JP2003282600A - 光吸収層の作製方法および装置 - Google Patents
光吸収層の作製方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏
面電極上にＣｕ−Ｇａ合金層およびＩｎ層からなる積層
プリカーサを形成し、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することに
よってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製するに際して、光吸
収層における結晶化の不良による密着性の低下や導電性
をもった異層が生成されて太陽電池特性が劣化するのを
防止して、品質の良い光吸収層を作製する。 【構成】 裏面電極上にＩｎ層を形成し、その上にＣｕ
−Ｇａ合金層を形成し、さらにその上にＩｎ層を形成す
ることにより積層プリカーサを形成して、その積層プリ
カーサをＳｅ雰囲気中で熱処理したときに、裏面電極側
にＣｕ−Ｇａ−Ｓｅの異層が、また表面にＣｕ２Ｓｅの
異層が形成されることがなく、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ
化合物として組成の安定した光吸収層を作製するように
する。
面電極上にＣｕ−Ｇａ合金層およびＩｎ層からなる積層
プリカーサを形成し、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することに
よってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製するに際して、光吸
収層における結晶化の不良による密着性の低下や導電性
をもった異層が生成されて太陽電池特性が劣化するのを
防止して、品質の良い光吸収層を作製する。 【構成】 裏面電極上にＩｎ層を形成し、その上にＣｕ
−Ｇａ合金層を形成し、さらにその上にＩｎ層を形成す
ることにより積層プリカーサを形成して、その積層プリ
カーサをＳｅ雰囲気中で熱処理したときに、裏面電極側
にＣｕ−Ｇａ−Ｓｅの異層が、また表面にＣｕ２Ｓｅの
異層が形成されることがなく、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ
化合物として組成の安定した光吸収層を作製するように
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体による薄
膜太陽電池における光吸収層の作製方法および装置に関
する。
膜太陽電池における光吸収層の作製方法および装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、一般的な化合物半導体による薄
膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ
（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極（プラス電
極）となるＭｏ電極層２が成膜され、そのＭｏ電極層２
上に光吸収層５が成膜され、その光吸収層５上にＺｎ
Ｓ，ＣｄＳなどからなるバッファ層６を介して、マイナ
ス電極となるＺｎＯ：Ａｌなどからなる透明電極層７が
成膜されている。
膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ
（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極（プラス電
極）となるＭｏ電極層２が成膜され、そのＭｏ電極層２
上に光吸収層５が成膜され、その光吸収層５上にＺｎ
Ｓ，ＣｄＳなどからなるバッファ層６を介して、マイナ
ス電極となるＺｎＯ：Ａｌなどからなる透明電極層７が
成膜されている。
【０００３】その化合物半導体による薄膜太陽電池にお
ける光吸収層４としては、現在１８％を超す高いエネル
ギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇ
ａ），ＳｅをベースとしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２族系のＣ
ｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられ
ている。
ける光吸収層４としては、現在１８％を超す高いエネル
ギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇ
ａ），ＳｅをベースとしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２族系のＣ
ｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられ
ている。
【０００４】そのＣＩＧＳ薄膜は、それを蒸着法によっ
て形成すれば成膜の品質が良くなって高いエネルギー変
換効率が得られるが、成膜に時間を要して製品のスルー
プットが悪くなってしまう。
て形成すれば成膜の品質が良くなって高いエネルギー変
換効率が得られるが、成膜に時間を要して製品のスルー
プットが悪くなってしまう。
【０００５】また、スパッタ法によってＣＩＧＳ薄膜を
形成するようにすれば、高速での成膜が可能であり、タ
ーゲットの寿命が長いことにより原料供給回数が少な
く、ターゲット自体が安定なために成膜の品質に再現性
があるが、蒸着法に匹敵するエネルギー変換効率が得ら
れていないのが実状である。
形成するようにすれば、高速での成膜が可能であり、タ
ーゲットの寿命が長いことにより原料供給回数が少な
く、ターゲット自体が安定なために成膜の品質に再現性
があるが、蒸着法に匹敵するエネルギー変換効率が得ら
れていないのが実状である。
【０００６】その理由として、例えば、Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓ
ｅの各単体ターゲットを用いてＣＩＧＳ薄膜を形成する
に際して、主にＳｅターゲットから放出されるＳｅの負
イオンが成膜に衝撃によるダメージを与え、形成される
ＣＩＧＳ薄膜中に多くの欠陥を生じさせる原因となると
考えられている（Ｔ．Ｎａｋａｄａ ｅｔ ａｌ．“Ｃ
ｕＩｎＳｅ２ Ｆｉｌｍｓ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒ Ｃｅ
ｌｌｓ ｂｙ ｍｕｌｔｉ−Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｐｕｔｔ
ｅｒｉｎｇ ｏｆ Ｃｕ，Ｉｎ ａｎｄ Ｓｅ−Ｃｕ
Ｂｉｎａｒｙ Ａｌｏｙ”Ｐｒｏｃ．４ｔｈ Ｐｈｏｔ
ｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉ
ｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏｎｆ．１９８９．３７１−３７５
の文献参照）。
ｅの各単体ターゲットを用いてＣＩＧＳ薄膜を形成する
に際して、主にＳｅターゲットから放出されるＳｅの負
イオンが成膜に衝撃によるダメージを与え、形成される
ＣＩＧＳ薄膜中に多くの欠陥を生じさせる原因となると
考えられている（Ｔ．Ｎａｋａｄａ ｅｔ ａｌ．“Ｃ
ｕＩｎＳｅ２ Ｆｉｌｍｓ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒ Ｃｅ
ｌｌｓ ｂｙ ｍｕｌｔｉ−Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｐｕｔｔ
ｅｒｉｎｇ ｏｆ Ｃｕ，Ｉｎ ａｎｄ Ｓｅ−Ｃｕ
Ｂｉｎａｒｙ Ａｌｏｙ”Ｐｒｏｃ．４ｔｈ Ｐｈｏｔ
ｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉ
ｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏｎｆ．１９８９．３７１−３７５
の文献参照）。
【０００７】そのために、スパッタ法によりＳｅを供給
する方法でＣＩＧＳ薄膜を形成した太陽電池の光電変換
効率は６−８％程度にとどまっている。
する方法でＣＩＧＳ薄膜を形成した太陽電池の光電変換
効率は６−８％程度にとどまっている。
【０００８】また、このＳｅの負イオンによるダメージ
を回避するために、ＣＩＧＳ薄膜を形成する際に、Ｓｅ
供給のみをスパッタ法ではなく蒸着法で行う試みがなさ
れ、光電変換効率が１０％を超す太陽電池が得られたと
いう報告がある（Ｔ．Ｎａｋａｄａ ｅｔａｌ．“Ｍｉ
ｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｐｕｔｔｅｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｅ
ｄＣｕＩｎＳｅｚトＩｊｃｒｏｓｔｒｕ（比ιｌｒｅＣ
Ｉ１ａｒａｃｔｅｒｉｚａＬｉｏｎｆｏｌ’Ｓｌ）ｌＪ
Ｌｔｅｒ−ＤｅＰｏｓｉｔｅｄ ＣｕＩｎＳｅ２ Ｆｉ
ｌｍｓ ａｎｄＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ”Ｊｐｎ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３４ １９９５．
４７１５−４７２１の文献参照）。
を回避するために、ＣＩＧＳ薄膜を形成する際に、Ｓｅ
供給のみをスパッタ法ではなく蒸着法で行う試みがなさ
れ、光電変換効率が１０％を超す太陽電池が得られたと
いう報告がある（Ｔ．Ｎａｋａｄａ ｅｔａｌ．“Ｍｉ
ｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｐｕｔｔｅｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｅ
ｄＣｕＩｎＳｅｚトＩｊｃｒｏｓｔｒｕ（比ιｌｒｅＣ
Ｉ１ａｒａｃｔｅｒｉｚａＬｉｏｎｆｏｌ’Ｓｌ）ｌＪ
Ｌｔｅｒ−ＤｅＰｏｓｉｔｅｄ ＣｕＩｎＳｅ２ Ｆｉ
ｌｍｓ ａｎｄＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ”Ｊｐｎ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３４ １９９５．
４７１５−４７２１の文献参照）。
【０００９】しかしながら、この方法では、ＣｕやＩｎ
の単体ターゲットの表面が蒸着によるＳｅ蒸気によって
汚染されて、その表面にＣｕＳｅやＩｎＳｅといった化
合物が生成されてしまい、スパッタリングが不安定にな
っている。
の単体ターゲットの表面が蒸着によるＳｅ蒸気によって
汚染されて、その表面にＣｕＳｅやＩｎＳｅといった化
合物が生成されてしまい、スパッタリングが不安定にな
っている。
【００１０】また、従来、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層
を形成する他の方法として、金属プリカーサ（前駆体）
薄膜を用いて、Ｈ２Ｓｅガス等のＳｅソースを用いた熱
化学反応でＳｅ化合物を生成するセレン化法がある。
を形成する他の方法として、金属プリカーサ（前駆体）
薄膜を用いて、Ｈ２Ｓｅガス等のＳｅソースを用いた熱
化学反応でＳｅ化合物を生成するセレン化法がある。
【００１１】米国特許第４７９８６６０号明細書には、
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、金属裏面電
極層→純Ｃｕ単独層→純Ｉｎ単独層の順に積層する構造
で形成した金属薄膜層をＳｅ雰囲気、望ましくはＨ２Ｓ
ｅガス中でセレン化することで均一な組成のＣＩＳ単相
からなる光吸収層を形成することが開示されている。
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、金属裏面電
極層→純Ｃｕ単独層→純Ｉｎ単独層の順に積層する構造
で形成した金属薄膜層をＳｅ雰囲気、望ましくはＨ２Ｓ
ｅガス中でセレン化することで均一な組成のＣＩＳ単相
からなる光吸収層を形成することが開示されている。
【００１２】特開平１０−１３５４９５号明細書には、
金属プリカーサとして、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットを
用いてスパッタ成膜された金属薄膜と、Ｉｎターゲット
を用いてスパッタ成膜された金属薄膜との積層構造によ
るものが示されている。
金属プリカーサとして、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットを
用いてスパッタ成膜された金属薄膜と、Ｉｎターゲット
を用いてスパッタ成膜された金属薄膜との積層構造によ
るものが示されている。
【００１３】それは、図２に示すように、ＳＬＧ（ソー
ダライムガラス）基板１に成膜されているＭｏ電極層２
上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を形成するに際、先
にＣｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ２を用いた第１のスパ
ッタ工程ＳＰＴ−１′によってＣｕ−Ｇａ合金層３１を
成膜し、次いで、ＩｎターゲットＴ１を用いた第２のス
パッタ工程ＳＰＴ−２′によってＩｎ層３２を成膜し
て、Ｃｕ−Ｇａ合金層３１、Ｉｎ層３２による積層プリ
カーサ３′を形成するようにしている。そして、熱処理
工程ＨＥＡＴにおいて、その積層プリカーサ３′をＳｅ
雰囲気中で熱処理することにより、ＣＩＧＳ薄膜による
光吸収層５を作製するようにしている。
ダライムガラス）基板１に成膜されているＭｏ電極層２
上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を形成するに際、先
にＣｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ２を用いた第１のスパ
ッタ工程ＳＰＴ−１′によってＣｕ−Ｇａ合金層３１を
成膜し、次いで、ＩｎターゲットＴ１を用いた第２のス
パッタ工程ＳＰＴ−２′によってＩｎ層３２を成膜し
て、Ｃｕ−Ｇａ合金層３１、Ｉｎ層３２による積層プリ
カーサ３′を形成するようにしている。そして、熱処理
工程ＨＥＡＴにおいて、その積層プリカーサ３′をＳｅ
雰囲気中で熱処理することにより、ＣＩＧＳ薄膜による
光吸収層５を作製するようにしている。
【００１４】しかし、Ｃｕ−Ｇａ合金層３１とＩｎ層３
２との積層構造によるプリカーサ３′を形成するので
は、成膜時やそのストック時に、その積層の界面で固層
拡散（固体間の拡散）による合金化反応が進行して、Ｃ
ｕ−Ｉｎ−Ｇａの３元合金が形成されてしまう。また、
後で行われるＳｅ化工程においても合金化反応は進行す
る。このプリカーサ３′の積層の界面における合金化反
応の進行をサンプル間で一様に管理することは難しく
（温度や時間等の合金化反応に関与するパラメータの管
理が必要となる）、得られる光吸収層５の品質がばらつ
いてしまう。そして、Ｉｎ層３２が凝集し、面内での組
成不均一が生じやすいものになってしまう。
２との積層構造によるプリカーサ３′を形成するので
は、成膜時やそのストック時に、その積層の界面で固層
拡散（固体間の拡散）による合金化反応が進行して、Ｃ
ｕ−Ｉｎ−Ｇａの３元合金が形成されてしまう。また、
後で行われるＳｅ化工程においても合金化反応は進行す
る。このプリカーサ３′の積層の界面における合金化反
応の進行をサンプル間で一様に管理することは難しく
（温度や時間等の合金化反応に関与するパラメータの管
理が必要となる）、得られる光吸収層５の品質がばらつ
いてしまう。そして、Ｉｎ層３２が凝集し、面内での組
成不均一が生じやすいものになってしまう。
【００１５】そのため、Ｇａ濃度をＭｏ電極層２との界
面から表面に向かって低くなるようにＧａ濃度勾配をも
たせるようにすることが提案されている。
面から表面に向かって低くなるようにＧａ濃度勾配をも
たせるようにすることが提案されている。
【００１６】しかし、このような従来の光吸収層の形成
方法では、ＧａがＭｏ電極層２とＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ層と
の界面に偏析するために、Ｍｏ電極層２とＣＩＧＳ薄膜
による光吸収層５との密着不良の問題をきたして、電池
特性の劣化の要因となっている。
方法では、ＧａがＭｏ電極層２とＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ層と
の界面に偏析するために、Ｍｏ電極層２とＣＩＧＳ薄膜
による光吸収層５との密着不良の問題をきたして、電池
特性の劣化の要因となっている。
【００１７】また、特開平１０−１３５４９５号に記載
されているような光吸収層の作製方法を含めて、セレン
化法では金属は薄膜中にＳｅが取り込まれたカルコパイ
ライト結晶が成長する際に、図３に示すように、当初の
Ｃｕ−Ｇａ合金層３１およびＩｎ層３２からなる積層プ
リカーサ膜３′の約２倍の体積膨張をともなう。図中、
ａは熱処理によるセレン化前の状態を、ｂはセレン化に
よって体積が膨張した状態を示している。
されているような光吸収層の作製方法を含めて、セレン
化法では金属は薄膜中にＳｅが取り込まれたカルコパイ
ライト結晶が成長する際に、図３に示すように、当初の
Ｃｕ−Ｇａ合金層３１およびＩｎ層３２からなる積層プ
リカーサ膜３′の約２倍の体積膨張をともなう。図中、
ａは熱処理によるセレン化前の状態を、ｂはセレン化に
よって体積が膨張した状態を示している。
【００１８】体積膨張が起きる際にはＣｕ，Ｇａ，Ｉｎ
の各構成元素が固相において拡散する現象をともなうた
め、個々の元素がもつ薄膜中における拡散係数の差によ
り薄膜の厚さ方向における組成の分布が生ずる。
の各構成元素が固相において拡散する現象をともなうた
め、個々の元素がもつ薄膜中における拡散係数の差によ
り薄膜の厚さ方向における組成の分布が生ずる。
【００１９】図４はＣｕ−Ｇａ合金層３１の上にＩｎ層
３２を設けた従来の積層プリカーサ膜３′を熱処理した
ときのＣＩＧＳ薄膜の厚さ方向におけるＣｕ，Ｇａ，Ｉ
ｎの各組成の分布状態を示している。
３２を設けた従来の積層プリカーサ膜３′を熱処理した
ときのＣＩＧＳ薄膜の厚さ方向におけるＣｕ，Ｇａ，Ｉ
ｎの各組成の分布状態を示している。
【００２０】図４の特性からして、構成元素のなかでＧ
ａの拡散係数はＣｕやＩｎに比べて小さいため、Ｃｕ−
Ｇａ合金層３１の上にＩｎ層３２を設けた従来の積層プ
リカーサ膜３′では、体積膨張をともなう結晶成長過程
の際に薄膜表面付近ではＧａ濃度が低くなり、裏面電極
となるＭｏ電極層２側では拡散しにくいＧａが局在して
しまう傾向にある。また、上部にあるＩｎ層３２におけ
るＩｎ成分がＣｕ−Ｇａ合金層３１内に均等に拡散せ
ず、Ｍｏ電極層２側のＩｎ成分の分布が少なくなってし
まう。
ａの拡散係数はＣｕやＩｎに比べて小さいため、Ｃｕ−
Ｇａ合金層３１の上にＩｎ層３２を設けた従来の積層プ
リカーサ膜３′では、体積膨張をともなう結晶成長過程
の際に薄膜表面付近ではＧａ濃度が低くなり、裏面電極
となるＭｏ電極層２側では拡散しにくいＧａが局在して
しまう傾向にある。また、上部にあるＩｎ層３２におけ
るＩｎ成分がＣｕ−Ｇａ合金層３１内に均等に拡散せ
ず、Ｍｏ電極層２側のＩｎ成分の分布が少なくなってし
まう。
【００２１】その結果、Ｍｏ電極層２側にはＩｎ成分の
割合が低いＣｕ−Ｇａ−Ｓｅに近い化合物の層５′が形
成される。このＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ化合物の層５′は結晶
性が悪く構造的に脆いものとなり、それが原因となって
ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５とＭｏ電極層２との界面
での密着性が悪くなり、直列抵抗の増大や剥離の要因と
なってしまう。また、その形成されたＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ
化合物の層５′はその電気的特性が金属に近いものとな
って、図５に示すように、複数のセルを直列接続した太
陽電池ユニットとしたときに各セルのＭｏ電極層２間に
リーク（矢印で示す）が生ずる要因となってしまう。
割合が低いＣｕ−Ｇａ−Ｓｅに近い化合物の層５′が形
成される。このＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ化合物の層５′は結晶
性が悪く構造的に脆いものとなり、それが原因となって
ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５とＭｏ電極層２との界面
での密着性が悪くなり、直列抵抗の増大や剥離の要因と
なってしまう。また、その形成されたＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ
化合物の層５′はその電気的特性が金属に近いものとな
って、図５に示すように、複数のセルを直列接続した太
陽電池ユニットとしたときに各セルのＭｏ電極層２間に
リーク（矢印で示す）が生ずる要因となってしまう。
【００２２】また、セレン化に際して、作製される光吸
収層の表面において、Ｃｕ成分とＳｅ成分とが結合して
低抵抗のＣｕ２Ｓｅが形成される場合には、透明電極側
でのリークの原因となってしまう。
収層の表面において、Ｃｕ成分とＳｅ成分とが結合して
低抵抗のＣｕ２Ｓｅが形成される場合には、透明電極側
でのリークの原因となってしまう。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電
極上にＣｕ−Ｇａ合金層およびＩｎ層からなる積層プリ
カーサ膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することに
よってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製するに際して、Ｇａ
が裏面電極との界面に偏析するために、裏面電極とＣＩ
ＧＳ薄膜による光吸収層との密着不良および複数のセル
を直列接続したときの各セル間のリークの問題をきたし
て、電池特性の劣化の要因となっていることである。
点は、化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電
極上にＣｕ−Ｇａ合金層およびＩｎ層からなる積層プリ
カーサ膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することに
よってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製するに際して、Ｇａ
が裏面電極との界面に偏析するために、裏面電極とＣＩ
ＧＳ薄膜による光吸収層との密着不良および複数のセル
を直列接続したときの各セル間のリークの問題をきたし
て、電池特性の劣化の要因となっていることである。
【００２４】また、セレン化に際して、作製される光吸
収層の表面において、Ｃｕ成分とＳｅ成分とが結合して
低抵杭のＣｕ２Ｓｅが形成される場合には、透明電極側
でのリークの原因となってしまうことである。
収層の表面において、Ｃｕ成分とＳｅ成分とが結合して
低抵杭のＣｕ２Ｓｅが形成される場合には、透明電極側
でのリークの原因となってしまうことである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明は、化合物半導体
による薄膜太陽電池における裏面電極上にＣｕ−Ｇａ合
金層およびＩｎ層からなる積層プリカーサ膜を形成し、
Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光
吸収層を作製するに際して、Ｇａが裏面電極との界面に
偏析して、裏面電極とＣＩＧＳ薄膜による光吸収層との
密着不良および複数のセルを直列接続したときの各セル
間のリークの問題をきたして電池特性が劣化することが
ないようにしている。そして、セレン化に際して、作製
される光吸収層の表面において、Ｃｕ成分とＳｅ成分と
が結合して低抵抗のＣｕ２Ｓｅが形成されることがない
ようにしている。
による薄膜太陽電池における裏面電極上にＣｕ−Ｇａ合
金層およびＩｎ層からなる積層プリカーサ膜を形成し、
Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光
吸収層を作製するに際して、Ｇａが裏面電極との界面に
偏析して、裏面電極とＣＩＧＳ薄膜による光吸収層との
密着不良および複数のセルを直列接続したときの各セル
間のリークの問題をきたして電池特性が劣化することが
ないようにしている。そして、セレン化に際して、作製
される光吸収層の表面において、Ｃｕ成分とＳｅ成分と
が結合して低抵抗のＣｕ２Ｓｅが形成されることがない
ようにしている。
【００２６】具体的には、裏面電極上にＩｎ層を形成
し、その上にＣｕ−Ｇａ合金層を形成し、さらにその上
にＩｎ層を形成することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金層をＩ
ｎ層で挟んだ構造の積層プリカーサ膜を形成するように
している。それにより、その積層プリカーサ膜をＳｅ雰
囲気中で熱処理したときに裏面電極との界面におけるＧ
ａ濃度を下げるとともに、作製される光吸収層の表面で
Ｃｕ成分とＳｅとが結合しないようにして、裏面電極側
と表面とに電池特性を劣化させる異層が形成されること
のない、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ化合物として組成の安
定した光吸収層を作製できるようにしている。
し、その上にＣｕ−Ｇａ合金層を形成し、さらにその上
にＩｎ層を形成することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金層をＩ
ｎ層で挟んだ構造の積層プリカーサ膜を形成するように
している。それにより、その積層プリカーサ膜をＳｅ雰
囲気中で熱処理したときに裏面電極との界面におけるＧ
ａ濃度を下げるとともに、作製される光吸収層の表面で
Ｃｕ成分とＳｅとが結合しないようにして、裏面電極側
と表面とに電池特性を劣化させる異層が形成されること
のない、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ化合物として組成の安
定した光吸収層を作製できるようにしている。
【００２７】また、本発明は、このような電池特性に優
れた太陽電池における光吸収層を効率良く量産できるよ
うにするべく、ヒータによって内部が一定温度に保持さ
れ、内部に予め多数用意されている基板上に裏面電極が
形成されている基材を順次供給する基材供給室と、連続
して供給される基材を搬送しながら、第１のスパッタリ
ング部において基材の裏面電極上にＩｎ層を形成し、続
けて第２のスパッタリング部においてその基材のＩｎ層
上にＣｕ−Ｇａ合金層を形成し、続けて第３のスパッタ
リング部においてその基材のＣｕ−Ｇａ合金層上にＩｎ
層を形成するスパッタリング室と、そのスパッタリング
室から次々と送り出されてくる積層プリカーサ膜が形成
された基材を一時貯えて冷却する基材冷却室とからなる
インライン成膜装置と、基材冷却室において冷却した基
材を複数一括してＳｅ雰囲気中で熱処理するアニール装
置とによって光吸収層の作製装置を構成するようにして
いる。
れた太陽電池における光吸収層を効率良く量産できるよ
うにするべく、ヒータによって内部が一定温度に保持さ
れ、内部に予め多数用意されている基板上に裏面電極が
形成されている基材を順次供給する基材供給室と、連続
して供給される基材を搬送しながら、第１のスパッタリ
ング部において基材の裏面電極上にＩｎ層を形成し、続
けて第２のスパッタリング部においてその基材のＩｎ層
上にＣｕ−Ｇａ合金層を形成し、続けて第３のスパッタ
リング部においてその基材のＣｕ−Ｇａ合金層上にＩｎ
層を形成するスパッタリング室と、そのスパッタリング
室から次々と送り出されてくる積層プリカーサ膜が形成
された基材を一時貯えて冷却する基材冷却室とからなる
インライン成膜装置と、基材冷却室において冷却した基
材を複数一括してＳｅ雰囲気中で熱処理するアニール装
置とによって光吸収層の作製装置を構成するようにして
いる。
【００２８】
【実施例】本発明による光吸収層の作製方法にあって
は、図６に示すように、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）
基板１に成膜されているＭｏ電極層２上にＣＩＧＳ薄膜
による光吸収層５を作製するに際して、Ｉｎ単体ターゲ
ットＴ１を用いた第１のスパッタリング工程ＳＰＴ−１
によってＭｏ電極層２上にＩｎ層４１を成膜し、その上
にＣｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ２を用いた第２のスパ
ッタリング工程ＳＰＴ−２によってＣｕ−Ｇａ合金層４
２を成膜し、さらにその上にＩｎ単体ターゲットＴ１を
用いた第３のスパッタリング工程ＳＰＴ−３によってＩ
ｎ層４３を成膜して、Ｃｕ−Ｇａ合金層４２をＩｎ層４
１，４３によって挟んだ構造の積層プリカーサ４を形成
するようにしている。そして、熱処理工程ＨＥＡＴにお
いて、その積層プリカーサ４をＳｅ雰囲気中で熱処理す
ることにより、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製す
るようにしている。
は、図６に示すように、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）
基板１に成膜されているＭｏ電極層２上にＣＩＧＳ薄膜
による光吸収層５を作製するに際して、Ｉｎ単体ターゲ
ットＴ１を用いた第１のスパッタリング工程ＳＰＴ−１
によってＭｏ電極層２上にＩｎ層４１を成膜し、その上
にＣｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ２を用いた第２のスパ
ッタリング工程ＳＰＴ−２によってＣｕ−Ｇａ合金層４
２を成膜し、さらにその上にＩｎ単体ターゲットＴ１を
用いた第３のスパッタリング工程ＳＰＴ−３によってＩ
ｎ層４３を成膜して、Ｃｕ−Ｇａ合金層４２をＩｎ層４
１，４３によって挟んだ構造の積層プリカーサ４を形成
するようにしている。そして、熱処理工程ＨＥＡＴにお
いて、その積層プリカーサ４をＳｅ雰囲気中で熱処理す
ることにより、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を作製す
るようにしている。
【００２９】このように、本発明によれば、Ｍｏ電極層
２上にＩｎ層４１を設けたうえで、その上にＣｕ−Ｇａ
合金層４２を設けるようにしているので、Ｍｏ電極層２
との界面における元素の固層拡散による合金化を抑制す
ることができる。そして、積層プリカーサ４をＳｅ雰囲
気中で熱処理してセレン化する際に、Ｍｏ電極層２側に
Ｉｎ成分を充分に拡散させることができるとともに、拡
散速度の遅いＧａがＭｏ電極層２との界面に偏析して結
晶性の悪いＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ層が形成されることがなく
なる。また、表面がＩｎ層４３によって被覆されている
ので、セレン化によって作製される光吸収層５の表面に
Ｃｕ２Ｓｅが生成されることがなくなる。
２上にＩｎ層４１を設けたうえで、その上にＣｕ−Ｇａ
合金層４２を設けるようにしているので、Ｍｏ電極層２
との界面における元素の固層拡散による合金化を抑制す
ることができる。そして、積層プリカーサ４をＳｅ雰囲
気中で熱処理してセレン化する際に、Ｍｏ電極層２側に
Ｉｎ成分を充分に拡散させることができるとともに、拡
散速度の遅いＧａがＭｏ電極層２との界面に偏析して結
晶性の悪いＣｕ−Ｇａ−Ｓｅ層が形成されることがなく
なる。また、表面がＩｎ層４３によって被覆されている
ので、セレン化によって作製される光吸収層５の表面に
Ｃｕ２Ｓｅが生成されることがなくなる。
【００３０】したがって、Ｍｏ電極層２と光吸収層５と
の間に、結晶性が悪くて構造的に脆く、かつ導電性を有
する異層（Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ）が介在するようなことが
なく、また光吸収層５の表面に導電性を有する異層（Ｃ
ｕ２Ｓｅ）が生成されることのない、均一な結晶による
高品質なＰ型半導体のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２による
ＣＩＧＳの光吸収層５を作製することができ、Ｍｏ電極
層２との密着性が高くて構造的に強固な、しかもリーク
のない電池特性の良好な太陽電池を得ることができるよ
うになる。
の間に、結晶性が悪くて構造的に脆く、かつ導電性を有
する異層（Ｃｕ−Ｇａ−Ｓｅ）が介在するようなことが
なく、また光吸収層５の表面に導電性を有する異層（Ｃ
ｕ２Ｓｅ）が生成されることのない、均一な結晶による
高品質なＰ型半導体のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２による
ＣＩＧＳの光吸収層５を作製することができ、Ｍｏ電極
層２との密着性が高くて構造的に強固な、しかもリーク
のない電池特性の良好な太陽電池を得ることができるよ
うになる。
【００３１】また、本発明は、図７に示すように、Ｍｏ
電極層２上に、Ｃｕ−Ｇａ合金層をＩｎ層によって挟ん
だ構造を多段に複数設けて、積層プリカーサ４′を形成
するようにしている。
電極層２上に、Ｃｕ−Ｇａ合金層をＩｎ層によって挟ん
だ構造を多段に複数設けて、積層プリカーサ４′を形成
するようにしている。
【００３２】ここでは、Ｍｏ電極層２上に、Ｉｎ層４
１、Ｃｕ−Ｇａ合金層４２、Ｉｎ層４３、Ｃｕ−Ｇａ合
金層４４、Ｉｎ層４５、Ｃｕ−Ｇａ合金層４６およびＩ
ｎ層４７を順次積層することによって、Ｃｕ−Ｇａ合金
層をＩｎ層によって挟んだ構造を３段に設けるようにし
ている。
１、Ｃｕ−Ｇａ合金層４２、Ｉｎ層４３、Ｃｕ−Ｇａ合
金層４４、Ｉｎ層４５、Ｃｕ−Ｇａ合金層４６およびＩ
ｎ層４７を順次積層することによって、Ｃｕ−Ｇａ合金
層をＩｎ層によって挟んだ構造を３段に設けるようにし
ている。
【００３３】このように、Ｍｏ電極層２側にＩｎ層４１
が、表面にＩｎ層４７が配され、その間にＣｕ−Ｇａ合
金層４２、Ｉｎ層４３、Ｃｕ−Ｇａ合金層４４、Ｉｎ層
４５およびＣｕ−Ｇａ合金層４６が均等に配分されてい
るので、より均一な結晶による高品質なＰ型半導体のＣ
ｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳの光吸収層５を
作製することができるようになる。
が、表面にＩｎ層４７が配され、その間にＣｕ−Ｇａ合
金層４２、Ｉｎ層４３、Ｃｕ−Ｇａ合金層４４、Ｉｎ層
４５およびＣｕ−Ｇａ合金層４６が均等に配分されてい
るので、より均一な結晶による高品質なＰ型半導体のＣ
ｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳの光吸収層５を
作製することができるようになる。
【００３４】図８は、本発明による方法を適用して光吸
収層を実際に作製するための量産用の装置の一構成例を
示している。
収層を実際に作製するための量産用の装置の一構成例を
示している。
【００３５】それは、ヒータ８によって内部が一定温度
に保持され、内部に予め多数用意されている基材（ＳＬ
Ｇ基板にＭｏ電極層が成膜されているもの）９を順次供
給する基材供給室Ｐ１と、連続して供給される基材９を
搬送しながら、Ｉｎの単体ターゲットＴ１を用いたスパ
ッタリング部ＳＰＴ１において基材９のＭｏ電極層上に
Ｉｎ層４１を形成し、続けてＣｕ−Ｇａ合金ターゲット
Ｔ２を用いたスパッタリング部ＳＰＴ２においてＩｎ層
４１上にＣｕ−Ｇａ合金層４２を形成し、続けてＩｎの
単体ターゲットＴ１を用いたスパッタリング部ＳＰＴ３
においてＣｕ−Ｇａ合金層４２上にＩｎ層４３を形成す
るスパッタリング室Ｐ２と、そのスパッタリング室Ｐ２
から次々と送り出されてくるＩｎ層４１、Ｃｕ−Ｇａ合
金層４２およびＩｎ層４３からなる積層プリカーサ４が
形成された基材９′を一時貯えて冷却する基材冷却室Ｐ
３とからなるインライン成膜装置Ａと、基材冷却室Ｐ３
において冷却した基材９′を複数一括してＳｅ雰囲気中
で熱処理するアニール装置Ｂとによって構成されてい
る。基材９，９′の搬送は、図示しないコントローラの
制御下において、スパッタリング部ＳＰＴ１、ＳＰＴ
２、ＳＰＴ３の動作状態に同期して行われるようになっ
ている。
に保持され、内部に予め多数用意されている基材（ＳＬ
Ｇ基板にＭｏ電極層が成膜されているもの）９を順次供
給する基材供給室Ｐ１と、連続して供給される基材９を
搬送しながら、Ｉｎの単体ターゲットＴ１を用いたスパ
ッタリング部ＳＰＴ１において基材９のＭｏ電極層上に
Ｉｎ層４１を形成し、続けてＣｕ−Ｇａ合金ターゲット
Ｔ２を用いたスパッタリング部ＳＰＴ２においてＩｎ層
４１上にＣｕ−Ｇａ合金層４２を形成し、続けてＩｎの
単体ターゲットＴ１を用いたスパッタリング部ＳＰＴ３
においてＣｕ−Ｇａ合金層４２上にＩｎ層４３を形成す
るスパッタリング室Ｐ２と、そのスパッタリング室Ｐ２
から次々と送り出されてくるＩｎ層４１、Ｃｕ−Ｇａ合
金層４２およびＩｎ層４３からなる積層プリカーサ４が
形成された基材９′を一時貯えて冷却する基材冷却室Ｐ
３とからなるインライン成膜装置Ａと、基材冷却室Ｐ３
において冷却した基材９′を複数一括してＳｅ雰囲気中
で熱処理するアニール装置Ｂとによって構成されてい
る。基材９，９′の搬送は、図示しないコントローラの
制御下において、スパッタリング部ＳＰＴ１、ＳＰＴ
２、ＳＰＴ３の動作状態に同期して行われるようになっ
ている。
【００３６】なお、インライン成膜装置Ａにおいて、Ｇ
ａ組成比の違うＣｕ−Ｇａターゲットを複数用いること
で、傾斜プロファイルを実現できるようになる。
ａ組成比の違うＣｕ−Ｇａターゲットを複数用いること
で、傾斜プロファイルを実現できるようになる。
【００３７】図９は、Ｈ２Ｓｅガス（濃度５％のＡｒガ
ス希釈）を用いた熱処理によって、熱化学反応（気相Ｓ
ｅ化）を生じさせて積層プリカーサ４から光吸収層５を
作製する際のコントローラによる炉内温度の制御特性の
一例を示している。
ス希釈）を用いた熱処理によって、熱化学反応（気相Ｓ
ｅ化）を生じさせて積層プリカーサ４から光吸収層５を
作製する際のコントローラによる炉内温度の制御特性の
一例を示している。
【００３８】ここでは、加熱を開始してから炉内温度が
１００℃に達したら炉内安定のために１０分間予熱する
ようにしている。そして、安定したランプアップ可能な
時間として３０分かけて、炉内温度をＳＬＧ基板の反り
が発生しないように、かつ高熱処理で高品質結晶にする
ことができる５００〜５２０℃にまで上げる。その際、
炉内温度が２３０〜２５０℃になった時点ｔ１からＨ２
Ｓｅガスの熱分解によるＳｅの供給が開始される。そし
て、高熱処理によって高品質結晶とするために炉内温度
を５００〜５２０℃に保った状態で、４０分間熱処理す
るようにしている。
１００℃に達したら炉内安定のために１０分間予熱する
ようにしている。そして、安定したランプアップ可能な
時間として３０分かけて、炉内温度をＳＬＧ基板の反り
が発生しないように、かつ高熱処理で高品質結晶にする
ことができる５００〜５２０℃にまで上げる。その際、
炉内温度が２３０〜２５０℃になった時点ｔ１からＨ２
Ｓｅガスの熱分解によるＳｅの供給が開始される。そし
て、高熱処理によって高品質結晶とするために炉内温度
を５００〜５２０℃に保った状態で、４０分間熱処理す
るようにしている。
【００３９】その際、加熱を開始してから炉内温度が１
００℃に達した時点から、低温でＨ２Ｓｅガスをチャー
ジして、炉内一定圧力に保った状態で熱処理する。そし
て、熱処理が終了したｔ２時点で、不要なＳｅの析出を
防ぐため、炉内を１００Ｐａ程度の低圧でＡｒガスに置
換するようにしている。
００℃に達した時点から、低温でＨ２Ｓｅガスをチャー
ジして、炉内一定圧力に保った状態で熱処理する。そし
て、熱処理が終了したｔ２時点で、不要なＳｅの析出を
防ぐため、炉内を１００Ｐａ程度の低圧でＡｒガスに置
換するようにしている。
【００４０】本発明は、積層プリカーサ４を形成するに
際して、Ｃｕ−Ｇａ合金とＩｎの組み合せに限らず、そ
の他Ｃｕ−Ｇａ合金またはＣｕ−Ａｌ合金とＩｎ−Ｃｕ
合金の組合せ、ＣｕとＩｎまたはＡｌの組合せ、Ｃｕと
Ｉｎ−Ｃｕ合金の組合せが可能である。基本的には、Ｉ
ｂ族金属−ＩＩＩｂ族金属の合金、Ｉｂ族金属、ＩＩＩ
ｂ族金属のうちの２種類を組み合せて用いるようにすれ
ばよい。
際して、Ｃｕ−Ｇａ合金とＩｎの組み合せに限らず、そ
の他Ｃｕ−Ｇａ合金またはＣｕ−Ａｌ合金とＩｎ−Ｃｕ
合金の組合せ、ＣｕとＩｎまたはＡｌの組合せ、Ｃｕと
Ｉｎ−Ｃｕ合金の組合せが可能である。基本的には、Ｉ
ｂ族金属−ＩＩＩｂ族金属の合金、Ｉｂ族金属、ＩＩＩ
ｂ族金属のうちの２種類を組み合せて用いるようにすれ
ばよい。
【００４１】
【効果】以上、本発明にあっては、化合物半導体による
薄膜太陽電池における裏面電極上にＣｕ−Ｇａ合金層お
よびＩｎ層からなる積層プリカーサ膜を形成し、Ｓｅ雰
囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層
を作製するに際して、裏面電極上にＩｎ層を形成し、そ
の上にＣｕ−Ｇａ合金層を形成し、さらにその上にＩｎ
層を形成することにより積層プリカーサ膜を形成して、
その積層プリカーサ膜をＳｅ雰囲気中で熱処理したとき
に、裏面電極側および表面に結晶性が悪く、また金属に
近い導電性をもった異層が生成されることがないように
して、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ化合物として組成の安定
した光吸収層を作製するようにしたもので、結晶化不良
による密着性の低下に起因する剥離や導電性を有するた
めのリークに起因する電池特性の劣化を防止して、品質
の良い光吸収層を得ることができるという利点を有して
いる。
薄膜太陽電池における裏面電極上にＣｕ−Ｇａ合金層お
よびＩｎ層からなる積層プリカーサ膜を形成し、Ｓｅ雰
囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層
を作製するに際して、裏面電極上にＩｎ層を形成し、そ
の上にＣｕ−Ｇａ合金層を形成し、さらにその上にＩｎ
層を形成することにより積層プリカーサ膜を形成して、
その積層プリカーサ膜をＳｅ雰囲気中で熱処理したとき
に、裏面電極側および表面に結晶性が悪く、また金属に
近い導電性をもった異層が生成されることがないように
して、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ化合物として組成の安定
した光吸収層を作製するようにしたもので、結晶化不良
による密着性の低下に起因する剥離や導電性を有するた
めのリークに起因する電池特性の劣化を防止して、品質
の良い光吸収層を得ることができるという利点を有して
いる。
【図１】一般的な化合物半導体による薄膜太陽電池の基
本的な構造を示す正断面図である。
本的な構造を示す正断面図である。
【図２】従来の裏面電極上に光吸収層を作製するプロセ
スを示す図である。
スを示す図である。
【図３】従来の積層プリカーサがセレン化される前後の
状態を示す正断面図である。
状態を示す正断面図である。
【図４】従来の積層プリカーサを熱処理したときのＣＩ
ＧＳ薄膜の厚さ方向における各組成の分布状態を示す特
性図である。
ＧＳ薄膜の厚さ方向における各組成の分布状態を示す特
性図である。
【図５】従来の積層プリカーサをセレン化したときのＭ
ｏ電極側に形成される異層によるリーク状態を示すセル
を直列接続した太陽電池ユニットを示す正断面図であ
る。
ｏ電極側に形成される異層によるリーク状態を示すセル
を直列接続した太陽電池ユニットを示す正断面図であ
る。
【図６】本発明によって裏面電極上に光吸収層を作製す
るプロセスを示す図である。
るプロセスを示す図である。
【図７】本発明による裏面電極上にＣｕ−Ｇａ合金層を
Ｉｎ層で挟んだ構造を多段に設けたときの積層プリカー
サの一例を示す正断面図である。
Ｉｎ層で挟んだ構造を多段に設けたときの積層プリカー
サの一例を示す正断面図である。
【図８】本発明によって光吸収層を実際に形成するため
の量産用の光吸収層形成装置の一例を示す簡略構成図で
ある。
の量産用の光吸収層形成装置の一例を示す簡略構成図で
ある。
【図９】本発明により積層プリカーサをＳｅ雰囲気中で
熱処理してＣＩＧＳ薄膜を形成する際の炉内温度の制御
特性の一例を示す図である。
熱処理してＣＩＧＳ薄膜を形成する際の炉内温度の制御
特性の一例を示す図である。
１ ＳＬＧ基板
２ Ｍｏ電極層
４ 積層プリカーサ
４１ Ｉｎ層
４２ Ｃｕ−Ｇａ合金層
４３ Ｉｎ層
５ 光吸収層
６ バッファ層
７ 透明電極層
Ｔ１ Ｉｎ単体ターゲット
Ｔ２ Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲット
ＳＰＴ１ 第１のスパッタリング工程
ＳＰＴ２ 第２のスパッタリング工程
ＳＰＴ３ 第３のスパッタリング工程
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小丸 貴史
埼玉県狭山市新狭山１丁目10番地１ ホン
ダエンジニアリング株式会社内
Ｆターム(参考） 4K029 AA09 BA10 BA21 BB02 CA05
DC03 DC04 GA01 KA09
5F051 AA09 BA14 BA17 CA32 CA36
FA02 FA06 FA13 FA15 GA03
HA20
5F103 AA08 DD28 LL04 PP03 PP20
RR05
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体による薄膜太陽電池におけ
る裏面電極上にＣｕ−Ｇａ合金層およびＩｎ層からなる
積層プリカーサ膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理す
ることによってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製する方法に
あって、裏面電極上にＩｎ層を形成し、その上にＣｕ−
Ｇａ合金層を形成し、さらにその上にＩｎ層を形成し
て、Ｃｕ−Ｇａ合金層をＩｎ層で挟んだ構造の積層プリ
カーサ膜を形成するようにしたことを特徴とする光吸収
層の作製方法。 - 【請求項２】 裏面電極上にＣｕ−Ｇａ合金層をＩｎ層
で挟んだ構造の積層プリカーサ膜を多段に複数形成した
ことを特徴とする請求項１の記載による光吸収層の作製
方法。 - 【請求項３】 Ｉｎ単体ターゲットを用いたスパッタリ
ング工程によってＩｎ層を形成し、Ｃｕ−Ｇａ合金ター
ゲットを用いたスパッタリング工程によってＣｕ−Ｇａ
合金層を形成するようにしたことを特徴とする請求項１
または請求項２の記載による光吸収層の作製方法。 - 【請求項４】 ヒータによって内部が一定温度に保持さ
れ、内部に予め多数用意されている基板上に裏面電極が
形成されている基材を順次供給する基材供給室と、連続
して供給される基材を搬送しながら、第１のスパッタリ
ング部において基材の裏面電極上にＩｎ層を形成し、続
けて第２のスパッタリング部においてその基材のＩｎ層
上にＣｕ−Ｇａ合金層を形成し、続けて第３のスパッタ
リング部においてその基材のＣｕ−Ｇａ合金層上にＩｎ
層を形成するスパッタリング室と、そのスパッタリング
室から次々と送り出されてくる積層プリカーサ膜が形成
された基材を一時貯えて冷却する基材冷却室とからなる
インライン成膜装置と、基材冷却室において冷却した基
材を複数一括してＳｅ雰囲気中で熱処理するアニール装
置とによって構成された光吸収層作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127612A JP2003282600A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 光吸収層の作製方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127612A JP2003282600A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 光吸収層の作製方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282600A true JP2003282600A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29243853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002127612A Pending JP2003282600A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 光吸収層の作製方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003282600A (ja) |
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-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002127612A patent/JP2003282600A/ja active Pending
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