JPS5927529A - 半導体装置用ウエフアの製造方法 - Google Patents
半導体装置用ウエフアの製造方法Info
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- JPS5927529A JPS5927529A JP13611382A JP13611382A JPS5927529A JP S5927529 A JPS5927529 A JP S5927529A JP 13611382 A JP13611382 A JP 13611382A JP 13611382 A JP13611382 A JP 13611382A JP S5927529 A JPS5927529 A JP S5927529A
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置を製造するのに用いられる半導体ウ
ェア、アの製造法に関し、詳しくは半導体ウェファの表
面を鏡面仕上げする前に、裏面に窒化膜を設ける半導体
装置用ウェファの製造方法である。
ェア、アの製造法に関し、詳しくは半導体ウェファの表
面を鏡面仕上げする前に、裏面に窒化膜を設ける半導体
装置用ウェファの製造方法である。
半導体装置はウェファプロセスと呼ばれる各種の熱処理
とフォトリソグラフィープロセスとによって製作される
。従来、シリコンウェファを原材料としたバイポーラI
C製造プロセスのウェファプロセスにおいては次に述べ
るような欠点があった。
とフォトリソグラフィープロセスとによって製作される
。従来、シリコンウェファを原材料としたバイポーラI
C製造プロセスのウェファプロセスにおいては次に述べ
るような欠点があった。
通常のバイポーラIC製造プロセスではシリコンウェフ
ァを熱酸化し、゛Cウェファの両面に熱酸化膜(Si0
2)’&層形成、更にフメトリソグラフィーによって表
面5in2膜のjす「定の個所に窓を開けた後、As
203や5b2U3乞拡散源として埋込層拡散が行なわ
れる。このとさuh面の酸化膜もフメトリソグラフィー
におけるエンチングの二にMfで除去さり。
ァを熱酸化し、゛Cウェファの両面に熱酸化膜(Si0
2)’&層形成、更にフメトリソグラフィーによって表
面5in2膜のjす「定の個所に窓を開けた後、As
203や5b2U3乞拡散源として埋込層拡散が行なわ
れる。このとさuh面の酸化膜もフメトリソグラフィー
におけるエンチングの二にMfで除去さり。
ているためA5やSbがウェファ裏面にも」広敗される
。埋込層形成段はウエフl全面の酸化膜を除去した後エ
ピタキシャル成長が行1.仁われるが、この時裏面に高
α4度に拡散された不純物は外方拡散(通常オートドー
ピングと吋−ばAしる)され、同じバッチで処1里さ」
するウェファのエピタキシャルM中にとり込まれ、エピ
タキシャル層の比抵抗のバラy キ5もたらす原因とな
っている。更に、ウェファプロセスではP型あるいはN
型の不純物を次々と半導体ウェファ表面の7J?定個所
に尋人し熱処理することから裏面にも順次不純物が拡散
さJし、次の熱処理工程ではその不純物が外方拡散する
ことにより、目的の不純物だけを所定領域にだけ正確圧
導入することが困難であつfこ。この現象はウェフ7か
らウェファへと直接バッチ内において起るときもあり、
あるいはいったんウェファを処理するためのキャリアボ
ートやプロセスチューブを介して起ることもあった。
。埋込層形成段はウエフl全面の酸化膜を除去した後エ
ピタキシャル成長が行1.仁われるが、この時裏面に高
α4度に拡散された不純物は外方拡散(通常オートドー
ピングと吋−ばAしる)され、同じバッチで処1里さ」
するウェファのエピタキシャルM中にとり込まれ、エピ
タキシャル層の比抵抗のバラy キ5もたらす原因とな
っている。更に、ウェファプロセスではP型あるいはN
型の不純物を次々と半導体ウェファ表面の7J?定個所
に尋人し熱処理することから裏面にも順次不純物が拡散
さJし、次の熱処理工程ではその不純物が外方拡散する
ことにより、目的の不純物だけを所定領域にだけ正確圧
導入することが困難であつfこ。この現象はウェフ7か
らウェファへと直接バッチ内において起るときもあり、
あるいはいったんウェファを処理するためのキャリアボ
ートやプロセスチューブを介して起ることもあった。
これ等のオートドーピング覗、象をふせぐには不純物が
拡散されたウェファの裏面tシールすることが有効であ
る。このシール材としては酸化膜や窒化膜、酸化アルミ
ニウム膜等の薄膜が用いられている。しかし、酸化膜で
はフォトリングラフィ・−の弗酸系−のエツチング液に
よって除去されるた°め、フォトリソグラフィーごとに
エツチングされないような手段を施こさプfげhば1.
Cらない。そめ点、弗酸系のエツチングにおいて酸化膜
とエツチング速度が天きく差がある窒化膜や酸化アルミ
ニウム膜は一度形成するとプロセス終了まで残り、オー
トドーピング阻止効果乞発揮する。特に窒化膜は形成法
が確立され、不純物の拡散マスク効果が大であり、除去
法も6易であることから現在のところ広く利用され°C
いる材料である。
拡散されたウェファの裏面tシールすることが有効であ
る。このシール材としては酸化膜や窒化膜、酸化アルミ
ニウム膜等の薄膜が用いられている。しかし、酸化膜で
はフォトリングラフィ・−の弗酸系−のエツチング液に
よって除去されるた°め、フォトリソグラフィーごとに
エツチングされないような手段を施こさプfげhば1.
Cらない。そめ点、弗酸系のエツチングにおいて酸化膜
とエツチング速度が天きく差がある窒化膜や酸化アルミ
ニウム膜は一度形成するとプロセス終了まで残り、オー
トドーピング阻止効果乞発揮する。特に窒化膜は形成法
が確立され、不純物の拡散マスク効果が大であり、除去
法も6易であることから現在のところ広く利用され°C
いる材料である。
しかしながら、窒化膜をウェファ裏面だけに、表面に何
等損傷ン与えること1ヨク形成することは容易でない。
等損傷ン与えること1ヨク形成することは容易でない。
例えば、通常の減圧CVD法を用〜・るならば2枚のウ
ェファの表面な密着させて裏面のみに窒化膜ン形成する
法や、プラズマCVD法ケ用い表面を1電極11111
に密着さ一′V:裏面のみをプラズマ雰囲気に露呈させ
ることにより形成する方法などがあるが、鏡面仕上げさ
れたウェファ表面は損傷を受けやすく、表面に酸化膜ン
形成するなどして新たに保護膜を形成し、裏面の素膜形
成後上記保護用酸化膜ン除去するといった手段を用いな
げればならず容易でなかった。
ェファの表面な密着させて裏面のみに窒化膜ン形成する
法や、プラズマCVD法ケ用い表面を1電極11111
に密着さ一′V:裏面のみをプラズマ雰囲気に露呈させ
ることにより形成する方法などがあるが、鏡面仕上げさ
れたウェファ表面は損傷を受けやすく、表面に酸化膜ン
形成するなどして新たに保護膜を形成し、裏面の素膜形
成後上記保護用酸化膜ン除去するといった手段を用いな
げればならず容易でなかった。
本発明の目的は、半導体装置プロセス中オートドーピン
グの起らない半導体ウェファの製造方法を提供するにあ
る。
グの起らない半導体ウェファの製造方法を提供するにあ
る。
本発明は拡散用不純物がウエソ7裏面にドープするのを
防止するためにウェファの鏡面仕上げの工程前にあらか
じめウェファの裏面に窒化膜暑設けておくことをIrq
徴とする半導体装置用ウェファの製造方法である。
防止するためにウェファの鏡面仕上げの工程前にあらか
じめウェファの裏面に窒化膜暑設けておくことをIrq
徴とする半導体装置用ウェファの製造方法である。
本発明では、ウェファの製造に際し、それも表面の鏡面
仕上げを行なう前に、裏面となる側に窒化膜を形成して
おくことから、半導体装置製造のウェファプロセスにお
けるある拡散工程でのウェファ裏面への不純物拡散は上
記窒化膜表面のみにおこり、通常同じ程度の厚さで窒化
膜の酸化も行なわれることから、次の熱処理工程に移る
までの弗酸系の処理により、この高濃度不純物拡散層は
除去され、従来、熱処理中に起きていた裏面からの不純
物の拡散の影響をほぼ完全におさえることができる。
仕上げを行なう前に、裏面となる側に窒化膜を形成して
おくことから、半導体装置製造のウェファプロセスにお
けるある拡散工程でのウェファ裏面への不純物拡散は上
記窒化膜表面のみにおこり、通常同じ程度の厚さで窒化
膜の酸化も行なわれることから、次の熱処理工程に移る
までの弗酸系の処理により、この高濃度不純物拡散層は
除去され、従来、熱処理中に起きていた裏面からの不純
物の拡散の影響をほぼ完全におさえることができる。
更に、本発明では窒化膜を形成したのちにウェファ表面
の鏡面仕上げを行なうことから、ウェファ表面の酸化膜
等の損傷を考えずに窒化膜の形成ができるので、窒化膜
の形成方法の範囲が広がるとともに工数を下げることが
できる。
の鏡面仕上げを行なうことから、ウェファ表面の酸化膜
等の損傷を考えずに窒化膜の形成ができるので、窒化膜
の形成方法の範囲が広がるとともに工数を下げることが
できる。
また、−穀圧ウエファ製造部署乃至工場と半導体装置製
造部署乃至工場とは異なることから、裏面に窒化膜が形
成されたウェファZウェファプロセスの出発材料として
用いられることは半導体装置製造者にとってプロセス設
計な容易にするというメリットがある。
造部署乃至工場とは異なることから、裏面に窒化膜が形
成されたウェファZウェファプロセスの出発材料として
用いられることは半導体装置製造者にとってプロセス設
計な容易にするというメリットがある。
以下に、本発明の一実施例%’ 61L 1図乃至第2
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
鏡面仕上前のシリコンウェファlの表面に、例えばN1
−13と5il12C14i原料とした減圧化学気相成
長法によりシリコン窒化膜2を形成し、一方の表面の窒
化膜を周9xJの方法で除き、ウェファ表面3を露出す
る。次に露出したウェファ表面3を鏡面に仕」二げる。
−13と5il12C14i原料とした減圧化学気相成
長法によりシリコン窒化膜2を形成し、一方の表面の窒
化膜を周9xJの方法で除き、ウェファ表面3を露出す
る。次に露出したウェファ表面3を鏡面に仕」二げる。
第2図4は鏡面仕上げした表面を示し、その後の半導体
装置製造プロセスで、表面4に酸化膜が形成されたり、
不純物が選択的に拡散されたりする。この製造プロセス
中窒化膜2は裏面に設けられた徒まである。この窒化膜
によりウェファ1の裏面に不純物の拡散されるのは防げ
、当然オートドーピングは生U 7;cい。
装置製造プロセスで、表面4に酸化膜が形成されたり、
不純物が選択的に拡散されたりする。この製造プロセス
中窒化膜2は裏面に設けられた徒まである。この窒化膜
によりウェファ1の裏面に不純物の拡散されるのは防げ
、当然オートドーピングは生U 7;cい。
以上本発明によれば比較的容易な方法でオートドーピン
グを防ぐことができ、産業上利用価値が極めて高い。
グを防ぐことができ、産業上利用価値が極めて高い。
本発明の実Mr4VUでは形成法及び除去法の容易さか
ら窒化膜について説明したが酸化膜と弗酸系のエンチャ
ントに対し選択性があり、かつ不純物の拡散係数が非常
に小さいとか、不純物が拡散された部分のみ容易に除去
される材料であれば利用することができる。
ら窒化膜について説明したが酸化膜と弗酸系のエンチャ
ントに対し選択性があり、かつ不純物の拡散係数が非常
に小さいとか、不純物が拡散された部分のみ容易に除去
される材料であれば利用することができる。
第1図乃至第2図は本発明の詳細な説明図で、窒化膜形
成過程を示している。 図に於いて、■はシリコンウェファ、2は窒化膜、3は
つ王フ7表面、4は鏡面仕上げしたウェファ表面である
。 実用新案登録量に1人 クラリオン株式会社代理人
弁理士 永 1)武 三 部年 1 図 差2図
成過程を示している。 図に於いて、■はシリコンウェファ、2は窒化膜、3は
つ王フ7表面、4は鏡面仕上げしたウェファ表面である
。 実用新案登録量に1人 クラリオン株式会社代理人
弁理士 永 1)武 三 部年 1 図 差2図
Claims (1)
- 半導体ウェファの一面に窒化膜を形成したのち他の而を
鏡面に仕上げることを特徴とする半導体装置用ウェファ
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13611382A JPS5927529A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 半導体装置用ウエフアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13611382A JPS5927529A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 半導体装置用ウエフアの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5927529A true JPS5927529A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=15167594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13611382A Pending JPS5927529A (ja) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | 半導体装置用ウエフアの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927529A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6259476A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テレビジヨン装置 |
JPH01125830A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | 半導体ウェーハの研磨方法 |
US5225235A (en) * | 1987-05-18 | 1993-07-06 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Semiconductor wafer and manufacturing method therefor |
EP0798765A2 (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing a semiconductor wafer comprising a dopant evaporation preventive film on one main surface and an epitaxial layer on the other main surface |
EP0828286A2 (en) * | 1996-08-19 | 1998-03-11 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing mirror-polished silicon wafers, and apparatus for processing silicon wafers |
-
1982
- 1982-08-03 JP JP13611382A patent/JPS5927529A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6259476A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テレビジヨン装置 |
US5225235A (en) * | 1987-05-18 | 1993-07-06 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Semiconductor wafer and manufacturing method therefor |
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EP0798765A3 (en) * | 1996-03-28 | 1998-08-05 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing a semiconductor wafer comprising a dopant evaporation preventive film on one main surface and an epitaxial layer on the other main surface |
US5834363A (en) * | 1996-03-28 | 1998-11-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafer, semiconductor wafer manufactured by the same, semiconductor epitaxial wafer, and method of manufacturing the semiconductor epitaxial wafer |
EP0828286A2 (en) * | 1996-08-19 | 1998-03-11 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing mirror-polished silicon wafers, and apparatus for processing silicon wafers |
EP0828286A3 (en) * | 1996-08-19 | 2001-05-09 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing mirror-polished silicon wafers, and apparatus for processing silicon wafers |
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