JPH0794570A - 半導体製造装置および基板の搬送方法ならびに半導体装置 - Google Patents

半導体製造装置および基板の搬送方法ならびに半導体装置

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JPH0794570A
JPH0794570A JP5233065A JP23306593A JPH0794570A JP H0794570 A JPH0794570 A JP H0794570A JP 5233065 A JP5233065 A JP 5233065A JP 23306593 A JP23306593 A JP 23306593A JP H0794570 A JPH0794570 A JP H0794570A
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Yoshifumi Kawamoto
佳史 川本
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史彦 内田
Kenichi Mizuishi
賢一 水石
Natsuki Yokoyama
夏樹 横山
Hidekazu Murakami
英一 村上
Yoshinori Nakayama
義則 中山
Hidekazu Seya
英一 瀬谷
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Abstract

(57)【要約】 【目的】互いに異なる雰囲気条件の隔室の、それぞれの
雰囲気条件を維持したまま、基板に汚染を生じることな
く、高スループットで基板を搬送し、高性能半導体装置
を製造する半導体製造装置および基板の搬送方法ならび
に半導体装置を提供する。 【構成】搬送室１と処理室２とこれらをつなぐインター
フェース部３とよりなり、給気手段１１、１２と排気手
段１３を備えた連通路８に基板４を載せた移動授受手段
５を挿入して、形成されるコンダクタンス部の位置に応
じて、給気遮断手段１４、１６、排気遮断手段１５、連
通路出口遮断手段１７とを順次制御し、給排気しなが
ら、基板４を搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】半導体は半導体装置の製造装置に
係り、特に、異種類の処理室を複数連結した半導体製造
装置およびその中での基板の搬送方法ならびに半導体装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造のため、特開平４−６
３４１４号公報に記載されているように、搬送室を中心
に、洗浄、成膜、エッチング、潜像露光等の複数の処理
室を配置し、ウエハ表面の汚染を防ぎ、半導体装置の性
能向上を図ることを目的とした一貫製造装置がある。ま
た、互いに異なる雰囲気間に基板を搬送する手段とし
て、特開昭６２−１４７７２６号公報に記載のように、
基板を保持するホルダを連通路、予備排気室、連通路と
経て基板を搬送する手段がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち一
貫製造装置では、各処理室間と搬送室との間をゲート弁
を介して仕切り、ウエハ搬送の度ごとに処理室内の雰囲
気圧力を調整し、搬送室につながるゲート弁を開閉する
操作を必要としているため、スループットの低下を招く
という問題を有していた。また、雰囲気の異なる処理室
の条件を保ったまま、基板を搬送する従来技術では、連
通路と基板ホルダとで形成される隙間を通って処理室や
搬送室からの雰囲気ガスが予備排気室に流入して、ホル
ダに載った基板を汚染するという問題があった。
【０００４】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、互いに異なる雰囲気条件の搬送室と処理室
との間を、両室のそれぞれ異なる雰囲気条件を保持した
ままで、基板に汚染を与えずに、両室間に相互に基板を
搬送可能にする高スループットの半導体製造装置、それ
を実現する基板の搬送方法、そして、基板汚染の無い高
性能な半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明においては、互いに隣接し、互いに異なる雰
囲気条件の処理室や搬送室を有する半導体製造装置にお
いて、該処理室と該搬送室とを結ぶ連通路と、該連通路
の入口側および出口側に位置する互いに独立する少なく
とも２個所の給気手段と、上記の少なくとも２個所の給
気手段の間に位置する少なくとも１つ以上の排気手段
と、該給気手段から該連通路へつながる給気空間を開閉
する給気遮断手段と、該排気手段から該連通路へつなが
る排気空間を開閉する排気遮断手段と、該連通路内で該
連通路内壁面に対向して微小な間隙のコンダクタンス部
を形成可能な外壁面構造であり、かつ、基板を載せて搬
送する移動授受手段と、該搬送室内の該移動授受手段の
駆動手段と、該処理室内で該基板を設置する試料台手段
と、該連通路の出口を遮断する連通路出口遮断手段と、
該移動授受手段の該連通路内での位置を検出して、それ
ぞれの遮断手段の開閉や、該排気手段につながる排気系
および該給気手段につながる給気系を制御する制御手段
を有する。
【０００６】また、互いに隣接し、互いに異なる条件の
雰囲気の搬送室から処理室に連通路を通って基板を搬送
する方法において、該連通路に通じる全ての開口を遮断
する工程の後、該連通路の入口に該基板を搭載する移動
授受手段を挿入し、該移動授受手段の該連通路内での挿
入移動にともなって、連通路内壁と移動授受手段の外壁
とで挾まれた隙間で形成されるコンダクタンス部が該給
気手段の給気開口の手前に位置する時に、該給気手段の
給気遮断手段を開ける工程と、該給気手段の給気空間を
該コンダクタンス部が通過後、次に続く排気手段の排気
遮断手段を開ける工程と、該排気手段の排気空間を該コ
ンダクタンス部が通過後、次に続く給気手段の給気遮断
手段を開ける工程と、該給気手段の給気空間を該コンダ
クタンス部が通過後、該連通路の出口の連通路出口遮断
手段を開ける工程と、該処理室内の試料台手段に基板を
授受する工程とからなる方法で、基板を処理室に挿入す
る。
【０００７】また、互いに隣接し、互いに異なる条件の
雰囲気の処理室から搬送室に連通路を通って基板を搬送
する方法において、該処理室内の試料台手段から移動授
受手段に基板を授受する工程と、該移動授受手段の連通
路内への引込み移動にともなって、連通路内壁と移動授
受手段外壁とで挾まれた隙間で形成されるコンダクタン
ス部が該連通路の出口を通過後に、該連通路の連通路出
口遮断手段を閉じる工程と、該連通路の出口側の給気手
段の給気空間を該コンダクタンス部が通過後、該給気手
段の給気遮断手段を閉じる工程と、次に続く排気手段の
排気空間を該コンダクタンス部が通過後、該排気手段の
排気遮断手段を閉じる工程と、次に続く給気手段の給気
空間を該コンダクタンス部が通過後、該給気手段の給気
遮断手段を閉じる工程とを経て、該搬送室内に該移動授
受手段を引き戻す。
【０００８】さらに、互いに隣接し、互いに異なる条件
の雰囲気の搬送室と種々の処理室を経て製造される半導
体装置において、該搬送室と該処理室とをつなぐ連通路
内にある少なくとも２つ以上の給気空間および少なくと
も１つ以上の排気空間を経た後に、上記処理室において
半導体装置の機能が処理付加され、再度、該連通路内の
少なくとも２つ以上の給気空間および少なくとも１つ以
上の排気空間を経た後に、別の処理室において別の機能
が処理付加され、その工程を反復して半導体装置が製造
される。
【０００９】
【作用】互いに異なる雰囲気条件の搬送室と処理室とを
結ぶ連通路の中に、入口側と出口側にそれぞれ独立に設
けた給気手段のうち、入口側の給気手段からは、搬送室
内へ給気するものと同種の第１のガスを所定のフィルタ
手段を経て搬送室内の圧力より僅かに高い圧力で供給
し、出口側の給気手段からは、処理室内へ給気するもの
と同種の第２のガスを所定のフィルタ手段を経て処理室
内の圧力より僅かに高い圧力で供給することにより、連
通路内に基板の移動授受手段を挿入して、連通路内壁と
移動授受手段外壁とにより形成される間隙によるコンダ
クタンス部を介して、第１のガスを搬送室側に、第２の
ガスを処理室側に流出することができるので、搬送室内
や処理室内の汚染物質を含んだガスを、連通路内壁と移
動授受手段外壁とにより形成される間隙に巻き込むこと
が無く、その結果、移動授受手段に載った基板の汚染を
防止することができる。
【００１０】さらに、連通路内に移動授受手段が挿入さ
れず、連通路内壁と移動授受手段外壁とによるコンダク
タンス部が形成されていない時には、全ての遮断手段を
閉止し、移動授受手段の連通路への挿入移動にともな
い、給気手段の給気空間や排気手段の排気空間の直前に
該コンダクタンス部が位置する時に、その直近の給気手
段の給気遮断手段ないしは排気手段の排気遮断手段を開
け、また、連通路から移動授受手段を抜き去る場合に
は、上述の挿入時の場合の逆の手順で給気手段や排気手
段の遮断手段を閉じながら、該搬送室内に該移動授受手
段を引き戻す。
【００１１】このように、連通路内壁と移動授受手段外
壁との間隙で形成されるコンダクタンス部を連通路内に
順次移動させ、その移動に応じて、給気空間や排気空間
を遮断したり開放したりする制御を行うため、互いに隣
接し、互いに異なる雰囲気条件の搬送室と処理室内との
ガスの混入を生じること無く、スムーズに基板を搬送す
ることができる。また、基板を汚染することが無いた
め、高性能な半導体装置を製造することが可能となる。
その結果、高スループットで高性能な半導体装置を製造
可能な半導体製造装置が実現できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１、図２により
説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例の装置の断面概略
図で、図２は本発明の一実施例の手順を示す装置の断面
概略図であり、それぞれの図において、同一の部分は同
じ番号が付けられている。
【００１４】本発明の半導体製造装置は、主に、搬送室
１、処理室２、インターフェース部３とから構成されて
いる。
【００１５】搬送室１には、基板４を載せて移動搬送す
る移動授受手段５と、移動授受手段５を駆動する駆動手
段６と搬送室１内の雰囲気条件を維持する図示していな
い雰囲気制御手段とを備えている。処理室２には、基板
４を設置する試料台手段７と基板４に所望の処理を行う
ための図示していない処理手段と処理室２内の雰囲気条
件を維持する図示していない雰囲気制御手段とを備えて
いる。インターフェース部３には、搬送室１と処理室２
とを結ぶ連通路８があり、その連通路入口９、連通路出
口１０の近傍に給気手段１１、１２を備え、これらの間
に挾まれる位置に排気手段１３がある。
【００１６】連通路８の内壁で囲まれた通路の断面形状
は、移動授受手段５の最外壁面で形成される断面形状よ
り僅かに大きい相似な形状をなし、移動授受手段５の連
通路８に挿入した時に、両者の相対向する壁面で挾まれ
て形成される間隙の間隔が１００μｍ以下となり、コン
ダクタンス部を形成する構造である。連通路８の内壁に
は給気手段からの給気空間２１、２２が、また、これら
の給気空間に挾まれる位置にある一つ以上の排気手段の
排気空間２３が、移動授受手段５を取り巻くような構造
で設けてある。給気空間２１、２２と排気空間２３と
は、それぞれ連通路８に向かった内容積を構造上最小に
する位置に給気遮断手段１４、１６、排気遮断手段１５
を設けることにより形成される。また、連通路出口１０
には、連通路出口の遮断手段１７を設けてある。
【００１７】給気手段１１の他端は、図示していない流
量制御手段とフィルタ手段を経て、搬送室１へ送気する
ガスと同種の第１のガスを供給する供給系１８が設けら
れ、また、給気手段１２の他端は流量制御手段とフィル
タ手段を経て、処理室２へ送気するガスと同種の第２の
ガスを供給する供給系１９が設けられている。なお、こ
れらのガスは目的に応じて、種々の所望のガスを用いる
ことも容易に可能である。また、排気手段１３の他端は
排気系２０に接続してある。
【００１８】基板４は、移動授受手段５へ図示していな
いロードロック室から授受される。なお、移動授受手段
５上の基板４は搬送室１内経由で、図示していない別の
処理室へ搬送授受を行うことも可能である。そして、搬
送室１の周辺にそれぞれ配置された図示していないロー
ドロック室や別の処理室への接続は、上述したインター
フェース部３と同じ機構を用いることができる。
【００１９】次に図２を用いて、基板を搬送する手順に
ついて述べる。
【００２０】先ず、搬送室１内に移動授受手段５の全て
が引き込まれた状態であるときには、給気遮断手段１
４、１６、排気遮断手段１５、連通路出口遮断手段１７
の全てを閉じておく。次に、移動授受手段５が搬送室１
から連通路入口９に挿入されると、連通路８の内壁面と
移動授受手段５の外壁とで形成される間隔１００μｍ以
下の隙間によるコンダクタンス部３０が連通路８内に形
成される。このコンダクタンス部３０が連通路入口９に
位置する時に給気遮断手段１４を開けて、給気手段１１
より第１のガスを供給空間２１に供給する（図２ａ）。
移動授受手段５が漸次移動して、給気空間２１を通過し
た後に、すなわち排気手段の入口側に上述のコンダクタ
ンス部３１が位置する時に、排気遮断手段１５を開け、
排気空間２３と連通路８内の気体を排気する。なお、排
気空間２３と連通路８内の容積は小さいため、移動授受
手段５が等速で移動している間に排気することが十分可
能である（図２ｂ）。移動授受手段５がさらに移動し排
気空間２３を通過して、コンダクタンス部３２が連通路
８の出口側の給気手段の直前に位置する時、給気遮断手
段１６を開けて第２のガスを給気空間２２と連通路８内
に供給する（図２ｃ）。移動授受手段がさらに移動し、
コンダクタンス部３３が給気空間２２を通過後、連通路
出口遮断手段１７を開ける（図２ｄ）。その後、移動授
受手段５を処理室２に挿入し、試料台手段７の直上で、
図示していない基板取り出し手段を用いて、図示してい
ない処理済基板と基板４との載せ替えの授受操作を行う
（図２ｅ）。
【００２１】処理室２内で載せ替えられた処理済み基板
４を、処理室２から搬送室１へ取り出し搬送する方法
は、図２ｅの基板４を処理済み基板として、上述の挿入
搬送の手順を逆に行うことにより搬送室１内に取り出す
ことができる。処理済み基板４は、搬送室１に取り出さ
れた後、必要に応じて別の処理室に挿入搬送されたり、
ロードロック室に搬送されたりする。
【００２２】搬送室内の第１のガスとしては、純度９
９．９９％以上の高純度な窒素を用いた。また、処理室
２内の第２のガスとしては、基板４のエッチング処理を
行う場合には、ＣＦ4やＣＨＦ3、ＳＦ6等のフッ素系ガ
スを用いたり、ＣＣＬ4等の塩素系のガス、さらには、
酸素等を混合させた所定の成分比率の混合ガスを用い
た。
【００２３】図示していない別の処理室では、プラズマ
化したガスを用いてのドライ洗浄処理や、短波長光の照
射によるアッシング洗浄処理、塩素ガスの供給と短波長
光の照射による洗浄処理、また、化学的に気化したガス
を用いて薄膜を堆積する薄膜形成処理、さらには、紫外
光を用いてマスクパターンを縮小投影転写するリソグラ
フィー処理や荷電粒子線により所定の雰囲気中で直接パ
ターンを描画するパターン形成処理、所定の反応性ガス
を供給しながら紫外光や電子線等のエネルギビームをパ
ターン状に照射して、薄膜をパターン状に堆積する処理
や原子等をパターン状に拡散する処理などを行うことが
可能である。なお、ガスを切り替えたり組み合わせるこ
とや、基板表面の処理状態を計測しながら処理を行うこ
とも可能である。また、別の処理室を基板表面の計測分
析を行う処理室とすることも可能である。
【００２４】搬送室１を中心に種々の処理が行える処理
室２を本発明のインターフェース部３を介して配置する
ことにより、それぞれの処理室や搬送室の雰囲気条件を
異なった状態に保持したままで、互いに雰囲気を汚染し
たり、基板を汚染することなく、各処理室間をスムーズ
に基板を搬送させ処理を施すことが可能となった。特に
各処理室や搬送室の雰囲気条件を変化させずに基板を搬
送できるので、従来行われていたような、搬送先と搬送
元の雰囲気条件を一致させるための排気や圧力設定に時
間を費やすことが不要となる。その結果、スループット
が向上し、基板の不要な汚染が低減されるため、性能の
高い半導体装置が高い歩留まりで製造可能となった。ま
た、基板の汚染が減るため洗浄処理工程が減らせ、半導
体装置のプロセス工程数を低減できるので、さらにスル
ープットの向上を図ることができた。
【００２５】なお、移動授受手段５上への基板４の固定
には、移動授受手段５の凹部形状の底に設けた静電チャ
ックが用いられた。また、連通路８内で微小な間隙を保
持して移動授受手段５を移動させるためには、図示して
いないガイド手段を用いた。このガイド手段としては、
公知の転がり案内機構や磁気の反発力で距離を保つ磁気
浮上案内機構、さらには搬送アームの姿勢を駆動手段で
位置制御する支持機構や、リンク機構等を組み合わせた
ものが適用できる。
【００２６】少なくとも一つ以上設けられた排気手段に
は、それぞれ独立に排気ポンプにつながる排気孔を備え
ている。なお、排気手段の構造や数は本発明の実施例に
限定されるものではなく、隣接室間の圧力差や間隙で形
成されるコンダクタンスの大きさ、さらには排気ポンプ
の排気能力等によって適宜設計すべきことは容易に考え
られる。また、連通路８の遮断手段としては連通路出口
遮断手段１７のみならず、連通路入口にも設けることも
可能である。
【００２７】連通路８内の移動授受手段５の位置は、連
通路８内に適当な非接触距離センサを配置したり、駆動
手段６に設けた割り出しスケール等で求めることが可能
である。そして、種々の遮断手段の開閉制御のタイミン
グは、連通路８内の移動授受手段５の位置の情報により
行うことが容易であるが、連通路８内に適宜設けた圧力
ゲージの出力に応じて制御することも可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造装置および基板の搬送方法ならびに半導体装置に
おいては、相互の隔室間の雰囲気ガスの混入や基板の汚
染を生じること無く、互いに異なる雰囲気条件を維持し
たまま、それぞれの処理室間に基板を高スループットで
搬送でき、また、基板を挿入後、高性能な機能を有する
半導体装置を本製造装置のみで製造し完成させ送出する
ことが可能になったので、高度なクリーンルーム等の付
帯環境設備を特別に必要とせず、また、インターフェー
ス部の標準化や共用化を図ることができるため、その結
果、高性能な半導体装置を容易に低コストで提供できる
ようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の装置の断面概略図である。
【図２】本発明の一実施例の手順を示す装置の断面概略
図である。
【符号の説明】
１ 搬送室 ２ 処理室 ３ インターフェース部 ４ 基板 ５ 移動授受手段 ６ 駆動手段 ７ 試料台手段 ８ 連通路 ９ 連通路入口 １０ 連通路出口 １１、１２ 給気手段 １３ 排気手段 １４、１５、１６、１７ 遮断手段 １８、１９ 給気系 ２０ 排気系 ２１、２２ 給気空間 ２３ 排気空間 ３０、３１、３２、３３ コンダクタンス部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水石 賢一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 横山 夏樹 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 村上 英一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 中山 義則 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 瀬谷 英一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】互いに隣接し、互いに異なる雰囲気条件の
    処理室や搬送室を有する半導体製造装置において、該処
    理室と該搬送室とを結ぶ連通路と、該連通路の入口側お
    よび出口側に位置する互いに独立した少なくとも２個所
    の給気手段と、上記の少なくとも２個所の給気手段の間
    に位置する少なくとも１つ以上の排気手段と、該給気手
    段から該連通路へつながる給気空間を開閉する給気遮断
    手段と、該排気手段から該連通路へつながる排気空間を
    開閉する排気遮断手段と、該連通路内で該連通路内壁面
    に対向して微小な間隙のコンダクタンス部を形成可能な
    外壁面構造であり、かつ、基板を載せて搬送する移動授
    受手段と、該搬送室内の該移動授受手段の駆動手段と、
    該処理室内で該基板を設置する試料台手段と、該連通路
    の出口を遮断する連通路出口遮断手段と、該移動授受手
    段の該連通路内での位置を検出して、それぞれの遮断手
    段の開閉や該排気手段につながる排気系および該給気手
    段につながる給気系を制御する制御手段とを有すること
    を特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、上記連通路内で該連通路の内壁面に対向して１００
    μｍ以下の間隙でコンダクタンス部を形成可能な外壁面
    構造の移動授受手段を有することを特徴とする半導体製
    造装置。
  3. 【請求項３】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、荷電粒子線によるパターン描画処理
    を行うパターン形成手段を有することを特徴とする半導
    体製造装置。
  4. 【請求項４】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望のガスの供給排気制御を行うガ
    ス供給排気手段を有することを特徴とする半導体製造装
    置。
  5. 【請求項５】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望のガスを励起し試料面にパター
    ンを形成する励起手段を有することを特徴とする半導体
    製造装置。
  6. 【請求項６】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望のパターンの自己成長処理を行
    う育成手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
  7. 【請求項７】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望パターンの除去加工処理を行う
    除去加工手段を有することを特徴とする半導体製造装
    置。
  8. 【請求項８】請求項１に記載の半導体製造装置におい
    て、処理室として、所望パターンの堆積加工処理を行う
    堆積加工手段を有することを特徴とする半導体製造装
    置。
  9. 【請求項９】互いに隣接し、互いに異なる条件の雰囲気
    の搬送室から処理室に連通路を通って基板を搬送する方
    法において、該連通路に通じる全ての開口を遮断する工
    程の後、該連通路の入口に該基板を搭載する移動授受手
    段を挿入し、該移動授受手段の該連通路内での挿入移動
    にともなって、連通路内壁と移動授受手段外壁とで挾ま
    れた隙間で形成されるコンダクタンス部が該給気手段の
    給気開口の手前に位置する時に該給気手段の給気遮断手
    段を開ける工程と、該給気手段の給気空間を該コンダク
    タンス部が通過後、次に続く排気手段の排気遮断手段を
    開ける工程と、該排気手段の排気空間を該コンダクタン
    ス部が通過後、次に続く給気手段の給気遮断手段を開け
    る工程と、該給気手段の給気空間を該コンダクタンス部
    が通過後、該連通路の出口の連通路出口遮断手段を開け
    る工程と、該処理室内の試料台手段に基板を授受する工
    程とからなる方法で基板を処理室に挿入することを特徴
    とする基板の搬送方法。
  10. 【請求項１０】互いに隣接し、互いに異なる条件の雰囲
    気の処理室から搬送室に連通路を通って基板を搬送する
    方法において、該処理室内の試料台手段から移動授受手
    段に基板を授受する工程と、該移動授受手段の連通路内
    への引込み移動にともなって、連通路内壁と移動授受手
    段外壁とで挾まれた隙間で形成されるコンダクタンス部
    が該連通路の出口を通過後に、該連通路の連通路出口遮
    断手段を閉じる工程と、該連通路の出口側の給気手段の
    給気空間を該コンダクタンス部が通過後、該給気手段の
    給気遮断手段を閉じる工程と、次に続く排気手段の排気
    空間を該コンダクタンス部が通過後、該排気手段の排気
    遮断手段を閉じる工程と、次に続く給気手段の給気空間
    を該コンダクタンス部が通過後、該給気手段の給気遮断
    手段を閉じる工程とを経て、該搬送室内に該移動授受手
    段を引き戻すことを特徴とする基板の搬送方法。
  11. 【請求項１１】互いに隣接し、互いに異なる条件の雰囲
    気の搬送室と種々の処理室を経て製造される半導体装置
    において、該搬送室と該処理室とをつなぐ連通路内で少
    なくとも２つ以上の給気空間および少なくとも１つ以上
    の排気空間を経た後に、半導体装置の機能が処理付加さ
    れ、再度、該連通路内で少なくとも２つ以上の給気空間
    および少なくとも１つ以上の排気空間を経た後に、別の
    処理室において別の機能を処理付加される工程を反復し
    て、製造されることを特徴とする半導体装置。
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