JP2003188396A - 光吸収層の形成方法および装置 - Google Patents
光吸収層の形成方法および装置Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光吸収層の結晶化の不良による密着性の低下
に起因する太陽電池特性の劣化を防止して、品質の良い
光吸収層を形成する。 【構成】 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏
面電極となるＭｏ電極上にＧａを含むＩｂ族系金属元素
およびＩＩＩｂ族系金属元素からなるプリカーサ薄膜を
形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによってＣＩ
ＧＳ系の光吸収層を形成するに際して、Ｍｏ電極とプリ
カーサ薄膜との間にＧａ濃度をプリカーサ薄膜よりも低
くしたＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金属元素か
らなる緩衝用薄膜を形成したうえで、その緩衝用薄膜と
プリカーサ薄膜とをＳｅ雰囲気中で熱処理することによ
ってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成するようにする。
に起因する太陽電池特性の劣化を防止して、品質の良い
光吸収層を形成する。 【構成】 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏
面電極となるＭｏ電極上にＧａを含むＩｂ族系金属元素
およびＩＩＩｂ族系金属元素からなるプリカーサ薄膜を
形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによってＣＩ
ＧＳ系の光吸収層を形成するに際して、Ｍｏ電極とプリ
カーサ薄膜との間にＧａ濃度をプリカーサ薄膜よりも低
くしたＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金属元素か
らなる緩衝用薄膜を形成したうえで、その緩衝用薄膜と
プリカーサ薄膜とをＳｅ雰囲気中で熱処理することによ
ってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成するようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体による薄
膜太陽電池における光吸収層の形成方法および装置に関
する。
膜太陽電池における光吸収層の形成方法および装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、一般的な化合物半導体による薄
膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ
（ソーダライムガラス）基板１上にプラス電極となるＭ
ｏ電極層２が成膜され、そのＭｏ電極層２上に光吸収層
５が成膜され、その光吸収層５上にＺｎＳ，ＣｄＳなど
からなるバッファ層６を介して、マイナス電極となるＺ
ｎＯ：Ａｌなどからなる透明電極層７が成膜されてい
る。
膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ
（ソーダライムガラス）基板１上にプラス電極となるＭ
ｏ電極層２が成膜され、そのＭｏ電極層２上に光吸収層
５が成膜され、その光吸収層５上にＺｎＳ，ＣｄＳなど
からなるバッファ層６を介して、マイナス電極となるＺ
ｎＯ：Ａｌなどからなる透明電極層７が成膜されてい
る。
【０００３】その化合物半導体による薄膜太陽電池にお
ける光吸収層４としては、現在１８％を超す高いエネル
ギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇ
ａ），ＳｅをベースとしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２族系のＣ
ｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられ
ている。
ける光吸収層４としては、現在１８％を超す高いエネル
ギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇ
ａ），ＳｅをベースとしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２族系のＣ
ｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられ
ている。
【０００４】そのＣＩＧＳ薄膜は、それを蒸着法によっ
て形成すれば成膜の品質が良くなって高いエネルギー変
換効率が得られるが、成膜に時間を要して製品のスルー
プットが悪くなってしまう。
て形成すれば成膜の品質が良くなって高いエネルギー変
換効率が得られるが、成膜に時間を要して製品のスルー
プットが悪くなってしまう。
【０００５】また、スパッタ法によってＣＩＧＳ薄膜を
形成するようにすれば、高速での成膜が可能であり、タ
ーゲットの寿命が長いことにより原料供給回数が少な
く、ターゲット自体が安定なために成膜の品質に再現性
があるが、蒸着法に匹敵するエネルギー変換効率が得ら
れていないのが実状である。
形成するようにすれば、高速での成膜が可能であり、タ
ーゲットの寿命が長いことにより原料供給回数が少な
く、ターゲット自体が安定なために成膜の品質に再現性
があるが、蒸着法に匹敵するエネルギー変換効率が得ら
れていないのが実状である。
【０００６】その理由として、例えば、Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓ
ｅの各単体ターゲットを用いてＣＩＧＳ薄膜を形成する
に際して、主にＳｅターゲットから放出されるＳｅの負
イオンが成膜に衝撃によるダメージを与え、形成される
ＣＩＧＳ薄膜中に多くの欠陥を生じさせる原因となると
考えられている（Ｔ．Ｎａｋａｄａ ｅｔ ａｌ．“Ｃ
ｕＩｎＳｅ２ Ｆｉｌｍｓ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒ Ｃｅ
ｌｌｓ ｂｙ Ｍｕｌｔｉ−Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｐｕｔｔ
ｅｒｉｎｇ ｏｆ Ｃｕ，Ｉｎ ａｎｄ Ｓｅ−Ｃｕ
Ｂｉｎａｒｙ Ａｌｏｙ”Ｐｒｏｃ．４ｔｈ Ｐｈｏｔ
ｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉ
ｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏｎｆ．１９８９．３７１−３７５
の文献参照）。
ｅの各単体ターゲットを用いてＣＩＧＳ薄膜を形成する
に際して、主にＳｅターゲットから放出されるＳｅの負
イオンが成膜に衝撃によるダメージを与え、形成される
ＣＩＧＳ薄膜中に多くの欠陥を生じさせる原因となると
考えられている（Ｔ．Ｎａｋａｄａ ｅｔ ａｌ．“Ｃ
ｕＩｎＳｅ２ Ｆｉｌｍｓ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒ Ｃｅ
ｌｌｓ ｂｙ Ｍｕｌｔｉ−Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｐｕｔｔ
ｅｒｉｎｇ ｏｆ Ｃｕ，Ｉｎ ａｎｄ Ｓｅ−Ｃｕ
Ｂｉｎａｒｙ Ａｌｏｙ”Ｐｒｏｃ．４ｔｈ Ｐｈｏｔ
ｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉ
ｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏｎｆ．１９８９．３７１−３７５
の文献参照）。
【０００７】そのために、スパッタ法によりＳｅを供給
する方法でＣＩＧＳ薄膜を形成した太陽電池の光電変換
効率は６−８％程度にとどまっている。
する方法でＣＩＧＳ薄膜を形成した太陽電池の光電変換
効率は６−８％程度にとどまっている。
【０００８】また、このＳｅの負イオンによるダメージ
を回避するために、ＣＩＧＳ薄膜を形成する際に、Ｓｅ
供給のみをスパッタ法ではなく蒸着法で行う試みがなさ
れ、光電変換効率が１０％を超す太陽電池が得られたと
いう報告がある（Ｔ．Ｎａｋａｄａ ｅｔ ａｌ．“Ｍ
ｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚ
ａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｐｕｔｔｅｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｅｄ ＣｕＩｎＳｅ２Ｆｉｌｍｓ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏ
ｖｏｌｔａｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ”Ｊｐｎ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．３４ １９９５．４７１５−４７２１の文献
参照）。
を回避するために、ＣＩＧＳ薄膜を形成する際に、Ｓｅ
供給のみをスパッタ法ではなく蒸着法で行う試みがなさ
れ、光電変換効率が１０％を超す太陽電池が得られたと
いう報告がある（Ｔ．Ｎａｋａｄａ ｅｔ ａｌ．“Ｍ
ｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚ
ａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｐｕｔｔｅｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｅｄ ＣｕＩｎＳｅ２Ｆｉｌｍｓ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏ
ｖｏｌｔａｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ”Ｊｐｎ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．３４ １９９５．４７１５−４７２１の文献
参照）。
【０００９】しかしながら、この方法では、ＣｕやＩｎ
の単体ターゲットの表面が蒸着によるＳｅ蒸気によって
汚染されて、その表面にＣｕＳｅやＩｎＳｅといった化
合物が生成されてしまい、スパッタリングが不安定にな
っている。
の単体ターゲットの表面が蒸着によるＳｅ蒸気によって
汚染されて、その表面にＣｕＳｅやＩｎＳｅといった化
合物が生成されてしまい、スパッタリングが不安定にな
っている。
【００１０】また、従来、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層
を形成する他の方法として、金属プリカーサ（前駆体）
薄膜を用いて、Ｈ２Ｓｅガス等のＳｅソースを用いた熱
化学反応でＳｅ化合物を生成するセレン化法がある。
を形成する他の方法として、金属プリカーサ（前駆体）
薄膜を用いて、Ｈ２Ｓｅガス等のＳｅソースを用いた熱
化学反応でＳｅ化合物を生成するセレン化法がある。
【００１１】米国特許第４７９８６６０号明細書には、
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、金属裏面電
極層→純Ｃｕ単独層→純Ｉｎ単独層の順に積層する構造
で形成した金属薄膜層をＳｅ雰囲気、望ましくはＨ２Ｓ
ｅガス中でセレン化することで均一な組成のＣＩＳ単相
からなる光吸収層を形成することが開示されている。
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、金属裏面電
極層→純Ｃｕ単独層→純Ｉｎ単独層の順に積層する構造
で形成した金属薄膜層をＳｅ雰囲気、望ましくはＨ２Ｓ
ｅガス中でセレン化することで均一な組成のＣＩＳ単相
からなる光吸収層を形成することが開示されている。
【００１２】米国特許第４９１５７４５号明細書には、
Ｃｕ−Ｇａ合金層および純Ｉｎ層からなる積層プリカー
サ薄膜をＳｅ雰囲気で熱処理してＣＩＧＳ薄膜を形成す
ることが開示されている。この場合、ＣＩＧＳ薄膜に含
まれるＧａ成分が光吸収層の下側のＭｏ電極層側に偏析
して、それが接着剤として作用して光吸収層とＭｏ電極
層との間の密着性が高められて、太陽電池の特性が向上
するようになる。
Ｃｕ−Ｇａ合金層および純Ｉｎ層からなる積層プリカー
サ薄膜をＳｅ雰囲気で熱処理してＣＩＧＳ薄膜を形成す
ることが開示されている。この場合、ＣＩＧＳ薄膜に含
まれるＧａ成分が光吸収層の下側のＭｏ電極層側に偏析
して、それが接着剤として作用して光吸収層とＭｏ電極
層との間の密着性が高められて、太陽電池の特性が向上
するようになる。
【００１３】特開平１０−１３５４９５号明細書には、
金属プリカーサとして、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットを
用いてスパッタ成膜された金属薄膜と、Ｉｎターゲット
を用いてスパッタ成膜された金属薄膜との積造構造によ
るものが示されている。
金属プリカーサとして、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットを
用いてスパッタ成膜された金属薄膜と、Ｉｎターゲット
を用いてスパッタ成膜された金属薄膜との積造構造によ
るものが示されている。
【００１４】それは、図２に示すように、ＳＬＧ（ソー
ダライムガラス）基板１に成膜されているＭｏ電極層２
上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を形成するに際し
て、先にＣｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ１を用いた第１
のスパッタ工程ＳＰＴ−１によってＣｕ−Ｇａ金属薄膜
３１を成膜し、次いで、ＩｎターゲットＴ２を用いた第
２のスパッタ工程ＳＰＴ−２によってＩｎ金属薄膜３２
を成膜して、金属薄膜３１，３２による積層構造の金属
プリカーサ３′を形成するようにしている。そして、熱
処理工程ＨＥＡＴにおいて、その金属プリカーサ３′を
Ｓｅ雰囲気中で熱処理することにより、ＣＩＧＳ薄膜に
よる光吸収層５を形成するようにしている。
ダライムガラス）基板１に成膜されているＭｏ電極層２
上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を形成するに際し
て、先にＣｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ１を用いた第１
のスパッタ工程ＳＰＴ−１によってＣｕ−Ｇａ金属薄膜
３１を成膜し、次いで、ＩｎターゲットＴ２を用いた第
２のスパッタ工程ＳＰＴ−２によってＩｎ金属薄膜３２
を成膜して、金属薄膜３１，３２による積層構造の金属
プリカーサ３′を形成するようにしている。そして、熱
処理工程ＨＥＡＴにおいて、その金属プリカーサ３′を
Ｓｅ雰囲気中で熱処理することにより、ＣＩＧＳ薄膜に
よる光吸収層５を形成するようにしている。
【００１５】しかし、Ｃｕ−Ｇａ金属薄膜３１とＩｎ金
属薄膜３２との積層構造による金属プリカーサ３′を形
成するのでは、成膜時やそのストック時に、その積層の
界面で固層拡散（固体間の拡散）による合金化反応が進
行して、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａの３元合金が形成されてしま
う。また、後で行われるＳｅ化工程においても合金化反
応は進行する。この金属プリカーサ３′の積層の界面に
おける合金化反応の進行をサンプル間で一様に管理する
ことは難しく（温度や時間等の合金化反応に関与するパ
ラメータの管理が必要となる）、得られる光吸収層５の
品質がばらついてしまう。そして、Ｉｎ層が凝集し、面
内での組成不均一が生じやすいものになってしまう。
属薄膜３２との積層構造による金属プリカーサ３′を形
成するのでは、成膜時やそのストック時に、その積層の
界面で固層拡散（固体間の拡散）による合金化反応が進
行して、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａの３元合金が形成されてしま
う。また、後で行われるＳｅ化工程においても合金化反
応は進行する。この金属プリカーサ３′の積層の界面に
おける合金化反応の進行をサンプル間で一様に管理する
ことは難しく（温度や時間等の合金化反応に関与するパ
ラメータの管理が必要となる）、得られる光吸収層５の
品質がばらついてしまう。そして、Ｉｎ層が凝集し、面
内での組成不均一が生じやすいものになってしまう。
【００１６】そのため、Ｇａ濃度をＭｏ電極層２との界
面から表面に向かって低くなるようにＧａ濃度勾配をも
たせるようにすることが提案されている。
面から表面に向かって低くなるようにＧａ濃度勾配をも
たせるようにすることが提案されている。
【００１７】しかし、このような従来の光吸収層の形成
方法では、ＧａがＭｏ電極層２とＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ層と
の界面に偏析するために、Ｍｏ電極層２とＣＩＧＳ薄膜
による光吸収層５との密着不良の問題をきたして、電池
特性の劣化の要因となっている。
方法では、ＧａがＭｏ電極層２とＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ層と
の界面に偏析するために、Ｍｏ電極層２とＣＩＧＳ薄膜
による光吸収層５との密着不良の問題をきたして、電池
特性の劣化の要因となっている。
【００１８】その密着性改善策として、Ｍｏ電極層２上
にインジウムや鉛を電着して緩衝層とすることが考えら
れているが、さほどの効果が得られていない。また、Ｍ
ｏ電極層２との界面にＧａ、ＴｉまたはＴｅを積層した
うえで、ＣｕＩｎＳｅ２を形成することで一応の効果が
得られているが、その理由は解明されていない（特開平
２−９４６６９公報および特開平５−３１５６３３公報
参照）。
にインジウムや鉛を電着して緩衝層とすることが考えら
れているが、さほどの効果が得られていない。また、Ｍ
ｏ電極層２との界面にＧａ、ＴｉまたはＴｅを積層した
うえで、ＣｕＩｎＳｅ２を形成することで一応の効果が
得られているが、その理由は解明されていない（特開平
２−９４６６９公報および特開平５−３１５６３３公報
参照）。
【００１９】一般的に、裏面電極材料としてＭｏが採用
されている理由としては、導電率の観点からは最適材料
ではないが、それがＣｕＩｎＳｅ２と比較的反応しにく
く、入手しやすいためである。
されている理由としては、導電率の観点からは最適材料
ではないが、それがＣｕＩｎＳｅ２と比較的反応しにく
く、入手しやすいためである。
【００２０】また、特開平１０−３３０９３６号明細書
には、スパッタリングにより成膜される基材の温度上昇
を抑制して、高速での成膜を可能にするべく、同種の材
料による一対のターゲットを対向して設けて、その対向
する空間を囲むように磁界をかけることにより、その空
間にスパッタプラズマを捕捉して、その空間に対面する
ように側方に配設した基材上に成膜させるようにした対
向ターゲット式のスパッタリング装置が開示されてい
る。
には、スパッタリングにより成膜される基材の温度上昇
を抑制して、高速での成膜を可能にするべく、同種の材
料による一対のターゲットを対向して設けて、その対向
する空間を囲むように磁界をかけることにより、その空
間にスパッタプラズマを捕捉して、その空間に対面する
ように側方に配設した基材上に成膜させるようにした対
向ターゲット式のスパッタリング装置が開示されてい
る。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電
極となるＭｏ電極上にＧａを含むＩｂ族系金属元素およ
びＩＩＩｂ族系金属元素からなるプリカーサ薄膜を形成
して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ
系の光吸収層を形成するに際して、Ｇａの融点が高いた
めに、ＣｕＩｎＧａＳｅ２中のＧａ濃度が高くなって結
晶化が不充分となり、Ｍｏ電極に対する密着性が悪くな
る（剥離しやすくなる）とともに、電池特性が劣化して
しまうことである。
点は、化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電
極となるＭｏ電極上にＧａを含むＩｂ族系金属元素およ
びＩＩＩｂ族系金属元素からなるプリカーサ薄膜を形成
して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ
系の光吸収層を形成するに際して、Ｇａの融点が高いた
めに、ＣｕＩｎＧａＳｅ２中のＧａ濃度が高くなって結
晶化が不充分となり、Ｍｏ電極に対する密着性が悪くな
る（剥離しやすくなる）とともに、電池特性が劣化して
しまうことである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は、化合物半導体
による薄膜太陽電池における裏面電極となるＭｏ電極上
にＧａを含むＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金属
元素からなるプリカーサ薄膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中
で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成
するに際して、光吸収層の結晶化の不良による密着性の
低下に起因する電池特性の劣化を防止するべく、Ｍｏ電
極とプリカーサ薄膜との間にＧａ濃度をプリカーサ薄膜
よりも低くしたＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金
属元素からなる緩衝用薄膜を形成したうえで、その緩衝
用薄膜とプリカーサ薄膜とをＳｅ雰囲気中で熱処理する
ことによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成するようにし
ている。
による薄膜太陽電池における裏面電極となるＭｏ電極上
にＧａを含むＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金属
元素からなるプリカーサ薄膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中
で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成
するに際して、光吸収層の結晶化の不良による密着性の
低下に起因する電池特性の劣化を防止するべく、Ｍｏ電
極とプリカーサ薄膜との間にＧａ濃度をプリカーサ薄膜
よりも低くしたＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金
属元素からなる緩衝用薄膜を形成したうえで、その緩衝
用薄膜とプリカーサ薄膜とをＳｅ雰囲気中で熱処理する
ことによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成するようにし
ている。
【００２３】
【実施例】本発明による光吸収層の形成方法にあって
は、図３に示すように、ＳＬＧ基板１に成膜されている
Ｍｏ電極層２上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層４を形成
するに際して、Ｇａ濃度２０％のＣｕ−Ｇａの合金ター
ゲット（Ｇａ／Ｃｕ＋Ｇａ：２０ｗｔ％）Ｔ１およびＩ
ｎターゲットＴ２を設けた対向ターゲット式のＡｒスパ
ッタによって、各ターゲット材料の各スパッタ粒子が混
り合った状態でＣｕ＋Ｇａ＋Ｉｎの緩衝用薄膜３を形成
する第１のスパッタ工程ＳＰＴＩと、Ｇａ濃度３４％の
Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲット（Ｇａ／Ｃｕ＋Ｇａ：３４
ｗｔ％）Ｔ３およびＩｎターゲットＴ２を設けた対向タ
ーゲット式のＡｒスパッタによって、各ターゲット材料
の各スパッタ粒子が混り合った状態でＣｕ＋Ｇａ＋Ｉｎ
のプリカーサ薄膜４を形成する第２のスパッタ工程ＳＰ
Ｔ２と、緩衝用薄膜３およびプリカーサ薄膜４をＳｅ雰
囲気中で熱処理して、ＣＩＧＳ｛Ｃｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓ
ｅ２｝薄膜による光吸収層５を形成する熱処理工程ＨＥ
ＡＴとをとるようにしている。
は、図３に示すように、ＳＬＧ基板１に成膜されている
Ｍｏ電極層２上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層４を形成
するに際して、Ｇａ濃度２０％のＣｕ−Ｇａの合金ター
ゲット（Ｇａ／Ｃｕ＋Ｇａ：２０ｗｔ％）Ｔ１およびＩ
ｎターゲットＴ２を設けた対向ターゲット式のＡｒスパ
ッタによって、各ターゲット材料の各スパッタ粒子が混
り合った状態でＣｕ＋Ｇａ＋Ｉｎの緩衝用薄膜３を形成
する第１のスパッタ工程ＳＰＴＩと、Ｇａ濃度３４％の
Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲット（Ｇａ／Ｃｕ＋Ｇａ：３４
ｗｔ％）Ｔ３およびＩｎターゲットＴ２を設けた対向タ
ーゲット式のＡｒスパッタによって、各ターゲット材料
の各スパッタ粒子が混り合った状態でＣｕ＋Ｇａ＋Ｉｎ
のプリカーサ薄膜４を形成する第２のスパッタ工程ＳＰ
Ｔ２と、緩衝用薄膜３およびプリカーサ薄膜４をＳｅ雰
囲気中で熱処理して、ＣＩＧＳ｛Ｃｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓ
ｅ２｝薄膜による光吸収層５を形成する熱処理工程ＨＥ
ＡＴとをとるようにしている。
【００２４】ここでは、緩衝用薄膜３を１０００Åの膜
厚をもって、プリカーサ薄膜４を４０００Åの薄膜をも
ってそれぞれ形成するようにして、Ｃｕ＋Ｇａ＋Ｉｎの
トータル膜厚が５０００Åとなるようにしている。
厚をもって、プリカーサ薄膜４を４０００Åの薄膜をも
ってそれぞれ形成するようにして、Ｃｕ＋Ｇａ＋Ｉｎの
トータル膜厚が５０００Åとなるようにしている。
【００２５】形成される光吸収層５のバンドエンジニア
リングを考えた場合には、この構造ではＣＩＧＳ薄膜の
表面がワイドギャップとなるが、緩衝用薄膜３を１００
０Åの膜厚とすることで、熱処理によるセレン化工程後
には光吸収層５に最適なバンド構造になる。
リングを考えた場合には、この構造ではＣＩＧＳ薄膜の
表面がワイドギャップとなるが、緩衝用薄膜３を１００
０Åの膜厚とすることで、熱処理によるセレン化工程後
には光吸収層５に最適なバンド構造になる。
【００２６】図４は、対向ターゲット式のスパッタリン
グによって、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ３およびＩ
ｎターゲットＴ２における各スパッタ粒子が混り合った
状態でＣｕ＋Ｇａ＋Ｉｎのプリカーサ薄膜４が形成され
るときのスパッタ粒子の状態を示している。
グによって、Ｃｕ−Ｇａの合金ターゲットＴ３およびＩ
ｎターゲットＴ２における各スパッタ粒子が混り合った
状態でＣｕ＋Ｇａ＋Ｉｎのプリカーサ薄膜４が形成され
るときのスパッタ粒子の状態を示している。
【００２７】一対に設けられたＣｕ−Ｇａの合金ターゲ
ットＴ３およびＩｎターゲットＴ２のスパッタリングを
同時に行わせると、一方のターゲットからスパッタされ
た粒子が他方のターゲット表面に到達する。これにより
各ターゲット表面では双方のターゲット材料による金属
元素Ｃｕ，Ｇａ，Ｉｎが混り合った状態になり、その状
態でさらにスパッタリングが行われて、双方のターゲッ
ト材料が混り合ったスパッタ粒子が先にスパッタリング
によって形成されている緩衝用薄膜３上に付着堆積して
Ｃｕ＋Ｇａ＋Ｉｎのプリカーサ薄膜４が形成される。
ットＴ３およびＩｎターゲットＴ２のスパッタリングを
同時に行わせると、一方のターゲットからスパッタされ
た粒子が他方のターゲット表面に到達する。これにより
各ターゲット表面では双方のターゲット材料による金属
元素Ｃｕ，Ｇａ，Ｉｎが混り合った状態になり、その状
態でさらにスパッタリングが行われて、双方のターゲッ
ト材料が混り合ったスパッタ粒子が先にスパッタリング
によって形成されている緩衝用薄膜３上に付着堆積して
Ｃｕ＋Ｇａ＋Ｉｎのプリカーサ薄膜４が形成される。
【００２８】その際、各ターゲットＴ３，Ｔ２からスパ
ッタされたＣｕ−Ｇａ粒子およびＩｎ粒子の一部は他方
のターゲット表面に到達することなく、直接基材に向け
て飛び出すが、スパッタ粒子の飛び出し角度の確率から
して、混合されていないＣｕ−Ｇａ粒子およびＩｎ粒子
の付着はきわめて少なく、混合されたスパッタ粒子によ
る基材への付着が支配的となる。
ッタされたＣｕ−Ｇａ粒子およびＩｎ粒子の一部は他方
のターゲット表面に到達することなく、直接基材に向け
て飛び出すが、スパッタ粒子の飛び出し角度の確率から
して、混合されていないＣｕ−Ｇａ粒子およびＩｎ粒子
の付着はきわめて少なく、混合されたスパッタ粒子によ
る基材への付着が支配的となる。
【００２９】このように、本発明によれば、従来のよう
にＣｕ−Ｇａ薄膜とＩｎ薄膜とが積層された金属プリカ
ーサとしてではなく（図２参照）、最初から各ターゲッ
トＴ３，Ｔ２からスパッタされたＣｕ−Ｇａ粒子および
Ｉｎ粒子が混り合った単層の金属プリカーサを形成させ
ることができる。
にＣｕ−Ｇａ薄膜とＩｎ薄膜とが積層された金属プリカ
ーサとしてではなく（図２参照）、最初から各ターゲッ
トＴ３，Ｔ２からスパッタされたＣｕ−Ｇａ粒子および
Ｉｎ粒子が混り合った単層の金属プリカーサを形成させ
ることができる。
【００３０】したがって、積層構造の金属プリカーサに
比べて、Ｃｕ，Ｇａ，Ｉｎの金属元素が薄膜中に均一に
配され、金属元素間での固層拡散による合金化促進を抑
制できるようになる。また、後で行われる熱処理工程に
おいて、その金属プリカーサのセレン化を均等に行わせ
ることができるようになる。
比べて、Ｃｕ，Ｇａ，Ｉｎの金属元素が薄膜中に均一に
配され、金属元素間での固層拡散による合金化促進を抑
制できるようになる。また、後で行われる熱処理工程に
おいて、その金属プリカーサのセレン化を均等に行わせ
ることができるようになる。
【００３１】結果として、化合物半導体による薄膜太陽
電池の性能劣下の要因となる異相（本来作成しようとし
ている結晶構造とは異なる結晶相）の抑制にも効果があ
る。また、このような金属プリカーサの成膜されたプリ
カーサ薄膜４はアモルファス疑似構造であることも高品
質なＣＩＧＳ薄膜による光吸収層を得ることができる要
因となる。そして、そのプリカーサ薄膜４が３元合金の
堆積構造なので、電池としてのショートが生じにくいも
のとなる。
電池の性能劣下の要因となる異相（本来作成しようとし
ている結晶構造とは異なる結晶相）の抑制にも効果があ
る。また、このような金属プリカーサの成膜されたプリ
カーサ薄膜４はアモルファス疑似構造であることも高品
質なＣＩＧＳ薄膜による光吸収層を得ることができる要
因となる。そして、そのプリカーサ薄膜４が３元合金の
堆積構造なので、電池としてのショートが生じにくいも
のとなる。
【００３２】また、各ターゲットＴ３，Ｔ２の同時スパ
ッタによって、プリカーサ薄膜４の形成を高速で行わせ
ることができるようになる。
ッタによって、プリカーサ薄膜４の形成を高速で行わせ
ることができるようになる。
【００３３】以上のことは、一対のターゲットＴ１，Ｔ
２を用いた対向ターゲット式のスパッタリングによって
緩衝用薄膜３を形成させる場合にも同様である。
２を用いた対向ターゲット式のスパッタリングによって
緩衝用薄膜３を形成させる場合にも同様である。
【００３４】そして、このようにＣｕ，Ｇａ，Ｉｎの金
属元素が薄膜中に均一に配された単層構造の緩衝用薄膜
３およびプリカーサ薄膜４をＳｅ雰囲気中で熱処理する
ことによってセレン化することで、高品質なＣｕ（Ｉｎ
＋Ｇａ）Ｓｅ２のＣＩＧＳ薄膜による光吸収層（ｐ型半
導体）５を得ることができるようになる。
属元素が薄膜中に均一に配された単層構造の緩衝用薄膜
３およびプリカーサ薄膜４をＳｅ雰囲気中で熱処理する
ことによってセレン化することで、高品質なＣｕ（Ｉｎ
＋Ｇａ）Ｓｅ２のＣＩＧＳ薄膜による光吸収層（ｐ型半
導体）５を得ることができるようになる。
【００３５】本発明によって光吸収層５を形成したとき
の太陽電池の光電変換効率が１５％以上であることが確
認されている。
の太陽電池の光電変換効率が１５％以上であることが確
認されている。
【００３６】そして、その際、特に本発明によれば、Ｇ
ａ濃度の低い緩衝用薄膜３をＭｏ電極層２とプリカーサ
薄膜４との間に介在させているので、セレン化時に他の
元素と比べて拡散速度の遅いＧａによる結晶化の不良と
なる層の形成が抑制される。それにより、積層構造の薄
膜に比べ、構成元素を薄膜中に均一に配置することがで
き、構成元素間での固層拡散による合金化促進や後工程
のセレン化における構成元素の分布の不均一を抑制する
ことができ、光吸収層５の結晶化の不良による密着性の
低下に起因する電池特性の劣化を防止できるようにな
る。
ａ濃度の低い緩衝用薄膜３をＭｏ電極層２とプリカーサ
薄膜４との間に介在させているので、セレン化時に他の
元素と比べて拡散速度の遅いＧａによる結晶化の不良と
なる層の形成が抑制される。それにより、積層構造の薄
膜に比べ、構成元素を薄膜中に均一に配置することがで
き、構成元素間での固層拡散による合金化促進や後工程
のセレン化における構成元素の分布の不均一を抑制する
ことができ、光吸収層５の結晶化の不良による密着性の
低下に起因する電池特性の劣化を防止できるようにな
る。
【００３７】結果として、ＣＩＧＳ太陽電池の性能劣化
の要因とされている異相（本来形成しようとして結晶構
成とは異なる結晶による相）の抑制にも効果がある。
の要因とされている異相（本来形成しようとして結晶構
成とは異なる結晶による相）の抑制にも効果がある。
【００３８】このように合金化した単相構造の緩衝用薄
膜３およびプリカーサ薄膜４をセレン化法で熱処理する
ことで、Ｍｏ電極層２との界面での密着性が向上して、
後工程での膜剥離を生ずることがない高品位なＣｕ（Ｉ
ｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２による光吸収層（ｐタイプ半導体薄
膜）５が得られるようになる。
膜３およびプリカーサ薄膜４をセレン化法で熱処理する
ことで、Ｍｏ電極層２との界面での密着性が向上して、
後工程での膜剥離を生ずることがない高品位なＣｕ（Ｉ
ｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２による光吸収層（ｐタイプ半導体薄
膜）５が得られるようになる。
【００３９】図５は、Ｈ２Ｓｅガス（濃度５％のＡｒガ
ス希釈）を用いた熱処理によって、熱化学反応（気相Ｓ
ｅ化）を生じさせて緩衝用薄膜３およびプリカーサ薄膜
４からＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を形成する際の炉
内温度の特性の一例を示している。
ス希釈）を用いた熱処理によって、熱化学反応（気相Ｓ
ｅ化）を生じさせて緩衝用薄膜３およびプリカーサ薄膜
４からＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を形成する際の炉
内温度の特性の一例を示している。
【００４０】ここでは、加熱を開始してから炉内温度が
１００℃に達したら炉安定化のために１０分間予熱する
ようにしている。そして、安定したランプアップ可能な
時間として３０分かけて、炉内温度をＳＬＧ基板の反り
が発生しないように、かつ高熱処理で高品質結晶にする
ことができる５００〜５２０℃にまで上げる。その際、
炉内温度が２３０〜２５０℃になった時点ｔ１からＨ２
Ｓｅガスの熱分解によるＳｅの供給が開始される。そし
て、高熱処理によって高品質結晶とするために炉内温度
を５００〜５２０℃に保った状態で、４０分間熱処理す
るようにしている。
１００℃に達したら炉安定化のために１０分間予熱する
ようにしている。そして、安定したランプアップ可能な
時間として３０分かけて、炉内温度をＳＬＧ基板の反り
が発生しないように、かつ高熱処理で高品質結晶にする
ことができる５００〜５２０℃にまで上げる。その際、
炉内温度が２３０〜２５０℃になった時点ｔ１からＨ２
Ｓｅガスの熱分解によるＳｅの供給が開始される。そし
て、高熱処理によって高品質結晶とするために炉内温度
を５００〜５２０℃に保った状態で、４０分間熱処理す
るようにしている。
【００４１】その際、加熱を開始してから炉内温度が１
００℃に達した時点から、低温でＨ２Ｓｅガスをチャー
ジして、炉内一定圧力に保った状態で熱処理する。そし
て、熱処理が終了したｔ２時点で、不要なＳｅの析出を
防ぐため、炉内を１００Ｐａ程度の低圧でＡｒガスに置
換するようにしている。
００℃に達した時点から、低温でＨ２Ｓｅガスをチャー
ジして、炉内一定圧力に保った状態で熱処理する。そし
て、熱処理が終了したｔ２時点で、不要なＳｅの析出を
防ぐため、炉内を１００Ｐａ程度の低圧でＡｒガスに置
換するようにしている。
【００４２】図６は、本発明を適用して光吸収層を実際
に形成するための量産用の装置の一例を示している。
に形成するための量産用の装置の一例を示している。
【００４３】それは、ヒータ８によって内部が一定温度
に保持され、内部に予め多数用意されている基材（ＳＬ
Ｇ基板にＭｏ電極層が成膜されているもの）９を順次供
給する基材供給室Ｐ１と、連続して供給される基材９を
搬送しながら、対向ターゲット式のスパッタリング部Ｓ
ＰＴ１において基材９に緩衝用薄膜３を形成し、続けて
対向ターゲット式のスパッタリング部ＳＰＴ２において
その基材９の緩衝用薄膜３上にプリカーサ薄膜４を形成
するスパッタリング室Ｐ２と、そのスパッタリング室Ｐ
２から次々と送り出されてくる緩衝用薄膜３およびプリ
カーサ薄膜４が形成された基材９′を一時貯えて冷却す
る基材冷却室Ｐ３とからなるインライン成膜装置Ａと、
基材冷却室Ｐ３において冷却した基材９′を複数一括し
てＳｅ雰囲気中で熱処理するアニール装置Ｂとによって
構成されている。基材９，９′の搬送は、図示しないコ
ントローラの制御下において、スパッタリング部ＳＰＴ
１、ＳＰＴ２の動作状態に同期して行われるようになっ
ている。
に保持され、内部に予め多数用意されている基材（ＳＬ
Ｇ基板にＭｏ電極層が成膜されているもの）９を順次供
給する基材供給室Ｐ１と、連続して供給される基材９を
搬送しながら、対向ターゲット式のスパッタリング部Ｓ
ＰＴ１において基材９に緩衝用薄膜３を形成し、続けて
対向ターゲット式のスパッタリング部ＳＰＴ２において
その基材９の緩衝用薄膜３上にプリカーサ薄膜４を形成
するスパッタリング室Ｐ２と、そのスパッタリング室Ｐ
２から次々と送り出されてくる緩衝用薄膜３およびプリ
カーサ薄膜４が形成された基材９′を一時貯えて冷却す
る基材冷却室Ｐ３とからなるインライン成膜装置Ａと、
基材冷却室Ｐ３において冷却した基材９′を複数一括し
てＳｅ雰囲気中で熱処理するアニール装置Ｂとによって
構成されている。基材９，９′の搬送は、図示しないコ
ントローラの制御下において、スパッタリング部ＳＰＴ
１、ＳＰＴ２の動作状態に同期して行われるようになっ
ている。
【００４４】なお、インライン成膜装置Ａにおいて、Ｇ
ａ組成比の違うＣｕ−Ｇａターゲットを複数用いること
で、傾斜プロファイルを実現できるようになる。
ａ組成比の違うＣｕ−Ｇａターゲットを複数用いること
で、傾斜プロファイルを実現できるようになる。
【００４５】本発明は、対向ターゲット式のスパッタリ
ングによって緩衝用薄膜３およびプリカーサ薄膜４を形
成するに際して、一対のターゲット材料として、Ｃｕ−
Ｇａ合金とＩｎの組み合せに限らず、その他Ｃｕ−Ｇａ
合金またはＣｕ−Ａｌ合金とＩｎ−Ｃｕ合金の組合せ、
ＣｕとＩｎまたはＡｌの組合せ、ＣｕとＩｎ−Ｃｕ合金
の組合せが可能である。基本的には、Ｉｂ族金属−ＩＩ
Ｉｂ族金属の合金、Ｉｂ族金属、ＩＩＩｂ族金属のうち
の２種類を組み合せて用いるようにすればよい。
ングによって緩衝用薄膜３およびプリカーサ薄膜４を形
成するに際して、一対のターゲット材料として、Ｃｕ−
Ｇａ合金とＩｎの組み合せに限らず、その他Ｃｕ−Ｇａ
合金またはＣｕ−Ａｌ合金とＩｎ−Ｃｕ合金の組合せ、
ＣｕとＩｎまたはＡｌの組合せ、ＣｕとＩｎ−Ｃｕ合金
の組合せが可能である。基本的には、Ｉｂ族金属−ＩＩ
Ｉｂ族金属の合金、Ｉｂ族金属、ＩＩＩｂ族金属のうち
の２種類を組み合せて用いるようにすればよい。
【００４６】
【効果】以上、本発明にあっては、化合物半導体による
薄膜太陽電池における裏面電極となるＭｏ電極上にＧａ
を含むＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金属元素か
らなるプリカーサ薄膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処
理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成するに
際して、Ｍｏ電極とプリカーサ薄膜との間にＧａ濃度を
プリカーサ薄膜よりも低くしたＩｂ族系金属元素および
ＩＩＩｂ族系金属元素からなる緩衝用薄膜を形成したう
えで、その緩衝用薄膜とプリカーサ薄膜とをＳｅ雰囲気
中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形
成するようにしたもので、光吸収層の結晶化の不良によ
る密着性の低下に起因する電池特性の劣化を防止して、
品質の良い光吸収層を形成することができるという利点
を有している。
薄膜太陽電池における裏面電極となるＭｏ電極上にＧａ
を含むＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金属元素か
らなるプリカーサ薄膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処
理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成するに
際して、Ｍｏ電極とプリカーサ薄膜との間にＧａ濃度を
プリカーサ薄膜よりも低くしたＩｂ族系金属元素および
ＩＩＩｂ族系金属元素からなる緩衝用薄膜を形成したう
えで、その緩衝用薄膜とプリカーサ薄膜とをＳｅ雰囲気
中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形
成するようにしたもので、光吸収層の結晶化の不良によ
る密着性の低下に起因する電池特性の劣化を防止して、
品質の良い光吸収層を形成することができるという利点
を有している。
【図１】一般的な化合物半導体による薄膜太陽電池の基
本的な構造を示す正断面図である。
本的な構造を示す正断面図である。
【図２】従来の光吸収層の形成方法における金属プリカ
ーサを成膜してＣＩＧＳ薄膜を形成するプロセスを示す
図である。
ーサを成膜してＣＩＧＳ薄膜を形成するプロセスを示す
図である。
【図３】本発明の光吸収層の形成方法における緩衝用薄
膜およびプリカーサ薄膜を成膜してＣＩＧＳ薄膜を形成
するプロセスを示す図である。
膜およびプリカーサ薄膜を成膜してＣＩＧＳ薄膜を形成
するプロセスを示す図である。
【図４】本発明における対向ターゲット式のスパッタリ
ングによってプリカーサ薄膜が形成されるときのスパッ
タ粒子の状態を示す図である。
ングによってプリカーサ薄膜が形成されるときのスパッ
タ粒子の状態を示す図である。
【図５】本発明により緩衝用薄膜およびプリカーサ薄膜
をＳｅ雰囲気中で熱処理してＣＩＧＳ薄膜を形成する際
の加熱特性の一例を示す図である。
をＳｅ雰囲気中で熱処理してＣＩＧＳ薄膜を形成する際
の加熱特性の一例を示す図である。
【図６】本発明を適用して光吸収層を実際に形成するた
めの量産用の光吸収層形成装置の一例を示す簡略構成図
である。
めの量産用の光吸収層形成装置の一例を示す簡略構成図
である。
１ ＳＬＧ基板
２ Ｍｏ電極層
３ 緩衝用薄膜
４ プリカーサ薄膜
５ 光吸収層
６ バッファ層
７ 透明電極層
Ｔ１ Ｇａ濃度の低いＣｕ−Ｇａの合金ターゲット
Ｔ２ Ｉｎターゲット
Ｔ３ Ｇａ濃度の高いＣｕ−Ｇａの合金ターゲット
ＳＰＴ１ 第１の対向ターゲット式スパッタリングによ
るスパッタ工程 ＳＰＴ２ 第２の対向ターゲット式スパッタリングによ
るスパッタ工程
るスパッタ工程 ＳＰＴ２ 第２の対向ターゲット式スパッタリングによ
るスパッタ工程
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小丸 貴史
埼玉県狭山市新狭山１丁目10番地１ ホン
ダエンジニアリング株式会社内
Ｆターム(参考） 5F051 AA10 FA06
Claims (8)
- 【請求項１】 化合物半導体による薄膜太陽電池におけ
る裏面電極となるＭｏ電極上にＧａを含むＩｂ族系金属
元素およびＩＩＩｂ族系金属元素からなるプリカーサ薄
膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによって
ＣＩＧＳ系の光吸収層を形成する方法にあって、Ｍｏ電
極とプリカーサ薄膜との間にＧａ濃度をプリカーサ薄膜
よりも低くしたＩｂ族系金属元素およびＩＩＩｂ族系金
属元素からなる緩衝用薄膜を形成したうえで、その緩衝
用薄膜とプリカーサ薄膜とをＳｅ雰囲気中で熱処理する
ことによってＣＩＧＳ系の光吸収層を形成するようにし
たことを特徴とする光吸収層の形成方法。 - 【請求項２】 Ｉｂ族系金属元素がＣｕであり、ＩＩＩ
ｂ族系金属元素がＡｌ，ＧａまたはＩｎであることを特
徴とする請求項２の記載による光吸収層の形成方法。 - 【請求項３】 緩衝用薄膜とプリカーサ薄膜とをスパッ
タ法によって形成するようにしたことを特徴とする請求
項１の記載による光吸収層の形成方法。 - 【請求項４】 対向ターゲット式スパッタ法によって、
一対に設けられた異種ターゲット材料の各スパッタ粒子
が混ざり合った状態で緩衝用薄膜とプリカーサ薄膜とを
形成するようにしたことを特徴とする請求項２の記載に
よる光吸収層の形成方法。 - 【請求項５】 一対のターゲット材料として、Ｉｂ族系
金属−ＩＩＩｂ族系金属の合金、Ｉｂ族系金属、ＩＩＩ
ｂ族系金属のうちの２種類を組み合せて用いたことを特
徴とする請求項４の記載による光吸収層の形成方法。 - 【請求項６】 ヒータによって内部が一定温度に保持さ
れ、内部に予め多数用意されている基板にＭｏ電極層が
成膜されている基材を順次供給する基材供給室と、連続
して供給される基材を搬送しながら、第１の対向ターゲ
ット式のスパッタリング部において基材に緩衝用薄膜を
形成し、続けて第２の対向ターゲット式のスパッタリン
グ部においてその基材の緩衝用薄膜上にプリカーサ薄膜
を形成するスパッタリング室と、そのスパッタリング室
から次々と送り出されてくる緩衝用薄膜およびプリカー
サ薄膜が形成された基材を一時貯えて冷却する基材冷却
室とからなるインライン成膜装置と、基材冷却室におい
て冷却した基材を複数一括してＳｅ雰囲気中で熱処理す
るアニール装置とによって構成された光吸収層形成装
置。 - 【請求項７】 第１および第２の各対向ターゲット式の
スパッタリング部における一対のターゲット材料とし
て、Ｇａを含むＩｂ族系金属−ＩＩＩｂ族系金属の合
金、Ｉｂ族系金属、ＩＩＩｂ族系金属のうちの２種類を
組み合せて用いたことを特徴とする請求項６の記載によ
る光吸収層の形成装置。 - 【請求項８】 第１の対向ターゲット式のスパッタリン
グ部におけるターゲット材料のＧａ濃度を、第２の対向
ターゲット式のスパッタリング部におけるターゲット材
料のＧａ濃度よりも低くしたことを特徴とする請求項７
の記載による光吸収層の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001402901A JP2003188396A (ja) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 光吸収層の形成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001402901A JP2003188396A (ja) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 光吸収層の形成方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188396A true JP2003188396A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=27605725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001402901A Pending JP2003188396A (ja) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 光吸収層の形成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003188396A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282908A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Honda Motor Co Ltd | 光吸収層の作製方法および装置 |
| WO2009041660A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| WO2009041657A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| CN101972853A (zh) * | 2010-09-01 | 2011-02-16 | 山东信发金属粉末有限公司 | 晶硅太阳能电池p型掺杂铝背电极用球形铝粉的生产方法 |
| JP2013133523A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316230A (ja) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法 |
| JPH10135495A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Showa Shell Sekiyu Kk | 薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置 |
-
2001
- 2001-12-20 JP JP2001402901A patent/JP2003188396A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| WO2009041660A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
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| CN101972853B (zh) * | 2010-09-01 | 2013-04-17 | 山东信能新材料有限公司 | 晶硅太阳能电池p型掺杂铝背电极用球形铝粉的生产方法 |
| JP2013133523A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
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