用較高的溫度來使正沉積的膜達到較高的應力或提高穩定性。在一些實施方式中，用於在基板401背側401b上進行沉積之基板溫度大於或等於約200℃且小於或等於650℃。
根據一些實施例，壓縮膜可用於補償基板401之該一或更多壓縮區域。在一些實施方式中，壓縮膜的厚度可基於基板401上的位置而變化。例如，壓縮膜在任何給定位置處的厚度可大於或等於0 nm並小於或等於約2000 nm。為此，壓縮膜之平均厚度可約1000 nm，但實施例不限於此。壓縮膜的厚度會影響壓縮膜之晶圓弓翹以補償基板401中的不對稱弓翹。據此，壓縮膜中之非線性厚度分佈達成補償基板401之該一或更多壓縮區域的所需晶圓弓翹。
圖4B1示意性地示出沉積在基板401背側401b上之具有拋物線厚度分佈的壓縮膜403剖視圖。可透過PECVD使壓縮膜403至少部分地沉積。壓縮膜403可為壓縮氧化矽膜、壓縮氮化矽膜、壓縮矽膜、壓縮碳膜或類似者。壓縮膜403在基板401中心處可比基板401之相對邊緣處更厚。儘管壓縮膜403被示為具有拋物線厚度分佈，但該厚度分佈可匹配或實質上匹配多項式函數，例如二階或三階多項式函數。壓縮膜403的拋物線厚度分佈向下開口。沿x軸或y軸方向繪出壓縮膜403之拋物線厚度分佈。
根據一些實施例，第一膜可為在基板401背側401b上具有第二非線性厚度分佈的拉伸膜。拉伸膜係指具有固有拉伸應力的薄膜。拉伸膜可具有固有拉伸應力，例如高達+4000 MPa的正應力值。非線性厚度分佈可以拋物線函數或其他多項式函數來表徵。取決於基板401中的翹曲，拉伸膜可在x軸與y軸方向之一者或兩者上具有非線性厚度分佈。在一些實施方式中，非線性厚度分佈可為向下或向上開口的第二拋物線形分佈。在一些實施方式中，第二拋物線形分佈在與第一拋物線形分佈相反的方向上開口。
根據非線性厚度分佈沉積拉伸膜可透過控制來自噴淋頭基座之前驅物及/或稀釋氣體濃度來進行。可控制前驅物及/或稀釋氣體濃度在基板401背側401b上變化。例如，厚度控制可透過在沉積期間控制鄰近基板401背側401b之前驅物及/或稀釋氣體濃度來達成。較多用於沉積拉伸膜之前驅物可在拉伸區域中流動，而較少或沒有用於沉積拉伸膜之前驅物流至壓縮區域中。當注意，控制前驅物及/或稀釋氣體濃度在基板401背側401b上變化可透過影響來自噴淋頭基座之流動動力學來進行。為此，前驅物及/或稀釋氣體濃度可沿基板401之x軸與y軸方向之一者或兩者變化。
在一些實施方式中，拉伸膜可為拉伸氧化矽膜、拉伸氮化矽膜、拉伸矽膜、拉伸碳膜或類似者。例如，拉伸膜可為拉伸氧化矽膜或拉伸氮化矽膜。前驅物、稀釋氣體與製程條件之選擇可用於調控拉伸膜的應力。在一些實施方式中，使用任何合適的沉積技術將拉伸膜沉積在基板401的背側401b上，例如PECVD、CVD、PEALD或ALD。例如，可利用PECVD使拉伸膜至少部分地沉積。
在一些實施方式中，拉伸氧化矽膜可使用含矽前驅物與含氧反應物之混合物來沉積。在PECVD中，含矽前驅物可與暴露於電漿的含氧反應物反應以形成拉伸氧化矽膜。可存在惰性氣體，例如氦。
拉伸氮化矽膜可(在一些實施例中)使用含矽前驅物與含氮反應物之混合物來沉積。在PECVD中，含矽前驅物可與暴露於電漿之含氮反應物反應以形成拉伸氮化矽膜。可存在惰性氣體，例如氦。
含矽前驅物與反應物以及電漿類型(雙頻或單頻)與製程條件的選擇可影響正沉積之膜的應力。在一些實施方式中，沉積期間含矽前驅物相對於流動之其他氣體的流速可調控應力。在一些實施方式中，可調控基板溫度以調變拉伸膜中的應力。例如，可使用較高的溫度來使正沉積的膜達到較高的應力或提高穩定性。在一些實施方式中，用於在基板401背側401b上進行沉積之基板溫度大於或等於約200℃且小於或等於650℃。然而，實施例不限於此。
拉伸膜可用於補償基板401之該一或更多拉伸區域。在一些實施方式中，拉伸膜的厚度可基於基板401上的位置而變化。例如，拉伸膜在任何給定位置處的厚度可大於或等於0 nm並小於或等於約2000 nm。為此，拉伸膜之平均厚度可為約1000 nm，但實施例不限於此。拉伸膜的厚度會影響拉伸膜之晶圓弓翹以補償基板401中的不對稱弓翹。據此，拉伸膜中之非線性厚度分佈達成補償基板401之該一或更多拉伸區域的所需晶圓弓翹。
圖4B2示意性地示出沉積在基板401背側401b上之具有拋物線厚度分佈的拉伸膜405剖視圖。拉伸膜405可透過PECVD沉積。拉伸膜405可為拉伸氧化矽膜、拉伸氮化矽膜、拉伸矽膜、拉伸碳膜或類似者。在一些例子中，拉伸膜405在基板401之相對邊緣處可比在基板401中心處更厚。儘管拉伸膜405被示為具有拋物線厚度分佈，但該厚度分佈可匹配或實質上匹配多項式函數，例如二階或三階多項式函數。拉伸膜405的拋物線厚度分佈向上開口。沿x軸或y軸方向繪出拉伸膜405之拋物線厚度分佈。
返回圖3，在方塊305，於第一膜上形成另一膜之前，可視情況地使基板401(包括形成在背側401b上之第一膜) 至少部分地旋轉預定量。例如，可使基板401至少部分地旋轉大於約0°且小於約180°，例如大於約30°且小於約150°，例如大於約60°且小於約120°，例如大於約80°且小於約100°。在一實施例中，可使基板401至少部分地旋轉90°或大約90°。然而，當注意，可利用任何其他合適的旋轉。
根據一些實施例，基板401之旋轉可手動地或經由一或更多自動化方法來達成。例如，可從處理腔室移除基板401、使用外部對準器旋轉、並裝載回製程腔室中。在一些實施方式中，基板401可透過支撐結構(例如晶座、噴淋頭基座等)之旋轉而在處理腔室中旋轉。亦預期基板401可透過旋轉夾爪(spindex)、星形叉或任何其他合適的晶圓搬運機器人在處理腔室內旋轉。
在方塊307，利用不同於第一氣流配置之第二氣流配置使第二膜至少部分地形成在第一膜上。在一些實施方式中，第二氣流配置可與第一氣流配置相反，將如下文變得更加清楚。然而，當注意， 第一氣流配置可包括一或更多製程氣體流至噴淋頭基座之第一區域中，且一或更多稀釋氣體流至噴淋頭基座之第二及第三區域(位於第一區域側面)中。以此方式，第二氣流配置可包括一或更多稀釋氣體流至噴淋頭基座之第一區域中，且一或更多製程氣體流至噴淋頭基座之第二與第三區域中。
在一些實施方式中，第二膜可配置成在基板401上施加第二應力分佈，該第二應力分佈不同於第一膜所施加的第一應力分佈。因此，壓縮膜與拉伸膜的沉積可互換地發生。亦即，可先沉積壓縮膜，接著是拉伸膜，或者可先沉積拉伸膜，接著是壓縮膜。在任一例子中，可堆疊壓縮膜與拉伸膜並一起實現形成應力補償層之平坦或實質上平坦的表面。此平坦度可由具有第一線性厚度分佈之壓縮膜(不同於具有第二非線性厚度分佈之拉伸膜)來產生。因此，在基板401背側401b上形成應力補償層，其呈平坦或實質上平坦。一般而言，應力補償層係指沉積在基板401背側401b上以校正或補償基板401中晶圓弓翹的一或更多膜。如本文所用，詞語「實質上平坦」係指小於約100 μm之晶圓弓翹或偏離平坦參考平面之偏差。具有平坦或實質上平坦之應力補償層降低IPD，其中低IPD降低疊對(overlay)影響、確保適當的晶圓夾持、並避散焦(defocus)。
根據諸多實施例，透過堆疊多個膜來形成應力補償層，例如，壓縮膜與拉伸膜，其中應力補償層具有非線性應力分佈。應力補償層之非線性應力分佈可主要以多項式函數來表徵，例如拋物線函數。在一些實施方式中，額外膜或層可堆疊於壓縮膜及拉伸膜上，以在應力補償層中達到所欲應力分佈。在一些實施方式中，去除應力補償層。例如，可在進一步下游處理操作中去除應力補償層。
圖4C示意性地示出形成在基板401背側401b上之應力補償層407的側視圖。應力補償層407包括相互堆疊的壓縮膜403與拉伸膜405。透過堆疊壓縮膜403與拉伸膜405，應力補償層407實現平坦或實質上平坦的表面407a。至少因為壓縮膜403與拉伸膜405朝相反方向開口，故組合壓縮膜403與拉伸膜405之厚度分佈得以形成平坦或實質上平坦的輪廓。應力補償層407之不同區域具有不同的應力值以局部調變應力。應力補償層407中的應力變化可以多項式函數(例如拋物線函數)來表徵。在諸多實施例中，應力補償層407減輕基板401中的不對稱弓翹。在沉積應力補償層407之前，基板401可在x軸與y軸方向之一者或兩者上具有大於或等於約+300 μm或者小於或等於約-300 μm的翹曲。在沉積應力補償層407之後，基板401可在x軸與y軸方向上具有約-300 μm與約+300 μm之間的翹曲。在一些實施方式中，在沉積應力補償層407之後，基板401可在x軸與y軸方向上具有約-100 μm與約+100 μm之間的翹曲。然而，亦預期在基板401背側401b上形成應力補償層407可消除(或實質上消除)x軸與y軸方向中之一或更多者上的翹曲，例如，將x軸與y軸方向中之一或更多者上的翹曲減少至0 μm或約0 μm。
圖5為根據一些實施例示出以下每一者之厚度分佈與應力分佈的圖：i) 壓縮膜、ii) 拉伸膜，以及 iii) 結合壓縮膜與拉伸膜的應力補償層。
如圖5所示，圖上部提供以基板沿x軸方向之位置為函數的厚度分佈。圖下部提供以基板沿x軸方向之位置為函數的應力分佈。應力分佈中的值是應力乘以膜厚度的乘積值。應力乘以膜厚度的乘積值與晶圓弓翹相關。
關於厚度分佈，高壓縮膜之第一厚度分佈510繪為具有第一拋物線形曲線。厚度係以多項式函數變化，使得第一厚度分佈510中的厚度朝基板中心呈拋物線增加且朝基板邊緣呈拋物線減小。高拉伸膜之第二厚度分佈520繪為在與第一拋物線形曲線相反之方向上開口的第二拋物線形曲線。例如，厚度係以多項式函數變化，使得第二厚度分佈520中的厚度朝基板邊緣呈拋物線增加且朝向基板中心呈拋物線減小。高壓縮膜與高拉伸膜之組合產生第三厚度分佈530，其在基板之x軸方向上呈平坦的或均勻。
繼續參考圖5，高壓縮膜之第一應力分佈515繪為第三拋物線形曲線。隨著高壓縮膜的厚度朝基板中心呈拋物線增加，應力呈拋物線減小，因而變得更負。隨著高壓縮膜的厚度在基板邊緣處呈拋物線減小，應力呈拋物線變得較不負並穿過中性軸(neutral axis)。高拉伸膜之第二應力分佈525繪為第四拋物線形曲線。隨著高拉伸膜的厚度朝基板邊緣呈拋物線增加，應力呈拋物線增加。隨著高拉伸膜的厚度朝基板中心呈拋物線減小，應力呈拋物線減小並到達中性軸。第三應力分佈535是高壓縮膜與高拉伸膜之組合所致的結果，例如總應力。朝基板邊緣，第三應力分佈535之應力呈拋物線增加，而朝基板中心，應力呈拋物線變得更負。
根據諸多實施例，壓縮或拉伸膜的厚度分佈透過在材料沉積期間控制鄰近基板之前驅物及稀釋氣體的濃度來調變。前驅物與稀釋氣體之此濃度可透過改變有多少前驅物及稀釋氣體從氣體分配器(例如噴淋頭或噴淋頭基座) 沿x軸與y軸方向之至少一者流動來控制。氣體分配器之結構組成件可配置成改變來自其之前驅物及/或稀釋氣體分佈。
為便於描述與說明，諸多實施例將結合噴淋頭基座實施方式(配置成調變鄰近基板背側之前驅物及稀釋氣體分佈)來描述。然而，將知悉，一些實施例同樣適用於噴淋頭實施方式。鄰近基板之前驅物及稀釋氣體分佈輪廓可匹配(或實質上匹配)沉積在基板上之材料的所欲厚度分佈。所欲厚度分佈可透過多項式函數來描述，例如二階或更高階多項式函數。用於提供此等定制厚度分佈之噴淋頭基座的諸多特徵部及/或設計將結合圖7A、7B、8、9A-9C、10、11、12A-12C、13-16、18A、18B、19、20、21A、21B及22-27來描述。在一些實施方式中，前驅體及稀釋氣體輸出可分成多個區域，以產生特定的厚度分佈，將如下文變得更清楚。
圖6為根據一些實施例比較從諸多配置之氣體分配器相對於基板背側流動之反應物氣體濃度的所欲分佈及模擬分佈圖。
參考圖6，相對於噴淋頭基座之氣體輸出表面上的位置示出來自噴淋頭基座之反應物氣體濃度。該等位置沿徑向方向延伸，該徑向方向可沿x軸或y軸方向延伸。所欲分佈601之氣體濃度沿著拋物線曲線，其中噴淋頭基座中心處具有最大濃度而噴淋頭基座邊緣處則為零濃度。模擬分佈603、605及607可能不完全匹配所欲分佈601，但至少一者可實質上匹配所欲分佈601以在基板背側上達到足夠的沉積分佈。基於將觀察到的曲線擬合至多項式函數並評估其間之殘差以確定可接受之相關性程度，觀察到或模擬的曲線可被視為「實質上匹配」拋物線或多項式曲線。例如，當殘差之統計量測(例如R平方或調整後的R平方)達到或超過預定信賴水準(confidence level)，則觀察到的曲線可被視為「實質上匹配」多項式函數。根據諸多實施例，氣體分配器可配置成輸出實質上匹配所欲拋物線或多項式函數之氣體濃度分佈。在探討一些示例噴淋頭基座之諸多氣體分配特徵部之後，將更詳細地描述模擬分佈603、605及607。
根據諸多實施例，氣體分配器用於分配製程腔室中鄰近(例如在上方或下方)基板之區域中的一或更多氣體，例如一或更多製程(或反應物)氣體及/或一或更多稀釋氣體。一般地，氣體分配器具有第一表面及第二表面，其每一者包括流體插設於氣體分配器之主體內部與外部之間的埠(或孔)。第一表面定義主體的一部分，在半導體製程期間，該部分面向製程腔室中處理操作期間可設置晶圓的位置。第一表面包括複數氣體分配埠，其為允許氣體從氣體分配器內朝基板輸送之開口或孔。第二表面定義主體的一部分，該部分背離製程腔室中處理操作期間可設置晶圓的位置。在平面圖中，第一表面與第二表面之每一者可具有圓形(或實質上圓形)形狀，但實施例不限於此。至少一第三表面可延伸於第一表面與第二表面之間，以將一或更多容積封於氣體分配器內。此些一或更多容積可定義氣體分配器內部之一或更多氣體分配流徑的一部分，並可由氣體分配器內部中的一或更多通孔(或通道)、空腔、凹部、及/或長孔來定義。一或更多氣體入口可與第二表面接合以輸送一或更多氣體進行分配。在一些實施例中，該一或更多氣體入口設置於連接至第二表面的桿中。該一或更多容積內的氣體透過流出複數氣體分配埠而離開氣體分配器。結合諸多噴淋頭基座實施方式之背景下的圖7A、7B、8、9A-9C、10、11、12A-12C、13-16、18A、18B、19、20、21A、21B及22-27來描述氣體分配器之一些示例架構。如前所述，噴淋頭基座為配置成將氣體輸送至基板背側的噴淋頭。
圖7A及7B示意性地示出根據一些實施例之氣體分配器的透視圖。 圖8示意性地示出根據一些實施例之圖7A氣體分配器的部分分解透視圖。圖9A示意性地示出根據一些實施例之圖7A氣體分配器的第一表面平面圖。圖9B示意性地示出根據一些實施例之圖9A的放大部分。圖9C示意性地示出根據一些實施例之另一氣體分配器的第一表面放大部分。圖10示意性地示出根據一些實施例之氣體分配器一部分的側視圖。圖11示意性地示出根據一些實施例之圖10氣體分配器一部分的剖視圖。圖12A、12B及12C示意性地示出根據一些實施例之圖7A及10氣體分配器分別沿剖面線12A-12A、12B-12B及12C-12C截取的剖視圖。 圖13示意性地示出根據一些實施例之圖10氣體分配器一部分之第二表面平面圖。圖14示意性地示出根據一些實施例之圖12B的放大部分。圖15示意性地示出根據一些實施例之穿過圖7A氣體分配器的氣體分配流徑。
參考圖7A-15，噴淋頭基座700包括主體701、外壁703及桿705。主體701在第一方向(例如平行於z軸方向延伸的方向)上具有第一表面701a及與第一表面701a相對的第二表面701b。據此，主體701的厚度沿著第一方向定義。第一表面701a包括複數氣體分配埠707，其可被分成複數區域(或組)，例如區域711、713及715。每一氣體分配埠707可包括對應出口707a、入口707b以及流體插設於出口707a與入口707b之間的通道707c。區域711、713及715可沿第二方向(例如，平行於x軸方向延伸的方向)彼此相鄰。進一步地，區域711、713與715可在第三方向上(例如，平行於y軸方向延伸的方向)縱向延伸。在一些實施例中，區域713的縱向延伸可將區域711與區域715分開。第一、第二與第三方向相互交叉，且在一些實例中，第一、第二與第三方向可相互垂直。儘管繪出三個區域，但實施例不限於此。例如，氣體分配埠707可被分成兩個區域或被分成四個或更多區域。進一步地，雖然氣體分配埠707的出口707a被示為具有圓形橫截面積，但可利用任何合適的形狀，例如，橢圓形、多邊形、自由形狀等。為了方便起見，下文中將假設氣體分配埠707具有用於出口707a、入口707b及通道707c的圓形橫截面積。
另外，氣體分配埠707之一或更多區域可包括氣體分配埠之至少一子區域。例如，區域711可包括子區域711a、711b、711c及711c1，而區域715可包括子區域715a、715b、715c及715c1，如圖9A及9B中所示。注意，子區域711c1與715c1可形成子區711c與715c的相應子部分。因此，子區域711c1與715c1在下文中將被稱為子部分711c1與715c1。在另一實施例中，子區域711c與715c可各自分別包括兩個或更多子部分。例如，子區域715c可包括子部分715c11及715c12，例如圖9C中所示。將如下變得更加清楚，氣體分配埠之每一區域可具有相同圖案(或空間排列)的氣體分配埠，除了設置在子區域之子部分中的氣體分配埠可具有不同圖案(例如，更密集的圖案)以外。然而，實施例不限於此。
根據一實施例，不僅噴淋頭基座700之中心軸線717延伸穿過區域713的中心，第一表面701a之橫向軸線719及721亦是如此。橫向軸線719可延伸穿過區域711與715的相應中心，以及子區域711a、711b、711c、715a、715b與715c及子部分711c1與715c1的相應中心。以此方式，區域711、713與715之對應形狀可具有最大寬度W
711、W
713與W
715，以及最大長度L
711、L
713與L
715。子區域711a、711b與711c之對應形狀可具有最大寬度W
711a、W
711b與W
711c以及最大長度L
711a、L
711b與L
711c。子部分711c1與715c1之對應形狀可具有最大寬度W
901及最大長度L
903。長度L
713可大於長度L
711、L
711a、L
711b、L
711c、L
715、L
715a、
L715b、L
715c與L
903中的每一者。長度L
711、L
711a、L
715與L
715a可相等並可大於長度L
711b、L
711c、L
715b、L
715c與L
903中的每一者。長度L
711b與L
715b中的每一者可大於長度L
711c、L
715c與L
903中的每一者，且長度L
711c與L
715c中的每一者可大於長度L
903。寬度W
901可小於寬度W
713、W
711、W
711a、W
711b、W
711c、W
715、W
715a、W
715b與W
715c中的每一者。寬度W
711與W
715可相等並可大於寬度W
713。寬度W
711c與W
715c可相等並可大於寬度W
713、W
711a、W
711b、W
715a與W
715b中的每一者。在一些實施例中，寬度W
711a、W
711b、W
713、W
715a與W
715b可相等。
在諸多實施方式中，區域713之形狀可相對於橫向軸線719與721之每一者呈現對稱性。區域711與715、子區域711a、711b、711c、715a、715b與715c以及子部分711c1與715c1的形狀可相對於橫向軸線719呈現對稱性。為此，區域711的形狀可與區域715之形狀相對於橫向軸線721具有鏡像對稱。子區域711a、711b與711c之形狀可與子區域715a、715b與715c之相應形狀具有鏡像對稱。為此，子部分711c1與715c1的形狀可為相同。同樣地，區域713中之氣體分配埠的圖案可相對於橫向軸線719與721之每一者具有對稱性。區域711與715、子區域711a、711b、711c、715a、715b與715c以及子部分711c1與715c1中之氣體分配埠的圖案可相對於橫向軸線719具有對稱性。在一或更多實施例中，區域711、713與715中之至少一些氣體分配埠可在圓形區域上分佈(或佈設)。亦注意，區域711、子區域711a、711b與711c以及子部分711c1中之氣體分配埠的組合圖案 以及區域715、子區域715a、715b、715c以及子部分715c1中之氣體分配埠的組合圖案可相對於橫向軸線(例如，橫向軸線721)呈現鏡像對稱，但不呈現三重或更高的徑向對稱性。
參考圖9A及9B，區域711、713與715中之每一氣體分配埠可具有相等(或實質上相等)直徑D
905且可在第二方向上以(或實質上以)間距P
907並在第三方向上以(或實質上以)間距P
909相互間隔開。間距P
907與P
909可(在一些實施例中)相等。進一步地，子部分711c1與715c1中之每一氣體分配埠可具有相等(或實質上相等)直徑D
911且可在第二方向上以(或實質上以)間距P
913並在第三方向上以(或實質上以)間距P
915相互間隔開。間距P
913與P
915可(在一些實例中)相等。在一些實施例中，間距P
913與P
915可為間距P
907與P
909之相應尺寸的大約四分之一。根據實施例，直徑D
905與D
911可相等，間距P
907可大於間距P
913，且間距P
909可大於間距P
915。進一步地，在第二方向上且相對於中心軸線717，子部分711c1與715c1之最外側氣體分配埠可分別以(或實質上以)相對於區域711與715之最外側氣體分配埠之距離O
917插入。在一些實例中，距離O
917可約0，或者，換言之，子部分711c1與715c1之最外側氣體分配埠可與區域711與715之最外側氣體分配埠對齊或實質上對齊，如圖9C所示。在一些實施例中，距離O
917可大於或等於間距P
907的大約一半並小於或等於間距P
907的大約三倍，例如，距離O
917可為間距P
907的兩倍。
儘管已描述區域、子區域及子區域之子部分的某些形狀、相對尺寸及對稱性，但實施例不限於此。例如，氣體分配埠707之區域、子區域及子部分可具有可使區域713內氣流量均勻(或實質上均勻)且區域711及715內之氣流量隨距中心軸線717距離增加而增加之任何合適的形狀、相對尺寸、對稱性及/或不對稱性。進一步，雖然已描述區域、子區域及子部分中氣體分配埠之某些圖案、間距、直徑、偏移、對稱性及/或不對稱性，但實施例不限於此。例如，區域、子區域及子部分中之氣體分配埠可具有可使區域713內(或橫跨區域713)之氣流量均勻 (或實質上均勻)且區域711與715內(或橫跨區域711與715)之氣流量隨著距中心軸線717距離增加而增加之任何合適的圖案、間距、直徑、偏移、對稱性及/或不對稱性。為此， 子區域或子區域之子部分中的氣體分配埠可具有可使區域711及715中(或橫跨區域711及71)之氣流量隨距中心軸線717距離增加而增加之任何合適的圖案、間距、直徑、對稱性及/或不對稱性。進一步地，子部分中的氣體分配埠可具有偏離包括該子部分之對應區域之最外側氣體分配埠的任何合適偏移量，以使區域711及715邊緣處(或附近)之氣流能夠匹配(或實質上匹配)橫跨區域711及715之預期氣流分佈。因此，諸多氣流分佈得以用於代替可配置氣體分配埠707之所有諸多結構方式，以達到預期結果。
例如，在一些實施方式中，區域711及715的氣體分配埠可在第二方向與第三方向之至少一方向上具有可變間距。例如，在區域711及715中，第二與第三方向之至少一方向上的至少一些氣體分配埠之間的間距可隨著距中心軸線717的距離增加而減小。例如，子區域711a之第二方向上氣體分配埠之間的間距可大於子區域711b之第二方向上氣體分配埠之間的間距，而子區域711b之第二方向上氣體分配埠之間的間距可大於子區域711c之第二方向上氣體分配埠之間的間距。對於子區域715a、715b及715c之第二方向上氣體分配埠之間的相對間距而言，可同樣如此。
在一些實施例中，一些氣體分配埠707之橫截面積可不同。例如，在區域711及715中，一些氣體分配埠之橫截面積可隨距中心軸線717距離增加而增加，例如沿第二方向與第三方向之至少一者。例如，子區域711a之氣體分配埠的橫截面積可小於子區域711b之氣體分配埠的橫截面積，子區域711b之氣體分配埠的橫截面積可小於子區域711c之氣體分配埠的橫截面積。對於子區域715a、715b及715c之氣體分配埠的相對橫截面積而言，可同樣如此。
根據諸多實施例，氣體分配埠707可將一或更多氣體(例如一或更多製程(或反應物)氣體及/或一或更多稀釋氣體)分配至製程腔室中鄰近基板背側的區域中。例如，一或更多第一氣體可從區域713之氣體分配埠流出，而一或更多第二氣體不僅可從區域711及715之氣體分配埠流出，還從子部分711c1及715c1之氣體分配埠流出。如此，噴淋頭基座700可透過使一或更多稀釋氣體在區域713或區域711與715之一者中流動以及使一或更多前驅物氣體在區域713或區域711與715中之另一者中流動，來調變輸送至基板背側上之前驅物氣體的濃度。以此方式，鄰近基板之某些區域或區中的稀釋氣體流將稀釋或以其他方式限制鄰近基板之該等區域中前驅物氣體(從鄰近基板之某些其他區域或區流出)的濃度。示例性稀釋氣體包括但不限於諸多惰性氣體或氣體物質，例如氮氣(N
2)、氦(He)、氬(Ar)、氖(Ne)或氙(Xe)。示例性製程(或前驅物)氣體包括但不限於含矽氣體、含氧氣體及含氮氣體(但通常不是純N
2)。
在一些實施方式中，稀釋氣體流過主體701以與鄰近基板之環境中的前驅物氣體混合。根據一些實施例，稀釋氣體流過主體701以與鄰近基板之環境中的前驅物氣體混合，但不在噴淋頭基座700之主體701內混合。如此，主體701可包括 一或更多第一氣體分配流徑，以將該一或更多第一氣體分配至區域713之氣體分配埠，且可包括一或更多第二氣體分配流徑，以將該一或更多第二氣體不僅分配至區域711及715之氣體分配埠，還分配至子部分711c1及715c1的氣體分配埠(若存在的話)。如下將變得更清楚，第一與第二氣體分配流徑之每一者可建立穿過主體701的途徑，其開始於入口並終止於氣體分配埠。在一些例子中，可在入口與氣體分配埠之間定義一或更多內部容積，例如透過一或更多長孔、盲腔、凹部及/或通孔(或通道)。在描述每一此些內部容積之前，將討論氣體分配埠佈設之諸多模擬示例的氣體濃度分佈。
回到圖6並繼續參考圖9A至圖9C，噴淋頭基座700之氣體分配埠 707的諸多配置可用於定制匹配或實質上匹配所欲分佈之氣體濃度分佈，例如以拋物線或多項式函數表徵的分佈。在類似於噴淋頭基座700之噴淋頭基座的第一模擬示例中，氣體分配埠707被分成類似於區域711、713及715的多個區域。在類似於噴淋頭基座700之另一噴淋頭基座的第二模擬示例中，氣體分配埠707不僅被分成類似於區域711、713及715之多個區域，多個區域中之一些區域(例如，類似於711及715的區域)還包括複數子部分。例如，類似於區域715之區域包括類似於圖9C中所示之子部分715c11及715c12的子部分，而類似於區域711之區域與類似於區域715之區域相對於橫向軸線721呈現對稱性。與圖9C所示相似，類似於子部分715c11及715c12之每一子部分具有最大寬度W
901及最大長度L
915。進一步地，類似於子部分715c11及715c12之子部分的最外側氣體分配埠在第二個模擬示例中實質上與類似於區域715之區域的相應最外側氣體分配埠對齊，或者換言之，距離O
917為(或大約)0。在類似於噴淋頭基座700之噴淋頭基座的第三模擬示例中，氣體分配埠707不僅被分成類似於區域711、713及715之多個區域，類似於區域711及715之每一區域還分別包括類似於圖9B中所繪之子部分711c1及715c1的子部分。以此方式，類似於子部分711c1及715c1之子部分的最外側氣體分配埠係以相對於類似於區域711及715之區域的相應最外側氣體分配埠之距離O
917(約間距P
907兩倍)插入。每一模擬噴淋頭基座實施方式中之氣體分配流徑為相同。
為了確定模擬氣體濃度分佈，反應物氣體(即一氧化二氮(N
2O))模擬成從類似於區域713之區域流出，且稀釋氣體模擬成從類似於區域711及715之區域以及類似於子部分711c1、715c1、715c11及715c12之子部分流出。以此方式，稀釋氣體模擬成與用於在基板上沉積壓縮或拉伸膜之反應物氣體同時從每一示例噴淋頭基座流出。注意，稀釋氣體降低(或稀釋)鄰近基板之反應物氣體的濃度。因此，基板外圍處稀釋氣體越多，即降低外圍處之反應物氣體的濃度，而基板中心處稀釋氣體越多，則降低中心處之反應物氣體的濃度。
如從圖6中所示之結果可知悉，與第一模擬示例相關之噴淋頭基座的配置產生與所欲分佈601有最小相關度的氣體濃度分佈603。與第三模擬示例相關之噴淋頭基座的配置產生與所欲分佈601有最大相關度的氣體濃度分佈607。又，氣體濃度分佈605(對應於第二模擬示例相關聯之噴淋頭基座的配置)之相關度介於氣體濃度分佈603與607之間。因此，在一或更多主要區域或子區域中利用一或更多子部分可用於進一步定制氣體濃度分佈，使得氣體濃度分佈更緊密地匹配或實質上匹配所欲分佈，例如以拋物線或多項式函數表徵的分佈。在下文中，將更詳細地描述噴淋頭基座700中配置成將氣體供應至氣體分配埠707中之一氣體分配埠的每一諸多內部容積。
參考圖10、11及12A，氣體分配埠707流體連接至複數通孔(或通道)，例如通孔1001_1至1001_25。通孔1001_1至1001_25在與第一方向交叉的第四方向上縱向延伸。第三方向與第四方向可相等同。在一些實施例中，通孔1001_1至1001_25係處於(或實質上處於)距第二表面701b距離H1101處以槍鑽孔方式穿過主體701。進一步，通孔1001_1至1001_25可在第五方向上以(或實質上以)間距P
1103相互隔開。第五方向與第一方向及第四方向交叉，且在一些實施方式中，第五方向可等同於第二方向。儘管示出二十五個通孔作為示例，但實施例不限於此。然而，主體701之結構完整性與對應通孔數所提供之氣體分佈效果之間存在對立性。例如，主體701之結構完整性可能隨著通孔數增加而降低，但氣體分佈效果可能會增加。
根據諸多實施例，通孔1001_1至1001_25群組可配置成將氣體提供至對應區域、子區域或子區域之子部分的氣體分配埠。例如，通孔1001_1至1001_11可流體連接至區域711之氣體分配埠，通孔1001_12至1001_14可流體連接至區域713之氣體分配埠，且通孔1001_15至1001_25可流體連接至區域715之氣體分配埠。為此，通孔1001_1至1001_5流體連接至子區域711c與子部分711c1之氣體分配埠，通孔1001_6至1001_8流體連接至子區域711b之氣體分配埠，且通孔1001_9至1001_11流體連接至子區域711a之氣體分配埠。同樣地，通孔1001_15至1001_17流體連接至子區域715a之氣體分配埠，通孔1001_18至1001_20流體連接至子區域715b之氣體分配埠，且通孔1001_21至1001_25流體連接至子區域715c及子部分715c1的氣體分配埠。
通孔1001_1至1001_25之遠端流體連接至第一複數盲腔，例如，盲腔1003_1至1003_12。盲腔1003_1至1003_12之每一者延伸至主體701之第三表面701c中達到(或實質上達到)深度L
1103並處於(或實質上處於)距主體701之第二表面701b距離H
1103處。主體701之第三表面701c可連接至主體701之第二表面701b並朝主體701之第一表面701a延伸。主體701之第四表面701d可連接主體701之第三與第五表面701c與701e。主體701之第五表面701e可連接主體701之第一與第四表面701a與701d。在一些實施例中，盲腔1003_1至1003_12佈設成圍繞主體701之周邊701p。例如，盲腔1003_1至1003_12可定義於主體701之第三表面701c中並繞著中心軸線717按方位角佈設。儘管示出十二個盲腔處於(或實質上處於)距主體701之第二表面701b距離H
1103處作為示例，但實施例不限於此。
如圖10及12A中所見，盲腔1003_1至1003_12之每一者可與通孔1001_1至1001_25之至少一者的一或更多遠端接合。例如，通孔1001_1至1001_5之第一與第二遠端可與盲腔1003_1接合，盲腔1003_1可流體連接至子區域711c及子部分711c1的氣體分配埠。通孔1001_6至1001_8之第一遠端可與盲腔1003_2接合，而通孔1001_6至1001_8之第二遠端可與盲腔1003_3接合。以此方式，盲腔1003_2及1003_3可流體連接至子區域711b之氣體分配埠。通孔1001_9至1001_11之第一遠端可與盲腔1003_4接合，而通孔1001_9至1001_11之第二遠端可與盲腔1003_5接合。如此，盲腔1003_4及1003_5可流體連接至子區域711a之氣體分配埠。通孔1001_12至1001_14之第一遠端可與盲腔1003_6接合，而通孔1001_12至1001_14之第二遠端可與盲腔1003_7接合。以此方式，盲腔1003_6及1003_7可流體連接至區域713之氣體分配埠。通孔1001_15至1001_17之第一遠端可與盲腔1003_8接合，而通孔1001_15至1001_17之第二遠端可與盲腔1003_9接合。因此，盲腔1003_8及1003_9可流體連接至子區域715a之氣體分配埠。通孔1001_18至1001_20之第一遠端可與盲腔1003_10接合，而通孔1001_18至1001_20之第二遠端可與盲腔1003_11接合。以此方式，盲腔1003_10及1003_11可流體連接至子區域715b之氣體分配埠。通孔1001_21至1001_25之第一與第二遠端可與盲腔1003_12接合，盲腔1003_12可流體連接至子區域715c及子部分715c1的氣體分配埠。據此，盲腔1003_2至1003_11之每一者可與通孔1001_1至1001_25中的三個通孔接合，而盲腔1003_1與1003_12之每一者可與通孔1001_1至1001_25中的五個通孔接合。然而，實施例不限於盲腔與通孔之間的上述配置。例如，第一複數盲腔中之任何給定盲腔可與一個、兩個或四個通孔接合，或可與多於五個通孔接合以實現區域713內均勻(或實質上均勻)之氣流量且區域711與715內之氣流量隨著距中心軸線717之距離增加而增加。
在一些實施例中，盲腔1003_1與1003_12的相應尺寸(例如，開口、深度、寬度與體積中的至少一者)可相等，而盲腔1003_2至1003_11的相應尺寸可相等。為此，盲腔1003_1與1003_12之每一相應尺寸可大於盲腔1003_2至1003_11之每一相應尺寸。然而，實施例不限於此。
參考圖10、11、12B及12C，盲腔1003_1至1003_12透過主體701之間隔壁723中的對應凹部(例如，凹部1007_1至1007_12)流體連接至第二複數盲腔(例如，盲腔1005_1至1005_12)。以此方式，盲腔1005_1可流體連接至子區域711c及子部分711c1的氣體分配埠，盲腔1005_2及1005_3可流體連接至子區域711b之氣體分配埠，且盲腔1005_4及1005_5可流體連接至子區域711a之氣體分配埠。以類似方式，盲腔1005_12可流體連接至子區域715c及子部分715c1的氣體分配埠，盲腔1005_10及1005_11可流體連接至子區域715b之氣體分配埠，且盲腔1005_8及1005_9可流體連接至子區域715a之氣體分配埠。又，盲腔1005_6及1005_7可流體連接至區域713之氣體分配埠。
根據諸多實施例，盲腔1005_1至1005_12可延伸至主體701之第三表面701c中達到(或實質上達到)深度L
1105並處於(或實質上處於)距主體701之第二表面701b距離H
1105處，使得間隔壁723在第一方向上將盲腔1005_1至1005_12與盲腔1003_1至1003_12分開。也就是說，間隔壁723中之凹部1007_1至1007_12形成複數氣體流動通道，其在第一方向上將鄰近之盲腔1005_1至1005_12流體連接至盲腔1003_1至1003_12中的對應者。如此，盲腔1005_1至1005_12亦可佈設為圍繞主體701之周邊701p，例如繞著中心軸線717按方位角佈設。儘管示出十二個盲腔處於(實質上處於)距主體701之第二表面701b距離H
1105處作為示例，但實施例不限於此。
在一些實施例中，盲腔1005_1與1005_12的相應尺寸(例如，開口、深度、寬度與體積中的至少一者)可相等，且盲腔1005_2至1005_11的相應尺寸可相等。為此，盲腔1005_1與1005_12之每一相應尺寸可大於盲腔1005_2至1005_11之每一相應尺寸。此外，在一些實施方式中，盲腔1003_1、1003_12、1005_1與1005_12的相應尺寸可相等，且盲腔1003_2至1003_11及1005_2至1005_11的相應尺寸可相等。然而，實施例不限於此。
如圖7A、7B、12A-12C及15所見，外壁703可連接至主體701，使得外壁703之上表面703a與內表面703b分別抵靠主體701之第四與第三表面701d 與701c。在一些實施方式中，外壁703之上表面703a與內表面703b的一或更多者與主體701之第四及第三表面701d 及701c之間可存在間隙。然而，注意，間隙的尺寸可配置(或維持在可接受的公差內)以產生阻止、最小化或至少減少氣體從中流過的氣體阻擋效果。例如，間隙相關之流導相對於氣體分配流徑之流導可足夠低到阻止偏離氣體分配流徑。以此方式，盲腔1003_1至1003_12及1005_1至1005_12可在噴淋頭基座700中形成對應的內部容積。在一些實施例中，盲腔1005_1至1005_12的深度L
1105大於盲腔1003_1至1003_12的深度L
1103。相較於深度L
1103，此增加深度L
1105可使盲腔1005_1至1005_12能夠用作氣體進入氣室，並使盲腔1003_1至1003_12能夠用作氣體分配氣室。例如，進入盲腔1005_1至1005_12之初始氣流可助於在噴淋頭基座700內建立源氣體的穩定壓力，其又助於在盲腔1003_1至1003_12內建立分配氣體的穩定壓力。盲腔1003_1至1003_12中的分配氣體可供至通孔1001_1至1001_25的遠端，以透過氣體分配埠707輸出。此配置不僅可使繞中心軸線717相反佈設之氣體分配埠得以呈現類似的氣流，且亦使噴淋頭基座700得以達到穩態氣流而不會消耗太多外來反應物及稀釋氣體。
參考圖11及12B，盲腔1005_6流體連接至長孔1201的遠端，而盲腔1005_7流體連接至長孔1203的遠端。長孔1201與1203之近端流體連接至第一入口1205，其配置成將一或更多第一氣體接收至主體701中。儘管示為單個入口，但第一入口1205可為一或更多第一入口1205。以此方式，長孔1201及1203在(或實質上在)距主體701之第二表面701b距離H
1203處從中心軸線717徑向延伸於主體701之第一大致平坦區域中。據此，第一入口1205及長孔1201與1203可流體連接至區域713的氣體分配埠。
如圖11及12C中所見，盲腔1005_1流體連接至長孔1207及1209的遠端，而盲腔1005_12流體連接至長孔1211及1213的遠端。盲腔1005_2至1005_5流體連接至長孔1215、1217、1219及1221之相應遠端。進一步地，盲腔1005_8至1005_11流體連接至長孔1223、1225、1227及1229之相應遠端。長孔1207至1229的近端流體連接至第二入口1231，第二入口1231配置成將該一或更多第二氣體接收至主體701中。儘管示為一個入口，但第二入口1231可形成為一或更多第二入口1231。以此方式，長孔1207至1229在(或實質上在)距主體701之第二表面701b距離H
1229處從中心軸線717徑向延伸於主體701之第二大致平坦區域中。在一些實施方式中，距離H
1229可大於距離H
1203。如此，長孔1201及1203可比長孔1207至1229更靠近主體701之第二表面701b。亦注意，在一些實施例中，距離H
1101可大於距離H
1229。如此，長孔1201、1203及1207至1229之每一者可比通孔1001_1至1001_25中之每一者更靠近主體701的第二表面701b。
基於上述配置，第二入口1231以及長孔1207與1209可流體連接至子區域711c及子部分711c1的氣體分配埠，第二入口1231及長孔1215與1217可流體連接至子區域711b的氣體分配埠，而第二入口1231及長孔1219與1221可流體連接至子區域711a的氣體分配埠。以類似方式，第二入口1231以及長孔1211與1213可流體連接至子區域715c及子部分715c1的氣體分配埠，第二入口1231以及長孔1227與1229可流體連接至子區域715b的氣體分配埠，而第二入口1231以及長孔1223與1225可流體連接至子區域715a的氣體分配埠。
據此，在諸多實施方式中，盲腔1005_2至1005_11之每一者可與長孔1201、1203及1207至1229中的一個長孔接合，而盲腔1005_1與1005_12之每一者可與長孔1201、1203及1207至1229中的兩個長孔接合。如此，盲腔1005_1及1005_12可經由長孔1207至1213接收較多的一或更多第二氣體，多於盲腔1005_2至1005_5及1005_8至1005_11經由長孔1215至1229所接收的。另外，盲腔1005_1及1005_12可經由長孔1207至1213接收較多的一或更多第二氣體，多於盲腔1005_6至1005_7經由長孔1201至1203所接收的。然而，實施例不限於此。例如，第二複數盲腔中的任何給定盲腔可與任何合適數量的長孔(例如三個、四個、五個或六個或更多長孔)接合，以實現例如區域713內均勻(或實質上均勻)的氣流量以及區域711及715中之氣流量隨著距中心軸線717的距離增加而增加。
根據一些實施例，長孔1201、1203與1207至1229之每一者的橫截面積可相等或實質上相等。然而，在一些實施方式中，長孔1201、1203及1207至1229中之至少一者可具有與長孔1201、1203及1207至1229中之至少另一者不同的橫截面積。例如，長孔1201及1203可具有相等(或實質上相等)的第一橫截面積，長孔1207至1213可具有相等(或實質上相等)的第二橫截面積，長孔1215、1217、1227及1229可具有相等(或實質上相等)的第三橫截面積，且長孔1219至1225可具有相等(或實質上相等)的第四橫截面積。第一與第二橫截面積可相等或實質上相等。每一第二橫截面積可大於每一第三橫截面積，且每一第三橫截面積可大於每一第四橫截面積。
第一至第四橫截面積之間的差異可在噴淋頭基座700內實現可變流導。例如，減小長孔之橫截面積可減小其流導，並因此增大流過其中之氣體所經歷的流阻。增加流阻，降低輸出。該推論亦是正確的。換言之，增加長孔的橫截面積可增加其流導，並因此減小穿過長孔之氣體所經歷的流阻。減少流阻，增加輸出。因此，對應長孔1201、1203及1207至1229之第一至第四橫截面積之間的差異可用於改變傳遞至盲腔1005_1至1005_12並因此經由與其流體連接之對應氣體分配埠輸出的氣體量。據此，第一至第四橫截面積之相對尺寸可用於定制供應至氣體分配埠之不同區域、子區域及/或子區域之子部分的氣體流速。此進而可用於在一或更多沉積操作期間利用噴淋頭基座700控制靠近(或鄰近)基板之前驅物及稀釋氣體濃度。
例如，長孔1201、1203及1207至1213的相對橫截面積可使得長孔1201、1203及1207至1213能夠提供較多的氣體至盲腔1005_6、1005_7、1005_1及1005_12，多於經由長孔1215、1217、1227及1229(其可具有比長孔1201、1203及1207至1213更小的相對橫截面積)提供至盲腔1005_2、1005_3、1005_10及1005_11。以此方式，相較於流體連接至盲腔1005_2、1005_3、1005_10及1005_11的氣體分配埠，可對流體連接至盲腔1005_6、1005_7、1005_1及1005_12的氣體分配埠提供更多氣體。此外，長孔1215、1217、1227及1229之相對橫截面積可使得長孔1215、1217、1227及1229能夠提供較多的氣體至盲腔1005_2、1005_3、1005_10及1005_11，多於經由長孔1219、1221、1223及1225(其可具有比長孔1215、1217、1227及1229更小的相對橫截面積)提供至盲腔1005_4、1005_5、1005_8及1005_9。如此，相較於流體連接至盲腔1005_4、1005_5、1005_8及1005_9的氣體分配埠，可對流體連接至盲腔1005_2、1005_3、1005_10及1005_11的氣體分配埠提供更多氣體。此等配置可使得該一或更多第一氣體能夠經由區域713均勻(或實質上均勻)地輸出，以及使得該一或更多第二氣體能夠經由區域711及715可變地輸出。例如，在區域711中，子區域711c以及子部分711c1可比子區域711b輸出更多的該一或更多第二氣體，且子區域711b可比子區域711a輸出更多的該一或更多第二氣體。同樣地，在區域715中，子區域715c及子部分715c1可比子區域715b輸出更多的該一或更多第二氣體，且子區域715b可比子區域715a輸出更多的該一或更多第二氣體。
根據諸多實施例，該一或更多第二氣體可經由第二入口1231、長孔1207、1209及1215至1221、盲腔1005_1至1005_5、凹部1007_1至1007_5、盲腔1003_1至1003_5、及通孔1001_1至1001_11供應至區域711的氣體分配埠。又，該一或更多第二氣體可經由第二入口1231、長孔1207及1209、盲腔1005_1、凹部1007_1、盲腔1003_1及通孔1001_2供應至子部分711c1的氣體分配埠。同樣地，該一或更多第二氣體可經由第二入口 1231、長孔1211、1213及1223至1229、盲腔1005_8至1005_12、凹部1007_8至1007_12、盲腔1003_8至1003_8、以及通孔1001_15至1001_25供應至區域715的氣體分配埠。為此，該一或更多第二氣體可經由第二入口1231、長孔1211及1213、盲腔1005_12、凹部1007_12、盲腔1003_12以及通孔1001_24供應至子部分715c1的氣體分配埠。又，該一或更多第一氣體可經由第一入口1205、長孔1201及1203、盲腔1005_6及1005_7、凹部1007_6及1007_7、盲腔1003_6及1003_7以及通孔1001_12至1001_14供應至區域713的氣體分配埠。因此，形成在第二入口 1231與區域711及715之氣體分配埠之間的至少一些氣體分配流徑可共用重合部分，例如在第二入口1231的通道內。將結合圖15更詳細地描述說明性氣體分配流徑。
參考圖15，氣體分配流徑1501可對區域713之第n個氣體分配埠 707n供應在第一入口1205接收到的該一或更多第一氣體。以此方式，氣體分配流徑1501可從第一入口 1205流至長孔 1201，其允許氣體分配流徑1501之該一或更多第一氣體流入可用作進入氣室的盲腔1005_6。當盲腔1005_6中壓力增大時，氣體分配流徑1501之該一或更多第一氣體可流過凹部1007_6並進入盲腔1003_6，盲腔1003_6可用作氣體分配氣室。當盲腔1003_6中壓力增大時，氣體分配流徑1501之該一或更多第一氣體可在沉積操作期間被迫進入通孔1001_13並經由第n個氣體分配埠707n噴至鄰近基板的區域。可同樣地經由對應氣體分配流徑(路由於第一入口1205或第二入口1231與氣體分配埠707中其他氣體分配埠之對應者之間)對氣體分配埠707中之每一其他氣體分配埠供應該一或更多第一氣體或該一或更多第二氣體。注意，在噴淋頭基座700的內部，從第一入口1205延伸之氣體分配流徑可與從第二入口1231延伸之氣體分配流徑流體隔開。
注意，可控制通過至少兩個區域之前驅物氣體流速與惰性氣體流速的比率，以調整鄰近基板之前驅物氣體的濃度。例如，在比率較高時，較多前驅物氣體沿著噴淋頭基座700的軸向長度流動，例如沿著噴淋頭基座700的x軸或y軸方向。因此，前驅物氣體的濃度將沿著軸向長度較小程度地減小(例如，具有較小斜率)。當該比率較低時，較少前驅物氣體沿著噴淋頭基座700的軸向長度流動。 因此，前驅物氣體的濃度將沿著軸向長度較大程度地減小(例如，具有較陡斜率)。前驅物氣體流速與惰性氣體流速的比率可透過調整氣體分配埠707、通孔1001_1至1001_25、盲腔1003_1至1003_12及1005_1至1005_12、凹部1007_1至1007_12與長孔1201、1203及1207至1229之間的關係以及氣體分配埠707、通孔1001_1至1001_25、盲腔1003_1至1003_12及1005_1至1005_12、凹部1007_1至1007_12與長孔1201、1203及1207至1229的相對尺寸、數量、排列、圖案等來控制。在一實施例中，區域713之氣體分配埠可提供一或更多第一氣體均勻(或實質上均勻)輸出(或氣流分佈)，且區域711及715的氣體分配埠連同子部分711c1及715c1的氣體分配埠可提供一或更多第二氣體隨著距中心軸線717之距離增加而增加的變化輸出(或氣流分佈)。如此，本文所提及之諸多氣流分佈亦可用於代替可配置噴淋頭基座700中內部容積之所有諸多結構方式，以達到預期結果。最後， 本文所提及之諸多氣流分佈可用於代替可配置噴淋頭基座700中內部容積之所有諸多結構方式以及可配置氣體分配埠707之諸多結構方式，以達到預期結果。
根據一些實施例，主體701被製為整體結構。例如，可利用一或更多增材製造技術來形成主體701，例如直接雷射金屬燒結(或者，若需要陶瓷噴淋頭，則是陶瓷燒結製程)。亦預期，主體701可由固體原料(例如胚料(billet)材料)加工而成。在其他實施方式中，可堆疊多個板結構以形成主體701，並為此可利用一或更多分度銷或其他類似特徵部來對準板結構。在此等實例中，主體701可包括延伸穿過板結構之一部分的一或更多孔，以允許該一或更多分度銷使板結構相互對準。此外，在使用多板結構的實例中，形成主體701之整體結構的諸多板可沿著配合表面銲接或擴散接合在一起，以防止板之接觸表面之間有氣流。亦預期，在一些例子中，主體701與外壁703可被製為整體結構或形成為耦接(或可拆卸地耦接)在一起的個別組成件。
在一些實施方式中，主體701可進一步包括在第一表面701a中並在第一方向上延伸穿過主體701之一或更多孔(例如孔725)。以此方式，每一孔可與第二表面701b中的之對應盲孔(例如盲孔727)接合。盲孔與孔的組合可配置成與基板處理系統(例如圖29之基板處理系統2900)的相應升降銷接合。例如，升降銷可為可移動地設成穿過孔725，以使支撐在噴淋頭基座700上方之基板能夠相對於主體701之第一表面701a升高或降低。
根據諸多實施例，一或更多氣體以不同或部分混合狀態供應至噴淋頭基座700。如此，噴淋頭基座700可包括一或更多曲折流徑，其配置成在一或更多接收到之氣體流過其中時且被接收至主體701內部之前引起紊流。在一些實施方式中，曲折流徑係製成桿705的一部分。此等構造可取代習知外部混合組件(或與其結合使用)以降低工具成本或增加混合效果。結合圖18A、18B、19、20、21A、21B及22-27描述一些示例性曲折流徑。
圖18A及18B示出根據一些實施例之圖18氣體分配器的桿體透視圖。圖19示意性地示出根據一些實施例之圖18A桿體的剖視圖。圖20、21A及21B示意性地示出根據一些實施例之圖18A桿體內部的曲折流徑。圖22示意性地示出根據一些實施例之圖18A桿體的側視圖。圖23-27示意性地示出根據一些實施例分別沿著剖面線23-23、24-24、25-25、26-26及27-27所截取之桿體的剖視圖。
參考圖7B、8、12B、12C、18A、18B、19、20、21A、21B及22-27，桿705包括外壁729及桿體731。外壁729可連接至主體701的第二表面701b，例如透過銲接或以其他方式固定至主體701的第二表面701b。桿體731可包括複數內部流徑2000，例如第一內部流徑2101及第二內部流徑2103，每一內部流徑配置成獨立地(distinctly)將該一或更多氣體輸送至主體701。在一些例子中，第一內部流徑2101配置成將混合狀態之該一或更多第一氣體輸送至第一入口1205，而第二內部流徑2103配置成將混合狀態之該一或更多第二氣體輸送至第二入口1231。如此，桿體731具有帶有複數入口(例如，入口2101a及2103a)之近端1801以及相對於近端1801的遠端1803。遠端1803包括複數出口，例如第一與第二出口2101b與2103b。在一些實施方式中，桿體731包括配置成接合第一入口1205之第一凸緣部1805及配置成接合第二入口1231之第二凸緣部1807。
根據諸多實施例，每一該複數內部流徑2000包括配置成響應於沿著該內部流徑之一或更多氣體流以沿著桿體731縱向軸線2001引起紊流的一或更多結構。縱向軸線2001可在第一方向上延伸並可與中心軸線717重合。該一或更多結構可包括線性延伸部、螺旋路徑、腔室、衝擊凸部、環形通道及貫通通道孔口中的至少一者。
在一些實施方式中，第一內部流徑2101可包括入口2101a、第一部分2105、複數第二部分2107a至2107d、複數第三部分2109a至2109c、第四部分2111、第五部分2113及第一出口2101b。第一部分2105從入口 2101a沿縱向軸線2001線性延伸。第二部分2107a至2107d可流體連接至第一部分2105並形成繞著縱向軸線2001之對應螺旋路徑。第三部分2109a至2109c可流體連接至第一與第二部分2105與2107a至2107d，並形成沿縱向軸線2001延伸之對應腔室。第五部分2113可流體連接至第一、第二及第三部分2105、2107a至2107d 及2109a至2109c，並可沿著縱向軸線2001線性延伸，例如，第五部分2113可與縱向軸線2001同軸對準。第四部分2111係流體插設於第五部分2113與第二及第三部分2107a至2107d及2109a至2109c之每一者之間。
根據一些實施例，第二內部流徑2103可包括入口2103a、第一部分2115、複數第二部分2117a至2117d、複數第三部分2119a至2119c、第四部分2121、複數第五部分2123a至2123e以及第二出口2103b。第一部分2115從入口2103a沿縱向軸線2001線性延伸。第二部分2117a至2117d可流體連接至第一部分2115並形成繞著縱向軸線2001之對應螺旋路徑。第三部分2119a至2119c可流體連接至第一及第二部分2115及2117a至2117d並形成沿縱向軸線2001延伸的對應腔室。第五部分2123a至2123e可流體連接至第一、第二與第三部分2115、2117a至2117d與2119a至2119c中的每一者，並可沿縱向軸線2001線性延伸。例如，第五部分2123a至2123e可與縱向軸線2001同軸對準。第四部分2121流體插設於第五部分2123a至2123e中之每一者與第二及第三部分2117a至2117d及2119a至2119c中之每一者之間。
參考圖19、20、21A及21B，第一部分2105及2115中的每一者可沿著縱向軸線2001相互平行(或實質上平行)延伸。第一內部流徑2101之第一部分2105可偏移至包括縱向軸線2001及第一參考方向1903之中間參考平面1901第一側。第二內部流徑2103之第一部分2115可偏移至相對於中間參考平面1901第一側之中間參考平面1901第二側。同樣地，第三部分2109a至2109c及2119a至2119c中的每一者可沿縱向軸線2001相互平行(或實質上平行)延伸。第一內部流徑2101之第三部分2109a至2109c可偏移至中間參考平面1901第二側，而第二內部流徑2103之第三部分2119a至2119c可偏移至中間參考平面1901第一側。然而，實施例不限於此。
繼續參考圖19、20、21A及21B，第二部分2107a至2107d及2117a至2117d中的每一者可繞著縱向軸線2001形成一或更多旋繞。例如，第二部分2107a至2107c及2117a至2117c中的每一者可繞著縱向軸線2001形成三個旋繞，而第二部分2107d及2117d中的每一者可繞著縱向軸線2001形成大約一個旋繞。根據一些實施方式，第一內部流徑2101之第二部分2107a至2107d的旋繞可與第二內部流徑2103之第二部分2117a至2117d的旋繞呈不同相位，使得第二內部流徑2103之每一第二部分與第一內部流徑2101之對應第二部分交繞。在一些實施例中，第一內部流徑2101之第二部分2107d可比第二部分2107a至2107c中之每一者更靠近遠端1803。然而，實施例不限於此配置。例如，第一內部流徑2101可與第二內部流徑2103隔開，使得第二部分2107a至2107d與2117a至2117d不會相互交繞。
根據一些實施方式，第一內部流徑2101之第二部分2107a至2107d與第一內部流徑2101之第三部分2109a至2109c沿著縱向軸線2001交替佈設。進一步地，第二內部流徑2103之第二部分2117a至2117d與第二內部流徑2103之第三部分2119a至2119c沿著縱向軸線2001交替佈設。以此方式，第一及第二內部流徑2101及2103可包括四個第二部分及三個第三部分，但實施例不限於此。例如，第一及第二內部流徑2101及2103之至少一者可包括少於四個的第二部分或可包括五個或更多第二部分。作為另一示例，第一與第二內部流徑2101與2103中的至少一者可包括少於三個的第三部分或可包括四個或更多第三部分。在其他實施方式中，第一內部流徑2101之第二部分2107a至2107d可沿著縱向軸線2001依序出現，接著第一內部流徑2101之第三部分2109a至2109c可沿著縱向軸線2001依序出現，或者反之亦然。第二內部流徑2103可同樣如此。
參考圖19、21A及21B，第一內部流徑2101之第三部分2109a至2109c中的每一者包括縮窄第一內部流徑2101通道之至少一衝擊凸部。例如，第三部分2109a至2109c中之每一者包括衝擊凸部2109a_p至2109c_p中的對應者。在一些實施例中，第二內部流徑2103之第三部分2119a至2119c中的每一者包括縮窄第二內部流徑2103通道之至少一衝擊凸部。例如，第三部分2119a至2119c中之每一者包括衝擊凸部2119a_p至2119c_p中的對應者。然而，實施例不限於此。例如， 第一內部流徑2101之第三部分2109a至2109c中的至少一者及/或第二內部流徑2103之第三部分2119a至2119c中的至少一者可不包括任何衝擊凸部或可包括兩個或更多衝擊凸部。
在一些實施例中，衝擊凸部2109a_p至2109c_p沿著第一內部流徑2101之第三部分2109a至2109c內壁的相應周圍部分延伸，而衝擊凸部2119a_p至2119c_p沿著第二內部流徑2103之第三部分2119a至2119c內壁的相應周圍部分延伸。例如，衝擊凸部2109a_p沿著第三部分2109a內壁的周圍部分1905延伸。根據一些實施方式，包括參考方向1909及縱向軸線2001的中間參考平面1907將第三部分2109a至2109c與2119a至2119c中的每一者劃分成對應分區。例如，可如從圖19及圖25中知悉，第一內部流徑2101之第三部分2109a可分成分區2501及2503，且第二內部流徑2103之第三部分2119a可分成分區2505及2507。如此，第一內部流徑2101之第三部分2109a至2109c的衝擊凸部2109a_p至2109c_p可設置在中間參考平面1907第一側上，且第二內部流徑2103之第三部分2119a至2119c的衝擊凸部2119a_p至2119c_p可設置在相對於中間參考平面1907第一側之中間參考平面1907第二側上。然而，實施例不限於此。
參考圖20、21A及21B，第二內部流徑2103之第五部分2123a至2123e可環繞第一內部流徑2101之第五部分2113。在一些實施例中，第一內部流徑2101之第五部分2113與第二內部流徑2103之第五部分2123a至2123e同軸對準。 第五部分2123a至2123e之每一者包括沿著縱向軸線2001延伸的環形通道(例如，環形通道2125)。每一環形通道具有更靠近桿體731之近端1801的第一端(例如，第一端2125a)以及更靠近桿體731之遠端1803的第二端(例如，第二端2125b)。每一第二端終止於包含有沿縱向軸線2001延伸之複數貫通通道孔口2603的對應衝擊表面2601。貫通通道孔口2603可繞著縱向軸線2001彼此周向隔開。在一些實施例中，第二內部流徑2103之第五部分2123a至2123e中相鄰第五部分的貫通通道孔口2603相互偏離，使得相鄰第五部分中第一個之貫通通道孔口2603的中心軸線周向偏離(例如，不一致)相鄰第五部分中第二個之貫通通道孔口2603的中心軸線。例如， 相鄰第五部分中第一個之貫通通道孔口2603的實例2603a中心軸線2605a可在相鄰第五部分中第二個之貫通通道孔口2603的實例2603b與2603c相應中心軸線2605b與2605c之間延伸。注意，中心軸線2605a至2605c繪為延伸至圖26及27中頁面外。進一步地，第五部分2123c之貫通通道孔口 2603可形成第二內部流徑2103之第二出口 2103b的多個實例。第二內部流徑2103之第二出口2103b的每一實例不同於第一內部流徑2101之第一出口2101b。
儘管第二內部流徑2103係繪為包括五個第五部分，但實施例不限於此。例如，第二內部流徑2103可包括四個或更少的第五部分或可包括六個或更多第五部分。在一些實施例中，第一內部流徑2101的長度L
2101大於第二內部流徑2103的長度L
2103，使得第一內部流徑2101之第五部分2113的遠端延伸得比第二內部流徑2103之每一第五部分2123a至2123e離桿體731的近端1801更遠。
在一些實施例中，桿體731被製為整體結構。例如，可利用一或更多增材製造技術來形成桿體731，例如直接雷射金屬燒結(或者，若需要陶瓷噴淋頭，則是陶瓷燒結製程)。以此方式，該複數內部流徑2000之每一者在桿體731中定義出對應的連續空間。如此，每一該複數內部流徑2000可在桿體731內相互流體隔離。例如，在桿體731內，第一內部流徑2101可與第二內部流徑2103流體隔離，使得第一內部流徑2101配置成將該一或更多第一氣體供應至主體701之第一入口1205，而第二內部流徑7203配置成將該一或更多第二氣體供應至主體701之第二入口 1231。
雖然桿體731(且因此桿705)係示為包括兩個內部流徑，但實施例不限於此。例如，桿體731可包括三個或更多內部流徑。作為另一示例，桿705可包括多個桿體731，使得桿705包括多於兩個內部流徑。
亦理解，在許多半導體晶圓處理應用中，例如電漿增強化學氣相沉積(PECVD)製程，製程參數(例如目標晶圓及/或氣體分配器(例如噴淋頭基座)之溫度)的變化可能負面影響沉積(或蝕刻)製程。此些變化可能出現在製程啟動 (例如，在達到穩定狀態之前)、清潔循環、空轉等期間。例如，當反應器最初開啟時，可能需相對較長的時間才能使氣體分配器的溫度穩定。例如，氣體分配器可能被來自晶圓(或另一氣體分配器)之輻射及/或被電漿(其可在處理期間之某個點引入並可能引起其他溫度波動)加熱。另外，氣體分配器可能因從其外表面輻射而損失熱量至流過氣體分配器的製程氣體及稀釋氣體。亦注意，溫度變化可能是系統中其他常在的變化引起，例如氣體分配器之表面發射率的漂移。變化的溫度可能至少部分地導致沉積膜或蝕刻特徵部之輪廓顯著偏離目標輪廓。此外，在相對較高溫度下操作氣體分配器不僅可能縮短氣體分配器的使用壽命，還可能至少部分地對氣體分配器之氣體分配表面造成顆粒污染。此等積聚可能剝落並透過氣體分配器污染在基板上(或內)形成的結構。因此，噴淋頭基座700的實施例可併入加熱及/或冷卻通道(或迴路)以能夠主動控制噴淋頭基座700的溫度。結合圖7B、11、13、16及28描述一些示例結構及熱管理系統。
圖16示意性地示出根據一些實施例之圖7B氣體分配器的諸多組成件的分解透視圖。
參考圖7B、11、13及16，噴淋頭基座700可包括一或更多電極及/或加熱元件(在下文中個別地或共同地稱為加熱迴路)1601、第一帽(或蓋)結構1603、一或更多冷卻導管及/或冷卻元件(下文中個別地或共同地稱為冷卻迴路)1605、以及第二帽(或蓋)結構1607。在諸多實施例中，主體701係由至少一導電材料形成，例如一或更多金屬及/或金屬合金。例如，主體701可由鋁合金形成，例如沉澱硬化鋁合金(precipitation-hardened aluminum alloy)，例如AL6061。然而，預期可使用任何其他合適的材料。以此方式，主體701可為導熱。
根據一些實施例，主體701包括耦接至功率源(例如，圖28之功率供應源2837)之加熱迴路1601，以可控地加熱噴淋頭基座700及支撐在其上的基板(例如圖29之晶圓2901)。加熱迴路1601可被電阻加熱並熱耦合至主體701。進一步地，加熱迴路1601可設置在主體701上及/或至少部分嵌入主體701內。例如，主體701可包括在第二表面701b中之至少一狹槽(或凹槽)1609，其配置成接收加熱迴路1601之下部。
如圖7B、11、13及16所示，加熱迴路1601之第一部分1601a可穿過桿705中之中空部733進入主體701、彎曲以在主體701之第一外周區域中形成第二部分1601b、彎曲以在主體701之第一內周區域中形成第三部分1601c、彎曲以在主體701之內部中心區域中形成第四部分1601d、彎曲以在主體701之第二內周區域中形成第五部分1601e、彎曲以在主體701之第二外周區域中形成第六部分1601f、並彎曲以形成穿過桿705中之中空部733離開主體701的第七部分1601g。 注意，加熱迴路1601之第一遠端1601h可耦接至功率源，而加熱迴路1601之第二遠端1601i可耦接至參考位準，例如接地、浮動接地或另一相對低電位。
在一些實施方式中，加熱迴路1601之第二及第六部分1601b及601f可在主體701之相互面對的對應外周區域中沿著大致「C」形路徑。加熱迴路1601之第三及第五部分1601c及1601e亦可沿著大致「C」形路徑，但在主體701之相互面對的對應內周區域中。主體701之對應外周區域可至少部分地環繞主體701之對應內周區域。加熱迴路1601之第四部分1601d可在鄰近桿體731之遠端1803的主體701內部中心區域中沿著大致「Ω」形路徑。另外，主體701內部中心區域可至少部分地被主體701對應內周區域環繞。亦注意，加熱迴路1601之第一及第七部分1601a及1601g可大體上沿著噴淋頭基座700之中心軸線717在軸向方向上延伸，而加熱迴路1601之第二至第六部分1601b至1601f可大體上在(或實質上在)距主體701第二表面701b第一距離H
1601(見圖11)處蜿蜒於橫向平面中。然而，預期可利用穿過及/或圍繞主體701之任何其他合適的路徑。
加熱迴路1601之下部可封於主體701中、位於狹槽1609之底表面與第一帽結構1603之間，第一帽結構1603可由至少一導熱材料形成，例如一或更多金屬及/或金屬合金。例如，第一帽結構1603可由與主體701相同的材料製成，例如鋁合金，如沉澱硬化鋁合金，例如AL6061。然而，預期可使用任何其他合適的材料。以此方式，第一帽結構1603可被壓入狹槽1609中並銲接(例如，摩擦攪拌銲接(friction stir welded))至主體701。在一些實例中，銲接期間施加至第一帽結構1603的壓力可能使加熱迴路1601部分變形。在一些實例中，加熱迴路1601之被施壓力及/或部分變形可確保狹槽1609之一或更多內表面與加熱迴路1601之一或更多外表面間之接觸。此可改善加熱迴路1601與主體701之間的熱傳遞。
噴淋頭基座700亦可包括冷卻迴路1605，其配置成維持溫度控制並補償可能在基板處理之前、期間及/或之後發生的溫度變化。例如，當激發反應物氣體以在製程腔室(例如圖29之腔室2903)內產生電漿時及/或當撞擊電漿時，冷卻迴路1605可用於補償溫度上升或急劇波動。為此，冷卻迴路1605可形成傳導冷卻流體(例如氣體)可流過之導管(或管)。在一些實施例中，冷卻迴路1605可由導熱材料形成，例如一或更多金屬及/或金屬合金。例如，冷卻迴路1605可由不銹鋼形成，但實施例不限於此。然而，注意，冷卻迴路1605之材料選擇應在利用噴淋頭基座700之製程/製程配方背景下考量。在一些例子中，冷卻迴路1605之壁溫可達到約350°C至約450°C，例如約375℃至約425℃，例如約 400℃，因此冷卻迴路1605之材料應選擇能夠承受預期/可能的壁溫。
冷卻迴路1605可具有範圍從約0.125”至約0.375”(例如從約0.1875”至約0.3125”)的外徑。冷卻迴路1605之內徑可在約0.069”至約0.319”範圍，例如從約0.132”至約0.215”。在一些實施例中，冷卻迴路1605可具有約0.25”的外徑及約0.18”的內徑。又，主體701內之冷卻迴路1605的長度可約10”至約26”，例如，約13”至約23”，如約16”至約20”。在一些例子中，主體701內之冷卻迴路1605的長度可約18”。此等配置可使得高達約140標準升每分鐘(SLM)之潔淨乾空氣(CDA)(呈極度紊流)通過冷卻迴路1605。例如，通過冷卻迴路1605之CDA流可展現大於2000的雷諾數(Reynolds number，Re)，例如約2500至約35000。然而，注意，冷卻迴路1605之內徑、外徑及長度的尺寸不限於此些示例。例如，冷卻迴路1605之內徑、外徑及長度的尺寸可根據與一或更多製程及/或製程配方(其將結合噴淋頭基座700來進行)相關聯的所需冷卻程度來確定尺寸。對於通過冷卻迴路1605之傳導冷卻流體的流速亦是如此。為此，冷卻迴路1605之內徑、外徑及長度的尺寸可在考量冷卻迴路1605及主體701之材料選擇、主體701內之冷卻迴路1605的長度、穿過主體701之冷卻迴路1605的路徑形狀、正使用之傳導冷卻流體、傳導冷卻流體的流速、任何施加之流速調變技術等下作選擇。
根據諸多實施例，冷卻迴路1605可設置在主體701上及/或至少部分嵌入主體701中。例如，主體701可包括在第二表面701b中之至少一狹槽(或凹槽)1611，其配置成接收冷卻迴路1605的下部。如圖7B、11、13及16中所繪，冷卻迴路1605之第一部分1605a可穿過桿705中之中空部733進入主體701、彎曲以在主體701之外部中心區域中形成第二部分1605b、並彎曲以形成穿過桿705中之中空部733離開主體701的第三部分1605c。在一些實施方式中，冷卻迴路1605之第二部分1605b可沿著鄰近主體701內部中心區域(加熱迴路1601延伸穿過該區域)之主體701外部中心區域中的大致圓形路徑。為此，在平面圖中，主體701的內部中心區域可設置於主體701之外部中心區域與耦接至桿體731遠端1803之主體701一部分之間。亦注意，冷卻迴路1605之第一及第三部分1605a及1605c可大體上沿著噴淋頭基座700之中心軸線717在軸向方向上延伸，而冷卻迴路1605之第二部分1605b可大體上在(或實質上在)距主體701之第二表面701b第二距離H
1605處蜿蜒於橫向平面中。在一些實施例中，第一距離H
1601可大於第二距離H
1605，使得冷卻迴路1605設置成比加熱迴路路1601更靠近主體701的第二表面701b。然而，預期可利用穿過及/或圍繞主體701之任何其他合適的路徑。
冷卻迴路1605之下部可封於主體701中、位於狹槽1611之底表面與第二帽結構1607之間，第二帽結構1607可由至少一導熱材料形成，例如一或更多金屬及/或金屬合金。例如，第二帽結構1607可由與主體701相同的材料製成，例如鋁合金，如沉澱硬化鋁合金，例如AL6061。然而，預期可使用任何其他合適的材料。以此方式，第二帽結構1607可被壓入狹槽1611中並銲接(例如，摩擦攪拌銲接)至主體701。在一些實例中，銲接期間施加至第二帽結構1607的壓力可能使冷卻迴路1605部分變形。在一些實例中，冷卻迴路1605之被施壓力及/或部分變形可確保狹槽1611之一或更多內表面與冷卻迴路1605之一或更多外表面間之接觸。此可改善冷卻迴路1605與主體701之間的熱傳遞。
雖然加熱迴路路1601及冷卻迴路1605可大體上在距主體701之第二表面701b不同距離處蜿蜒於橫向平面中，但第一及第二帽結構1603及1607可能交叉路徑。因此，第一及第二帽結構1603及1607之至少一者可包括一或更多凹部以允許第一及第二帽結構1603及1607之另一者穿過。例如，第一帽結構1603可包括凹口部1603a至1603d以允許第二帽結構1607從中穿過。
在一些實施例中，冷卻迴路1605之第一及第二遠端1605d及1605e中的一者對處於第一溫度(例如，低溫)之傳導冷卻流體提供入口，且第一及第二遠端1605d及1605e中的另一者用作處於第二溫度(例如，高溫)之傳導冷卻流體的出口。例如，假設CDA被用作具有約100 SLM至約140 SLM流速之傳導冷卻流體，則CDA可在約20℃下進入入口1605d並在約275℃下離開出口1605e。此等指標可實現從與背側沉積製程相關之噴淋頭基座700移除約620瓦(W)至約775 W(例如675 W至約725 W)的熱能。此又可對噴淋頭基座700之設定點溫度實現足夠的溫度控制，如圖17所示。
圖17為根據一些實施例呈現氣體分配器在諸多設定點溫度及工作週期下之模擬溫度控制的圖表。
為了確定冷卻迴路1605的功效，將噴淋頭基座700的實施模擬為PECVD背側沉積製程的一部分，但不存在基板。主體701、外壁703、桿705、第一及第二帽結構1603及1607、處理腔室(例如，圖29的腔室2903)及處理腔室之頂板皆各自被假設為由AL6061形成。主體701、外壁703、桿705及第一與第二帽結構1603與1607的發射率假設為0.3，而處理腔室及頂板的發射率假設為0.2。假設冷卻迴路1605由不銹鋼形成且CDA被用作傳導冷卻流體。處理腔室中相對於噴淋頭基座700之噴淋頭被假設為由NGK絕緣材料有限公司所提供之氮化鋁的HA-12變體形成。因此，噴淋頭的發射率假設為0.7。另外，處理腔室之頂板設定為75℃，噴淋頭設定為550℃，處理腔室設定為75℃，且處理腔室之周圍環境設定為25℃。在此些條件下，結合噴淋頭基座700之諸多設定點溫度來確定流動140 SLM之CDA的冷卻迴路1605功效，例如圖17所示之設定點溫度，如550℃、600℃、650℃及600℃，且施加較高RF功率來產生電漿，並假設諸多RF工作週期，例如 0%、5%、7%、10%、20%及25%。對於例子1701至1705中的每一者，用於產生電漿的功率為530 W。對於例子1707，用於產生電漿的功率為2750 W。 如圖17所示，虛線1711顯示，在大多數假設的處理條件下，儘管有熱傳遞至噴淋頭基座700，噴淋頭基座700的模擬溫度能夠維持在大約400℃。換言之，在一些實施例中，冷卻迴路1605可對噴淋頭基座700之設定點溫度實現足夠的溫度控制。
根據諸多實施例，加熱迴路1601及冷卻迴路1605的操作可經由熱管理系統來控制。圖28示意性地示出根據一些實施例配置成控制氣體分配器之溫度的熱管理系統。
參考圖28，冷卻可由熱管理系統(或系統)2800在基板處理系統(例如，圖29的基板處理系統2900)之操作期間經由具有閥2803之入口 2801引入對流冷卻流體(例如，大氣、氬、氦、氮、氫、CDA及/或類似者)來提供。在一些實施例中，一或更多添加劑可在閥2803之前及/或之後被引入料流中。添加劑可用於增加冷卻迴路2805的冷卻效率及/或使用壽命，因而增加氣體分配器2807的冷卻效率及/或使用壽命。根據一或更多實施方式，在入口2801處接收之對流冷卻流體是在習知設施壓力下由設施提供的CDA。因此，將知悉，可基於不同設施壓力施加不同流速。例如，在約80 psi的設施壓力下，可使用約100標準升每分鐘(SLM)的CDA。然而，注意，典型設施壓力範圍可在約80 psi至約100 psi之間，且因此通過冷卻迴路2805的流速可達到約140 SLM。在下文中，將假設對流冷卻流體為CDA。
閥2803可為能夠調變通過冷卻迴路2805之CDA流的電致動閥，以不僅冷卻氣體分配器2807，且亦促進通過冷卻迴路2805的紊流。此等紊流可增加來自氣體分配器2807的熱傳遞，並因此增加冷卻迴路2805的冷卻效率。例如，CDA流的調變不僅可利於賦予大於或等於約2500的雷諾數，且可補償沿著冷卻迴路2805之CDA流的一些能量耗散。亦預期可利用CDA流之調變來降低冷卻迴路2805的冷卻效果。在一些實施方式中，閥2803可包括一或更多氣體放大特徵部(例如，減縮結構，如柯恩達輪廓(Coanda profile))，其結合與壓縮氣體源流體連接可增加/降低通過冷卻迴路2805之CDA流的流速(並因此紊流)。額外地(或可替代地)，一或更多節流閥、鐘擺閥及/或其他流量調變器可設在冷卻迴路2805的上游或下游，以增加/降低通過冷卻迴路2805的紊流。儘管閥2803已描述為電致動閥，但預期任何其他適當可控閥可用作閥2803(或除了閥2803之外還有任何其他適當可控閥)。閥2803的出口流體連接至冷卻迴路2805之輸入部2809。
系統2800亦包括具有熱交換器2813及排出系統2815的出口 2811。熱交換器2813的第一入口流體連接至冷卻迴路2805的出口部2817，且熱交換器2813之第一出口流體連接至排出系統2815的輸入導管2819。用於熱交換器2813的冷卻劑(例如液體冷卻劑)可在第二入口 2821處進入熱交換器2813，沿著冷卻劑路徑2823，並經由第二出口 2825離開熱交換器2813。冷卻劑可為水或任何其他合適的冷卻劑，例如氟利昂。在一實施方式中，冷卻劑可為設施提供的水。在經由第二出口2825離開熱交換器2813之後，冷卻劑可被壓縮並再循環回到閉環冷卻劑系統中的熱交換器2813中，但實施例不限於此。以此方式，來自冷卻迴路2805之出口部2817的CDA流可經由熱交換器2813冷卻並經由排出系統2815排出。
儘管熱交換器2813已描述為氣體-液體熱交換器，但實施例不限於此。例如，熱交換器2813可配置為氣體-氣體熱交換器，在此等例子中，熱交換器2813之第二入口2821及第二出口2825的態樣重新配置成對應地與合適的冷卻源及合適的排出廢料、再循環及/或反饋系統連接。當配置為氣體-氣體熱交換器時，冷卻流體可為例如大氣、氬、氦、氮、氫、CDA及/或類似者的源。
根據一些實施例，從熱交換器2813輸出之CDA可大約或稍微高於環境溫度及壓力。在一些實施方式中，從熱交換器2813輸出之CDA的溫度可大於或等於約20℃且小於或等於約65℃。然而，注意，熱交換器2813可配置成確保來自冷卻迴路2805之排出物中的任何餘熱可保持在基於輸出之環境監管限制內。
導管2819可耦接至導管2827，其可為排出系統2815的一部分(或流體連接至排出系統2815)。在一些實施方式中，排出系統2815可為淨化排出系統。 因此，來自熱交換器2813第一出口之排出物的任何環境受控組分、成分、副產物等可經由洗滌器2829與基板處理系統及/或周圍環境之其他排出物2831一起被洗滌。
根據一些實施例，氣體分配器2807之加熱可由熱管理系統(或系統)2800經由加熱迴路2833(例如結合圖16所述之加熱迴路1601)來提供。以此方式，加熱迴路2833之輸入部2835可從功率供應源2837接收功率，且加熱迴路2833之輸出部2839可例如耦接至參考位準2841，例如接地、浮動接地或其他相對較低的電位。在一些實例中，施加至氣體分配器2807或半導體處理系統之腔室(例如，圖29之腔室2903)中至少一其他組成件的射頻(RF)功率可高於100 W，有時高於1000 W。因此，RF電壓的量值可超過千伏。此等RF功率可能在未濾波或隔離下影響加熱迴路2833之控制及功率電路的操作。在一些實施例中，RF濾波器可用於將RF功率分流遠離控制及功率電路。RF濾波器可為用於半導體處理系統中之簡單的寬頻濾波器或預定RF頻率的調諧濾波器。相比之下，RF隔離器透過例如光耦合器或變壓器消除任何RF耦合組成件與控制及功率電路之間的直接電連接。因此，至少一RF組成件(例如，濾波器、隔離器及/或類似者)2843可電連接於功率供應源2837與輸入部2835之間，且至少一RF組成件2845可電連接於輸出部2839與參考位準2841之間。
根據一些實施例，控制模組(或控制器)2847配置成操作系統2800之諸多組成件，例如閥2803、功率供應源2837等，以主動控制氣體分配器2807的溫度。在一些實施例中，反饋資訊可從例如一或更多感測器2849(例如一或更多熱電偶)提供至控制器2847。感測器2849可配置成監測冷卻迴路2805、氣體分配器2807與加熱迴路2833之至少一者的溫度。在一些實例中，至少一感測器2849可配置成監測冷卻迴路2805上游、下游或至少一部分(例如輸入部2809、輸出部2817等)內之傳導冷卻流體的溫度。亦預期，一或更多感測器2849可熱耦接至氣體分配器2807之諸多部分(或嵌入其內)，例如第一表面2807a、第二表面2807b及本體部分2807c。如同功率供應源2837及參考位準2841，一或更多RF組成件2851可電連接於感測器2849與控制器2847之間，以減輕或消除來自感測器2849的訊號干擾。
在一些實施方式中，控制器2847可從多站處理工具(例如，多站處理工具3000)之至少一其他氣體分配器相關聯之另一系統或工具及/或感測器的至少一其他控制器(例如，圖29之控制模組2913、圖30之系統控制器3023等)接收前饋資訊2853。以此方式，控制器2847可利用前饋資訊2853來控制氣體分配器2807的溫度以預測處理事件。例如，控制器2847可在預期冷卻事件(例如腔室沖洗事件)時對加熱迴路2833增加功率輸入，或在預期加熱事件(例如在製程氣體活化之前或期間)對加熱迴路2833降低功率輸入。同樣地，控制器2847可透過在預期加熱事件時增加傳導流體流對冷卻迴路2805增加冷卻輸入，或透過在預期冷卻事件時減少傳導流體流來降低冷卻輸入。因此，諸多加熱及/或冷卻輸入之不同組合可用於準確地控制氣體分配器2807的溫度，無論是主動或是被動地。此外，控制器2847之一或更多特徵或功能可與至少一其他控制器共用、由至少一其他控制器承擔或在其中協調(例如，圖29之控制模組2913、圖30之系統控制器3023等)。
圖29示意性地示出根據一些實施例可用於處理晶圓2901之基板處理系統(或系統)2900。
系統2900包括腔室2903。中心柱配置成當晶圓2901之表面正被處理(例如，正在晶圓2901之表面上形成膜)時支撐基座。根據一些實施例，基座可被稱為噴淋頭基座2905。噴淋頭2907設置於噴淋頭基座2905上方。在一實施例中，噴淋頭2907經由匹配網路2911電耦接至功率供應源2909。如此，功率供應源2909可由控制模組2913(例如控制器)控制。在一些實施例中，可提供功率至噴淋頭基座2905，而非噴淋頭2907(或除了噴淋頭2907之外還提供至噴淋頭基座2905)。控制模組2913配置成透過執行定義至少一製程配方之一或更多指令的一或更多序列來操作系統2900。取決於晶圓2901之前側或背側是否接收沉積膜，控制模組2913可設定用於定義製程配方之諸多操作輸入，例如功率位準、時序參數、製程氣體、晶圓2901之機械移動、晶圓2901距噴淋頭基座2905的高度等。
中心柱亦可包括升降銷，其可由來自例如控制模組2913之升降銷控制訊號控制。升降銷可用於將晶圓2901抬離噴淋頭基座2905，以允許末端執行器拾取晶圓2901以及在晶圓2901被末端執行器放置之後降低晶圓2901。末端執行器亦可將晶圓2901放置在間隔物2915上方。將如下文所述，間隔物2915之尺寸被設計成在面向晶圓2901之噴淋頭2907表面與面向晶圓2901之噴淋頭基座2905表面之間對晶圓2901提供受控的分隔。
系統2900進一步包括氣體源2917及2919，例如供自設施之氣體化學物及/或稀釋(例如，惰性)氣體。取決於相對於晶圓2901表面正執行的處理，控制模組2913可控制氣體源2917對噴淋頭2907及/或噴淋頭基座2905之輸送。在一些實施例中，氣體歧管2921可流體插設於氣體源2917與噴淋頭2907之間，且氣體歧管2923可流體插設於氣體源2919與噴淋頭基座2905之間。可採用適當的閥門及質量流量控制機構並經由控制模組2913進行控制，以確保在製程之沉積及電漿處理階段期間輸送合適的氣體。在一些實施方式中，噴淋頭2907之桿2925與噴淋頭基座2905之桿2927中的至少一者可包括 一或更多內部流徑，包括一或更多結構，其配置成當接收到的氣體從氣體源2917與2919中之相應者流至噴淋頭2907及噴淋頭基座2905之對應主體時沿著其縱向軸線引發紊流 。在一些實施例中，腔室2903可包括開口2903a及2903b，桿2925與2927之一些部分分別延伸穿過開口2903a及2903b。至少結合圖7B、8、12B、12C、18A、18B、19、20、21A、21B及22-27描述示例桿結構。可輸出進入噴淋頭2907及噴淋頭基座2905的氣流，並因而經由噴淋頭2907與噴淋頭基座2905之一或更多氣體分配結構在晶圓2901與面向晶圓2901之噴淋頭2907與噴淋頭基座2905對應表面之間的空間容積中分佈。至少結合圖7A、7B、8、9A-9C、10、11、12A-12C、13-16、18A、18B、19、20、21A、21B及22-27描述示例氣體分配結構。
在基板處理期間，間隔物2915配置成保持晶圓2901與噴淋頭基座2905之氣體分配表面相隔預定間隔，以促進(例如，最佳化)對晶圓2901背側之沉積，並減少(或甚至防止)晶圓2901前側上的沉積。在一些實施例中，在沉積目標是晶圓2901背側時，一或更多惰性氣體可經由噴淋頭2907流過晶圓2901前側，以將反應物氣體推離晶圓2901前側，並使得從噴淋頭基座2905輸出之反應物氣體能夠被引導至晶圓2901背側。
在諸多實施例中，製程及/或稀釋氣體經由流體耦接至例如真空泵2929(其可為一階或兩階機械乾式泵及/或渦輪分子泵)之出口離開腔室2903。以此方式，製程及/或稀釋氣體可被抽出腔室2903以維持其內適當的低壓。為此，可經由控制模組2913控制閉環流量限制裝置，例如節流閥或鐘擺閥，以進一步確保腔室2903中的適當低壓。
系統2900可進一步包括環繞噴淋頭基座2905外部區域的承載環2931。當正處理晶圓2901前側時，例如，當正在其上沉積材料時，承載環2931配置成位於從噴淋頭基座2905中心(或中心部分)中晶圓支撐區域呈向下台階之承載環支撐區域上方。承載環2931包括其盤結構之外邊緣側(例如外半徑)及其盤結構之晶圓邊緣側(例如內半徑)，其最接近晶圓2901被支撐的位置。承載環2931之晶圓邊緣側可包括複數接觸支撐結構，其配置成當間隔物2915固持承載環2931時抬起晶圓2901。以此方式，星形叉3001(參見圖30)可用於在例如背側沉積處理期間抬高承載環2931並將其保持在預定高度，以及用於繞著垂直於例如噴淋頭2907或噴淋頭基座2905表面之軸線旋轉晶圓2901。因此，承載環2931亦可與晶圓2901一起被抬起(或以其他方式操縱)，以例如旋轉至另一站，例如在多站系統中，如多站處理工具3000。
根據諸多實施例，系統2900可包括熱管理系統2933(例如圖28之熱管理系統2800)或與其通訊，以主動控制噴淋頭2907及/或噴淋頭基座2905的溫度。
圖30示意性地示出根據一些實施例配置用於背側晶圓沉積之多站處理工具。
在一些實施方式中，多站處理工具3000可包括入站裝載室3003及出站裝載室3005，其一者或兩者可包括電漿源及/或紫外線(UV)源。處於大氣壓下之機器人3007配置成將晶圓透過傳送盒(pod)3009裝載之晶舟通過大氣埠3011移動至入站裝載室3003。晶圓2901透過機器人3007被放置在入站裝載室3003中之基座3013上，大氣埠3011被關閉，接著入站裝載室3003被泵抽。在入站裝載室3003包括遠端電漿源之實例中，晶圓2901可在引入處理腔室3015之前暴露於入站裝載室3003中之遠端電漿處理。進一步地，晶圓2901亦可在入站裝載室3003中被加熱，例如以去除水分及/或吸附的氣體。接著，打開往處理腔室3015之腔室轉移埠3017，且另一機器人3019將晶圓2901放入反應器中第一站之基座上(示於反應器中)以進行處理。儘管繪於圖13中之實施方式包括裝載室，但將知悉，在一些實施方式中，可提供晶圓2901直接進入處理站。
如圖30中所示，處理腔室3015包括四個製程站，從1到4編號。每一站具有溫度受控基座(例如站1之溫度受控基座3021)及氣體管線入口。將知悉，在一些例子中，每一製程站可具有不同或多個目的。例如，在一些實施例中，製程站可在CVD與PECVD製程模式之間切換。在另一示例中，可在一站中執行沉積操作(例如PECVD操作)，並可在另一站中執行暴露至UV輻射以進行UV固化。在一些實施例中，沉積及UV固化可在同一站中進行。進一步地，儘管所示之處理腔室3015包括四個站，但實施例不限於此。例如，處理腔室3015可具有任何合適的站數，例如五站或更多站，或三站或更少站。
如先前所提，多站處理工具3000可包括晶圓搬運系統(例如包括星形叉3001之機器人3019)以用於在處理腔室3015內轉移及/或定位晶圓。在一些實施例中，晶圓搬運系統可在諸多製程站之間及/或在製程站與裝載室之間轉移晶圓。然而，預期可採用任何合適之晶圓搬運系統，例如舉例晶圓轉盤、其他晶圓搬運機器人等。進一步地，多站處理工具3000可包括(或以其他方式耦接至)系統控制器3023，其用於控制製程條件及多站處理工具3000之硬體狀態。系統控制器3023可包括一或更多記憶體裝置3025、一或更多大容量儲存裝置3027以及一或更多處理器3029。每一處理器3029可包括中央處理器(CPU)或電腦、類比及/或數位輸入/輸出連接、步進馬達控制器板等。
在一些實施例中，系統控制器3023控制多站處理工具3000之所有活動。系統控制器3023可執行儲存在大容量儲存裝置3027中、加載至記憶體裝置3025中且由處理器3029執行之系統控制軟體3031。可替代地，可將控制邏輯硬編碼於系統控制器3023中。特殊應用積體電路(ASIC)、可程式化邏輯裝置(例如場可程式化閘陣列或FPGAs)及/或其類似者可用於該些目的。在以下討論中，無論「軟體」或「編碼」用於何種情況，功能上相當之硬碼化邏輯皆可用於該狀況。系統控制軟體3031可包含指令，用以控制時序、氣體之混合、氣體流速、腔室及/或站壓力、腔室及/或站溫度、晶圓溫度、目標功率位準、RF功率位準、基板基座、吸盤及/或晶座位置、及由多站處理工具3000所執行之特定製程的其他參數。系統控制軟體3031可以任何合適的方式來配置。例如，可寫入諸多製程工具組成件子程式或控制物件，以控制用以實現諸多製程工具製程之製程工具組成件的操作。系統控制軟體3031可以任何合適的電腦可讀取程式語言來進行編碼。
在一些實施例中，系統控制軟體3031可包含用以控制上述諸多參數之輸入/輸出控制(IOC)定序指令。在一些實施例中，可採用儲存於與系統控制器3023相關聯之大容量儲存裝置3027及/或記憶體裝置3025上之其他電腦軟體及/或程式。用於此目的之程式或程式片段的示例包括基板定位程式、製程氣體控制程式、壓力控制程式、加熱器控制程式、冷卻器控制程式及電漿控制程式。
基板定位程式可包含用於製程工具組成件之程式編碼，製程工具組成件係用於將晶圓2901裝載且定位於基座3021上並控制晶圓2901與多站處理工具3000之其他部件之間的間隔。
製程氣體控制程式可包含編碼，其用以控制氣體組成(例如本文所述之含矽氣體、含氧氣體、含氮氣體、稀釋(或惰性)氣體等)及流速，及視情況地用以在沉積前使氣體流入一或更多製程腔室中以穩定製程腔室中之壓力。壓力控制程式可包含編碼，其係藉由調節例如該製程站之排出系統中的節流閥、進入該製程站之氣體流量等，以控制該製程站中之壓力。
加熱器控制程式可包含編碼，用於控制流至用於加熱氣體分配器(例如噴淋頭2907、噴淋頭基座2905等)並因此加熱晶圓2901之加熱單元的電流。可替代地，加熱器控制程式可控制熱傳導氣體(例如，氦)往氣體分配器且因此往晶圓2901的輸送。
冷卻器控制程式可包括編碼，用於控制通過用以從氣體分配器(例如噴淋頭2907、噴淋頭基座2905等)提取熱並將此等熱能傳遞至例如廢熱捕集、儲存、回收及/或處置系統之冷卻單元(例如，圖16之冷卻迴路1605)的流體(例如CDA)流速。
電漿控制程式可包含編碼，用於根據諸多實施例來設定施加至一或更多製程站中之製程電極的RF功率位準。
壓力控制程式可包含編碼，用於根據諸多實施例來維持反應腔室內壓力。
在一些實施例中，可有與系統控制器3023相關聯之使用者介面。該使用者介面可包含顯示螢幕、設備及/或製程條件之圖形化軟體顯示器、及使用者輸入裝置(例如指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、麥克風等)。
在一些實施例中，由系統控制器3023調整之參數可與製程條件有關。非限定示例包含製程氣體組成及流速、溫度、壓力、電漿條件(例如RF偏壓功率位準)、壓力、溫度等。可以配方(其可利用使用者介面來輸入)形式將此些參數提供至使用者。
透過系統控制器3023之類比及/或數位輸入連接，可從諸多製程工具感測器提供用以監測製程的訊號。用以控制製程之訊號可在多站製程工具3000之類比及/或數位輸出連接上輸出。可被監測之製程工具感測器的非限定示例包括質量流量控制器、壓力感測計(例如壓力計)、熱電偶等。經適當程式化之反饋及控制演算法可與來自此些感測器的數據一起使用，以維持製程條件。
系統控制器3023可提供用以實施一或更多上述製程之程式指令。該等程式指令可控制各種製程參數，如DC功率位準、RF偏壓功率位準、壓力、溫度等。該等指令可根據諸多實施例控制該等參數，以操作應力補償層之膜堆的沉積。
系統控制器3023將通常包括一或更多記憶體裝置及一或更多處理器，其配置成執行該等指令，使得該設備將根據一些實施例來執行方法。在一些實例中，機器可讀媒體(含有用以根據諸多實施例來控制製程操作之指令)可耦接至系統控制器3023。
在一些實施方式中，系統控制器3023為系統之一部分，其可為至少一上述示例之一部分。此等系統可包括半導體處理裝備，其包含一處理工具或複數工具、一腔室或複數腔室、一處理平台或複數平台、及/或特定處理組成件(晶圓基座、氣流系統、熱管理系統等)。以上所討論之系統可與電子設備結合，以控制半導體晶圓或基板處理前、處理期間及/或處理後之其操作。電子設備可指「控制器」，其可控制該系統或複數系統之諸多組成件或次部件。例如，取決於處理條件及/或系統類型，系統控制器3023可程式化以控制本文所揭示之任何製程，包括處理氣體之輸送、溫度設定(如加熱及/或冷卻)、閥操作、用於輻射加熱之光源控制、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體輸送設定、位置及操作設定、晶圓轉移(進出與特定系統相連接或相接合之工具及其他轉移工具、及/或裝載室)。以此方式，系統控制器3023可配置成在其他系統之間控制背側晶圓處理系統之諸多致動器及馬達。
廣泛地講，系統控制器3023可定義為具有用以接收指令、發佈指令、控制操作、啟動清洗操作、啟動終點量測及/或類似者之諸多積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSP，digital signal processor)、定義為特殊應用積體電路(ASIC，application specific integrated circuit)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如，軟體)的微控制器。程式指令可為以諸多各別設定(或程式檔案)之形式而傳送至系統控制器3023的指令，該各別設定(或程式檔案)為實行(半導體晶圓上，或針對半導體晶圓，或對系統之)特定的製程而定義操作參數。在一些實施例中，操作參數可為由製程工程師為了在一或更多以下者的製造期間實現一或更多處理步驟而定義之配方的一部分：層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒。
系統控制器3023在一些實施方式中可為電腦的一部分，或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他網路的方式接至系統、或其組合。舉例而言，系統控制器3023可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部、或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取，以監控製造操作的目前進度、檢查過去製造操作的歷史、自複數的製造操作而檢查其趨勢或效能度量，以改變目前處理的參數、設定目前處理之後的處理步驟、或開始新的製程。在一些示例中，遠端電腦(例如，伺服器)可通過網路而提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含能夠進行參數及/或設定輸入或程式設計之使用者介面，接著該參數及/或設定可自遠端電腦傳送至系統。在一些示例中，控制器接收數據形式指令，該指令為即將於一或更多操作期間進行之每一處理步驟指定參數。應當理解，參數可特定針對待執行之製程類型、及控制器配置成與之接合或加以控制之工具類型。因此，如上所述，系統控制器3023可為分散式，例如藉由包含以網路方式接在一起、且朝向共同目的(例如，本文所描述之製程及控制)運作之一或更多分離的控制器。用於此目的之分散式控制器舉例為，腔室上與位於遠端的一或更多積體電路(例如，於平臺水平處、或作為遠端電腦的一部分)進行通訊的一或更多積體電路，兩者相結合以控制腔室上的製程。
示例性系統可包含，但不限於，電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉清洗腔室或模組、金屬鍍覆腔室或模組、清潔腔室或模組、斜邊緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、顯影機(track)腔室或模組、及/或可在半導體晶圓的製造及/或加工中相關聯的、或使用的任何其他半導體處理系統。
如上所述，取決於待藉由工具而執行之製程步驟或複數步驟，系統控制器3023可與半導體製造工廠中的一或更多以下者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具構件、叢集工具、其他工具介面、鄰近的工具、相鄰的工具、遍及工廠而分布的工具、主電腦、另一控制器、或材料輸送中使用之工具，該材料輸送中使用之工具攜帶晶圓容器往返工具位置及/或裝載埠。
除非另有說明，所示實施例應被理解為提供一些實施例之變化細節的示例特徵。因此，除非另有說明，諸多圖示之特徵部、組成件、模組、層、膜、區域、態樣、結構等均可在不脫離本發明之教示下，以其他方式組合、分離、互換及/或重新佈設。
本文使用之術語是以描述一些實施例為目的，並非旨在進行限制。如本文所用，單數形式「一(a、an)」及「該(the)」亦旨在包括複數形式，除非上下文另清楚地指明。當理解，詞句「對於該一或更多＜項目＞之每一＜項目＞」、「該一或更多＜項目＞之每一＜項目＞」及/或其類似者若用於本文中則包含單個項目組及多個項目組兩者，亦即，使用詞句「對…每一者」的含義是，在程式語言中使用其來指稱所指全部項目群中之每一項目。例如，若所指之項目群是單個項目，則「每一」將僅指該單個項目(儘管事實上「每一」的字典定義經常是定義為指「兩個或更多事物中之每一者」)，並不意味必須有該等項目的至少兩者。類似地，術語「集合」或「子集」本身不應被視為必然包含複數項目—將理解，集合或子集可包含僅一個成員或多個成員(除非上下文另指明)。術語「包括」、「包括有」、「包含」及/或「包含有」(當在本說明書中使用時)指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件、組成件、及/或其群組的存在，但不排除一或更多其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組成件、及/或其群組的存在或添加。亦當注意，如本文所使用，術語「實質上」、「大約」及其他類似術語係用作近似術語而非程度術語，並因此用於解釋本領域普通技術人員所理解之測量、計算及/或提供值中的固有偏差。據此，除非另有說明，本文所使用之術語「實質上」意指在參考值之5%以內。例如，實質上垂直意指在平行之+/- 5%內。
附圖中使用交叉影線及/或陰影一般係提供以使相鄰元件之間的邊界清楚。因此，交叉影線或陰影的存在或不存在均非傳達或指明對特定材料、材料特性、尺寸、比例、所示元件之間的共性、及/或元件之任何其他特徵、屬性、特性等有任何偏好或要求，除非另有說明。進一步地，在附圖中，為達清晰及/或描述目的，元件的尺寸及相對尺寸可能被誇大。因此，各個元件的尺寸及相對尺寸不一定限於圖式中所示的尺寸及相對尺寸。當實施例可以不同方式來實施時，特定製程順序可以不同於所述順序來執行。例如，兩個連續描述的製程可實質上同時執行或以與所述順序相反的順序來執行。
當一元件(例如一層)被稱為在另一元件「上」、「連接至」或「耦接至」另一元件時，其可直接在另一元件上、直接連接至或直接耦接至另一元件、或者可存在至少一中介元件。然而，當一元件被稱為「直接在另一元件上」、「直接連接至」或「直接耦接至」另一元件時，則不存在中介元件。其他術語及/或詞句(若本文用以描述元件之間的關係)應以類似的方式來解釋，例如「之間」與「直接在…之間」、「鄰近」與「直接鄰近」、「在…上」與「直接在…上」等。進一步地，術語「連接」可指物理、電及/或流體連接。為此，為了本發明目的，詞句「流體連接」是用於關於可相互連接以形成流體連接之容積、氣室、孔等，類似於詞句「電性連接」用於關於連接在一起以形成電性連接之組成件。詞句「流體插設」(若使用的話)可用來指與至少兩其他組成件、容積、氣室或孔流體連接之組成件、容積、氣室或孔，使得從彼等其他組成件、容積、氣室或孔中之一者流至彼等其他組成件、容積、氣室或孔中之另一者的流體在到達彼等組成件、容積、氣室或孔中之另一者之前，會先流過「流體插設」的組成件。例如，若泵流體插設於容器與出口之間，則從容器流至出口之流體會在到達出口之前先流過泵。詞句「流體鄰近」(若使用的話)可用來指一流體元件相對於另一流體元件的放置，使得兩元件之間並未流體插設可能潛在地中斷兩流體元件間之流體流動的潛在結構。例如，在沿其依序設有第一閥、第二閥及第三閥的流徑中，第一閥將流體鄰近於第二閥，第二閥將流體鄰近於第一閥與第三閥兩者，且第三閥流體鄰近於第二閥。
為了本發明目的，「X、Y…與Z之至少一者」及「選自由X、Y…與Z所組成之群組中的至少一者」可被解釋為僅有X、僅有Y…、僅有 Z，或者X、Y…與Z之兩者或更多者的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ及ZZ。如本文所使用，術語「及/或」包括一或更多相關列出項目之任何及所有組合。
儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等可在本文中用以描述諸多元件，但此些元件不應受限於此些術語。此些術語用於區分一元件與另一元件。因此，在不脫離本發明之教示下，以下所討論之第一元件可稱為第二元件。為此，使用此等標示名稱(例如「第一元件」)不應被理解為暗示或固有地暗示必然存在另一實例(例如「第二元件」)。進一步地，本發明及隨附請求項中使用任何序數標號(若有的話)，例如(a)、(b)、(c)...或(1)、(2)、(3)…或其類似者，當理解為不表達任何特定順序或次序，除了明確指出此等順序或次序之外。例如，若有標記為(i)、(ii)及(iii)之三步驟，當理解，除非另指明，否則此些步驟可以任何順序進行(或甚至同時進行，若無其他限制的話)。例如，若步驟 (ii)涉及處理在步驟(i)中所建立的元件，則步驟(ii)可視為發生在步驟(i)之後的某一點。以類似方式，若步驟(i)涉及處理在步驟(ii)中建立之元件，則當理解為相反。
可在本文中使用空間相對術語，例如「之下(beneath)」、「下面(below)」、「下方(under)」、「下部(lower)」、「上面(above)」、「上部(upper)」、「上方(over)」、「更高(higher)」、「側(side)」(例如，如「側壁」)及類似者，以達描述目的，並因此以描述如圖所示一元件與至少一其他元件的空間關係。空間相對術語旨在涵蓋圖中所繪方位外之設備使用、操作及/或製造中的不同方位。例如，若圖中之設備被翻轉，則描述為在其他元件或特徵部「下面」或「以下」的元件將被定向為在其他元件或特徵部「上面」或「上方」。 因此，術語「下面」可涵蓋上面與下面方位。此外，該設備可以其他方式定向(例如，旋轉90度或於其他方位)，因此本文所使用之空間相對描述詞被對應地解釋。
本文所用之術語「之間」且當與值範圍一起使用時當理解為(除非另指明)包括該範圍之開始值及結束值。例如，1與5之間當理解為包括數字 1、2、3、4及5，而非僅是數字2、3及4。
如本文所用，術語「可操作地連接」當理解為指兩組成件及/或系統被連接(直接或間接地)的狀態，其使得例如至少一組成件或系統可控制另一者。例如，控制器可被描述為與電阻加熱單元可操作地連接(或可操作地連接至電阻加熱單元)，其包括控制器與電阻加熱單元之子控制器連接，電阻加熱單元與繼電器電性連接，繼電器配置成可控地將電阻加熱單元與能夠提供一功率量(其能夠對電阻加熱單元供電以產生所需加熱程度)的功率源連接或斷開。控制器本身可能因所涉及之電流而無法直接對電阻加熱單元供應此等功率，但將理解控制器仍然可操作地與電阻加熱單元連接。
如本文所用，單數形式「一(a、an)」及「該(the)」亦旨在包括複數形式，除非上下文另清楚地指明。當理解，詞句「對於該一或更多＜項目＞之每一＜項目＞」、「該一或更多＜項目＞之每一＜項目＞」及/或其類似者若用於本文中則包含單個項目組及多個項目組兩者，亦即，使用詞句「對…每一者」的含義是，在程式語言中使用其來指稱所指全部項目群中之每一項目。例如，若所指之項目群是單個項目，則「每一」將僅指該單個項目(儘管事實上「每一」的字典定義經常是定義為指「兩個或更多事物中之每一者」)，並不意味必須有該等項目的至少兩者。類似地，術語「集合」或「子集」本身不應被視為必然包含複數項目—將理解，集合或子集可包含僅一個成員或多個成員(除非上下文另指明)。此外，術語「包括」、「包括有」、「包含」及/或「包含有」(當在本說明書中使用時)指定所述特徵、 整數、步驟、操作、元件、組成件、及/或其群組的存在，但不排除一或更多其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組成件、及/或其群組的存在或添加。
本文參考剖面圖、等角視圖、透視圖、平面圖及/或分解圖來描述諸多實施例，此些圖為理想化實施例及/或中間結構之示意性繪圖。如此，得以預期因例如製造技術及/或公差而導致圖示之形狀的變化。因此，本文所揭示之實施例不應解釋為限制於特定示出之區域形狀，而是包括因例如製造所導致之形狀偏差。為此，圖中所示之區域本質上可為示意性，且此些區域之形狀可不反映裝置之區域的實際形狀，並因此並非用於作限制。
除非另外定義，否則本文所使用之所有術語(包括技術及科學術語)具有與本發明所屬領域之普通技術人員通常理解的相同含義。術語(例如常用詞典中定義的術語)應被解釋為具有與其在相關領域背景下之含義一致的含義，不應被解釋為理想化或過於正式的含義，除非本文明確地如此定義。
按照本領域的慣例，在附圖中以功能方塊、單元及/或模組角度來描述並示出一些實施例。本領域技術人員將知悉，此些方塊、單元及/或模組在物理上透過電子(或光學)電路來實施，例如邏輯電路、離散組成件、微處理器、硬佈線電路、記憶體元件、佈線連接及類似者，其可使用基於半導體之製造技術或其他製造技術來形成。在方塊、單元及/或模組係透過微處理器或其他類似硬體來實施的例子中，其可使用軟體(例如，微編碼)來進行程式設計及控制，以執行本文所討論之諸多功能，並可視情況地透過韌體及/或軟體來驅動。亦預期每一方塊、單元及/或模組可透過專用硬體來實施，或作為執行某些功能之專用硬體與執行其他功能之處理器(例如，一或更多編程微處理器及相關電路)的組合。又，一些實施例之每一方塊、單元及/或模組可在不脫離本發明概念下物理地分成兩個或更多互相作用且離散的方塊、單元及/或模組。進一步地，一些實施例之方塊、單元及/或模組可在不脫離本發明教示下物理地組合成更複雜的方塊、單元及/或模組。
儘管為達清楚理解目的已相當詳細地描述前述實施例，但顯然可在所附請求項之範圍內實行某些改變及修改。應注意，存在許多替代方式來實施所揭示之實施例的製程、系統及設備。據此，實施例當視為說明性而非限制性，且實施例不限於本文給出的細節。
當進一步理解，上述揭示內容(儘管著重於一特定示例實施方式或複數實施方式)不僅限於所討論的示例，還可適用於類似之變化態樣及機制，並且此等類似的變化態樣及機制亦被視為在本發明之範圍內。為避免有任何疑問， 亦當理解，上述揭示內容至少針對以下編號的實施方式，以及從上述揭示內容中顯而易見的其他實施方式。
實施方式1：一設備，包括一桿體及複數內部流徑。該桿體包括一近端及一遠端。該近端包括複數入口，該等入口之每一者相互不同並配置成接收對應一或更多氣體。該遠端沿著該桿體之縱向軸線設置成相對於該近端，該遠端配置成與沉積設備之氣體分配器接合，該遠端包括複數出口，該等出口之至少一者與該等出口之至少另一者不同。該複數內部流徑包括一第一內部流徑及一第二內部流徑，該等內部流徑之每一者延伸於該等入口中之一對應入口與該等出口中之至少一對應出口之間，使得該等內部流徑相互不同，該等內部流徑之每一者包括一或更多結構，其配置成沿著桿體之縱向軸線引發紊流以響應於對應一或更多氣體沿著內部流徑流動。
實施方式2：實施方式1之設備，其中：該等入口包括一第一入口及一第二入口；第一入口之軸線在第一方向上與桿體之縱向軸線間隔開；第一內部流徑之第一部分沿著第一入口之軸線縱向延伸；第二入口之軸線在不同於第一方向之第二方向上與桿體之縱向軸線間隔開；以及第二內部流徑之第一部分沿著第二入口之軸線縱向延伸。
實施方式3：實施方式1或實施方式2之設備，其中 該一或更多結構定義第一內部流徑之一或更多第二部分，第一內部流徑之第二部分的每一者沿著繞著桿體之縱向軸線的第一螺旋路徑；且該一或更多結構定義第二內部流徑之一或更多第二部分，第二內部流徑之第二部分的每一者沿著繞著桿體之縱向軸線的第二螺旋路徑。
實施方式4：實施方式3之設備，其中第一及第二螺旋路徑相互呈不同相位，使得第二內部流徑之每一第二部分與第一內部流徑之對應第二部分交繞。
實施方式5：實施方式3或實施方式4之設備，其中：該一或更多第一結構進一步定義第一內部流徑之一或更多第三部分，第一內部流徑之第三部分的每一者沿著桿體之縱向軸線線性延伸；且該一或更多第二結構進一步定義第二內部流徑之一或更多第三部分，第二內部流徑之第三部分的每一者沿著桿體之縱向軸線線性延伸。
實施方式6：實施方式5之設備，其中： 第一內部流徑之第三部分的每一者在第二方向上與桿體之縱向軸線間隔開；且第二內部流徑之第三部分的每一者在第一方向上與桿體之縱向軸線間隔開。
實施方式7：實施方式5或實施方式6之設備，其中： 第一內部流徑之第三部分的每一者定義一第一腔室，其包括縮窄第一內部流徑之通道的至少一第一衝擊凸部；且第二內部流徑之第三部分的每一者定義一第二腔室，其包括縮窄第二內部流徑之通道的至少一第二衝擊凸部。
實施方式8：實施方式7之設備，其中：該至少一第一衝擊凸部沿著第一腔室之內壁的第一周圍部分延伸；且該至少一第二衝擊凸部沿著第二腔室之內壁的第二周圍部分延伸。
實施方式9：實施方式8之設備，其中：一中間參考平面將第一及第二腔室分成對應分區，該中間參考平面平行於桿體之縱向軸線延伸並與其相交；且第一腔室之第一周圍部分設於中間參考平面之與第二腔室之第二周圍部分相反的一側上。
實施方式10：實施方式7至9中任一者之設備，其中：第一腔室包括多個第一衝擊凸部；且第二腔室包括多個第二衝擊凸部。
實施方式11：實施方式5至10中任一者之設備，其中：第一內部流徑之該一或更多第二部分與第一內部流徑之該一或更多第三部分沿著桿體之縱向軸線交替佈設；且第二內部流徑之該一或更多第二部分與第二內部流徑之該一或更多第三部分沿著桿體之縱向軸線交替佈設。
實施方式12：實施方式5至11中任一者之設備，其中：第一內部流徑包括四個第二部分及三個第三部分；且第二內部流徑包括四個第二部分及三個第三部分。
實施方式13：實施方式12之設備，其中：第一內部流徑之該四個第二部分中的三個包括繞著桿體之縱向軸線的至少三個旋繞；第一內部流徑之該四個第二部分中的一個包括繞著桿體之縱向軸線的至少一個旋繞，第一內部流徑之該四個第二部分中的該一個比第一內部流徑之該四個第二部分中的該三個更靠近桿體之遠端；第二內部流徑之該四個第二部分中的三個包括繞著桿體之縱向軸線的至少三個旋繞；且第二內部流徑之該四個第二部分中的一個包括繞著桿體之縱向軸線的至少一個旋繞，第二內部流徑之該四個第二部分的該一個比第二內部流徑之該四個第二部分的該三個更靠近桿體之遠端。
實施方式14：實施方式5至13中任一者之設備，其中：該等出口之該至少一者定義第一內部流徑之一出口；且第一內部流徑之一第四部分沿著該等出口之該至少一者的軸線縱向延伸，該等出口之該至少一者的該軸線沿著桿體之縱向軸線延伸。
實施方式15：實施方式14之設備，其中該等出口之該至少一者的該軸線與桿體之縱向軸線同軸對準。
實施方式16：實施方式14或實施方式15之設備，其中：該一或更多結構進一步定義第二內部流徑之一或更多第四部分，第二內部流徑之第四部分的每一者環繞第一內部流徑之第四部分；第二內部流徑之第四部分的每一者包括沿著桿體之縱向軸線延伸的一環形通道，每一環形通道包括較靠近桿體之近端的第一端以及較靠近桿體之遠端的第二端；且每一第二端終止於一對應衝擊表面處，該衝擊表面包括沿著桿體之縱向軸線延伸的複數貫通通道孔口，該對應複數貫通通道孔口繞著桿體之縱向軸線相互周向隔開。
實施方式17：實施方式16之設備，其中每一環形通道與桿體之縱向軸線同軸對準。
實施方式18：實施方式16或實施方式17之設備，其中：第二內部流徑包括沿著桿體之縱向軸線軸向佈設的多個第四部分；該複數第四部分中一第四部分之該等貫通通道孔口的第一中心軸線周向偏離該複數第四部分中另一第四部分之該等貫通通道孔口的第二中心軸線。
實施方式19：實施方式18之設備，其中第一中心軸線與第二中心軸線不重合。
實施方式20：實施方式18或實施方式19之設備，其中第二內部流徑之該一第四部分的該等貫通通道孔口定義桿體之遠端之該等出口中的多個出口，該等出口中的該多個出口與第一內部流徑之該出口不同。
實施方式21：實施方式16至20中任一者之設備，其中第二內部流徑包括五個該第四部分。
實施方式22：實施方式16至21中任一者之設備，其中第一內部流徑之第四部分延伸得比第二內部流徑之第四部分的每一者離桿體之近端更遠。
實施方式23：實施方式1至22中任一者之設備，其中：桿體為一增材製成組成件；且內部流徑在桿體中定義連續空隙。
實施方式24：實施方式1至23中任一者之設備，其中桿體係由鋁合金形成。
實施方式25：實施方式1至24中任一者之設備，其中內部流徑在桿體內相互流體隔離。
實施方式26：實施方式1至25中任一者之設備，其中氣體分配器為沉積設備之噴淋頭基座。
實施方式27：實施方式1至25中任一者之設備，其中氣體分配器為沉積設備之噴淋頭。
實施方式28：實施方式1至27中任一者之設備，其中內部流徑進一步包括至少一第三內部流徑。
實施方式29：一設備，其包括一噴淋頭。噴淋頭包括 一第一表面、一第二表面及一桿體。第一表面包括複數第一入口。第二表面相對於該第一表面，該第二表面包括複數氣體分配埠。桿體包括一近端、一遠端及複數內部流徑。該近端包括複數第二入口，該等第二入口之每一者相互不同並配置成接收一或更多氣體。該遠端沿著桿體之縱向軸線設置成相對於該近端，該遠端配置成耦接至噴淋頭之第一表面，該遠端包括與該複數第一入口接合之複數出口，該等出口之至少一者與該等出口之至少另一者不同。該等內部流徑之每一者延伸於該等第二入口中之一對應第二入口與該等出口中之至少一對應出口之間，使得該等內部流徑在桿體內相互流體隔離，該等內部流徑之每一者包括配置成沿著桿體之縱向軸線引發紊流以響應於一或更多氣體流動的一或更多結構。該等內部流徑中之一第一內部流徑流體連接至第一組之氣體分配埠。該等內部流徑中之一第二內部流徑流體連接至第二組之氣體分配埠，該第二組不同於該第一組。
實施方式30：實施方式29之設備，其中該噴淋頭為噴淋頭基座，其配置成在其外圍處或附近支撐基板，使得基板之背側實質上暴露於該複數氣體分配埠。
實施方式31：實施方式29或實施方式30之設備，進一步包括：一製程腔室，配置成將桿體之一第一部分及該噴淋頭支撐於其內，該製程腔室包括一開口，桿體之一第二部分延伸穿過該開口以暴露該近端。
實施方式32：一設備，其包括一主體。該主體包括一第一表面及在第一方向上與第一表面相對之一第二表面，該第一表面包括複數氣體分配埠並分成複數區域。該複數氣體分配埠包括 一組之第一氣體分配埠、一組之第二氣體分配埠及一組之第三氣體分配埠。第一氣體分配埠分佈於該等區域中之第一區域上，每一第一氣體分配埠透過對應第一氣體分配流徑流體連接至一或更多第一氣體入口。第二氣體分配埠分佈於該等區域中之第二區域上，每一第二氣體分配埠透過對應第二氣體分配流徑流體連接至一或更多第二氣體入口。第三氣體分配埠分佈於該等區域中之第三區域上，每一第三氣體分配埠透過對應第三氣體分配流徑流體連接至一或更多第三氣體入口。第一區域將第二區域與第三區域分開。在該主體內，第一氣體分配流徑與第二與第三氣體分配流徑之每一者分開。
實施方式33：實施方式32之設備，其中該一或更多第二氣體入口亦定義該一或更多第三氣體入口。
實施方式34：實施方式32或實施方式33之設備，其中：第一氣體分配流徑配置成提供一或更多第一氣體至第一氣體分配埠，使得來自第一氣體分配埠之該一或更多第一氣體的輸出在第一區域上呈現第一氣流分佈；第二氣體分配流徑配置成提供一或更多第二氣體至第二氣體分配埠，使得來自第二氣體分配埠之該一或更多第二氣體的輸出在第二區域上呈現第二氣流分佈；第三氣體分配流徑配置成提供一或更多第二氣體至第三氣體分配埠，使得來自第三氣體分配埠之該一或更多第二氣體的輸出在第三區域上呈現第三氣流分佈；且對於相同入口/出口邊界條件，第一、第二及第三氣流分佈為不同。
實施方式35：實施方式34之設備，其中：第一氣流分佈為實質上均勻；第二氣流分佈在第二區域上沿至少一方向變化；且第三氣流分佈在第三區域上沿至少一方向變化。
實施方式36：實施方式35之設備，其中第二及第三氣流分佈之每一者隨著距第一氣流分佈之距離增加而增加。
實施方式37：實施方式32至36中任一者之設備，其中第二及第三區域之每一者包括：一第一排列之氣體分配埠，具有第一空間關係；以及一第二排列之氣體分配埠，具有不同於第一空間關係之第二空間關係。
實施方式38：實施方式37之設備，其中第二空間關係包括比第一空間關係更密集排列的氣體分配埠。
實施方式39：實施方式37或實施方式38之設備，其中第一氣體分配埠根據第一空間關係分佈於第一區域上。
實施方式40：實施方式37或實施方式38之設備，其中第一排列之氣體分配埠環繞第二排列之氣體分配埠。
實施方式41：實施方式37至40中任一項之設備，其中第二排列之氣體分配埠比第一表面之中心更靠近第一表面之外圍。
實施方式42：實施方式32至36中任一項之設備，其中：該組之第二氣體分配埠包括：第一子組之第二氣體分配埠，分佈於第二區域之第一子區域上；以及第二子組之第二氣體分配埠，分佈於第二區域之第二子區域上，第二區域之第二子區域鄰近第二區域之第一子區域；且該組之第三氣體分配埠包括：第一子組之第三氣體分配埠，分佈於第三區域之第一子區域上；以及第二子組之第三氣體分配埠，分佈於第三區域之第二子區域上，第三區域之第二子區域鄰近第三區域之第一子區域。
實施方式43：實施方式42之設備，其中，在相同入口/出口邊界條件下：第二氣體分配流徑配置為使得沿著與第二子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的相應流導大於沿著與第一子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的每一相應流導；且第三氣體分配流徑配置為使得沿著與第二子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的相應流導大於沿著與第一子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的每一相應流導。
實施方式44：實施方式42之設備，其中：該組之第二氣體分配埠進一步包括：第三子組之第二氣體分配埠，分佈於第二區域之第三子區域上，第二區域之第三子區域在第二區域之第一與第二子區域之間；該組之第三氣體分配埠進一步包括：第三子組之第三氣體分配埠，分佈於第三區域之第三子區域上，第三區域之第三子區域在第三區域之第一與第二子區域之間。
實施方式45：實施方式44之設備，其中，在相同入口/出口邊界條件下：第二氣體分配流徑配置為使得沿著與第三子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的相應流導大於沿著與第一子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的每一相應流導，並小於沿著與第二子組之第二氣體分配埠相關聯之每一彼等第二氣體分配流徑的每一相應流導；且第三氣體分配流徑配置為使得沿著與第三子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的相應流導大於沿著與第一子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的每一相應流導，並小於沿著與第二子組之第三氣體分配埠相關聯之每一彼等第三氣體分配流徑的每一相應流導。
實施方式46：實施方式44或實施方式45之設備，其中：第二區域之第三子區域包括一子部分，其中第三子組之第二氣體分配埠的第一複數個第二氣體分配埠配置不同於第三子組之第二氣體分配埠的第二複數個第二氣體分配埠；且第三區域之第三子區域包括一子部分，其中第三子組之第三氣體分配埠的第一複數個第三氣體分配埠配置不同於第三子組之第三氣體分配埠的第二複數個第三氣體分配埠。
實施方式47：實施方式46之設備，其中：第三子組之第二氣體分配埠的第一複數個第二氣體分配埠比第三子組之第二氣體分配埠的第二複數個第二氣體分配埠佈設地更密集；且第三子組之第三氣體分配埠的第一複數個第三氣體分配埠比第三子組之第三氣體分配埠的第二複數個第三氣體分配埠佈設地更密集。
實施方式48：實施方式23至47中任一者之設備，其中：該主體包括複數通道沿不同於第一方向之第二方向延伸，該等通道在不同於第二方向之第三方向上相互間隔開；且該等通道之每一者流體連接至對應複數個該等氣體分配埠。
實施方式49：實施方式48之設備，其中該等通道之每一者在垂直於第二方向之平面上的橫截面積實質上相等。
實施方式50：實施方式48之設備，其中該等通道之至少一者在垂直於第二方向之平面上的橫截面積不同於該等通道之至少另一者在垂直於第二方向之平面上的橫截面積。
實施方式51：實施方式4至50中任一者之設備，其中該等通道中之相鄰通道之間的對應間距為實質上相等。
實施方式52：實施方式48至50中任一者之設備，其中：第一複數個該等通道以第一間距沿第三方向佈設；以及第二複數個該等通道以不同於第一間距之第二間距沿第三方向佈設。
實施方式53：實施方式48至52中任一者之設備，進一步包括一外壁，其環繞該主體。該主體進一步包括：一第三表面，延伸於第一表面與第二表面之間；複數第一盲腔，凹入第三表面並繞著主體之周邊佈設；以及複數第二盲腔，凹入第三表面並繞著主體之周邊佈設，第一盲腔之每一者在該第一方向上設於第一表面與第二盲腔之對應者之間。延伸於第一盲腔與第二盲腔之間之第三表面的一部份形成一間隔壁。該間隔壁包括在第三表面中的複數凹部，凹部之每一者在第一方向上設於鄰近於彼此之第一與第二盲腔的對應者之間，以結合外壁之內表面形成流體連接第一與第二盲腔之對應者的相應氣流通道。
實施方式54：實施方式53之設備，其中第一盲腔之每一者流體連接至一或更多通道。
實施方式55：實施方式53或實施方式54之設備，其中該等通道之一些通道將第一盲腔中的兩個第一盲腔相互流體連接，相對於主體之中心軸線相互相對之該兩個第一盲腔沿第一方向延伸。
實施方式56：實施方式53至55中任一者之設備，其中：第一組之第一盲腔中每一第一盲腔具有第一開口區面向外壁之內表面並流體連接至第一數量的該等通道；且第二組之第一盲腔中每一第一盲腔具有第二開口區面向外壁之內表面並流體連接至第二數量的該等通道，第二開口區大於第一開口區，且第二數量大於第一數量。
實施方式57：實施方式53至56中任一者之設備，進一步包括：在主體中之複數第一長孔，其從主體之第一中心區域徑向延伸，第一長孔之每一者具有： 一對應近端，流體連接至該一或更多第一入口之至少一者；以及一對應遠端，流體連接至該等第二盲腔中之一第二盲腔，以形成第一氣體分配流徑之至少一者的對應部分；以及在主體中之複數第二長孔，其從主體之第二中心區域徑向延伸，第二長孔之每一者具有：一對應近端，流體連接至該一或更多第二入口與該第一或更多第三入口之至少一者；以及一對應遠端，流體連接至該等第二盲腔中之一第二盲腔，以形成第二與第三氣體分配流徑之至少一者的對應部分。
實施方式58：實施方式57之設備，其中：第一長孔之每一者在主體之第一平面區域中延伸；第二長孔之每一者在不同於主體之第一平面區域之主體的第二平面區域中延伸；且第一平面區域比第二平面區域更靠近主體之第二表面。
實施方式59：實施方式58之設備，其中第一與第二平面區域之每一者比該等通道之每一者更靠近第二表面。
實施方式60：實施方式57至59中任一者之設備，其中第一與第二長孔在垂直於其相應縱向延伸方向之對應平面上的相應橫截面積為相等。
實施方式61：實施方式57至59中任一者之設備，其中：第一組之第二盲腔直接實體且流體連接至第一長孔並在主體內部與第二長孔分開；第二組之第二盲腔直接實體且流體連接至第二長孔並在主體內部與第一長孔分開；該第二組之第二盲腔包括：第一子組之第二盲腔，第一子組之第二盲腔的每一第二盲腔直接實體且流體連接至第二長孔遠端中之第二長孔的一個遠端；以及第二子組之第二盲腔，第二子組之第二盲腔的每一第二盲腔直接實體且流體連接至第二長孔遠端中之第二長孔的兩個遠端。
實施方式62：實施方式61之設備，其中：第一組之第二盲腔佈設於主體之第一區域中；第一子組之第二盲腔佈設於主體之第二區域中；且第二子組之第二盲腔佈設於主體之第三區域中，主體之第二區域在主體之第一與第三區域之間。
實施方式62：實施方式61之設備，其中：第二區域設於第一區域之相對側上；且第三區域設於第二區域之相對側上及第一區域之相對側上。
實施方式64：實施方式62或實施方式63之設備，其中：第一長孔之每一者在垂直於其相應縱向延伸方向的平面上具有實質上相等的第一橫截面積；與第一子組之第二盲腔相關聯之每一第二長孔在垂直於其相應縱向延伸方向的平面上具有實質上相等的第二橫截面積；與第二子組之第二盲腔相關聯之每一第二長孔在垂直於其相應縱向延伸方向的平面上具有實質上相等的第三橫截面積；且第一、第二及第三橫截面積互不相同。
實施方式31：實施方式64之設備，其中：第三橫截面積大於第二橫截面積；且第二橫截面積大於第一橫截面積。
實施方式66：實施方式32至65中任一者之設備，進一步包括：一冷卻導管熱耦接至主體，該冷卻導管具有配置成接收處於第一溫度之潔淨乾空氣(CDA)的一入口及配置成輸出處於不同於第一溫度之第二溫度之該CDA的一出口。主體包括凹入第二表面之一第一凹槽，冷卻導管之一部分延伸於第一凹槽內。
實施方式67：實施方式66之設備，進一步包括：一第一帽結構，其將冷卻導管以壓迫狀態封於第一凹槽中。
實施方式68：實施方式66或實施方式67之設備，其中冷卻導管係由不銹鋼形成。
實施方式69：實施方式66至68中任一者之設備，其中冷卻導管尺寸為使得CDA流速能夠高達約140標準升每分鐘且雷諾數大於約2500。
實施方式70：實施方式66至69中任一者之設備，進一步包括一電阻加熱元件。主體進一步包括凹入第二表面之一第二凹槽，電阻加熱元件之一部分延伸於第二凹槽內。
實施方式71：實施方式70之設備，其中：在第一方向上，第二凹槽比第一凹槽更深地延伸入第二表面；且在垂直於第一方向之徑向方向上，第二凹槽之最外部比第一凹槽之最外部更靠近主體之外圍。
實施方式72：實施方式32至71中任一者之設備，進一步包括：一製程腔室，配置成將主體支撐於其內。該主體形成噴淋頭之一部分。
實施方式73：實施方式72之設備，其中噴淋頭為一噴淋頭基座，其配置成將基板支撐於其上，使得基板的大部分背側暴露於複數氣體分配埠。
實施方式74：實施方式32至73中任一者之設備，其中主體係由鋁合金形成。
101:基板
103:參考平面
201:基板
203:金屬化圖案
205:前側
207:背側
300:製程
301:方塊
303:方塊
305:方塊
307:方塊
401:基板
401a:前側
401b:背側
403:壓縮膜
405:拉伸膜
407:應力補償層
407a:表面
510:第一厚度分佈
515:第一應力分佈
520:第二厚度分佈
525:第二應力分佈
530:第三厚度分佈
535:第三應力分佈
601:所欲分佈
603:模擬分佈、氣體濃度分佈
605:模擬分佈、氣體濃度分佈
607:模擬分佈、氣體濃度分佈
700:噴淋頭基座
701:主體
701a:第一表面
701b:第二表面
701c:第三表面
701d:第四表面
701e:第五表面
701p:周邊
703:外壁
703a:上表面
703b:內表面
705:桿
707:氣體分配埠
707a:出口
707b:入口
707c:通道
707n:氣體分配埠
711:區域
711a:子區域
711b:子區域
711c:子區域
711c1:子區域、子部分
713:區域
715:區域
715a:子區域
715b:子區域
715c:子區域
715c1:子區域、子部分
715c11:子部分
715c12:子部分
717:中心軸線
719:橫向軸線
721:橫向軸線
723:間隔壁
725:孔
727:盲孔
729:外壁
731:桿體
733:中空部
1001_1:通孔
1001_2:通孔
1001_3:通孔
1001_4:通孔
1001_5:通孔
1001_6:通孔
1001_7:通孔
1001_8:通孔
1001_9:通孔
1001_10:通孔
1001_11:通孔
1001_12:通孔
1001_13:通孔
1001_14:通孔
1001_15:通孔
1001_16:通孔
1001_17:通孔
1001_18:通孔
1001_19:通孔
1001_20:通孔
1001_21:通孔
1001_22:通孔
1001_23:通孔
1001_24:通孔
1001_25:通孔
1003_1:盲腔
1003_2:盲腔
1003_3:盲腔
1003_4:盲腔
1003_5:盲腔
1003_6:盲腔
1003_7:盲腔
1003_8:盲腔
1003_9:盲腔
1003_10:盲腔
1003_11:盲腔
1003_12:盲腔
1005_1:盲腔
1005_2:盲腔
1005_3:盲腔
1005_4:盲腔
1005_5:盲腔
1005_6:盲腔
1005_7:盲腔
1005_8:盲腔
1005_9:盲腔
1005_10:盲腔
1005_11:盲腔
1005_12:盲腔
1007_1:凹部
1007_2:凹部
1007_3:凹部
1007_4:凹部
1007_5:凹部
1007_6:凹部
1007_7:凹部
1007_8:凹部
1007_9:凹部
1007_10:凹部
1007_11:凹部
1007_12:凹部
1201:長孔
1203:長孔
1205:第一入口
1207:長孔
1209:長孔
1211:長孔
1213:長孔
1215:長孔
1217:長孔
1219:長孔
1221:長孔
1223:長孔
1225:長孔
1227:長孔
1229:長孔
1231:第二入口
1501:氣體分配流徑
1601:加熱元件、加熱迴路
1601a:第一部分
1601b:第二部分
1601c:第三部分
1601d:第四部分
1601e:第五部分
1601f:第六部分
1601g:第七部分
1601h:第一遠端
1601i:第二遠端
1603:第一帽(或蓋)結構
1603a:凹口部
1603b:凹口部
1603c:凹口部
1603d:凹口部
1605:冷卻導管、冷卻元件、冷卻迴路
1605a:第一部分
1605b:第二部分
1605c:第三部分
1605d:第一遠端、入口
1605e:第二遠端、出口
1607:第二帽結構
1609:狹槽(或凹槽)
1611:狹槽(或凹槽)
1701:例子
1703:例子
1705:例子
1707:例子
1709:例子
1711:虛線
1801:近端
1803:遠端
1805:第一凸緣部
1807:第二凸緣部
1901:中間參考平面
1903:第一參考方向
1905:周圍部分
1907:中間參考平面
1909:參考方向
2000:內部流徑
2001:縱向軸線
2101:第一內部流徑
2101a:入口
2101b:第一出口
2103:第二內部流徑
2103a:入口
2103b:第二出口
2105:第一部分
2107a:第二部分
2107b:第二部分
2107c:第二部分
2107d:第二部分
2109a:第三部分
2109a_p:衝擊凸部
2109b:第三部分
2109b_p:衝擊凸部
2109c:第三部分
2109c_p:衝擊凸部
2111:第四部分
2113:第五部分
2115:第一部分
2117a:第二部分
2117b:第二部分
2117c:第二部分
2117d:第二部分
2119a:第三部分
2119a_p:衝擊凸部
2119b:第三部分
2119b_p:衝擊凸部
2119c:第三部分
2119c_p:衝擊凸部
2121:第四部分
2123a:第五部分
2123b:第五部分
2123c:第五部分
2123d:第五部分
2123e:第五部分
2125:環形通道
2125a:第一端
2125b:第二端
2501:分區
2503:分區
2505:分區
2507:分區
2601:衝擊表面
2603:貫通通道孔口
2603a:實例
2603b:實例
2603c:實例
2605a:中心軸線
2605b:中心軸線
2605c:中心軸線
2800:熱管理系統
2801:入口
2803:閥
2805:冷卻迴路
2807:氣體分配器
2807a:第一表面
2807b:第二表面
2807c:本體部分
2809:輸入部
2811:出口
2813:熱交換器
2815:排出系統
2817:出口部、輸出口
2819:輸入導管
2821:第二入口
2823:冷卻劑路徑
2825:第二出口
2827:導管
2829:洗滌器
2831:排出物
2833:加熱迴路
2835:輸入部
2837:功率供應源
2839:輸出部
2841:參考位準
2843:射頻(RF)組成件
2845:射頻(RF)組成件
2847:控制模組、控制器
2849:感測器
2851:射頻(RF)組成件
2853:前饋資訊
2900:基板處理系統
2901:晶圓
2903:腔室
2903a:開口
2903b:開口
2905:噴淋頭基座
2907:噴淋頭
2909:功率供應源
2911:匹配網路
2913:控制模組
2915:間隔物
2917:氣體源
2919:氣體源
2921:氣體歧管
2923:氣體歧管
2925:桿
2927:桿
2929:真空泵
2931:承載環
2933:熱管理系統
3000:處理工具、製程工具
3001:星形叉
3003:入站裝載室
3005:出站裝載室
3007:機器人
3009:傳送盒
3011:大氣埠
3013:基座
3015:處理腔室
3017:腔室轉移埠
3019:機器人
3021:溫度受控基座
3023:系統控制器
3025:記憶體裝置
3027:大容量儲存裝置
3029:處理器
3031:系統控制軟體
本文所揭示之諸多實施例在附圖之圖式中係以示例方式而非限制方式示出，其中相似的參考數字係指相似元件。
圖1示意性地示出呈現不對稱弓翹之弓翹半導體基板的透視圖。
圖2A示意性地示出呈現不對稱弓翹之基板的平面圖。
圖2B示意性地示出圖2A之基板沿剖面線2B-2B擷取的剖視圖。
圖2C示意性地示出圖2A之基板沿剖面線2C-2C擷取的剖視圖。
圖3為根據一些實施例減輕不對稱晶圓弓翹之製程的流程圖。
圖4A、4B1、4B2及4C示意性地示出根據一些實施例形成應力補償層以減輕不對稱晶圓弓翹的諸多階段。
圖5為根據一些實施例示出以下每一者之厚度分佈與應力分佈的圖： i) 壓縮膜、ii) 拉伸膜，以及 iii) 結合壓縮膜與拉伸膜的應力補償層。
圖6為根據一些實施例比較從諸多配置之氣體分配器相對於基板背側流動之反應物氣體濃度的所欲分佈及模擬分佈圖。
圖7A及7B示意性地示出根據一些實施例之氣體分配器的透視圖。
圖8示意性地示出根據一些實施例之圖7A氣體分配器的部分分解透視圖。
圖9A示意性地示出根據一些實施例之圖7A氣體分配器的第一表面平面圖。
圖9B示意性地示出根據一些實施例之圖9A的放大部分。
圖9C示意性地示出根據一些實施例之另一氣體分配器的第一表面放大部分。
圖10示意性地示出根據一些實施例之氣體分配器一部分的側視圖。
圖11示意性地示出根據一些實施例之圖10氣體分配器一部分的剖視圖。
圖12A、12B及12C示意性地示出根據一些實施例之圖7A及10氣體分配器分別沿剖面線12A-12A、12B-12B及12C-12C截取的剖視圖。
圖13示意性地示出根據一些實施例之圖10氣體分配器一部分之第二表面平面圖。
圖14示意性地示出根據一些實施例之圖12B的放大部分。
圖15示意性地示出根據一些實施例之穿過圖7A氣體分配器的氣體分配流徑。
圖16示意性地示出根據一些實施例之圖7B氣體分配器的諸多組成件的分解透視圖。
圖17為根據一些實施例呈現氣體分配器在諸多設定點溫度及工作週期下之模擬溫度控制的圖表。
圖18A及18B示出根據一些實施例之圖18氣體分配器的桿體透視圖。
圖19示意性地示出根據一些實施例之圖18A桿體的剖視圖。
圖20、21A及21B示意性地示出根據一些實施例之圖18A桿體內部的曲折流徑。
圖22示意性地示出根據一些實施例之圖18A桿體的側視圖。
圖23-27示意性地示出根據一些實施例分別沿著剖面線23-23、24-24、25-25、26-26及27-27所截取之桿體的剖視圖。
圖28示意性地示出根據一些實施例配置成控制氣體分配器之溫度的熱管理系統。
圖29示意性地示出根據一些實施例配置用於背側晶圓沉積之基板處理系統。
圖30示意性地示出根據一些實施例配置用於背側晶圓沉積之多站處理工具。
1901:中間參考平面
1903:第一參考方向
1905:周圍部分
1907:中間參考平面
1909:參考方向
2001:縱向軸線
2109a:第三部分
2109a_p:衝擊凸部
2119a:第三部分
Claims (20)
- 一種用於基板處理的設備，包括： 一桿體，包括： 一近端，包括複數入口，該等入口之每一者相互不同並配置成接收對應一或更多氣體；以及 一遠端，沿著該桿體之一縱向軸線設置成相對於該近端，該遠端配置成與一沉積設備之一氣體分配器接合，該遠端包括複數出口，該等出口之至少一者與該等出口之至少另一者不同；以及 複數內部流徑，包括一第一內部流徑及一第二內部流徑，該等內部流徑之每一者延伸於該等入口中之一對應入口與該等出口中之至少一對應出口之間，使得該等內部流徑相互不同，該等內部流徑之每一者包括一或更多結構，其配置成沿著該桿體之該縱向軸線引發紊流以響應於該對應一或更多氣體沿著該內部流徑流動。
- 如請求項1所述之設備，其中 ： 該等入口包括一第一入口及一第二入口； 該第一入口之一軸線在第一方向上與該桿體之該縱向軸線間隔開； 該第一內部流徑之一第一部分沿著該第一入口之該軸線縱向延伸； 該第二入口之一軸線在不同於該第一方向之第二方向上與該桿體之該縱向軸線間隔開；以及 該第二內部流徑之一第一部分沿著該第二入口之該軸線縱向延伸。
- 如請求項1至2中任一項所述之設備，其中： 該一或更多結構定義該第一內部流徑之一或更多第二部分，該第一內部流徑之該等第二部分的每一者沿著繞著該桿體之該縱向軸線的一第一螺旋路徑； 該一或更多結構定義該第二內部流徑之一或更多第二部分，該第二內部流徑之該等第二部分的每一者沿著繞著該桿體之該縱向軸線的一第二螺旋路徑；以及 該第一及第二螺旋路徑相互呈不同相位，使得該第二內部流徑之每一第二部分與該第一內部流徑之一對應第二部分交繞。
- 如請求項3所述之設備，其中： 該一或更多結構進一步定義該第一內部流徑之一或更多第三部分，該第一內部流徑之該等第三部分的每一者沿著該桿體之該縱向軸線線性延伸；以及 該一或更多結構進一步定義該第二內部流徑之一或更多第三部分，該第二內部流徑之該等第三部分的每一者沿著該桿體之該縱向軸線線性延伸。
- 如請求項4所述之設備，其中： 該第一內部流徑之該等第三部分的每一者在該第二方向上與該桿體之該縱向軸線間隔開；以及 該第二內部流徑之該等第三部分的每一者在該第一方向上與該桿體之該縱向軸線間隔開。
- 如請求項5所述之設備，其中： 該第一內部流徑之該等第三部分的每一者定義一第一腔室，其包括縮窄該第一內部流徑之一通道的至少一第一衝擊凸部；以及 該第二內部流徑之該等第三部分的每一者定義一第二腔室，其包括縮窄該第二內部流徑之一通道的至少一第二衝擊凸部。
- 如請求項6所述之設備，其中： 該至少一第一衝擊凸部沿著該第一腔室之一內壁的一第一周圍部分延伸； 該至少一第二衝擊凸部沿著該第二腔室之一內壁的一第二周圍部分延伸； 一中間參考平面將該第一及第二腔室分成對應分區，該中間參考平面平行於該桿體之該縱向軸線延伸並與其相交；以及 該第一腔室之該第一周圍部分設於該中間參考平面之與該第二腔室之該第二周圍部分相反的一側上。
- 如請求項4所述之設備，其中： 該第一內部流徑之該一或更多第二部分與該第一內部流徑之該一或更多第三部分沿著該桿體之該縱向軸線交替佈設；以及 該第二內部流徑之該一或更多第二部分與該第二內部流徑之該一或更多第三部分沿著該桿體之該縱向軸線交替佈設。
- 如請求項4所述之設備，其中： 該第一內部流徑包括四個第二部分及三個第三部分；以及 該第二內部流徑包括四個第二部分及三個第三部分。
- 如請求項9所述之設備，其中： 該第一內部流徑之該四個第二部分中的三個包括繞著該桿體之該縱向軸線的至少三個旋繞； 該第一內部流徑之該四個第二部分中的一個包括繞著該桿體之該縱向軸線的至少一個旋繞，該第一內部流徑之該四個第二部分中的該一個比該第一內部流徑之該四個第二部分中的該三個更靠近該桿體之該遠端； 該第二內部流徑之該四個第二部分中的三個包括繞著該桿體之該縱向軸線的至少三個旋繞；以及 該第二內部流徑之該四個第二部分中的一個包括繞著該桿體之該縱向軸線的至少一個旋繞，該第二內部流徑之該四個第二部分的該一個比該第二內部流徑之該四個第二部分的該三個更靠近該桿體之該遠端。
- 如請求項4所述之設備，其中： 該等出口之該至少一者定義該第一內部流徑之一出口；以及 該第一內部流徑之一第四部分沿著該等出口之該至少一者的一軸線縱向延伸，該等出口之該至少一者的該軸線沿著該桿體之該縱向軸線延伸。
- 如請求項11所述之設備，其中： 該一或更多結構進一步定義該第二內部流徑之一或更多第四部分，該第二內部流徑之該等第四部分的每一者環繞該第一內部流徑之該第四部分； 該第二內部流徑之該等第四部分的每一者包括沿著該桿體之該縱向軸線延伸的一環形通道，每一環形通道包括較靠近該桿體之該近端的一第一端以及較靠近該桿體之該遠端的一第二端；以及 每一第二端終止於一對應衝擊表面處，該衝擊表面包括沿著該桿體之該縱向軸線延伸的複數貫通通道孔口，該對應複數貫通通道孔口繞著該桿體之該縱向軸線相互周向隔開。
- 如請求項12所述之設備，其中： 該第二內部流徑包括沿著該桿體之該縱向軸線而軸向佈設的複數第四部分； 該複數第四部分中一第四部分之該等貫通通道孔口的第一中心軸線周向偏離該複數第四部分中另一第四部分之該等貫通通道孔口的第二中心軸線；以及 該等第一中心軸線與該等第二中心軸線不重合。
- 如請求項13所述之設備，其中該第二內部流徑之該一第四部分的該等貫通通道孔口定義該桿體之該遠端之該等出口中的多個出口，該等出口中的該多個出口與該第一內部流徑之該出口不同。
- 如請求項12所述之設備，其中該第二內部流徑包括五個該第四部分。
- 如請求項12所述之設備，其中該第一內部流徑之該第四部分延伸得比該第二內部流徑之該等第四部分的每一者離該桿體之該近端更遠。
- 如請求項1所述之設備，其中： 該桿體為一增材製成組成件；以及 該等內部流徑在該桿體中定義連續空隙。
- 一種用於基板處理的設備，包括： 一噴淋頭，包括： 一第一表面，包括複數第一入口； 一第二表面，相對於該第一表面，該第二表面包括複數氣體分配埠；以及 一桿體，包括： 一近端，包括複數第二入口，該等第二入口之每一者相互不同並配置成接收一或更多氣體； 一遠端，沿著該桿體之一縱向軸線設置成相對於該近端，該遠端耦接至該噴淋頭之該第一表面，該遠端包括與該複數第一入口接合之複數出口，該等出口之至少一者與該等出口之至少另一者不同；以及 複數內部流徑，該等內部流徑之每一者延伸於該等第二入口中之一對應第二入口與該等出口中之至少一對應出口之間，使得該等內部流徑在該桿體內相互流體隔離，該等內部流徑之每一者包括一或更多結構，其配置成沿著該桿體之該縱向軸線引發紊流以響應於一或更多氣體之流動， 其中： 該等內部流徑中之一第一內部流徑流體連接至第一組之該等氣體分配埠；以及 該等內部流徑中之一第二內部流徑流體連接至第二組之該等氣體分配埠，該第二組不同於該第一組。
- 如請求項18所述之設備，其中該噴淋頭為一噴淋頭基座，其配置成在其外圍處或附近支撐一基板，使得該基板之一背側實質上暴露於該複數氣體分配埠。
- 如請求項18或19所述之設備，進一步包括： 一製程腔室，配置成將該桿體之一第一部分及該噴淋頭支撐於其內，該製程腔室包括一開口，該桿體之一第二部分延伸穿過該開口以暴露該近端。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US63/364,706 | 2022-05-13 | ||
| US63/364,705 | 2022-05-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202411458A true TW202411458A (zh) | 2024-03-16 |
Family
ID=
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