JPH08501189A - 基板上に黄銅鉱半導体を迅速に作成する方法 - Google Patents

基板上に黄銅鉱半導体を迅速に作成する方法

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Abstract

(57)【要約】 黄銅鉱の形式ＡＢＣ2多結晶単相化合物半導体の作成のために、基板に、成分を元素として、元素間化合物としてまたは合金として含んでいる、複数の層を有する多層構造を析出することが提案され、その際成分Ｃは化学量論に過剰にある。少なくとも毎秒１０゜Ｃの加熱レートで少なくとも３５０゜Ｃのプロセス温度への迅速な熱処理プロセスにおいて、この多層構造は数秒後に既に化合物半導体ＡＢＣ2へ移行し、その際層構造体のカプセル化によってガス交換が制限され、その結果最も迅速な成分の蒸発が妨げられる。この半導体から、高い効率の太陽電池が製造される。

Description

【発明の詳細な説明】 基板上に黄銅鉱半導体を迅速に作成する方法 太陽光を電気エネルギーに変換することによって安価でかつ競争できるエネル ギーの発生のために、高い効率の太陽電池が必要とされる。これは、１０％以上 、有利にはさらに１５％以上の効率を有しかつ少なくとも２０年の年月にわたっ て安定しているべきである。 太陽電池を目的として今日、黄銅鉱形式（Chalkopyrit-Typ）の化合物半導体 が熱心に研究されている。例えば銅−インジウム−ジセルニド（ＣＩＳ）から成 る多結晶の薄膜太陽電池によって、既に、ほぼ１５％の高くかつ安定した効率が 実現された。しかしこの種の太陽電池の大量生産のために、なお一層の電池およ び工程の開発が必要である。開発によって一方において、製造される太陽電池の 高い効率を実現するために煩雑な工程監視を必要とする製造工程を一層簡単にし たい。他方において、セレン化水素、硫化カドミニウムまたはテルル化カドミニ ウムのような毒性化合物を、製造工程ないし電池構造から取り除くようにしたい 。 黄銅鉱膜を製造するためにこれまで公知の成膜法は、実質的に１段ないし２段 階プロセスに応じて区別することができる。例えばヨーロッパ特許第６７８６０ ９号明細書（Mickelsen et al）から公知の１段階プロ セスでは、加熱された基板上に元素Ｃｕ，ＩｎまたはＧａおよびＳｅまたはＳを 同時に蒸着し、その際基板上に自発的に化合物半導体が形成される。しかしその 場合元素ＣｕおよびＩｎないしＣｕおよびＧａの蒸着レート並びに殊にそれらの 相互比を非常に正確に制御しなければならない。この要求は、大面積の太陽電池 モジュールの製造の際に大きな問題になる。 これとは異なって、例えばヨーロッパ特許第１９５１５２号明細書から公知の ２段階プロセスではまず、室温において金属層（例えばＣｕおよびＩｎ）が析出 される。第２段階において、そこから熱処理プロセスによって反応性のセレンま たは硫黄を含有する雰囲気内に所望の半導体化合物が形成される。確かにこの第 ２段階プロセスは大面積の成膜装置において行われかつ個別成分の量比は良好に コントロールされるが、この場合しばしば半導体層の、金属裏面電極に対する接 着力が不足することがある。さらに、所望の層特性を得るために、試料の加熱の 際に正確な温度プロフィール並びに十分なセレン分圧を維持しなければならない 。さらに、この方法のために必要な猛毒性のプロセスガス、セレン化水素および 制限された形において硫化水素の問題もある。さらに、何時間にも及ぶ長時間の プロセスによって、不連続的な製造しか実現されず、量産を著しく妨げる。 ２段階プロセスの別の変形例において、セレンない し硫黄成分は気体相を介して形成されず、直接元素の形において金属性の膜（層 ）上に蒸着される。その際半導体形成は上述の場合におけるよりも迅速に行われ るが、このようにして製造される薄膜太陽電池は満足できないことが認められて おりかつ５％より小さい効率しかないことが示されている。当該層（膜）は、２ 次相の残滓並びに基板の点状の剥離を呈する。 このプロセスの別の変形例において、ＣＩＳ薄膜はレーザを用いてＲＴＡ（Ra pid Thermal Annealing）によってＣｕ／Ｉｎ／Ｓｅ膜（層）結合体から合成さ れる。しかしその際得られる半導体層は単一の相ではなく、粒径が著しく小さく しかもｎ導電形であった。 H. Oumous et al 著の論文（Proc. of the 9th ECPVSEC 1989 年、Freiburg /Breisgau、第１５３ないし１５６頁）から、９つの元素層Ｉｎ／Ｓｅ／Ｃｕか ら成る積層体を１０゜／ｓで３５０ないし５００゜Ｃに加熱することが公知であ る。このプロセスでも、黄銅鉱相の他に、ｘ線回折検査では識別できない異相が 生じる。このために、使用不能な太陽電池が生じる。また、多層構造は、工程が 煩雑でありおよび／または大面積の基板上に実現することができない。著しく小 さな粒径および著しく僅かな層厚均一性が観察される。 したがって本発明の課題は、簡単に実施できかつ良好にコントロール可能であ りしかもそこから高い効率 を有する太陽電池が製造される単相および均質な半導体が形成される、黄銅鉱半 導体を形成するための改良された方法を提供することである。さらに、毒ガスの 回避によってプロセス実施を安全なものにしたい。 この課題は、本発明によれば、請求項１に記載の方法によって解決される。本 発明の別の実施例はその他の請求項に記載されている。 本発明の方法にとって最も重要なパラメータは、毎秒少なくとも１０゜の高い 加熱レートでありかつ熱処理期間中に維持すべき、成分Ｃにおける過圧である。 過圧とは、出発材料Ａ，ＢおよびＣの化学量論的に正確な組成において比１：１ ：２において形成されるはずの分圧より上にある分圧の意味である。 上述の高い加熱レートおよび十分高いプロセス温度Ｔpによって、数秒の熱処 理時間ｄｔ後に既に完成した化合物半導体が形成される。したがって少なくとも １時間のセレン化を要求する公知の方法に比して、極めて迅速な方法である。 成分Ｃにおける過圧により、得られる化合物半導体の化学量論の自己制御作用 が生じる。出発成分Ａ，ＢおよびＣに関して正確に１：１：２の組成を有してい ない層構造でも、正確に正しい組成の均質な、すなわち単相の化合物半導体が得 られる。 層構造の高い加熱レートによって、出発成分の、所望の化合物半導体に対する 直接的な反応が実現される。 これまで生じてした安定しているが、電子的に障害となる、例えばＣｕ2-dＳｅ のような中間段が回避される。その理由は、所望の半導体が直接形成されるから である。生じた半導体層では、裏面電極を備えているかまたは裏面電極なしでも よい基板に対する高い接着性が得られる。個々の層剥離は、高い加熱レートＡＲ によって多層構造ＳＡの個別元素の局所的な塊化およびその２元中間層が回避さ れるので、発生しない。このことと結びついている、層湾曲の原因としてのラテ ラル、ひいては不均質な層成長は妨げられる。均質な層成長が観察され、これに より極めて僅かな層厚変動を有する極めて均質な化合物半導体が生じる。 黄銅鉱半導体の粒径は、形成された層厚の１ないし３倍の領域にあり、その結 果半導体層は、太陽電池を製造するための半導体層の有用性を損なうおそれがあ る、層平面に対して平行に延在する粒子境界を有していない。 そこから製造される太陽電池は、１０％以上の効率を示す。 成分Ｃの過圧は最初化学量論的な過剰によっておよび熱処理プロセスの期間は 層構造のカプセル化によって保証される。その際カプセル化とは、層構造上の制 限されかつ“閉鎖された”気体空間である。この種のカプセル化に対する簡単な 解決法は、適当な、プロセスに対して不活性の材料を用いた被覆によって実現さ れる。別の実施例によれば、基板および層構造を熱処理のために閉鎖された容器 内に置く。その際有利にも、カプセルＶによって閉鎖された容積の漏れレートは 僅かであり、これにより高められた流体抵抗との緩慢なガス交換が許容される。 その際被覆の材料ないし形式は、加熱の形式に合わせられる。例えば、多層構 造を備えた基板をカプセル化のために黒鉛ボックス内に置きかつそれからハロゲ ンランプを用いて照射するとき、迅速な加熱が実現される。黒鉛の高い吸収によ って、１０ｓ以内にプロセス温度Ｔpに達する程迅速な加熱が実現される。さら に、上述の構成によって、反応生成物における過圧が高い蒸気圧によって実現さ れるかないし熱処理期間におけるその高い蒸気圧に基づく成分Ｃの過剰な損失が 妨げられる。その際層被覆と多層構造の表面との間隔は、５ｃｍより小さい、有 利には５ｍｍより小さくすべきである。 基板の光学的な加熱の場合、被覆ないしカプセルは、別の吸収性の、非反射性 の材料または石英のような透明な材料から形成することもできる。 光学的な加熱の他に、例えば抵抗加熱または誘導加熱のような高い加熱レート が実現される別の方法も可能である。 加熱および熱処理プロセスは、例えば窒素またはアルゴンのような不活性ガス から成るプロセス雰囲気下 で実施される。その際熱処理の大部分の期間のプロセス圧力は１ｈｐａより上に あるが、有利には雰囲気圧力近傍、すなわち丁度１０００ｈｐａ以下にある。 次に、多層構造の製造およびその、化合物半導体ＡＢＣ2への変換について、 第１図および第２図に基づいて説明し、一方第３図には、そこから製造される太 陽電池の横断面図が示されている。 基板Ｓとして通例、窓ガラスから成るガラス板１が用いられる。これは、接着 層、例えば薄いクロム層を備えることができ、この上に、半導体層から製造すべ き素子に対する裏面電極層１ａが被着されている。しかしこの方法は、このよう な材料に制限されていないので、通例太陽電池に使用される数多くの基板／裏面 電極組み合わせＳが可能である。すなわち、基板１は、任意の非導電性または導 電性の材料から、例えばセラミック、黒鉛または鋼から製造することができる。 裏面電極層１ａは、任意の金属層とすることができるかまたは薄い導電性の酸化 物、例えばドーピングされた酸化錫または酸化亜鉛であってもよい。基板１およ び裏面電極層１ａの材料に依存して、ＳＡおよびＳ（第１図）の間に、例えば窒 化チタンまたは窒化タンタルシリコンのような拡散防止層が必要なことがある。 次いで基板Ｓに、通例の薄膜被膜方法で、多層構造ＳＡの個別層が被着される 。適当な方法は例えば、スパッタリング、蒸着または電気メッキによる析出であ る。多層構造ＳＡの全層厚は、完成した化合物半導体の所望の層厚に依存してお り、それは例えば０．１および５μｍの間にあるべきある。ＣＩＳ層は、１μｍ の層厚から既に太陽光を完全に吸収するので、太陽電池として適当なＣＩＳ層は 通例、少なくとも１μｍの厚さにおいて形成される。 多層構造ＳＡに対して、製造すべき化合物半導体ＡＢＣ2の成分Ａ，Ｂおよび Ｃは具体的な層においておよび成分相互の適当な比において被着される。成分Ｂ およびＣを少なくとも部分的に元素間化合物として（例えばＩｎ2Ｓｅ3）析出す ることもできる。成分ＢおよびＣの所望の比に対してなお余っている量のＣは、 元素として付加される。成分ＢおよびＣを合金として供給しかつ例えば蒸着する ことも可能である。 成分Ａは第１の層２として元素として供給される。層３および４は、上述のよ うに、成分ＢおよびＣを含んでいるかないし元素的に供給されるＣの他にＢＣ化 合物を含んでいる。層３および４の順序を交換するか、または成分Ａ，Ｂおよび Ｃの総量を３層より多層の形においてマルチ層として供給することもできる。 成分Ａ，ＢおよびＣは、１：ｍ：２ｎのモル比において析出され、その際ｍは ０．９ないし１．３の値をとすることができるが、通例１より大きい。指標ｎは 、１．０ないし１．８の任意の値をとることができるが、全体として常に、成分 Ｃが過剰に存在するように選択 され、その結果Ｃの成分は、Ａおよび／またはＢに関して化学量論的な正確な成 分について２０ないし１００％にあり、その際勿論不足状態にある成分が尺度と して採用される。 多層構造ＳＡないし層２，３および４に対する被膜形成温度は２００゜以下に ありかつ詳細には供給形式に依存している。 多層構造ＳＡの変換のために、次にこの多層構造を温度プロセスにさらさなけ ればならない。このために、多層構造ＳＡはまず、例えば多層構造の被覆によっ てまたは多層構造ＳＡを備えた基板Ｓを閉じられた容器内に挿入することによっ てカプセル化される。被覆は、例えば金属、黒鉛または石英から成るシートまた は薄板を用いて行うことができる。第１図において、カプセル化は破線として示 されている。カプセルＶによって、温度プロセスの間、高い蒸気圧によって反応 生成物または挿入された成分に対して過圧が形成され、その際同時に、外部との 緩慢なガス交換が可能になる。 例えばハロゲンランプを用いたビームＥによるエネルギーの供給によって、十 分に高い加熱レートＡＲを保証できなければならす、その結果このような観点で 適しているすべての加熱源および材料をカプセル化のために使用することができ る。 温度プロセスは、少なくとも３５０゜のプロセス温度Ｔpへの迅速な加熱フェ ーズを有する。その際この 加熱時間は、３０ｓ以下、有利には１０ｓ下にあるべきであり、その場合少なく とも毎秒１０゜の加熱レートＡＲが必要である。プロセス温度に達した後にさら に時間間隔ｄｔの間引き続き熱処理され、その際ｄｔは数秒ないし約１ｈである この時間間隔Ｔpに依存した値を有することができる。例えば５００゜Ｃでは２ ０ｓの熱処理時間で十分であるが、４００゜Ｃのプロセス温度では５ｍｉｎの熱 処理時間が（ＣＩＳに対してその都度）必要である。 第２図には、基板Ｓとその上に形成された半導体層ＨＬとが示されている。半 導体層ＨＬは単相であり、すなわち所望の化合物半導体ＡＢＣ2の結晶粒子から のみ成っている。得られる粒径は、選択されたプロセス温度Ｔpまたは加熱レー トＡＲおよび形成された半導体層ＨＬの層厚ｄに依存しておりかつ１ｄないし３ ｄの範囲内にある。これにより、半導体層ＨＬには、半導体層の高い電子的な品 質を保証する、層平面に対して垂直に延在する粒子境界のみが発生することが保 証されている。 次に、実施例として、ＣＩＳ層並びその上に形成される太陽電池の製造につい て説明する。 実施例 基板Ｓに対して、ソーダ石灰ガラスが使用されかつモリブデン電極が付けられ る。そのために約１μｍの厚さのモリブデンが噴霧される。多層構造ＳＡのため に、成分Ａ，ＢおよびＣが元素Ｃｕ，ＩｎおよびＳｅの個別層の形において上述 の順序で供給され、その際Ｃｕに対しては２μｍｏｌ／ｃｍ2の総量が選択され 、Ｉｎに対しては２．１５μｍｏｌ／ｃｍ2の量が選択されかつＳｅに対しては ５．８μｍｏｌ／ｃｍ2が選択され、このことは約１μｍの完成したＣＩＳ層の 層厚ｄに対して申し分ない。別の層厚ｄに対しては、供給量を相応に補正するこ とができる。 次に、多層構造ＳＡを備えた基板は、黒鉛ボックス内において毎秒５０゜の加 熱レートによってハロゲンランプを使用して４００゜まで窒素から成る雰囲気中 でかつ約８００ｈｐａの圧力下で加熱される。約５ｍｉｎの熱処理時間の後、ｘ 線回折スペクトルが実証するように、申し分ない接着性の、多結晶の単相のＣＩ Ｓ膜が黄銅鉱構造において生じた。粒径は１ないし３μｍの範囲内にあり、膜は 約５０ないし１００Ωｃｍの固有抵抗を有するｐ導電性である。 太陽電池を完成するためにさらに、公知の方法により、１０ｎｍ厚のｎ導電性 の硫化カドミニウム／酸化亜鉛−ウィンドウ層ＦＳが発生される。前面電極層Ｆ Ｅ、例えば１μｍ厚のＺｎＯ並びに格子電極構造ＧＥおよび場合により不活性な いし反射防止層によって構造が完全になる。 完成した太陽電池は、４１５ｍＶ以上の無負荷電圧において１０％以上の効率 、６５％以上の充填係数お よび３８ｍＡ／ｃｍ2短絡電流を呈する。第３図には、完成した太陽電池が示さ れている。 本発明の方法は、太陽電池に対して実証されているセレン化カドミニウム銅の 他に、別の黄銅鉱材料の製造のためにも極めて良好に適している。従来のプロセ スに比して、この新しい方法によって著しく低減されたクロック時間が得られ、 その結果これにより殆ど連続的なコストの面で有利なインライン製造が実施され る。 ＣＩＳ層を製造するための気体相セレン化に対して、半導体形成の工程に対す る本発明の方法によって、２００倍までの加速が実現される。
【手続補正書】特許法第１８４条の８ 【提出日】１９９４年６月９日 【補正内容】 このプロセスの別の変形例において、ＣＩＳ薄膜はレーザを用いてＲＴＡ（Ra pid Thermal Annealing）によってＣｕ／Ｉｎ／Ｓｅ層ブロックから合成される 。しかしその際得られる半導体層は単相ではなく、粒径が著しく小さくしかもｎ 導電性であった。 H. Oumous et al 著の論文（Proc. of the 9th ECPVSEC 1989 年、Freiburg/ Breisgau、第１５３ないし１５６頁）から、９つの元素層Ｉｎ／Ｓｅ／Ｃｕから 成る積層体を１０゜／ｓで３５０ないし５００゜Ｃに加熱することが公知である 。このプロセスでも、黄銅鉱相の他に、ｘ線回折検査では識別できない異相が生 じる。このために、使用不能な太陽電池が生じる。また、多層構造は、工程が煩 雑でありおよび／または大面積の基板上に実現することができない。著しく小さ な粒径および著しく僅かな層厚均一性が観察される。 20.IEEE Photovotaic Specialists Conference（Las Vegas，１９８８年９月 ２６日から３０日）のための講演集（第１４８２ないし１４８６頁）から、ガラ ス基板上の出発成分の薄い元素層のサンドイッチ構造体をレーザ加工によって化 合物半導体に変換する、銅インジウムジセルニド薄膜に対する製造方法が公知で ある。不活性雰囲気中における熱処理がこれに続く。 Solar Cells （第３０巻、 No.1/4，１９９１年５月、第６９ないし７７頁） から、多結晶基板に銅インジウ ムジセルニド薄層を製造するための方法が公知である。元素の出発化合物は、共 通の析出（コード位置）によって真空蒸着によって析出されかつ迅速な加熱プロ セスにおいて半導体に変換される。 ドイツ連邦共和国特許出願公開第３８２２０７３号公報から、出発化合物の薄 い元素層の熱処理により薄い銅インジウムジセルニド薄膜を製造することが公知 である。 ヨーロッパ特許出願公開第３１８３１５号公報から、出発成分の元素積層体を 水素またはセレン化水素を含有している雰囲気中において化合物半導体に変換す る、黄銅鉱半導体層の製造方法が公知である。 したがって本発明の課題は、簡単に実施できかつ良好にコントロール可能であ りしかもそこから高い効率を有する太陽電池が製造される単相および均質な半導 体が製造される、黄銅鉱半導体を製造するための改良された方法を提供すること である。さらに、毒ガスの回避によってプロセス実施を安全なものにしたい。 この課題は、本発明によれば、請求項１に記載の方法によって解決される。本 発明の別の実施例はその他の請求項に記載されている。 成分Ａ，ＢおよびＣは、１：ｍ：２ｎのモル比において析出され、その際ｍは ０．９ないし１．３の値をとすることができるが、通例１より大きい。指標ｎは 、１．０ないし１．８の任意の値をとることができるが、全体として常に、成分 Ｃが過剰に存在するように選択され、その結果Ｃの成分は、Ａおよび／またはＢ に関して化学量論の正確な成分について２０ないし１００％にあり、その際勿論 不足状態にある成分が尺度として採用される。 本発明の実施例によれば、基板Ｓ上に、少なくとも２μｍｏｌ／ｃｍ2の量の 成分ＡおよびＢおよび少なくとも４．８μｍｏｌ／ｃｍ2の成分Ｃが被着される 。 本発明の別の実施例によれば、それぞれ０ないし２５原子パーセントの割合に おける成分Ｂおよび／またはＣに代わって、それぞれ周期系の同じ主属の元素を 使用することができる。 多層構造ＳＡないし層２，３および４に対する成膜温度は２００゜以下にあり かつ詳細には被着形式に依存している。 請求の範囲 １．Ａは銅であり、ＢはインジウムまたはガリウムでありかつＣは硫黄またはセ レンである、形式ＡＢＣ2の黄銅鉱半導体の作成方法であって、基板上に次のス テップを実施し、 成分Ａ，ＢおよびＣを元素の形または２元元素間化合物Ｂ2Ｃ3として被着するこ とによって基板（Ｓ）上に多層構造（ＳＡ）を形成し、ただし成分Ｃは、成分Ｃ における化学量論に正確な割合の２倍までになる過剰にあり、 前記多層構造（ＳＡ）を有する前記基板（Ｓ）を３５０゜より高いまたはそれに 等しいプロセス温度（Ｔp）に少なくとも１０゜Ｃ／ｓの加熱レート（ＡＲ）で 迅速に加熱し、 前記基板を、１０ｓの時間間隔ｄｔの間前記温度Ｔpに保持し、 ここにおいて５mmより僅かな間隔をおいて前記多層構造（ＳＡ）上に被覆するこ とによって、カプセル化を行い、該カプセル化によって、アニールないし熱処理 プロセス全体の期間、化学量論の正確なＡＢＣ2半導体に関して形成されるはず の、Ｃの分圧より上方にある分圧が、成分Ｃに対して維持されるようにする ことを特徴とする黄銅鉱半導体の製造方法。 ２．前記多層構造（ＳＡ）を備えた前記基板（Ｓ）を、カプセル化のために閉鎖 された容器（Ｖ）内に置く 請求項１記載の方法。 ３．黒鉛から成る容器を使用しかつ加熱（Ｅ）を加熱ランプによって行う 請求項２記載の方法。 ４．成分Ａを、前記層構造体（ＳＡ）の第１の層（１）として元素として供給す る 請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。 ５．前記加熱レートＡＲを、前記プロセス温度Ｔpが１０ｓ以下の時間の間に達 するようにな高さに選択する 請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。 ６．前記プロセス温度Ｔpは、少なくとも５００゜Ｃである 請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。 ７．前記熱処理を、１ｈｐａと１０００ｈｐａとの間の総ガス圧力において実施 する 請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。 ８．前記層構造体ＳＡに対して、前記成分Ａ，ＢおよびＣを１：ｍ：２ｎの比お いて析出し、ただしｍは０．９ないし１．３に等しくかつｎは１．０ないし１． ８に等しい 請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 ９．前記成分ＡおよびＢを少なくとも約２μｍｏｌ ／ｃｍ2の量においてかつ成分Ｃを少なくとも約４．８μｍｏｌ／ｃｍ2の量にお いて、前記基板Ｓに供給する 請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。 １０．それぞれ０％ないし２５％原子パーセントの割合の成分Ｂおよび／または Ｃの代わりにそれぞれ、周期（律表）系の同じ主属の元素を使用する 請求項１から１９までのいずれか１項記載の方法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．Ａは銅または銀であり、Ｂはインジウム、ガリウムまたはアルミニウムであ りかつＣは硫黄またはセレンである、形式ＡＢＣ2の黄銅鉱半導体の作成方法で あって、基板上に次のステップを実施し、 成分Ａ，ＢおよびＣを元素の形または２元元素間化合物Ｂ2Ｃ3として被着するこ とによって基板（Ｓ）上に多層構造（ＳＡ）を生成し、 前記多層構造（ＳＡ）を有する前記基板（Ｓ）を所定の加熱レート（ＡＲ）でプ ロセス温度（Ｔp）に迅速に加熱し、 前記基板を、時間間隔ｄｔの間、前記温度Ｔpに保持し、 ただし前記多層構造（ＳＡ）は成分Ｃを化学量論に過剰に含んでおり、前記加熱 レート（ＡＲ）は少なくとも１０゜／ｓであり、前記プロセス温度Ｔpは３５０ ゜Ｃより大きいかまたはそれに等しく、前記時間間隔ｄｔは１０ｓないし１ｈで ありかつアニールないし熱処理期間全体の間、成分Ｃの、平衡圧力より上にある 分圧が維持されるようにする ことを特徴とする黄銅鉱半導体の製造方法。 ２．熱処理期間の成分Ｃの過圧を、前記多層構造ＳＡのカプセル化Ｖによって保 証する 請求項１記載の方法。 ３．前記カプセル化Ｖを、前記多層構造ＳＡの被覆によって行う 請求項２記載の方法。 ４．前記多層構造（ＳＡ）を備えた前記基板（Ｓ）を、カプセル化のために閉鎖 された容器（Ｖ）内に置く 請求項３記載の方法。 ５．黒鉛から成る容器を使用しかつ加熱（Ｅ）を加熱ランプによって行う 請求項４記載の方法。 ６．成分Ａを、前記多層構造（ＳＡ）の第１の層（１）として元素として供給す る 請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。 ７．前記加熱レートＡＲを、前記プロセス温度Ｔpが１０ｓ以下の時間の間に達 するようにな高さに選択する 請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。 ８．前記プロセス温度Ｔpは、少なくとも５００゜Ｃである 請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 ９．前記熱処理を、１ｈｐａと１０００ｈｐａとの間の圧力において実施する 請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。 １０．前記多層構造ＳＡに対して、前記成分Ａ，ＢおよびＣを１：ｍ：２ｎの比 おいて析出堆積し、ただしｍは０．９ないし１．３に等しくかつｎは１．０ ないし１．８に等しい 請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。 １１．前記成分ＡおよびＢを少なくとも約２μｍｍｏｌ／ｃｍ2の量においてか つ成分Ｃを少なくとも約４．８μｍｍｏｌ／ｃｍ2の量において、前記基板Ｓに 供給する 請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。 １２．それぞれ０％ないし２５％（原子パーセント）の割合の成分Ｂおよび／ま たはＣの代わりにそれぞれ、周期（律表）系の同じ主属の元素を使用する 請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003519441A (ja) * 1999-07-30 2003-06-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 多層構造体を温度処理するための装置および方法、並びにその種の多層構造体
JP2005524244A (ja) * 2002-04-29 2005-08-11 エレクトリシテ　ド　フランス　セルビス　ナショナル Ｉ−ｉｉｉ−ｖｉ２化合物を基礎とする光起電性用途向け薄膜半導体の製造方法
JP2006179552A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Honda Motor Co Ltd カルコパイライト型太陽電池
JP2008543038A (ja) * 2005-05-25 2008-11-27 エレクトリシテ・ドゥ・フランス 熱アニーリングによる電着ｃｉｇｓ膜の硫化及びセレン化
JP2011216923A (ja) * 2003-10-02 2011-10-27 Scheuten Glasgroep 太陽電池に利用される球状、又は、粒状の半導体素子、その生産方法、その半導体素子を含む太陽電池の生産方法、及び、太陽電池
JP2013504219A (ja) * 2009-09-09 2013-02-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 光起電薄膜の組成を制御する方法
JP2015528786A (ja) * 2012-07-19 2015-10-01 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 熱的な方法におけるガラス変形の回避
JP2022519048A (ja) * 2019-01-31 2022-03-18 （シーエヌビーエム）ボンブー デザイン アンド リサーチ インスティテュート フォー グラス インダストリー カンパニー，リミティド 多層体を熱処理するための装置、設備及び方法

Families Citing this family (170)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4447866B4 (de) * 1994-11-16 2005-05-25 Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiter-Dünnschichtsolarzelle
US5918111A (en) * 1995-03-15 1999-06-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing chalcopyrite semiconductor thin films
JP3244408B2 (ja) * 1995-09-13 2002-01-07 松下電器産業株式会社 薄膜太陽電池及びその製造方法
DE19611996C1 (de) * 1996-03-26 1997-09-11 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH1079525A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体及びそれを用いた薄膜太陽電池
US5985691A (en) * 1997-05-16 1999-11-16 International Solar Electric Technology, Inc. Method of making compound semiconductor films and making related electronic devices
US6268014B1 (en) * 1997-10-02 2001-07-31 Chris Eberspacher Method for forming solar cell materials from particulars
US6107562A (en) * 1998-03-24 2000-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, and solar cell using the same
US6259016B1 (en) 1999-03-05 2001-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solar cell
DE19917758C2 (de) * 1999-04-10 2003-08-28 Cis Solartechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung einer CuInSe2(CIS)Solarzelle
DE19921515A1 (de) * 1999-05-10 2000-11-30 Ist Inst Fuer Solartechnologie Dünnschichtsolarzelle auf der Basis der Ia/IIIb/VIa- Verbindungshalbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung
ATE481741T1 (de) * 1999-10-20 2010-10-15 Saint Gobain Vorrichtung und verfahren zum gleichzeitigen temperieren mehrerer prozessiergüter
JP4488155B2 (ja) * 1999-10-20 2010-06-23 シェル エルノイエルバーレ エネルギーエン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 少なくとも１つの被処理物を熱処理するための装置及び方法
DE10006778C2 (de) * 2000-02-09 2003-09-11 Cis Solartechnik Gmbh Verfahren und Ofen zur Wärmebehandlung von flexiblen, bandförmigen CIS-Solarzellen
JP4662616B2 (ja) 2000-10-18 2011-03-30 パナソニック株式会社 太陽電池
DE10119463C2 (de) * 2001-04-12 2003-03-06 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Chalkogenid-Halbleiterschicht des Typs ABC¶2¶ mit optischer Prozesskontrolle
US7091136B2 (en) * 2001-04-16 2006-08-15 Basol Bulent M Method of forming semiconductor compound film for fabrication of electronic device and film produced by same
US6559372B2 (en) 2001-09-20 2003-05-06 Heliovolt Corporation Photovoltaic devices and compositions for use therein
US6736986B2 (en) 2001-09-20 2004-05-18 Heliovolt Corporation Chemical synthesis of layers, coatings or films using surfactants
US6787012B2 (en) * 2001-09-20 2004-09-07 Helio Volt Corp Apparatus for the synthesis of layers, coatings or films
US6593213B2 (en) 2001-09-20 2003-07-15 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using electrostatic fields
US6881647B2 (en) * 2001-09-20 2005-04-19 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using templates
US6500733B1 (en) 2001-09-20 2002-12-31 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using precursor layer exerted pressure containment
US6974976B2 (en) * 2002-09-30 2005-12-13 Miasole Thin-film solar cells
EP1521309A1 (de) * 2003-10-02 2005-04-06 Scheuten Glasgroep Serienverschaltung von Solarzellen mit integrierten Halbleiterkörpern, Verfahren zur Herstellung und Photovoltaikmodul mit Serienverschaltung
US8372734B2 (en) 2004-02-19 2013-02-12 Nanosolar, Inc High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles
US8642455B2 (en) * 2004-02-19 2014-02-04 Matthew R. Robinson High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles
US7605328B2 (en) 2004-02-19 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic thin-film cell produced from metallic blend using high-temperature printing
US8846141B1 (en) 2004-02-19 2014-09-30 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
US8623448B2 (en) * 2004-02-19 2014-01-07 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide microflake particles
US20060060237A1 (en) * 2004-09-18 2006-03-23 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells on foil substrates
US20070163639A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
US20070166453A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of chalcogen layer
US7115304B2 (en) * 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates
US7700464B2 (en) 2004-02-19 2010-04-20 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles
US8329501B1 (en) 2004-02-19 2012-12-11 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles
US8309163B2 (en) * 2004-02-19 2012-11-13 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material
US7663057B2 (en) * 2004-02-19 2010-02-16 Nanosolar, Inc. Solution-based fabrication of photovoltaic cell
US7604843B1 (en) 2005-03-16 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Metallic dispersion
US7306823B2 (en) * 2004-09-18 2007-12-11 Nanosolar, Inc. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
US7179678B1 (en) * 2004-08-26 2007-02-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. EBIC response enhancement in type III-VI semiconductor material on silicon
US8541048B1 (en) 2004-09-18 2013-09-24 Nanosolar, Inc. Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
US20090032108A1 (en) * 2007-03-30 2009-02-05 Craig Leidholm Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
US7838868B2 (en) 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
KR20070064345A (ko) * 2004-09-18 2007-06-20 나노솔라, 인크. 포일 기판 상의 태양 전지의 형성
US7732229B2 (en) 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
US20070111367A1 (en) * 2005-10-19 2007-05-17 Basol Bulent M Method and apparatus for converting precursor layers into photovoltaic absorbers
DE102005062977B3 (de) * 2005-12-28 2007-09-13 Sulfurcell Solartechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Umsetzung metallischer Vorläuferschichten zu Chalkopyritschichten von CIGSS-solarzellen
US20070160763A1 (en) 2006-01-12 2007-07-12 Stanbery Billy J Methods of making controlled segregated phase domain structures
US8084685B2 (en) * 2006-01-12 2011-12-27 Heliovolt Corporation Apparatus for making controlled segregated phase domain structures
US7767904B2 (en) * 2006-01-12 2010-08-03 Heliovolt Corporation Compositions including controlled segregated phase domain structures
US9105776B2 (en) 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
US8017860B2 (en) * 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US8617640B2 (en) * 2006-06-12 2013-12-31 Nanosolar, Inc. Thin-film devices formed from solid group IIIA alloy particles
US20100139557A1 (en) * 2006-10-13 2010-06-10 Solopower, Inc. Reactor to form solar cell absorbers in roll-to-roll fashion
US20090183675A1 (en) * 2006-10-13 2009-07-23 Mustafa Pinarbasi Reactor to form solar cell absorbers
US9103033B2 (en) * 2006-10-13 2015-08-11 Solopower Systems, Inc. Reel-to-reel reaction of precursor film to form solar cell absorber
US20080175993A1 (en) * 2006-10-13 2008-07-24 Jalal Ashjaee Reel-to-reel reaction of a precursor film to form solar cell absorber
US7854963B2 (en) * 2006-10-13 2010-12-21 Solopower, Inc. Method and apparatus for controlling composition profile of copper indium gallium chalcogenide layers
US8323735B2 (en) * 2006-10-13 2012-12-04 Solopower, Inc. Method and apparatus to form solar cell absorber layers with planar surface
TW200832726A (en) * 2006-11-10 2008-08-01 Solopower Inc Reel-to-reel reaction of precursor film to form solar cell absorber
US20080302413A1 (en) * 2007-03-30 2008-12-11 Craig Leidholm Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
US8197703B2 (en) * 2007-04-25 2012-06-12 Solopower, Inc. Method and apparatus for affecting surface composition of CIGS absorbers formed by two-stage process
US8034317B2 (en) * 2007-06-18 2011-10-11 Heliovolt Corporation Assemblies of anisotropic nanoparticles
US8071179B2 (en) * 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US7919400B2 (en) * 2007-07-10 2011-04-05 Stion Corporation Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films
US8058092B2 (en) 2007-09-28 2011-11-15 Stion Corporation Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8614396B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-24 Stion Corporation Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application
US8187434B1 (en) 2007-11-14 2012-05-29 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using single-chamber configuration
US20110017298A1 (en) * 2007-11-14 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar cell devices
US8779283B2 (en) * 2007-11-29 2014-07-15 General Electric Company Absorber layer for thin film photovoltaics and a solar cell made therefrom
US8163090B2 (en) * 2007-12-10 2012-04-24 Solopower, Inc. Methods structures and apparatus to provide group VIA and IA materials for solar cell absorber formation
US8323408B2 (en) * 2007-12-10 2012-12-04 Solopower, Inc. Methods and apparatus to provide group VIA materials to reactors for group IBIIIAVIA film formation
DE102008022784A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-12 Avancis Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von Gegenständen in einer Behandlungskammer
US20090301562A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) * 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US20100226629A1 (en) * 2008-07-21 2010-09-09 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing
US20110017257A1 (en) * 2008-08-27 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar module and method for current matching between a plurality of first photovoltaic devices and second photovoltaic devices
US20100051090A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Stion Corporation Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method
US7855089B2 (en) 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8569613B1 (en) 2008-09-29 2013-10-29 Stion Corporation Multi-terminal photovoltaic module including independent cells and related system
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US20100078059A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Stion Corporation Method and structure for thin film tandem photovoltaic cell
US8232134B2 (en) * 2008-09-30 2012-07-31 Stion Corporation Rapid thermal method and device for thin film tandem cell
US7863074B2 (en) 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
USD625695S1 (en) 2008-10-14 2010-10-19 Stion Corporation Patterned thin film photovoltaic module
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US8344243B2 (en) * 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US20100159132A1 (en) * 2008-12-18 2010-06-24 Veeco Instruments, Inc. Linear Deposition Source
WO2011065998A1 (en) * 2008-12-18 2011-06-03 Veeco Instruments Inc. Linear deposition source
WO2011065999A1 (en) * 2008-12-18 2011-06-03 Veeco Instruments Inc. Linear deposition source
US20100258180A1 (en) * 2009-02-04 2010-10-14 Yuepeng Deng Method of forming an indium-containing transparent conductive oxide film, metal targets used in the method and photovoltaic devices utilizing said films
IT1392995B1 (it) * 2009-02-12 2012-04-02 St Microelectronics Srl Pannello solare con due moduli fotovoltaici multicellulari monolitici di diversa tecnologia
DE102009011496A1 (de) 2009-03-06 2010-09-16 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Umsetzung metallischer Precursorschichten in halbleitende Schichten mit Chalkogenrückgewinnung
DE102009012200A1 (de) 2009-03-11 2010-09-16 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Umsetzung metallischer Precursorschichten in halbleitende Schichten mit Chalkogenquelle
TWI509107B (zh) 2009-03-06 2015-11-21 Centrotherm Photovoltaics Ag 利用氧族元素源將金屬先驅物薄膜熱轉變成半導體薄膜之方法及裝置
DE102009011695A1 (de) * 2009-03-09 2010-09-16 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Umsetzung metallischer Precursorschichten in halbleitende Schichten
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
US8134069B2 (en) 2009-04-13 2012-03-13 Miasole Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials
DE102009050987B3 (de) * 2009-05-12 2010-10-07 Schott Ag Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle
DE102009050988B3 (de) * 2009-05-12 2010-11-04 Schott Ag Dünnschichtsolarzelle
US8247243B2 (en) 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
AU2010202792B2 (en) * 2009-06-05 2012-10-04 Heliovolt Corporation Process for synthesizing a thin film or composition layer via non-contact pressure containment
USD628332S1 (en) 2009-06-12 2010-11-30 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for street lamp
USD662040S1 (en) 2009-06-12 2012-06-19 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for garden lamp
USD632415S1 (en) 2009-06-13 2011-02-08 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for cluster lamp
USD662041S1 (en) 2009-06-23 2012-06-19 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for laptop personal computer
USD652262S1 (en) 2009-06-23 2012-01-17 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for cooler
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
USD627696S1 (en) 2009-07-01 2010-11-23 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for recreational vehicle
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
CN102024875A (zh) * 2009-09-11 2011-04-20 思阳公司 用于薄膜叠层式电池的器件以及快速热处理方法
WO2011035889A1 (de) 2009-09-25 2011-03-31 Schott Ag Alumosilikatgläser mit hoher thermischer beständigkeit und niedriger verarbeitungstemperatur
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US8440498B2 (en) 2009-10-28 2013-05-14 Nanosolar, Inc. Thin-film devices formed from solid particles
US8153469B2 (en) * 2009-12-07 2012-04-10 Solopower, Inc. Reaction methods to form group IBIIIAVIA thin film solar cell absorbers
US20110162696A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-07 Miasole Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof
US8859880B2 (en) 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
DE102010006331A1 (de) 2010-01-29 2011-08-04 Schott Ag, 55122 Aluminosilikatgläser mit hoher thermischer Beständigkeit, niedriger Verarbeitungstemperatur und hoher Kristallisationsbeständigkeit
US8021641B2 (en) * 2010-02-04 2011-09-20 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods of making copper selenium precursor compositions with a targeted copper selenide content and precursor compositions and thin films resulting therefrom
DE102010008084A1 (de) 2010-02-15 2011-08-18 Leybold Optics GmbH, 63755 Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Substraten
JP2011171605A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Sumitomo Metal Mining Co Ltd カルコパイライト膜の製造方法
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
WO2011132915A2 (ko) * 2010-04-19 2011-10-27 한국생산기술연구원 태양 전지 제조 방법
DE102010018595A1 (de) 2010-04-27 2011-10-27 Centrothem Photovoltaics Ag Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiterschicht
WO2011146115A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Heliovolt Corporation Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same
DE102010023366B4 (de) 2010-06-10 2017-09-21 Schott Ag Verwendung von Gläsern für Photovoltaik-Anwendungen
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US9142408B2 (en) 2010-08-16 2015-09-22 Alliance For Sustainable Energy, Llc Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same
JP5836379B2 (ja) 2010-08-27 2015-12-24 サン−ゴバン グラス フランス 複数の多層体を熱処理するための装置および方法
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
DE102011009131A1 (de) 2011-01-21 2012-07-26 Singulus Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
NL2007658C2 (nl) 2011-10-26 2013-05-01 Smit Ovens Bv Inrichting voor het verhitten van een substraat.
US10043921B1 (en) 2011-12-21 2018-08-07 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof
FR2985607B1 (fr) 2012-01-11 2018-01-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede pour realiser un module photovoltaique avec deux etapes de gravure p1 et p3 et module photovoltaique correspondant.
FR2985606B1 (fr) 2012-01-11 2014-03-14 Commissariat Energie Atomique Procede pour realiser un module photovoltaique avec deux etapes de gravure p2 et p3 et module photovoltaique correspondant.
CN104106131B (zh) 2012-02-16 2017-08-08 法国圣戈班玻璃厂 用于处理被涂层的衬底的处理盒、装置和方法
FR2989224B1 (fr) 2012-04-06 2014-12-26 Commissariat Energie Atomique Procede pour realiser un module photovoltaique avec une etape de gravure p3 et une eventuelle etape p2.
FR2989223B1 (fr) 2012-04-06 2014-12-26 Commissariat Energie Atomique Procede pour realiser un module photovoltaique avec une etape de gravure p3 et une eventuelle etape p1.
US9105797B2 (en) 2012-05-31 2015-08-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se
EP2870623B1 (de) 2012-07-09 2021-01-13 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Prozessbox, anordnung und verfahren zum prozessieren eines beschichteten substrats
ES2862409T3 (es) 2012-07-09 2021-10-07 Cnbm Bengbu Design & Res Institute For Glass Industry Co Ltd Dispositivo y método para el tratamiento térmico de un objeto
EP2870625B1 (de) 2012-07-09 2021-01-06 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Anlage und verfahren zum prozessieren von substraten
NL2010809C2 (nl) 2013-05-16 2014-11-24 Smit Ovens Bv Inrichting en werkwijze voor het aanbrengen van een materiaal op een substraat.
DE102013209983A1 (de) 2013-05-28 2014-12-18 Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle und einer Verbindungshalbleiterschicht hierfür
TWI617684B (zh) * 2016-10-07 2018-03-11 國家中山科學研究院 Integrated fast selenium vulcanization process equipment

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4335266A (en) * 1980-12-31 1982-06-15 The Boeing Company Methods for forming thin-film heterojunction solar cells from I-III-VI.sub.2
EP0195152B1 (en) * 1985-03-22 1992-11-19 Siemens Solar Industries L.P. Process of forming a compound semiconductive material
US5045409A (en) * 1987-11-27 1991-09-03 Atlantic Richfield Company Process for making thin film solar cell
EP0318315B1 (en) * 1987-11-27 1994-02-02 Siemens Solar Industries L.P. Process for making thin film solar cell
DE3822073A1 (de) * 1988-06-30 1990-01-04 Bloss Werner Heinz Prof Dr Ing Verfahren zur herstellung von verbindungshalbleiter-duennschichten

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003519441A (ja) * 1999-07-30 2003-06-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 多層構造体を温度処理するための装置および方法、並びにその種の多層構造体
JP2005524244A (ja) * 2002-04-29 2005-08-11 エレクトリシテ　ド　フランス　セルビス　ナショナル Ｉ−ｉｉｉ−ｖｉ２化合物を基礎とする光起電性用途向け薄膜半導体の製造方法
JP4739750B2 (ja) * 2002-04-29 2011-08-03 エレクトリシテ ド フランス （ソシエテ アノニム） Ｉ−ｉｉｉ−ｖｉ２化合物を基礎とする光起電性用途向け薄膜半導体の製造方法
JP2011216923A (ja) * 2003-10-02 2011-10-27 Scheuten Glasgroep 太陽電池に利用される球状、又は、粒状の半導体素子、その生産方法、その半導体素子を含む太陽電池の生産方法、及び、太陽電池
KR101168260B1 (ko) * 2003-10-02 2012-07-30 슈텐 글라스 그룹 태양 전지용 구형상 또는 입상의 반도체 소자 및 그 제조방법, 상기 반도체 소자를 포함하는 태양 전지를 제조하는방법 및 태양 전지
JP2006179552A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Honda Motor Co Ltd カルコパイライト型太陽電池
JP4664060B2 (ja) * 2004-12-21 2011-04-06 本田技研工業株式会社 カルコパイライト型太陽電池
JP2008543038A (ja) * 2005-05-25 2008-11-27 エレクトリシテ・ドゥ・フランス 熱アニーリングによる電着ｃｉｇｓ膜の硫化及びセレン化
JP2013504219A (ja) * 2009-09-09 2013-02-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 光起電薄膜の組成を制御する方法
JP2015528786A (ja) * 2012-07-19 2015-10-01 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 熱的な方法におけるガラス変形の回避
JP2022519048A (ja) * 2019-01-31 2022-03-18 （シーエヌビーエム）ボンブー デザイン アンド リサーチ インスティテュート フォー グラス インダストリー カンパニー，リミティド 多層体を熱処理するための装置、設備及び方法

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Publication number Publication date
JP3386127B2 (ja) 2003-03-17
EP0662247A1 (de) 1995-07-12
EP0662247B1 (de) 1999-03-10
DE59309438D1 (de) 1999-04-15
US5578503A (en) 1996-11-26
WO1994007269A1 (de) 1994-03-31

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