JP2719039B2 - ＣｕＩｎＳｅ▲下２▼系化合物薄膜の形成方法 - Google Patents
ＣｕＩｎＳｅ▲下２▼系化合物薄膜の形成方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Ｉ−III−VI2で表わされる組成を有し、Ｉ
族元素はCuであり、III族元素は主としてInであり、VI
族元素は主としてSeであるCuInSe2系化合物薄膜の形成
方法に関する。
族元素はCuであり、III族元素は主としてInであり、VI
族元素は主としてSeであるCuInSe2系化合物薄膜の形成
方法に関する。
CuInSe2系化合物薄膜は非晶質シリコン薄膜と共に低
コストで大面積の太陽電池用としての実用化が期待され
ている。特にCuInSe2膜の光学的バンドギャップEgが約
1.0eVと狭いのでEgが約1.7eVであるａ−Si膜では利用で
きない長波長光を有効に取り込み光電変換できるため、
ａ−Si太陽電池とCuInSe2太陽電池を積み重ねることに
より、高効率のタンデム型薄膜太陽電池とする方式も有
望である。
コストで大面積の太陽電池用としての実用化が期待され
ている。特にCuInSe2膜の光学的バンドギャップEgが約
1.0eVと狭いのでEgが約1.7eVであるａ−Si膜では利用で
きない長波長光を有効に取り込み光電変換できるため、
ａ−Si太陽電池とCuInSe2太陽電池を積み重ねることに
より、高効率のタンデム型薄膜太陽電池とする方式も有
望である。
第３図はCuInSe2太陽電池の代表的な構造を示す。図
において、表面平滑なものが入手しやすいガラス板１の
上に裏面電極としてのMo薄膜２が被着され、その上に１
〜３μｍ程度の厚さのｐ型のCuInSe2膜3,数百Åの厚さ
のｎ型のCdS膜４および約1.0μｍの厚さの透明導電膜で
あるZnO膜５が積層されている。この積層構造に光21が
入射したときに生ずる起電力は、裏面電極２に設けられ
た端子61とZnO膜５に設けられた端子62から負荷22に供
給される。この太陽電池の製造においては、活性層であ
るCuInSe2膜３の形成は最も重要な工程である。このCuI
nSe2膜の形成方法としては、三源同時蒸着法，二段階セ
レン化法，スパッタ法，スプレー法など種々の方法が試
みられているが、このうち、良好な太陽電池特性が得ら
れているのは、例えば雑誌「材料科学」第25巻,P.168
（1988年）に中田らによって述べられている三源同時蒸
着法および、例えば雑誌“J.Appl.Phys"66巻,P.6077に
J.Szotらによって述べられている二段階セレン化法であ
る。
において、表面平滑なものが入手しやすいガラス板１の
上に裏面電極としてのMo薄膜２が被着され、その上に１
〜３μｍ程度の厚さのｐ型のCuInSe2膜3,数百Åの厚さ
のｎ型のCdS膜４および約1.0μｍの厚さの透明導電膜で
あるZnO膜５が積層されている。この積層構造に光21が
入射したときに生ずる起電力は、裏面電極２に設けられ
た端子61とZnO膜５に設けられた端子62から負荷22に供
給される。この太陽電池の製造においては、活性層であ
るCuInSe2膜３の形成は最も重要な工程である。このCuI
nSe2膜の形成方法としては、三源同時蒸着法，二段階セ
レン化法，スパッタ法，スプレー法など種々の方法が試
みられているが、このうち、良好な太陽電池特性が得ら
れているのは、例えば雑誌「材料科学」第25巻,P.168
（1988年）に中田らによって述べられている三源同時蒸
着法および、例えば雑誌“J.Appl.Phys"66巻,P.6077に
J.Szotらによって述べられている二段階セレン化法であ
る。
三源同時蒸着法は、第４図に示すように真空容器10の
中にCu蒸発源11,In蒸発源12,Se蒸発源13を備えた蒸着装
置を用い、ヒータ14によって350〜400℃に加熱した基板
１の上にCu,In,Seをそれぞれ別々の蒸発源11,12,13から
同時に蒸着する。基板１の蒸発源側にはシャッタ15が配
置されている。そして、Cu,In用膜厚モニタ16,Se用膜厚
モニタ17を用いて各元素の蒸着量を測定し、蒸発源11,1
2,13の温度にフィードバックすることによって膜組成の
精密制御を行っている。これに対し、二段階セレン化法
は第５図の工程図に示すような工程で行われる。すなわ
ち、第６図（ａ）に示すようにガラス基板１の上にMo膜
２を被着したのち室温でCu膜18,In膜19,Se膜20を順次蒸
着してCu/In/Se 3層を積層したのち、これをN2中で350
〜400℃の温度で熱処理し、第６図（ｂ）に示すようなC
uInSe2膜３を形成する。
中にCu蒸発源11,In蒸発源12,Se蒸発源13を備えた蒸着装
置を用い、ヒータ14によって350〜400℃に加熱した基板
１の上にCu,In,Seをそれぞれ別々の蒸発源11,12,13から
同時に蒸着する。基板１の蒸発源側にはシャッタ15が配
置されている。そして、Cu,In用膜厚モニタ16,Se用膜厚
モニタ17を用いて各元素の蒸着量を測定し、蒸発源11,1
2,13の温度にフィードバックすることによって膜組成の
精密制御を行っている。これに対し、二段階セレン化法
は第５図の工程図に示すような工程で行われる。すなわ
ち、第６図（ａ）に示すようにガラス基板１の上にMo膜
２を被着したのち室温でCu膜18,In膜19,Se膜20を順次蒸
着してCu/In/Se 3層を積層したのち、これをN2中で350
〜400℃の温度で熱処理し、第６図（ｂ）に示すようなC
uInSe2膜３を形成する。
しかし、このような方法で得られるCuInSe2膜はミク
ロ的に見た時、非常に凹凸がはげしく、また不均一であ
り、そして異常な突起なども生成し易いため、CuInSe2
膜３と数百Åの非常に薄いCdS膜４でPN接合を形成し太
陽電池にした場合に良好な接合が形成されず、安定して
良い太陽電池特性が得られないということが明らかにな
った。すなわち、これらの方法により発明者らが形成し
た代表的なCuInSe2膜の破断面を走査型電子顕微鏡（SE
M）により観察した結果、両者共に凹凸のはげしい表面
形状であり、不均一であることがわかった。特に二段階
セレン化法によるCuInSe2膜は、表面の凹凸に対応してM
o膜との界面に空洞状のすき間が生じていた。これらの
現象について実験および解析を進めた結果、次のような
推定を行った。三源同時蒸着法の場合には、350〜400℃
に加熱した基板上にCu,In,Seが同時に飛来するため、蒸
着と同時に基板側からCuInSe2の結晶成長が進行し、そ
の結晶成長は基板表面での結晶核形成の影響を強く受
け、その結果として不均一な膜形成が起こり易いと考え
られる。一方、二段階セレン化法を行った場合のＸ線回
折パターンを第７図に示す。（ａ）はCu/In/Se三層積層
後、（ｂ）はそのあとの400℃,1時間の熱処理後の回折
パターンである。図に示すように、Cu/In/Seを室温で積
層したとき、CuとInは金属間化合物CuInの結晶を形成し
ており、その上に非晶質のSe層がのっているため、これ
を350〜400℃で熱処理した時金属間化合物CuInの結晶が
Se原子を取り込みながらカルコパイライト型構造のCuIn
Se2の結晶に変化する。この時に体積膨張が起きる。そ
のためこの方法ではCuInSe2膜表面の凹凸に対応してMo
膜との界面に空洞状のすき間が形成されると考えられ
る。
ロ的に見た時、非常に凹凸がはげしく、また不均一であ
り、そして異常な突起なども生成し易いため、CuInSe2
膜３と数百Åの非常に薄いCdS膜４でPN接合を形成し太
陽電池にした場合に良好な接合が形成されず、安定して
良い太陽電池特性が得られないということが明らかにな
った。すなわち、これらの方法により発明者らが形成し
た代表的なCuInSe2膜の破断面を走査型電子顕微鏡（SE
M）により観察した結果、両者共に凹凸のはげしい表面
形状であり、不均一であることがわかった。特に二段階
セレン化法によるCuInSe2膜は、表面の凹凸に対応してM
o膜との界面に空洞状のすき間が生じていた。これらの
現象について実験および解析を進めた結果、次のような
推定を行った。三源同時蒸着法の場合には、350〜400℃
に加熱した基板上にCu,In,Seが同時に飛来するため、蒸
着と同時に基板側からCuInSe2の結晶成長が進行し、そ
の結晶成長は基板表面での結晶核形成の影響を強く受
け、その結果として不均一な膜形成が起こり易いと考え
られる。一方、二段階セレン化法を行った場合のＸ線回
折パターンを第７図に示す。（ａ）はCu/In/Se三層積層
後、（ｂ）はそのあとの400℃,1時間の熱処理後の回折
パターンである。図に示すように、Cu/In/Seを室温で積
層したとき、CuとInは金属間化合物CuInの結晶を形成し
ており、その上に非晶質のSe層がのっているため、これ
を350〜400℃で熱処理した時金属間化合物CuInの結晶が
Se原子を取り込みながらカルコパイライト型構造のCuIn
Se2の結晶に変化する。この時に体積膨張が起きる。そ
のためこの方法ではCuInSe2膜表面の凹凸に対応してMo
膜との界面に空洞状のすき間が形成されると考えられ
る。
本発明の目的は、上述の問題を解決し基板上に形成さ
れた膜と基板との間に空洞状のすき間を生じることのな
く、さらには表面が均一ではげしい凹凸のないCuInSe2
系化合物薄膜の形成方法を提供することにある。
れた膜と基板との間に空洞状のすき間を生じることのな
く、さらには表面が均一ではげしい凹凸のないCuInSe2
系化合物薄膜の形成方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明のCuInSe2系化
合物薄膜の形成方法は、基板上にCu,InおよびSeを含有
する少なくともほぼ非晶質である膜を形成したのち加熱
して結晶化するものとする。そのような少なくともほぼ
非晶質である膜は、Cu,InおよびSeをそれぞれ別個の蒸
発源から同時に蒸発させ、200℃以下の温度の基板上に
真空蒸着することにより形成する。あるいはCuInSe2焼
結体をターゲツトとしたスパッタ法で200℃以下の温度
の基板上に形成する。そして、少なくともほぼ非晶質で
ある膜の結晶化は300〜500℃の温度で加熱することによ
り行うことが有効である。また、CuInSe2のInの1/3以下
をGaで、あるいはSeの一部をＳで置き換えたことも有効
である。さらに、基板の母材にセラミックス板あるいは
金属板を用いることができる。
合物薄膜の形成方法は、基板上にCu,InおよびSeを含有
する少なくともほぼ非晶質である膜を形成したのち加熱
して結晶化するものとする。そのような少なくともほぼ
非晶質である膜は、Cu,InおよびSeをそれぞれ別個の蒸
発源から同時に蒸発させ、200℃以下の温度の基板上に
真空蒸着することにより形成する。あるいはCuInSe2焼
結体をターゲツトとしたスパッタ法で200℃以下の温度
の基板上に形成する。そして、少なくともほぼ非晶質で
ある膜の結晶化は300〜500℃の温度で加熱することによ
り行うことが有効である。また、CuInSe2のInの1/3以下
をGaで、あるいはSeの一部をＳで置き換えたことも有効
である。さらに、基板の母材にセラミックス板あるいは
金属板を用いることができる。
ほぼ非晶質ないし非晶質である膜を加熱して結晶化す
ると、体積は収縮するため、基板との界面に空洞状のす
き間を生じさせることがない。そして、Cu,InおよびSe
を真空蒸着法あるいはスパッタ法で気相からSeの融点よ
り低い200℃以下の温度の基板に付着させると、SeがCu
とInの結合を妨げる結果、結晶化せず、Cu,In,Seが原子
レベルで良く混じり合った均一な非晶質膜が形成され
る。この非晶質膜を300〜500℃で熱処理するとカルコパ
イライト構造のCuInSe2結晶の結晶核形成が膜全体で均
一に起こり、そのため結晶粒の大きさが均一となり異常
な突起状の成長や表面のはげしい凹凸は生じることな
く、均一なCuInSe2膜が得られる。
ると、体積は収縮するため、基板との界面に空洞状のす
き間を生じさせることがない。そして、Cu,InおよびSe
を真空蒸着法あるいはスパッタ法で気相からSeの融点よ
り低い200℃以下の温度の基板に付着させると、SeがCu
とInの結合を妨げる結果、結晶化せず、Cu,In,Seが原子
レベルで良く混じり合った均一な非晶質膜が形成され
る。この非晶質膜を300〜500℃で熱処理するとカルコパ
イライト構造のCuInSe2結晶の結晶核形成が膜全体で均
一に起こり、そのため結晶粒の大きさが均一となり異常
な突起状の成長や表面のはげしい凹凸は生じることな
く、均一なCuInSe2膜が得られる。
本発明の一実施例のCuInSe2膜の形成は第２図の工程
図に示す工程で行われる。第１図はこの工程を第３図と
共通の部分に同一の符号を付した断面図で示すものであ
る。すなわち、第１図（ａ）に示すようにガラス板１の
上にスパッタ法により約１μｍの厚さのMo膜２を形成し
たものを基板とし、その上にCu,InおよびSeからなる非
晶質膜７を蒸着した。第８図はその蒸着に用いた蒸着装
置を示し、第４図と共通の部分には同一の符号が付され
ている。第４図の装置と異なりヒータ14を欠いている。
この装置を用い、基板１を加熱することなく室温のまま
とし、Cu蒸発源11,In蒸発源12およびSe蒸発源13からのC
u,InおよびSeの蒸着速度をそれぞれ膜厚モニタ16,17を
用いて制御し、Cu,InおよびSeが原子比でおよそ1:1:2.5
となるように制御した。このようにして室温で得られた
非晶質膜７を１気圧のN2中で400℃において１時間熱処
理した。第９図はこの400℃熱処理前後のＸ線回折測定
結果を示す。室温でCu,In,Seを同時に蒸着してできた膜
のＸ線回折パターン（ａ）には結晶ピークがほとんど見
られず、非晶質であることを示すゆるやかな曲線が見ら
れる。これを400℃で熱処理した後のＸ線回折パターン
（ｂ）には第７図（ｂ）と同様の結晶ピークが見られ、
カルコパイライト構造のCuInSe2結晶になっていること
を示している。このようにして第１図（ｂ）に示すよう
に形成されたCuInSe2膜３の膜組成をICP発光分析で調べ
た結果、熱処理前はおよそCu:In:Se＝1:1:2.5であった
のが400℃熱処理後はおよそCu:In:Se＝1:1:2になってい
た。また400℃熱処理後の膜の破断面をSEMで観察した結
果、従来の方法によって作成したCuInSe2膜に比べ表面
が平滑であり、結晶粒の大きさが均一であり、またMo膜
との界面に空洞状のすき間もなく良く蒸着していること
が確認された。このようにして形成したCuInSe2膜３の
上に第３図に示したようなCdS膜４を電子ビーム蒸着法
で形成後、Alを含むZnO膜５をスパッタ法で形成して作
製したCuInSe2薄膜太陽電池は安定して良い特性が得ら
れた。なお、第４図に示した真空蒸着装置を用いて基板
を200℃以下の温度に保持した場合も、室温の場合と同
様に良質のCuInSe2膜を形成することができた。
図に示す工程で行われる。第１図はこの工程を第３図と
共通の部分に同一の符号を付した断面図で示すものであ
る。すなわち、第１図（ａ）に示すようにガラス板１の
上にスパッタ法により約１μｍの厚さのMo膜２を形成し
たものを基板とし、その上にCu,InおよびSeからなる非
晶質膜７を蒸着した。第８図はその蒸着に用いた蒸着装
置を示し、第４図と共通の部分には同一の符号が付され
ている。第４図の装置と異なりヒータ14を欠いている。
この装置を用い、基板１を加熱することなく室温のまま
とし、Cu蒸発源11,In蒸発源12およびSe蒸発源13からのC
u,InおよびSeの蒸着速度をそれぞれ膜厚モニタ16,17を
用いて制御し、Cu,InおよびSeが原子比でおよそ1:1:2.5
となるように制御した。このようにして室温で得られた
非晶質膜７を１気圧のN2中で400℃において１時間熱処
理した。第９図はこの400℃熱処理前後のＸ線回折測定
結果を示す。室温でCu,In,Seを同時に蒸着してできた膜
のＸ線回折パターン（ａ）には結晶ピークがほとんど見
られず、非晶質であることを示すゆるやかな曲線が見ら
れる。これを400℃で熱処理した後のＸ線回折パターン
（ｂ）には第７図（ｂ）と同様の結晶ピークが見られ、
カルコパイライト構造のCuInSe2結晶になっていること
を示している。このようにして第１図（ｂ）に示すよう
に形成されたCuInSe2膜３の膜組成をICP発光分析で調べ
た結果、熱処理前はおよそCu:In:Se＝1:1:2.5であった
のが400℃熱処理後はおよそCu:In:Se＝1:1:2になってい
た。また400℃熱処理後の膜の破断面をSEMで観察した結
果、従来の方法によって作成したCuInSe2膜に比べ表面
が平滑であり、結晶粒の大きさが均一であり、またMo膜
との界面に空洞状のすき間もなく良く蒸着していること
が確認された。このようにして形成したCuInSe2膜３の
上に第３図に示したようなCdS膜４を電子ビーム蒸着法
で形成後、Alを含むZnO膜５をスパッタ法で形成して作
製したCuInSe2薄膜太陽電池は安定して良い特性が得ら
れた。なお、第４図に示した真空蒸着装置を用いて基板
を200℃以下の温度に保持した場合も、室温の場合と同
様に良質のCuInSe2膜を形成することができた。
このような新しい二段階法のCuInSe2膜の形成方法と
しては、他に室温付近での膜形成を蒸着ではなくスパッ
タ法などで行う方法も考えられる。その場合にはCuInSe
2の焼結体をターゲツトにする。この場合にも室温で形
成したスパッタ膜は非晶質に近いと考えられ、それを35
0〜400℃で熱処理すれば均一で良質な膜が得られると共
に、量産性も高い。
しては、他に室温付近での膜形成を蒸着ではなくスパッ
タ法などで行う方法も考えられる。その場合にはCuInSe
2の焼結体をターゲツトにする。この場合にも室温で形
成したスパッタ膜は非晶質に近いと考えられ、それを35
0〜400℃で熱処理すれば均一で良質な膜が得られると共
に、量産性も高い。
また、このようなCuInSe2膜形成法では一段階目で形
成する層がCu,In,Seを均一に含む少なくともほぼ非晶質
膜であるため、それを熱処理すると膜全体に均一な結晶
核形成が起こるので、結晶成長が基板の影響を受けにく
い。従ってガラスのような平滑な基板だけではなく第10
図のようにアルミナなどのセラミックスやステンレス鋼
などの金属などからなる板８を母材とし、その上にMo膜
２を被着した、凹凸面を有する基板上にも均一で良質な
CuInSe2膜を形成できる。凹凸のある基板は透過光の裏
面散乱を大きくするので、でき上がった太陽電池の変換
効率向上の効果も期待できる。
成する層がCu,In,Seを均一に含む少なくともほぼ非晶質
膜であるため、それを熱処理すると膜全体に均一な結晶
核形成が起こるので、結晶成長が基板の影響を受けにく
い。従ってガラスのような平滑な基板だけではなく第10
図のようにアルミナなどのセラミックスやステンレス鋼
などの金属などからなる板８を母材とし、その上にMo膜
２を被着した、凹凸面を有する基板上にも均一で良質な
CuInSe2膜を形成できる。凹凸のある基板は透過光の裏
面散乱を大きくするので、でき上がった太陽電池の変換
効率向上の効果も期待できる。
なお、CuInSe2膜のInの一部をGa/In≦0.5の範囲でGa
で置き換えたものや、Seの一部をＳで置き換えたものに
も本発明は同様に有効に実施できる。
で置き換えたものや、Seの一部をＳで置き換えたものに
も本発明は同様に有効に実施できる。
本発明によれば、基板上に結晶化時に収縮する少なく
ともほぼ非晶質ないし非晶質である膜を先ず形成し、そ
の後加熱して結晶化させることにより、基板との界面に
空洞状のすき間のないCuInSe2系化合物薄膜を形成する
ことができる。そしてそのようなほぼ非晶質ないし非晶
質の膜はCu,In,Seを別個の蒸発源から蒸発させるか、Cu
InSe2焼結体ターゲツトをスパッタして200℃以下の温度
の基板上に付着させることにより、容易に均一に形成で
き、結晶化によって生ずる膜も均一になる。また、結晶
化は300〜500℃の熱処理で有効に起こすことができる。
そのほか、Inの一部をGaで、Seの一部をＳで置き換えて
特性を制御することも可能であり、さらに基板の母材に
セラミックス板あるいは金属板を用いて表面に凹凸を有
し、太陽電池に用いる場合にCuInSe2系薄膜を透過した
光の裏面散乱を大きくする基板上にも成膜することがで
きる。
ともほぼ非晶質ないし非晶質である膜を先ず形成し、そ
の後加熱して結晶化させることにより、基板との界面に
空洞状のすき間のないCuInSe2系化合物薄膜を形成する
ことができる。そしてそのようなほぼ非晶質ないし非晶
質の膜はCu,In,Seを別個の蒸発源から蒸発させるか、Cu
InSe2焼結体ターゲツトをスパッタして200℃以下の温度
の基板上に付着させることにより、容易に均一に形成で
き、結晶化によって生ずる膜も均一になる。また、結晶
化は300〜500℃の熱処理で有効に起こすことができる。
そのほか、Inの一部をGaで、Seの一部をＳで置き換えて
特性を制御することも可能であり、さらに基板の母材に
セラミックス板あるいは金属板を用いて表面に凹凸を有
し、太陽電池に用いる場合にCuInSe2系薄膜を透過した
光の裏面散乱を大きくする基板上にも成膜することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例のCuInSe2系薄膜形成工程を
（ａ），（ｂ）の順に示す断面図、第２図はその工程
図、第３図はCuInSe2薄膜太陽電池の断面図、第４図は
従来の三源同時蒸着法によるCuInSe2膜形成に用いられ
る真空蒸着装置の断面図、第５図は従来の二段階セレン
化法によるCuInSe2膜形成の工程図、第６図はその工程
を（ａ），（ｂ）の順に示す断面図、第７図は第5,第６
図に示した方法の熱処理前後のＸ線回折パターンを示す
図、第８図は本発明の一実施例に用いた真空蒸着装置の
断面図、第９図は本発明の一実施例における熱処理前後
のＸ線回折パターンを示す図、第10図は本発明の実施例
によるCuInSe2薄膜を用いた太陽電池の一例の断面図で
ある。 1:ガラス板、2:Mo膜、3:CuInSe2膜、4:CdS膜、5:ZnO
膜、7:非晶質膜、8:セラミックスまたは金属板、10:真
空容器、11:Cu蒸発源、12:In蒸発源、13:Se蒸発源。
（ａ），（ｂ）の順に示す断面図、第２図はその工程
図、第３図はCuInSe2薄膜太陽電池の断面図、第４図は
従来の三源同時蒸着法によるCuInSe2膜形成に用いられ
る真空蒸着装置の断面図、第５図は従来の二段階セレン
化法によるCuInSe2膜形成の工程図、第６図はその工程
を（ａ），（ｂ）の順に示す断面図、第７図は第5,第６
図に示した方法の熱処理前後のＸ線回折パターンを示す
図、第８図は本発明の一実施例に用いた真空蒸着装置の
断面図、第９図は本発明の一実施例における熱処理前後
のＸ線回折パターンを示す図、第10図は本発明の実施例
によるCuInSe2薄膜を用いた太陽電池の一例の断面図で
ある。 1:ガラス板、2:Mo膜、3:CuInSe2膜、4:CdS膜、5:ZnO
膜、7:非晶質膜、8:セラミックスまたは金属板、10:真
空容器、11:Cu蒸発源、12:In蒸発源、13:Se蒸発源。
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に銅，インジウムおよびセレンを含
有する少なくともほぼ非晶質である膜を形成したのち加
熱して結晶化するCuInSe2系化合物薄膜の形成方法であ
って、Cu,InおよびSeをそれぞれ別個の蒸発源から同時
に蒸発させ、200℃以下の温度の基板上に少なくともほ
ぼ非晶質である膜を真空蒸着することを特徴とするCuIn
Se2系化合物薄膜の形成方法。 - 【請求項２】基板上に銅，インジウムおよびセレンを含
有する少なくともほぼ非晶質である膜を形成したのち加
熱して結晶化するCuInSe2系化合物薄膜の形成方法であ
って、CuInSe2焼結体をターゲットとしたスパッタ法で2
00℃以下の温度の基板上に少なくともほぼ非晶質である
膜を形成することを特徴とするCuInSe2系化合物薄膜の
形成方法。 - 【請求項３】請求項１もしくは２記載のCuInSe2系化合
物薄膜の形成方法において、結晶化を300℃〜500℃の温
度で加熱することにより行うCuInSe2系化合物薄膜の形
成方法。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載のCuIn
Se2系化合物薄膜の形成方法において、CuInSe2のInの1/
3以下をGaで置き換えたCuInSe2系化合物薄膜の形成方
法。 - 【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載のCuIn
Se2系化合物薄膜の形成方法において、CuInSe2のSeの一
部をＳで置き換えたCuInSe2系化合物薄膜の形成方法。 - 【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載のCuIn
Se2系化合物薄膜の形成方法において、基板の母材にセ
ラミックス板を用いるCuInSe2系化合物薄膜の形成方
法。 - 【請求項７】請求項１ないし５のいずれかに記載のCuIn
Se2系化合物薄膜の形成方法において、基板の母材に金
属板を用いるCuInSe2系化合物薄膜の形成方法。
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